TW201834226A - 影像感測器 - Google Patents

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Abstract

一種影像感測裝置被揭示，可以包括：像素陣列，其中佈置了多個像素塊。像素塊中的每個像素塊可以包括：光接收器，包括浮動擴散部和多個單位像素，以及被配置成接收入射光和回應於所接收的入射光而產生光電荷，該多個單位像素共享浮動擴散部；第一驅動器，位於光接收器的第一側，並包括驅動器電晶體；第二驅動器，位於光接收器的第二側，並包括重設電晶體；以及導線，具有將驅動器電晶體耦接到浮動擴散部的第一區和將浮動擴散部耦接到重設電晶體的第二區，其中，驅動器電晶體和重設電晶體在對角方向上分別位於光接收器的第一側和第二側。

Description

影像感測器
本發明的示例性實施例關於一種包括影像感測器的半導體裝置製造技術。
影像感測器指將光學影像轉換成電信號的裝置。近年來，隨著電腦產業和通訊產業的發展，在諸如數位相機、攝影機、個人通訊系統（PCS）、遊戲機、安全相機、醫療微型相機和機器人的各種領域中，對具有高集成度的增強型影像感測器的需求正在增加。
相關申請案的交叉引用： 本申請案請求2017年3月6日向韓國智慧財產局提交的申請號為10-2017-0028056的韓國專利申請案的優先權，其公開內容透過引用整體合併於此。
各種實施例針對一種增強型影像感測器。
在一個實施例中，一種影像感測裝置可以包括：像素陣列，其中佈置了多個像素塊。像素塊中的每個像素塊可以包括：光接收器，包括浮動擴散部和多個單位像素，並且被配置成接收入射光和回應於所接收的入射光而產生光電荷，該多個單位像素共享浮動擴散部；第一驅動器，位於光接收器的第一側，並包括驅動器電晶體；第二驅動器，位於光接收器的第二側，並包括重設電晶體；以及導線，具有將驅動器電晶體耦接到浮動擴散部的第一區和將浮動擴散部耦接到重設電晶體的第二區，其中，驅動器電晶體和重設電晶體在對角方向上分別位於光接收器的第一側和第二側。
導線的第一區和導線的第二區可以具有實質上相同的長度。導線的第一區和第二區可以相對於浮動擴散部對稱。
第一驅動器還可以包括選擇電晶體，並且選擇電晶體可以相較於驅動器電晶體位於更靠近浮動擴散部之處。選擇電晶體可以與浮動擴散部實質上位於同一線上。
導線的第一區可以電耦接到驅動器電晶體的閘極，並且導線的第二區可以電耦接到重設電晶體的源極。重設電晶體可以具有相較於重設電晶體的源極位於更靠近對應的像素塊的外部之處的閘極。
多個單位像素可以包括鄰近於驅動器電晶體的第一單位像素和鄰近於重設電晶體的第二單位像素，第一單位像素和第二單位像素被配置成感測相同的顏色。
在一個實施例中，一種影像感測裝置可以包括：像素陣列，其中佈置了多個像素塊。像素塊中的每個像素塊可以包括：光接收器，包括浮動擴散部和共享浮動擴散部的第一單位像素至第四單位像素，第一單位像素至第四單位像素中的每個單位像素被配置成接收入射光以及回應於所接收的入射光而產生光電荷，其中，第一單位像素位於浮動擴散部的第一上側，第二單位像素位於浮動擴散部的第二上側，第三單位像素位於浮動擴散部的第一下側，以及第四單位像素位於浮動擴散部的第二下側；第一驅動器，位於鄰近於第一單位像素之處且包括驅動器電晶體；第二驅動器，位於鄰近於第四單位像素之處且包括重設電晶體；以及導線，具有將驅動器電晶體耦接到浮動擴散部的第一區和將浮動擴散部耦接到重設電晶體的第二區。
影像感測裝置還可以包括具有與多個像素塊相對應的多個顏色圖案的濾色器陣列，其中，多個顏色圖案中的每個顏色圖案包括與第一單位像素相對應的第一濾色器、與第二單位像素相對應的第二濾色器、與第三單位像素相對應的第三濾色器和與第四單位像素相對應的第四濾色器，並且第一濾色器和第四濾色器具有相同的顏色。第一濾色器和第四濾色器可以包括綠色濾色器。
導線的第一區和導線的第二區可以具有實質上相同的長度。導線的第一區和第二區可以相對於浮動擴散部對稱。第一驅動器的驅動器電晶體可以位於鄰近於第一單位像素之處，以及第二驅動器的重設電晶體可以位於鄰近於第四單位像素之處。
第一驅動器還可以包括選擇電晶體，並且選擇電晶體可以相較於驅動器電晶體位於更靠近浮動擴散部之處。選擇電晶體的閘極與浮動擴散部可以實質上位於同一線上。
導線的第一區可以電耦接到驅動器電晶體的閘極，並且導線的第二區可以電耦接到重設電晶體的源極。重設電晶體可以具有相較於重設電晶體的源極位於更靠近對應的像素塊的外部之處的閘極。
在一個實施例中，一種影像感測裝置可以包括：第一像素塊，包括：第一光接收器，具有第一浮動擴散部和共享第一浮動擴散部的多個單位像素，該多個單位像素中的每個單位像素被配置成接收入射光以及回應於所接收的入射光而產生光電荷；第一驅動器，形成在第一光接收器的左上部處；以及第二驅動器，形成在第一光接收器的右下部處；以及第二像素塊，位於鄰近於第一像素塊之處，且包括：第二光接收器，具有第二浮動擴散部以及共享第二浮動擴散部的多個單位像素，該多個單位像素中的每個單位像素被配置成接收入射光以及回應於所接收的入射光而產生光電荷；第三驅動器，形成在第二光接收器的左上部處；以及第四驅動器，形成在第二光接收器的右下部處，其中，第二驅動器和第三驅動器位於同一線上。
影像感測裝置還可以包括：第一導線，具有將第一驅動器電晶體與第一浮動擴散部耦接的第一區和將第一浮動擴散部與第一重設電晶體耦接的第二區；以及第二導線，具有將第二驅動器電晶體與第二浮動擴散部耦接的第三區和將第二浮動擴散部與第二重設電晶體耦接的第四區，其中，第一區和第二區具有實質上相同的長度，而第三區和第四區具有實質上相同的長度。
第一驅動器和第三驅動器可以分別包括第一驅動器電晶體和第二驅動器電晶體，而第二驅動器和第四驅動器可以分別包括第一重設電晶體和第二重設電晶體。第一像素塊的多個單位像素可以包括鄰近於第一驅動器的第一單位像素和鄰近於第二驅動器的第二單位像素，而第二像素塊的多個單位像素包括鄰近於第三驅動器的第三單位像素和鄰近於第四驅動器的第四單位像素，第一單位像素至第四單位像素被配置成感測相同的顏色。
已揭示技術的各種實施例提供了一種增強型影像感測器。增強型影像感測器可以表示能夠提供高解析度影像的影像感測器。對於該操作，影像感測器可以具有共享像素結構。例如，各種實施例提供包括共享像素結構的影像感測器，該共享像素結構用於提供高解析度影像，由此防止單位像素的輸出信號之間的差異。作為參考，僅當彼此相鄰佈置以感測同一顏色的兩個或更多個單位像素（例如，彼此相鄰的兩個綠像素）的輸出信號具有相同的強度時，透過感測紅色、綠色和藍色來產生影像的影像感測器可以使影像轉換期間的誤差和雜訊最小化。然而，在具有共享像素結構的影像感測器中，佈置在各個單位像素周圍的結構（例如，像素電晶體）彼此不同。因此，每個單位像素的重疊電容或寄生電容變得彼此不同，且重疊電容或寄生電容中的差異導致每個單位像素的輸出信號變得彼此不同。在該專利文獻中的公開技術提供了影像感測器的各種實施例，影像感測器包括用於提供高解析度影像的共享像素結構，且可以防止單位像素的輸出信號彼此不同。已揭示技術的各種實施方式提供了一種影像感測器，該影像感測器可以為了彼此相鄰佈置以感測同一顏色的單位像素，而提供在單位像素和與單位像素相鄰的結構之中的相同的重疊電容或寄生電容。
下面將參照附圖來更詳細地描述已揭示技術的各種實施例。附圖不一定成比例，且在一些情況下，可能已經放大了附圖中的至少一部分結構以便清楚地圖示出所描述的示例或實施方式的某些特徵。在表示具有多層結構中的兩層或更多層的附圖或描述中的特定示例時，這些層的相對位置關係或佈置所示出之層的順序反映了對所描述或所圖示的示例的特定實施方式，且不同的相對位置關係或佈置這些層的不同順序是可能的。此外，所描述的或圖示的多層結構的示例可以不反映該特定多層結構中存在的全部層（例如，在兩個圖示的層之間可以存在一個或多個額外的層）。作為特定示例，當所描述或圖示的多層結構中的第一層被稱作在第二層「上」或「之上」或者在基底「上」或「之上」時，第一層可以直接形成在第二層或基底上，但也可以表示這樣的結構：其中在第一層與第二層或基底之間可以存在一個或多個其他中間層。
圖1是圖示基於已揭示技術的實施例的影像感測器的像素塊和與像素塊相對應的顏色圖案的平面圖。作為參考，顏色圖案可以包括由圖1中的虛線表示的多個濾色器。在圖1中，第一方向D1可以設置成行方向或水平方向，第二方向D2可以設置成列方向或垂直方向，而第三方向D3可以設置成對角方向。
如圖1中所示，基於已揭示技術的本實施例的影像感測器可以包括像素塊110。像素塊110可以包括光接收器210、第一驅動器220、第二驅動器230和導線240。光接收器210可以包括多個單位像素，該多個單位像素回應於入射光而產生光電荷且具有共享像素結構。第一驅動器220和第二驅動器230可以分別位於光接收器210的一側和另一側。例如，在圖1中，第一驅動器220和第二驅動器230分別位於像素塊110的頂部和底部。導線240可以將光接收器210電耦接到第一驅動器220和第二驅動器230。作為一個示例，圖1中所示的實施例示出了像素塊110包括一個光接收器210，但是其他實施方式也是可能的。例如，在其他實施方式中，像素塊110可以包括兩個或更多個光接收器210，且這兩個或更多個光接收器210可以共享第一驅動器220和第二驅動器230。
光接收器210可以包括以M*N矩陣結構（M和N是大於0的自然數）佈置的多個單位像素。單位像素共享浮動擴散部FD。例如，光接收器210可以具有包括以2×2矩陣結構佈置的四個單位像素（即，第一單位像素211至第四單位像素214）的4-共享像素結構。然而，本實施例不侷限於4-共享像素結構。例如，在其他實施方式中，光接收器210可以具有2n-共享結構，其中n是大於0的自然數。
浮動擴散部FD可以位於光接收器210的中心，而第一單位像素211至第四單位像素214可以圍繞浮動擴散部FD。第一單位像素211至第四單位像素214佈置在浮動擴散部FD的相應側上。例如，第一單位像素211至第四單位像素214可以分別位於光接收器210的左上部、右上部、左下部和右下部。因此，第一單位像素211可以鄰近於第一驅動器220，而第四單位像素214可以鄰近於第二驅動器230。稍後將要進一步描述的是，第一單位像素至第四單位像素的佈置可以有助於防止彼此相鄰佈置以感測同一顏色的單位像素的輸出信號之間的差異。
第一單位像素211至第四單位像素214中的每個單位像素可以包括光電轉換元件PD和傳送電晶體Tx。光電轉換元件PD可以回應於入射光而產生光電荷，而傳送電晶體Tx可以回應於傳送信號而將光電轉換元件PD產生的光電荷傳送給浮動擴散部FD。光電轉換元件PD可以包括有機光電二極體和/或無機光電二極體。光電轉換元件PD可以包括有機光電二極體和無機光電二極體中的任意一種，或者具有有機光電二極體和無機光電二極體的層疊結構。傳送信號可以被施加給傳送閘極TG，而光電轉換元件PD和浮動擴散部FD可以作為傳送電晶體Tx的源極和汲極。
第一驅動器220可以產生與由光接收器210所產生的光電荷相對應的輸出信號，以及回應於經由行線（未示出）施加的選擇信號而將輸出信號輸出給列線（未示出）。對於該操作，第一驅動器220可以包括驅動器電晶體Dx和選擇電晶體Sx。驅動器電晶體Dx和選擇電晶體Sx可以共享第一主動區221，且分別包括驅動器閘極DG和選擇閘極SG。驅動器閘極DG可以經由導線240電耦接到浮動擴散部FD，而選擇閘極SG可以耦接到行線（未示出）。第一主動區221包括第一結區222、第二結區223至第三結區224。結區（源極和汲極）可以形成在驅動器閘極DG和選擇閘極SG的兩側處。例如，第一主動區221的第一結區222可以形成在驅動器閘極DG的一側處，第一主動區221的第二結區223可以形成在驅動器閘極DG的另一側處（即，在驅動器閘極DG與選擇閘極SG之間），以及第一主動區221的第三結區224可以形成在選擇閘極SG其與第二結區223相反的另一側之處。雖然未在圖1中示出，但是第一結區222可以作為驅動器電晶體Dx的汲極來工作，且耦接到電源電壓端子。第三結區224可以作為選擇電晶體Sx的源極來工作，且耦接到列線（未示出）。
第一驅動器220和第二驅動器230可以在第一方向D1和第二方向D2上彼此位於光接收器210的不同側之處。例如，第一驅動器220可以位於光接收器210的左上部。第一主動區221可以包括長軸和短軸，且具有其長軸在第一方向D1上延伸的條形。在第一方向D1上，驅動器閘極DG可以比選擇閘極SG具有更大的線寬或通道長度。驅動器閘極DG的這種設計有助於有效地防止在產生輸出信號時發生雜訊。在像素塊110中，驅動器閘極DG可以相較於選擇閘極SG位於更靠近像素塊110的外部區域之處。相較於選擇閘極SG，驅動器閘極DG位於沿第一方向D1更遠離中心之處。換言之，選擇電晶體Sx相較於驅動器電晶體Dx位於更靠近浮動擴散部FD之處。參見圖1，當第一單位像素211和第二單位像素212在第一方向D1上佈置時，驅動器閘極DG可以被佈置得相較於第二單位像素212更靠近第一單位像素211，且選擇閘極SG可以被佈置在第一單位像素211與第二單位像素212之間。例如，驅動器閘極DG可以位於選擇閘極SG的左側。如稍後將要描述的，其中驅動器閘極DG被佈置得相較於選擇閘極SG更靠近第一單位像素211的結構可以用於防止可能由導線240導致的輸出信號之間的差異。此外，由於驅動器閘極DG被佈置得相較於選擇閘極SG更靠近第一單位像素211，因此選擇閘極SG可以在第二方向D2上與浮動擴散部FD位於同一線上。這樣的結構可以防止可能由選擇電晶體Sx導致的輸出信號之間的差異。
第一驅動器220還可以包括拾取區225。拾取區225可以位於第一主動區221的周圍或者平行於第一主動區221，同時在第一方向D1上與第一主動區221分開預定距離。拾取區225可以將預定的偏壓（例如，接地電壓）提供給其中形成有光接收器210以及第一驅動器220和第二驅動器230的基底。因此，拾取區225可以改善影像感測器的操作特性。
第二驅動器230可以回應於重設信號而將光接收器210的浮動擴散部FD重設。對於該操作，第二驅動器230可以包括重設電晶體Rx。重設電晶體Rx可以包括第二主動區231。第二主動區231可以包括重設閘極RG以及第四結區232和第五結區233。第四結區232和第五結區233可以形成在重設閘極RG的兩側處。重設信號可以被施加給重設閘極RG。第四結區232可以被設置成重設電晶體Rx的源極，且經由導線240電耦接到浮動擴散部FD。雖然在圖1中未示出，但是第五結區233可以被設置成重設電晶體Rx的汲極，且耦接到電源電壓端子。
第二驅動器230可以與第一驅動器220在第一方向D1和第二方向D2上位於光接收器210的的不同側之處。例如，第二驅動器230可以位於光接收器210的右下部。因此，第一驅動器220和第二驅動器230可以在第三方向D3上佈置，光接收器210設置在第一驅動器220與第二驅動器230之間。第二主動區231可以包括長軸和短軸，且具有其長軸在第一方向D1上延伸的條形。在像素塊110中，重設閘極RG可以相較於導線240或第四結區232位於更靠近像素塊110的外部區域之處。相較於導線240或第四結區232，重設閘極RG位於在第一方向D1上更遠離中心之處。在圖1中，當第三單位像素213和第四單位像素214在第一方向D1上佈置時，重設閘極RG可以被佈置得相較於第三單位像素213更靠近第四單位像素214。例如，重設閘極RG可以位於導線240的右側。如稍後將要描述的，其中重設閘極RG佈置得相較於第三單位像素213更靠近第四單位像素214的結構能夠用來防止可能由導線240導致的輸出信號之間的差異。
導線240可以用於將光接收器210電耦接到第一驅動器220和第二驅動器230。例如，導線240可以經由第一接觸C1電耦接到光接收器210的浮動擴散部FD，導線240可以經由第二接觸C2電耦接到第一驅動器220的驅動器閘極DG，以及導線240可以經由第三接觸C3電耦接到第二驅動器230。在一些實施方式中，導線240可以經由第三接觸C3電耦接到第二驅動器的重設電晶體Rx的源極（例如，第四結區232）。
導線240可以包括第一區240A和第二區240B。導線240的第一區240A可以對應於導線240其從第一接觸C1延伸到第二接觸C2的部分，而導線240的第二區240B可以對應於導線240其從第一接觸C1延伸到第三接觸C3的部分。第一區240A可以將光接收器210的浮動擴散部FD電耦接到第一驅動器220的驅動器閘極DG，而第二區240B可以將光接收器210的浮動擴散部FD電耦接到第二驅動器230的第四結區232。同時，導線240的第一區240A和導線240的第二區240B可以具有實質上相同的長度以防止可能由導線240導致的輸出信號之間的差異。此外，導線240的第一區240A和導線240的第二區240B可以具有圍繞第一接觸C1的實質上相同或類似的形狀。例如，導線240的第一區240A和導線240的第二區240B可以基於第一接觸C1或浮動擴散部FD而彼此點對稱。在一些實施方式中，導線240的第一區240A和第二區240B在空間上分離，並且分別位於浮動擴散部FD的兩個不同側之處。因此，當導線240的第一區240A基於第一接觸C1旋轉180度時，導線240的第二區240B與導線240的第一區240A可以彼此重疊。同時，由於導線240的第一區240A和導線240的第二區240B具有實質上相同的長度和形狀，因此浮動擴散部FD與第一驅動器220或第二驅動器230之間的距離可以被最小化，這使得可讓由於導線240導致的整個重疊電容最小化。這樣的結構可以在提升轉換增益的同時使浮動擴散部FD的有效電容最小化。
像素塊110的顏色圖案310可以包括與像素塊110中的各個單位像素相對應的多個濾色器。例如，顏色圖案310可以包括第一濾色器311至第四濾色器314。每個濾色器可以用單個濾色器（例如，紅色濾色器、綠色濾色器、藍色濾色器、青色濾色器、黃色濾色器、紫紅色濾色器、白色濾色器、黑色濾色器、紅外線消除濾色器、紅外線通過濾色器或用於通過特定波段的帶通濾色器）或包括其中的兩種或更多種濾色器的多濾色器來實施。
在顏色圖案310中的多個濾色器之中，兩個或更多個濾色器可以具有相同的顏色。例如，當像素塊110包括第一單位像素211至第四單位像素214時，顏色圖案310可以包括分別與第一單位像素211至第四單位像素214相對應的第一濾色器311至第四濾色器314。假定在第一濾色器311至第四濾色器314之中，兩個濾色器可以具有相同的顏色。例如，顏色圖案310可以包括在其中重複BGb/RGr的拜爾圖案（Bayer pattern）。在一些實施方式中，第一濾色器311、第二濾色器312、第三濾色器313和第四濾色器314可以分別被設置成第一綠色濾色器Gb、藍色濾色器B、紅色濾色器R和第二綠色濾色器Gr。因此，當第一濾色器311和第四濾色器314分別對應於與第一驅動器220相鄰的第一單位像素211和與第二驅動器230相鄰的第四單位像素214時，第一濾色器311和第四濾色器314具有相同的顏色。濾色器的這種佈置允許最靠近第一驅動器220或第二驅動器230的單位像素具有彼此相同的顏色。由於最接近於第一驅動器220和第二驅動器230的單位像素的濾色器具有相同的顏色，因此在影像轉換期間可以使影像感測器的誤差和雜訊最小化。
在基於已揭示技術的本實施例的影像感測器中，第一驅動器220和第二驅動器230位於光接收器210的不同側之處，而導線240包括具有實質上相同的長度和形狀的第一區240A和第二區240B。透過如此做，可以使浮動擴散部FD與第一驅動器220之間的距離以及浮動擴散部與第二驅動器230之間的距離最小化，從而可以防止具有共享像素結構的單位像素的輸出信號之間的差異。
此外，由於鄰近於第一驅動器220和第二驅動器230的單位像素包括具有相同顏色的濾色器，因此影像感測器可以防止用於感測相同顏色的單位像素的輸出信號之間的差異，從而使影像轉換期間的誤差和雜訊最小化。
圖2是圖示基於已揭示技術的本實施例的影像感測器的像素陣列的一部分的平面圖，而圖3是圖示與基於已揭示技術的本實施例的影像感測器的像素陣列的所述部分相對應的濾色器陣列的一部分的平面圖。在圖2和圖3中，第一方向D1可以被設置成行方向或水平方向，第二方向D2可以被設置成列方向或垂直方向，而第三方向D3可以被設置成對角方向。
如圖2和圖3中所示，基於已揭示技術的本實施例的影像感測器可以包括像素陣列100，該像素陣列100中二維地佈置了多個像素塊110。每個像素塊110可以包括光接收器210、第一驅動器220、第二驅動器230和導線240。光接收器210可以包括多個單位像素，該多個單位像素回應於入射光而產生光電荷以及具有共享像素結構，第一驅動器220和第二驅動器230可以在第二方向D2上位於光接收器210的不同側之處，而導線240可以將光接收器210電耦接到第一驅動器220和第二驅動器230。由於已經參照圖1詳細描述了像素塊110，因此在此省略對其的詳細描述。
在圖2中，像素陣列100包括多個像素塊。在第一方向上，像素陣列100可以包括像素塊（在下文中稱作「第一像素塊110-1」）和鄰近於第一像素塊的另一個像素塊（在下文中稱作「第二像素塊110-2」）。在第一方向D1上，第一像素塊110-1的光接收器210以及第一驅動器220和第二驅動器230可以分別與第二像素塊110-2的光接收器210以及第一驅動器220和第二驅動器230位於同一線上。
在第二方向上，像素陣列100可以包括第一像素塊110-1和鄰近於第一像素塊110-1的另一個像素塊（在下文中稱作「第三像素塊110-3」）。第一像素塊110-1的第二驅動器230和第三像素塊110-3的第一驅動器220可以在第一方向D1上位於同一線上。
參見圖3，濾色器陣列300可以包括多個顏色圖案310，該多個顏色圖案310被二維地佈置以對應於各個像素塊110。每個顏色圖案310可以包括具有相同佈置的第一濾色器311至第四濾色器314。
如上所述，基於已揭示技術的本實施例的影像感測器的像素陣列100具有這樣的佈置：其中第一像素塊110-1的第二驅動器230與第三像素塊110-3的第一驅動器220在第一方向D1上位於同一線上。因此 ，基於已揭示技術的本實施例的影像感測器可以很容易地高密度集成，且更有效地防止具有共享像素結構的多個單位像素的輸出信號之間的差異。
圖4是示意性地圖示基於已揭示技術的實施例的影像感測器的示例代表的方塊圖。
如圖4中所示，影像感測器可以包括像素陣列100（在像素陣列100中多個像素塊110以矩陣結構佈置）、相關雙採樣（CDS）120、類比數位轉換器（ADC）130、緩衝器140、行驅動器150、時序產生器160、控制暫存器170和斜坡信號產生器180。多個像素塊110中的每個像素塊可以具有4-共享像素結構。
時序產生器160產生用於控制行驅動器150、相關雙採樣（CDS）120、類比數位轉換器（ADC）130和斜坡信號產生器180的相應操作的一個或更多個控制信號。控制暫存器170產生用於控制斜坡信號產生器180、時序產生器160和緩衝器140的相應操作的一個或更多個控制信號。
行驅動器150經由行線耦接到像素陣列100。行驅動器150用行線來驅動像素陣列100。例如，行驅動器150可以產生用於選擇多個行線之中的特定行線的選擇信號。多個行線分別與多個像素塊110耦接。一個行線耦接到多個像素塊110的每個像素塊。
多個像素塊110的每個像素塊感測入射光，並經由列線將影像重設信號和影像信號輸出到相關雙採樣120。為了從像素陣列100中的像素塊110接收影像重設信號和影像信號，相關雙採樣120經由列線耦接到像素陣列100。相關雙採樣120對其中接收的影像重設信號和影像信號中的每個信號執行採樣。多個像素塊110分別耦接到多個列線。一個列線耦接到多個像素塊110中的每個像素塊。類比數位轉換器130與相關雙採樣120和斜坡信號產生器180耦接。類比數位轉換器130被配置成分別從相關雙採樣120和斜坡信號產生器180接收採樣信號和斜坡信號、將從斜坡信號產生器180輸出的斜坡信號與從相關雙採樣120輸出的採樣信號進行比較以及輸出比較信號。在一些實施方式中，類比數位轉換器130耦接到將時脈信號提供給類比數位轉換器130的時序產生器160。類比數位轉換器130使用從時序產生器160提供的時脈信號來對比較信號的位準轉變時間進行計數，以及將計數值輸出到緩衝器140。在一些實施方式中，時序產生器還耦接到斜坡信號產生器180，以及斜坡信號產生器180可以在時序產生器160的控制下工作。
緩衝器140耦接到類比數位轉換器130以從類比數位轉換器130接收數位信號。在一些實施方式中，緩衝器140可以包括記憶體（未示出）和感測放大器（未示出）。緩衝器140儲存從類比數位轉換器130輸出的數位信號。在一些實施方式中，緩衝器的記憶體儲存由類比數位轉換器130計數並從類比數位轉換器130提供的計數值。計數值可以與從多個像素組110輸出的信號相關聯。緩衝器140還被配置成感測並放大儲存的數位信號，以及輸出放大的結果信號。緩衝器140的感測放大器被建構成感測並放大從記憶體輸出的相應計數值。
基於已揭示技術的上述實施例的影像感測器可以被用在各種電子設備或系統中。在下文中，將參照圖5來描述基於已揭示技術的實施例的影像感測器應用於相機的情況。
圖5是示意性地圖示基於已揭示技術的實施例的包括影像感測器的電子設備的示例代表的示圖。
參見圖5，包括基於已揭示技術的實施例的影像感測器的電子設備可以為能夠拍攝靜止影像或移動圖片的相機。電子設備可以包括光學系統（或光學透鏡）910、快門單元911、影像感測器900、用於控制/驅動影像感測器900和快門單元911的驅動單元913以及信號處理單元912。
光學系統910將來自物體的影像光（入射光）引導至影像感測器900的像素陣列（參見圖4的附圖標記100）。光學系統910可以透過多個光學透鏡來建構。快門單元911控制影像感測器900的光照射時段和光遮罩時段。驅動單元913控制影像感測器900的傳輸操作和快門單元911的快門操作。信號處理單元912對從影像感測器900輸出的信號執行各種類型的信號處理。經信號處理之後的影像信號Dout可以被儲存在諸如記憶體的儲存媒介中或者被輸出給監控器等。
基於本實施例，第一驅動器和第二驅動器可以位於光接收器的一側和另一側，以及導線的第一區和導線的第二區可以具有實質上相同的長度和形狀。利用此專利文獻中建議的結構，可以防止具有共享像素結構的多個單位像素的輸出信號之間的差異。
此外，鄰近於第一驅動器和第二驅動器的單位像素可以包括具有相同顏色的濾色器，從而防止用於感測相同顏色的單位像素的輸出信號之間的差異，同時使影像轉換期間的誤差和雜訊最小化。
雖然本專利文獻包含很多細節，但是這些不應該被解釋為對任何發明的範圍或者可以要求保護的範圍的限制，相反地，是作為可以專門用於特定發明的特定實施例的特徵的描述。本專利文獻中在分開的實施例的上下文中描述的的某些特徵也可以在單個實施例中組合來實施。相反地，在單個實施例的上下文中描述的各種特徵也可以在多個實施例中單獨地實施或者以任何合適的子組合來實施。此外，雖然特徵可以如上所述為在某些組合中起作用，甚至初始請求如此保護，但是來自請求保護的組合的一個或更多個特徵可以在一些情況下從該組合中刪除，並且所請求保護的組合可以針對子組合或子組合的變體。
類似地，雖然在附圖中以特定順序描述了操作，但是這不應當被理解成請求以所示的特定順序或以依序的順序來執行這些操作，或者執行全部示出的操作，以實現所描述的結果。此外，本專利文獻中描述的實施例的各種系統元件的分離不應當被理解成在全部實施例中都要求這樣的分離。僅有若干實施方式和示例被描述。基於本專利文獻中所描述的和圖示的內容，可以作出其他實施方式、提升和變化。
100‧‧‧像素陣列
110‧‧‧像素塊
110-1‧‧‧第一像素塊
110-2‧‧‧第二像素塊
110-3‧‧‧第三像素塊
120‧‧‧相關雙採樣
130‧‧‧類比數位轉換器
140‧‧‧緩衝器
150‧‧‧行驅動器
160‧‧‧時序產生器
170‧‧‧控制暫存器
180‧‧‧斜坡信號產生器
210‧‧‧光接收器
211‧‧‧第一單位像素
212‧‧‧第二單位像素
213‧‧‧第三單位像素
214‧‧‧第四單位像素
220‧‧‧第一驅動器
221‧‧‧第一主動區
222‧‧‧第一結區
223‧‧‧第二結區
224‧‧‧第三結區
225‧‧‧拾取區
230‧‧‧第二驅動器
231‧‧‧第二主動區
232‧‧‧第四結區
233‧‧‧第五結區
240‧‧‧導線
240A‧‧‧第一區
240B‧‧‧第二區
300‧‧‧濾色器陣列
310‧‧‧顏色圖案
311‧‧‧第一濾色器
312‧‧‧第二濾色器
313‧‧‧第三濾色器
314‧‧‧第四濾色器
900‧‧‧影像感測器
910‧‧‧光學系統
911‧‧‧快門單元
912‧‧‧信號處理單元
913‧‧‧驅動單元
ADC‧‧‧類比數位轉換器
B‧‧‧藍色濾色器
C1‧‧‧第一接觸
C2‧‧‧第二接觸
C3‧‧‧第三接觸
CDS‧‧‧相關雙採樣
D1‧‧‧第一方向
D2‧‧‧第二方向
D3‧‧‧第三方向
DG‧‧‧驅動器閘極
Dout‧‧‧影像信號
Dx‧‧‧驅動器電晶體
FD‧‧‧浮動擴散部
Gb‧‧‧第一綠色濾色器
Gr‧‧‧第二綠色濾色器
PD‧‧‧光電轉換元件
R‧‧‧紅色濾色器
RG‧‧‧重設閘極
Rx‧‧‧重設電晶體
SG‧‧‧選擇閘極
Sx‧‧‧選擇電晶體
TG‧‧‧傳送閘極
Tx‧‧‧傳送電晶體
圖1是圖示基於已揭示技術的實施例的影像感測器的像素塊和與像素塊相對應的顏色圖案的平面圖。 圖2是圖示基於已揭示技術的實施例的影像感測器的像素陣列的一部分的平面圖。 圖3是圖示基於已揭示技術的實施例的與影像感測器的像素陣列的一部分相對應的濾色器陣列的平面圖。 圖4是示意性圖示基於已揭示技術的實施例的影像感測器的示例代表的方塊圖。 圖5是示意性圖示基於已揭示技術的實施例的包括影像感測器的電子設備的示例代表的示圖。
無

Claims (22)

  1. 一種影像感測裝置，包括： 像素陣列，其中佈置了多個像素塊， 其中，像素塊中的每個像素塊包括： 光接收器，包括浮動擴散部和多個單位像素，並且被配置成接收入射光並回應於所接收的入射光而產生光電荷，所述多個單位像素共享浮動擴散部； 第一驅動器，位於光接收器的第一側，並包括驅動器電晶體； 第二驅動器，位於光接收器的第二側，並包括重設電晶體；以及 導線，具有將驅動器電晶體耦接到浮動擴散部的第一區和將浮動擴散部耦接到重設電晶體的第二區， 其中，驅動器電晶體和重設電晶體在對角方向上分別位於光接收器的第一側和第二側。
  2. 如請求項1所述的影像感測裝置，其中，導線的第一區和導線的第二區具有實質上相同的長度。
  3. 如請求項1所述的影像感測裝置，其中，導線的第一區和第二區相對於浮動擴散部對稱。
  4. 如請求項1所述的影像感測裝置，其中，第一驅動器還包括選擇電晶體，並且 選擇電晶體相較於驅動器電晶體位於更靠近浮動擴散部之處。
  5. 如請求項4所述的影像感測裝置，其中，選擇電晶體與浮動擴散部實質上位於同一線上。
  6. 如請求項1所述的影像感測裝置，其中，導線的第一區電耦接到驅動器電晶體的閘極，並且 導線的第二區電耦接到重設電晶體的源極。
  7. 如請求項6所述的影像感測裝置，其中，重設電晶體具有相較於重設電晶體的源極位於更靠近對應的像素塊的外部之處的閘極。
  8. 如請求項1所述的影像感測裝置，其中，所述多個單位像素包括鄰近於驅動器電晶體的第一單位像素和鄰近於重設電晶體的第二單位像素，第一單位像素和第二單位像素被配置成感測相同的顏色。
  9. 一種影像感測裝置，包括： 像素陣列，其中佈置了多個像素塊， 其中，像素塊中的每個像素塊包括： 光接收器，包括浮動擴散部和共享浮動擴散部的第一單位像素至第四單位像素，第一單位像素至第四單位像素中的每個單位像素被配置成接收入射光以及回應於所接收的入射光而產生光電荷，其中，第一單位像素位於浮動擴散部的第一上側，第二單位像素位於浮動擴散部的第二上側，第三單位像素位於浮動擴散部的第一下側，以及第四單位像素位於浮動擴散部的第二下側； 第一驅動器，位於鄰近於第一單位像素處且包括驅動器電晶體； 第二驅動器，位於鄰近於第四單位像素處且包括重設電晶體；以及 導線，具有將驅動器電晶體耦接到浮動擴散部的第一區和將浮動擴散部耦接到重設電晶體的第二區。
  10. 如請求項9所述的影像感測裝置，還包括具有與所述多個像素塊相對應的多個顏色圖案的濾色器陣列， 其中，所述多個顏色圖案中的每個顏色圖案包括與第一單位像素相對應的第一濾色器、與第二單位像素相對應的第二濾色器、與第三單位像素相對應的第三濾色器和與第四單位像素相對應的第四濾色器，並且第一濾色器和第四濾色器具有相同的顏色。
  11. 如請求項10所述的影像感測裝置，其中，第一濾色器和第四濾色器包括綠色濾色器。
  12. 如請求項9所述的影像感測裝置，其中，導線的第一區和導線的第二區具有實質上相同的長度。
  13. 如請求項9所述的影像感測裝置，其中，導線的第一區和第二區關於浮動擴散部對稱。
  14. 如請求項9所述的影像感測裝置，其中，第一驅動器的驅動器電晶體位於鄰近於第一單位像素之處，並且 第二驅動器的重設電晶體位於鄰近於第四單位像素之處。
  15. 如請求項9所述的影像感測裝置，其中，第一驅動器還包括選擇電晶體，並且 選擇電晶體相較於驅動器電晶體位於更靠近浮動擴散部之處。
  16. 如請求項15所述的影像感測裝置，其中，選擇電晶體的閘極與浮動擴散部實質上位於同一線上。
  17. 如請求項9所述的影像感測裝置，其中，導線的第一區電耦接到驅動器電晶體的閘極，並且 導線的第二區電耦接到重設電晶體的源極。
  18. 如請求項17所述的影像感測裝置，其中，重設電晶體具有相較於重設電晶體的源極位於更靠近對應的像素塊的外部之處的閘極。
  19. 一種影像感測裝置，包括： 第一像素塊，包括第一光接收器，具有第一浮動擴散部和共享第一浮動擴散部的多個單位像素，所述多個單位像素中的每個單位像素被配置成接收入射光以及回應於所接收的入射光而產生光電荷；第一驅動器，形成在第一光接收器的左上部之處；以及第二驅動器，形成在第一光接收器的右下部之處；以及 第二像素塊，位於鄰近於第一像素塊之處，且包括第二光接收器，具有第二浮動擴散部和共享第二浮動擴散部的多個單位像素，所述多個單位像素中的每個單位像素被配置成接收入射光以及回應於所接收的入射光而產生光電荷；第三驅動器，形成在第二光接收器的左上部之處；以及第四驅動器，形成在第二光接收器的右下部之處， 其中，第二驅動器和第三驅動器位於同一線上。
  20. 如請求項19所述的影像感測裝置，其中，第一驅動器和第三驅動器分別包括第一驅動器電晶體和第二驅動器電晶體，並且 第二驅動器和第四驅動器分別包括第一重設電晶體和第二重設電晶體。
  21. 如請求項20所述的影像感測裝置，還包括： 第一導線，具有將第一驅動器電晶體與第一浮動擴散部耦接的第一區和將第一浮動擴散部與第一重設電晶體耦接的第二區；以及 第二導線，具有將第二驅動器電晶體與第二浮動擴散部耦接的第三區和將第二浮動擴散部與第二重設電晶體耦接的第四區， 其中，第一區和第二區具有實質上相同的長度，而第三區和第四區具有實質上相同的長度。
  22. 如請求項19所述的影像感測裝置，其中，第一像素塊的所述多個單位像素包括鄰近於第一驅動器的第一單位像素和鄰近於第二驅動器的第二單位像素，而第二像素塊的所述多個單位像素包括鄰近於第三驅動器的第三單位像素和鄰近於第四驅動器的第四單位像素，第一單位像素至第四單位像素被配置成感測相同的顏色。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI692979B (zh) * 2018-10-19 2020-05-01 國立中山大學 線性-對數型主動式像素感測器

Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102591525B1 (ko) * 2018-05-28 2023-10-23 에스케이하이닉스 주식회사 공통 선택 트랜지스터를 가진 유닛 픽셀 블록을 포함하는 이미지 센서
US10797091B2 (en) * 2018-05-31 2020-10-06 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Semiconductor imaging device having improved dark current performance
US10734419B2 (en) * 2018-10-31 2020-08-04 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Imaging device with uniform photosensitive region array
WO2020093197A1 (en) * 2018-11-05 2020-05-14 Huawei Technologies Co., Ltd. Image sensor and control method therefor
KR102651393B1 (ko) * 2019-04-05 2024-03-27 에스케이하이닉스 주식회사 쉴딩 배선을 갖는 이미지 센서
KR20200117729A (ko) * 2019-04-05 2020-10-14 삼성전자주식회사 이미지 센서
KR20210010018A (ko) * 2019-07-19 2021-01-27 에스케이하이닉스 주식회사 이미지 센싱 장치
KR20220008620A (ko) * 2020-07-14 2022-01-21 에스케이하이닉스 주식회사 이미지 센싱 장치

Family Cites Families (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100598015B1 (ko) * 2005-02-07 2006-07-06 삼성전자주식회사 공유 구조 상보성 금속 산화막 반도체 액티브 픽셀 센서어레이의 레이 아웃
TWI433307B (zh) 2008-10-22 2014-04-01 Sony Corp 固態影像感測器、其驅動方法、成像裝置及電子器件
JP2011035154A (ja) * 2009-07-31 2011-02-17 Sony Corp 固体撮像装置、および、その製造方法、電子機器
US8405751B2 (en) * 2009-08-03 2013-03-26 International Business Machines Corporation Image sensor pixel structure employing a shared floating diffusion
JP5564874B2 (ja) * 2009-09-25 2014-08-06 ソニー株式会社 固体撮像装置、及び電子機器
JP5493669B2 (ja) * 2009-10-07 2014-05-14 ソニー株式会社 固体撮像装置、撮像装置、および固体撮像装置の製造方法
JP2011114324A (ja) * 2009-11-30 2011-06-09 Sony Corp 固体撮像装置及び電子機器
JP5564909B2 (ja) * 2009-11-30 2014-08-06 ソニー株式会社 固体撮像装置とその製造方法、及び電子機器
JP5644177B2 (ja) * 2010-05-07 2014-12-24 ソニー株式会社 固体撮像装置、および、その製造方法、電子機器
JP5771079B2 (ja) * 2010-07-01 2015-08-26 株式会社半導体エネルギー研究所 撮像装置
JP6003291B2 (ja) * 2011-08-22 2016-10-05 ソニー株式会社 固体撮像装置及び電子機器
US9165959B2 (en) * 2013-02-25 2015-10-20 Omnivision Technologies, Inc. Image sensor with pixel units having mirrored transistor layout
JP6334203B2 (ja) * 2014-02-28 2018-05-30 ソニー株式会社 固体撮像装置、および電子機器
JP6246076B2 (ja) * 2014-06-05 2017-12-13 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体装置の製造方法および半導体装置
TWI696278B (zh) * 2015-03-31 2020-06-11 日商新力股份有限公司 影像感測器、攝像裝置及電子機器
JP6123866B2 (ja) * 2015-10-26 2017-05-10 ソニー株式会社 固体撮像装置、及び電子機器
KR102414030B1 (ko) 2015-11-18 2022-06-29 에스케이하이닉스 주식회사 이미지 센서
KR102473154B1 (ko) * 2016-01-11 2022-12-02 에스케이하이닉스 주식회사 이미지 센서
KR102356913B1 (ko) * 2017-07-03 2022-02-03 에스케이하이닉스 주식회사 이미지 센서

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI692979B (zh) * 2018-10-19 2020-05-01 國立中山大學 線性-對數型主動式像素感測器

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