TW201834063A - 基板處理裝置 - Google Patents

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永田朋幸
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日商東京威力科創股份有限公司
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    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
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    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
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    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45563—Gas nozzles
    • C23C16/45574—Nozzles for more than one gas

Abstract

本發明提供一種基板處理裝置，其可抑制在基板的一面內以及面與面間供給氣體的濃度分布之偏差。為解決上述課題，本發明之基板處理裝置，包含：處理容器，設置成可收納複數之基板，以處理該複數之基板；複數之氣體噴嘴，設置於該處理容器內，於該處理容器的周向並列且沿該處理容器的縱長方向延伸，向該處理容器內供給氣體；以及排氣部，設置於該處理容器內之與該複數之氣體噴嘴對向側的位置，排出該處理容器內的氣體；該氣體噴嘴，具有：噴嘴基部，於該處理容器的周向並列；及氣體供給部，連接該噴嘴基部而向該處理容器內供給氣體；該複數之氣體噴嘴，具有：第一氣體噴嘴，具備位於該處理容器內最下方的位置之第一氣體供給部；及第二氣體噴嘴，具備位於較該第一氣體供給部更為上方的位置之第二氣體供給部；且該第二氣體噴嘴係形成為：使該第一氣體供給部與該第二氣體供給部，在該處理容器之縱長方向上配置於一直線上。

Description

基板處理裝置
本發明係關於基板處理裝置。
在對複數片基板進行成膜處理之批次式基板處理裝置中，設有：反應容器，收納複數片基板；氣體供給機構，向反應容器內供給氣體；及排氣機構，位於氣體供給機構之對向側，對反應容器內進行排氣。
當以一個產線構成氣體供給機構時，在氣體供給壓力高的反應容器內，愈靠近底部氣體流量愈多，使得反應容器內氣體的供給有產生差異之傾向。因此，習知基板處理裝置中，藉由以氣體供給位置不同之複數之氣體供給管線構成氣體供給機構，可控制反應容器內上下之供給氣體流量。
例如，日本特開2011－187884號公報(專利文獻1)中揭露有一種基板處理裝置，其具備：反應管，收納複數片基板而進行處理；複數之氣體噴嘴，向反應管內供給氣體；及氣體排氣口，將反應管內之氣體排出。又，日本特開2012－15536號公報(專利文獻2)中揭露有一種基板處理裝置，其具備：處理室，收納複數片基板而進行處理；複數之氣體供給管線，向處理室內供給氣體；及排氣線，將供給至處理室內的氣體排出。［先行技術文獻］［專利文獻］
［專利文獻1］日本特開2011－187884號公報［專利文獻2］日本特開2012－15536號公報
［發明所欲解決之問題］然而，專利文獻1、2所記載之基板處理裝置中，「設置有複數之氣體供給管線之氣體供給區域」，與「位於該氣體供給區域對向側之設有排氣口的排氣區域」，兩者的位置關係在反應容器內的上下係不同。因此，造成在基板間供給各基板的氣體濃度之分布產生偏差，使得在基板的一面內以及面與面間產生成膜之膜厚不平均的問題。
又，本發明之目的在於提供一種基板處理裝置，其可抑制在基板之一面內以及面與面間供給氣體濃度分布之偏差。［解決問題之方式］
為達成上述目的，依本發明之一態樣的基板處理裝置，包含：處理容器，設置成可收納複數之基板，以處理該複數之基板；複數之氣體噴嘴，設置於該處理容器內，於該處理容器的周向並列且沿該處理容器的縱長方向延伸，向該處理容器內供給氣體；以及排氣部，設置於該處理容器內之與該複數之氣體噴嘴對向側的位置，排出該處理容器內的氣體；該氣體噴嘴，具有：噴嘴基部，於該處理容器的周向並列；及氣體供給部，連接該噴嘴基部而向該處理容器內供給氣體；該複數之氣體噴嘴，具有：第一氣體噴嘴，具備位於該處理容器內最下方的位置之第一氣體供給部；及第二氣體噴嘴，具備位於較該第一氣體供給部更為上方的位置之第二氣體供給部；且該第二氣體噴嘴係形成為：使該第一氣體供給部與該第二氣體供給部，在該處理容器之縱長方向上配置於一直線上。［發明之效果］
依本發明之一實施態樣，可抑制在一面內以及面與面間供給氣體濃度分布之偏差。
以下，針對本實施方式，一面參照圖式一面說明。又，各圖中，針對共通的構成，有時附加相同之符號而省略說明。
圖1係依實施態樣之基板處理裝置的概略圖。圖2係表示圖1之基板處理裝置的氣體噴嘴之一例的圖式。圖3為圖2之A－A線剖面圖，圖4為圖2之B－B線剖面圖，圖5為圖2之C－C線剖面圖。
如圖1所示，基板處理裝置1，包含：處理容器34，收納基板亦即半導體晶圓(以下稱為「晶圓W」)；蓋部36，氣密性地塞住處理容器34下端的開口部側；基板固持具38，以既定間隔固持複數片晶圓W，而收納於處理容器34內；氣體供給機構40，將既定氣體導入處理容器34內；排氣機構41，將處理容器34內的氣體排出；及加熱機構42，加熱晶圓W。
半導體晶圓中，包含矽基板或GaAs、SiC、GaN等化合物半導體基板。又，本發明不限於該等半導體基板，亦可適用於液晶顯示裝置所使用之玻璃基板或陶瓷基板等。
處理容器34，包含下端部開放之有頂棚的圓筒形狀的內管44，及下端部開放而覆蓋內管44外側之有頂棚的圓筒形狀之外管46。內管44以及外管46係藉由石英等耐熱性材料形成，呈同軸狀配置而為雙重管構造。
內管44的頂棚部，例如係平坦。在內管44之一側，沿其縱長方向(上下方向)形成收納氣體噴嘴之噴嘴收納部48。此實施態樣中，如圖3～圖5所示，使內管44的側壁之一部份向外側突出，而形成凸部50，並將凸部50內作為噴嘴收納部48而形成。
又，在噴嘴收納部48對向側、內管44中相反側之側壁，如圖3～圖5所示，沿其縱長方向(上下方向)形成矩形狀之開口部52。
開口部52，係以「能將內管44內的氣體排出」之方式形成之氣體排氣口，為本發明中的排氣部之一例。開口部52的長度，係以「與基板固持具38的長度相同」之方式，或是以「比基板固持具38的長度長而向上下方向分別延伸」之方式形成。亦即，開口部52的上端，係延伸至「與基板固持具38的上端對應之位置以上的高度」而配置；開口部52的下端，係延伸至「與基板固持具38的下端對應之位置以下的高度」而配置。
又，在此例中，本發明之排氣部係構成為：處理容器34的內管44之「設置於與後述氣體噴嘴對向的位置之開口部52(氣體排氣口)」，然而，本發明並不限定於此構成。例如，亦可在處理容器34的內管44內側之「與後述氣體噴嘴對向的位置」設置未圖示之離心風扇，並進而在內管44的頂棚部設置未圖示之開口部，藉此，自各氣體孔76A～81A向離心風扇沿水平方向釋放氣體，而自離心風扇向設於內管44的頂棚部之開口部，使排出之氣體流出。
處理容器34的下端，例如藉由以不鏽鋼形成的圓筒狀之歧管54，加以支持。於歧管54的上端部形成凸緣部56，在凸緣部56上設置外管46的下端部而支持之。在凸緣部56與外管46的下端部之間，夾設O形環等未圖示之密封構件，而使外管46內呈氣密狀態。
在歧管54的頂部之內壁，設置環狀的支撐部60，在未圖示之支撐部上設置內管44的下端部而支持之。在歧管54下端的開口部，蓋部36隔著O形環等未圖示之密封構件氣密性地被安裝，並氣密性地塞住處理容器34下端的開口部側，亦即歧管54的開口部。蓋部36例如以不鏽鋼形成。
在蓋部36的中央部，隔著磁性流體密封部64使旋轉軸66貫通而設置。旋轉軸66的底部，受到「由晶舟升降部構成的升降機構68的臂部68A」自由旋轉地支持，並藉由未圖示之馬達69使其旋轉。
在旋轉軸66的上端設置旋轉板片70；在旋轉板片70上，經由石英製的保溫台72，載置固持晶圓W之基板固持具38。從而，藉由使升降機構68升降，蓋部36與基板固持具38一體地上下移動，使得基板固持具38可對於處理容器34內插入脱離。
氣體供給機構40設置於歧管54，而向內管44內導入處理氣體、沖洗用氣體等氣體。氣體供給機構40具有複數支(例如6支)石英製的氣體噴嘴76～81。各氣體噴嘴76～81在內管44內沿其縱長方向設置，且其基端部係彎曲為L字形並貫通歧管54，而受到支持。
如圖3～圖5所示，氣體噴嘴76～81在內管44的噴嘴收納部48內，沿著周向而呈一列設置。各氣體噴嘴76～81中，沿其縱長方向以既定的間隔形成複數之氣體孔76A～81A，並可由各氣體孔76A～81A向水平方向釋放各氣體。既定的間隔，例如係設定為與受到基板固持具38支持的晶圓W的間隔相同。
又，高度方向的位置係設定為各氣體孔76A～81A位於上下方向相鄰配合的晶圓W之間的中間位置，而可有效率地將各氣體供給至晶圓W之間的空間部。
關於氣體的種類，使用原料氣體、氧化氣體以及沖洗用氣體，而可一面對各氣體進行流量控制，一面因應必要經由各氣體噴嘴76～81供給各氣體。可使用含矽氣體作為原料氣體，使用作為氧化氣體臭氧(O3 )氣體，使用氮氧(N2 )氣體作為沖洗用氣體，並藉由原子層沉積(ALD：Atomic Layer Deposition)法形成二氧化矽。又，使用之氣體的種類，可因應成膜之膜的種類，而適當選擇。雖然舉例使用ALD法之情形加以說明，但並不限定於此，例如使用CVD法(化學氣相沉積法)之情形，亦適用本發明。
又，雖然本實施態樣中，係進行未使用電漿之成膜處理，然而並不限定於此，進行使用電漿之成膜處理之情形，亦適用本發明。此時，係設計成：例如在分隔噴嘴收納部48之凸部50的分隔壁外側，沿其縱長方向設置施加電漿產生用之射頻電力的電力板，而使電漿產生。
在支撐部60的上方設置形成於「歧管54的頂部之側壁」的氣體出口82。氣體出口82可構成為：經由內管44與外管46之間的空間部84，對於「由開口部52排出之內管44內的氣體」進行排氣。在氣體出口82設置排氣機構41。排氣機構41具有連接於氣體出口82的排氣通路86；在排氣通路86，可依序插設壓力調整弁88以及真空泵90，而將處理容器34內抽成真空。
在外管46的外圍側，以覆蓋外管46之方式設置圓筒形狀的加熱機構42，來加熱晶圓W。
又，基板處理裝置1之整體動作，例如係藉由以電腦等構成的控制機構110來控制，進行此動作的電腦之程式，係儲存於儲存媒體112。儲存媒體112例如由軟碟、光碟、硬碟、快閃式儲存體、DVD等構成。
本實施態樣中，如圖2所示，氣體噴嘴76～81具有噴嘴基部76B～81B及氣體供給部76C～81C。噴嘴基部76B～81B並列配置於處理容器34的周向。「供給至處理容器34內之氣體」通過噴嘴基部76B～81B的內部。
氣體供給部76C～81C一體連接於噴嘴基部76B～81B，向處理容器內供給氣體。於氣體供給部76C～81C，設置向處理容器34內供給氣體之氣體孔76A～81A。氣體孔76A～81A係於氣體供給部76C～81C以複數(例如圖2中為5個)孔形成。藉由設置這般複數之氣體孔，可平均地向處理容器34內供給氣體。又，雖然本實施態樣中，係於一個氣體噴嘴設置複數之氣體孔，但構成氣體孔之孔的數量並不限定於為複數，只要能向處理容器34內供給氣體，亦得以一個氣體噴嘴一個孔之方式形成。
氣體噴嘴76～81當中，氣體噴嘴76、77中，氣體供給部76C、77C係配置在處理容器34內最下方。又，氣體噴嘴78、79中，氣體供給部78C、79C係配置在氣體噴嘴76、77之氣體供給部76C、77C的上方。進而，氣體噴嘴80、81中，氣體供給部80C、81C係配置在氣體噴嘴78、79之氣體供給部78C、79C的上方。
又，如圖2～圖5所示，氣體供給部76C、78C、80C係沿處理容器34的縱長方向(鉛直方向)於一直線上並列配置。又，氣體供給部77C、79C、81C係沿處理容器34的縱長方向(鉛直方向)配置於一直線上。
在這般構成當中，由於氣體噴嘴76、78、80的氣體供給部76C、78C、80C，係跨越處理容器34內的下層、中層、上層而沿一列並列配置，因此，成為與在同一線上構成者相同的構成。又，由於氣體噴嘴77、79、81的氣體供給部77C、79C、81C，亦跨越處理容器34內的下層、中層、上層而沿一列並列配置，因此，成為與在同一線上構成者相同的構成。
藉由此構成，可使「供給氣體之氣體供給區域」及「與該區域對向設置而將氣體排出之排氣區域」，在處理容器34內的上下設定成相同之位置關係。因此，可抑制基板之一面內以及面與面間，供給氣體的濃度分布之偏差。其結果，可使基板的一面內以及面與面間，成膜的膜厚平均。
雖然本實施態樣中，氣體噴嘴76～81係收納於噴嘴收納部48，但如圖3～5所示，噴嘴收納部的寬度尺寸，係比構成氣體排氣口的開口部52之寬度尺寸更寬。因此，在習知氣體噴嘴(圖10～13所示之氣體噴嘴76～81)的情形，「與噴嘴收納部對應之氣體供給區域」及「設有開口部52之排氣區域」的位置關係在處理容器34內上下係不同，使基板間供給至各基板的氣體濃度分布產生偏差。
相對於此，藉由使用如本實施態樣般具有與「氣體供給部在同一線之構成」相同構成之氣體噴嘴，可使「供給氣體之氣體供給區域」及「與該區域對向設置而將氣體排出之排氣區域」，於處理容器34內的上下確實地設定成相同的位置關係。因此，可確實抑制在基板的一面內以及面與面間供給氣體濃度分布的偏差，而可確實抑制在基板的一面內以及面與面間成膜之膜厚不平均。
又，如圖2所示，氣體噴嘴76～81之中，氣體噴嘴76、77之噴嘴基部76B、77B係形成為直線狀而與氣體供給部76C、77C一體連接。相對於此，氣體噴嘴78～81之噴嘴基部78B～81B中，連接於氣體供給部78C～81C一側之端部，係形成為L字形。換言之，噴嘴基部78B～81B係在端部曲折的狀態下連接於氣體供給部78C～81C的下端。
如此，噴嘴基部78B～81B藉由經由L字形之端部連接氣體供給部78C～81C，可防止上方側的氣體噴嘴對於下方側的氣體噴嘴產生干擾。因此，可防止各氣體噴嘴破損，且使氣體噴嘴的安裝作業更為容易。
又，圖6係表示本實施態樣中使用的氣體噴嘴之另一例(變形例1)的圖式。如圖6所示，氣體噴嘴78～81之噴嘴基部78B～81B，係在端部反折的狀態下，連接於氣體供給部78C～81C的上端。如此，噴嘴基部78B～81B藉由將L字形的端部連接於氣體供給部78C～81C的上端，可確實防止上方側的氣體噴嘴對於下方側的氣體噴嘴產生干擾。
又，圖7係表示本實施態樣中使用的氣體噴嘴之又另一例(變形例2)之圖式。如圖7所示，氣體噴嘴78～81之噴嘴基部78B～81B，係在端部曲折的狀態下，連接於氣體供給部78C～81C的中央部。藉由將噴嘴基部78B～81B之L字形的端部連接於氣體供給部78C～81C的中央部，在防止上方側的氣體噴嘴對於下方側的氣體噴嘴產生干擾的同時，相較於圖6所示連接於氣體供給部78C～81C的上端之情形，可縮短噴嘴基部78B～81B。
又，氣體噴嘴76、77、氣體孔76A、77A、噴嘴基部76B、77B、以及氣體供給部76C、77C，係本發明中第一氣體噴嘴、第一噴嘴基部、以及第一氣體供給部之一例。又，氣體噴嘴78、79、氣體孔78A、79A、噴嘴基部78B、79B、以及氣體供給部78C、79C，係本發明中第二氣體噴嘴、第一噴嘴基部、以及第一氣體供給部之一例。進而，氣體噴嘴80、81、氣體孔80A、81A、噴嘴基部80B、81B、以及氣體供給部80C、81C，係本發明中第三氣體噴嘴、第三噴嘴基部、以及第三氣體供給部之一例。
圖8係說明依實施態樣之基板處理裝置的引導部之一例的圖式。在配置上述氣體噴嘴之情形，如圖8所示，亦可設置引導部100。引導部100例如係於處理容器34的內壁形成一對卡止片100A，並可藉由此一對卡止片100A將氣體供給部76C～81C卡止而構成。藉由設置這般引導部100，可在安定的狀態下配置氣體噴嘴，並可容易定位氣體噴嘴(氣體供給部)。
圖9係說明依實施態樣之基板處理裝置的引導部之另一例的圖式。此例中，例如，可將連接上下方向並列之氣體供給部76C及氣體供給部78C之構造，設置於氣體噴嘴76與氣體噴嘴78之間。具體而言，在氣體噴嘴76的氣體供給部76C之上端部形成凹部76D，並在氣體噴嘴78的氣體供給部76C之下端部形成凸部78D。又，藉由使「氣體供給部78C的凸部78D」嵌合於「氣體供給部76C的凹部76D」，而構成引導部200。藉由設置這般引導部200，亦可在安定的狀態下配置氣體噴嘴，又，容易定位氣體噴嘴(氣體供給部)。
又，引導部100、200，係本發明中引導部機構之一例。
圖10係表示習知基板處理裝置的氣體噴嘴之圖式。又，圖11係圖10之A－A線剖面圖，圖12係圖10之B－B線剖面圖，圖13係圖10之C－C線剖面圖。進而，圖14(A)係表示圖11中氣體濃度分布之圖式，圖14(B)係表示圖12中氣體濃度分布，圖14(C)係表示圖13中氣體濃度分布之圖式。
習知基板處理裝置中使用的氣體噴嘴76～81，如圖10～13所示，「設有複數之氣體供給管線之氣體供給區域」及「與該氣體供給區域對向，而設有構成氣體排氣口的開口部52之排氣區域」的位置關係在反應容器內上下係不同。因此，如圖14(A)～(C)所示，若將基板面內的氣體濃度分布分為上層、中層、下層比較，吾人確認隨著氣體噴嘴76～81(氣體供給部76C～81C)從氣體供給區域的中心遠離，愈靠上層側氣體分布愈產生偏差。
相對於此，本實施態樣之基板處理裝置1中，藉由採用圖1～圖7所示之氣體噴嘴76～81，氣體供給部76C、78C、80C係沿處理容器34之縱長方向(鉛直方向)於一直線上並列配置。在此構成當中，在將基板面內的氣體濃度分布分為上層、中層、下層比較之情形，吾人確認即便在上層及中層，亦具有與下層側幾乎相同之氣體濃度分布(參照圖14(C))。從而，藉由使用本實施態樣之基板處理裝置1，可抑制在基板的一面內以及面與面間，供給氣體的濃度分布產生偏差，且可使在基板的一面內以及面與面間成膜之膜厚平均。
以上，針對實施本發明之態樣說明，但本發明的內容並不限定於上述內容，而可在本發明的範圍內進行各種變化及改良。
1‧‧‧基板處理裝置
34‧‧‧處理容器
36‧‧‧蓋部
38‧‧‧基板固持具
40‧‧‧氣體供給機構
41‧‧‧排氣機構
42‧‧‧加熱機構
44‧‧‧內管
46‧‧‧外管
48‧‧‧噴嘴收納部
50‧‧‧凸部
52‧‧‧開口部
54‧‧‧歧管
56‧‧‧凸緣部
60‧‧‧支撐部
64‧‧‧磁性流體密封部
66‧‧‧旋轉軸
68‧‧‧升降機構
68A‧‧‧臂部
69‧‧‧馬達
70‧‧‧旋轉板片
72‧‧‧保溫台
76～81‧‧‧氣體噴嘴
76A～81A‧‧‧氣體孔
76B～81B‧‧‧噴嘴基部
76C～81C‧‧‧氣體供給部
76D‧‧‧凹部
78D‧‧‧凸部
82‧‧‧氣體出口
84‧‧‧空間部
86‧‧‧排氣通路
88‧‧‧壓力調整弁
90‧‧‧真空泵
100、200‧‧‧引導部
110‧‧‧控制機構
100A‧‧‧卡止片
110‧‧‧控制機構
112‧‧‧儲存媒體
A－A、B－B、C－C‧‧‧剖面線
W‧‧‧晶圓
【圖1】依本發明之實施態樣的基板處理裝置之概略圖。【圖2】表示圖1之基板處理裝置的氣體噴嘴之一例的圖式。【圖3】圖2之A－A線剖面圖。【圖4】圖2之B－B線剖面圖。【圖5】圖2之C－C線剖面圖。【圖6】表示依實施態樣之基板處理裝置的氣體噴嘴之另一例(變形例1)之圖式。【圖7】表示依實施態樣之基板處理裝置的氣體噴嘴之另一例(變形例2)之圖式。【圖8】說明依實施態樣之基板處理裝置的引導部之一例的圖式。【圖9】表示依實施態樣之基板處理裝置的引導部之另一例的圖式。【圖10】表示習知基板處理裝置的氣體噴嘴之圖式。【圖11】圖10之A－A線剖面圖。【圖12】圖10之B－B線剖面圖。【圖13】圖10之C－C線剖面圖。【圖14】(A)為表示圖11中之氣體濃度分布之圖式，(B)為圖12中之氣體濃度分布，(C)為表示圖13中之氣體濃度分布之圖式。

Claims (12)

  1. 一種基板處理裝置，包含：處理容器，設置成可收納複數之基板，以處理該複數之基板；複數之氣體噴嘴，設置於該處理容器內，於該處理容器的周向並列且沿該處理容器的縱長方向延伸，向該處理容器內供給氣體；以及排氣部，設置於該處理容器內之與該複數之氣體噴嘴對向的位置，將該處理容器內的氣體排出；該氣體噴嘴，具有：噴嘴基部，於該處理容器的周向並列；及氣體供給部，連接該噴嘴基部而向該處理容器內供給氣體；該複數之氣體噴嘴，包含：第一氣體噴嘴，具備位於該處理容器內最下方的位置之第一氣體供給部；及第二氣體噴嘴，具備位於較該第一氣體供給部更為上方的位置之第二氣體供給部；且該第二氣體噴嘴係形成為：使該第一氣體供給部與該第二氣體供給部，在該處理容器之縱長方向上配置於一直線上。
  2. 如請求項1記載之基板處理裝置，其中，該第一氣體噴嘴之第一噴嘴基部，係形成為直線狀；該第二氣體噴嘴之第二噴嘴基部中，連接於該第二氣體供給部一側之端部，係形成為L字形。
  3. 如請求項2記載之基板處理裝置，其中，該第二噴嘴基部，係連接於該第二氣體供給部之下端部。
  4. 如請求項2記載之基板處理裝置，其中，該第二噴嘴基部，係連接於該第二氣體供給部之上端部。
  5. 如請求項2記載之基板處理裝置，其中，該第二噴嘴基部，係連接於該第二氣體供給部之中央部。
  6. 如請求項2至5中任一項記載之基板處理裝置，其中，該複數之氣體噴嘴，更包含：第三氣體噴嘴，具備位於較該第二氣體供給部更為上方的位置之第三氣體供給部。
  7. 如請求項6記載之基板處理裝置，其中，該第三氣體噴嘴之第三噴嘴基部，係形成為L字形。
  8. 如請求項1記載之基板處理裝置，更包含：噴嘴收納部，設置於該處理容器內，收納該複數之氣體噴嘴；該排氣部的寬度尺寸，較該噴嘴收納部之寬度尺寸狹窄。
  9. 如請求項1記載之基板處理裝置，其中，在該氣體供給部，設有向該處理容器內供給氣體之一個以上的氣體孔。
  10. 如請求項1記載之基板處理裝置，更包含：引導部機構，將該氣體供給部卡止。
  11. 如請求項10記載之基板處理裝置，其中，該引導部機構，係形成於該處理容器的內壁。
  12. 如請求項10記載之基板處理裝置，其中，該引導部機構，具備將在上下方向並列的該氣體供給部予以連接之構造。
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