TW201832628A - 附脫模層金屬箔、金屬箔、積層體、印刷配線板、半導體封裝、電子機器及印刷配線板的製造方法 - Google Patents

附脫模層金屬箔、金屬箔、積層體、印刷配線板、半導體封裝、電子機器及印刷配線板的製造方法 Download PDF

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Abstract

本發明藉由控制金屬箔表面的凹凸狀態、以及提供“在金屬箔設置脫模層而能實現將該金屬箔貼合在樹脂基材時的樹脂基材的物理剝離的金屬箔”，而低成本地製造具有微細電路的印刷配線板。本發明涉及一種附脫模層金屬箔，其具備：具有第一面及第二面且第一面的均方根高度Sq為0.01μm以上且1μm以下的金屬箔、以及設置在金屬箔的第二面的脫模層。

Description

附脫模層金屬箔、金屬箔、積層體、印刷配線板、半導體封裝、電子機器及印刷配線板的製造方法
本發明涉及一種附脫模層金屬箔、金屬箔、積層體、印刷配線板、半導體封裝、電子機器及印刷配線板的製造方法。
印刷配線基板以及半導體封裝基板的電路形成方法中，減成方法為主流，但由於近年來配線的進一步微細化，M-SAP(Modified Semi-Additive Process)、或使用金屬箔的表面輪廓的半加成方法等新方法開始盛行。
這些新穎的電路形成方法中，作為後者的使用金屬箔的表面輪廓的半加成方法的一例，可以列舉如下方法。即，首先，對積層在樹脂基材的金屬箔的整個面進行蝕刻，利用雷射等對轉印有金屬箔表面輪廓的蝕刻基材面進行開孔，並施加用來導通開孔部的無電解鍍銅層，利用乾膜覆蓋無電解鍍銅表面，藉由UV曝光及顯影將電路形成部的乾膜去除，對未被乾膜覆蓋的無電解鍍銅面實施電解鍍銅並將乾膜剝離，最後利用含有硫酸、雙氧水的蝕刻液等對無電解鍍銅層進行蝕刻(急速蝕刻、快速蝕刻)，由此形成微細電路(專利文獻1、專利文獻2)。
[先前技術文獻]
[專利文獻]
[專利文獻1]日本特開2006-196863號公報
[專利文獻2]日本特開2007-242975號公報
然而，在低成本地製造具有微細電路的印刷配線板方面，現有的使用金屬箔的表面輪廓的半加成方法尚有研究的餘地。
本發明人等努力進行研究，結果金屬箔的面的凹凸狀態得到控制。另外，在與上述凹凸狀態得到控制的面為相反側的金屬箔之面設置脫模層，而能實現將上述金屬箔貼合在樹脂基材時的樹脂基材的物理剝離。而且發現，藉由按以下方式使用上述金屬箔，能夠低成本地製造具有微細電路的印刷配線板。即，在將上述金屬箔的具有脫模層的面側貼合在樹脂基材之後，在上述凹凸狀態得到控制的金屬箔之面形成電路。然後，以將電路埋入的方式在形成有電路的金屬箔的面積層樹脂。隨後將金屬箔從樹脂基材剝離，去除金屬箔而露出上述電路，由此，發現能夠通低成本地製造具有微細電路的印刷配線板。
以上述見解為基礎而完成的本發明的一方面為一種附脫模層金屬箔，其具備：具有第一面及第二面且上述第一面的均方根高度Sq為0.01μm以上且1μm以下的金屬箔、以及設置在上述金屬箔的第二面的脫模層。
在本發明的附脫模層金屬箔的一實施方式中，上述金屬箔的上述第二面之均方根高度Sq為0.25μm以上且1.6μm以下。
本發明的附脫模層金屬箔在另一實施方式中具有上述金屬箔的 第二面的均方根高度Sq與凹凸的平均間隔Rsm的比(Sq/Rsm)為0.03以上且0.40以下的表面凹凸。
在本發明的附脫模層金屬箔的又一實施方式中，上述金屬箔的厚度為1μm以上且105μm以下。
在本發明的附脫模層金屬箔的又一實施方式中，上述金屬箔為銅箔。
在本發明的附脫模層金屬箔的又一實施方式中，在上述金屬箔的第一面、及/或上述金屬箔與上述脫模層之間設置有選自由粗化處理層、耐熱層、防銹層、鉻酸鹽處理層以及矽烷偶合處理層所組成的群中一種以上的層。
在本發明的附脫模層金屬箔的又一實施方式中，於設置在上述金屬箔的第一面的上述選自由粗化處理層、耐熱層、防銹層、鉻酸鹽處理層以及矽烷偶合處理層所組成的群中一種以上的層設置有樹脂層。
在本發明的附脫模層金屬箔的又一實施方式中，上述樹脂層為接著用樹脂、底漆或半硬化狀態的樹脂。
在本發明的附脫模層金屬箔的又一實施方式中，上述脫模層包含至少1種或2種以上的下述化合物，上述化合物選自由下述化學式所表示的鋁酸鹽化合物、鈦酸鹽化合物、鋯酸鹽化合物、鋁酸鹽化合物的水解產物、鈦酸鹽化合物的水解產物、鋯酸鹽化合物的水解產物、鋁酸鹽化合物的水解產物的縮合物、鈦酸鹽化合物的水解產物的縮合物以及鋯酸鹽化合物的水解產物的縮合物所組成的群中，(R1)m-M-(R2)n
(式中，R1為烷氧基或鹵素原子，R2為選自由烷基、環烷基及芳基所組成 的群中的烴基、或上述烴基的一個以上的氫原子被鹵素原子所取代的烴基，M為Al、Ti、Zr中的任一個，n為0、1或2，m為1以上且M的價數以下的整數，R1中的至少一個為烷氧基；m+n為M的價數；M的價數在Al的情況下為3，在Ti、Zr的情況下為4)。
在本發明的附脫模層金屬箔的又一實施方式中，上述脫模層包含至少1種或2種以上的下述化合物，上述化合物選自由下述化學式所表示的矽烷化合物、上述矽烷化合物的水解產物以及上述水解產物的縮合物所組成的群中，
(式中，R1為烷氧基或鹵素原子，R2為選自由烷基、環烷基及芳基所組成的群中的烴基、或上述烴基的一個以上的氫原子被鹵素原子所取代的烴基，R3及R4分別獨立地為鹵素原子、烷氧基、選自由烷基、環烷基及芳基所組成的群中的上述烴基或上述烴基的一個以上的氫原子被鹵素原子所取代的烴基)。
在本發明的附脫模層金屬箔的又一實施方式中，上述脫模層是使用分子內具有2個以下的巰基的化合物而成。
在本發明的附脫模層金屬箔的又一實施方式中，在上述脫模層表面設置有樹脂層。
在本發明的附脫模層金屬箔的又一實施方式中，上述樹脂層為接著用樹脂、底漆或半硬化狀態的樹脂。
本發明的另一方面為一種金屬箔，其具有第一面及第二面，且上述第一面的均方根高度Sq為0.01μm以上且1μm以下。
在本發明的金屬箔的一實施方式中，上述第二面的均方根高度Sq為0.25μm以上且1.6μm以下。
本發明的金屬箔的另一實施方式中，具有上述金屬箔的第二面的均方根高度Sq與凹凸的平均間隔Rsm的比(Sq/Rsm)為0.03以上且0.40以下的表面凹凸。
在本發明的金屬箔的又一實施方式中，上述金屬箔的厚度為1μm以上且105μm以下。
在本發明的金屬箔的又一實施方式中，上述金屬箔為銅箔。
在本發明的金屬箔的又一實施方式中，在上述金屬箔的第一面、及/或上述金屬箔的第二面設置有選自由粗化處理層、耐熱層、防銹層、鉻酸鹽處理層以及矽烷偶合處理層所組成的群中一種以上的層。
在本發明的金屬箔的又一實施方式中，於設置在上述金屬箔的第一面的上述選自由粗化處理層、耐熱層、防銹層、鉻酸鹽處理層以及矽烷偶合處理層所組成的群中一種以上的層設置有樹脂層。
本發明的又一方面為一種積層體，其具備本發明的附脫模層金屬箔或本發明的金屬箔、及設置在上述附脫模層金屬箔或上述金屬箔的樹脂基材。
在本發明的積層體的一實施方式中，上述樹脂基材為預浸料、或者、包含熱硬化性樹脂。
本發明的又一方面為一種印刷配線板，其具備本發明的附脫模層金屬箔或本發明的金屬箔。
本發明的又一方面為一種半導體封裝，其具備本發明的印刷配線板。
本發明的又一方面為一種電子機器，其具備本發明的印刷配線 板或本發明的半導體封裝。
本發明的又一方面為一種印刷配線板的製造方法，包括以下步驟：在本發明的附脫模層金屬箔或本發明的金屬箔貼合絕緣基板；藉由將上述附脫模層金屬箔或上述金屬箔在不被蝕刻的情況下從上述絕緣基板剝離，而獲得在剝離面轉印有上述附脫模層金屬箔或上述金屬箔的表面輪廓的絕緣基板；及在上述轉印有表面輪廓的絕緣基板的上述剝離面側形成電路。
在本發明的印刷配線板的製造方法的一實施方式中，在上述轉印有表面輪廓的絕緣基板的上述剝離面側形成的電路為鍍敷圖案或印刷圖案。
本發明的又一方面為一種印刷配線板的製造方法，包括以下步驟：在本發明的附脫模層金屬箔或本發明的金屬箔貼合絕緣基板；藉由將上述附脫模層金屬箔或上述金屬箔在不被蝕刻的情況下從上述絕緣基板剝離，而獲得在剝離面轉印有上述附脫模層金屬箔或上述金屬箔的表面輪廓的絕緣基板；及在上述轉印有表面輪廓的絕緣基板的上述剝離面側設置增層。
在本發明的印刷配線板的製造方法的一實施方式中，構成上述增層的樹脂包含液晶聚合物、氟樹脂、低介電常數聚醯亞胺、聚苯醚、環烯烴聚合物或聚四氟乙烯。
本發明的又一方面為一種印刷配線板的製造方法，包括以下步驟：在本發明的附脫模層金屬箔或本發明的金屬箔，從上述脫模層側或上述金屬箔的第二面側貼合絕緣基板1；在積層有上述絕緣基板1的上述附脫模層金屬箔或上述金屬箔的第一面側形成電路；藉由利用絕緣基板2覆蓋上述電路而將上述電路埋入上述絕緣基板2；從上述附脫模層金屬箔或上述金屬箔將上述絕緣基板1剝離而露出上述附脫模層金屬箔或上述金屬箔；及將上述露出的附脫模層金屬箔或上述金屬箔去除。
本發明的又一方面為一種印刷配線板的製造方法，包括以下步 驟：在本發明的附脫模層金屬箔或本發明的金屬箔，從上述脫模層側或上述金屬箔的第二面側貼合絕緣基板1；在積層有上述絕緣基板1的附脫模層金屬箔或上述金屬箔的第一面側積層乾膜；將上述乾膜圖案化之後，形成電路； 將上述乾膜剝離而露出上述電路；藉由利用絕緣基板2覆蓋上述露出的電路而將上述電路埋入上述絕緣基板2；從上述附脫模層金屬箔或上述金屬箔將上述絕緣基板1剝離而露出上述附脫模層金屬箔或上述金屬箔；及將上述露出的附脫模層金屬箔或上述金屬箔去除。
藉由控制金屬箔表面的凹凸狀態、以及提供“在金屬箔設置脫模層而能實現將上述金屬箔貼合在樹脂基材時的樹脂基材的物理剝離的金屬箔”，能夠低成本地製造具有微細電路的印刷配線板。
圖1A~C是使用本發明的附脫模層銅箔的印刷配線板的製造方法的具體例中，電路鍍敷、阻劑去除為止的步驟中的配線板剖面的示意圖。
圖2D~F是使用本發明的附脫模層銅箔的印刷配線板的製造方法的具體例中，從樹脂以及第2層附脫模層銅箔積層到雷射開孔為止的步驟中的配線板剖面的示意圖。
圖3G~I是使用本發明的附脫模層銅箔的印刷配線板的製造方法的具體例中，從填孔形成到第1層脫模層剝離為止的步驟中的配線板剖面的示意圖。
圖4J~K是使用本發明的附脫模層銅箔的印刷配線板的製造方法的具體例中，從急速蝕刻到凸塊-銅柱形成為止的步驟中的配線板剖面的示意圖。
圖5是表示使用銅箔輪廓的半加成方法的示意圖。
(金屬箔)
本發明的金屬箔為具有第一面及第二面且上述第一面側的表面的均方根高度Sq為0.01μm以上且1μm以下的金屬箔。藉由這樣控制第一面的均方根高度Sq來控制金屬箔表面的凹凸狀態。而且，藉由按以下方式使用上述金屬箔，能夠低成本地製造具有微細電路的印刷配線板。即，在與上述凹凸狀態得到控制的面為相反側的金屬箔的面設置脫模層，能實現將上述金屬箔貼合在樹脂基材時的樹脂基材的物理剝離。接下來，在將上述金屬箔的具有脫模層的面側貼合在樹脂基材之後，在上述表面凹凸狀態得到控制的金屬箔之面形成電路。然後，以將電路埋入的方式在形成有電路的金屬箔表面積層樹脂。隨後，將金屬箔從樹脂基材剝離，去除金屬箔而露出上述電路，由此，能夠製造印刷配線板。當利用上述方法製造印刷配線板時，能夠在不藉由無電解鍍敷將無電解鍍敷層設置在樹脂基板上的情況下形成電路。因此，能降低印刷配線板的製造成本。而且，藉由將上述電路埋入樹脂中而使電路得到保護。因此，在藉由蝕刻等將金屬箔去除時，電路不容易因蝕刻等而被浸蝕。因此，能夠形成微細電路。
另外，在金屬箔表面設置有粗化處理層、耐熱層、防銹層、鉻酸鹽處理層、矽烷偶合處理層、脫模層等表面處理層時，本說明書中所謂「金屬箔的第一面」以及「金屬箔的第二面」是指設置上述表面處理層後的表面(最外層的表面)。另外，在本說明書中，「第一面」也稱為「一面」，「第二面」也稱為「另一面」。
本發明的金屬箔因為第一面的均方根高度Sq為0.01μm以上，所以與上述電路或埋入有電路的樹脂的密合性良好。結果減少了電路或埋入有電 路的樹脂從金屬箔剝離或脫落的情況。而且，本發明的金屬箔因為第一面的均方根高度Sq為1μm以下，所以電路形成性良好。
當在金屬箔的第一面均方根高度Sq小於0.01μm時，有時金屬箔的面的凹凸偏差過小。因此，有金屬箔與上述電路或埋入有電路的樹脂的密合性變差的情況。結果有電路或埋入有電路的樹脂從金屬箔剝離或脫落的情況。此外，當在金屬箔的第一面均方根高度Sq超過1μm時，有時金屬箔的面的凹凸偏差過大。結果有如下情況：在金屬箔的面的凸部較大的部分，去除金屬箔時必須進行更長時間的蝕刻等。結果有如下情況：蝕刻等導致的電路的浸蝕增大，配線形成性變差。金屬箔的第一面的均方根高度Sq較佳為0.95μm以下，較佳為0.93μm以下，較佳為0.90μm以下，較佳為0.85μm以下，較佳為0.80μm以下，較佳為0.75μm以下，較佳為0.70μm以下，較佳為0.68μm以下，較佳為0.67μm以下，較佳為0.65μm以下，較佳為0.60μm以下，較佳為0.55μm以下，較佳為0.50μm以下，較佳為0.45μm以下，較佳為0.40μm以下，較佳為0.35μm以下，較佳為0.32μm以下，較佳為0.30μm以下，較佳為0.25μm以下，較佳為0.24μm以下，較佳為0.22μm以下，較佳為0.20μm以下，較佳為0.19μm以下，較佳為0.18μm以下，較佳為0.17μm以下，更佳為0.15μm以下。金屬箔的第一面的均方根高度Sq較佳為0.015μm以上，較佳為0.02μm以上，較佳為0.025μm以上，較佳為0.03μm以上，較佳為0.035μm以上，較佳為0.04μm以上，較佳為0.045μm以上，更佳為0.05μm以上。
金屬箔的第二面的均方根高度Sq較佳為0.25μm以上且1.6μm以下。因為金屬箔的第二面的均方根高度Sq為0.25~1.6μm，所以能夠保持將金屬箔與樹脂基材貼合後的剝離性良好，並且電路、樹脂或增層等積層部件因轉印到剝離金屬箔後的樹脂基材表面的凹凸形狀而無空隙(或空隙極小)地跟隨上述樹脂基材表面，密合性良好地將電路、樹脂或增層等積層部件設置在樹脂 基材表面。
如果金屬箔的第二面的均方根高度Sq小於0.25μm，則會有產生如下問題的擔憂，即，將金屬箔與樹脂基材貼合後剝離金屬箔而獲得的樹脂基材表面的凹凸較小，與不同樹脂的密合性變得不充分，如果超過1.6μm，會有產生如下問題的擔憂，即，將金屬箔與樹脂基材貼合後剝離金屬箔時的剝離性變差，而且剝離金屬箔後的樹脂基材表面的凹凸形狀過深，電路、樹脂或增層等積層部件未追隨上述凹凸形狀。均方根高度Sq較佳為0.30~1.4μm，更佳為0.4~1.0μm，更佳為0.4~0.96μm。
金屬箔的第二面的均方根高度Sq與凹凸的平均間隔Rsm的比(Sq/Rsm)較佳為0.03以上且0.40以下。因為金屬箔的第二面的均方根高度Sq與凹凸的平均間隔Rsm的比(Sq/Rsm)為0.03以上且0.40以下，所以能夠保持將金屬箔與樹脂基材貼合後的剝離性良好，並且電路、樹脂或增層等積層部件因轉印到剝離金屬箔後的樹脂基材表面的凹凸形狀而無空隙(或空隙極小)地進行跟隨，密合性良好地將電路、樹脂或增層等積層部件設置在樹脂基材表面。
如果金屬箔的第二面的均方根高度Sq與凹凸的平均間隔Rsm的比(Sq/Rsm)小於0.03，則會產生如下問題：將金屬箔與樹脂基材貼合後剝離金屬箔而獲得的樹脂基材表面的凹凸較小，樹脂基材與電路、樹脂或增層等積層部件的密合性變得不充分，如果超過0.40，則會產生如下問題：將金屬箔與樹脂基材貼合後剝離金屬箔時的剝離性變差，而且剝離金屬箔後的樹脂基材表面的凹凸形狀過深，電路、樹脂或增層等積層部件未追隨上述凹凸形狀。金屬箔的第二面的均方根高度Sq與凹凸的平均間隔Rsm的比(Sq/Rsm)較佳為0.05以上，更佳為0.10以上。金屬箔的第二面的均方根高度Sq與凹凸的平均間隔Rsm的比(Sq/Rsm)較佳為0.25以下，較佳為0.24以下，更佳為0.20以下。
(附脫模層金屬箔)
本發明的附脫模層金屬箔具備金屬箔及脫模層，上述金屬箔具有第一面及第二面，且上述第一面的均方根高度Sq為0.01μm以上且1μm以下，上述脫模層為設置在上述金屬箔的第二面側的脫模層，且使將樹脂基材貼合在上述金屬箔時的上述樹脂基材能夠從上述脫模層側剝離。藉由這樣控制第一面的均方根高度Sq來控制金屬箔表面的凹凸狀態。而且，在與上述凹凸狀態得到控制的面為相反側的金屬箔的面設置脫模層而能實現將上述金屬箔貼合在樹脂基材時的樹脂基材的物理剝離。而且，藉由按以下方式使用上述金屬箔，能夠低成本地製造具有微細電路的印刷配線板。即，在將上述金屬箔的具有脫模層的面側貼合在樹脂基材之後，在上述表面凹凸狀態得到控制的金屬箔之面形成電路。然後，以將電路埋入的方式在形成有電路的金屬箔表面積層樹脂。隨後，將金屬箔從樹脂基材剝離，去除金屬箔而露出上述電路，由此，能夠製造印刷配線板。當利用上述方法製造印刷配線板時，能夠在不藉由無電解鍍敷將無電解鍍敷層設置在樹脂基板上的情況下形成電路。因此，能降低印刷配線板的製造成本。而且，藉由將上述電路埋入樹脂中而使電路得到保護。因此，在藉由蝕刻等將金屬箔去除時，電路不容易因蝕刻等而被浸蝕。因此，能夠形成微細電路。
附脫模層金屬箔的金屬箔因未形成脫模層的一側的面即第一面的均方根高度Sq為0.01μm以上，所以與上述電路或埋入有電路的樹脂的密合性良好。結果減少了電路或埋入有電路的樹脂從金屬箔剝離或脫落的情況。而且，金屬箔因未形成脫模層的一側的面即第一面的均方根高度Sq為1μm以下，所以電路形成性良好。
如果在金屬箔的未形成脫模層的一側的面即第一面均方根高度Sq小於0.01μm，則會有金屬箔的面的凹凸偏差過小的情況。當金屬箔的面的凹 凸偏差過小時，有助於金屬箔與電路的密合性、或金屬箔與電路或埋入有電路的樹脂的密合性的高凸部或深凹部有時會減少，因此，金屬箔與上述電路或埋入有電路的樹脂的密合性有時會變差。結果有電路或埋入有電路的樹脂從金屬箔剝離或脫落的情況。此外，如果在金屬箔的未形成脫模層的一側的面即第一面均方根高度Sq超過1μm，則會有金屬箔的面的凹凸偏差過大的情況。結果有如下情況：在金屬箔的面之凸部較大的部分，去除金屬箔時必須進行更長時間的蝕刻等。結果有如下情況：蝕刻等導致的電路的浸蝕增大，配線形成性變差。未形成脫模層的一側的面即第一面的均方根高度Sq較佳為0.95μm以下，較佳為0.93μm以下，較佳為0.90μm以下，較佳為0.85μm以下，較佳為0.80μm以下，較佳為0.75μm以下，較佳為0.70μm以下，較佳為0.68μm以下，較佳為0.67μm以下，較佳為0.65μm以下，較佳為0.60μm以下，較佳為0.55μm以下，較佳為0.50μm以下，較佳為0.45μm以下，較佳為0.40μm以下，較佳為0.35μm以下，較佳為0.32μm以下，較佳為0.30μm以下，較佳為0.25μm以下，較佳為0.24μm以下，較佳為0.22μm以下，較佳為0.20μm以下，較佳為0.19μm以下，較佳為0.18μm以下，較佳為0.17μm以下，更佳為0.15μm以下。未形成脫模層的一側的面即第一面的均方根高度Sq較佳為0.015μm以上，較佳為0.02μm以上，較佳為0.025μm以上，較佳為0.03μm以上，較佳為0.035μm以上，較佳為0.04μm以上，較佳為0.045μm以上，更佳為0.05μm以上。
金屬箔的形成有脫模層的一側的面即第二面的均方根高度Sq較佳為0.25μm以上且1.6μm以下。因為金屬箔的形成有脫模層的一側的面即第二面的均方根高度Sq為0.25~1.6μm，所以能夠保持將金屬箔與樹脂基材貼合後的剝離性良好，並且電路、樹脂或增層等積層部件因轉印到剝離金屬箔後的樹脂基材表面的凹凸形狀而無空隙(或空隙極小)地跟隨上述樹脂基材表面，密合性良好地將電路、樹脂或增層等積層部件設置在樹脂基材表面。
如果金屬箔的形成有脫模層的一側的面即第二面的均方根高度Sq小於0.25μm，則會有產生如下問題的擔憂，即，將金屬箔與樹脂基材貼合後剝離金屬箔而獲得的樹脂基材表面的凹凸較小，與不同樹脂的密合性變得不充分，如果超過1.6μm，則會有產生如下問題的擔憂，即，將金屬箔與樹脂基材貼合後剝離金屬箔時的剝離性變差，而且剝離金屬箔後的樹脂基材表面的凹凸形狀過深，電路、樹脂或增層等積層部件未追隨上述凹凸形狀。均方根高度Sq較佳為0.30~1.4μm，更佳為0.4~1.0μm，更佳為0.4~0.96μm。
金屬箔的形成有脫模層的一側的面即第二面的均方根高度Sq與凹凸的平均間隔Rsm的比(Sq/Rsm)較佳為0.03以上且0.40以下。因為金屬箔的形成有脫模層的一側的面即第二面的均方根高度Sq與凹凸的平均間隔Rsm的比(Sq/Rsm)為0.03以上且0.40以下，所以能夠保持將金屬箔與樹脂基材貼合後的剝離性良好，並且電路、樹脂或增層等積層部件因轉印到剝離金屬箔後的樹脂基材表面的凹凸形狀而無空隙(或空隙極小)地進行跟隨，密合性良好地將電路、樹脂或增層等積層部件設置在樹脂基材表面。
如果金屬箔的形成有脫模層的一側的面即第二面的均方根高度Sq與凹凸的平均間隔Rsm的比(Sq/Rsm)小於0.03，則會產生如下問題：將金屬箔與樹脂基材貼合後剝離金屬箔而獲得的樹脂基材表面的凹凸較小，樹脂基材與電路、樹脂或增層等積層部件的密合性變得不充分，如果超過0.40，則會產生如下問題：將金屬箔與樹脂基材貼合後剝離金屬箔時的剝離性變差，而且剝離金屬箔後的樹脂基材表面的凹凸形狀過深，電路、樹脂或增層等積層部件未追隨上述凹凸形狀。金屬箔的形成有脫模層的一側的面即第二面的均方根高度Sq與凹凸的平均間隔Rsm的比(Sq/Rsm)較佳為0.05以上，更佳為0.10以上。金屬箔的形成有脫模層的一側的面即第二面的均方根高度Sq與凹凸的平均間隔Rsm的比(Sq/Rsm)較佳為0.25以下，較佳為0.24以下，更佳為0.20以 下。
金屬箔(也稱為生箔)並無特別限定，可以使用銅箔、鋁箔、鎳箔、銅合金箔、鎳合金箔、鋁合金箔、不銹鋼箔、鐵箔、鐵合金箔、鋅箔、鋅合金箔、鈷箔、鈷合金箔等。此外，可以使用眾所周知的金屬箔作為金屬箔。
金屬箔(生箔)的厚度並無特別限定，例如，能設為1~105μm、或3~105μm、或5~105μm。另外，就容易從樹脂基材剝離的方面而言，金屬箔的厚度較佳為9~70μm，更佳為12~35μm，進而較佳為18~35μm。另外，就容易藉由蝕刻等將金屬箔(生箔)去除的觀點而言，較佳為金屬箔厚度較薄。例如，金屬箔的厚度較佳為105μm以下，較佳為70μm以下，較佳為35μm以下，較佳為18μm以下，更佳為12μm以下。另外，就容易進行金屬箔(生箔)的處理的觀點而言，較佳為金屬箔厚度較厚。例如，金屬箔的厚度較佳為1μm以上，較佳為3μm以上。
以下，對作為金屬箔(生箔)的示例的銅箔進行說明。金屬箔(生箔)的製造方法並無特別限定，例如可以利用下述電解條件製作電解銅箔。此外，以下的方法也能夠應用於銅箔以外的金屬箔(電解金屬箔、壓延金屬箔)。
<電解銅箔的製造方法>
本發明的電解銅箔是從硫酸銅鍍浴中將銅電解析出至鈦或不銹鋼轉筒上而進行製造。電解條件並無特別限定，例如可以利用下述條件製作電解銅箔。
電解液組成：
Cu：30~190g/L
H2SO4：100~400g/L
氯化物離子(Cl-)：60~200品質ppm
動物膠：1~10ppm
(視需要使用雙(3-磺丙基)二硫化物(SPS)：10~100ppm)
電解液溫度：25~80℃
電解時間：10~300秒鐘(根據所析出的銅厚、電流密度進行調整)
電流密度：50~150A/dm2
電解液線速度：1.5~5m/sec
另外，在本說明書中，電解液、鍍敷液、矽烷偶合處理液、形成脫模層的處理所使用的液體等液體或用於表面處理的處理液的其餘部分只要未特別說明則均為水。
此時所使用的電解轉筒的轉筒表面的均方根高度Sq為1.0μm以下，較佳為0.70μm以下。關於表面具有上述均方根高度Sq的電解轉筒，首先利用號數為P150~P2500的研磨帶對鈦或不銹鋼轉筒的表面進行研磨。此時，一面將研磨帶沿轉筒的寬度方向捲繞指定寬度並使研磨帶以指定速度朝轉筒的寬度方向移動，一面使轉筒旋轉，由此進行研磨。上述研磨時的轉筒表面的旋轉速度設為120~195m/分鐘。轉筒表面的旋轉速度是由以下數學式表示。
轉筒表面的旋轉速度(m/分鐘)=電解轉筒每一分鐘的轉數(次/分鐘)×電解轉筒每一次旋轉的周長(m/次)
電解轉筒每一次旋轉的周長(m/次)=電解轉筒的直徑(m)×圓周率π/1(次)
另外，研磨時間設為研磨帶的1次行程內通過轉筒表面的(寬度方向的位置的)1點的時間與行程次數的乘積。此外，上述1次行程內通過轉筒表面的1點的時間設為將研磨帶的寬度除以研磨帶在轉筒的寬度方向的移動速度所得的值。而且，所謂研磨帶的1次行程是指利用研磨帶從轉筒的軸(寬度)方向(電解銅箔的寬度方向)的一個端部至另一端部，對轉筒圓周方向的 表面進行1次研磨。即，研磨時間是由以下數學式表示。
研磨時間(分鐘)=每一行程的研磨帶的寬度(cm/次)/研磨帶的移動速度(cm/分鐘)×行程次數(次)
本發明中研磨時間為3~25分鐘，另外，本發明中在研磨時利用水潤濕轉筒表面的情況下，研磨時間設為6~25分鐘。作為上述研磨時間的運算例，例如在研磨帶寬度為10cm且將移動速度設為20cm/分鐘時，轉筒表面的1點的1次行程的研磨時間為0.5分鐘。藉由將上述時間乘以總行程次數算出上述研磨時間(例如0.5分鐘×10次行程=5分鐘)。藉由增大研磨帶的號數、及/或提高轉筒表面的旋轉速度、及/或延長研磨時間、及/或在研磨時利用水潤濕轉筒表面，能減小轉筒表面的均方根高度Sq。而且，藉由減小研磨帶的號數、及/或降低轉筒表面的旋轉速度、及/或縮短研磨時間、及/或在研磨時使轉筒表面乾燥，能增大轉筒表面的均方根高度Sq。另外，藉由延長研磨時間能減小均方根高度Sq。而且，藉由縮短研磨時間能增大均方根高度Sq。此外，上述研磨帶的號數是指用於研磨帶的研磨材料的粒度。而且，上述研磨材料的粒度是依據FEPA(Federation of European Producers of Abrasives)-standard 43-1：2006、43-2：2006。
而且，藉由在研磨時利用水潤濕轉筒表面能減小均方根高度Sq。而且，藉由在研磨時使轉筒表面乾燥能增大均方根高度Sq。
另外，電解轉筒表面的均方根高度Sq能按以下方式進行測定。
‧藉由使樹脂膜(聚氯乙烯)浸漬在溶劑(丙酮)中而使樹脂膜膨潤。
‧使上述膨潤的樹脂膜接觸電解轉筒表面，在丙酮從樹脂膜揮發後將樹脂膜剝離，並收集電解轉筒表面的複製品。
‧利用雷射顯微鏡對上述複製品進行測定，並測定均方根高度Sq的值。
然後，將所獲得的複製品的均方根高度Sq的值設為電解轉筒表面的均方根高度Sq。
而且，均方根高度Sq、Sq與凹凸的平均間隔Rsm的比(Sq/Rsm)都能藉由上述電解條件進行調整。如果在上述範圍內提高電解時間(銅厚)及/或電流密度，則Sq、以及Sq/Rsm增大。另一方面，如果在上述範圍內提高氯化物離子濃度、動物膠濃度、SPS濃度及/或電解液線速度，則會有Sq以及Sq/Rsm減小的傾向。只要根據所要求的剝離性的程度、所要求的與積層部件的密合性來調節這些電解條件即可。
而且，也可以對金屬箔的第一面、及/或第二面進行拋光研磨等機械研磨、或蝕刻等化學研磨來調整上述Sq(這裡所說的研磨也包含增加表面的凹凸程度)。
<壓延銅箔的製造方法>
金屬箔(生箔)可以為壓延銅箔(壓延金屬箔)。上述壓延銅箔(壓延金屬箔)能藉由控制最終冷軋時的油膜當量、及控制最終冷軋的壓延輥的Sq、以及控制最終冷軋的加工度，而將金屬箔的未形成脫模層的預定側的面即第一面、及/或供脫模層形成的預定側的面即第二面的均方根高度Sq設為1.6μm以下、1.0μm以下、0.70μm以下、及/或0.01μm以上、0.25μm以上。藉由增大最終冷軋時的油膜當量、及/或增大最終冷軋的壓延輥的Sq的值、及/或減小最終冷軋的加工度，能增大金屬箔的未形成脫模層的預定側的面即第一面、及/或供脫模層形成的預定側的面即第二面的均方根高度Sq的值。藉由減小最終冷軋時的油膜當量、及/或減小最終冷軋的壓延輥的Sq的值、及/或加大最終冷軋的加工度，能減小金屬箔的未形成脫模層的預定側的面即第一面、及/或供脫模層形成的預定側的面即第二面的均方根高度Sq的值。
而且，也可以在最終冷軋後對金屬箔的未形成脫模層的預定側的面即第一 面、及/或供脫模層形成的預定側的面即第二面進行拋光研磨等機械研磨、或蝕刻等化學研磨而調整上述Sq(這裡所說的研磨也包含增加表面的凹凸程度)。
接下來，對能用於本發明的脫模層進行說明。
(1)矽烷化合物
藉由形成脫模層，而在將金屬箔與樹脂基材進行貼合時，適度地降低密合性，能將剝離強度調節至上述範圍，上述脫模層包含至少1種或2種以上的選自由下式所表示的矽烷化合物、矽烷化合物的水解產物及水解產物的縮合物(以下，僅記述為矽烷化合物)所組成的群中的化合物。
式：
(式中，R1為烷氧基或鹵素原子，R2為選自由烷基、環烷基及芳基所組成的群中的烴基、或烴基的一個以上的氫原子被鹵素原子所取代的烴基，R3及R4分別獨立地為鹵素原子、烷氧基、選自由烷基、環烷基及芳基所組成的群中的烴基、或烴基的一個以上的氫原子被鹵素原子所取代的烴基)。
上述矽烷化合物必須具有至少一個烷氧基。當不存在烷氧基而僅為選自由烷基、環烷基及芳基所組成的群中的烴基、或者由一個以上的氫原子被鹵素原子所取代的這些任一烴基構成取代基時，有過度降低樹脂基材與金屬箔的密合性的傾向。而且，上述矽烷化合物必須具有至少一個選自由烷基、環烷基及芳基所組成的群中的烴基、或一個以上的氫原子被鹵素原子所取代的這些任一烴基。原因在於：當不存在上述烴基時，有樹脂基材與金屬箔的密合 性上升的傾向。此外，烷氧基也包含一個以上的氫原子被鹵素原子所取代的烷氧基。
在將樹脂基材與金屬箔的剝離強度調節至上述範圍的方面，上述矽烷化合物較佳為具有三個烷氧基、一個上述烴基(包含一個以上的氫原子被鹵素原子所取代的烴基)。如果用上式來說明，則R3及R4兩者均為烷氧基。
作為烷氧基沒有限定，可以列舉：甲氧基、乙氧基、正或異丙氧基、正、異或第三丁氧基、正、異或新戊氧基、正己氧基、環己氧基、正庚氧基、以及正辛氧基等直鏈狀、支鏈狀、或環狀的碳數1~20、較佳為碳數1~10、更佳為碳數1~5的烷氧基。
作為鹵素原子，可以列舉：氟原子、氯原子、溴原子以及碘原子。
作為烷基沒有限定，可以列舉：甲基、乙基、正或異丙基、正、異或第三丁基、正、異或新戊基、正己基、正辛基、正癸基等直鏈狀或支鏈狀的碳數1~20、較佳為碳數1~10、更佳為碳數1~5的烷基。
作為環烷基沒有限定，可以列舉：環丙基、環丁基、環戊基、環己基、環庚基、環辛基等碳數3~10、較佳為碳數5~7的環烷基。
作為芳基，可以列舉：苯基、經烷基取代的苯基(例：甲苯基、二甲苯基)、1-或2-萘基、蒽基等碳數6~20、較佳為6~14的芳基。
這些烴基的一個以上的氫原子可以被鹵素原子所取代，例如能利用氟原子、氯原子、或溴原子進行取代。
作為較佳的矽烷化合物的示例，可以列舉：甲基三甲氧基矽烷、乙基三甲氧基矽烷、正或異丙基三甲氧基矽烷、正、異或第三丁基三甲氧基矽烷、正、異或新戊基三甲氧基矽烷、己基三甲氧基矽烷、辛基三甲氧基矽烷、癸基三甲氧基矽烷、苯基三甲氧基矽烷；經烷基取代的苯基三甲氧基矽烷(例如對(甲基)苯基三甲氧基矽烷)、甲基三乙氧基矽烷、乙基三乙氧基矽 烷、正或異丙基三乙氧基矽烷、正、異或第三丁基三乙氧基矽烷、戊基三乙氧基矽烷、己基三乙氧基矽烷、辛基三乙氧基矽烷、癸基三乙氧基矽烷、苯基三乙氧基矽烷、經烷基取代的苯基三乙氧基矽烷(例如對(甲基)苯基三乙氧基矽烷)、(3,3,3-三氟丙基)三甲氧基矽烷、以及十三氟辛基三乙氧基矽烷、甲基三氯矽烷、二甲基二氯矽烷、三甲基氯矽烷、苯基三氯矽烷、三甲基氟矽烷、二甲基二溴矽烷、二苯基二溴矽烷、這些化合物的水解產物、以及這些化合物的水解產物的縮合物等。這些化合物中，就容易獲取的觀點而言，較佳為丙基三甲氧基矽烷、甲基三乙氧基矽烷、己基三甲氧基矽烷、苯基三乙氧基矽烷、癸基三甲氧基矽烷。
在脫模層的形成步驟中，矽烷化合物能以水溶液的形態加以使用。為了提高在水中的溶解性，也可以添加甲醇或乙醇等醇。醇的添加在使用疏水性高的矽烷化合物時特別有效。矽烷化合物的水溶液是藉由進行攪拌來促進烷氧基的水解，當攪拌時間長時，水解產物的縮合得到促進。一般來說，使用經過充分的攪拌時間來進行水解及縮合的矽烷化合物時，有樹脂基材與金屬箔的剝離強度降低的傾向。因此，能夠藉由調整攪拌時間來調整剝離強度。使矽烷化合物溶解於水後的攪拌時間沒有限定，例如能設為1~100小時，典型來說能設為1~30小時。當然，也有不攪拌地使用矽烷化合物的方法。
當矽烷化合物的水溶液中的矽烷化合物濃度高時，有金屬箔與板狀載體的剝離強度降低的傾向，能夠藉由調整矽烷化合物的濃度來調整剝離強度。矽烷化合物在水溶液中的濃度沒有限定，能設為0.01~10.0體積%，典型來說能設為0.1~5.0體積%。
矽烷化合物的水溶液的pH值沒有特別限制，在酸性側或鹼性側都能加以利用。例如能以3.0~10.0的範圍之pH值加以使用。就無需特意進行pH值調整的觀點而言，較佳設為中性附近即5.0~9.0的範圍的pH值，更佳設為 7.0~9.0的範圍的pH值。
(2)分子內具有2個以下的巰基的化合物
脫模層是使用分子內具有2個以上的巰基的化合物構成，藉由經由上述脫模層將樹脂基材與金屬箔進行貼合，也會適度降密合性低，能調節剝離強度。
但是，當使分子內具有3個以上的巰基的化合物或上述化合物的鹽介於樹脂基材與金屬箔之間而進行貼合時，並不適於降低剝離強度的目的。原因在於認為有如下情況：如果分子內存在過剩的巰基，則會因巰基彼此、或巰基與板狀載體、或巰基與金屬箔的化學反應而過剩地產生硫化物鍵、二硫化物鍵或多硫化物鍵，在樹脂基材與金屬箔之間形成牢固的三維交聯結構，由此導致剝離強度上升。在日本特開2000-196207號公報中公開了這種事例。
作為該分子內具有2個以下的巰基的化合物，可以列舉：硫醇、二硫醇、硫代羧酸或其鹽、二硫代羧酸或其鹽、硫代磺酸或其鹽、以及二硫代磺酸或其鹽，可以使用選自這些化合物中的至少一種化合物。
硫醇在分子內具有一個巰基，例如以R-SH表示。此處，R表示可以含有羥基或胺基的脂肪族系或芳香族系烴基或雜環基。
二硫醇在分子內具有兩個巰基，例如以R(SH)2表示。R表示可以含有羥基或胺基的脂肪族系或芳香族系烴基或雜環基。又，兩個巰基可以分別鍵結於相同的碳，也可以鍵結於相互不同的碳或氮。
硫代羧酸是有機羧酸的羥基被巰基所取代的化合物，例如以R-CO-SH表示。R表示可以含有羥基或胺基的脂肪族系或芳香族系烴基或雜環基。又，硫代羧酸還能夠以鹽的形態加以使用。此外，還能夠使用具有兩個硫代羧酸基的化合物。
二硫代羧酸是有機羧酸的羧基中的2個氧原子被硫原子所取代的化合物，例如以R-(CS)-SH表示。R表示可以含有羥基或胺基的脂肪族系或 芳香族系烴基或雜環基。又，二硫代羧酸還能夠以鹽的形態加以使用。此外，還能夠使用具有兩個二硫代羧酸基的化合物。
硫代磺酸是有機磺酸的羥基被巰基所取代的化合物，例如以R(SO2)-SH表示。R表示可以含有羥基或胺基的脂肪族系或芳香族系烴基或雜環基。又，硫代磺酸還能夠以鹽的形態加以使用。
二硫代磺酸是有機二磺酸的兩個羥基分別被巰基所取代的化合物，例如以R-((SO2)-SH)2表示。R表示可以含有羥基或胺基的脂肪族系或芳香族系烴基或雜環基。而且，兩個硫代磺酸基可以分別鍵結於相同的碳，也可以鍵結於相互不同的碳。又，二硫代磺酸還能夠以鹽的形態加以使用。
此處，作為適合作為R的脂肪族系烴基，可以列舉烷基、環烷基，這些烴基可以含有羥基及胺基中的任一個或兩個。
另外，作為烷基沒有限定，可以列舉：甲基、乙基、正或異丙基、正、異或第三丁基、正、異或新戊基、正己基、正辛基、正癸基等直鏈狀或支鏈狀的碳數1~20、較佳為碳數1~10、更佳為碳數1~5的烷基。
另外，作為環烷基沒有限定，可以列舉：環丙基、環丁基、環戊基、環己基、環庚基、環辛基等碳數3~10、較佳為碳數5~7的環烷基。
另外，作為適合作為R的芳香族烴基，可以列舉：苯基、經烷基取代的苯基(例如，甲苯基、二甲苯基)、1-或2-萘基、蒽基等碳數6~20、較佳為6~14的芳基，這些烴基亦可含有羥基及胺基中的任一個或兩個。
另外，作為適合作為R的雜環基，可以列舉：咪唑、三唑、四唑、苯并咪唑、苯并三唑、噻唑、苯并噻唑，亦可含有羥基及胺基中的任一個或兩個。
作為分子內具有2個以下的巰基的化合物的較佳例，可以列舉：3-巰基-1,2丙二醇、2-巰基乙醇、1,2-乙二硫醇、6-巰基-1-己醇、1- 辛硫醇、1-十二硫醇、10-羥基-1-十二硫醇、10-羧基-1-十二硫醇、10-胺基-1-十二硫醇、1-十二硫醇磺酸鈉、苯硫酚、硫代苯甲酸、4-胺基-苯硫酚、對甲苯硫醇、2,4-二甲基苯硫醇、3-巰基-1,2,4三唑、2-巰基-苯并噻唑。這些化合物中，就水溶性及廢棄物處理方面的觀點而言，較佳為3-巰基-1,2丙二醇。
在脫模層的形成步驟中，分子內具有2個以下的巰基的化合物能以水溶液的形態加以使用。為了提高在水中的溶解性，也可以添加甲醇或乙醇等醇。醇的添加在使用“疏水性高的在分子內具有2個以下的巰基的化合物”時特別有效。
當分子內具有2個以下的巰基的化合物在水溶液中的濃度高時，有樹脂基材與金屬箔的剝離強度降低的傾向，能夠藉由調整分子內具有2個以下的巰基的化合物的濃度來調整剝離強度。分子內具有2個以下的巰基的化合物在水溶液中的濃度沒有限定，能設為0.01~10.0重量%，典型來說能設為0.1~5.0重量%。
分子內具有2個以下的巰基的化合物的水溶液的pH值沒有特別限制，在酸性側或鹼性側都能加以利用。例如能以3.0~10.0的範圍的pH值加以使用。就無需特意進行pH值調整的觀點而言，較佳設為中性附近即5.0~9.0的範圍的pH值，更佳設為7.0~9.0的範圍的pH值。
(3)金屬烷氧化物
可以將脫模層設為如下構成：包含至少1種或2種以上的選自由具有下式所表示的結構的鋁酸鹽化合物、鈦酸鹽化合物、鋯酸鹽化合物、鋁酸鹽化合物的水解產物、鈦酸鹽化合物的水解產物、鋯酸鹽化合物的水解產物、鋁酸鹽化合物的水解產物的縮合物、鈦酸鹽化合物的水解產物的縮合物以及鋯酸鹽化合物的水解產物的縮合物所組成的群中的化合物的構成、或者單獨或多種地進行混 合而成的構成。以下，該水解產物的縮合物也被簡稱為金屬烷氧化物。藉由介隔該脫模層將樹脂基材與金屬箔進行貼合，密合性會適度地降低，能調節剝離強度。
(R1)m-M-(R2)n
式中，R1為烷氧基或鹵素原子，R2為選自由烷基、環烷基及芳基所組成的群中的烴基、或上述烴基的一個以上的氫原子被鹵素原子所取代的烴基，M為Al、Ti、Zr中的任一個，n為0、1或2，m為1以上且M的價數以下的整數，R1中的至少一個為烷氧基；m+n為M的價數；M的價數在Al的情況下為3，在Ti、Zr的情況下為4。
該金屬烷氧化物必須具有至少一個烷氧基。當不存在烷氧基而僅為選自由烷基、環烷基及芳基所組成的群中的烴基、或者由一個以上的氫原子被鹵素原子所取代的這些任一烴基構成取代基時，有樹脂基材與金屬箔的密合性過度降低的傾向。又，該金屬烷氧化物必須具有0~2個選自由烷基、環烷基及芳基所組成的群中的烴基、或一個以上的氫原子被鹵素原子所取代的這些任一烴基。原因在於：當具有3個以上的該烴基時，有樹脂基材與金屬箔的密合性過度降低的傾向。另外，烷氧基也包含一個以上的氫原子被鹵素原子所取代的烷氧基。在將樹脂基材與金屬箔的剝離強度調節至上述範圍的方面，該金屬烷氧化物較佳為具有兩個以上的烷氧基、一個或兩個上述烴基(包含一個以上的氫原子被鹵素原子所取代的烴基)。
另外，作為烷基沒有限定，可以列舉：甲基、乙基、正或異丙基、正、異或第三丁基、正、異或新戊基、正己基、正辛基、正癸基等直鏈狀或支鏈狀的碳數1~20、較佳為碳數1~10、更佳為碳數1~5的烷基。
另外，作為環烷基沒有限定，可以列舉：環丙基、環丁基、環 戊基、環己基、環庚基、環辛基等碳數3~10、較佳為碳數5~7的環烷基。
另外，作為適合作為R2的芳香族烴基，可以列舉：苯基、經烷基取代的苯基(例如，甲苯基、二甲苯基)、1-或2-萘基、蒽基等碳數6~20、較佳為6~14的芳基，這些烴基可以含有羥基及胺基中的任一個或兩個。這些烴基的一個以上的氫原子可以被鹵素原子所取代，例如可以被氟原子、氯原子、或溴原子所取代。
作為較佳的鋁酸鹽化合物的示例，可以列舉：三甲氧基鋁、甲基二甲氧基鋁、乙基二甲氧基鋁、正或異丙基二甲氧基鋁、正、異或第三丁基二甲氧基鋁、正、異或新戊基二甲氧基鋁、己基二甲氧基鋁、辛基二甲氧基鋁、癸基二甲氧基鋁、苯基二甲氧基鋁；經烷基取代的苯基二甲氧基鋁(例如，對(甲基)苯基二甲氧基鋁)、二甲基甲氧基鋁、三乙氧基鋁、甲基二乙氧基鋁、乙基二乙氧基鋁、正或異丙基二乙氧基鋁、正、異或第三丁基二乙氧基鋁、戊基二乙氧基鋁、己基二乙氧基鋁、辛基二乙氧基鋁、癸基二乙氧基鋁、苯基二乙氧基鋁、經烷基取代的苯基二乙氧基鋁(例如，對(甲基)苯基二乙氧基鋁)、二甲基乙氧基鋁、三異丙氧基鋁、甲基二異丙氧基鋁、乙基二異丙氧基鋁、正或異丙基二乙氧基鋁、正、異或第三丁基二異丙氧基鋁、戊基二異丙氧基鋁、己基二異丙氧基鋁、辛基二異丙氧基鋁、癸基二異丙氧基鋁、苯基二異丙氧基鋁、經烷基取代的苯基二異丙氧基鋁(例如，對(甲基)苯基二異丙氧基鋁)、二甲基異丙氧基鋁、(3,3,3-三氟丙基)二甲氧基鋁、以及十三氟辛基二乙氧基鋁、甲基二氯化鋁、二甲基氯化鋁、二甲基氯化鋁、苯基二氯化鋁、二甲基氟化鋁、二甲基溴化鋁、二苯基溴化鋁、這些化合物的水解產物、以及這些化合物的水解產物的縮合物等。這些化合物中，就容易獲取的觀點而言，較佳為三甲氧基鋁、三乙氧基鋁、三異丙氧基鋁。
作為較佳的鈦酸鹽化合物的示例，可以列舉：四甲氧基鈦、甲 基三甲氧基鈦、乙基三甲氧基鈦、正或異丙基三甲氧基鈦、正、異或第三丁基三甲氧基鈦、正、異或新戊基三甲氧基鈦、己基三甲氧基鈦、辛基三甲氧基鈦、癸基三甲氧基鈦、苯基三甲氧基鈦；經烷基取代的苯基三甲氧基鈦(例如，對(甲基)苯基三甲氧基鈦)、二甲基二甲氧基鈦、四乙氧基鈦、甲基三乙氧基鈦、乙基三乙氧基鈦、正或異丙基三乙氧基鈦、正、異或第三丁基三乙氧基鈦、戊基三乙氧基鈦、己基三乙氧基鈦、辛基三乙氧基鈦、癸基三乙氧基鈦、苯基三乙氧基鈦、經烷基取代的苯基三乙氧基鈦(例如，對(甲基)苯基三乙氧基鈦)、二甲基二乙氧基鈦、四異丙氧基鈦、甲基三異丙氧基鈦、乙基三異丙氧基鈦、正或異丙基三乙氧基鈦、正、異或第三丁基三異丙氧基鈦、戊基三異丙氧基鈦、己基三異丙氧基鈦、辛基三異丙氧基鈦、癸基三異丙氧基鈦、苯基三異丙氧基鈦、經烷基取代的苯基三異丙氧基鈦(例如，對(甲基)苯基三異丙氧基鈦)、二甲基二異丙氧基鈦、(3,3,3-三氟丙基)三甲氧基鈦、以及十三氟辛基三乙氧基鈦、甲基三氯化鈦、二甲基二氯化鈦、三甲基氯化鈦、苯基三氯化鈦、二甲基二氟化鈦、二甲基二溴化鈦、二苯基二溴化鈦、這些化合物的水解產物、以及這些化合物的水解產物的縮合物等。這些化合物中，就容易獲取的觀點而言，較佳為四甲氧基鈦、四乙氧基鈦、四異丙氧基鈦。
作為較佳的鋯酸鹽化合物的示例，可以列舉：四甲氧基鋯、甲基三甲氧基鋯、乙基三甲氧基鋯、正或異丙基三甲氧基鋯、正、異或第三丁基三甲氧基鋯、正、異或新戊基三甲氧基鋯、己基三甲氧基鋯、辛基三甲氧基鋯、癸基三甲氧基鋯、苯基三甲氧基鋯；經烷基取代的苯基三甲氧基鋯(例如，對(甲基)苯基三甲氧基鋯)、二甲基二甲氧基鋯、四乙氧基鋯、甲基三乙氧基鋯、乙基三乙氧基鋯、正或異丙基三乙氧基鋯、正、異或第三丁基三乙氧基鋯、戊基三乙氧基鋯、己基三乙氧基鋯、辛基三乙氧基鋯、癸基三乙氧基鋯、苯基三乙氧基鋯、經烷基取代的苯基三乙氧基鋯(例如，對(甲基)苯基三 乙氧基鋯)、二甲基二乙氧基鋯、四異丙氧基鋯、甲基三異丙氧基鋯、乙基三異丙氧基鋯、正或異丙基三乙氧基鋯、正、異或第三丁基三異丙氧基鋯、戊基三異丙氧基鋯、己基三異丙氧基鋯、辛基三異丙氧基鋯、癸基三異丙氧基鋯、苯基三異丙氧基鋯、經烷基取代的苯基三異丙氧基鋯(例如，對(甲基)苯基三異丙氧基鈦)、二甲基二異丙氧基鋯、(3,3,3-三氟丙基)三甲氧基鋯、以及十三氟辛基三乙氧基鋯、甲基三氯化鋯、二甲基二氯化鋯、三甲基氯化鋯、苯基三氯化鋯、二甲基二氟化鋯、二甲基二溴化鋯、二苯基二溴化鋯、這些化合物的水解產物、以及這些化合物的水解產物的縮合物等。這些化合物中，就容易獲取的觀點而言，較佳為四甲氧基鋯、四乙氧基鋯、四異丙氧基鋯。
在脫模層的形成步驟中，金屬烷氧化物能以水溶液的形態加以使用。為了提高在水中的溶解性，也可以添加甲醇或乙醇等醇類。醇類的添加在使用疏水性高的金屬烷氧化物時特別有效。
當金屬烷氧化物在水溶液中的濃度較高時，有樹脂基材與金屬箔的剝離強度降低的傾向，能夠藉由調整金屬烷氧化物濃度來調整剝離強度。金屬烷氧化物在水溶液中的濃度沒有限定，能設為0.001~1.0mol/L，典型來說能設為0.005~0.2mol/L。
金屬烷氧化物的水溶液的pH值沒有特別限制，在酸性側或鹼性側都能加以利用。例如能以3.0~10.0的範圍的pH值加以使用。就無需特意進行pH值調整的觀點而言，較佳設為中性附近即5.0~9.0的範圍的pH值，更佳設為7.0~9.0的範圍的pH值。
(4)其它
可以將矽系脫模劑、具有脫模性的樹脂被膜等眾所周知的具有脫模性的物質用於脫模層。
金屬箔也可以在金屬箔的第一面、及/或金屬箔的第二面、及 /或金屬箔與上述脫模層之間設置選自由粗化處理層、耐熱層、防銹層、鉻酸鹽處理層以及矽烷偶合處理層所組成的群中的1種以上的層。這裡所謂鉻酸鹽處理層是指利用包含鉻酸酐、鉻酸、二鉻酸、鉻酸鹽或二鉻酸鹽的液體進行處理的層。鉻酸鹽處理層還可以含有鈷、鐵、鎳、鉬、鋅、鉭、銅、鋁、磷、鎢、錫、砷以及鈦等元素(也可以為金屬、合金、氧化物、氮化物、硫化物等任何形態)。作為鉻酸鹽處理層的具體例，可以列舉利用鉻酸酐或二鉻酸鉀水溶液進行過處理的鉻酸鹽處理層、或利用含有鉻酸酐或二鉻酸鉀以及鋅的處理液進行處理的鉻酸鹽處理層等。
粗化處理層例如能藉由以下處理而形成。
[球狀粗化]
使用由Cu、H2SO4、As構成之下文記載的銅粗化鍍浴形成球狀粗化粒子。
‧液體組成1
CuSO4‧5H2O 78~196g/L
Cu 20~50g/L
H2SO4 50~200g/L
砷0.7~3.0g/L
(電性鍍敷溫度1)30~76℃
(電流條件1)電流密度35~105A/dm2(鍍浴的極限電流密度以上)
(鍍敷時間1)1~240秒鐘
然後，利用由硫酸-硫酸銅構成的銅電解浴進行覆蓋鍍敷以防止粗化粒子的脫落及提高剝離強度。將覆蓋鍍敷條件記載在下文中。
‧液體組成2
CuSO4‧5H2O 88~352g/L
Cu 22~90g/L
H2SO4 50~200g/L
(電性鍍敷溫度2)25~80℃
(電流條件2)電流密度：15~32A/dm2(小於鍍浴的極限電流密度)
(鍍敷時間1)1~240秒鐘
而且，能使用眾所周知的耐熱層、防銹層作為耐熱層、防銹層。例如，耐熱層及/或防銹層可以為包含選自由鎳、鋅、錫、鈷、鉬、銅、鎢、磷、砷、鉻、釩、鈦、鋁、金、銀、鉑族元素、鐵、鉭所組成的群中的1種以上的元素的層，也可以為由選自鎳、鋅、錫、鈷、鉬、銅、鎢、磷、砷、鉻、釩、鈦、鋁、金、銀、鉑族元素、鐵、鉭的群中的1種以上的元素構成的金屬層或合金層。又，耐熱層及/或防銹層也可以包括氧化物、氮化物、矽化物，這些氧化物、氮化物、矽化物包含選自鎳、鋅、錫、鈷、鉬、銅、鎢、磷、砷、鉻、釩、鈦、鋁、金、銀、鉑族元素、鐵、鉭的群中的1種以上的元素。又，耐熱層及/或防銹層可以為包含鎳-鋅合金的層。又，耐熱層及/或防銹層也可以為鎳-鋅合金層。除了無法避免的雜質以外，上述鎳-鋅合金層可以含有50wt%~99wt%的鎳、50wt%~1wt%的鋅。上述鎳-鋅合金層的鋅以及鎳的合計附著量可以為5~1000mg/m2，較佳為10~500mg/m2，較佳為20~100mg/m2。而且，上述包含鎳-鋅合金的層或上述鎳-鋅合金層的鎳附著量與鋅附著量的比(=鎳附著量/鋅附著量)較佳為1.5~10。而且，上述包含鎳-鋅合金的層或上述鎳-鋅合金層的鎳附著量較佳為0.5mg/m2~500mg/m2，更佳為1mg/m2~50mg/m2。
例如耐熱層及/或防銹層可以為依次積層附著量為1mg/m2~100mg/m2、較佳為5mg/m2~50mg/m2的鎳或鎳合金層、及附著量為1mg/m2~80mg/m2、較佳為5mg/m2~40mg/m2的錫層而成的耐熱層及/或防銹層，上述鎳合金層可以由鎳-鉬、鎳-鋅、鎳-鉬-鈷中的任一種所構 成。又，耐熱層及/或防銹層中鎳或鎳合金及錫的合計附著量較佳為2mg/m2~150mg/m2，更佳為10mg/m2~70mg/m2。又，耐熱層及/或防銹層較佳為〔鎳或鎳合金中的鎳附著量〕/〔錫附著量〕=0.25~10，更佳為0.33~3。
另外，矽烷偶合處理所使用的矽烷偶合劑可以使用眾所周知的矽烷偶合劑，例如可以使用胺基系矽烷偶合劑、環氧系矽烷偶合劑、或巰基系矽烷偶合劑。而且，矽烷偶合劑也可以使用乙烯基三甲氧基矽烷、乙烯基苯基三甲氧基矽烷、γ-甲基丙烯醯氧基丙基三甲氧基矽烷、γ-縮水甘油氧基丙基三甲氧基矽烷、4-縮水甘油基丁基三甲氧基矽烷、γ-胺基丙基三乙氧基矽烷、N-β(胺基乙基)γ-胺基丙基三甲氧基矽烷、N-3-(4-(3-胺基丙氧基)丁氧基)丙基-3-胺基丙基三甲氧基矽烷、咪唑矽烷、三矽烷、γ-巰基丙基三甲氧基矽烷等。
上述矽烷偶合處理層可以使用環氧系矽烷、胺基系矽烷、甲基丙烯醯氧基系矽烷、巰基系矽烷等矽烷偶合劑等形成。另外，這種矽烷偶合劑可以將2種以上混合而使用。其中，較佳為使用胺基系矽烷偶合劑或環氧系矽烷偶合劑形成的矽烷偶合處理層。
這裡所說的胺基系矽烷偶合劑可以為選自由N-(2-胺基乙基)-3-胺基丙基三甲氧基矽烷、3-(N-苯乙烯基甲基-2-胺基乙基胺基)丙基三甲氧基矽烷、3-胺基丙基三乙氧基矽烷、雙(2-羥基乙基)-3-胺基丙基三乙氧基矽烷、胺基丙基三甲氧基矽烷、N-甲基胺基丙基三甲氧基矽烷、N-苯基胺基丙基三甲氧基矽烷、N-(3-丙烯醯氧基-2-羥基丙基)-3-胺基丙基三乙氧基矽烷、4-胺基丁基三乙氧基矽烷、(胺基乙基胺基甲基)苯乙基三甲氧基矽烷、N-(2-胺基乙基-3-胺基丙基)三甲氧基矽烷、N-(2-胺基乙基-3-胺基丙基)三(2-乙基己氧基)矽烷、6-(胺基己基胺基丙基)三甲氧基矽烷、胺基苯基三甲氧基矽烷、3-(1-胺基丙氧基)-3,3-二甲基-1-丙烯基三 甲氧基矽烷、3-胺基丙基三(甲氧基乙氧基乙氧基)矽烷、3-胺基丙基三乙氧基矽烷、3-胺基丙基三甲氧基矽烷、ω-胺基十一烷基三甲氧基矽烷、3-(2-N-苄基胺基乙基胺基丙基)三甲氧基矽烷、雙(2-羥基乙基)-3-胺基丙基三乙氧基矽烷、(N,N-二乙基-3-胺基丙基)三甲氧基矽烷、(N,N-二甲基-3-胺基丙基)三甲氧基矽烷、N-甲基胺基丙基三甲氧基矽烷、N-苯基胺基丙基三甲氧基矽烷、3-(N-苯乙烯基甲基-2-胺基乙基胺基)丙基三甲氧基矽烷、γ-胺基丙基三乙氧基矽烷、N-β(胺基乙基)γ-胺基丙基三甲氧基矽烷、N-3-(4-(3-胺基丙氧基)丁氧基)丙基-3-胺基丙基三甲氧基矽烷所組成的群中的胺基系矽烷偶合劑。
矽烷偶合處理層比較理想的是以矽原子換算在0.05mg/m2~200mg/m2、較佳為0.15mg/m2~20mg/m2、較佳為0.3mg/m2~2.0mg/m2的範圍進行設置。在上述範圍的情況下，能進一步提高樹脂基材與金屬箔的密合性。
而且，能對金屬箔、粗化粒子層、耐熱層、防銹層、矽烷偶合處理層、鉻酸鹽處理層或脫模層的表面進行國際公開編號WO2008/053878、日本特開2008-111169號、日本專利第5024930號、國際公開編號WO2006/028207、日本專利第4828427號、國際公開編號WO2006/134868、日本專利第5046927號、國際公開編號WO2007/105635、日本專利第5180815號、日本特開2013-19056號中記載的表面處理。這樣一來，本發明的金屬箔還包含表面處理金屬箔。
也可以在設置在金屬箔的第一面的選自由粗化處理層、耐熱層、防銹層、鉻酸鹽處理層以及矽烷偶合處理層所組成的群中的一種以上的層的面上設置有樹脂層。
設置在上述金屬箔的第一面的樹脂層可以為接著用樹脂、即接 著劑，亦可為底漆，亦可為接著用的半硬化狀態(B階段狀態)的絕緣樹脂層。所謂半硬化狀態(B階段狀態)包含如下狀態：即使利用手指接觸絕緣樹脂層的表面也不會有黏著感，能將上述絕緣樹脂層重疊地進行保管，如果進一步受到加熱處理，便會產生硬化反應。上述金屬箔之表面的樹脂層較佳為在與脫模層進行接觸時表現出適度的剝離強度(例如2gf/cm~200gf/cm)的樹脂層。又，較佳為使用跟隨金屬箔的表面凹凸而難以混入會導致隆起的空隙或氣泡的樹脂。例如，在金屬箔表面設置該樹脂層時，較佳為使用：樹脂黏度為10000mPa‧s(25℃)以下、更佳為樹脂黏度為5000mPa‧s(25℃)以下等低黏度樹脂，來設置樹脂層。藉由在積層在金屬箔的絕緣基板與金屬箔之間設置上述樹脂層，即使在使用難以跟隨金屬箔的表面凹凸的絕緣基板時，由於樹脂層會跟隨金屬箔表面，所以能夠使金屬箔與絕緣基板之間不容易產生空隙或氣泡，因此有效。
又，設置在上述金屬箔的第一面的樹脂層可以包含熱硬化性樹脂，也可以為熱塑性樹脂。又，上述金屬箔表面的樹脂層可以包含熱塑性樹脂。上述金屬箔表面的樹脂層亦可包含眾所周知的樹脂、樹脂硬化劑、化合物、硬化促進劑、介電體、反應催化劑、交聯劑、聚合物、預浸料、骨架材料等。而且，上述金屬箔表面的樹脂層例如可以使用國際公開編號WO2008/004399、國際公開編號WO2008/053878、國際公開編號WO2009/084533、日本特開平11-5828號、日本特開平11-140281號、日本專利第3184485號、國際公開編號WO97/02728、日本專利第3676375號、日本特開2000-43188號、日本專利第3612594號、日本特開2002-179772號、日本特開2002-359444號、日本特開2003-304068號、日本專利第3992225號、日本特開2003-249739號、日本專利第4136509號、日本特開2004-82687號、日本專利第4025177號、日本特開2004-349654號、日本專利第4286060號、日本特開2005 -262506號、日本專利第4570070號、日本特開2005-53218號、日本專利第3949676號、日本專利第4178415號、國際公開編號WO2004/005588、日本特開2006-257153號、日本特開2007-326923號、日本特開2008-111169號、日本專利第5024930號、國際公開編號WO2006/028207、日本專利第4828427號、日本特開2009-67029號、國際公開編號WO2006/134868、日本專利第5046927號、日本特開2009-173017號、國際公開編號WO2007/105635、日本專利第5180815號、國際公開編號WO2008/114858、國際公開編號WO2009/008471、日本專利特開2011-14727號、國際公開編號WO2009/001850、國際公開編號WO2009/145179、國際公開編號WO2011/068157、日本特開2013-19056號中記載的物質(樹脂、樹脂硬化劑、化合物、硬化促進劑、介電體、反應催化劑、交聯劑、聚合物、預浸料、骨架材料等)及/或樹脂層的形成方法、形成裝置形成。
(積層體、半導體封裝、電子機器)
能使附脫模層金屬箔及設置在附脫模層金屬箔的樹脂基材積層而製作積層體。該積層體可以利用紙基材酚樹脂、紙基材環氧樹脂、合成纖維布基材環氧樹脂、玻璃布-紙複合基材環氧樹脂、玻璃布-玻璃不織布複合基材環氧樹脂以及玻璃布基材環氧樹脂等形成樹脂基材。樹脂基材可以為預浸料，也可以包含熱硬化性樹脂。而且，藉由在該積層體的金屬箔形成電路，能製作印刷配線板。進而，藉由在印刷配線板搭載電子零件類，能製作印刷電路板。在本發明中，「印刷配線板」包含像這樣搭載有電子零件類的印刷配線板、印刷電路板以及印刷基板。而且，可以使用該印刷配線板製作電子機器，可以使用該搭載有電子零件類的印刷電路板製作電子機器，也可以使用上述搭載有電子零件類的印刷基板製作電子機器。而且，上述「印刷電路板」還包含半導體封裝用電路形成基板。進而，能在半導體封裝用電路形成基板搭載電子零件類而製作半 導體封裝。進而，可以使用該半導體封裝製作電子機器。
(印刷配線板的製造方法)
本發明的印刷配線板的製造方法的一方面具備以下步驟：在本發明的附脫模層金屬箔貼合絕緣基板；藉由將附脫模層金屬箔在不被蝕刻的情況下從絕緣基板剝離而獲得在剝離面轉印有附脫模層金屬箔之表面輪廓的絕緣基板；及在轉印有表面輪廓的絕緣基板的剝離面側形成電路。藉由這種構成，實現了將金屬箔貼合在樹脂基材時的樹脂基材的物理剝離，在將金屬箔從樹脂基材去除的步驟中，能夠在不損壞從金屬箔表面轉印到樹脂基材表面的表面輪廓的情況下，低成本地將金屬箔去除。在該製造方法中，亦可利用鍍敷圖案形成電路。在此情況下，能在形成鍍敷圖案後，利用該鍍敷圖案形成所期望的電路而製作印刷配線板。而且，也可以利用印刷圖案形成電路。在此情況下，例如能在使用油墨中含有導電膏等的噴墨形成印刷圖案後，利用該印刷圖案形成所期望的印刷電路而製作印刷配線板。
本說明書中所謂「表面輪廓」是指表面的凹凸形狀。
本發明的印刷配線板的製造方法的又一方面具備以下步驟：在本發明的附脫模層金屬箔貼合絕緣基板；藉由將附脫模層金屬箔在不被蝕刻的情況下從絕緣基板剝離而獲得在剝離面轉印有附脫模層金屬箔之表面輪廓的絕緣基板；及在轉印有表面輪廓的絕緣基板的剝離面側設置增層。藉由這種構成，實現了將金屬箔貼合在樹脂基材時的樹脂基材的物理剝離，在將金屬箔從樹脂基材去除的步驟中，能夠在不損壞轉印到樹脂基材表面的金屬箔表面的輪廓的情況下，低成本地將金屬箔去除。而且，根據轉印到樹脂基材的指定的凹凸表面，樹脂基材的樹脂成分與增層的樹脂成分可以不同也可以相同，能夠密合性良好地將兩者貼合。
這裡所謂「增層」是指具有導電層、配線圖案或電路、及樹脂 等絕緣體的層。該樹脂等絕緣體的形狀可以為層狀。而且，上述導電層、配線圖案或電路及樹脂等絕緣體無論怎樣設置均可。
增層能藉由在剝離面轉印有金屬箔的表面輪廓的樹脂基材的剝離面側設置導電層、配線圖案或電路及樹脂等絕緣體而製作。作為導電層、配線圖案或電路的形成方法，能使用半加成法、全加成法、減成法、部分加成法等眾所周知的方法。
增層可以具有多層，也可以具有多個導電層、配線圖案或電路及樹脂(層)。
多個導電層、配線圖案或電路可以藉由樹脂等絕緣體而電性絕緣。可以藉由利用雷射及/或鑽孔器在樹脂等絕緣體形成通孔及/或盲孔後，在該通孔及/或盲孔形成鍍銅等導通鍍敷，而將電性絕緣的多個導電層、配線圖案或電路電性連接。
構成這種增層的樹脂等絕緣體能使用本說明書中記載的樹脂、樹脂層、樹脂基材，能使用眾所周知的樹脂、樹脂層、樹脂基材、絕緣體、預浸料、使樹脂含浸在玻璃布而成的基材等。樹脂可以包含無機物及/或有機物。又，構成增層的樹脂可以利用LCP(液晶聚合物)、氟樹脂、低介電常數聚醯亞胺、聚苯醚、環烯烴聚合物或聚四氟乙烯等具有低相對介電常數的材料形成。近年來，隨著高頻產品的增多，下述之舉動增多，即，將LCP(液晶聚合物)、氟樹脂、低介電常數聚醯亞胺、聚苯醚、環烯烴聚合物或聚四氟乙烯(特富龍：注冊商標)等具有低相對介電常數的材料摻入印刷基板的結構的舉動。此時，由於這些材料具有熱塑性，所以在熱壓加工時無法避免形狀變化，如果使用由LCP(液晶聚合物)、氟樹脂、低介電常數聚醯亞胺、聚苯醚、環烯烴聚合物或聚四氟乙烯單體構成基板，則產生生產成品率不會提高此一在基本的量產上之問題。如果使用上述本發明的製造方法，即使針對這種問題，也 能藉由使用環氧樹脂之類的熱硬化性樹脂作為樹脂基板並與之貼合，而提供高頻特性優異且能防止加熱時的形狀變形的印刷配線板。
本發明的印刷配線板的製造方法的又一方面是包含以下步驟的印刷配線板的製造方法：在本發明的附脫模層金屬箔或本發明的金屬箔，從上述脫模層側或上述金屬箔的第二面側貼合絕緣基板1；在積層有上述絕緣基板1的上述附脫模層金屬箔或上述金屬箔的第一面側形成電路；藉由利用絕緣基板2覆蓋上述電路而將上述電路埋入上述絕緣基板2；從上述附脫模層金屬箔或上述金屬箔將上述絕緣基板1剝離而露出上述附脫模層金屬箔或上述金屬箔；及將上述露出的附脫模層金屬箔或上述金屬箔去除。
而且，本發明的印刷配線板的製造方法的又一方面包含以下步驟：在本發明的附脫模層金屬箔或本發明的金屬箔，從上述脫模層側或上述金屬箔的第二面側貼合絕緣基板1；在積層有上述絕緣基板1的附脫模層金屬箔或上述金屬箔的第一面側積層乾膜；將上述乾膜圖案化後，形成電路；將上述乾膜剝離而露出上述電路；藉由利用絕緣基板2覆蓋上述露出的電路而將上述電路埋入上述絕緣基板2；從上述附脫模層金屬箔或上述金屬箔將上述絕緣基板1剝離而露出上述附脫模層金屬箔或上述金屬箔；及將上述露出的附脫模層金屬箔或上述金屬箔去除。
藉由使用“像這樣在表面凹凸狀態得到控制的金屬箔設置脫模層而能實現將上述金屬箔貼合在樹脂基材時的樹脂基材的物理剝離的金屬箔”，能夠低成本地製造具有微細電路的印刷配線板。又，能實現將該金屬箔貼合在樹脂基材時的樹脂基材的物理剝離，在將金屬箔從樹脂基材去除的步驟中，能夠在不損壞轉印到樹脂基材表面的金屬箔的表面輪廓的情況下，低成本地將金屬箔去除。
這裡，使用圖式對使用了本發明的附脫模層金屬箔的印刷配線 板的製造方法的具體例進行詳細說明。
首先，如圖1-A所示，準備附脫模層金屬箔(第1層)，該附脫模層金屬箔(第1層)是從脫模層側積層在樹脂基板。
然後，如圖1-B所示，在金屬箔上塗布阻劑並進行曝光、顯影，將阻劑蝕刻成指定形狀。
然後，如圖1-C所示，藉由在形成電路用鍍敷後將阻劑去除，而形成指定形狀的電路鍍敷。
然後，如圖2-D所示，以覆蓋電路鍍敷的方式(以埋藏電路鍍敷的方式)在金屬箔上設置埋入樹脂而積層樹脂層，接下來從第1層金屬箔側接著另一附脫模層金屬箔(第2層)。
然後，如圖2-E所示，從第2層附脫模層金屬箔剝離樹脂基板。
然後，如圖2-F所示，在樹脂層的指定位置進行雷射開孔，露出電路鍍敷而形成盲孔。
然後，如圖3-G所示，在盲孔埋入銅而形成填孔。
然後，如圖3-H所示，在填孔上以上述圖1-B以及圖1-C的方式形成電路鍍敷。
然後，如圖3-I所示，從第1層附脫模層金屬箔剝離樹脂基板。
然後，如圖4-J所示，藉由急速蝕刻將兩表面的金屬箔去除，露出樹脂層內的電路鍍敷的表面。
然後，如圖4-K所示，在樹脂層內的電路鍍敷上形成凸塊，並在該焊料上形成銅柱。以這種方式製作使用了本發明的附脫模層金屬箔的印刷配線板。
另外，在上述印刷配線板的製造方法中，也能夠將「金屬箔」替換成樹脂基板，將「樹脂基板」替換成金屬箔地在附脫模層金屬箔的樹脂基板側表面形成電路，從而利用樹脂將電路埋入，製造印刷配線板。
上述另一附脫模層金屬箔(第2層)可以使用本發明的附脫模層金屬箔，可以使用現有的附脫模層金屬箔，還可以使用通常的銅箔。而且，可以在圖3-H所示的第2層電路上再形成1層或多層電路，可以利用半加成法、減成法、部分加成法或改良型半加成法中的任一種方法形成這些電路。
根據如上述的印刷配線板的製造方法，成為電路鍍敷被埋入樹脂層中的構成，所以在例如藉由如圖4-J所示的急速蝕刻將金屬箔去除時，電路鍍敷受到樹脂層的保護，保持了電路鍍敷的形狀，由此容易形成微細電路。而且，因為電路鍍敷受到樹脂層的保護，所以耐遷移性提高，良好地抑制了電路配線的導通。因此，容易形成微細電路。而且，像圖4-J以及圖4-K所示那樣藉由急速蝕刻將金屬箔去除時，電路鍍敷的露出面成為從樹脂層凹陷的形狀，所以容易在上述電路鍍敷上形成凸塊，並進而在上述凸塊上形成銅柱，製造效率提高。
另外，埋入樹脂(resin)可以使用眾所周知的樹脂、預浸料。例如，可以使用BT(雙馬來醯亞胺三)樹脂或含浸BT樹脂的玻璃布即預浸料、味之素精細化學股份有限公司製造的ABF膜或ABF。而且，上述埋入樹脂(resin)可以使用本說明書中記載的樹脂層及/或樹脂及/或預浸料。
而且，上述第一層所使用的附脫模層金屬箔可以在上述附脫模層金屬箔的表面具有基板或樹脂層。藉由具有上述基板或樹脂層，有如下優點：第一層所使用的附脫模層金屬箔受到支撐，不容易產生皺褶，所以生產性提高。另外，只要具有支撐上述第一層所使用的附脫模層金屬箔的效果，上述基板或樹脂層能使用任何基板或樹脂層。例如能使用本申請的說明書中記載的載體、預浸料、樹脂層或眾所周知的載體、預浸料、樹脂層、金屬板、金屬箔、無機化合物板、無機化合物箔、有機化合物板、有機化合物箔作為上述基板或樹脂層。
此外，將使用金屬箔的表面輪廓的半加成法的示意圖示於圖5。該半加成法中使用了金屬箔的表面輪廓。具體來說，首先，從脫模層側將本發明的附脫模層金屬箔積層在樹脂基材而製作積層體。然後，利用蝕刻將積層體的金屬箔去除或剝離。然後，利用稀硫酸等將轉印有金屬箔表面輪廓的樹脂基材的表面洗淨後，實施無電解鍍銅。接下來，利用乾膜等覆蓋樹脂基材的未形成電路的部分，並對未覆蓋乾膜的無電解鍍銅層表面實施電性(電解)鍍銅。然後，在將乾膜去除後，將形成在未形成電路的部分的無電解鍍銅層去除，由此形成微細電路。本發明中所形成的微細電路與轉印有本發明的金屬箔表面輪廓的樹脂基材的剝離面密合，所以其密合力(剝離強度)良好。
此外，半加成法的另一實施方式如下上述。
所謂半加成法是指如下方法：在樹脂基材或金屬箔上進行較薄的無電解鍍敷而形成圖案後，使用電性鍍敷以及蝕刻形成導體圖案。因此，在使用半加成法的本發明的印刷配線板的製造方法的一實施方式中包含以下步驟：準備本發明的金屬箔或本發明的附脫模層金屬箔及樹脂基材；從表面輪廓得到控制的一側或脫模層側將樹脂基材積層在上述金屬箔或上述附脫模層金屬箔；將上述金屬箔與樹脂基材積層後，利用蝕刻將上述金屬箔去除或剝離；在去除或剝離上述金屬箔而產生的樹脂基材的露出面或剝離面設置通孔或/以及盲孔；對包含上述通孔或/以及盲孔的區域進行除膠渣處理；對於上述樹脂基材以及包含上述通孔或/以及盲孔的區域，利用稀硫酸等將樹脂基材表面洗淨並設置無電解鍍敷層(例如無電解鍍銅層)；在上述無電解鍍敷層上設置鍍敷阻劑；對上述鍍敷阻劑進行曝光，然後將形成有電路的區域的鍍敷阻劑去除； 在去除了上述鍍敷阻劑的形成有上述電路的區域設置電解鍍敷層(例如電解鍍銅層)；將上述鍍敷阻劑去除；藉由急速蝕刻等將位於形成有上述電路的區域以外的區域的無電解鍍敷層去除。
使用半加成法的本發明的印刷配線板的製造方法的另一實施方式中包含以下步驟：準備本發明的金屬箔或本發明的附脫模層金屬箔及樹脂基材；從表面輪廓得到控制的一側或脫模層側將樹脂基材積層在上述金屬箔或上述附脫模層金屬箔；將上述金屬箔與樹脂基材積層後，利用蝕刻將上述金屬箔去除或剝離；對於去除或剝離上述金屬箔而產生的樹脂基材的露出面或剝離面，利用稀硫酸等將樹脂基材表面洗淨並設置無電解鍍敷層(例如無電解鍍銅層)；在上述無電解鍍敷層上設置鍍敷阻劑；對上述鍍敷阻劑進行曝光，然後將形成有電路的區域的鍍敷阻劑去除；在去除了上述鍍敷阻劑的形成有上述電路的區域設置電解鍍敷層(例如電解鍍銅層)；將上述鍍敷阻劑去除；藉由急速蝕刻等將位於形成有上述電路的區域以外的區域的無電解鍍敷層去除。
這樣一來，能在剝離了金屬箔後的樹脂基材的剝離面形成電路，從而製作印刷電路形成基板、半導體封裝用電路形成基板。進而，能使用上述電路形成基板製作印刷配線板、半導體封裝。進而，能使用上述印刷配線板、半導體封裝製作電子機器。
另一方面，使用全加成法的本發明的印刷配線板的製造方法的另一實施方式中包含以下步驟：從表面輪廓得到控制的一側或脫模層側將樹脂基材積層在上述金屬箔或上述附脫模層金屬箔；將上述金屬箔與樹脂基材積層後，利用蝕刻將上述金屬箔去除或剝離；對於去除或剝離上述金屬箔而產生的樹脂基材的露出面或剝離面，利用稀硫酸等將樹脂基材表面洗淨；在上述洗淨的樹脂基材表面設置鍍敷阻劑；對上述鍍敷阻劑進行曝光，然後將形成有電路的區域的鍍敷阻劑去除；在去除了上述鍍敷阻劑的形成有上述電路的區域設置無電解鍍敷層(例如可以為無電解鍍銅層、具有厚度的無電解鍍敷層)；將上述鍍敷阻劑去除。
另外，半加成法以及全加成法有時具有如下效果：藉由將上述樹脂基材表面洗淨，容易設置無電解鍍敷層。尤其是當脫模層殘留在樹脂基材表面時，有時具有如下效果：藉由該洗淨將脫模層的一部分或全部從樹脂基材表面去除，所以藉由上述樹脂基材表面的洗淨，更加容易設置無電解鍍敷層。該洗淨能使用利用眾所周知的洗淨方法(所使用的液體的種類、溫度、液體的塗布方法等)進行的洗淨。又，較佳為使用能將本發明的脫模層的一部分或全部去除的洗淨方法。
這樣一來，能利用半加成方法或全加成方法在去除或剝離金屬箔後的樹脂基材的露出面或剝離面形成電路，從而製作印刷電路形成基板、半導體封裝用電路形成基板。進而，能使用該電路形成基板製作印刷配線板、半導體封裝。進而，能使用上述印刷配線板、半導體封裝製作電子機器。
[實施例]
以下揭示本發明的實施例以及作為比較例的實驗例，但提供這些實施例的目的在於更好地理解本發明及其優點，並不意圖限定發明。
‧生箔(表面處理前的銅箔)的製造
(實施例1~16、19、比較例1~3)
準備鈦制旋轉轉筒(電解轉筒)。然後，根據表1所記載的電解轉筒表面控制條件進行研磨，製作表面具有指定的均方根高度Sq的電解轉筒。具體來說，利用表1所記載的號數之研磨帶對上述電解轉筒的表面進行研磨。此時，一面將研磨帶在轉筒的寬度方向上捲繞指定寬度並使研磨帶朝轉筒的寬度方向移動，一面使轉筒旋轉，由此進行研磨。將上述研磨時的轉筒表面的旋轉速度示於表1。另外，研磨時間設為根據研磨帶的寬度及研磨帶的移動速度在1次行程內通過轉筒表面的1點的時間與行程次數的乘積。這裡所謂研磨帶的1次行程是指利用研磨帶從軸方向(電解銅箔的寬度方向)的一個端部至另一端部，對旋轉轉筒的圓周方向的表面進行1次研磨。
即，研磨時間是由以下數學式表示。
研磨時間(分鐘)=每一行程的研磨帶的寬度(cm/次)/研磨帶的移動速度(cm/分鐘)×行程次數(次)
對於實施例2、5、8、14~16、比較例3，在研磨電解轉筒的表面時，利用水將轉筒表面潤濕。
然後，在電解槽中配置上述電解轉筒，並在轉筒周圍隔開指定的極間距離地配置電極。然後，在實施例1~10、12、14~16、比較例2、3中，在電解槽利用下述條件進行電解，使電解轉筒旋轉並且使銅析出至該電解轉筒的表面。將此時的電流密度及電解液線速度記載於表1。
(電解液組成)
Cu 120g/L
H2SO4 100g/L
氯化物離子(Cl-)70ppm
魚膠6ppm
電解液溫度60℃
在實施例11、19、比較例1中，向上述電解液以追加之方式添加80ppm的添加劑雙(3-磺丙基)二硫化物(SPS)。
實施例13中使用的電解液組成除將氯化物離子濃度設為2ppm以下且不使用魚膠而是添加動物膠2ppm以外，與實施例1~10、12、14~16、比較例2、3相同。
然後，剝下析出至正旋轉的電解轉筒表面的銅，連續製造表1所記載之厚度的電解銅箔。
(實施例17)
對精銅鑄錠反復進行壓延及退火而製成0.2mm的厚度。然後，進行最終冷軋，將銅箔的厚度製成80μm。最終冷軋的加工度設為60%。而且，設為：壓延加工度=(壓延前的板厚-壓延後的板厚)/壓延前的板厚×100%；油膜當量設為20000。
油膜當量由以下數學式表示。
油膜當量={(壓延油黏度[cSt])×(通板速度[mpm]+輥周速度[mpm])}/{(輥的咬入角[rad])×(材料的降伏應力[kg/mm2])}
壓延油黏度[cSt]為40℃下的動態黏度。
而且，最終冷軋中使用的壓延輥是使用表面為Sq=0.20μm的輥。關於壓延輥的表面調整，藉由在對壓延輥進行研削時使研削時間比通常情況更長，能減小Sq的值。而且，藉由縮短研削時間，能增大Sq的值。
(實施例18)
對Zn 25mass%、其餘部分為Cu以及無法避免的雜質的銅合金(黃銅)鑄錠反復進行壓延及退火而製成0.2mm的厚度。然後在以下條件下進行最終冷軋，將銅箔的厚度製成80μm。最終冷軋的加工度設為60%。壓延加工度=(壓延前的板厚-壓延後的板厚)/壓延前的板厚×100%
油膜當量設為20000。
油膜當量由下式表示。
油膜當量={(壓延油黏度[cSt])×(通板速度[mpm]+輥周速度[mpm])}/{(輥的咬入角[rad])×(材料的降伏應力[kg/mm2])}
壓延油黏度[cSt]為40℃下的動態黏度。
而且，最終冷軋中使用的壓延輥是使用表面為Sq=0.20μm的輥。關於壓延輥的表面調整，藉由在對壓延輥進行研削時使研削時間比通常情況更長，能減小Sq的值。而且，藉由縮短研削時間，能增大Sq的值。
‧表面處理
然後，作為表面處理，當為電解銅箔時是對生箔的M面(析出面、無光澤面)進行如下述之處理，當為壓延銅箔時則對生箔的任一個面進行如下述之處理，即，在下文所示的各條件下進行粗化處理、耐熱處理、防銹處理、矽烷偶合處理、樹脂層形成處理中的任一種處理、或者組合地進行各處理。接下來，在下文所示的條件下在銅箔的該處理側表面形成脫模層。另外，當未特別說明時，各處理是按上述記載順序進行。而且，表1中各處理欄中記載為「無」時表示未實施這些處理。另外，實施例5、7、8、10對S面(轉筒側的面、光滑面、光澤面)也進行了與M面相同的上述處理。另外，在形成有脫模層的實施例以及比較例中，將銅箔的與形成有脫模層的一側為相反側的面設為第一面，將銅箔的形成有脫模層的一側的面設為第二面。而且，在未形成脫模層的實施例以及比較例中，將電解銅箔的S面側的面設為第一面，將電解銅箔的M面側 的面設為第二面。
(1)粗化處理
[球狀粗化]
使用由Cu、H2SO4、As構成的下文記載的銅粗化鍍浴形成球狀粗化粒子。
‧液體組成1
CuSO4‧5H2O 78~118g/L
Cu 20~30g/L
H2SO4 12g/L
砷1.0~3.0g/L
(電性鍍敷溫度1)25~33℃
(電流條件1)電流密度78A/dm2(鍍浴的極限電流密度以上)
(鍍敷時間1)1~45秒鐘
接下來，利用由硫酸-硫酸銅構成的銅電解浴進行覆蓋鍍敷以防止粗化粒子的脫落及提高剝離強度。將覆蓋鍍敷條件記載在下文中。
‧液體組成2
CuSO4‧5H2O 156g/L
Cu 40g/L
H2SO4 120g/L
(電性鍍敷溫度2)40℃
(電流條件2)電流密度：20A/dm2(小於鍍浴的極限電流密度)
(鍍敷時間2)1~60秒鐘
(2)耐熱處理(阻隔處理)
(液體組成)
Ni 13g/L
Zn 5g/L
pH值2
(電性鍍敷條件)
溫度40℃
電流密度8A/dm2
(3)防銹處理
(液體組成)
CrO3 2.5g/L
Zn 0.7g/L
Na2SO4 10g/L
pH值4.8
(鉻酸鋅條件)
溫度54℃
電流密度0.7As/dm2
(4)矽烷偶合處理
(液體組成)
四乙氧基矽烷含量0.4%
pH值7.5
塗布方法溶液的噴霧
(5)脫模層的形成
[脫模層A]
使用噴霧塗布機將矽烷化合物(正丙基三甲氧基矽烷：4wt%)的水溶液塗布至銅箔的處理表面後，在100℃的空氣中使銅箔表面乾燥5分鐘而形成脫模層A。將“使矽烷化合物溶解在水中至進行塗布前”的攪拌時間設為30小時，將 水溶液中的醇濃度設為10vol%，將水溶液的pH值設為3.8~4.2。
[脫模層B]
使用1-十二硫醇磺酸鈉作為分子內具有2個以下的巰基的化合物，使用噴霧塗布機將1-十二硫醇磺酸鈉的水溶液(1-十二硫醇磺酸鈉濃度：3wt%)塗布至銅箔的處理面後，在100℃的空氣中乾燥5分鐘而製作脫模層B。水溶液的pH值設為5~9。
[脫模層C]
使用鋁酸鹽化合物的三異丙氧基鋁作為金屬烷氧化物，使用噴霧塗布機將三異丙氧基鋁的水溶液(三異丙氧基鋁濃度：0.04mol/L)塗布至銅箔的處理面後，在100℃的空氣中乾燥5分鐘而製作脫模層C。將“使鋁酸鹽化合物溶解在水中至進行塗布前”的攪拌時間設為2小時，將水溶液中的醇濃度設為0vol%，將水溶液的pH值設為5~9。
[脫模層D]
使用鈦酸鹽化合物的正癸基-三異丙氧基鈦作為金屬烷氧化物，使用噴霧塗布機將正癸基-三異丙氧基鈦的水溶液(正癸基-三異丙氧基鈦濃度：0.01mol/L)塗布至銅箔的處理面後，在100℃的空氣中乾燥5分鐘而製作脫模層D。將“使鈦酸鹽化合物溶解在水中至進行塗布前”的攪拌時間設為24小時，水溶液中的醇濃度是將甲醇設為20vol%，將水溶液的pH值設為5~9。
[脫模層E]
使用鋯酸鹽化合物的正丙基-三正丁氧基鋯作為金屬烷氧化物，使用噴霧塗布機將正丙基-三正丁氧基鋯的水溶液(正丙基-三正丁氧基鋯濃度：0.04mol/L)塗布至銅箔的處理面後，在100℃的空氣中乾燥5分鐘而製作脫模層E。將“使鈦酸鹽化合物溶解在水中至進行塗布前”的攪拌時間設為12小時，將水溶液中的醇濃度設為0vol%，將水溶液的pH值設為5~9。
(6)樹脂層形成處理
對於實施例1，在形成脫模層後，進而在下述條件下形成樹脂層。
(樹脂合成例)
向2升的三口燒瓶添加3,4,3',4'-聯苯四羧酸二酐117.68g(400mmol)、1,3-雙(3-胺基苯氧基)苯87.7g(300mmol)、γ-戊內酯4.0g(40mmol)、吡啶4.8g(60mmol)、N-甲基-2-吡咯烷酮(以下記為NMP)300g、甲苯20g，在180℃下加熱1小時後冷卻至室溫附近，然後添加3,4,3',4'-聯苯四羧酸二酐29.42g(100mmol)、2,2-雙{4-(4-胺基苯氧基)苯基}丙烷82.12g(200mmol)、NMP200g、甲苯40g並在室溫下混合1小時，然後在180℃下加熱3小時而獲得固體成分38%的嵌段共聚聚醯亞胺，上述三口燒瓶在附帶不銹鋼制錨型攪拌棒、氮氣導入管及停止旋塞的分離器上安裝了具有球形冷卻管的回流冷卻器。此嵌段共聚聚醯亞胺中，下文所示的通式(1)：通式(2)=3：2，數量平均分子量為70000，重量平均分子量為150000。
利用NMP進一步稀釋合成例中所獲得的嵌段共聚聚醯亞胺溶液，製成固體成分10%的嵌段共聚聚醯亞胺溶液。向此嵌段共聚聚醯亞胺溶液添加雙(4-馬來醯亞胺苯基)甲烷(BMI-H，KI化成)而製成固體成分重量比率35、嵌段共聚聚醯亞胺的固體成分重量比率65(即，樹脂溶液所包含的雙(4-馬來醯亞胺苯基)甲烷固體成分重量：樹脂溶液所含的嵌段共聚聚醯亞胺固體成 分重量=35：65)，並在60℃下溶解混合20分鐘而製成樹脂溶液。然後，在脫模層形成面塗敷上述樹脂溶液，在氮氣氛圍下以120℃進行3分鐘乾燥處理並以160℃進行3分鐘乾燥處理後，最後以300℃進行2分鐘加熱處理，從而製作具備樹脂層的銅箔。此外，樹脂層的厚度設為2μm。
(7)各種評價
‧金屬箔的兩表面的均方根高度Sq、以及均方根高度Sq與凹凸的平均間隔Rsm的比(Sq/Rsm)的評價
各金屬箔的表面(進行了粗化處理等表面處理時為表面處理後的經表面處理的一側的表面，形成有脫模層時為設置脫模層後的設置有脫模層的一側的表面)的均方根高度Sq、以及均方根高度Sq與凹凸的平均間隔Rsm的比(Sq/Rsm)是使用Olympus股份有限公司製造的雷射顯微鏡LEXT OLS4100進行測定。另外，Rsm是根據JIS B 0601 2001標準模式進行測定，Sq是根據ISO25178標準模式進行測定。另外，Rsm、Sq都是將“在任意的10個部分進行測定所得的Rsm、Sq值的平均值”設為Rsm以及Sq的值。Rsm的測定長度設為258μm，Sq的測定面積設為長度258μm×寬度258μm。接下來，基於所獲得的值算出均方根高度Sq與凹凸的平均間隔Rsm的比(Sq/Rsm)。另外，測定時的溫度設為23~25℃。
‧金屬箔上的電路形成性
在附脫模層金屬箔的脫模層側的面(第二面)、或金屬箔的第二面積層樹脂基材而製造積層體1。然後，在附脫模層金屬箔的與樹脂基材積層的一側為相反側的面(第一面)、或金屬箔的與樹脂基材積層的一側相反側的面(第一面)塗布阻劑並進行曝光、顯影，將阻劑蝕刻成線狀。然後，形成厚度12μm的電路用Cu鍍敷後，將阻劑去除，由此分別形成20條線與間隙(L/S)為12μm/12μm且長度1mm的線狀電路(配線)。然後，在附脫模層金屬箔的形成 有電路的一側的面、或金屬箔的形成有電路的一側的面，以將電路埋入的方式藉由熱壓接而積層雙馬來醯亞胺三樹脂預浸料。然後，將積層在上述附脫模層金屬箔的脫模層側的面(第二面)、或金屬箔的第二面的樹脂基材剝離後，藉由利用氯化鐵進行蝕刻而將露出的附脫模層金屬箔、或金屬箔去除。另外，上述蝕刻要進行到上述電路以及電路周圍的雙馬來醯亞胺三樹脂預浸料完全露出的程度。接下來，對從電路上表面觀察到的電路寬度的最大值與最小值的差(μm)進行測定，對5個部位進行測定並設為平均值。如果最大值與最小值的差為2μm以下，則判斷具有良好的電路線性，設為「◎◎」。而且，上述最大值與最小值的差超過2μm且為3μm以下時，設為「◎」。而且，上述最大值與最小值的差超過3μm且為4μm以下時，設為「○○」。而且，上述最大值與最小值的差超過4μm且為5μm以下時，設為「○」。而且，上述最大值與最小值的差超過5μm時，設為「×」。
‧金屬箔上的電路剝離；
在附脫模層金屬箔的脫模層側的面(第二面)、或金屬箔的第二面積層樹脂基材而製造積層體1。然後，在附脫模層金屬箔的與樹脂基材積層的一側為相反側的面(第一面)、或金屬箔的與樹脂基材積層的一側為相反側的面(第一面)塗布阻劑並進行曝光、顯影，將阻劑蝕刻成線狀。然後，形成厚度12μm的電路用Cu鍍敷後，將阻劑去除，由此分別形成20條線與間隙(L/S)為12μm/12μm且長度1mm的線狀電路(配線)。此時，在將阻劑去除時，對電路從附脫模層金屬箔的面、以及金屬箔的面剝離的次數進行計數。當10次阻劑去除中電路從附脫模層金屬箔的面、以及金屬箔的面剝離的次數為0次時設為「◎◎」，10次中為1次時設為「◎」，10次中為2~3次時設為「○」，10次中為4次以上時設為「×」。
‧積層體2的製造
在各金屬箔的脫模層側的面(第二面)、或金屬箔的第二面分別貼合以下樹脂基材1~3。
基材1：Mitsubishi Gas Chemical股份有限公司製造的GHPL-830 MBT
基材2：日立化成工業股份有限公司製造的679-FG
基材3：Sumitomo Bakelite股份有限公司製造的EI-6785TS-F
積層加壓的溫度、壓力、時間是使用各基材製造商的推薦條件。
‧剝離強度的評價
對於積層體2，依據IPC-TM-650對利用拉伸試驗機Autograph100將樹脂基材從銅箔剝離時的常規剝離強度進行測定，並根據以下基準對金屬箔的剝離性進行評價。將結果記載在表1的「剝離強度」一欄。上述剝離強度較佳為2~200gf/cm。
○：2~200gf/cm的範圍。
×：小於2gf/cm或超過200gf/cm。
‧樹脂的破壞模式的評價
利用電子顯微鏡觀察上述剝離後的樹脂基材的剝離面，並對樹脂的破壞模式(凝聚、介面、凝聚與介面的混合存在)進行觀察。關於樹脂的破壞模式，「介面」表示在銅箔與樹脂的介面進行剝離，「凝聚」表示剝離強度過強，樹脂遭到破壞，「混合存在」表示上述「介面」與「凝聚」混合存在。樹脂的破壞模式較佳為「介面」。
‧電路剝離、基板隆起的評價
在上述剝離後的樹脂基材1~3的剝離面，使用鍍敷液〔液體組成為Cu：50g/L、H2SO4：50g/L、Cl：60ppm)形成銅鍍敷圖案(線/間隙=40μm/40μm)(例1)。另外，在例1中，與上述半加成法同樣地在形成上述銅鍍敷圖案前，對上述剝離後的樹脂基材1~3的剝離面實施洗淨以及無電解鍍銅。然 後，將乾膜積層在無電解鍍銅層。接下來，進行曝光顯影而將乾膜蝕刻成線狀，並將形成銅鍍敷圖案的預定部位的乾膜去除。然後，在未被乾膜覆蓋的無電解鍍銅層上藉由電性鍍敷而形成上述銅鍍敷圖案。接下來，在形成銅鍍敷圖案後，將乾膜以及未形成銅鍍敷圖案的部分的無電解鍍銅層去除。而且，在上述剝離後的樹脂基材的剝離面，使用含有導電膏的油墨藉由噴墨而形成印刷圖案(線/間隙=40μm/40μm)(例2)。而且，在上述剝離後的樹脂基材的剝離面，層疊由液晶聚合物構成的樹脂層(假定構成增層的樹脂)(例3)。
然後，分別藉由可靠性試驗(250℃±10℃×1小時的加熱試驗)確認是否產生電路剝離或基板隆起。另外，評價樣品的大小設為250mm×250mm，每個樣品編號對3個樣品進行測定。
將未產生電路剝離以及基板隆起的樣品評價為「◎」。將產生少量電路剝離或基板隆起(1個樣品中有3處以下)但只要篩選所使用的部位便能作為產品使用的樣品評價為「○」。而且，將產生多處電路剝離或基板隆起(1個樣品中有超過3處)而無法作為產品使用的樣品評價為「×」。
將各試驗條件以及評價結果示於表1。
(評價結果)
實施例1~19是第一面的均方根高度Sq為0.01~1μm的金屬箔的例子，金屬箔上的電路形成性良好，能良好地抑制金屬箔上的電路剝離。而且，實施例1~18是在第二面側設置有脫模層的例子、或金屬箔的第二面的Sq、及/或Sq/Rsm被控制在指定範圍的例子，將金屬箔從樹脂基材物理剝離時的剝離性良好，能良好地抑制電路剝離、基板隆起的產生。實施例19是在第二面側設置有脫模層的例子，將金屬箔從樹脂基材物理剝離時的剝離性良好。
比較例1、2中，第一面的均方根高度Sq超過1μm，金屬箔上的電路形成性欠佳。比較例3中，第一面的均方根高度Sq小於0.01μm，無法充分抑制金屬箔上的電路剝離。

Claims (35)

  1. 一種附脫模層金屬箔，其具備：金屬箔，其具有第一面及第二面且上述第一面的均方根高度Sq為0.01μm以上且1μm以下；以及脫模層，其設置在上述金屬箔的第二面。
  2. 如申請專利範圍第1項之附脫模層金屬箔，其中，上述金屬箔的上述第二面的均方根高度Sq為0.25μm以上且1.6μm以下。
  3. 如申請專利範圍第1項之附脫模層金屬箔，其具有上述金屬箔的第二面的均方根高度Sq與凹凸的平均間隔Rsm的比(Sq/Rsm)為0.03以上且0.40以下的表面凹凸。
  4. 如申請專利範圍第2項之附脫模層金屬箔，其具有上述金屬箔的第二面的均方根高度Sq與凹凸的平均間隔Rsm的比(Sq/Rsm)為0.03以上且0.40以下的表面凹凸。
  5. 如申請專利範圍第1至4項中任一項之附脫模層金屬箔，其滿足以下(5-1)及(5-2)中的任一項或兩項，(5-1)上述第一面的均方根高度Sq滿足以下(5-1-1)及(5-1-2)中的任一項或兩項：(5-1-1)上述第一面的均方根高度Sq滿足以下任一項：‧為0.020μm以上；‧為0.025μm以上；(5-1-2)上述第一面的均方根高度Sq滿足以下任一項：‧為0.90μm以下；‧為0.32μm以下；‧為0.25μm以下； (5-2)上述金屬箔的第二面的均方根高度Sq與凹凸的平均間隔Rsm的比(Sq/Rsm)滿足以下任一項或兩項：‧為0.05以上；‧為0.24以下。
  6. 如申請專利範圍第1至4項中任一項之附脫模層金屬箔，其中，上述金屬箔的厚度為1μm以上且105μm以下。
  7. 如申請專利範圍第1至4項中任一項之附脫模層金屬箔，其中，上述金屬箔為銅箔。
  8. 如申請專利範圍第1至4項中任一項之附脫模層金屬箔，其中，在上述金屬箔的第一面、及/或上述金屬箔與上述脫模層之間設置選自由粗化處理層、耐熱層、防銹層、鉻酸鹽處理層以及矽烷偶合處理層所組成的群中一種以上的層。
  9. 如申請專利範圍第8項之附脫模層金屬箔，其中，於設置在上述金屬箔的第一面的上述選自由粗化處理層、耐熱層、防銹層、鉻酸鹽處理層以及矽烷偶合處理層所組成的群中一種以上的層設置有樹脂層。
  10. 如申請專利範圍第9項之附脫模層金屬箔，其中，上述樹脂層為接著用樹脂、底漆或半硬化狀態的樹脂。
  11. 如申請專利範圍第1至4項中任一項之附脫模層金屬箔，其中，上述脫模層包含至少1種或2種以上的下述化合物，上述化合物選自由下述化學式所表示的鋁酸鹽化合物、鈦酸鹽化合物、鋯酸鹽化合物、鋁酸鹽化合物的水解產物、鈦酸鹽化合物的水解產物、鋯酸鹽化合物的水解產物、鋁酸鹽化合物的水解產物的縮合物、鈦酸鹽化合物的水解產物的縮合物以及鋯酸鹽化合物的水解產物的縮合物所組成的群中， (R 1) m-M-(R 2) n(式中，R 1為烷氧基或鹵素原子，R 2為選自由烷基、環烷基及芳基所組成的群中的烴基、或上述烴基的一個以上的氫原子被鹵素原子所取代的烴基，M為Al、Ti、Zr中的任一個，n為0、1或2，m為1以上且M的價數以下的整數，R 1中的至少一個為烷氧基；m+n為M的價數；M的價數在Al的情況下為3，在Ti、Zr的情況下為4)。
  12. 如申請專利範圍第1至4項中任一項之附脫模層金屬箔，其中，上述脫模層包含至少1種或2種以上的下述化合物，上述化合物選自由下述化學式所表示的矽烷化合物、上述矽烷化合物的水解產物以及上述水解產物的縮合物所組成的群中， (式中，R 1為烷氧基或鹵素原子，R 2為選自由烷基、環烷基及芳基所組成的群中的烴基、或上述烴基的一個以上的氫原子被鹵素原子所取代的烴基，R 3及R 4分別獨立地為鹵素原子、烷氧基、選自由烷基、環烷基及芳基所組成的群中的上述烴基或上述烴基的一個以上的氫原子被鹵素原子所取代的烴基)。
  13. 如申請專利範圍第1至4項中任一項之附脫模層金屬箔，其中，上述脫模層是使用分子內具有2個以下巰基的化合物而成。
  14. 如申請專利範圍第1至4項中任一項之附脫模層金屬箔，其中，在上述脫模層表面設置有樹脂層。
  15. 如申請專利範圍第14項之附脫模層金屬箔，其中，上述樹脂層 為接著用樹脂、底漆或半硬化狀態的樹脂。
  16. 一種金屬箔，其具有第一面及第二面，且上述第一面的均方根高度Sq為0.01μm以上且1μm以下。
  17. 如申請專利範圍第16項之金屬箔，其中，上述第二面的均方根高度Sq為0.25μm以上且1.6μm以下。
  18. 如申請專利範圍第16項之金屬箔，其具有上述金屬箔的第二面的均方根高度Sq與凹凸的平均間隔Rsm的比(Sq/Rsm)為0.03以上且0.40以下的表面凹凸。
  19. 如申請專利範圍第17項之金屬箔，其具有上述金屬箔的第二面的均方根高度Sq與凹凸的平均間隔Rsm的比(Sq/Rsm)為0.03以上且0.40以下的表面凹凸。
  20. 如申請專利範圍第16至19項中任一項之金屬箔，其滿足以下(20-1)及(20-2)中的任一項或兩項，(20-1)上述第一面的均方根高度Sq滿足以下(20-1-1)及(20-1-2)中的任一項或兩項：(20-1-1)上述第一面的均方根高度Sq滿足以下任一項：‧為0.020μm以上；‧為0.025μm以上；(20-1-2)上述第一面的均方根高度Sq滿足以下任一項：‧為0.90μm以下；‧為0.32μm以下；‧為0.25μm以下；(20-2)上述金屬箔的第二面的均方根高度Sq與凹凸的平均間隔Rsm的比(Sq/Rsm)滿足以下任一項或兩項： ‧為0.05以上；‧為0.24以下。
  21. 如申請專利範圍第16至19項中任一項之金屬箔，其中，上述金屬箔的厚度為1μm以上且105μm以下。
  22. 如申請專利範圍第16至19項中任一項之金屬箔，其中，上述金屬箔為銅箔。
  23. 如申請專利範圍第16至19項中任一項之的金屬箔，其中，在上述金屬箔的第一面、及/或上述金屬箔的第二面設置選自由粗化處理層、耐熱層、防銹層、鉻酸鹽處理層以及矽烷偶合處理層所組成的群中一種以上的層。
  24. 如申請專利範圍第23項之金屬箔，其中，於設置在上述金屬箔的第一面的上述選自由粗化處理層、耐熱層、防銹層、鉻酸鹽處理層以及矽烷偶合處理層所組成的群中一種以上的層設置有樹脂層。
  25. 一種積層體，其具備申請專利範圍第1至15項中任一項之附脫模層金屬箔或申請專利範圍第16至24項中任一項之金屬箔、及設置在上述附脫模層金屬箔或上述金屬箔的樹脂基材。
  26. 如申請專利範圍第25項之積層體，其中，上述樹脂基材為預浸料、或者、包含熱硬化性樹脂。
  27. 一種印刷配線板，其具備申請專利範圍第1至15項中任一項之上述附脫模層金屬箔或申請專利範圍第16至24項中任一項之金屬箔。
  28. 一種半導體封裝，其具備申請專利範圍第27項之印刷配線板。
  29. 一種電子機器，其具備申請專利範圍第27項之印刷配線板或申請專利範圍第28項之半導體封裝。
  30. 一種印刷配線板的製造方法，其包含以下步驟：在申請專利範圍第1至15項中任一項之附脫模層金屬箔或申請專利範圍第 16至24項中任一項之金屬箔貼合絕緣基板；藉由將上述附脫模層金屬箔或上述金屬箔在不被蝕刻的情況下從上述絕緣基板剝離，而獲得在剝離面轉印有上述附脫模層金屬箔或上述金屬箔之表面輪廓的絕緣基板；及在上述轉印有表面輪廓的絕緣基板的上述剝離面側形成電路。
  31. 如申請專利範圍第30項之印刷配線板的製造方法，其中，形成在上述轉印有表面輪廓的絕緣基板的上述剝離面側的電路為鍍敷圖案或印刷圖案。
  32. 一種印刷配線板的製造方法，其包含以下步驟：在申請專利範圍第1至15項中任一項之附脫模層金屬箔或申請專利範圍第16至24項中任一項之金屬箔貼合絕緣基板；藉由將上述附脫模層金屬箔或上述金屬箔在不被蝕刻的情況下從上述絕緣基板剝離，而獲得在剝離面轉印有上述附脫模層金屬箔或上述金屬箔之表面輪廓的絕緣基板；及在上述轉印有表面輪廓的絕緣基板的上述剝離面側設置增層。
  33. 如申請專利範圍第32項之印刷配線板的製造方法，其中，構成上述增層的樹脂包含液晶聚合物、氟樹脂、低介電常數聚醯亞胺、聚苯醚、環烯烴聚合物或聚四氟乙烯。
  34. 一種印刷配線板的製造方法，其包含以下步驟：在申請專利範圍第1至15項中任一項之附脫模層金屬箔或申請專利範圍第16至24項中任一項之金屬箔，從上述脫模層側或上述金屬箔的第二面側貼合絕緣基板1；在積層有上述絕緣基板1的上述附脫模層金屬箔或上述金屬箔的第一面側形成電路； 藉由利用絕緣基板2覆蓋上述電路而將上述電路埋入上述絕緣基板2；從上述附脫模層金屬箔或上述金屬箔將上述絕緣基板1剝離而露出上述附脫模層金屬箔或上述金屬箔；及將上述露出的附脫模層金屬箔或上述金屬箔去除。
  35. 一種印刷配線板的製造方法，其包含以下步驟：在申請專利範圍第1至15項中任一項之附脫模層金屬箔或申請專利範圍第16至24項中任一項之金屬箔，從上述脫模層側或上述金屬箔的第二面側貼合絕緣基板1；在積層有上述絕緣基板1的附脫模層金屬箔或上述金屬箔的第一面側積層乾膜；在將上述乾膜圖案化後，形成電路；將上述乾膜剝離而露出上述電路；藉由利用絕緣基板2覆蓋上述露出的電路而將上述電路埋入在上述絕緣基板2；從上述附脫模層金屬箔或上述金屬箔將上述絕緣基板1剝離而露出上述附脫模層金屬箔或上述金屬箔；及將上述露出的附脫模層金屬箔或上述金屬箔去除。
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