TW201825698A - 濺鍍沉積期間的顆粒減少 - Google Patents

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Abstract

本文描述用於將基板支托在位的設備和方法，以於塗佈基板時，最小化基板的顆粒污染。偕同設備一起提供減少基板上顆粒減少的製程。所述物件和製程可用於製造塗覆玻璃基板，例如用於電致變色、光致變色或光伏技術。

Description

濺鍍沉積期間的顆粒減少
本申請案根據專利法法規主張西元2016年11月10日申請的美國臨時專利申請案第62/420,127號的優先權權益，本申請案依賴該臨時申請案全文內容且該臨時申請案全文內容以引用方式併入本文中。
本文描述用於將基板支托在位的設備和方法，以於塗佈基板時，最小化基板的顆粒污染。偕同設備一起提供減少基板上顆粒減少的製程。更特定言之，本文描述機械最小化塗覆玻璃基板的顆粒污染的設備、用於最小化塗覆玻璃基板上顆粒污染的方法和上述設備與方法的用途。
許多應用涉及用薄膜塗佈基板。例如，用於光伏或電致變色應用的薄膜可塗覆玻璃基板。在許多情況下，膜在真空下由物理氣相沉積（PVD）沉積至基板上，PVD亦稱作濺鍍沉積。在PVD中，會產生材料蒸汽，材料蒸汽接著沉積至待塗佈物體。PVD的優點在於可提供許多耐用無機材料塗層。然由於是氣相製程，材料將沉積於腔室內的所有零件，以致微粒或未黏附材料積聚在腔室和基板載具。沉積期間，期減少非氣相顆粒併入膜，因為此會造成成品裝置的缺陷。本發明描述修改用於沉積製程的基板載具，以進一步減少顆粒污染。
本文描述用於將大基板支托在近乎垂直配置的物件。物件設計用於塗佈裝置和沉積製程，以更有效率、更均勻地塗佈基板，同時防止或最小化表面遭在塗佈腔室中塗佈或沉積的外來顆粒污染。
在態樣(1)中，本發明提供物件，包含載具，用於將基板支托在近乎垂直配置，基板具有至少一正面、背面、頂邊、底邊和二側邊，載具包含框架，框架的尺度大於基板，框架包含頂部，頂部包含至少一邊緣且設置以接觸或間接或直接支撐基板的至少一部分的頂邊、正面或背面；其中頂部包含一或更多收集盤，一或更多收集盤包含凸片物體，凸片物體具有長度、寬度和厚度，並以相對頂部約20˚至約160˚的角度θ突出頂部，其中凸片物體的長度橫跨頂部的至少部分長度，且近乎平行於頂部的至少一邊緣；底部近乎平行於頂部，底部包含至少一邊緣且設置以接觸或間接或直接支撐基板的至少一部分的底邊、正面或背面；二側部近乎互相平行又近乎垂直於頂部與底部，各側部包含至少一邊緣且設置以接觸或間接或直接支撐基板的至少一部分的側邊之一、正面或背面；及一或更多夾固機構，用於將玻璃固定於頂部、底部或側部的至少一者；其中載具設計成當基板在載具中時，使基板保持呈大於0˚至約10˚的角度φ前傾。
在態樣(2)中，本發明提供態樣(1)的物件，其中基板保持呈大於約1˚至約5˚的角度φ前傾。在態樣(3)中，本發明提供態樣(1)或態樣(2)的物件，其中凸片物體以相對頂部約40˚至約170˚的角度θ突出頂部。在態樣(4)中，本發明提供態樣(1)-(3)中任一態樣的物件，其中凸片物體相對頂部的角度從最初角度θ變成最終角度φ。在態樣(5)中，本發明提供態樣(4)的物件，其中角度改變係因彎曲或彎折所致，且θ與φ相差大於60˚。在態樣(6)中，本發明提供態樣(1)-(5)中任一態樣的物件，其中框架的頂部位於基板的正面前面且具有-10˚至10˚的傾角ω。在態樣(7)中，本發明提供態樣(1)-(6)中任一態樣的物件，其中框架的頂部位於基板的正面後面且具有-10˚至10˚的前傾角ω。在態樣(8)中，本發明提供態樣(1)-(7)中任一態樣的物件，其中框架進一步包含一或更多電解塗層。在態樣(9)中，本發明提供態樣(8)的物件，其中電解塗層包含銅、鉻、鈦、鎳或上述物質組合物或氧化物。在態樣(10)中，本發明提供態樣(1)-(9)中任一態樣的物件，其中至少一部分的載具具有1微米（μm）至100 μm的平均表面粗糙度Ra。
在態樣(11)中，本發明提供塗佈基板的方法，包含：把基板放到態樣(1)-(10)中任一態樣的物件；及使基板經薄膜塗佈製程處理。在態樣(12)中，本發明提供態樣(11)的方法，其中薄膜塗佈製程包含化學氣相沉積、濺鍍沉積、電子束沉積、脈衝雷射沉積、分子束磊晶或離子束沉積。在態樣(13)中，本發明提供態樣(11)或態樣(12)的方法，其中基板保持呈大於約1˚至約5˚的角度φ前傾。在態樣(14)中，本發明提供態樣(11)-(13)中任一態樣的方法，其中凸片物體以相對頂部約40˚至約140˚的角度θ突出頂部。在態樣(15)中，本發明提供態樣(11)-(14)中任一態樣的方法，其中凸片物體相對頂部的角度從最初角度θ變成最終角度φ。在態樣(16)中，本發明提供態樣(16)的方法，其中角度改變係因彎曲或彎折所致，且θ與φ相差大於60˚。在態樣(17)中，本發明提供態樣(11)-(16)中任一態樣的方法，其中框架的頂部位於基板的正面前面且具有-10˚至10˚的傾角ω。在態樣(18)中，本發明提供態樣(11)-(17)中任一態樣的方法，其中框架的頂部位於基板的正面後面且具有-10˚至10˚的前傾角ω。在態樣(19)中，本發明提供態樣(11)-(18)中任一態樣的方法，其中框架進一步包含一或更多電解塗層。在態樣(20)中，本發明提供態樣(19)的方法，其中電解塗層包含銅、鉻、鈦、鎳或上述物質組合物或氧化物。
附加特徵和優點將詳述於後，熟諳此技術者在參閱或實行實施方式所述實施例、申請專利範圍和附圖後，在某種程度上將變得更清楚易懂。
應理解以上概要說明和下述詳細說明僅為舉例說明，及擬提供概觀或架構以對本發明的本質和特性有所瞭解。
在揭示及敘述本文材料、物件及/或方法前，應理解下述態樣不限於特定化合物、合成方法或用途，因為此當可改變。亦應理解所用術語僅為描述特定態樣，而無限制之意。
本說明書和後附申請專利範圍將參照一些術語，含義定義如下。
在說明書中，除非內文要求，否則「包含」一詞或變體字將理解為暗指包括所述整體或步驟或整體或步驟群組，但不排除任何其他整體或步驟或整體或步驟群組。
需注意除非內文清楚指明，否則說明書和後附申請專利範圍所用單數形式「一」和「該」包括複數意涵。故例如，指稱「一載具」包括二或更多載具的混合物等。
「選擇性」或「視情況而定」意指隨後描述的事件或狀況可以或可不發生，該描述包括事件或狀況發生的情況和不發生的情況。
除非特殊情況另行指明，否則在此提及數值範圍時，包含上限與下限，此範圍擬包括範圍端點和範圍內的所有整數與分數。定義範圍時，申請專利範圍的範圍不限於所述特定值。另外，若提及用量、濃度或其他值或參數範圍、一或更多較佳範圍或列舉較佳上限與較佳下限，則無論是否個別提出，當視為具體揭示由任一對的任何範圍上限或較佳值與任何範圍下限或較佳值所構成的所有範圍。
以「約」一詞描述數值或範圍端點時，本發明應視為包括所述特定值或端點。當數值或範圍端點未提及「約」字時，數值或範圍端點擬包括兩個實施例：其一有「約」字修飾，另一無「約」字修飾。更應理解各範圍的端點相對另一端點係有意義的，並且獨立於另一端點。
茲揭示可用、可配合使用、可用於製備或為本發明產品的物件和部件。應理解當揭示該等材料的組合、子集、相互作用、群組等時，雖未明確特別提及該等化合物的各種個別與共同組合及變更，但本文具體涵蓋及描述各種可能。故若揭示一類分子A、B、C和一類分子D、E、F及揭示A-D的組合分子實例，則即使未個別提出，仍包含各種個別與共同組合。故在此實例中，具體包含A-E、A-F、B-D、B-E、B-F、C-D、C-E和C-F的各種組合，並應視A、B、C與D、E、F和A-D組合實例已揭示該等組合。同樣地，亦具體包含及揭示上述任何子集或組合。是以具體包含如A-E、B-F和C-E的子群，並應視A、B、C與D、E、F和A-D組合實例已揭示該等子群。此概念可應用到本文所有態樣，包括製造及使用所述組成的方法步驟，但不以此為限。故若有各種附加進行步驟，則應理解各附加步驟可以所述方法的任何特定實施例或實施例組合進行，並具體包含各種組合且應視為已揭示。
許多應用涉及玻璃上的薄膜塗層。一特殊應用為電致變色膜，例如用於智慧型視窗。當電壓施加遍及膜時，膜將產生著色效果。此情況會導致視窗的光傳輸和熱傳導降低。膜堆疊在真空下由物理氣相沉積（PVD）沉積至基板（例如玻璃）上，PVD亦稱作濺鍍沉積。沉積期間，膜亦塗佈沉積腔室的露出表面和用於支托基板的夾具。隨著時間過去，積聚膜將剝落或產生顆粒。期能最小化或消除併入膜的顆粒，因為此會造成成品裝置的電氣短路缺陷。在一些情況下，沉積期間使基板前傾有助於減少顆粒污染。然只有傾斜不足以消除顆粒污染。本發明描述修改用於沉積製程的基板載具，以進一步減少顆粒污染。
如上所述，減少微粒污染的方法為使基板傾斜。在厚硬基板例子中，例如厚（2毫米或以上）鈉鈣玻璃基板，可讓基板大幅傾斜，又不會出平面（out-of-plane）下凹。然隨著材料與裝置趨於更輕薄，益發關注更薄、有時為可撓的基板。在此情況下，出平面下凹實際上很重要，因為此會對沉積均勻性造成負面影響。隨著基板變得更大、更薄，下凹的影響越顯著。
為最小化下凹對任何厚度的基板的影響，利用簡單碰撞模型來計算最小化顆粒沉積所需傾角。試想顆粒在真空腔室內位移並因重力而開始落下。當顆粒通過沉積至玻璃上的原子流時，由於與引入原子彈性碰撞，故將經歷動量轉移。令m1 為入射原子質量，m2 為顆粒質量。動量與能量守恆為：，。 假設落下顆粒無初始前向移動（u2 =0），此可簡化為：。 對顆粒的轟擊（前向）力故為：， 其中ν係碰撞頻率。碰撞後，顆粒軌跡相對垂直的角度為轟擊力與重力的比率，或是：。
使用合理的輸入參數值（5微米（μm）ITO顆粒，W原子以250公尺/秒移動，以2奈米/秒的鎢沉積速率為基礎的碰撞頻率），可得軌跡角度約3°。然發現只有傾斜不足以消除顆粒污染。首先應防止顆粒在真空腔室內位移，以進一步減少顆粒污染。
減少顆粒的方式為修改用於在沉積系統中支托基板的載具。參見第1圖，基板170可能易受從框架頂部110落下的顆粒影響。載具100圍繞基板170且為牢固支托基板170及最小化沉積膜溢濺到沉積腔室內壁和基板170背面所需。在第1圖中，載具100經修改以減少從框架頂部110落下的顆粒數量，在顆粒確實落下的情況下，確保顆粒離基板夠遠而不太會影響基板。載具100在頂部110下方併入收集盤130，以捕集落下顆粒。
第1圖係支托基板170的載具100的截面圖。載具100包括框架200（如第2圖所示）和至少一或更多夾固機構120、141，用於固定及安置基板170，使之得以適當角度塗佈而最小化污染。載具100設計成以角度φ（小寫phi ）支托基板170，其中φ係垂直（0˚）與基板正面下傾的角度差。傾斜可降低懸浮顆粒接觸及黏附基板的可能性。φ應夠大以防止任何從PVD腔室或框架頂部110落下的顆粒接觸基板170，但又不會大到導致基板170不當下凹。在一些實施例中，φ為＞0˚至10˚、＞0˚至8˚、＞0˚至5˚、1˚至8˚、1˚至5˚或1˚至3˚。載具100可進一步包括輪子、滑輪、軌道或其他用於將載具從塗佈機的某一區域移動到另一區域、或移入或移出塗佈機的機構或零件。附加載具零件可包括用於安置載具、自載具裝載及卸載基板、清洗載具等的機構。
參照第2圖，框架200包括頂部110、底部140和二側部210。在一些實施例中，框架包含單件材料，頂部、底部和側部僅為便於描述。在該等區段彼此獨立的情況下，可利用任何已知扣件類型扣緊，包括螺栓、焊接、夾鉗等。在一些實施例中，頂部具有內緣160（如第1圖所示），底部具有內緣150，及/或側部具有內緣230。收集盤130附接至框架頂部。亦可存有附加收集盤131。
由於PVD塗佈製程通常採用高溫，載具100和框架200可由金屬、玻璃或陶瓷製成。在一些實施例中，載具100和框架200包含金屬。金屬可包含鋁、鋼（例如不鏽鋼）、鈦或合金或包含上述材料的混合物。
第2圖圖示具收集盤130、131的實施例。所示收集盤130、131的寬度大致等於框架200的內部開口。然收集盤130、131可更窄或更深（延伸離框架更遠），且可不全具相等寬度；例如，收集盤130可比收集盤131寬，反之亦可。收集盤130從頂部110延伸的量可為恆定或多變，例如中心較長暨側邊附近較短，並可取決於一些因子，包括θ（如下所述）、腔室的房室數量和待沉積材料量。以載具100和框架200為例，收集盤130、131宜由能經受PVD所用溫度和處理的材料製成。在一些實施例中，收集盤130、131由金屬、玻璃或陶瓷製成。在一些實施例中，收集盤130、131包括金屬。金屬可包含鋁、鋼（例如不鏽鋼）、鈦或合金或包含上述材料的混合物。
回溯第1圖及參照第3圖，收集盤130以角度θ從頂部110延伸。在一些實施例中，θ為20˚至160˚、30˚至150˚、40˚至140˚、50˚至130˚、60˚至120˚、70˚至110˚、80˚至100˚、60˚至90˚或50˚至90˚。角度θ乃選擇使收集盤130、131與待沉積材料的直接接觸減至最小、最小化基板170對收集盤露出面的視界，及最大化上方顆粒捕集量。收集盤130、131（收集盤131為選擇性，故以虛線表示）可具任何數量的恆定或多變形狀。第3A圖圖示三個實例，其中收集盤130、131從頂部110線性延伸（實例I），相距頂部110若干距離彎折形成凹槽（實例II），依曲線方式彎折形成類凹槽區（實例III）。在任一情況下，θ可由收集盤130、131與鄰接收集盤130、131的頂部110間的初始角度決定。例如，在圓形或漸變收集盤例子中，例如第3A圖的實例III，θ可藉由取得在收集盤與頂部110間接觸點的曲面切線310決定。收集盤的最終角度ψ可藉由比較收集盤的最終角度（或最終角度的切線330）與頂部表面於收集盤的接觸點的角度而得。在一些實施例中，θ與ψ的差異提供機構來描繪收集盤130提供的凹槽、通道或溝槽。在一些實施例中，θ與ψ相差＞0˚至160、＞0˚至150˚、＞0˚至140˚、＞0˚至130˚、＞0˚至120˚、＞0˚至100˚、＞0˚至90˚、＞0˚至80˚、＞0˚至70˚、＞0˚至60˚、＞0˚至50˚、＞0˚至40˚、＞0˚至30˚、＞0˚至20˚、20˚至140˚、40˚至120˚、50˚至100˚、60˚至150˚、60˚至140˚、60˚至120˚、80˚至150˚、80˚至140˚或80˚至120˚。
在一些實施例中，框架200和基板170不直接接觸，而是由中介支撐件320分開（第3A圖及第3B圖圖示與框架110的頂部相關，但可應用到框架200的所有區段）。中介支撐件320可包含聚合物，例如特氟龍、雲母、金屬（例如金屬彈簧）、碳（例如石墨）等。中介支撐件320的預期性質為材料能防止框架摩擦損壞或點接觸基板，框架使基板保持在相對固定位置，同時容許熱膨脹差異和振動而減小應力，並相容於製程溫度和真空條件。
重要的是，收集盤130、131仍會在沉積期間遭塗佈。當塗層隨時間積沉時，此仍係可能的顆粒污染源。若收集盤130、131經適當排列，意指θ夠銳角，致使收集盤形成某種凹槽、通道或溝槽（例如，如第1圖及第3A圖所示），則膜將積聚於形成凹槽或溝槽。在此情況下，面向玻璃的下表面（例如頂部110的底邊160）仍相對無沉積膜，此代表較少顆粒源。另外，積聚膜在上表面產生的任何顆粒在落下前需朝遠離玻璃表面的方向側向移動。此外，如第3A圖的實例II和III所示，收集盤130可進一步修改以增大收集盤的空間容積或使收集盤的前緣角度更大，使積聚顆粒更難逸出而增加顆粒存留。
第3B圖出示頂部的一些選擇性及/或替代設計，以減少顆粒污染。在第3B圖的實例I和III中，頂部在基板前面並覆蓋基板上緣。或者，如實例II和IV所示，頂部包含頂部大多在基板後面及/或頂部圍住基板（實例4併入選擇性中介支撐件320）的設計。頂部可平行於基板，或者部分或所有頂部可與基板呈不同角度。如實例所示，至少部分頂部呈角度ω，其中ω係相對垂直且可為正（前傾）或負（後傾）。在一些實施例中，部分或所有頂部可以角度ω後傾，如實例III和IV所示。在一些實施例中，ω為-30˚至30˚、-20˚至20˚、-15˚至15˚、-10˚至10˚、-5˚至5˚、0˚至10˚、0˚至5˚或-5˚至0˚。藉由使頂部後傾，任何積聚顆粒將留存在頂部或更可能落入收集盤。實例4具有頂部在玻璃平面後面，如此出自此區域的顆粒將落下到玻璃頂面或也許到背面、而非表面。在一些實施例中，附加元件增設以減少懸浮微粒。例如，實例2提供流動阻障330，以防止或最小化顆粒流離頂部。
現論及框架110的底部140，此提供另一可能的顆粒積聚位置。由於底部位於基板170下方，顆粒在此積聚的可能性小很多，顆粒積聚將造成基板污染問題。在一些實施例中，頂邊150大致垂直基板（第4A圖）。然在一些實施例中，有利的是修改底部140的頂邊150，以降低顆粒在基板附近積聚的可能性。在一些實施例中，如第4B圖所示，頂邊150更接近垂直或呈一定角度，讓與之接觸的任何顆粒脫落或落下。在此實施例中，頂邊150相對垂直具有-90˚至30˚、-90˚至20˚、-90˚至30˚、-90˚至10˚、-80˚至30˚、-80˚至10˚、-70˚至30˚、-70˚至10˚、-60˚至30˚、-60˚至10˚、-45˚至45˚、-30˚至30˚、-25˚至25˚、-20˚至20˚、-15˚至15˚、-10˚至10˚或-5˚至5˚的角度η。或者，如第4C圖所示，頂邊150具有多個角度或形狀組合，以最小化顆粒積聚於基板附近，或如第4D圖所示，頂邊包含圓角邊緣。
第2圖及第5圖圖示框架110的側部210。側部具有內緣230。側部210通常由和框架110其餘部分一樣的材料製成，且可直接或間接接觸基板，例如透過中介支撐件320。
第5圖提供夾固機構510的實例。當基板經PVD塗佈處理時，夾固機構510將基板支托在位，在一些情況下為基板移動經過各種製程步驟時。夾固機構可為任何支架設計，並且夠強固穩定，以在所述製程步驟期間將相當可撓的大片玻璃支托在適當位置。在一些實施例中，夾固機構包含一或更多托架、夾子、黏著劑、夾鉗、溝槽等。夾固機構可具有聚合物或橡膠或其他非污損接觸點來接觸基板，以防止損壞基板表面。
除了載具設計，還有非幾何方式來減少顆粒，此可單獨或結合使用。特別地，可加強沉積膜對金屬表面的附著力，以減少或延遲剝落和顆粒產生。修改附著力的方法為控制載具及/或框架表面的粗糙度，例如利用噴砂或機械磨蝕。在一些實施例中，有利的是將表面粗糙化成500奈米（nm）至100微米（μm）、1 μm至100 μm、500 nm至50 μm、1 μm至75 μm、1 μm至50 μm、1 μm至25 μm、1 μm至10 μm、500 nm至10 μm、500 nm至5 μm或1 μm至5 μm的值。
附著力亦可使用中介塗層修改。塗層例如包含銅、鉻、鈦、鎳或上述物質組合物或氧化物。塗層可以已知手段施用，例如電解塗佈或雙絲電弧噴塗，且可在日常維護期間沉積至載具上。
儘管所述實施例係針對方形或矩形構造的基板，但所述設備和製程同樣可應用到具任何替代形狀的基板。例如，所述製程和設備也可應用到圓形、三角形或其他幾何形狀的基板。實施例可能需要改變載具100、框架200或框架區段，但除此之外通常無需實質性修改。
可用於所述應用的基板包括任何能耐受PVD處理的基板。此主要包含玻璃和玻璃陶瓷基板，但亦可包括一些金屬和高溫聚合物。
所述載具100可用於許多需要塗佈基板而幾乎不被殘留顆粒污染的製程。雖然特別適用PVD，但亦可用於諸如化學氣相沉積、濺鍍沉積、電子束沉積、脈衝雷射沉積、分子束磊晶或離子束沉積等塗佈製程。載具用於該等製程相當簡單，把基板放到載具、適當固定，然後放入薄膜塗佈裝置及進行塗佈。視塗佈製程而定，可能需最佳化基板的傾角，以最小化積聚於基板的微粒污染量。
100‧‧‧載具
110‧‧‧頂部
120、141‧‧‧夾固機構
130、131‧‧‧收集盤
140‧‧‧底部
150‧‧‧內緣/頂邊
160‧‧‧內緣/底邊
170‧‧‧基板
200‧‧‧框架
210、220‧‧‧側部
230‧‧‧內緣
310‧‧‧切線
320‧‧‧支撐件
330‧‧‧切線/流動阻障
510‧‧‧夾固機構
η、θ、φ、ω‧‧‧角度
所含附圖提供進一步瞭解，故當併入及構成說明書的一部分。圖式不必然按比例繪製，為清楚呈現，不同元件的尺寸可能變形。圖式描繪一或更多實施例，並連同實施方式說明一起用於解釋實施例的原理和操作。
第1圖係載具100的截面圖，用於在濺鍍沉積期間以角度φ支托基板170。基板170易受從上方露出載具區域落下的顆粒影響。收集盤130依角度θ安裝在露出頂部110下面來捕集任何落下顆粒。
第2圖係框架200的替代前視圖，其中頂部110、底部140和側部210、220圖示為全結合多個收集盤130、131。
第3A圖提供收集盤130的替代設計。收集盤數量大於一，附加盤131設在第一盤130上方，以協助捕集額外顆粒。第3B圖圖示框架頂部110的替代設計，其中框架可設計成以與基板相同或不同的角度安置，且主要放置在基板的後面或前面。
第4A圖至第4D圖提供框架底部140的各種設計。底部140具有邊緣150並具任何數量的形狀，例如所示形狀，此可減少污染或顆粒積聚於片材170的基底。
第5圖係框架200的替代後視圖，其中基板170圖示為置於框架200後面及用二夾固機構510固定。
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Claims (20)

  1. 一種物件，包含： 一載具，用於將一基板支托在一近乎垂直配置，該基板具有至少一正面、一背面、一頂邊、一底邊和二側邊，該載具包含：a.一框架，該框架的尺度大於該基板，該框架包含： i.一頂部，包含至少一邊緣且設置以接觸或間接或直接支撐該基板的至少一部分的該頂邊、該正面或該背面；A.其中該頂部包含一或更多收集盤，該一或更多收集盤包含一凸片物體，該凸片物體具有一長度、一寬度和一厚度，並以相對該頂部約20˚至約160˚的一角度θ突出該頂部，及其中該凸片物體的該長度橫跨該頂部的至少一部分的該長度，且近乎平行於該頂部的該至少一邊緣； ii.一底部，近乎平行於該頂部，該底部設置以接觸或間接或直接支撐該基板的至少一部分的該底邊、該正面或該背面；及 iii.二側部，近乎互相平行又近乎垂直於該頂部與該底部，各側部設置以接觸或間接或直接支撐該基板的至少一部分的該等側邊之一、該正面或該背面；及b.一或更多夾固機構，用於將該玻璃固定於該框架的該頂部、該底部或該等側部的至少一者；及其中該載具設計成當一基板在該載具中時，該基板保持呈大於0˚至約10˚的一角度φ前傾。
  2. 如請求項1所述之物件，其中該基板保持呈大於約1˚至約5˚的一角度φ前傾。
  3. 如請求項1所述之物件，其中該凸片物體以相對該頂部約40˚至約170˚的一角度θ突出該頂部。
  4. 如請求項1所述之物件，其中該凸片物體相對該頂部的該角度從一最初角度θ變成一最終角度φ。
  5. 如請求項4所述之物件，其中該角度改變係因彎曲或彎折所致，且θ與φ相差大於60˚。
  6. 如請求項1所述之物件，其中該框架的該頂部位於該基板的該正面前面且具有-10˚至10˚的一傾角ω。
  7. 如請求項1所述之物件，其中該框架的該頂部位於該基板的該正面後面且具有-10˚至10˚的一前傾角ω。
  8. 如請求項1所述之物件，其中該框架進一步包含一或更多電解塗層。
  9. 如請求項8所述之物件，其中該電解塗層包含銅、鉻、鈦、鎳或上述物質組合物或氧化物。
  10. 如請求項1所述之物件，其中至少一部分的該載具具有1 μm至100 μm的一平均表面粗糙度Ra。
  11. 一種塗佈一基板的方法，該方法包含以下步驟： a.把該基板放到如請求項1所述之該物件；及b.使該基板經受一薄膜塗佈製程處理。
  12. 如請求項11所述之方法，其中該薄膜塗佈製程包含化學氣相沉積、濺鍍沉積、電子束沉積、脈衝雷射沉積、分子束磊晶或離子束沉積。
  13. 如請求項11所述之方法，其中該基板保持呈大於約1˚至約5˚的一角度φ前傾。
  14. 如請求項11所述之方法，其中該凸片物體以相對該頂部約40˚至約140˚的一角度θ突出該頂部。
  15. 如請求項11所述之方法，其中該凸片物體相對該頂部的該角度從一最初角度θ變成一最終角度φ。
  16. 如請求項15所述之方法，其中該角度改變係因彎曲或彎折所致，且θ與φ相差大於60˚。
  17. 如請求項11所述之方法，其中該框架的該頂部位於該基板的該正面前面且具有-10˚至10˚的一傾角ω。
  18. 如請求項11所述之方法，其中該框架的該頂部位於該基板的該正面後面且具有-10˚至10˚的一前傾角ω。
  19. 如請求項11所述之方法，其中該框架進一步包含一或更多電解塗層。
  20. 如請求項19所述之方法，其中該電解塗層包含銅、鉻、鈦、鎳或上述物質組合物或氧化物。
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