TW201818487A - 對於使用加熱器元件陣列的基板載具的溫度量測 - Google Patents

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Abstract

說明使用加熱器元件陣列對基板載具進行溫度量測。在一個範例中，一種方法包含：量測靜電吸盤中複數個加熱元件之每一者的第一結合電流負載；改變複數個加熱元件中之第一加熱元件的電力狀態；在改變第一加熱元件的電力狀態之後，量測複數個加熱元件之每一者的第二結合電流負載；判定第一結合電流負載與第二結合電流負載之間的差異；使用此差異判定第一加熱元件的溫度；以及將第一加熱元件的電力狀態回復至改變之前的電力狀態，並對於複數個加熱元件中之其他加熱元件之每一者重複改變電力、量測電流負載、判定差異、以及判定溫度，以判定複數個加熱元件中之每一者的溫度。

Description

對於使用加熱器元件陣列的基板載具的溫度量測
本發明相關於半導體領域以及使用在腔室內的基板載具的微機械基板處理，且特定而言相關於使用加熱元件陣列量測基板載具的溫度。
半導體與微機械系統係形成於基板上（諸如矽晶圓）。對基板施加涉及沉積(depositing)、蝕刻(etching)、塑形(shaping)、圖案化(patterning)以及沖洗(washing)的複雜作業序列以在基板上形成微結構，這些微結構形成半導體與微機械部件。為了減少成本，將這些結構製為更小且更接近彼此。較小的結構需要的材料更少，操作所需的電力更少，且佔用的空間更少。較小的結構時常亦比較大的結構還要快速，並可具有許多優點。
為了製成較小的結構，製造製程必須更精確。製程的每一態樣隨著時間被改良，以致能製成較小的結構。許多製造製程，諸如電子束沉積(electron beam deposition)、電漿沉積(plasma deposition)、電漿增強化學氣相沈積(plasma-enhanced chemical vapor deposition (PECVD))、光阻剝離(resist stripping)、以及電漿蝕刻(plasma etching)等等，受到矽晶圓溫度的影響。 若晶圓在一個位置處的溫度不同於在另一位置處的溫度，則在不同位置處製程結果將為不同。此外，若溫度不同於製程被設計的溫度，則製程結果將不會是所設計的結果。因此，製造期間內的溫度變異，可使得一些結構工作不佳，或甚至無法操作。
可使用紅外線攝影機或熱感測器在基板上量測處理腔室中的基板的溫度。在一些情況中，在測試製程期間內，使用具有一或更多個熱感測器的特別晶圓，這些熱感測器將溫度儲存在記憶體中。由此特別晶圓在腔室中執行製程，且隨後基於所量測到的溫度來調整製程。
說明使用加熱器元件陣列對基板載具進行溫度量測。在一個範例中，一種方法包含：量測靜電吸盤中複數個加熱元件之每一者的第一結合電流負載；改變複數個加熱元件中之第一加熱元件的電力狀態；在改變第一加熱元件的電力狀態之後，量測複數個加熱元件之每一者的第二結合電流負載；判定第一結合電流負載與第二結合電流負載之間的差異；使用此差異判定第一加熱元件的溫度；以及將第一加熱元件的電力狀態回復至改變之前的電力狀態，並對於複數個加熱元件中之其他加熱元件之每一者重複改變電力、量測電流負載、判定差異、以及判定溫度，以判定複數個加熱元件中之每一者的溫度。
如本文所說明的，在於處理腔室中承載基板的支座、載具、底座、或吸盤中，可使用加熱元件陣列以量測基板支座的溫度。加熱元件的阻值與溫度相關，因此可量測加熱元件的阻值以作為對於支座溫度的指示。這提供了對於支座正上方基板的溫度的指示。加熱器元件陣列在支座上的不同位置處提供獨立的溫度量測。不同的量測，允許量測跨基板整體上的溫度變異。這允許了操作加熱器以使溫度相等，或修改支座以校正不均勻的溫度。
在一些情況中，靜電吸盤(ESC)裝配了加熱器元件陣列，以允許在ESC表面上的不同位置處不同地調整ESC的溫度。儘管本說明書以ESC的背景內容來呈現，但結構與技術亦可應用於其他類型的基板載具。加熱器元件陣列亦可作為溫度感測器或熱感測器。這允許了判定基板的溫度。隨後可啟動或停用對應的加熱器元件，以配合所量測到的溫度。
加熱器元件經配線而接收電流，且加熱元件本質上通常具有對溫度呈線性關係的阻值。ESC中時常使用的加熱器元件，具有由鎢和氧化鋁製成的金屬化材料。這種（與其他的）金屬化材料以線性關係回應於溫度，這種線性關係可用於量測與控制。
藉由使用加熱器元件，避免了外部溫度感測器，而簡化了ESC與處理腔室。藉由在許多緊密陣列排列的點處量測溫度，亦可獲得更精確的基板上溫度變異的資訊。
來自加熱器元件的熱感測器資料，可用於輸入開迴路模型或時基閉迴路控制比例積分微分(Proportional-Integral-Derivative, PID)方案。量測可在射頻(RF)熱環境之內或之外進行，並可被由許多不同的方式實施於電漿蝕刻及其他的製程中。熱感測器可用於ESC與基板溫度的開迴路驗證、ESC與基板溫度的閉迴路控制、以及受損加熱陣列或冷卻通道元件的診斷。
對於所說明之作法的替代方案，為在每一加熱器元件附近放置熱感測器。在此種情況中，每一加熱器元件需要一對線，以控制加熱器元件對ESC的熱施加率。每一熱感測器亦需要一對線以傳送溫度讀數。此系統需要較大的佔用面積，以容納配線、切換、電力分配、以及熱探針或阻值溫度偵測器(Resistance Temperature Detector, RTD)的控制電路系統。
較大的佔用面積，可佔用原本用於ESC中的切換元件或其他邏輯裝置的面積。控制盒中亦將要有空間以接收所有的額外線與軌，並維持所有的溫度量測。除了所需的空間以外，亦需要對於外部處理裝置的複雜輸入輸出(I/O)與機械介面。此額外的成本與複雜度，可使得為了減少成本，設計必須受限於較少的、較不精確的量測。
所說明的技術可應用於晶圓、底座、載具、以及具有多個加熱器區的靜電吸盤。這些亦可包含塊加熱區。在一些具體實施例中，在RF熱環境中使用了高於150個的迷你電阻式加熱器，但亦可使用300個或更多個。這些加熱器可全部容納於300mm矽晶圓載具。如下文所說明的，可縮放控制架構以支援數百個加熱區。此架構提供了對於RF熱環境內部及外部的裝置的即時控制，但不需要額外的溫度量測硬體。
為了量測溫度，關閉對於特定加熱器元件的加熱電流。隨後，將量測電流驅動透過加熱器元件。可使用感測器硬體以量測透過加熱器元件的完整電流或部分電流。在一些具體實施例中，可使用脈衝寬度調變(Pulse Width Modulation, PWM)頻率。
可由數種不同的方式，來精確地量測所量測到的電流與ESC溫度之間的關係。一種方式為藉由對啟動的陣列元件定時，並量測元件所使用的電流與電壓。可藉由許多裝置量測電流或電壓（或電流與電壓兩者），諸如內置並聯電阻、電流鉗(current clamp)、霍爾效應(Hall Effect)感測器、與分壓器。可由數位類比轉換器將訊號數位化，以供往後處理。
第1圖為用於判定附接至具有本文所說明之加熱器的靜電吸盤或任何其他基板載具的基板的溫度輪廓的減法作法的處理流程圖。在2，量測第一結合電流負載。此電流負載為載具的（或全由單一電流供應器供電的加熱元件群組的）所有加熱元件所消耗的電流。在此程序中，單一加熱元件（或加熱元件小組）可被個別開啟或關閉。
在4，斷接載具的加熱元件之一者的電力。在此範例中，加熱元件具有共同的電源供應器，但可被個別控制（或分組控制）。每一加熱元件（或加熱元件群組）可被切換關閉、斷電、或以一些其他的方式斷接，使得所選加熱元件不再消耗電力，且不再加熱載具（或所承載的基板）。此加熱元件稱為元件i，i為將於量測所有欲量測之加熱元件的過程中增量的變數。
在所選加熱元件斷接之後，在6再次量測電流負載。這提供了在斷接第一所選加熱元件的電力之後，所有加熱元件的第二結合電流負載。在8，判定第一與第二結合電流負載之間的差異。這提供了所選加熱元件（或元件i）所消耗的電流。在10，判定所選加熱元件的溫度。
加熱元件的溫度直接相關於加熱元件的阻值。可使用電流與已知的電壓來判定阻值。若電壓為未知，則可與電流負載同時量測電壓。阻值具有對於加熱元件溫度的線性關係，此溫度相同於加熱元件區域中載具的溫度。隨後，可使用基於經驗量測結果的模型或查找表，來使加熱元件溫度相關至所承載的基板。在判定了加熱元件的溫度之後，在12，系統可重新連接對所選加熱元件的電力。
在14，選擇另一加熱元件。若第一元件被標定為元件1（其中i=1），則將i增量，而下一元件為元件2（其中i=2）。在將i增量之後（或在單純選擇下一加熱元件之後），程序返回2，且對其他加熱元件之每一者重複進行斷接、量測電流負載、判定差異、以及溫度並重新連接加熱器元件的作業，以判定載具的每一加熱元件的溫度。
在對所有加熱元件進行量測之後，程序結束。在此程序中，對於加熱元件的選擇，可由偏離(offset)或間隔(spacing)來排序。由於加熱元件被暫時關閉以進行溫度量測，在此加熱元件的區域中載具將稍微冷一些。下一個要量測的加熱元件可與前一加熱元件間隔一段距離，以讓局部的冷卻不會影響下一次的量測。在量測相同區域中的另一加熱元件之前，載具將有時間而可回復。
如前述，在量測每一加熱元件的溫度過程中，可將加熱元件分組。在此情況中，將對加熱元件群組取平均。作為範例，可在所量測的加熱元件子集中，相除或散佈所判定的電流、電壓或阻值。這可由單純地除以加熱元件數量（或由另一方式）來完成。隨後可使用經相除的阻值來判定溫度。
第2圖為用於判定附接至具有加熱器的靜電吸盤或其他基板載具的基板的溫度輪廓的加法作法的處理流程圖。在22，將加熱元件中的第一加熱元件切換關閉、斷電、或以一些方式斷接而不再使用電力。在24，量測第一結合電流負載。此電流負載為除了要量測溫度的加熱元件之外的載具的（或全由單一電流供應器供電的加熱元件群組的）所有加熱元件所消耗的電流。在此程序中，單一加熱元件（或加熱元件小組）被關閉。電力被供應至其他加熱元件，此為所量測得者。在26，回復對所選加熱元件i的電力，且在28再次量測電流。如第1圖中的範例，亦可隨電流量測電壓，或者可取決於特定的電源供應器實施例而將電壓維持為定值。
在30，判定兩個量測結果之間的差異。這隔離了所選加熱元件i所消耗的電力。在32，使用此差異來判定加熱元件的溫度。溫度直接相關於阻值，可使用電流與電壓差異來判定阻值。隨後可將此溫度判定與量測時間儲存在記錄中，以用於修改程序、偵測生產變異、改良良率以及其他用途。
在34，若所有加熱元件都已被量測則程序結束，否則程序返回開頭以進行至下一加熱元件。此可藉由將i增量以呈現下一加熱元件，且隨後對其他加熱元件之每一者重複斷接電力、量測電流、連接電力、再次量測電流、判定差異、以及判定溫度的作業來執行。
第3圖為用於判定附接至具有本文所說明之加熱器的靜電吸盤或任何其他基板載具的基板的溫度輪廓的替代性加法及減法作法的處理流程圖。如前述，此程序特別適合在電漿製程期間內使用，但亦可使用在其他環境中。在40，量測供應至所有電阻式加熱元件的電壓。可在一起供應所有電阻式加熱元件的中央電源供應器處進行量測。若由較小的群組供電加熱元件（例如使用四個個別的電源供應器，各自供應加熱元件的個別的四分之一元件），則可對每一群組個別應用此程序。此作業亦可應用於上文所說明的首兩個程序。
在42，量測第一結合電流負載。此電流負載為載具的（或全由單一電流供應器供電的加熱元件群組的）所有加熱元件所消耗的電流。在此程序中，單一加熱元件（或加熱元件小組）可被個別開啟或關閉。在加熱元件位於正常作業中時執行此程序。因此，多數的加熱元件將位於中間電力狀態中，不完全開啟亦不完全關閉。換言之，電流工作週期將位於一些中間值。
對於下一作業，選擇加熱元件中的特定單一個加熱元件以開始程序。此元件被標定為（例如）元件1或元件0且變數i=0，以對每一元件循序進行程序。在44，提升第一加熱元件i=0的電力。在一些具體實施例中，加熱元件變為完全開啟（或100%工作週期）。此開啟狀態僅需持續一段足以量測電流的時間。在46，在提升電力之後，再次量測所有加熱元件的電流負載。接著在48，將此單一加熱元件的電力切換關閉。載具的其他加熱元件不受影響。
於在48將所選加熱元件斷接之後，在50再次量測電流負載。這提供了在斷接第一所選加熱元件的電力之後，所有加熱元件的第三結合電流負載。隨後在52，載具可返回至正常作業，且載具溫度可變回穩定。
在56，判定第一、第二與第三結合電流負載之間的差異。這提供了所選加熱元件（或元件i）所消耗的電流。在56，使用這些差異判定所選加熱元件的溫度。
在58，選擇另一加熱元件。若第一元件被標定為元件1（其中i=1），則將i增量，而下一元件為元件2（其中i=2）。在將i增量之後（或在單純選擇下一加熱元件之後），程序返回40（或在電壓固定時返回42），且對載具的每一加熱元件重複進行作業。在對所有加熱元件進行量測之後，程序結束。
第4圖為用於判定附接至具有本文所說明之加熱器的被動式靜電吸盤或任何其他基板載具的基板的溫度輪廓的替代性作法的處理流程圖。此程序特別適合在電漿製程期間內作為測試晶圓使用，但亦可使用在其他環境中。對於在特定腔室中的儀器製程，時常使用測試晶圓。測試晶圓的頂表面具有耦接至記憶體細胞元的一百個或更多的熱感測器。在製程執行的同時將測試晶圓附接至載具，且測試晶圓在製程期間內記錄每一熱感測器處的溫度。在製程之後，移除測試晶圓並讀取溫度記錄。隨後可基於溫度資料調整製程。
第4圖的程序使用頂端上具有被動式晶圓的受熱載具來收集類似的資料。使用加熱器來收集溫度資料，而無須使用測試晶圓。可基於載具正下方的載具溫度來估計晶圓的溫度。對於此種測試，加熱元件不用於加熱，而是僅用於量測溫度。相對於測試晶圓，第4圖的程序允許即時（或在製程期間內）收集溫度資料，而非等待到製程結束。這允許在測試期間內修改測試製程，以更快速地獲取所需的結果。
在60，量測供應至所有電阻式加熱元件的電壓。一般而言，此為供應至所有電阻式加熱元件的主電源供應器電壓。在62，電流將為零或為可忽略的，因為載具當下並未用於加入熱至測試製程。在64，選擇加熱元件中的特定單一個加熱元件i以開始製程，並施加電力。此將為選擇為提供最佳溫度量測的已知電力。如下文所解釋的，較高的電流通常將提供較高的對溫度的回應。在66，使用所供電的一個加熱元件，量測電流負載。此電流幾乎全由所選加熱元件造成。所選加熱元件隨後可被返回至關閉，為對於此週期的正常狀態。
在68，判定第一與第二結合電流負載之間的差異。這減去了使關閉狀態電流移離零的雜訊、漏電流以及其他因素。在70，使用這些差異判定所選加熱元件的溫度。
在72，選擇另一加熱元件，並重複程序，直到量測到所有加熱元件為止。此為此量測週期的結束。如同第1圖至第3圖，可在任何所需的時間內對所有加熱元件完成程序。這提供了持續的溫度對時間的映射。
第5圖為常見商用電阻式熱裝置與常見商用加熱元件的電性回應特性的圖表，以供比較。垂直尺度圖示部件阻值，且水平尺度圖示部件溫度。上側線對應於特定設計以藉由改變阻值來量測溫度的電阻式熱裝置。如圖示，在約20°C的室溫下，阻值為約108Ω。在100°C下阻值提升約140Ω。如圖示，在所圖示的溫度範圍內，熱裝置的回應大約為線性的。這允許輕易並快速地基於所量測的阻值來判定溫度。
下側線圖示加熱元件的回應。此線亦大約為線性的，但具有較低的斜率。因此，溫度量測較不精確。此係由於熱裝置係特定設計為展示較大的回應於溫度的改變。加熱元件經設計以有效率地將電流轉換成熱。藉由修改，可改良加熱元件的回應。在此範例中，在室溫下，加熱元件具有約70Ω的阻值。在100°C下，阻值提升至約90Ω。儘管熱裝置在兩溫度之間顯示約30Ω的改變，但加熱元件在相同溫度下僅顯示約20Ω的改變。
第6圖為在加熱元件開啟與關閉時，來自基板載具電源供應器的電流對時間圖表。這顯示了如何可使用上文所說明的加法與減法技術。圖表圖示各種加熱元件的狀態改變時，來自共同主電源供應器的不同電流位準。第一狀態230對應於多數加熱元件被供電時的平均電流或電力。在232，一或更多個加熱元件被從開啟切換至關閉。這減少了總和電流。在234，低電流階段結束，且在236，加熱元件返回開啟狀態。在234與236中的電流的差異，可用以判定從開啟切換至關閉的加熱元件所消耗的電流。隨後，此可用以判定這些加熱元件附近的溫度。
以類似的方式，在238的電流反映平均或正常電力，且在240，一或更多個加熱元件中之第二組加熱元件被從關閉狀態切換至開啟狀態。這提升了總和電流。在242，開啟週期結束，且在244，加熱元件返回至關閉狀態。在242與244的電流之間的差異，可用以判定汲取電流，且由此可判定第二組加熱元件附近的溫度。將曲線形狀圖示為矩形以簡化圖式。在真實系統中，在每次改變之後，隨著加熱元件與電源供應器調整至狀態改變，將存在安定時間。加熱元件與電源供應器的回應，將不為所示般立即且直接。
第7圖為適合用於前述方法的基板載具與溫度控制系統的方塊圖。系統具有控制盒502，控制盒502耦接至終端504。終端的形式可為習知電腦，電腦執行具有使用者介面的製程控制或溫度控制軟體，以允許操作者控制機器製程。終端可具有耦接至大量儲存媒體的處理器、使用者介面以及對控制盒的介面。終端可具有其他部件，諸如高速記憶體、無線或有線通訊介面、額外處理器等等。大量存儲器的形式可為機器可讀取媒體，機器可讀取媒體具有在固態、光學、或磁性存儲器中的指令、參數、與各種記錄。控制盒回應於來自終端的指令或命令，而控制基板載具506的作業。控制箱可能夠根據終端的一般命令自主操作。控制盒可控制載具的其他功能，諸如夾持電極、冷卻劑、氣體注入、以及其他在此未圖示（以避免遮蔽在此所示之溫度量測特徵）的功能。
控制盒包含加熱元件電力控制器510以及電源供應器512。電源供應器提供在單一線上的單一電力饋送516至基板載具506內的扇出分配器518。扇出分配器將來自電源供應器512的電力，供應至載具506的所有加熱元件530。取決於實施例，此電力可為大量的。在所圖示說明的具體實施例中，存在150個加熱元件，每一加熱元件能夠汲取10瓦，因此電源供應器提供1500瓦至載具。控制盒中的電源供應器512量測並控制電壓、電流與其他參數。
控制盒的電源供應器透過資料介面514，傳送控制訊號至載具506的載具控制器522。控制訊號可用以調整供應至加熱元件530之每一者的電力、從開啟狀態改變至關閉狀態、以及用於調整載具的其他參數。在此範例中，基於來自終端或在控制盒電力控制器內產生的資訊，資料訊號設定加熱器之每一者的作業參數。控制訊號514可為封包序列，其中每一封包設定對於加熱元件中之不同加熱元件的參數。封包標頭或識別欄位可被用於識別加熱元件中的特定加熱元件，使得特定加熱元件的狀態可被由任何封包改變且在加熱元件可在排序封包序列中轉變之前。
在此範例中，載具控制器接收對於每一加熱元件的狀態更新封包，並對每一加熱元件產生不同的脈衝寬度調變(PWM)類比訊號。為了將特定加熱器設為關閉狀態，PWM訊號為零工作週期訊號或低態訊號。為了設定不同的加熱量，控制器調整對於每一加熱元件的各別PWM訊號的工作週期。這允許使用對於每一加熱元件的獨特訊號，來獨立控制此加熱元件。在此範例中，存在150個獨特的個別PWM連結，每一個別PWM連結用於每一加熱元件。由載具控制器產生PWM訊號，且在每一加熱元件的電力介面處接收PWM訊號。來自載具控制器的獨特訊號可為非常簡單的，使得他們僅為指示PWM脈衝工作週期的光學訊號的開啟/關閉週期。這些訊號可被直接轉換進入放大器的閘驅動器至各別的加熱元件。
在每一各別的加熱元件530，存在電力介面528與真正的電阻式加熱元件530。電力介面在隔離器532（諸如光隔離器）處接收PWM訊號，並施加PWM訊號至放大器。放大器接收來自扇出分配器的電力520，並基於PWM訊號調變所接收的電力。經調變的電力被施加至電阻式加熱器530，以加熱載具並從而加熱基板。在載具內使用光學訊號，以屏蔽敏感訊號使其不受載具內的雜訊影響。電漿、偏壓電力、活躍離子以及電漿腔室的其他方面，可干涉電性訊號（特別是類比電性訊號）。
使用此系統，可使用終端504以起始溫度量測週期。或者，控制盒510可操作溫度量測週期。控制盒將傳送控制訊號514至載具控制器522，以由第1圖至第4圖所述的特定次序與特定時序，將加熱元件中的特定加熱元件的工作週期設為零並隨後返回正常。隨著每一加熱器在載具內開啟與關閉，電源供應器將監測加熱器的汲取電流的改變。此溫度資訊可用於提升或降低施加至每一加熱器的工作週期，或用於對特定製程提供指標。每一加熱元件可在數微秒內從開啟或關閉切換，且加熱的改變需要數秒以在載具處建立新的穩定溫度。對於進行數分鐘的製程而言，可在製程期間內多次量測溫度。
使用150個加熱器，提供非常明確的關於載具小區域的資訊。取決於所需的精確度，可使用較多或較少的加熱器。此外，因為每一加熱元件個別受控制，控制器可僅在一些加熱器處測試溫度。作為150個不同的溫度位置的替代方案，控制器可僅使用50個不同的位置，此係藉由僅於可用加熱器中的50個加熱器處量測溫度。儘管建議150個加熱元件，取決於所需的精確度，可存在更多或更少的加熱元件。亦可存在其他加熱器，諸如一些較大的高電力加熱器，以由粗略的控制位準提供更多熱。隨後，可使用許多較小的加熱器，來調整粗略控制位準。儘管在此範例中每一加熱器被個別控制，數個加熱器可被連接至單一PWM輸入與放大器528，使得一組加熱器被作為群組來控制。
第8圖為經組裝的靜電吸盤的等角視圖。支撐軸212透過隔離器216支撐基底板210。由基底板承載中央隔離器板208與上側冷卻板206。上冷卻板206在加熱器板的頂表面上承載介電圓盤205。圓盤具有上側圓形平臺以支撐工件204，並具有下側同心圓基底207以附接至加熱器板。上側平臺具有內部電極，以靜電性地附接工件。或者，工件可被夾持、真空吸附、或以其他方式附接。
圓盤215與上冷卻板206之間存在黏著接合218，以使上板的陶瓷固持至冷卻板的金屬。加熱器可被形成於上板中或中央加熱板中。在此種具體實施例中，中央板執行其他功能，但不再為加熱器的位置。載具控制器可被附接至冷卻板或附接至任何其他位置。電阻式加熱元件與相關聯的電力介面，可被嵌入圓盤的陶瓷。這將加熱器儘可能地放置接近上板上的基板，以取得最佳的效果。
如前述，ESC能夠使用圓盤中的電阻式加熱器控制工件的溫度。此外，可在冷卻板中使用冷卻劑流體。透過支撐軸212將電力、控制訊號、冷卻劑、氣體等等，供應至冷卻板206與圓盤205。亦可使用支撐軸操縱並固持ESC。
第9圖為根據本文所述之具體實施例的具有底座128的電漿系統100的部分截面圖。底座128具有主動冷卻系統，主動冷卻系統允許主動控制放置在底座上的基板的溫度於寬廣的溫度範圍，同時基板經受數種製程以及腔室條件。電漿系統100包含處理腔室主體102，處理腔室主體102具有界定處理區域120的側壁112與底壁116。
底座、載具、吸盤或ESC 128，被透過通道122設置在處理區域120中，通道122形成於系統100中的底壁116中。底座128經調適以在底座128的上表面上支撐基板（未圖示）。基板可為用於由各種不同材料之任意者所製成的腔室100所施加的處理的各種不同工件之任意者。底座128可可選地包含加熱元件（未圖示）（例如電阻式元件），以加熱並控制基板溫度於所需的製程溫度。或者，可由遠端加熱元件（諸如燈具組件）加熱底座128。
底座128由軸126耦接至電力插座或電力盒103，電力盒103可包含驅動系統，驅動系統控制底座128在處理區域120的升降與動作。軸126亦包含電力介面，以提供電力至底座128。電力盒103亦包含用於電力與溫度指示器的介面，諸如熱耦(thermocouple)介面。軸126亦包含基底組件129，基底組件129經調適為可拆卸地耦接至電力盒103。圓周環135被圖示在電力盒103上方。在一個具體實施例中，圓周環135為經調適以作為機械止動部或地帶的肩部，經配置以提供基底組件129與電力盒103上表面之間的機械介面。
桿130被設置為穿過形成在底壁116中的通道124，並用於致動設置為穿過底座128的基板升舉銷161。基板升舉銷161將工件升舉離底座頂表面，以允許工件被移除並放入及拿出腔室，此係通常使用透過基板傳輸通口160的機器人（未圖示）。
腔室蓋104被耦接至腔室主體102的頂部部分。蓋104容納耦接至蓋104的一或更多個氣體分配系統108。氣體分配系統108包含氣體入口通道140，氣體入口通道140透過噴淋頭組件142傳輸反應劑與清洗氣體進入處理區域120B。噴淋頭組件142包含環形基底板148，環形基底板148具有設置為中介於環形基底板148與面板146的阻隔板144。
射頻(RF)源165耦接至噴淋頭組件142。RF源165對噴淋頭組件142供電，以協助在噴流頭組件142的面板146與經加熱的底座128之間產生電漿。在一個具體實施例中，RF源165可為高頻射頻(HFRF)電源，諸如13.56 MHz RF產生器。在另一具體實施例中，RF源165可包含HFRF電源與低頻射頻(LFRF)電源，諸如300 kHz RF產生器。或者，RF源可耦接至處理腔室主體102的其他部分（諸如底座128），以協助電漿產生。介電性隔離器158被設置在蓋104與噴淋頭組件142之間，以防止RF電力傳導至蓋104。陰影環106可被設置在底座128周圍，並在所需的底座128高度下接合基板。
可選的，在氣體分配系統108的環形基底板148中形成冷卻通道147，以在作業期間內冷卻環形基底板148。傳熱流體，諸如水、乙二醇、氣體等等，可被循環透過冷卻通道147，使得基底板148被維持在預定的溫度下。
腔室襯墊組件127被設置在處理區域120內，且非常靠近腔室主體102的側壁101、112，以防止側壁101、112暴露至處理區域120內的處理環境。襯墊組件127包含耦接至泵系統164的圓周泵空腔125，圓周泵空腔125經配置以將氣體與副產物排出處理區域120，並控制處理區域120內的壓力。可在腔室襯墊組件127上形成複數個排氣口131。排氣口131經配置以允許氣體以增進系統100內的處理的方式，從處理區域120流到圓周泵空腔125。
系統控制器170耦接至各種不同的系統，以控制腔室中的製造製程。控制器170可包含溫度控制器175以執行溫度控制演算法（例如溫度回饋控制），並可為軟體或硬體或軟體及硬體兩者之結合。系統控制器170亦包含中央處理單元172、記憶體173以及輸入/輸出介面174。溫度控制器接收來自底座上的感測器（未圖示）的溫度讀數143。溫度感測器可接近於冷卻劑通道、接近於晶圓、或放置在底座的介電材料中。溫度控制器175使用感測到的一或多個溫度輸出控制訊號，以影響底座組件142以及電漿腔室105外部的熱源及（或）散熱器（諸如熱交換器177）之間的熱傳輸率。
系統亦可包含受控熱傳輸流體迴路141，係基於溫度回饋迴路來控制熱流。在範例具體實施例中，溫度控制器175耦接至熱交換器(HTX)/冷卻器177。熱傳輸流體以一速率流動透過閥（未圖示），透過熱傳輸流體迴路141由閥控制此速率。閥可併入熱交換器或併入熱交換器內部或外部的泵，以控制熱流體的流動速率。熱傳輸流體流動透過底座組件142中的導管，且隨後返回HTX 177。HTX提升或降低熱傳輸流體的溫度，且隨後，流體透過迴路返回至底座組件。
HTX包含加熱器186，以加熱熱傳輸流體，且從而加熱基板。加熱器可使用圍繞熱交換器內的管道的電阻線圈或者熱交換器形成，其中加熱的流體將熱透過交換器傳導到包含熱流體的導管。HTX亦包含冷卻器188，冷卻器188從熱流體汲取熱。這可使用散熱器來將熱放入環境空氣或冷卻劑流體中，或以各種其他方式中的任一種來進行。加熱器和冷卻器可被組合，使得溫度受控的流體首先被加熱或冷卻，隨後將控制流體的熱與熱傳輸流體迴路中的熱流體的熱進行交換。
可由溫度控制器175控制HTX 177與底座組件142中的流體導管之間的閥（或其他流動控制裝置），以控制熱傳輸流體流動到流體迴路的速率。溫度控制器175、溫度感測器、以及閥可被結合，以簡化建置與操作。在多個具體實施例中，熱交換器在熱傳輸流體從流體導管返回之後感測熱傳輸流體的溫度，並基於流體溫度與腔室102作業狀態所需的溫度，將熱傳輸流體加熱或冷卻。
在ESC中使用電加熱器（未圖示），以施加熱至工件組件。形式為電阻性元件的電加熱器被耦接至電源供應器179，電源供應器179由溫度控制系統175控制，以充能加熱器元件而獲得所需的溫度。
熱傳輸流體可為液體，諸如但不限於去離子水/乙二醇、氟化冷卻劑（諸如來自3M的Fluorinert®或來自Solvay Solexis公司的Galden®）等等，或任何其他適合的介電流體，諸如含有全氟化惰性聚醚的介電流體。儘管本說明書在PECVD處理腔室的背景內容下說明底座，但本文所說明的底座可使用在各種不同的腔室中並可用於各種不同的製程。
背側氣體源178（諸如加壓氣體供應源或泵和氣體儲存器）透過質量流量計185或其他類型的閥耦接到吸盤組件142。背側氣體可為氦氣、氬氣、或在晶圓和圓盤之間提供熱對流，而不影響腔室的製程的任何氣體。在系統連接的系統控制器170的控制下，氣體源將氣體透過下面更詳細描述的底座組件的氣體出口泵送到晶圓的背側。
處理系統100亦可包含其他未明確圖示於第4圖中的系統，諸如電漿源、真空泵系統、存取門、微加工、雷射系統、和自動處理系統等等。所圖示說明的腔室被提供作為範例，並取決於工件的本質與所需的製程，可與本發明一起使用各種其他腔室之任意者。所說明的底座與熱流體控制系統可經調適，以用於不同的實體腔室與製程。
本發明說明書與附加申請專利範圍中所使用的單數形式「一(a)」、「一(an)」與「該(the)」，亦意為包含複數形式，除非背景內容清楚指示並非如此。亦將瞭解到，本文所使用的用詞「及（或）」，代表（並涵蓋）所相關聯之所列出物件之一或更多者的任何及所有可能的結合。
用詞「耦接」與「連接」，以及他們的延伸用語，可被使用於本文中以說明部件之間的功能性或結構性關係。應瞭解到，這些用詞並非意為對於彼此的同義詞。相反的，在特定的具體實施例中，「連接(connected)」可用於指示兩或更多個元件與彼此直接實體地、光學地、或電性地接觸。「耦接(coupled)」可用於指示兩或更多個元件與彼此直接或間接地（其間具有其他中介元件）實體地、光學地、或電性地接觸，及（或）此兩或更多個元件與彼此協作或互動（例如在因果關係中）。
本文所使用的用詞「在...之上」、「在...之下」、「在...之間」、與「在...上」，代表一個部件或材料層相對於其他部件或層的相對位置（在此種實體關係值得提及時）。例如在材料層的背景內容下，設置在另一層之上或之下的一個層，可與此另一層直接接觸或可具有一或更多個中介層。再者，設置在兩個層之間的一個層，可與這兩個層直接接觸，或可具有一或更多個中介層。相對的，在第二層「上」的第一層，係與此第二層直接接觸。應於部件組件的背景內容下進行類似的分異。
應瞭解到，前述說明意為說明性的而並非限制性的。例如，儘管附圖中的流程圖示出了由本發明的某些實施例執行的操作的特定順序，但是應當理解，此類順序並非是必須的（例如，替代性的具體實施例可由不同的順序執行操作、組合某些操作、重疊某些操作等等來執行作業）。再者，在閱讀與瞭解前述說明之後，在本發明技術領域中具有通常知識者將顯然明瞭許多其他的具體實施例。儘管已參照了特定的示例性具體實施例來說明本發明，但應理解到本發明並不受限於所說明的具體實施例，而是可在附加申請專利範圍的精神與範圍內進行修改與變異來實作。因此，發明範圍應參照附加申請專利範圍來判定，並涵蓋這些申請專利範圍的完整均等範圍。
2-14‧‧‧步驟
22-34‧‧‧步驟
40-58‧‧‧步驟
60-72‧‧‧步驟
100‧‧‧電漿系統
102‧‧‧腔室主體
103‧‧‧電力盒
104‧‧‧腔室蓋
106‧‧‧陰影環
108‧‧‧氣體分配系統
112‧‧‧側壁
120‧‧‧處理區域
122‧‧‧通道
124‧‧‧通道
125‧‧‧圓周泵空腔
126‧‧‧軸
127‧‧‧腔室襯墊組件
128‧‧‧底座
129‧‧‧基底組件
130‧‧‧桿
131‧‧‧排氣口
135‧‧‧圓周環
140‧‧‧氣體入口通道
141‧‧‧受控熱傳輸流體迴路
142‧‧‧噴淋頭組件
143‧‧‧溫度讀數
144‧‧‧阻隔板
146‧‧‧面板
147‧‧‧冷卻通道
148‧‧‧環形基底板
158‧‧‧介電性隔離器
160‧‧‧基板傳輸通口
161‧‧‧基板升舉銷
164‧‧‧泵系統
165‧‧‧RF源
170‧‧‧系統控制器
172‧‧‧中央處理單元
173‧‧‧記憶體
174‧‧‧輸入輸出介面
175‧‧‧溫度控制器
177‧‧‧熱交換器(HTX)
178‧‧‧背側氣體源
179‧‧‧電源供應器
185‧‧‧質量流量計
186‧‧‧加熱器
188‧‧‧冷卻器
204‧‧‧工件
205‧‧‧圓盤
206‧‧‧上冷卻板
207‧‧‧下側同心圓基底
208‧‧‧中央隔離器板
210‧‧‧基底板
212‧‧‧支撐軸
215‧‧‧圓盤
216‧‧‧隔離器
218‧‧‧黏著接合
230‧‧‧加熱元件的狀態
232‧‧‧加熱元件的狀態
234‧‧‧加熱元件的狀態
236‧‧‧加熱元件的狀態
238‧‧‧加熱元件的狀態
240‧‧‧加熱元件的狀態
242‧‧‧加熱元件的狀態
244‧‧‧加熱元件的狀態
502‧‧‧控制盒
504‧‧‧終端
506‧‧‧基板載具
510‧‧‧電力控制器
512‧‧‧電源供應器
514‧‧‧資料介面
516‧‧‧電力饋送
518‧‧‧扇出分配器
520‧‧‧電力
522‧‧‧載具控制器
528‧‧‧放大器
530‧‧‧加熱
532‧‧‧隔離器
附加圖式作為範例而不為限制地圖示說明本發明的具體實施例，在圖式中：
第1圖為根據一具體實施例的用於判定附接至基板載具的基板的溫度輪廓的減法作法的處理流程圖。
第2圖為根據一具體實施例的用於判定附接至基板載具的基板的溫度輪廓的加法作法的處理流程圖。
第3圖為根據一具體實施例的用於判定附接至基板載具的基板的溫度輪廓的加法及減法作法的處理流程圖。
第4圖為根據一具體實施例的用於判定附接至基板載具的基板的溫度輪廓的被動載具作法的處理流程圖。
第5圖為根據一具體實施例的熱裝置與加熱元件的電性回應特性的阻值對溫度圖表。
第6圖為根據一具體實施例的來自載具電源供應器的電力的電流對時間圖表。
第7圖為根據一具體實施例的耦接至受熱基板載具的控制盒的示意圖。
第8圖為根據本發明之一具體實施例的靜電吸盤的等角視圖。
第9圖為根據本發明之一具體實施例的包含吸盤組件的電漿蝕刻系統的示意圖。
國內寄存資訊 (請依寄存機構、日期、號碼順序註記) 無
國外寄存資訊 (請依寄存國家、機構、日期、號碼順序註記) 無

Claims (20)

  1. 一種在處理期間內判定附接至一載具的一基板的一溫度輪廓的方法，該方法包含以下步驟： 量測第一結合電流負載步驟，量測該載具中複數個加熱元件之每一者的一第一結合電流負載； 改變電力狀態步驟，改變該複數個加熱元件中之一第一加熱元件的一電力狀態； 量測第二結合電流負載步驟，在改變該第一加熱元件的該電力狀態之後，量測該複數個加熱元件之每一者的一第二結合電流負載； 判定差異步驟，判定該第一結合電流負載與該第二結合電流負載之間的該差異； 判定溫度步驟，使用該差異判定該第一加熱元件的一溫度；以及 回復電力狀態步驟，將該第一加熱元件的該電力狀態回復至該改變之前的電力狀態，並對於該複數個加熱元件中之該等其他加熱元件之每一者重複改變電力、量測一電流負載、判定一差異、以及判定一溫度，以判定該複數個加熱元件中之每一者的一溫度。
  2. 如請求項1所述之方法，該方法進一步包含以下步驟：量測在該載具內該複數個加熱元件之每一者的一第一結合電壓負載，且其中判定一溫度之該判定溫度步驟包含以下步驟：使用該第一結合電壓。
  3. 如請求項1所述之方法，該方法進一步包含以下步驟：使用該結合電流負載差異判定一阻值，且其中判定一溫度之該判定溫度步驟包含以下步驟：使用該所判定的阻值判定一溫度。
  4. 如請求項3所述之方法，其中判定一溫度之該判定溫度步驟包含以下步驟：對該所判定的阻值施加一線性因素。
  5. 如請求項1所述之方法，其中改變一電力狀態之該改變電力狀態步驟進一步包含以下步驟：改變對於該複數個加熱元件之一子集的一電力狀態，且其中判定一溫度之該判定溫度步驟包含以下步驟：在該子集的該等加熱元件之間分配該結合電流負載差異，以及使用該所分配的電流差異判定一溫度。
  6. 如請求項1所述之方法，其中改變該第一加熱元件的一電力狀態的該改變電力狀態步驟，包含以下步驟：傳送具有一零工作週期的一脈衝寬度調變訊號至該第一加熱元件。
  7. 如請求項1所述之方法，該方法進一步包含以下步驟：在量測該第一結合電流之前對該複數個加熱元件之每一者供電，且其中改變該電力狀態的該改變電力狀態步驟包含以下步驟：從該第一加熱元件移除電力。
  8. 如請求項1所述之方法，其中量測一第一結合電流負載的該量測第一結合電流負載步驟，包含以下步驟：量測除了該第一加熱元件以外，該等電阻式加熱元件何時位於一開啟狀態中，且其中改變一電力狀態的該改變電力狀態步驟包含以下步驟：改變該第一加熱元件至一開啟狀態。
  9. 如請求項1所述之方法，其中量測一第一結合電流負載的該量測第一結合電流負載步驟，包含以下步驟：量測在一處理腔室中一溫度受控製程的正常作業期間內，該等電阻式加熱元件何時位於一開啟狀態中，且其中改變一電力狀態的該改變電力狀態步驟包含以下步驟：在該製程期間內改變該第一加熱元件的該電力狀態至一電力提升開啟狀態，該方法進一步包含以下步驟： 在量測該第二結合電流負載之後，改變該第一加熱元件的該電力狀態至一關閉狀態；以及 在改變該電力狀態至該關閉狀態之後，量測該複數個加熱元件之每一者的一第三結合電流負載，以及 其中判定該差異之該判定差異步驟包含以下步驟：判定該第二結合電流負載與該第三結合電流負載之間的該差異。
  10. 如請求項1所述之方法，其中量測一第一結合電流負載的該量測第一結合電流負載步驟，包含以下步驟：量測在一處理腔室中的一製程的期間內，該等電阻式加熱元件何時位於一關閉狀態中，且其中改變一電力狀態的該改變電力狀態步驟包含以下步驟：在該製程期間內改變該第一加熱元件的該電力狀態至一開啟狀態。
  11. 如請求項1所述之方法，其中量測一結合電流負載之步驟包含以下步驟：量測在一電源供應器處的一電流負載，該電源供應器對該等電阻式加熱元件之每一者供電。
  12. 一種機器可讀取媒體，該機器可讀取媒體上儲存有指令，該等指令在執行於該機器上時使得該機器執行作業，該等作業包含以下步驟： 量測第一結合電流負載步驟，量測一基板載具中複數個加熱元件之每一者的一第一結合電流負載； 改變電力狀態步驟，改變該複數個加熱元件中之一第一加熱元件的一電力狀態； 量測第二結合電流負載步驟，在改變該第一加熱元件的該電力狀態之後，量測該複數個加熱元件之每一者的一第二結合電流負載； 判定差異步驟，判定該第一結合電流負載與該第二結合電流負載之間的該差異； 判定溫度步驟，使用該差異判定該第一加熱元件的一溫度；以及 回復電力狀態步驟，將該第一加熱元件的該電力狀態回復至該改變之前的電力狀態，並對於該複數個加熱元件中之該等其他加熱元件之每一者重複改變電力、量測一電流負載、判定一差異、以及判定一溫度，以判定該複數個加熱元件中之每一者的一溫度。
  13. 如請求項12所述之媒體，該等作業進一步包含以下步驟：使用該結合電流負載差異判定一阻值，且其中判定一溫度之該判定溫度步驟包含以下步驟：使用該所判定的阻值判定一溫度。
  14. 如請求項12所述之媒體，該等作業進一步包含以下步驟：在量測該第一結合電流之前對該複數個加熱元件之每一者供電，且其中改變該電力狀態的該改變電力狀態步驟包含以下步驟：從該第一加熱元件移除電力。
  15. 如請求項12所述之媒體，其中量測一第一結合電流負載的該量測第一結合電流負載步驟，包含以下步驟：量測除了該第一加熱元件以外，該等電阻式加熱元件何時位於一開啟狀態中，且其中改變一電力狀態的該改變電力狀態步驟包含以下步驟：改變該第一加熱元件至一開啟狀態。
  16. 如請求項12所述之媒體，其中量測一第一結合電流負載的該量測第一結合電流負載步驟，包含以下步驟：量測在一處理腔室中一溫度受控製程的正常作業期間內，該等電阻式加熱元件何時位於一開啟狀態中，且其中改變一電力狀態的該改變電力狀態步驟包含以下步驟：在該製程期間內改變該第一加熱元件的該電力狀態至一電力提升開啟狀態，該方法進一步包含以下步驟： 在量測該第二結合電流負載之後，改變該第一加熱元件的該電力狀態至一關閉狀態；以及 在改變該電力狀態至該關閉狀態之後，量測該複數個加熱元件之每一者的一第三結合電流負載，以及 其中判定該差異之該判定差異步驟包含以下步驟：判定該第二結合電流負載與該第三結合電流負載之間的該差異。
  17. 如請求項12所述之媒體，其中量測一第一結合電流負載的該量測第一結合電流負載步驟，包含以下步驟：量測在一處理腔室中的一製程的期間內，該等電阻式加熱元件何時位於一關閉狀態中，且其中改變一電力狀態的該改變電力狀態步驟包含以下步驟：在該製程期間內改變該第一加熱元件的該電力狀態至一開啟狀態。
  18. 一種電漿處理腔室，包含： 一電漿腔室； 一電漿源，該電漿源用於在該電漿腔室中產生包含氣體離子的一電漿；以及 一控制盒，該控制盒具有一電源供應器與一電力控制器，該電源供應器用於供應電力，且該電力控制器用於提供一控制訊號以控制加熱；以及 一終端，該終端耦接至該控制盒以控制該控制器與該電源供應器的該作業，該終端具有一處理器與一記憶體，該記憶體具有指令，該等指令用於使該控制盒執行以下步驟：量測該腔室中的一基板載具中的複數個加熱元件之每一者的一第一結合電流負載；改變該複數個加熱元件中之一第一加熱元件的一電力狀態；在改變該第一加熱元件的該電力狀態之後，量測該複數個加熱元件之每一者的一第二結合電流負載；判定該第一結合電流負載與該第二結合電流負載之間的該差異；使用該差異判定該第一加熱元件的一溫度；以及將該第一加熱元件的該電力狀態回復至該改變之前的電力狀態，並對於該複數個加熱元件中之該等其他加熱元件之每一者重複改變電力、量測一電流負載、判定一差異、以及判定一溫度，以判定該複數個加熱元件中之每一者的一溫度。
  19. 如請求項18所述之腔室，其中該電力控制器藉由控制供應至每一加熱元件的電力，來命令每一加熱元件進入一開啟狀態與一關閉狀態。
  20. 如請求項19所述之腔室，其中在該電力控制器控制一加熱元件的一開啟狀態與一關閉狀態時，該電源供應器量測供應至該等加熱元件的一電力，以判定該各別加熱元件的一電力。
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