TW201816522A - 特別用於極紫外線光微影投射曝光裝置的光學組件 - Google Patents

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Abstract

本發明與一光學組件有關，特別是用於極紫外線光微影投射曝光裝置之中的光學組件，該光學組件具有一殼體，於該殼體中佈置有複數個光學元件，且在所述殼體中佈置有複數個子殼體(201-205、301-304)，所述子外殼的每一者在任一情況中都包圍至少一個所述光學元件以及在該光學系統操作期間入射至該光學元件上的光束，其中該個別子殼體(201-205、301-304)的內部係透過至少一孔口連接至該個別子殼體的外部，其中所述每一個子殼體(201-205、301-304)都被分配一個個別的氣體供應器，透過所述氣體供應器該相關的子殼體(201-205、301-304)內部係能夠各自經受一各自的氣體大氣。

Description

特別用於極紫外線光微影投射曝光裝置的光學組件
本發明與一光學組件有關，特別是用於極紫外線光微影投射曝光裝置之中的光學組件。
微影技術被用於製造微結構元件，舉例而言像是積體電路或液晶顯示元件。所述微影技術處理是在一種稱做為投射曝光裝置中進行，該裝置包括一照明裝置與一投射透鏡。藉由該照明裝置，所照明的遮罩(光罩)影像便在此情況中，透過該投射透鏡投射到塗佈有光敏層(光抗蝕劑)並佈置在該投射透鏡影像平面中的一基板(例如，矽晶片)上，以將該遮罩結構轉移至該基板的光敏塗佈層。
在為了極紫外線光範圍所設計的投射曝光裝置中，亦即波長在例如大約13奈米或大約7奈米下時，由於缺乏適合可利用的透光折射材料，係使用反射鏡體做為該成像程序的光學元件。因為反射鏡體或是經設計在極紫外線光條件下進行操作之該投射曝光裝置的使用壽命，係受到污染顆粒或氣體的限制，特別是烴類化合物，因此在真空條件(例如，在總壓力為10-2毫巴或以下的情況)下進行該投射曝光裝置或其個別殼體部件的操作是必須的。
然而，實際上出現了散佈在系統中的污染物可能黏著在該等 光學元件表面的問題，這接著造成等元件光學性質的損害，也就是說，實際上造成該等反射鏡體的反射損耗。
克服此問題的解決方式包含特別在該等反射光學元件和該光束路徑的光學表面附近形成一種「微小環境」，以能夠減少污染物在該光學表面上的黏著。
然而，在此出現發生在該投射曝光裝置內的可能污染，而且其效應係隨著在該投射曝光裝置內該等光學元件的位置而改變的進一步問題。
具體來說，例如，來自為了極紫外線光操作所設計之投射曝光裝置的電漿光源的錫(Sn)污染，一般而言只在光源本身中有作用，並也可能在該照明裝置中有作用。為此理由，舉例而言，對於解決以減少在上述該光源中或該照明裝置中所需要的「微小環境」的錫污染為目標所進行的氣體大氣選擇，證明了在某些情況下，對於該投射透鏡而言是不適宜的，並可能造成不必要的額外傳輸損耗，例如，在該投射透鏡的一側上。
前述在該投射曝光裝置相互不同區域中存在不同邊界條件或需求的問題，不但對於所述氣體大氣產生，也對於形成在該等個別光學元件上做為污染防護的蓋層產生。這是因為即使例如在該光源或該照明裝置中，為了確保有效污染防護而使用一特定蓋層材料(例如，為了避免錫沈積而使用)的情況中，當做為該投射透鏡中的額外層時，便可能造成不希望存在的極紫外線光吸收，並因此造成整體系統傳輸的減少。
關於先前技術，係僅以DE 10 2006 044 591 A1以及DE 10 2009 029 282 A1為例進行說明。
本發明的目的係提供一種在光學系統中的光學組件，特別是在極紫外線光微影投射曝光裝置中的光學組件，其允許有效的污染防護， 同時使該投射曝光裝置傳輸性質的損耗盡可能地小。
此目的係根據該等獨立請求項的特徵而達成。
根據本發明之一態樣，一種在光學系統中的光學組件，特別是在極紫外線光微影投射曝光裝置中的光學組件係包含：- 一殼體，其中在該殼體中佈置有複數個光學元件；及- 佈置於該殼體中的複數個子殼體，所述子外殼的每一者在任一情況中都包圍至少一個所述光學元件以及在該光學系統操作期間入射至該光學元件上的光束，其中該個別子殼體的內部係透過至少一孔口連接至該個別子殼體的外部；- 其中所述每一個子殼體都被分配一個個別的氣體供應器，透過所述氣體供應器該相關的子殼體內部係能夠各自經受一各自的氣體大氣。
從本身所已知的原理，係在能夠經受一適宜氣體大氣的投射曝光裝置的殼體中提供一種「微小環境」，本發明特別是基於使所述微小環境的多數個個別區域經受相互不同氣體大氣的概念，以解決在該投射曝光裝置中各自不同邊界條件或需求的問題。
換句話說，本發明特別是包含在圍繞該等光學元件或被使用之光束路徑的微小環境內，實現多數不同子空間的概念，其中所述子空間的每一者都包括一或多個光學元件，且其中在所述子空間中的該個別氣體大氣都符合在該處所存在的特別條件或需求。
在本申請案的上下文中，「微小環境」係被瞭解為意指一種結構上或空間上分離的區域，其允許在所述區域中進行氣體分壓或化學元素存在性的分別設定(也就是說，個別氣體大氣的建立)。此空間上的分離區域可以具有多數孔口，以允許該等分壓的設定及/或該等光學元件的移動。
根據一具體實施例，將相對於該子殼體外部而言的正壓施加 至該個別子殼體。
根據一具體實施例，為至少兩個所述子殼體實行經受相互不同的氣體。
根據一具體實施例，至少一個所述子殼體係經受氦氣。
根據一具體實施例，此子殼體包圍該投射曝光裝置之該照明裝置中該等光學元件的至少一者。
根據一具體實施例，至少一個所述子殼體係經受氫氣。
根據一具體實施例，利用添加氧氣、氮氣、二氧化碳、氙氣、氬氣、氪氣、氯氣、溴或其混合物，實行該至少一個所述子殼體的經受。
根據一具體實施例，此子殼體-或至少一個所述子殼體-包圍該投射曝光裝置之該投射透鏡中該等光學元件的至少一者。
根據一具體實施例，此子殼體-或至少一個所述子殼體-包圍一光源的收集鏡體，特別是為極紫外線光操作所設計之一投射曝光裝置的電漿光源的收集鏡體。
根據另一態樣，本發明也包含配置一污染防護蓋層的概念，該蓋層係位在在上述子空間之一的任一情況中的一或多個光學元件上，這與相關於該個別層材料的具體情況有關(舉例而言，特別是於該投射曝光裝置中的位置、在相關區域中需要被考慮的污染物等等)。換句話說，本發明也包含在位於劃分上述「微小環境」之該等子殼體中的該等相關光學元件或反射鏡體上，提供相互不同的污染防護蓋層的概念，其中該個別適宜的污染防護蓋層可根據預期的污染顆粒進行選擇，且其中可以在一特定子空間中實行氣體大氣與污染防護蓋層之間的個別有利或最佳匹配。
根據一具體實施例，位在一第一子殼體中的至少一光學元件係具有一第一污染防護蓋層，且位在一第二子殼體中的至少一光學元件係具有一第二污染防護蓋層，其中所述污染防護蓋層相對於該個別層材料而言係為彼此不同。
即使不考慮提供不同氣體體積時，配置具有相互不同之污染防護蓋層材料的光學元件也是有利的。根據另一態樣，本發明因此也與一光學系統中的一光學組件有關，特別是在極紫外線光微影投射曝光裝置中的光學組件，其包含：- 一殼體，其中在該殼體中佈置有複數個光學元件；及- 佈置於該殼體中的複數個子殼體；- 其中位在一第一子殼體中的至少一光學元件係具有一第一污染防護蓋層，及- 其中位在一第二子殼體中的至少一光學元件係具有一第二污染防護蓋層，其中所述污染防護蓋層相對於該個別層材料而言係為彼此不同。
根據一具體實施例，該第一污染防護蓋層及/或該第二污染防護蓋層包含來自於包含釔(Y)、鈰(Ce)、鋯(Zr)、鈮(Nb)、矽(Si)、鈦(Ti)、釩(V)、鉬(Mo)、錳(Mn)、鋁(Al)、鎢(W)、鉻(Cr)、鑭(La)、鈷(Co)、釕(Ru)、硼(B)、鉿(Hf)、鈾(U)、鈹(Be)及這些材料之氧化物、氮化物、碳化物、矽酸鹽和硼化物之群集的層材料。
在一具體實施例中，舉例而言，該第一污染防護蓋層可包括氧化鋯(ZrO2)，該第二污染防護蓋層可以包含釕(Ru)。
根據一具體實施例，該第一子殼體包圍該投射曝光裝置之該照明裝置中該等光學元件的至少一者。
根據一具體實施例，該第二子殼體包圍該投射曝光裝置之該投射透鏡中該等光學元件的至少一者。
根據一具體實施例，該光學組件係經設計用於具有小於15奈米(nm)的操作波長。
本發明進一步與一種微影投射曝光裝置有關，該裝置具有一 照明裝置與一投射透鏡，其中該照明裝置及/或該投射透鏡具有一種具備以上敘述該等特徵的光學組件，本發明也與一種微結構組件的微影製造方法有關。
本發明的其他配置可從敘述與獨立請求項獲得。
本發明係基於以下該等附圖中所描述的示例具體實施例進行更詳細的說明。
100‧‧‧微影投射曝光裝置
101‧‧‧電漿光源
102‧‧‧收集鏡體
103‧‧‧場分面鏡體
104‧‧‧瞳孔分面鏡體
105‧‧‧第一望遠鏡
106‧‧‧第二望遠鏡
107‧‧‧偏向鏡體
120‧‧‧遮罩台
121‧‧‧反射結構承載遮罩
160‧‧‧晶圓台
161‧‧‧基板
200‧‧‧投射透鏡
201‧‧‧子殼體
202‧‧‧子殼體
203‧‧‧子殼體
204‧‧‧子殼體
205‧‧‧子殼體
205‧‧‧貫通孔口
210‧‧‧物體場域
220‧‧‧影像場域
300‧‧‧投射透鏡
301‧‧‧子殼體
302‧‧‧子殼體
303‧‧‧子殼體
304‧‧‧子殼體
305‧‧‧貫通孔口
310‧‧‧物體場域
320‧‧‧影像場域
410‧‧‧鏡體
411‧‧‧鏡體基板
412‧‧‧反射層系統
413‧‧‧污染防護蓋層
420‧‧‧鏡體
421‧‧‧鏡體基板
422‧‧‧反射層系統
423‧‧‧污染防護蓋層
在該等圖式中：圖1繪示用於說明微影投射曝光裝置的基本可能設置示意圖；圖2a與圖2b繪示用於說明本發明一可能具體實施例的示意圖；圖3a與圖3b圖繪示用於說明本發明另一可能具體實施例的示意圖；及圖4a與圖4b繪示用於說明本發明另一態樣的示意圖。
圖1繪示一投射曝光裝置的基本可能設置示意圖，其係設計用於極紫外線光操作，且其中本發明係能夠被實現。
根據圖1，設計用於極紫外線光之一投射曝光裝置100中的一照明裝置係包括一場分面鏡體103與一瞳孔分面鏡體104。來自一光源單元的光係被引導至該場分面鏡體103上，該光源單元包括一電漿光源101與一收集鏡體102。一第一望遠鏡105與一第二望遠鏡106經布置於該瞳孔分面鏡體104光路徑下游中。一偏向鏡體107係經布置在該光路徑中的下游，並將入射至其上的輻射引導至一投射透鏡200之物平面中的物體場域上，這只在圖1a中示出。在一遮罩台120上的一反射結構承載遮罩121係經布置在該物體場域的位置中，所述遮罩係以該投射透鏡200的方式被成 像在一影像平面之中，於該影像平面中被塗佈有光敏層(光抗蝕劑)的一基板161則位於一晶圓台160上。
該投射透鏡200的一具體示例實施例係於圖2a中說明(但本發明並不限制於此)。有關此示例具體實施例的具體設計數據可參考DE 10 2014 208 770 A1(參考該文件中的圖2及表1至表6)。本發明並不被限制為實現具有圖2a中所示之具體設定的投射透鏡。在另一示例具體實施例中，本發明也可以被實現為具有不同設定的投射透鏡(例如在DE 10 2012 202 675 A1中所揭示)或是被實現於其他的光學系統中。
該投射透鏡200將位於該物體平面「OP」中的物體場域210成像至一影像場域220上，該影像場域220位於該影像平面「IP」中，並可以例如根據圖2a中該具體示例實施例般，具有例如八個鏡體M1至M8，其中該等鏡體M1、M4、M7及M8係經配置為用於該照明光線正常入射的鏡體(其具有小於45度的入射角度)，並可以包含由鉬(Mo)和矽(Si)層組成的反射層堆疊。「205」標示在該鏡體M8中的貫通孔口，以讓該成像光線通過。
該等鏡體M2、M3、M5及M6係經配置為使得該照射光線擦邊入射的鏡體(其具有大於60度的入射角度)，並可以具有例如由釕(Ru)所構成的塗層。
根據本發明，如在圖2b中僅做為示意說明，提供複數個子殼體201至205，其每一個在任一情況中都容納該投射曝光裝置該等鏡體的一或多者，其中所述子殼體201至205係能夠經受相互不同的氣體大氣。為此，該等子殼體201至205每一者在任一情況中都被分配一氣體器供應器(於圖2b中未繪示)，藉此方式相關的子殼體係能夠以一或多種氣體充滿。在子殼體之間較佳的係具有個別的過渡區域，其允許在該光束路徑收縮區域中的任一情況中，彼此能沿著該光束路徑，其結果是能夠達成由該等子殼體201至205提供該等結構性的氣體空間區分。
應該指出的是，以上所述氣體空間的區分係根據本發明以在任一情況中避免位於不同子殼體201至205中相關氣體混合的方式加以實現。此區分，或是混合的避免，部分利用位於該等個別子殼體201至205中的壁部部分達成，並另外以在該等欲被彼此區分的氣體空間之間，設定適合的壓差達成。分配給該等個別子殼體201至205的每一個氣體空間都是經特別設定為相對於外部環境而言為一確定的正壓，其結果使得來自該等相關氣體空間的氣體轉移可以只利用擴散程序進行(相對而言為可忽略的)。
先前敘述劃分成為多數個別子殼體201至205較佳的係被實作，因此該等個別鏡體在任一情況中係由適應於預期存在於相關區域中之污染物的氣體大氣所圍繞。
在該具體示例實施例中，該第一鏡體M1係位於該子殼體201中，該鏡體M2及M3係位於該子殼體202中，該鏡體M4係位於該子殼體203中，該鏡體M5及M6係位於該子殼體204中，而該鏡體M7及M8係位於該子殼體205中。然而，本發明並不進一步受限於子殼體的具體數量或是其對於該投射曝光裝置之一或多個鏡體的分配，其中一單獨子殼體可特別被指定至該等每一個的個別鏡體。
圖3a繪示一投射透鏡300的另一具體示例實施例，其中本發明係能夠被實現。對於此示例具體實施例的具體設計數據，可以參考DE 10 2015 209 827 A1(參考該文件中的圖2及表1至表9)。
該投射透鏡300將位於該物體平面「OP」中的物體場域310成像至一影像場域320上，該影像場域320位於該影像平面「IP」中，並具有在該具體示例實施例的十個鏡體M1至M10，其中該等鏡體M1、M9及M10係經配置為用於該照明光線正常入射的鏡體(其具有小於45度的入射角度)，並可以包含由鉬(Mo)和矽(Si)層組成的反射層堆疊。「305」標示在該鏡體M10中的貫通孔口，以讓該成像光線通過。
在圖3a的具體實施例中該等鏡體M2至M8係經配置為使得該照射光線擦邊入射的鏡體(其具有大於60度的入射角度)，並可以具有例如由釕(Ru)所構成的塗層。
根據本發明，如在圖3b中僅做為示意說明，現在在此示例具體實施例中也提供複數個子殼體301至304，其每一個在任一情況中都容納該投射曝光裝置該等鏡體的一或多者，其中所述子殼體301至304係能夠經受相互不同的氣體大氣。到目前為止，以類比方式應用先前與圖2b之示例具體實施例有關的敘述。在圖3b的具體示例實施例中，該第一鏡體M1係位於該子殼體301中，該鏡體M2、M3及M4係位於該子殼體302中，該鏡體M5、M6、M7及M8係位於該子殼體303中，而該鏡體M9及M10係位於該子殼體304中。本發明並不進一步受限於子殼體的具體數量或是其對於該投射曝光裝置之一或多個鏡體的分配，其中一單獨子殼體可特別被指定至該等每一個的個別鏡體。
在本發明另一具體實施例中，在任一情況中適應該投射曝光裝置該等各自區域中的個別條件或是於此所預期的污染物，不但可以以相對於先前所述的氣體大氣方式實現，也可以-替代或額外的-以相對於位於該等個別鏡體上的污染防護蓋層實現。
在這方面，圖4a及圖4b繪示兩不同鏡體410及420僅為示意且高度簡化的設定，在任一情況中，該鏡體410及420都在一鏡體基板411及421上分別具有一反射層系統412及422，以及分別具有一污染防護蓋層413及423。該等鏡體410及420係位於該投射曝光裝置的不同位置處，且每一個都可以具有另外的功能層(於圖4a及圖4b中未描繪)，例如像是阻隔層、黏著促進層等。
如圖4a及圖4b所指示，根據本發明該另一態樣，該等污染防護蓋層413及423現在係根據在該投射曝光裝置之相關區域中所存在的該等條件，以相互為不同的層材料所製造。
即使根據本發明，對於劃分成為複數個子殼體或分離的氣體體積方式係於圖2a及圖2b中，並僅以投射透鏡的實例於圖3a及圖3b中進行說明，但其可以被實現於該完全的投射曝光裝置中(包含該光源與該照明裝置)。特別是在該照明裝置中的該等鏡體於此可利用個別或群集實作一或多個子殼體的方式，布置於分離的氣體空間中
以下將提到氣體大氣或污染防護蓋層的實例(而本發明並不受限於此)，其根據於在該投射曝光裝置中該等相關鏡體的位置而可為合適的。
在一具體示例實施例中，例如，在該照明裝置中該等鏡體可以具有由二氧化鋯(ZrO2)製成的污染防護蓋層。利用選擇這種層料可以達成的優點為(舉例而言，與利用釕(Ru)做為層材料相比)在該個別鏡體表面上的錫(Sn)累積以及相關的反射損耗可被避免。相反的，在該投射透鏡中該等鏡體可以包含釕(Ru)做為該污染防護蓋層中的層材料，因為由於該電漿光源所形成的錫(Sn)污染在這方面不再重要，而因此理由可以省略使用二氧化鋯(ZrO2)做為該額外層。
根據本發明，到目前為止已經考慮了劃分成為多個分離氣體體積以及劃分成為合適的氣體大氣，對於例如在任一情況中將該照明裝置中的該等鏡體布置在經受氦氣(He)大氣的一或多個子殼體中而言，可能是有利的具體實施例，其結果為可能達成氦氣做為惰性氣體而不與錫(Sn)反應，且因此來自於該電漿光源的任何錫顆粒不在該照明裝置中有任何負面效果的優點。
相反的，在該投射透鏡中該等鏡體可被布置在氫氣(H2)大氣中，以利用從該等鏡體去除碳污染物(由於在氫氣大氣中的電漿碳激發)的氫作用優勢。因此，可以避免在與氫氣相比之下，於該投射鏡體側上的氦氣(He)氣體大氣以及原則上與之關聯且會增加的傳輸損耗。
在另一具體實施例中，可以在該投射鏡體側上施加氧氣的主 動計量，例如3*10-5毫巴的大小，以確保對於任何錫(Sn)污染顆粒的某些防護(其因為加入氧而被氧化而避免形成錫氫化物)，並避免額外的反射損耗。相反的，在該照明裝置中可以免除氧氣的主動計量(因為在先前具體實施例中已經使用氦氣)。
在另一具體實施例中，可以使用從該等鏡體表面去除任何碳污染的清潔頭，例如，在經受氦氣氣體大氣的照明裝置中的一或多個子殼體的情況中。
先前敘述在該投射曝光裝置中所使用對於該等鏡體與氣體空間的污染防護蓋層的選擇匹配程序，不只可以以調適為該等個別預期污染物的方式實作，也可以對於彼此實作(也就是說，在一鏡體上的個別污染防護蓋層可根據於在該處所使用的氣體大氣所選擇)，且反之亦然(也就是說，該個別氣體大氣可為在該相關區域中所使用該污染防護蓋層的層材料加以調適)。
在該等光學元件的區域中，提供該等子殼體與該等個別光學元件之間的某些間隙距離。這些間隙距離可為例如小於10微米(mm)，特別是小於5微米，特別是小於1微米，並利用個別相關操縱器的方式允許該等光學元件的移動。此外，所述間隙距離也允許從該子殼體內部至經受高度真空條件之子殼體外部的永久(沖洗)氣體流。為了產生或維持此沖洗氣流，用於產生10-5毫巴或其以下之高度真空的一或多個真空泵(未繪示)係連接至所述外部區域，並提供至該個別子殼體內部的氣體供應管線，藉此方式使該個別氣體(例如，氫氣或氦氣)進入所述內部，其中該(正)壓力可例如為10-2毫巴的區域中。該氣體供應可以特別利用該等清潔單元或與其平行的方式實現。根據本發明，該正壓可因此被特別加以設定，因此一子殼體個別內部中的壓力係大於該個別子殼體外部區域中的壓力至少大於1的倍數，特別是大於10的倍數，特別是大於100的倍數。所建立從一子殼體內布置該外部區域(也就是在該外部殼體中的正常真空區 域)的氣流係由多數真空泵所吸取。
儘管已經以特定具體實施例為基礎敘述本發明，但對於本領域技術人員而言，例如利用各個具體實施例的特徵所進行的組合及/或交換，所形成的許多變化和替代實施例是顯而易見的。據此，對本領域技術人員不言而喻的是這些變化和替代實施例也同時由本發明所包含，且本發明的範圍僅受限在所附權利請求項與其等價的意義之中。

Claims (17)

  1. 一種一光學系統中的光學組件，特別是在一極紫外線光微影投射曝光裝置中的光學組件，其具有：一殼體，於該殼體中佈置有複數個光學元件；及佈置所述殼體中的複數個子殼體(201-205、301-304)，所述子外殼的每一者在任一情況中都包圍至少一個所述光學元件以及在該光學系統操作期間入射至該光學元件上的光束，其中該個別子殼體(201-205、301-304)的內部係透過至少一孔口連接至該個別子殼體的外部；其中所述每一個子殼體(201-205、301-304)都被分配一個個別的氣體供應器，透過所述氣體供應器該相關的子殼體(201-205、301-304)內部係能夠各自經受一各自的氣體大氣。
  2. 如請求項1所述之光學組件，其特徵在於該等子殼體(201-205、301-304)的經受係以相對於該個別子殼體的外部施加正壓的方式實現。
  3. 如請求項1或請求項2所述之光學組件，其特徵在於為至少兩個所述子殼體(201-205、301-304)，該經受是以相互為不同氣體實現。
  4. 如請求項1至請求項3所述之光學組件，其特徵在於至少一個所述子殼體(201-205、301-304)的經受是以氦氣實現。
  5. 如請求項4所述之光學組件，其特徵在於所述子殼體包圍該投射曝光裝置之該照明裝置中該等光學元件的至少一者。
  6. 如前述請求項任一項所述之光學組件，其特徵在於至少一個所述子殼 體(201-205、301-304)的經受是以氫氣實現。
  7. 如前述請求項任一項所述之光學組件，其特徵在於至少一個所述子殼體(201-205、301-304)的經受是以添加氧氣、氮氣、二氧化碳、氙氣、氬氣、氪氣、氯氣、溴或其混合物實現。
  8. 如請求項6或請求項7所述之光學組件，其特徵在於所述子殼體包圍該投射曝光裝置之該投射透鏡中該等光學元件的至少一者。
  9. 如請求項6或請求項7所述之光學組件，其特徵在於所述子殼體包圍一光源的收集鏡體。
  10. 如前述請求項任一項所述之光學組件，其特徵在於位於一第一子殼體中的至少一光學元件係具有一第一污染防護蓋層(413)，及位於一第一子殼體中的至少一光學元件係具有一第二污染防護蓋層(423)，其中所述污染防護蓋層(413、423)相對於該個別層材料而言係為彼此不同。
  11. 一種光學系統中的光學組件，特別是在一極紫外線光微影投射曝光裝置中的光學組件，其具有：一殼體，其中在該殼體中佈置有複數個光學元件；及佈置於該殼體中的複數個子殼體(201-205、301-304)；其中位在一第一子殼體中的至少一光學元件係具有一第一污染防護蓋層(413)，及 其中位在一第二子殼體中的至少一光學元件係具有一第二污染防護蓋層(423)，其中所述污染防護蓋層(413、423)相對於該個別層材料而言係為彼此不同。
  12. 如請求項10或請求項11所述之光學組件，其特徵在於該第一污染防護蓋層及/或該第二污染防護蓋層包含來自於包含釔(Y)、鈰(Ce)、鋯(Zr)、鈮(Nb)、矽(Si)、鈦(Ti)、釩(V)、鉬(Mo)、錳(Mn)、鋁(Al)、鎢(W)、鉻(Cr)、鑭(La)、鈷(Co)、釕(Ru)、硼(B)、鉿(Hf)、鈾(U)、鈹(Be)及這些材料之氧化物、氮化物、碳化物、矽酸鹽和硼化物之群集的層材料。
  13. 如請求項10至請求項12所述之光學組件，其特徵在於該第一子殼體包圍該投射曝光裝置之該照明裝置中該等光學元件的至少一者。
  14. 如請求項10至請求項13所述之光學組件，其特徵在於該第二子殼體包圍該投射曝光裝置之該投射透鏡中該等光學元件的至少一者。
  15. 如前述請求項任一項所述之光學組件，其特徵在於該光學組件係經設計用於具有小於15奈米(nm)的操作波長。
  16. 一種微影投射曝光裝置，其包括一照明裝置與一投射透鏡，其中該照明裝置及/或該投射透鏡具有如前述請求項任一項所述之光學組件。
  17. 一種用於微影方式製造微型結構組件的方法，該方法包括以下步驟：提供一基板，對該基板至少部分施加由一光敏材料所構成的層；提供一遮罩(121)，該遮罩具有預備成像的多數結構； 提供如請求項16所述之微影投射裝置(100)；及利用該投射曝光裝置的協助，將該遮罩(121)至少一部份投射至該層的一區域上。
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