TW201816151A - 真空蒸鍍裝置 - Google Patents

Abstract

提供可以將微粒的影響儘可能地減少的附著物減少方式的真空蒸鍍裝置。 　　本發明的真空蒸鍍裝置（DM），具備被配置於真空腔室（1）內的蒸鍍源（3），蒸鍍源是具有：收容蒸鍍物質（Vm）的收容箱（31）、及將蒸鍍物質加熱昇華或是氣化的加熱手段（33），在收容箱，設有被昇華或是氣化的蒸鍍物質的噴出部（32），噴出部是位於比真空腔室內的被鍍膜物（S）更垂直方向上方，噴出部，是具有對於垂直方向傾斜向下的噴出口（32b），使蒸鍍物質從該噴出口朝向被鍍膜物被噴出，收容箱是朝從被鍍膜物的端部分離的位置偏移地配置。

Description

真空蒸鍍裝置

[0001] 本發明，是有關真空蒸鍍裝置，更詳細的話，有關於設於收容箱的被昇華或是氣化的蒸鍍物質的噴出部是位於比真空腔室內的被鍍膜物更垂直方向上方的附著物減少方式者。

[0002] 這種真空蒸鍍裝置已知例如專利文獻1的真空蒸鍍裝置。在此者中，在真空腔室的垂直方向下方，在該真空腔室的一方向設有將基板搬運的基板搬運手段，蒸鍍源是被面對配置在其上部。蒸鍍源，是將基板橫跨地設置，具有收容蒸鍍物質的筒狀的收容箱，在收容箱的下部中，蒸鍍物質的噴出口是沿著其長度方向由規定的間隔被列設。且，由加熱器將蒸鍍物質加熱並在收容箱內昇華或是氣化，藉由將此被昇華或是氣化者從噴出口朝向基板噴出，而對於基板被鍍膜。 　　[0003] 在此，在收容箱內被昇華或是氣化的蒸鍍物質，不是只有從噴出口朝向基板噴出，例如，也會附著、堆積在位於噴出口的周邊的收容箱的外表面部分。此情況，被附著、堆積的蒸鍍物質會成為微粒的發生源。因此，如上述習知例，以橫跨基板的方式設有收容箱的話，附著在收容箱的蒸鍍物質會成為微粒朝下方落下，附著在基板的問題會產生，此會導致製品成品率下降等的問題。 [先前技術文獻] [專利文獻] 　　[0004] 　　[專利文獻1] 日本專利第4216522號公報

[本發明所欲解決的課題] 　　[0005] 本發明，是鑑於以上的點，其課題是提供一種可以將微粒的影響儘可能地減少的附著物減少方式的真空蒸鍍裝置。 [用以解決課題的手段] 　　[0006] 為了解決上述課題，本發明的真空蒸鍍裝置，具備被配置於真空腔室內的蒸鍍源，蒸鍍源是具有：收容蒸鍍物質的收容箱、及將蒸鍍物質加熱昇華或是氣化的加熱手段，是在收容箱設有將被昇華或是氣化的蒸鍍物質的蒸氣噴出的噴出部，噴出部是位於比真空腔室內的被鍍膜物更垂直方向上方，噴出部，是具有對於垂直方向傾斜向下的噴出口，使蒸鍍物質的蒸氣從該噴出口朝向被鍍膜物被噴出，收容箱是朝從被鍍膜物的端部分離的位置偏移地配置。 　　[0007] 依據本發明的話，在收容箱內將被昇華或是氣化的蒸鍍物質從噴出口朝向基板噴出時，蒸鍍物質也附著、堆積在收容箱的外表面，即使成為微粒的發生源朝下方落下，但因為收容箱是偏移地配置，所以附著在被鍍膜物成為困難。其結果，可以將微粒的影響儘可能地減少。 　　[0008] 在本發明中，前述加熱手段，是將前述收容箱加熱，藉由來自該收容箱的輻射熱將前述蒸鍍物質加熱較佳。由此，蒸鍍物質即使附著在收容箱的外表面，藉由收容箱本身被加熱，使蒸鍍物質再度被昇華或是氣化。因此，微粒的發生源形成困難，而有利。 　　[0009] 且具備與前述噴出口接近配置來防止來自該噴出口的蒸鍍物質的蒸氣朝向被鍍膜物被噴出的朝垂直方向往復動自如的活門板，活門板是朝從被鍍膜物的端部分離方向被偏移較佳。由此，附著在活門板的蒸鍍物質即使是成為微粒朝下方落下，可以難附著在被鍍膜物。 　　[0010] 且具有使被鍍膜物水平配置的保持部較佳。在此，水平，不是嚴格的水平的意思，而是實質上水平的意思。進一步，進一步具有將前述保持部以垂直方向的軸線為中心旋轉驅動的驅動手段較佳。由此，可以改善膜厚分布。 　　[0011] 又，被鍍膜物是在一方向長的基板，藉由前述移動手段將基板對於前述蒸鍍源朝真空腔室內的一方向一邊相對移動一邊鍍膜的情況，將對於蒸鍍源的基板的相對移動方向設成X軸方向，將與X軸方向垂直交叉的基板的寬度方向設成Y軸方向，在前述收容箱，噴出部是在Y軸方向由規定的間隔被列設較佳。此情況，依據基板的寬度，為了提高膜厚分布的均一性，將蒸鍍源在Y軸方向兩側分別配置也可以。

[0013] 以下，參照圖面，被鍍膜物為具有矩形的輪廓的規定厚度的玻璃基板（以下，稱為「基板S」），以在基板S的單面將規定的薄膜鍍膜的情況為例說明本發明的真空蒸鍍裝置的實施例。 　　[0014] 參照第1圖及第2圖，真空蒸鍍裝置DM是具備真空腔室1。在真空腔室1中，雖未特別圖示說明，但是透過排氣管連接有真空泵，可以抽真空保持在規定壓力（真空度）。且，在真空腔室1的垂直方向下部設有基板搬運裝置2。基板搬運裝置2，是具有在將作為鍍膜面的上面開放的狀態下將基板S保持的載體21，藉由圖外的驅動裝置而將載體21、進而基板S朝真空腔室1內的一方向由規定速度移動。基板搬運裝置2因為可以利用公知者，所以省略此以上的說明，但是在本實施例中，基板搬運裝置2，是對於後述的蒸鍍源朝真空腔室1內的一方向將基板S相對移動的移動手段。在以下，將對於蒸鍍源的基板S的相對移動方向設成X軸方向，將與X軸方向垂直交叉的基板S的寬度方向設成Y軸方向。 　　[0015] 在真空腔室1中，設有位於比基板S更垂直方向上方的蒸鍍源3。蒸鍍源3，是具有將對應欲鍍膜在基板S的薄膜而適宜選擇的蒸鍍物質Vm收容的收容箱31。此情況，收容箱31，是在Y軸方向長的長方體形狀者，在其下面的Y軸方向的角部中，由筒體構成的作為噴出部的噴出噴嘴32的複數根是在Y軸方向規定隔有間隔地被突設。此情況，噴出噴嘴32是使其噴嘴孔的孔軸32a對於垂直方向由規定的角度被傾斜，其先端的噴出口32b是成為垂直方向傾斜向下。此情況，孔軸32a的傾斜角，是考慮基板S的寬度、來自起因於蒸鍍物質Vm的噴出噴嘴32的蒸鍍物質Vm的噴出分布、和形成於基板S的薄膜的膜厚的均一性等被適宜設定。 　　[0016] 且作為加熱手段的電熱線33是被捲繞在包含噴出噴嘴32的收容箱31的周圍，藉由從圖外的電源通電，可以將收容箱31橫跨其整體大致均等地加熱。且，藉由將收容箱31加熱且藉由來自該收容箱31的輻射熱將容器31a內的蒸鍍物質Vm加熱，就可以將該蒸鍍物質Vm昇華或是氣化。又，雖未特別圖示說明，但是在收容箱31內設有分散板，可以將收容箱31加熱將其內部的蒸鍍物質Vm昇華或是氣化，可以將此被昇華或是氣化的蒸鍍物質Vm從各噴出噴嘴32大致均等地噴出。且，將收容箱31大致均等地加熱的方式不限定於上述者。進一步，不另外設置將容器31a內的蒸鍍物質Vm直接加熱的加熱手段也可以，例如，將作為別的加熱手段的電熱線捲繞在容器31a的周圍並通電，而將蒸鍍物質Vm藉由傳熱進行加熱也可以。 　　[0017] 如上述構成的收容箱31，是使噴出噴嘴32的噴出口32b朝從基板S的Y軸方向一端分離的位置被偏移配置。此情況，噴出口32b及基板S的Y軸方向一端之間的間隔DS，可考慮形成於基板S的薄膜的膜厚的均一性等被適宜設定。且，在真空腔室1內，具備與噴出噴嘴32的噴出口32b接近配置來防止來自該噴出口32b的蒸鍍物質的蒸氣朝向基板S被噴出的朝垂直方向往復動自如的活門板4。活門板4，是來自噴出噴嘴32的蒸鍍物質Vm的噴出成為穩定為止期間，朝圖中由虛線顯示的遮蔽位置移動，噴出若穩定的話，朝圖中由實線所示的噴出位置移動。在這些的兩位置之間將活門板4往復動的驅動手段，因為可以使用公知的構造者，所以在此省略說明。活門板4也朝從基板S的Y軸方向一端分離方向被偏移。活門板4的下端，是朝向收容箱31呈L字狀彎曲。 　　[0018] 依據以上的實施例的話，在收容箱31內將被昇華或是氣化的蒸鍍物質Vm從噴出口32b朝向基板S噴出時，蒸鍍物質Vm也附著、堆積在收容箱31的外表面，即使成為微粒的發生源朝下方落下，因為收容箱31是偏移地配置，所以附著在基板S成為困難。其結果，可以將微粒的影響儘可能地減少。且，加熱手段33，因為是採用了將收容箱31加熱，藉由來自收容箱31的輻射熱將蒸鍍物質Vm加熱的構成，蒸鍍物質Vm即使附著在包含噴出口32b的收容箱31的內面和外面，藉由收容箱31本身被加熱，使蒸鍍物質Vm再度被昇華或是氣化。因此，微粒的發生源形成困難，而有利。且，活門板4是朝從基板S的端部分離方向被偏移，活門板4的下端是朝向收容箱31呈L字狀彎曲較佳。由此，與上述同樣，附著在活門板4的蒸鍍物質即使是成為微粒朝下方落下，也難附著在基板。 　　[0019] 以上，雖說明了本發明的實施例，但是本發明不限定於上述者。在上述實施例中雖說明了，在收容箱31設有複數根噴出噴嘴32的例，但是只有設置一根噴出噴嘴32也可以，且，在收容箱的角部開設圓形或開縫狀的孔，作為此噴出部也可以。 　　[0020] 但是將收容箱31偏移配置的情況，依據基板S的寬度，具有膜厚分布無法大致均一的情況。這種情況，如第3圖所示，在真空腔室1內，可以分別將收容箱31配置在基板S的寬度方向兩側。此情況，將各噴出噴嘴32的孔軸32a適宜地改變配置也可以。且，如第4圖所示，可以將基板S設置在旋轉平台5上，由規定的旋轉數一邊旋轉一邊鍍膜。旋轉平台5，是可以使用：具有將基板S水平保持的板狀的保持部51，馬達等的驅動手段52的旋轉軸53是被連結在此保持部51，藉由驅動手段52將保持部51以旋轉軸53為中心旋轉驅動的公知者。採用這種構成的話，可以改善膜厚分布。 　　[0021] 且為了改善膜厚分布，而將蒸鍍源3或是基板S移動也可以。例如，以在收容箱3是維持對於基板S偏移地配置的狀態，將蒸鍍源3及基板S之間的距離DS變更的方式，將蒸鍍源3及基板S的至少其中任一水平移動也可以。或是將蒸鍍源3上下移動也可以，將蒸鍍源3以在噴出噴嘴32的並設方向（X軸方向）延伸的軸為中心由規定的角度擺動也可以。 　　[0022] 進一步，在上述實施例中雖說明了，被鍍膜物是玻璃基板，藉由基板搬運裝置2將玻璃基板由一定的速度一邊搬運一邊鍍膜的例，但是真空蒸鍍裝置的構成，不限定於上述者。例如，將被鍍膜物作為薄片狀的基材，在驅動滾子及捲取滾子之間一邊由一定的速度將基材移動一邊在基材的單面鍍膜的裝置，本發明也可以適用。且，將被鍍膜物組裝在真空腔室1，在蒸鍍源附設具有公知的構造的驅動手段，對於被鍍膜物將蒸鍍源3一邊相對移動一邊鍍膜者，本發明也可以適用。進一步，雖說明了在收容箱31將噴出噴嘴32一列地設置的例，是複數列設置也可以。

[0023]

DM‧‧‧真空蒸鍍裝置

S‧‧‧基板（被鍍膜物）

Vm‧‧‧蒸鍍物質

1‧‧‧真空腔室

2‧‧‧基板搬運裝置（保持部、移動手段）

3‧‧‧蒸鍍源

4‧‧‧活門板

5‧‧‧旋轉平台

21‧‧‧載體

31‧‧‧收容箱

31a‧‧‧容器

32‧‧‧噴出噴嘴（噴出部）

32a‧‧‧孔軸

32b‧‧‧噴出口

33‧‧‧電熱線（加熱手段）

51‧‧‧保持部

52‧‧‧驅動手段

53‧‧‧旋轉軸（軸）

[0012] 　　[第1圖] 說明本發明的真空蒸鍍裝置的實施例，一部分為剖面視的部分立體圖。 　　[第2圖] 說明基板及蒸鍍源的配置關係的圖。 　　[第3圖] 說明蒸鍍源的變形例的圖。 　　[第4圖] 說明真空蒸鍍裝置的變形例的圖。

Claims (6)

1. 一種真空蒸鍍裝置， 　　是具備被配置於真空腔室內的蒸鍍源，蒸鍍源是具有：收容蒸鍍物質的收容箱、及將蒸鍍物質加熱昇華或是氣化的加熱手段，其特徵為： 　　在收容箱，設有將被昇華或是氣化的蒸鍍物質的蒸氣噴出的噴出部，噴出部是位於比真空腔室內的被鍍膜物更垂直方向上方， 　　噴出部，是具有對於垂直方向傾斜向下的噴出口，使蒸鍍物質的蒸氣從該噴出口朝向被鍍膜物被噴出，收容箱是朝從被鍍膜物的端部分離的位置偏移地配置。
2. 如申請專利範圍第1項的真空蒸鍍裝置，其中， 　　前述加熱手段，是將前述收容箱加熱，藉由來自該收容箱的輻射熱將蒸鍍物質加熱。
3. 如申請專利範圍第1或2項的真空蒸鍍裝置，其中， 　　具備與前述噴出口接近配置來防止來自該噴出口的蒸鍍物質的蒸氣朝向被鍍膜物被噴出的朝垂直方向往復動自如的活門板，活門板是朝從被鍍膜物的端部分離方向偏移地配置。
4. 如申請專利範圍第1至3項中任一項的真空蒸鍍裝置，其中， 　　具有將被鍍膜物水平保持的保持部。
5. 如申請專利範圍第4項的真空蒸鍍裝置，其中， 　　進一步具有將前述保持部以垂直方向的軸為中心旋轉驅動的驅動手段。
6. 如申請專利範圍第1至5項中任一項的真空蒸鍍裝置，其中， 　　被鍍膜物是在一方向長的基板，藉由移動手段將基板對於前述蒸鍍源朝真空腔室內的一方向一邊相對移動一邊鍍膜， 　　將對於蒸鍍源的基板的相對移動方向設成X軸方向，將與X軸方向垂直交叉的基板的寬度方向設成Y軸方向，在前述收容箱，噴出部是在Y軸方向由規定的間隔被列設。