TW201812287A - 用於偵測透明片中的表面缺陷的光學偵測系統及方法 - Google Patents

Abstract

用於光學檢測透明片的表面缺陷並區分表面缺陷及微粒的系統及方法包括捕捉透明片之區域的明場或暗場偵測器相機影像。偵測器相機影像包括不能單獨與偵測器相機影像區分的缺陷影像及微粒影像。捕捉透明片之相同區域的微粒相機影像。微粒相機影像僅具有微粒影像。將缺陷相機影像及微粒相機影像進行比較，以將偵測器相機影像中的缺陷影像與微粒影像區分開來。可使用兩個偵測器相機影像來確定缺陷影像之間的偏移，該偏移揭示了給定的缺陷係位於透明片的上表面上還是下表面上。可使用紋影成像來確定缺陷為凹陷(dimple)還是凸丘(pimple)。

Description

用於偵測透明片中的表面缺陷的光學偵測系統及方法

根據專利法關於優先權之相關規定，本申請案主張2016年9月8日申請之美國臨時申請案號第62/384,842號的優先權權益，且依賴該臨時申請案之內容並藉由引用將該臨時申請案全部內容併入本文中。

本申請案涉及光學檢測；具體來說，係涉及用於偵測透明片中之表面缺陷的光學檢測系統及方法。

透明片係用於各種不同的裝置應用中，該等裝置應用包括用於顯示器及面板(如LCD(液晶顯示器)面板)的保護蓋。此類裝置及面板正變得越來越薄及(重量)輕，並要求做為保護蓋的透明片亦要越來越薄及(重量)輕。

用於顯示器或面板的典型透明片係使用玻璃基板製成。可使用化學製程(例如，蝕刻及拋光)使原始或起始玻璃基板變薄，以達到最終玻璃基板的期望厚度(例如，0.1mm至0.7mm)。在蝕刻製程中，可在玻璃表面之中或之上形成凹點(凹槽)及凸點(突起)形式的缺陷(亦分別被稱為「凹陷」及「凸丘」)。典型的缺陷之橫向延伸範圍可從10微米到幾毫米，且該等缺陷之典型的垂直尺寸(即，深度或高度)可大到四分之一微米。在基於LCD的裝置中可看到此種缺陷，因此需檢測化學變薄之玻璃基板的表面缺陷，以便能將該等表面缺陷移除。

目前，是使用手動方法來檢測透明片的缺陷。遺憾的是，此類人工檢測是勞動密集的、不一致的且非常耗時的；例如，檢測大生產尺寸的片需要花很多時間。在確定基板的哪一側有缺陷及區分缺陷的性質(即，該等缺陷係凹點還是凸點)方面亦有些困難。在區分表面缺陷及在透明片之表面上的微粒上亦有些困難。

本申請案的一態樣為一種用於檢測具有上表面及下表面的透明片的光學偵測系統。系統包括：缺陷相機系統，相對於該透明片而可操作地佈置該缺陷照相機系統，及該缺陷照相機系統經配置成捕捉該透明片之區域的暗場缺陷相機影像或明場缺陷相機影像，該透明片之該區域在該上表面或該下表面中包括至少一個缺陷及在該上表面或該下表面上包括至少一個微粒，其中該缺陷相機影像包括由該至少一個微粒及該至少一個缺陷限定的影像特徵；微粒相機系統，相對於該透明片而可操作地佈置該微粒相機系統，及該微粒相機系統經配置成捕捉該區域的微粒相機影像，其中該微粒相機影像包括該至少一個微粒的影像且不包括該至少一個缺陷的影像；及控制器，該控制器可操作地耦合至該缺陷相機系統及該微粒相機系統，該控制器經配置為接收及比較該缺陷相機影像及該微粒相機影像，以確定該缺陷相機影像的該等影像特徵中的哪些影像特徵由該至少一個缺陷限定及哪些影像特徵由該至少一個微粒限定。

本申請案的另一態樣為上述的光學偵測系統，其中該缺陷相機系統包括：第一缺陷相機及第二缺陷相機，該第一缺陷相機及該第二缺陷相機具有相應的第一相機軸及第二相機軸，該各自的第一相機軸及第二相機軸具有相對於該透明片的該上表面及該下表面的不同角度，及該第一缺陷相機及該第二缺陷相機相對於第一準直光源及第二準直光源而分別可操作地佈置；該第一缺陷相機及該第二缺陷相機具有相應的第一影像感測器及第二影像感測器，該第一影像感測器及該第二影像感測器相應地捕捉該區域的第一缺陷相機影像及第二缺陷相機影像，及該第一影像感測器及該第二影像感測器相應地電耦合至該控制器；及其中該控制器經配置為處理該第一缺陷相機影像及該第二缺陷相機影像以確定該至少一個缺陷是在該透明片的該上表面上還是在該下表面上。

本申請案的另一態樣為上述的光學偵測系統，其中該第一缺陷相機及該第二缺陷相機經佈置成同時捕捉該區域的該第一缺陷相機影像及該第二缺陷相機影像。

本申請案的另一態樣為上述的光學偵測系統，其中該缺陷相機系統及該微粒相機系統能相對於該透明片移動，及經佈置為循序地觀察該透明片的該區域R。

本申請案的另一態樣為如上所述的光學偵測系統，其中該缺陷相機系統及該微粒相機系統各自使用可見光。

本申請案的另一態樣為上述的光學偵測系統，進一步包括經配置成捕捉該區域R之紋影影像的紋影相機系統，其中該紋影影像具有定義該至少一個缺陷為凹陷還是凸丘的影像極性。

本申請案的另一態樣為上述的光學偵測系統，其中該透明片具有在0.2mm至1mm之範圍中的厚度，及該至少一缺陷具有在0.01mm至1mm之範圍中的尺寸。

本申請案的另一態樣為上述的光學偵測系統，其中該缺陷相機系統經配置為以反射模式操作。

本申請案的另一態樣為上述的光學偵測系統，其中該缺陷相機系統具有暗場離軸配置。

本申請案的另一態樣為一光學檢測透明片的方法，該透明片包括相對的上表面和下表面及在該上表面或該下表面中之至少一者上具有至少一個缺陷及在該上表面或該下表面中之至少一者上具有至少一個微粒的區域。方法包括以下步驟：捕捉該區域的至少一個缺陷相機影像，其中該缺陷相機影像包括暗場影像或明場影像且包括影像特徵，該等影像特徵包括位於該區域內的至少一個微粒的第一微粒影像及位於該區域內的該至少一個缺陷的第一缺陷影像，及其中該暗場影像的該第一微粒影像及該第一缺陷影像不能彼此區分；捕捉該區域的一微粒相機影像，該微粒相機影像包括位於該區域內之該至少一個微粒的第二微粒影像且不包括位於該區域內之該至少一個缺陷的第二缺陷影像；及比較該至少一個缺陷相機影像及微粒相機影像以區分該缺陷相機影像的該等特徵中哪個為該第一缺陷影像及哪個是該第一微粒影像。

本申請案的另一態樣為上述方法，其中捕捉該至少一個缺陷相機影像之步驟包括以下步驟：相對於該透明片之該上表面以不同的角度來捕捉該區域的第一暗場缺陷相機影像及第二暗場缺陷相機影像，及測量該第一暗場缺陷相機影像及該第二暗場缺陷相機影像中之第一缺陷影像及第二缺陷影像間的偏移，以確定該至少一個缺陷係在該透明片的該上表面上還是該下表面上。

本申請案的另一態樣為上述方法，其中捕捉該至少一個缺陷相機影像之步驟包括以下步驟：相對於該透明片之該上表面以不同的角度來捕捉該區域的第一暗場缺陷相機影像及第二暗場缺陷相機影像，及執行三角測量以確定該至少一個缺陷係在該透明片的該上表面上還是該下表面上。

本申請案的另一態樣為上述方法，並進一步包括以下步驟:捕捉該至少一個缺陷的紋影影像，以確定該至少一個缺陷是凹陷還是凸丘。

本申請案的另一態樣為上述方法，並進一步包括以下步驟:同時捕捉該區域的該至少一個缺陷相機影像及該微粒相機影像。

本申請案的另一態樣為上述方法，並進一步包括以下步驟:循序捕捉該區域的該至少一個缺陷相機影像及該微粒相機影像。

本申請案的另一態樣為上述方法，其中該比較動作係在基於體現於非暫態電腦可讀取媒體中之指令之控制器中執行。

本申請案的另一態樣為上述方法，其中該至少一個缺陷具有在0.01mm至1mm的範圍內的尺寸。

本申請案的另一態樣為上述方法，其中該透明片由玻璃製成且具有0.2mm至1mm之範圍內的厚度。

本申請案的另一態樣為一光學檢測透明片的方法，該透明片包括相對的上表面和下表面及在該上表面上或該下表面上具有缺陷及在該上表面上或該下表面上具有微粒的區域。方法包括以下步驟：捕捉該區域之至少一個暗場影像，其中該至少一個暗場影像包括該微粒的第一微粒影像及該缺陷的第一缺陷影像，其中該至少一個暗場影像之該第一微粒影像及該第一缺陷影像不能彼此區分；捕捉該區域的習用影像，其中該習用影像僅包括第二微粒影像且不包括該缺陷的第二缺陷影像；及使用該習用影像來區分該至少一個暗場影像之該第一缺陷影像及該第一微粒影像。

本申請案的另一態樣為上述方法，其中該捕捉該至少一個暗場影像之步驟包括以下步驟：捕捉該區域之分別包括第一缺陷影像和第二缺陷影像的第一暗場影像和第二暗場影像，及進一步包括以下步驟：使用該第一暗場影像及該第二暗場影像，以藉由測量該第一缺陷圖影像及該第二缺陷影像之間的偏移來確定該缺陷是位於該透明片的該上表面上還是該下表面上。

本申請案的另一態樣為上述方法，其中使用該第一暗場影像及該第二暗場影像來確定該缺陷是位於該透明片的該上表面上還是該下表面上之步驟包括以下步驟：執行三角測量。

本申請案的另一態樣為上述方法，並進一步包括以下步驟：捕捉該缺陷的紋影影像以確定該缺陷是凹陷還是凸丘。

額外特徵及優勢經闡述於下文[實施方式]中，及對於所屬技術領域中具有通常知識者而言部分額外特徵及優勢在說明書中將為顯而易見的，或藉由實施在書面描述、其申請專利範圍及附加圖式中描述的實施例而瞭解該等部分附加的特徵及優勢。應瞭解的是，前文的整體描述及下文[實施方式]僅為示例性，其意欲提供理解申請專利範圍之性質及特徵的概述或架構。

現在將參考本申請案之各種實施例的細節，該等實施例之實例於附加圖式中示出。儘可能地在整篇附加圖式中使用相同或類似的元件符號來表示相同或類似的部分。附加圖式並不需按比例，及所屬技術領域中具有通常知識者將瞭解已簡化該等附加圖式以指示本申請案的關鍵態樣。

如下所述之申請專利範圍經併入且構成[實施方式]的一部分。

在一些附圖中，為了參考而示出了笛卡爾坐標，其並不意欲為方向或取向的限制。

術語「代表性的影像」及「影像的表示」等類似術語係指非實際獲取影像及用來以黑白描繪實際影像之相關特徵的影像，以便於說明與論述。

結合微粒相機系統及微粒相機使用的術語「習用成像」意味著成像過程為標準數位相機的成像過程，其並不包括使成像過程成為明場、暗場及紋影等的修改。

術語「缺陷相機影像」為由缺陷相機系統的缺陷相機所捕捉的影像。

術語「缺陷影像」為缺陷相機影像的一部分，缺陷相機影像包括缺陷的影像；即，對應於透明片中之缺陷的偵測相機影像中的特徵。

透明基板及表面缺陷

圖1A為使用本文所述的光學偵測系統及方法檢查表面特徵的示例性透明基板20的立面圖。透明基板20具有主體21，該主體21具有平坦的上表面22及平坦的下表面24，上表面和下表面基本上平行及定義厚度TH。因此，透明基板20為薄片形式，並因此在下文中稱為「透明片」。

透明片20亦包括一或更多個邊緣26，對於示例性的矩形片示出了四個此類邊緣。亦在圖1A中示出透明片20的區域R。在實例中，透明片20的光學檢測在多個區域R上進行，如下所述。

在實例中，透明片由玻璃製成。在另一實例中，透明片由玻璃以外的材料(例如，塑料及丙烯酸等)製成。示例性的玻璃可為化學強化玻璃或非化學強化玻璃。玻璃可為含鹼玻璃或無鹼玻璃。在實例中，透明片20從經受基於化學之薄化製程的玻璃基板開始製成。在實例中，厚度TH基本上是恆定的且在0.1mm至5mm的範圍內，而在一些情況中，厚度TH在0.2mm至1mm的範圍內。

圖1B及圖1C是透明片20的示例性區域R之x-z平面中的特寫截面圖，圖1B及圖1C示出了兩種不同類型的表面缺陷30；即，凹槽或凹陷30D（圖1B）及突起或凸丘30P(圖1C)。在實例中，凹陷30D具有寬度尺寸w1及深度尺寸d1，而凸丘30P具有寬度尺寸w2及高度尺寸h2。圖1B亦示出了位於上表面22上的微粒32的實例。如下文所論述地，本申請案的一態樣包括區分微粒32及表面缺陷30，及確定給定缺陷是位於上表面22還是下表面24。注意到，即使下表面22朝下，微粒32亦可位於下表面22上(例如，由於靜電效應)。

圖1D及圖1E為透明片20的一部分的俯視圖，圖1D及圖1E示出了上表面22上之示例性表面缺陷30及示例性的1mm參考標尺。圖1D示出了孤立的圓形表面缺陷30(左下角)、孤立的長形表面缺陷(右側)及表面缺陷群集(左上角)的實例。圖1E示出了線性表面缺陷30(頂部)及不規則形狀的表面缺陷(下部)的實例。如圖1D及圖1E所示的表面缺陷30可為凹陷30D、凸丘30P或上述組合。

在實例中，寬度尺寸w1及寬度尺寸w2和深度尺寸d1及高度尺寸h2在從大約10微米(0.01mm)至大約1mm的範圍內。在實例中，寬度尺寸w1及寬度尺寸w2和深度尺寸d1及高度尺寸h2為給定缺陷的最大尺寸。舉例而言(非限制性)，展示了圖1D及圖1E中的1mm參考標尺。

光學偵測系統

圖2為用於偵測透明片20上的表面缺陷30的示例性光學偵測系統(「系統」)100的示意性側視圖。透明片20藉由支撐裝置106而可操作地支撐於系統100內，該支撐裝置106在實例中是可移動的(例如，可移動的支撐臺)。系統100包括經佈置在下表面24附近的照明系統110及經佈置在上表面22附近的偵測系統210。系統100亦包括控制器104，該控制器104可操作地耦合至偵測系統210且可選地耦合至照明系統110並可選地耦合至基板支撐件裝置106。控制器104可為微控制器及電腦等，該微控制器及電腦等可基於體現於非暫態電腦可讀取媒體中之指令(例如，軟體及韌體等)來執行影像處理。因此，在實例中，控制器104經程式化為執行本文所述之功能以執行本文所揭露的方法。如本文所使用地，術語「控制器」不僅限於本領域中被稱為電腦的彼等積體電路，而是廣泛地指電腦、處理器、微控制器、微型電腦、可程式化邏輯控制器、專用積體電路及其他可程式化電路。

照明系統110包括沿第一軸A1發射準直光122的準直光源120及大致沿第二軸A2發射非準直光132的非準直光源130，其中軸A1及軸A2一般在z方向運行。在實例中，準直光源120及非準直光源130由第一可移動支撐構件140(例如，可移動臺)可操作地支撐。

圖3A為示例性準直光源120的側視圖，該示例準直光源120包括如一或更多個發光二極體(LED)的一或更多個發光器121。在實例中，一或更多個發光器121以可見光波長發射非準直光122'，示例性波長係在藍色範圍內(例如450至495nm)。準直光源120亦可包括準直光學系統125，該準直光學系統125接收由一或更多個發光器121發射的發散光122'且形成準直光122。準直光源120亦可包括設置在一或更多個發光器121及準直光學系統135間的孔126，以改善準直光122的準直度。

圖3B為以寬角度範圍發射非準直光132之平面背光131形式的示例性非準直光源130的側視圖。此種背光的實例為基於LED的泛光燈。在實例中，非準直光132是可見光。

再次參考圖2，系統100亦包括沿著第二軸A2及相鄰上表面22佈置的微粒相機330，及該系統100包括沿著第一軸A1及相鄰上表面22佈置的缺陷相機430。準直光源120及缺陷相機430限定缺陷相機系統431，而非準直光源130及微粒相機330定義微粒相機系統331。缺陷相機系統431經配置為偵測缺陷30及微粒32兩者，而微粒相機系統331經配置為僅偵測微粒32。在實例中，缺陷相機系統431使用(如在標準數位相機中使用的)習用成像來操作。

在實例中，缺陷相機430及微粒相機330由第二可移動支撐構件240(例如，可移動臺或可移動機架)可操作地支撐。在實例中，第一可移動支撐構件140及第二可移動支撐構件240為單一整合式可移動支撐構件或組件的不同部分。在實例中，第一可移動支撐構件140及第二可移動支撐構件240同步地移動，使得缺陷相機430及準直光源120保持該缺陷相機430及該準直光源120的相對及沿著軸A1可操作對齊，而微粒相機330及非準直光源130保持該微粒相機330及該非準直光源130的相對及沿著軸A2可操作對齊。

在實例中，第一可移動支撐構件140及第二可移動支撐構件240經配置為使得準直光122穿過透明片20的第一區域R1並由缺陷相機430接收，而非準直光232穿過透明片的第二區域R2並由微粒相機330接收。第一區域R1及第二區域R2間隔開來，且該等區域包括缺陷30可位於其中的上表面22和下表面24的相應部分。在實例中，缺陷相機430及微粒330具有基本上相同的放大率，及第一區域R1和第二區域R2具有基本上相同的尺寸。

(例如，藉由控制器104)可協調第一可移動臺140及第二可移動臺240的移動，以覆蓋整個(或基本上整個)透明片20。在一實例中，此事係藉由使缺陷相機430及微粒相機330在掃描過程中的不同時間處捕捉透明片之所有區域R的相應的缺陷相機影像及微粒相機影像來完成。因此，在實例中，透明片的區域R由缺陷相機430及微粒相機330循序成像。

如下文所論述地，接著，由缺陷相機430及微粒相機330所捕捉之相同區域R的影像被對齊及比較。此外，基板支撐裝置106亦可為可移動的，以協助相對於缺陷相機系統431及微粒相機系統331掃描透明片20。在另一實例中，基板支撐裝置106可移動，而第一支撐構件140及第二支撐構件240保持靜止。

微粒相機系統

圖4為包括單個微粒相機330的示例性微粒相機系統331的示意圖。在實例中，微粒相機330為數位相機的形式，該數位相機包括沿著軸A2的成像光學系統334及影像感測器340。影像感測器340經配置為捕捉由成像光學系統334形成之透明片20的第二區域R2的影像(「微粒相機影像」)，該成像光學系統334可包括一或更多個透鏡元件。如特寫圖所示，影像感測器340由像素342的陣列限定。在實例中，微粒相機330能分辨尺寸為5微米的微粒32；即，解析度為5微米/每像素142。取決於需要被偵測到之微粒32的最小尺寸，亦可使用其他解析度。影像感測器340接收微粒相機影像並形成定義電子或數位微粒相機影像的電子微粒影像信號SP1。

在實例中，影像感測器340經電耦合至數位影像處理器350，該數位影像處理器350自影像感測器接收電子微粒影像信號SP1並執行一或更多個影像處理步驟(例如，濾波及格式化等)，以產生經處理的電子微粒影像信號SP2，該電子微粒影像信號SP2經發送至控制器104。

微粒相機330亦可包括電耦合至影像感測器340、數位影像處理器350及相對於成像光學系統334可操作地佈置的透鏡驅動器360的微控制器356。透鏡驅動器360可用於控制成像光學系統334的軸向移動，(例如)以調整焦點。

缺陷相機系統

圖5A為具有暗場配置並因此在暗場模式下操作的示例性缺陷相機系統431的示意圖。缺陷相機系統431的缺陷相機430具有相機軸AC；沿著該相機軸AC有聚光透鏡432、佈置在孔平面AP處的暗場孔434及佈置在暗場影像面DIP處的影像感測器440。在實例中，影像感測器440包括像素442的陣列(如特寫圖中所示)。在圖5A的實例中，相機軸AC與第一軸A1同軸。暗場孔434包括由光學透射部分438所包圍的中央遮蔽物436(如特寫圖所示)。

在實例中，缺陷相機430的影像感測器440電耦合至數位影像處理器450，該數位影像處理器450自影像感測器接收電子缺陷影像信號SD1並執行一或更多個影像處理步驟(例如，濾波及格式化等)並產生經發送至控制器104之經處理的電子缺陷影像信號SD2。在實例中，數位影像處理器450電耦合至微控制器456。

在缺陷相機430的操作中，來自準直光源120的準直光122沿著軸A1的方向穿過透明板20的下表面24及上表面22且穿過本體21。一些準直光222與缺陷30相互作用，從而形成偏轉光122D。聚光透鏡432接收(收集)準直光122及偏轉光122D。聚光透鏡432將準直光122引導至孔徑平面AP處的相機軸AC上的聚焦位置FP。經聚焦的準直光122因此被暗場孔434的中央遮蔽物436遮擋，因而不會到達影像感測器440。

由聚光透鏡432接收到的偏轉光122D由於其軌跡已被缺陷30改變故未被聚焦透鏡432聚焦在聚焦位置FP處。偏轉光122D繞過暗場孔434的中央遮蔽物436且透射穿過透射部分438。接著，此光入射至影像感測器440上，其中它形成了缺陷30的暗場影像(「缺陷相機影像」)。接著，缺陷相機影像經轉換成在電子缺陷影像信號SD1及SD2中體現的數位缺陷相機影像。圖5A中所示的缺陷30為凹陷缺陷30D，但在用於凸丘缺陷30P的此暗場實施方式中獲得了相似結果。

圖5B類似於圖5A，及圖5B示出了其中缺陷相機410具有明場配置的示例性實施例。明場配置由佈置在孔平面AP處的明場孔436限定。明場孔436包括中心(即，同軸)光學透射部分437及外部非透射(即，光阻)部分438。在實例中，明場孔436為可調節虹膜形式。中心透射部分437允許經聚焦光122通過並由影像感測器440偵測，而重定向光122D被外部非透射部分438阻擋。圖5B中所示的缺陷30為凹陷缺陷30D，但在用於凸丘缺陷30P的此明場實施方式中獲得了相似結果。影像感測器440位於明場影像平面BIP中。

圖5C為缺陷相機系統431的示例性反射配置(從而其以反射模式進行操作)的示意圖。準直光源120與缺陷相機430位於透明板10的同一側，及準直光122與缺陷相機430的光軸A1正交發射。分光鏡127經設置為使得該分光鏡127反射準直光122垂直地朝向透明片20的上表面22。準直光122接著被透明片20的上表面22反射以形成經反射的準直光122R，同時還形成朝向缺陷相機430傳播的經偏轉的準直光122D。經反射的準直光122R及經偏轉的準直光122D在其朝缺陷相機430行進時穿過分光鏡127。接著，由缺陷相機430接收經反射的準直光122R及經偏轉的準直光122D，及導致生成如上所述的電子缺陷影像信號SD1及SD2。與圖5A及圖5B的透射模式配置相比，圖5C的缺陷相機系統能夠偵測到透明體10之上表面22上的較小表面斜率變化。

圖5D為與圖5A類似的示意圖，並示出了用於缺陷相機系統431之替代的離軸暗場配置的實例。在一些情況中，準直光122及經偏轉的準直光122D可在成像透鏡432的表面之間反射多次，及導致雜散光461到達缺陷相機成像平面DIP。若雜散光461到達成像感測器440，則將會增加背景強度及降低缺陷30D的明場影像的對比度。

為了減少雜散光461的影響，準直光源120可相對於軸A1傾斜(即，遠離垂直)一個小角度，同時亦將暗場孔434的中央遮蔽物436移動成離軸。在此種傾斜或離軸配置中，暗場孔434仍可阻擋背景準直光122，同時使大部分經偏轉的準直光122D形成影像。類似地，至少大部分的雜散光461被暗場孔434移位及/或阻擋，使得雜散光基本上不改變缺陷影像的背景強度。圖5D頂部處的特寫圖展示了一些散射光461可如何到達缺陷相機影像平面DIP但卻落在影像感測器440外部的實例。

儘管具有暗場成像配置或明場成像配置的缺陷相機系統431擅於偵測缺陷30及微粒32，但通常難以區分給定缺陷相機影像內的缺陷影像及微粒影像。換句話說，基於單獨檢驗缺陷相機影像，缺陷影像及微粒影像可為不可區分的。因此，微粒相機系統331被用於捕捉第二影像(即，微粒相機影像)，以幫助區分在缺陷相機影像中捕捉的缺陷影像及微粒影像。

示例性的操作方法

參考圖6A及圖6B，在系統100的示例性操作方法中，使用缺陷相機系統431及微粒相機系統331來捕捉透明基板20之所選區域R的相應的缺陷相機影像IMD(圖6A)及微粒相機影像IMP(圖6B)。控制器104可用於追蹤缺陷相機影像IMD及微粒相機影像IMP，並將該等影像匹配至透明基板的區域R。缺陷相機系統431的明場配置或暗場配置使得該缺陷相機系統431不僅能夠偵測微粒32，還能夠偵測到凹陷30D及凸丘30P。 另一方面，微粒相機系統230的習用成像配置使該微粒相機系統230僅能夠偵測微粒32。因此，對於包括微粒32及缺陷30兩者之基板20的給定區域的微粒相機影像IMP而言，在微粒相機影像中將不存在缺陷的影像。

圖6A為透明片20的選擇區域R的示例性暗場缺陷相機影像IMD的呈現，且該示例性暗場缺陷相機影像IMD包括尚未被識別為由微粒32引起的微粒影像32'或由缺陷30引起的缺陷影像30'的影像特徵F。圖6B為相同的選擇區域R的代表性的微粒相機影像IMP，及該代表性的微粒相機影像IMP包括因微粒相機330僅偵測到微粒30而被肯定地識別為微粒影像32'的影像特徵F。注意到因微粒32散射及/或吸收非準直光132，故微粒影像32'經展示為另一明場中的黑點。在實際的微粒相機影像IMP中，微粒影像32'可呈現為成像波長或波長帶的各種陰影(包括黑色)。

圖6C為作為(例如，在控制器104中執行之)影像處理步驟的結果的最終影像IMF，其中圖6B的代表性的微粒相機影像IMP與圖6A的代表性缺陷相機影像IMD進行比較(例如，自圖6A的代表性缺陷相機影像IMD減去圖6B的代表性的微粒相機影像IMP)。可將影像處理操作描述為IMF = IMP - IMD。在實例中，缺陷相機430及微粒相機330具有相同數量的像素442及342，並使用每個像素的相應影像強度而基於逐像素來進行減法運算或比較運算。在像素數及像素尺寸不同的情況下，控制器104可用於執行像素平均及影像尺寸調整，以執行適當的影像處理。

缺陷相機影像IMD及微粒相機影像IMP的比較允許微粒相機影像IMD中的影像特徵F被肯定地識別為由缺陷30引起的缺陷影像30'或由微粒32引起的微粒影像32'。

具有兩個缺陷相機的光學檢查系統

圖7A為缺陷相機系統431的示例性配置的示意圖，該缺陷相機系統431包括分別捕捉在透明片20的各個成像區域R1a及R1b上之第一缺陷相機影像IMDa及第二缺陷相機影像IMDb的兩個(即，第一及第二)缺陷相機430a及缺陷相機430b(見圖8A及圖8B，於下文介紹及論述)。兩個缺陷相機430a及430b具有沿著各自的系統軸A1a和A1b有各自的相機軸ACa及ACb。在實例中，相機軸ACa及相機軸ACb相對於上表面22的表面法線N以各自的軸角度-θa及+θb取向，其中從表面法線順時針測量正角。在實例中，|θa| = |θb|但θa≠θb(其中「| x |」表示x的絕對值)。

可從表面法線N之外的一些其他方便的參考線或表面來測量軸角θa和θb；例如，從平面上表面22測量。軸角θa和θb之大小的示例性範圍在10度及60度之間；30度是θa和θb兩者的示例性角度大小。控制器104可用來儲存第一缺陷相機影像IMDa及第二缺陷相機影像IMDa和IMDb、及該等影像各自的成像區域R1a及R1b，並如下所述地對齊及比較影像。

圖7B類似於圖7A，及圖7B示出了示例性缺陷相機系統431，其中兩個缺陷相機430a和430b各自同時觀察相同的成像區域R，而並非同時觀察不同的成像區域R1a及R1b（如圖7A所示）。圖7B的兩個缺陷相機430a和430b的配置避免了考慮不同成像區域R1a及R1b間之偏移的需要。第一缺陷相機430a及第二缺陷相機430b分別與對應的準直光源120a及120b相關聯，及該等準直光源120a及準直光源120b分別引導準直光122a及122b系統軸A1a及A1b。

在實例中，兩個缺陷相機420a及420b的配置使得當兩個缺陷相機影像IMDa和IMDb對準時，上表面22上之給定缺陷30的兩個影像(分別表示為30a'及30b'，且被稱為「缺陷影像」)將基本上重疊。在圖7A及圖7B的每個實施例中，兩個缺陷相機430a和430b以不同的角度觀察相同的成像區域R，及圖7B的配置同時如此做。此允許光學偵測系統100確定給定缺陷30位於3D空間中的哪個位置；特別是，確定給定缺陷係位於上表面22上還是下表面24上。

在實例中，此確定步驟包括以下步驟：基於本領域中已知的三角測量技術，(例如，使用控制器104)來執行三角測量計算。在實例中，兩個缺陷相機影像被用來建立成像區域R的立體影像。在實例中，基於透明片20的厚度TH及缺陷30的預期尺寸範圍來選擇兩個缺陷相機420a和420b的配置，使得上述計算可充分地決定給定缺陷30的表面位置；即，可確定給定缺陷是位於透明片20的上表面22上還是下表面24上。

圖7C為透明基板20的下表面24上的示例性缺陷30的特寫圖，該特寫圖示出了缺陷相機影像如何能取決於缺陷所在的表面來顯示缺陷影像中之偏移的實例。圖7C示出了下表面24上的缺陷30，及亦示出了上表面22上的缺陷的突起30'及30''。注意到，相機軸ACa及ACb在下表面24處交叉。整個（中心至中心）投影影像30'及30''的間隔S由S = 2·dx給出，其中dx = TH·Tan(Asin(Sin(θ)/ n))，其中在|θa| = |θb| =θ的情況下，n為玻璃的折射率，及其中「Asin」表示「反正弦」。

對於具有直徑d = 0.5mm的缺陷30、及對於透明片厚度TH = 0.7mm、及對於玻璃的折射率n = 1.5及角度θ= 30度來說，分離S=2·(0.7 mm)∙(Tan(Asin(Sin(30)/1.5)))〜0.5mm，該分離S與0.5mm的缺陷直徑d相似。此允許當缺陷30位於上表面22時容易看見來自缺陷相機430a和430b的兩個影像的分離S。在實例中，選擇兩個缺陷相機420a及420b的配置，使得缺陷影像30'和30''之間的間隔S為至少一半之缺陷影像尺寸(例如，直徑d)；即，S≥d/ 2。

圖8A為由位於上表面22上的示例性環形缺陷30的缺陷相機420a和430b分別捕捉的相機影像30a'和30b'的代表性描繪。兩個相機影像30a'和30b'基本上重疊。圖8B為位於下表面24上的示例性缺陷的兩個相機影像30a'和30b'的類似描繪，及圖8B示出了兩個影像如何基本上被(中心至中心)間隔S所隔開。此結果獲得如圖7B所示之缺陷相機430a和430b的配置，其中相機軸ACa及ACb與上表面22在與給定成像區域R(或圖7A的區域R1a及R1b)相同的位置處相交。

亦可使用兩個缺陷相機420a和420b的其他配置。例如，若第一相機軸A1a及第二相機軸A1b在下表面24處交叉(如圖7C所示)，則上表面22上的給定缺陷30的影像將基本上移位，而下表面24上的給定缺陷的影像將基本上重疊。若第一相機軸A1a及第二相機軸A1b在上表面22和下表面24之間的位置處交叉，則上表面22上的給定缺陷30的影像將基本上沿一方向移位，而下表面24上的給定缺陷30的影像將在相反的方向上移動相同量。因此，在實例中，如自兩個缺陷相機影像IMDa及IMDb所確定地，缺陷偵測系統431的雙相機實施例可用來以缺陷影像30'及30''中的偏移量來確定給定缺陷30的表面位置(即，上表面或下表面)。

區分凹陷及凸丘

儘管上述系統及方法可用來區分缺陷30及微粒32及提供位置、尺寸、缺陷位於透明片10的哪一側上及缺陷的形狀等，但該等系統及方法通常不能很好地區分凹陷30D及凸丘30P。

因此，本申請案的一態樣係針對區分凹陷30D及凸丘30P。圖9A類似於圖2，及圖9A示出了示例性光學偵測系統100，該示例性光學偵測系統100另外包括沿著軸A3佈置的紋影相機530及第二準直光源120。紋影相機520及第二準直光源120定義紋影相機系統531。

紋影相機530可操作地佈置在透明片20的上表面22附近，而第二準直光源120可操作地佈置在下表面24附近。在實例中，紋影相機530由第二支撐構件240可操作地支撐，而第二準直光源120由第一支撐構件140可操作地支撐。此佈置允許控制器104串聯移動第一支撐構件140及第二支撐構件240，使得紋影相機系統531可對透明片20的選擇區域R成像。在另一實例中，獨立地支撐及移動紋影相機系統531；例如，紋影相機系統531不機械地連接至第一支撐構件140及第二支撐構件240，且由一個或多個單獨的支撐構件(未示出)支撐。

在實例中，將紋影相機系統531移動至已使用上述系統及方法而經識別為具有至少一個缺陷30之透明片20的成像區域R。如上所述，亦可單獨移動透明基板20或與第一支撐構件140及第二支撐構件240的協調移動結合，以定位紋影相機系統531以觀察透明片20之一或更多個選擇成像區域R。

圖9B為示例性紋影相機系統531的更詳細視圖，圖9B亦示出了具有由紋影相機530觀察的成像區域R3的透明片20的特寫圖。舉例而言，成像區域R3包括凹陷30D形式的示例性缺陷30。紋影相機530包括第一透鏡532A及第二透鏡532B。第一透鏡532A限定紋影孔平面SAP，在該紋影孔平面SAP處可操作地設置有紋影孔534，該紋影孔534包括半圓形刀刃535及半圓形光學透射部分536。

特寫圖11示出了紋影孔534的不同定向。在實例中，特寫圖11表示可被插入至紋影孔平面SAP中(例如，被支撐在滑動或旋轉部件上，未示出)之不同的紋影孔530，或在紋影孔平面內可旋轉(例如，手動或藉由控制器104)的單個紋影孔。將紋影孔530作為強度的截止濾光片，及刀刃535可朝向或遠離軸A3移動，以調整影像對比度。

紋影相機530亦包括可操作地佈置在紋影影像平面SIP處的影像感測器540、電耦合至影像感測器的數位影像處理器550及電耦合至數位影像處理器的微控制器556。數位影像處理器550可電耦合至控制器104，使得可使用控制器儲存、可選地處理及進一步分析由影像感測器540及數位影像處理器550產生的紋影影像。

繼續參考圖9B，在紋影相機系統520的操作中，來自第二準直光源120的準直光122穿過基板20的下表面24及上表面22兩者，及穿過主體21。一些準直光122與缺陷30相互作用，從而形成經偏轉的光122D。第一透鏡532A接收準直光122及經偏轉的光122D。第一透鏡532A將準直光122聚焦至在紋影孔平面SAP處之軸A3上的聚焦位置FP。如上所述，調整(例如，旋轉及平移)紋影孔534以傳遞選定量的聚焦光，以調整影像對比度。

同時，由第一透鏡532A所接收的經偏轉光122D由於其軌跡已被缺陷30改變故未被第一透鏡532A聚焦在聚焦位置FP處。一部分的經偏轉的光122D通過紋影孔534的透射區域536，而另一部分被刀刃535阻擋。因此，偏轉光122D及聚焦光122的部分入射至影像感測器540上，該影像感測器540形成缺陷30的數位紋影影像。此數位影像可由數位影像處理器550進一步處理，接著傳送該數位影像至控制器104。

使用紋影相機系統531獲得的紋影影像可用於藉由檢查缺陷影像之亮區和暗區的影像極性來區分凹陷30D及凸丘30P。圖10A為包括凹陷30D的缺陷影像30D'的紋影影像IMS的示意圖。凹陷影像30D'包括影像右側上的亮區B及影像左側上的暗(陰影)區D。亮區B及暗區D的方向表示影像極性，及該方向由紋影相機530的配置來定義。圖11B為包括更複雜形狀凸丘30P的缺陷影像30P'的實際紋影影像IMS，其中缺陷影像具有與圖11A相同的影像極性。

圖11A及圖11B類似於圖10A及圖10B；圖11A為紋影影像IMS的示意圖，及圖11B為實際的紋影影像，每個影像皆示出了凸丘30P的凸丘影像30P'。圖11B中的凸丘影像30P'係用於比形成圖11A之凸丘影像的簡單說明性凸丘更複雜形狀的凸丘30P。

對於凸丘影像30P'來說，影像偏振與凹陷影像30D'的影像偏振相反；即，亮區B在影像的左側上，而暗區D在影像的左側上。

在實例中，紋影相機530具有比缺陷相機430及微粒相機330更大的放大率，且因而具有更高的解析度。因此，在實例中，缺陷相機系統431及微粒相機系統331被用於執行透明片20之相對低的解析度掃描(「宏觀掃描」)，該相對低的解析度掃描足以從微粒32辨別缺陷30及定位與執行所發現之任何缺陷30的粗略大小測量(並可選地執行粗糙形狀測量)。接著，紋影相機系統531用於重訪在其上偵測到缺陷30之透明片20上的彼等測量位置，並執行更精細的測量(即，執行「微觀重訪」)。例如，如上所述，藉由紋影相機系統531重訪其中的測量位置及缺陷30係允許更接近(即，更高解析度)觀察缺陷30，以將每個缺陷分成凹陷30D或凸丘30P。較高解低度的重訪亦可包括確定(表徵)每個缺陷30的尺寸及形狀，及確認或確定給定缺陷所位於的透明片20的側面。

對於所屬技術領域中具有通常知識者將顯而易見的是，可在不脫離所附申請專利範圍所限定之本案的精神或範疇的情況下，對如本文所述之本案的優選實施例進行各種修改。因此，若修改及變化落入所附申請專利範圍及其等同物之範疇內，則本案包含該等修改及變化。

11‧‧‧特寫圖

20‧‧‧透明基板/透明片

21‧‧‧主體

22‧‧‧上表面

24‧‧‧下表面

26‧‧‧邊緣

30‧‧‧缺陷

30’‧‧‧缺陷影像

30a’‧‧‧缺陷影像

30b’‧‧‧缺陷影像

30D‧‧‧凹陷

30D’‧‧‧凹陷影像

30P‧‧‧凸丘

30P’‧‧‧凸丘影像

32‧‧‧微粒

32’‧‧‧微粒影像

100‧‧‧光學偵測系統

104‧‧‧控制器

106‧‧‧基板支撐件裝置

110‧‧‧照明系統

120‧‧‧準直光源

120a‧‧‧準直光源

120b‧‧‧準直光源

121‧‧‧發光器

122‧‧‧準直光

122a‧‧‧準直光

122b‧‧‧準直光

122'‧‧‧非準直光

122D‧‧‧偏轉光

122R‧‧‧經反射的準直光

125‧‧‧準直光學系統

126‧‧‧孔

127‧‧‧分光鏡

130‧‧‧非準直光源

131‧‧‧背光

132‧‧‧非準直光

135‧‧‧準直光學系統

140‧‧‧第一可移動支撐構件

210‧‧‧偵測系統

240‧‧‧第二可移動支撐構件

330‧‧‧微粒相機

331‧‧‧微粒相機系統

334‧‧‧成像光學系統

340‧‧‧影像感測器

342‧‧‧像素

350‧‧‧數位影像處理器

356‧‧‧微控制器

360‧‧‧透鏡驅動器

420a‧‧‧缺陷相機

420b‧‧‧缺陷相機

430‧‧‧缺陷相機

430a‧‧‧缺陷相機

430b‧‧‧缺陷相機

431‧‧‧缺陷相機系統

432‧‧‧聚光透鏡

434‧‧‧暗場孔

436‧‧‧中央遮蔽物

437‧‧‧透射部分

438‧‧‧透射部分

440‧‧‧影像感測器

442‧‧‧像素

450‧‧‧數位影像處理器

456‧‧‧微控制器

461‧‧‧雜散光

530‧‧‧紋影相機

531‧‧‧紋影相機系統

532A‧‧‧第一透鏡

532B‧‧‧第二透鏡

534‧‧‧紋影孔

535‧‧‧半圓形刀刃

536‧‧‧半圓形光學透射部分

540‧‧‧影像感測器

550‧‧‧數位影像處理器

556‧‧‧微控制器

附加圖式經包含以提供進一步的暸解，且將該等附加圖式併入本說明書中且該等附加圖式構成本說明書的一部分。附加圖式示出了一或更多個實施例，且與[實施方式]一起用來解釋各種實施例的原理及操作。因此，自下文結合附加圖式所進行的[實施方式]中將更全面地瞭解本申請案，在附加圖式中：

圖1A為使用本文所述的光學偵測系統及方法檢查的示例性透明片類型的立面圖；

圖1B為圖1A之透明片的區域的特寫x-z橫截面圖；圖1B示出了在透明片的上表面中之凹陷形式的示例性缺陷及圖示了位於上表面的微粒。

圖1C類似於圖1B，且圖1C示出了透明片的上表面中的凸丘缺陷的實例；

圖1D及圖1E為透明片之自頂至下的特寫圖，該等特寫圖示出了可在透明片的上表面及下表面中形成的不同尺寸及形狀的缺陷；

圖2為根據本申請案之示例性光學偵測系統的示意圖，該示例性光學偵測系統包括缺陷相機系統及微粒相機系統，且圖2示出了可操作地設置在光學偵測系統內的透明片；

圖3A為構成圖2之光學偵測系統的缺陷相機系統的一部分的準直光源之示例性配置的示意性側視圖；

圖3B為構成圖2的微粒相機系統的一部分的示例性非準直光源的示意性側視圖，其中該非準直光源是在寬角度範圍內發射非準直光的平面背光的形式；

圖4為示例性微粒相機系統的示意性側視圖；

圖5A為具有暗場成像配置及在暗場模式中操作的示例性缺陷相機系統的示意性側視圖；

圖5B為具有明場成像配置及在暗場模式中操作的示例性缺陷相機系統的示意性側視圖；

圖5C為具有以反射模式操作之反射成像配置的示例性缺陷相機系統的示意性側視圖；

圖5D為類似於圖5B的示例性缺陷相機系統的示意性側視圖且示出了替代的離軸暗場配置；

圖6A為可由暗場缺陷相機系統獲得的暗場缺陷相機影像的呈現，其中暗場缺陷相機影像顯示尚未被識別為缺陷或微粒的影像特徵；

圖6B為如圖6A所示之透明片之相同區域的微粒相機影像的呈現，及顯示了暗場缺陷相機影像中的一些影像特徵是微粒；

圖6C表示影像處理步驟的結果，該步驟比較圖6B之代表性的微粒相機影像及圖6A之代表性的暗場缺陷相機影像，由此允許缺陷相機影像中的特徵被識別為凹陷或凸丘形式的表面缺陷；

圖7A是示例性缺陷相機系統的示意圖，該缺陷相機系統包括兩個缺陷相機及兩個相對於透明板配置的準直光源，該配置方式係允許確定給定缺陷是位於透明板的上表面上還是下表面上；

圖7B類似於圖7A，及圖7B示出了缺陷相機系統的實施例，其中缺陷相機及對應的準直光源經配置為同時觀察及成像透明片的相同區域；

圖7C為在透明基板的下表面上的示例性缺陷的特寫視圖，及圖7C展示了在上表面上之缺陷的投影的幾何形狀(相機軸在上表面處相交且相機軸角度相等的情況下)，並圖示了當用兩個缺陷相機觀察時如何將缺陷影像間隔開來及接著將如何重疊該等影像；

圖8A為來自圖7A或圖7B的缺陷相機系統的兩個缺陷相機之重疊的代表性缺陷相機影像的視圖，及圖8A示出了兩個環型缺陷影像如何能基本地重疊以指示缺陷位於透明片之上表面上的實例；

圖8B類似於圖8A，及圖8B示出了可如何將兩個環型缺陷影像基本間隔開來，以指示缺陷位於透明片的下表面上的實例；

圖9A類似於圖2，及圖9A示出了包括能用於辨別凹點及凸點(即，凹陷及凸丘)之間的紋影相機系統的光學偵測系統的示例性配置；

圖9B為如在圖9A之光學偵測系統中使用的示例性紋影相機系統的示意性側視圖。

圖10A是代表性的缺陷影像，及圖10B是實際的缺陷影像，其示出了缺陷影像的暗區及亮區的示例性取向，該等區指示缺陷影像係用於凹陷的影像；及

圖11A為代表性的缺陷影像，及圖11B是實際的缺陷影像，其示出了缺陷影像的暗區及亮區的示例性取向，該等區指示缺陷影像係用於凸丘的影像。

國內寄存資訊 (請依寄存機構、日期、號碼順序註記) 無

國外寄存資訊 (請依寄存國家、機構、日期、號碼順序註記) 無

Claims (22)

1. 一種用於檢測具有上表面及下表面的一透明片的光學偵測系統，包括： 一缺陷相機系統，相對於該透明片而可操作地佈置該缺陷照相機系統，及該缺陷照相機系統經配置成捕捉該透明片之一區域的一暗場缺陷相機影像或一明場缺陷相機影像，該透明片之該區域包括在該上表面或該下表面中的至少一個缺陷及在該上表面或該下表面上的至少一個微粒，其中該缺陷相機影像包括由該至少一個微粒及該至少一個缺陷限定的影像特徵；一微粒相機系統，相對於該透明片而可操作地佈置該微粒相機系統，及該微粒相機系統經配置成捕捉該區域的一微粒相機影像，其中該微粒相機影像包括該至少一個微粒的一影像且不包括該至少一個缺陷的一影像；及一控制器，該控制器可操作地耦合至該缺陷相機系統及該微粒相機系統，該控制器經配置為接收及比較該缺陷相機影像及該微粒相機影像，以確定該缺陷相機影像的該等影像特徵中的哪些影像特徵由該至少一個缺陷限定及哪些影像特徵由該至少一個微粒限定。
2. 如請求項1所述之光學偵測系統，其中該缺陷相機系統包括： 一第一缺陷相機及一第二缺陷相機，該第一缺陷相機及該第二缺陷相機具有相應的第一相機軸及第二相機軸，該各自的第一相機軸及第二相機軸具有相對於該透明片的該上表面及該下表面的不同角度，及相對於第一準直光源及第二準直光源而分別可操作地佈置該第一缺陷相機及該第二缺陷相機；該第一缺陷相機及該第二缺陷相機具有相應的第一影像感測器及第二影像感測器，該第一影像感測器及該第二影像感測器相應地捕捉該區域的第一缺陷相機影像及第二缺陷相機影像，及該第一影像感測器及該第二影像感測器相應地電耦合至該控制器；及其中該控制器經配置為處理該第一缺陷相機影像及該第二缺陷相機影像以確定該至少一個缺陷是在該透明片的該上表面上或在該下表面上。
3. 如請求項2所述之光學偵測系統，其中該第一缺陷相機及該第二缺陷相機經佈置成同時捕捉該區域的該第一缺陷相機影像及該第二缺陷相機影像。
4. 如請求項1所述之光學偵測系統，其中該缺陷相機系統及該微粒相機系統能相對於該透明片移動，及經佈置為循序地觀察該透明片的該區域R。
5. 如請求項1所述之光學偵測系統，其中該缺陷相機系統及該微粒相機系統各自使用可見光。
6. 如請求項1所述之光學偵測系統，進一步包括經配置成捕捉該區域R之一紋影影像的一紋影相機系統，其中該紋影影像具有定義該至少一個缺陷為一凹陷還是一凸丘的一影像極性。
7. 如請求項1所述之光學偵測系統，其中該透明片具有在0.2mm至1mm之範圍中的一厚度，及該至少一缺陷具有在0.01mm至1mm之範圍中的一尺寸。
8. 如請求項1所述之光學偵測系統，其中該缺陷相機系統經配置為以一反射模式操作。
9. 如請求項1所述之光學偵測系統，其中該缺陷相機系統具有一暗場離軸配置。
10. 一種光學檢測一透明片的方法，該透明片包括相對的上表面和下表面及具有在該上表面或該下表面中之至少一者上的至少一個缺陷及在該上表面或該下表面中之至少一者上的至少一個微粒的一區域，該方法包括以下步驟： 捕捉該區域的至少一個缺陷相機影像，其中該缺陷相機影像包括一暗場影像或一明場影像且包括影像特徵，該等影像特徵包括位於該區域內的至少一個微粒的一第一微粒影像及位於該區域內的該至少一個缺陷的一第一缺陷影像，及其中該暗場影像的該第一微粒影像及該第一缺陷影像不能彼此區分； 捕捉該區域的一微粒相機影像，該微粒相機影像包括位於該區域內之該至少一個微粒的一第二微粒影像且不包括位於該區域內之該至少一個缺陷的一第二缺陷影像；及 比較該至少一個缺陷相機影像及微粒相機影像以區分該缺陷相機影像的該等特徵中哪個為該第一缺陷影像及哪個是該第一微粒影像。
11. 如請求項10所述之方法，其中捕捉該至少一個缺陷相機影像之步驟包括以下步驟：以相對於該透明片之該上表面不同的角度來捕捉該區域的第一暗場缺陷相機影像及第二暗場缺陷相機影像，及測量該第一暗場缺陷相機影像及該第二暗場缺陷相機影像中之第一缺陷影像及第二缺陷影像間的一偏移，以確定該至少一個缺陷係在該透明片的該上表面上還是該下表面上。
12. 如請求項10所述之方法，其中捕捉該至少一個缺陷相機影像之步驟包括以下步驟：以相對於該透明片之該上表面不同的角度來捕捉該區域的第一暗場缺陷相機影像及第二暗場缺陷相機影像，及執行三角測量以確定該至少一個缺陷係在該透明片的該上表面上還是該下表面上。
13. 如請求項10所述之方法，進一步包括以下步驟:捕捉該至少一個缺陷的一紋影影像，以確定該至少一個缺陷是一凹陷還是一凸丘。
14. 如請求項10所述之方法，進一步包括以下步驟:同時捕捉該區域的該至少一個缺陷相機影像及該微粒相機影像。
15. 如請求項10所述之方法，進一步包括以下步驟:循序捕捉該區域的該至少一個缺陷相機影像及該微粒相機影像。
16. 如請求項10所述之方法，其中該比較動作係在基於體現於一非暫態電腦可讀取媒體中之指令之一控制器中執行。
17. 如請求項10所述之方法，其中該至少一個缺陷具有在0.01mm至1mm的範圍內的一尺寸。
18. 如請求項10所述之方法，其中該透明片由玻璃製成且具有0.2mm至1mm之範圍內的一厚度。
19. 一種光學檢測一透明片的方法，該透明片包括相對的上表面和下表面及具有在該上表面上或該下表面上之一缺陷及在該上表面上或該下表面上之一微粒的一區域，該方法包括以下步驟： 捕捉該區域之至少一個暗場影像，其中該至少一個暗場影像包括該微粒的一第一微粒影像及該缺陷的一第一缺陷影像，其中該至少一個暗場影像之該第一微粒影像及該第一缺陷影像不能彼此區分； 捕捉該區域的一習用影像，其中該習用影像僅包括一第二微粒影像且不包括該缺陷的一第二缺陷影像；及 使用該習用影像來區分該至少一個暗場影像之該第一缺陷影像及該第一微粒影像。
20. 如請求項19所述之方法，其中該捕捉該至少一個暗場影像之步驟包括以下步驟：捕捉該區域之分別包括第一缺陷影像和第二缺陷影像的第一暗場影像和第二暗場影像，及進一步包括以下步驟：使用該第一暗場影像及該第二暗場影像，以藉由測量該第一缺陷圖影像及該第二缺陷影像之間的一偏移來確定該缺陷是位於該透明片的該上表面上還是該下表面上。
21. 如請求項19所述之方法，其中使用該第一暗場影像及該第二暗場影像來確定該缺陷是位於該透明片的該上表面上還是該下表面上之步驟包括以下步驟：執行一三角測量。
22. 如請求項20所述之方法，進一步包括以下步驟：捕捉該缺陷的一紋影影像以確定該缺陷是一凹陷還是一凸丘。