TW201809644A - 基板之缺陷檢查裝置、基板缺陷檢查用之靈敏度參數值的調整方法及記憶媒體 - Google Patents

基板之缺陷檢查裝置、基板缺陷檢查用之靈敏度參數值的調整方法及記憶媒體 Download PDF

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Abstract

可以自動地進行基板之缺陷檢查時所使用之 參數值之調整，並在基板之缺陷檢查時謀求降低檢測出擬似缺陷。
對被選擇之假設檢查用之基板之各畫素 值，使用於調整後使用之基準畫素資料，當各畫素值偏離與其位置對應之容許範圍之時，比較偏離量和調整前之靈敏度參數值。而且，偏離量超越該靈敏度參數值，並且上述偏離量和該靈敏度參數值之差異為臨界值以下之時，將上述偏離量作為新的靈敏度參數值而予以更新。而且，在對上述過去所檢查之複數基板之畫像資料依序進行該操作，同時偏離量之比較對象亦即靈敏度參數值被更新之時，使用被更新之靈敏度參數值，將最後被更新之靈敏度參數值當作調整後之靈敏度參數。

Description

基板之缺陷檢查裝置、基板缺陷檢查用之靈敏度參數值的調整方法及記憶媒體
本發明係關於使用將基板予以攝像而所取得之畫像資料來判斷基板之缺陷的缺陷檢查裝置、基板缺陷檢查用之靈敏度參數值之調整方法及儲存缺陷檢查裝置所使用之電腦程式的記憶媒體。
在半導體裝置之製造工程之一個亦即光微影工程中，對基板亦即半導體晶圓(以下，記載為晶圓)之表面，依序進行藉由光阻之塗佈的光阻膜之形成、該光阻膜之曝光、顯像，而形成光阻圖案。有在形成有該光阻圖案之晶圓之面內之各部，進行判斷有無缺陷之缺陷檢查之情形。該缺陷檢查係根據攝像檢查對象之晶圓而取得之畫像資料，和事先準備之基準畫像資料及多數參數而進行。
雖然實際上無缺陷，但是將在上述檢查中判斷成缺陷之情形設為擬似缺陷。上述參數被要求設定成抑制該擬似缺陷之產生。而且，在形成上述光阻膜的時候，在製造新穎之半導體裝置或提升良率之目的下，例如進行所使用之光阻之材料之變更等之各種處理條件之變更之情 況，或檢查時所使用之照明之光源的亮度變化之情況，有必須改變設定該參數之情形。
但是，因針對上述參數存在多數，故裝置之操作員多次重複參數之變更，和確認由於該變更對檢查之影響的作業，如此反覆試驗及錯誤之結果，花費很多工作量及時間。並且，由於作為適當之參數值之組合，並非一個，故有藉由操作員之熟練度被設定之各參數值不同之情形。即是，藉由設定參數值之操作員之熟練度，有對檢查之精度造成影響，無法充分防止擬似缺陷之虞。雖然專利文獻1係針對基準畫像資料之作成方法予以表示，但是針對上述參數值之設定方法無表示，對於解決該問題並不充分。
[先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本特開2014-115140號公報
本發明係為了解決如此之問題而創作出，其目的在於提供可以自動地進行基板之缺陷檢查時所使用之參數值之調整，在基板之缺陷檢查時可以謀求擬似缺陷之檢測減低的技術。
本發明之基板之檢查裝置對於將檢查對象亦即基板的表面全體予以攝像而所取得之畫像資料之各畫素值，使用使各位置和畫素值之容許範圍對應之基準畫素資料，各畫素值偏離與其位置對應之上述容許範圍之時，比較偏離量和偏離容許量亦即靈敏度參數值，當偏離量超越靈敏度參數值之時，將該基板判斷成缺陷基板，該基板之缺陷檢查裝置之特徵在於：具備：基準畫素資料作成部，其係於上述靈敏度參度值之調整時，作成調整後使用之基準畫素資料；靈敏度參數值之調整部，其係用以調整上述靈敏度參數值；及假設檢查用之基板選擇部，其係用於調整上述靈敏度參數值，從較上述靈敏度參數值之調整時過去所檢查之複數基板中，選擇用以與上述基準畫素資料做比較而進行假設檢查之假設檢查用之複數基板，上述靈敏度參數值之調整部被構成實行：對於被選擇之假設檢查用之基板之各畫素值，使用上述調整後所使用之基準畫素資料，當各畫素值偏離與其位置對應之容許範圍之時，比較偏離量和調整前之靈敏度參數值之步驟，和當偏離量超越該靈敏度參數值，並且上述偏離量和該靈敏度參數值之差異為臨界值以下之時，將上述偏離量作為新的靈敏度參數值而予以更新之步驟，和對上述過去所檢查之複數基板之畫像資料依序進行該操作，同時偏離量之比較對象亦即靈敏度參數值被更新之時，使 用被更新之靈敏度參數值，將最後被更新之靈敏度參數值當作調整後之靈敏度參數而記憶於記憶部之步驟。
本發明之基板缺陷檢查用之靈敏度參數值之調整方法，係調整被使用於缺陷檢查裝置之靈敏度參數值之方法，該缺陷檢查裝置對於將檢查對象亦即基板的表面全體予以攝像而所取得之畫像資料之各畫素值，使用使各位置和畫素值之容許範圍對應之基準畫素資料，各畫素值偏離與其位置對應之上述容許範圍之時，比較偏離量和偏離容許量亦即靈敏度參數值，當偏離量超越靈敏度參數值之時，將該基板判斷成缺陷基板，該方法之特徵在於包含：於上述靈敏度參度值之調整時，作成調整後使用之基準畫素資料之工程；調整上述靈敏度參數值之工程；用於調整上述靈敏度參數值，從較上述靈敏度參數值之調整時過去所檢查之複數基板中，選擇用以與上述基準畫素資料做比較而進行假設檢查之假設檢查用之基板的工程；對被選擇之假設檢查用之基板之各畫素值，使用於上述調整後使用之基準畫素資料，當各畫素值偏離與其位置對應之容許範圍之時，比較偏離量和調整前之靈敏度參數值之工程；偏離量超越該靈敏度參數值，並且上述偏離量和該靈敏度參數值之差異為臨界值以下之時，將上述偏離量作為 新的靈敏度參數值而予以更新之工程；及在對上述過去所檢查之複數基板之畫像資料依序進行該操作，同時偏離量之比較對象亦即靈敏度參數值被更新之時，使用被更新之靈敏度參數值，將最後被更新之靈敏度參數值當作調整後之靈敏度參數而記憶於記憶部之工程。
本發明之記憶媒體係記憶被使用於基板之缺陷檢查裝置之電腦程式的記憶媒體，該基板之缺陷檢查裝置對於將檢查對象亦即基板的表面全體予以攝像而所取得之畫像資料之各畫素值，使用使各位置和畫素值之容許範圍對應之基準畫素資料，各畫素值偏離與其位置對應之上述容許範圍之時，比較偏離量和偏離容許量亦即靈敏度參數值，當偏離量超越靈敏度參數值之時，將該基板判斷成缺陷基板，該記憶媒體之特徵在於： 上述電腦程式係以實施上述基板缺陷檢查用之靈敏度參數值之調整方法之方式組成步驟群。
本發明係自動調整比較將攝像基板之表面全體予以攝像而所取得之畫像資料和基準畫素資料，而判定基板是否為缺陷之靈敏度參數值。具體而言，從較靈敏度參數值之調整時過去所檢查之複數基板之中，選擇假設檢查用之複數基板，與靈敏度參數調整後之新的基準畫素資料做比較而進行假設檢查，以在某基板被判定成擬似缺陷 之情況，該基板不被判定成擬似缺陷之方式，放寬靈敏度參數值。而且，針對被選擇之假設檢查用之複數基板依序進行該操作，使最終所取得之靈敏度參數值當作新的靈敏度參數值使用。因此，消除操作員在反覆試驗及失敗中進行靈敏度參數值之調整的負擔，而且可以實現穩定之基板缺陷檢查。
W‧‧‧晶圓
1‧‧‧塗佈、顯像裝置
2‧‧‧攝像模組
3‧‧‧資料蓄積用電腦
4‧‧‧資料解析用電腦
42~46‧‧‧程式
圖1為適用本發明之塗佈、顯像裝置之概略全體構成圖。
圖2為表示在塗佈、顯示裝置中被實施之實際檢查之概略的說明圖。
圖3為被攝像之晶圓之表面的示意圖。
圖4為為了取得晶圓之表面之畫像，被設置在上述塗佈、顯像裝置之攝像模組。
圖5為針對被設置在上述塗佈、顯像裝置之晶圓的缺陷檢查系統之構成圖。
圖6為表示構成上述缺陷檢查系統之資料解析用電腦之方塊圖。
圖7為上述晶圓之缺陷檢查之流程圖。
圖8為表示被取得之晶圓之特徵量之一例的表圖。
圖9為表示取得晶圓之基準畫像資料及成為假設檢查之對象的晶圓W之畫像資料之程序的說明圖。
圖10為表示上述假設檢查之程序的說明圖。
圖11為表示被取得之晶圓之特徵量之一例的表圖。
圖12為用以表示假設檢查之概要的說明圖。
圖13係為了設定用以進行上述缺陷檢查之參數而進行的假設檢查之流程圖。
針對適用本發明之塗佈、顯像裝置1參照圖1之概略俯視圖而予以說明。該塗佈、顯像裝置1係依照載體區塊11、中間區塊12、處理區塊13、介面區塊14之順序，在水平方向直線狀地連接而構成。介面區塊14連接曝光機15。在載體區塊11，藉由無圖示之搬運機構，被搬運且被載置儲存基板亦即晶圓W的載體16。在處理區塊13，設置有對晶圓W之表面供給光阻而形成光阻膜之光阻膜形成模組17、以曝光機15對沿著特定圖案被曝光之光阻膜供給顯像液而形成光阻圖案之顯像模組18。在中間區塊12，表示將被顯像之晶圓W之表面全體予以攝像的攝像模組2。另外，該晶圓W之表面全體若為形成半導體裝置之區域的表面全體即可。
各區塊11~14具備無圖示之晶圓W之搬運機構，藉由該搬運機構被儲存在載體16之晶圓W，依照中間區塊12→光阻膜形成模組17→介面區塊14→曝光機15→介面區塊14→顯像模組18→攝像模組2之順序被搬運，而返回至載體16。圖1之虛線之箭號表示該晶圓W之搬運路 徑。如此一來，藉由晶圓W被搬運，進行該晶圓W之表面中光阻圖案之形成，和該晶圓W之表面全體之攝像。被攝像而取得之畫像資料係為了在檢查晶圓W之面內有無異常而被使用。另外，該畫像資料係針對畫像中之各位置之畫素，包含為三原色之R(紅)、G(綠)、藍(B)之各畫素值之資訊的資料。
然而，在該塗佈、顯像裝置1中，進行上述檢查，即是判斷晶圓W實際是否有異常之檢查，和該檢查所使用之後述靈敏度參數調整用之檢查。之後，針對判斷實際晶圓W是否有異常之檢查，將實際檢查、靈敏度參數之調整用之檢查當作假設檢查而分別記載。另外，在先前技術之欄中所述之檢查、參數分別相當於該些實際檢查、靈敏度參數。
針對上述晶圓W之實際檢查予以說明。實際檢查係藉由比較事先作成完之晶圓W之基準畫像資料(基準晶圓W之畫像資料)，和從成為檢查對象之晶圓W取得之畫像資料而進行。該晶圓W之基準畫像資料(基準畫素資料)係針對RGB之各個，在晶圓之畫像之每個畫素(像素)，畫素之位置和畫素值之容許範圍對應的資料。而且，在此所稱的晶圓W之基準畫像資料和檢查對象之晶圓W之畫像資料的比較，係在基準畫像資料和檢查對象之晶圓W之畫像資料之間，針對互相相同位置之畫素，比較每個R、G、B之畫素值，當更詳細而言，求出基準畫像資料之容許範圍之畫素值，和檢查對象晶圓W之畫像資料之畫 素值之差量值。即是，該差量值係檢查對象晶圓W之畫像資料之畫素值偏離該容許範圍之偏離量。
在所有位置之畫素，R、G、B之各偏離量為0之情況，判斷檢查對象之晶圓W無缺陷。任一之位置的畫素中，R、G、B中之任一偏離量不成為0之情況，針對如此一來不成為0之偏離量，與按每個RGB分別被設定之偏離容許量亦即靈敏度參數值做比較。比較之結果，偏離量超越該靈敏度參數值之情況，在檢查對象之晶圓W中，於與該畫素對應之位置產生缺陷，判斷該檢查對象之晶圓W為具有缺陷之缺陷晶圓W。偏離量不超越該靈敏度參數值之情況，判斷成非缺陷晶圓W。
圖2為示意性表示上述實際檢查之程序，針對檢查對象晶圓W之畫像資料及晶圓W之基準畫像資料，將在各資料中任意之相同位置之畫素設為P1。而且，在檢查對象晶圓W之畫素P1中之R、G、B分別設為a1、a2、a3，將基準畫像資料之畫素P1中之R、G、B之各容許範圍分別設為b1~c1、b2~c2、b3~c3。僅針對RGB中之R，容許範圍不含檢查對象晶圓W之畫素值，為b1~c1<a1，設為偏離量a1-c1不成為0。
而且，當針對R、G、B之靈敏度參數分別設為成q1、q2、q3時，偏離量a1-c1與針對R之靈敏度參數q1做比較，若為q1<a1-c1時，判斷成缺陷，若為q1≧a1-c1時，判斷成並非缺陷。另外，為了防止圖之複雜化，雖然僅在畫素P1，表示進行檢查對象晶圓W之畫像資料和晶圓 W之基準畫像資料之比較，但是該比較針對晶圓W之面內之各畫素進行。再者，以上實際檢查之說明中之各比較、各判斷及偏離量之算出藉由後述電腦被實施。
當針對上述靈敏度參數進一步補充時，作為該靈敏度參數，按每個RGB設定D1~D4之4種類，被設定成因應算出上述偏離量之畫素之位置，使用D1~D4中之任一個或複數。即是，當將分別使用D1、D2、D3、D4之上述缺陷判斷設為缺陷判斷模式1、2、3、4時，在每個缺陷判斷模式1~4設定在晶圓W之面內分別進行缺陷判斷之區域。例如，D1~D4中之一個適用於晶圓W之中心部之缺陷判斷，D1~D4中之其他一個適用於晶圓W之周緣部之缺陷判斷。
在該塗佈、顯像裝置1中，晶圓W之基準畫像資料及靈敏度參數D1~D4之更新藉由電腦被自動進行。該些晶圓W之基準畫像資料及靈敏度參數D1~D4之更新，藉由於進行該更新之前，在攝像模組2被攝像，使用事先已取得之多數晶圓W之畫像資料而被實施。當敘述概略時，從已取得之多數畫像資料，排除被認為明顯含有缺陷的畫像資料，從如此進行排除之多數畫像資料重新作成晶圓W之基準畫像資料。
而且，針對進行排除之多數晶圓W之畫像資料之各個，使用重新被作成之晶圓W之基準畫像資料而檢查有無缺陷。該檢查為上述之假設檢查，當在該假設檢查中判斷晶圓W無缺陷時，在該晶圓W假設被實際檢查之情 況，靈敏度參數D1~D4被更新成該晶圓W不成為缺陷晶圓W之值。而且，針對進行如此之晶圓W之基準畫像資料及靈敏度參數D1~D4之更新之時序，係根據從在進行該更新之前所取得之多數晶圓W之畫像資料，分別被取得之參數亦即晶圓W之特徵量而決定。更詳細而言，針對所取得之特徵量是否偏離針對該特徵量而事先被設定之上限臨界值或下限臨界值，藉由電腦監視，根據該監視結果而決定。
作為上述晶圓W之特徵量(特徵點)，每個R、G、B使用任尼克(Zernike)多項式而以任尼克函數分解晶圓面內之畫素值之平面分佈Z而表示的任尼克係數Zi(i為1以上之整數)。各任尼克係數Zi分別表示個別在晶圓W之面內中之畫素值之分佈特性。在以下之說明中，雖然例如任尼克係數Zi中，Z1~Z4之4個當作晶圓W之特徵量使用，但是並不限定於選擇如此當作特徵量使用之任尼克係數Zi。因此，可以將例如Z1~Z4以外之任尼克係數Zi當作晶圓W之特徵量使用，所使用之任尼克係數Zi之數量也不限定於4個。
針對該任尼克係數Zi之取得方法予以說明。如上述般，使用任尼克多項式而取得。該任尼克多項式主要係在光學領域中被使用之複數函數，具有2階(n、m)。再者，半徑為1的單位圓上之函數，具有極座標之引數(r、θ)。該任尼克多項式在光學領域中主要使用於例如解析透鏡之像散成分，藉由使用任尼克多項式分解 波面像散，可以得知根據各個獨立之波面，根據例如山型、鞍型等之形狀的像散成分。
以下，參照圖3繼續說明。圖3表示在晶圓W之面內之各畫像P之畫素值之平面分佈Z，被記載於各畫素P之內側的數值表示該畫素P之畫素值。另外，為了容易說明，在圖3中，僅針對沿著X軸方向之一列的畫素P予以記載。而且，對於該畫素值之平面分佈Z，適用任尼克多項式，在晶圓W面上之高度方向(圖3之Z方向正方向)表示各畫素P之畫素值。其結果，可以以三次元描繪之特定的形狀之曲線來理解各畫素P之畫素值之平面分佈。而且，針對晶圓W面內所有之畫素P之畫素值，同樣藉由在晶圓W面上之高度方向表示，可以以三次元之圓形之波面來理解晶圓W面內之畫素值分佈。如此一來，藉由以三次元之波面來理解，能夠適用任尼克多項式，可以使用任尼克多項式，將晶圓面內之畫素值之平面分佈Z，分解成例如晶圓面內之上下左右方向之傾斜成分、彎曲凸狀或凹狀之彎曲成分等之複數畫素值分佈成分Zi。各畫素值分佈成分Zi之大小可以藉由任尼克係數表示。
表示各畫素值分佈成分Zi之任尼克係數具體使用極座標之引數(r、θ)及階(n、m)來表示。以下，表示1項~9項為止之任尼克係數以作為一例。
Z1,n=0,m=0
(1)
Z2,n=1,m=1
(r‧cosθ)
Z3,n=0,m=-1
(r‧sinθ)
Z4,n=2,m=0
(2r2-1)
Z5,n=2,m=2
(r2‧cos2θ)
Z6,n=2,m=-2
(r2‧sin2θ)
Z7,n=3,m=1
((3r3-2r)‧cosθ)
Z8,n=3,m=-1
((3r3-2r)‧sinθ)
Z9,n=4,m=0
(6r4-6r2+1)
例如，第1項之任尼克係數亦即任尼克係數Z1意味著指晶圓面內之畫素值之平均值，第2項之任尼克係數Z2意味著晶圓面內中之畫素值之左右方向之傾斜成分，第3項之任尼克係數Z3意味著晶圓面內之畫素值之前後方向(與任尼克係數Z2之傾斜方向正交之方向)之傾斜成分，第4項之任尼克係數Z4意味著以晶圓之中心為原點之畫素值之彎曲成分。
以下，返回塗佈、顯像裝置1之構成的說明，針對上述攝像模組2，參照圖4之縱斷側面圖予以說明。攝像模組2具備框體21，在框體21內設置有吸附晶圓W之背面側中央部，水平地保持晶圓W之載置台22。圖中23係在框體21之側方開口的晶圓W之搬運口。當將在框體21內開口搬運口23之側設為前方側時，載置台22被構成在前方側和深側之間水平移動自如。圖中24係該載置台22之水平移 動用之導件，從前方側朝深側延伸。
在導件24上設置在框體21內左右延伸之橫長的半鏡25，該半鏡25相對於該導件24之延伸方向被設置成側面視傾斜。再者，在半鏡25之上方，設置隔著該半鏡25朝下方照射光之照明26。在半鏡25之深處設置有攝影機27。來自照明26之照明光通過半鏡25，被照射至半鏡25之下方的照射區域。而且，位於該照射區域中之物體的反射光，在半鏡25反射，並被攝入至攝影機27。即是，攝影機27可以將位於半鏡25之下方的物體予以攝像。而且，晶圓W沿著導件24從前方側朝向深側移動半鏡25之下方之時，攝影機27間歇性地進行攝像，可以對晶圓W之表面全體進行攝像而作成畫像資料。
該攝像模組2之攝影機27如圖5所示般，被連接於資料蓄積用電腦3，將所取得之各晶圓W之畫像資料發送至該資料蓄積用電腦3。資料蓄積用電腦3在該電腦3含有之記憶體內儲存並積蓄該接收到的畫像資料。而且，該資料蓄積用電腦3被連接於資料解析用電腦4。資料解析用電腦4係使用被蓄積於資料蓄積用電腦3之晶圓W之畫像資料，用以進行上述晶圓W之基準畫像資料及靈敏度參數D1~D4之更新的電腦。藉由攝像模組2、資料蓄積用電腦3及資料解析用電腦4，構成基板之缺陷檢查裝置。
接著，使用圖6針對資料解析用電腦4之構成予以說明。圖中41為匯流排，儲存程式42~46之程式儲存部47和匯流排41連接有記憶體48。再者，資料蓄積用電腦 3也被連接於該匯流排41，被構成可以將晶圓W之畫像資料發送至資料解析用電腦4。
程式42係使用從資料蓄積用電腦3被發送之各晶圓W之畫像資料，構成算出上述特徵量亦即任尼克係數Zi(Z1~Z4)之監視用臨界值作成部的晶圓特徵量算出程式。再者，該程式42也被構成藉由監視任尼克係數Zi是否偏離被記憶於記憶體48之臨界值，決定上述靈敏度參數D之更新之時序的監視部。
程式43係從被蓄積於資料蓄積用電腦3之各晶圓W之畫像資料之中，選擇用以作成晶圓W之基準畫像資料之畫像資料的基準畫像資料作成用之畫像資料選擇程式。程式44係使用程式43所選擇之畫像資料而作成晶圓W之基準畫像資料的基準畫像資料作成程式，被構成基準畫素資料作成部。
程式45係從被蓄積於資料蓄積用電腦3之各晶圓W之畫像資料之中，選擇用以進行假設檢查之畫像資料，而實施該假設檢查之假設檢查實施程式。再者，藉由該程式45，也進行靈敏度參數D之更新及任尼克係數Zi之臨界值之更新，該程式45被構成參數值之調整部。程式46係實施既述之實際檢查的實際檢查實施程式。
該些程式42~46係在被收納於例如硬碟、CD、光磁性碟或記憶卡等之記憶媒體之狀態下，儲存程式儲存部47。而且，以可以進行既述之實際檢查或後述之靈敏度參數之調整等之各處理之方式，組成步驟群。
記憶部亦即記憶體48具備記憶區域48A~48C。在記憶區域48A，使對應於取得該畫像資料之晶圓W而記憶著從在圖3中說明之各晶圓W之畫像資料取得之每個RGB之晶圓W的任尼克係數Zi。在圖7中，以一例而言，針對最近取得之100片之晶圓W(為了方便，標示1~100之號碼)，表示所取得之任尼克係數Z1。另外，即使針對Z1以外之任尼克係數Z2~Z4，雖然也與Z1同樣被記憶於記憶區域48A，省略圖中之顯示。
在記憶區域48B，記憶構成針對上述任尼克係數之容許範圍之上限之臨界值和下限之臨界值。該些上限臨界值及下限臨界值係針對晶圓W之任尼克係數Zi之各個，按每個RGB設定。如上述般，當進行靈敏度參數值及晶圓W之基準畫像資料之更新時，再次設定被記憶於該記憶區域48B之上限臨界值及下限臨界值。在記憶區域48C，按每個RGB記憶靈敏度參數D1~D4。
接著，針對藉由上述塗佈、顯像裝置1及電腦3、4而進行之處理的程序，參照圖8之流程圖而予以說明。如在圖1中說明般，在塗佈、顯像裝置1內搬運晶圓W，形成有光阻圖案之晶圓W被攝像而取得畫像資料(檢查對象之晶圓W之畫像資料)，該畫像資料被依序發送至資料蓄積用電腦3。再者，該畫像資料，從資料蓄積用電腦3也被發送至資料解析用電腦4，如在圖2中說明般，與晶圓基準畫像資料做比較，進行該畫像資料之晶圓W之實際檢查。再者，與該實際檢查同時進行，針對成為檢查對 象之晶圓W之畫像資料，按每個RGB進行任尼克係數Z1~Z4的算出。
而且，當從第n(n為整數)片之晶圓W之畫像資料取得每個RGB之各任尼克係數Z1~Z4時，判斷所取得之各任尼克係數Zi是否超越特徵量之上限臨界值及下限臨界值之中之一方。當判斷各任尼克係數Zi中之任一者不超越上限臨界值及下限臨界值中之一方時，針對第n+1片之晶圓W之畫像資料，依序進行各任尼克係數Zi之取得、所取得之各任尼克係數Zi是否超越上限臨界值及下限臨界值之中之一方的判斷。
當判斷從第n片晶圓W之畫像資料取得之各任尼克係數Zi中之任一者超越上限臨界值及下限臨界值之中之一方時，針對如此超越上限臨界值及下限臨界值中之一方的任尼克係數Zi，判斷超越上限臨界值及下限臨界值之中之一方的情形是否連續發生超越特定次數(步驟S1)。在該步驟S1中，判斷無連續發生超過特定次數之情況，針對第n+1片之晶圓W之畫像資料，依序進行各任尼克係數Zi之取得、所取得之各任尼克係數Zi是否超越上限臨界值及下限臨界值中之一方之判斷。
在步驟S1中，判斷連續超越特定次數而任尼克係數Zi中之任一超越上限臨界值及下限臨界值中之一方之情況，使用被蓄積於資料蓄積用電腦3之晶圓W之畫像資料中，最近取得之特定片數之晶圓W之畫像資料，針對晶圓W之基準畫像資料、靈敏度參數值、任尼克係數Zi之 上限臨界值及下限臨界值進行更新(步驟S2)。即是，至判斷任尼克係數Zi連續超越特定次數而超越上限臨界值或下限臨界值而實施步驟S2為止，重複實行步驟S1。
而且，上述步驟S2之實施後，使用被更新之晶圓W之基準畫像資料、靈敏度參數值、任尼克係數Zi之上限臨界值及下限臨界值，再次開始晶圓W之實際檢查(步驟S3)。即是，使用該些被更新之晶圓W基準畫像資料，和靈敏度參數值，和任尼克係數Zi之上限臨界值及下限臨界值，再次進行步驟S1。該些步驟S1~S3藉由上述程式42~46被實行。
以下，針對上述流程之步驟S2之具體程序，參照圖9、圖10之示意圖予以說明。在該說明例中，該步驟S2設為使用圖7所示之晶圓1~100之畫像資料者。圖10之左上部之包圍(以E1表示)表示在上述流程之步驟S1中所取得之晶圓1~晶圓100之畫像資料，從包圍E1而來的箭號之前端的表E2表示從其晶圓1~晶圓100之畫像資料所取得之晶圓的特徵量。即是，雖然簡化顯示，但是表E2與圖7之表相同者。
當開始步驟S2時，針對所取得之特徵量亦即任尼克係數Zi，抽出任尼克係數之階(項數)為相同者，按每個RGB予以群組化。在圖11中，以針對Z1之R、G、B之各群組之特徵量作為代表予以表示。以下，因針對各群組進行相同之處理，故以針對R之任尼克係數Z1之群組(記載成R-Z1群組)所進行的處理作為代表予以說明。在 圖9中，在從表E2而來之箭號之前端，係以E3表示R-Z1群組之常態分佈曲線。
首先，檢測出該常態分佈曲線E3中之偏離值。在常態分佈曲線E3中，以虛線之圓包圍成為該偏離值的區域而予以表示。而且，針對與該偏離值對應之晶圓W，視為存在缺陷之缺陷晶圓W，在以後之處理中，不使用該缺陷晶圓W之任尼克係數。將從R-Z1群組排除缺陷晶圓W之Z1之群組記載成已排除缺陷R-Z1群組。在圖9中，將已排除缺陷R-Z1群組作成之常態分佈曲線以E4表示。
而且，針對該已排除缺陷R-Z1群組之任尼克係數Z1，抽出具有相對於平均值最近之值的任尼克係數Z1之晶圓W的畫像資料。再者，在該任尼克係數Z1之平均值-1.5σ以上，且該任尼克係數Z1之平均值+1.5σ以下之範圍內所含的任尼克係數Z1之中，分別表示最大值、最小值之晶圓W之畫像資料被抽出。另外，σ為標準偏差。因此，概略地抽出圖9中之右上表示之常態分佈曲線E4中，以虛線之圓包圍之區域中具有任尼克係數Z1之晶圓W的畫像資料。
如上述般，因即使針對R-Z1群組以外之各群組也進行相同之處理，故即使針對該各群組，也與R-Z1群組相同，進行晶圓W之畫像資料之抽出。藉由如此從各群組被抽出之多數之晶圓W之畫像資料被合成，作成晶圓W之基準畫像資料。在此所指之合成係指具體性地對晶圓W之畫像資料之每個畫素，從被選擇之晶圓W之畫像資料之 中決定每個RGB之畫素值之最小值和最大值。而且，該最小值~最大值被設定成在圖2中說明的畫素值之容許範圍，作成晶圓W之基準畫像資料。如此晶圓W之基準畫像資料，當針對複數晶圓W觀看相同的任尼克係數之值之時，選擇較從該複數晶圓W之任尼克係數之平均值偏離的事先設定之偏離程度小的晶圓W群，根據該被選擇之晶圓W群而被作成。即是，基準畫像資料係使用多數之畫像資料中，屬於缺陷晶圓W之可能性極低之晶圓W之畫像資料而被作成。
在此，針對已排除缺陷R-Z1群組予以說明。在該群組中，例如將該群組中任尼克係數Z1之平均值-1.5σ以下，且該任尼克係數Z1之平均值+1.5σ以上之範圍中之各畫像資料當作假設檢查對象之晶圓W之畫像資料而予以抽出。具體而言，例如將任尼克係數Z1成為最大值、最小值之各畫像資料，和成為任尼克係數Z1最接近於最大值、最接近於最小值之畫像資料，當作假設檢查對象之晶圓W之畫像資料而予以抽出。因此，被抽出之畫像係概略性地在圖9中之右下所示之常態分佈曲線E4中，與以虛線之圓包圍之區域對應之晶圓W之畫像資料。
也從R-Z1以外之各群組與R-Z1群組相同抽出假設檢查對象之畫像資料。即是，當針對複數晶圓W，觀看到相同任尼克係數之值時，較從該複數晶圓W之平均值偏離的事先設定之偏離程度偏離更大的晶圓W群之畫像資料，被設為假設檢查對象之畫像資料。如此一來，將任尼 克係數偏離平均值比較多的晶圓W之畫像資料當作假設檢查對象之畫像資料而予以抽出，係因為每當如後述般根據假設檢查之結果而更新靈敏度參數D1~D4，使成為在實際檢查中能夠確實地進行缺陷之檢測的範圍，盡可能地可以防止擬似缺陷之值之故。
再者，在開始假設檢查的時候，從各任尼克係數之群組，再次設定與該群組對應之任尼克係數Zi之上限臨界值、下限臨界值。具體而言，從上述已排除缺陷R-Z1群組分別取得任尼克係數Z1之平均值+1.5σ、任尼克係數Z1之平均值-1.5σ，該些各值分別被設定成R之Z1之上限臨界值、下限臨界值。
如此一來，當取得基準畫像資料，和多數假設檢查對象之晶圓W之畫像資料，設定任尼克係數之Zi之上限臨界值及下限臨界值時，實施假設檢查。圖10表示該假設檢查之概略。首先，如圖所示般，從假設檢查對象之晶圓W群之畫像資料選擇一片晶圓W之畫像資料，進行該被選擇之畫像資料和晶圓W之基準畫像資料之比較。即是，如圖10中央所示般，針對各位置之畫素，算出作為基準畫像資料而被設定之畫素值的容許範圍，和檢查對象之晶圓W之畫素值得差量(離容許範圍的偏離量)。
在所有之位置之畫素中，偏離量為0之情況，該檢查對象之晶圓W被設為無異常。再者，在具有偏離量並非0之畫素之情況，如圖10所示般，比較該畫素之偏離量和被設定成適用於該畫素之靈敏度參數D(參照圖2)。 比較之結果，偏離量若為靈敏度參數D以下時，檢查對象之晶圓W設為無異常。若偏離量大於靈敏度參數D時，判斷偏離量是否超越事先設定偏離量之臨界值(設為最終判斷臨界值)。該最終判斷臨界值係例如按每個RGB針對D1~D4事先分別被設定。而且，當判斷不超越該最終判斷臨界值之情況，檢查對象之晶圓W係在假設進行實際檢查之情況，判斷成成為擬似缺陷之擬似缺陷晶圓W。即是，實際上，判斷成無缺陷之晶圓W。在如此檢查對象之晶圓W被判斷成擬似缺陷晶圓W之情況，在該檢查對象之晶圓W假設被實際檢查之情況，為了防止被判斷成缺陷晶圓W，被更新成比較所使用之參數D成為上述偏離量。
而且，在假設檢查對象之晶圓W被判斷成無異常之情況及擬似缺陷晶圓W之情況，該假設檢查對象之晶圓W被實際檢查之時，為了不使從該晶圓W所取得之任尼克係數Zi，超越任尼克係數Zi之上限臨界值及下限臨界值，該些上限臨界值及下限臨界值被更新。該更新係以例如上限臨界值和下限臨界值之間的Zi之容許範圍變寬之方式，進行上限臨界值及下限臨界值之雙方各以相同數值位移。
但是，在使用上述偏離量和最終判定臨界值之比較中，當判斷偏離量超越最終判定臨界值之情況，檢查對象之晶圓W被判斷成缺陷晶圓W，不進行參數D之更新及任尼克係數Zi之上限臨界值及下限臨界值之更新。
針對藉由該假設檢查之R的缺陷靈敏度參數D 和R之Z1之上限值及下限值之更新的例，一面參照圖12一面使用具體之數值予以說明。在該說明中之檢查對象之晶圓W之畫像資料，係第一片被檢查之晶圓W之畫像資料，因此，設為圖9之常態分佈曲線E4中之任尼克係數Z1之平均值-1.5σ、任尼克係數Z1之平均值+1.5σ分別被設定成該任尼克係數Z1之下限臨界值、上限臨界值者。在此，例如下限臨界值設為160，上限臨界值設為170。
再者，將畫像資料中之三個互相不同位置之畫素設為P1、P2、P3，晶圓W之基準畫像資料之畫素P1、P2、P3之R之容許範圍，皆為200~210，針對R之靈敏度參數D1、D2之最終判定臨界值分別設為12。再者，針對該檢查對象之晶圓W，R之任尼克係數Z1為158，假設檢查對象之晶圓W之畫像資料之畫素P1、P2、P3之R分別設為218、219、221。R之靈敏度參數D1為6，設為在畫素P1、P2適用，但在畫素P3不適用。R之靈敏度參數D2為10，設為在畫素P1、P3適用，但在畫素P3不適用。
藉由如上述般進行假設檢查，在畫素P1、P2、P3中，關於假設檢查對象之晶圓W之畫像資料之畫素值，算出晶圓W之離基準畫像資料之容許範圍的偏離量。即是，200~210和218之差量亦即8，200~210和219之差量亦即9，200~210和221之差量亦即11分別以畫素P1、P2、P3中的偏離量而被算出。適用參數D1之畫素P1、P2之偏離量8、9較為最終判定臨界值的12低。再者，適用靈敏度參數D2之畫素P1、P3之偏離量8、9較為最終判定臨 界值的12低。
因此，檢查對象之晶圓W被判斷成擬似缺陷晶圓W。而且，以該檢查對象之晶圓W在實際檢查中被判斷成缺陷晶圓W之方式，靈敏度參數D1被更新成為上述偏離量之8、9中之大的一方9，靈敏度參數D2被更新成上述偏離量亦即11。為了防止說明之複雜化，雖然僅表示靈敏度參數D1、D2之補正，但是即使針對靈敏度參數D3、D4也與D1、D2相同，被更新成可以依照假設檢查之結果，而可以防止擬似缺陷。再者，即使針對其他位置之畫素，也與P1~P3同樣進行檢查。
而且，藉由判斷成檢查對象之晶圓W為擬似缺陷晶圓W，即是並非缺陷晶圓W，即使針對R之Z1之上限臨界值、下限臨界值也被更新。上限臨界值和下限臨界值之間的Z1之容許範圍為170~160，檢查對象之晶圓W之Z1為158，因偏離容許範圍2，故上限臨界值及下限臨界值各移位2，上限臨界值以172，下限臨界值以158被更新。針對R之Z1以外之任尼克係數而被設定之上限臨界值、下限臨界值也與針對該R之Z1的上限臨界值及下限臨界值相同被更新。另外，在該圖12示意性地表示的假設檢查中，為了防止圖示及說明繁雜，雖然表示僅取出檢查對象晶圓W之畫像資料之RGB中之R的畫素值而進行檢查，但是與實際檢查相同，針對R、G、B互相同樣進行檢查，因應該檢查結果，進行靈敏度參數D及任尼克係數之臨界值(上限臨界值及下限臨界值)之更新。
上述之假設檢查針對作為假設檢查對象抽出之所有晶圓W之畫像資料依序被進行，針對靈敏度參數D1~D4及各任尼克係數Zi之臨界值依序被更新。因此，先前之假設檢查之結果，靈敏度參數D1~D4被更新之情況，在下一個假設檢查中，使用被更新之靈敏度參數D1~D4。而且，針對在步驟S2之實行中被算出之靈敏度參數D1~D4及各任尼克係數Zi之臨界值，為該些靈敏度參數D1~D4及各任尼克係數Zi之臨界值的候補值，所有畫像資料之假設檢查結束，最終所取得之靈敏度參數D1~D4及各任尼克係數Zi之臨界值的候補值，作為在上述流程之步驟S3之實際檢查中被使用之靈敏度參數D1~D4及各任尼克係數Zi之臨界值而被決定。
以下，一面參照為總結上述步驟S2中之處理之流程的圖13，一面予以說明。首先，從被記憶於資料蓄積用電腦3之過去所取得之特定片數之晶圓W之畫像資料，排除視為缺陷之晶圓W之畫像資料，並且算出晶圓W之特徵量亦即任尼克係數Z1~Z4之平均值及平均值±1.5σ(步驟T1)。而且，選擇具有該些平均值及最接近於平均值±1.5σ之任尼克係數的晶圓而予以合成，作成晶圓W之基準畫像資料(基準晶圓之畫像資料)(步驟T2)。接著，選擇任尼克係數分別接近於最大值、最小值的特定片數晶圓，設為假設檢查對象之晶圓群(步驟T3)。即是，該步驟T1~T3係進行在圖9中說明之處理的步驟。
而且，按每RGB比較被選擇之一片假設檢查 對象之晶圓之各畫素中之畫素值和基準畫像資料中之容許範圍之畫素值而算出差量(離容許範圍之偏離量)(步驟T4)。比較各差量和靈敏度參數值，若各差量之一側大時，補正靈敏度參數值(步驟T5)，根據該假設檢查之晶圓之任尼克係數更新任尼克係數之上限臨界值及下限臨界值(步驟T6)。即是，該步驟T4~T6係進行在圖10、圖12中說明之處理的步驟。之後，判斷針對作為假設檢查對象晶圓W抽出的所有晶圓W，是否結束假設檢查(步驟T7)，當判斷假設檢查結束之情況，實行在圖8中說明之上述流程之步驟S3。即是，實際檢查開始。當判斷針對所有晶圓W結束假設檢查之情況，針對未檢查之晶圓W，進行步驟T4之後的步驟。
若藉由該塗佈、顯像裝置1時，自動調整比較對晶圓W之表面全體進行攝像而所取得之畫像資料和晶圓W之基準畫素資料而判定晶圓W是否為缺陷的靈敏度參數D1~D4。具體而言，從較靈敏度參數D1~D4之調整時過去所檢查之複數晶圓W之中，選擇假設檢查用之複數晶圓W，比較靈敏度參數D1~D4之調整後之新的晶圓W之基準畫像資料，而進行假設檢查，當判斷某晶圓W為擬似缺陷晶圓W之情況，放寬靈敏度參數D1~D4，使在實際檢查中，該晶圓W不被判斷成缺陷晶圓W。而且，針對被選擇之假設檢查用之複數晶圓W依序進行該操作，使最終所取得之靈敏度參數D1~D4當作新的靈敏度參數D1~D4使用。因此，可以使靈敏度參數D1~D4之調整所需之工作 量及時間縮短化，並且可以抑制擬似缺陷之產生而實現穩定的晶圓W之缺陷檢查。
靈敏度參數之更新並不限定於上述般藉由監視特徵量Z是否超越或不超越臨界值而進行。針對該靈敏度參數之更新，即使例如從最近之更新時點針對特定之批量數之晶圓W結束時實際檢查時開始亦可，即使從該最近之更新時點針對特定片數之晶圓W結束實際檢查開始亦可，即使從最近之更新時點經過特定之日數開始亦可，即使藉由操作者之指示開始亦可。再者，即使在實際檢查中，晶圓W之面內的缺陷數被記憶，每進行實際檢查時蓄積該缺陷數，當被蓄積之缺陷數超越特定臨界值時，該更新開始亦可。並且，將最初取得之一片晶圓W之畫像資料設為基準畫像資料，使用該基準畫像資料而針對複數片之晶圓W進行實際檢查。而且，即使在某時點，使用從上述複數片之晶片W所取得之畫像資料，進行新的晶圓W之基準畫像資料之作成和靈敏度參數D之更新亦可。
再者，在上述之例中，雖然將較從特徵量Z之平均值偏離事先設定的偏離程度小的晶圓W之畫像資料設為基準畫像資料作成用之畫像資料，將較從特徵量Z之平均值偏離事先設定之偏離程度偏離更大的晶圓W之畫像資料設為假設檢查對象之畫像資料，針對各偏離程度，根據Z之標準偏差而設定，但是針對該偏離程度即使根據Z之平均偏差而設定亦可。
W‧‧‧晶圓

Claims (9)

  1. 一種基板之缺陷檢查裝置，對於將檢查對象亦即基板的表面全體予以攝像而所取得之畫像資料之各畫素值，使用使各位置和畫素值之容許範圍對應之基準畫素資料，各畫素值偏離與其位置對應之上述容許範圍之時，比較偏離量和偏離容許量亦即靈敏度參數值，當偏離量超越靈敏度參數值之時，將該基板判斷成缺陷基板，該基板之缺陷檢查裝置之特徵在於具備：基準畫素資料作成部，其係於上述靈敏度參度值之調整時，作成調整後使用之基準畫素資料；靈敏度參數值之調整部，其係用以調整上述靈敏度參數值；及假設檢查用之基板選擇部，其係用於調整上述靈敏度參數值，從較上述靈敏度參數值之調整時過去所檢查之複數基板中，選擇用以與上述基準畫素資料做比較而進行假設檢查之假設檢查用之複數基板，上述靈敏度參數值之調整部被構成實行：對於被選擇之假設檢查用之基板之各畫素值，使用上述調整後所使用之基準畫素資料，當各畫素值偏離與其位置對應之容許範圍之時，比較偏離量和調整前之靈敏度參數值之步驟，和當偏離量超越該靈敏度參數值，並且上述偏離量和該靈敏度參數值之差異為臨界值以下之時，將上述偏離量作為新的靈敏度參數值而予以更新之步驟，和對 上述過去所檢查之複數基板之畫像資料依序進行該操作，同時偏離量之比較對象亦即靈敏度參數值被更新之時，使用被更新之靈敏度參數值，將最後被更新之靈敏度參數值當作調整後之靈敏度參數而記憶於記憶部之步驟。
  2. 如請求項1所記載之基板之缺陷檢查裝置，其中將檢查對象亦即基板之表面全體予以攝像而所取得之畫像資料之各畫素值為三原色之R(紅)、G(綠)、B(藍)之各畫素值，基準畫素資料係按每個R、G、B使各位置和畫素值之容許範圍對應的資料。
  3. 如請求項1或2所記載之基板之缺陷檢查裝置，其中上述基準畫素資料作成部被構成對於在較上述靈敏度參數值之調整時過去所檢查之複數基板之各個，以任尼克函數分解畫素之平面分佈而取得任尼克係數，針對各基板之相同的任尼克係數，選擇較從該複數基板之平均值偏離之事先設定的偏離程度小的基板群，根據被選擇之基板群，作成基準畫素資料。
  4. 如請求項1或2所記載之基板之缺陷檢查裝置，其中上述假設檢查用之基板選擇部被構成對於在較上述靈敏度參數值之調整時過去所檢查之複數基板之各個，以任尼克函數分解畫素之平面分佈而取得任尼克係數，針對各 基板之相同的任尼克係數亦即特徵點，選擇較從該複數基板之平均值偏離之事先設定的偏離程度更偏離的基板群。
  5. 如請求項4所記載之基板之缺陷檢查裝置，其中具備：監視部，其係於上述靈敏度參數值之調整後，針對實際被檢查之檢查對象之基板，以任尼克函數分解畫素之平面分佈而取得任尼克係數亦即特徵點，監視該特徵點是否從臨界值偏離，根據該監視結果，決定上述靈敏度參數值之調整的時序；及監視用臨界值作成部，其係作成在上述監視部被使用之監視用臨界值，上述監視用臨界值作成部係在上述靈敏度參數值之調整時進行的假設檢查時，針對上述選擇的假設檢查用之基板，在不從上述容許範圍偏離，或即使偏離上述偏離量亦不會超越上述靈敏度參數值，或者上述偏離量和該靈敏度參數值之差異為上述臨界值以下之情況，將該基板之前述特徵點當作上述監視用臨界值之候補值，針對上述選擇的假設檢查用之基板依序進行該操作，決定最終所取得之候補值以作為上述監視用臨界值。
  6. 如請求項1或2所記載之基板之缺陷檢查裝置，其中上述靈敏度參數值係因應基板之區域被決定。
  7. 一種基板缺陷檢查用之靈敏度參數值的調整方法，其係調整被使用於缺陷檢查裝置之靈敏度參數值的方法，該缺陷檢查裝置係對於將檢查對象亦即基板的表面全體予以攝像而所取得之畫像資料之各畫素值，使用使各位置和畫素值之容許範圍對應之基準畫素資料，各畫素值偏離與其位置對應之上述容許範圍之時，比較偏離量和偏離容許量亦即靈敏度參數值，當偏離量超越靈敏度參數值之時，將該基板判斷成缺陷基板，該方法之特徵在於包含：於上述靈敏度參度值之調整時，作成調整後使用之基準畫素資料之工程；調整上述靈敏度參數值之工程；用於調整上述靈敏度參數值，從較上述靈敏度參數值之調整時過去所檢查之複數基板中，選擇用以與上述基準畫素資料做比較而進行假設檢查之假設檢查用之基板的工程；對被選擇之假設檢查用之基板之各畫素值，使用於上述調整後使用之基準畫素資料，當各畫素值偏離與其位置對應之容許範圍之時，比較偏離量和調整前之靈敏度參數值之工程；偏離量超越該靈敏度參數值，並且上述偏離量和該靈敏度參數值之差異為臨界值以下之時，將上述偏離量作為新的靈敏度參數值而予以更新之工程；及在對上述過去所檢查之複數基板之畫像資料依序進行該操作，同時偏離量之比較對象亦即靈敏度參數值被更新 之時，使用被更新之靈敏度參數值，將最後被更新之靈敏度參數值當作調整後之靈敏度參數而記憶於記憶部之工程。
  8. 如請求項7所記載之基板缺陷檢查用之靈敏度參數值的調整方法，其中將檢查對象亦即基板之表面全體予以攝像而所取得之畫像資料之各畫素值為三原色之R(紅)、G(綠)、B(藍)之各畫素值，基準畫素資料係按每個R、G、B使各位置和畫素值之容許範圍對應的資料。
  9. 一種記憶媒體，其係記憶被使用於基板之缺陷檢查裝置之電腦程式的記憶媒體，該基板之缺陷檢查裝置對於將檢查對象亦即基板的表面全體予以攝像而所取得之畫像資料之各畫素值，使用使各位置和畫素值之容許範圍對應之基準畫素資料，各畫素值偏離與其位置對應之上述容許範圍之時，比較偏離量和偏離容許量亦即靈敏度參數值，當偏離量超越靈敏度參數值之時，將該基板判斷成缺陷基板，該記憶媒體之特徵在於：上述電腦程式係以實施請求項7或8所記載之基板缺陷檢查用之靈敏度參數值之調整方法之方式組成步驟群。
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