TW201803673A - 雷射加工裝置 - Google Patents

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Abstract

本發明提供可對應多個波長帶的雷射加工裝置。雷射加工裝置(200)具備根據相位圖案調變且反射從雷射振盪器(310)輸出的雷射(L)的反射型空間光調變器(410)和將來自反射型空間光調變器(410)的雷射(L)向加工對象物(1)聚光的聚光透鏡單元(430)。反射型空間光調變器(410)具有：雷射(L)入射的表面(218a)；將從表面(218a)入射的雷射(L)向表面(218a)反射的表面(214a)；及配置於表面(218a)和表面(214a)之間且顯示相位圖案並調變雷射(L)的液晶層(216)。在表面(214a)上形成有在彼此不連續的多個波長帶具有高反射率區域的電介質多層膜(反射膜(215))。

Description

雷射加工裝置
本發明是關於雷射加工裝置。
專利文獻1中記載有一種雷射加工裝置，具備保持工件的保持機構和對保持於保持機構的工件照射雷射光的雷射照射機構。該雷射加工裝置的雷射照射機構中，將在從雷射振盪器到聚光透鏡的雷射光的光路上配置的各構成配置於一個框體內，並將該框體固定於豎立設置在雷射加工裝置的基台的壁部。
[先前技術文獻] [專利文獻]
專利文獻1：日本特許第5456510號公報
如上述的雷射加工裝置中，根據加工對象物的規格、加工條件等，有時適於加工的雷射的不同波長。
本發明的目的在於提供一種可以對應多個波 長帶的雷射加工裝置。
本發明有關的雷射加工裝置，是向對象物照射雷射光並進行對象物的雷射加工的雷射加工裝置，具備：雷射輸出部，輸出雷射光；空間光調變器，根據相位圖案調變且反射從雷射輸出部輸出的雷射光；及物鏡，將來自空間光調變器的雷射向對象物聚光，空間光調變器具有雷射光射入的入射面；將從入射面射入的雷射光向入射面反射的反射面；及配置於入射面和反射面之間，且顯示相位圖案並調變雷射光的調變層，反射面上形成有在彼此不連續的多個波長帶具有高反射率區域的電介質多層膜。
該雷射加工裝置中，雷射光根據空間光調變器的相位圖案調變後，由物鏡向對象物聚光。空間光調變器具有：雷射光射射的入射面；將從入射面射射的雷射光反射的反射面；及配置於入射面和反射面之間的調變層。雷射光從入射面射入且通過調變層時，根據相位圖案進行調變。另外，雷射光在反射面上反射且再次通過調變層時也進行調變，並從空間光調變器射出。在此，反射面上形成有在彼此不連續的多個波長帶具有高反射率區域的電介質多層膜。因此，根據該空間光調變器，可以降低多個波長帶的雷射光的反射面的損失且調變雷射光。因此，該雷射加工裝置可以對應多個波長帶。
本發明有關的雷射加工裝置也可以具備圖案保持部，該圖案保持部保持用於修正根據反射面的平面度而對雷射光的波面賦予形變之相位圖案的形變修正圖案，圖案保持部保持按每個波長帶不同的形變修正圖案。通常，空間光調變器的反射面在每個空間光調變器中具有規定的平面度。但是，為了修正根據其平面度對雷射光的波陣面賦予的形變，需要根據波長而不同的相位調變量。因此，如該情況保持按每個波長帶不同的形變修正圖案，則可以容易且確實地對應多個波長帶。
本發明有關的雷射加工裝置也可以具備圖表保持部，該圖表保持部保持使用於將相位圖案顯示在調變層的圖像訊號的亮度值和相位圖案的相位調變量對應的圖表，圖表保持部保持按每個波長帶不同的圖表。在此，相對於某個波長的雷射光，通過準備對其一波長量(2π量)的相位調變量分配(對應)例如圖像訊號的256灰階的亮度值的圖表，可以將適於該波長的相位調變圖案容易地顯示於調變層。
但是，當對比該波長更短波長的雷射光，使用相同的圖表時，對一波長量的相位調變量使用更少的灰階的亮度值，調變後的波面的重現性下降。與此相對地，在該情況下，保持按每個波長帶不同的圖表。因此，可使用適於各波長帶的圖表，抑制波面的重現性降低。
本發明有關的雷射加工裝置中，也可以在入射面形成反射防止膜，該反射防止膜在多個波長帶具有高 透射率區域。在該情況下，可進一步降低雷射光的損失且可確實地對應多個波長帶。
本發明有關的雷射加工裝置中，多個波長帶也可以包含500nm以上550nm以下的第一波長帶，及1000nm以上1150nm以下的第二波長帶。或者，本發明有關的雷射加工裝置中，多個波長帶也可以包含1300nm以上1400nm以下的第三波長帶。在這些情況下，可以對應各波長帶。此外，第一波長帶的雷射光適合例如相對於由藍寶石構成的基板的內部吸收型雷射加工。另外，第二波長帶及第三波長帶的雷射光適合例如相對於由矽構成的基板的內部吸收型雷射加工。
根據本發明，能夠提供可對應多個波長帶的雷射加工裝置。
1‧‧‧加工對象物
100、200‧‧‧雷射加工裝置
214a‧‧‧表面(反射面)
215‧‧‧反射膜(電介質多層膜)
216‧‧‧液晶層(調變層)
218a‧‧‧表面(入射面)
300‧‧‧雷射輸出部
410‧‧‧反射型空間光調變器(空間光調變器)
430‧‧‧聚光透鏡單元(物鏡)
500‧‧‧控制部(圖案保持部、圖表保持部)
L‧‧‧雷射光
圖1是變性區域的形成所使用雷射加工裝置的概略構成圖；圖2是成為變性區域的形成的對象的加工對象物的平面圖；圖3是沿著圖2的加工對象物的III-III線的剖面圖； 圖4是雷射加工後的加工對象物的平面圖；圖5是沿著圖4的加工對象物的V-V線的剖面圖；圖6是沿著圖4的加工對象物的VI-VI線的剖面圖；圖7是實施形態相關的雷射加工裝置的透視圖；圖8是安裝於圖7的雷射加工裝置的支撐台的加工對象物的透視圖；圖9是沿著圖7的ZX平面的雷射輸出部的剖面圖；圖10是圖7的雷射加工裝置中的雷射輸出部及雷射聚光部的局部透視圖；圖11是沿著圖7的XY平面的雷射聚光部的剖面圖；圖12是沿著圖11的XII-XII線的雷射聚光部的剖面圖；圖13是沿著圖12的XIII-XIII線的雷射聚光部的剖面圖；圖14是表示圖11的雷射聚光部中的反射型空間光調變器、4f透鏡單元及聚光透鏡單元的光學配置關係的圖；圖15是圖7的雷射加工裝置中的反射型空間光調變器的局部剖面圖；圖16是表示圖15所示反射膜的反射率特性的圖表及表示設於透明基板表面的反射防止膜的透射率特性的圖表； 圖17是表示圖15所示像素電極表面的形變的圖表；圖18是表示顯示於圖15所示液晶層的形變修正圖案的圖；圖19是表示使圖像訊號的亮度值和相位調變量對應的圖表的圖；圖20是表示使圖像訊號的亮度值和相位調變量對應的圖表的圖。
以下，參照附圖詳細說明本發明的一個實施形態。此外，各圖中，有時對彼此相同的元件或彼此相當的元件標註相同的符號，並省略重複的說明。
實施形態有關的雷射加工裝置中，通過將雷射光聚光於加工對象物，沿著預定切斷線，在加工對象物形成變性區域。因此，首先，參照圖1~圖6說明變性區域的形成。
如圖1所示，雷射加工裝置100具備：脈衝振盪雷射光L的雷射光源101；以90°改變雷射光L的光軸(光路)的方向配置的二向色鏡103；及用於使雷射光L進行聚光的聚光用透鏡105。另外，雷射加工裝置100還具備：用於支撐由聚光用透鏡105聚光的雷射光L照射之對象物的加工對象物1的支撐台107；用於使支撐台107移動的移動機構的載物台111；為了調節雷射光L的輸出或脈衝寬度、脈衝波形等而控制雷射光源101的雷射 光源控制部102；及控制載物台111的移動的載物台控制部115。
雷射加工裝置100中，從雷射光源101射出的雷射光L利用二向色鏡103將其光軸的方向進行90°改變，並利用聚光用透鏡105聚光於載置在支撐台107上的加工對象物1的內部。與此同時，移動載物台111，使加工對象物1相對於雷射光L沿著切斷預定線5相對移動。由此，將沿著切斷預定線5的變性區域形成於加工對象物1。此外，在此，為了使雷射光L相對地移動，而移動載物台111，但也可以使聚光用透鏡105移動，或也可以使該等雙方移動。
作為加工對象物1，可使用包含由半導體材料形成的半導體基板或由壓電材料形成的壓電基板等的板狀的構件(例如，基板、晶圓等)。如圖2所示，在加工對象物1設定有用於切斷加工對象物1的切斷預定線5。切斷預定線5是直線狀延伸的假想線。在加工對象物1的內部形成變性區域的情況下，如圖3所示，在使聚光點(聚光位置)P對準加工對象物1的內部的狀態，使雷射光L沿著切斷預定線5(即，沿著圖2的箭頭A方向)相對地移動。由此，如圖4、圖5及圖6所示，沿著切斷預定線5在加工對象物1形成變性區域7，沿著切斷預定線5形成的變性區域7成為切斷起點區域8。切斷預定線5對應於照射預定線。
聚光點P是雷射光L進行聚光的部位。切斷 預定線5不限於直線形，也可以是曲線形，也可以是組合兩者的三維狀，也可以是座標指定的形狀。切斷預定線5不限於假想線，也可以是在加工對象物1的表面3上實際畫的線。變性區域7有時連續地形成，也有時間斷地形成。變性區域7可以是列狀，也可以是點狀，總之，變性區域7只要至少形成於加工對象物1的內部、表面3或者背面即可。另外，有時以變性區域7為起點形成龜裂，龜裂及變性區域7也可以在加工對象物1的外表面(表面3，背面或外圍面)露出。形成變性區域7時的雷射光入射面不限定於加工對象物1的表面3，也可以是加工對象物1的背面。
另外，在加工對象物1的內部形成變性區域7的情況下，雷射光L透射加工對象物1，並且特別是在位於加工對象物1內部的聚光點P附近吸收。由此，在加工對象物1形成變性區域7(即，內部吸收型雷射加工)。在該情況下，加工對象物1的表面3雷射光L幾乎不被吸收，因此，加工對象物1的表面3不會熔融。另一方面，在加工對象物1的表面3或者背面形成變性區域7的情況下，雷射光L特別是在位於表面3或者背面的聚光點P附近被吸收，從表面3或背面起熔融而被除去，形成孔或槽等除去部(表面吸收型雷射加工)。
變性區域7是指密度、折射率、機械強度及其它物理性的特性成為與周圍不同的狀態的區域。作為變性區域7，例如具有：熔融處理區域(是指一旦熔融後再 固化的區域、熔融狀態中的區域及從熔融進行再固化的狀態中的區域中的至少任一區域)、裂紋區域、絕緣破壞區域、折射率變化區域等，還具有將該等區域混合的區域。作為變性區域7，還具有加工對象物1的材料中，變性區域7的密度與非變性區域的密度比較而變化的區域，或形成有晶格缺陷的區域。在加工對象物1的材料為單晶矽的情況下，變性區域7也可稱為高錯位密度區域。
熔融處理區域、折射率變化區域、變性區域7的密度與非變性區域的密度比較而變化的區域及形成有晶格缺陷的區域有時在該等區域的內部或變性區域7和非變性區域的介面還內包龜裂(破裂，微裂紋)的情況。內包的龜裂有時形成至變性區域7的整面或有時僅形成至一部分或形成至多個部分。加工對象物1包含由具有結晶構造的結晶材料構成的基板。例如加工對象物1包含由氮化鎵(GaN)、矽(Si)、碳化矽(SiC)、LiTaO3及藍寶石(Al2O3)的至少任一項形成的基板。換言之，加工對象物1包含例如氮化鎵基板、矽基板、SiC基板、LiTaO3基板或藍寶石基板。結晶材料也可以是各向異性結晶及各向同性結晶的任一種。另外，加工對象物1也可以包含由具有非結晶構造(非晶構造)的非結晶材料構成的基板，也可以包含例如玻璃基板。
實施形態中，藉沿著切斷預定線5形成多個變性點(加工痕跡)，可以形成變性區域7。在該情況下，藉著集中多個變性點而成為變性區域7。變性點是由 脈衝雷射光的1脈衝的發射(即1脈衝的雷射照射：雷射光發射)形成的變性部分。作為變性點，可以舉出裂紋點、熔融處理點或折射率變化點或混合該等中的至少1個變性點等。對於變性點，考慮要求的切斷精度、要求的切斷面的平坦性、加工對象物1的厚度、種類、結晶方位等，可以適當控制其大小或產生的龜裂長度。另外，實施形態中，沿著切斷預定線5，可以變性點形成為變性區域7。
[實施形態的雷射加工裝置]
接著，說明實施形態的雷射加工裝置。以下的說明中，將水平面內彼此正交的方向設為X軸方向及Y軸方向，且將垂直方向設為Z軸方向。
[雷射加工裝置的整體構成]
如圖7所示，雷射加工裝置200具備：裝置框架210、第一移動機構(移動機構)220、支撐台230及第二移動機構240。再有，雷射加工裝置200具備：雷射輸出部300、雷射聚光部400及控制部500。
第一移動機構220安裝於裝置框架210。第一移動機構220具有：第一軌道單元221、第二軌道單元222及可動基座223。第一軌道單元221安裝於裝置框架210。在第一軌道單元221中設有沿著Y軸方向延伸的一對軌道221a、221b。第二軌道單元222沿著Y軸方向可 移動地安裝於第一軌道單元221的一對軌道221a、221b。第二軌道單元222中設有沿著X軸方向延伸的一對軌道222a、222b。可動基座223沿著X軸方向可移動地安裝於第二軌道單元222的一對軌道222a、222b。可動基座223可以與Z軸方向平行的軸線為中心線進行旋轉。
支撐台230安裝於可動基座223。支撐台230支撐加工對象物1。加工對象物1在例如由矽等半導體材料構成的基板的表面側呈矩陣狀形成有多個功能元件(光電二極體等受光元件、雷射二極體等發光元件或作為電路形成的電路元件等)。將加工對象物1支撐於支撐台230時，如圖8所示，在張貼於環狀的框架11的膜12上，例如黏貼加工對象物1的表面1a(多個功能元件側的面)。支撐台230利用夾具保持框架11，並利用真空工作盤吸附膜12，由此，支撐加工對象物1。在支撐台230上，加工對象物1中，將彼此平行的多個切斷預定線5a及彼此平行的多個切斷預定線5b通過相鄰的功能元件之間地設定成格子狀。
如圖7所示，支撐台230藉著在第一移動機構220中使第二軌道單元222動作，而沿著Y軸方向移動。另外，支撐台230藉著在第一移動機構220中使可動基座223動作，而沿著X軸方向移動。另外，支撐台230藉著在第一移動機構220中使可動基座223動作，而以與Z軸方向平行的軸線為中心線旋轉。如上述，支撐台230 是可以沿著X軸方向及Y軸方向移動且以和Z軸方向平行的軸線為中心線可旋轉地安裝於裝置框架210。
雷射輸出部300安裝於裝置框架210。雷射聚光部400經由第二移動機構240安裝於裝置框架210。雷射聚光部400是藉第二移動機構240動作，沿著Z軸方向移動。如上述，雷射聚光部400以相對於雷射輸出部300可沿著Z軸方向移動地安裝於裝置框架210。
控制部500由CPU(Central Processing Unit),ROM(Read Only Memory)及RAM(Random Access Memory)等構成。控制部500控制雷射加工裝置200各部的動作。
作為一例，雷射加工裝置200中，如下沿著各切斷預定線5a、5b(參照圖8)在加工對象物1的內部形成變性區域。
首先，使加工對象物1的背面1b(參照圖8)成為雷射入射面地將加工對象物1支撐於支撐台230，並將加工對象物1的各切斷預定線5a與平行於X軸方向的方向一致。接著，以雷射L的聚光點位於加工對象物1的內部中從加工對象物1的雷射入射面離開預定距離的位置地利用第二移動機構240使雷射聚光部400移動。接著，經常地維持加工對象物1的雷射入射面和雷射光L的聚光點的距離，同時使雷射光L的聚光點沿著各切斷預定線5a相對地移動。由此，沿著各切斷預定線5a，在加工對象物1的內部形成變性區域。
當沿著各切斷預定線5a的變性區域的形成結束時，利用第一移動機構220旋轉支撐台230，使加工對象物1的各切斷預定線5b與平行於X軸方向的方向一致。接著，使雷射光L的聚光點位於加工對象物1的內部中從加工對象物1的雷射光入射面離開預定距離的位置地利用第二移動機構240移動雷射聚光部400。接著，經常地維持加工對象物1的雷射光入射面和雷射光L的聚光點的距離，同時沿著各切斷預定線5b，使雷射光L的聚光點相對地移動。由此，沿著各切斷預定線5b，在加工對象物1的內部形成變性區域。
如上述，雷射加工裝置200中，將與X軸方向平行的方向設為加工方向(雷射光L的掃描方向)。此外，沿著各切斷預定線5a的雷射光L的聚光點的相對移動及沿著各切斷預定線5b的雷射光L的聚光點的相對移動是藉第一移動機構220使支撐台230沿著X軸方向移動而實施。另外，各切斷預定線5a間的雷射光L的聚光點的相對移動及各切斷預定線5b間的雷射光L的聚光點的相對移動是藉第一移動機構220使支撐台230沿著Y軸方向移動而實施。
如圖9所示，雷射輸出部300具有：安裝基座301、罩302及多個反射鏡303、304。並且，雷射輸出部300還具有：雷射振盪器310、快門320、λ/2波長板單元330、偏光板單元340、擴束器350及反射鏡單元360。
安裝基座301支撐有：多個反射鏡303、304、雷射振盪器310、快門320、λ/2波長板單元330、偏光板單元340、擴束器350及反射鏡單元360。多個反射鏡303、304、雷射振盪器310、快門320、λ/2波長板單元330、偏光板單元340、擴束器350及反射鏡單元360安裝於安裝基座301的主面301a。安裝基座301是板狀的構件，可相對於裝置框架210(參照圖7)裝卸。雷射輸出部300經由安裝基座301安裝於裝置框架210。即，雷射輸出部300可相對於裝置框架210裝卸。
罩302在安裝基座301的主面301a上覆蓋多個反射鏡303、304、雷射振盪器310、快門320、λ/2波長板單元330、偏光板單元340、擴束器350及反射鏡單元360。罩302可相對於安裝基座301裝卸。
雷射振盪器310使直線偏光的雷射光L沿著X軸方向進行脈衝振盪。從雷射振盪器310射出的雷射光L的波長包含於500~550nm、1000~1150nm或1300~1400nm的任一波長帶。500~550nm的波長帶的雷射光L例如適用於相對由藍寶石構成的基板的內部吸收型雷射加工。1000~1150nm及1300~1400nm的各波長帶的雷射光L例如適用於相對由矽構成的基板的內部吸收型雷射加工。從雷射振盪器310射出的雷射光L的偏光方向是例如與Y軸方向平行的方向。從雷射振盪器310射出的雷射光L被反射鏡303反射，並沿著Y軸方向射入快門320。
雷射振盪器310中，如下切換雷射光L的輸出的開啟/關斷(ON/OFF)。在由固體雷射構成雷射振盪器310的情況，藉著切換設於諧振器內的Q開關(AOM(聲光學調變器)、EOM(電光學調變器)等)的ON/OFF，高速地切換雷射光L的輸出的ON/OFF。在雷射振盪器310由光纖雷射器構成的情況，藉由切換構成種子雷射器、雷射放大器(激發用)的半導體雷射的輸出的ON/OFF，高速地切換雷射光L的輸出的ON/OFF。在雷射振盪器310使用外部調變元件的情況，藉著切換設於諧振器外的外部調變元件(AOM，EOM等)的ON/OFF，而高速地切換雷射L的輸出的ON/OFF。
快門320藉機械式的機構開閉雷射光L的光路。雷射光L從雷射輸出部300的輸出的ON/OFF的切換，如上述藉切換雷射振盪器310的雷射光L的輸出的ON/OFF而實施，但設置快門320，例如可防止雷射光L從雷射輸出部300意外地射出。通過快門320的雷射光L由反射鏡304反射，並沿著X軸方向依序射入λ/2波長板單元330及偏光板單元340。
λ/2波長板單元330及偏光板單元340作為調整雷射光L的輸出(光強度)的輸出調整部發揮作用。另外，λ/2波長板單元330及偏光板單元340作為調整雷射光L的偏光方向的偏光方向調整部發揮作用。依序通過λ/2波長板單元330及偏光板單元340的雷射光L沿著X軸方向射入擴束器350。
擴束器350調整雷射光L的直徑，同時使雷射光L平行化。通過擴束器350的雷射光L沿著X軸方向射入反射鏡單元360。
反射鏡單元360具有支撐基座361和多個反射鏡362、363。支撐基座361支撐多個反射鏡362、363。支撐基座361是沿著X軸方向及Y軸方向可調整位置地安裝於安裝基座301。反射鏡(第一反射鏡)362將通過擴束器350的雷射光L向Y軸方向反射。反射鏡362是使其反射面例如可圍繞與Z軸平行的軸線周圍調整角度地安裝於支撐基座361。
反射鏡(第二反射鏡)363將由反射鏡362反射的雷射光L向Z軸方向反射。反射鏡363是使其反射面例如可圍繞與X軸平行的軸線周圍調整角度且可沿著Y軸方向進調整位置地安裝於支撐基座361。由反射鏡363反射的雷射光L通過形成於支撐基座361的開口361a，沿著Z軸方向射入雷射聚光部400(參照圖7)。即，由雷射輸出部300射出的雷射光L的射出方向與雷射聚光部400的移動方向一致。如上述，各反射鏡362、363具有用於調整反射面的角度的機構。
反射鏡單元360中，藉著實施支撐基座361相對於安裝基座301的位置調整、反射鏡363相對於支撐基座361的位置調整及各反射鏡362、363的反射面的角度調整，從雷射輸出部300射出的雷射光L的光軸的位置及角度相對於雷射聚光部400一致。即，多個反射鏡 362、363是用於調整從雷射輸出部300射出的雷射光L的光軸的構成。
如圖10所示，雷射聚光部400具有框體401。框體401呈現以Y軸方向為長邊方向的長方體狀的形狀。在框體401的一方的側面401e安裝有第二移動機構240(參照圖11及圖13)。在框體401，在Z軸方向上與反射鏡單元360的開口361a相對地設有圓筒狀的光入射部401a。光入射部401a將從雷射輸出部300射出的雷射光L射入框體401內。反射鏡單元360和光入射部401a是利用第二移動機構240使雷射聚光部400沿著Z軸方向移動時不會彼此接觸的距離彼此分開。
如圖11及圖12所示，雷射聚光部400具有反射鏡402和二向色鏡403。雷射聚光部400還具有：反射型空間光調變器410、4f透鏡單元420、聚光透鏡單元(物鏡)430、驅動機構440及一對測距感測器450。
反射鏡402是在Z軸方向與光入射部401a相對地安裝於框體401的底面401b。反射鏡402將經由光入射部401a射入於框體401內的雷射光L朝著與XY平面平行的方向反射。利用雷射輸出部300的擴束器350平行化的雷射光L沿著Z軸方向射入反射鏡402。即，雷射光L作為平行光沿著Z軸方向射入反射鏡402。因此，即使利用第二移動機構240使雷射聚光部400沿著Z軸方向移動，也可恆定維持沿著Z軸方向射入反射鏡402的雷射光L的狀態。由反射鏡402反射的雷射光L射入反射型空 間光調變器410。
反射型空間光調變器410在反射面410a面向框體401內的狀態下，安裝於Y軸方向的框體401的端部401c。反射型空間光調變器410是例如反射型液晶(LCOS：Liquid Crystal on Silicon)的空間光調變器(SLM：Spatial Light Modulator)，調變雷射光L，同時將雷射光L向Y軸方向反射。由反射型空間光調變器410調變並反射的雷射光L沿著Y軸方向射入4f透鏡單元420。在此，與XY平面平行的平面內，射入反射型空間光調變器410的雷射光L的光軸與從反射型空間光調變器410射出的雷射光L的光軸構成的角度α形成銳角(例如，10~60°)。即，雷射光L在反射型空間光調變器410中沿著XY平面以銳角反射。這是由於抑制雷射光L的入射角及反射角並抑制衍射效率的降低，且充分發揮反射型空間光調變器410的性能。此外，反射型空間光調變器410中，例如，使用液晶的光調變層的厚度極薄為數μm~數十μm左右，因此，可以判斷反射面410a是與光調變層的光射入射出面實質相同。
4f透鏡單元420具有：支架421、反射型空間光調變器410側的透鏡422、聚光透鏡單元430側的透鏡423及狹縫構件424。支架421保持一對透鏡422、423及狹縫構件424。支架421恆定地維持沿著雷射光L的光軸的方向的一對透鏡422、423及狹縫構件424彼此的位置關係。一對透鏡422、423構成反射型空間光調變器410 的反射面410a和聚光透鏡單元430的入射光瞳面(光瞳面)430a處於成像關係的兩側遠心光學系統。
由此，反射型空間光調變器410的反射面410a上的雷射光L的像(反射型空間光調變器410中調變的雷射光L的像)在聚光透鏡單元430的入射光瞳面430a傳像(成像)。在狹縫構件424上形成有狹縫424a。狹縫424a在透鏡422和透鏡423之間且位於透鏡422的焦點面附近。由反射型空間光調變器410調變並反射的雷射光L中不需要的部分被狹縫構件424隔斷。通過4f透鏡單元420的雷射光L沿著Y軸方向射入二向色鏡403。
二向色鏡403使雷射光L的大部分(例如，95~99.5%)向Z軸方向反射，且使雷射光L的一部分(例如，0.5~5%)沿著Y軸方向透射。雷射光L的大部分在二向色鏡403中沿著ZX平面以直角反射。由二向色鏡403反射的雷射光L沿著Z軸方向射入聚光透鏡單元430。
聚光透鏡單元430經由驅動機構440安裝於Y軸方向的框體401的端部401d(端部401c的相反側的端部)。聚光透鏡單元430具有支架431和多個透鏡432。支架431保持多個透鏡432。多個透鏡432相對於支撐在支撐台230的加工對象物1(參照圖7)進行雷射光L聚光。驅動機構440藉壓電元件的驅動力，使聚光透鏡單元430沿著Z軸方向移動。
一對測距感測器450是在X軸方向位於聚光透鏡單元430兩側地安裝於框體401的端部401d。各測距感測器450對支撐於支撐台230的加工對象物1(參照圖7)的雷射光入射面射出測距用的光(例如，雷射光)，並檢測由該雷射入射面反射的測距用的光，由此，取得加工對象物1的雷射光入射面的位移數據。此外，測距感測器450可使用三角測距方式、雷射共焦點方式、白色共焦點方式、分光干涉方式、非點像差方式等的感測器。
雷射加工裝置200中，如上述，將與X軸方向平行的方向設為加工方向(雷射光L的掃描方向)。因此，使雷射光L的聚光點沿著各切斷預定線5a、5b相對移動時，一對測距感測器450中對聚光透鏡單元430相對先行的測距感測器450取得沿著各切斷預定線5a、5b的加工對象物1的雷射光入射面的位移數據。並且，以恆定維持加工對象物1的雷射光入射面和雷射光L的聚光點的距離的方式，驅動機構440基於由測距感測器450取得的位移數據，使聚光透鏡單元430沿著Z軸方向移動。
雷射聚光部400具有：分束器461、一對透鏡462、463、分佈取得用攝影機(強度分佈取得部)464。分束器461將透射了二向色鏡403的雷射光L分成反射成分和透射成分。由分束器461反射的雷射光L沿著Z軸方向依序射入一對透鏡462、463及分佈取得用攝影機464。一對透鏡462、463構成聚光透鏡單元430的入射光 瞳面430a和分佈取得用攝影機464的拍攝面處於成像關係的兩側遠心光學系統。由此，聚光透鏡單元430的入射光瞳面430a的雷射光L的像在分佈取得用攝影機464的拍攝面上傳像(成像)。如上述，聚光透鏡單元430的入射光瞳面430a的雷射光L的像是在反射型空間光調變器410中調變後的雷射光L的像。因此，雷射加工裝置200中，監視分佈取得用攝影機464的拍攝結果，可以掌握反射型空間光調變器410的動作狀態。
另外，雷射聚光部400具有：分束器471、透鏡472、雷射光L的光軸位置監視用的攝影機473。分束器471將透射分束器461後的雷射光L分成反射成分和透射成分。由分束器471反射的雷射光L沿著Z軸方向依序射入透鏡472及攝影機473。透鏡472使射入後的雷射光L在攝影機473的拍攝面上聚光。雷射加工裝置200中，監視攝影機464及攝影機473各自的拍攝結果，同時在反射鏡單元360中，實施支撐基座361相對於安裝基座301的位置調整；反射鏡363相對於支撐基座361的位置調整；及各反射鏡362、363的反射面的角度調整(參照圖9及圖10)，可以修正射入聚光透鏡單元430的雷射光L的光軸的偏離(雷射光相對於聚光透鏡單元430的強度分佈的位置偏離及雷射光L相對於聚光透鏡單元430的光軸的角度偏離)。
多個分束器461、471配置在從框體401的端部401d沿著Y軸方向延伸的筒體404內。一對透鏡 462、463配置於沿著Z軸方向豎立設置在筒體404上的筒體405內，分佈取得用攝影機464配置於筒體405的端部。透鏡472配置在沿著Z軸方向豎立設置於筒體404上的筒體406內，攝影機473配置於筒體406的端部。筒體405和筒體406在Y軸方向上相互並設。此外，透射分束器471後的雷射光L也可以被設於筒體404的端部的阻尼器等吸收，或也可以在適宜的用途利用。
如圖12及圖13所示，雷射聚光部400具有：可見光源481、多個透鏡482、標線483、反射鏡484、半反射鏡485、分束器486、透鏡487及觀察攝影機488。可見光源481沿著Z軸方向射出可見光V。多個透鏡482使得從可見光源481射出的可見光V平行化。標線483對可見光V賦予刻度線。反射鏡484將由多個透鏡482平行化的可見光V向X軸方向反射。半反射鏡485將由反射鏡484反射的可見光V分成反射成分和透射成分。由半反射鏡485反射的可見光V沿著Z軸方向依序透射分束器486及二向色鏡403，且經由聚光透鏡單元430，對支撐於支撐台230的加工對象物1(參照圖7)進行照射。
照射於加工對象物1的可見光V由加工對象物1的雷射光入射面反射，經聚光透鏡單元430向二向色鏡403射入，並沿著Z軸方向透射二向色鏡403。分束器486將透射二向色鏡403後的可見光V分成反射成分和透射成分。透射分束器486後的可見光V透射半反射 鏡485，並沿著Z軸方向依序射入透鏡487及觀察攝影機488。透鏡487將射入後的可見光V聚光於觀察攝影機488的拍攝面上。雷射加工裝置200中，藉觀察攝影機488觀察的拍攝結果，可以掌握加工對象物1的狀態。
反射鏡484、半反射鏡485及分束器486配置在安裝於框體401的端部401d上的支架407內。多個透鏡482及標線483配置於沿著Z軸方向豎立設置於支架407上的筒體408內，可見光源481配置於筒體408的端部。透鏡487配置在沿著Z軸方向豎立設置於支架407上的筒體409內，觀察攝影機488配置於筒體409的端部。筒體408和筒體409在X軸方向相互並設。此外，沿著X軸方向透射半反射鏡485後的可見光V，及由分束器486在X軸方向反射的可見光V也可與分別被設於支架407的壁部的阻尼器等吸收，或在適宜的用途中利用。
雷射加工裝置200中，假定有雷射輸出部300的更換。這是由於對應加工對象物1的規格、加工條件等，適於加工的雷射光L的波長不同。因此，準備射出的雷射光L的波長彼此不同的多個雷射輸出部300。在此，準備射出的雷射光L的波長包含於500~550nm的波長帶的雷射輸出部300；射出的雷射光L的波長包含於1000~1150nm的波長帶的雷射輸出部300；及射出的雷射光L的波長包含於1300~1400nm的波長帶的雷射輸出部300。
另一方面，雷射加工裝置200中，不假定有 雷射聚光部400的更換。這是由於雷射聚光部400與多個波長對應(與彼此不連續的多個波長帶對應)。具體而言，反射鏡402、反射型空間光調變器410、4f透鏡單元420的一對透鏡422、423、二向色鏡403及聚光透鏡單元430的透鏡432等對應多個波長。
在此，雷射聚光部400與500~550nm、1000~1150nm及1300~1400nm的波長帶對應。這是藉如下實現，即對雷射聚光部400的各構成塗敷規定的電介質多層膜等，以滿足期望的光學性能地設計雷射聚光部400的各構成。此外，雷射輸出部300中，λ/2波長板單元330具有λ/2波長板，偏光板單元340具有偏光板。λ/2波長板及偏光板是具有波長依賴性高的光學元件。因此，λ/2波長板單元330及偏光板單元340作為每個波長帶不同的構成設於雷射輸出部300。
[雷射加工裝置的雷射光路及偏光方向]
雷射加工裝置200中，對支撐於支撐台230的加工對象物1進行聚光的雷射光L的偏光方向如圖11所示，與X軸方向平行的方向，且與加工方向(雷射光L的掃描方向)一致。在此，反射型空間光調變器410中，雷射光L作為P偏光進行反射。這是由於在反射型空間光調變器410的光調變層使用液晶的情況下，為了液晶分子在與包含對反射型空間光調變器410射入射出的雷射光L的光軸的平面平行的面內傾斜，而進行該液晶取向時，在 抑制偏波面的旋轉後的狀態下對雷射光L實施相位調變(例如，參照日本特許第3878758號公報)。
另一方面，二向色鏡403中，雷射光L作為S偏光進行反射。這是由於和以雷射光L作為P偏光進行反射比較，以雷射光L作為S偏光反射的一方，用於使二向色鏡403與多個波長對應的電介質多層膜的塗敷數減少等，二向色鏡403的設計變得容易。
因此，雷射聚光部400中，從反射鏡402經由反射型空間光調變器410及4f透鏡單元420到達二向色鏡403的光路是設定沿著XY平面，且從二向色鏡403到達聚光透鏡單元430的光路是設定沿著Z軸方向。
如圖9所示，雷射輸出部300中，雷射光L的光路是設定沿著X軸方向或Y軸方向。具體而言，從雷射振盪器310到達反射鏡303的光路，以及從反射鏡304經由λ/2波長板單元330、偏光板單元340及擴束器350到達反射鏡單元360的光路是設定沿著X軸方向，從反射鏡303經由快門320到達反射鏡304的光路及反射鏡單元360中從反射鏡362到達反射鏡363的光路是設定沿著Y軸方向。
在此，沿著Z軸方向從雷射輸出部300向雷射聚光部400行進的雷射光L如圖11所示，利用反射鏡402向與XY平面平行的方向反射，射入反射型空間光調變器410。此時，與XY平面平行的平面內，射入反射型空間光調變器410的雷射光L的光軸和從反射型空間光調 變器410射出的雷射光L的光軸構成銳角的角度α。另一方面，如上述，雷射輸出部300中，雷射光L的光路是設定沿著X軸方向或Y軸方向。
因此，雷射輸出部300中，需要不僅將λ/2波長板單元330及偏光板單元340作為調整雷射光L的輸出的輸出調整部，而且還作為調整雷射光L的偏光方向的偏光方向調整部發揮作用。
[4f透鏡單元]
如上述，4f透鏡單元420的一對透鏡422、423構成反射型空間光調變器410的反射面410a和聚光透鏡單元430的入射光瞳面430a處於成像關係的兩側遠心光學系統。具體而言，如圖14所示，反射型空間光調變器410側的透鏡422和反射型空間光調變器410的反射面410a之間的光路的距離成為透鏡422的第一焦點距離f1，聚光透鏡單元430側的透鏡423和聚光透鏡單元430的入射光瞳面430a之間的光路的距離成為透鏡423的第二焦點距離f2，透鏡422的中心和透鏡423的中心之間的光路的距離成為第一焦點距離f1和第二焦點距離f2的和(即，f1+f2)。從反射型空間光調變器410到達聚光透鏡單元430的光路中一對透鏡422、423間的光路為一直線。
雷射加工裝置200中，從增大反射型空間光調變器410的反射面410a的雷射光L的有效直徑的觀點 來看，兩側遠心光學系統的倍率M滿足0.5<M<1(縮小系統)。反射型空間光調變器410的反射面410a的雷射光L的有效直徑越大，越是可以高精細的相位圖案調變雷射光L。從抑制反射型空間光調變器410到聚光透鏡單元430的雷射光L的光路變長的觀點來看，可為0.6≦M≦0.95。在此，(兩側遠心光學系統的倍率M)=(聚光透鏡單元430的入射光瞳面430a的像的大小)/(反射型空間光調變器410的反射面410a的物體的大小)。在雷射加工裝置200的情況，兩側遠心光學系統的倍率M、透鏡422的第一焦點距離f1及透鏡423的第二焦點距離f2滿足M=f2/f1。
此外，從縮小反射型空間光調變器410的反射面410a的雷射光L的有效直徑的觀點來看，兩側遠心光學系統的倍率M也可以滿足1<M<2(放大系統)。反射型空間光調變器410的反射面410a的雷射光L的有效直徑越小，擴束器350(參照圖9)的倍率越小即可，與XY平面平行的平面內，射入反射型空間光調變器410的雷射光L的光軸和從反射型空間光調變器410射出的雷射光L的光軸構成的角度α(參照圖11)變小。從抑制反射型空間光調變器410到達聚光透鏡單元430的雷射光L的光路變長的觀點來看，可以為1.05≦M≦1.7。
[反射型空間光調變器]
如圖15所示，反射型空間光調變器410是藉 依序層疊矽基板213、驅動電路層914、多個像素電極214、電介質多層膜反射鏡等反射膜215、取向膜999a、液晶層(調變層)216、取向膜999b、透明導電膜217及玻璃基板等透明基板218所構成。
透明基板218具有表面218a。表面218a如上述，也可判斷為實質上構成反射型空間光調變器410的反射面410a，但更具體而言，是雷射光L射入的入射面。即，透明基板218例如由玻璃等光透射性材料構成，將從反射型空間光調變器410的表面218a射入的雷射光L透射至反射型空間光調變器410的內部。透明導電膜217形成於透明基板218的背面上，由透射雷射光L的導電性材料(例如ITO)構成。
多個像素電極214沿著透明導電膜217在矽基板213上排列成矩陣狀。各像素電極214例如由鋁等金屬材料構成，該等的表面214a平坦且光滑地加工。表面214a將從透明基板218的表面218a射入的雷射光L向表面218a反射。即，反射型空間光調變器410包含雷射光L射入的表面218a和將從表面218a射入的雷射光L向表面218a反射的表面214a。多個像素電極214由設於驅動電路層914的有源矩陣電路驅動。
有源矩陣電路設於多個像素電極214和矽基板213之間，對應從反射型空間光調變器410輸出的光像控制向各像素電極214的施加電壓。該種有源矩陣電路具有：例如控制未圖示的沿X軸方向排列的各像素列的施加 電壓的第一驅動電路，及控制沿Y軸方向排列的各像素列的施加電壓的第二驅動電路，且以對由控制部500在雙方驅動電路指定的像素的像素電極214施加規定電壓所構成。
取向膜999a、999b配置於液晶層216的兩端面，使液晶分子組沿一定方向排列。取向膜999a、999b例如由聚醯亞胺等高分子材料構成，對與液晶層216的接觸面實施摩擦處理等。
液晶層216配置於多個像素電極214和透明導電膜217之間，對應由各像素電極214和透明導電膜217形成的電場調變雷射光L。即，當利用驅動電路層914的有源矩陣電路對各像素電極214施加電壓時，在透明導電膜217和各像素電極214之間形成電場，對應形成於液晶層216的電場的大小改變液晶分子216a的排列方向。並且，當雷射光L透射過透明基板218及透明導電膜217並射入液晶層216時，該雷射光L在通過液晶層216的期間由液晶分子216a調變，在反射膜215中反射後，再次由液晶層216調變並射出。
此時，利用控制部500控制對各像素電極214施加的電壓，對應該電壓，改變液晶層216中被透明導電膜217和各像素電極214夾持的部分的折射率(改變與各像素對應的位置的液晶層216的折射率)。藉著該折射率的變化，對應施加的電壓，可以按照液晶層216的每個像素改變雷射光L的相位。即，可以按照每個像素藉液晶層 216賦予對應全息圖案的相位調變。
換言之，可以使賦予調變的作為全息圖案的調變圖案顯示於反射型空間光調變器410的液晶層216。射入並透射調變圖案的雷射光L中，調整其波陣面，構成該雷射光L的各光線中，在與行進方向正交的規定方向的成分的相位產生偏離。因此，藉適宜設定顯示於反射型空間光調變器410的調變圖案，可以調變雷射光L(例如，調變雷射光L的強度、振幅、相位、偏光等)。
進一步換言之，對應施加於各像素電極214的電壓，沿著像素電極214的排列方向，在液晶層216產生折射率分佈，將可對雷射光L賦予相位調變的相位圖案顯示於液晶層216。即，反射型空間光調變器410配置於表面218a和表面214a之間，且包含顯示相位圖案並調變雷射光L的液晶層(調變層)216。
接著，更詳細說明反射型空間光調變器410。反射型空間光調變器410是可對應500nm以上550nm以下的第一波長帶、1000nm以上1150nm以下的第二波長帶及1300nm以上1400nm以下的第三波長帶等彼此不連續的多個波長帶所構成(對應多個波長)。因此，在像素電極214的表面214a形成有作為電介質多層膜的反射膜215，該反射膜215在多個波長帶具有高反射率區域。圖16(a)是表示反射膜215的反射率特性的一例的圖。如圖16(a)所示，在此，反射膜215具有與第一波長帶對應的高反射率區域RR1；與第二波長帶對應的高反射率 區域RR2；及與第三波長帶對應的高反射率區域RR3。
在高反射率區域RR1~RR3的各自之間形成有低反射率區域。由此，高反射率區域RR1~RR3在高反射率的範圍內彼此不連續。在此的高反射率區域是反射率為95%以上的區域。因此，在此，低反射率區域是反射率比95%低的區域。此外，如上述，反射膜215包含(高反射率的範圍內)彼此不連續的多個高反射率區域RR1~RR3，但也可以使高反射率區域RR1~高反射率區域RR3在高反射率的範圍內連續。即，作為一例，也可以遍及從第一波長帶的下限即500nm到第三波長帶的上限即1400nm的波長帶整體，成為高反射率地構成反射膜215。但是，在該情況下，電介質多層膜的膜數增加，反射膜215的膜厚增大。其結果，為了在液晶層216顯示規定的相位圖案，需要較大的電壓。因此，如上述，僅將成為對象的波長帶(第一波長帶~第三波長帶)各自作為高反射率抑制電介質多層膜的膜厚的增大是有利的。
另外，在透明基板218的表面218a形成有反射防止膜(未圖示)，該反射防止膜在多個波長帶具有高透射率區域。圖16(b)是表示反射防止膜的透射率特性的一例的圖。如圖16(b)所示，設於表面218a的反射防止膜具有與第一波長帶對應的高透射率區域TR1；與第二波長帶對應的高透射率區域TR2；及與第三波長帶對應的高透射率區域TR3。此外，圖16(b)中，利用實線表示0%~100%的透射率的範圍(左側的縱軸)，利用虛線 表示90%~100%的透射率的範圍(右側的縱軸)。另外，在此的高透射率區域是透射率大致為98%以上的區域。
在此，像素電極214的表面214a具有規定的平面度。即，有時表面214a具有規定的形變。在表面214a上產生形變時，對在表面214a反射的雷射光L的波陣面也賦予形變。因此，雷射加工裝置200具有用於修正波陣面的形變的相位圖案的形變修正圖案。圖17(a)是表示形變的一例的圖表。圖17(a)的例中，表示例如對應矽基板213的翹曲，在多個像素電極214的整個表面214a產生形變的情況。
圖17(b)是藉圖17(a)的形變量除以雷射光L的波長設為波長換算的形變量的圖表。另外，圖17(b)中，橫軸變換成像素電極214的像素編號(像素位置)。如圖17(b)所示，波長換算的形變量在每一個波長(2π)形成折回S1、S2。因此，在波長換算的情況下，例如在雷射光L的波長為1064nm時(實線)和雷射光L的波長為532nm時(虛線)，各像素中的形變量不同。即，需要根據雷射光L的波長而不同的相位調變量(即，形變修正圖案)。
圖18(a)是相對於1064nm的波長的形變修正圖案，圖18(b)是相對於532nm的波長的形變修正圖案。此外，圖18表示實際用於將形變修正圖案顯示於液晶層216的圖像訊號。圖像訊號中，其亮度值的分佈相當 於經由電壓與液晶層216的折射率的分佈。因此，圖18的圖像訊號與相位圖案(形變修正圖案)等價。如圖18所示，相對於1064nm的波長的形變修正圖案包含與折回S1對應的圖案，相對於此，相對於532nm的波長的形變修正圖案包含與折回S1和折回S2對應的圖案(折回的週期為一半)。
如上述，雷射加工裝置200保持多個波長帶的每個不同的形變修正圖案(即，具有圖案保持部)。圖案保持部也可構成於控制部500，也可構成於反射型空間光調變器410。在此，至少保持有與第一波長帶、第二波長帶及第三波長帶的3個波長帶對應的形變修正圖案。並且，各個形變修正圖案成為將形變修正量換算成各個波長而得到的圖案，即以與波長對應的週期形成形變修正量(相位調變量)的折回S1、S2的圖案。
在此，雷射加工裝置200具有使用於將相位圖案形成於液晶層216的圖像訊號的亮度值和相位圖案的相位調變量相對應的圖表(以下，稱為“LUT(Look-Up table(查詢表))”)。接著，說明該LUT。圖19(a)是表示對液晶層216施加的電壓與利用液晶層216賦予雷射光L的相位調變量(波長顯示)的關係的一例的圖。圖19(b)是表示LUT的一例的圖。如圖19(a)所示，例如，為了對1064nm的波長的雷射光L賦予一個波長(1064nm)量的相位調變，只要對液晶層216賦予大致2V的電壓即可。
因此，如圖19(b)的實線所示，藉著對圖像訊號的256灰階的亮度值分配0~2V的電壓，可以使1064nm的雷射光L的0~2π(一個波長量)的相位調變量和256灰階的亮度值對應。另一方面，如圖19(a)所示，為了對532nm的波長的雷射光L賦予一個波長(532nm)量的相位調變，對液晶層216賦予比2V小的電壓(例如1.2V左右)即已足夠。此外，相位調變量並非絕對量而是差量。因此，例如作為LUT，也可以在532nm的雷射光中使用2.4V~3.5V左右的區域。在使用的電壓範圍內，液晶的回應速度等特性改變，因此，可以根據用途使用最佳的電壓範圍。
因此，如上述，當對圖像訊號的256灰階的亮度值分配0~2V的電壓時，如圖19(b)所示，相對於532nm的雷射光L，將比2π(一個波長量)大的相位調變量(例如4π)與256灰階的亮度值對應。因此，相對於實效的532nm的雷射光L的2π量(一個波長量)的相位調變量，可使用比256灰階少的灰階(例如128灰階)的亮度值。因此，如上述在多個波長中使用同一LUT時，多個波長中的相對較短的波長的雷射光L的調變後的波陣面的重現性劣化。
與此相對，雷射加工裝置200保持每個波長帶不同的LUT。作為一例，雷射加工裝置200如上述，保持有：藉著對圖像訊號的256灰階的亮度值分配0~2V的電壓，使1064nm的雷射光L的0~2π(一個波長量)的 相位調變量和256灰階的亮度值對應的LUT(參照圖20(a))；並藉著對圖像訊號的256灰階的亮度值分配0~1.2V的電壓，使532nm的雷射光L的0~2π(一個波長量)的相位調變量和256灰階的亮度值對應的LUT(參照圖20(b))。此外，圖20(a)和(b)的LUT藉著波長顯示縱軸，可如彼此不同地記載。
如上述，雷射加工裝置200保持按每個波長帶不同的LUT(即，具有圖表保持部)。圖表保持部也可構成於控制部500，也可構成於反射型空間光調變器410。在此，至少保持有與第一波長帶、第二波長帶及第三波長帶的3個波長帶對應的LUT。並且，各個LUT中，波長帶越短，使波長換算中越少的相位調變量與一定的灰階(在此，256灰階)的亮度值對應。
如以上說明，雷射加工裝置200中，雷射光L根據反射型空間光調變器410的相位圖案進行調變後，利用聚光透鏡單元430向加工對象物1聚光。反射型空間光調變器410具有：雷射光L射入的透明基板218的表面218a；將從表面218a射入的雷射光L進行反射的像素電極214的表面214a；及配置於表面218a和表面214a之間的液晶層216。
雷射光L從表面218a射入並通過液晶層216時，對應相位圖案進行調變。另外，雷射光L在表面214a反射並再次通過液晶層216時也進行調變，並從反射型空間光調變器410射出。在此，在表面214a形成有 電介質多層膜的反射膜215，該反射膜215在彼此不連續的多個波長帶具有高反射率區域RR1~RR3。因此，根據該反射型空間光調變器410，可以降低多個波長帶的雷射光L在表面214a上的損失，且調變雷射光L。因此，該雷射加工裝置200可以對應多個波長帶。
另外，雷射加工裝置200具備圖案保持部(例如控制部500)，該圖案保持部是保持用於對應像素電極214的表面214a的平面度修正賦予雷射光L的波陣面的形變之相位圖案的形變修正圖案。並且，圖案保持部保持按每個波長帶不同的形變修正圖案。如上述，像素電極214的表面214a在每個反射型空間光調變器410具有規定的平面度。但是，為了修正對應其平面度賦予雷射光L的波陣面的形變，需要對應波長而不同的相位調變量。因此，如上述，保持按每個波長帶不同的形變修正圖案，則可以容易且可靠地對應多個波長帶。
另外，雷射加工裝置200具備圖表保持部(例如控制部500)，該圖表保持部保持LUT，該LUT是與相位圖案顯示於調變層216用的圖像訊號的亮度值和相位圖案的相位調變量相對應。並且，圖表保持部保持按每個波長帶不同的LUT。如上述，相對於某波長的雷射光L，準備對其一個波長量(2π量)的相位調變量例如分配(對應)圖像訊號的256灰階的亮度值的LUT，可以將適於該波長的相位調變圖案容易地顯示於調變層216。
但是，當對比該波長更短的波長的雷射光L， 使用同一LUT時，對一個波長量的相位調變量使用更少的灰階的亮度值，會使調變後的波陣面的再現性下降。與此相對，雷射加工裝置200保持按每個波長帶不同的LUT。因此，可以使用適於各個波長帶的LUT，可抑制波陣面的重現性降低。
另外，雷射加工裝置200中，在透明基板218的表面218a形成有反射防止膜，該反射防止膜在多個波長帶具有高透射率區域TR1~TR3。因此，可以進一步降低雷射光L的損失，且確實地對應多個波長帶。
以上是本發明的一個實施形態。本發明不限定於上述實施形態，也可以在不變更各請求項主旨的範圍內變形，或應用於其他方式。
例如，上述實施形態不限於在加工對象物1的內部形成變性區域7，也可以實施燒蝕等其它雷射加工。上述實施形態不限於將雷射光L聚光於加工對象物1的內部的雷射加工所使用的雷射加工裝置，也可以是將雷射光L聚光於加工對象物1的表面1a、3或背面1b的雷射加工所使用的雷射加工裝置。
另外，上述實施形態中，構成反射型空間光調變器410的反射面410a和聚光透鏡單元430的入射光瞳面430a處於成像關係的兩側遠心光學系統的成像光學系統不限於一對透鏡422、423，也可以是包含反射型空間光調變器410側的第一透鏡系統(例如，接合透鏡，3個以上的透鏡等)及聚光透鏡單元430側的第二透鏡系統 (例如，接合透鏡，3個以上的透鏡等)的系統等。
另外，雷射聚光部400中，將通過一對透鏡422、423後的雷射光L向聚光透鏡單元430反射的反射鏡雖是二向色鏡403，但該反射鏡也可以是全反射反射鏡。
另外，聚光透鏡單元430及一對測距感測器450雖安裝於Y軸方向的框體401的端部401d，但只要比Y軸方向的框體401的中心位置更靠端部401d側安裝即可。反射型空間光調變器410雖安裝於Y軸方向的框體401的端部401c，但只要比Y軸方向的框體401的中心位置更靠端部401c側安裝即可。另外，測距感測器450也可以在X軸方向僅配置於聚光透鏡單元430的一側。
[產業上的可利用性]
根據本發明，能夠提供可對應多個波長帶的雷射加工裝置。
213‧‧‧矽基板
214‧‧‧像素電極
214a‧‧‧表面(反射面)
215‧‧‧反射膜(電介質多層膜)
216‧‧‧液晶層(調變層)
216a‧‧‧液晶分子
217‧‧‧透明導電膜
218‧‧‧透明基板
218a‧‧‧表面(入射面)
410‧‧‧反射型空間光調變器(空間光調變器)
410a‧‧‧反射面
914‧‧‧驅動電路層
999a‧‧‧取向膜
999b‧‧‧取向膜

Claims (9)

  1. 一種雷射加工裝置，其特徵為：向對象物照射雷射光並進行上述對象物的雷射加工的雷射加工裝置，具備：雷射輸出部，輸出上述雷射光；空間光調變器，對應相位圖案調變且反射從上述雷射輸出部輸出的上述雷射光；及物鏡，將來自上述空間光調變器的上述雷射光向上述對象物聚光，上述空間光調變器，具有：上述雷射光射入的入射面；將從上述入射面射入的上述雷射光向上述入射面反射的反射面；及配置於上述入射面和上述反射面之間且顯示上述相位圖案並調變上述雷射光的調變層，在上述反射面形成有在彼此不連續的多個波長帶具有高反射率區域的電介質多層膜。
  2. 如申請專利範圍第1項記載的雷射加工裝置，其中，具備保持形變修正圖案的圖案保持部，上述形變修正圖案是用於對應上述反射面的平面度修正賦予上述雷射光的波陣面的形變的上述相位圖案，上述圖案保持部保持按每個上述波長帶不同的上述形變修正圖案。
  3. 如申請專利範圍第1項記載的雷射加工裝置，其中，具備圖表保持部，上述圖表保持部保持使上述相位圖案顯示於上述調變層用的圖像訊號的亮度值和上述相位圖案的相位調變量對應的圖表，上述圖表保持部保持按每個上述波長帶不同的上述圖表。
  4. 如申請專利範圍第2項記載的雷射加工裝置，其中具備圖表保持部，上述圖表保持部保持使上述相位圖案顯示於上述調變層用的圖像訊號的亮度值和上述相位圖案的相位調變量相對應的圖表，上述圖表保持部保持按每個上述波長帶不同的上述圖表。
  5. 如申請專利範圍第1~4項中任一項記載的雷射加工裝置，其中，在上述入射面形成有在上述多個波長帶具有高透射率區域的反射防止膜。
  6. 如申請專利範圍第1~4項中任一項記載的雷射加工裝置，其中，上述多個波長帶包含500nm以上且550nm以下的第一波長帶及1000nm以上且1150nm以下的第二波長帶。
  7. 如申請專利範圍第5項記載的雷射加工裝置，其中，上所述多個波長帶包含500nm以上且550nm以下的第一波長帶及1000nm以上且1150nm以下的第二波長帶。
  8. 如申請專利範圍第6項記載的雷射加工裝置，其中，上述多個波長帶包含1300nm以上且1400nm以下的第三波長帶。
  9. 如申請專利範圍第7項記載的雷射加工裝置，其中，上述多個波長帶包含1300nm以上且1400nm以下的第三波長帶。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI669178B (zh) * 2018-05-17 2019-08-21 國立雲林科技大學 Processing device for collecting laser light by using droplets and processing method thereof

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6689646B2 (ja) * 2016-04-01 2020-04-28 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工装置
WO2019198512A1 (ja) * 2018-04-09 2019-10-17 東京エレクトロン株式会社 レーザー加工装置、レーザー加工システム、およびレーザー加工方法
JP7105639B2 (ja) 2018-07-05 2022-07-25 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工装置
KR20210081402A (ko) * 2018-10-30 2021-07-01 하마마츠 포토닉스 가부시키가이샤 레이저 가공 헤드 및 레이저 가공 장치
JP7368373B2 (ja) * 2018-10-30 2023-10-24 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工装置
WO2021118327A2 (ko) * 2019-12-12 2021-06-17 두원포토닉스 주식회사 이종파장의 레이저 빔을 이용한 레이저 가공 장치 및 그 방법

Family Cites Families (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS591599B2 (ja) 1977-10-11 1984-01-12 株式会社オ−トスタンプ研究所 証券等の自動押印装置
JP3878758B2 (ja) 1998-12-04 2007-02-07 浜松ホトニクス株式会社 空間光変調装置
DE10085411B3 (de) * 2000-01-19 2017-03-02 Hamamatsu Photonics K.K. Laserlichtbearbeitungsvorrichtung mit einem räumlichen Lichtmodulator
JP4420672B2 (ja) * 2001-10-25 2010-02-24 浜松ホトニクス株式会社 位相変調装置及び位相変調方法
US6577429B1 (en) * 2002-01-15 2003-06-10 Eastman Kodak Company Laser projection display system
JP2007264353A (ja) 2006-03-29 2007-10-11 Aomoriken Kogyo Gijutsu Kyoiku Shinkokai 波長選択性薄膜
US8576206B2 (en) * 2007-12-05 2013-11-05 Hamamatsu Photonics K.K. Phase modulating apparatus and phase modulating method
JP5319397B2 (ja) * 2009-05-27 2013-10-16 シャープ株式会社 半導体レーザ装置
JP5479925B2 (ja) * 2010-01-27 2014-04-23 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工システム
JP5456510B2 (ja) 2010-02-23 2014-04-02 株式会社ディスコ レーザ加工装置
JP2013243329A (ja) * 2011-07-07 2013-12-05 Ricoh Co Ltd 面発光レーザ素子及び原子発振器
JP5802110B2 (ja) * 2011-10-26 2015-10-28 浜松ホトニクス株式会社 光変調制御方法、制御プログラム、制御装置、及びレーザ光照射装置
JP6039217B2 (ja) * 2011-11-18 2016-12-07 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法
JP5541813B2 (ja) 2012-04-06 2014-07-09 浜松ホトニクス株式会社 反射型光変調装置
WO2014168185A1 (ja) * 2013-04-10 2014-10-16 デクセリアルズ株式会社 位相差補償素子及び投射型画像投影装置
WO2014181799A1 (ja) * 2013-05-08 2014-11-13 富士フイルム株式会社 円偏光分離フィルム、円偏光分離フィルムの製造方法、赤外線センサー、ならびに光を利用した検知システムおよび検知方法
CN203992813U (zh) * 2013-06-07 2014-12-10 浙江台州九晨机械科技有限公司 用于激光切割系统的相位调制装置
CN104852269A (zh) * 2015-05-26 2015-08-19 山西大学 一种精确调制脉冲激光相位的装置及方法
JP6689646B2 (ja) * 2016-04-01 2020-04-28 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工装置

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI669178B (zh) * 2018-05-17 2019-08-21 國立雲林科技大學 Processing device for collecting laser light by using droplets and processing method thereof

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