TW201801223A - 乾溼整合式晶圓處理系統 - Google Patents

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安德里斯 費雪
理查 Ｈ 古德
麥可 彌斯洛伐第
菲力浦 英傑瑟
史密德 哈洛德 歐克隆
安德森 喬 比爾克
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Abstract

用以處理晶圓狀物件的設備包含真空轉移模組及大氣轉移模組。第一空氣鎖將真空轉移模組及大氣轉移模組互連。大氣製程模組係連接至大氣轉移模組。氣體供應系統係配置成單獨地、且以不同的控制流供應氣體至大氣轉移模組、第一空氣鎖、及大氣製程模組的每一者，以使得：(i)當第一空氣鎖及大氣轉移模組對彼此開放時，來自第一空氣鎖的氣體流通往大氣轉移模組，以及(ii)當大氣轉移模組及大氣製程模組對彼此開放時，來自大氣轉移模組的氣體流通往大氣製程模組。

Description

乾溼整合式晶圓處理系統
本發明相關於用以處理晶圓狀物件的系統，其中整合溼式及乾式製程模組。
半導體晶圓的處理係利用諸多製程模組執行。例如用於電漿蝕刻之製程模組的一些製程模組係在真空環境中進行，且視為涉及「乾式」製程。其他製程模組利用諸多處理液體並在大氣壓力環境下進行(例如，溼式蝕刻及/或清洗)，且視為「溼式」製程。
美國專利公開案第2008/0057221號描述用於介面工程的受控制周圍系統，其中結合實驗室周圍環境(lab-ambient environment)及受控制周圍環境。
然而，實務上，結合溼式及乾式製程模組很少有效率，因為該等類型之模組的晶圓產出相差很大。因此，溼式及乾式製程模組習知上係彼此獨立地操作。在晶圓已於一類型之模組中受到處理後，其在其他類型之模組中待處理的等待時間可能為顯著的。例如，在半導體製造設施中，晶圓在經歷電漿蝕刻之後，該晶圓在可於溼式製程模組中進行淋洗之前具有若干小時或更久之等待時間的情形並不少見。
本發明人已發現等待進行溼式處理的晶圓在形成於該晶圓上的元件結構上可能經受慢速反應，此乃殘留於晶圓表面上之例如鹵素的反應性蝕刻殘留物所導致。這已提供動力來發展整合溼式及乾式製程模組的改善系統，以大幅地減少實施晶圓之溼式及乾式處理之間的等待時間。
因此，在一實施態樣中，本發明相關於用以處理晶圓狀物件的設備，其包含真空轉移模組及大氣轉移模組。第一空氣鎖將真空轉移模組及大氣轉移模組互連。大氣製程模組係連接至大氣轉移模組。氣體供應系統係配置成單獨地、且以不同的控制流供應氣體至大氣轉移模組、第一空氣鎖、及大氣製程模組的每一者，以使得：(i)當第一空氣鎖及大氣轉移模組對彼此開放時，來自第一空氣鎖的氣體流通往該大氣轉移模組，以及(ii)當大氣轉移模組及大氣製程模組對彼此開放時，來自大氣轉移模組的氣體流通往大氣製程模組。
在根據本發明之設備的較佳實施例中，氣體供應系統包含定位於第一空氣鎖的上部區域中、且用以在該第一空氣鎖內向下分配氣體的第一氣體噴淋頭。
在根據本發明之設備的較佳實施例中，第一空氣鎖係配置成容納具有預定直徑的至少一晶圓狀物件，且第一氣體噴淋頭包含向下導向的氣體排放開口，當具有預定直徑的晶圓狀物件定位於第一空氣鎖中時，該等氣體排放開口係定位於該晶圓狀物件的徑向朝外處。較佳地，該等氣體排放開口係位於距離該第一空氣鎖之垂直腔室壁小於5cm的距離處。
在根據本發明之設備的較佳實施例中，氣體供應系統包含定位於大氣轉移模組的上部區域中、且用以在該大氣轉移模組內向下分配氣體的第二氣體噴淋頭。
在根據本發明之設備的較佳實施例中，大氣轉移模組係配置成容納具有預定直徑的至少一晶圓狀物件，且第二氣體噴淋頭包含向下導向的氣體排放開口，當具有預定直徑的晶圓狀物件定位於該大氣轉移模組中時，該等氣體排放開口係定位於該晶圓狀物件的徑向朝外處。較佳地，該等氣體排放開口係位於距離該大氣轉移模組之垂直腔室壁小於5cm的距離處。或者，該等氣體排放開口係環形地設置成具有比待處理晶圓狀物件之直徑大至少5mm之直徑的環。
在根據本發明之設備的較佳實施例中，氣體供應系統包含第一排氣部，其係定位於大氣轉移模組的下部區域中，且用以將自第二氣體噴淋頭所排放之氣體的至少一部分排離大氣轉移模組、第一空氣鎖、及大氣製程模組的每一者。
在根據本發明之設備的較佳實施例中，大氣轉移模組未配備真空泵。
在根據本發明之設備的較佳實施例中，氣體供應系統包含定位於大氣製程模組的上部區域中、且用以在該大氣製程模組內向下分配氣體的第三氣體噴淋頭。
在根據本發明之設備的較佳實施例中，第三氣體噴淋頭係定位於承接大氣轉移模組的一入口開口附近。
在根據本發明之設備的較佳實施例中，氣體供應系統包含第二排氣部，其係定位於大氣製程模組中，且用以將自第三氣體噴淋頭所排放之氣體的至少一部分排離大氣轉移模組及大氣製程模組的每一者。
在根據本發明之設備的較佳實施例中，大氣製程模組未配備真空泵。
在根據本發明之設備的較佳實施例中，大氣製程模組包含連接至大氣轉移模組的外腔室、及用以執行晶圓狀物件之溼式處理的內腔室。
在根據本發明之設備的較佳實施例中，內腔室包含下碗部及上蓋件，其中該下碗部及該上蓋件相對於彼此可垂直移動。
在根據本發明之設備的較佳實施例中，內腔室容納用以固持及旋轉正受處理之晶圓狀物件的旋轉卡盤。
在根據本發明之設備的較佳實施例中，旋轉卡盤係懸浮卡盤。
在根據本發明之設備的較佳實施例中，大氣製程模組包含連接至大氣轉移模組的外腔室、及用以執行晶圓狀物件之溼式處理的內腔室，且第三氣體噴淋頭係定位於外腔室以內且於內腔室以外。
在根據本發明之設備的較佳實施例中，至少一真空製程模組係獨立於第一空氣鎖而附接至真空轉移模組。
在根據本發明之設備的較佳實施例中，設備前端模組係經由至少一第二空氣鎖而連接至真空轉移模組，該設備前端模組包含至少一前開式晶圓傳送盒，用以將晶圓狀物件引入該設備前端模組，以及用以從該設備前端模組移除晶圓狀物件。
在根據本發明之設備的較佳實施例中，晶圓狀物件可僅藉由穿過大氣轉移模組、第一空氣鎖、及真空轉移模組而被引入大氣製程模組、及從該大氣製程模組移除。
在根據本發明之設備的較佳實施例中，加熱器係定位於大氣轉移模組及第一空氣鎖的至少一者中，該加熱器係用以蒸發出現於正從大氣製程模組返回至真空轉移模組之晶圓狀物件上的任何殘留水汽。如此之加熱器可包含例如LED加熱元件的輻射加熱器。
在根據本發明之設備的較佳實施例中，真空轉移模組包含真空轉移自動機器，其可操作成將晶圓狀物件從真空轉移模組轉移至第一空氣鎖。
在根據本發明之設備的較佳實施例中，真空轉移模組包含真空轉移自動機器，其可操作成將晶圓狀物件從至少一第二空氣鎖轉移至真空轉移模組、以及從真空轉移模組轉移至第一空氣鎖。
在根據本發明之設備的較佳實施例中，大氣轉移模組包含大氣轉移自動機器，其可操作成將晶圓狀物件從第一空氣鎖轉移至大氣轉移模組、以及從大氣轉移模組轉移至大氣製程模組。
現在參考圖示，圖1的系統包含一序列前開式晶圓傳送盒(FOUP, Front-Opening Unified Pod) 50，其係晶圓往返該設備的進入及離開點。包含EFEM自動機器56的設備前端模組(EFEM, Equipment Front End Module) 53係設置成用以透過槽閥58將晶圓從FOUP 50轉移至入空氣鎖59。同樣地，EFEM自動機器56透過槽閥61將晶圓從出空氣鎖62轉移至FOUP 50。可選的大氣檢查模組65係經由槽閥68而連接至EFEM 53。
入空氣鎖59及出空氣鎖62進而係經由分別的槽閥60及63而連接至真空轉移模組(VTM, vacuum transfer module) 71。VTM 71配備有VTM自動機器74，其將晶圓從入空氣鎖59透過槽閥60移動至第一真空製程模組80及第二真空製程模組83中選擇的一者(透過分別的槽閥81或84)。真空製程模組80及83係用於電漿蝕刻之製程模組的範例。
或者，VTM自動機器74將晶圓從入空氣鎖59透過槽閥60移動至第三真空製程模組122(透過槽閥119)。第三真空製程模組122係沉積模組的範例。
VTM自動機器74亦用以將晶圓從入空氣鎖59透過槽閥60移動至可選的真空檢查模組77(透過與其相關的槽閥78)、或移動至穿越模組(PTM, pass-through module) 87(透過與其相關的槽閥86)。
就前述所有的轉移而言，VTM自動機器亦用以沿著相反路徑透過與出空氣鎖62相關之槽閥61將晶圓移動至出空氣鎖62，以及在真空製程模組80、83、122、及PTM 87的任何選定者之間以任何方向移動。
PTM 87本身係經由真空側上之槽閥86及大氣側上之槽閥89而將VTM 71與大氣轉移模組(ATM, atmospheric transfer module) 92連接的空氣鎖。ATM 92配備有ATM自動機器98，其係用以將晶圓從PTM 87透過槽閥89轉移至大氣製程模組(APM, atmospheric process module) 101(透過槽閥96)。APM 101係用於半導體晶圓之溼式清洗的製程模組的範例。在本實施例中，如以下將較詳細加以描述，APM 101包含容納旋轉卡盤的內腔室110。
ATM自動機器98亦用以將晶圓從PTM 87透過槽閥89轉移至可選的大氣檢查模組116(透過槽閥113)。
現在參考圖2，當晶圓由VTM自動機器74轉移時，第一壓力p1充斥於VTM 71內。穿越模組87配備有環狀氣體分佈器88，其提供例如氮氣的惰性氣體至PTM 87。環狀氣體分佈器88較佳地具有比該設備所設計以處理之晶圓的直徑大的內直徑，使得當晶圓出現於PTM 87中時，分佈器88的氣體出口係定位於晶圓的徑向外側。以此方式，當一晶圓出現在PTM 87中時，自氣體分佈器88所排放之氣體將不以有力的方式撞擊在晶圓的朝上表面上。
由氣體分佈器88針對沖洗PTM 87所產生的氣體流在圖2中係標註為G1。V1表示將沖洗氣體排離PTM 87的出氣。氣體分佈器88及出氣V1係操作成使得壓力p2充斥於PTM 87內。當晶圓已於充斥在PTM 87內的條件下穩定後，ATM自動機器98將晶圓從PTM 87透過槽閥89取回，並將其帶至ATM 92中。
ATM 92配備有用以利用惰性氣體來沖洗ATM 92的自有的氣體分佈器95、及接收氣體以排空ATM 92的氣體收集器94。由氣體分佈器95所產生的氣體流在圖2中係標註為G2，且排氣係標註為E1。氣體分佈器95及氣體收集器94係受到控制，使得壓力p3充斥於ATM 92內。
接下來，ATM自動機器98將晶圓從ATM 92透過槽閥96轉移至APM 101。如以下較詳細加以描述，在APM 101中有容納旋轉卡盤的內腔室110，晶圓係安裝於該旋轉卡盤上。內腔室110外側之APM 101內的空間係維持為壓力p4充斥的控制環境。特別地，氣體分佈器104係在APM 101的外腔室內臨近槽閥96而定位，並產生向下的氣體流G3。內腔室110亦接收其自有的氣體流G4。兩排氣係與APM 101相關聯：一排氣E2針對內腔室110，且一排氣E3針對外部環境107。
本文中提及之真空製程模組意指其中普遍存在之壓力低於大氣壓力之10%的模組，較佳地為10torr或更低、且更佳地為低於1torr。本文中提及之大氣製程模組意指其中充斥之壓力在0.5至1.5bar之範圍內的模組，且較佳地為0.9至1.1bar。
以上所述之惰性氣體流G1、G2、G3、G4、以及出氣V1、及排氣E1、E2、及E3係各獨立地受控制，使得無論晶圓通過設備的傳輸方向為何，充斥的壓力p1~p4皆滿足p1＞p2＞p3＞p4的關係。以此方式，(當複數模組對彼此開放時)有從PTM 87至ATM 92、從ATM 92至外腔室環境107、以及從外腔室環境107至排氣E3的氣體流。這達成了在真空製程模組中處理晶圓、轉移晶圓以供大氣製程模組中的處理、以及隨後使晶圓通過真空系統返回，上述者皆同時將氧從真空系統中排除。
此實施例的ATM 92與習知大氣轉移模組的不同在於較佳地未使用真空泵。替代地，ATM 92內的壓力係經由氣體流G2及刷除之排氣E1而控制。再者，此實施例的ATM 92較佳地係完全地密封，這使得晶圓能夠從EFEM 53被轉移至真空製程模組、以及隨後轉移至大氣製程模組、隨後返回至真空環境、以及至EFEM 53。該密封環境亦有助於防止晶圓在電漿蝕刻之後、及液體清洗之前被曝露於氧。
如以上所討論，例如氮的惰性氣體係透過所揭露之氣體分佈器而供應，在此實施例中，該氣體分佈器在形狀上係具有比待處理晶圓之直徑大之直徑的環形，且係接近其各自之腔室的頂部而定位，以向下分配氣體。或者，氣體分佈器可採用側安裝式分散器的形式。
因為氣體較佳地不進行再循環，故例如氮的流動係受限制於約500 slm。
或者，本文中所述之氣體分佈器的一或更多者可採用風機過濾機組(FFU, filter fan unit)的形式，而此情形中的氣體進行再循環。
ATM 92及/或PTM 87較佳地配備有加熱器(例如，如藍光LED加熱組件的輻射加熱器)，從而在晶圓進入真空系統中之前(在其進入VTM中之前)，使(來自液體處理之)吸附的水汽從該晶圓脫附。
現在參考圖3，其顯示大氣製程模組101的範例。此裝置大致上係如共同擁有的共同待審公開申請案第2013/0062839號中所描述，且就本文中未全部列出的任何結構細節而言，可參考該申請案。
外製程腔室108較佳地係由塗佈有PFA(全氟烷氧基)樹脂的鋁製成。此實施例中的腔室具有主圓柱狀壁10、底部/底壁14、及上部15。被蓋件36封閉的較窄圓柱狀壁34從上部15延伸。晶圓較佳地係經由側開口(未顯示)而載入及載出腔室110。
旋轉卡盤30係設置於腔室108的上部中，且被圓柱狀壁34圍繞。在設備的使用期間，旋轉卡盤30以可旋轉的方式支撐晶圓W。如以下將詳細描述，旋轉卡盤30結合包含環齒輪38的旋轉驅動機，其接合並驅動複數的可偏心移動的抓取構件40，以選擇性地接觸及釋放晶圓W的外周邊緣。
在此實施例中，旋轉卡盤30係鄰近圓柱狀壁34之內表面而設置的環轉子。定子32係鄰近該圓柱狀壁34的外表面而設置成與該環轉子相對。轉子30及定子32用作馬達，藉由該馬達，環轉子30(以及由此而受支撐的晶圓W)可透過主動式磁性軸承而旋轉及懸浮。例如，定子32可包含可受主動控制的複數電磁線圈或繞線(winding)，從而透過設置於轉子上之對應的永久性磁鐵而以可旋轉方式驅動旋轉卡盤30。旋轉卡盤30的軸向及徑向軸承亦可藉由定子的主動控制、或藉由永久性磁鐵而達成。因此，旋轉卡盤30可懸浮，並且在無機械接觸的情況下以可旋轉方式受到驅動。或者，轉子可藉由被動軸承加以固持，其中轉子的磁鐵係藉由沿圓周設置於腔室外側之外轉子上的對應的高溫超導磁鐵(HTS磁鐵，high-temperature-superconducting magnet)加以固持。在此替代性實施例的情形中，環轉子的每一磁鐵係固定至與其對應的外轉子HTS磁鐵。因此，內轉子在無實體連接的情況下與外轉子作同樣的移動。
蓋件36具有安裝在其外部上的歧管42，歧管42對穿過蓋件36且開放於晶圓W上方之腔室中的中間入口44進行供應。吾人將注意到，此實施例中的晶圓W自旋轉卡盤30朝下懸掛、由抓取構件40加以支撐，使得透過入口44而供應的流體將撞擊於晶圓W的朝上表面上。晶圓較佳地由下方裝載至卡盤30上，且因此卡盤30的內直徑可比晶圓W的直徑小。此外，蓋件36無需為可移除式。
在晶圓W係例如具有300mm或450mm之直徑之半導體晶圓的情形中，晶圓W的朝上面可為元件面或晶圓W的正面，這係由晶圓在旋轉卡盤30上如何定位所判定，晶圓在旋轉卡盤30上如何定位進而係由腔室110內正進行的特定製程所指定。
圖3的設備更包含內蓋件2，其可相對於外腔室108移動。內蓋2係以其第一位置(或開放位置)顯示於圖3中，其中旋轉卡盤30係與腔室108的外部圓柱狀壁10連通。蓋件2在此實施例中係大致上為杯形，並且包含被直立圓柱狀壁21圍繞的基部20。蓋件2進一步更包含支撐基部20、並穿過腔室108之底壁14的中空軸22。
中空軸22係被形成於主腔室108中的凸座12圍繞，且該等元件係經由動態密封件而連接，該動態密封件容許中空軸22相對於凸座12位移，同時與腔室108維持氣密密封。
圓柱狀壁21的頂部附接有環形偏轉器構件24，該環形偏轉器構件24在其朝上的表面上承載墊片26。蓋件2較佳地包含穿過基部20的流體中間入口28，使得製程流體及淋洗液體可被引入腔室中而至晶圓W的朝下表面上。
蓋件2進一步更包含開放於排放管路25中的製程液體排放開口23。雖然管路25係牢固地安裝至蓋件2的基部20，但該管路25經由動態密封件17穿過腔室108的底壁14，使得管路可相對於底壁14軸向滑動，同時維持氣密密封。
排氣開口16穿過腔室108的壁10，而單獨的排氣開口46在接近旋轉卡盤30的內表面處穿過蓋件36。每一排氣開口係連接至適當的排氣導管(未顯示)，該等排氣導管較佳地係經由個別的閥及出氣裝置而獨立地加以控制。
圖3中所繪示之位置對應於晶圓W的裝載或卸載。尤其，晶圓W可透過蓋件36、或更佳地透過腔室壁10中的側門(未顯示)而被裝載至旋轉卡盤30上。然而，當蓋件36定位、且任何側門皆已閉合時，腔室108係氣密的且能夠維持定義的內部壓力。
下杯部2可相對於外腔室108垂直移動，直至蓋件2上的密封墊片26接觸腔室108的內側，且腔室108內側上的墊片18接觸偏轉器構件24，從而形成密封的內腔室108，在該內腔室110中執行晶圓W的處理。
如上所述，將氣體流G3提供至腔室108內側且內腔室110外側的容積中，且該氣體流G3係透過排氣E3而排出，而開口46例如可用以接收內部氣體流G4，該內部氣體流G4後續可例如透過管路25而排出(E2)。
圖4顯示一替代的實施例，其中第二大氣製程模組125係與APM 101一起設置。此實施例之ATM 128因此對兩個APM進行存取，且亦對兩個PTM進行存取，使得一者可用於進入且另一者用於離開。圖4之實施例在其他方面係如結合圖1~3所描述。
儘管本發明已結合本發明的諸多較佳實施例而加以描述，但應理解，該等實施例係僅用於說明本發明而提供，並且不應被用作限制隨附申請專利範圍之真正範疇及精神所賦予之保護範圍的託辭。
2‧‧‧蓋件(杯部)
10‧‧‧壁
12‧‧‧凸座
14‧‧‧底壁
15‧‧‧上部
16‧‧‧排氣開口
17‧‧‧動態密封件
18‧‧‧墊片
20‧‧‧基部
21‧‧‧壁
22‧‧‧中空軸
23‧‧‧排放開口
24‧‧‧偏轉器構件
25‧‧‧管路
26‧‧‧墊片
28‧‧‧入口
30‧‧‧卡盤(轉子)
32‧‧‧定子
34‧‧‧壁
36‧‧‧蓋件
38‧‧‧齒輪
40‧‧‧抓取構件
42‧‧‧歧管
44‧‧‧入口
46‧‧‧開口
50‧‧‧FOUP
53‧‧‧EFEM
56‧‧‧EFEM自動機器
58‧‧‧槽閥
59‧‧‧入空氣鎖
60‧‧‧槽閥
61‧‧‧槽閥
62‧‧‧出空氣鎖
63‧‧‧槽閥
65‧‧‧大氣檢查模組
68‧‧‧槽閥
71‧‧‧VTM
74‧‧‧VTM自動機器
77‧‧‧真空檢查模組
78‧‧‧槽閥
80‧‧‧真空製程模組
81‧‧‧槽閥
83‧‧‧真空製程模組
84‧‧‧槽閥
86‧‧‧槽閥
87‧‧‧PTM
88‧‧‧分佈器
89‧‧‧槽閥
92‧‧‧ATM
94‧‧‧氣體收集器
95‧‧‧分佈器
96‧‧‧槽閥
98‧‧‧ATM自動機器
101‧‧‧APM
104‧‧‧氣體分佈器
107‧‧‧環境
108‧‧‧腔室
110‧‧‧內腔室
113‧‧‧槽閥
116‧‧‧檢查模組
119‧‧‧槽閥
122‧‧‧真空製程模組
125‧‧‧大氣製程模組
128‧‧‧ATM
E1‧‧‧排氣
E2‧‧‧排氣
E3‧‧‧排氣
G1‧‧‧氣體流
G2‧‧‧氣體流
G3‧‧‧氣體流
G4‧‧‧氣體流
p1‧‧‧壓力
p2‧‧‧壓力
p3‧‧‧壓力
p4‧‧‧壓力
V1‧‧‧出氣
W‧‧‧晶圓
參考隨附圖示，在閱讀本發明之較佳實施例的以下詳細說明內容後，本發明的其他目的、特徵、及優勢將變得更為明白，其中：
圖1為根據本發明之第一實施例，包含已整合溼式及乾式製程模組之設備的俯視圖；
圖2為沿圖1之線II-II所得的示意性橫剖面圖；
圖3為根據本發明，適合用於設備中之溼式處理裝置的橫剖面圖；以及
圖4為根據本發明之第二實施例，包含已整合溼式及乾式製程模組之設備的俯視圖。
50‧‧‧FOUP
53‧‧‧EFEM
56‧‧‧EFEM自動機器
58‧‧‧槽閥
59‧‧‧入空氣鎖
60‧‧‧槽閥
61‧‧‧槽閥
62‧‧‧出空氣鎖
63‧‧‧槽閥
65‧‧‧大氣檢查模組
68‧‧‧槽閥
71‧‧‧VTM
74‧‧‧VTM自動機器
77‧‧‧真空檢查模組
78‧‧‧槽閥
80‧‧‧真空製程模組
81‧‧‧槽閥
83‧‧‧真空製程模組
84‧‧‧槽閥
86‧‧‧槽閥
87‧‧‧PTM
89‧‧‧槽閥
92‧‧‧ATM
96‧‧‧槽閥
98‧‧‧ATM自動機器
101‧‧‧APM
110‧‧‧內腔室
113‧‧‧槽閥
116‧‧‧大氣檢查模組
119‧‧‧槽閥
122‧‧‧真空製程模組

Claims (23)

  1. 一種用以處理晶圓狀物件的設備，包含： 一真空轉移模組； 一大氣轉移模組； 一第一空氣鎖，其將該真空轉移模組及該大氣轉移模組互連； 一大氣製程模組，其係連接至該大氣轉移模組；以及 一氣體供應系統，其係配置成單獨地、且以不同的控制流供應氣體至該大氣轉移模組、該第一空氣鎖、及該大氣製程模組的每一者，以使得： (i) 當該第一空氣鎖及該大氣轉移模組對彼此開放時，來自該第一空氣鎖的一氣體流通往該大氣轉移模組，以及 (ii) 當該大氣轉移模組及該大氣製程模組對彼此開放時，來自該大氣轉移模組的一氣體流通往該大氣製程模組。
  2. 如申請專利範圍第1項之用以處理晶圓狀物件的設備，其中該氣體供應系統包含一第一氣體噴淋頭，該第一氣體噴淋頭係定位於該第一空氣鎖的一上部區域中，且用以在該第一空氣鎖內向下分配氣體。
  3. 如申請專利範圍第2項之用以處理晶圓狀物件的設備，其中該第一空氣鎖係配置成容納具有一預定直徑的至少一晶圓狀物件，且其中該第一氣體噴淋頭包含向下導向的複數氣體排放開口，當具有該預定直徑的一晶圓狀物件定位於該第一空氣鎖中時，該等氣體排放開口係定位於該晶圓狀物件的徑向朝外處。
  4. 如申請專利範圍第1項之用以處理晶圓狀物件的設備，其中該氣體供應系統包含一第二氣體噴淋頭，該第二氣體噴淋頭係定位於該大氣轉移模組的一上部區域中，且用以在該大氣轉移模組內向下分配氣體。
  5. 如申請專利範圍第4項之用以處理晶圓狀物件的設備，其中該大氣轉移模組係配置成容納具有一預定直徑的至少一晶圓狀物件，且其中該第二氣體噴淋頭包含向下導向的複數氣體排放開口，當具有該預定直徑的一晶圓狀物件定位於該大氣轉移模組中時，該等氣體排放開口係定位於該晶圓狀物件的徑向朝外處。
  6. 如申請專利範圍第4項之用以處理晶圓狀物件的設備，其中該氣體供應系統包含一第一排氣部，其係定位於該大氣轉移模組的一下部區域中，且用以將自該第二氣體噴淋頭所排放之氣體的至少一部分排離該大氣轉移模組、該第一空氣鎖、及該大氣製程模組的每一者。
  7. 如申請專利範圍第1項之用以處理晶圓狀物件的設備，其中該大氣轉移模組未配備真空泵。
  8. 如申請專利範圍第1項之用以處理晶圓狀物件的設備，其中該氣體供應系統包含一第三氣體噴淋頭，該第三氣體噴淋頭係定位於該大氣製程模組的一上部區域中，且用以在該大氣製程模組內向下分配氣體。
  9. 如申請專利範圍第8項之用以處理晶圓狀物件的設備，其中該第三氣體噴淋頭係定位於承接該大氣轉移模組的一入口開口附近。
  10. 如申請專利範圍第8項之用以處理晶圓狀物件的設備，其中該氣體供應系統包含一第二排氣部，其係定位於該大氣製程模組中，且用以將自該第三氣體噴淋頭所排放之氣體的至少一部分排離該大氣轉移模組及該大氣製程模組的每一者。
  11. 如申請專利範圍第1項之用以處理晶圓狀物件的設備，其中該大氣製程模組未配備真空泵。
  12. 如申請專利範圍第1項之用以處理晶圓狀物件的設備，其中該大氣製程模組包含連接至該大氣轉移模組的一外腔室、及用以執行一晶圓狀物件之溼式處理的一內腔室。
  13. 如申請專利範圍第12項之用以處理晶圓狀物件的設備，其中該內腔室包含一下碗部及一上蓋件，其中該下碗部及該上蓋件可相對於彼此垂直移動。
  14. 如申請專利範圍第12項之用以處理晶圓狀物件的設備，其中該內腔室容納一旋轉卡盤，其係用以在該晶圓狀物件正受處理時固持及旋轉該晶圓狀物件。
  15. 如申請專利範圍第14項之用以處理晶圓狀物件的設備，其中該旋轉卡盤係一懸浮卡盤。
  16. 如申請專利範圍第8項之用以處理晶圓狀物件的設備，其中該大氣製程模組包含連接至該大氣轉移模組的一外腔室、及用以執行一晶圓狀物件之溼式處理的一內腔室，且其中該第三氣體噴淋頭係定位於該外腔室內且於該內腔室外側。
  17. 如申請專利範圍第1項之用以處理晶圓狀物件的設備，更包含獨立於該第一空氣鎖而附接至該真空轉移模組的至少一真空製程模組。
  18. 如申請專利範圍第1項之用以處理晶圓狀物件的設備，更包含經由至少一第二空氣鎖而連接至該真空轉移模組的一設備前端模組，該設備前端模組包含用以將一晶圓狀物件引入該設備前端模組，且用以從該設備前端模組移除一晶圓狀物件的至少一前開式晶圓傳送盒。
  19. 如申請專利範圍第1項之用以處理晶圓狀物件的設備，其中一晶圓狀物件可僅藉由穿過該大氣轉移模組、該第一空氣鎖、及該真空轉移模組而被引入該大氣製程模組及從該大氣製程模組移除。
  20. 如申請專利範圍第1項之用以處理晶圓狀物件的設備，更包含定位於該大氣轉移模組及該第一空氣鎖之至少一者中的一加熱器，該加熱器係用以蒸發出現於正從該大氣製程模組返回至該真空轉移模組之一晶圓狀物件上的任何殘留水汽。
  21. 如申請專利範圍第1項之用以處理晶圓狀物件的設備，其中該真空轉移模組包含一真空轉移自動機器，其可操作成將一晶圓狀物件從該真空轉移模組轉移至該第一空氣鎖。
  22. 如申請專利範圍第15項之用以處理晶圓狀物件的設備，其中該真空轉移模組包含一真空轉移自動機器，其可操作成將一晶圓狀物件從該至少一第二空氣鎖轉移至該真空轉移模組、以及從該真空轉移模組轉移至該第一空氣鎖。
  23. 如申請專利範圍第1項之用以處理晶圓狀物件的設備，其中該大氣轉移模組包含一大氣轉移自動機器，其可操作成將一晶圓狀物件從該第一空氣鎖轉移至該大氣轉移模組、以及從該大氣轉移模組轉移至該大氣製程模組。
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