TW201801124A - 用於基於電子束之特徵工具之漂移補償之系統及方法 - Google Patents
用於基於電子束之特徵工具之漂移補償之系統及方法 Download PDFInfo
- Publication number
- TW201801124A TW201801124A TW106108839A TW106108839A TW201801124A TW 201801124 A TW201801124 A TW 201801124A TW 106108839 A TW106108839 A TW 106108839A TW 106108839 A TW106108839 A TW 106108839A TW 201801124 A TW201801124 A TW 201801124A
- Authority
- TW
- Taiwan
- Prior art keywords
- electron
- alignment
- substrate
- sample stage
- microscope system
- Prior art date
Links
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 title claims abstract description 94
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 30
- 238000012512 characterization method Methods 0.000 title 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 61
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 67
- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims description 5
- 230000001360 synchronised effect Effects 0.000 claims description 2
- 238000004626 scanning electron microscopy Methods 0.000 abstract description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 7
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 7
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 4
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 description 4
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 4
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 3
- 238000001000 micrograph Methods 0.000 description 3
- 230000008569 process Effects 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 2
- 238000001878 scanning electron micrograph Methods 0.000 description 2
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 2
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 2
- 230000004075 alteration Effects 0.000 description 1
- 230000000712 assembly Effects 0.000 description 1
- 238000000429 assembly Methods 0.000 description 1
- 230000006399 behavior Effects 0.000 description 1
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 1
- 238000007373 indentation Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 239000003607 modifier Substances 0.000 description 1
- 230000001902 propagating effect Effects 0.000 description 1
- 230000000284 resting effect Effects 0.000 description 1
- 230000000087 stabilizing effect Effects 0.000 description 1
- 238000004441 surface measurement Methods 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
- 238000013519 translation Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/02—Details
- H01J37/04—Arrangements of electrodes and associated parts for generating or controlling the discharge, e.g. electron-optical arrangement or ion-optical arrangement
- H01J37/10—Lenses
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/02—Details
- H01J37/04—Arrangements of electrodes and associated parts for generating or controlling the discharge, e.g. electron-optical arrangement or ion-optical arrangement
- H01J37/153—Electron-optical or ion-optical arrangements for the correction of image defects, e.g. stigmators
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/02—Details
- H01J37/20—Means for supporting or positioning the object or the material; Means for adjusting diaphragms or lenses associated with the support
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/02—Details
- H01J37/244—Detectors; Associated components or circuits therefor
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/26—Electron or ion microscopes; Electron or ion diffraction tubes
- H01J37/28—Electron or ion microscopes; Electron or ion diffraction tubes with scanning beams
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/15—Means for deflecting or directing discharge
- H01J2237/1501—Beam alignment means or procedures
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Analysing Materials By The Use Of Radiation (AREA)
- Electron Sources, Ion Sources (AREA)
Abstract
一種掃描電子顯微鏡系統包含:一電子束源;一樣本載台,其包含一第一對準特徵;一電子光學柱,其包含電子光學元件,該等電子光學元件包含具有一第二對準特徵之一透鏡;及一對準板,其具有一第三對準特徵。該系統另外包含一參考標的及一偵測器總成。該等電子光學元件可組態以同時聚焦於一基板及該參考標的上。該系統亦包含一控制器,該控制器以通信方式耦合至該電子光學柱之至少一或多個部分及該樣本載台以進行調整,以便將電子束對準至第一組對準特徵、第二組對準特徵、第三組對準特徵、該參考標的或該基板中之至少一者。該控制器亦進行調整以將該電子束同時聚焦於一第一高解析度平面及一第二高解析度平面處。
Description
本發明大體而言係關於掃描電子顯微鏡,且特定而言係關於一掃描電子顯微鏡系統之電子束漂移補償。
諸如邏輯裝置及記憶體裝置之半導體裝置之製作通常包含使用大數目個半導體製作程序來處理諸如一半導體晶圓之一基板以形成半導體裝置之各種特徵及多個層級。隨著半導體裝置大小變得越來越小,開發增強型檢驗與計量裝置及過程係至關重要的。 此一種技術包含基於電子束之檢驗與計量系統,諸如掃描電子顯微鏡(SEM)。在一種模式中,當一初級射束跨越樣本掃描時,SEM系統可透過對自樣本之表面發射之次級電子之收集及分析而對一樣本之一表面進行成像。當在特徵工具之內部及外部發生漂移行為時,典型SEM系統隨時間經歷表面量測之誤差。因此,提供一系統及方法係有利的,該系統及方法提供對由漂移導致之此等量測誤差之校準。
根據本發明之一或多項實施例揭示一種掃描電子顯微鏡系統,該掃描電子顯微鏡系統經組態以補償一基於電子束之特徵工具之漂移。在一項實施例中,該掃描電子顯微鏡系統包含經組態以產生一或多個電子束之一電子束源。在一項實施例中,該掃描電子顯微鏡系統包含經組態以固定一基板之一樣本載台,其中該樣本載台進一步包含一第一對準特徵。在另一實施例中,該掃描電子顯微鏡系統包含一電子光學柱。在另一實施例中,該等電子光學元件包含一組電子光學元件。在另一實施例中,該組電子光學元件包含一電子光學透鏡及安裝至該電子光學透鏡之底部部分之一對準板。在另一實施例中,該電子光學透鏡包含一第二對準特徵。在另一實施例中,該對準板包含一第三對準特徵。在另一實施例中,該掃描電子顯微鏡系統包含一偵測器總成。在另一實施例中,該掃描電子顯微鏡系統包含一控制器,該控制器以通信方式耦合至該電子光學柱之一或多個部分或該樣本載台中之至少一者,其中該控制器經組態以調整該電子光學柱之該一或多個部分或該樣本載台中之至少一者,以便將該一或多個電子束對準至第一組對準特徵、第二組對準特徵或第三組對準特徵中之至少一者。 根據本發明之一或多項實施例揭示一種掃描電子顯微鏡系統,該掃描電子顯微鏡系統經組態以補償一基於電子束之特徵工具之漂移。在一項實施例中,該掃描電子顯微鏡系統包含經組態以產生一或多個電子束之一電子束源。在一項實施例中,該掃描電子顯微鏡系統包含經組態以固定一基板之一樣本載台。在另一實施例中,該樣本載台經組態以調整位置以將電子束聚焦於該基板上。在另一實施例中,該掃描電子顯微鏡系統包含一參考標的。在另一實施例中,該掃描電子顯微鏡系統包含一電子光學柱。在另一實施例中,該電子光學柱包含一組電子光學元件。在另一實施例中,該組電子光學元件包含一電子光學透鏡。在另一實施例中,該組電子光學元件可經組態以同時聚焦於該參考標的及該樣本上。在另一實施例中,該掃描電子顯微鏡系統包含一偵測器總成。在另一實施例中,該掃描電子顯微鏡系統包含一控制器,該控制器以通信方式耦合至電子光學柱之一或多個部分或該樣本載台中之至少一者,其中該控制器經組態以調整電子光學柱之該一或多個部分或該樣本載台中之至少一者,以便將該一或多個電子束對準至參考標的、基板中之至少一者或同時聚焦於參考標的及基板上。 根據本發明之一或多項實施例揭示一種電子束漂移補償方法。在一項實施例中,該方法包含將一基板固定於一樣本載台上;對準一電子光學柱與樣本載台。在另一實施例中,該方法包含使電子光學柱與一載台干涉儀系統同步。在另一實施例中,該方法包含對準一或多個電子束與一或多個對準特徵。 根據本發明之一或多項實施例揭示一種電子束漂移補償方法。在一項實施例中,該方法包含將一基板固定於一樣本載台上。在另一實施例中,該方法包含對準一電子光學柱與樣本載台。在另一實施例中,該方法包含使電子光學柱與一載台干涉儀系統同步。在另一實施例中,該方法包含將電子束同時聚焦於基板及參考標的上。 應理解,前述大體說明及以下詳細說明兩者皆僅具例示性及闡釋性且未必限制所請求之本發明。併入本說明書中並構成本說明書之一部分之隨附圖式圖解說明本發明之實施例,且與該大體說明一起用於闡釋本發明之原理。
相關申請案之交叉參考 本申請案依據35 U.S.C. § 119(e)主張2016年3月24日提出申請的標題為「DRIFT COMPENSATION ON AN EBEAM BASED METROLOGY TOOL」之美國臨時專利申請案第62/312,651號之優先權,該申請案指定Frank Laske及Christopher Sears為發明人、當前同在申請中或係其當前同在申請中之申請案享有申請日期之權益之一申請案。以上申請案以全文引用方式併入本文中。 現在將詳細參考在附圖中所圖解說明之所揭示標的物。 大體參考圖1至圖7,根據本發明闡述用於一基於電子束之特徵工具之漂移補償之一系統及方法。 本發明之實施例係針對在一基於電子束之特徵工具上進行漂移補償以及將在特徵工具之內部及外部出現之漂移分量分離。舉例而言,位於電子光學柱中、靠近一基板之檢驗區域且位於安裝至電子光學柱之底部部分之一板上之對準標記允許漂移補償。另外,多組對準標記亦可允許發生於電子束及干涉儀系統射束路徑中之漂移之分離。 圖1圖解說明根據本發明之一項實施例的用於一基於電子束之特徵工具之漂移補償之系統100之一方塊圖。 在一項實施例中,特徵工具包含一電子源102、含有一或多個電子光學元件之一電子光學柱105、一樣本載台116、一干涉儀系統125、一偵測器總成120及/或一控制器140。在另一實施例中,一第一組對準標記121位於樣本載台116上,一第二組對準標記115位於電子光學柱105中,且一第三組對準標記118位於安裝至電子光學柱105之底部部分之一對準板117上。在另一實施例中,電子光學柱105之電子光學元件用於將電子束104與對準標記對準以補償發生於電子束104及/或載台116中之漂移(可藉由干涉儀系統125量測)。 在一項實施例中,特徵系統100之電子源102包含用於產生一或多個電子束104之一或多個電子槍。舉例而言,一或多個電子槍可包含一單個電子槍。舉另一實例,一或多個電子槍可包含多個電子槍。在一項實施例中,電子源102及電子光學柱105經組態以將一或多個電子束104照射至基板114之表面上。 在另一實施例中,特徵工具100之電子光學柱105包含一組電子光學元件。該組電子光學元件可將電子束104之至少一部分引導至基板114之表面。舉例而言,可將電子束104引導至安置於可致動載台116上之一半導體晶圓。電子光學柱105之該組電子光學元件可包含此項技術中已知的適合於將電子束104聚焦及/或引導至基板114之任何電子光學元件。在一項實施例中,該組電子光學元件包含一或多個電子光學透鏡。舉例而言,電子光學透鏡可包含但不限於用於自電子束源102收集電子之一或多個聚光透鏡107。舉另一實例,電子光學透鏡可包含但不限於用於將電子束104聚焦至基板114之一選定區上之一或多個物鏡112。 出於簡單目的,圖1中繪示一單個電子光學柱105。注意,在本文中不應將此組態解釋為對本發明之一限制。舉例而言,系統100可包含多個電子光學柱。 在另一實施例中,電子光學柱105之該組電子光學元件包含一或多個電子束掃描元件106。舉例而言,一或多個電子束掃描元件可包含但不限於適合於相對於基板114之表面而控制射束104之一位置之一或多個電磁掃描線圈或靜電偏轉器。就此而言,一或多個掃描元件可用於使電子束104跨越基板114之表面進行掃描。 在一項實施例中,特徵系統100之一樣本載台116固定一基板114。舉例而言,基板114可係但不必係一或多個晶圓(例如,一或多個半導體晶圓)。在另一實施例中,樣本載台116係一可致動載台。舉例而言,樣本載台116可包含但不限於適合於一或多個平移載台,該一或多個平移載台相對於電子束104而沿著一或多個線性方向(例如,x方向、y方向及/或z方向)可選擇地平移基板114。舉另一實例,樣本載台116可包含但不限於適合於沿著一旋轉方向可選擇地旋轉基板114之一或多個旋轉載台。舉另一實例,樣本載台116可包含但不限於適合於可選擇地沿著一線性方向平移基板114及/或沿著一旋轉方向旋轉基板114之一旋轉載台及一平移載台。在另一實施例中,系統100包含一干涉儀系統125。在一項實施例中,干涉儀系統125追蹤樣本載台沿x方向及y方向之位移。 就此而言,載台116可用於相對於電子束104而平移基板114。注意,本文中系統100可以此項技術中已知之任何掃描或點偵測模式操作。舉例而言,系統100可在使一電子束104跨越基板114之表面進行掃描時以一「掃描帶(swathing)」或「光柵」(亦即,「步進及趨穩」)模式操作。就此而言,系統100可在樣本移動時使一電子束104跨越基板114之表面進行掃描,其中掃描方向標稱地垂直於樣本運動方向。舉另一實例,系統100可在使一電子束104跨越基板114之表面進行掃描以一步進掃描(step-and-scan)模式操作。 在一項實施例中,特徵系統100之干涉儀系統125追蹤樣本載台116之運動。在一項實施例中,干涉儀系統125產生一量測雷射射束以追蹤樣本載台116之線性位移。舉例而言,干涉儀系統125可產生兩個量測射束以追蹤樣本載台116沿x方向及y方向之位移。在一項實施例中,電子光學柱105與干涉儀系統同步。 在另一實施例中,一第一組對準標記121位於樣本載台116上。在一項實施例中,此第一組對準標記121經定位成靠近基板114之檢驗區域。舉例而言,第一組對準標記121可係靠近基板114之隅角之個別標記。在另一實施例中,一第二組對準標記115位於電子光學柱105中。舉例而言,第二組對準標記115可位於電子光學透鏡112中之一者上。舉例而言,第二組對準標記115可位於係電子光學柱105之最終物鏡之一電子光學透鏡112上。在另一實施例中,第二組對準標記115安置於最終物鏡之一光圈周圍。在另一實施例中,一第三組對準標記118位於安裝至電子光學柱105之底部部分之一對準板117上。舉例而言,第三組對準標記118可位於安裝至電子光學柱105之最終物鏡之底部部分之一對準板117上。在一項實施例中,對準板117係在中間具有一孔之一圓盤,電子束104穿過該孔傳播。舉例而言,對準板117可係一環,該環在上部部分包含一柵格圖案。舉例而言,第三組對準標記118係位於一對準板117環之頂部表面上之一特殊柵格圖案。在另一實施例中,對準板117係一光柵。 在另一實施例中,特徵系統100之偵測器總成120偵測自基板發出之電子。注意,偵測器總成120可包含此項技術中已知的任何類型之電子偵測器。舉例而言,偵測器總成120可係一次級電子偵測器或一反向散射電子偵測器。在一項實施例中,可使用一Everhart-Thornley偵測器(或其他類型之基於閃爍器之偵測器)收集自基板114發出之電子並對該等電子進行成像。在另一實施例中,可使用一微通道板(MCP)收集電子並對所收集電子進行成像。在另一實施例中,可使用一PIN或p-n接面偵測器(諸如一個二極體或一個二極體陣列)收集電子並對所收集電子進行成像。在另一實施例中,可使用一或多個崩潰光電二極體(APD)收集電子並對所收集電子進行成像。 在另一實施例中,特徵系統100之一控制器140對準電子束。舉例而言,控制器140以通信方式耦合至偵測器總成120中之一或多個偵測器之輸出及電子光學柱中之一或多個元件。在一項實施例中,控制器140包含一或多個處理器(未展示),該一或多個處理器經組態以執行適合於致使該一或多個處理器執行本發明中所闡述之一或多個資料處理步驟之程式指令。在一項實施例中,控制器140之一或多個處理器可與一載體媒體(例如,非暫時性儲存媒體(亦即,記憶體媒體))通信,該載體媒體含有經組態以致使控制器140之一或多個處理器實施透過本發明所闡述之各個步驟之程式指令。應認識到,本發明通篇所闡述之各個處理步驟可由一單計算系統或(或另一選擇係)一多計算系統實施。控制器140可包含但不限於一個人電腦系統、主機電腦系統、工作站、影像電腦、並行處理器或此項技術中已知之任何其他裝置。通常,術語「電腦系統」可廣泛定義為囊括具有執行來自一記憶體媒體之指令之一或多個處理器之任何裝置。此外,系統100之不同子系統可包含適合於實施上文所闡述之步驟中之至少一部分之一電腦系統或邏輯元件。因此,不應將以上說明解釋為對本發明之一限制而應僅係一圖解說明。 在一項實施例中,控制器140之一或多個處理器可自偵測器總成120接收與電子束104之對準相關聯之資料。繼而,控制器140之一或多個處理器可執行一組程式指令以分析電子束104之對準並調整基板114上電子束104所聚焦至之位置。 進一步注意,本文中具有一第一組對準標記121之一樣本載台116、具有一第二組對準標記115之一電子光學透鏡112及具有一第三組對準標記118之一對準板117可插入至一已存在電子束檢驗或計量工具。就此而言,已存在電子束檢驗或計量工具可擴充有如由第一組對準標記121、第二組對準標記115及第三組對準標記118所提供的補償漂移之能力。 圖2A係根據本發明之一項實施例之電子光學透鏡112之一剖面圖,該剖面圖圖解說明第二組對準標記115。在一項實施例中,第二組對準標記115安置於一圓柱形環之頂部表面上或周圍。舉例而言,第二組對準標記115可係圓柱形環自身之頂部部分。舉另一實例,第二組對準標記115可包含安置於圓柱形環之頂部部分上之一或多個幾何特徵。舉另一實例,第二組對準標記115可包含在圓柱形環之頂部部分上之一或多個凹口或壓痕。就此而言,當電子束104朝向基板114傳播時,該電子束穿過第二組對準標記115。 圖2B係根據本發明之一項實施例之電子光學透鏡112之一俯視圖,該圖圖解說明位於電子光學透鏡112之光圈高度處之第二組對準標記115,電子束104透過傳播電子光學透鏡112。在一項實施例中,第二組對準標記115包含擱置於電子光學柱中之一光圈上之一圓柱形環。 圖3係根據本發明之一項實施例的電子光學透鏡112、第二組對準標記115、對準板117、第三組對準標記118及安裝支撐件110之一剖面圖。在一項實施例中,安裝支撐件110將對準板117固定至電子光學透鏡112之底部部分。在另一實施例中,電子光學透鏡112及對準板環繞傳播電子束104。在另一實施例中,當電子束104朝向基板114傳播時,該電子束穿過第二組對準標記115及第三組對準標記118。 圖4A係根據本發明之一或多項實施例的電子光學透鏡112之一經簡化示意圖及圖解說明安裝至樣本載台116之一基板114的樣本載台116之一等角視圖。圖4B圖解說明根據本發明之一或多項實施例之樣本載台116之一俯視圖。在一項實施例中,支撐結構113位於樣本載台116中以幫助將基板114固定至樣本載台116。在另一實施例中,一第一組對準標記121位於樣本載台116上、靠近基板114之檢驗區域。 圖5A係根據本發明之一項實施例的電子光學透鏡112、參考標的502及樣本114之一剖面圖,該圖圖解說明電子束104之一雙聚焦組態。在一項實施例中,一電子束104聚焦於樣本114上。在另一實施例中,樣本載台116之高度經調整以將電子束聚焦於樣本114上。在另一實施例中,一電子束聚焦於一參考標的502上。在另一實施例中,一電子束104經組態以產生一雙聚焦,藉此電子束104具有一中間焦點504及一最終焦點,此形成兩個高解析度平面。舉例而言,電子束104可同時聚焦於一樣本114及一參考標的502上。舉例而言,電子光學透鏡112之電流及電壓經調整以將參考標的放置於一個平面處之焦點中且將樣本114放置於另一平面處之焦點中。注意,本文中參考標的處之電場保持較小以避免像差。在某些實施例中,最終掃描電子顯微鏡影像係參考及樣本兩者之一組合。在某些實施例中,最終掃描電子顯微鏡影像係對影像漂移之自參考。在某些實施例中,最終掃描電子顯微鏡影像係對影像抖動之自參考。注意,本文中電子束104之此雙聚焦組態將對樣本及參考標的之水平平面之定位作出解釋。注意,本文中射束傾斜之漂移可在參考標的502與樣本114之間形成將由一橫向移位指示之電子束104之一雙聚焦組態。在某些實施例中,射束傾斜之漂移係由一樣本114偏向搖晃對準條件所致。 圖5B係根據本發明之一項實施例之參考標的502之一俯視圖,該圖圖解說明來自一掃描電子顯微鏡中之一高解析度平面之一中間焦點504之一SEM影像。在一項實施例中,參考標的502係具有一選定幾何圖案之一材料。舉例而言,參考標的502可包含但不限於圓形孔之一六邊形圖案。舉例而言,參考標的502之視圖圖解說明圓形孔之一六邊形圖案之一SEM影像,該視圖具有一10 µm參考刻度指示符510。 圖6係圖解說明根據本發明之一或多項實施例的用於一基於電子束之特徵工具之漂移補償之一方法之步驟的一流程圖。應認識到,程序流程600之步驟可經由系統100實施。然而,應認識到不應將系統100解釋為對程序600之一限制,此乃因預期各種系統對準組態可實施程序流程600。 步驟602包含將一基板固定於樣本載台上。舉例而言,如圖4中所展示,將基板114放置於位於樣本載台116上之基板支撐件113上。 步驟604包含對準電子光學柱及樣本載台。舉例而言,如圖1中所展示,電子源102可產生一或多個電子束104,然後經由電子光學柱105將電子束104引導至基板114之期望位置上。舉例而言,如圖1中所展示,可將一電子束104對準至基板114之中心部分。 步驟606包含使電子光學柱105與一載台干涉儀系統125同步。舉例而言,如圖1中所展示,電子光學柱105將電子束104對準至基板114之中心部分,此時干涉儀系統125經校準以記錄一基本位置以用於量測樣本載台116之位移改變時。 步驟608包含對準一或多個電子束104與一或多個對準標記。舉例而言,如圖1中所展示,可將電子束104對準至第一組對準標記121或第二組對準標記115。舉例而言,如圖1中所展示,可將電子束104對準至靠近位於樣本載台116上之基板114之檢驗區域之第一組對準標記121。 本文中所闡述之所有方法可包含將方法實施例之一或多個步驟之結果儲存於一記憶體中。結果可包含本文中所闡述之結果中之任一者且可以此項技術中已知之任何方式儲存。儲存媒體可包含本文中所闡述之任何儲存媒體或此項技術中已知之任何其他適合儲存媒體。在已儲存結果之後,該等結果可在該儲存媒體中存取且由本文中所闡述之方法或系統實施例中之任一者使用,經格式化以供顯示給一使用者,由另一軟體模組、方法或系統等使用。此外,可「永久性地」、「半永久性地」、臨時性地或在某一時間週期內儲存結果。舉例而言,儲存媒體可係隨機存取記憶體(RAM),且結果可不必無限期地存留於該儲存媒體中。 本文中所闡述之標的物有時圖解說明含於其他組件內或與其他組件連接之不同組件。應理解,此等所繪示架構僅係例示性的,且事實上可實施達成相同功能性之諸多其他架構。在一概念意義上,達成相同功能性之任一組件配置係有效地「相關聯」以使得達成所期望功能性。因此,可將本文中經組合以達成一特定功能性之任何兩個組件視為彼此「相關聯」,使得達成所期望功能性,而無論架構或中間組件如何。同樣地,亦可將如此相關聯之任何兩個組件視為彼此「連接」或「耦合」以達成所期望功能性,且亦可將能夠如此相關聯之任何兩個組件視為彼此「可耦合」以達成所期望功能性。可耦合之特定實例包含但不限於可實體配合及/或實體相互作用組件及/或可以無線方式相互作用及/或以無線方式相互作用之組件及/或以邏輯方式相互作用及/或可以邏輯方式相互作用之組件。 此外,應理解,本發明係由隨附申請專利範圍界定。熟習此項技術者將理解,一般而言本文所使用及尤其在隨附申請專利範圍(例如,隨附申請專利範圍之主體)中所使用之術語通常意欲係「開放式」術語(例如,應將術語「包含(including)」解釋為「包含但不限於」,應將術語「具有(具有)」解釋為「至少具有」,應將術語「包含(includes)」解釋為「包含但不限於」等)。熟習此項技術者應進一步理解,若有意圖將一所引入請求項陳述表述為一特定數目,則將在請求項中明確地陳述此一意圖,且在無此陳述時,不存在此意圖。舉例而言,作為對理解之一輔助,以下隨附申請專利範圍可含有引入性片語「至少一個」及「一或多個」之使用以引入請求項陳述。然而,甚至當相同請求項包含引入性片語「一或多個」或「至少一個」及諸如「一(a/an)」之不定冠詞(例如,「一(a)」及/或「一(an)」應通常解釋為意指「至少一個」或「一或多個」)時,此等片語之使用不應解釋為暗指藉由不定冠詞「一(a/an)」引入之一請求項陳述限制含有此經引入請求項陳述之任何特定請求項為僅含有一個此陳述之發明;對於用於引入請求項陳述之定冠詞之使用亦如此。另外,即使明確地陳述一經引入請求項陳述之一特定數目,熟習此項技術者亦將認識到,此陳述通常應解釋為意指至少所陳述之數目(例如,「兩個敘述」之明瞭陳述,而無其他修飾語,通常意指至少兩個陳述或者兩個或兩個以上陳述)。此外,在其中使用類似於「A、B及C等中之至少一者」之一慣例之彼等例項中,通常,此一構造意欲指熟習此項技術者將理解該慣例之含義(例如,「具有A、B及C中之至少一者之一系統」將包含但不限於僅具有A、僅具有B、僅具有C,同時具有A及B、同時具有A及C、同時具有B及C及/或同時具有A、B及C等之系統)。在其中使用類似於「A、B或C等中之至少一者」之一慣例之彼等例項中,通常,此一構造意欲指熟習此項技術者將理解該慣例之含義(例如,「具有A、B或C中之至少一者之一系統」將包含但不限於僅具有A、僅具有B、僅具有C,同時具有A及B、同時具有A及C、同時具有B及C及/或同時具有A、B及C等之系統)。熟習此項技術者應進一步理解,實質上表示兩個或兩個以上替代術語之任何轉折詞及/或片語(無論是在說明書中、申請專利範圍中還是在圖式中)皆應被理解為涵蓋包含該等術語中之一者、該等術語中之任一者或兩個術語之可能性。舉例而言,片語「A或B」應被理解為包含「A」或「B」或者「A及B」之可能性。 據信,藉由前述說明將理解本發明及其諸多隨附優點,且將明瞭,可在組件之形式、構造及配置方面作出各種改變,此並不背離所揭示標的物亦不會犧牲所有其實質優點。所闡述形式僅係闡釋性的,且以下申請專利範圍之意圖係囊括且包含此等改變。此外,應理解,本發明係由隨附申請專利範圍界定。
100‧‧‧系統/特徵系統/特徵工具
102‧‧‧電子源/電子束源
104‧‧‧電子束/射束
105‧‧‧電子光學柱
106‧‧‧電子束掃描元件
107‧‧‧聚光透鏡
110‧‧‧支撐件
112‧‧‧物鏡/電子光學透鏡
113‧‧‧支撐結構/基板支撐件
114‧‧‧基板/樣本
115‧‧‧第二組對準標記
116‧‧‧樣本載台/載台/可致動載台
117‧‧‧對準板
118‧‧‧第三組對準標記
120‧‧‧偵測器總成
121‧‧‧第一組對準標記
125‧‧‧干涉儀系統
140‧‧‧控制器
502‧‧‧參考標的
504‧‧‧中間焦點
510‧‧‧參考刻度指示符
102‧‧‧電子源/電子束源
104‧‧‧電子束/射束
105‧‧‧電子光學柱
106‧‧‧電子束掃描元件
107‧‧‧聚光透鏡
110‧‧‧支撐件
112‧‧‧物鏡/電子光學透鏡
113‧‧‧支撐結構/基板支撐件
114‧‧‧基板/樣本
115‧‧‧第二組對準標記
116‧‧‧樣本載台/載台/可致動載台
117‧‧‧對準板
118‧‧‧第三組對準標記
120‧‧‧偵測器總成
121‧‧‧第一組對準標記
125‧‧‧干涉儀系統
140‧‧‧控制器
502‧‧‧參考標的
504‧‧‧中間焦點
510‧‧‧參考刻度指示符
熟習此項技術者可藉由參考附圖來更好地理解本發明之眾多優點,在附圖中: 圖1係圖解說明根據本發明之一或多項實施例的用於漂移補償之一掃描電子顯微鏡系統之一方塊圖。 圖2A係圖解說明根據本發明之一或多項實施例之一電子光學透鏡之一剖面圖。 圖2B係圖解說明根據本發明之一或多項實施例之一第二組對準標記之一俯視圖。 圖3係圖解說明根據本發明之一或多項實施例的電子光學透鏡及包含一第三組對準標記之對準板之一經簡化示意圖。 圖4A係圖解說明根據本發明之一或多項實施例的具有安裝於樣本載台上之一基板之電子光學透鏡之一經簡化示意圖。 圖4B係根據本發明之一或多項實施例之樣本載台之一俯視圖,該俯視圖圖解說明一第一組對準標記。 圖5A係根據本發明之一或多項實施例的配備有一參考標的之電子光學透鏡之一剖面圖。 圖5B係根據本發明之一或多項實施例之參考標的之一俯視圖。 圖6係根據本發明之一或多項實施例圖解說明用於一基於電子束之特徵工具之漂移補償之一方法之一流程圖。 圖7係圖解說明用於….之一方法之一流程圖(在本申請案中闡釋圖7之段落遺失)。
100‧‧‧系統/特徵系統/特徵工具
102‧‧‧電子源/電子束源
104‧‧‧電子束/射束
105‧‧‧電子光學柱
106‧‧‧電子束掃描元件
107‧‧‧聚光透鏡
112‧‧‧物鏡/電子光學透鏡
114‧‧‧基板/樣本
115‧‧‧第二組對準標記
116‧‧‧樣本載台/載台/可致動載台
117‧‧‧對準板
118‧‧‧第三組對準標記
120‧‧‧偵測器總成
121‧‧‧第一組對準標記
125‧‧‧干涉儀系統
140‧‧‧控制器
Claims (23)
- 一種掃描電子顯微鏡系統,其包括: 一電子束源,其經組態以產生一或多個電子束; 一樣本載台,其經組態以固定一基板,其中該樣本載台包含一第一對準特徵; 一電子光學柱,其中該電子光學柱包含一組電子光學元件,其中該組電子光學元件包含一電子光學透鏡及安裝至該電子光學透鏡之底部部分之一對準板,其中該電子光學透鏡包含一第二對準特徵,其中該對準板包含一第三對準特徵; 一偵測器總成;及 一控制器,其以通信方式耦合至該電子光學柱之一或多個部分或該樣本載台中之至少一者,其中該控制器經組態以調整該電子光學柱之該一或多個部分或該樣本載台中之至少一者,以便將該一或多個電子束對準至第一組對準特徵、第二組對準特徵或第三組對準特徵中之至少一者。
- 如請求項1之掃描電子顯微鏡系統,其中該偵測器總成包括一次級電子偵測器或一反向散射電子偵測器中之至少一者。
- 如請求項1之掃描電子顯微鏡系統,其中該電子光學柱包含一組電子光學元件。
- 如請求項3之掃描電子顯微鏡系統,其中該等電子光學元件包括: 一聚光透鏡、一或多個掃描元件、一光圈或一物鏡中之至少一者。
- 如請求項1之掃描電子顯微鏡系統,其中該電子光學透鏡包括: 一物鏡或一聚光鏡中之至少一者。
- 如請求項5之掃描電子顯微鏡系統,其中該物鏡包括一最終物鏡。
- 如請求項5之掃描電子顯微鏡系統,其中該第二對準特徵安置於該物鏡之一光圈周圍。
- 如請求項1之掃描電子顯微鏡系統,其中該第一對準特徵係位於該樣本載台上之一組對準標記。
- 如請求項1之掃描電子顯微鏡系統,其中該對準板包括: 一柵格、一光柵、一圓盤或一環中之至少一者。
- 如請求項9之掃描電子顯微鏡系統,其中該第三對準特徵係位於該對準板上之一組對準標記。
- 如請求項1之掃描電子顯微鏡系統,其中該樣本載台包括: 一線性樣本載台或一旋轉樣本載台中之至少一者。
- 如請求項1之掃描電子顯微鏡系統,其進一步包括: 一干涉儀系統。
- 如請求項12之掃描電子顯微鏡系統,其中該干涉儀系統經組態以量測一樣本載台與一電子光學柱沿x方向、y方向或z方向中之至少一者之相對位置改變。
- 如請求項12之掃描電子顯微鏡系統,其中該電子光學柱與該干涉儀系統同步。
- 一種掃描電子顯微鏡系統,其包括: 一電子束源,其經組態以產生一或多個電子束; 一樣本載台,其經組態以固定一基板,其中該樣本載台經組態以調整位置以將該電子束聚焦於該基板上; 一參考標的; 一電子光學柱,其中該電子光學柱包含一組電子光學元件,其中該組電子光學元件包含一電子光學透鏡;其中該組電子光學元件可經組態以同時聚焦於該參考標的及該樣本上; 一偵測器總成;及 一控制器,其以通信方式耦合至該電子光學柱之一或多個部分或該樣本載台中之至少一者,其中該控制器經組態以調整該電子光學柱之該一或多個部分或該樣本載台中之至少一者,以便將該一或多個電子束對準至該參考標的、該基板中之至少一者或同時聚焦於該參考標的及該基板上。
- 如請求項15之掃描電子顯微鏡系統,其中將該等電子光學元件同時聚焦於該參考標的及該樣本上會產生一最終影像,該最終影像將展示任一聚焦平面中存在影像漂移及任一聚焦平面中存在影像抖動之跡象。
- 一種電子束漂移補償方法,其包括: 將一基板固定於一樣本載台上; 對準一電子光學柱與樣本載台; 使該電子光學柱與一載台干涉儀系統同步;及 對準一或多個電子束與一或多個對準特徵。
- 如請求項17之方法,對準一或多個電子束與一或多個對準特徵會: 對準一或多個電子束與一第一組對準標記。
- 如請求項17之方法,對準一或多個電子束與一或多個對準特徵會: 對準一或多個電子束與一第二組對準標記。
- 如請求項17之方法,對準一或多個電子束與一或多個對準特徵會: 對準一或多個電子束與一第三組對準標記。
- 如請求項17之方法,其進一步包括: 對該基板執行一或多次量測;及 對準一或多個電子束與該第一組對準標記、該第二組對準標記或該第三組對準標記中之至少一者。
- 一種電子束漂移補償方法,其包括: 將一基板固定於一樣本載台上; 對準一電子光學柱、樣本載台及參考標的; 使該電子光學柱與一載台干涉儀系統同步;及 將電子束同時聚焦於該基板及該參考標的上。
- 如請求項22之方法,其進一步包括: 對該基板執行一或多次量測;及 對準一或多個電子束與該基板及該參考標的中之至少一者。
Applications Claiming Priority (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US201662312651P | 2016-03-24 | 2016-03-24 | |
US62/312,651 | 2016-03-24 | ||
US15/269,031 | 2016-09-19 | ||
US15/269,031 US9892885B2 (en) | 2016-03-24 | 2016-09-19 | System and method for drift compensation on an electron beam based characterization tool |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
TW201801124A true TW201801124A (zh) | 2018-01-01 |
TWI720154B TWI720154B (zh) | 2021-03-01 |
Family
ID=59897358
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
TW106108839A TWI720154B (zh) | 2016-03-24 | 2017-03-17 | 用於基於電子束之特徵工具之漂移補償之系統及方法 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9892885B2 (zh) |
EP (1) | EP3433873A4 (zh) |
JP (1) | JP6938529B2 (zh) |
KR (1) | KR102184032B1 (zh) |
CN (1) | CN108780729B (zh) |
TW (1) | TWI720154B (zh) |
WO (1) | WO2017165308A1 (zh) |
Families Citing this family (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US10338013B1 (en) * | 2018-01-25 | 2019-07-02 | Kla-Tencor Corporation | Position feedback for multi-beam particle detector |
WO2019217873A1 (en) * | 2018-05-10 | 2019-11-14 | Protochips, Inc. | Sample support with fiducial indicia |
US11373838B2 (en) * | 2018-10-17 | 2022-06-28 | Kla Corporation | Multi-beam electron characterization tool with telecentric illumination |
US11135835B2 (en) * | 2018-12-20 | 2021-10-05 | Kateeva, Inc. | Ejection control using substrate alignment features and print region alignment features |
DE102019200696B4 (de) * | 2019-01-21 | 2022-02-10 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Vorrichtung, Verfahren und Computerprogram zum Bestimmen einer Position eines Elements auf einer fotolithographischen Maske |
KR102287441B1 (ko) * | 2019-07-03 | 2021-08-09 | 주식회사 탑 엔지니어링 | 스테이지 정렬 장치, 이를 포함하는 도포 장치, 및 이를 이용한 스테이지 정렬 방법 |
US11902665B2 (en) | 2019-08-16 | 2024-02-13 | Protochips, Inc. | Automated application of drift correction to sample studied under electron microscope |
JP7264539B2 (ja) * | 2019-08-16 | 2023-04-25 | プロトチップス,インコーポレイテッド | 電子顕微鏡下で研究される試料へのドリフト補正の自動化されたアプリケーション |
CN113707522B (zh) * | 2021-08-26 | 2022-07-08 | 北京中科科仪股份有限公司 | 固定装置、扫描电镜和电子束曝光机 |
CN115616017B (zh) * | 2022-09-30 | 2023-11-10 | 南方科技大学 | 一种电子光学测试平台装置 |
Family Cites Families (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS60201626A (ja) * | 1984-03-27 | 1985-10-12 | Canon Inc | 位置合わせ装置 |
US5424548A (en) * | 1993-09-21 | 1995-06-13 | International Business Machines Corp. | Pattern specific calibration for E-beam lithography |
JP3666267B2 (ja) * | 1998-09-18 | 2005-06-29 | 株式会社日立製作所 | 荷電粒子ビーム走査式自動検査装置 |
JP3951590B2 (ja) * | 2000-10-27 | 2007-08-01 | 株式会社日立製作所 | 荷電粒子線装置 |
US7462848B2 (en) * | 2003-10-07 | 2008-12-09 | Multibeam Systems, Inc. | Optics for generation of high current density patterned charged particle beams |
US7332729B1 (en) * | 2004-06-18 | 2008-02-19 | Novelx, Inc. | System and method for multiple electron, ion, and photon beam alignment |
JP4477434B2 (ja) * | 2004-06-29 | 2010-06-09 | キヤノン株式会社 | 荷電粒子線露光装置およびデバイス製造方法 |
JP4638800B2 (ja) | 2005-10-27 | 2011-02-23 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 走査電子顕微鏡装置における機差管理システムおよびその方法 |
JP4741408B2 (ja) * | 2006-04-27 | 2011-08-03 | 株式会社荏原製作所 | 試料パターン検査装置におけるxy座標補正装置及び方法 |
US7825386B2 (en) | 2006-10-25 | 2010-11-02 | Hermes-Microvision, Inc. | System and method for a charged particle beam |
JP5843610B2 (ja) * | 2011-12-28 | 2016-01-13 | キヤノン株式会社 | 描画装置及び物品の製造方法 |
JP2013183017A (ja) * | 2012-03-01 | 2013-09-12 | Canon Inc | 描画装置、基準素子、及び物品製造方法 |
WO2013132081A2 (en) * | 2012-03-08 | 2013-09-12 | Mapper Lithography Ip B.V. | Lithography system and method for processing a target, such as a wafer |
JP2014168031A (ja) * | 2013-01-30 | 2014-09-11 | Canon Inc | リソグラフィ装置、リソグラフィ方法及び物品製造方法 |
WO2015094818A1 (en) * | 2013-12-21 | 2015-06-25 | Kla-Tencor Corporation | A method for measuring positions of structures on a mask and thereby determining mask manufacturing errors |
US9552958B2 (en) | 2014-02-25 | 2017-01-24 | Weatherford Technology Holdings, Llc | Alignment marking for rock sample analysis |
TWI685012B (zh) * | 2014-12-22 | 2020-02-11 | 美商卡爾蔡司顯微鏡有限責任公司 | 帶電粒子束系統、用以處理樣品的方法、用以製造約瑟夫接面的方法與用以產生複數個約瑟夫接面的方法 |
-
2016
- 2016-09-19 US US15/269,031 patent/US9892885B2/en active Active
-
2017
- 2017-03-17 TW TW106108839A patent/TWI720154B/zh active
- 2017-03-20 CN CN201780015907.7A patent/CN108780729B/zh active Active
- 2017-03-20 WO PCT/US2017/023239 patent/WO2017165308A1/en active Application Filing
- 2017-03-20 EP EP17770919.3A patent/EP3433873A4/en active Pending
- 2017-03-20 KR KR1020187030817A patent/KR102184032B1/ko active IP Right Grant
- 2017-03-20 JP JP2018549925A patent/JP6938529B2/ja active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN108780729A (zh) | 2018-11-09 |
CN108780729B (zh) | 2020-08-21 |
JP2019509609A (ja) | 2019-04-04 |
JP6938529B2 (ja) | 2021-09-22 |
KR20180119699A (ko) | 2018-11-02 |
KR102184032B1 (ko) | 2020-11-27 |
WO2017165308A1 (en) | 2017-09-28 |
TWI720154B (zh) | 2021-03-01 |
US9892885B2 (en) | 2018-02-13 |
US20170278666A1 (en) | 2017-09-28 |
EP3433873A1 (en) | 2019-01-30 |
EP3433873A4 (en) | 2019-11-20 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
TW201801124A (zh) | 用於基於電子束之特徵工具之漂移補償之系統及方法 | |
KR102450009B1 (ko) | 오버레이 및 에지 배치 에러들의 계측 및 제어 | |
TWI735458B (zh) | 用於晶圓邊緣檢測及查核之方法及系統 | |
TWI747213B (zh) | 帶電粒子束裝置及其操作系統和方法 | |
CN100354757C (zh) | 带电粒子束曝光装置和方法以及使用该装置的器件制造方法 | |
CN109298001B (zh) | 电子束成像模块、电子束检测设备及其图像采集方法 | |
KR102295312B1 (ko) | 하전 입자 빔 화상 취득 장치 | |
JP2019144109A (ja) | 荷電粒子ビーム検査方法 | |
US20210249224A1 (en) | Electron beam apparatus, inspection tool and inspection method | |
CN102736428A (zh) | 一种调焦调平装置及方法 | |
US20130017476A1 (en) | Measuring apparatus, drawing apparatus, and article manufacturing method | |
JP2000286310A (ja) | パターン欠陥検査方法および検査装置 | |
JP7192117B2 (ja) | 基板上の限界寸法測定の方法、および基板上の電子デバイスを検査し、カッティングするための装置 | |
US20220392741A1 (en) | Systems and methods of profiling charged-particle beams | |
EP4310885A1 (en) | Electron-optical apparatus and method of obtaining topographical information about a sample surface | |
EP4303908A1 (en) | Assessment apparatus using a plurality of charged particle beams | |
WO2024100897A1 (ja) | 荷電粒子ビーム装置 | |
KR20220143941A (ko) | 스택 정렬 기법 | |
TW202411639A (zh) | 評估設備及方法 | |
TW202333181A (zh) | 用於永久磁鐵陣列之雜散場之減輕的屏蔽策略 | |
KR20230052900A (ko) | 진공 시스템 밀봉용 인쇄 회로 기판 |