TW201743486A

TW201743486A - 有機介電層及有機電子裝置

Info

Publication number: TW201743486A
Application number: TW106116346A
Authority: TW
Inventors: Irina Afonina; Tomas Backlund; Larry F Rhodes; Hugh A Burgoon
Original assignee: Merck Patent Gmbh; Promerus Llc
Priority date: 2016-05-18
Filing date: 2017-05-17
Publication date: 2017-12-16
Also published as: US20190148657A1; JP2019515514A; CN109196676B; US10879474B2; JP7122257B2; WO2017198587A1; KR102420851B1; CN109196676A; KR20190015319A; EP3459128A1

Abstract

本發明係關於包含具有側接發色基之聚環烯烴聚合物的有機介電層，該側接發色基在230至290 nm之波長範圍內具有吸收最大值，且係關於包含該等有機介電層之有機電子裝置。

Description

有機介電層及有機電子裝置

本發明係關於包含具有側接發色基(pendent chromophoric group)之聚環烯烴聚合物的有機介電層，該側接發色基於230至290 nm之波長範圍內具有吸收最大值，且係關於包含該等有機介電層之有機電子裝置。

近年來，有機電子(OE)裝置已受到越來越多的關注，例如供顯示器裝置或邏輯能力電路之背板、有機光伏打(OPV)裝置、有機光偵測器(OPD)或有機發光二極體(OLED)使用之有機薄膜電晶體(OTFT)。習知OTET具有閘電極、由介電材料(亦稱作「介電質」或「閘極介電質」)製成之閘極絕緣層、源電極及汲電極、由有機半導體(OSC)材料製成之半導電層以及通常地在上述層頂部以提供抗環境影響或抗來自後續裝置製造步驟之損壞的保護作用之鈍化層。 OTFT製造中之一些圖案化製程使用雷射切除以圖案化材料，例如以形成貫穿介電層之通孔。然而，若介電材料在雷射波長處之光學吸收係數未經適當調整，則常常難以獲得品質良好之圖案化特徵，如通孔。因此，提供用於展示經改良雷射可切除性之OE裝置之介電層的介電材料係合乎需要且有利的。同時，介電材料應較佳地展現其他有利性質。因此，介電材料應較佳地具有以下中之一或多者：低介電係數、對於一般所採用之OSC材料類別之良好正交性、於有機溶劑中(特別係於非鹵化溶劑中)之良好溶解性、良好可加工性(特別係針對溶液沈積法)，及藉由亦適用於大規模生產之經濟及簡易的合成方法之良好可用性。較佳地，介電材料亦應可交聯以(例如)藉由形成至S/D電極的通孔互連來實現光圖案化及堆疊整合。為了在OTFT中使用，介電材料亦應實現良好電晶體效能且與OSC材料結合而產生高遷移率，高開啟電流及低切斷電流。本發明使得能夠藉由在OE裝置之介電層中使用含有側基(例如芳族基(如聯苯基))之聚環烯烴聚合物來滿足上述需求，該聚環烯烴聚合物在通常用於雷射切除之波長處(特別係在UV範圍中)具有較高吸收。此外，聚環烯烴聚合物具有化學惰性，具有固有低k，且可(例如)藉由添加賦予溶解性及/或交聯官能度之側基而加以進一步修飾。

本發明係關於包含介電層之OE裝置，該介電層包含聚環烯烴聚合物或經由使用聚環烯烴聚合物而獲得，該聚環烯烴聚合物包含一或多個側基，該一或多個側基在230至290 nm之波長範圍內，較佳地在250至280 nm之範圍內，極佳地在260至270 nm之範圍內具有吸收最大值，其在下文被稱作「側接發色基」。本發明進一步係關於包含一或多個側接發色基之聚環烯烴聚合物。本發明進一步係關於OE裝置中之介電層，該介電層包含聚環烯烴聚合物或經由使用聚環烯烴聚合物而獲得，該聚環烯烴聚合物包含一或多個側接發色基。根據本發明之其他實施例涵蓋經由使用包含一或多個側接發色基之聚環烯烴聚合物來製備OE裝置中之介電層的製程。上述OE裝置為(例如)有機薄膜電晶體(OTFT)、有機發光二極體(OLED)、有機光偵測器(OPD)或有機光伏打(OPV)裝置。關於OTFT，此類裝置包括頂閘極OTFT及底閘極OTFT兩者。本發明之實施例亦包括涵蓋如上文及下文所描述之OE裝置的產品或組件。此類產品或組件為積體電路(IC)、射頻識別(RFID)標籤、含有RFID標籤之安全標記或安全裝置、平板顯示器(FPD)、FPD之背板、FPD之背光、電子照相裝置、電子照相記錄裝置、有機記憶體裝置、壓力感測器、光學感測器、化學感測器、生物感測器或生物晶片。

相關申請案之交叉參考本申請案主張2016年5月18日申請之美國臨時申請案第62/338,082號之權益，該臨時申請案以全文引用的方式併入本文中。如本文所使用，術語「發色基」」意謂在230至290 nm之範圍內，較佳地在250至280 nm之範圍內，極佳地在260至270 nm之範圍內具有吸收最大值的基團。如本文所使用，術語「發色基」及「發色團」可互換地使用且意謂在230至290 nm之範圍內，較佳地在250至280 nm之範圍內，極佳地在260至270 nm之範圍內具有吸收最大值的化合物。術語「吸收最大值」意謂基團或化合物的吸收光譜中之峰值，其中該峰值可為唯一峰值或若干峰值中之一者，且較佳為在基團或化合物的吸收光譜中具有最高吸收值之峰值。如本文所使用，術語「介電」及「絕緣」可互換地使用。因此，對絕緣材料或層之提及包括介電材料或層。此外，如本文所使用，術語「有機電子裝置」應理解為包括術語「有機半導體裝置」，且此類裝置(諸如OTFT)的若干特定實施例係如上文所定義。如本文所使用，術語「正交」及「正交性」應理解為意謂化學正交性。舉例而言，正交溶劑意謂當用於在先前沈積層上沈積已溶解於溶劑中之材料層時不溶解該先前沈積層的溶劑。如本文所使用，術語「聚合物」應理解為意謂涵蓋一或多種不同類型之重複單元(分子之最小組成單元)之主鏈的分子，並且包括通常已知之術語「寡聚物」、「共聚物」、「均聚物」及類似物。此外，應瞭解，術語聚合物除聚合物本身外包括來自伴隨此類聚合物合成之引發劑、催化劑及其他元素之少量殘餘物，其中此類殘餘物應理解為不與其共價合併。此外，當此類殘餘物及其他元素在聚合後的純化製程期間經大體移除時,可發現微量此類材料與聚合物混合或共混，以使得當聚合物在容器之間或在溶劑或分散介質之間轉移時，該等材料大體上與聚合物一起保留下來。如本文所使用，術語「小分子」應理解為意謂通常不攜載藉由其可發生反應以形成聚合物之反應性基團且指定以單體形式使用的單體化合物。與此相反，除非另外說明，否則術語「單體」應理解為意謂攜載一或多個反應性官能基之單體化合物，藉由該一或多個反應性官能基，單體化合物可發生反應以形成寡聚物或聚合物。如本文所使用，術語「聚合物組合物」意謂至少一種聚合物及一或多種其他材料，該一或多種其他材料經添加至該至少一種聚合物中以向聚合物組合物及/或其中的該至少一種聚合物提供特定性質或對其進行改質。應瞭解，聚合物組合物為用於將聚合物攜載至基板以使得能夠在其上形成層或結構之媒劑。例示性材料包括(但不限於)溶劑、抗氧化劑、光引發劑、光敏劑、交聯部分或交聯劑、反應性稀釋劑、除酸劑、調平劑及黏著促進劑。此外，應瞭解，聚合物組合物除上述例示性材料之外亦涵蓋兩種或多於兩種聚合物之摻合物。如本文所定義，術語「聚環烯烴」、「多環烯烴」及「降冰片烯型」可互換地使用且係指加成可聚合單體或所得重複單元，涵蓋至少一種諸如由以下結構A1或A2所展示之降冰片烯部分。最簡單的降冰片烯型或多環烯烴單體雙環[2.2.1]庚-2-烯(A1)通常稱作降冰片烯。然而，如本文所使用，術語「降冰片烯型重複單元」或「降冰片烯型單體」應理解為不僅意謂降冰片烯本身，而且係指任何經取代之降冰片烯，或其經取代及未經取代之高級環狀衍生物，例如下文分別展示之結構B1或B2，其中m為零或大於零之整數，當m=零時為式A1之降冰片烯單體或式A2之降冰片烯單體之各別重複單元。如本文所使用，術語「烴基」係指含有其中各碳經一或多個氫原子適當取代之碳主鏈的自由基或基團。術語「鹵代烴基」係指烴基，其中一或多個(但並非所有)氫原子已經鹵素(F、Cl、Br或I)置換。術語全鹵碳基係指烴基，其中各氫已經鹵素置換。烴基之非限制性實例包括(但不限於)C₁ -C₂₅ 烷基、C₂ -C₂₄ 烯基、C₂ -C₂₄ 炔基、C₅ -C₂₅ 環烷基、C₆ -C₂₄ 芳基或C₇ -C₂₄ 芳烷基。代表性烷基包括(但不限於)甲基、乙基、丙基、異丙基、丁基、異丁基、第二丁基、第三丁基、戊基、新戊基、己基、庚基、辛基、壬基、癸基及十二烷基。代表性烯基包括(但不限於)乙烯基(ethenyl)或乙烯基(vinyl)、丙烯基、丁烯基及己烯基。代表性炔基包括(但不限於)乙炔基、1-丙炔基、2-丙炔基、1-丁炔基及2-丁炔基。代表性環烷基包括(但不限於)環戊基、環己基及環辛基取代基。代表性芳基包括(但不限於)苯基、聯苯基、茚基、萘基及蒽基。代表性芳烷基包括(但不限於)苯甲基、苯乙基及苯丁基。如本文所使用，術語「鹵代烴基」包括上文所提及之烴基部分，但其中存在一定鹵化程度，其範圍可為自至少一個氫原子經鹵素原子置換(例如氟甲基)至其中烴基上之所有氫原子皆已經鹵素原子置換(例如三氟甲基或全氟甲基)，其亦稱作全鹵化。舉例而言，可在本發明之實施例中有用之鹵化烷基可經部分或全部鹵化，式C_e X_2e ₊ ₁ 之烷基，其中X獨立地為鹵素或氫且e選自1至25之整數。在一些實施例中，各X獨立地選自氫、氯、氟、溴及/或碘，較佳為氟。在其他實施例中，各X獨立地為氫或氟。因此，代表性鹵代烴基及全鹵碳基由上述例示性烴基例示，其中適當數目之氫原子各自經鹵素原子置換。另外，術語「烴基」、「鹵代烴基」及「全鹵代烴基」之定義包括其中一或多個碳原子經獨立地選自O、N、P或Si之雜原子置換的部分。此類含有雜原子的部分可被稱作(例如)「雜原子-烴基」或「雜烴基」，尤其包括醚、環氧樹脂、縮水甘油醚、醇、甲酸、酯、順丁烯二醯亞胺、胺、亞胺、醯胺、酚、胺基酚、矽烷、矽氧烷、膦、膦氧化物、次膦酸酯、亞膦酸二酯、亞磷酸酯、膦酸酯、亞膦酸酯及磷酸酯。包括雜原子之其他例示性烴基、鹵代烴基及全鹵碳基包括(但不限於)： -(CH₂ )_n -Ar-(CH₂ )_n -C(CF₃ )₂ -OH、-(CH₂ )_n -Ar-(CH₂ )_n -OCH₂ C(CF₃ )₂ -OH、-(CH₂ )_n -C(CF₃ )₂ -OH、-((CH₂ )_i -O-)_k -(CH₂ )-C(CF₃ )₂ -OH、-(CH₂ )_n -C(CF₃ )(CH₃ )-OH、-(CH₂ )_n -C(O)NHR*、-(CH₂ )_n -C(O)Cl、-(CH₂ )_n -C(O)OR*、-(CH₂ )_n -OR*、-(CH₂ )_n -OC(O)R*及-(CH₂ )_n -C(O)R*，其中n獨立地表示0至12之整數，i為2、3或4，k為1、2或3，Ar為芳基(例如苯基)，且R*獨立地表示氫、C₁ -C₁₁ 烷基、C₁ -C₁₁ 鹵化或全鹵化烷基、C₂ -C₁₀ 烯基、C₂ -C₁₀ 炔基、C₅ -C₁₂ 環烷基、C₆ -C₁₄ 芳基、C₆ -C₁₄ 鹵化或全鹵化芳基、C₇ -C₁₄ 芳烷基或鹵化或全鹵化C₇ -C₁₄ 芳烷基。例示性全鹵化烷基包括(但不限於)三氟甲基、三氯甲基、-C₂ F₅ 、-C₃ F₇ 、-C₄ F₉ 、C₆ F₁₃ 、-C₇ F₁₅ 及-C₁₁ F₂₃ 。例示性鹵化或全鹵化芳基及芳烷基包括(但不限於)具有式-(CH₂ )_o -C₆ F_p H₅ _- _o 及-(CH₂ )_o -C₆ F_p H₄ _- _p -p C_q F_r H_2q ₊ ₁ _- _r 之基團，其中o、p、r及q分別獨立地選自0至5、0至5、0至9及1至4之整數。具體言之，此等例示性鹵化或全鹵化芳基包括(但不限於)五氯苯基、五氟苯基、五氟苯甲基、4-三氟甲基苯甲基、五氟苯乙基、五氟苯丙基及五氟苯丁基。如本文所使用，表述「視情況經取代」較佳地意謂一或多個H原子視情況經基團L置換，其中L係選自F、Cl、-OH、-CN或具有1至25個，較佳1至20個C原子之直鏈、分支鏈或環狀烷基，其中一或多個CH₂ 基團視情況經-O-、-S-、-C(=O)-、-C(=S)-、-C(=O)-O-、-O-C(=O)-、-NR⁰ -、-SiR⁰ R⁰⁰ -、-CF₂ -、-CR⁰ =CR⁰⁰ -、-CY¹ =CY² -或-CºC-以使得O及/或S原子彼此不直接連接的方式置換，且其中一或多個H原子視情況經F、Cl、Br、I或CN置換，其中Y¹ 及Y² 彼此獨立地指代H、F、Cl或CN，且R⁰ 、R⁰⁰ 彼此獨立地指代H或具有視情況經氟化之1至20個，較佳1至12個C原子的直鏈或分支鏈烷基。較佳之取代基L係選自F、-CN、R⁰ 、-OR⁰ 、-SR⁰ 、-C(=O)-R⁰ 、-C(=O)-OR⁰ 、-O-C(=O)-R⁰ 、-O-C(=O)-OR⁰ 、-C(=O)-NHR⁰ 、-C(=O)-NR⁰ R⁰⁰ 。極佳取代基L係選自F或烷基、烷氧基、氧雜烷基、硫雜烷基、具有1至12個C原子之氟烷基及氟烷氧基或烷基羰基、烷氧羰基、烷基羰氧基、烯基、氟烯基及具有2至12個C原子(包括羰基-C-原子)之炔基。如本文所使用，術語「芳烷基」及「雜芳烷基」分別意謂經由伸烷基(亦即，二價烷基)連接至相鄰基團的芳基或雜芳基。此等基團可由下式表示 -伸烷基-(雜)芳基其中「伸烷基(alkylene)」意謂伸烷基(alkylene group)且「(雜)芳基」意謂芳基或雜芳基。芳烷基的實例為苯甲基。如本文所使用，術語「芳烷氧基」及「雜芳烷氧基」意謂經由伸烷氧基(亦即，二價烷基氧基)分別連接至相鄰基團的芳基或雜芳基。此等基團可由下式表現 -伸烷基-O-(雜)芳基其中「伸烷基(alkylene)」意謂伸烷基(alkylene group)且「(雜)芳基」意謂芳基或雜芳基。芳烷氧基的實例為乙氧基聯苯基。如下文將論述，使用經取代單體(詳言之，經取代降冰片烯型單體)形成本發明之聚合物允許調整此等實施例的性質以滿足個別應用之需求。已開發的聚合單體(詳言之，降冰片烯型單體)、各種官能取代基(諸如下文描述之彼等者)之程序及方法展現出單體之不同部分及基團突出的可撓性及耐受性。除了聚合具有特定側基之單體之外，具有各種不同官能基之單體均可以無規聚合以形成最終材料，其中所用單體之類型及比率指示所得聚合物之總體本體性質。根據本發明之一些較佳實施例涵蓋包含介電層之OE裝置，該介電層基本上由包含一或多個側接發色基之聚環烯烴聚合物或包含此類聚環烯烴聚合物的聚合物組合物組成。根據本發明之更佳實施例涵蓋包含用於製備OE裝置中之介電層之一或多個側接發色基的聚環烯烴聚合物。在根據本發明之一些較佳實施例中，聚環烯烴聚合物可溶於非氟化溶劑中，較佳可溶於惰性溶劑中，且係以惰性、非氟化溶劑或溶劑組合物自溶液中沈積。溶劑或溶劑組合物提供對底層OSC層的良好正交性，且使聚環烯烴聚合物尤其適合用作頂閘極OTFT裝置中之介電層。在根據本發明之一些較佳聚合物實施例中,聚環烯烴聚合物包含一或多個側接發色基，該等側接發色基係選自C₆ -C₂₅ 芳基、C₇ -C₂₅ 芳烷基、C₇ -C₂₅ 芳烷氧基、C₂ -C₂₅ 雜芳基、C₅ -C₂₅ 雜芳烷基及C₅ -C₂₅ 雜芳烷氧基,其全部均視情況較佳地由一或多個如上文所定義之基團L取代。芳基之實例包括(但不限於)苯基、4-聯苯基、2-茚基、1-萘基或2-萘基、1-菲基、2-菲基或3-菲基及1-蒽基、2-蒽基或9-蒽基，其全部均視情況較佳地由一或多個如上文所定義之基團L取代。芳烷基及芳烷氧基之實例包括(但不限於)甲基-4-聯苯基、乙基-4-聯苯基、乙基-2-茚基及乙氧基-2-聯苯基，其全部均視情況較佳地由一或多個如上文所定義之基團L取代。在根據本發明之一些較佳聚合物實施例中，聚環烯烴聚合物包含一或多個側接發色基且進一步包含一或多個具有1至20個，較佳1至12個C原子之烷基或氟化烷基。此類烷基或氟化烷基包括(但不限於)式C之彼等基團 -C_x F_y H_2x+1-y C 其中x為1至20之整數，較佳為1至12，且y為0或1至2x+1之整數，較佳為0或1至12之整數，極佳為0。此類烷基或氟化烷基較佳地係選自甲基、乙基、丙基、丁基、戊基、己基、庚基、辛基、壬基、癸基、十一烷基、十二烷基、-CF₃ 、-C₂ F₅ 、-C₃ F₇ 、-C₄ F₉ 、C₆ F₁₃ 、-C₇ F₁₅ 、-C₁₁ F₂₃ ，更佳地選自甲基、乙基、丁基、己基、辛基及癸基。在根據本發明之一些較佳聚合物實施例中，聚環烯烴聚合物包含一或多個側接發色基且進一步包含一或多個可交聯側基。在根據本發明之一些較佳聚合物實施例中，聚環烯烴聚合物包含具有一定潛伏程度之一或多個側接可交聯基團或部分，下文亦稱作「潛伏性可交聯基團」。「潛伏」意謂此等基團在環境條件下或在聚合物之初始形成期間不交聯，而是在例如藉由光化輻射或加熱而特定引發此類反應時發生交聯。此類潛伏可交聯基團係藉由(例如)向聚合反應混合物提供涵蓋此類側接可交聯基團之一或多個單體(例如，經取代或未經取代之順丁烯二醯亞胺或含有側基之順丁烯二醯亞胺)且使其聚合而併入至聚合物主鏈中。較佳的可交聯基團包括包含經取代或未經取代之順丁烯二醯亞胺部分、環氧化物部分、乙烯基部分、乙醯基部分、茚基部分、肉桂酸酯部分或香豆素部分之基團，且更具體地為選自3-單烷基-二烷基順丁烯二醯亞胺基或3,4-二烷基順丁烯二醯亞胺基、環氧基、乙烯基、乙炔基、肉桂酸酯基、茚基或香豆素基的基團。用於介電層中之聚環烯烴聚合物較佳選自降冰片烯型聚合物。在根據本發明之一些較佳聚合物實施例中,降冰片烯型聚合物併入有兩種或多於兩種不同類型之重複單元。根據本發明之其他較佳聚合物實施例涵蓋一或多個降冰片烯型聚合物，其包含式I之一或多個第一不同類型之重複單元其中Z係選自-CH₂ -、-CH₂ -CH₂ -或-O-，m為0至5之整數，R¹ 、R² 、R³ 及R⁴ 各獨立地指代H、C₁ 至C₂₅ 烴基、C₁ 至C₂₅ 鹵代烴基或C₁ 至C₂₅ 全鹵碳基，且其中在至少一個重複單元中，R^1-4 中之一或多者(較佳僅一者)不同於H且指代或涵蓋發色基。式I之重複單元係由相應的式Ia之降冰片烯型單體形成，其中Z、m及R^1-4 如上文所定義：。根據本發明之一些較佳聚合物實施例涵蓋式I之重複單元及式Ia之單體，其中Z為-CH₂ -且m為0、1或2。對於其他較佳實施例，Z為-CH₂ -且m為0或1，且對於其他較佳實施例，Z為-CH₂ -且m為0。本發明之其他較佳聚合物實施例涵蓋式I之重複單元及式Ia之單體，其中R^1-4 中之僅一者(例如R¹ )不同於H且R^1-4 中之其他為H。本發明之其他較佳聚合物實施例涵蓋式I之重複單元及式Ia之單體，其中R^1-4 中不同於H之彼等者指代發色基，該發色基較佳地選自C₆ -C₂₅ 芳基、C₇ -C₂₅ 芳烷基、C₇ -C₂₅ 芳烷氧基、C₂ -C₂₅ 雜芳基、C₅ -C₂₅ 雜芳烷基及C₅ -C₂₅ 雜芳烷氧基，其全部均視情況較佳地由一或多個如上文所定義之基團L取代。此實施例之較佳發色基R¹ ^- ⁴ 係選自式A -(CH₂ )_a -(O)_o -芳基 A 其中a為0或為1至12之整數，較佳地為1至6之整數，o為0或1，且「芳基」指代具有6個至20個C原子之芳基，其較佳地選自由以下組成之子群：苯基、4-聯苯基、2-茚基、1-萘基或2-萘基、1-菲基、2-菲基或3-菲基及1-蒽基、2-蒽基或9-蒽基，其全部均視情況較佳地由一或多個如上文所定義之基團L取代。根據本發明之較佳聚合物組合物實施例涵蓋單一降冰片烯型聚合物或兩種或多於兩種不同降冰片烯型聚合物之摻合物。在此等聚合物組合物實施例涵蓋單一降冰片烯型聚合物之情況下，此類聚合物可為均聚物，亦即，涵蓋僅一種類型之重複單元的聚合物；或共聚物，亦即，涵蓋兩種或多於兩種不同類型之重複單元的聚合物。在此等聚合物組合物實施例涵蓋不同聚合物之摻合物之情況下，「不同」應理解為意謂所摻合之聚合物各自涵蓋與其他所摻合聚合物中之任一者不同的至少一種類型之重複單元或重複單元之組合。根據本發明之其他較佳聚合物組合物實施例涵蓋兩種或多於兩種不同降冰片烯型聚合物之摻合物，其中至少一種聚合物包含式I之一或多個第一不同類型之重複單元其中Z係選自-CH₂ -、-CH₂ -CH₂ -或-O-，m為0至5之整數，R¹ 、R² 、R³ 及R⁴ 各獨立地選自H、C₁ 至C₂₅ 烴基、C₁ 至C₂₅ 鹵代烴基或C₁ 至C₂₅ 全鹵碳基，且其中至少一種聚合物包含式I之一或多種不同類型之重複單元，其中R^1-4 中之一或多者(較佳僅一者)不同於H且指代發色基，該發色基較佳地選自C₆ -C₂₅ 芳基、C₇ -C₂₅ 芳烷基、C₇ -C₂₅ 芳烷氧基、C₂ -C₂₅ 雜芳基、C₅ -C₂₅ 雜芳烷基及C₅ -C₂₅ 雜芳烷氧基，其全部均視情況較佳地由一或多個如上文所定義之基團L取代。較佳發色基係選自式A及其如上文所定義之較佳子群。此較佳實施例之式I之極佳重複單元係選自下式1至式5。根據本發明之聚合物及聚合物組合物實施例可經有利地調整以為許多特定應用中之各者提供不同組之性質。換言之，具有若干不同類型之側基的降冰片烯型單體之不同組合可經聚合，以提供具有對諸如可撓性、黏著性、介電常數及在有機溶劑中之溶解性及其他的性質獲得控制的性質的降冰片烯型聚合物。舉例而言，改變烷基側基之長度可允許控制聚合物之模數及玻璃轉變溫度(T_g )。另外，可使用選自順丁烯二醯亞胺、肉桂酸酯、香豆素、酐、醇、酯及環氧基官能基之側基來促進交聯並改變溶解性特性。極性官能基(環氧基及三乙氧基矽烷基)可用於提供對相鄰裝置層中之金屬、矽及氧化物之黏著。氟化基團例如可用於有效修改表面能、介電常數且影響溶液相對於其他材料之正交性。因此，根據本發明之其他較佳聚合物實施例涵蓋一或多個降冰片烯型聚合物，該一或多個降冰片烯型聚合物包含式I之一或多個第一不同類型之重複單元，該等重複單元包含如上文所定義之發色基，且該一或多個降冰片烯型聚合物另外包含式I之一或多個第二不同類型之重複單元其中Z係選自-CH₂ -、-CH₂ -CH₂ -或-O-，m為0至5之整數，R¹ 、R² 、R³ 及R⁴ 各獨立地指代H、C₁ 至C₂₅ 烴基、C₁ 至C₂₅ 鹵代烴基或C₁ 至C₂₅ 全鹵碳基，且其中R^1-4 中之一或多者(較佳僅一者)不同於H且指代具有1至20個，較佳1至12個C原子之烷基或氟化烷基。此類烷基或氟化烷基包括(但不限於)式C之彼等者 -C_x F_y H_2x+1-y C 其中x為1至20之整數，較佳為1至12，且y為0或1至2x+1之整數，較佳為0或1至12之整數，極佳為0。式C之較佳烷基或氟化烷基係選自由以下組成之子群：甲基、乙基、丙基、丁基、戊基、己基、庚基、辛基、壬基、癸基、十一烷基、十二烷基、-CF₃ 、-C₂ F₅ 、-C₃ F₇ 、-C₄ F₉ 、C₆ F₁₃ 、-C₇ F₁₅ 、-C₁₁ F₂₃ ，更佳選自由甲基、乙基、丁基、己基、辛基及癸基組成之子群。根據本發明之其他較佳聚合物實施例涵蓋一或多個降冰片烯型聚合物，該一或多個降冰片烯型聚合物包含一或多個式I中包含如上文所定義之發色基之第一不同類型之重複單元，且另外包含一或多個式I之第二不同類型之重複單元其中Z係選自-CH₂ -、-CH₂ -CH₂ -或-O-，m為0至5之整數，R¹ 、R² 、R³ 及R⁴ 各獨立地指代H、C₁ 至C₂₅ 烴基、C₁ 至C₂₅ 鹵代烴基或C₁ 至C₂₅ 全鹵碳基，且其中R^1-4 中之一或多者(較佳僅一者)不同於H且指代或涵蓋可交聯基團。較佳可交聯基團涵蓋連接部分Lp及官能部分Fp。較佳地，Lp指代或包含選自C₁ -C₁₂ 烷基、芳烷基、芳基或雜原子類似物之基團。更較佳地，Fp指代或包含以下中之一或多者：順丁烯二醯亞胺、3-單烷基-順丁烯二醯亞胺或3,4-二烷基順丁烯二醯亞胺、環氧基、乙烯基、乙炔基、肉桂酸酯、茚基或香豆素部分，其能夠交聯或進行2+2交聯反應。如本文所使用，當用以描述某些側基時，片語「可交聯」應理解為意謂對光化輻射具有反應性且由於該反應性而參加交聯反應的基團，或對光化輻射無反應性但可在交聯活化劑之存在下參加交聯反應的基團。在根據本發明之較佳聚合物實施例中，降冰片烯型聚合物包含一或多種式I之不同類型之第一重複單元，該等第一重複單元包含選自由下式組成之群的發色基：在根據本發明之其他較佳聚合物實施例中，降冰片烯型聚合物包含式I的一或多種不同類型之第二重複單元，該等第二重複單元包含選自由下式組成之群的烷基：在根據本發明之其他較佳聚合物實施例中,降冰片烯型聚合物包含式I之一或多種不同類型之第二重複單元，該等第二重複單元包含選自由下式組成之群的可交聯基團：在根據本發明之其他較佳聚合物實施例中，降冰片烯型聚合物包含以下各者且較佳地由以下各者組成：式I之一或多個第一不同類型之重複單元，其中R^1-4 中之一或多者(較佳僅一者)不同於H且指代或涵蓋發色基；及式I之一或多個第二不同類型之重複單元，其中R^1-4 中之一或多者(較佳僅一者)不同於H且指代或涵蓋具有1至20個，較佳1至12個C原子的烷基或氟烷基。較佳發色基係選自式A及其如上文所定義之較佳子群。較佳烷基或氟烷基係選自式C及其如上文所定義之較佳子群。此較佳實施例之式I的極佳第一重複單元係選自式1至式5。此較佳實施例之式I的極佳第二重複單元係選自式6至式10。在根據本發明之其他較佳聚合物實施例中，降冰片烯型聚合物包含式I之一或多個不同類型之第一重複單元且較佳地由式I之一或多個不同類型之第一重複單元組成，其中R^1-4 中之一或多者(較佳僅一者)不同於H且指代不包括雜原子的發色基。此實施例之較佳重複單元係選自式I，其中R^1-4 中之一或多者指代或涵蓋發色基之，該發色基選自視情況較佳地由一或多個如上文所定義之基團L取代之C₆ -C₂₅ 芳基及C₇ -C₂₅ 芳烷基。此實施例之較佳發色基R^1-4 為式B之彼等基團 -(CH₂ )_a -芳基 B 其中a為0或為1至12之整數，較佳為1至6之整數，極佳為1、2、3或4，且「芳基」為具有6至20個C原子之芳基，其較佳地選自由以下組成之子群：苯基、4-聯苯基、2-茚基、1-萘基或2-萘基、1-菲基、2-菲基或3-菲基及1-蒽基、2-蒽基或9-蒽基，其全部均視情況較佳地由一或多個如上文所定義之基團L取代。此實施例之極佳重複單元為選自上式1、式2、式4及式5之彼等者。在根據本發明之其他較佳聚合物實施例中，降冰片烯型聚合物包含以下各者且較佳地由以下各者組成：式I之一或多個不同類型之第一重複單元，其中R^1-4 中之一或多者(較佳僅一者)不同於H且指代不包括雜原子之發色基；及式I之一或多個第二不同類型之重複單元，其中R^1-4 中之一或多者(較佳僅一者)不同於H且指代具有1至20個，較佳1至12個C原子之烷基或氟化烷基，且R^1-4 中之其他指代H。第一重複單元中之較佳發色基R^1-4 係選自視情況較佳地由一或多個如上文所定義之基團L取代之C₆ -C₂₅ 芳基及C₇ -C₂₅ 芳烷基，極佳地選自式B及其如上文所定義之較佳子群。第二重複單元中之較佳烷基及氟烷基R^1-4 係選自式C及其如上文所定義之較佳子群。此實施例之極佳第一重複單元為選自式1、式2、式4及式5之彼等者。此實施例之極佳第二重複單元為選自式6至式10之彼等者。在根據本發明之其他較佳聚合物實施例中，降冰片烯型聚合物包含以下各者且較佳地由以下各者組成：式I之一或多個第一不同類型之重複單元，其中R^1-4 中之一或多者(較佳僅一者)不同於H且指代或涵蓋發色基；及式I之一或多個第二不同類型之重複單元，其中R^1-4 中之一或多者(較佳僅一者)不同於H且指代或涵蓋可交聯基團。較佳可交聯基團涵蓋連接部分Lp及官能部分Fp。較佳地，Lp指代或包含選自C₁ -C₁₂ 烷基、芳烷基、芳基或雜原子類似物之基團。更較佳地，Fp指代或包含以下中之一或多者：順丁烯二醯亞胺、3-單烷基-順丁烯二醯亞胺或3,4-二烷基順丁烯二醯亞胺、環氧基、乙烯基、乙炔基、肉桂酸酯、茚基或香豆素部分，其能夠交聯或進行2+2交聯反應。此較佳實施例之式I之極佳重複單元係選自式11至式25。在根據本發明之其他較佳聚合物實施例中，降冰片烯型聚合物包含以下各者且較佳地由以下各者組成：選自式1至式5的式I之一或多個第一不同類型之重複單元，及選自式6至式10的式I之一或多個第二不同類型之重複單元。在根據本發明之其他較佳聚合物實施例中，降冰片烯型聚合物包含以下各者且較佳地由以下各者組成：選自式1至式5的式I之一或多個第一不同類型之重複單元，及選自式11至式25的式I之一或多個第二不同類型之重複單元。在根據本發明之其他較佳聚合物實施例中，降冰片烯型聚合物不含包含可交聯基團之重複單元。在涵蓋具有根據式I的第一及第二不同類型之重複單元之聚合物的一些較佳聚合物實施例中，此等第一及第二類型之重複單元的比率為95:5至5:95。在其他較佳實施例中，此等第一及第二類型之重複單元的比率為80:20至20: 80。在其他較佳實施例中，此等第一及第二類型之重複單元的比率為60:40至40:60。在其他較佳實施例中，此等第一及第二類型之重複單元的比率為55:45至45:55。雖然上文提供之式I及式Ia以及各子式及一般式經描繪而無任何立體化學跡象，但應注意，除非另有說明，否則各單體通常係以當轉化成重複單元時保留其構型的非對映異構混合物形式獲得。由於此類非對映異構混合物之外接異構體及內接異構體可具有略微不同之性質，故應進一步瞭解，本發明之較佳實施例係藉由使用富含外接或內接異構體之異構體混合物或基本上為純有利異構體的單體利用此等差異來實現。本文中提供合適的降冰片烯單體、聚合物及其合成方法的實例，且亦可於US 6,455,650、US 2011/0104614 A1、US 2007/0066775 A1、US 2008/0194740 A1、US 2012/0056249 A1及US 2012/0056183 A1之相關部分中找到，以上各者之相關部分以引用之方式併入本申請案中。舉例而言，採用VIII族過渡金屬催化劑之例示性聚合製程亦描述於幾個前述參考中且進一步描述於下文中。所形成之本發明聚合物實施例具有適合其使用之重量平均分子量(M_w )。一般而言，發現5,000至500,000之M_w 適合於一些實施例，而對於其他實施例，其他M_w 範圍可為有利的。舉例而言，在一些較佳實施例中，聚合物具有至少10,000之M_w ，而在其他較佳實施例中，聚合物具有至少20,000之M_w 。在其他較佳實施例中，聚合物之M_w 之上限可高達400,000，而在其他較佳實施例中，聚合物之M_w 之上限可高達250,000。應瞭解，由於適當M_w 為經固化聚合物、由其衍生之薄膜、層或結構中所需之物理性質的函數，因此其為設計選擇且因此上文所提供的範圍內之任何M_w 在本發明之範疇內。在本發明之聚合物中，重複單元之總數d較佳為2至10,000。重複單元之總數d較佳為≥ 5，極佳≥ 10，最佳≥ 50，且較佳≤ 500，極佳≤ 1,000，最佳≤ 2,000，包括d之上述下限及上限之任何組合。在本發明之一些較佳實施例中，將可交聯或經交聯聚環烯烴聚合物用作堤結構(bank structure)材料或用作其組份。已發現此等可交聯或經交聯聚合物可用以改良選自閘極介電層及電子裝置之結構完整性、耐久性、機械電阻係數及溶劑電阻係數之一或多個性質。合適的可交聯聚合物(例如)為具有一或多個式I之重複單元之彼等者，其中R^1-4 中之一或多者指代如上文所列出之可交聯基團。為進行交聯，聚合物通常在其沈積之後暴露於電子束或電磁(光化)輻射(諸如X射線、UV或可見光輻射)，或若其含有熱可交聯基團，則經加熱。舉例而言，光化輻射可用於使用11 nm至700 nm (諸如200至700 nm)之波長來使聚合物成像。用於暴露之光化輻射之劑量通常為25至15000 mJ/cm² 。合適的輻射源包括汞、汞/氙、汞/鹵素及氙燈、氬或氙雷射源、X射線。此類暴露於光化輻射引起暴露區域中之交聯。雖然可提供交聯之其他重複單元側基，但此類交聯通常係藉由涵蓋順丁烯二醯亞胺側基之重複單元提供，亦即，R¹ 至R⁴ 中之一者為經取代或未經取代之順丁烯二醯亞胺部分。若需要使用具有順丁烯二醯亞胺基團之光吸收帶以外之波長的光源，則可添加輻射敏感性光敏化劑。若聚合物含有熱可交聯基團，則例如在交聯反應並非係經熱引發的情況下視情況可添加引發劑來引發交聯反應。在根據本發明之其他較佳實施例中，可交聯聚合物組合物包含穩定劑材料或部分，以防止自發性交聯且改良聚合物組合物之存放期限。合適的穩定劑為抗氧化劑，諸如在酚系OH基團之鄰位中視情況含有一或多個大的烷基(例如第三丁基)的兒茶酚或苯酚衍生物。為了改良個別裝置組件(包括功能層)之處理及電子裝置之完整性，期望在保持或改良所形成之組件的物理性質時減少製程所需時間。其可在後續組份及用於形成此等組份之溶劑正交且因此不彼此溶解的情況下得以保持。在難以獲得該正交性之情況下，使第一組份交聯(通常為UV交聯)以使該第一組份相對於第二組份之聚合物組合物不可溶將防止任一組份之性質對另一組份產生任何影響。縮短處理所需之時間可例如藉由調整塗佈製程來實現，同時減少UV交聯所需之時間可藉由對聚合物進行化學調節或藉由改變製程來達成。然而，聚合物之化學改質為受限制的，因為UV敏感性與聚合物之某些性質有關且例如為增加UV敏感性而進行改變可使溶解性降低。(例如)藉由使用高功率UV來改變製程可增加形成臭氧氛圍之可能性且因此引起聚合物介電質之表面的非所需改變。因此，根據本發明之一些較佳實施例涵蓋包含一或多種交聯劑添加劑之聚合物組合物。此等添加劑包含兩個或多於兩個官能基，其能夠與用以形成堤結構之聚環烯烴聚合物的側接可交聯基團進行反應。亦應瞭解，使用此等交聯劑添加劑亦可增強上述聚合物之交聯。在根據本發明之一些較佳實施例中，交聯可藉由暴露於UV輻射來達成。交聯劑之使用增強經由使用成像暴露至適當波長及劑量之UV輻射來圖案化堤結構的能力。在根據本發明之一些較佳實施例中，交聯劑之可交聯基團係選自順丁烯二醯亞胺基、3-單烷基-順丁烯二醯亞胺基、3,4-二烷基順丁烯二醯亞胺基、環氧基、乙烯基、乙炔基、茚基、肉桂酸酯基或香豆素基，或包含經取代或未經取代之順丁烯二醯亞胺部分、環氧化物部分、乙烯基部分、乙炔部分、茚基部分、肉桂酸酯部分或香豆素部分之基團。在根據本發明之一些較佳實施例中，交聯劑係選自式III1或式III2 P-A"-X'-A"-P III1 H_4-c C(A"-P)_c III2 其中X'為O、S、NH或單鍵，A"為單鍵或連接基團、間隔基團或橋聯基團，其選自(CZ₂ )_n 、(CH₂ )_n -(CH=CH)_p -(CH₂ )_n 、(CH₂ )_n -O-(CH₂ )_n 、(CH₂ )_n -C₆ Q₁₀ -(CH₂ )_n 及C(O)，其中各n獨立地為0至12之整數，p為1至6整數，Z獨立地為H或F，C₆ Q₁₀ 為經Q取代之環己基，Q獨立地為H、F、CH₃ 、CF₃ 或OCH₃ ，P為可交聯基團且c為2、3或4，且其中在式III1中，X'及兩個基團A"中之至少一者不為單鍵。在一些較佳實施例中，P係選自順丁烯二醯亞胺基、3-單烷基-順丁烯二醯亞胺基、3,4-二烷基順丁烯二醯亞胺基、環氧基、乙烯基、乙炔基、茚基、肉桂酸酯基或香豆素基，或包含經取代或未經取代之順丁烯二醯亞胺部分、環氧化物部分、乙烯基部分、乙炔部分、茚基部分、肉桂酸酯部分或香豆素部分。較佳之式III1化合物係選自式C1：其中R¹⁰ 及R¹¹ 彼此獨立地為H或C₁ -C₆ 烷基，且A"係如式III1中所定義。在本發明之一個實施例中，交聯劑係選自DMMI-丁基-DMMI、DMMI-戊基-DMMI及DMMI-己基-DMMI，其中「DMMI」意謂3,4-二甲基順丁烯二醯亞胺。在一些較佳實施例中，間隔基團A"指代直鏈C₁ 至C₃₀ 伸烷基或分支鏈C₃ 至C₃₀ 伸烷基或環狀C₅ 至C₃₀ 伸烷基，其各者未經取代或經F、Cl、Br、I或CN單取代或多取代，其中一或多個非相鄰CH₂ 基團在各情況下彼此獨立地視情況經-O-、-S-、-NH-、-NR¹⁸ -、-SiR¹⁸ R¹⁹ -、-C(O)-、-C(O)O-、-OC(O)-、-OC(O)-O-、-S-C(O)-、-C(O)-S-、-CH=CH-或-CºC-以使O原子及/或S原子彼此不直接連接之方式置換，R¹⁸ 及R¹⁹ 彼此獨立地為H、甲基、乙基或C₃ 至C₁₂ 直鏈或分支鏈烷基。較佳基團A"為-(CH₂ )_r -、-(CH₂ CH₂ O)_s -、-CH₂ CH₂ -、-CH₂ CH₂ -S-CH₂ CH₂ -或-CH₂ CH₂ -NH-CH₂ CH₂ -或-(SiR¹⁸ R¹⁹ -O)_r -，其中r為2至12之整數，s為1、2或3且R¹⁸ 及R¹⁹ 具有以上給出之含義。進一步較佳之基團A"係選自亞甲基、伸乙基、伸丙基、伸丁基、伸戊基、伸己基、伸庚基、伸辛基、伸壬基、伸癸基、伸十一烷基、伸十二烷基、伸十八烷基、伸乙基氧基伸乙基、亞甲基氧基伸丁基、伸乙基-硫基伸乙基、伸乙基-N-甲基-亞胺基伸乙基、1-甲基伸烷基、伸乙烯基、伸丙烯基及伸丁烯基。如式C1之彼等交聯劑之交聯劑的合成係揭示於例如US 3,622,321中。在根據本發明之一些較佳實施例中，聚合物組合物包含可交聯聚環烯烴聚合物及反應性黏著促進劑。反應性黏著促進劑包含第一官能基，其為能夠與其上提供有堤結構之基板相互作用(例如化學鍵結)之表面活性基團，及第二官能基，其能夠在形成或未形成化學鍵之情況下藉由與聚環烯烴聚合物中之側接可交聯基團交聯而與聚環烯烴聚合物相互作用，例如。尤其係在提供堤結構或其他功能層時採用光微影製程之情況下可使用黏著促進劑。在根據本發明之一些較佳實施例中，黏著促進劑為式IV之化合物 G¹ -A"-G² IV 其中G¹ 為表面活性基團，例如矽烷或矽氮烷基團，A"為單鍵或連接基團、間隔基團或橋聯基團，例如，如上式III1中所定義，且G² 為可交聯基團，例如，如上式III1中所定義，或G² 為用於聚環烯烴聚合物之非反應性相容基團。如本文所使用，術語「相容」應理解為意謂促進通常不溶混聚合物之均一摻合物之形成的界面活性劑或界面基團。舉例而言，若聚環烯烴聚合物包含如(例如)單體15至26中之鹵化或全鹵化部分，則相容基團G² 可選自鹵化或全鹵化烷基、芳基或芳烷基。在一些較佳實施例中，G¹ 為式-SiR¹² R¹³ R¹⁴ 之基團，或式-NH-SiR¹² R¹³ R¹⁴ 之基團，其中R¹² 、R¹³ 及R¹⁴ 各自獨立地選自鹵素、矽氮烷、C₁ -C₁₂ 烷氧基、C₁ -C₁₂ 烷胺基、視情況經取代之C₆ -C₂₀ 芳氧基及視情況經取代之C₂ -C₂₀ 雜芳氧基，且其中R¹² 、R¹³ 及R¹⁴ 中之一者或兩者亦可指代C₁ -C₁₂ 烷基、視情況經取代之C₆ -C₂₀ 芳基或視情況經取代之C₂ -C₂₀ 雜芳基。在其他較佳實施例中，G² 為可交聯基團，其選自順丁烯二醯亞胺基、3-單烷基-順丁烯二醯亞胺基、3,4-二烷基順丁烯二醯亞胺基、環氧基、乙烯基、乙醯基、茚基、肉桂酸酯基或香豆素基，或包含經取代或未經取代之順丁烯二醯亞胺部分、環氧化物部分、乙烯基部分、乙醯基部分、茚基部分、肉桂酸酯部分或香豆素部分。在其他較佳實施例中，G² 為非反應性相容基團，其選自C₁ -C₁₁ 鹵化或全鹵化烷基、C₆ -C₁₄ 鹵化或全鹵化芳基或鹵化或全鹵化C₇ -C₁₄ 芳烷基，更具體地選自C₁ -C₁₁ 烷基、C₆ -C₁₄ 芳基或C₇ -C₁₄ 芳烷基，其各者經氟化或全氟化。在其他實施例中，G² 係選自-C₄ F₉ 、-(CH₂ )_b -C₆ F₅ 、-CH₂ C₆ F₂ 、-CH₂ -C₂ F₅ 、-CH₂ CH₂ -C₄ F₉ 、-CH₂ -(CF₂ )₃ -CF₂ H、-CH₂ CF₂ CF₂ H、-C₇ F₁₅ 或CF₂ CFHOC₃ F₇ ，其中b為1至6之整數。在其他較佳實施例中，A"係選自(CZ₂ )_n 、(CH₂ )_n -(CH=CH)_p -(CH₂ )_n 、(CH₂ )_n -O、(CH₂ )_n -O-(CH₂ )_n 、(CH₂ )_n -C₆ Q₄ -(CH₂ )_n 、(CH₂ )_n -C₆ Q₁₀ -(CH₂ )_n 及C(O)-O，其中各n獨立地為0至12之整數，p為1至6之整數，Z獨立地為H或F，C₆ Q₄ 為經Q取代之苯基，C₆ Q₁₀ 為經Q取代之環己基，Q獨立地為H、F、CH₃ 、CF₃ 或OCH₃ 。較佳之式IV化合物係選自式A1：其中R¹² 、R¹³ 、R¹⁴ 及A"係如上文所定義，且R¹⁰ 及R¹¹ 各自獨立地為H或C₁ -C₆ 烷基。合適的式A1化合物為(例如) DMMI-丙基-Si(OEt)₃ 、DMMI-丁基-Si(OEt)₃ 、DMMI-丁基-Si(OMe)₃ 、DMMI-己基-Si(OMe)₃ ，其中「DMMI」意謂3,4-二甲基順丁烯二醯亞胺。根據本發明之其他較佳實施例係關於涵蓋如已於上文及下文中描述之聚環烯烴聚合物及鑄造或印刷溶劑的組合物。在根據本發明之一些較佳組合物實施例中，溶劑係選自如下文及上文中所描述之有機溶劑。在其他實施例中，溶劑包括(但不限於)苯基環己烷、均三甲苯、茚滿、二甲苯、萘滿、二乙苯、環戊酮、乙酸苄酯或上述之組合。在根據本發明之其他較佳組合物實施例中，組合物中之聚環烯烴聚合物的濃度為0.1%至20%，較佳為0.5%至10%且極佳為1%至5%。上述濃度值係指涵蓋該或該等溶劑及所有固體組份之組合物，諸如聚環烯烴聚合物。根據本發明之較佳OE裝置實施例包括(但不限於)可為頂閘極或底閘極電晶體之有機薄膜電晶體(OTFT)、有機發光二極體(OLED)、有機光偵測(OPD)裝置或有機光伏打(OPV)裝置。根據本發明之一些較佳OE裝置實施例可為(例如)將OSC用作活性通道材料之OTFT、將OSC用作電荷載流子材料之OPV或OPD裝置，或OSC為此類二極體之層元件之有機整流二極體(ORD)。此等實施例之OSC可藉由任何先前論述之沈積方法來沈積，但由於其通常以毯覆式層形式沈積或形成，故通常使用諸如噴塗、浸塗、卷塗或旋塗之溶劑塗佈方法或諸如噴墨印刷、柔版印刷或凹版印刷之印刷方法以允許環境溫度處理。在一些較佳OE裝置實施例中，OE裝置為涵蓋閘極介電層之底閘極或頂閘極OTFT，該閘極介電層涵蓋如上文及下文所描述之聚環烯烴聚合物。在其他較佳OE裝置實施例中，OE裝置為涵蓋鈍化層之底閘極或頂閘極OTFT，該鈍化層涵蓋如上文及下文所描述之聚環烯烴聚合物。根據本發明之其他較佳實施例係關於製備涵蓋包含如上文及下文所描述之聚環烯烴聚合物之介電層或鈍化層之OE裝置的製程，該OE裝置進一步涵蓋藉由OSC材料之溶液沈積獲得之OSC層。本發明之其他較佳實施例係關於製備OE裝置之製程，其涵蓋以下呈適當順序之步驟： a)較佳地自有機溶液中沈積OSC材料以形成OSC層， b)沈積源電極及汲電極， c)沈積閘電極， d)較佳地自有機溶液中沈積如上文及下文所描述之聚環烯烴聚合物以形成介電層。圖 1 中示意性地描繪根據本發明之一個較佳實施例之頂閘極OTFT，且圖 2 中示意性地描繪根據本發明之另一實施例之底閘極OTFT。現轉至圖 1 ，其提供根據本發明之較佳實施例之頂閘極OTFT裝置的示意性及簡化表示。此OTFT裝置包括基板(1)、源電極及汲電極(2a、2b)、OSC層(3)、涵蓋如上文及下文所描述之聚環烯烴聚合物且充當閘極絕緣層的介電層(4)，及閘電極(5)。根據本發明之其他較佳實施例係關於用於藉由涵蓋以下之一製程製備頂閘極OTFT裝置(例如，如圖 1 中所說明)之製程： a)在基板(1)上形成源電極及汲電極(2a、2b)， b)藉由較佳地自有機溶液中將OSC材料沈積於源電極及汲電極(2a、2b)上來形成OSC層(3)， c)藉由較佳地自有機溶液中將如上文及下文所描述之聚環烯烴聚合物沈積於OSC層(3)上來形成介電層(4)， d)在介電層(4)上形成閘電極(5)。現轉至圖 2 ，其提供根據本發明之另一較佳實施例之底閘極OTFT裝置的示意性及簡化表示。此OTFT裝置包括基板(1)、閘電極(5)、包含如上文及下文所描述之聚環烯烴聚合物之充當閘極絕緣層的介電層(4)、源電極及汲電極(2a、2b)、OSC層(3)及視情況選用之鈍化層(6)。根據本發明之其他較佳實施例係關於用於藉由涵蓋以下之一製程製備底閘極OTFT裝置(例如，如圖 2 中所說明)之製程： a)在基板(1)上形成閘電極(5)， b)藉由較佳地自有機溶液中將如上文及下文所描述之聚環烯烴聚合物沈積於基板(1)及閘電極(5)上來形成介電層(4)， c)在介電層(4)上形成源電極及汲電極(2a、2b)， d)藉由較佳地自有機溶液中將OSC材料沈積於源電極及汲電極(2a、2b)及介電層(4)上來形成OSC層(3)， e)藉由將介電材料沈積於OSC層(3)上來視情況形成鈍化層(6)。在上述製程中，例如藉由濺鍍製程將電極(2a、2b、5)塗覆至基板(1)或介電層(4)上，且可藉由蝕刻及/或微影圖案化將該等電極圖案化。可藉由如上文所描述之塗佈或印刷製程塗覆OSC層(3)及介電層(4)。 OE及OTFT裝置之其他組件或功能層(如基板及閘電極、源電極及汲電極)可選自標準材料，且可藉由標準方法製造並應用於裝置。用於此等組件及層之合適的材料及製造方法為熟習此項技術者已知的且在文獻中有描述。例示性沈積方法包括前述液體塗佈方法以及化學氣相沈積(CVD)或物理氣相沈積方法。一般而言，在根據本發明之一些較佳OE及OTFT裝置實施例中，功能層(例如閘極介電層或OSC層)之厚度為0.001 (在單層之情況下)至10 μm。在一些其他較佳實施例中，此厚度範圍為0.001至1 μm，且在其他較佳實施例中範圍為5 nm至500 nm，但其他厚度或厚度範圍經預期且因此在本發明之範疇內。可以使用各種基板來製造本發明之OE裝置實施例。舉例而言，最常使用玻璃或聚合材料。合適及較佳之聚合材料包括(但不限於)醇酸樹脂、烯丙酯、苯并環丁烯、丁二烯-苯乙烯、纖維素、乙酸纖維素、環氧化物、環氧聚合物、乙烯-三氟氯乙烯共聚物、乙烯-四氟乙烯共聚物、玻璃纖維增強型塑膠、氟碳聚合物、六氟丙烯-偏二氟乙烯共聚物、高密度聚乙烯、聚對二甲苯、聚醯胺、聚醯亞胺、聚芳醯胺、聚二甲基矽氧烷、聚醚碸、聚乙烯、聚萘二甲酸乙二酯、聚對苯二甲酸乙二酯、聚酮、聚甲基丙烯酸甲酯、聚丙烯、聚苯乙烯、聚碸、聚四氟乙烯、聚胺基甲酸酯、聚氯乙烯、聚環烯烴、聚矽氧橡膠及聚矽氧，其中已發現聚對苯二甲酸乙二酯、聚醯亞胺、聚環烯烴及聚萘二甲酸乙二酯材料係最適當的。此外，對於本發明之一些較佳實施例，基板可為任何合適的材料，例如塗佈有一或多種上文所列之材料之塑膠、金屬或玻璃材料。應瞭解，在形成此類基板時，可採用諸如擠壓、拉伸、摩擦或光化學技術之方法以提供均質表面用於裝置製造，以及提供有機半導體材料之預配向以增強其中之載流子遷移率。在一個實施例中，基板為選自由以下組成之群的聚合物之聚合物薄膜：聚酯、聚醯亞胺、聚芳酯、聚環烯烴、聚碳酸酯及聚醚碸。在其他實施例中，可使用聚酯基板，最佳為聚對苯二甲酸乙二酯(PET)或聚萘二甲酸乙二酯(PEN)，例如，Melinex®系列之PET薄膜或Teonex®系列之PEN薄膜，兩者均來自DuPont Teijin Films™。根據本發明之OTFT裝置實施例中之閘電極、源電極及汲電極可藉由諸如噴塗、浸塗、卷塗或旋塗之液體塗佈，或藉由包括(但不限於)物理氣相沈積(PVD)、化學氣相沈積(CVD)或熱蒸發方法之真空沈積方法來沈積或形成。合適的電極材料及沈積方法為熟習此項技術者已知的。合適的電極材料包括(但不限於)無機或有機材料或該兩者之複合物。例示性電極材料包括聚苯胺、聚吡咯、聚(3,4-伸乙二氧基-噻吩) (PEDOT)或經摻雜共軛聚合物、另外的石墨分散體或石墨糊或諸如Au、Ag、Cu、Al、Ni或其混合物之金屬之顆粒，以及諸如Cu、Cr、Pt/Pd、Ag、Au之經濺塗或汽化金屬或諸如氧化銦錫(ITO)、摻雜F的ITO或摻雜Al的ZnO之金屬氧化物。亦可使用有機金屬前驅體，且其可從液相中沈積。有機半導體材料及用於塗覆根據本發明之OTFT實施例之有機半導體層之方法可選自熟習此項技術者已知之標準材料及方法，且在文獻中有描述。有機半導體可為n型或p型OSC，其可藉由PVD、CVD或溶液沈積方法沈積。有效OSC展現大於1 × 10^- ⁵ cm² V^- ¹ s^- ¹ 之場效遷移率。根據本發明之OSC實施例可為OSC用作活性通道材料之OTFT、OSC用作電荷載流子材料之OPV裝置或OSC為此二極體之層元件之有機整流二極體(ORD)。用於此等實施例之OSC可藉由任何先前論述之沈積方法來沈積，但由於其通常以毯覆式層形式沈積或形成，故通常使用諸如噴塗、浸塗、卷塗或旋塗之溶劑塗佈方法或諸如噴墨印刷、柔版印刷或凹版印刷之印刷方法以允許環境溫度處理。然而，OSC可藉由任何液體塗佈技術(例如噴墨沈積)或經由PVD或CVD技術來沈積。對於一些OTFT實施例，所形成之半導體層可為兩個或多於兩個相同或不同類型之有機半導體之複合物。舉例而言，p型OSC材料可例如與n型材料混合以獲得層之摻雜效果。在本發明之一些實施例中，使用多層有機半導體層。舉例而言，可在閘極介電介面附近沈積純質有機半導體層且另外可與此純質層相鄰塗佈高度摻雜區域。用於根據本發明之裝置實施例之OSC材料可為任何共軛分子，例如含有兩個或兩個以上，更具體地至少三個芳環之芳族分子。在本發明之一些較佳OSC實施例中，OSC含有選自5員、6員或7員芳環之芳環，而在其他較佳實施例中，OSC含有選自5員或6員芳環之芳環。OSC材料可為單體、寡聚物或聚合物，包括單體、寡聚物或聚合物中之一或多者之混合物、分散體及摻合物。 OSC之芳環各視情況含有一或多個雜原子，該一或多個雜原子選自Se、Te、P、Si、B、As、N、O或S，通常選自N、O或S。另外，芳環視情況可經由以下各者取代：氟基、氰基、烷基、烷氧基、聚烷氧基、硫代烷基、矽烷基、乙炔矽烷基、視情況經取代之二級或三級烷基胺或芳基胺、芳基或經取代之芳基，其中乙炔矽烷基由-CºC-SiR'R"R"'表示，且經取代之二級或三級烷基胺或芳基胺由----N(R')(R")表示，其中R'及R"各獨立地為H，視情況經氟化之C₁ _- ₁₂ 烷基或視情況經氟化之C₆ _- ₁₀ 芳基。上述芳環可為稠環或與諸如-C(T')=C(T")-、-CºC-、-N(R"")-、-N=N-、-(R")C=N-、-N=C(R")-之共軛連接基團連接，其中T'及T"各獨立地表示H、Cl、F、-CºN或諸如C₁ _- ₄ 烷基之低碳烷基，且R"係如上文所定義。在本發明之一些較佳電子裝置實施例中，可使用之OSC材料包括選自由以下組成之群的化合物、寡聚物及化合物之衍生物：共軛烴聚合物，諸如多并苯、聚苯(polyphenylene)、聚(伸苯基乙烯)、聚茀，包括彼等共軛烴聚合物之寡聚物；縮合芳族烴，諸如并四苯、艸屈、并五苯、芘、苝、六苯并苯(coronene)或其可溶性經取代衍生物；寡聚對位取代之聚苯，諸如對四聯苯(p-4P)、對五聯苯(p-5P)、對六聯苯(p-6P)或其可溶性經取代衍生物；共軛雜環聚合物，諸如聚(3-取代噻吩)、聚(3,4-雙取代噻吩)、視情況經取代之聚噻吩并[2,3-b]噻吩、視情況經取代之聚噻吩并[3,2-b]噻吩、聚(3-取代硒吩)、聚苯并噻吩、聚異異硫茚、聚(N -取代吡咯)、聚(3-取代吡咯)、聚(3,4-雙取代吡咯)、聚呋喃、聚吡啶、聚-1,3,4-噁二唑、聚異異硫茚、聚(N -取代苯胺)、聚(2-取代苯胺)、聚(3-取代苯胺)、聚(2,3-雙取代苯胺)、聚薁、聚芘；吡唑啉化合物；聚硒吩；聚苯并呋喃；聚吲哚；聚噠嗪；聯苯胺化合物；芪化合物；三嗪；經取代之金屬卟啉或無金屬卟啉、酞菁、氟酞菁、萘酞菁或氟萘酞菁；C₆₀ 及C₇₀ 富勒烯；N , N ' -二烷基、經取代之二烷基、二芳基或經取代之二芳基-1,4,5,8-萘四甲酸二醯亞胺及氟基衍生物；N , N ' -二烷基、經取代之二烷基、二芳基或經取代之二芳基3,4,9,10-苝四甲酸二醯亞胺；紅菲繞啉(bathophenanthroline)；聯苯醌；1,3,4-噁二唑；11,11,12,12-四氰基萘-2,6-醌二甲烷；α,α'-雙(二噻吩并[3,2-b2',3'-d]噻吩)；2,8-二烷基、經取代之二烷基、二芳基或經取代之二芳基蒽二噻吩；2,2'-二苯并[1,2-b:4,5-b']二噻吩。在需要OSC之液體沈積技術之情況下，來自以上清單之化合物及其衍生物限制於彼等可溶於適當溶劑或適當溶劑之混合物之彼等者。在根據本發明之其他較佳組合物實施例中，OSC材料為諸如并五苯、并四苯或蒽或其雜環衍生物之經取代寡聚并苯(oligoacene)，更具體地為經烷基矽烷基乙炔基取代之寡聚并苯，諸如雙(三烷基矽烷基乙炔基)寡聚并苯或雙(三烷基矽烷基乙炔基)雜并苯(heteroacene)，例如視情況經氟化之雙(三烷基矽烷基乙炔基)蒽二噻吩，如(例如) US 6,690,029、WO 2005/055248 A1或US 7,385,221中所揭示。在適當且如例如WO 2005/055248 A1中所述需要調節流變性之情況下，本發明之一些實施例使用包括一或多種有機黏合劑之OSC組合物。通常為聚合物、可包含絕緣黏合劑或半導體黏合劑或其混合物的黏合劑在本文中可稱為有機黏合劑、聚合黏合劑或簡稱為黏合劑。根據本發明之較佳黏合劑為具有低介電係數之材料，亦即，介電係數ε為3.3或更小之彼等材料。有機黏合劑之介電係數ε較佳為3.0或更小，更佳為2.9或更小。較佳地，有機黏合劑之介電係數ε為1.7或更大。尤其較佳地，黏合劑之介電係數在2.0至2.9之範圍內。雖然不希望受任何特定理論束縛，但咸信使用介電係數ε大於3.3之黏合劑可引起電子裝置(例如OTFT)中OSC層遷移率降低。另外，高介電係數黏合劑亦可引起裝置之電流滯後增加，其係不希望的。合適的有機黏合劑之實例包括聚苯乙烯，或苯乙烯與α-甲基苯乙烯之聚合物或共聚物，或可適當使用包括苯乙烯、α-甲基苯乙烯及丁二烯之共聚物。合適的黏合劑之其他實例揭示於(例如) US 2007/0102696 A1中。在一種類型之實施例中,有機黏合劑係其中至少95%，在其他實施例至少98%及在另一實施例中所有原子由氫、氟及碳原子組成的黏合劑。黏合劑較佳能夠形成薄膜，更佳形成可撓性薄膜。黏合劑亦可選自可交聯黏合劑，諸如丙烯酸酯、環氧樹脂、乙烯基醚及硫醇烯，其較佳具有足夠低之介電係數，極佳為3.3或更小。黏合劑亦可為液晶原基或液體結晶。在另一實施例中，黏合劑為半導體黏合劑，其含有共軛鍵，尤其為共軛雙鍵及/或芳環。例如，合適且較佳之黏合劑為如(例如) US 6,630,566中所揭示之聚三芳胺。黏合劑與OSC之比例通常為以重量計20:1至1:20，較佳為10:1至1:10，更佳為5:1至1:5，仍更佳為3:1至1:3，進一步較佳為2:1至1:2且尤其為1:1。已發現與先前技術中所預期將發生的情況相比，式I化合物在黏合劑中之稀釋對電荷遷移率有極小的有害影響或毫無有害影響。另外，在根據本發明之一些實施例中，OSC材料為涵蓋一或多個選自以下之重複單元的聚合物或共聚物：噻吩-2,5-二基、3-取代噻吩-2,5-二基、視情況經取代之噻吩并[2,3-b]噻吩-2,5-二基、視情況經取代之噻吩并[3,2-b]噻吩-2,5-二基、硒吩-2,5-二基或3-取代硒吩-2,5-二基。其他p型OSC為包含電子受體及電子供體單元之共聚物。此實施例之共聚物為(例如)包含由一或多個如上文所定義之基團R進行4,8-雙取代之一或多個苯并[1,2-b:4,5-b']二噻吩-2,5-二基單元之共聚物，且該等共聚物進一步包含選自群A及群B之一或多個芳基或雜芳基單元，包含群A之至少一個單元及群B之至少一個單元，其中群A由具有電子供體性質之芳基或雜芳基組成，且群B由具有電子受體性質之芳基或雜芳基組成，且群A由以下組成：硒吩-2,5-二基、噻吩-2,5-二基、噻吩并[3,2-b]噻吩-2,5-二基、噻吩并[2,3-b]噻吩-2,5-二基、硒吩并[3,2-b]硒吩-2,5-二基、硒吩并[2,3-b]硒吩-2,5-二基、硒吩并[3,2-b]噻吩-2,5-二基、硒吩并[2,3-b]噻吩-2,5-二基、苯并[1,2-b:4,5-b']二噻吩-2,6-二基、2,2-二噻吩、2,2-二硒吩、二噻吩并[3,2-b :2',3'-d ]矽羅-5,5-二基、4H -環戊[2,1-b :3,4-b ']二噻吩-2,6-二基、2,7-二噻吩基-2-基-咔唑、2,7-二噻吩-2-基-茀、二環戊二烯并苯并[1,2-b:5,6-b']二噻吩-2,7-二基、苯并[1'',2'':4,5;4'',5'':4',5']雙(矽羅并[3,2-b:3',2'-b']噻吩)-2,7-二基、2,7-二噻吩基-2-基-二環戊二烯并苯并[1,2-b:5,6-b']二噻吩、2,7-二噻吩基-2-基-苯并[1'',2'':4,5;4'',5'':4',5']雙(矽羅[3,2-b:3',2'-b']噻吩)-2,7-二基及2,7-二噻吩基-2-基-啡啉并[1,10,9,8-c ,d ,e ,f ,g ]咔唑，其全部視情況經一或多個、一或兩個如上文所定義之基團R取代，且組B由以下組成：苯并[2,1,3]噻二唑-4,7-二基、5,6-二烷基-苯并[2,1,3]噻二唑-4,7-二基、5,6-二烷氧基苯并[2,1,3]噻二唑-4,7-二基、苯并[2,1,3]硒二唑-4,7-二基、5,6-二烷氧基-苯并[2,1,3]硒二唑-4,7-二基、苯并[1,2,5]噻二唑-4,7-二基、苯并[1,2,5]硒二唑-4,7-二基、苯并[2,1,3]噁二唑-4,7-二基、5,6-二烷氧基苯并[2,1,3]噁二唑-4,7-二基、2H-苯并三唑-4,7-二基、2,3-二氰基-1,4-伸苯基、2,5-二氰基-1,4-伸苯基、2,3-二氟-1,4-伸苯基、2,5-二氟-1,4-伸苯基、2,3,5,6-四氟-1,4-伸苯基、3,4-二氟噻吩-2,5-二基、噻吩并[3,4-b]吡嗪-2,5-二基、喹喏啉-5,8-二基、噻吩并[3,4-b]噻吩-4,6-二基、噻吩并[3,4-b]噻吩-6,4-二基、3,6-吡咯并[3,4-c]吡咯-1,4-二酮，其全部視情況經一或多個、較佳一或兩個如上文所定義之基團R取代。除非上下文另有明確指示，否則如本文所用之術語之複數形式在本文中應理解為包括單數形式，且反之亦然。應瞭解，可對本發明之上述實施例作出變化，但該等變化仍在本發明之範疇內。除非另有說明，否則本說明書中所揭示之各特徵可由用於相同、等效或相似目的之替代特徵替換。因此，除非另有說明，否則所揭示之各特徵僅為一系列通用的等效或相似特徵之一個實例。本說明書中所揭示之全部特徵可以任何組合形式組合，但至少一些此類特徵及/或步驟會互斥之組合除外。詳言之，本發明之特徵適用於本發明之所有態樣，且可以任何組合予以使用。同樣地，以非基本組合形式描述之特徵可分別(不以組合形式)使用。現將參考以下實例更詳細地描述本發明，該等實例僅為說明性的且不限制本發明之範疇。在上文及下文中，除非另有說明，否則百分比為重量百分比且溫度係以攝氏度(℃)給出。介電常數ε (「介電係數」或「k」)之值係指在20℃及1,000 Hz下獲得之值。A . 單體實例 實例 A1 . NBEtOparaPhPh 單體合成 ：向配備有磁性攪拌棒之2000 mL單頸圓底燒瓶中裝入碳酸銫(71.75 g，220.0 mmol，1.5當量)、二甲基甲醯胺(750 mL)、4-聯苯酚(25.0 g，147.1 mmol，1當量)及NBEtBr (44.3 g，220.4 mmol，1.5當量)。允許黏稠反應漿料在室溫下攪拌隔夜。使用粗玻璃燒結漏斗濾除基料。用乙腈(1 L)稀釋濾液且用水(3 × 500 mL)洗滌有機物，接著濃縮至較小體積，此時產物自溶液中析出。過濾固體，得到呈白色固體之22.97 g (54%)目標材料。¹ H NMR (CD₂ Cl₂ , 500 MHz): 7.63 - 7.55 (4H , m)，7.48 - 7.43 (2H , m)，7.36 - 7.32 (1H , m)，7.03 - 6.98 (2H , m)，6.23 - 6.03 (2H , m)，4.15 - 3.98 (2H , m)，2.88 (1H , s)，2.84 (1H , s)，3.32 - 2.25 (1H , m)，2.03 - 1.91 (1H , m)，1.73 - 1.57 (2H , m)，1.49 - 1.25 (2H , m)，0.69 - 0.57 (1H , m)。實例 A1a . NBEtOorthoPhPh 單體合成 ：除了使用2-聯苯酚代替4-聯苯酚以外，按照實例A1之步驟來類似地製備標題化合物。實例 A2 . NBEtPhPh 單體合成 ：如下製備單體NBEtPhPh。將鎂(35.5 g，1.46 mol)置放於配備有大攪拌棒、溫度計套管、具有閥調式氣體入口配接器之冷凝器及兩個蓋有隔片之大小適當的加料漏斗的合適的反應容器內。當在氮氣吹掃下時將容器加熱至193℃。攪拌鎂。將容器冷卻至14℃。經由導管及真空將五百毫升無水THF轉移至一個加料漏斗中。將4-溴聯苯(BrPhPh，336.24 g，1.44 mol)在氮氣下溶解於具有500 mL無水THF之蓋有隔片的1 L燒瓶中。對混合物進行音波處理且得到~750 mL溶液。藉由導管及真空將該溶液轉移至另一加料漏斗中。將BrPhPh/THF溶液逐滴添加至Mg。7分鐘後，溫度自14℃升至27℃，而混合物開始回流。液位未到達溫度計套管之頂端。快速添加五百毫升THF。又經十分鐘之後溫度上升至59℃。當溫度降至53℃時，BrPhPh/THF溶液之添加速率增大。在溫度達到最大64℃的2.25 h後完成BrPhPh溶液之添加。將反應物在60℃下加熱5 h，且以溶液形式形成標題化合物。將CuI (4.88 g，0.026 mol)置放於配備有機械攪拌器、蓋有隔片之加料漏斗、溫度計套管及具有閥調式氣體入口配接器之冷凝器的合適的反應容器內。將容器加熱至183℃，同時在氮氣吹掃下攪拌。CuI變為黃色。將容器冷卻至~50℃。CuI變為白色。將五百毫升無水THF轉移至容器中。經由導管及真空將NBEtBr (226.5 g，1.325 mol)添加至燒瓶中。在經由導管及真空將PhPhMgBr轉移至加料漏斗且隨後轉移至NBEtBr/CuI/THF混合物中時攪拌所得混合物。將所得灰綠色溶液加熱以在67℃下回流隔夜(19.7 h)。將反應物冷卻至4℃。添加五百毫升NH₄ Cl飽和水溶液，使得溫度上升至26℃。再添加500 ml NH₄ Cl飽和水溶液。劇烈攪拌混合物以充分混合所有固體。過濾混合物。用250 mL MTBE沖洗燒瓶及濾餅。將藍色水相與綠色有機相分離。用3 × 500 mL MTBE萃取水相。將MTBE萃取物與綠色有機相合併。用4 × 500 mL鹽水洗滌經合併之混合物以使pH自10變為7且直至鹽水洗滌液不再呈藍色為止。有機相經硫酸鈉乾燥、過濾及旋轉蒸發，得到358.2 g (99%產率)。將材料轉移至一公升燒瓶中且在Kugelrohr蒸餾器中蒸餾。在0.73至0.83托下在介於160℃至173℃之間的溫度範圍下收集若乾餾份。合併餾份，得到208.7 g (56%產率)的96.9-98.9% (GC分析)純材料。¹ H NMR (CDCl₃ )：δ 7.20-7.65 (芳族共振)、6.00-6.21 (烯烴共振)、0.06-2.90 (脂族共振)。基於烯烴共振，內接及外接異構體之比率為81:19。實例 A3 . 如文獻(例如) US2012/0056183A1所描述或與其類似來製備單體HexylNB及NBEtPhDMMI。B . 聚合物實例 B - I . 比較實例 比較實例 BC1 . 均聚物 pHexylNB ：類似於實例BC3來製備均聚物HexylNB。比較實例 BC2 . 聚合物摻合物 pHexylNB : PVTMS 70 : 30 ：藉由按以上比率按重量調配濃度為12重量%之聚合物(例如，在10 g調配物中，兩種聚合物之總重量為1.2 g)，製備與70:30之pHexylNB : PVTMS(聚(乙烯苯-co -α-甲基苯乙烯))於十二烷中之組合物的聚合物摻合物。 比較實例 BC3 . 共聚物 pHexylNB / NBEtPhDMMI 90 / 10 ：向250 mL卷邊蓋小瓶添加HexylNB (12.52 g，70.2 mmol)及NBEtPhDMMI (2.52 g，7.8 mmol)，接著用甲苯(32.8 g)及乙酸乙酯(9.01 g)稀釋。用隔片密封該小瓶，隨後用N₂ 充氣30分鐘並加熱至60℃。在該溫度下時，添加催化劑溶液(於手套工作箱中製備：含(η⁶ -甲苯)Ni(C₆ F₅ )₂ (0.378 g，0.78 mmol)之甲苯(3.26 g))。允許反應混合物攪拌隔夜。在移除催化劑殘留後，藉由添加至2 L攪拌以沈澱聚合物的甲醇來使聚合物沈澱。所沈澱固體在50℃下於真空下經過濾及乾燥隔夜，得到11.3 g (75%產率)之呈白色粉末狀固體的目標聚合物(Mw：69,700，Mw/Mn：2.7)，其具有90/10的HexylNB/NBEtPhDMMI之組成(藉由NMR分析測定)。比較實例 BC4 . 共聚物 pHexylNB / NBEtPhDMMI 78 / 22 ：向100 mL卷邊蓋小瓶添加HexylNB (4.95 g，27.7 mmol)及NBEtPhDMMI (2.97 g，9.3 mmol)，接著用甲苯(17.5 g)及乙酸乙酯(4.75 g)稀釋。用隔片密封該小瓶，隨後用N₂ 充氣30分鐘並加熱至60℃。在該溫度下時，添加催化劑溶液(於手套工作箱中製備：含(η⁶ -甲苯)Ni(C₆ F₅ )₂ (0.179 g，0.37 mmol)之甲苯(1.55 g))。允許反應物攪拌隔夜。在移除催化劑殘留後，藉由添加至2 L攪拌以沈澱聚合物的甲醇來使聚合物沈澱。所沈澱固體在50℃下於真空下經過濾及乾燥隔夜，得到6.7 g (85%產率)之呈白色粉末狀固體的目標聚合物(Mw：88,100，Mw/Mn：3.1)，其具有78/22之HexylNB/NBEtPhDMMI之組成(藉由NMR分析測定)。B - II . 工作實例 實例 B1 . 共聚物 pHexylNB / 外接 NBPhPh 91 / 9 ：向250 mL卷邊蓋小瓶添加HexylNB (13.01 g，72.9 mmol)及外接NBPhPh (2.00 g，8.1 mmol)，接著用甲苯(104.7 g)及乙酸乙酯(27.02 g)稀釋。用隔片密封反應器，隨後用N₂ 充氣30分鐘並加熱至70℃。在該溫度下時，添加催化劑溶液(於手套工作箱中製備：含(η⁶ -甲苯)Ni(C₆ F₅ )₂ (0.393 g，0.81 mmol)之甲苯(3.39 g))。允許反應物攪拌隔夜。在移除催化劑殘留後，藉由添加至2 L攪拌以沈澱聚合物的甲醇來使聚合物沈澱。所沈澱固體在50℃下於真空下經過濾及乾燥隔夜，得到11.9 g (79%產率)之呈白色粉末狀固體的目標聚合物(Mw：74,100，Mw/Mn：2.9)，其具有91/9之HexylNB/外接NBPhPh之組成(藉由NMR分析測定)。實例 B2 . 共聚物 pHexylNB / NBEtOparaPhPh 90 / 10 ：向250 mL卷邊蓋小瓶添加HexylNB (25.68 g，144.0 mmol)及NBEtOparaPhPh (4.65 g，16.0 mmol)，接著用甲苯(66.09 g)及乙酸乙酯(18.19 g)稀釋。用隔片密封反應器，隨後用N₂ 充氣30分鐘。一次性注入催化劑溶液(於手套工作箱中製備：含(η⁶ -甲苯)Ni(C₆ F₅ )₂ (0.776 g，1.6 mmol)之甲苯(6.68 g))。允許反應物攪拌隔夜。在移除催化劑殘留後，藉由添加至2 L攪拌以沈澱聚合物的甲醇來使聚合物沈澱。所沈澱固體在50℃下於真空下經過濾及乾燥隔夜，得到27.1 g (89%產率)之呈白色粉末狀固體的目標聚合物(Mw：159,000，M_w /M_n ：3.7)，其具有90/10之HexylNB/NBEtOparaPhPh之組成(藉由NMR分析測定)。實例 B2a . 共聚物 pHexylNB / NBEtOorthoPhPh 90 / 10 ：向60 mL卷邊蓋小瓶中添加HexylNB (2.57 g，14.4 mmol)及NBEtOorthoPhPh (0.46 g，1.6 mmol)，接著用甲苯(6.6 g)及乙酸乙酯(1.8 g)稀釋。用隔片密封反應器，隨後用N₂ 充氣30分鐘。一次性注入催化劑溶液(於手套工作箱中製備：含(η⁶ -甲苯)Ni(C₆ F₅ )₂ (0.078 g，0.16 mmol)之甲苯(1 g))。允許反應物攪拌隔夜。在移除催化劑殘留後，藉由添加至0.5 L攪拌以沈澱聚合物的甲醇來使聚合物沈澱。所沈澱固體在50℃下於真空下經過濾及乾燥隔夜，得到2.78 g (92%產率)之呈白色粉末狀固體的目標聚合物(M_w ：203,000，M_w /M_n ：3.8)，其具有90/10之HexylNB/NBEtOorthoPhPh之組成(藉由NMR分析測定)。實例 B3 . 共聚物 Copolymer pHexylNB / NBEtPhPh 90 / 10 ：類似於實例B5來製備具有90/10之HexylNB/NBEtPhPh之組成之目標聚合物。實例 B4 . 共聚物 pHexylNB / NBEtPhPh 70 / 30 ：類似於實例B5來製備具有70/30之HexylNB/NBEtPhPh之組成之目標聚合物。實例 B5 . 共聚物 pHexylNB / NBEtPhPh 89 / 11 ：向250 mL卷邊蓋小瓶添加HexylNB (12.81 g，71.8 mmol)及NBEtPhPh (2.19 g，7.9 mmol)，接著用甲苯(32.65 g)及乙酸乙酯(9.00 g)稀釋。用隔片密封反應器，隨後用N₂ 充氣30分鐘。添加催化劑溶液(於手套工作箱中製備：含(η⁶ -甲苯)Ni(C₆ F₅ )₂ (0.387 g，0.79 mmol)之甲苯(3.33 g))。允許反應物攪拌隔夜。在移除催化劑殘留後，藉由添加至2 L攪拌以沈澱聚合物的甲醇來使聚合物沈澱。所沈澱固體在50℃下於真空下經過濾及乾燥隔夜，得到14.0 g (93%產率)之呈白色粉末狀固體的目標聚合物(Mw：155,000，Mw/Mn：3.5)，其具有89/11之HexylNB/NBEtPhPh之組成(藉由NMR分析測定)。C . 裝置實例 實例 C1 . OD 量測在合適的溶劑中製備所關注之聚合物之溶液，且藉由旋塗將薄膜塗佈至石英玻璃上以獲得厚度介於600 nm與1200 nm之間的薄膜。隨後在UV可見光譜儀上記錄吸光度光譜，且在所關注波長(266 nm)處計算OD值。結果展示於下表1中。表 1 ：實例聚合物在 266 nm 處之 OD 值圖 3 展示表1中所有聚合物之吸收量變曲線。圖 4 展示與比較實例BC1之參考聚合物pHexylNB相比的工作實例B1、B2、B3及B4之聚合物的吸收量變曲線。圖 5 展示與參考聚合物BC1及聚合物摻合物BC2相比之根據本發明之聚合物B3及B4的吸收量變曲線。自表1及圖 3 至圖 5 中可見，參考聚合物及聚合物摻合物BC1至BC4並未展現出吸光度或僅展現出吸光度不足，且因此不適合於促成雷射切除製程。此表明並非所有經併入發色團在所關注波長處提供相同吸收改良，其可藉由特定發色團之特有本質來解釋。舉例而言，DMMI部分在更短波長處具有其峰值吸收，因此預期266 nm處之總體比重相當適中。與此相反,聯苯(PhPh)基團在約255 nm處展示其峰值吸收，且可因此用作用於所預期應用之合適的取代基。實例 C2 . OTFT 裝置為使用OSC聚合物lisicon®SP400 (自Merck GmbH獲得)來評估聚合物之OTFT效能，將該等聚合物用作標準頂部閘極OFET裝置、底部接觸式OFET裝置中之閘極介電材料，如圖 1 中例示性說明。除非另有說明，否則如(例如) US2012/0056183A1中所描述來進行裝置製造。在OTFT裝置製造之前量測介電常數(k值)以便實現此等TFT中之電荷載流子遷移率之計算。常數取自所建構之電容器裝置中之個別介電質之經量測電容。藉由在經ITO塗佈之玻璃上旋塗介電質，接著沈積第二電極(在此情況下為銀)，製成電容器裝置。隨後量測電容器效能。結果展示於下表2中。表 2 ：實例 聚合物之介電常數值 自表2中可見，比經C-H基發色團(如Ph)之更廣泛取代相比，將帶有雜原子(如DMMI中之N原子或NBEtOPhPh中之O原子)之部分包含至聚合物中對介電常數具有更強影響。因此，不含雜原子之部分(如NBEtPhPh)，尤其適用於低介電常數值較佳之系統，其中增大之介電常數可導致電荷載流子遷移率效能之不可接受之損失。對於用上述材料作為介電層來進行之頂閘極(TG)裝置製造，如表3中所概描來調配一系列溶液，且接著以給定旋轉速度將其旋塗至OSC層上，且隨後在100℃下將所有裝置退火2分鐘。用pHexylNB作為介電質來製造參考OTFT。表 3 使用Agilent探針台記錄裝置效能。圖6至圖13展示OTT裝置之TG OTFT裝置效能，該等OTT裝置分別使用實例BC1至BC4及實例B1至B4的聚合物摻合物或聚合物作為閘極介電質及使用聚合物SP400作為半導體(50 μm通道長度)。圖 6 展示併入實例BC1之pHexylNB作為介電質的裝置，其在266 nm處幾乎不具吸光度。因此,將其用作參考且用來說明經由與帶有作為側鏈之UV吸收發色團之單體共聚合而發生之效能變化。圖 7 至圖 9 分別展示使用比較實例BC2之聚合物摻合物及比較實例BC3及BC4之聚合物獲得之TG效能。圖 10 至圖 13 分別展示使用工作實例B1、B2、B3及B4之聚合物獲得之TG效能。與圖 6 之參考裝置相比，隨著共聚物中之DMMI組份之比率增大(圖 7 及圖 8 )，觀測到電荷載流子遷移率之顯著降低，其歸因於總體介電常數值之相關聯增大。隨著經由側鏈取代併入乙醚部分，觀測到類似的介電常數增大趨向(圖 11 )。然而,電荷載流子遷移率及其他裝置效能特性不僅僅取決於介電常數之值，而利用共聚單體化學反應之總體比重更加關鍵。以上資料展示根據本發明之聚合物之用途，雖然導致UV吸光度增加且因此更好地適用於雷射切除製程，但其對OTFT裝置效能無負面影響。比較實例BC2展示與另一UV吸收聚合物(如PVTMS)之摻合物並未使OD顯著增加，而是趨於使介電常數值升高。比較實例BC3及BC4展示將雜原子部分(如DMMI單元或乙醚官能基)併入至聚合物可能不會提供OD之充分增加，但可較佳地引起介電常數值之非所需增大，且因此引起OTFT中之電荷載流子遷移率之減小(參見圖 8 及圖 9 )。此外，其展示雜原子發色團之較高負載對常用溶劑之溶解度可能有負面影響。舉例而言，聚合物pHexylNB/NBEtPhDMMI 78/22需要溶劑混合物以便達成可接受之溶解度。工作實例B1至B4表明可藉由保持低介電常數、所關注之溶劑中之極好溶解度以及良好裝置效能特性來達成UV吸收之顯著升高。

1‧‧‧基板 2a‧‧‧源電極 2b‧‧‧汲電極 3‧‧‧OSC層 4‧‧‧介電層 5‧‧‧閘電極 6‧‧‧鈍化層

以下參考以下圖式來描述本發明之實施例。圖 1 為根據本發明之頂閘極OTFT裝置實施例之示意性表示。圖 2 為根據本發明之底閘極OTFT裝置實施例之示意性表示。圖 3 展示工作實例B1、B2、B3及B4之聚合物及比較實例BC1、BC2、BC3及BC4之聚合物摻合物以及聚合物的吸收量變曲線。圖 4 展示工作實例B1、B2、B3及B4之聚合物與比較實例BC1之聚合物相比的吸收量變曲線。圖 5 展示根據本發明之聚合物B3及B4與比較實例BC1之聚合物及比較實例BC2之聚合物摻合物相比的吸收量變曲線。圖 6 展示具有包含比較實例BC1之聚合物摻合物的閘極介電層之TG OTFT裝置的裝置效能。圖 7 展示具有包含比較實例BC2之聚合物的閘極介電層之TG OTFT裝置的裝置效能。圖 8 展示具有包含比較實例BC3之聚合物的閘極介電層之TG OTFT裝置的裝置效能。圖 9 展示具有包含比較實例BC4之聚合物的閘極介電層之TG OTFT裝置的裝置效能。圖 10 展示具有包含工作實例B1之聚合物的閘極介電層之TG OTFT裝置的裝置效能。圖 11 展示具有包含工作實例B2之聚合物的閘極介電層之TG OTFT裝置的裝置效能。圖 12 展示具有包含工作實例B3之聚合物的閘極介電層之TG OTFT裝置的裝置效能。圖 13 展示具有包含工作實例B4之聚合物的閘極介電層之TG OTFT裝置的裝置效能。

1‧‧‧基板

2a‧‧‧源電極

2b‧‧‧汲電極

3‧‧‧OSC層

4‧‧‧介電層

5‧‧‧閘電極

Claims

一種包含介電層之有機電子(OE)裝置，該介電層包含聚環烯烴聚合物或係經由使用聚環烯烴聚合物而獲得，該聚環烯烴聚合物包含一或多個在230至290 nm之範圍內具有吸收最大值之側基。
如請求項1之OE裝置，其中該等側基係選自C₆ -C₂₅ 芳基、C₇ -C₂₅ 芳烷基、C₅ -C₂₅ 芳烷氧基、C₂ -C₂₅ 雜芳基、C₅ -C₂₅ 雜芳烷基及C₅ -C₂₅ 雜芳烷氧基，其全部均視情況經取代。
如請求項1或2之OE裝置，其中該等側基係選自式A -(CH₂ )_a -(O)_o -芳基 A 其中 a為0或為1至12之整數， o為0或1，「芳基」指代具有6至20個C原子之芳基，其視情況經一或多個基團L取代， L係選自F、Cl、-OH、-CN或具有1至25個、較佳1至20個C原子之直鏈、分支鏈或環狀烷基，其中一或多個CH₂ 基團視情況經-O-、-S-、-C(=O)-、-C(=S)-、-C(=O)-O-、-O-C(=O)-、-NR⁰ -、-SiR⁰ R⁰⁰ -、-CF₂ -、-CR⁰ =CR⁰⁰ -、-CY¹ =CY² -或-CºC-以使得O原子及/或S原子彼此不直接鍵聯之方式置換，且其中一或多個H原子視情況經F、Cl、Br、I或CN置換， Y¹ 及Y² 彼此獨立地指代H、F、Cl或CN，且 R⁰ 、R⁰⁰ 彼此獨立地指代H或視情況經氟化之具有1至20個C原子之直鏈或分支鏈烷基。
如請求項1至3中任一項之OE裝置，其中該聚環烯烴聚合物為降冰片烯型聚合物。
如請求項1至4中任一項之OE裝置，其中該聚環烯烴聚合物為具有一或多個式I之第一不同類型之重複單元的降冰片烯型聚合物其中Z係選自-CH₂ -、-CH₂ -CH₂ -或-O-，m為0至5之整數，R¹ 、R² 、R³ 及R⁴ 各獨立地指代H、C₁ 至C₂₅ 烴基、C₁ 至C₂₅ 鹵代烴基或C₁ 至C₂₅ 全鹵碳基，且其中R^1-4 中之一或多者指代在230至290 nm之範圍內具有吸收最大值之基團。
如請求項5之OE裝置，其中R^1-4 中之一或多者指代在230至290 nm之範圍內具有吸收最大值之基團，該基團係選自C₆ -C₂₅ 芳基、C₇ -C₂₅ 芳烷基、C₇ -C₂₅ 芳烷氧基、C₂ -C₂₅ 雜芳基、C₅ -C₂₅ 雜芳烷基及C₅ -C₂₅ 雜芳烷氧基，其全部均視情況經取代。
如請求項6之OE裝置，其中R^1-4 中之一或多者指代選自如請求項3所定義之式A之基團。
如請求項6或7之OE裝置，其中該聚環烯烴聚合物另外包含一或多個式I之第二不同類型之重複單元其中R^1-4 中之一或多者不同於H且指代具有1至20個C原子之烷基或氟化烷基。
如請求項8之OE裝置，其中該第一類型之重複單元與該第二類型之重複單元的比率為95:5至5:95。
一種OE裝置中之介電層，該介電層包含如請求項1至9中任一項所定義之聚環烯烴聚合物或係經由使用該聚環烯烴聚合物而獲得。
如請求項1至10中任一項之OE裝置，其為有機薄膜電晶體(OTFT)、有機發光二極體(OLED)或有機光伏打(OPV)裝置或有機光偵測器(OPD)。
如請求項11之OE裝置，其為頂閘極OTFT或底閘極OTFT。
如請求項12之頂閘極OTFT，其包含基板(1)、源電極及汲電極(2a、2b)、有機半導體(OSC)層(3)、包含如請求項1至9中任一項所定義之聚環烯烴聚合物且充當閘極絕緣體的介電層(4)、及閘電極(5)。
一種用於製備如請求項13之OTFT之方法，其包含： A)在基板(1)上形成源電極及汲電極(2a、2b)， B)藉由將OSC材料沈積於該源電極及該汲電極(2a、2b)上來形成OSC層(3)， C)藉由將如請求項1至9中任一項所定義之聚環烯烴聚合物沈積於該OSC層(3)上來形成介電層(4)， D)在該介電層(4)上形成閘電極(5)。
如請求項12之底閘極OTFT，其包含基板(1)、閘電極(5)、包含如請求項1至9中任一項所定義之聚環烯烴聚合物且充當閘極絕緣體的介電層(4)、源電極及汲電極(2a、2b)、OSC層(3)及視情況選用之鈍化層(6)。
一種用於製備如請求項15之OTFT之方法，其包含： A)在基板(1)上形成閘電極(5)， B)藉由將如請求項1至9中任一項所定義之聚環烯烴聚合物沈積於該基板(1)及該閘電極(5)上來形成介電層(4)， C)在該介電層(4)上形成源電極及汲電極(2a、2b)， D)藉由將OSC材料沈積於該源電極及該汲電極(2a、2b)及該介電層(4)上來形成OSC層(3)， E)視情況在該OSC層(3)上形成鈍化層(6)。
如請求項14或16之方法，其中該OSC層(3)之該OSC材料及該介電層(4)之該聚環烯烴聚合物係自有機溶液沈積。
一種包含如請求項1至9、11至13及15中任一項之OE裝置之產品或總成，其為積體電路(IC)、射頻識別(RFID)標籤、含有RFID標籤之安全標記或安全裝置、平板顯示器(FPD)、FPD之背板、FPD之背光、電子照相裝置、電子照相記錄裝置、有機記憶體裝置、壓力感測器、光學感測器、化學感測器、生物感測器或生物晶片。