TW201738388A - 整合式電子廢料回收及恢復再用之系統及使用其之程序 - Google Patents

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Abstract

本發明提供用於回收印刷電路板之系統及程序，其中可再利用貴金屬。該系統通常包含若干模組以自該等印刷電路板系統地移除材料且將該等貴金屬與該等材料分離。

Description

整合式電子廢料回收及恢復再用之系統及使用其之程序
本發明大體上係關於用於回收諸如印刷電路板之廢棄電氣及電子設備以分離包含但不限於貴金屬之材料之系統及程序。
隨著電子設備變得越來越無所不在，包含過時或損壞電腦、電腦監測器、電視接收器、蜂巢電話及類似產品之所使用電子設備之處理正在快速增長。應暸解，通常當電子設備被傾倒在垃圾掩埋場中時，對於生物且對於環境存在顯著危害。同樣，應理解，此設備之不當拆卸對於執行手動拆卸之人的健康及安全造成極大風險。 印刷電路板(PCB)係許多電子系統(例如，主機板、筆記型電腦板、TV板、伺服器板、硬碟機板、SCSI卡及智慧型電話)之一常見元件。通常藉由將膜層壓在清潔銅箔上而製造PCB，該清潔銅箔支撐在一玻璃纖維板基質上。膜曝露有電路板設計之一負片，且使用一蝕刻器自板移除未遮蔽銅箔。接著，將焊料施覆於板上之未蝕刻銅上方。取決於特定PCB之使用及設計，各種其他金屬可用於製程中，包含鉛、錫、鎳、鐵、鋅、鋁、銀、金、鉑、鈀及汞。PCB包含許多組件，舉例而言，電晶體、電容器、散熱器、風扇、積體電路晶片(IC)、電阻器、整合式切換器、處理器、連接器或存在於PCB上之其他「雜件」，包含鐵件、電池、晶體、USB埠、BGA晶片、金屬封蓋、金屬外殼、金屬護罩、貼紙、發泡體或塑膠護罩及金屬或塑膠支架。 PCB可能係難以處理之一廢棄材料，此係因為一旦它們自其等安裝於其中之電氣系統移除，其等便通常幾乎沒有用處。另外，它們通常由引起它們被分類為一有害或「特殊」廢料流之材料組成。它們必須與其他無害固體廢料流分離且分開處置。必須使用數個可用選項之任一者來處理作為廢料處置之PCB。此等選項不僅昂貴，而且它們需要大量勞力且由生產者處置。此外，由於一些此等處理選項不包含廢棄電路板之破壞，故生產者亦承擔與不當處置或處理相關聯之許多責任。 已提議不同方法來試圖消除由廢棄電子廢料之不斷增長的負擔所引起之原材料之浪費及環境污染。迄今為止，需要要求一高能量需求之方法來分離材料，使得該等材料可被回收。機械、濕法冶金及高溫冶金方法已成為回收廢棄PCB之傳統方法，其包括全部廢料之磨削，接著嘗試分離並濃縮不同材料流。不利地，當PCB經磨削時，僅可從金屬有效地釋放塑膠部分且可逐步形成有毒氣體及粉塵。相應地，機械方法不產生高恢復再用率，特別對於貴金屬而言。在濕法冶金方法中，使用大量化學品，從而產生大量廢酸及污泥，該等廢酸及污泥必須作為有害廢料進行處理。此外，藉由化學程序回收各種金屬之總體程序極長且複雜。熱方法(包含廢棄PCB之高溫冶金處理)由於環氧樹脂之熱降解(戴奧辛及呋喃之形成)及金屬(包含Pb、Sb、As及Ga)之揮發所致而導致有害化學品排放至大氣及水。熱方法之特徵進一步在於高能量消耗及使用昂貴廢氣淨化系統及耐蝕性設備之必要性。 不利地，自材料提取貴金屬(例如，金)之已知方法包含使用有毒及/或昂貴化學品(即，浸濾劑)來自材料浸出金。用於溶解金之最古老商業程序之一者係所謂的「氰化物法」，藉此氰化物離子與金形成一穩定錯合物。氰化物法之有效性已導致其用於自金礦石提取金且用於自金塗佈之廢棄零件再利用金兩者之商業用途。通常，氰化鉀溶液用於「氰化物法」中。此一溶液極具毒性且廢氰化物溶液之處理已成為一嚴重且增長之廢料處理及污染消除控制問題。 回收廢棄PCB之傳統方法導致環境污染、高成本支出及低效率。相比之下，本文中描述之系統及方法係基於回收材料之一差分方法，其中基於外觀及物理性質及化學性質分離並處理廢棄PCB之各個零件。 先前在以André Brosseau等人之名義在2011年4月15日申請且標題為「Method for Recycling of Obsolete Printed Circuit Boards」之國際專利申請案第PCT/US2011/032675號中描述用於自一印刷電路板(PCB)移除至少一種可回收材料之程序，該申請案之全部內容據此以引用的方式併入本文中。概括地，PCT/US2011/032675中描述之方法包括(a)、(b)、(c)之至少一者，或其之任何組合： (a)自PCB釋放一組件； (b)自PCB及/或PCB組件恢復再用一貴金屬； (c)自PCB恢復再用一卑金屬。 先前亦在以Tianniu CHEN等人之名義在2012年12月13日申請且標題為「Apparatus and Method for Stripping Solder Metals During the Recycling of Waste Electrical and Electronic Equipment」之國際專利申請案第PCT/US2012/069404號中描述用於回收印刷電路板、積體電路及印刷電路板組件以分離材料以供重複使用及/或恢復再用之系統及程序，該申請案之全部內容據此以引用的方式併入本文中。概括地，PCT/US2012/069404中描述之裝置包括(a)一機械焊料移除模組及/或一加熱器模組之至少一者，及(b)一化學焊料移除模組。 因此，需要一種回收諸如印刷電路板及PCB組件之廢棄電氣及電子設備以克服或最小化上述問題之方法。
本發明之實施例大體上係關於用於回收印刷電路板、積體電路及印刷電路板組件以分離材料以供重複使用及/或恢復再用之系統及程序。更特定言之，本發明之實施例大體上係關於用於回收PCB以有效地恢復再用貴金屬同時最小化使用之化學品及其他資源之數量之系統及程序。 本發明之實施例係關於用於回收印刷電路板、積體電路及其他印刷電路板組件之整合式智慧系統及程序。 本發明之實施例係關於用於回收印刷電路板、積體電路及其他印刷電路板組件之智慧系統及程序，包括基於PCB及/或PCB組件類型選擇一處理序列之構件。 本發明之實施例係關於用於回收印刷電路板、積體電路及其他印刷電路板組件之智慧系統及程序，包括基於PCB及/或PCB組件類型選擇一處理序列之構件，其中該處理序列包括在一金浸出模組(280)中處理。 本發明之實施例係關於用於回收印刷電路板、積體電路及其他印刷電路板組件之智慧系統及程序，包括用於處理PCB及/或PCB組件之智慧構件及一金浸出模組(280)。 本發明之另一實施例係關於一種用於回收選自由印刷電路板(PCB)、PCB組件、包括金之材料及其組合組成之群組之材料之整合式智慧系統，其中該系統有效地恢復再用大於約80%之含於材料中之金，其中該系統包括一固體處理技術(SPT)卑金屬移除模組及一SPT金移除模組。 本發明之另一實施例係關於一種用於回收選自由印刷電路板(PCB)、PCB組件、包括金之材料及其組合組成之群組之材料之整合式智慧系統，其中該系統有效地恢復再用大於約80%之含於材料中之金，其中該系統包括一固體處理技術(SPT)卑金屬移除模組及一SPT金移除模組，及視需要選自由以下組成之群組中之至少一個額外模組： (a)一SPT熔爐模組， (b)一SPT研磨模組， (c)一SPT銀浸出模組， (d)(a)至(c)之任何組合，及 (e)(a)至(c)之每一模組， 其中模組在具有或不具有中介零件之情況下彼此串聯地定位及/或操作。 本發明之又另一實施例係關於一種用於回收選自由印刷電路板(PCB)、PCB組件、包括金之材料及其組合組成之群組之材料之整合式智慧系統，其中該系統有效地恢復再用大於約80%之含於材料中之金，其中該系統包括一固體處理技術(SPT)熔爐模組及一SPT金移除模組。 本發明之又另一實施例係關於一種用於回收選自由印刷電路板(PCB)、PCB組件、包括金之材料及其組合組成之群組之材料之整合式智慧系統，其中該系統有效地恢復再用大於約80%之含於材料中之金，其中該系統包括一固體處理技術(SPT)熔爐模組及一SPT金移除模組，及視需要選自由以下組成之群組中之至少一個額外模組： (a)一SPT研磨模組， (b)一SPT卑金屬移除模組 (c)一SPT銀浸出模組， (d)(a)至(c)之任何組合，及 (e)(a)至(c)之每一模組， 其中模組在具有或不具有中介零件之情況下彼此串聯地定位及/或操作。 本發明之其另一實施例係關於一種用於回收選自由印刷電路板(PCB)、PCB組件、包括金之材料及其組合組成之群組之材料之整合式智慧系統，其中該系統有效地恢復再用大於約80%之含於材料中之金，該系統包括一金浸出模組及一SPT金移除模組。 本發明之其另一實施例係關於一種用於回收選自由印刷電路板(PCB)、PCB組件、包括金之材料及其組合組成之群組之材料之整合式智慧系統，其中該系統有效地恢復再用大於約80%之含於材料中之金，該系統包括一金浸出模組及一SPT金移除模組，及視需要選自由以下組成之群組中之至少一個額外模組： (a)一板清理預備模組， (b)一板清理模組， (c)一脫焊模組， (d)一卑金屬移除模組， (e)一SPT熔爐模組， (f)一SPT研磨模組， (g)一SPT卑金屬移除模組， (h)一SPT銀浸出模組， (i)(a)至(h)之任何組合，及 (j)(a)至(h)之每一模組， 其中模組在具有或不具有中介零件之情況下彼此串聯地定位及/或操作。 本發明之另一實施例係關於一種回收選自由印刷電路板(PCB)、PCB組件、包括金之材料及其組合組成之群組之材料之程序，其中該程序有效地恢復再用大於約80%之含於材料中之金，該程序包括(a)在一固體處理技術(SPT)卑金屬移除模組中使用一卑金屬移除組合物自一固體移除至少一種卑金屬，及(b)在一SPT金移除模組中使用一金移除組合物自一固體移除金，其中固體包括已經灰化、磨削及/或粉碎之包括金之材料，及視需要選自由以下組成之群組中之至少一個額外步驟： (i)在一SPT熔爐模組中灰化材料以產生包括灰分之一固體， (ii)在一SPT研磨模組中磨削材料以產生包括經磨削材料之一固體， (iii)在一SPT銀浸出模組中使用一銀移除組合物自固體移除銀， (iv)(i)至(iii)之任何組合，及 (v)(i)至(iii)之每一程序， 其中程序在具有或不具有中介程序之情況下彼此串聯地操作。 本發明之又另一實施例係關於一種回收選自由印刷電路板(PCB)、PCB組件、包括金之材料及其組合組成之群組之材料之程序，該程序包括(a)在一固體處理技術(SPT)熔爐模組中灰化材料以產生包括灰分之一固體，及選自由以下組成之群組中之至少一個額外步驟： (i)在一SPT研磨模組中磨削材料以產生包括經磨削材料之一固體， (ii)在一SPT卑金屬移除模組中使用一卑金屬移除組合物自一固體移除至少一種卑金屬， (iii)在一SPT金移除模組中使用一金移除組合物自固體移除金， (iv)在一SPT銀浸出模組中使用一銀移除組合物自固體移除銀， (v)(i)至(iv)之任何組合，及 (vi)(i)至(iv)之每一程序， 其中程序在具有或不具有中介程序之情況下彼此串聯地操作。 本發明之又另一實施例係關於一種回收選自由印刷電路板(PCB)、PCB組件、包括金之材料及其組合組成之群組之材料之程序，其中該程序有效地恢復再用大於約80%之含於材料中之金，該程序包括(a)在一固體處理技術(SPT)熔爐模組中灰化材料以產生包括灰分之一固體，及(b)在一SPT金移除模組中使用一金移除組合物自固體移除金，及視需要選自由以下組成之群組中之至少一個額外步驟： (i)在一SPT研磨模組中磨削材料以產生包括經磨削材料之一固體， (ii)在一SPT卑金屬移除模組中使用一卑金屬移除組合物自一固體移除至少一種卑金屬， (iii)在一SPT銀浸出模組中使用一銀移除組合物自固體移除銀， (iv)(i)至(iii)之任何組合，及 (v)(i)至(iii)之每一程序， 其中程序在具有或不具有中介程序之情況下彼此串聯地操作。 本發明之其另一實施例係關於一種回收選自由印刷電路板(PCB)、PCB組件、包括金之材料及其組合組成之群組之材料之程序，其中該程序有效地恢復再用大於約80%之含於材料中之金，該程序包括在一SPT金移除模組中使用一金移除組合物自一固體移除金，其中固體包括已經灰化、磨削及/或粉碎之材料，及視需要選自由以下組成之群組中之至少一個額外步驟： (i)在一板清理預備模組中對材料進行分揀，其中PCB經分揀且手動及/或自動移除PCB組件及包括金之材料， (ii)在一板清理模組中使用熱及機械構件自PCB移除PCB組件及包括金之材料， (iii)在一脫焊模組中使用焊料移除組合物自PCB移除焊料、PCB組件及包括金之材料， (iv)在一金浸出模組中使用金浸出組合物自包括金之材料浸出金， (v)在一卑金屬移除模組中使用一卑金屬移除組合物自材料移除卑金屬， (vi)在一SPT熔爐模組中灰化材料以產生包括灰分之一固體， (vii)在一SPT研磨模組中磨削材料以產生包括經磨削材料之一固體， (viii)在一SPT卑金屬移除模組中使用一卑金屬移除組合物自固體移除至少一種卑金屬， (ix)在一SPT銀浸出模組中使用一銀移除組合物自固體移除銀， (x)(i)至(ix)之任何組合，及 (xi)(i)至(ix)之每一程序， 其中程序在具有或不具有中介程序之情況下彼此串聯地操作。 本發明之其另一實施例係關於一種回收選自由印刷電路板(PCB)、PCB組件、包括金之材料及其組合組成之群組之材料之程序，其中該程序有效地恢復再用大於約80%之含於材料中之金，該程序包括(a)在一金浸出模組中使用一金浸出組合物自包括金之材料浸出金，及(b)在一SPT金移除模組中使用一金移除組合物自一固體移除金，其中固體包括已經灰化、磨削及/或粉碎之材料，及視需要選自由以下組成之群組中之至少一個額外步驟： (i)在一板清理預備模組中對材料進行分揀，其中PCB經分揀且手動及/或自動移除PCB組件及包括金之材料， (ii)在一板清理模組中使用熱及機械構件自PCB移除PCB組件及包括金之材料， (iii)在一脫焊模組中使用焊料移除組合物自PCB移除焊料、PCB組件及包括金之材料， (iv)在一卑金屬移除模組中使用卑金屬移除組合物自材料移除卑金屬， (v)在一SPT熔爐模組中灰化材料以產生包括灰分之一固體， (vi)在一SPT研磨模組中磨削材料以產生包括經磨削材料之一固體， (vii)在一SPT卑金屬移除模組中使用一卑金屬移除組合物自固體移除至少一種卑金屬， (viii)在一SPT銀浸出模組中使用一銀移除組合物自固體移除銀， (ix)(i)至(viii)之任何組合，及 (x)(i)至(viii)之每一程序， 其中程序在具有或不具有中介程序之情況下彼此串聯地操作。 將從隨後揭示內容及隨附發明申請專利範圍更充分地瞭解其他態樣、特徵及優點。
本發明大體上係關於用於回收印刷線總成、印刷電路板、積體電路及印刷電路板組件以分離材料以供重複使用及/或恢復再用之整合式系統及程序。更特定言之，本發明大體上係關於用於回收PCB以更有效地分離並恢復再用金屬及工作組件，而同時最小化化學品及其他資源之使用之整合式系統及程序。可藉由協調並調節裝置中之自動化處理步驟之一或多個可程式化邏輯控制器(PLC)控制系統及使用程序。一或多個PLC允許多個不同處理模組，及每一模組內之多個不同滾筒及槽透過裝置同時操作，從而提供每平方英尺工廠空間之最大處理量。多任務能力包含排程軟體，當每一槽中之處理時間可能不平衡時，該排程軟體向系統提供能夠同時處理多個模組及每一模組內之多個槽所必需之智慧。基於板及/或組件之類型以及批次大小之程序配方及程序儲存在PLC中且在PCB板及/或PCB組件之批次進入程序流時自動或手動起始。程序流入口可取決於板及/或組件之類型而變化。在一項實施例中，每一模組具有至少一個PLC。此外，在必要時，可使用一監督控制及資料獲取(SCADA)器件或其等效物及/或一通信網路來控制一或多個PLC。本文中描述之系統實現以大於80%、較佳地大於90%且更佳地大於95%之貴金屬恢復再用效率高容量處理電子廢料。 出於當前揭示內容之目的，「電子廢料(electronic waste或e-waste)」對應於電腦、電腦監測器、電視接收器、電子墊、蜂巢式電話、個人數位助理(PDA)、視訊攝影機、數位相機、DVD播放器、視訊遊戲主控台、傳真機、複印機、MP3播放器及已達到其等使用壽命之終點或已以其他方式處理之類似產品。電子廢料(electronic waste或e-waste)包含此等已知項內含有之組件，諸如印刷電路板及其上含有之組件(例如，電晶體、電容器、散熱器、風扇、晶片、微型組件、積體電路(IC)、電阻器、整合式切換器、處理器、連接器、USB埠、BGA晶片)。 出於一般揭示內容之目的，將一板描述為包括紙、低介電塑膠、薄且可撓塑膠、陶瓷/金屬、玻璃纖維、環氧樹脂、酚、鋁、銅層及箔之任一者。如一般技術者將瞭解，「玻璃纖維」係一玻璃強化塑膠或一玻璃纖維強化塑膠且將對應於包括塑膠及玻璃之任何材料。 如本文中所使用，「貴金屬」包含黃金、銀、鉑、鈀、銠、銥、鋨、錸、釕及包括其等之合金。 如本文中所使用，「卑金屬」對應於鐵、鎳、鋅、銅、鋁、鎢、鉬、鉭、鎂、鈷、鉍、鎘、鈦、鋯、銻、錳、鈹、鉻、鍺、釩、鎵、鉿、銦、鈮、錸、鉈、包括其等之合金及其組合。 如本文中所使用，「銅」對應於Cu(0)金屬以及包括Cu(0)之合金。 如本文中所使用，「大約」旨在對應於大於或小於不超過指定值之5%。 如本文中所定義，「錯合劑」包含熟習此項技術者理解為錯合劑、鉗合劑、螫合劑及其組合之彼等化合物。錯合劑將與金屬原子及/或金屬離子化學組合或物理關聯以使用本文中描述之組合物移除。 出於當前描述之目的，使用「印刷電路板」來描述印刷線板、印刷電路板以及印刷電路板總成。印刷電路板(PCB)為電子組件提供機械支撐及電連接。PCB可為單側、雙側或多層。PCB總成對應於用電子組件填入之PCB。 如本文中所使用，「實質上溶解」在本文中定義為大於95重量%之最初存在之材料溶解或以其他方式增溶，較佳地大於98重量%，更佳地大於99重量%且最佳地大於99.9重量%。「未實質上溶解」在本文中定義為小於5重量%之最初存在之材料溶解或以其他方式增溶，較佳地小於2重量%，更佳地小於1重量%且最佳地小於0.1重量%。 如本文中所使用，術語「浸出」或「移除」對應於將特定金屬或其他所要材料完全或部分移除或提取至特定移除組合物中。特定金屬或其他所要材料溶解或以其他方式增溶在特定移除組合物中，較佳地溶解。 如本文中所定義，「粉碎」對應於使PCB及/或PCB組件之金屬實質上曝露於一移除組合物之任何方法，例如，裂化、磨碎或擊碎PCB及/或PCB組件。 如本文中所定義，「研磨」對應於使用一壓縮力將一較大材料減小成一較小材料，藉此增大材料之可曝露於一移除組合物以自其移除金屬及其他所要材料之表面積之任何方法。可使用研磨之材料之溫度之一可忽略上升來完成研磨。 如本文中所定義，「磨削」對應於使用一剪切力或一切割動作將一較大材料減小成一較小材料，藉此增大材料之可曝露於一移除組合物以自其移除金屬及其他所要材料之表面積之任何方法。 應瞭解，本文中描述之「移除組合物」經特別地及/或選擇性地配製以移除一或多種金屬或其他所要材料。此外，移除組合物可為專屬、市售或該兩者。 一般技術者應瞭解，焊料、黏著劑、膠水及/或環氧樹脂將「組件」(諸如電晶體、電容器、散熱器、風扇、積體電路晶片(IC)、電阻器、整合式切換器、處理器(例如，CPU)、連接器、USB埠、BGA晶片)附接至PCB。 如本文中所定義，「可回收組件」對應於包括具有價值且待再利用之一金屬之組件。如本文中所定義，「微型組件」對應於大小上小於約2 mm至3 mm (例如，可基於大小自較大物件分揀出來)之任何組件。出於圖之目的，術語「M.Comp.」係微型組件之縮寫。 如本文中所定義，「晶片」包含IC及CPU以及其他固態「微型組件」(諸如電容器及/或電阻器)。 如本文中所定義，一「模組」對應於能夠促進實現一所要最終目的(舉例而言，組件自一PCB之移除、焊料之移除、金之浸出、銀之浸出及卑金屬之移除)所需之化學、機械、熱(即，熱)及物理程序之一相異系統及對應程序。模組可在其間具有或不具有中介步驟之情況下串聯或並聯連接及/或操作，或根本不連接，例如，一模組可能相對於其他模組係場外的或一模組可在另一模組內。 如本文中所定義，「環氧樹脂」將主要表示環氧樹脂之最終產物，其可用來將一組件或雜件附接至一PCB。最終產物對應於具有高機械性質以及耐溫性及耐化學性之一熱固性聚合物。在電子產業中，環氧樹脂往往用於包覆模製積體電路、電晶體及製作印刷電路板中。另外，環氧樹脂用來將銅箔接合至PCB基板，且係許多PCB上之焊料遮罩之一組分。 如本文中所使用，「灰化」或「待灰化」對應於一程序，其中一有機材料(亦稱為「可灰化內容物」)在一高溫下與空氣或其他氧源反應(例如，燃燒)以僅留下不可燃材料。 如本文中所使用，「漿液」對應於固體在一液體中之一混合物，舉例而言，一液體中之含有微粒之固體。漿液趨向於係一稠流體且可被泵抽且固體若處於一未攪動狀態則將由於重力所致而沉降。 出於當前揭示內容之目的，一「單軌」較佳地包含佈局靈活性、軌道、鐵軌、斜坡、切換器轉盤、連鎖、進入/退出區段以及曲線之至少一者。單軌可抬高及/或在同一平面上延伸且可連接至其他系統，諸如輸送機、升降機或起重機。單軌可經配置以移動一「容器」或一「裝納構件」。單軌亦可經配置以將板及/或組件自一個模組移動至另一模組。 如本文中所定義，一「容器」或一「裝納構件」可包含但不限於箱(gaylord)、滾筒、籃、槽、袋、桶、盒、料斗、散裝袋、倉、瓶及缸體。 如本文中所定義，「智慧」係指使用協調並調節系統中之自動化處理步驟之一或多個可程式化邏輯控制器(PLC)來控制一或多個系統及/或使用該等系統之程序。PLC允許多個不同處理模組，及每一模組內之多個不同滾筒及槽透過裝置同時操作，從而提供每平方英尺工廠空間之最大處理量。多任務能力包含但不限於所開發之排程軟體，該排程軟體向系統提供能夠同時對多個模組及每一模組內之多個槽進行處理並取樣所需之智慧、配方輸入及調適、材料處置、即時監測、感測、資料獲取及分析、遠端及/或無線使用及通信及其任何組合。(若干)智慧系統及/或(若干)程序可使用一網路來與(若干)其他系統及/或程序安全地通信。 如本文中所定義，一「智慧系統」對應於具有收集並分析資料且與其自身及/或裝置內之其他系統通信之能力之一基於電腦之系統。舉例而言，如本文中描述之一模組可分析資料且與其自身及/或裝置內之另一模組通信，藉此對程序及/或配方作出調整。另外，一智慧系統能夠關閉系統之一部分或整個系統以確保工作人員安全。此外，一智慧系統能夠判定何時必須對硬體及/或軟體進行維護。 如本文中所定義，一「飽和(loaded)」移除組合物對應於實質上飽含金屬離子或已以其他方式達到一移除組合物(例如，某一金屬離子)之一成分之一預定濃度或臨限值或pH之一移除組合物。換言之，飽和移除組合物無法再實質上溶解或增溶其期望移除之(若干)金屬。 如本文中所定義，一「飽和」清洗液體對應於不再有效地清洗固體或已以其他方式達到一化學成分(例如，某一金屬離子)之一預定濃度或臨限值或pH之一清洗液體。 如本文中所定義，一「配方」對應於經使用及/或可程式化及/或輸入及/或選擇及/或調整以使用本文中描述之模組之至少一者來確保最大程序效率、最大金屬移除及最小廢料產生之參數。考量之參數包含但不限於移除程序期間之固體-液體比、處理時間、處理溫度、處理序列、添加速率、處理之固體/組件、處理之固體/組件量、移除組合物中之化學品之濃度、添加順序、必須適當處理之流出物量、攪動構件之類型、攪動速度、移除或沖洗組合物已重複使用/再循環多少次、處理之材料之類型、金屬離子成分之濃度、電流及電壓變化及其他預先指定臨限值。 如本文中所定義，「金指狀物」係用於邊緣連接器接觸件之PCB上之鍍金觸針。 如本文中所定義，「移動構件」對應於用於將物件自一個位置移動至另一位置之手動或機械系統，其包含以下內容之一或多者：一輸送機帶、一輸送機軌道、一輸送輪、一輸送輥、重力輸送機、機器人、具有一移動機構之一機器人裝載臂、施密特輸送機、具有動力通道/軌道之架空輸送機、軌道、升降機、收集輸送機、單軌、帶、環鏈、具有輪之運送機、卡車、手推車、托盤、叉車、動臂升降機、剪式升降機、跨架式升降機、懸臂式升降機、柱式升降機、垂直升降機、水平升降機、台車、托板、搬運車、搬運工具、滑輪、夾具、捲揚機、鉤、叉、堆垛機、斗式升降機、圓盤傳送帶、起重機、引導車輛、推車、泵、漿液泵或以上之組合。出於此應用之目的，任何輸送系統可包含速度控制及/或可變速度。 如本文中所使用，一「平台」對應於藉由至少一個共同網路彼此連接之兩個或兩個以上程序，其透過網路提供兩個或兩個以上程序之間之資訊交換且其中與無資訊交換之良率及/或效能相比，透過網路之程序之間之資訊交換增大良率或增強兩個或兩個以上程序之至少一者之效能。 如本文中所定義，「攪動構件」包含但不限於頂部攪拌器/混合器、底部攪拌器/混合器、側攪拌器/混合器、螺旋攪動器、搖擺或旋轉構件、旋轉混合器、音波處理、超音波能、摻合機、刀片、分散器、轉子、推進器、再循環器、擋板、葉輪、在旋轉時導致攪動之裝納構件內之內部鰭片或鑽機及其任何組合。 如本文中所定義，「液體-固體分離構件」包含但不限於離心(例如，傾析器、圓錐形)、傾析、過濾、乾燥、蒸發、滲透、沉降、沈澱、壓濾機及其組合。 如本文中所定義，「金離子」旨在涵蓋Au (Ⅰ)及Au (Ⅲ)以及包括陰離子之含有金-金之離子，其包含但不限於氟化物、氯化物、溴化物、碘化物、硝酸鹽、亞硝酸鹽、硫酸鹽、亞硫酸鹽、氰化物、硫酸氫鹽、亞硫酸氫鹽、醋酸鹽、草酸鹽、氯酸鹽、亞氯酸鹽、次氯酸鹽、高氯酸鹽、碳酸鹽、碳酸氫鹽及磷酸鹽。 如本文中所定義，化學反應之「實質上完成」對應於至少約90%之化學反應基於存在之限量試劑之完成，較佳地至少約95%，且最佳地至少約99%。一「完成反應」對應於至少99%之限量試劑之反應，更佳地至少99.5%。 如本文中所定義，一「含有氯化物之鹽」包含但不限於鹽酸及鹼性氯化物(例如，氯化鈉、氯化鉀、氯化銣、氯化銫、氯化鎂、氯化鈣、氯化鍶、氯化銨、季銨氯化物鹽)及其組合。 如本文中所定義，「通風構件」對應於強制空氣(機械)通風，諸如局部排氣通風(通風櫥、通風管道、空氣清潔器件、風扇、排氣管、滌氣器及其組合)。 如本文中所定義，「控制進入一熔爐中之空氣輸入之構件」對應於通風管道及空氣泵或壓力差之使用以迫使大氣或更多含氧空氣進入一熔爐。 如本文中所定義，「裝載構件」包含但不限於滑槽、輸送機、手動、起重機、千斤頂、捲揚機或其任何組合。另外，如本文中所定義，許多移動構件可為裝載構件。 如本文中所定義，「空氣輸入」對應於允許使用者經由一管道或管線將一或多種氣體(例如，空氣)引入至一槽中之開口或孔，特別地當化學反應需要或以其他方式在一或多種氣體存在的情況下實行時化學反應更有效時。再利用貴金屬之系統及程序 在一個態樣中，描述一種用於回收選自由PCB、PCB組件、包括金之材料及其組合組成之群組之材料之整合式智慧系統及程序，該系統包括一印刷電路板(PCB)平台及一固體處理技術(SPT)平台，其中系統及程序有效地恢復再用大於約80%、較佳地大於約90%且最佳地大於約95%之PCB、PCB組件、包括金之材料及其組合中含有之金。另外，系統及程序有效地恢復再用大於約80%、較佳地大於約85%且最佳地大於約90%之PCB、PCB組件、包括金之材料及其組合中含有之卑金屬。此外，系統及程序有效地恢復再用大於約70%、較佳地大於約75%且最佳地大於約80%之PCB、PCB組件、包括金之材料及其組合中含有之銀。 參考圖1，可見本文中描述之系統(10)可包括一PCB平台(20)及一SPT平台(30)，其中該系統係整合式且智慧的且能夠取決於處理之材料(例如，PCB、PCB組件或包括金之材料)最大化金屬(例如，金)移除之效率。換言之，系統確保沿著PCB平台(20)、SPT平台(30)或該兩者處理材料(例如，PCB、PCB組件或包括金之材料) 以確保資源(例如，化學品、能量、硬體、軟體、設施之佔用面積、水)之一最小化、廢料之一最小化及再利用之金屬之一最大化。此係使用可由一SCADA器件(50)控制之至少一個可程式化邏輯控制器來部分完成。出於此揭示內容之目的，PCB平台(20)可包括一板清理預備模組(預備BCM)(220)、一板清理模組(BCM)(240)、一脫焊模組(DS)(260)、一卑金屬移除(BMR)模組(261)及/或一金浸出(GL)模組(280)(例如，參見圖2)之一或多者。出於此揭示內容之目的，SPT平台(30)可包括一SPT熔爐模組(320)、一SPT研磨模組(340)及/或一SPT工具模組(360)(例如，參見圖2)之一或多者，其中SPT工具模組(360)可包括一SPT卑金屬移除模組(380)、一SPT金移除模組(400)及/或一SPT銀浸出模組(420)之一或多者。應瞭解，取決於模組，程序可為一濕式程序、一乾式程序、一化學程序、一物理程序、一電氣程序、一機械程序或前述程序之一者以上之某一組合。舉例而言，濕式處理包含但不限於使用化學品及清洗之金屬移除，而乾式處理包含但不限於熱處理(即，加熱)、機械處理及燃燒。在一項實施例中，每一平台具有控制它的至少一個PLC。在另一實施例中，使用至少PLC來控制PCB平台(20)及SPT平台(30)兩者。在其另一實施例中，每一模組具有控制它的至少一個PLC。在另一實施例中，多個模組具有控制它門的至少一個PLC。當一個以上PLC存在時，可使用一SCADA器件(50)來控制一或多個PLC。一SCADA器件係監測並控制產業、基礎設施及基於設施之程序之一基於電腦之系統。在圖1及圖2中展示一示意圖，其中一SCADA控制系統(50)監測電子廢料回收及恢復再用系統及使用其之程序。 在另一態樣中，描述一種用於回收選自由PCB、PCB組件、包括金之材料及其組合組成之群組之材料之整合式智慧系統，該系統包括一PCB平台(20)及一SPT平台(30)，其中PCB平台(20)包括選自由以下組成之群組中之至少一個模組： (a)一板清理預備模組(220)(分揀)， (b)一板清理模組(240)(BCM)， (c)一脫焊模組(260)(DS)， (d)一卑金屬移除模組(261)(BMR) (e)一貴金屬浸出模組(GL)(280) (f)(a)至(e)之任何組合，及 (g)(a)至(e)之每一模組， 其中模組在具有或不具有中介零件之情況下彼此串聯地定位及/或操作。較佳地，系統經設計使得無論分批或以其他方式可使用一移動構件自動或手動使待回收之材料在一模組內及/或在模組間移動。可藉由包含但不限於協調並調節裝置中之一或多個自動化處理步驟之PLC之一或多個控制器件控制系統。 在另一態樣中，描述一種用於回收選自由PCB、PCB組件、包括金之材料及其組合組成之群組之材料之整合式智慧系統，該系統包括一PCB平台(20)及一SPT平台(30)，其中SPT平台(30)包括選自由以下組成之群組中之至少一個模組： (a)一SPT熔爐模組(320)， (b)一SPT研磨模組(340)， (c)一SPT工具模組(360)， (d)(a)至(c)之任何組合，及 (e)(a)至(c)之每一模組， 其中模組在具有或不具有中介零件之情況下彼此串聯地定位及/或操作。SPT工具模組(360)可包括選自由(i)一SPT卑金屬移除模組(380)、(ii)一SPT金移除模組(400)、(iii)一SPT銀浸出模組(420)、(iv)(i)至(iii)之任何組合及(v)(i)至(iii)之各者之組合組成之群組之至少一個模組。較佳地，系統經設計使得無論分批或以其他方式可使用一移動構件自動或手動使待回收之材料在一模組內及/或在模組間移動。可藉由包含但不限於協調並調節裝置中之一或多個自動化處理步驟之PLC之一或多個控制器件控制系統。 在另一態樣中，描述一種用於回收PCB組件之整合式智慧系統，該系統包括一固體處理技術(SPT)熔爐模組(320)及視需要選自由以下組成之群組中之一或多個模組： (a)一SPT研磨模組(340)， (b)一SPT卑金屬移除模組(380)， (c)一SPT金移除模組(400)， (d)一SPT銀浸出模組(420)， (e)(a)至(d)之任何組合，及 (f)(a)至(d)之每一模組， 其中模組在具有或不具有中介零件之情況下彼此串聯地定位及/或操作。較佳地，系統經設計使得無論分批或以其他方式可使用一移動構件自動或手動使待回收之材料在一模組內及/或在模組間移動。可藉由包含但不限於協調並調節裝置中之一或多個自動化處理步驟之PLC之一或多個控制器件控制系統。 在又另一態樣中，描述一種用於回收PCB組件之整合式智慧系統，其中該系統有效地恢復再用大於約80%、較佳地大於約90%且最佳地大於約95%之含於PCB組件中之金，該系統包括一SPT金移除模組(400)，及選自由以下組成之群組中之至少一個額外模組： (a)一固體處理技術(SPT)熔爐模組(320)， (b)一SPT研磨模組(340)， (c)一SPT卑金屬移除模組(380)， (d)一SPT銀浸出模組(420)， (e)(a)至(d)之任何組合，及 (f)(a)至(d)之每一模組， 其中模組在具有或不具有中介零件之情況下彼此串聯地定位及/或操作。較佳地，系統經設計使得無論分批或以其他方式可使用一移動構件自動或手動使待回收之材料在一模組內及/或在模組間移動。可藉由包含但不限於協調並調節裝置中之一或多個自動化處理步驟之PLC之一或多個控制器件控制系統。 在一個態樣中，描述一種用於回收選自由PCB、PCB組件、包括金之材料及其組合組成之群組之材料之整合式智慧系統，其中該系統有效地恢復再用大於約80%、較佳地大於約90%且最佳地大於約95%之PCB、PCB組件及包括金之材料中含有之金，該系統包括一金浸出模組(280)，及選自由以下組成之群組中之至少一個額外模組： (a)一板清理預備模組(220)， (b)一板清理模組(240)， (c)一脫焊模組(260)， (d)一卑金屬移除模組(261)， (e)一固體處理技術(SPT)熔爐模組(320)， (f)一SPT研磨模組(340)， (g)一SPT工具模組(360)， (h)(a)至(g)之任何組合，及 (i)(a)至(g)之每一模組， 其中模組在具有或不具有中介零件之情況下彼此串聯地定位及/或操作。SPT工具模組(360)可包括選自由(i)一SPT卑金屬移除模組(380)、(ii)一SPT金移除模組(400)、(iii)一SPT銀浸出模組(420)、(iv)(i)至(iii)之任何組合及(v)(i)至(iii)之各者之組合組成之群組之至少一個模組。較佳地，系統經設計使得無論分批或以其他方式可使用一移動構件自動或手動使待回收之材料在一模組內及/或在模組間移動。可藉由包含但不限於協調並調節裝置中之一或多個自動化處理步驟之PLC之一或多個控制器件控制系統。 在另一態樣中，描述一種用於回收選自由PCB、PCB組件、包括金之材料及其組合組成之群組之材料之整合式智慧系統，該系統包括一SPT工具模組(360)，及選自由以下組成之群組中之至少一個額外模組： (a)一板清理預備模組(220)， (b)一板清理模組(240)， (c)一脫焊模組(260)， (d)一卑金屬移除模組(261)， (e)一金浸出模組(280)， (f)一SPT熔爐模組(320)， (g)一SPT研磨模組(340)， (h)(a)至(g)之任何組合，及 (i)(a)至(g)之每一模組， 其中模組在具有或不具有中介零件之情況下彼此串聯地定位及/或操作。SPT工具模組(360)可包括選自由(i)一SPT卑金屬移除模組(380)、(ii)一SPT金移除模組(400)、(iii)一SPT銀浸出模組(420)、(iv)(i)至(iii)之任何組合及(v)(i)至(iii)之各者之組合組成之群組之至少一個模組。較佳地，系統經設計使得無論分批或以其他方式可使用一移動構件自動或手動使待回收之材料在一模組內及/或在模組間移動。可藉由包含但不限於協調並調節裝置中之一或多個自動化處理步驟之PLC之一或多個控制器件控制系統。 在另一態樣中，描述一種用於回收選自由PCB、PCB組件、包括金之材料及其組合組成之群組之材料之整合式智慧系統，該系統包括選自由以下組成之群組中之模組之一組合： (a)一板清理預備模組(220)及一金浸出模組(280)， (b)一板清理模組(240)及一金浸出模組(280)， (c)一板清理預備模組(220)、一板清理模組(240)及一金浸出模組(280)， (d)一板清理預備模組(220)、一脫焊模組(260)及一金浸出模組(280)， (e)一板清理模組(240)、一脫焊模組(260)及一金浸出模組(280)， (f)一板清理預備模組(220)、一板清理模組(240)、一脫焊模組(260)及一金浸出模組(280)， (g)一板清理預備模組(220)、一脫焊模組(260)及一SPT工具模組(360)， (h)一板清理模組(240)、一脫焊模組(260)及一SPT工具模組(360)， (i)一板清理預備模組(220)、一板清理模組(240)、一脫焊模組(260)及一SPT工具模組(360)， (j)一SPT熔爐模組(320)、一SPT研磨模組(340)及一SPT工具模組(360)， (k)一脫焊模組(260)、一SPT熔爐模組(320)、一SPT研磨模組(340)及一SPT工具模組(360)， (l)一SPT熔爐模組(320)及一SPT工具模組(360)， (m)一SPT研磨模組(340)及一SPT工具模組(360)， (n)一脫焊模組(260)、一SPT熔爐模組(320)及一SPT工具模組(360)， (o)一脫焊模組(260)、一SPT研磨模組(340)及一SPT工具模組(360)， (p)一板清理模組(240)、一脫焊模組(260)、一SPT熔爐模組(320)、一SPT研磨模組(340)及一SPT工具模組(360)， (q)一板清理模組(240)、一脫焊模組(260)、一SPT熔爐模組(320)及一SPT工具模組(360)， (r)一板清理模組(240)、一脫焊模組(260)、一SPT研磨模組(340)及一SPT工具模組(360)， (s)一板清理預備模組(220)、一板清理模組(240)、一脫焊模組(260)、一SPT熔爐模組(320)、一SPT研磨模組(340)及一SPT工具模組(360)， (t)一板清理預備模組(220)、一板清理模組(240)、一脫焊模組(260)、一SPT熔爐模組(320)及一SPT工具模組(360)， (u)一板清理預備模組(220)、一板清理模組(240)、一脫焊模組(260)、一SPT研磨模組(340)及一SPT工具模組(360)， (v)一板清理預備模組(220)、一板清理模組(240)、一脫焊模組(260)、一金浸出模組(280)、一SPT熔爐模組(320)、一SPT研磨模組(340)及一SPT工具模組(360)， (w)一金浸出模組(280)及一SPT金移除模組(400)， 其中模組在具有或不具有中介零件之情況下彼此串聯地定位及/或操作。實施例(a)至(v)之任意者可進一步包括至少一個卑金屬移除模組。較佳地，系統經設計使得無論分批或以其他方式可使用一移動構件自動或手動使待回收之材料在一模組內及/或在模組間移動。可藉由包含但不限於協調並調節裝置中之一或多個自動化處理步驟之PLC之一或多個控制器件控制系統。SPT工具模組(360)可包括選自由(i)一SPT卑金屬移除模組(380)、(ii)一SPT金移除模組(400)、(iii)一SPT銀浸出模組(420)、(iv)(i)至(iii)之任何組合及(v)(i)至(iii)之各者之組合組成之群組之至少一個模組。較佳地，SPT工具模組(360)包括至少(i) SPT金移除模組(400)。 在另一態樣中，描述一種回收選自由PCB、PCB組件、包括金之材料及其組合組成之群組之材料之程序，其中該程序有效地恢復再用大於約80%、較佳地大於約90%且最佳地大於約95%之含於PCB、PCB組件及包括金之材料中之金。程序包括在一金浸出模組(280)中使用一金浸出組合物從具有金之材料浸出金，及視需要選自由以下組成之群組中之至少一個額外步驟： (a)在一板清理預備模組(220)中對PCB進行分揀，其中PCB經手動及/或自動分揀， (b)在一板清理預備模組(220)中移除PCB組件，其中手動及/或自動移除PCB組件， (c)在一板清理預備模組(220)中自PCB移除包括金之材料，其中PCB經分揀且手動及/或自動移除PCB組件及包括金之材料， (d)在一板清理模組(240)中使用熱及機械構件從PCB移除PCB組件及/或包括金之材料， (e)在一脫焊模組(260)中使用焊料移除組合物從PCB移除焊料、PCB組件及/或包括金之材料， (f)在一卑金屬移除模組(261)中使用一卑金屬移除組合物從PCB、PCB組件及/或包括金之材料移除卑金屬， (g)在一固體處理技術(SPT)熔爐模組中灰化PCB組件及/或包括金之材料以產生包括灰分之一固體， (h)在一SPT研磨模組(340)中磨削PCB組件及/或包括金之材料以產生包括經磨削材料之一固體， (i)在一SPT工具模組(360)中從(i)來自(g)之灰分、(ii)來自(h)之經磨削材料及/或(iii)未灰化或未磨削PCB、PCB組件、包括金之材料移除貴金屬， (j)(a)至(i)之任何組合，及 (k)(a)至(i)之每一程序， 其中程序在具有或不具有中介程序之情況下彼此串聯地操作。使用SPT工具模組(360)處理可包括選自由以下組成之群組中之至少一個程序：(i)在一SPT卑金屬移除模組(380)中使用一卑金屬移除組合物移除至少一種卑金屬；(ii)在一SPT金移除模組(400)中使用一金移除組合物移除金；(iii)在一SPT銀浸出模組(420)中使用一銀移除組合物移除銀；(iv)(i)至(iii)之任何組合；及(v)(i)至(iii)之各者之組合。較佳地，程序包含在一模組內自動或手動移動材料，及/或使用一移動構件在模組間自動或手動移動材料。可藉由包含但不限於協調並調節裝置中之一或多個自動化處理步驟之PLC之一或多個控制器件控制系統。 在另一態樣中，描述一種回收選自由PCB、PCB組件、包括金之材料及其組合組成之群組之材料之程序。該程序包括在一SPT工具模組(360)中從已經灰化、磨削及/或粉碎之包括金之材料移除貴金屬，及視需要選自由以下組成之群組中之至少一個額外步驟： (a)在一板清理預備模組(220)中對PCB進行分揀，其中PCB經手動及/或自動分揀， (b)在一板清理預備模組(220)中移除PCB組件，其中手動及/或自動移除PCB組件， (c)在一板清理預備模組(220)中從PCB移除包括金之材料，其中PCB經分揀且手動及/或自動移除PCB組件及包括金之材料， (d)在一板清理模組(240)中使用熱及機械構件從PCB移除PCB組件及/或包括金之材料， (e)在一脫焊模組(260)中使用焊料移除組合物從PCB移除焊料、PCB組件及/或包括金之材料， (f)在一卑金屬移除模組(261)中使用一卑金屬移除組合物從PCB、PCB組件及/或包括金之材料移除卑金屬， (g)在一金浸出模組(280)中使用一金浸出組合物從包括金之材料浸出金， (h)在一固體處理技術(SPT)熔爐模組中灰化PCB組件及/或包括金之材料以產生包括灰分之一固體， (i)在一SPT研磨模組(340)中磨削PCB組件及/或包括金之材料以產生包括經磨削材料之一固體， (j)(a)至(i)之任何組合，及 (k)(a)至(i)之每一程序， 其中程序在具有或不具有中介程序之情況下彼此串聯地操作。使用SPT工具模組(360)處理可包括選自由以下組成之群組中之至少一個程序：(i)在一SPT卑金屬移除模組(380)中使用一卑金屬移除組合物移除至少一種卑金屬；(ii)在一SPT金移除模組(400)中使用一金移除組合物移除金；(iii)在一SPT銀浸出模組(420)中使用一銀移除組合物移除銀；(iv)(i)至(iii)之任何組合；及(v)(i)至(iii)之各者之組合。較佳地，程序包含在一模組內自動或手動移動材料，及/或使用一移動構件在模組間自動或手動移動材料。可藉由包含但不限於協調並調節裝置中之一或多個自動化處理步驟之PLC之一或多個控制器件控制系統。 在另一態樣中，描述一種用於回收選自由PCB、PCB組件、包括金之材料及其組合組成之群組之材料之整合式智慧系統，其中該系統有效地恢復再用大於約80%、較佳地大於約90%且最佳地大於約95%之含於PCB、PCB組件及包括金之材料中之金，其中該系統包括一SPT卑金屬移除模組(380)及一SPT金移除模組(400)，及視需要選自由以下組成之群組中之至少一個額外模組： (a)一SPT熔爐模組(320)， (b)一SPT研磨模組(340)， (c)一SPT銀浸出模組(420)， (d)(a)至(c)之任何組合，及 (e)(a)至(c)之每一模組， 其中模組在具有或不具有中介零件之情況下彼此串聯地定位及/或操作。較佳地，系統經設計使得無論分批或以其他方式可使用一移動構件自動或手動使待回收之材料在一模組內及/或在模組間移動。可藉由包含但不限於協調並調節裝置中之一或多個自動化處理步驟之PLC之一或多個控制器件控制系統。 在另一態樣中，描述一種回收選自由PCB、PCB組件、包括金之材料及其組合組成之群組之材料之程序，其中該程序有效地恢復再用大於約80%、較佳地大於約90%且最佳地大於約95%之含於PCB、PCB組件及包括金之材料中之金。程序包括在一SPT卑金屬移除模組(380)中使用一卑金屬移除組合物從一固體移除至少一種卑金屬且在一SPT金移除模組(400)中使用一金移除組合物從一固體移除金，其中固體包括已經灰化、磨削及/或粉碎之包括金之材料，及視需要選自由以下組成之群組中之至少一個額外步驟： (a)在一固體處理技術(SPT)熔爐模組中灰化PCB組件及包括金之材料以產生包括灰分之一固體， (b)在一SPT研磨模組(340)中磨削PCB組件及包括金之材料以產生包括經磨削材料之一固體， (c)在一SPT銀浸出模組(420)中使用一銀移除組合物從固體移除銀， (d)(a)至(c)之任何組合，及 (e)(a)至(c)之每一程序， 其中程序在具有或不具有中介程序之情況下彼此串聯操作。較佳地，程序包含在一模組內自動或手動移動材料，及/或使用一移動構件在模組間自動或手動移動材料。可藉由包含但不限於協調並調節裝置中之一或多個自動化處理步驟之PLC之一或多個控制器件控制系統。 在又另一態樣中，描述一種用於回收選自由PCB、PCB組件、包括金之材料及其組合組成之群組之材料之整合式智慧系統，其中該系統包括一SPT熔爐模組(320)。 在又另一態樣中，描述一種用於回收選自由PCB、PCB組件、包括金之材料及其組合組成之群組之材料之整合式智慧系統，其中該系統包括一SPT熔爐模組(320)及一SPT金移除模組(400)，及視需要選自由以下組成之群組中之至少一個額外模組： (a)一SPT研磨模組(340)， (b)一SPT卑金屬移除模組(380)， (c)一SPT銀浸出模組(420)， (d)(a)至(c)之任何組合，及 (e)(a)至(c)之每一模組， 其中模組在具有或不具有中介零件之情況下彼此串聯地定位及/或操作。較佳地，系統經設計使得無論分批或以其他方式可使用一移動構件自動或手動使待回收之材料在一模組內及/或在模組間移動。可藉由包含但不限於協調並調節裝置中之一或多個自動化處理步驟之PLC之一或多個控制器件控制系統。 在另一態樣中，描述一種回收選自由PCB、PCB組件、包括金之材料及其組合組成之群組之材料之程序。該程序包括在一固體處理技術(SPT)熔爐模組中灰化PCB組件及包括金之材料以產生包括灰分之一固體。 在另一態樣中，描述一種回收選自由PCB、PCB組件、包括金之材料及其組合組成之群組之材料之程序，其中該程序有效地恢復再用大於約80%、較佳地大於約90%且最佳地大於約95%之含於PCB、PCB組件及包括金之材料中之金。程序包括在一固體處理技術(SPT)熔爐模組中灰化PCB組件及包括金之材料以產生包括灰分之一固體，及在一SPT金移除模組(400)中使用一金移除組合物從固體移除金，及視需要選自由以下組成之群組中之至少一個額外步驟： (a)在一SPT研磨模組(340)中磨削PCB組件及包括金之材料以產生包括經磨削材料之一固體， (b)在一SPT卑金屬移除模組(380)中使用一卑金屬移除組合物從一固體移除至少一種卑金屬， (c)在一SPT銀浸出模組(420)中使用一銀移除組合物從固體移除銀， (d)(a)至(c)之任何組合，及 (e)(a)至(c)之每一程序， 其中程序在具有或不具有中介程序之情況下彼此串聯操作。較佳地，程序包含在一模組內自動或手動移動材料，及/或使用一移動構件在模組間自動或手動移動材料。可藉由包含但不限於協調並調節裝置中之一或多個自動化處理步驟之PLC之一或多個控制器件控制系統。 在其另一態樣中，描述一種用於回收選自由PCB、PCB組件、包括金之材料及其組合組成之群組之材料之整合式智慧系統，其中該系統有效地恢復再用大於約80%、較佳地大於約90%且最佳地大於約95%之含於PCB、PCB組件及包括金之材料中之金，該系統包括一金浸出模組(280)及一SPT金移除模組(400)，及視需要選自由以下組成之群組中之至少一個額外模組： (a)一板清理預備模組(220)， (b)一板清理模組(240)， (c)一脫焊模組(260)， (d)一卑金屬移除模組(261)， (e)一SPT熔爐模組(320)， (f)一SPT研磨模組(340)， (g)一SPT卑金屬移除模組(380)， (h)一SPT銀浸出模組(420)， (i)(a)至(h)之任何組合，及 (j)(a)至(h)之每一模組， 其中模組在具有或不具有中介零件之情況下彼此串聯地定位及/或操作。較佳地，系統經設計使得無論分批或以其他方式可使用一移動構件自動或手動使待回收之材料在一模組內及/或在模組間移動。可藉由包含但不限於協調並調節裝置中之一或多個自動化處理步驟之PLC之一或多個控制器件控制系統。 在另一態樣中，描述一種回收選自由PCB、PCB組件、包括金之材料及其組合組成之群組之材料之程序，其中該程序有效地恢復再用大於約80%、較佳地大於約90%且最佳地大於約95%之含有PCB、PCB組件及包括金之材料中之金。程序包括在一金浸出模組(280)中使用一金浸出組合物從包括金之材料浸出金且在一SPT金移除模組(400)中使用一金移除組合物從一固體移除金，其中固體包括已經灰化、磨削及/或粉碎之包括金之材料，及視需要選自由以下組成之群組中之至少一個額外步驟： (a)在一板清理預備模組(220)中對PCB進行分揀，其中PCB經手動及/或自動分揀， (b)在一板清理預備模組(220)中移除PCB組件，其中手動及/或自動移除PCB組件， (c)在一板清理預備模組(220)中從PCB移除包括金之材料，其中PCB經分揀且手動及/或自動移除PCB組件及包括金之材料， (d)在一板清理模組(240)中使用熱及機械構件從PCB移除PCB組件及/或包括金之材料， (e)在一脫焊模組(260)中使用焊料移除組合物從PCB移除焊料、PCB組件及/或包括金之材料， (f)在一卑金屬移除模組(261)中使用一卑金屬移除組合物從PCB、PCB組件及/或包括金之材料移除卑金屬， (g)在一固體處理技術(SPT)熔爐模組中灰化PCB組件及/或包括金之材料以產生包括灰分之一固體， (h)在一SPT研磨模組(340)中磨削PCB組件及/或包括金之材料以產生包括經磨削材料之一固體， (i)在一SPT卑金屬移除模組(380)中使用一卑金屬移除組合物從固體移除至少一種卑金屬， (j)在一SPT銀浸出模組(420)中使用一銀移除組合物從固體移除銀， (k)(a)至(j)之任何組合，及 (l)(a)至(j)之每一程序， 其中程序在具有或不具有中介程序之情況下彼此串聯操作。較佳地，程序包含在一模組內自動或手動移動材料，及/或使用一移動構件在模組間自動或手動移動材料。可藉由包含但不限於協調並調節裝置中之一或多個自動化處理步驟之PLC之一或多個控制器件控制系統。 本文中描述之裝置及程序較佳地最佳化能量利用。舉例而言，裝置及程序可能依靠一閉合迴路能量系統來將來自能量產生者之能量(包含但不限於可在熱交換器中擷取之排氣中之熱、稀釋熱、放熱化學反應)傳遞至能量使用者(包含但不限於加熱組合物、加熱焊料、灰化材料、在吸熱程序期間維持溫度)。 整合式智慧系統及程序可一周七天、一天二十四小時連續(分批或以其他方式)操作，且處理一年80至3000公噸之電子廢料，其中金恢復再用效率為大約85%至大於99%的數量級。 本文中描述之包括一或多個模組之系統可包含「斷路器開關」能力，其中一基於乙太網路之控制系統(諸如SCADA)可在工作人員或環境處於危險中(包含但不限於曝露於有毒煙霧、失控化學反應、模組中之電腦或組件故障)之情況下關閉一模組或一模組內之一組件。 至少一個PLC及SCADA當存在時可用於以下內容之至少一者：資料處理；管理並控制(若干)模組；配方之儲存；摻合化學物；分離材料；資料歸檔及報告；控制電腦網路及系統；安全、效率、經濟及生態操作；維護；洩漏偵測及圍阻位置及必要之特殊要求；一變量之取樣及監測；及/或印刷生產報告。即時監測 為達成本文中描述之高金屬移除及恢復再用效率，可即時監測(若干)程序、(若干)模組、模組中之硬體、析出氣體、板、組件、固體、移除組合物、用於移除組合物之原材料、程序組合物及清洗液體、程序清洗液體且視需要可將獲取之資料發送至至少一個PLC以供分析及進一步動作。即時監測可在任何模組中之任何容器中、任何管線內、一程序中之任何點期間發生。舉例而言，其中使用一移除組合物從板、組件及/或一固體移除至少一種金屬之化學反應可被監測，藉此發生即時取樣且判定一或多種組分之一濃度。此允許電腦作出調整，使得移除組合物隨時間流逝保持一穩定濃度。替代地，一旦達成某一濃度，化學反應便可完成及/或移除組合物便可飽和及/或便可達到一結束點。類似地，清洗液體之即時取樣可發生，從而允許電腦判定清洗液體之狀態。往往必須調整一移除組合物或一清洗液體之pH且即時取樣允許此動作。同樣可對固體進行即時取樣。即時取樣亦確保若達成某一預指定臨限值，則工作人員及環境藉由接合「斷路器開關」而不處於危險中。此等僅係即時監測及取樣之優點之幾個實例。 即時監測可包含但不限於：溫度；壓力；液體及/或氣體洩漏偵測；及在混合、儲存、摻合、攪動、反應、恢復再用、重複使用、饋入及滲出、中和、緩衝、稀釋、pH調整、裝填、NOx抑制、過濾、分離、離心、沈澱、擴散滲析、樹脂基酸回收及金屬恢復再用、電解冶煉、廢水處理及/或再生期間之固體及/或液體中之化學成分及/或pH值及/或氧化還原電位及/或結束點及/或導電性之監測。監測之化學成分可為原始化學成分或包括至少一種化學成分之組合物。即時監測可在任何模組中之任何容器中、任何管線內、一程序中之任何點期間發生。同樣可即時監測程序硬體。可即時監測自任何模組析出之任何氣體。即時監測及分析可為線上、直接、間接、連續、排程及/或需要樣本製備。取樣可為手動或自動。判定濃度之解析分析可為手動或自動。可使用此項技術中已知之任何「解析技術」或「感測構件」(包含但不限於pH量測、原子吸收光譜法、原子發射光譜法、電感耦合電漿光譜法、電感耦合電漿光學發射光譜法、UV可見分光光度測定法、UV分光光度測定法、滴定法、紅外光譜法、溫控紅外光譜法、比色法、液相層析術、高效液相層析術、折射率感測器、光學感測器、化學感測器、電化學技術(例如，脈衝循環恆電流分析、多變量分析、恆電流、動電位)、循環伏安法、線性偏振、射頻識別，及一般技術者已知量測化學濃度之任何其他技術)來判定濃度。 較佳地即時監測下文描述之每一模組。預備 BCM 處理 需要回收及再利用之印刷電路板可包含組件及雜件，其等應在進一步處理之前自PCB移除以實現分別處理PCB及PCB組件，以便增大整個回收及再利用程序之效率。此外，藉由移除一些PCB組件及雜件，藉由減小所使用化學品之體積、廢料流以及操作(即，實用性)及設備(即，交換器、滌氣器及廢水處理)成本而減少對環境之影響。此外，一些PCB組件及雜件將污染移除組合物且因而，必須在進一步處理之前自PCB移除。熟習此項技術者應理解，可手動及/或自動移除PCB組件及其他雜件。 在圖3中展示通用化預備BCM程序(220)之一示意圖。PCB可根據類型、大小、重量(例如，主機板、筆記型電腦板、TV板、伺服器板、硬碟機板、SCSI卡、記憶體板及智慧型電話)而手動或自動分揀成諸批次，此係因為每一類型之PCB含有不同組件及不同金屬含量且因而，可能需要為了最大效率而經不同處理。自動分揀構件包含偵測PCB及PCB組件中之金屬之構件，包含但不限於x射線偵測、真空技術及產生磁渦流。廢棄不具有貴金屬之任何PCB。在分揀後，應移除無價值之特定雜件(例如，大塑膠及金屬零件(即，鐵件))(「PCB製備」)。可手動或自動或藉由該兩者之一組合移除此等雜件。許多此等雜件被擰或拴至板上且因而，需要使用螺絲起子來移除此等雜件。替代地，可能必需熱槍或磨削機來移除此等大塑膠及金屬雜件，此係因為其等黏附至板。可使用剃刀及鑷子來移除貼紙。可(例如)使用熱槍、鑷子、切割構件及/或鉗子而自板容易地移除之含有金之晶片、微型組件、連接器及/或金指狀物應被移除且分揀。舉例而言，可藉由包含但不限於剪切、鋸切、電漿切割、水射流切割、氧乙炔切割、雷射切割及放電加工之切割構件移除金指狀物。具有可見表面污垢或粉塵之PCB較佳地(舉例而言)在浸漬槽、輸送機噴塗系統或其等效物中清洗，且在進一步處理之前乾燥。推薦安全通風，例如，具有滌氣器之通風櫥。 繼分離之後，為了最大效率，可將PCB及已自其移除之任何可回收PCB組件分揀成諸批次以供進一步處理。舉例而言，PCB可仍具有可回收PCB組件，例如，表面安裝晶片及微型組件，其等可被發送至一BCM及/或一脫焊(DS)模組，該BCM及/或脫焊(DS)模組包括從PCB及PCB組件移除PCB組件(可回收及以其他方式)及焊料之剩餘部分之構件。可將已被移除之金指狀物及含有金之連接器發送至脫焊(DS)模組及/或金浸出(GL)模組，其中GL模組包括恢復再用來自該等指狀物及連接器之金之構件。已與一PCB分離或將與一PCB分離之任何可回收PCB組件(例如，IC晶片及微型組件)可經手動或自動收集且可被發送至一固體處理技術(SPT)熔爐模組、SPT研磨模組(340)及/或SPT工具模組(360)，其中SPT熔爐模組(320)包括用以灰化組件之一熔爐，SPT研磨模組(340)包含一磨削或研磨構件，且SPT工具模組(360)包括用於自經灰化及磨削/研磨組件移除卑金屬及貴金屬之一系列個別模組。為監測金屬移除效率，PCB及任何可回收PCB組件較佳地在進入預備BCM中後且在自各自批次中之預備BCM退出後旋即稱重。 在一個態樣中，描述一種製備用於金屬再利用及恢復再用之印刷電路板之程序，該程序包括： (a)基於以下內容之一或多者而將PCB及PCB組件分揀成諸批次：不具有貴金屬價值之PCB (批次1)；可直接發送至一板清理模組(240) (BCM)以自其移除PCB組件之PCB (批次2)；需要在BCM之前處理之PCB (批次3)，晶片及微型組件(批次4)，及可直接發送至一脫焊模組之PCB及PCB組件(批次5)； (b)自批次3之PCB移除雜件及PCB組件，其中將雜件及PCB組件分揀為批次1、批次4或批次5之任一者；及 (c)視需要自批次3之PCB移除金指狀物， 其中可在一固體處理技術平台中進一步處理批次4，可在一脫焊模組(260)或一金浸出模組(280)中進一步處理金指狀物，處理批次1之PCB，在BCM中進一步處理批次2中之PCB以自PCB移除PCB組件，且在BCM中進一步處理步驟(b)及(c)後剩餘之批次3之PCB以自PCB移除PCB組件。BCM 在易於移除PCB組件及雜件之初始手動及/或自動分離之後，PCB將可能仍具有藉由一接合劑(例如，焊料、黏著劑、膠水及/或環氧樹脂)附接至PCB之PCB組件(可回收及以其他方式)。自PCB移除PCB組件之一個方式係使用焊料移除組合物，然而，為最大化焊料移除組合物之效率，較佳地實質上藉由加熱、機械及/或物理構件(下文稱為一板清理模組(240)(BCM))移除PCB組件。藉由加熱、機械及/或物理構件之「PCB組件之實質上移除」對應於至少85%、較佳地至少90%之PCB組件及雜件之移除。 PCB組件通常使用焊料附接至PCB之表面。電子焊料通常係三種類型之一者：一鉛合金焊料、一無鉛焊料或一銀合金焊料。鉛合金焊料係由錫及鉛之一合金製成、有時同樣具有其他金屬之焊料。鉛合金焊料往往以其合金比率(諸如60/40或63/37 (w/w Sn/Pb))為參考。鉛合金焊料數十年來一直係用於電子器件中之標準焊料，但與鉛相關聯之健康問題導致拋棄基於鉛之焊料。最受歡迎的無鉛合金之一者係具有96.5%錫、3%銀及0.5%銅之一96.5/3/0.5合金。銀合金焊料可為無鉛或與鉛組合，舉例而言，具有2%銀、62%錫及36%鉛之62/36/2合金焊料。當前，PCB組件移除涉及將焊料加熱至熔解溫度，藉此經脫離組件與PCB分離且收集液體焊料。應用於回收PCB之此方法具有許多缺點，其包含但不限於鉛及錫係低揮發性金屬且此加熱及熔解將對環境空氣產生一高位準之污染排放且液體焊料不便於收集。 本文中描述之BCM包含「加熱構件」，其包含但不限於利用紅外線加熱、電阻加熱線圈、傳熱流體、流體/蒸汽熱交換器之分批烘箱或其等效物，其等可用來將PCB及因此焊料加熱至其中焊料軟化之一溫度，藉此實現使用機械及/或物理構件自PCB機械移除PCB組件。在一尤佳實施例中，將PCB維持在特定焊料、環氧樹脂、膠水及/或其他黏著構件之熔點以下至少1℃至約30℃。BCM包含如本文中描述之移動構件以將PCB及PCB組件移動穿過BCM。機械及/或物理構件能夠確保PCB組件自PCB之實質上移除發生且可經收集以供進一步處理。預期之機械及/或物理構件包含但不限於切割刀片、研磨材料(例如，包括氧化鋁、碳化矽、碳化鎢或石榴石之經接合材料，或諸如砂紙之經塗佈材料)、磨削機、滾筒、經加熱氣刀、振動力、刷子、耙子或刮刀、鑽機(具有速度控制及/或可變速度)、高壓氣體、高壓液體、傳熱流體、超臨界流體、鐵錘、手或任何其他構件，藉此一旦焊料、環氧樹脂、膠水及/或其他黏著構件軟化，便從PCB機械及/或物理移除PCB組件。應瞭解，雖然重力並非一機械構件，但組件可由於重力所致而自PCB掉落。由於污染排放之風險，故BCM模組(240)應具有適當通風及滌氣。較佳地，BCM模組(240)進一步包括裝納構件，使得可在通過加熱、機械及/或物理構件後收集PCB組件及PCB。 在以Tianniu CHEN等人之名義在2011年4月15日申請且標題為「Apparatus and Method for Stripping Solder Metals During the Recycling of Waste Electrical and Electronic Equipment」之國際專利申請案第PCT/US2012/069404號中描述一已知BCM之一實例，該申請案之全部內容據此以引用的方式併入本文中。在以Cheng-yang Hsieh之名義在2014年5月9日申請且標題為「Electronic Component Removal Apparatus for a Circuit Board」之美國專利申請案第14/273,797號中描述一已知BCM之另一實例，該申請案之全部內容據此以引用的方式併入本文中。 在以James R. Moltion之名義在2010年4月27日發佈且標題為「Process for Depopulating a Circuit Board」之美國專利第7,703,197號中描述一已知BCM之另一實例，該專利之全部內容據此以引用的方式併入本文中。7,703,197專利係關於一種用於移除焊接至一PCB之一物項之裝置。該裝置包括：一運送機構，其經構形以將一PCB自裝置之一PCB入口載送至裝置之一PCB出口；一速度控制件，其耦合至運送機構以控制PCB之一行進速度；一熱源，其經構形以依比應用於PCB之一板組件之加熱速率更高之一加熱速率加熱焊料；一熱源控制件，其耦合至熱源以控制焊料之一加熱速率；一振動器，其經構形以將機械力施加於位於裝置之PCB入口與裝置之PCB出口之間之PCB；一振動器控制件，其控制施加於PCB之機械力之一振幅；及一傾斜表面，其經構形以捕獲與PCB斷開之至少一個物項且在重力之影響下將斷開物項運送至一第一收集位置。 藉由移動構件將待在BCM中處理之PCB運送至BCM。可藉由一PLC控制移動構件。在一項實施例中，一批PCB經自動運送至BCM以供處理。批次可包括(例如)在一容器中分別或一起輸送至BCM之一系列PCB。PCB可手動或自動、藉由裝載構件(例如，一滑槽或料斗)或裝載至一輸送機或其他移動構件上而分別或分批裝載至BCM中。 繼通過BCM之後，PCB及PCB組件可再次手動或自動分揀，且發送至本文中描述之一或多個模組。舉例而言，含有金之PCB、仍附接PCB組件之PCB、IC及微型組件及塑膠連接器可發送至DS模組(260)以移除焊料及/或剩餘PCB組件。不含貴金屬之PCB可自進一步處理移除。含有金之PCB、仍附接PCB組件之PCB、IC及微型組件及塑膠連接器可依大小進行分揀且分成批次以在進一步處理期間使效率最大化。在一項實施例中，分揀及/或分離可使用振動構件、攪動構件、攪拌、混合、轉筒篩、滾動分揀機或依類型及/或大小對含有金之PCB、仍附接PCB組件之PCB、IC及微型組件及塑膠連接器進行分揀且將類似大小之物質輸送至一容器及/或移動構件之任何其他分揀構件手動或自動發生。「振動構件」包含但不限於振動網篩及振動濾網。在一項實施例中，包括諸物質之容器經稱重且在容器達到一預定重量時，使用一移動構件將容器手動或自動輸送至DS模組(260)。 應瞭解，可在無雜件之初始移除之情況下將待回收且再利用之PCB直接引入至一BCM，然而，PCB上之貼紙將可能堵塞機械構件及/或燒毀。此外，擰至PCB之雜件將仍必須以某種方式移除。另外，取決於PCB之類型或製造PCB之位置，可使用不同種類之焊料，其可能需要不同處理條件，例如，一不同軟化溫度。 為監測金屬移除效率，PCB及任何可回收PCB組件較佳地在於各自批次中進入BCM中後及/或自BCM退出後旋即稱重。此外，較佳地即時監測BCM (舉例而言)以確保程序之溫度不超過基於處理之PCB之批次之一規定臨限值。此外，應監測析出氣體以確保工作人員及環境安全。預期BCM模組(240)之額外即時監測，其包含但不限於硬體及軟體之監測。 在一個態樣中，描述自PCB移除組件之一板清理模組(240)(BCM)，該BCM包括： (a)加熱構件，其中升高溫度以軟化焊料、環氧樹脂、膠水及/或用來將一PCB組件連接至一PCB之其他黏著劑； (b)機械構件，其自PCB移除PCB組件， 其中機械構件選自由切割刀片、研磨材料、磨削機、滾筒、加熱氣刀、振動力、刷子、耙子、刮刀、鑽機、高壓氣體、高壓液體、傳熱流體、鐵錘及其任何組合組成之群組。 加熱構件內之溫度較佳地比焊料、環氧樹脂、膠水及/或其他黏著劑之熔解溫度低約1℃至30℃。一旦焊料軟化，機械構件便可自PCB移除PCB組件。BCM模組(240)可進一步包括以下內容之至少一者：裝納構件，其在自PCB移除PCB組件後收集PCB及PCB組件以供進一步處理；移動構件，其用於將PCB及PCB組件移動穿過BCM模組(240)；裝載構件，其用於將PCB引入至加熱及/或機械構件中；分揀構件，其用於將PCB及PCB組件分揀成(若干)批次；及其任何組合。 在另一態樣中，描述一種在一板清理模組(240)(BCM)中自PCB移除組件之程序，該程序包括： (a)加熱將組件連接至PCB之一接合劑，其中該接合劑藉由加熱至低於該接合劑之熔解溫度之一溫度而軟化； (b)一旦接合劑軟化，便使用機械構件自PCB移除組件，其中機械構件選自由切割刀片、研磨材料、磨削機、滾筒、加熱氣刀、振動力、刷子、耙子、刮刀、鑽機、高壓氣體、高壓液體、傳熱流體、鐵錘及其任何組合組成之群組。 接合劑可包括焊料、黏著劑、膠水及/或環氧樹脂之任一者。接合劑加熱至之溫度較佳地比該接合劑之熔解溫度低約1℃至30℃。機械構件可選自由切割刀片、研磨材料、磨削機、滾筒、加熱氣刀、振動力、刷子、耙子、刮刀、鑽機、高壓氣體、高壓液體、傳熱流體、鐵錘及其任何組合組成之群組。在BCM中自PCB移除組件之程序可進一步包括以下內容之至少一者：將PCB及PCB組件接納在BCM模組中；在自PCB移除PCB組件後將PCB及PCB組件收集在一裝納構件中；使用移動構件將PCB及PCB組件移動穿過BCM模組(240)；使用裝載構件將PCB引入至加熱及/或機械構件中；使用分揀構件將PCB及PCB組件手動及/或自動分揀成(若干)批次；將(若干)批次手動及/或自動移動/傳遞至一或多個模組；及其任何組合。脫焊模組 雖然可將待回收或再利用之板直接發送至一脫焊(DS)模組(260)，但熟習此項技術者應理解，組件及其他雜件在預備BCM (220)中或在BCM模組(240)中之任何手動、自動移除增大整個脫焊程序之效率。明確言之，一脫焊模組(260)依靠焊料移除組合物且使所需化學品以及後端上之廢料流之總量最小化係有利的。此外，在無一些預備BCM及BCM移除之情況下，存在一些材料將發送至脫焊模組(260)之風險，其將污染焊料移除組合物。相應地，進入脫焊模組(260)之PCB、PCB組件或該兩者較佳地已經歷預備BCM及BCM處理，或其一等效物，以確保已移除絕大多數組件及其他雜件。替代地，進入脫焊模組(260)之PCB、PCB組件或該兩者可能已經歷預備BCM處理或其等效物。在其另一替代例中，進入脫焊模組(260)之PCB、PCB組件或該兩者可能已經歷BCM處理或其一等效物以確保已移除絕大多數PCB組件及其他雜件。 在國際專利申請案第PCT/US2012/069404號中描述一已知脫焊模組(260)及已知焊料移除組合物之一實例。此外，在以André Brosseau等人之名義在2011年4月15日申請且標題為「Method for Recycling of Obsolete Printed Circuit Boards」之國際專利申請案第PCT/US2011/032675號中描述已知焊料移除組合物，該申請案之全部內容據此以引用的方式併入本文中。 進入DS模組(260)之PCB、PCB組件或該兩者(例如，連接器、IC晶片、微型組件)可具有附接至其之焊料、組件或該兩者。脫焊模組(260)採用焊料移除組合物(專屬或商業上已知)從板及組件移除焊料。DS模組可包含將PCB、PCB組件或該兩者曝露於焊料移除組合物以實行焊料自其之化學移除之任何裝置。可以任何適合方式(例如，藉由將焊料移除組合物噴塗在PCB、PCB組件或該兩者上、藉由將PCB、PCB組件或該兩者浸漬在一定體積之焊料移除組合物中、藉由使PCB、PCB組件或該兩者與具有吸附於其上之焊料移除組合物之另一材料(例如，一襯墊，或纖維吸附劑施用器元件)接觸、藉由使PCB、PCB組件或該兩者與一再循環焊料移除組合物接觸，或藉由使焊料移除組合物與PCB、PCB組件或該兩者接觸之任何其他適合構件、方式或技術)實行PCB、PCB組件或該兩者曝露於焊料移除組合物。在一較佳實施例中，將PCB、PCB組件或該兩者浸漬在一裝納構件中之一定體積之焊料移除組合物中，其中PCB、PCB組件或該兩者完全或部分浸沒在焊料移除組合物中。DS模組可進一步包含用於移動及/或攪動焊料移除組合物及/或PCB、PCB組件或該兩者之構件，其等輔助自PCB移除焊料及/或組件。 在一項實施例中，DS模組包括一或多個化學焊料移除容器、視需要一或多個帶出容器、視需要一或多個清洗容器；及視需要一或多個乾燥容器。在一項實施例中，DS模組包括一或多個化學焊料移除容器；一或多個清洗容器；視需要一或多個帶出容器；及視需要一或多個乾燥容器。在另一實施例中，DS模組包括一或多個化學焊料移除容器；一或多個帶出容器；一或多個清洗容器；及視需要一或多個乾燥容器。在其另一實施例中，DS模組包括一或多個化學焊料移除容器；一或多個清洗容器；一或多個乾燥容器；及視需要一或多個帶出容器。在又另一實施例中，DS模組包括一或多個化學焊料移除容器；一或多個帶出容器；一或多個清洗容器；及一或多個乾燥容器。PCB、PCB組件或該兩者自一個容器自動或手動、個別地或分批地移動至下一容器。在一項實施例中，PCB、PCB組件或該兩者自一化學焊料移除容器手動或自動、個別地或分批地移動至一清洗容器。在另一實施例中，PCB、PCB組件或該兩者自一化學焊料移除容器手動或自動、個別地或分批地移動至一帶出容器至一清洗容器。在又另一實施例中，PCB、PCB組件或該兩者自一化學焊料移除容器手動或自動、個別地或分批地移動至一清洗容器至一帶出容器。在其另一實施例中，PCB、PCB組件或該兩者自一化學焊料移除容器手動或自動、個別地或分批地移動至一清洗容器至一乾燥容器。在又另一實施例中，PCB、PCB組件或該兩者自一化學焊料移除容器手動或自動、個別地或分批地移動至一帶出容器至一清洗容器至一乾燥容器。如本文中所定義，PCB、PCB組件或該兩者經由移動構件逐個容器地移動穿過模組。在一項實施例中，將PCB、PCB組件或該兩者裝載在可插入一或多個容器中之一滾筒中。出於此模組之目的，「乾燥容器」不一定係如本文中定義之一容器，而可包括乾燥PCB、PCB組件或該兩者之構件，其包含但不限於吹氣、吹熱氣、按高rpms旋轉容器及/或振動構件。 舉例而言，可藉由如本文中定義之任何裝載構件(舉例而言，滑槽、輸送機、手動、起重機或捲揚機，或其任何組合)將PCB、PCB組件或該兩者(262)手動或自動引入至一裝納構件。在一項實施例中，裝納構件包括一或多個槽、滾筒、籃、桶及/或以上之組合。在一較佳實施例中，將PCB、PCB組件或該兩者手動或自動裝載至一或多個滾筒中。 在一項實施例中，舉例而言，如圖4中所展示，DS模組包括：一滾筒管線，其包括一槽(DS槽1 (264)或DS槽2 (266))，該槽包括焊料移除組合物；視需要一帶出槽(268)；清洗槽1 (270)；視需要清洗槽2 (272)；及視需要一乾燥槽(274)。一滾筒(500)儲存PCB、PCB組件或該兩者，且允許焊料移除組合物(在DS槽1 (264)及DS槽2 (266)中)及清洗液體(在清洗槽1 (270)及清洗槽2 (272)中)進入滾筒以供溶解/增溶及清洗，以及在排水、帶出及乾燥期間退出滾筒。在一項實施例中，模組包括DS槽1及/或DS槽2、一帶出槽、清洗槽1、清洗槽2及一乾燥槽。預期槽之其他組合。較佳地，清洗液體包括水。每一槽具有裝納滾筒以及焊料移除組合物或清洗液體之體積容量。 較佳地，使用如本文中定義之攪動構件連續攪動DS槽1 (264)或DS槽2 (266)、清洗槽1 (270)及清洗槽2 (272)。DS槽1或2中之焊料移除組合物，及清洗槽1及清洗槽2中之清洗液體可連續再循環。當使用再循環時，過濾器可能係必需的，以在組合物或清洗劑再進入槽中之前剔除微粒。DS槽1及DS槽2中之焊料移除組合物之一或多種化學成分之濃度調整可基於即時取樣資料而發生以延長焊料移除組合物之壽命。使用帶出槽(268)來擷取焊料移除組合物以在用清洗劑稀釋之前重複使用。相應地，帶出槽(268)可用來(例如)使用離心、高壓空氣、重力、搖動、旋轉、振動及/或用來自清洗槽1之清洗液體快速清洗以增強移除組合物之擷取。清洗槽1係可重複使用之清洗液體，但當其對於有效清洗不再可行時，清洗槽1中之清洗液體可移動至廢水處理。當此發生時，來自清洗槽2之清洗液體可移動至清洗槽1以供更多清洗，且清洗槽2充滿新鮮清洗液體。週期性地，可能需取決於(若干)槽之設計而清潔DS槽1或2、清洗槽1及清洗槽2以移除已在焊料移除處理期間下沉至槽之底部之沈澱物及組分。較佳地藉由一PLC控制DS模組以確保工作人員安全及環境規則相符性。 在圖8中展示脫焊模組(260)之一滾筒管線系統之一實例，其中展示六個槽，四個槽具有裝納於其中之滾筒。如下文介紹，一裝載系統(271)(例如，一滾筒裝載系統)降低並從槽移除滾筒，藉此滾筒裝載系統能夠旋轉滾筒以及提供一角度至滾筒。可按一角度(舉例而言，相對於法線之至多±20°之任何角度)處理滾筒，此可藉由參考圖7而更好地理解。替代地，滾筒可在開口端向上(未展示)之情況下定位成相對於法線之90°。熟習此項技術者應理解，多個滾筒可同時通過系統及程序。實務上，DS槽1 (264)及DS槽2 (266)充滿焊料移除組合物且清洗槽1 (270)及清洗槽2 (272)充滿清洗液體。裝納PCB、PCB組件或該兩者之一滾筒完全或部分浸沒在DS槽1 (264)及/或DS槽2 (266)中，且視需要在槽(264、266)內依實行焊料之溶解所必需之時間及溫度旋轉(273)，舉例而言，達在從約1分鐘至約80分鐘、較佳地約10分鐘至約40分鐘之一範圍中之時間，在從約室溫至約80℃、較佳地約30℃至約60℃之一範圍中之溫度下。如圖8中所展示，如熟習此項技術者所理解，滾筒可取決於機構而自頂部、底部或自側(未展示)旋轉。其後，將滾筒移動(例如，使用一滾筒裝載系統(271)，其在圖8中描繪為能夠依箭頭A在槽間移動以及依箭頭B在一槽內上下移動)至帶出槽(268)以擷取任何過量焊料移除組合物以供在DS槽1 (264)或DS槽2 (266)中重複使用。接著，將滾筒移動至清洗槽1 (270)，完全或部分浸沒在槽內且視需要在槽內旋轉，達實行一第一清洗所必需之時間，舉例而言，達在自約1分鐘至約30分鐘、較佳地約1分鐘至約10分鐘之一範圍中之時間。接著，將滾筒移動至清洗槽2 (272)，完全或部分浸沒在槽內且視需要在槽內依實行一第二清洗所必需之時間旋轉，舉例而言，達在自約1分鐘至約30分鐘、較佳地約1分鐘至約10分鐘之一範圍中之時間。其後，可將滾筒移動至一乾燥槽(274)以乾燥裝納在其中之板及組件。如先前所描述，乾燥槽不一定必須係一槽，而可包括乾燥PCB、PCB組件或該兩者之構件，其包含但不限於吹氣、吹熱氣、按高rpms旋轉容器及/或振動構件。全部槽經較佳地覆蓋(275)以使蒸發最小化，例如，槽可被包括在一或多個外殼中。如熟習此項技術者將理解，滾筒(500)、槽(264、266、268、270、272、274)及饋入槽之全部管線(例如，277)較佳地由與使用之焊料移除組合物及溫度相容之材料構造，且槽(264、266、268、270、272、274)亦可包含加熱/冷卻構件(未展示)、空氣輸入(未展示)、感測構件及/或通風構件(279)。應瞭解，全部槽(264、266、268、270、272、274)可包含輸入/輸出管線277之至少一者且圖8中之輸入/輸出管線277之描繪並非旨在限制替代實施例。舉例而言，可能存在進入槽中之一個、兩個、三個、四個或四個以上輸入/輸出管線。通風構件(例如，276)可包含任何化學煙霧之凝結以作為一可行液體以及監測再引入回至模組中以確保人員之安全。可將整個模組裝納於一殼體(278)內。較佳地藉由一PLC控制模組以確保工作人員安全及環境規則相符性。 如熟習此項技術者易辨別，一旦焊料移除組合物飽和，該焊料移除組合物便可經發送以供後DS處理。後處理可包含化學再利用、再生或(若干)金屬分離之一或多者，藉此可使用諸如擴散滲析(DD)、鉛電解冶煉(EW)、樹脂基酸回收及金屬恢復再用或此等之任何組合之技術。在後DS處理之後，一些焊料移除組合物可經再利用且返回以摻合新鮮焊料移除組合物。可將剩餘物發送至廢水處理。可替代地使用一「饋入及滲出」程序，其中將乾淨焊料移除組合物週期性地引入至工作焊料移除組合物，其中同時撤回一些工作焊料移除組合物以供後續處理。 在DS模組(260)中處理之後，可手動或自動卸載滾筒，使得PCB、PCB組件或該兩者可經分離以供進一步處理，如基於PCB、PCB組件或該兩者適當地(例如，參見圖3)。舉例而言：可將晶片及微型組件發送至SPT熔爐模組(320)、SPT研磨模組(340)或SPT工具模組(360)；可將具有貴金屬價值之任何事物(諸如記憶體板、金指狀物及連接器)發送至金浸出(GL)模組(280)；且剩餘板可在內部(例如，在卑金屬移除模組中)或在場外進行收集且進一步處理。分離可使用振動構件、攪動構件、攪拌、混合、轉筒篩、搖動台、過濾器或分離在DS處理之後退出滾筒之PCB、PCB組件或該兩者之任何其他分揀構件手動或自動發生。在一項實施例中，對PCB、PCB組件或該兩者進行分揀，藉此將IC及微型組件發送至SPT熔爐模組(320)、SPT研磨模組(340)、SPT工具模組(360)或以上之任何兩者或全部三者。金指狀物、塑膠連接器及記憶體板可經分揀且發送至GL模組(280)。 替代地，在DS模組(260)中處理之後，若正處理之PCB/組件包括一批塑膠連接器，則滾筒未被卸載且代替地被引導至一金浸出模組(280)，如下文所描述。 雖然不希望被數字束縛，但一DS模組(260)已按比例建置且較佳地可處理大於100 kg/h之PCB、塑膠連接器、IC及微型組件，較佳地大於150 kg/h，且最佳地大於200 kg/h。 較佳地藉由PLC控制DS模組(260)且當較佳地先前分揀成諸批次之PCB、PCB組件或該兩者進入DS程序流時選擇特定配方。如上文所論述，將即時監測DS模組(260)，其中可至少每一個小時對DS槽1及DS槽2兩者中之焊料移除組合物進行取樣且判定化學化合物之濃度，其中可至少每三個小時對清洗水槽1及清洗水槽2兩者中之清洗水進行取樣，且其中可至少每一個小時對PCB進行取樣且在固體材料消解之後判定特定化學品之濃度，如熟習此項技術者容易地理解。此外，監測析出之氣體及DS模組(260)之全部硬體以確保模組正有效且安全地工作。預期DS模組(260)之額外即時監測，其包含但不限於硬體及軟體之監測。 應瞭解，本文中描述之實施例僅係設想之一項實施例。代替一滾筒，PCB、PCB組件或該兩者可藉由一些其他裝納及移動構件在槽間移動而無論手動或自動地。替代地，板及/或組件可裝載至一槽中且可遵從圖4中圖解說明之程序流，藉此PCB、PCB組件或該兩者未自槽移除，直至圖4之程序流完成。在此實例中，焊料移除組合物及清洗液體經引入至槽且接著自槽移除。舉例而言，可將焊料移除組合物引入至包括PCB、PCB組件或該兩者之槽，其中在焊料移除之後自槽移除焊料移除組合物，但PCB、PCB組件或該兩者留在槽中。其後，帶出或其等效物可發生，接著進行將一第一清洗液體引入至槽且在第一清洗之後移除第一清洗液體，及將一第二清洗液體引入至槽且在第二清洗之後移除第二清洗液體。其後，可視需要乾燥PCB、PCB組件或該兩者。熟習此項技術者可設想其他實施例。 在一個態樣中，描述自PCB、PCB組件或該兩者移除焊料、PCB組件或該兩者之一脫焊(DS)模組(260)，該DS模組(260)包括： 一系統，其至少包括至少一個焊料移除槽、至少一個帶出槽及至少一個清洗槽，其中每一槽具有將一裝納構件(例如，滾筒)裝納於其中之體積容量， 其中系統包括移動構件以在槽間移動裝納構件(例如，滾筒)，例如，自至少一個焊料移除槽至至少一個帶出槽至至少一個清洗槽或自PCB、PCB組件或該兩者移除焊料、PCB組件或該兩者所必需之任何其他順序。實務上，PCB、PCB組件或該兩者經手動或自動引入至裝納構件(例如，滾筒)以供處理。裝納構件(例如，滾筒)可使用移動構件在槽間連續移動，以裝納構件(例如，滾筒)完全或部分浸沒在至少一個焊料移除槽及至少一個清洗槽中完成。至少一個焊料移除槽可包括焊料移除組合物。每一槽可包括以下內容之一或多者：攪動構件；至少一個過濾器；即時取樣及調整；使蒸發最小化之一封蓋；加熱/冷卻構件；空氣輸入；感測構件；通風構件；及其任何組合。系統可進一步包括至少一個乾燥槽。可藉由一PLC控制DS模組(260)。 在另一態樣中，描述一種自PCB、PCB組件或該兩者移除焊料、PCB組件或該兩者之程序，該程序包括： (a)將PCB、PCB組件或該兩者裝載至一裝納構件(例如，滾筒)中； (b)使用一系統自PCB、PCB組件或該兩者移除焊料、PCB組件或該兩者，其中系統至少包括至少一個焊料移除槽、至少一個帶出槽及至少一個清洗槽， 其中每一槽具有將一裝納構件(例如，滾筒)裝納於其中之體積容量，其中系統包括移動構件以在槽間移動裝納構件(例如，滾筒)，例如，自至少一個焊料移除槽至至少一個帶出槽至至少一個清洗槽或自PCB、PCB組件或該兩者移除焊料、PCB組件或該兩者所必需之任何其他順序。 裝納構件(例如，滾筒)可使用移動構件在槽間連續移動，以裝納構件(例如，滾筒)完全或部分浸沒在至少一個焊料移除槽及至少一個清洗槽中完成。每一槽可包括以下內容之一或多者：攪動構件；至少一個過濾器；即時取樣及調整；使蒸發最小化之一封蓋；加熱/冷卻構件；空氣輸入；感測構件；通風構件；及其任何組合。系統可進一步包括至少一個乾燥槽。裝納構件(例如，滾筒)可在自約室溫至約80℃、較佳地約30℃至約60℃之一範圍中之溫度下完全或部分浸沒在包括焊料移除組合物之至少一個焊料移除槽中達在自約1分鐘至約80分鐘、較佳地約10分鐘至約40分鐘之一範圍中之時間。裝納構件(例如，滾筒)可完全或部分浸沒在至少一個清洗槽中達在自約1分鐘至約30分鐘、較佳地約1分鐘至約10分鐘之一範圍中之時間。可藉由一PLC控制DS模組(260)且自PCB、PCB組件或該兩者移除焊料、PCB組件或該兩者之程序可經受特定於正處理之內容之一配方，如藉由PLC所規定。滾筒及滾筒裝載系統 在圖5及圖6中展示滾筒(500)之兩個實例。滾筒(500)包括：一第一末端，其中具有一開口以接納PCB、PCB組件或該兩者；一第二末端；及一側壁，其將第一末端連接至第二末端。滾筒可沿著其長度在直徑上變化且可視需要包含至少一個內部「鰭片」(502)，使得PCB、PCB組件或該兩者在滾筒內隨著旋轉發生而攪動。滾筒(500)可為一個單件或可包括至少兩個件，該兩個件可(例如)使用閂鎖、螺母及螺栓及/或鉤扣附接在一起，但亦出於維修目的而分離。有利地，當滾筒包括至少兩個件時，該等件可經構形以允許不同大小滾筒之組裝。滾筒(500)較佳地經定尺寸且塑形以允許移除組合物通過且確保內部裝納之PCB及/或PCB組件之完全混合及完全化學曝露。舉例而言，滾筒(500)可具有客製化曲線、穿孔、葉片、客製化流體通道及彎槽，其等充當「迷你泵」，該「迷你泵」確保貫穿滾筒之內部之更好化學品傳遞，特別地在滾筒旋轉期間。一些組件極輕且將漂浮在液體之表面上且因而，滾筒可具有內部特徵部(諸如鰭片)以輔助將此等組件浸沒在移除組合物中。滾筒(500)可包含經定尺寸以允許移除組合物及清洗劑進入滾筒之至少一個孔或開口。舉例而言，滾筒(500)可包括用於板裝載之一個開口端(504)，其消除一門之成本及可靠性問題，但可包含一門或網篩，其中門或網篩不約束移除組合物或清洗劑之流量但將板及組件保留在滾筒中，如熟習此項技術者容易地理解。滾筒較佳地由聚偏二氟乙烯(PVDF)及或聚丙烯(PP)材料製造。熟習此項技術者應瞭解，圖5及圖6中描繪之滾筒之形狀及結構並非旨在以任何方式限制滾筒。本文中預期設計成替代形狀及結構之滾筒。 關於裝載系統(271)，例如，一滾筒裝載系統，其可經調適以供手動或自動處置及/或在槽間手動或自動移動至少一個裝納構件，例如，插入至一槽中及自一槽移除。此外，裝載系統可經調適以手動或自動旋轉或轉動裝納構件以及將裝納構件手動或自動移動至相對於法線之任何角度。較佳地，裝納構件(即，滾筒)使用一變速驅動器旋轉360°或更少。舉例而言，可按一角度(舉例而言，相對於法線之至多±20°之任何角度)處理裝納構件(即，滾筒)，此可藉由參考圖7而更好地理解。替代地，裝納構件(即，滾筒)可在第一末端向上(未展示)之情況下定位成相對於法線之90°。在一較佳實施例中，裝納構件包括一滾筒。裝載系統自第一末端、第二末端或側壁較佳地支撐裝納構件(即，滾筒)。裝載系統可包括移動構件之一或多者，如本文中所描述，較佳地機械臂、裝載臂、垂直提升導件、台架及其組合。裝載系統經設計以提供攪動至裝納構件(即，滾筒)，舉例而言，藉由按需要在槽內以及在槽上方旋轉、振動及/或搖動滾筒以實行化學金屬移除、帶出、清洗及/或乾燥。替代地，使用如本文中定義之攪動構件來實行裝納構件之攪動。此外，裝載系統及裝納構件經設計以循環移除組合物。 圖7圖解說明滾筒裝載系統之一實施例，其中可根據箭頭B升高及/或降低滾筒(500)。此外，滾筒可相對於法線(其按0°之一角度展示)成角度。圖8展示如何藉由滾筒裝載系統拾取裝納PCB、PCB組件或該兩者之一滾筒。在一項實施例中，包括諸如一裝載叉或托架臂之至少一個耦合器件之一台架可沿著其第一末端、第二末端及/或側壁耦合至滾筒且一或多個移動構件(例如，提升器件)將滾筒載送及/或移動至一位置以供透過一模組處理。 在沿著滾筒管線之多個位置或「站」(包含滾筒填充站、進入及輸出槽以及滾筒儲存、乾燥及帶出站及滾筒內容物傾卸站及滾筒清潔站)處，旋轉及或搖動滾筒係有益及所要的。此包含空滾筒以及填充PCB及/或PCB組件的滾筒。使用一馬達或引擎作為能量源，及與滾筒之直接齒輪、帶或摩擦接觸之任何組合，在方向(正向及/或反向)、速度及持續時間方面控制滾筒旋轉。操作者透過一電腦、可程式化控制器或驅動馬達之直接控制控制滾筒旋轉之各種態樣，其中意圖係每一「站」處在混合、乾燥、化學品消耗、蝕刻效率、零件分離、滾筒填充、清空及清潔方面使程序效率最大化。亦使用至滾筒驅動系統之功率之離散及快速瞬增來將振動及衝擊能量強加於滾筒及其內容物。 在一個態樣中，描述一種滾筒，該滾筒包括用於將PCB、PCB組件或該兩者裝納於其中之一殼體，其中該殼體包括以下內容之至少一者：至少一個孔，其用於允許一液體進入及退出滾筒；至少一個內部鰭片，其用於攪動裝納在滾筒內之PCB、PCB組件或該兩者；一旋轉驅動器；及其任何組合。卑金屬移除模組 在一項實施例中，在金浸出之前，卑金屬經移除使得用於金之後續處理更有效。退出脫焊模組(260)或其之一等效物之PCB、PCB組件或該兩者可在金浸出模組(280)之前發送至一卑金屬移除(BMR)(261)模組。替代地，退出BCM之具有可忽略焊料或不具有焊料之PCB、PCB組件或該兩者可在金浸出模組(280)之前經分揀且發送至一BMR模組(261)。在又另一替代例中，可使用BMR模組(261)來自在脫焊及/或金浸出之後不具有貴金屬價值之PCB、PCB組件或該兩者移除且恢復再用銅及其他卑金屬。 在國際專利申請案第PCT/US2012/069404號中描述一已知卑金屬移除模組(261)之一實例。此外，在以André Brosseau等人之名義在2011年4月15日申請且標題為「Method for Recycling of Obsolete Printed Circuit Boards」之國際專利申請案第PCT/US2011/032675號中描述已知卑金屬移除組合物，該申請案之全部內容據此以引用的方式併入本文中。 BMR模組(261)採用卑金屬移除組合物(專屬或商業上已知)從PCB、PCB組件或該兩者移除一或多種卑金屬。BMR模組可包含將PCB、PCB組件或該兩者曝露於一卑金屬移除組合物以實行至少一種卑金屬自其之化學移除之任何裝置。可以任何適合方式(例如，藉由將卑金屬移除組合物噴塗在PCB、PCB組件或該兩者上、藉由將PCB、PCB組件或該兩者浸漬在一定體積之卑金屬移除組合物中、藉由使PCB、PCB組件或該兩者與具有吸附於其上之卑金屬移除組合物之另一材料(例如，一襯墊，或纖維吸附劑施用器元件)接觸、藉由使PCB、PCB組件或該兩者與一再循環卑金屬移除組合物接觸，或藉由使卑金屬移除組合物與PCB、PCB組件或該兩者接觸之任何其他適合構件、方式或技術)實行PCB、PCB組件或該兩者曝露於卑金屬移除組合物。在一較佳實施例中，將PCB、PCB組件或該兩者浸漬在一裝納構件中之一定體積之卑金屬移除組合物中，其中PCB、PCB組件或該兩者完全或部分浸沒在卑金屬移除組合物中。BMR模組可進一步包含用於移動及/或攪動卑金屬移除組合物及/或PCB、PCB組件或該兩者之構件，其輔助自PCB、PCB組件或該兩者移除至少一種卑金屬。 在一項實施例中，BMR模組包括一或多個化學卑金屬移除容器、視需要一或多個帶出容器、視需要一或多個清洗容器；及視需要一或多個乾燥容器。在一項實施例中，BMR模組包括一或多個化學卑金屬移除容器；一或多個清洗容器；視需要一或多個帶出容器；及視需要一或多個乾燥容器。在另一實施例中，BMR模組包括一或多個化學卑金屬移除容器；一或多個帶出容器；一或多個清洗容器；及視需要一或多個乾燥容器。在其另一實施例中，BMR模組包括一或多個化學卑金屬移除容器；一或多個清洗容器；一或多個乾燥容器；及視需要一或多個帶出容器。在又另一實施例中，BMR模組包括一或多個化學卑金屬移除容器；一或多個帶出容器；一或多個清洗容器；及一或多個乾燥容器。PCB、PCB組件或該兩者自一個容器自動或手動、個別地或分批地移動至下一容器。在一項實施例中，PCB、PCB組件或該兩者自一化學卑金屬移除容器手動或自動、個別地或分批地移動至一清洗容器。在另一實施例中，PCB、PCB組件或該兩者自一化學卑金屬移除容器手動或自動、個別地或分批地移動至一帶出容器至一清洗容器。在又另一實施例中，PCB、PCB組件或該兩者自一化學卑金屬移除容器手動或自動、個別地或分批地移動至一清洗容器至一帶出容器。在其另一實施例中，PCB、PCB組件或該兩者自一化學卑金屬移除容器手動或自動、個別地或分批地移動至一清洗容器至一乾燥容器。在又另一實施例中，PCB、PCB組件或該兩者自一化學卑金屬移除容器手動或自動、個別地或分批地移動至一帶出容器至一清洗容器至一乾燥容器。如本文中所定義，PCB、PCB組件或該兩者經由移動構件逐個容器地移動穿過模組。在一項實施例中，將PCB、PCB組件或該兩者裝載在可插入一或多個容器中之一滾筒中。出於此模組之目的，「乾燥容器」不一定係如本文中定義之一容器，而可包括乾燥PCB、PCB組件或該兩者之構件，其包含但不限於吹氣、吹熱氣、按高rpms旋轉容器及/或振動構件。 舉例而言，可藉由如本文中定義之任何裝載構件(舉例而言，滑槽、輸送機、手動、起重機或捲揚機，或其任何組合)將PCB、PCB組件或該兩者手動或自動引入至一裝納構件。在一項實施例中，裝納構件包括一或多個槽、滾筒、籃、桶及/或以上之組合。在一較佳實施例中，將PCB、PCB組件或該兩者手動或自動裝載至一或多個滾筒中。 在一項實施例中，舉例而言，類似於圖4中展示之脫焊模組(260)，BMR模組包括一滾筒管線，其包括：一槽(BMR槽1或2)，其包括一卑金屬移除組合物；視需要一帶出槽；清洗槽1；視需要一清洗槽2；及視需要一乾燥槽。一滾筒儲存PCB、PCB組件或該兩者，且允許卑金屬移除組合物(在BMR槽1及2中)及清洗液體(在清洗槽1及清洗槽2中)進入滾筒以供溶解/增溶及清洗，以及在排水、帶出及乾燥期間退出滾筒。在一項實施例中，模組包括BMR槽1及/或BMR槽2、一帶出槽、清洗槽1、清洗槽2及一乾燥槽。預期槽之其他組合。較佳地，清洗液體包括水。每一槽具有裝納滾筒以及焊料移除組合物或清洗液體之體積容量。 較佳地，使用如本文中定義之攪動構件連續攪動BMR槽1或2、清洗槽1及清洗槽2。BMR槽1或2中之卑金屬移除組合物，及清洗槽1及清洗槽2中之清洗液體可連續再循環。當使用再循環時，過濾器可能係必需的，以在組合物或清洗劑再進入槽中之前剔除微粒。BMR槽1及BMR槽2中之卑金屬移除組合物之一或多種化學成分之濃度調整可基於即時取樣資料而發生以延長卑金屬移除組合物之壽命。使用帶出槽來擷取卑金屬移除組合物以在用清洗劑稀釋之前重複使用。相應地，可使用帶出槽來增強移除組合物之擷取，例如，使用離心、高壓空氣、重力、搖動、旋轉、振動及/或使用來自清洗槽1之清洗液體快速清洗。清洗槽1係可重複使用之清洗液體，但當其對於有效清洗不再可行時，清洗槽1中之清洗液體可移動至廢水處理。當此發生時，來自清洗槽2之清洗液體可移動至清洗槽1以供更多清洗，且清洗槽2充滿新鮮清洗液體。週期性地，可能需取決於(若干)槽之設計而清潔BMR槽1或2、清洗槽1及清洗槽2以移除已在卑金屬移除處理期間下沉至槽之底部之沈澱物及組分。較佳地藉由一PLC控制模組BMR以確保工作人員安全及環境規則相符性。 在圖8中展示BMR模組(261)之一滾筒管線系統之一實例，舉例而言如上文針對脫焊模組(260)所描述，其中展示六個槽，四個槽具有裝納於其中之滾筒。一裝載系統(271)(例如，一滾筒裝載系統)降低並從槽移除滾筒，藉此滾筒裝載系統能夠旋轉滾筒以及提供一角度至滾筒。可按一角度(舉例而言，相對於法線之至多±20°之任何角度)處理滾筒，此可藉由參考圖7而更好地理解。替代地，滾筒可在開口端向上(未展示)之情況下定位成相對於法線之90°。熟習此項技術者應理解，多個滾筒可同時通過系統及程序。實務上，BMR槽1及BMR槽2充滿卑金屬移除組合物且清洗槽1及清洗槽2充滿清洗液體。裝納PCB、PCB組件或該兩者之一滾筒完全或部分浸沒在BMR槽1及/或BMR槽2中，且視需要在槽內依實行至少一種卑金屬之溶解所必需之時間及溫度旋轉，舉例而言，達在從約1分鐘至約80分鐘、較佳地約10分鐘至約40分鐘之一範圍中之時間，在從約室溫至約80℃、較佳地約30℃至約60℃之一範圍中之溫度下。如圖8中所展示，如熟習此項技術者所理解，滾筒可取決於機構而自頂部、底部或自側(未展示)旋轉。其後，將滾筒移動(例如，使用一滾筒裝載系統，其在圖8中描繪為能夠在槽間移動(箭頭A)以及在一槽內上下移動(箭頭B))至帶出槽以擷取任何過量卑金屬移除組合物以供在BMR槽1或BMR槽2中重複使用。接著，將滾筒移動至清洗槽1，完全或部分浸沒且視需要在槽內旋轉，達實行一第一清洗所必需之時間，舉例而言，達在自約1分鐘至約30分鐘、較佳地約1分鐘至約10分鐘之一範圍中之時間。接著，將滾筒移動至清洗槽2，完全或部分浸沒且視需要在槽內旋轉，達實行一第二清洗所必需之時間，舉例而言，達在自約1分鐘至約30分鐘、較佳地約1分鐘至約10分鐘之一範圍中之時間。其後，可將滾筒移動至一乾燥槽以乾燥裝納在其中之板及組件。如先前所描述，乾燥槽不一定必須係一槽，而可包括乾燥PCB、PCB組件或該兩者之構件，其包含但不限於吹氣、吹熱氣、按高rpms旋轉容器及/或振動構件。全部槽經較佳地覆蓋以使蒸發最小化，例如，槽可被包括在一或多個外殼中。如熟習此項技術者將理解，滾筒、槽及饋入槽之全部管線較佳地由與使用之卑金屬移除組合物及溫度相容之材料構造且槽亦可包含加熱/冷卻構件；空氣輸入、感測構件及/或通風構件。應瞭解，全部槽可包含至少一個輸入/輸出管線且圖8中之輸入/輸出管線之描繪並非旨在限制替代實施例。舉例而言，可存在至槽中之一個、兩個、三個、四個或四個以上輸入/輸出管線。通風構件可包含任何化學煙霧之凝結以作為一可行液體以及監測再引入回至模組中以確保人員之安全。可將整個模組裝納於一殼體內。較佳地藉由一PLC控制模組以確保工作人員安全及環境規則相符性。 如熟習此項技術者易辨別，一旦卑金屬移除組合物飽和，該卑金屬移除組合物便可經發送以供後BMR處理。後處理可包含化學再利用、再生或(若干)金屬分離之一或多者，藉此可使用諸如擴散滲析(DD)、電解冶煉(EW)、樹脂基酸回收及金屬恢復再用或此等之任何組合之技術。在後BMR處理之後，一些卑金屬移除組合物可經再利用且返回以摻合新鮮卑金屬移除組合物。可將剩餘物發送至廢水處理。可替代地使用一「饋入及滲出」程序，其中將乾淨卑金屬移除組合物週期性地引入至工作卑金屬移除組合物，其中同時撤回一些工作卑金屬移除組合物以供後續處理。 在BMR模組(261)中處理之後，可手動或自動卸載滾筒，使得PCB、PCB組件或該兩者可經分離以供進一步處理，如基於PCB、PCB組件或該兩者適當地(例如，參見圖3)。舉例而言：可將晶片及微型組件發送至SPT熔爐模組(320)、SPT研磨模組(340)或SPT工具模組(360)；可將具有貴金屬價值之任何事物(諸如記憶體板、金指狀物及連接器)發送至金浸出(GL)模組(280)；且剩餘板可在內部或場外進行收集且進一步處理。分離可使用振動構件、攪動構件、攪拌、混合、轉筒篩、搖動台、過濾器或分離在BMR模組(261)處理之後退出滾筒之PCB、PCB組件或該兩者之任何其他分揀構件手動或自動發生。在一項實施例中，對PCB、PCB組件或該兩者進行分揀，藉此將IC及微型組件發送至SPT熔爐模組(320)、SPT研磨模組(340)、SPT工具模組(360)或以上之任何兩者或全部三者。金指狀物、塑膠連接器及記憶體板可經分揀且發送至GL模組(280)。 較佳地藉由PLC控制BMR模組(261)且當較佳地先前分揀成諸批次之PCB、PCB組件或該兩者進入BMR程序流時選擇特定配方。如上文所論述，將即時監測BMR模組(261)，其中可至少每一個小時對BMR槽1及BMR槽2兩者中之卑金屬移除組合物進行取樣且判定化學化合物之濃度，其中可至少每一個小時對清洗水槽1及清洗水槽2兩者中之清洗水進行取樣，且其中可至少每一個小時對板及/或組件進行取樣且在固體材料消解之後判定特定化學品之濃度，如熟習此項技術者容易地理解。此外，監測析出之氣體及BMR模組之全部硬體以確保模組正有效且安全地工作。預期BMR模組(261)之額外即時監測，其包含但不限於硬體及軟體之監測。 應瞭解，本文中描述之實施例僅係設想之一項實施例。代替一滾筒，PCB、PCB組件或該兩者可藉由一些其他裝納及移動構件在槽間移動而無論手動或自動地。替代地，板及/或組件可裝載至一槽中且可遵從圖4中圖解說明之程序流，藉此PCB、PCB組件或該兩者未自槽移除，直至圖4之程序流完成。在此實例中，卑金屬移除組合物及清洗液體經引入至槽且接著自槽移除。舉例而言，可將一卑金屬移除組合物引入至包括PCB、PCB組件或該兩者之槽，其中在卑金屬移除之後自槽移除卑金屬移除組合物，但PCB、PCB組件或該兩者留在槽中。其後，帶出或其等效物可發生，接著進行將一第一清洗液體引入至槽且在第一清洗之後移除第一清洗液體，及將一第二清洗液體引入至槽且在第二清洗之後移除第二清洗液體。其後，可視需要乾燥PCB、PCB組件或該兩者。熟習此項技術者可設想其他實施例。 在一個態樣中，描述自PCB、PCB組件或該兩者移除至少一種卑金屬之一卑金屬移除(BMR)模組(261)，該BMR模組包括： 一系統，其至少包括至少一個卑金屬移除槽、至少一個帶出槽及至少一個清洗槽，其中每一槽具有將一裝納構件(例如，滾筒)裝納於其中之體積容量， 其中系統包括移動構件以在槽間移動裝納構件(例如，滾筒)，例如，自至少一個卑金屬移除槽至至少一個帶出槽至至少一個清洗槽或自PCB、PCB組件或該兩者移除至少一種卑金屬所必需之任何其他順序。實務上，PCB、PCB組件或該兩者經手動或自動引入至裝納構件(例如，滾筒)以供處理。裝納構件(例如，滾筒)可使用移動構件在槽間連續移動，以裝納構件(例如，滾筒)完全或部分浸沒在至少一個卑金屬移除槽及至少一個清洗槽中完成。至少一個卑金屬移除槽可包括一卑金屬移除組合物。每一槽可包括以下內容之一或多者：攪動構件；至少一個過濾器；即時取樣及調整；使蒸發最小化之一封蓋；加熱/冷卻構件；空氣輸入；感測構件；通風構件；及其任何組合。系統可進一步包括至少一個乾燥槽。可藉由一PLC控制BMR模組(261)。 在另一態樣中，描述一種自PCB、PCB組件或該兩者移除至少一種卑金屬之程序，該程序包括： (a)將PCB、PCB組件或該兩者裝載至一裝納構件(例如，滾筒)中； (b)使用一系統自PCB、PCB組件或該兩者移除至少一種卑金屬，其中系統至少包括至少一個卑金屬移除槽、至少一個帶出槽及至少一個清洗槽， 其中每一槽具有將一裝納構件(例如，滾筒)裝納於其中之體積容量，其中系統包括移動構件以在槽間移動裝納構件(例如，滾筒)，例如，自至少一個卑金屬移除槽至至少一個帶出槽至至少一個清洗槽或自PCB、PCB組件或該兩者移除至少一種卑金屬所必需之任何其他順序。 裝納構件(例如，滾筒)可使用移動構件在槽間連續移動，以裝納構件(例如，滾筒)完全或部分浸沒在至少一個卑金屬移除槽及至少一個清洗槽中完成。每一槽可包括以下內容之一或多者：攪動構件；至少一個過濾器；即時取樣及調整；使蒸發最小化之一封蓋；加熱/冷卻構件；空氣輸入；感測構件；通風構件；及其任何組合。系統可進一步包括至少一個乾燥槽。裝納構件(例如，滾筒)可在自約室溫至約80℃、較佳地約30℃至約60℃之一範圍中之溫度下完全或部分浸沒在包括一卑金屬移除組合物之至少一個卑金屬移除槽中達在自約1分鐘至約80分鐘、較佳地約10分鐘至約40分鐘之一範圍中之時間。裝納構件(例如，滾筒)可完全或部分浸沒在至少一個清洗槽中達在自約1分鐘至約30分鐘、較佳地約1分鐘至約10分鐘之一範圍中之時間。可藉由一PLC控制BMR模組(261)且自PCB、PCB組件或該兩者移除至少一種卑金屬之程序可經受特定於正處理之內容之一配方，如藉由PLC所規定。金浸出模組 雖然可將待回收或再利用之板直接發送至一金浸出(GL)模組，但熟習此項技術者應理解，組件及其他雜件在預備BCM (220)中、在BCM模組(240)中及/或在DS模組(260)中之任何手動、自動移除增大金浸出程序之效率。明確言之，一GL模組(280)依靠一金移除組合物且因此使所需化學品以及後端上之廢料流之總量最小化係有利的。此外，在無組件移除之情況下，金移除程序可能效率較低。相應地，進入GL模組(280)之材料較佳地已經歷預備BCM、BCM處理及/或脫焊，或其等效物，且已經手動或自動選擇以明確言之用於GL處理。舉例而言，金指狀物、包括金之連接器、記憶體板及具有金價值之任何其他組件(下文稱為「包括金之材料」)已較佳地自任何或全部上游程序選擇以明確言之用於GL處理。 在國際專利申請案第PCT/US2012/069404號中描述一已知金浸出模組(280)之一實例。此外，在以André Brosseau等人之名義在2011年4月15日申請且標題為「Method for Recycling of Obsolete Printed Circuit Boards」之國際專利申請案第PCT/US2011/032675號及以Tianniu Chen等人之名義在2015年2月23日申請且標題為「Wet Based Formulations for the Selective Removal of Noble Metals」之國際專利申請案第PCT/US2015/017088號中描述已知金移除組合物，該兩個申請案之全部內容據此以引用的方式併入本文中。 GL模組(280)採用一金移除組合物(專屬或商業上已知)從引入至模組之包括金之材料移除金。金移除組合物可用於一電解系統中或用於一非電解浸出系統中，較佳地後者。GL模組可包含將包括金之材料曝露於一金移除組合物以實行金自其之化學移除之任何裝置。可以任何適合方式(例如，藉由將金移除組合物噴塗在包括金之材料上、藉由將包括金之材料浸漬在一定體積之金移除組合物中、藉由使包括金之材料與具有吸附於其上之金移除組合物之另一材料(例如，一襯墊，或纖維吸附劑施用器元件)接觸、藉由使包括金之材料與一再循環金移除組合物接觸，或藉由使金移除組合物與包括金之材料接觸之任何其他適合構件、方式或技術)實行包括金之材料曝露於金移除組合物。在一較佳實施例中，將包括金之材料浸漬在一裝納構件中之一定體積之金移除組合物中，其中包括金之材料完全或部分浸沒在金移除組合物中。GL模組可進一步包含用於移動及/或攪動金移除組合物及/或包括金之材料之構件，其輔助自包括金之材料移除金。 在一項實施例中，GL模組包括一或多個化學金移除容器、視需要一或多個帶出容器、視需要一或多個清洗容器；及視需要一或多個乾燥容器。在一項實施例中，GL模組包括一或多個化學金移除容器；一或多個清洗容器；視需要一或多個帶出容器；及視需要一或多個乾燥容器。在另一實施例中，GL模組包括一或多個化學金移除容器；一或多個帶出容器；一或多個清洗容器；及視需要一或多個乾燥容器。在其另一實施例中，GL模組包括一或多個化學金移除容器；一或多個清洗容器；一或多個乾燥容器；及視需要一或多個帶出容器。在又另一實施例中，GL模組包括一或多個化學金移除容器；一或多個帶出容器；一或多個清洗容器；及一或多個乾燥容器。包括金之材料自一個容器自動或手動、個別地或分批地移動至下一容器。在一項實施例中，包括金之材料自一化學金移除容器手動或自動、個別地或分批地移動至一清洗容器。在另一實施例中，包括金之材料自一化學金移除容器手動或自動、個別地或分批地移動至一帶出容器至一清洗容器。在又另一實施例中，包括金之材料自一化學金移除容器手動或自動、個別地或分批地移動至一清洗容器至一帶出容器。在其另一實施例中，包括金之材料自一化學金移除容器手動或自動、個別地或分批地移動至一清洗容器至一乾燥容器。在又另一實施例中，包括金之材料自一化學金移除容器手動或自動、個別地或分批地移動至一帶出容器至一清洗容器至一乾燥容器。如本文中所定義，包括金之材料經由移動構件逐個容器地移動穿過模組。在一項實施例中，將包括金之材料裝載在可插入一或多個容器中之一滾筒中。出於此模組之目的，「乾燥容器」不一定係如本文中定義之一容器，而可包括乾燥PCB、PCB組件或該兩者之構件，其包含但不限於吹氣、吹熱氣、按高rpms旋轉容器及/或振動構件。 舉例而言，可藉由如本文中定義之任何裝載構件(舉例而言，滑槽、輸送機、手動、起重機或捲揚機，或其任何組合)將包括金之材料手動或自動引入至一裝納構件。在一項實施例中，裝納構件包括一或多個槽、滾筒、籃、桶及/或以上之組合。在一較佳實施例中，將PCB、PCB組件或該兩者手動或自動裝載至一或多個滾筒中。 在一項實施例中，舉例而言，如圖9中所展示，GL模組包括一滾筒管線，其包括：一槽(GL槽1 (284)及GL槽2 (286))，其包括金移除組合物；視需要一帶出槽(288)；清洗槽1 (290)；視需要清洗槽2 (292)；及視需要一乾燥槽(294)。一滾筒(500)儲存包括金之材料(282)且允許金移除組合物(在GL槽1 (284)及2 (286)中)及清洗液體(在清洗槽1 (290)及清洗槽2 (292)中)進入滾筒以將金溶解/增溶為金離子及未溶解材料之後續清洗以擷取先前未收集之任何金離子，以及在排水、帶出及乾燥期間退出滾筒。預期槽之其他組合。舉例而言，可將滾筒浸漬在僅一個GL槽(即，GL槽1或2)中達一較長時間段，如熟習此項技術者所理解，接著進行帶出、兩次清洗及乾燥。較佳地，清洗液體包括水。每一槽具有裝納滾筒以及金移除組合物或清洗液體之體積容量。 較佳地，使用如本文中定義之攪動構件連續攪動GL槽1 (284)、GL槽2 (286)、清洗槽1 (290)及清洗槽2 (292)。GL槽1 (284)及GL槽2 (286)中之金移除組合物，或清洗槽1 (290)及清洗槽2 (292)中之清洗液體可連續再循環。當使用再循環時，過濾器可能係必需的，以在組合物或清洗劑再進入槽中之前剔除微粒。GL槽1 (284)及GL槽2 (286)中之金移除組合物之一或多種化學成分之濃度調整可基於即時取樣資料而發生以延長焊料移除組合物之壽命。使用帶出槽(288)來擷取金移除組合物以在用清洗劑稀釋之前重複使用。相應地，可使用帶出槽(288)來增強移除組合物之擷取，例如，使用離心、高壓空氣、重力、搖動、旋轉、振動及/或使用來自清洗槽1之清洗液體快速清洗。清洗槽1係可重複使用之清洗液體，但當對於有效清洗不再可行時，清洗槽1中之清洗液體可移動至電解冶煉或樹脂基酸回收及金屬恢復再用。當此發生時，來自清洗槽2之清洗液體可移動至清洗槽1以供更多清洗，且清洗槽2充滿新鮮清洗液體。較佳地藉由一PLC控制GL模組以確保工作人員安全及環境規則相符性。 在圖8中展示GL模組(280)之一滾筒管線系統之一實例，其中展示六個槽，四個槽具有裝納於其中之滾筒。一裝載系統(271)(例如，一滾筒裝載系統)降低並從槽移除滾筒，藉此滾筒裝載系統能夠旋轉滾筒以及提供一角度至滾筒。可按一角度(舉例而言，相對於法線之至多±20°之任何角度)處理滾筒，此可藉由參考圖7而更好地理解。替代地，滾筒可在開口端向上(未展示)之情況下定位成相對於法線之90°。熟習此項技術者應理解，多個滾筒可同時通過系統及程序。實務上，GL槽1 (284)及GL槽2 (286)充滿金移除組合物且清洗槽1 (290)及清洗槽2 (292)充滿清洗液體。裝納包括金之材料之一滾筒完全或部分浸沒在GL槽1中，且視需要在槽內依實行金之溶解所必需之時間及溫度旋轉，舉例而言，達在從約1分鐘至約60分鐘、較佳地約10分鐘至約40分鐘之一範圍中之時間，在從約室溫至約80℃、較佳地約30℃至約55°C之一範圍中之溫度下。如圖8中所展示，如熟習此項技術者所理解，滾筒可取決於機構而自頂部、底部或自側(未展示)旋轉。將裝納包括金之材料之滾筒移動(例如，使用一滾筒裝載系統，其在圖8中描繪為能夠在槽間移動(箭頭A)以及在一槽內上下移動(箭頭B))至GL槽2 (286)，完全或部分浸沒且視需要在槽內依實行金之進一步溶解所必需之時間及溫度旋轉，舉例而言，達在從約1分鐘至約60分鐘、較佳地約10分鐘至約40分鐘之一範圍中之時間，在從約室溫至約80℃、較佳地約30℃至約55℃之一範圍中之溫度下。其後，將滾筒移動至帶出槽(288)以擷取任何過量金移除組合物以供在GL槽1 (284)或GL槽2 (286)中重複使用。接著，將滾筒移動至清洗槽1 (290)，完全或部分浸沒且視需要在槽內依實行一第一清洗所必需之時間旋轉，舉例而言，達在自約1分鐘至約30分鐘、較佳地約1分鐘至約10分鐘之一範圍中之時間。接著，將滾筒移動至清洗槽2 (292)，完全或部分浸沒且視需要在槽內依實行一第二清洗所必需之時間旋轉，舉例而言，達在自約1分鐘至約30分鐘、較佳地約1分鐘至約10分鐘之一範圍中之時間。其後，可將滾筒移動至一乾燥槽(294)以乾燥裝納在其中之(先前)包括金之材料。如先前所描述，乾燥槽不一定必須係一槽，而可包括乾燥包括金之材料之構件，其包含但不限於吹氣、吹熱氣、按高rpms旋轉容器及/或振動構件。全部槽經較佳地覆蓋(275)以使蒸發最小化，例如，槽可被包括在一或多個外殼中。如熟習此項技術者將理解，滾筒(500)、槽(284、286、288、290、292、294)及饋入槽之全部管線(例如，277)較佳地由與使用之焊料移除組合物及溫度相容之材料構造，且槽(284、286、288、290、292、294)亦可包含加熱/冷卻構件(未展示)、空氣輸入(未展示)、感測構件及/或通風構件(279)。應瞭解，全部槽(284、286、288、290、292、294)可包含輸入/輸出管線277之至少一者且圖8中之輸入/輸出管線277之描繪並非旨在限制替代實施例。舉例而言，可能存在進入槽中之一個、兩個、三個、四個或四個以上輸入/輸出管線。可使用通風構件(例如，276)來凝結任何化學煙霧以作為一可行液體以及監測再引入回至模組中以確保人員之安全。可將整個模組裝納於一殼體(278)內。較佳地藉由一PLC控制模組以確保工作人員安全及環境規則相符性。 當GL槽1 (284)中之金移除組合物飽和時，可將該金移除組合物發送至電解冶煉或樹脂基酸回收及金屬恢復再用。可將新鮮金移除組合物添加至GL槽1 (284)。較佳地，當此發生時，滾筒在浸漬於GL槽1 (284)中之前浸漬於GL槽2 (286)中，直至GL槽2 (286)飽和且發送至電解冶煉或樹脂基酸回收及金屬恢復再用，此時浸漬之順序切換回至GL槽1 (284)及GL槽2 (286)。可替代地使用一「饋入及滲出」程序，其中將乾淨金移除組合物週期性地引入至工作金移除組合物，其中同時撤回一些工作金移除組合物以供後續處理，例如，EW或樹脂基酸回收及金屬恢復再用。週期性地，將需清潔GL槽1 (284)及GL槽2 (286)、清洗槽1 (290)及清洗槽2 (292)以移除已在金移除處理期間下沉至槽之底部之沈澱物及組分。 在GL模組(280)中處理之後，卸載滾筒且先前包含金之材料可在內部或場外經收集以供進一步處理。可將不再可行之經飽和金移除組合物及清洗液體發送至電解冶煉或樹脂基酸回收及金屬恢復再用以恢復再用金離子以供後續還原成金金屬。 雖然不希望被細節束縛，但GL模組(280)已按比例建置且較佳地可處理大於100 kg/h之去填入金指狀物/塑膠連接器/記憶體板，較佳地大於150 kg/h，且最佳地大於200 kg/h。 較佳地藉由PLC控制GL模組(280)且可在較佳地先前分揀成諸批次之包括金之材料離開預分揀區域或進入GL程序流時選擇特定配方。如上文所論述，將即時監測GL模組(280)，其中可至少每一個小時對GL槽1及GL槽2兩者中之金移除組合物進行取樣且判定化學化合物之濃度，其中可至少每一個小時對清洗水槽1及清洗水槽2兩者中之清洗水進行取樣，且其中可至少每一個小時對包括金之材料進行取樣且在固體材料消解之後判定特定化學品之濃度，如熟習此項技術者容易地理解。此外，監測析出之氣體及GL模組(280)之全部硬體以確保模組正有效且安全地工作。預期GL模組(280)之額外即時監測，其包含但不限於硬體及軟體之監測。 應瞭解，本文中描述之實施例僅係設想之一項實施例。代替一滾筒，包括金之材料可藉由一些其他裝納及移動構件在槽間移動而無論手動或自動地。替代地，包括金之材料可裝載至一槽中且可遵從圖9中圖解說明之程序流，藉此包括金之材料未自槽移除，直至圖9之程序流完成。在此實例中，金移除組合物及清洗液體經引入至槽且接著自槽移除。舉例而言，可將一第一金移除組合物引入至包括包括金之材料之槽，且接著在第一金移除之後自槽移除第一金移除組合物且一第二金移除組合物可被引入至槽且在第二金移除之後自槽移除，而包括金之材料留在槽中。其後，帶出或其等效物可發生，接著進行將一第一清洗液體引入至槽且在第一清洗之後移除第一清洗液體，及將一第二清洗液體引入至槽且在第二清洗之後移除第二清洗液體。其後，可視需要乾燥(先前)包括金之材料。熟習此項技術者可設想其他實施例。 在一個態樣中，描述自包括金之材料移除金之一金浸出(GL)模組，該GL模組(280)包括： 一系統，其至少包括至少一個金移除槽、至少一個帶出槽及至少一個清洗槽，其中每一槽具有將一裝納構件(例如，滾筒)裝納於其中之體積容量， 其中系統包括移動構件以在槽間移動裝納構件(例如，滾筒)，例如，從至少一個金移除槽至至少一個帶出槽至至少一個清洗槽或自包括金之材料移除金所必需之任何其他順序，其中包括金之材料選自由金指狀物、包括金之連接器、記憶體板、具有金價值之任何其他組件及其任何組合組成之群組。實務上，包括金之材料經手動或自動引入至裝納構件(例如，滾筒)以供處理。裝納構件(例如，滾筒)可使用移動構件在槽間連續移動，以裝納構件(例如，滾筒)完全或部分浸沒在至少一個金移除槽及至少一個清洗槽中完成。至少一個金移除槽可包括金移除組合物。每一槽可包括以下內容之一或多者：攪動構件；至少一個過濾器；即時取樣及調整；使蒸發最小化之一封蓋；加熱/冷卻構件；空氣輸入；感測構件；通風構件；及其任何組合。系統可進一步包括至少一個乾燥槽。可藉由一PLC控制GL模組(280)。 在另一態樣中，描述一種自包括金之材料移除金之程序，該程序包括： (a)將包括金之材料裝載至一裝納構件(例如，滾筒)中； (b)使用一系統自包括金之材料移除金，其中系統至少包括至少一個金移除槽、至少一個帶出槽及至少一個清洗槽， 其中每一槽具有將一裝納構件(例如，滾筒)裝納於其中之體積容量，其中系統包括移動構件以在槽間移動裝納構件(例如，滾筒)，例如，自至少一個金移除槽至至少一個帶出槽至至少一個清洗槽或自包括金之材料移除金所必需之任何其他順序，且 其中包括金之材料選自由金指狀物、包括金之連接器、記憶體板、具有金價值之任何其他組件及其任何組合組成之群組。 裝納構件(例如，滾筒)可使用移動構件在槽間連續移動，以裝納構件(例如，滾筒)完全或部分浸沒在至少一個金移除槽及至少一個清洗槽中完成。每一槽可包括以下內容之一或多者：攪動構件；至少一個過濾器；即時取樣及調整；使蒸發最小化之一封蓋；加熱/冷卻構件；空氣輸入；感測構件；通風構件；及其任何組合。系統可進一步包括至少一個乾燥槽。裝納構件(例如，滾筒)可在從約室溫至約80℃、較佳地約30℃至約55℃之一範圍中之溫度下完全或部分浸沒在包括一金移除組合物之至少一個金移除槽中達從約1分鐘至約60分鐘、較佳地約10分鐘至約40分鐘之一範圍中之時間。裝納構件(例如，滾筒)可完全或部分浸沒在至少一個清洗槽中達從約1分鐘至約30分鐘、較佳地約1分鐘至約10分鐘之一範圍中之時間。可藉由一PLC控制GL模組(280)且自包括金之材料移除金之程序可經受特定於正處理之內容之一配方，如藉由PLC所規定。 SPT熔爐模組 已自PCB (例如，預備BCM及/或BCM)手動或自動移除及/或已在DS模組(260)中移除之可回收組件及/或記憶體板可經進一步處理以移除貴金屬。在一項實施例中，可回收組件及/或記憶體板可經收集且可被發送至一SPT熔爐模組(320)(參見圖10)以灰化組件，藉此增大可回收組件及/或記憶體板之曝露於SPT工具模組(360)或其等效物中之進一步處理之表面積。此具有較高金屬移除效率之益處，特別地來自可回收組件及/或記憶體板之貴金屬。可回收組件包含但不限於IC晶片、微型組件及其組合。 在一項實施例中，SPT熔爐模組(320)包括一熔爐或一些其他加熱構件，及控制進入熔爐中之空氣輸入之構件。在又一實施例中，SPT熔爐模組(320)可在一連續及/或分批模式中操作且包括一熔爐、用可回收組件及/或記憶體板饋入及/或裝載熔爐之構件，及控制進入熔爐中之空氣輸入(322)之構件。無關於實施例，可回收組件及/或記憶體板可在引入至熔爐之前或之後被粉碎。可由熟習此項技術者基於包含但不限於操作溫度、佔用面積、處理量、容量、重量、待灰化之材料之類型及以上之組合之因素而容易地判定熔爐之類型、大小及/或容量。熔爐包括一或多個加熱元件。較佳地，加熱元件係電的且包括一或多種材料，其包含但不限於金屬、金屬合金、金屬超合金、陶瓷、複合材料及以上之組合。更佳地，加熱元件包括一或多種合金材料，其包含但不限於英高鎳(Inconel)、蒙乃爾(Monel)、赫史持合金(Hastelloy)、英高合金(Incoloy)、Waspaloy、Rene、Haynes、MP98T、TMS、CMSX及以上之組合。有用熔爐之實例包含但不限於頂部裝載爐、底部裝載爐、正面裝載爐、連續爐、台式爐、分批爐、台車爐、箱式爐、帶式爐、架式爐、台車爐、升降機爐、隧道爐、罩式爐、推桿式爐、管式爐、震盪爐及以上之組合。熔爐可包括可手動或自動操作之固定及/或可調整參數，其包含但不限於處理量、重量、容量、溫度、溫度升降速率、時間、氣流、壓力、通風及以上之組合。 在一實施例中，熔爐包含控制進入熔爐中之空氣輸入之構件，此係因為熔爐在高溫下(例如，在從約500℃至約800℃、較佳地約600℃至約700℃之一範圍中)灰化可回收組件及/或記憶體板。舉例而言，熔爐可能需要依一已知最小氣流提供空氣供應。若氣流太低，則可燃氣體可能累積及/或可回收組件及/或記憶體板上之外殼可能變得易碎且保持完整，其將影響恢復再用之效率。相應地，SPT熔爐可包括控制穿過熔爐之空氣之方向、速率及/或流量之構件，其包含但不限於一或多個鼓風機、風扇、氣流調節器、通風管道、氣簾、空氣導件、擋板及以上之組合。此外，可包含壓力感測器、流量感測器、氣體感測器(例如，O2 感測器)及/或溫度感測器以控制並調節流出物中之一或多種組分。 熔爐較佳地包含一通風及/或消除系統以處置可燃氣體及可能變成空中懸浮之任何灰分材料。在一項實施例中，通風系統可或可能包含一靜電除塵器或某一過濾系統。此外，熔爐應符合當地消防及空氣品質準則。 將可回收組件及/或記憶體板饋入熔爐之構件可為自動或手動且可包含本文中描述之移動構件之至少一者。此外，可回收組件及/或記憶體板可個別地或以一或多個批次饋入至熔爐中。隨著可回收組件及/或記憶體板被饋入至熔爐中，成批的可回收組件及/或記憶體板可形成於熔爐中。可回收組件及/或記憶體板可在支撐個別或成批的可回收組件及/或記憶體板之一或多個支撐表面上饋入至熔爐中或可回收組件及/或記憶體板可饋入至已在熔爐中之一或多個支撐表面上。「支撐表面」包含但不限於料架、架子、托盤、容器及以上之組合。較佳地，將可回收組件及/或記憶體板配置在具有一基底表面及在該基底表面上方延伸之具有一高度之一側壁之一或多個托盤上。此外，一或多個托盤可為實心及/或穿孔的。托盤側壁之高度經選擇以使灰化程序之效率最大化且可基於包含但不限於重量、容量、溫度、時間、氣流、壓力、通風及以上之組合之一或多個程序參數進行選擇。在一項實施例中，托盤側壁高度在約1 mm與約15 cm之間。較佳地，熔爐係包含一或多個料架且可容納一或多個托盤之一分批爐。將可回收組件及/或記憶體板手動或自動放置在托盤上/中且可將托盤手動或自動裝載於熔爐中。在一項實施例中，托盤中之可回收組件及/或記憶體板之深度從約1 mm至約10 cm，較佳地約1 cm至約3 cm。熔爐及托盤應由將經受灰化程序之溫度、壓力及VOC且將不作為加熱/冷卻程序期間之一污染源之一材料構造。 如熟習此項技術者所理解，熔爐可在灰化之後使用製冷之輔助、將空氣引入至熔爐、藉由不受控制冷卻至環境溫度或任何其他冷卻方法冷卻至環境溫度。 較佳地，SPT熔爐模組基於至少一個程序配方而灰化可回收組件及/或記憶體板，該至少一個程序配方基於可手動或自動輸入之一或多個參數，其包含但不限於處理量、可回收組件及/或記憶體板之重量、熔爐之容量、溫度、溫度升降速率、循環時間、氣流、壓力、通風及以上之組合。較佳地，藉由控制SPT熔爐模組之一或多個功能之一PLC選擇程序配方以灰化大於80%、較佳地大於95%之可回收組件及/或記憶體板之可灰化內容物。在一項實施例中，程序配方包含基於待灰化之可回收組件及/或記憶體板之類型、重量及數量之一或多者之一可程式化溫度/時間分佈。用於SPT熔爐程序之溫度/時間分佈可包含但不限於預熱、連續溫度升降之速率、升降/保持、階梯式溫度升降之速率、階段式溫度升降之速率及以上之組合。在一項實施例中，灰化程序在從約250℃至約800℃之一溫度下操作從約1小時至約8小時。 較佳地，經灰化材料具有在從約1微米至約3000微米之一範圍中之大小。即，應瞭解，將存在其中並非全部可回收組件及/或記憶體板將在熔爐中還原成灰分之情況。一些可回收組件及/或記憶體板包含不可灰化之無機材料。如熟習此項技術者可容易地判定，在SPT熔爐模組(320)中處理之後剩餘之材料可被發送至SPT工具模組(360)中進一步處理或可被發送至SPT研磨模組(340)，或最終該兩者。材料可在一或多個移動構件上自動或手動移動至一容器中之下一模組。在一項實施例中，在進一步處理之前未發生無機材料與灰分之分離。在另一實施例中，無機材料在進一步處理之前與灰分分離。 在一個態樣中，描述一SPT熔爐模組(320)，該SPT熔爐模組(320)包括(a)一熔爐及(b)控制進入該熔爐中之空氣輸入之構件，其中SPT熔爐模組將可回收組件及/或記憶體板轉換成灰分或粉末。熔爐能夠在高溫下(例如，在從約250℃至約800℃之一範圍中)灰化可回收組件及/或記憶體板。熔爐較佳地包含一通風系統以處置可燃氣體及可能變成空中懸浮之任何灰分。SPT熔爐模組可進一步包含支撐表面，例如，熔爐內之料架、架子、托盤、容器及以上之組合以及如本文中定義之移動構件。較佳地，SPT熔爐模組將至少約80%之可回收組件及/或記憶體板之應已被還原之可灰化內容物轉換為灰分。更佳地，SPT熔爐模組將至少約95%之可回收組件及/或記憶體板之可灰化內容物轉換為灰分。 在另一態樣中，描述一種在一SPT熔爐模組中將可回收組件及/或記憶體板轉換為灰分之程序，該程序包括： (a)將可回收組件及/或記憶體板饋入至一熔爐中；及 (b)將熔爐中之可回收組件及/或記憶體板加熱至從約250℃至約800℃之一溫度，直至從約80%至大於95%之可回收組件及/或記憶體板之可灰化內容物已還原成灰分。 熔爐可包括控制進入該熔爐中之空氣輸入之構件及視需要一通風系統。熔爐可加熱至至少約250℃至約800℃。可使用支撐表面(例如，料架、架子、托盤、容器及以上之組合)向熔爐饋入可回收組件及/或記憶體板。替代地或另外，可使用如本文中定義之移動構件向熔爐饋入可回收組件及/或記憶體板。 SPT研磨模組 如先前介紹，並非全部組件及記憶體板在SPT熔爐模組(320)中還原成灰分。一些組件及記憶體板將包含在熔爐中不可燃之無機材料。此外，存在其中晶片及微型組件(例如，來自預備BCM模組(220)、來自BCM模組(240)及/或來自DS模組(260))不需要灰化以供其之有效處理以提取貴金屬之情況。相應地，可使用磨削或研磨構件來製備組件及記憶體板，或來自SPT熔爐模組(320)之灰分，以供進一步處理。磨削構件包含但不限於一工業磨削機。研磨構件包含但不限於一錘磨機、一濕式球磨機等。磨削或研磨構件較佳地包含一粉塵恢復再用系統。將組件及記憶體板，或包括未灰化無機材料之經冷卻灰分材料引入至一磨削或研磨構件且將材料磨削成較小件，舉例而言，小於10目(1.70 mm)，更佳地小於20目(0.85 mm)，且最佳地小於30目(0.60 mm)。由於可在磨削或研磨程序期間攪起之灰分，故磨削或研磨構件應配備有一粉塵恢復再用系統。較佳地，粉塵恢復再用系統能夠擷取粉塵，使得粉塵可被收集並處理。另外，磨削或研磨構件較佳地包含裝載及卸載其中的固體之構件，例如，裝納構件及/或移動構件。舉例而言，可使用一輸送機或螺旋饋入將組件及記憶體板，或包括未灰化無機微粒之經冷卻灰分材料裝載至磨削或研磨構件中。 可將在SPT研磨模組(340)中處理之後剩餘之材料發送至SPT工具中進一步處理。材料可在一或多個移動構件上自動或手動移動至一容器(例如，一料斗)中之下一模組。SPT 工具模組 在SPT熔爐模組(320)及/或SPT研磨模組(340)中處理之後，材料(下文中之固體)可進入一SPT工具模組(360)。如熟習此項技術者容易地理解，在具有或不具有中介處理之情況下，SPT工具模組(360)較佳地與SPT熔爐模組(320)及/或SPT研磨模組(340)串聯。SPT工具模組(360)經設計以自固體移除金屬(例如，卑金屬及貴金屬)。在一項實施例中，SPT工具模組(360)自固體移除一或多種卑金屬。在另一實施例中，SPT工具模組(360)自固體移除一或多種貴金屬。在另一實施例中，SPT工具模組(360)自固體移除金。在又另一實施例中，SPT工具模組(360)自固體移除一或多種卑金屬及一或多種貴金屬。在又一實施例中，SPT工具模組(360)自固體移除一或多種卑金屬及金。在另一實施例中，SPT工具模組(360)自固體移除一或多種卑金屬及銀。在又另一實施例中，SPT工具模組(360)自固體移除一或多種卑金屬、金及銀。本文中預期金屬之任何組合。在一項實施例中，卑金屬經選擇性地移除使得貴金屬之後續處理更有效。應瞭解，即使固體先前未在SPT熔爐及/或SPT研磨模組(340)中處理，仍可將固體發送至SPT工具模組(360)以供處理。舉例而言，固體可能已在一初期步驟中經灰化、研磨及/或磨削，或在場外研磨及/或磨削。替代地或另外，固體對應於已依將組件之內部之一或多種卑金屬及/或一或多種貴金屬曝露於移除組合物之任何方式粉碎或處理之全部組件。相應地，如本文中所定義，SPT工具模組(360)中提及之「固體」對應於來自SPT熔爐模組(320)、SPT研磨模組(340)、某一其他灰化程序、某一其他磨削/研磨程序、已粉碎之組件之材料或已通過一個SPT工具模組(360)(例如，SPT卑金屬移除模組(380)、SPT金移除模組(400)、SPT銀浸出模組(420))且意欲在剩餘SPT工具模組(360)之至少一者中進行處理之材料。 在圖11中圖解說明SPT工具模組之一一般示意圖。SPT工具模組需要至少一個槽，其中包括待移除之金屬之一固體與一移除組合物接觸以形成一漿液且一化學反應發生以自固體移除至少一種金屬。清洗亦可在此至少一個槽內發生。SPT工具模組依靠至少一種金屬在一移除組合物中之溶解或增溶及移除組合物及/或清洗液體之後續處理以將裝納於其中之金屬離子轉換為固體金屬。至少一個槽必須經調適以接納固體及至少一種移除組合物。較佳地，槽包括用於液體及/或固體進入及/或離開槽之一或多個管線、一加熱/冷卻系統、空氣輸入、通風構件、感測構件及視需要攪動構件。在一項實施例中，至少一個槽可具有用於液體及/或固體進入槽之至少一個輸入管線、用於液體及/或固體離開槽之至少一個輸出管線、一加熱/冷卻系統、空氣輸入、感測構件、通風構件及視需要攪動構件。至少一個管線可具有與其關聯之一泵以輔助液體、固體、一漿液或其之任何組合之移動。系統可為電腦操作，例如，使用一PLC，使得可小心地控制固體及液體進入及離開槽之時序。預期全部固體及液體經由相同輸入管線進入至少一個槽，其中上游存在閥、管線、感測器及/或其他容器以允許視需要經由輸入管線受控地引入固體、移除組合物及清洗溶液。替代地，可能存在進入至少一個槽中之一個以上輸入管線，舉例而言，一移除組合物管線(500)、至少一個清洗管線(502)及/或一固體引入管線(504)(例如，參見圖13)。亦預期全部液體經由相同輸出管線退出至少一個槽，其中下游可能存在閥、管線及其他容器以允許將飽和反應溶液、清洗溶液及固體引導至容器中。替代地，可能存在來自至少一個槽之一個以上輸出管線，舉例而言，一飽和移除組合物管線、至少一個清洗管線及/或至少一個固體移除管線。無關於輸入及輸出管線之數目，任何或全部輸入及輸出管線可具有與其關聯之一泵。將至少一個槽較佳地圍封在一或多個外殼中。 在一項實施例中，使用圖11之至少一個槽自一固體移除金。預期除金以外，移除組合物可立即移除多個金屬。相應地，將必須使用將金離子與經飽和移除組合物中之其他金屬離子分離之下游處理。舉例而言，預期EW、DD、樹脂基酸回收及金屬恢復再用(例如，ISE)、沈澱、pH調整、膠結及/或提取來自經飽和移除組合物移除金離子。 進一步預期可使用圖11之至少一個槽移除及/或再利用一個以上金屬。舉例而言，固體可與一移除組合物接觸以移除至少一種卑金屬，接著進行清洗，且其後固體可與一移除組合物接觸以移除一貴金屬，例如，使用一金移除組合物及/或一銀移除組合物，接著進行更多清洗。預期可使用至少一個槽移除卑金屬、金及銀之至少任何兩者或三者。再次，全部液體及/或固體可經由用於液體及/或固體進入及/或離開槽之至少一個管線進入至少一個槽。替代地，全部液體及/或固體可經由至少一個輸入管線進入至少一個槽且經由至少一個輸出管線離開至少一個槽。較佳地藉由PLC控制SPT工具模組(360)且可基於引入之固體(例如，哪些組分被轉換為灰分及/或經磨削材料)選擇使用之特定處理配方，引入之固體較佳地成批引入至SPT工具模組(360)。 個別金屬移除模組 雖然理論上簡單，但圖11之SPT工具模組(360)相對於以下在再利用貴金屬方面並非有效或具成本效率。第一，移除組合物往往取決於待移除及/或再利用之金屬，且可包括腐蝕及/或有害之一或多種化學成分。相應地，反應槽及該反應槽之上游及/或下游之系統組件較佳地包括不同於系統中之其他組件之構造材料。在一項實施例中，一或多個反應槽由與最苛性(例如，腐蝕)移除組合物相容之一或多種材料構造。在另一實施例中，一或多個反應槽由與最苛性移除組合物相容之一或多種材料構造，且進一步包括加熱及/或冷卻構件、攪動構件、通風構件、感測構件及空氣輸入構件之一或多者。第二，一個移除組合物可能不與另一移除組合物相容且應消除相互作用之任何風險。第三，對於最大效率而言，某些反應可具有一保持週期以實現完全反應、浸出及/或溶解，且因而至少一個槽必須額定容納此反應，然而，在反應槽中實行完全反應、浸出、溶解、清洗係一資源浪費。第四，為最大化金屬再利用程序之效率，固體及各自移除組合物應在接觸之後(例如)使用液體-固體分離構件進行分離。同樣應使用液體-固體分離構件來分離固體及清洗組合物。相應地，較佳地SPT工具模組(360)包括個別金屬移除模組，舉例而言，一SPT卑金屬移除模組(380)、一SPT金移除模組(400)及/或一SPT銀浸出模組(420)。如熟習此項技術者容易地理解，個別金屬移除模組可在具有或不具有中介處理之情況下串聯(舉例而言，如圖12A及圖12B中所展示)及/或並聯地操作，從而同時處理不同批次之電子廢料。固體可使用如本文中定義之與如本文中定義之一或多個移動構件耦合之一或多個裝納構件自一個模組移動至另一模組及/或在一模組內移動。替代地，如本文中所描述，固體可使用與裝載構件組合、與移動構件組合之裝納構件在模組間移動及/或在一模組內移動。 在圖14中展示一模組(例如，一SPT卑金屬移除模組(380)、一SPT金移除模組(400)、一SPT銀浸出模組(420))之一實例。在此模組中，展示有四個槽；一反應槽(506)、一清洗槽(512)、一移除組合物槽(508)及一清洗液體槽(510)。一或多個槽可包括一加熱/冷卻系統、空氣輸入、通風構件、感測構件及攪動構件之至少一者。固體及移除組合物(508)經由輸入管線引入至反應槽(506)以形成一漿液，且在反應完成之後，將包括移除組合物及經反應固體之漿液移動至如由「C」所描繪之一離心機。一完全反應之時間取決於數個因素，其包含但不限於處理之固體(例如，哪些組分組成處理之固體)、處理之溫度、處理之固體之重量，及提取或移除約65%至100%之固體中之特定金屬所需之移除組合物之數量及濃度。使用離心，將移除組合物與經反應固體分離且將經反應固體引入至一清洗槽(512)中。移除組合物可被發送至處理或可重複使用，其取決於移除之金屬離子及各自移除組合物，如下文所描述。亦將一清洗液體(510)(例如，水)引入至清洗槽(512)且使用清洗液體來清洗經反應固體。一旦清洗完成，如熟習此項技術者容易地判定，包括經清洗固體及清洗液體之漿液便移動至一離心機(一不同離心機或先前使用之離心機)以分離經清洗固體與清洗液體。在離心之後，清洗液體與經清洗固體分離且經清洗固體可退出特定模組。清洗液體可被發送至處理或可重複使用，其取決於移除之金屬離子，如下文所描述。在一項實施例中，可使用耦合至一離心機之具有分開的控制或可旋轉之一下滑滑槽來在槽間移動固體且可使用一PLC或其他電腦構件來視需要自動移動滑槽。熟習此項技術者應理解，槽、輸入管線、輸出管線、離心機及其他工具組件之構造材料應額定以確保該等材料不與各自移除組合物反應。有利地，此意指考慮到清洗槽(512)之可能腐蝕性較小環境，清洗槽(512)及全部關聯管線可由與反應槽(506)及全部關聯管線相同或不同之材料構成。一或多個槽可包含如先前描述之攪動構件。無關於輸入及輸出管線之數目，任何或全部輸入及輸出管線可具有與其關聯之一泵。在一較佳實施例中，將槽圍封在一或多個外殼中。較佳地藉由PLC及基於引入之固體以及移除之金屬使用之一特定處理配方控制圖14之SPT工具模組(360)。 在圖15中展示一模組(例如，一SPT卑金屬移除模組(380)、一SPT金移除模組(400)、一SPT銀浸出模組(420))之另一實例。在此模組中，存在至少五個槽；一反應槽(514)、一貯留槽(518)、一清洗槽(522)、一移除組合物槽(516)及一清洗液體槽(520)。槽可由相同或不同材料構造。在一項實施例中，反應槽(514)較佳地包括與最苛性(例如，腐蝕)移除組合物相容之構造材料。在另一實施例中，反應槽(514)由與最苛性移除組合物相容之一或多個材料構造，且進一步包括加熱及/或冷卻構件、攪動構件、通風構件、感測構件及空氣輸入構件之至少一者。固體及反應組合物(516)經由一或多個輸入管線引入至反應槽(514)且在對應於其中絕大多數反應已發生之一點之時間x之後，如熟習此項技術者容易地判定，將包括固體及移除組合物之漿液移動至貯留槽(518)。在一項實施例中，可基於量測之一反應槽溫度、經過之一定量之時間、一消耗化學成分之一濃度之一量測、目測檢查、結束點偵測、經量測之一pH值(僅舉幾例)判定時間x。可藉由一PLC在具有或不具有一特定程序配方之情況下控制時間x之判定。在貯留槽(518)中完成固體與移除組合物之間之化學反應。在化學反應之實質上完成之後，將包括移除組合物及經反應固體之漿液移動至一離心機。一完全反應之時間取決於數個因素，其包含但不限於處理之固體(例如，哪些組分組成處理之固體)、處理之溫度、處理之固體之重量，及提取或移除約65%至約100%之固體中之特定金屬所需之移除組合物之數量及濃度。使用離心，將移除組合物與經反應固體分離且將經反應固體引入至一清洗槽中。移除組合物可被發送至處理或可重複使用，其取決於移除之金屬離子及各自移除組合物，如下文所描述。亦將一清洗液體(520)(例如，水)引入至清洗槽(522)且使用清洗液體來清洗經反應固體。一旦清洗完成，如熟習此項技術者容易地判定，包括經清洗固體及清洗液體之漿液便移動至一離心機(一新離心機或先前使用之離心機)。在離心之後，清洗液體與經清洗固體分離且經清洗固體可退出特定模組。清洗液體可被發送至處理或可重複使用，其取決於移除之金屬離子，如下文所描述。本文中預期可使用耦合至一離心機之具有分開的控制或可旋轉之一下滑滑槽來在槽間移動固體且可使用一PLC或其他電腦構件來視需要自動移動滑槽。熟習此項技術者應理解，槽、輸入管線、輸出管線及離心機之構造材料應額定以確保該等材料不與移除組合物反應。有利地，此意指考慮到清洗槽之可能腐蝕性較小環境，清洗槽(522)及全部關聯管線可由與反應槽(514)及貯留槽(518)及全部關聯管線相同或不同之材料構成。一或多個槽可包含如先前描述之攪動構件。無關於輸入及輸出管線之數目，任何或全部輸入及輸出管線可具有與其關聯之一泵。在一較佳實施例中，將槽圍封在一或多個外殼中。較佳地藉由PLC及基於引入之固體以及移除之金屬使用之一特定處理配方控制圖15之SPT工具模組(360)。 在圖16中展示一模組之另一實例。在此模組中，存在七個槽；一反應槽(524)、一貯留槽(528)、兩個清洗槽(532、536)、一移除組合物槽(526)及兩個清洗液體槽(530、534)。固體及反應組合物(526)經由一或多個輸入管線引入至反應槽(524)且在對應於其中絕大多數反應已發生之一點之時間x之後，如熟習此項技術者容易地判定，將包括固體及移除組合物之漿液移動至貯留槽(528)。在一項實施例中，可基於量測之一反應槽溫度、經過之一定量之時間、一消耗化學成分之一濃度之一量測、目測檢查、結束點偵測、量測之一pH值(僅舉幾例)判定時間x。可藉由一PLC在具有或不具有一特定程序配方之情況下控制時間x之判定。在貯留槽(528)中完成固體與移除組合物之間之化學反應。在化學反應之實質上完成之後，將包括移除組合物及經反應固體之漿液移動至一離心機。一完全反應之時間取決於數個因素，其包含但不限於處理之固體(例如，哪些組分組成處理之固體)、處理之溫度、處理之固體之重量，及提取或移除約65%至約100%之固體中之特定金屬所需之移除組合物之數量及濃度。使用離心，將移除組合物與經反應固體分離且將經反應固體引入至清洗槽1 (532)中。移除組合物可被發送至處理或可重複使用，其取決於移除之金屬離子及各自移除組合物，如下文所描述。亦將清洗液體1 (530)(例如，水)引入至清洗槽1 (532)且使用第一清洗液體來清洗經反應固體。一旦第一清洗完成，如熟習此項技術者容易地判定，包括第一經清洗固體及第一清洗液體之漿液便移動至一離心機(一新離心機或先前使用之離心機)。使用離心，將第一清洗液體與第一經清洗固體分離且將第一經清洗固體引入至一第二清洗槽中。亦將可能與清洗液體1相同或不同之一清洗液體2 (534)(例如，水)引入至清洗槽2 (536)且使用第二清洗液體來清洗第一經清洗固體。一旦第二清洗完成，如熟習此項技術者容易地判定，包括第二經清洗固體及第二清洗液體之漿液便移動至一離心機(一新離心機或先前使用之離心機)。在離心之後，第二清洗液體與第二經清洗固體分離且第二經清洗固體可退出特定模組。第一及第二清洗液體可被發送至處理或可重複使用，其取決於移除之金屬離子，如下文所描述。本文中預期可使用耦合至一離心機之具有分開的控制或可旋轉之一下滑滑槽來在槽間移動固體且可使用一PLC或其他電腦構件來視需要自動移動滑槽。熟習此項技術者應理解，槽、輸入管線、輸出管線及離心機之構造材料應額定以確保該等材料不與各自移除組合物反應。有利地，此意指考慮到清洗槽之可能腐蝕性較小環境，清洗槽(532、536)及全部關聯管線可由與反應槽(524)及貯留槽(528)及全部關聯管線相同或不同之材料構成。每一槽可包含如先前描述之攪動構件。無關於輸入及輸出管線之數目，任何或全部輸入及輸出管線可具有與其關聯之一泵。在一較佳實施例中，將槽圍封在一或多個外殼中。較佳地藉由PLC及基於引入之固體以及移除之金屬使用之一特定處理配方控制圖16之SPT工具模組(360)。 如熟習此項技術者所理解，預期模組可在任何反覆中包括至少一個反應槽、至少一個貯留槽及至少一個清洗槽。舉例而言，除圖13至圖16以外，模組可包括除(若干)移除組合物槽及(若干)清洗液體槽以外之一個反應槽、兩個貯留槽及一個清洗槽。此外，如接下來將論述，模組可包括除(若干)移除組合物槽及(若干)清洗液體槽以外之一個反應槽、兩個貯留槽及兩個清洗槽。將論述一實施例，其包含除(若干)移除組合物槽及(若干)清洗液體槽以外之一個反應槽、兩個貯留槽及三個清洗槽。 在圖17A至圖17J中展示一SPT工具模組(360)之一特定實施例。在此實施例中，每一模組具有總計至少九個槽，如圖17A中所展示，其中反應槽標記為「RXN TANK」(600)，一第一貯留槽標記為「RXN HOLD 1」(606)，一第二貯留槽標記為「RXN HOLD 2」(608)，一第一數量之移除組合物槽標記為「RXN COMP 1」(602)，一第二數量之移除組合物槽標記為「RXN COMP 2」(604)，一第一清洗槽標記為「RINSE TANK 1」(614)，一第二清洗槽標記為「RINSE TANK 2」(616)，一第一清洗液體標記為「RINSE 1」(610)且一第二清洗液體標記為「RINSE 2」(612)。一或多個槽可互連，其中任何或全部互連管線可具有與其關聯之一泵。在一較佳實施例中，將槽圍封在一或多個外殼(618)中。RXN COMP 1中之移除組合物及RXN COMP 2中之移除組合物可實質上相同，此意指其等可旨在移除(若干)相同金屬且因此包括相同化學成分。兩個移除組合物之間之差異可基於下列因素：包含但不限於重複使用及/或pH調整之次數、化學成分摻加及因此移除組合物化學之新鮮程度。在一項實施例中，一定體積之移除組合物經分割使得一半體積進入RXN COMP1且另一半進入RXN COMP2。在另一實施例中，一定體積之移除組合物經製備且引入至RXN COMP1中且一不同體積之移除組合物經製備且引入至RXN COMP2中。在又另一實施例中，一定體積之可重複使用移除組合物經分割使得一半體積進入RXN COMP1且另一半進入RXN COMP2。在另一實施例中，一定體積之可重複使用移除組合物被發送至RXN COMP1且一不同體積之可重複使用組合物被發送至RXN COMP2。較佳地藉由PLC及基於引入之固體以及移除之金屬使用之一特定處理配方控制圖17A至圖17J之SPT工具模組(360)。 實務上， a.一定量之固體(S1)及RXN COMP 1進入RXN TANK (參見圖17B)。固體(S1)及RXN COMP 1經混合以形成一漿液。在適當時間(即，時間x1)之後，將包括固體S1及移除組合物之漿液移動至RXN HOLD 1以實質上完成化學反應(參見圖17D)。同時，將一定量之固體(S2)及RXN COMP 2添加至RXN TANK (參見圖17C)。固體(S2)及RXN COMP 2經混合以形成一漿液。在一項實施例中，一定量之固體經分割使得一半固體係S1且另一半係S2。在另一實施例中，自一較大批次之固體手動或自動稱重一定量之固體S1及一定量之固體S2以供處理。在適當時間(即，時間x2)之後，將包括固體S2及移除組合物之漿液移動至RXN HOLD 2以實質上完成化學反應(參見圖17D)。在一項實施例中，可基於數個因素判定時間x1及x2，因素包含但不限於量測之一反應槽溫度、經過之一定量之時間、處理之固體之一組合物、處理之固體之重量、固體與RXN COMP 1之重量之一比率、一消耗化學成分之一濃度之一量測、目測檢查、結束點偵測、量測之一pH值、一或多種金屬離子之一濃度、一或多種副產物或化學物質之一濃度及其組合。可藉由一PLC在具有或不具有一特定程序配方之情況下控制時間x1及x2之判定。 b.在實質上完成化學反應之後，將RXN HOLD 1中包括固體S1及移除組合物之漿液移動至圖17E中由「C」描繪之一離心機，其中移除組合物與經反應固體S1分離。預期其他分離構件。將經反應固體S1移動至RINSE TANK 1。移除組合物(「L輸出」)可被發送至處理或可重複使用，其取決於移除之金屬離子及各自移除組合物，如下文所描述。在實質上完成其他化學反應之後，將RXN HOLD 2中包括經反應固體S2及移除組合物之漿液移動至圖17F中由「C」描繪之一離心機，其中移除組合物與經反應固體S2分離。預期其他分離構件。將經反應固體S2移動至已包括經反應固體S1之RINSE TANK 1。累積的經反應固體S1加上經反應固體S2在下文稱為固體S3。移除組合物(L輸出)可被發送至處理或可重複使用，其取決於移除之金屬離子及各自移除組合物，如下文所描述。一完全反應之時間取決於數個因素，其包含但不限於處理之固體之組合物(例如，哪些組分組成處理之固體)、處理之溫度、處理之固體之重量、提取或移除約65%至100%之固體中之特定金屬所需之移除組合物之數量及濃度、一消耗化學成分之濃度、目測檢查、結束點偵測、漿液之pH值、一或多種金屬離子之濃度、一或多種副產物或化學物質之濃度及其組合。 c.將來自RINSE 1之第一清洗液體引入至RINSE TANK 1中(參見圖17E及圖17F)。在實行一第一清洗之一段時間(即，時間r1)之後，將包括固體S3及第一清洗液體之漿液移動至一離心機，其中第一清洗液體與固體S3分離。預期其他分離構件。在一項實施例中，可基於量測之一清洗槽溫度、經過之一定量之時間、來自移除組合物之一化學品之一濃度之一量測、一或多種金屬離子之濃度之一量測、目測檢查、結束點偵測、量測之一pH值、一或多種副產物或化學物質之濃度及其組合而判定時間r1。可藉由一PLC在具有或不具有一特定程序配方之情況下控制時間r1之判定。 d.在離心之後，將固體移動至RINSE TANK 2 (參見圖17G)。第一清洗液體可被發送至處理或可重複使用，其取決於移除之金屬離子，如下文所描述。 e.將來自RINSE 2之第二清洗液體引入至RINSE TANK 2中。在實行一第二清洗之一段時間(即，時間r2)之後，將包括固體S3及第二清洗液體之漿液移動至一離心機，其中第二清洗液體與固體S3分離。預期其他分離構件。在一項實施例中，可基於量測之一清洗槽溫度、經過之一定量之時間、來自移除組合物之一化學品之一濃度之一量測、一或多種金屬離子之濃度之一量測、目測檢查、結束點偵測、量測之一pH值、一或多種副產物或化學物質之濃度及其組合而判定時間r2。可藉由一PLC在具有或不具有一特定程序配方之情況下控制時間r2之判定。 f.在離心之後，固體S3可被(i)移動至下一金屬移除模組或被處理(參見圖17J，「S輸出」)或(ii)若一第三清洗係必需的，則將固體S3發送至RINSE TANK 1 (參考圖17H)。在圖17H中，將一第三清洗溶液引入至RINSE TANK 1。在實行一第三清洗之一段時間(即，時間r3)之後，將包括固體S3及第三清洗液體之漿液移動至一離心機，其中第三清洗液體與固體S3分離。預期其他分離構件。在一項實施例中，可基於量測之一清洗槽溫度、經過之一定量之時間、來自移除組合物之一化學品之一濃度之一量測、一或多種金屬離子之濃度之一量測、目測檢查、結束點偵測、量測之一pH值、一或多種副產物或化學物質之濃度及其組合而判定時間r3。可藉由一PLC在具有或不具有一特定程序配方之情況下控制時間r3之判定。可將第三清洗液體發送至RINSE TANK 2。固體S3可被移動至下一金屬移除模組或被處理(參見圖17I，「S輸出」)。 如圖17H及圖17J中所展示，可將第二清洗液體引導至RINSE 1以在穿過模組之下一循環中充當第一清洗液體。如圖17I中所展示，第三清洗液體在利用時可被引導至RINSE 2以在穿過模組之下一循環中充當第二清洗液體。 如提及，取決於存在之金屬移除組合物，可將RXN HOLD 1與RINSE TANK 1之間之液體輸出(L輸出)(參見圖17E)及RXN HOLD 2與RINSE TANK 1之間之液體輸出(L輸出)(參見圖17F)引導至一特定槽。舉例而言，本發明者發現當移除組合物係一卑金屬移除組合物時，可在僅一個循環之後發送飽和移除組合物至進一步處理以再利用銀及/或可存在於飽和卑金屬移除組合物中之某一其他貴金屬。另外，飽和移除組合物可使用樹脂基酸回收及金屬恢復再用進行處理及/或發送至廢水處理。當移除組合物旨在移除金或銀時，飽和移除組合物可重複使用若干次且因而可將液體輸出(L輸出)發送至RXN COMP 1或RXN COMP 2。當重複使用金屬移除組合物時，組合物之一些修改有時係必需的，例如，pH調整及/或濃度重新調整，如熟習此項技術者容易地理解。 亦可將RINSE TANK 1與RINSE TANK 2之間之液體輸出(L輸出)(參見圖17G)引導至一特定槽。舉例而言，當移除組合物係卑金屬移除組合物時，可使用液體輸出(L輸出)來配製或補充RXN COMP 1或RXN COMP 2。當移除組合物係金移除組合物時，可將液體輸出(L輸出)發送至電解冶煉或樹脂基酸回收及金屬恢復再用(如上文針對GL模組(280)論述)以擷取並將其中含有之金離子轉換為金屬。當移除組合物係銀移除組合物時，可將液體輸出(L輸出)發送回至RINSE TANK 1中以供重複使用，直至其飽和，此時其可被發送至電解冶煉或樹脂基酸回收及金屬恢復再用(如上文所論述)以擷取並將其中含有之銀離子轉換為金屬。 熟習此項技術者應理解，本文中描述之實施例之任意者之每一模組中之一個、兩個、三個、四個、五個、六個、七個、八個或九個槽可能彼此相同或不同且可包含攪動構件、加熱/冷卻構件、通風構件、感測構件及/或氣體輸入構件。可由熟習此項技術者容易地判定固體與移除組合物及固體與清洗液體之比率。已知在固體與移除組合物接觸後，旋即趨向於存在必須控制之一放熱反應。相應地，固體與移除組合物之比率將取決於移除組合物、固體中之金屬含量，以及可用於反應槽中之加熱及冷卻選項。 在一尤佳實施例中，用於卑金屬移除之系統及程序如下： a.SPT卑金屬移除模組(380)可包含圖17A至圖17J之至少九個槽。一專屬或市售卑金屬移除組合物可用於SPT卑金屬移除模組(380)中。下文描述卑金屬移除組合物之一較佳實施例。應注意，用於上文描述之BMR模組中之卑金屬移除組合物可與用於SPT卑金屬移除模組(380)中之卑金屬移除組合物相同或不同，即，相同化學成分及/或化學成分之濃度。來自RXN COMP 1之卑金屬移除組合物與固體組合，例如，可將RXN COMP 1引入至RXN TANK，接著進行如上文定義之固體S1引入至卑金屬移除組合物以形成一漿液。卑金屬移除組合物之數量相對於固體之數量之重量百分數比率可在從約1:1至約30:1、較佳地約4:1至約12:1之一範圍中。在時間x1之後，如上文所描述且特定於卑金屬移除，包括卑金屬移除組合物及固體S1之漿液可移動至RXN HOLD 1以依實行化學反應(即，自固體S1移除卑金屬)之實質上完成所必需之時間及溫度處理(舉例而言，在從約10分鐘至約300分鐘、較佳地約70分鐘至約130分鐘之一範圍中之時間，及在從室溫至約80℃、較佳地約45℃至約70℃之一範圍中之溫度)。將來自RXN COMP 2之卑金屬移除組合物添加至RXN TANK，接著進行將固體S2引入至卑金屬移除組合物以形成一漿液。在特定於卑金屬移除之時間x2之後，可將包括卑金屬移除組合物及固體S2之漿液移動至RXN HOLD 2以依實行化學反應(即，自固體S2移除卑金屬)之實質上完成所必需之時間及溫度處理，例如，如針對RXN HOLD 1所描述。 b.在實質上完成化學反應(即，自固體S1移除卑金屬)之後，可將來自RXN HOLD 1之漿液移動至一離心機且經反應固體S1與卑金屬移除組合物分離(例如，參見圖17E)。卑金屬移除組合物較佳地僅使用一次且因而，可被發送以供進一步處理以自其移除銀及/或一些其他貴金屬(例如，圖17E中之「L輸出」)。可藉由使卑金屬移除組合物與NaCl或一些其他含有氯化物之鹽反應以形成氯化銀而自卑金屬移除組合物再利用銀，該氯化銀可使用一過濾器收集且發送至SPT銀浸出模組(420)，如下文針對銀再利用所論述。可將來自離心機之經反應固體S1移動至RINSE TANK 1 (例如，參見圖17E)。相同程序發生以將RXN HOLD 2中之漿液分離成一卑金屬移除組合物(其可針對銀及/或一些其他貴金屬處理)，及一經反應固體S2，其中可將經反應固體S2移動至RINSE TANK 1 (其已包括經反應固體S1)。累積的經反應固體S1加上經反應固體S2在下文稱為固體S3。 c.將來自RINSE 1之第一清洗液體移動至RINSE TANK 1且清洗發生達實行一第一清洗所必需之時間r1，舉例而言，在從約1分鐘至約30分鐘、較佳地約2分鐘至約10分鐘之一範圍中之時間。在清洗之時間r1之後，來自RINSE TANK 1之漿液可移動至一離心機且經清洗固體S3與第一清洗液體分離。可將經清洗固體S3移動至RINSE TANK 2 (參見圖17G)。第一清洗液體可較佳地用來製作或補充新卑金屬移除組合物(例如，用於RXN COMP 1或RXN COMP 2)。 d.可將來自RINSE 2之第二清洗液體移動至RINSE TANK 2且清洗依實行一第二清洗所必需之時間r2 (舉例而言，在從約1分鐘至約30分鐘、較佳地約2分鐘至約10分鐘之一範圍中之時間)發生。在清洗之時間r2之後，來自RINSE TANK 2之漿液可移動至一離心機且固體S3與第二清洗液體分離。固體S3可移動至SPT金移除模組(400)、SPT銀浸出模組(420)，或可移動至一容器以在內部或場外進一步處理。第二清洗液體可成為用於下一循環之第一清洗液體(參見圖17J)。 當卑金屬移除組合物包括硝酸或至少一種硝酸鹽時，產生包括氮及氧之氣體(例如，NO及NO2 )(下文「NOx」)，該等氣體由於其等之毒性故較佳地消除。如下文介紹，當至少一種氧化劑包括硝酸及/或至少一種硝酸鹽時，一較佳卑金屬移除組合物可包括至少一種NOx抑制劑。在一項實施例中，NOx抑制劑包括過氧化氫或具有比硝酸及/或至少一種硝酸鹽更高之一氧化電位之其他氧化劑，其中過氧化氫或其他氧化劑可在反應槽之上游添加、緊接在引入固體之前直接引入至反應槽中、在引入固體的同時直接引入至反應槽中，或在引入固體之後直接引入至反應槽中。在另一實施例中，如本文中所描述，NOx抑制劑包括一或多種唑。雖然不希望被理論束縛，但認為(若干)唑起作用以螯合NOx，其中唑可在反應槽之上游添加、緊接在引入固體之前直接引入至反應槽中、在引入固體的同時直接引入至反應槽中，或在引入固體之後直接引入至反應槽中。 在一尤佳實施例中，用於金移除之系統及程序如下： a.SPT金移除模組(400)可包含圖17A至圖17J之至少九個槽。一專屬或市售金移除組合物可用於SPT金移除模組(400)中。下文描述金移除組合物之一較佳實施例。應注意，用於上文描述之GL模組(280)中之金移除組合物可與用於SPT工具模組(360)中之金移除組合物相同或不同，即，相同化學成分及/或化學成分之濃度。來自RXN COMP 1之金移除組合物與固體組合，例如，可將RXN COMP 1引入至RXN TANK，接著進行固體S1引入至金移除組合物以形成一漿液。在一項實施例中，先前在SPT工具之SPT卑金屬移除模組(380)中處理固體S1。在一項實施例中，先前在SPT工具之SPT銀浸出模組(420)中處理固體S1。在另一實施例中，先前未在SPT工具之SPT卑金屬移除模組(380)或SPT銀浸出模組(420)中處理固體S1。金移除組合物之數量相對於固體之數量之重量百分數比率可能在從約1:1至約30:1、較佳地約4:1至約12:1之一範圍中。在時間x1之後，如上文所描述且特定於金移除，包括金移除組合物及固體S1之漿液可移動至RXN HOLD 1以依實行化學反應(即，以金離子溶解/增溶在金移除組合物中的形式自固體S1移除金)之實質上完成所必需之時間及溫度處理(舉例而言，在從約10分鐘至約200分鐘、較佳地約40分鐘至約110分鐘之一範圍中之時間，及在從室溫至約80℃、較佳地約45℃至約70℃之一範圍中之溫度)。將來自RXN COMP 2之金移除組合物添加至RXN TANK，接著進行將固體S2引入至金移除組合物以形成一漿液。在特定於金移除之時間x2之後，包括金移除組合物及固體之漿液可移動至RXN HOLD 2以依實行化學反應(即，以金離子溶解/增溶在金移除組合物中的形式自固體S2移除金)之實質上完成所必需之時間及溫度處理，例如，如針對RXN HOLD 1所描述。 b.在實質上完成化學反應(即，以金離子溶解/增溶在金移除組合物中的形式自固體S1移除金)之後，來自RXN HOLD 1之漿液可移動至一離心機且經反應固體S1與金移除組合物分離(例如，參見圖17E)。金移除組合物可使用數次但一旦飽和，如一般技術者容易地可辨別，便可經處理以(例如)使用擴散滲析、電解冶煉、pH調整、滲碳及/或樹脂基酸回收及金屬恢復再用來自其移除金離子。來自離心機之經反應固體S1可移動至RINSE TANK 1 (例如，參見圖17E)。相同程序發生以將RXN HOLD 2中之漿液分離成一金移除組合物(其可重複使用數次)，及一經反應固體S2，其中經反應固體S2可移動至RINSE TANK 1 (其已包括經反應固體S1)。累積的經反應固體S1加上經反應固體S2在下文稱為固體S3。 c.將來自RINSE 1之第一清洗液體移動至RINSE TANK 1且清洗可發生達實行一第一清洗所必需之時間r1以自固體移除殘留金離子。清洗之時間可在從約1分鐘至約30分鐘、較佳地約2分鐘至約10分鐘之一範圍中。在清洗之時間r1之後，來自RINSE TANK 1之漿液可移動至一離心機且經清洗固體S3與第一清洗液體分離。經清洗固體S3可移動至RINSE TANK 2 (參見圖17G)且第一清洗液體可較佳地經發送以供處理以(例如)使用擴散滲析、電解冶煉、pH調整、滲碳及/或樹脂基酸回收及金屬恢復再用來自其分離、移除及/或恢復再用金離子。 d.可將來自RINSE 2之第二清洗液體移動至RINSE TANK 2且清洗可發生達實行一第二清洗所必需之時間r2，舉例而言，在從約1分鐘至約30分鐘、較佳地約2分鐘至約10分鐘之一範圍中之時間。在清洗之時間r2之後，來自RINSE TANK 2之漿液可移動至一離心機且固體S3與第二清洗液體分離。固體S3可移動至RINSE TANK 1 (參見圖17H)且第二清洗液體可成為用於固體穿過SPT金移除模組(400)之下一循環之第一清洗液體。替代地，可使用第二清洗液體來製作新的金移除組合物。 e.可將一第三清洗液體(參見圖17H)移動至RINSE TANK 1且清洗可發生達實行一第三清洗所必需之時間r3，舉例而言，在從約1分鐘至約30分鐘、較佳地約2分鐘至約10分鐘之一範圍中之時間。若固體將在繼清洗之後發送至SPT銀浸出模組，則可在第三清洗期間將pH調整至約4.5至約7之一範圍。在清洗之時間r3之後，來自RINSE TANK 1之漿液可移動至一離心機且固體S3與第三清洗液體分離。固體S3可移動至SPT銀浸出模組(420)、SPT卑金屬移除模組(380)，或可移動至一容器以在內部或場外進一步處理。第三清洗液體可成為用於固體穿過SPT金移除模組(400)之下一循環之第二清洗液體(參見圖17I)。替代地，可使用第三清洗液體來製作新的金移除組合物。 在一尤佳實施例中，用於銀移除之系統及程序如下： a.SPT銀浸出模組(420)包含圖17A至圖17J之至少九個槽。一專屬或市售銀移除組合物可用於SPT銀浸出模組(420)中。下文描述銀移除組合物之一較佳實施例。來自RXN COMP 1之銀移除組合物與固體組合，例如，可將RXN COMP 1引入至RXN TANK，接著進行將固體S1引入至銀移除組合物以形成一漿液。在一項實施例中，先前在SPT工具之SPT金移除模組(400)中處理固體S1。在另一實施例中，先前在SPT工具之SPT卑金屬移除模組(380)中處理固體S1。在另一實施例中，先前未在SPT工具之SPT金移除模組(400)或SPT卑金屬移除模組(380)中處理固體S1。銀移除組合物之數量相對於固體之數量之重量百分數比率可能在從約1:1至約30:1、較佳地約4:1至約12:1之一範圍中。在特定於銀移除之時間x1之後，包括銀移除組合物及固體S1之漿液可移動至RXN HOLD 1以依實行化學反應(即，自固體S1移除銀)之實質上完成所必需之時間及溫度處理，舉例而言，在從約10分鐘至約200分鐘、較佳地約40分鐘至約110分鐘之一範圍中之時間，及在從室溫至約60℃、較佳地約30℃至約50℃之一範圍中之溫度。將來自RXN COMP 2之銀移除組合物添加至RXN TANK，接著進行將固體S2引入至銀移除組合物以形成一漿液。在特定於銀移除之時間x2之後，包括銀移除組合物及固體之漿液可移動至RXN HOLD 2以依實行化學反應(即，自固體S2移除銀)之實質上完成所必需之時間及溫度處理，例如，如針對RXN HOLD 1所描述。 b.在實質上完成化學反應(即，自固體S1移除銀)之後，來自RXN HOLD 1之漿液可移動至一離心機且經反應固體S1與銀移除組合物分離(例如，參見圖17E)。銀移除組合物可使用數次但一旦飽和，便可經處理以(例如)使用擴散滲析、電解冶煉、pH調整、滲碳及/或樹脂基酸回收及金屬恢復再用來自其移除銀。可將來自離心機之經反應固體S1移動至RINSE TANK 1 (例如，參見圖17E)。相同程序發生以將RXN HOLD 2中之漿液分離成一銀移除組合物(其可重複使用數次)，及一經反應固體S2，其中可將經反應固體S2移動至RINSE TANK 1 (其已包括經反應固體S1)。累積的經反應固體S1加上經反應固體S2在下文稱為固體S3。 c.可將來自RINSE 1之第一清洗液體移動至RINSE TANK 1且清洗依實行一第一清洗所必需之時間r1 (舉例而言，在從約1分鐘至約30分鐘、較佳地約2分鐘至約10分鐘之一範圍中之時間)發生。在清洗之時間r1之後，來自RINSE TANK 1之漿液可移動至一離心機且經清洗固體S3與液體分離。可將經清洗固體S3移動至RINSE TANK 2 (參見圖17G)。第一清洗液體可在經發送以處理以(例如)使用擴散滲析、電解冶煉、pH調整、滲碳及/或樹脂基酸回收及金屬恢復再用來自其分離、移除及/或恢復再用銀之前移動回至RINSE 1以重複使用數次。 d.可將來自RINSE 2之第二清洗液體移動至RINSE TANK 2且清洗依實行一第二清洗所必需之時間r2 (舉例而言，在從約1分鐘至約30分鐘、較佳地約2分鐘至約10分鐘之一範圍中之時間)發生。在清洗之時間r2之後，來自RINSE TANK 2之漿液可移動至一離心機且固體S3與第二清洗液體分離。可將固體移動至SPT卑金屬移除模組(380)、SPT金移除模組(400)，或一容器以在內部或場外進一步處理。第二清洗液體可在經發送以處理以(例如)使用擴散滲析、電解冶煉、pH調整、滲碳及/或樹脂基酸回收及金屬恢復再用來自其分離、移除及/或恢復再用銀之前移動回至RINSE 2以重複使用數次。 熟習此項技術者應瞭解，SPT卑金屬移除模組(380)、SPT金移除模組(400)及SPT銀浸出模組(420)之任何組合可能存在於SPT工具模組(360)中。舉例而言，SPT工具模組(360)可包含三個金屬模組之僅一者。替代地，SPT工具模組(360)可包括一SPT卑金屬移除模組(380)及一SPT銀浸出模組(420)，其中模組在具有或不具有中介程序之情況下彼此串聯，且其中任一模組可為系列中之第一個模組。替代地，SPT工具模組(360)可包括一SPT卑金屬移除模組(380)及一SPT金移除模組(400)，其中模組在具有或不具有中介程序之情況下彼此串聯，且其中任一模組可為系列中之第一個模組。在另一替代例中，SPT工具模組(360)可包括一SPT銀浸出模組(420)及一SPT金移除模組(400)，其中模組在具有或不具有中介程序之情況下彼此串聯，且其中任一模組可為系列中之第一個模組。在一較佳實施例中，SPT工具模組(360)可包括一SPT卑金屬移除模組(380)、一SPT銀浸出模組(420)及一SPT金移除模組(400)，其中模組在具有或不具有中介程序之情況下彼此串聯，且其中任一模組可為系列中之第一個模組。在一尤佳實施例中，SPT工具模組(360)包括一SPT卑金屬移除模組(380)、一SPT銀浸出模組(420)及一SPT金移除模組(400)(例如，參見圖12)，其中模組在具有或不具有中介程序之情況下彼此串聯。 雖然可設想其他實施例，但本文中揭示之實施例已經完善以最大化貴金屬之再利用之效率以及最小化所需化學品之數量及產生之廢料流。 較佳地藉由至少一個PLC控制SPT工具模組(360)且可在較佳地分揀成諸批次之板及/或組件進入SPT程序流時選擇用於每一模組之特定配方。如上文所論述，將即時監測SPT模組，其中至少每十五分鐘對各自移除組合物進行取樣且判定化學成分之濃度，其中可對清洗液體進行取樣，且其中在實質上完成化學反應時監測經歷卑金屬移除及金移除之固體且在60分鐘對經歷銀移除之固體進行取樣。此外，監測析出之氣體及SPT工具模組(360)之全部硬體以確保模組正有效且安全地工作。 在一個態樣中，描述一SPT工具模組(360)，該SPT工具模組(360)包括選自由(i)一SPT卑金屬移除模組(380)、(ii)一SPT金移除模組(400)、(iii)一SPT銀浸出模組(420)、(iv)(i)至(iii)之一者或兩者之任何組合及(v)(i)至(iii)之各者之組合組成之群組之至少一個模組，其中SPT工具模組能夠自PCB、PCB組件、包括金之材料或其任何組合移除至少一種貴金屬。 在一個態樣中，描述一SPT工具模組(360)，該SPT工具模組(360)包括選自由(i)一SPT卑金屬移除模組(380)、(ii)一SPT金移除模組(400)、(iii)一SPT銀浸出模組(420)、(iv)(i)至(iii)之一者或兩者之任何組合及(v)(i)至(iii)之各者之組合組成之群組之至少一個模組，其中SPT工具模組能夠自如本文中定義之固體移除至少一種貴金屬。固體較佳地包括已經灰化、磨削及/或粉碎之包括金之材料。 在另一態樣中，描述一種回收選自由PCB、PCB組件、包括金之材料及其組合組成之群組之材料之程序，其中該程序有效地恢復再用大於約80%、較佳地大於約90%且最佳地大於約95%之含於PCB、PCB組件及包括金之材料中之金。該程序包括以下內容之至少一者：(a)在一固體處理技術(SPT)卑金屬移除模組(380)中使用一卑金屬移除組合物自一固體移除至少一種卑金屬；(b)在一SPT金移除模組(400)中使用一金移除組合物自固體移除金；及/或(c)在一SPT銀浸出模組(420)中使用一銀移除組合物自固體移除銀，其中程序在具有或不具有中介程序之情況下彼此串聯地操作。固體較佳地包括已經灰化、磨削及/或粉碎之包括金之材料。 在一個態樣中，描述一SPT卑金屬移除模組(380)，該SPT卑金屬移除模組包括： (a)至少一個反應槽， (b)至少一個貯留槽，其與至少一個反應槽液體連通， (c)至少一個清洗槽，其與至少一個貯留槽液體連通， 其中該SPT卑金屬移除模組能夠自一固體移除至少一種卑金屬，其中固體包括已經灰化、磨削及/或粉碎之包括金之材料。SPT卑金屬移除模組可進一步包括以下內容之至少一者：至少一個卑金屬移除組合物槽，其與至少一個反應槽液體連通；至少一個清洗液體槽，其與至少一個清洗槽液體連通；至少一個離心機；攪動構件，其在反應槽、至少一個貯留槽及/或至少一個清洗槽之至少一者中；至少一個泵；加熱/冷卻構件，其用於反應槽、至少一個貯留槽及/或至少一個清洗槽之至少一者；至少一個空氣輸入，其用於反應槽、至少一個貯留槽及/或至少一個清洗槽之至少一者；即時取樣及調整；感測構件，其用於反應槽、至少一個貯留槽及/或至少一個清洗槽之至少一者；及通風構件，其用於反應槽、至少一個貯留槽及/或至少一個清洗槽之至少一者。至少一個反應槽及至少一個貯留槽可包括一卑金屬移除組合物。SPT卑金屬移除模組較佳地圍封在一或多個外殼中且由一可程式化邏輯控制器控制。 在另一態樣中，描述一種自選自由PCB、PCB組件、包括金之材料及其組合組成之群組之材料移除至少一種卑金屬之程序，該程序包括在一固體處理技術(SPT)卑金屬移除模組(380)中使用一卑金屬移除組合物自一固體移除至少一種卑金屬，其中SPT卑金屬移除模組包括：(a)至少一個反應槽；(b)至少一個貯留槽，其與至少一個反應槽液體連通；及(c)至少一個清洗槽，其與至少一個貯留槽液體連通，其中固體包括已經灰化、磨削及/或粉碎之包括金之材料。 在其另一態樣中，描述一種自選自由PCB、PCB組件、包括金之材料及其組合組成之群組之材料移除至少一種卑金屬之程序，該程序包括： (a)在一反應槽中產生一第一漿液，其中該第一漿液包括至少一固體及一卑金屬移除組合物，其中該第一漿液經歷一反應達一時間x； (b)在時間x之後將第一漿液從反應槽移動至一貯留槽以實行化學反應之實質上完成； (c)將第一漿液從貯留槽移動至一離心機以將固體與卑金屬移除組合物分離； (d)將固體從離心機移動至一第一清洗槽，其中將第一清洗液體引入至固體以產生一第二漿液，其中第二漿液經清洗達一時間r1； (e)將第二漿液從第一清洗槽移動至一離心機以將固體與第一清洗液體分離； 及視需要： (f)將固體從離心機移動至一第二清洗槽，其中將第二清洗液體引入至固體以產生一第三漿液，其中該第三漿液經清洗達一時間r2；及 (g)將第三漿液從第二清洗槽移動至一離心機以將固體與第二清洗液體分離。 在一項實施例中，藉由將卑金屬移除組合物添加至反應槽而產生漿液，接著進行在近似相同時間將固體及至少一種NOx抑制劑引入至反應槽。較佳地，實質上完成化學反應在從室溫至約80℃、較佳地約45℃至約70℃之一範圍中之溫度下花費從約10分鐘至約300分鐘、較佳地約70分鐘至約130分鐘。在一項實施例中，僅使用一次卑金屬移除組合物。 在一個態樣中，描述一SPT金移除模組(400)，該SPT金移除模組包括： (a)至少一個反應槽， (b)至少一個貯留槽，其與至少一個反應槽液體連通， (c)至少一個清洗槽，其與至少一個貯留槽液體連通， 其中該SPT金移除模組能夠自一固體移除金，其中固體包括已經灰化、磨削及/或粉碎之包括金之材料。SPT金移除模組可進一步包括以下內容之至少一者：至少一個金移除組合物槽，其與至少一個反應槽液體連通；至少一個清洗液體槽，其與至少一個清洗槽液體連通；至少一個離心機；攪動構件，其在反應槽、至少一個貯留槽及/或至少一個清洗槽之至少一者中；至少一個泵；加熱/冷卻構件，其用於反應槽、至少一個貯留槽及/或至少一個清洗槽之至少一者；至少一個空氣輸入，其用於反應槽、至少一個貯留槽及/或至少一個清洗槽之至少一者；即時取樣及調整；感測構件，其用於反應槽、至少一個貯留槽及/或至少一個清洗槽之至少一者；及通風構件，其用於反應槽、至少一個貯留槽及/或至少一個清洗槽之至少一者。至少一個反應槽及至少一個貯留槽可包括一金移除組合物。SPT金移除模組較佳地圍封在一或多個外殼中且由一可程式化邏輯控制器控制。 在另一態樣中，描述一種自選自由PCB、PCB組件、包括金之材料及其組合組成之群組之材料移除金之程序，該程序包括在一固體處理技術(SPT)金移除模組(400)中使用一金移除組合物自一固體移除金，其中SPT金移除模組包括：(a)至少一個反應槽；(b)至少一個貯留槽，其與至少一個反應槽液體連通；及(c)至少一個清洗槽，其與至少一個貯留槽液體連通，其中固體包括已經灰化、磨削及/或粉碎之包括金之材料。 在其另一態樣中，描述一種自選自由PCB、PCB組件、包括金之材料及其組合組成之群組之材料移除金之程序，該程序包括： (a)在一反應槽中產生一第一漿液，其中該第一漿液包括至少一固體及一金移除組合物，其中該第一漿液經歷一反應達一時間x； (b)在時間x之後將第一漿液從反應槽移動至一貯留槽以實行實質上完成化學反應； (c)將第一漿液從貯留槽移動至一離心機以將固體與金移除組合物分離； (d)將固體從離心機移動至一第一清洗槽，其中將第一清洗液體引入至固體以產生一第二漿液，其中該第二漿液經清洗達一時間r1； (e)將第二漿液從第一清洗槽移動至一離心機以將固體與第一清洗液體分離； 及視需要： (f)將固體從離心機移動至一第二清洗槽，其中將第二清洗液體引入至固體以產生一第三漿液，其中該第三漿液經清洗達一時間r2； (g)將第三漿液從第二清洗槽移動至一離心機以將固體與第二清洗液體分離； 及視需要 (h)將固體從離心機移動至第一清洗槽，其中將第三清洗液體引入至固體以產生一第四漿液，其中該第四漿液經清洗達一時間r3；及 (i)將第四漿液從第一清洗槽移動至一離心機以將固體與第三清洗液體分離。 較佳地，實質上完成化學反應在從室溫至約80℃、較佳地約40℃至約70℃之一範圍中之溫度下花費從約10分鐘至約200分鐘、較佳地約40分鐘至約110分鐘。在一項實施例中，金移除組合物在處理(例如，電解冶煉及/或樹脂基酸回收及金屬恢復再用)之前被使用數次。 在一個態樣中，描述一SPT銀浸出模組(400)，該SPT銀浸出模組包括： (a)至少一個反應槽， (b)至少一個貯留槽，其與至少一個反應槽液體連通， (c)至少一個清洗槽，其與至少一個貯留槽液體連通， 其中該SPT銀浸出模組能夠自一固體移除銀，其中固體包括已經灰化、磨削及/或粉碎之包括銀之材料。SPT銀浸出模組可進一步包括以下內容之至少一者：至少一個銀浸出組合物槽，其與至少一個反應槽液體連通；至少一個清洗液體槽，其與至少一個清洗槽液體連通；至少一個離心機；攪動構件，其在反應槽、至少一個貯留槽及/或至少一個清洗槽之至少一者中；至少一個泵；加熱/冷卻構件，其用於反應槽、至少一個貯留槽及/或至少一個清洗槽之至少一者；至少一個空氣輸入，其用於反應槽、至少一個貯留槽及/或至少一個清洗槽之至少一者；即時取樣及調整；感測構件，其用於反應槽、至少一個貯留槽及/或至少一個清洗槽之至少一者；及通風構件，其用於反應槽、至少一個貯留槽及/或至少一個清洗槽之至少一者。至少一個反應槽及至少一個貯留槽可包括一銀浸出組合物。SPT銀浸出模組較佳地圍封在一或多個外殼中且由一可程式化邏輯控制器控制。 在另一態樣中，描述一種自選自由PCB、PCB組件、包括金之材料及其組合組成之群組之材料移除銀之程序，該程序包括在一固體處理技術(SPT)銀浸出模組(420)中使用一銀浸出組合物自一固體移除銀，其中SPT銀浸出模組包括：(a)至少一個反應槽；(b)至少一個貯留槽，其與至少一個反應槽液體連通；及(c)至少一個清洗槽，其與至少一個貯留槽液體連通，其中固體包括已經灰化、磨削及/或粉碎之包括金之材料。 在其另一態樣中，描述一種自選自由PCB、PCB組件、包括金之材料及其組合組成之群組之材料移除銀之程序，該程序包括： (a)在一反應槽中產生一第一漿液，其中該第一漿液包括至少一固體及一銀浸出組合物，其中該第一漿液經歷一反應達一時間x； (b)在時間x之後將第一漿液從反應槽移動至一貯留槽以實行實質上完成化學反應； (c)將第一漿液從貯留槽移動至一離心機以將固體與銀浸出組合物分離； (d)將固體從離心機移動至一第一清洗槽，其中將第一清洗液體引入至固體以產生一第二漿液，其中該第二漿液經清洗達一時間r1； (e)將第二漿液從第一清洗槽移動至一離心機以將固體與第一清洗液體分離； 及視需要： (f)將固體從離心機移動至一第二清洗槽，其中將第二清洗液體引入至固體以產生一第三漿液，其中該第三漿液經清洗達一時間r2；及 (g)將第三漿液從第二清洗槽移動至一離心機以將固體與第二清洗液體分離。 較佳地，實質上完成化學反應在從室溫至約60°C、較佳地約30°C至約50°C之一範圍中之溫度下花費從約10分鐘至約200分鐘、較佳地約40分鐘至約110分鐘。在一項實施例中，僅使用一次卑金屬移除組合物。繼使用之後處理組合物 如本文中所論述，一旦一移除組合物飽和，或以其他方式不再可用於金屬移除，且一旦一清洗液體不再可用於清洗，其等便可取決於如上文揭示之移除組合物或清洗液體而被發送至至少一個處理系統，包含但不限於電解冶煉、擴散滲析、pH調整、滲碳、廢水處理、樹脂基酸回收及金屬恢復再用及其任何組合。 關於廢水處理，廢水通常具有一極低pH且可使用一強鹼來調整pH以起始將廢水中之金屬離子沈澱(舉例而言)為金屬氫氧化物。在來自廢水之大量金屬離子沈澱之後，廢水之pH可調整至更接近中和之一值且中和水可透過一逆滲透系統發送以產生可回收回至一或多個模組(例如，DS模組、BMR模組、GL模組、SPT卑金屬移除模組、SPT金移除模組、SPT銀浸出模組)中以重複使用之水。相應地，廢水恢復再用系統可包括：至少一個廢料槽，其經調適以儲存來自本文中描述之程序模組之廢水；至少一個中和槽；至少一種pH調整劑；至少一個壓濾器；一鹽移除系統(例如，逆滲透及結晶器)；管狀超濾；一離子交換器，其移除痕量金屬；及至少一個返回管線，其經調適以使回收水返回至至少一個程序模組。 電解冶煉(EW)系統可經選擇以使用一或多個電極單元將來自一飽和移除組合物及/或清洗液體之至少一種金屬離子有效地轉換成金屬。在一較佳實施例中，EW系統使用包括至少一個陰極元件及至少一個陽極元件之一或多個圓柱形電極單元。當待電解冶煉之溶液包括可在陽極處引起不必要反應之化學品(例如，金屬蝕刻劑、金屬錯合劑及氯化物離子)時，EW系統可進一步包括一分割電極單元，舉例而言，如以Charles E. Lemon等人之名義在2000年12月19日發佈且標題為「Electrochemical Cell for Removal of Metals from Solutions」之美國專利6,162,333中描述之一RenoCell，該專利之全部內容據此以引用的方式併入本文中。在分割電極單元中，使用至少一個分割總成來分離至少一個陰極電解物腔室(包括至少一個陰極元件及一陰極電解物溶液)及至少一個陽極電解物腔室(包括至少一個陽極元件及陽極電解物溶液)。分割總成可包括包含一或多個陽離子及/或陰離子交換薄膜之一或多個多孔薄膜。在一較佳實施例中，分割總成係一或多個多孔陽離子交換薄膜。雖然陽極及陰極元件可包括一或多種材料，但如熟習此項技術者容易地判定，在一較佳實施例中，EW系統包括一多孔碳及/或石墨陰極元件及一鈦及/或氧化鈦陽極元件。在一項實施例中，陰極電解物溶液包括如本文中描述之一或多種飽和移除組合物及/或清洗液體，且陽極電解物溶液包括一或多種相容酸及/或鹽溶液，包含但不限於Na2 SO4 及H2 SO4 (其中H2 SO4 與銀浸出溶液不相容)。包括金屬離子之陽極電解物溶液及陰極電解物溶液循環穿過其等在分割電極單元中之各自腔室且來自飽和移除組合物及/或清洗液體之金屬離子經還原且沈積於陰極上，其中還原且沈積之金屬取決於EW系統之電流。 在一項實施例中，包括至少一種金屬離子之陽極電解物溶液及陰極電解物溶液再循環穿過其等在分割電極單元中之各自腔室且來自飽和移除組合物及/或清洗液體之金屬離子經還原且沈積於陰極上，直至自溶液移除大於80%、90%、95%、99%之金屬離子。在又一實施例中，手動或自動監測陰極電解物溶液中之金屬離子或貴金屬離子之濃度，直至自溶液移除大於80%、90%、95%、99%之金屬。在一較佳實施例中，包括金屬離子之陰極電解物溶液再循環穿過EW系統，直至在陰極電解物溶液中偵測到小於10 ppm且更佳地小於5 ppm之金屬離子。 使用上文描述之一或多個解析技術直接或間接、視需要即時、手動或自動地監測陰極電解物溶液中之至少一種金屬離子。此外，EW系統包括用於使用上文描述之一或多個解析技術在EW程序之前及/或期間直接或間接、視需要即時、手動或自動地監測飽和移除組合物及/或清洗液體中之一或多種化學成分之構件。 在又一實施例中，本文中描述之EW系統藉由在EW程序之前及/或期間直接或間接、視需要即時、手動或自動地監測至少一個系統參數而有效地恢復再用大於85%、90%、95%、99%之飽和移除組合物及/或清洗液體中之目標金屬，其中至少一個系統參數選自由陰極電解物溶液流量、陰極電解物進口及/或出口壓力、陽極電解物溶液流量、陽極電解物進口及/或出口壓力、跨分割單元總成之差壓、電極單元電流、電極單元電壓、pH、氧化-還原電位及溫度組成之群組。 當EW系統包括一分割電極單元時，系統可進一步包括維持跨分割總成之一最小差壓，藉此維持薄膜之形狀之構件。相應地，在又一實施例中，EW系統包括監測並控制陽極電解物腔室中之陽極電解物溶液與陰極電解物腔室中之陰極電解物溶液之間之差壓之構件，其包含但不限於一或多個壓力感測器、變速泵、壓力控制閥、壓力調節器、壓力釋放閥及背壓調節器。較佳地，陰極電解物側上之壓力相同於或稍大於薄膜之陽極電解物側上之壓力。 較佳地，EW系統包括監測、調整並控制部分基於一或多個程序配方之程序參數(包含但不限於電極單元電流及電壓、pH、氧化-還原電位、溫度、流率及壓力)之一PLC，可基於包含但不限於標定金屬、標定金屬濃度及飽和移除組合物及/或清洗液體中之一或多種化學成分之濃度之參數手動或自動選擇該一或多個程序配方。處理次數基於若干參數，其包含但不限於電流、電流/電壓切換、待達成之最終金屬濃度及安全考量。 在一項實施例中，EW用來使用分割單元將金與飽和金移除組合物及/或清洗液體分離，其中將脲、氫氧化鈉或該兩者添加至飽和金移除組合物以改良電解冶煉期間之電流效率。若使用脲，則脲溶液在一單獨槽中與程序水或GL模組清洗水預混合。在適當混合脲及程序水或GL模組清洗水之後，溶液將被泵抽至EW饋入槽以與飽和金移除組合物混合。若使用NaOH，則NaOH溶液可在一EW饋入槽中與飽和金移除組合物直接混合。一泵可用來使溶液循環穿過槽排放器以摻合溶液。一旦EW饋入槽中之溶液經適當摻合且處於規定溫度，其便透過EW工具從EW饋入槽泵抽且可再循環回至EW饋入槽。一旦已恢復再用金，後EW溶液便可被泵抽至廢水處理系統。較佳地，用來恢復再用金之EW程序利用脲，其可改良整個程序之效率且可在廢水處理系統中回收以重複使用。 有利地，電解冶煉取決於電流而允許一次恢復再用一種金屬。應瞭解，電解冶煉程序之電流可被維持在一恆定電流、隨時間改變或該兩者。亦應瞭解，電解冶煉程序之電壓可被維持在一恆定電流、恆定電壓、隨時間改變或全部上述內容。 替代地或除電解冶煉以外，可使用一樹脂基酸回收及金屬恢復再用系統來處理移除組合物及/或清洗液體，其中樹脂基酸回收及金屬恢復再用系統利用包括具有絕對孔徑(舉例而言，離子大小排除)之樹脂之一管柱，如熟習此項技術者所理解。隨著組合物行進穿過管柱，離子依大小分離，其允許金屬離子之擷取以及含水組合物之回收。樹脂基酸回收及金屬恢復再用之一實例係使用離子大小排除樹脂或標準樹脂之一系統及程序。 離子大小排除聚合樹脂具有一特定表面積、孔體積及孔徑且可用來將具有不同大小半徑之兩個或兩個以上離子物質與含水組合物分離。離子物質可包括陽離子、陰離子、錯合陽離子、錯合陰離子及/或其組合。對於本發明而言，可使用離子大小排除樹脂來將金屬離子與含酸組合物分離以供金屬離子之恢復再用及/或酸之重複使用。此外，可使用離子大小排除樹脂來將兩個或兩個以上不同金屬離子與含酸組合物分離以供金屬離子之恢復再用及/或酸之重複使用，其中兩個或兩個以上金屬離子進一步彼此分離及/或與酸分離。如熟習此項技術者所理解，可將擷取之金屬離子還原成金屬。可用於分離離子之樹脂材料包含但不限於聚苯乙烯及/或二乙烯基苯聚苯乙烯。 應瞭解，無關於廢水處理、EW、DD或樹脂基酸回收及金屬恢復再用是否用來處理本文中描述之組合物及清洗液體，可透過任何程序回收回之任何材料應為(例如)再利用之酸性溶液。舉例而言，在廢水處理、EW、DD或樹脂基酸回收及金屬恢復再用之後，可能存在液體，其已經處理使得其可用作清洗液體或替代地在新的金屬移除組合物中。有利地，此確保使廢料流最小化。金移除組合物 一金移除組合物之一項實施例包括以下內容、由以下內容組成或基本上由以下內容組成：至少一種氧化劑；視需要至少一種鹵化物；視需要至少一種酸；及視需要至少一種溶劑。在另一實施例中，金移除組合物包括以下內容、由以下內容組成或基本上由以下內容組成：至少一種氧化劑；至少一種鹵化鹽；視需要至少一種酸；及視需要至少一種溶劑。在一項實施例中，金移除組合物包括以下內容、由以下內容組成或基本上由以下內容組成：至少一種氧化劑；至少一種鹵化物；至少一種酸；及至少一種溶劑。在一項實施例中，金移除組合物包括以下內容、由以下內容組成或基本上由以下內容組成：至少一種氧化劑；至少一種氯化物鹽；至少一種酸；及至少一種溶劑。在另一實施例中，金移除組合物包括以下內容、由以下內容組成或基本上由以下內容組成：至少一種氧化劑；至少一種氯化物鹽；至少一種含硫酸；及至少一種溶劑。在又另一實施例中，金移除組合物包括以下內容、由以下內容組成或基本上由以下內容組成：至少一種氧化劑；至少一種鹼性氯化物鹽；至少一種含硫酸；及至少一種溶劑。在其另一實施例中，金移除組合物包括以下內容、由以下內容組成或基本上由以下內容組成：至少一種硝酸鹽氧化劑；至少一種鹼性氯化物鹽；至少一種含硫酸；及至少一種溶劑。金移除組合物本質上係含水的且具有小於約2、更佳地小於約1之一pH。至少一種氧化劑與至少一種酸之重量百分數比率在從約0.1:1至約5:1、較佳地約1:1至約3:1之一範圍中。至少一種鹵化物與至少一種酸之重量百分數比率在從約0.1:1至約5:1、較佳地約0.5:1至約2:1之一範圍中。 氧化劑包含在組合物中以將待移除之金屬氧化成離子形式且累積溶解金屬之高度可溶性鹽。本文中預期之氧化劑包含但不限於臭氧、硝酸(HNO3 )、沸騰空氣、環己基胺基磺酸、過氧化氫(H2 O2 )、發氧方(過氧單硫酸鉀、2KHSO5 ‧KHSO4 ‧K2 SO4 )、銨多原子鹽(例如，過氧單硫酸銨、亞氯酸銨(NH4 ClO2 )、氯酸銨(NH4 ClO3 )、碘酸銨(NH4 IO3 )、過硼酸銨(NH4 BO3 )、過氯酸銨(NH4 ClO4 )、過碘酸銨(NH4 IO3 )、過硫酸銨((NH4 )2 S2 O8 )、次氯酸銨(NH4 ClO))、鈉多原子鹽(例如，過硫酸鈉(Na2 S2 O8 )、次氯酸鈉(NaClO))、鉀多原子鹽(例如，碘酸鉀(KIO3 )、過錳酸鉀(KMnO4 )、過硫酸鉀、過硫酸鉀(K2 S2 O8 )、次氯酸鉀(KClO))、四甲基銨多原子鹽(例如，亞氯酸四甲基銨((N(CH3 )4 )ClO2 )、氯酸四甲基銨((N(CH3 )4 )ClO3 )、碘酸四甲基銨((N(CH3 )4 )IO3 )、過硼酸四甲基銨((N(CH3 )4 )BO3 )、過氯酸四甲基銨((N(CH3 )4 )ClO4 )、過碘酸四甲基銨((N(CH3 )4 )IO4 )、過硫酸四甲基銨((N(CH3 )4 )S2 O8 )、硝酸四甲基銨)、四丁基銨多原子鹽(例如，過氧單硫酸四丁銨、硝酸四丁銨)、過氧單硫酸、過氧化氫脲((CO(NH2 )2 )H2 O2 )、過乙酸(CH3 (CO)OOH)、硝酸鈉、硝酸鉀、硝酸銨及其組合。最佳地，氧化劑包括硝酸根離子，其包含但不限於硝酸、硝酸鈉、硝酸鉀、硝酸銨、硝酸四烷基銨及其組合。 至少一種鹵化物較佳地係含氯化合物，其包含但不限於鹽酸及鹼性氯化物(例如，氯化鈉、氯化鉀、氯化銣、氯化銫、氯化鎂、氯化鈣、氯化鍶、氯化銨、氯化四級銨鹽)及其組合，附帶條件係含氯化合物不能包含氯化銅、氯氣或第二不同鹵化物。較佳地，至少一種鹵化物包括鹼性氯化物，甚至更佳地卑金屬氯化物，諸如氯化鈉。至少一種鹵化物亦可包含包括溴化物及碘化物之鹽及/或酸，包含但不限於溴化鈉、碘化鈉、溴化鉀、碘化鉀、溴化銣、碘化銣、溴化銫、碘化銫、溴化鎂、碘化鎂、溴化鈣、碘化鈣、溴化鍶、碘化鍶、溴化銨、碘化銨及溴化四級銨鹽。 至少一種酸較佳地係含硫物質，諸如硫酸、硫酸鹽(例如，硫酸鈉、硫酸鉀、硫酸銣、硫酸銫、硫酸鎂、硫酸鈣、硫酸鍶、硫酸鋇)、磺酸、磺酸衍生物及其組合。預期之磺酸衍生物包含甲磺酸(MSA)、乙磺酸、2-羥基乙磺酸、正丙磺酸、異丙磺酸、異丁烯磺酸、正丁磺酸、正辛磺酸、苯磺酸、苯磺酸衍生物及其組合。較佳地，至少一種酸包括硫酸，較佳地濃硫酸。 至少一種溶劑包含但不限於水、甲醇、乙醇、異丙醇、丁醇、戊醇、己醇、2-乙基-1-己醇、庚醇、辛醇、乙二醇、丙二醇、丁二醇、四氫糠醇(THFA)、碳酸丁二酯、碳酸乙二酯、碳酸丙二酯、二丙二醇、二乙二醇單甲醚、三乙二醇單甲醚、二乙二醇單乙醚、三乙二醇單乙醚、乙二醇單丙醚、乙二醇單丁醚、二乙二醇單丁醚、三乙二醇單丁醚、乙二醇單己醚、二乙二醇單己醚、乙二醇苯醚、丙二醇甲醚、二丙二醇甲醚(DPGME)、三丙二醇甲醚(TPGME)、二丙二醇二甲醚、二丙二醇乙醚、丙二醇正丙醚、二丙二醇正丙醚(DPGPE)、三丙二醇正丙醚、丙二醇正丁醚、二丙二醇正丁醚、三丙二醇正丁醚、丙二醇苯醚、2,3-二氫十氟戊烷、乙基全氟丁醚、甲基全氟丁醚、碳酸烷酯、碳酸伸烷酯、4-甲基-2-戊醇、四亞甲基二醇二甲醚及其組合。較佳地，至少一種溶劑包括水。 在一尤佳實施例中，金移除組合物包括以下內容、由以下內容組成或基本上由以下內容組成：氯化鈉；硫酸或其鹽(例如，硫酸鈉)；硝酸或其鹽(即，硝酸鈉)；及水。 金移除組合物可進一步包括至少一種錯合劑(例如，貴金屬錯合劑)、至少一種緩衝劑、至少一種腐蝕抑制劑、至少一種NOx抑制劑、至少一種表面活性劑、至少一種消泡劑、至少一種鈍化劑及其任何組合。 熟習此項技術者將瞭解，金移除組合物可在上游製備且儲存在一槽中以供使用、在用於引入至反應槽中之管線上游製備，或藉由在反應槽中引入化學品而直接在其中製備。此外，預期濃縮液可在反應槽之前或在反應槽中經製備且儲存以用稀釋液(例如，水)稀釋。 在一項實施例中，使用金移除組合物直至裝載有溶解/增溶金離子。在一項實施例中，金移除組合物之一或多種成分係來自電子廢料設施內之一或多個流出廢料流之再生及/或回收成分。焊料移除組合物 焊料移除組合物較佳地相對於貴金屬(特定言之金)選擇性地移除焊料金屬，藉此增加焊料之浴之裝載且增加焊料移除組合物之浴壽命。在一項實施例中，焊料移除組合物包括至少一種氧化劑及水、由該兩者組成或基本上由該兩者組成。第一組合物可進一步包括至少一種鉛及/或錫錯合劑、至少一種有機溶劑，及/或用於鈍化貴金屬及/或卑金屬之至少一種鈍化劑。在另一實施例中，焊料移除組合物包括與至少一種氧化劑及水組合之至少一種鉛及/或錫錯合劑、由其組成或基本上由其組成。在其另一實施例中，焊料移除組合物包括以下內容、由以下內容組成或基本上由以下內容組成：至少一種氧化劑；水；及至少一種鈍化劑，其用於鈍化貴金屬及/或卑金屬材料。在另一實施例中，焊料移除組合物包括以下內容、由以下內容組成或基本上由以下內容組成：至少一種鉛及/或錫錯合劑；至少一種氧化劑；水；及至少一種鈍化劑，其用於鈍化貴金屬及/或卑金屬材料。可將至少一種有機溶劑、至少一種促進劑、至少一種腐蝕抑制劑、至少一種NOx抑制劑、至少一種緩衝劑、至少一種表面活性劑、至少一種消泡劑或其任何組合添加至上述焊料移除組合物實施例之任意者。相應地，在其另一實施例中，焊料移除組合物包括以下內容、由以下內容組成或基本上由以下內容組成：至少一種氧化劑；至少一種促進劑；水；及至少一種鈍化劑，其用於鈍化貴金屬及/或卑金屬材料。至少一種氧化劑與至少一種鈍化劑之重量百分數比率在從約1:1至約50:1、較佳地約15:1至約35:1之一範圍中。至少一種促進劑與至少一種鈍化劑之重量百分數比率在從約1:1至約25:1、較佳地約8:1至約20:1之一範圍中。 氧化劑包含在組合物中以將待移除之金屬氧化成離子形式且累積溶解金屬之高度可溶性鹽。本文中預期之氧化劑包含但不限於臭氧、硝酸(HNO3 )、沸騰空氣、環己基胺基磺酸、過氧化氫(H2 O2 )、發氧方(過氧單硫酸鉀、2KHSO5 ‧KHSO4 ‧K2 SO4 )、銨多原子鹽(例如，過氧單硫酸銨、亞氯酸銨(NH4 ClO2 )、氯酸銨(NH4 ClO3 )、碘酸銨(NH4 IO3 )、過硼酸銨(NH4 BO3 )、過氯酸銨(NH4 ClO4 )、過碘酸銨(NH4 IO3 )、過硫酸銨((NH4 )2 S2 O8 )、次氯酸銨(NH4 ClO))、鈉多原子鹽(例如，過硫酸鈉(Na2 S2 O8 )、次氯酸鈉(NaClO))、鉀多原子鹽(例如，碘酸鉀(KIO3 )、過錳酸鉀(KMnO4 )、過硫酸鉀、過硫酸鉀(K2 S2 O8 )、次氯酸鉀(KClO))、四甲基銨多原子鹽(例如，亞氯酸四甲基銨((N(CH3 )4 )ClO2 )、氯酸四甲基銨((N(CH3 )4 )ClO3 )、碘酸四甲基銨((N(CH3 )4 )IO3 )、過硼酸四甲基銨((N(CH3 )4 )BO3 )、過氯酸四甲基銨((N(CH3 )4 )ClO4 )、過碘酸四甲基銨((N(CH3 )4 )IO4 )、過硫酸四甲基銨((N(CH3 )4 )S2 O8 ))、四丁基銨多原子鹽(例如，過氧單硫酸四丁銨)、過氧單硫酸、過氧化氫脲((CO(NH2 )2 )H2 O2 )、過乙酸(CH3 (CO)OOH)、硝酸鈉、硝酸鉀、硝酸銨、硫酸及其組合。雖然本身非氧化劑，但為了本發明，氧化劑進一步包含鏈烷磺酸(例如，甲磺酸(MSA)、乙磺酸、2-羥基乙磺酸、正丙磺酸、異丙磺酸、異丁烯磺酸、正丁磺酸、正辛磺酸)、苯磺酸、苯磺酸衍生物(例如，4-甲氧基苯磺酸、4-羥基苯磺酸、4-胺基苯磺酸、4-硝基苯磺酸、甲苯磺酸、己基苯磺酸、庚基苯磺酸、辛基苯磺酸、壬基苯磺酸、癸基苯磺酸、十一基苯磺酸、十二基苯磺酸、十三基苯磺酸、十四基苯磺酸、十六基苯磺酸、3-硝基苯磺酸、2-硝基苯磺酸、2-硝基萘磺酸、3-硝基萘磺酸、2,3-二硝基苯磺酸、2,4-二硝基苯磺酸、2,5-二硝基苯磺酸、2,6-二硝基苯磺酸、3,5-二硝基苯磺酸、2,4,6-三硝基苯磺酸、3-胺基苯磺酸、2-胺基苯磺酸、2-胺基萘磺酸、3-胺基萘磺酸、2,3-二胺基苯磺酸、2,4-二胺基苯磺酸、2,5-二胺基苯磺酸、2,6-二胺基苯磺酸、3,5-二胺基苯磺酸、2,4,6-三胺基苯磺酸、3-羥基苯磺酸、2-羥基苯磺酸、2-羥基萘磺酸、3-羥基萘磺酸、2,3-二羥基苯磺酸、2,4-二羥基苯磺酸、2,5-二羥基苯磺酸、2,6-二羥基苯磺酸、3,5-二羥基苯磺酸、2,3,4-三羥基苯磺酸、2,3,5-三羥基苯磺酸、2,3,6-三羥基苯磺酸、2,4,5-三羥基苯磺酸、2,4,6-三羥基苯磺酸、3,4,5-三羥基苯磺酸、2,3,4,5-四羥基苯磺酸、2,3,4,6-四羥基苯磺酸、2,3,5,6-四羥基苯磺酸、2,4,5,6-四羥基苯磺酸、3-甲氧基苯磺酸、2-甲氧基苯磺酸、2,3-二甲氧基苯磺酸、2,4-二甲氧基苯磺酸、2,5-二甲氧基苯磺酸、2,6-二甲氧基苯磺酸、3,5-二甲氧基苯磺酸、2,4,6-三甲氧基苯磺酸)、硫酸烷酯磺酸、吡啶磺酸及其組合。氧化劑可包含本文中定義為氧化劑之任何物質之一組合。在將焊料移除組合物引入至PCB之前或替代地在PCB處(即，在原位)，可在製造商處將氧化劑引入至焊料移除組合物。較佳地，氧化劑包括過氧化物化合物、發氧方、硝酸、硝酸鈉、甲磺酸或其任何組合。最佳地，氧化劑包括甲磺酸。 當存在時，認為有效量之硝酸或其鹽充當焊料移除程序之一促進劑。相應地，在一些實施例中，焊料移除組合物中之氧化劑較佳地包括鏈烷磺酸(例如，MSA)及硝酸或其鹽。預期之其他促進劑包含酸，諸如硫酸、鹽酸、磷酸、氫溴酸及其任何組合。 包含錯合劑以錯合由氧化劑產生之離子。本文中預期之錯合劑包含但不限於：β-二酮酸鹽化合物，諸如乙醯丙酮化物、1,1,1-三氟-2,4-戊二酮及1,1,1,5,5,5-六氟-2,4-戊二酮；羧酸鹽，諸如甲酸鹽及乙酸鹽及其他長鏈羧酸鹽；及醯胺(及胺)，諸如雙(三甲基甲矽烷基醯胺)四聚物。額外螯合劑包含胺及胺基酸(即，甘胺酸、絲胺酸、脯胺酸、亮胺酸、丙胺酸、天冬醯胺酸、天冬胺酸、麩醯胺酸、纈胺酸及離胺酸)、檸檬酸、乙酸、順丁烯二酸、草酸、丙二酸、琥珀酸、膦酸、膦酸衍生物，諸如羥基亞乙基二膦酸(HEDP)、1-羥基乙烷-1,1-二膦酸、氮基-參(亞甲基膦酸)、氮基三乙酸、亞胺基二乙酸、依替膦酸(etidronic acid)、乙二胺、乙二胺四乙酸(EDTA)及(1,2-環己二氮基)四乙酸(CDTA)、脲酸、四乙二醇二甲醚、五甲基二伸乙基三胺(PMDETA)、1,3,5-三嗪-2,4,6-硫代硫醇三鈉鹽溶液、1,3,5-三嗪-2,4,6-硫代硫醇三銨鹽溶液、二乙基二硫代胺基甲酸鈉、經雙取代之二硫代胺基甲酸鹽(R1 (CH2 CH2 O)2 NR2 CS2 Na)(其經一個烷基(R2 =己基、辛基、癸基或十二基)及一個寡聚醚(R1 (CH2 CH2 O)2 ，其中R1 =乙基或丁基)雙取代)、硫酸銨、單乙醇胺(MEA)、Dequest 2000、Dequest 2010、Dequest 2060s、二伸乙基三胺五乙酸、丙二胺四乙酸、1-氧化2-羥基吡啶、乙二胺二琥珀酸(EDDS)、N-(2-羥基乙基)亞胺基二乙酸(HEIDA)、五元三磷酸鈉、其鈉鹽及銨鹽、氯化銨、氯化鈉、氯化鋰、氯化鉀、硫酸銨、檸檬酸三銨、檸檬酸鈉、硫脲、鹽酸、硫酸及其組合。較佳地，錯合劑包括HEDP、HEIDA、EDDS、其鈉或銨鹽、硫酸或其組合。 用於鈍化貴金屬及/或卑金屬之鈍化劑包含但不限於抗壞血酸、腺苷酸、L(+)-抗壞血酸、異抗壞血酸、抗壞血酸衍生物、檸檬酸、乙二胺、沒食子酸、草酸、鞣酸、乙二胺四乙酸(EDTA)、脲酸、1,2,4-三唑(TAZ)、三唑衍生物(例如，苯并三唑(BTA)、甲苯基三唑、5-苯基-苯并三唑、5-硝基-苯并三唑、3-胺基-5-巰基-1,2,4-三唑、1-胺基-1,2,4-三唑、羥基苯并三唑、2-(5-胺基-戊基)-苯并三唑、1-胺基-1,2,3-三唑、1-胺基-5-甲基-1,2,3-三唑、3-胺基-1,2,4-三唑、3-巰基-1,2,4-三唑、3-異丙基-1,2,4-三唑、5-苯基硫醇-苯并三唑、鹵代-苯并三唑(鹵= F、Cl、Br或I)、萘并三唑)、4-胺基-1,2,4-三唑(ATAZ)、2-巰基苯并咪唑(MBI)、2-巰基苯并噻唑、4-甲基-2-苯基咪唑、2-巰基噻唑啉、5-胺基四唑(ATA)、5-胺基-1,3,4-噻二唑-2-硫醇、2,4-二胺基-6-甲基-1,3,5-三嗪、噻唑、三嗪、甲基四唑、1,3-二甲基-2-咪唑啶酮、1,5-五亞甲基四唑、1-苯基-5-巰基四唑、二胺基甲基三嗪、咪唑啉硫酮、巰基苯并咪唑、4-甲基-4H-1,2,4-三唑-3-硫醇、5-胺基-1,3,4-噻二唑-2-硫醇、苯并噻唑、磷酸三甲苯酯、咪唑、苯并異二唑(indiazole)、苯甲酸、硼酸、丙二酸、苯甲酸銨、兒茶酚、五倍子酚、間苯二酚、氫醌、三聚氰酸、巴比妥酸及衍生物，諸如1,2-二甲基巴比妥酸、α-酮酸，諸如丙酮酸、腺嘌呤、嘌呤、膦酸及其衍生物、甘胺酸/抗壞血酸、Dequest 2000、Dequest 7000、對甲苯硫脲、琥珀酸、膦醯基丁烷三羧酸(PBTCA)、鉬酸鈉、鉬酸銨、鉻酸鹽之鹽(例如，鈉、鉀、鈣、鋇)、鎢酸鈉、重鉻酸鹽之鹽(例如，鈉、鉀、銨)、硫酸鈉、辛二酸、壬二酸(azelaic acid)、癸二酸、己二酸、八亞甲基二羧酸、庚二酸、十二烷二羧酸、二甲基丙二酸、3,3-二乙基琥珀酸、2,2-二甲基戊二酸、2-甲基己二酸、三甲基己二酸、1,3-環戊二羧酸、1,4-環己二羧酸、對苯二甲酸、間苯二甲酸、2,6-萘二羧酸、2,7-萘二羧酸、1,4-萘二羧酸、1,4-伸苯基二氧基二乙酸、1,3-伸苯基二氧基二乙酸、聯苯甲酸、4,4'-聯苯二羧酸、4,4'-氧基二苯甲酸、二苯基甲烷-4,4'-二羧酸、二苯基碸-4,4'-二羧酸、十亞甲基二羧酸、十一亞甲基二羧酸、十二亞甲基二羧酸、鄰苯二甲酸、萘二羧酸、對伸苯基二羧酸、偏苯三甲酸、均苯四甲酸、磷酸鈉(例如，六偏磷酸鈉)、矽酸鈉、胺基酸及其衍生物，諸如l-精胺酸、核苷及核鹼基(諸如分別為腺苷及腺嘌呤)及其組合。最佳地，鈍化劑包括BTA、ATAZ、TAZ、三唑衍生物、抗壞血酸、鉬酸鈉或其組合。 雖然不希望被理論束縛，但認為有機溶劑在添加時藉由潤濕微電子器件結構之表面而提高金屬蝕刻速率。本文中預期之有機溶劑包含但不限於醇、醚、吡咯啶酮、二醇、羧酸、二醇醚、胺、酮、醛、烷烴、烯烴、炔烴、碳酸鹽及醯胺，更佳地醇、醚、吡咯啶酮、二醇、羧酸及二醇醚(諸如甲醇、乙醇、異丙醇、丁醇及高碳數醇(包含二醇及三醇))、四氫呋喃(THF)、N-甲基吡咯啶酮(NMP)、環己基吡咯啶酮、N-辛基吡咯啶酮、N-苯基吡咯啶酮、甲酸甲酯、二甲基甲醯胺(DMF)、二甲亞碸(DMSO)、四亞甲基碸(環丁碸)、乙醚、苯氧基-2-丙醇(PPh)、苯丙酮、乳酸乙酯、乙酸乙酯、苯甲酸乙酯、乙腈、丙酮、乙二醇、丙二醇、二噁烷、丁醯內酯、碳酸丁二酯、碳酸乙二酯、碳酸丙二酯、二丙二醇、兩親物質(二乙二醇單甲醚、三乙二醇單甲醚、二乙二醇單乙醚、三乙二醇單乙醚、乙二醇單丙醚、乙二醇單丁醚、二乙二醇單丁醚(即，丁基卡必醇)、三乙二醇單丁醚、乙二醇單己醚、二乙二醇單己醚、乙二醇苯醚、丙二醇甲醚、二丙二醇甲醚(DPGME)、三丙二醇甲醚、二丙二醇二甲醚、二丙二醇乙醚、丙二醇正丙醚、二丙二醇正丙醚(DPGPE)、三丙二醇正丙醚、丙二醇正丁醚、二丙二醇正丁醚、三丙二醇正丁醚、丙二醇苯醚及其組合)、分支鏈非氟化醚鍵羧酸(CH3 CH2 )n O(CH2 )m COOH，其中n = 1至10且m = 1至10)、無分支非氟化醚鍵羧酸(CH3 CH2 )n O(CH2 )m COOH，其中n = 1至10且m = 1至10)、分支鏈非氟化非醚鍵羧酸(CH3 (CH2 )n COOH，其中n = 1至10)、無分支非氟化非醚鍵羧酸(CH3 (CH2 )n COOH，其中n = 1至10)、二羧酸、三羧酸及其組合。較佳地，有機溶劑包括二乙二醇單丁醚、二丙二醇丙醚、丙二醇或其混合物。 焊料移除組合物之較佳實施例包含但不限於：(i)焊料移除組合物，其包括MSA、硝酸、BTA及水、由該四者組成或基本上由該四者組成；(ii)焊料移除組合物，其包括MSA、硝酸、TAZ及水、由該四者組成或基本上由該四者組成；(iii)焊料移除組合物，其包括MSA、硝酸、1-胺基-1,2,4-三唑(ATAZ)及水、由該四者組成或基本上由該四者組成；(iv)焊料移除組合物，其包括MSA、硝酸、1-胺基-1,2,3-三唑及水、由該四者組成或基本上由該四者組成；(v)焊料移除組合物，其包括MSA、硝酸、1-胺基-5-甲基-1,2,3-三唑及水、由該四者組成或基本上由該四者組成；(vi)焊料移除組合物，其包括MSA、硝酸、3-胺基-1,2,4-三唑及水、由該四者組成或基本上由該四者組成；(vii)焊料移除組合物，其包括MSA、硝酸、3-巰基-1,2,4-三唑及水、由該四者組成或基本上由該四者組成；(viii)焊料移除組合物，其包括MSA、硝酸、3-異丙基-1,2,4-三唑及水、由該四者組成或基本上由該四者組成；(ix)焊料移除組合物，其包括MSA、硝酸、MBI及水、由該四者組成或基本上由該四者組成；(x)焊料移除組合物，其包括MSA、硝酸、ATA及水、由該四者組成或基本上由該四者組成；(xi)焊料移除組合物，其包括MSA、硝酸、2,4-二胺基-6-甲基-1,3,5-三嗪及水、由該四者組成或基本上由該四者組成；(xii)焊料移除組合物，其包括MSA、硝酸、抗壞血酸及水、由該四者組成或基本上由該四者組成；(xiii)焊料移除組合物，其包括MSA、硝酸、鉬酸鈉及水、由該四者組成或基本上由該四者組成；及(xiv)焊料移除組合物，其包括MSA、硝酸、3-胺基-5-巰基-1,2,4-三唑及水、由該四者組成或基本上由該四者組成。 熟習此項技術者將瞭解，焊料移除組合物可在上游製備且儲存在槽中以供使用、在用於引入至反應槽中之管線上游製備，或藉由在反應槽中引入化學品而直接在中中製備。此外，預期濃縮液可在反應槽之前或在反應槽中經製備且儲存以用稀釋液(例如，水)稀釋。 在一項實施例中，使用焊料移除組合物直至裝載有溶解/增溶金屬離子，例如，鉛離子及/或錫離子。在一項實施例中，焊料移除組合物之一或多種成分係來自電子廢料設施內之一或多個流出廢料流之再生及/或回收成分。卑金屬移除組合物 出於當前揭示之事物之目的，卑金屬移除組合物較佳地極具選擇性，其中實質上無金溶解在卑金屬移除組合物中。在一項實施例中，卑金屬移除組合物包括至少一種氧化劑及水、由該兩者組成或基本上由該兩者組成。卑金屬移除組合物可進一步包括至少一種錯合劑、至少一種有機溶劑、至少一種消泡劑、至少一種NOx抑制劑及/或用於鈍化貴金屬之至少一種鈍化劑。在另一實施例中，卑金屬移除組合物包括與至少一種氧化劑及水組合之至少一種錯合劑、由其組成或基本上由其組成。在其另一實施例中，卑金屬移除組合物包括以下內容、由以下內容組成或基本上由以下內容組成：至少一種氧化劑；水；及至少一種鈍化劑，其用於鈍化貴金屬。在另一實施例中，卑金屬移除組合物包括以下內容、由以下內容組成或基本上由以下內容組成：至少一種錯合劑；至少一種氧化劑；水；及至少一種鈍化劑，其用於鈍化貴金屬。在又另一實施例中，卑金屬移除組合物包括以下內容、由以下內容組成或基本上由以下內容組成：至少一種氧化劑；至少一種NOx抑制劑；及水，其中至少一種氧化劑包括硝酸及/或至少一種硝酸鹽。可進一步將至少一種腐蝕抑制劑、至少一種緩衝劑、至少一種表面活性劑或其任何組合添加至上文卑金屬移除組合物之任何實施例。 氧化劑包含在組合物中以將待移除之金屬氧化成離子形式且累積溶解金屬之高度可溶性鹽。本文中預期之氧化劑包含但不限於臭氧、硝酸(HNO3 )、沸騰空氣、環己基胺基磺酸、過氧化氫(H2 O2 )、發氧方(過氧單硫酸鉀、2KHSO5 ‧KHSO4 ‧K2 SO4 )、銨多原子鹽(例如，過氧單硫酸銨、亞氯酸銨(NH4 ClO2 )、氯酸銨(NH4 ClO3 )、碘酸銨(NH4 IO3 )、過硼酸銨(NH4 BO3 )、過氯酸銨(NH4 ClO4 )、過碘酸銨(NH4 IO3 )、過硫酸銨((NH4 )2 S2 O8 )、次氯酸銨(NH4 ClO))、鈉多原子鹽(例如，過硫酸鈉(Na2 S2 O8 )、次氯酸鈉(NaClO))、鉀多原子鹽(例如，碘酸鉀(KIO3 )、過錳酸鉀(KMnO4 )、過硫酸鉀、過硫酸鉀(K2 S2 O8 )、次氯酸鉀(KClO))、四甲基銨多原子鹽(例如，亞氯酸四甲基銨((N(CH3 )4 )ClO2 )、氯酸四甲基銨((N(CH3 )4 )ClO3 )、碘酸四甲基銨((N(CH3 )4 )IO3 )、過硼酸四甲基銨((N(CH3 )4 )BO3 )、過氯酸四甲基銨((N(CH3 )4 )ClO4 )、過碘酸四甲基銨((N(CH3 )4 )IO4 )、過硫酸四甲基銨((N(CH3 )4 )S2 O8 )、硝酸四甲基銨)、四丁基銨多原子鹽(例如，過氧單硫酸四丁銨、硝酸四丁銨)、過氧單硫酸、過氧化氫脲((CO(NH2 )2 )H2 O2 )、過乙酸(CH3 (CO)OOH)、硝酸鈉、硝酸鉀、硝酸銨及其組合。最佳地，氧化劑包括選自由硝酸、硝酸鈉、硝酸鉀、硝酸銨、硝酸四烷基銨及其組合組成之群組之物質。(若干)氧化劑以從約1重量%至約35重量%、較佳地約10重量%至約30重量%之一範圍存在。 當至少一種氧化劑包括硝酸及/或至少一種硝酸鹽時，可添加至少一種NOx抑制劑。NOx抑制劑包含但不限於過氧化氫、氟(F2 )、氯(Cl2 )、脲、氨、硫氫化鈉、次氯酸鈉、氫氧化鈉及具有比硝酸及/或至少一種硝酸鹽更高之氧化電位之其他氧化劑。有利地，過氧化氫能夠與所形成之NOx反應以產生可重複使用之硝酸。替代地或另外地，唑、胺磺酸銨、胺磺酸、氫氧化鈉、硫氫化鈉、脲及其組合可適用於NOx抑制劑。預期之唑包含但不限於1,2,4-三唑(TAZ)、1,2,3-三唑、苯并三唑(BTA)、甲苯基三唑、5-苯基-苯并三唑、5-硝基-苯并三唑、3-胺基-5-巰基-1,2,4-三唑、1-胺基-1,2,4-三唑、羥基苯并三唑、2-(5-胺基-戊基)-苯并三唑、1-胺基-1,2,3-三唑、1-胺基-5-甲基-1,2,3-三唑、3-胺基-1,2,4-三唑、3-巰基-1,2,4-三唑、3-異丙基-1,2,4-三唑、5-苯基硫醇-苯并三唑、鹵代-苯并三唑(鹵= F、Cl、Br或I)、萘并三唑、4-胺基-1,2,4-三唑(ATAZ)、2-巰基苯并咪唑(MBI)、2-巰基苯并噻唑、4-甲基-2-苯基咪唑、2-巰基噻唑啉、5-胺基四唑(ATA)、5-胺基-1,3,4-噻二唑-2-硫醇、2,4-二胺基-6-甲基-1,3,5-三嗪、噻唑、三嗪、甲基四唑、1,3-二甲基-2-咪唑啶酮、1,5-五亞甲基四唑、1-苯基-5-巰基四唑、二胺基甲基三嗪、咪唑啉硫酮、巰基苯并咪唑、4-甲基-4H-1,2,4-三唑-3-硫醇、5-胺基-1,3,4-噻二唑-2-硫醇、苯并噻唑、咪唑、苯并異二唑及其組合。當存在時，至少一種NOx抑制劑以從約0.1重量%至約20重量%、較佳地約1重量%至約20重量%之量存在。換言之，至少一種氧化劑與至少一種NOx抑制劑之重量百分數比率係約0.01:1至約40:1。當至少一種NOx抑制劑包含於卑金屬移除組合物中時，熟習此項技術者應瞭解，至少一種NOx抑制劑可經添加在反應槽之上游、僅在引入固體之前直接引入至反應槽中、在引入固體時同時直接引入至反應槽中，或在引入固體之後直接引入至反應槽中。在不希望被理論束縛之情況下，當卑金屬移除組合物包括硝酸及/或至少一種硝酸鹽時，至少一種NOx抑制劑經添加以使NOx產生最小化(例如)達幾乎50%，較佳地在從約50%至約95%之一範圍中。舉例而言，當過氧化氫用作NOx抑制劑且與固體同時添加至SPT卑金屬移除模組(380)時，NOx之總量分別針對DRAM晶片及粉末狀卑金屬減少達79%及92%。 熟習此項技術者將瞭解，卑金屬移除組合物可在上游製備且儲存在槽中以供使用、在用於引入至反應槽中之管線上游製備，或藉由在反應槽中引入化學品而直接在其中製備。此外，預期濃縮液可在反應槽之前或在反應槽中經製備且儲存以用稀釋液(例如，水)稀釋。 在一項實施例中，使用卑金屬移除組合物直至裝載有溶解/增溶金屬離子，例如，銅離子及/或鎳離子。在一項實施例中，卑金屬移除組合物之一或多種成分係來自電子廢料設施內之一或多個流出廢料流之再生及/或回收成分。銀浸出組合物 銀浸出(SL)組合物之一項實施例包括至少一種錯合劑及至少一種溶劑、由該兩者組成或基本上由該兩者組成。銀浸出組合物可進一步包括至少一種氧化劑、至少一種有機溶劑及/或至少一種鈍化劑。在另一實施例中，銀浸出組合物包括與至少一種氧化劑及水組合之至少一種錯合劑、由其組成或基本上由其組成。在其另一實施例中，銀浸出組合物包括與至少一種氧化劑、水及至少一種鈍化劑組合之至少一種錯合劑、由其組成或基本上由其組成。在另一實施例中，銀浸出組合物包括與水及至少一種鈍化劑組合之至少一種錯合劑、由其組成或基本上由其組成。銀浸出組合物可進一步包括至少一種表面活性劑、至少一種消泡劑、至少一種腐蝕抑制劑、至少一種NOx抑制劑、至少一種緩衝劑或其任何組合。 錯合劑包含於組合物中以擷取待移除之銀金屬。本文中預期之錯合劑包含但不限於硫代硫酸鹽化合物(即，硫代硫酸鈉、硫代硫酸銨、硫代硫酸鉀)、胺及胺基酸(即，甘胺酸、絲胺酸、脯胺酸、亮胺酸、丙胺酸、天冬醯胺酸、天冬胺酸、麩醯胺酸、纈胺酸及離胺酸)、檸檬酸、乙酸、順丁烯二酸、草酸、丙二酸、琥珀酸、膦酸、膦酸衍生物(諸如羥基亞乙基二膦酸(HEDP)、1-羥基乙烷-1,1-二膦酸、氮基-參(亞甲基膦酸))、氮基三乙酸、亞胺基二乙酸、依替膦酸、乙二胺、乙二胺四乙酸(EDTA)及(1,2-環己二氮基)四乙酸(CDTA)、脲酸、四乙二醇二甲醚、五甲基二伸乙基三胺(PMDETA)、1,3,5-三嗪-2,4,6-硫代硫醇三鈉鹽溶液、1,3,5-三嗪-2,4,6-硫代硫醇三銨鹽溶液、二乙基二硫代胺基甲酸鈉、經雙取代之二硫代胺基甲酸鹽(R1 (CH2 CH2 O)2 NR2 CS2 Na)(其經一個烷基(R2 =己基、辛基、癸基或十二基)及一個寡聚醚(R1 (CH2 CH2 O)2 ，其中R1 =乙基或丁基)雙取代)、硫酸銨、單乙醇胺(MEA)、Dequest 2000、Dequest 2010、Dequest 2060s、二伸乙基三胺五乙酸、丙二胺四乙酸、1-氧化2-羥基吡啶、乙二胺二琥珀酸(EDDS)、N-(2-羥基乙基)亞胺基二乙酸(HEIDA)、五元三磷酸鈉、氯化銨、氯化鈉、氯化鋰、氯化鉀、硫酸銨、、鹽酸、硫酸及其組合。較佳地，錯合劑包括至少一種硫代硫酸鹽化合物，諸如硫代硫酸鈉。(若干)錯合劑以從約0.1重量%至約15重量%、較佳地約1重量%至約10重量%之一範圍存在。 至少一種溶劑包含但不限於水、甲醇、乙醇、異丙醇、丁醇、戊醇、己醇、2-乙基-1-己醇、庚醇、辛醇、乙二醇、丙二醇、丁二醇、四氫糠醇(THFA)、碳酸丁二酯、碳酸乙二酯、碳酸丙二酯、二丙二醇、二乙二醇單甲醚、三乙二醇單甲醚、二乙二醇單乙醚、三乙二醇單乙醚、乙二醇單丙醚、乙二醇單丁醚、二乙二醇單丁醚、三乙二醇單丁醚、乙二醇單己醚、二乙二醇單己醚、乙二醇苯醚、丙二醇甲醚、二丙二醇甲醚(DPGME)、三丙二醇甲醚(TPGME)、二丙二醇二甲醚、二丙二醇乙醚、丙二醇正丙醚、二丙二醇正丙醚(DPGPE)、三丙二醇正丙醚、丙二醇正丁醚、二丙二醇正丁醚、三丙二醇正丁醚、丙二醇苯醚、2,3-二氫十氟戊烷、乙基全氟丁醚、甲基全氟丁醚、碳酸烷酯、碳酸伸烷酯、4-甲基-2-戊醇、四亞甲基二醇二甲醚及其組合。較佳地，至少一種溶劑包括水。 在一尤佳實施例中，SL組合物包括硫代硫酸鈉及水、由該兩者組成或基本上由該兩者組成。pH較佳地在從約6至約8之一範圍中。 熟習此項技術者將瞭解，銀移除組合物可在上游製備且儲存在一槽中以供使用、在用於引入至反應槽中之管線上游製備，或藉由在反應槽中引入化學品而直接在其中製備。此外，預期濃縮液可在反應槽之前或在反應槽中製備且儲存以用稀釋液(例如，水)稀釋。 在一項實施例中，使用銀移除組合物，直至飽和有溶解/增溶銀離子。在一項實施例中，銀移除組合物之一或多種成分係來自電子廢料設施內之一或多個流出廢料流之一再生及/或回收成分。 雖然本文中已參考闡釋性實施例及特徵多方面地揭示本發明，但將瞭解，上文描述之實施例及特徵並不旨在限制本發明，且此項技術之一般技術者將基於本文中之揭示內容想起其他變動、修改及其他實施例。因此，本發明應廣義地解釋為涵蓋下文陳述之發明申請專利範圍之精神及範疇內之全部此等變動、修改及替代實施例。
10‧‧‧系統 20‧‧‧印刷電路板(PCB)平台 30‧‧‧固體處理技術(SPT)平台 50‧‧‧監督控制及資料獲取(SCADA)器件/監督控制及資料獲取(SCADA)控制系統 220‧‧‧板清理預備模組(預備BCM) 240‧‧‧板清理模組(BCM) 260‧‧‧脫焊(DS)模組 261‧‧‧卑金屬移除(BMR)模組 262‧‧‧印刷電路板(PCB)、PCB組件或該兩者 264‧‧‧脫焊(DS)槽1 266‧‧‧脫焊(DS)槽2 268‧‧‧帶出槽 270‧‧‧清洗槽1 271‧‧‧裝載系統 272‧‧‧清洗槽2 273‧‧‧旋轉 274‧‧‧乾燥槽 275‧‧‧覆蓋 276‧‧‧通風構件 277‧‧‧輸入/輸出管線 278‧‧‧殼體 279‧‧‧通風構件 280‧‧‧金浸出(GL)模組 282‧‧‧包括金之材料 284‧‧‧金浸出(GL)槽1 286‧‧‧金浸出(GL)槽2 288‧‧‧帶出槽 290‧‧‧清洗槽1 292‧‧‧清洗槽2 294‧‧‧乾燥槽 320‧‧‧固體處理技術(SPT)熔爐模組 322‧‧‧空氣輸入 340‧‧‧固體處理技術(SPT)研磨模組 360‧‧‧固體處理技術(SPT)工具模組 380‧‧‧固體處理技術(SPT)卑金屬移除模組 400‧‧‧固體處理技術(SPT)金移除模組 420‧‧‧固體處理技術(SPT)銀浸出模組 500‧‧‧滾筒/移除組合物管線 502‧‧‧內部「鰭片」/清洗管線 504‧‧‧開口端/固體引入管線 506‧‧‧反應槽 508‧‧‧移除組合物槽 510‧‧‧清洗液體槽 512‧‧‧清洗槽 514‧‧‧反應槽 516‧‧‧移除組合物槽 518‧‧‧貯留槽 520‧‧‧清洗液體槽 522‧‧‧清洗槽 524‧‧‧反應槽 526‧‧‧移除組合物槽 528‧‧‧貯留槽 530‧‧‧清洗液體槽/清洗液體1 532‧‧‧清洗槽1 534‧‧‧清洗液體槽/清洗液體2 536‧‧‧清洗槽2 600‧‧‧反應槽 602‧‧‧第一數量之移除組合物槽 604‧‧‧第二數量之移除組合物槽 606‧‧‧第一貯留槽 608‧‧‧第二貯留槽 610‧‧‧第一清洗液體 612‧‧‧第二清洗液體 614‧‧‧第一清洗槽 616‧‧‧第二清洗槽 618‧‧‧外殼
圖1係本文中描述之系統之一大致示意圖，其包含一PCB平台(20)及平台及一SPT平台(30)。 圖2係本文中描述之系統之一大致示意圖，其包含可存在於圖1之PCB平台(20)及SPT平台(30)中之模組。 圖3係板清理預備模組(220)程序之一項實施例之一示意圖。 圖4係脫焊模組(260)裝置之一項實施例之一示意圖。 圖5圖解說明一滾筒(500)之一項實施例。 圖6圖解說明一滾筒(500)之另一實施例。 圖7圖解說明插入至一槽(264、266、268、270、272、274、284、286、288、290、292、294)中之一滾筒(500)之一項實施例。 圖8圖解說明可用於脫焊模組(260)、金浸出模組(280)及/或卑金屬移除模組(261)中之滾筒線之一實施例。 圖9係金浸出模組(280)之一項實施例之一示意圖。 圖10係SPT熔爐模組(320)及SPT研磨模組(340)之一項實施例之一示意圖。 圖11係一基本SPT工具模組(360)槽之一示意圖。 圖12A係SPT工具模組(360)之一項實施例之一示意圖，其中至少兩個模組可裝納於其中。 圖12B係SPT工具模組(360)之一項實施例之一示意圖，其中至少三個模組可裝納於其中。 圖13係包括一反應槽、一移除組合物槽及一清洗液體槽之一SPT工具模組(360)之一項實施例之一示意圖。 圖14係包括一反應槽、一移除組合物槽、一清洗液體槽及一清洗槽之一SPT工具模組(360)之另一實施例之一示意圖。 圖15係包括一反應槽、一移除組合物槽、一貯留槽、一清洗液體槽及一清洗槽之一SPT工具模組(360)之其另一實施例之一示意圖。 圖16係包括一反應槽、一移除組合物槽、一貯留槽、兩個清洗液體槽及兩個清洗槽之一SPT工具模組(360)之另一實施例之一示意圖。 圖17A係包括一反應槽、兩個移除組合物槽、兩個貯留槽、兩個清洗液體槽及兩個清洗槽之一SPT工具模組(360)之又另一實施例之一示意圖。 圖17B圖解說明圖17A之SPT工具模組(360)中之一第一化學反應之起始。 圖17C圖解說明圖17A之SPT工具模組(360)中之一第二化學反應之起始。 圖17D圖解說明在兩個貯留槽中發生之一般化學反應。 圖17E圖解說明來自圖17B之SPT工具模組(360)之第一化學反應之漿液之離心及第一清洗。 圖17F圖解說明來自圖17C之SPT工具模組(360)之第二化學反應之漿液之離心及第一清洗。 圖17G圖解說明來自圖17F之SPT工具模組(360)之第一清洗之漿液之離心及第二清洗。 圖17H圖解說明來自圖17G之SPT工具模組(360)之第二清洗之漿液之選用離心及第三清洗。 圖17I圖解說明來自圖17H之SPT工具模組(360)之選用之第三清洗之漿液之離心及分離。 圖17J圖解說明來自圖17G之SPT工具模組(360)之第二清洗之漿液之離心及分離。
10‧‧‧系統
20‧‧‧印刷電路板(PCB)平台
30‧‧‧固體處理技術(SPT)平台
50‧‧‧監督控制及資料獲取(SCADA)器件/監督控制及資料獲取(SCADA)控制系統

Claims (58)

  1. 一種用於回收選自由印刷電路板(PCB)、PCB組件、包括金之材料及其組合組成之群組之材料之整合式智慧系統，其中該系統有效地恢復再用大於約80%之含於該材料中之金，其中該系統包括一固體處理技術(SPT)卑金屬移除模組及一SPT金移除模組，及視需要選自由以下組成之群組中之至少一個額外模組： (a)一SPT熔爐模組， (b)一SPT研磨模組， (c)一SPT銀浸出模組， (d)(a)至(c)之任何組合，及 (e)(a)至(c)之每一模組， 其中該等模組在具有或不具有中介零件之情況下彼此串聯地定位及/或操作。
  2. 一種用於回收選自由印刷電路板(PCB)、PCB組件、包括金之材料及其組合組成之群組之材料之整合式智慧系統，其中該系統有效地恢復再用大於約80%之含於該材料中之金，其中該系統包括一固體處理技術(SPT)熔爐模組及一SPT金移除模組，及視需要選自由以下組成之群組中之至少一個額外模組： (a)一SPT研磨模組， (b)一SPT卑金屬移除模組 (c)一SPT銀浸出模組， (d)(a)至(c)之任何組合，及 (e)(a)至(c)之每一模組， 其中該等模組在具有或不具有中介零件之情況下彼此串聯地定位及/或操作。
  3. 一種用於回收選自由印刷電路板(PCB)、PCB組件、包括金之材料及其組合組成之群組之材料之整合式智慧系統，其中該系統有效地恢復再用大於約80%之含於該材料中之金，該系統包括一金浸出模組及一SPT金移除模組，及視需要選自由以下組成之群組中之至少一個額外模組： (a)一板清理預備模組， (b)一板清理模組， (c)一脫焊模組， (d)一卑金屬移除模組， (e)一SPT熔爐模組， (f)一SPT研磨模組， (g)一SPT卑金屬移除模組， (h)一SPT銀浸出模組， (i)(a)至(h)之任何組合，及 (j)(a)至(h)之每一模組， 其中該等模組在具有或不具有中介零件之情況下彼此串聯地定位及/或操作。
  4. 如請求項1至3中任一項之系統，其中使用一移動構件自動或手動使待回收之該材料在一模組內移動。
  5. 如請求項1至3中任一項之系統，其中使用一移動構件自動或手動使待回收之該材料在模組間及/或在一模組內移動。
  6. 如請求項1之系統，其中該SPT卑金屬移除模組包括： (a)至少一個反應槽， (b)至少一個貯留槽，其與該至少一個反應槽液體連通， (c)至少一個清洗槽，其與該至少一個貯留槽液體連通， 其中該SPT卑金屬移除模組能夠自一固體移除至少一種卑金屬，其中該固體包括已經灰化、磨削及/或粉碎之材料。
  7. 如請求項6之系統，其中該SPT卑金屬移除模組進一步包括以下內容之至少一者：至少一個卑金屬移除組合物槽，其與該至少一個反應槽液體連通；至少一個清洗液體槽，其與該至少一個清洗槽液體連通；至少一個離心機；攪動構件，其在該反應槽、該至少一個貯留槽及/或該至少一個清洗槽之至少一者中；至少一個泵；加熱/冷卻構件，其用於該反應槽、該至少一個貯留槽及/或該至少一個清洗槽之至少一者；至少一個空氣輸入，其用於該反應槽、該至少一個貯留槽及/或該至少一個清洗槽之至少一者；即時取樣及調整；可程式化邏輯控制器或其等效物；感測構件，其用於該反應槽、該至少一個貯留槽及/或該至少一個清洗槽之至少一者；及通風構件，其用於該反應槽、該至少一個貯留槽及/或該至少一個清洗槽之至少一者。
  8. 如請求項6或7之系統，其中該至少一個反應槽及/或該至少一個貯留槽包括一卑金屬移除組合物。
  9. 如請求項8之系統，其中該卑金屬移除組合物包括至少一種氧化劑及水及視需要選自由以下組成之群組中之至少一種額外成分：至少一種錯合劑、至少一種有機溶劑、至少一種消泡劑、至少一種NOx抑制劑及用於鈍化貴金屬之至少一種鈍化劑。
  10. 如請求項6或7之系統，其中該SPT卑金屬移除模組圍封在一或多個外殼中。
  11. 如請求項1至3中任一項之系統，其中該SPT金移除模組包括： (a)至少一個反應槽， (b)至少一個貯留槽，其與該至少一個反應槽液體連通， (c)至少一個清洗槽，其與該至少一個貯留槽液體連通， 其中該SPT金移除模組能夠自一固體移除金，其中該固體包括已經灰化、磨削及/或粉碎之材料。
  12. 如請求項11之系統，其中該SPT金移除模組進一步包括以下內容之至少一者：至少一個金移除組合物槽，其與該至少一個反應槽液體連通；至少一個清洗液體槽，其與該至少一個清洗槽液體連通；至少一個離心機；攪動構件，其在該反應槽、該至少一個貯留槽及/或該至少一個清洗槽之至少一者中；至少一個泵；加熱/冷卻構件，其用於該反應槽、該至少一個貯留槽及/或該至少一個清洗槽之至少一者；至少一個空氣輸入，其用於該反應槽、該至少一個貯留槽及/或該至少一個清洗槽之至少一者；即時取樣及調整；可程式化邏輯控制器或其等效物；感測構件，其用於該反應槽、該至少一個貯留槽及/或該至少一個清洗槽之至少一者；及通風構件，其用於該反應槽、該至少一個貯留槽及/或該至少一個清洗槽之至少一者。
  13. 如請求項11之系統，其中該至少一個反應槽及/或該至少一個貯留槽包括一金移除組合物。
  14. 如請求項13之系統，其中該金移除組合物包括至少一種氧化劑、視需要至少一種鹵化物、視需要至少一種酸，及視需要至少一種溶劑，較佳地至少一種氧化劑、至少一種鹵化物、至少一種酸及至少一種溶劑。
  15. 如請求項11之系統，其中該SPT金移除模組圍封在一或多個外殼中。
  16. 如請求項2之系統，其中該SPT熔爐模組包括(a)一熔爐及(b)控制進入該熔爐中之該空氣輸入之構件，其中該SPT熔爐模組將該材料轉換成灰分或粉末。
  17. 如請求項16之系統，其中該SPT熔爐模組進一步包括一通風系統。
  18. 如請求項16或17之系統，其中該SPT熔爐模組進一步包括(i)該熔爐內之支撐表面、(ii)移動構件或(i)及(ii)兩者。
  19. 如請求項18之系統，其中該移動構件包括選自由以下組成之群組中之至少一個機構：一輸送機帶、一輸送機軌道、一輸送輪、一輸送輥、重力輸送機、機器人、具有一移動機構之一機器人裝載臂、具有動力通道/軌道之架空輸送機、軌道、升降機、收集輸送機、單軌、帶、環鏈、具有輪之運送機、卡車、手推車、托盤、叉車、動臂升降機、剪式升降機、跨架式升降機、懸臂式升降機、柱式升降機、垂直升降機、水平升降機、台車、托板、搬運車、搬運工具、滑輪、夾具、捲揚機、鉤、叉、堆垛機、斗式升降機、圓盤傳送帶、起重機、引導車輛、推車、泵或以上之組合。
  20. 如請求項1至3中任一項之系統，其進一步包括選自由以下組成之群組中之至少一個額外模組： (a)一板清理預備模組， (b)一板清理模組， (c)一脫焊模組， (d)一卑金屬移除模組， (e)一金浸出模組， (f)(a)至(e)之任何組合，及 (g)(a)至(e)之每一模組， 其中該等模組在具有或不具有中介零件之情況下彼此串聯地定位及/或操作。
  21. 如請求項3之系統，其中該金浸出模組包括一滾筒管線系統，該系統包括：至少至少一個金移除槽，其視需要包括一金移除組合物；至少一個帶出槽；及至少一個清洗槽，其中每一槽具有將一滾筒裝納於其中之體積容量。
  22. 如請求項21之系統，其包括該金移除組合物，其中該金移除組合物包括至少一種氧化劑、視需要至少一種鹵化物、視需要至少一種酸，及視需要至少一種溶劑，較佳地至少一種氧化劑、至少一種鹵化物、至少一種酸及至少一種溶劑。
  23. 如請求項21或22之系統，其中該滾筒管線系統包括在槽間移動該滾筒之移動構件。
  24. 如請求項21或22之系統，其中每一槽進一步包括以下內容之一或多者：攪動構件；至少一個過濾器；即時取樣及調整；使蒸發最小化之一封蓋；加熱/冷卻構件；空氣輸入；感測構件；通風構件；及其任何組合。
  25. 如請求項21或22之系統，其中該滾筒使用移動構件來在槽間連續移動。
  26. 如請求項23之系統，其中該移動構件包括選自由以下組成之群組中之至少一個機構：一輸送機帶、一輸送機軌道、一輸送輪、一輸送輥、重力輸送機、機器人、具有一移動機構之一機器人裝載臂、具有動力通道/軌道之架空輸送機、軌道、升降機、收集輸送機、單軌、帶、環鏈、具有輪之運送機、卡車、手推車、托盤、叉車、動臂升降機、剪式升降機、跨架式升降機、懸臂式升降機、柱式升降機、垂直升降機、水平升降機、台車、托板、搬運車、搬運工具、滑輪、夾具、捲揚機、鉤、叉、堆垛機、斗式升降機、圓盤傳送帶、起重機、引導車輛、推車、泵或以上之組合。
  27. 如請求項21或22之系統，其中該滾筒在存在時完全或部分浸沒於該至少一個金移除槽及/或該至少一個清洗槽中。
  28. 如請求項21或22之系統，其中該滾筒管線系統進一步包括至少一個乾燥槽。
  29. 如請求項21或22之系統，其中該滾筒包括用於將該材料裝納於其中之一殼體，其中該殼體包括以下內容之至少一者：至少一個孔，其用於允許一液體進入及退出該滾筒；至少一個內部鰭片，其用於攪動其中之該材料；一旋轉驅動器；及其任何組合。
  30. 如請求項1至3中任一項之系統，其中藉由一或多個可程式化邏輯控制器(PLC)控制該系統。
  31. 一種回收選自由印刷電路板(PCB)、PCB組件、包括金之材料及其組合組成之群組之材料之程序，其中該程序有效地恢復再用大於約80%之含於該材料中之金，該程序包括(a)在一固體處理技術(SPT)卑金屬移除模組中使用一卑金屬移除組合物自一固體移除至少一種卑金屬，及(b)在一SPT金移除模組中使用一金移除組合物自一固體移除金，其中該固體包括已經灰化、磨削及/或粉碎之包括金之材料，及視需要選自由以下組成之群組中之至少一個額外步驟： (i)在一SPT熔爐模組中灰化該等材料以產生包括灰分之一固體， (ii)在一SPT研磨模組中磨削該等材料以產生包括經磨削材料之一固體， (iii)在一SPT銀浸出模組中使用一銀移除組合物自該固體移除銀， (iv)(i)至(iii)之任何組合，及 (v)(i)至(iii)之每一程序， 其中該等程序在具有或不具有中介程序之情況下彼此串聯地操作。
  32. 一種回收選自由印刷電路板(PCB)、PCB組件、包括金之材料及其組合組成之群組之材料之程序，其中該程序有效地恢復再用大於約80%之含於該材料中之金，該程序包括(a)在一固體處理技術(SPT)熔爐模組中灰化該等材料以產生包括灰分之一固體，及(b)在一SPT金移除模組中使用一金移除組合物自該固體移除金，及視需要選自由以下組成之群組中之至少一個額外步驟： (i)在一SPT研磨模組中磨削該等材料以產生包括經磨削材料之一固體， (ii)在一SPT卑金屬移除模組中使用一卑金屬移除組合物自一固體移除至少一種卑金屬， (iii)在一SPT銀浸出模組中使用一銀移除組合物自該固體移除銀， (iv)(i)至(iii)之任何組合，及 (v)(i)至(iii)之每一程序， 其中該等程序在具有或不具有中介程序之情況下彼此串聯地操作。
  33. 一種回收選自由印刷電路板(PCB)、PCB組件、包括金之材料及其組合組成之群組之材料之程序，其中該程序有效地恢復再用大於約80%之含於該材料中之金，該程序包括(a)在一金浸出模組中使用一金浸出組合物自包括金之材料浸出金，及(b)在一SPT金移除模組中使用一金移除組合物自一固體移除金，其中該固體包括已經灰化、磨削及/或粉碎之該材料，及視需要選自由以下組成之群組中之至少一個額外步驟： (i)在一板清理預備模組中對該材料進行分揀，其中該等PCB經分揀且手動及/或自動移除該等PCB組件及包括金之材料， (ii)在一板清理模組中使用熱及機械構件自PCB移除PCB組件及包括金之材料， (iii)在一脫焊模組中使用焊料移除組合物自PCB移除焊料、PCB組件及包括金之材料， (iv)在一卑金屬移除模組中使用一卑金屬移除組合物自該材料移除卑金屬， (v)在一SPT熔爐模組中灰化該材料以產生包括灰分之一固體， (vi)在一SPT研磨模組中磨削該材料以產生包括經磨削材料之一固體， (vii)在一SPT卑金屬移除模組中使用一卑金屬移除組合物自該固體移除至少一種卑金屬， (viii)在一SPT銀浸出模組中使用一銀移除組合物自該固體移除銀， (ix)(i)至(viii)之任何組合，及 (x)(i)至(viii)之每一程序， 其中該等程序在具有或不具有中介程序之情況下彼此串聯地操作。
  34. 如請求項31至33中任一項之程序，其中該程序進一步包括使用一移動構件在一模組內自動或手動移動材料。
  35. 如請求項31至33中任一項之程序，其中該程序進一步包括使用一移動構件在模組間及/或在一模組內自動或手動移動材料。
  36. 如請求項31之程序，其中在一SPT卑金屬移除模組中使用一卑金屬移除組合物自一固體移除至少一種卑金屬包括： (a)在一反應槽中產生一第一漿液，其中該第一漿液包括至少一固體及一卑金屬移除組合物，其中該第一漿液經歷一反應達一時間x； (b)在時間x之後將該第一漿液從該反應槽移動至一貯留槽以實行實質上完成化學反應； (c)將該第一漿液從該貯留槽移動至一離心機以將該固體與該卑金屬移除組合物分離； (d)將該固體從離心機移動至一第一清洗槽，其中將第一清洗液體引入至該固體以產生一第二漿液，其中該第二漿液經清洗達一時間r1； (e)將該第二漿液從該第一清洗槽移動至一離心機以將該固體與該第一清洗液體分離； 及視需要： (f)將該固體從離心機移動至一第二清洗槽，其中將第二清洗液體引入至該固體以產生一第三漿液，其中該第三漿液經清洗達一時間r2；及 (g)將該第三漿液從該第二清洗槽移動至一離心機以將該固體與該第二清洗液體分離。
  37. 如請求項36之程序，其中藉由將該卑金屬移除組合物添加至該反應槽而產生該漿液，接著進行在近似相同時間將該固體及至少一種NOx抑制劑引入至該反應槽。
  38. 如請求項36或37之程序，其中實質上完成該化學反應在從室溫至約80℃、較佳地約45℃至約70℃之一範圍中之溫度下花費從約10分鐘至約300分鐘、較佳地約70分鐘至約130分鐘。
  39. 如請求項36或37之程序，其中該卑金屬移除組合物包括至少一種氧化劑及水及視需要選自由以下組成之群組中之至少一種額外成分：至少一種錯合劑、至少一種有機溶劑、至少一種消泡劑、至少一種NOx抑制劑及用於鈍化該等貴金屬之至少一種鈍化劑。
  40. 如請求項31至33中任一項之程序，其中在一SPT金移除模組中使用一金移除組合物自一固體移除金包括： (a)在一反應槽中產生一第一漿液，其中該第一漿液包括至少一固體及一金移除組合物，其中該第一漿液經歷一反應達一時間x； (b)在時間x之後將該第一漿液從該反應槽移動至一貯留槽以實行實質上完成該化學反應； (c)將該第一漿液從該貯留槽移動至一離心機以將該固體與該金移除組合物分離； (d)將該固體從離心機移動至一第一清洗槽，其中將第一清洗液體引入至該固體以產生一第二漿液，其中該第二漿液經清洗達一時間r1； (e)將該第二漿液從該第一清洗槽移動至一離心機以將該固體與該第一清洗液體分離； 及視需要： (f)將該固體從離心機移動至一第二清洗槽，其中將第二清洗液體引入至該固體以產生一第三漿液，其中該第三漿液經清洗達一時間r2； (g)將該第三漿液從該第二清洗槽移動至一離心機以將該固體與該第二清洗液體分離； 及視需要 (h)將該固體從離心機移動至該第一清洗槽，其中將第三清洗液體引入至該固體以產生一第四漿液，其中該第四漿液經清洗達一時間r3；及 (i)將該第四漿液從該第一清洗槽移動至一離心機以將該固體與該第三清洗液體分離。
  41. 如請求項40之程序，其中實質上完成該化學反應在從室溫至約80℃、較佳地約45℃至約70℃之一範圍中之溫度下花費從約10分鐘至約200分鐘、較佳地約40分鐘至約110分鐘。
  42. 如請求項40之程序，其中該金移除組合物包括至少一種氧化劑、視需要至少一種鹵化物、視需要至少一種酸，及視需要至少一種溶劑，較佳地至少一種氧化劑、至少一種鹵化物、至少一種酸及至少一種溶劑。
  43. 如請求項40之程序，其中該金移除組合物在處理之前使用數次以再利用金金屬。
  44. 如請求項43之程序，其中該處理包括電解冶煉及/或樹脂基酸回收及金屬恢復再用。
  45. 如請求項32之程序，其中在一SPT熔爐模組中灰化材料以產生包括灰分之一固體包括： (a)將可回收組件及/或記憶體板饋入至一熔爐中；及 (b)將該熔爐中之該等可回收組件及/或記憶體板加熱至從約250℃至約800℃之一溫度，直至從約80%至大於95%之該等可回收組件及/或記憶體板之可灰化內容物已還原成灰分。
  46. 如請求項45之程序，其中該熔爐包括控制進入該熔爐中之空氣輸入之構件及視需要處置可燃氣體及可能變成空中懸浮之任何灰分之一通風系統。
  47. 如請求項45或46之程序，其中該加熱係連續或逐步，其中將溫度提高至從約500℃至約800℃之一範圍中之一最大灰化溫度。
  48. 如請求項31至33中任一項之程序，其進一步包括選自由以下組成之群組中之至少一個額外步驟： (i)在一板清理預備模組中對該材料進行分揀，其中該等PCB經分揀且手動及/或自動移除該等PCB組件及包括金之材料， (ii)在一板清理模組中使用熱及機械構件自PCB移除PCB組件及包括金之材料， (iii)在一脫焊模組中使用焊料移除組合物自PCB移除焊料、PCB組件及包括金之材料， (iv)在一卑金屬移除模組中使用一卑金屬移除組合物自該材料移除卑金屬， (v)在一金浸出模組中使用一金浸出組合物自包括金之材料浸出金， (vi)(i)至(v)之任何組合，及 (vii)(i)至(v)之每一程序， 其中該等程序在具有或不具有中介程序之情況下彼此串聯地操作。
  49. 如請求項33之程序，其中在一金浸出模組中使用一金浸出組合物自包括金之材料浸出金包括： (a)將包括金之材料裝載至一滾筒中； (b)使用一滾筒管線系統自包括金之材料移除金，其中該滾筒管線系統至少包括包括一金移除組合物之至少一個金移除槽、至少一個帶出槽及至少一個清洗槽， 其中每一槽具有將一滾筒裝納於其中之該體積容量，其中該滾筒管線系統包括在槽間移動該滾筒之移動構件。
  50. 如請求項49之程序，其中包括金之該等材料選自由以下組成之群組中：金指狀物、包括金之連接器、記憶體板、具有金價值之任何其他組件及其任何組合。
  51. 如請求項49或50之程序，其中該滾筒在存在時完全或部分浸沒於該至少一個金移除槽及該至少一個清洗槽中。
  52. 如請求項51之程序，其中該滾筒在從約室溫至約80℃、較佳地約30℃至約55℃之一範圍中之溫度下完全或部分浸沒於包括該金移除組合物之該至少一個金移除槽中達從約1分鐘至約60分鐘、較佳地約10分鐘至約40分鐘之一範圍中之時間。
  53. 如請求項51之程序，其中該滾筒完全或部分浸沒在該至少一個清洗槽中達從約1分鐘至約30分鐘、較佳地約1分鐘至約10分鐘之一範圍中之時間。
  54. 如請求項49或50之程序，其中該滾筒管線系統進一步包括至少一個乾燥槽。
  55. 如請求項49或50之程序，其中該金移除組合物包括至少一種氧化劑、視需要至少一種鹵化物、視需要至少一種酸，及視需要至少一種溶劑，較佳地至少一種氧化劑、至少一種鹵化物、至少一種酸及至少一種溶劑。
  56. 如請求項31至33中任一項之程序，其中藉由一或多個可程式化邏輯控制器(PLC)控制該程序。
  57. 如請求項4之系統，其中該移動構件包括選自由以下組成之群組中之至少一個機構：一輸送機帶、一輸送機軌道、一輸送輪、一輸送輥、重力輸送機、機器人、具有一移動機構之一機器人裝載臂、具有動力通道/軌道之架空輸送機、軌道、升降機、收集輸送機、單軌、帶、環鏈、具有輪之運送機、卡車、手推車、托盤、叉車、動臂升降機、剪式升降機、跨架式升降機、懸臂式升降機、柱式升降機、垂直升降機、水平升降機、台車、托板、搬運車、搬運工具、滑輪、夾具、捲揚機、鉤、叉、堆垛機、斗式升降機、圓盤傳送帶、起重機、引導車輛、推車、泵或以上之組合。
  58. 如請求項34之程序，其中該移動構件包括選自由以下組成之群組中之至少一個機構：一輸送機帶、一輸送機軌道、一輸送輪、一輸送輥、重力輸送機、機器人、具有一移動機構之一機器人裝載臂、具有動力通道/軌道之架空輸送機、軌道、升降機、收集輸送機、單軌、帶、環鏈、具有輪之運送機、卡車、手推車、托盤、叉車、動臂升降機、剪式升降機、跨架式升降機、懸臂式升降機、柱式升降機、垂直升降機、水平升降機、台車、托板、搬運車、搬運工具、滑輪、夾具、捲揚機、鉤、叉、堆垛機、斗式升降機、圓盤傳送帶、起重機、引導車輛、推車、泵或以上之組合。
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