TW201736810A - 相位偏移量測定裝置 - Google Patents

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Makoto Yonezawa
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V Technology Co Ltd
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Abstract

本發明係一種測定相位偏移遮罩15之相位偏移量的裝置，從光源1至對雙重干涉像進行攝影之攝像裝置2的單一光路上具備有：繞射格子7，係使得直線偏光進行繞射而生成複數繞射光；諾瑪斯基稜鏡11，係生成相位偏移遮罩15之圖案的橫錯雙重像，並使得通過相位偏移遮罩15之圖案部18以及相位偏移部19的繞射光產生干涉；以及移動機構2，係使得諾瑪斯基稜鏡11滑動於雙重像之生成方向上。

Description

相位偏移量測定裝置
本發明係關於一種用以測定相位偏移遮罩之相位偏移量的相位偏移量測定裝置，尤其關於一種構造簡單且溫度安定性優異之相位偏移量測定裝置。
以往之相位偏移量測定裝置，係於透明基板上形成相位偏移層之前後，對該透明基板之同一部位的穿透光之相位差以馬赫-陳德爾干涉計來測定，在透明基板形成相位偏移層之間，在載置透明基板之干涉計的樣品平台上改為載置仿真透明基板，檢測其間穿透仿真透明基板之光的相位變動，並於測定穿透在透明基板形成有相位偏移層之後的透明基板之光的相位之際，其相位變動程度係利用干涉計之一者光路的光路長補正機構來進行光路長補正以抵銷(例如參見日本特開平11-327119號公報)。
但是，於如此以往之相位偏移量測定裝置中，馬赫-陳德爾干涉計係將光路分離為二並加以再度合成，由於構造複雜故合併二個光路長之調整作業困難，且由於分離後的二個光路之光路長很長而有欠缺溫度安定性之問題。
此外，由於包含遮罩本體厚度之上述二個光路的光路差也會引起干涉，故每當交換遮罩時，必須以不致因遮罩本體厚度的差異產生干涉的方式來調整二個光路的光路長。從而，若考慮到量產品遮罩之厚度的差異則並不實用。
是以，本發明係對應於如此之問題點，其目的在於提供一種構造簡單且溫度安定性優異之相位偏移量測定裝置。
為了達成上述目的，本發明之相位偏移量測定裝置，係測定相位偏移遮罩之相位偏移量；從光源至對雙重干涉像進行攝影之攝像裝置的單一光路上具備有：繞射格子，係使得直線偏光進行繞射而生成複數繞射光；雙楔型稜鏡，係生成該相位偏移遮罩之圖案的橫錯雙重像，並使得通過該相位偏移遮罩之圖案部以及相位偏移部的該繞射光產生干涉；以及移動機構，係使得該雙楔型稜鏡滑動於該雙重像之生成方向上。
依據本發明，有別於以往在二個分離的光路上分別配置雙楔型稜鏡之往之構造，能以僅在單一光路上以可移動方式配置一個雙楔型稜鏡之簡單的構造來實現錯位干涉。從而，可降低裝置之製造成本。此外，由於產生干涉之二個光線的光路差於雙楔型稜鏡內決定故極小。從而，溫度安定性優異，能以高精度來測定相位偏移量。再者，可同時進行相位偏移量之測定與相位偏移層之穿透率的測定。
1‧‧‧光源
2‧‧‧攝像裝置
3‧‧‧偏光元件
4‧‧‧第1之λ/4板
5‧‧‧會聚透鏡
6‧‧‧帶通濾光片
7‧‧‧繞射格子
8‧‧‧照明透鏡
9‧‧‧樣品平台
10‧‧‧物鏡
11‧‧‧諾瑪斯基稜鏡
12‧‧‧第2之λ/4板
13‧‧‧檢光元件
14‧‧‧成像透鏡
15‧‧‧相位偏移遮罩
17‧‧‧相位偏移層
18‧‧‧圖案部
19‧‧‧相位偏移部
20‧‧‧開口部
21‧‧‧移動機構
22A,22B‧‧‧圖案圖像
23‧‧‧針孔
24‧‧‧針孔板
圖1係顯示本發明之相位偏移量測定裝置之一實施形態之前視圖。
圖2係顯示被測定用相位偏移遮罩之說明圖，(a)為俯視圖，(b)為(a)之A-A線截面箭視圖。
圖3係針對繞射格子之設計顯示之說明圖。
圖4係顯示干涉圖像之亮度變化的圖。
圖5係針對本發明之相位偏移量測定裝置所做相位偏移量測定進行說明之說明圖，(a)係僅顯示相位偏移量之測定例，(b)係顯示相位偏移量與穿透率之測定例。
圖6係說明取代繞射格子所使用之針孔板的俯視圖。
以下，基於所附圖式來詳細說明本發明之實施形態。圖1係顯示本發 明之相位偏移量測定裝置之一實施形態的前視圖。此相位偏移量測定裝置係用以測定相位偏移遮罩之相位偏移量，從光源1至攝影雙重干涉像之二維攝像裝置2的單一光路上，從上游側起依序具備有：偏光元件3、第1之λ/4板4、會聚透鏡5、帶通濾光片6、繞射格子7、照明透鏡8、樣品平台9、物鏡10、諾瑪斯基稜鏡(Nomarski prism)11、第2之λ/4板12、檢光元件13、以及成像透鏡14。
上述偏光元件3係從光源1所放射之隨機光取出直線偏光，例如，取出和穿透軸為同一方向之極化波的偏光板。或是，也可為偏光分束器。此外，此處，針對使用偏光板之情況來說明。
於上述偏光元件3之光行進方向下游配置有第1之λ/4板4。此第1之λ/4板4為用以對入射光之偏光面賦予λ/4之相位差將直線偏光改變為圓偏光之狀態，係用以移除被測定用相位偏移遮罩(以下稱為「樣品遮罩」)15之透明基板之雙折射而設者。此外，此第1之λ/4板4以及後述第2之λ/4板12必非必要之構成要素，也可省略。
於上述第1之λ/4板4之光行進方向下游配置有會聚透鏡5。此會聚透鏡5係用以使得從光源1放射之光源光成為平行光者，係使得前焦點對到在前方反射光源光之省略圖示的橢圓反射鏡之第2焦點位置處來設置。
於上述會聚透鏡5之光行進方向下游配置有帶通濾光片6。此帶通濾光片6係選擇性穿透特定波長之光，例如選擇性穿透g線(436nm)、h線(405nm)以及i線(365nm)之混合光，可僅使得選自g線、h線以及i線當中一種光線穿透，也可為以切換可穿透上述各光線之濾色片的方式所設者。
於上述帶通濾光片6之光行進方向下游配置有繞射格子7。此繞射格子7係使得入射光進行繞射而分離射出多數次繞射光，具有例如平行的複數狹縫以等間隔配置之構造。
於上述繞射格子7之光行進方向下游配置有照明透鏡8。此照明透鏡8係將繞射格子7所射出之多數次繞射光會聚而照射於樣品遮罩15，以前焦點對準於光軸上之上述繞射格子7之位置的方式來設置。
於上述照明透鏡8之光行進方向下游設有樣品平台9。此樣品平台9係將圖2所示樣品遮罩15(在被覆於石英等透明基板16上之相位偏移層17 形成有例如矩形狀之圖案部18與相位偏移部19)之周緣部加以保持者，於中央部形成開口部20使得光於圖1中可從下方朝上方通過。此外，保持於樣品平台9處的樣品遮罩15之遮罩表面(形成有相位偏移層17之面)係對準於上述照明透鏡8之後焦點。藉此，從上述繞射格子7射出之多數次繞射光會在樣品遮罩15之表面形成干涉。
於此情況，若將經繞射格子7所分離之光線在樣品遮罩15表面的橫偏量(干涉條紋之間距)定為S1，將建設性干涉繞射角定為θ，將照明透鏡8之焦點距離定為f，將照明光之波長定為λ，將繞射格子7之狹縫間距定為P，則橫偏量S1依圖3係以S1=f×sinθ (1)
表示。此外，橫偏量S1一般係配合樣品遮罩15之圖案排列間距來決定，當圖案的排列非一定時，只要以例如平均值來決定即可，為設計者設定之所希望之值。
此外，繞射格子7之狹縫間距P係以繞射格子之方程式P×sinθ=λ (2)來表示。
從而，繞射格子7之狹縫間距P依據上述式(1)、(2)會以P=f×λ/S1 (3)來表示。
此處，例如若設定為橫偏量S1=2μm、f=50mm、λ=365nm，則狹縫間距P依式(3)會成為P=9.125mm。此外，若橫偏量S1=2μm、f=50mm、λ=436mm，則狹縫間距P依式(3)會成為P=10.9mm。如此般，即便繞射格子7之狹縫間距P以10mm程度此種相對粗的間距來形成，也能於樣品遮罩15之表面以約2μm間距來產生對比高的干涉條紋。
於上述樣品平台9之光行進方向下游對向於樣品遮罩15配置有物鏡10。此物鏡10係將穿透樣品遮罩15之光線聚光於眼睛位置，和後述成像透鏡14偕同作用使得樣品遮罩15之圖案像於攝像裝置2之攝像面來放大成像。
於上述物鏡10之光行進方向下游配置有諾瑪斯基稜鏡11。此諾瑪斯基 稜鏡11係生成樣品遮罩15之圖案的橫錯雙重像，並使得穿透樣品遮罩15之圖案部18以及相位偏移部19的繞射光(圓偏光)形成干涉，係以具雙折射性之結晶二個錯開結晶軸做貼合之雙楔型稜鏡，使得稜鏡之焦點位置對準於物鏡10之眼睛位置來設置。
詳細而言，諾瑪斯基稜鏡11係將穿透樣品遮罩15之圖案部18的圓偏光與穿透相位偏移部19的圓偏光加以統合者。於此情況，於穿透圖案部18之圓偏光與穿透相位偏移部19之圓偏光之間，對應於相位偏移部19之相位偏移層17之厚度、折射率大小而產生相位差。從而，經統合後的偏光所產生的干涉像會帶有基於上述相位差之明暗的對比。
於此情況，諾瑪斯基稜鏡11只要以在整個光射出端面的全面形成均一干涉像的方式相對於光軸來橫錯朝雙重像的生成方向傾斜配置即可。此外，由諾瑪斯基稜鏡11所生成之雙重像的橫錯量(橫偏量S2)係基於諾瑪斯基稜鏡11所致二個偏光的分離角與物鏡之焦點距離來求出。從而，諾瑪斯基稜鏡11係以上述分離角成為得到所希望之橫偏量S2的角度的方式所製作。
更詳細而言，諾瑪斯基稜鏡11可藉由例如由具備有馬達與滾珠螺桿所構成之移動機構21在雙重像之生成方向上來平行移動於諾瑪斯基稜鏡11之光入射端面或是光射出端面。從而，若藉由移動機構21使得諾瑪斯基稜鏡11以上述方式移動，則諾瑪斯基稜鏡11內之光路長會出現變化，於光射出端面所顯現之干涉像會產生正弦波狀的相位調變。於此情況，相位調變量可從移動的諾瑪斯基稜鏡11之位置資訊來求出。或是，若諾瑪斯基稜鏡11係以一定速度移動，則可從其移動時間來求出。此外，相位調變之亮度值可從和成像於攝像裝置2之干涉像相對應的畫素的亮度資訊來求出。
於上述諾瑪斯基稜鏡11之光行進方向下游設有第2之λ/4板12。此第2之λ/4板12用以使得圓偏光回到直線偏光，和第1之λ/4板4具有相同機能。
於上述第2之λ/4板12之光行進方向下游設有檢光元件13。此檢光元件13係用以取出特定極化波之直線偏光，為偏光板或是偏光分束器。此外，此處針對使用偏光板的情況來說明。於此情況，偏光板係以穿透軸和偏光 元件3之偏光板的穿透軸成為正交的方式來配置。藉此，穿透檢光元件13之偏光板的直線偏光，其振動方向會和穿透偏光元件3之直線偏光的振動方向成為正交。
於上述檢光元件13之光行進方向下游設有成像透鏡14。此成像透鏡14係和物鏡10偕同作用使得樣品遮罩15之圖案像放大成像於攝像裝置2之攝像面上，為聚光透鏡。於此情況，樣品遮罩15之圖案像在像光穿透諾瑪斯基稜鏡11之際係分離為二而橫向錯移，故於攝像裝置2之攝像面上所成像之圖案像會成為橫向錯移之雙重像。此外，由於測量所使用之光線為g線、h線或是i線等紫外光，故攝像裝置2係使用紫外線照相機。
其次，針對以此方式所構成之相位偏移量測定裝置之動作來說明。
此處，例如針對在樣品遮罩15方面使用圖2所示般的相位偏移遮罩(於石英等透明基板16上所被覆之半透明膜等相位偏移層17處形成有矩形狀之圖案部18及其外側之相位偏移部19)之情況來說明。
從光源1放射出之隨機光的紫外線係入射於偏光元件3。此外，從偏光元件3取出朝特定方向振動之極化波的直線偏光。此直線偏光係藉由下游之第1之λ/4板4而成為圓偏光。
上述圓偏光進而藉由下游的會聚透鏡5來成為平行光之後，由帶通濾光片6所選擇之波長的光線係入射於繞射格子7。
入射於繞射格子7之圓偏光藉由複數狹縫分離為多數次繞射光而射出繞射格子7之後，被照明透鏡8所會聚而從內面照明樣品遮罩15。此外，上述多數次繞射光(圓偏光)係於樣品遮罩15之表面(形成有相位偏移層17之面)形成干涉。此干涉光之一部分係穿透樣品遮罩15之圖案部18，其他的干涉光則穿透相位偏移部19。干涉條紋之間距(橫偏量S1)如使用圖3所說明般，可使用繞射格子7之狹縫間距P、照明透鏡8之焦點距離f、照明光之光線的波長λ以及上述式(3)來算出。
穿透了樣品遮罩15之圖案部18以及相位偏移部19之多數次繞射光分別聚光於物鏡10之眼睛位置之後，再次分散而入射於諾瑪斯基稜鏡11。諾瑪斯基稜鏡11具有將擁有相互正交之振動面的二個偏光統合為一個偏光之作用。從而，分散後入射於諾瑪斯基稜鏡11之各二個的多數次繞射光(穿透 了圖案部18以及相位偏移部19之多數次繞射光)分別藉由諾瑪斯基稜鏡11再次統合為一個偏光(圓偏光)而射出諾瑪斯基稜鏡11。如此般，穿透圖案部18以及相位偏移部19之多數次繞射光係藉由諾瑪斯基稜鏡11統合為一個偏光，藉此，於諾瑪斯基稜鏡11之光射出端面會產生複數干涉條紋。
經諾瑪斯基稜鏡11統合後的複數多數次繞射光之圓偏光藉由第2之λ/4板12回復為直線偏光後入射至檢光元件13。檢光元件13係以穿透軸相對於偏光元件3之穿透軸為正交的方式所配置。從而，上述直線偏光當中朝和檢光元件13之穿透軸為同一方向做振動之極化波的直線偏光會穿透檢光元件13，藉由後段的成像透鏡14而聚光於攝像裝置2之攝像面上。
藉此，於攝像裝置2之攝像面上，樣品遮罩15之圖案像係以因著諾瑪斯基稜鏡11之作用而分離為橫向錯移(例如圖2中朝X方向錯移)之二個圖像(干涉圖像)的狀態來放大成像。此外，各圖像內，二個圖像之相位差係成為亮度變化而顯現。
此處，若驅動移動機構21使得諾瑪斯基稜鏡11朝雙重像之生成方向做滑動以於雙重像的干涉像產生相位調變，則於二個干涉圖像會出現圖4所示之亮度變化。同圖中，L0表示相當於透明基板之位置處的亮度變化，L1表示二個干涉圖像中一者的干涉圖像位置處的亮度變化，L2表示二個干涉圖像中另一者的干涉圖像位置處的亮度變化，分別以振幅中點之值來規格化表示。此外，同圖中，Φ1表示亮度變化L1之相位，Φ2表示亮度變化L2之相位。從而，樣品遮罩15之相位偏移量δ可藉由計算兩干涉圖像之相位差(Φ2-Φ1)來運算求得δ=(Φ2-Φ1)/2。此運算能以攝像裝置2內或是另外設置之訊號處理裝置來進行。此外，圖4中，各亮度變化之圖的振幅係等比於穿透率。
以下，針對樣品遮罩15之相位偏移量之測定以及相位偏移層17之穿透率之測定方法來詳細說明。
例如，若具有寬度為W之矩形狀的圖案部18之樣品遮罩15係透過橫偏量S2為W之諾瑪斯基稜鏡11來觀察，則於攝像裝置2會如圖5(a)所示般，藉由諾瑪斯基稜鏡11之作用而以橫向錯移雙重像的形式顯現。於此情況，同圖中以實線表示之圖案圖像22A之干涉圖像係對應於圖4中表示亮 度變化L2之干涉圖像，以虛線表示之圖案圖像22B之干涉圖像係對應於表示亮度變化L1之干涉圖像。從而，若一邊使得諾瑪斯基稜鏡11朝雙重圖像之生成方向移動、一邊取得和攝像裝置2之各干涉圖像相對應之位置之畫素的亮度資訊，則可得到圖4中亮度變化L1、L2之正弦波形。
從而，樣品遮罩15之相位偏移量δ可藉由計算亮度變化L1、L2之正弦波形的波峰間的相位差(Φ2-Φ1)而運算求得δ=(Φ2-Φ1)/2。於此情況，不會得到相當於圖4所示透明基板之位置的亮度變化L0。從而，無法測定相位偏移層17對透明基板之穿透率。
為了測定樣品遮罩15之相位偏移量以及相位偏移層17之穿透率這兩者，，在諾瑪斯基稜鏡11方面只要使用橫偏量S2相對於圖案部18之寬度W成為S2<W(例如S2=W/2)的方式所製作者即可。若透過如此之諾瑪斯基稜鏡11來觀察樣品遮罩15，則於攝像裝置2會出現圖5(b)所示般例如橫錯量為W/2之雙重圖像。於此情況，圖5(b)以實線表示之圖案圖像22A之左半部的干涉圖像係對應於圖4中表示亮度變化L2之干涉圖像，圖5(b)以實線表示之圖案圖像22A之右半部的干涉圖像(或是以虛線表示之圖案圖像22B之左半部的干涉圖像)係對應於圖4中表示亮度變化L0之干涉圖像，圖5(b)以虛線表示之圖案圖像22B之右半部的干涉圖像係對應於圖4中表示亮度變化L1之干涉圖像。是以，若一邊使得諾瑪斯基稜鏡11移動於雙重圖像之生成方向上、一邊取得和攝像裝置2之各干涉圖像相對應之位置之畫素的亮度資訊，可得到圖4中亮度變化L0、L1、L2之正弦波形。
從而，樣品遮罩15之相位偏移量δ可藉由計算亮度變化L1、L2之正弦波形的波峰間相位差(Φ2-Φ1)來運算求出δ=(Φ2-Φ1)/2。此外，如前述般，由於各亮度變化之振幅等比於穿透率，故藉由比較各亮度變化之振幅，可求出例如相位偏移層17之穿透率對透明基板之穿透率。例如，將亮度變化L0之振幅定為A0，將亮度變化L1、L2之振幅定為A1，則相對穿透率T可計算T=A1/A0來求得。
此外，上述實施形態中，雖針對測定樣品遮罩15在圖2中X方向的相位偏移量之情況做了說明，但本發明不限於此。例如，為了測定圖2中X、Y之兩方向的相位偏移量，可具備使得繞射格子7與諾瑪斯基稜鏡11一體 性地繞光軸旋轉90度之旋轉機構。或是，也可使得諾瑪斯基稜鏡11以光軸為中心分別配置在錯開90度之位置，使得繞射格子7做90度旋轉。或是，也可取代繞射格子7，而使用圖6所示般矩陣狀具備有複數針孔23之針孔板24。再者，於上述實施形態，也可構成為使得樣品平台9可做90度旋轉。
1‧‧‧光源
2‧‧‧攝像裝置
3‧‧‧偏光元件
4‧‧‧第1之λ/4板
5‧‧‧會聚透鏡
6‧‧‧帶通濾光片
7‧‧‧繞射格子
8‧‧‧照明透鏡
9‧‧‧樣品平台
10‧‧‧物鏡
11‧‧‧諾瑪斯基稜鏡
12‧‧‧第2之λ/4板
13‧‧‧檢光元件
14‧‧‧成像透鏡
15‧‧‧相位偏移遮罩
18‧‧‧圖案部
19‧‧‧相位偏移部
20‧‧‧開口部
21‧‧‧移動機構

Claims (5)

  1. 一種相位偏移量測定裝置，係測定相位偏移遮罩之相位偏移量；從光源至對雙重干涉像進行攝影之攝像裝置的單一光路上，從上游側起具備有：繞射格子，係使得直線偏光進行繞射而生成複數繞射光；雙楔型稜鏡，係生成該相位偏移遮罩之圖案的橫錯雙重像，並使得通過該相位偏移遮罩之圖案部以及相位偏移部的該繞射光產生干涉；以及移動機構，係使得該雙楔型稜鏡滑動於該雙重像之生成方向上。
  2. 如申請專利範圍第1項之相位偏移量測定裝置，係於該繞射格子之光行進方向上游側以及該雙楔型稜鏡之光行進方向下游側分別配置有λ/4板。
  3. 如申請專利範圍第1或2項之相位偏移量測定裝置，係於該繞射格子之光行進方向上游側配置有使得g線、h線以及i線當中至少一者的光線穿透之帶通濾光片。
  4. 如申請專利範圍第1或2項之相位偏移量測定裝置，係具備有使得該繞射格子與該雙楔型稜鏡一體性繞光軸旋轉之旋轉機構。
  5. 如申請專利範圍第1或2項之相位偏移量測定裝置，其中該雙楔型稜鏡係諾瑪斯基稜鏡。
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Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7023790B2 (ja) * 2018-05-22 2022-02-22 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス フォトマスク検査装置およびフォトマスク検査方法
CN110824693B (zh) * 2019-10-22 2021-10-12 中船九江精达科技股份有限公司 一种可调位置的光路折转方法及其光路折转装置
CN111561864B (zh) * 2020-04-29 2022-02-18 西安电子科技大学 一种基于偏振光栅的点衍射数字全息显微装置及方法

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5469259A (en) * 1994-01-03 1995-11-21 International Business Machines Corporation Inspection interferometer with scanning autofocus, and phase angle control features
JPH07280657A (ja) * 1994-04-11 1995-10-27 Olympus Optical Co Ltd 位相差測定装置
JPH1078648A (ja) * 1996-09-04 1998-03-24 Toshiba Corp 位相シフトマスク検査装置
JP3881125B2 (ja) * 1999-02-17 2007-02-14 レーザーテック株式会社 段差測定装置並びにこの段差測定装置を用いたエッチングモニタ装置及びエッチング方法
JP2001242382A (ja) * 1999-12-24 2001-09-07 Olympus Optical Co Ltd 微分干渉光学系
CN1358996A (zh) * 2002-01-29 2002-07-17 清华大学 用透射式微分干涉相衬显微镜测量表面形貌的方法和装置
JP2008026568A (ja) * 2006-07-20 2008-02-07 Olympus Corp 光学顕微鏡
JP2008185582A (ja) * 2007-01-04 2008-08-14 Lasertec Corp 位相シフト量測定装置及び透過率測定装置
KR101556430B1 (ko) * 2008-06-03 2015-10-01 환 제이. 정 간섭 결함 검출 및 분류
US10048480B2 (en) * 2011-01-07 2018-08-14 Zeta Instruments, Inc. 3D microscope including insertable components to provide multiple imaging and measurement capabilities
CN102519358B (zh) * 2011-12-26 2013-12-25 哈尔滨工业大学 用于检测微小球面三维形貌的相移式衍射干涉测量仪及测量方法
JP5660514B1 (ja) * 2013-12-04 2015-01-28 レーザーテック株式会社 位相シフト量測定装置及び測定方法
JP5725681B1 (ja) * 2014-01-22 2015-05-27 レーザーテック株式会社 干渉計及び位相シフト量測定装置

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