TW201735348A - 發光元件組裝體及其製造方法以及顯示裝置 - Google Patents

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Abstract

本發明係一種發光元件組裝體，其包括：發光元件11，其具備發光層、第1電極31及第2電極32；以及設置於基體40上之第1連接部41及第2連接部42；第1連接部41與第2連接部42由基體40露出之分離部43隔開，於分離部43之第1連接部側設置有擴寬部44，第1電極31包括第1部分31A及第2部分31B，第1電極之第2部分31B連接於第1連接部41，第1電極之第1部分31A自第1電極之第2部分31B延伸，第1電極之第1部分31A相對於基體40之正投射影像與分離部43之擴寬部44至少一部分重合。

Description

發光元件組裝體及其製造方法以及顯示裝置
本發明係關於一種發光元件組裝體及其製造方法以及顯示裝置。
業界開發有各種用於將多個微細電子零件安裝於安裝用基板上之方法，其中之一可列舉所謂轉印法(例如參照日本專利特開2011-233733)。於該專利公開公報所揭示之轉印法中，於配線基板上形成晶種金屬，且以發光元件之電極墊以與晶種金屬電性非連接地位於晶種金屬上方之方式將發光元件暫時固定於配線基板，將晶種金屬作為饋電層進行電解鍍覆，藉由利用電解鍍覆而成長之鍍覆層使電極墊接合於晶種金屬而固定發光元件。此處，於發光元件之相對於配線基板之暫時固定使用樹脂。 [先前技術文獻] [專利文獻] [專利文獻1]日本專利特開2011-233733
[發明所欲解決之問題] 上述專利公開公報所揭示之技術係優異之安裝技術，但因將發光元件暫時固定於配線基板上之樹脂殘留，故而於長期使用發光元件時，有用於暫時固定之樹脂剝離之虞。 因此，本發明之目的在於提供一種於長期使用發光元件時，不會發生用於暫時固定之樹脂剝離之類的問題之構成、結構之發光元件組裝體及其製造方法以及具備該發光元件組裝體之顯示裝置。 [解決問題之技術手段] 用於達成上述目的之本發明之第1態樣之發光元件組裝體包括： 發光元件，其具備發光層、第1電極、及電性連接於發光層之第2電極；以及 第1連接部及第2連接部，其等設置於基體上；且 第1連接部與第2連接部由基體露出之分離部隔開， 於分離部之第1連接部側設置有擴寬部， 第1電極包括與發光層相接之第1部分、及第2部分， 第1電極之第2部分連接於第1連接部，第1電極之第1部分自第1電極之第2部分延伸， 第1電極之第1部分之相對於基體的正投射影像與分離部之擴寬部至少一部分重合。 用於達成上述目的之本發明之第2態樣之發光元件組裝體包括： 發光元件，其具備發光層、第1電極、及電性連接於發光層之第2電極；以及 第1連接部及第2連接部，其等設置於基體上；且 第1連接部與第2連接部由基體露出之分離部隔開， 第1電極包括與發光層相接之第1部分、及第2部分， 第1電極之第2部分連接於第1連接部，第1電極之第1部分自第1電極之第2部分延伸， 於設置有第1電極之第2部分之發光元件之部分及其附近，設置有第1電極之第2部分與外部連通之連通部(方便起見，有時稱為「第1連通部」)。 用於達成上述目的之本發明之顯示裝置係將本發明之第1態樣～第2態樣之發光元件組裝體排列為二維矩陣狀而成。 用於達成上述目的之本發明之第1態樣之發光元件組裝體之製造方法係如下發光元件組裝體之製造方法，該發光元件組裝體包括： 發光元件，其具備發光層、第1電極、及電性連接於發光層之第2電極；以及 第1連接部及第2連接部，其等設置於基體上； 第1連接部與第2連接部由基體露出之分離部隔開， 於分離部之第1連接部側設置有擴寬部， 第1電極包括與發光層相接之第1部分、及第2部分， 第1電極之第2部分連接於第1連接部，第1電極之第1部分自第1電極之第2部分延伸， 第1電極之第1部分之相對於基體的正投射影像與分離部之擴寬部至少一部分重合；且 該製造方法至少具有如下步驟： 以第1電極之第1部分之相對於基體之正投射影像與分離部之擴寬部至少一部分重合、第1電極之第2部分與第1連接部對向、且發光元件覆蓋分離部之方式，隔著未硬化或半硬化之能量線硬化型接著劑層而相對於基體配置發光元件，其後 自基體之與配置有發光元件之側為相反側對基體照射能量線，使未被第1連接部及第2連接部遮蔽之接著劑層之部分硬化之後，去除未硬化或半硬化之接著劑層之部分，繼而 將第1電極之第2部分與第1連接部連接後， 經由分離部而去除硬化之接著劑層。 用於達成上述目的之本發明之第2態樣之發光元件組裝體之製造方法係如下發光元件組裝體之製造方法，該發光元件組裝體包括： 發光元件，其具備發光層、第1電極、及電性連接於發光層之第2電極；以及 第1連接部及第2連接部，其等設置於基體上； 第1連接部與第2連接部由基體露出之分離部隔開， 第1電極包括與發光層相接之第1部分、及第2部分， 第1電極之第2部分連接於第1連接部，第1電極之第1部分自第1電極之第2部分延伸， 於設置有第1電極之第2部分之發光元件之部分及其附近，設置有第1電極之第2部分與外部連通之連通部(第1連通部)；且 該製造方法至少具有如下步驟： 以第1電極之第2部分與第1連接部對向、且發光元件覆蓋分離部之方式，隔著未硬化或半硬化之能量線硬化型接著劑層相對於基體配置發光元件，其後 自基體之與配置有發光元件之側為相反側對基體照射能量線，使未被第1連接部及第2連接部遮蔽之接著劑層之部分硬化之後，去除未硬化或半硬化之接著劑層之部分，繼而 將第1電極之第2部分與第1連接部連接後， 經由分離部而去除硬化之接著劑層。 [發明之效果] 於本發明之第1態樣～第2態樣之發光元件組裝體、或具備本發明之第1態樣～第2態樣之發光元件組裝體之本發明之顯示裝置中，第1連接部與第2連接部藉由基體露出之分離部隔開。即，未於分離部殘留用於暫時固定之樹脂。因此，於長期使用發光元件時，不會發生用於暫時固定之樹脂剝離之類的問題。於本發明之第1態樣～第2態樣之發光元件組裝體之製造方法中，因最終經由分離部去除硬化之接著劑層(相當於用於暫時固定之樹脂)之部分，故而於長期使用發光元件時，不會發生用於暫時固定之樹脂剝離之類的問題。再者，本說明書所記載之效果僅為例示並非為限定者，又，亦可具有附加效果。
以下，參照圖式基於實施例說明本發明，但本發明並不限定於實施例，實施例中之各種數值或材料係例示。再者，說明按照以下順序進行。 1.關於本發明之第1態樣～第2態樣之發光元件組裝體及其製造方法以及本發明之顯示裝置之全體之說明 2.實施例1(本發明之第1態樣之發光元件組裝體及其製造方法以及本發明之顯示裝置) 3.實施例2(實施例1之變化) 4.實施例3(本發明之第2態樣之發光元件組裝體及其製造方法) 5.實施例4(實施例3之變化) 6.實施例5(實施例1～實施例4之變化、安裝發光元件之方法) 7.其他 ＜關於本發明之第1態樣～第2態樣之發光元件組裝體及其製造方法以及本發明之顯示裝置之全體之說明＞ 以下將本發明之第1態樣之發光元件組裝體、藉由本發明之第1態樣之發光元件組裝體之製造方法而製造之發光元件組裝體、本發明之顯示裝置所具備之本發明之第1態樣之發光元件組裝體總稱為「本發明之第1態樣之發光元件組裝體等」。又，以下將本發明之第2態樣之發光元件組裝體、藉由本發明之第2態樣之發光元件組裝體之製造方法而製造之發光元件組裝體、本發明之顯示裝置所具備之本發明之第2態樣之發光元件組裝體總稱為「本發明之第2態樣之發光元件組裝體等」。 於本發明之第1態樣之發光元件組裝體等中，第1連接部可設為藉由擴寬部分割為兩個區域之形態。而且，於該情形時，可設為如下形態： 分離部及擴寬部整體之平面形狀為「T」字狀， 藉由「T」字之橫部構成隔開第1連接部與第2連接部之分離部， 藉由「T」字之豎部構成將第1連接部分離為兩個區域之擴寬部。再者，分離部之寬度可較擴寬部之寬度寬，或亦可為相同寬度，或亦可較窄。即，「T」字之橫部之粗度可較「T」字之豎部之粗度粗，或亦可相同，或亦可較細。 於包含上述較佳形態之本發明之第1態樣之發光元件組裝體等中，第1電極之第2部分可設為自第1部分延伸，且以向第1連接部突出之狀態包圍第1部分之形態。 進而，於包含上述各種較佳形態之本發明之第1態樣之發光元件組裝體等中，第1電極及第2電極可設為以發光層為基準而設置於同一側之構成。而且，於該情形時可設為如下構成，即，於設置有第2電極之發光元件之部分及其附近設置有第2電極與外部連通之連通部(有時稱為「第2連通部」)，或又 可設為如下構成，即，於將第1電極之第2部分與基體之間之間隙之最短距離設為L11 ，將第2電極與基體之間之間隙之最短距離設為L12 時，滿足L11 ＜L12 。而且，進而於該等構成中，設為如下構成，即 第1電極之第2部分與第1連接部經由第1導電部連接， 第2電極與第2連接部經由第2導電部連接。 或又於包含上述各種較佳形態之本發明之第1態樣之發光元件組裝體等中可設為如下構成： 第2電極以發光層為基準而設置於與第1電極為相反側， 第2電極與第2連接部經由導體層連接。而且，於該情形時，可設為如下構成： 不與發光元件重合之導體層之部分的相對於第2連接部之正投射影像包含於第2連接部，或又可設為如下構成： 於分離部之第2連接部側設置有與擴寬部對向之第2擴寬部， 第2連接部被第2擴寬部分割為至少兩個區域。藉由不與發光元件重合之導體層之部分的相對於第2連接部之正投射影像包含於第2連接部，自發光元件出射之光即便藉由導體層反射，其反射光亦不會到達基體，可防止因自發光元件出射之光所致之基體之劣化。 於本發明之第2態樣之發光元件組裝體等中，可設為於至少與第1電極之一部分對向之基體之部分未設置第1連接部之形態。 而且，於包含上述較佳形態之本發明之第2態樣之發光元件組裝體等中，第1電極及第2電極可設為以發光層為基準而設置於同一側之構成。而且，於該情形時，可設為如下構成：於設置有第2電極之發光元件之部分及其附近設置有第2電極與外部連通之第2連通部，進而，於該等情形時，可設為如下構成： 第1電極之第2部分與第1連接部經由第1導電部連接， 第2電極與第2連接部經由第2導電部連接。 或又於包含上述較佳形態之本發明之第2態樣之發光元件組裝體等中，可設為如下構成： 第2電極以發光層為基準而設置於與第1電極為相反側， 第2電極與第2連接部經由導體層連接，於該情形時，可設為如下構成：不與發光元件重合之導體層之部分的相對於第2連接部之正投射影像包含於第2連接部。藉由採用此種構成，自發光元件出射之光即便藉由導體層反射，其反射光亦不會到達基體，可防止因自發光元件出射之光所致之基體之劣化。 於包含以上所說明之各種較佳形態、構成之本發明之第1態樣～第2態樣之發光元件組裝體等(以下有時將該等總稱為「本發明之發光元件組裝體等」)中，第2電極與第2連接部電性連接，如上所述，亦可設為第2電極與第2連接部經由第2導電部連接之構成，或又可設為第2電極與第2連接部經由導體層連接之構成。連接第1電極之第2部分與第1連接部之第1導電部、及連接第2電極與第2連接部之第2導電部可由鍍覆層構成，但並不限定於此，此外，例如亦可由焊料球或焊料凸塊構成。即，作為第1電極之第2部分與第1連接部之連接方法可列舉鍍覆法，但並不限定於此，此外亦可採用使用焊料球或焊料凸塊之方法。導體層可由鍍覆層構成，但並不限定於此，此外例如亦可由所謂打線接合構成。即，作為導體層之形成方法可列舉鍍覆法，但並不限定於此，此外亦可採用使用所謂打線接合之方法。導體層未與除第2電極以外之發光元件之部分相接。作為構成能量線硬化型接著劑層之接著劑(樹脂)材料，可列舉周知之紫外線硬化型接著劑(樹脂)，作為能量線可列舉適於所使用之接著劑硬化之紫外線，但並不限定於此。於未硬化或半硬化之接著劑層之去除或分離部等之硬化接著劑層之去除中，只要根據所使用之接著劑，例如選擇適當之溶劑，使其溶解於溶劑中即可。再者，半硬化意指未完全硬化之狀態。 於本發明之發光元件組裝體等中，發光元件可設為包含發光二極體(LED，Light Emitting Diode)之構成，但並不限定於此，此外亦可由半導體雷射元件等構成。於由發光二極體或半導體雷射元件構成發光元件之情形時，發光元件之大小(例如晶片尺寸)無特別限制，典型而言為微小者，具體而言，尺寸為例如1 mm以下、或例如0.3 mm以下、或例如0.1 mm以下、更具體而言為0.03 mm以下者。作為構成發紅色光之紅色發光元件、發綠色光之綠色發光元件及發藍色光之藍色發光元件之發光層之材料，例如可列舉使用III-V族化合物半導體者，又，作為構成紅色發光元件之發光層之材料，例如亦可列舉使用AlGaInP系化合物半導體者。作為III-V族化合物半導體，例如可例示GaN系化合物半導體(包含AlGaN混晶或AlGaInN混晶、GaInN混晶)、GaInNAs系化合物半導體(包含GaInAs混晶或GaNAs混晶)、AlGaInP系化合物半導體、AlAs系化合物半導體、AlGaInAs系化合物半導體、AlGaAs系化合物半導體、GaInAs系化合物半導體、GaInAsP系化合物半導體、GaInP系化合物半導體、GaP系化合物半導體、InP系化合物半導體、InN系化合物半導體、AlN系化合物半導體。 發光層具備具有第1導電型之第1化合物半導體層、活性層、及具有與第1導電型不同之第2導電型之第2化合物半導體層之積層結構。再者，於將第1導電型設為n型之情形時，第2導電型為p型，或於將第1導電型設為p型之情形時，第2導電型為n型。作為添加於化合物半導體層中之n型雜質，例如可列舉矽(Si)、硒(Se)、鍺(Ge)、錫(Sn)、碳(C)或鈦(Ti)，或作為p型雜質，可列舉鋅(Zn)、鎂(Mg)、鈹(Be)、鎘(Cd)、鈣(Ca)、鋇(Ba)或氧(O)。活性層可由單一之化合物半導體層構成，或亦可具有單一量子井結構(SQW(Single Quantum Well)結構)或多量子井結構(MQW(Multiple Quantum Well)結構)。作為包含活性層之各種化合物半導體層之形成方法(成膜方法)，可列舉有機金屬化學氣相沈積法(MOCVD(Metal Organic Chemical Vapor Deposition)法、MOVPE(Metal Organic Vapor Phase Epitaxy，有機金屬氣相磊晶)法)、有機金屬分子束磊晶法(MOMBE(Metal Organic Molecular Beam Epitaxy)法)、鹵素有助於傳輸或反應之氫化物氣相磊晶法(HVPE(Hydride Vapor Phase Epitaxy)法)、電漿輔助物理氣相沈積法(PPD(Plasma assisted Physical Deposition)法)、原子層沈積法(ALD法，Atomic Layer Deposition)或遷移強化磊晶法(Migration-Enhanced.Epitaxy，MEE法)。為了製造紅色發光元件、綠色發光元件、藍色發光元件，適當選擇上述化合物半導體或其組成即可。 於將第1導電型設為n型，將第2導電型設為p型之情形時，第1電極為n側電極，第2電極成為p側電極。另一方面，於將第1導電型設為p型，將第2導電型設為n型之情形時，第1電極為p側電極，第2電極成為n側電極。此處，作為p側電極，可列舉Au/AuZn、Au/Pt/Ti(/Au)/AuZn、Au/Pt/TiW(/Ti)(/Au)/AuZn、Au/AuPd、Au/Pt/Ti(/Au)/AuPd、Au/Pt/TiW(/Ti)(/Au)/AuPd、Au/Pt/Ti、Au/Pt/TiW(/Ti)、Au/Pt/TiW/Pd/TiW(/Ti)、Ti/Cu、Pt、Ni、Ag、Ge。又，作為n側電極，可列舉Au/Ni/AuGe、Au/Pt/Ti(/Au)/Ni/AuGe、AuGe/Pd、Au/Pt/TiW(/Ti)/Ni/AuGe、Ti。再者，越為「/」之前之層則位於越電性遠離活性層之位置。或又亦可由ITO、IZO、ZnO：Al、ZnO：B之類的透明導電材料構成第2電極。於將包含透明導電材料之層用作電流擴散層，將第2電極設為n側電極之情形時，亦可與將第2電極設為p側電極之情形時所列舉之金屬積層結構組合。可由墊部(第1墊部)構成第1電極之第2部分，或亦可於第2電極上(表面)形成第2墊部，或亦可於第1電極之第2部分上(表面)形成第3墊部。於該等情形時，第3墊部包含於第1電極之第2部分，第2墊部包含於第2電極。墊部較理想為具有包含選自由Ti(鈦)、鋁(Al)、Pt(鉑)、Au(金)、Ni(鎳)所組成之群中之至少一種金屬之單層構成或多層構成。或又該等墊部亦可設為Ti/Pt/Au之多層構成、Ti/Au之多層構成所例示之多層構成。 作為用於製造發光元件之發光元件製造用基板，可列舉GaAs基板、GaP基板、AlN基板、AlP基板、InN基板、InP基板、AlGaInN基板、AlGaN基板、AlInN基板、GaInN基板、AlGaInP基板、AlGaP基板、AlInP基板、GaInP基板、ZnS基板、藍寶石基板、SiC基板、氧化鋁基板、ZnO基板、LiMgO基板、LiGaO2 基板、MgAl2 O4 基板、Si基板、Ge基板、及於該等基板之表面(主面)形成有基底層或緩衝層而成者。再者，為了製造紅色發光元件、綠色發光元件、藍色發光元件，自該等基板中適當選擇即可。 於發光元件中，亦能以不使自發光元件出射之光照射非所期望之區域之方式，於發光元件之所期望區域形成遮光膜。作為構成遮光膜之材料，可列舉鈦(Ti)、鉻(Cr)、鎢(W)、鉭(Ta)、鋁(Al)、MoSi2 、金(Au)、銅(Cu)或鎳(Ni)等可遮光之材料或反射可見光之材料。 作為構成下述之絕緣層、第2絕緣層、第3絕緣層之材料，可例示氧化矽(SiOX )、氮化矽(SiNY )、氮氧化矽(SiOX NY )、氧化鉭(Ta2 O5 )、氧化鋯(ZrO2 )、氧化鋁(Al2 O3 )、氮化鋁(AlN)、氧化鈦(TiO2 )、氧化鎂(MgO)、氧化鉻(CrOx )、氧化釩(VOx )、氮化鉭(TaN)、介電多層膜(例如具有交替積層SiO2 等之低折射率薄膜與TiO2 或Ta2 O5 等之高折射率薄膜之結構之介電多層膜)、或SiO2 層/Si層之積層結構(SiO2 層為下層，Si層為上層)。絕緣層之形成可依存於所使用之材料，藉由各種物理氣相沈積法(PVD法)、各種化學氣相沈積法(CVD法)進行。又，圖案化可基於微影技術及蝕刻技術之組合進行。 根據顯示裝置之用途或功能、顯示裝置所要求之規格等而決定構成顯示裝置之發光元件組裝體(具體而言為發光元件)之數量、種類、安裝(配置)、間隔等。只要由紅色發光元件(紅色發光副像素)、綠色發光元件(綠色發光副像素)及藍色發光元件(藍色發光副像素)構成顯示裝置，則可獲得彩色顯示之顯示裝置。於由彩色顯示之顯示裝置構成顯示裝置之情形時，顯示裝置之1像素(1 pixel)包括紅色發光元件、綠色發光元件及藍色發光元件之組(發光單元)。又，由各發光元件構成副像素。而且，複數個發光元件組裝體(複數個像素)於第1方向、及與第1方向正交之第2方向排列為二維矩陣狀。於將構成發光單元之紅色發光元件之數量設為NR ，將構成發光單元之綠色發光元件之數量設為NG ，將構成發光單元之藍色發光元件之數量設為NB 時，作為NR 可列舉1或2以上之整數，作為NG 可列舉1或2以上之整數，作為NB 可列舉1或2以上之整數。NR 、NG 及NB 之值可相同亦可不同。於NR 、NG 、NB 之值為2以上之整數之情形時，於一個發光單元內，發光元件組裝體可串聯連接，或亦可並聯連接。作為(NR 、NG 、NB )之值之組合，並非限定者，可例示(1、1、1)、(1、2、1)、(2、2、2)、(2、4、2)。於由3種副像素構成1像素之情形時，作為3種副像素之排列，可列舉三角形排列、條狀排列、對角排列、矩形排列。而且，對發光元件基於PWM(Pulse Width Modulation，脈衝寬度調變)驅動法且進行定電流驅動即可。或又亦可準備3個面板，使第1面板包括包含紅色發光元件之發光部，使第2面板包括包含綠色發光元件之發光部，使第3面板包括包含藍色發光元件之發光部，將來自該等3個面板之光例如應用於使用雙色稜鏡聚光之投影儀。 作為基體，可列舉包含銅箔或銅鍍覆層之第1連接部及第2連接部形成於表面之玻璃基板、石英基板或矽基板，或可列舉包含銅箔或銅鍍覆層之第1連接部及第2連接部形成於表面之剛性印刷配線板或軟性印刷配線板。再者，為了照射能量線使接著劑層之部分硬化，預先於剛性印刷配線板或軟性印刷配線板上設置用於使能量線通過之區域(相對於能量線透明之區域)即可。基體之製造方法設為先前之方法即可。基體相當於安裝用基板。構成剛性印刷基板之基材之構成本質上而言為任意，例如可例示紙/酚樹脂、紙/環氧樹脂、玻璃布/環氧樹脂、玻璃不織布/環氧樹脂、玻璃布/玻璃不織布/環氧樹脂、合成纖維/環氧樹脂、玻璃布/聚醯亞胺樹脂、玻璃布/改性聚醯亞胺樹脂、玻璃布/環氧改性聚醯亞胺樹脂、玻璃布/雙馬來醯亞胺/三𠯤/環氧樹脂、玻璃布/氟系樹脂、玻璃布/PPO(polyphenylene oxide，聚伸苯醚)樹脂、玻璃布/PPE(polyphenylene ether，聚苯醚)樹脂之組合。 於顯示裝置中，第1連接部連接於第1配線，第2連接部連接於第2配線。複數個第1配線之各者整體為帶狀，向第1方向延伸，複數個第2配線之各者整體為帶狀，向與第1方向不同之第2方向(例如與第1方向正交之方向)延伸。再者，整體為帶狀之配線亦可包含帶狀延伸之幹配線、及自幹配線延伸之複數個支配線。或又可設為如下構成：第1配線包含共同之配線(共用電極)，第2配線包含複數個配線，該等複數個配線分別整體向一個方向延伸。或又可設為如下構成：第1配線包含複數個配線，該等複數個配線分別整體向一個方向延伸，第2配線包含共同之配線(共用電極)。 作為構成第1配線、第2配線之材料，可列舉：包含金(Au)、銀(Ag)、銅(Cu)、鈀(Pd)、鉑(Pt)、鉻(Cr)、鎳(Ni)、鈷(Co)、鋯(Zr)、鋁(Al)、鉭(Ta)、鈮(Nb)、鉬(Mo)、鎢(W)、鈦(Ti)、鐵(Fe)、銦(In)、鋅(Zn)、錫(Sn)等金屬之各種金屬；包含該等金屬元素之合金(例如MoW)或化合物(例如TiW；TiN或WN等氮化物；WSi2 、MoSi2 、TiSi2 、TaSi2 等矽化物)；包含該等金屬之導電性粒子；包含該等金屬之合金之導電性粒子；矽(Si)等半導體；鑽石等之碳薄膜；ITO(氧化銦-錫)、氧化銦、氧化鋅等導電性金屬氧化物，亦可設為包含該等元素之層之積層結構。又，亦可列舉聚(3,4-乙二氧基噻吩)/聚苯乙烯磺酸[PEDOT/PSS]之類的有機材料(導電性高分子)。作為第1配線、第2配線之形成方法，亦取決於構成該等之材料，可列舉如下之任一者及視需要與圖案化技術之組合：包括電子束蒸鍍法或熱長絲蒸鍍法之類的真空蒸鍍法、濺鍍法、離子鍍覆法、雷射剝蝕法之各種物理氣相沈積法(PVD法)；包括MOCVD法之各種化學氣相沈積法(CVD法)；旋轉塗佈法；網版印刷法、噴墨印刷法、膠版印刷法、網板印刷法或凹版印刷法之類的各種印刷法；氣動括塗器法、刮刀塗佈機法、桿式塗佈機法、刮刀塗佈機法、擠壓式塗佈機法、逆輥塗佈機法、傳料輥塗佈機法、凹版塗佈機法、接觸式塗佈機法、塗鑄機法、噴霧塗佈機法、孔縫式塗佈機法、軋光塗佈機法、浸漬法之類的各種塗佈法；標記法；舉離法；遮罩法；電解鍍覆法或無電解鍍覆法或該等之組合之類的鍍覆法；舉離法；溶膠凝膠法；及噴霧法中。再者，作為PVD法，可列舉(a)電子束加熱法、電阻加熱法、快閃蒸鍍等各種真空蒸鍍法、(b)電漿蒸鍍法、(c)2極濺鍍法、直流濺鍍法、直流磁控濺鍍法、高頻濺鍍法、磁控濺鍍法、離子束濺鍍法、偏壓濺鍍法等各種濺鍍法、(d)DC(directcurrent，直流)法、RF(Radio Frequency)法、多陰極法、活化反應法、電場蒸鍍法、高頻離子鍍覆法、反應性離子鍍覆法等各種離子鍍覆法。構成第1配線之材料與構成第2配線之材料可相同或亦可不同。又，藉由適當選擇形成方法，亦能夠直接形成圖案化之第1配線、第2配線。 [實施例1] 實施例1係關於本發明之第1態樣之發光元件組裝體及其製造方法以及本發明之顯示裝置。將實施例1之發光元件組裝體之模式局部俯視圖示於圖1A，將構成實施例1之發光元件組裝體之發光元件之模式俯視圖示於圖1B。又，將沿圖1A之箭頭A-A之實施例1之發光元件組裝體之模式局部剖面圖示於圖2A，將沿圖1A之箭頭B-B之實施例1之發光元件組裝體之模式局部剖面圖示於圖2B。進而，將構成沿圖1B之箭頭A-A、箭頭B-B及箭頭C-C之實施例1之發光元件組裝體之發光元件之模式局部剖面圖示於圖3A、圖3B及圖3C。 再者，於圖式中，利用單點鏈線表示藉由發光元件遮擋之第1連接部、第2連接部之部分之緣部，利用點線表示藉由發光元件等遮擋之第1電極、第2電極之部分。又，根據發光元件之模式剖面圖，省略發光元件之構成元件之詳細或一部分之圖示。 實施例1之發光元件組裝體包括： 發光元件(具體而言為發光二極體)11，其具備發光層20、第1電極31、及電性連接於發光層20之第2電極32；以及 第1連接部41及第2連接部42，其等設置於基體40上； 第1連接部41與第2連接部42藉由基體40露出之分離部43隔開， 於分離部43之第1連接部側設置有擴寬部44， 第1電極31包括與發光層20相接之第1部分31A、及第2部分31B， 第1電極31之第2部分31B連接於第1連接部41，第1電極31之第1部分31A自第1電極31之第2部分31B延伸。 實施例1之顯示裝置係將實施例1或下述之實施例2～實施例4中所說明之發光元件組裝體排列為二維矩陣狀而成。發光元件例如包括紅色發光元件、綠色發光元件及藍色發光元件之3種發光元件。構成顯示裝置之1像素例如包括1個紅色發光元件、1個綠色發光元件及1個藍色發光元件。即，NR ＝NG ＝NB ＝1。 而且，第1電極31之第1部分31A之相對於基體40的正投射影像與分離部43之擴寬部44至少一部分重合。於圖示之例中，第1電極31之第1部分31A之相對於基體40的正投射影像包含於分離部43之擴寬部44，亦可為分離部43之擴寬部44包含於第1電極31之第1部分31A的相對於基體40之正投射影像。又，第1連接部41藉由擴寬部44分割為兩個區域41A、41B。此處，分離部43及擴寬部44整體之平面形狀為「T」字狀，藉由「T」字之橫部構成隔開第1連接部41與第2連接部42之分離部43，藉由「T」字之豎部構成將第1連接部41分離為兩個區域41A、41B之擴寬部44。分離部43之寬度可寬於擴寬部44之寬度，或亦可為相同寬度，或亦可較窄。即，「T」字之橫部之粗度可較「T」字之豎部之粗度粗，或亦可相同，或亦可較細。於圖示之例中，分離部43之寬度較擴寬部44之寬度窄。即，「T」字之橫部之粗度較「T」字之豎部之粗度細。分離部43及擴寬部44與外部連通。進而，於實施例1之情形時，第1電極31之第2部分31B自第1部分31A延伸，以向第1連接部41突出之狀態包圍第1部分31A。第1部分31A與發光層20相接。又，第2部分31B相當於第1墊部。於圖示之例中，將第1部分31A及第2部分31B之平面形狀設為圓形，並不限定於此，亦可設為正方形、長方形、帶弧度的正方形、帶弧度的長方形、橢圓形等。 於實施例1中，第1電極31及第2電極32以發光層20為基準而設置於同一側。而且，於設置有第2電極32之發光元件11之部分及其附近，設置有第2電極32與外部連通之連通部(第2連通部27)。或又 於將第1電極31之第2部分31B與基體40之間之間隙之最短距離設為L11 ，將第2電極32與基體40之間之間隙之最短距離設為L12 時，滿足L11 ＜L12 (參照圖2A)。而且，進而， 第1電極31之第2部分31B與第1連接部41經由第1導電部45A連接， 第2電極32與第2連接部42經由第2導電部45B連接。第2連通部27於圖示之例中設置於發光元件11之一邊11A，平面形狀例如為半長圓形狀(兩條線段與半圓組合而成之形狀)。作為L11 及L12 之值，具體而言可例示： L11 ＝0.5 μm L12 ＝2 μm； 但並不限定於該等值。又，作為發光元件之大小，例如可例示5 μm以上且1 mm以下。 發光層20具備具有第1導電型(具體而言為p型或n型)之第1化合物半導體層21、活性層23、及具有與第1導電型不同之第2導電型(具體而言為n型或p型)之第2化合物半導體層22之積層結構。於活性層23中發出之光經由第2化合物半導體層22出射至外部。於第1化合物半導體層21、活性層23、及第2化合物半導體層22之一部分形成有第2連通部27，於第2連通部27中露出之第2化合物半導體層22之部分形成有第2電極32。第2電極32包括第1部分32A及第2部分32B。而且，第2電極32之第2部分32B連接於第2連接部42，第2電極32之第1部分32A自第2電極32之第2部分32B延伸。第2電極32之第2部分32B以向第2連接部42突出之狀態包圍第2部分32B。第2電極32之第1部分32A與發光層20(具體而言為第2化合物半導體層22)相接。第2電極32之第2部分32B相當於第2墊部。第2連通部27設置於位於第2電極32之第2部分32B與第1部分32A相接之部分之發光元件之部分及其附近。 除第2化合物半導體層22之光出射面22'以外，發光層20由絕緣層24覆蓋。於第1電極31之第1部分31A之緣部之上延伸有絕緣層24。於第1電極之第1部分31A之上及絕緣層24之一部分之上形成有第1電極31之第2部分31B。絕緣層例如包含氧化矽(SiOX )或氮化矽(SiNY )。 發光元件包括紅色發光元件、綠色發光元件或藍色發光元件。紅色發光元件、綠色發光元件及藍色發光元件之具體構成例如如以下之表1及表2所述。 即，於紅色發光元件中，包括具有p型導電型之第2化合物半導體層22、活性層23、及具有n型導電型之第1化合物半導體層21之發光層(積層結構體)20，包含AlGaInP系化合物半導體。作為用於製造紅色發光元件之發光元件製造用基板(未圖示)使用n-GaAs基板。第2化合物半導體層22形成於發光元件製造用基板之上。活性層23具有包括GaInP層或AlGaInP層之井層與包括組成不同之AlGaInP層之障壁層積層而成的多量子井結構，具體而言，將障壁層設為4層，將井層設為3層。再者，亦可將第2化合物半導體層22之導電型設為n型，將第1化合物半導體層21之導電型設為p型。 ＜表1＞紅色發光元件 第1化合物半導體層 第1披覆層n-AlInP：摻雜Si 第1導引層AlGaInP 活性層 井層/障壁層GaInP/AlGaInP 第2化合物半導體層 第2導引層AlGaInP 第2披覆層p-AlInP：摻雜Zn 接觸層p-GaAs：摻雜Zn 於綠色發光元件及藍色發光元件中，包括具有n型導電型之第2化合物半導體層22、活性層23、及具有p型導電型之第1化合物半導體層21之發光層(積層結構體)20，包含GaInN系化合物半導體。作為用於製造綠色發光元件及藍色發光元件之發光元件製造用基板使用n-GaN基板。第2化合物半導體層22形成於發光元件製造用基板之上。活性層23具有包括AlInGaN層之井層與包括In組成不同之AlInGaN層之障壁層積層而成的量子井結構，或又具有包括InGaN層之井層與包括GaN層之障壁層積層而成的量子井結構。再者，亦可將第2化合物半導體層22之導電型設為p型，將第1化合物半導體層21之導電型設為n型。 ＜表2＞綠色發光元件/藍色發光元件 第1化合物半導體層 接觸層p-GaN：摻雜Mg 第2披覆層p-AlGaN：摻雜Mg 第2導引層InGaN 活性層 井層/障壁層InGaN/GaN 第2化合物半導體層 第1導引層InGaN 第1披覆層n-AlInGaN：摻雜Si 基體40例如包括包含銅箔或銅鍍覆層之第1連接部41及第2連接部42形成於表面之玻璃基板。第1連接部41與第1配線連接，第2連接部42與第2配線連接。複數個第1配線分別整體為帶狀，向第1方向延伸，複數個第2配線分別整體為帶狀，向與第1方向不同之第2方向(例如與第1方向正交之方向)延伸。省略第1配線及第2配線之圖示。基體40之形成方法可設為周知之方法。 以下，參照作為發光元件等之模式局部剖面圖之圖22A、圖22B、圖23A、圖23B、圖24A、圖24B、圖25A、圖25B說明實施例1之發光元件組裝體之製造方法，圖22A、圖23A、圖24A、圖25A係與沿圖1A之箭頭A-A同樣之模式局部剖面圖，圖22B、圖23B、圖24B、圖25B係與沿圖1A之箭頭B-B同樣之模式局部剖面圖。再者，發光元件11可基於周知之製造方法製造。 [步驟-100] 準備具有圖3A、圖3B及圖3C中表示模式局部剖面圖之結構之實施例1之發光元件11。又，準備未硬化或半硬化之能量線硬化型接著劑層47形成(塗佈)於表面上之基體40。第1連接部41及第2連接部42、以及未形成該等第1連接部41及第2連接部42之基體40之表面藉由接著劑層47覆蓋。 [步驟-110] 首先，以第1電極31之第1部分31A之相對於基體40的正投射影像與分離部43之擴寬部44至少一部分重合，第1電極31之第2部分31B與第1連接部41對向，且發光元件11覆蓋分離部43之方式，介隔未硬化或半硬化之能量線硬化型接著劑層之部分47B而相對於基體40配置發光元件11。將該狀態示於圖22A及圖22B。未硬化或半硬化之接著劑層之部分47B藉由毛細管現象填滿發光元件11之基體側之面。 [步驟-120] 其次，自基體40之與配置有發光元件11之側為相反側對基體40照射能量線(具體而言為紫外線)，使未被第1連接部41及第2連接部42遮蔽之接著劑層之部分硬化。利用參照編號47A表示接著劑層之硬化部分。將該狀態示於圖23A及圖23B。其後，使用溶劑去除未硬化或半硬化之接著劑層之部分47B。將該狀態示於圖24A及圖24B。接著劑層47之硬化部分47A殘留於分離部43及擴寬部44上。發光元件11成為藉由接著劑層47之硬化部分47A而暫時固定於基體40上之狀態。位於第2電極32附近之未硬化或半硬化之接著劑層之部分47B經由第2連通部27容易且確實地被去除。 [步驟-130] 而且，基於鍍覆法(具體而言為利用電解鍍覆法之鍍銅)，連接第1電極31之第2部分31B與第1連接部41，連接第2電極32之第2部分32B與第2連接部42。第1連接部41及第2連接部42由銅層構成。將該狀態示於圖25A及圖25B。於不應形成鍍覆層之區域，視需要預先形成抗蝕劑遮罩層即可。如此，第1電極31之第2部分31B與第1連接部41經由第1導電部45A連接，第2電極32與第2連接部42經由第2導電部45B連接。發光元件11成為藉由第1導電部45A及第2導電部45B而固定於第1連接部41及第2連接部42之狀態。 [步驟-140] 其後，經由分離部43(具體而言，於實施例1中經由分離部43及擴寬部44)，使用溶劑去除接著劑層之硬化部分47A。因形成有分離部43及擴寬部44，故而可容易且確實地去除接著劑層之硬化部分47A。如此，可獲得圖2A及圖2B所示之結構。 於實施例1之發光元件組裝體中，第1連接部與第2連接部由基體露出之分離部隔開。即，未於分離部殘留用於暫時固定之樹脂。因此，於長期使用發光元件時，不會發生用於暫時固定之樹脂劑層剝離之類的問題。於實施例1之發光元件組裝體之製造方法中，因最終經由分離部去除硬化之接著劑層之部分，故而於長期使用發光元件時，不會發生用於暫時固定之樹脂劑層剝離之類的問題。 將實施例1之發光元件組裝體之變化例示於圖4、圖5A、圖5B。再者，圖4係實施例1之發光元件組裝體之變化例之模式局部俯視圖，圖5A係沿圖4之箭頭A-A之實施例1之發光元件組裝體之變化例之模式局部剖面圖，圖5B係沿圖4之箭頭B-B之實施例1之發光元件組裝體之變化例之模式局部剖面圖。於圖4、圖5A、圖5B所示之實施例1之發光元件組裝體之變化例中，擴寬部44未與外部連通。即，第1連接部41未藉由擴寬部44分割為兩個區域。 [實施例2] 實施例2係實施例1之變化。將實施例2之發光元件組裝體之模式局部俯視圖示於圖6A，將構成實施例2之發光元件組裝體之發光元件之模式俯視圖示於圖6B。又，將沿圖6A之箭頭A-A之實施例2之發光元件組裝體之模式局部剖面圖示於圖7A，將沿圖6A之箭頭B-B之實施例2之發光元件組裝體之模式局部剖面圖示於圖7B。進而，將構成沿圖6B之箭頭A-A、箭頭B-B及箭頭C-C之實施例2之發光元件組裝體之發光元件之模式局部剖面圖示於圖8A、圖8B及圖8C。 於實施例2之發光元件組裝體中，第2電極34以發光層20為基準而設置於與第1電極31為相反側，第2電極34與第2連接部42經由導體層46連接。而且，不與發光元件(發光二極體)12重合之導體層46之部分46A相對於第2連接部42的正投射影像包含於第2連接部42。第2電極34包括設置於第2化合物半導體層22之光出射面22'上之第2電極34之第1部分34A、及設置於第2電極34之第1部分34A之上之第2電極34之第2部分34B(相當於第2墊部)。 以下參照作為發光元件等之模式局部剖面圖之圖26A、圖26B、圖27A、圖27B、圖28A、圖28B、圖29A、圖29B說明實施例2之發光元件組裝體之製造方法，圖26A、圖27A、圖28A、圖29A係與沿圖6A之箭頭A-A同樣之模式局部剖面圖，圖26B、圖27B、圖28B、圖29B係與沿圖6A之箭頭B-B同樣之模式局部剖面圖。再者，發光元件12可基於周知之製造方法製造。 [步驟-200] 準備具有圖8A、圖8B及圖8C中表示模式局部剖面圖之結構之實施例2之發光元件12。又，以與實施例1相同之方式準備未硬化或半硬化之能量線硬化型接著劑層47形成於表面上之基體40。 [步驟-210] 首先，以與實施例1之[步驟-110]相同之方式，以第1電極31之第1部分31A之相對於基體40的正投射影像與分離部43之擴寬部44至少一部分重合，第1電極31之第2部分31B與第1連接部41對向，且發光元件12覆蓋分離部43之方式，隔著未硬化或半硬化之能量線硬化型接著劑層之部分47B而相對於基體40配置發光元件12。將該狀態示於圖26A及圖26B。 [步驟-220] 其次，以與實施例1之[步驟-120]相同之方式，自基體40之與配置有發光元件12之側為相反側對基體40照射能量線(具體而言為紫外線)，使未被第1連接部41及第2連接部42遮蔽之接著劑層之部分硬化。將該狀態示於圖27A及圖27B。其後，使用溶劑去除未硬化或半硬化之接著劑層之部分47B。將該狀態示於圖28A及圖28B。接著劑層47之硬化部分47A殘留於分離部43及擴寬部44上。又，發光元件12成為藉由接著劑層47之硬化部分47A暫時固定於基體40之上之狀態。 [步驟-230] 而且，以與實施例1之[步驟-130]相同之方式，基於鍍覆法連接第1電極31之第2部分31B與第1連接部41。將該狀態示於圖29A及圖29B。再者，於第2連接部42上形成鍍覆層45B'。 [步驟-240] 其次，為了形成導體層46，基於周知之方法，於整個表面形成抗鍍覆層。然後，以與實施例1之[步驟-130]相同之方式，基於鍍覆法形成連接第2電極34之第2部分34B與第2連接部42之導體層46後，去除抗鍍覆層。根據以上，第1電極31之第2部分31B與第1連接部41經由第1導電部45A連接，第2電極34與第2連接部42經由導體層46連接。發光元件12成為藉由第1導電部45A及導體層46固定於第1連接部41及第2連接部42之狀態。 [步驟-250] 其後，經由分離部43(具體而言，於實施例2中經由分離部43及擴寬部44)並使用溶劑去除硬化之接著劑層47A。因形成有分離部43及擴寬部44，故而可容易且確實地去除接著劑層之硬化部分47A。如此，可獲得圖7A及圖7B所示之結構。 將實施例2之發光元件組裝體之變化例之模式局部俯視圖示於圖9。於該變化例之情形時，分離部43之第2連接部側設置有與擴寬部44對向之第2擴寬部44'，第2連接部42藉由第2擴寬部44'分割為至少兩個區域(於圖示之例中，具體而言為區域42、42A、42B)。藉由採用此種結構，可進一步確實地去除接著劑層之硬化部分47A。 [實施例3] 實施例3係關於本發明之第2態樣之發光元件組裝體及其製造方法。將實施例3之發光元件組裝體之模式局部俯視圖示於圖10，將沿圖10之箭頭A-A之實施例3之發光元件組裝體之模式局部剖面圖示於圖11A，將沿圖10之箭頭B-B之實施例3之發光元件組裝體之模式局部剖面圖示於圖11B。進而，將構成實施例3之發光元件組裝體之發光元件之模式俯視圖示於圖12，將構成沿圖12之箭頭A-A及箭頭B-B之實施例3之發光元件組裝體之發光元件之模式局部剖面圖示於圖13A及圖13B。 實施例3之發光元件組裝體包括： 發光元件(具體而言為發光二極體)13，其具備發光層20、第1電極51、及電性連接於發光層20之第2電極52；以及 第1連接部41及第2連接部42，其設置於基體40上； 第1連接部41與第2連接部42藉由基體40露出之分離部43隔開， 第1電極51包括與發光層20相接之第1部分51A、及第2部分51B， 第1電極51之第2部分51B連接於第1連接部41，第1電極51之第1部分51A自第1電極51之第2部分51B延伸， 於設置有第1電極51之第2部分51B之發光元件之部分及其附近，設置有第1電極51之第2部分51B與外部連通之連通部(第1連通部)28。 又，於實施例3之發光元件組裝體中，第1電極51及第2電極52以發光層20為基準而設置於同一側。而且，於設置有第2電極52之發光元件13之部分及其附近，設置有第2電極52與外部連通之第2連通部27。第1電極51之第2部分51B與第1連接部41經由第1導電部45A連接，第2電極52與第2連接部42經由第2導電部45B連接。第1化合物半導體層21、活性層23、及第2化合物半導體層22之一部分形成有第1連通部28。 發光層20之構成可設為與實施例1相同。除第2化合物半導體層22之光出射面22'以外，發光層20被絕緣層24覆蓋。於第1電極51之第1部分51A及絕緣層24之上形成有第2絕緣層25。與發光層20相接之第1電極51之第1部分51A於絕緣層24上延伸至第1連通部28。形成於位於第1化合物半導體層21之頂面上方之第1電極51之第1部分51A上之第2絕緣層25之部分25a成為圓形之凹部。但是，第2絕緣層25之部分25a之形狀並不限定於此，亦可設為正方形、長方形、帶弧度的正方形、帶弧度的長方形、橢圓形等。位於第1連通部28之第1電極51之第1部分51A上方之第2絕緣層25之部分去除，自露出之第1電極51之第1部分51A上遍及至第2絕緣層25上形成有第1電極51之第2部分51B。第1電極52之第2部分51B以向第1連接部41突出之狀態包圍第1部分51A。第1電極51之第1部分51B相當於第1墊部。第1連通部28設置於位於第1電極51之第1部分51B與第1部分51A相接之部分之發光元件之部分及其附近。 以與實施例1相同之方式於第1化合物半導體層21、活性層23、及第2化合物半導體層22之一部分形成第2連通部27，於第2連通部27露出之第2化合物半導體層22之部分形成第2電極52。第2電極52包括第1部分52A及第2部分52B。而且，第2電極52之第2部分52B連接於第2連接部42，第2電極52之第1部分52A自第2電極52之第2部分52B延伸。第2電極52之第2部分52B以向第2連接部42突出之狀態包圍第1部分52A。又，第2電極52之第1部分52A與發光層20(具體而言為第2化合物半導體層22)相接。第2電極52之第2部分52B相當於第2墊部。 第2連通部27於圖示之例中設置於發光元件13之一邊13A，平面形狀例如為半長圓形狀(兩條線段與半圓組合而成之形狀)。又，第1連通部28於圖示之例中設置於發光元件13之與一邊13A對向之另一邊13B，平面形狀例如為半長圓形狀(兩條線段與半圓組合而成之形狀)。 基體40除未形成擴寬部以外，實質上可設為與實施例1相同之構成、結構。 以下，參照作為發光元件等之模式局部剖面圖之圖30A、圖30B、圖31A、圖31B、圖32A、圖32B、圖33A、圖33B說明實施例3之發光元件組裝體之製造方法，圖30A、圖31A、圖32A、圖33A係與沿圖10之箭頭A-A同樣之模式局部剖面圖，圖30B、圖31B、圖32B、圖33B係與沿圖10之箭頭B-B同樣之模式局部剖面圖。再者，發光元件13可基於周知之製造方法製造。 [步驟-300] 準備具有圖13A及圖13B中表示模式局部剖面圖之結構之實施例3之發光元件13。又，以與實施例1相同之方式準備未硬化或半硬化之能量線硬化型接著劑層47形成於表面上之基體40。 [步驟-310] 首先，以第1電極51之第2部分51B與第1連接部41對向，且發光元件13覆蓋分離部43之方式，隔著未硬化或半硬化之能量線硬化型接著劑層之部分47B而相對於基體40配置發光元件13。將該狀態示於圖30A及圖30B。未硬化或半硬化之接著劑層之部分47B藉由毛細管現象填埋發光元件13之基體側之面。 [步驟-320] 其次，自基體40之與配置有發光元件13之側為相反側對基體40照射能量線(具體而言為紫外線)，使未被第1連接部41及第2連接部42遮蔽之接著劑層之部分硬化。將該狀態示於圖31A及圖31B。其後，使用溶劑去除未硬化或半硬化之接著劑層之部分47B。將該狀態示於圖32A及圖32B。接著劑層47之硬化部分47A殘留於分離部43上。又，發光元件13成為藉由接著劑層47之硬化部分47A暫時固定於基體40上之狀態。位於第1電極51及第2電極52附近之未硬化或半硬化之接著劑層之部分47B經由第1連通部28及第2連通部27容易且確實地被去除。 [步驟-330] 然後，以與實施例1之[步驟-130]相同之方式，基於鍍覆法連接第1電極51之第2部分51B與第1連接部41。同時連接第2電極52之第2部分52B與第2連接部42。將該狀態示於圖33A及圖33B。第1電極51之第2部分51B與第1連接部41經由第1導電部45A連接，第2電極52與第2連接部42經由第2導電部45B連接。發光元件13成為藉由第1導電部45A及第2導電部45B固定於第1連接部41及第2連接部42之狀態。 [步驟-340] 其後，經由分離部43並使用溶劑去除接著劑層之硬化部分47A。因形成有分離部43，故而可容易且確實地去除接著劑層之硬化部分47A。如此，可獲得圖11A及圖11B所示之結構。 即便於實施例3之發光元件組裝體之情形時，第1連接部與第2連接部亦藉由基體露出之分離部隔開。即，未於分離部殘留用於暫時固定之樹脂。因此，於長期使用發光元件時，不會發生用於暫時固定之樹脂劑層剝離之類的問題。即便於實施例3之發光元件組裝體之製造方法之情形時，因最終經由分離部去除硬化之接著劑層之部分，故而於長期使用發光元件時，不會發生用於暫時固定之樹脂劑層剝離之類的問題。 將實施例3之發光元件組裝體之變化例之模式局部俯視圖示於圖14，將沿圖14之箭頭A-A之實施例3之發光元件組裝體之變化例之模式局部剖面圖示於圖15A，將沿圖14之箭頭B-B之實施例3之發光元件組裝體之變化例之模式局部剖面圖示於圖15B。進而，將實施例3之發光元件組裝體之另一變化例之模式局部俯視圖示於圖16，將沿圖16之箭頭A-A之實施例3之發光元件組裝體之另一變化例之模式局部剖面圖示於圖17A，將沿圖16之箭頭B-B之實施例3之發光元件組裝體之另一變化例之模式局部剖面圖示於圖17B。再者，於圖14及圖16中，關於第1電極及第2電極，僅圖示第1電極51之第2部分51B、第2電極52之第2部分52B。於該等變化例中，於至少與第1電極51之一部分對向之基體40之部分41C未設置第1連接部41。藉由採用此種結構可進一步容易且確實地去除第1電極51之第2部分51B附近之未硬化或半硬化之接著劑層之部分47B。又，於另一變化例中，於至少與第2電極52之一部分對向之基體40之部分42C未設置第2連接部42。藉由採用此種結構可進一步容易且確實地去除第2電極附近之未硬化或半硬化之接著劑層之部分47B。再者，可將此種於至少與第2電極之一部分對向之基體40之部分42C未設置第2連接部42之結構應用於其他實施例。 [實施例4] 實施例4係實施例3之變化。將實施例4之發光元件組裝體之模式局部俯視圖示於圖18，將沿圖18之箭頭A-A之實施例4之發光元件組裝體之模式局部剖面圖示於圖19A，將沿圖18之箭頭B-B之實施例4之發光元件組裝體之模式局部剖面圖示於圖19B。進而，將構成實施例4之發光元件組裝體之發光元件之模式俯視圖示於圖20，將構成沿圖20之箭頭A-A、箭頭B-B及箭頭C-C之實施例4之發光元件組裝體之發光元件之模式局部剖面圖示於圖21A及圖21B。 於實施例4之發光元件組裝體中，第2電極54以發光層20為基準而設置於與第1電極51為相反側，第2電極54與第2連接部42經由導體層46連接。而且，不與發光元件(發光二極體)14重合之導體層46之部分46A的相對於第2連接部42之正投射影像包含於第2連接部42。第2電極54包括設置於第2化合物半導體層22之光出射面22'上之第2電極54之1部分54A、及設置於第2電極54之第1部分54A上之第2電極54之第2部分54B(作為第2墊部而發揮功能)。 以下，參照作為發光元件等之模式局部剖面圖之圖34A、圖34B、圖35A、圖35B、圖36A、圖36B、圖37A、圖37B說明實施例4之發光元件組裝體之製造方法，圖34A、圖35A、圖36A、圖37A係與沿圖18之箭頭A-A同樣之模式局部剖面圖，圖34B、圖35B、圖36B、圖37B係與沿圖18之箭頭B-B同樣之模式局部剖面圖。再者，發光元件14可基於周知之製造方法製造。 [步驟-400] 準備具有圖21A及圖21B中表示模式局部剖面圖之結構之實施例4之發光元件14。又，以與實施例1相同之方式準備未硬化或半硬化之能量線硬化型接著劑層47形成於表面上之基體40。 [步驟-410] 首先，以與實施例3之[步驟-310]相同之方式，以第1電極51之第2部分51B與第1連接部41對向，且發光元件14覆蓋分離部43之方式，隔著未硬化或半硬化之能量線硬化型接著劑層之部分47B而相對於基體40配置發光元件14。將該狀態示於圖34A及圖34B。 [步驟-420] 其次，以與實施例3之[步驟-320]相同之方式，自基體40之與配置有發光元件13之側為相反側對基體40照射能量線(具體而言為紫外線)，使未被第1連接部41及第2連接部42遮蔽之接著劑層之部分硬化。將該狀態示於圖35A及圖35B。其後，使用溶劑去除未硬化或半硬化之接著劑層之部分47B。將該狀態示於圖36A及圖36B。接著劑層47之硬化部分47A殘留於分離部43上。又，發光元件14成為藉由接著劑層47之硬化部分47A暫時固定於基體40上之狀態。位於第1電極51附近之未硬化或半硬化之接著劑層之部分47B經由第1連通部28容易且確實地被去除。 [步驟-430] 而且，以與實施例3之[步驟-330]相同之方式，基於鍍覆法連接第1電極51之第2部分51B與第1連接部41。將該狀態示於圖37A及圖37B。再者，於第2連接部42之上形成鍍覆層45B'。 [步驟-440] 其次，為了形成導體層46，以與實施例2之[步驟-240]相同之方式，基於周知之方法於整個表面形成抗鍍覆層。然後，以與實施例1之[步驟-130]相同之方式，基於鍍覆法形成連接第2電極54之第2部分54B與第2連接部42之導體層46後，去除抗鍍覆層。根據以上，第1電極51之第2部分51B與第1連接部41經由第1導電部45A連接，第2電極54與第2連接部42經由導體層46連接。發光元件14成為藉由第1導電部45A及導體層46固定於第1連接部41及第2連接部42之狀態。 [步驟-450] 其後，經由分離部43並使用溶劑去除接著劑層之硬化部分47A。因形成有分離部43，故而可容易且確實地去除接著劑層之硬化部分47A。如此，可獲得圖19A及圖19B所示之結構。 即便於實施例4之發光元件組裝體中，與圖9所示相同亦可設為如下構成，即，分離部43之第2連接部側設置有與擴寬部44對向之第2擴寬部44'，第2連接部42藉由第2擴寬部44'分割為至少兩個區域(例如區域42、42A、42B)，藉由採用此種結構可進一步確實地去除接著劑層之硬化部分47A。 以上，基於較佳之實施例說明了本發明之發光元件組裝體及其製造方法以及顯示裝置，但本發明並不限定於該等實施例。實施例中所說明之發光元件之構成、結構係例示，構成該等之構件、材料等亦為例示，可適當變更。例如發光元件中之化合物半導體層之積層順序亦可相反。即，於實施例中將第1導電型設為p型、第2導電型設為n型，亦可與其相反將第1導電型設為n型、第2導電型設為p型。 又，於實施例中第1電極設為具有第1墊部之構成、結構，代替而言，亦可進而利用第4絕緣層覆蓋第2絕緣層，且形成到達至該第4絕緣層之第1電極之開口部，自該開口部遍及至第4絕緣層上形成接觸孔部。於該情形時，接觸孔部相當於第1電極之第2部分。 進而，如將實施例1之發光元件之變化例示於圖38A，將實施例2之發光元件之變化例示於圖38B般，於發光元件11、12中，為了不使自發光元件出射之光照射非所期望之區域，亦可於發光元件11、12之所期望區域(於圖示之例中為靠近發光元件11、12外表面之區域)形成遮光膜29。作為構成遮光膜之材料，可列舉：鈦(Ti)、鉻(Cr)、鎢(W)、鉭(Ta)、鋁(Al)或MoSi2 等可遮光之材料。遮光膜29形成於絕緣層24之一部分上。而且，遮光膜29及絕緣層24被第3絕緣層26覆蓋，自第1電極31之第1部分31A之上遍及至第3絕緣層26之一部分之上形成有第1電極31之第2部分31B。亦可將遮光膜29應用於實施例3～實施例4之發光元件。有時第1電極亦可設為兼用遮光膜之結構。 又，於圖1A所示之例中，第1電極31之第1部分31A之相對於基體40的正投射影像包含於分離部43之擴寬部44。其中，第1電極31之第1部分31A之相對於基體40的正投射影像與分離部43之擴寬部44之位置關係並不限定於此，例如，如圖39所示，第1電極31之第1部分31A之相對於基體40的正投射影像之寬度亦可與分離部43之擴寬部44之寬度相同，或如圖40所示，第1電極31之第1部分31A之相對於基體40之正投射影像亦可自分離部43之擴寬部44突出。 作為構成發光元件組裝體(發光單元)之發光元件，除第1發光元件、第2發光元件、第3發光元件以外亦可進而添加第4發光元件、第5發光元件・・・。作為此種例，例如可列舉：用以提高亮度而添加有發出白色光之副像素之發光單元；用以擴大色再現範圍而添加有發出補色光之副像素之發光單元；用以擴大色再現範圍而添加有發出黃色光之副像素之發光單元；及用以擴大色再現範圍而添加有發出黃色光及青色光之副像素之發光單元。 顯示裝置(發光元件顯示裝置)不僅可設為以電視接收機或電腦終端為代表之彩色顯示之平面型、直視型圖像顯示裝置，亦可設為向人視網膜投影圖像之形式之圖像顯示裝置、投影型之圖像顯示裝置。再者，於該等圖像顯示裝置中並不受限定，例如，採用藉由對第1發光元件、第2發光元件及第3發光元件各自之發光/非發光狀態進行分時控制而顯示圖像之場序方式之驅動方式即可。 再者，本發明亦可採取以下之構成。 [A01]《發光元件組裝體：第1態樣》 一種發光元件組裝體，其包括：發光元件，其具備發光層、第1電極、及電性連接於發光層之第2電極；以及 第1連接部及第2連接部，其等設置於基體上；且 第1連接部與第2連接部由基體露出之分離部隔開， 於分離部之第1連接部側設置有擴寬部， 第1電極包括與發光層相接之第1部分、及第2部分， 第1電極之第2部分連接於第1連接部，第1電極之第1部分自第1電極之第2部分延伸， 第1電極之第1部分之相對於基體的正投射影像與分離部之擴寬部至少一部分重合。 [A02]如[A01]記載之發光元件組裝體，其中第1連接部藉由擴寬部分割為兩個區域。 [A03]如[A02]記載之發光元件組裝體，其中分離部及擴寬部整體之平面形狀為「T」字狀， 藉由「T」字之橫部構成隔開第1連接部與第2連接部之分離部， 藉由「T」字之豎部構成將第1連接部分離為兩個區域之擴寬部。 [A04]如[A01]至[A03]中任一項記載之發光元件組裝體，其中第1電極之第2部分自第1部分延伸，且以向第1連接部突出之狀態包圍第1部分。 [A05]如[A01]至[A04]中任一項記載之發光元件組裝體，其中第1電極及第2電極以發光層為基準而設置於同一側。 [A06]如[A05]記載之發光元件組裝體，其中於設置有第2電極之發光元件之部分及其附近，設置有第2電極與外部連通之連通部。 [A07]如[A05]記載之發光元件組裝體，其中於將第1電極之第2部分與基體之間之間隙之最短距離設為L11 ，將第2電極與基體之間之間隙之最短距離設為L12 時，滿足L11 ＜L12 。 [A08]如[A05]至[A07]中任一項記載之發光元件組裝體，其中第1電極之第2部分與第1連接部經由第1導電部連接， 第2電極與第2連接部經由第2導電部連接。 [A09]如[A01]至[A04]中任一項記載之發光元件組裝體，其中第2電極以發光層為基準而設置於與第1電極為相反側， 第2電極與第2連接部經由導體層連接。 [A10]如[A09]記載之發光元件組裝體，其中不與發光元件重合之導體層之部分的相對於第2連接部之正投射影像含在第2連接部內。 [A11]如[A01]至[A10]中任一項記載之發光元件組裝體，其中於發光元件形成有遮光膜。 [B01]《發光元件組裝體：第2態樣》 一種發光元件組裝體，其包括：發光元件，其具備發光層、第1電極、及電性連接於發光層之第2電極；以及 第1連接部及第2連接部，其等設置於基體上；且 第1連接部與第2連接部由基體露出之分離部隔開， 第1電極包括與發光層相接之第1部分、及第2部分， 第1電極之第2部分連接於第1連接部，第1電極之第1部分自第1電極之第2部分延伸， 於設置有第1電極之第2部分之發光元件之部分及其附近，設置有第1電極之第2部分與外部連通之連通部。 [B02]如[B01]記載之發光元件組裝體，其中於至少與第1電極之一部分對向之基體之部分未設置第1連接部。 [B03]如[B01]或[B02]記載之發光元件組裝體，其中第1電極及第2電極以發光層為基準而設置於同一側。 [B04]如[B03]記載之發光元件組裝體，其中於設置有第2電極之發光元件之部分及其附近，設置有第2電極與外部連通之第2連通部。 [B05]如[B03]或[B04]記載之發光元件組裝體，其中第1電極之第2部分與第1連接部經由第1導電部連接， 第2電極與第2連接部經由第2導電部連接。 [B06]如[B01]或[B02]記載之發光元件組裝體，其中第2電極以發光層為基準而設置於與第1電極為相反側， 第2電極與第2連接部經由導體層連接。 [B07]如[B06]記載之發光元件組裝體，其中不與發光元件重合之導體層之部分之相對於第2連接部之正投射影像包含於第2連接部。 [B08]如[B01]至[B07]中任一項記載之發光元件組裝體，其中於發光元件形成有遮光膜。 [C01]《顯示裝置》 一種顯示裝置，其係將[A01]至[B08]中任一項記載之發光元件組裝體排列為二維矩陣狀而成。 [D01]《發光元件組裝體之製造方法：第1態樣》 一種發光元件組裝體之製造方法，其係如下之發光元件組裝體之製造方法，該發光元件組裝體包括：發光元件，其具備發光層、第1電極、及電性連接於發光層之第2電極；以及 第1連接部及第2連接部，其等設置於基體上； 第1連接部與第2連接部由基體露出之分離部隔開， 於分離部之第1連接部側設置有擴寬部， 第1電極包括與發光層相接之第1部分、及第2部分， 第1電極之第2部分連接於第1連接部，第1電極之第1部分自第1電極之第2部分延伸， 第1電極之第1部分之相對於基體的正投射影像與分離部之擴寬部至少一部分重合；且 該製造方法至少具有如下步驟： 以第1電極之第1部分之相對於基體的正投射影像與分離部之擴寬部至少一部分重合、第1電極之第2部分與第1連接部對向、且發光元件覆蓋分離部之方式，隔著未硬化或半硬化之能量線硬化型接著劑層而相對於基體配置發光元件，其後 自基體之與配置有發光元件之側為相反側對基體照射能量線，使未被第1連接部及第2連接部遮蔽之接著劑層之部分硬化後，去除未硬化或半硬化之接著劑層之部分，繼而 將第1電極之第2部分與第1連接部連接後， 經由分離部而去除硬化之接著劑層。 [D02]《發光元件組裝體之製造方法：第2態樣》 一種發光元件組裝體之製造方法，其係如下之發光元件組裝體之製造方法，該發光元件組裝體包括：發光元件，其具備發光層、第1電極、及電性連接於發光層之第2電極；以及 第1連接部及第2連接部，其等設置於基體上； 第1連接部與第2連接部由基體露出之分離部隔開， 第1電極包括與發光層相接之第1部分、及第2部分， 第1電極之第2部分連接於第1連接部，第1電極之第1部分自第1電極之第2部分延伸， 於設置有第1電極之第2部分之發光元件之部分及其附近，設置有第1電極之第2部分與外部連通之連通部；且 該製造方法至少具有如下步驟： 以第1電極之第2部分與第1連接部對向、且發光元件覆蓋分離部之方式，隔著未硬化或半硬化之能量線硬化型接著劑層而相對於基體配置發光元件，其後 自基體之與配置有發光元件之側為相反側對基體照射能量線，使未被第1連接部及第2連接部遮蔽之接著劑層之部分硬化後，去除未硬化或半硬化之接著劑層之部分，繼而 將第1電極之第2部分與第1連接部連接後， 經由分離部而去除硬化之接著劑層。
11、12、13、14‧‧‧發光元件
11A、13A、13B‧‧‧發光元件之邊
20‧‧‧發光層
21‧‧‧第1化合物半導體層
22‧‧‧第2化合物半導體層
22'‧‧‧第2化合物半導體層之光出射面
23‧‧‧活性層
24‧‧‧絕緣層
25‧‧‧第2絕緣層
25a‧‧‧第2絕緣層之凹部
26‧‧‧第3絕緣層
27‧‧‧連通部(第2連通部)
28‧‧‧連通部(第1連通部)
29‧‧‧遮光膜
31、51‧‧‧第1電極
31A、51A‧‧‧第1電極之第1部分
31B、51B‧‧‧第1電極之第2部分
32、34、52、54‧‧‧第2電極
32A、34A、52A、54A‧‧‧第2電極之第1部分
32B、34B、52B、54B‧‧‧第2電極之第2部分
40‧‧‧基體
41‧‧‧第1連接部
41A、41B‧‧‧第1連接部之區域
41C‧‧‧未設置第1連接部之基體之部分
42、42A、42B‧‧‧第2連接部
42C‧‧‧未設置第2連接部之基體之部分
43‧‧‧分離部
44‧‧‧擴寬部
44'‧‧‧第2擴寬部
45A‧‧‧第1導電部
45B‧‧‧第2導電部
45B'‧‧‧鍍覆層
46‧‧‧導體層
46A‧‧‧不與發光元件重合之導體層之部分
47‧‧‧接著劑層
47A‧‧‧接著劑層之硬化部分(硬化部分)
47B‧‧‧接著劑層之未硬化或半硬化之部分
L11‧‧‧第1電極之第2部分與基體之間之間隙之最短距離
L12‧‧‧第2電極與基體之間之間隙之最短距離
圖1A係實施例1之發光元件組裝體之模式局部俯視圖，圖1B係構成實施例1之發光元件組裝體之發光元件之模式俯視圖。 圖2A及圖2B分別係沿圖1A之箭頭A-A及箭頭B-B之實施例1之發光元件組裝體之模式局部剖面圖。 圖3A、圖3B及圖3C係構成沿圖1B之箭頭A-A、箭頭B-B及箭頭C-C之實施例1之發光元件組裝體之發光元件之模式局部剖面圖。 圖4係實施例1之發光元件組裝體之變化例之模式局部俯視圖。 圖5A及圖5B係沿圖4之箭頭A-A及箭頭B-B之實施例1之發光元件組裝體之變化例之模式局部剖面圖。 圖6A係實施例2之發光元件組裝體之模式局部俯視圖，圖6B係構成實施例2之發光元件組裝體之發光元件之模式俯視圖。 圖7A及圖7B分別係沿圖6A之箭頭A-A及箭頭B-B之實施例2之發光元件組裝體之模式局部剖面圖。 圖8A、圖8B及圖8C係構成沿圖6B之箭頭A-A、箭頭B-B及箭頭C-C之實施例2之發光元件組裝體之發光元件之模式局部剖面圖。 圖9係實施例2之發光元件組裝體之變化例之模式局部俯視圖。 圖10係實施例3之發光元件組裝體之模式局部俯視圖。 圖11A係沿圖10之箭頭A-A之實施例3之發光元件組裝體之模式局部剖面圖，圖11B係沿圖10之箭頭B-B之實施例3之發光元件組裝體之模式局部剖面圖。 圖12係構成實施例3之發光元件組裝體之發光元件之模式俯視圖。 圖13A及圖13B係構成沿圖12之箭頭A-A及箭頭B-B之實施例3之發光元件組裝體之發光元件之模式局部剖面圖。 圖14係實施例3之發光元件組裝體之變化例之模式局部俯視圖。 圖15A係沿圖14之箭頭A-A之實施例3之發光元件組裝體之變化例之模式局部剖面圖，圖15B係沿圖14之箭頭B-B之實施例3之發光元件組裝體之變化例之模式局部剖面圖。 圖16係實施例3之發光元件組裝體之另一變化例之模式局部俯視圖。 圖17A係沿圖16之箭頭A-A之實施例3之發光元件組裝體之另一變化例之模式局部剖面圖，圖17B係沿圖16之箭頭B-B之實施例3之發光元件組裝體之另一變化例之模式局部剖面圖。 圖18係實施例4之發光元件組裝體之模式局部俯視圖。 圖19A係沿圖18之箭頭A-A之實施例4之發光元件組裝體之模式局部剖面圖，圖19B係沿圖18A之箭頭B-B之實施例4之發光元件組裝體之模式局部剖面圖。 圖20係構成實施例4之發光元件組裝體之發光元件之模式俯視圖。 圖21A及圖21B係構成沿圖20之箭頭A-A及箭頭B-B之實施例4之發光元件組裝體之發光元件之模式局部剖面圖。 圖22A及圖22B係用於說明實施例1之發光元件組裝體之製造方法之發光元件等之模式局部剖面圖。 圖23A及圖23B係於圖22A及圖22B之後用於說明實施例1之發光元件組裝體之製造方法之發光元件等之模式局部剖面圖。 圖24A及圖24B係於圖23A及圖23B之後用於說明實施例1之發光元件組裝體之製造方法之發光元件等之模式局部剖面圖。 圖25A及圖25B係於圖24A及圖24B之後用於說明實施例1之發光元件組裝體之製造方法之發光元件等之模式局部剖面圖。 圖26A及圖26B係用於說明實施例2之發光元件組裝體之製造方法之發光元件等之模式局部剖面圖。 圖27A及圖27B係於圖26A及圖26B之後用於說明實施例2之發光元件組裝體之製造方法之發光元件等之模式局部剖面圖。 圖28A及圖28B係於圖27A及圖27B之後用於說明實施例2之發光元件組裝體之製造方法之發光元件等之模式局部剖面圖。 圖29A及圖29B係於圖28A及圖28B之後用於說明實施例2之發光元件組裝體之製造方法之發光元件等之模式局部剖面圖。 圖30A及圖30B係用於說明實施例3之發光元件組裝體之製造方法之發光元件等之模式局部剖面圖。 圖31A及圖31B係於圖30A及圖30B之後用於說明實施例3之發光元件組裝體之製造方法之發光元件等之模式局部剖面圖。 圖32A及圖32B係於圖31A及圖31B之後用於說明實施例3之發光元件組裝體之製造方法之發光元件等之模式局部剖面圖。 圖33A及圖33B係於圖32A及圖32B之後用於說明實施例3之發光元件組裝體之製造方法之發光元件等之模式局部剖面圖。 圖34A及圖34B係用於說明實施例4之發光元件組裝體之製造方法之發光元件等之模式局部剖面圖。 圖35A及圖35B係於圖34A及圖34B之後用於說明實施例4之發光元件組裝體之製造方法之發光元件等之模式局部剖面圖。 圖36A及圖36B係於圖35A及圖35B之後用於說明實施例4之發光元件組裝體之製造方法之發光元件等之模式局部剖面圖。 圖37A及圖37B係於圖36A及圖36B之後用於說明實施例4之發光元件組裝體之製造方法之發光元件等之模式局部剖面圖。 圖38A係構成實施例1之發光元件組裝體之發光元件之變化例之模式局部剖面圖，圖38B係構成實施例2之發光元件組裝體之發光元件之變化例之模式局部剖面圖，表示形成有遮光膜之發光元件。 圖39係實施例1之發光元件組裝體之另一變化例之模式局部俯視圖。 圖40係實施例1之發光元件組裝體之又一變化例之模式局部俯視圖。
11‧‧‧發光元件
11A‧‧‧發光元件之邊
27‧‧‧連通部(第2連通部)
31‧‧‧第1電極
31A‧‧‧第1電極之第1部分
31B‧‧‧第1電極之第2部分
32‧‧‧第2電極
32A‧‧‧第2電極之第1部分
32B‧‧‧第2電極之第2部分
40‧‧‧基體
41A、41B‧‧‧第1連接部之區域
42‧‧‧第2連接部
43‧‧‧分離部
44‧‧‧擴寬部
45A‧‧‧第1導電部
45B‧‧‧第2導電部

Claims (20)

  1. 一種發光元件組裝體，其包括： 發光元件，其具備發光層、第1電極、及電性連接於發光層之第2電極；以及 第1連接部及第2連接部，其等設置於基體上；且 第1連接部與第2連接部由基體露出之分離部隔開， 於分離部之第1連接部側設置有擴寬部， 第1電極包括與發光層相接之第1部分、及第2部分， 第1電極之第2部分連接於第1連接部，第1電極之第1部分自第1電極之第2部分延伸， 第1電極之第1部分之相對於基體的正投射影像與分離部之擴寬部於至少一部分重合。
  2. 如請求項1之發光元件組裝體，其中第1連接部藉由擴寬部分割為兩個區域。
  3. 如請求項2之發光元件組裝體，其中分離部及擴寬部整體之平面形狀為「T」字狀， 藉由「T」字之橫部構成隔開第1連接部與第2連接部之分離部， 藉由「T」字之豎部構成將第1連接部分離為兩個區域之擴寬部。
  4. 如請求項1之發光元件組裝體，其中第1電極之第2部分自第1部分延伸，且以向第1連接部突出之狀態包圍第1部分。
  5. 如請求項1之發光元件組裝體，其中第1電極及第2電極以發光層為基準而設置於同一側。
  6. 如請求項5之發光元件組裝體，其中於設置有第2電極之發光元件之部分及其附近，設置有第2電極與外部連通之連通部。
  7. 如請求項5之發光元件組裝體，其中於將第1電極之第2部分與基體之間之間隙之最短距離設為L11 ，將第2電極與基體之間之間隙之最短距離設為L12 時，滿足L11 ＜L12 。
  8. 如請求項5之發光元件組裝體，其中第1電極之第2部分與第1連接部經由第1導電部連接， 第2電極與第2連接部經由第2導電部連接。
  9. 如請求項1之發光元件組裝體，其中第2電極以發光層為基準而設置於與第1電極為相反側， 第2電極與第2連接部經由導體層連接。
  10. 如請求項9之發光元件組裝體，其中不與發光元件重合之導體層之部分之相對於第2連接部之正投射影像含在第2連接部內。
  11. 一種發光元件組裝體，其包括： 發光元件，其具備發光層、第1電極、及電性連接於發光層之第2電極；以及 第1連接部及第2連接部，其等設置於基體上；且 第1連接部與第2連接部由基體露出之分離部隔開， 第1電極包括與發光層相接之第1部分、及第2部分， 第1電極之第2部分連接於第1連接部，第1電極之第1部分自第1電極之第2部分延伸， 於設置有第1電極之第2部分之發光元件之部分及其附近，設置有第1電極之第2部分與外部連通之連通部。
  12. 如請求項11之發光元件組裝體，其中於至少與第1電極之一部分對向之基體之部分未設置第1連接部。
  13. 如請求項11之發光元件組裝體，其中第1電極及第2電極以發光層為基準而設置於同一側。
  14. 如請求項13之發光元件組裝體，其中於設置有第2電極之發光元件之部分及其附近，設置有第2電極與外部連通之第2連通部。
  15. 如請求項13之發光元件組裝體，其中第1電極之第2部分與第1連接部經由第1導電部連接， 第2電極與第2連接部經由第2導電部連接。
  16. 如請求項11之發光元件組裝體，其中第2電極以發光層為基準而設置於與第1電極為相反側， 第2電極與第2連接部經由導體層連接。
  17. 如請求項16之發光元件組裝體，其中不與發光元件重合之導體層之部分之相對於第2連接部之正投射影像含在第2連接部內。
  18. 一種顯示裝置，其係將請求項1至17中任一項之發光元件組裝體排列為二維矩陣狀而成。
  19. 一種發光元件組裝體之製造方法，其係如下之發光元件組裝體之製造方法，該發光元件組裝體包括： 發光元件，其具備發光層、第1電極、及電性連接於發光層之第2電極；以及 第1連接部及第2連接部，其等設置於基體上； 第1連接部與第2連接部由基體露出之分離部隔開， 於分離部之第1連接部側設置有擴寬部， 第1電極包括與發光層相接之第1部分、及第2部分， 第1電極之第2部分連接於第1連接部，第1電極之第1部分自第1電極之第2部分延伸， 第1電極之第1部分之相對於基體的正投射影像與分離部之擴寬部至少一部分重合；且 該製造方法至少具有如下步驟： 以第1電極之第1部分之相對於基體的正投射影像與分離部之擴寬部至少一部分重合、第1電極之第2部分與第1連接部對向、且發光元件覆蓋分離部之方式，隔著未硬化或半硬化之能量線硬化型接著劑層而相對於基體配置發光元件，其後 自基體之與配置有發光元件之側為相反側對基體照射能量線，使未被第1連接部及第2連接部遮蔽之接著劑層之部分硬化之後，去除未硬化或半硬化之接著劑層之部分，繼而 將第1電極之第2部分與第1連接部連接後， 經由分離部而去除硬化之接著劑層。
  20. 一種發光元件組裝體之製造方法，其係如下之發光元件組裝體之製造方法，該發光元件組裝體包括： 發光元件，其具備發光層、第1電極、及電性連接於發光層之第2電極；以及 第1連接部及第2連接部，其等設置於基體上； 第1連接部與第2連接部由基體露出之分離部隔開， 第1電極包括與發光層相接之第1部分、及第2部分， 第1電極之第2部分連接於第1連接部，第1電極之第1部分自第1電極之第2部分延伸， 於設置有第1電極之第2部分之發光元件之部分及其附近，設置有第1電極之第2部分與外部連通之連通部；且 該製造方法至少具有如下步驟： 以第1電極之第2部分與第1連接部對向、且發光元件覆蓋分離部之方式，隔著未硬化或半硬化之能量線硬化型接著劑層而相對於基體配置發光元件，其後 自基體之與配置有發光元件之側為相反側對基體照射能量線，使未被第1連接部及第2連接部遮蔽之接著劑層之部分硬化之後，去除未硬化或半硬化之接著劑層之部分，繼而 將第1電極之第2部分與第1連接部連接後， 經由分離部而去除硬化之接著劑層。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11444228B2 (en) 2017-11-20 2022-09-13 Sony Corporation Light emitting device and display apparatus

Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108550666A (zh) * 2018-05-02 2018-09-18 天津三安光电有限公司 倒装四元系发光二极管外延结构、倒装四元系发光二极管及其生长方法
US11152553B2 (en) 2019-01-15 2021-10-19 Seoul Viosys Co., Ltd. Light emitting device package and display device having the same
CN111863833B (zh) * 2019-04-30 2024-03-29 成都辰显光电有限公司 一种驱动背板结构、显示面板及驱动背板结构制备方法
KR102376739B1 (ko) * 2019-08-06 2022-03-22 주식회사 에이맵플러스 광원 모듈, 디스플레이 패널 및 이를 구비한 디스플레이 장치
KR102235292B1 (ko) * 2019-08-06 2021-04-02 주식회사 에이맵플러스 광원 모듈, 디스플레이 패널 및 이를 구비한 디스플레이 장치
JP7328560B2 (ja) * 2019-12-24 2023-08-17 日亜化学工業株式会社 発光装置の製造方法および発光装置
TWI725757B (zh) * 2020-03-05 2021-04-21 財團法人工業技術研究院 子畫素結構、畫素結構以及應用於其的發光二極體晶粒
JP2022086655A (ja) * 2020-11-30 2022-06-09 聯嘉光電股▲ふん▼有限公司 発光ダイオードのチップ構造
JP7398036B2 (ja) 2021-06-23 2023-12-14 日亜化学工業株式会社 発光モジュール及びその製造方法
CN115050731B (zh) * 2022-06-08 2023-05-26 滁州惠科光电科技有限公司 显示面板、显示屏及显示屏的制备方法

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3297177B2 (ja) * 1993-12-22 2002-07-02 株式会社東芝 半導体装置の製造方法
JP2000332362A (ja) * 1999-05-24 2000-11-30 Sony Corp 半導体装置および半導体発光素子
US8212279B2 (en) * 2008-03-25 2012-07-03 Bridge Semiconductor Corporation Semiconductor chip assembly with post/base heat spreader, signal post and cavity
US8415703B2 (en) * 2008-03-25 2013-04-09 Bridge Semiconductor Corporation Semiconductor chip assembly with post/base/flange heat spreader and cavity in flange
JP5533199B2 (ja) 2010-04-28 2014-06-25 ソニー株式会社 素子の基板実装方法、および、その基板実装構造
JP5949294B2 (ja) * 2011-08-31 2016-07-06 日亜化学工業株式会社 半導体発光素子
JP2014013818A (ja) 2012-07-04 2014-01-23 Sony Corp デバイスおよび電子装置
TWI550909B (zh) * 2014-03-21 2016-09-21 A flip chip type light emitting diode and a method for manufacturing the same, and a flip chip type structure thereof
CN105280665B (zh) * 2014-06-23 2020-05-15 晶元光电股份有限公司 光电元件及其制造方法

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11444228B2 (en) 2017-11-20 2022-09-13 Sony Corporation Light emitting device and display apparatus

Also Published As

Publication number Publication date
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