TW201735334A - 背側照明影像感測器及其形成方法 - Google Patents

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杜友倫
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Abstract

本發明實施例提供一種背側照明(BSI)影像感測器及一種形成該BSI影像感測器之方法。一種方法包含：在一基板中形成複數個光敏像素，該基板具有一第一表面及一第二表面，該第二表面與該第一表面相對，該基板在該第一表面上具有一或多個主動裝置。保護該第二表面之一第一部分。將該第二表面之一第二部分圖案化以在該基板中形成凹槽。在該等凹槽之側壁上形成一抗反射層。在該第二表面之該第二部分上方形成一金屬柵格，該抗反射層插置於該基板與該金屬柵格之間。

Description

背側照明影像感測器及其形成方法
本發明實施例係有關影像感測器及其形成方法。
背側照明(BSI)影像感測器晶片因其在捕獲光子時之較高效率而正替代前側照明感測器晶片。在BSI影像感測器晶片之形成中，影像感測器及邏輯電路形成於一晶圓之一半導體基板中，後續接著一互連結構在矽晶片之一前側上之形成。 BSI影像感測器晶片中之影像感測器回應於光子之刺激而產生電訊號。電訊號(諸如光電流)之量值取決於由各別影像感測器接收之入射光之強度。然而，影像感測器遭受非光學產生之訊號，包含洩漏訊號、熱產生之訊號、暗電流及諸如此類。因此，需要校準由影像感測器產生之電訊號，使得將不期望訊號自影像感測器之輸出訊號消除。為消除非光學產生之訊號，黑色參考影像感測器經形成且用於產生非光學產生之訊號。因此，需要阻擋黑色參考影像感測器接收光訊號。 黑色參考影像感測器由形成於半導體基板(影像感測器形成於其中)之背側上之一金屬屏蔽物覆蓋。此外，背側金屬墊亦形成於半導體基板之背側上以用於接合或測試。
根據一實施例，一種方法包含：在一基板中形成複數個光敏像素，該基板具有一第一表面及一第二表面，該第二表面與該第一表面相對，該基板在該第一表面上具有一或多個主動裝置。保護該第二表面之一第一部分。將該第二表面之一第二部分圖案化以在該基板中形成凹槽。在該等凹槽之側壁上形成一抗反射層。在該第二表面之該第二部分上方形成一金屬柵格，該抗反射層插置於該基板與該金屬柵格之間。 根據另一實施例，一種方法包含：在一基板中形成複數個光敏區，該基板具有一第一表面及一第二表面，該第二表面與該第一表面相對，該基板在該第一表面上具有至少一個主動裝置。在該第二表面之一第一部分上方形成一金屬柵格，該金屬柵格使該基板之部分曝光。使該基板之經曝光部分凹陷以在該基板中形成凹槽。在該等凹槽之側壁及該金屬柵格之側壁上形成一抗反射層。用一第一介電質層填充該等凹槽，該第一介電質層延伸於該金屬柵格之一最頂部表面上面。 根據又一實施例，一種裝置包含：一基板，該基板具有一第一表面及一第二表面，該第一表面與該第二表面相對；至少一個主動裝置，其位於該基板之該第一表面上；及複數個光敏區，其位於該基板中。該裝置進一步包含：複數個凹槽，其位於該基板之該第二表面中，該複數個凹槽放置於該複數個光敏區上方；一抗反射層，其沿著該複數個凹槽之側壁延伸；及一金屬柵格，其位於該複數個凹槽上方。
以下揭露提供用於實施本發明之不同構件之諸多不同實施例或實例。下文闡述組件及配置之特定實例以簡化本揭露。當然，此等僅為實例且並非意欲為限制性的。舉例而言，在說明中一第一構件在一第二構件上方或該第二構件上形成可包含其中第一構件與第二構件直接接觸地形成之實施例且亦可包含其中額外構件可形成於第一構件與第二構件之間使得第一構件與第二構件可不直接接觸之實施例。另外，本揭露可在各種實例中重複參考編號及/或字母。此重複係出於簡單及清晰目的且並非本質上指示所論述之各種實施例及/或組態之間的一關係。 此外，可在本文中為易於說明而使用空間相對術語(諸如「下方」、「下面」、「下部」、「上面」、「上部」及諸如此類)來闡述一個元件或構件與另一元件或構件之關係，如各圖中所圖解說明。該等空間相對術語意欲囊括在使用或操作中之裝置之除圖中所繪示定向之外的不同定向。設備可以其他方式定向(旋轉90度或以其他定向)且可因此同樣地理解本文中所使用之空間相對描述語。 根據各種例示性實施例提供一種背側照明(BSI)影像感測器及一種形成該BSI影像感測器之方法。各種實施例包含位於一BSI感測器之一背側上之一高吸收(HA)結構以減小反射比且改良對入射電磁輻射之吸收。各種實施例進一步最佳化對一BSI影像感測器之一背側執行之製程步驟以改良所得BSI影像感測器之光學效能。舉例而言，本文中所闡述之各種實施例減小所得BSI影像感測器之光學路徑，此有利地改良量子效率且減小所得BSI影像感測器之光學串擾。 圖1至圖8係根據某些實施例之在一BSI影像感測器100之製作期間之各種處理步驟之剖面圖。圖1圖解說明根據某些實施例之BSI影像感測器100之一中間結構。在某些實施例中，BSI影像感測器100可為包括類似於BSI影像感測器100之額外BSI影像感測器之一未經單粒化晶圓之一部分。在所圖解說明實施例中，圖解說明BSI影像感測器100之具有一像素陣列區103及一黑色位準校正(BLC)區105之一部分。BSI影像感測器100可進一步包含其他區(舉例而言，諸如一接墊(E墊(E-pad))區及一對準區(諸如一切割道主標記(SPM)區))，未對該等其他區進行明確圖解說明，此乃因其包含對於理解本文中所闡述之各種實施例而言並非必要的。 在某些實施例中，BSI影像感測器100包含一基板107。舉例而言，基板107可包括塊體矽(經摻雜或無摻雜)或一絕緣體上覆半導體(semiconductor-on-insulator) (SOI)基板之一主動層。一般而言，一SOI基板包括形成於一絕緣體層上之一半導體材料(諸如矽)之一層。舉例而言，絕緣體層可為一埋入氧化物(BOX)層或一個氧化矽層。絕緣體層提供於一基板(諸如一矽或玻璃基板)上。另一選擇係，基板107可包含另一元素半導體，諸如鍺；一化合物半導體，包含碳化矽、砷化鎵、磷化鎵、磷化銦、砷化銦及/或銻化銦；一合金半導體，包含SiGe、GaAsP、AlInAs、AlGaAs、GaInAs、GaInP及/或GaInAsP；或者其組合。亦可使用其他基板，諸如多層或梯度基板。貫穿說明，一表面107A稱為基板107之一前表面，且一表面107B稱為基板107之一後表面(其與BSI影像感測器100之一後表面重合)。 複數個光敏像素109 (包含109A及109B)形成於基板107之前表面107A處。光敏像素109包含可藉由(舉例而言)佈植適合雜質離子而形成之各別光敏裝置(未圖解說明)。在某些實施例中，雜質離子可佈植於基板107內之一磊晶層(未圖解說明)中。光敏裝置經組態以將光訊號(例如，光子)轉換為電訊號，且可為PN接面光二極體、PNP光電晶體、NPN光電晶體或諸如此類。舉例而言，光敏裝置可包含形成於一p型半導體層(例如，基板107之至少一部分)內之一n型佈植區。在此等實施例中，p型基板可隔離及減小光敏像素109之毗鄰光活性區之間的電串擾。在一實施例中，光敏像素109自基板107之前表面107A朝向基板107之後表面107B延伸且形成一光敏像素陣列。在某些實施例中，光敏像素109形成一個二維矩形陣列(在自頂部觀看時) (未圖解說明)。在某些實施例中，每一光敏像素109可進一步包含一轉移閘極電晶體(未圖解說明)及一浮動擴散電容器(未圖解說明)。在每一光敏像素109中，對應轉移閘極電晶體之一第一源極/汲極區電耦合至一各別光敏裝置，對應轉移閘極電晶體之一第二源極/汲極區電耦合至一各別浮動擴散電容器。 在某些實施例中，隔離區111在基板107中形成於相鄰光敏像素109之間以防止光敏像素109之間的電串擾。在某些實施例中，隔離區111可包含淺溝槽隔離(STI)結構。在某些實施例中，STI結構可藉由以下操作而形成：圖案化基板107之前表面107A以在基板107中形成溝槽且用適合介電質材料填充溝槽以形成STI結構。在某些實施例中，使用適合光微影及蝕刻製程來圖案化基板107。在其他實施例中，隔離區111可包含使用適合佈植製程形成之各種摻雜區。 在某些實施例中，BSI影像感測器100之像素陣列區103包含用於自所感測光產生電訊號之主動光敏像素109A。BSI影像感測器100之BLC區105包含用於產生參考黑色位準訊號之參考光敏像素109B。在某些實施例中，可使用類似方法來形成光敏像素109A及109B，且光敏像素109A及109B之結構可彼此相同。 在某些實施例中，除包括光二極體裝置、轉移閘極電晶體及浮動擴散電容器之光敏像素109之外，一或多個主動及/或被動裝置121 (在圖1中出於說明性目的而繪示為一單個電晶體)亦形成於基板107之前表面107A上。一或多個主動及/或被動裝置121可包含各種N型金屬氧化物半導體(NMOS)及/或P型金屬氧化物半導體(PMOS)裝置，諸如電晶體、電容器、電阻器、二極體、光二極體、熔斷器及諸如此類。熟習此項技術者將瞭解，以上實例僅出於說明性目的而提供且並非意在以任何方式限制本發明。可針對一給定應用而視情況使用其他電路。 一互連結構113可形成於基板107之前表面107A上。互連結構113可包含含有使用任何適合方法(諸如鑲嵌、雙鑲嵌或諸如此類)形成之導電構件(例如，導電線及通路，包括銅、鋁、鎢、其組合及諸如此類)之一層間介電質(ILD)層115及/或金屬間介電質(IMD)層117。ILD 115及IMD 117可包含放置於此等導電構件之間的具有(舉例而言)低於約4.0或甚至2.0之介電係數值之低介電係數材料。在某些實施例中，ILD 115及IMD 117可由(舉例而言)藉由任何適合方法(諸如旋壓、化學氣相沈積(CVD)、電漿輔助化學氣相沈積(plasma-enhanced CVD) (PECVD)或諸如此類)而形成之磷矽酸鹽玻璃(PSG)、硼磷矽酸鹽玻璃(BPSG)、氟矽酸鹽玻璃(FSG)、SiOxCy、旋塗玻璃、旋塗聚合物、矽碳材料、其化合物、其複合物、其組合或諸如此類製成。互連結構將各種主動及/或被動裝置(例如，光敏像素109之光敏裝置)電連接以在BSI影像感測器100內形成電路。在某些實施例中，一鈍化層119形成於互連結構113上方。鈍化層119可由具有大於3.9之一介電係數值之一非低介電係數材料形成。在某些實施例中，鈍化層119可包含一或多個氧化矽層、氮化矽層或諸如此類，且可使用CVD、PECVD、熱氧化或諸如此類來形成。 圖2及圖3圖解說明一高吸收(HA)結構301在像素陣列區103中之BSI影像感測器100之後表面107B上之形成。如下文更詳細地闡述，HA結構301減小BSI影像感測器100之後表面107B之反射比。因此，較多光由主動光敏像素109A吸收。首先參考圖2，將BSI影像感測器100倒置且接合至一載體基板201，使得基板107之前表面107A面向載體基板201且使基板107之後表面107B曝光以用於進一步處理。可採用各種接合技術以達成BSI影像感測器100與載體基板201之間的接合。在某些實施例中，接合技術可包含(舉例而言)一直接接合製程(諸如金屬至金屬接合(例如，銅至銅接合))、介電質至介電質接合(例如，氧化物至氧化物接合)、金屬至介電質接合(例如，氧化物至銅接合)、混合接合、黏合劑接合、陽極接合、其任何組合及/或諸如此類。在某些實施例中，載體基板201可為對基板107之後表面107B執行之處理步驟提供機械支撐。在某些實施例中，載體基板201可由矽或玻璃形成且可無形成於其上之電路。在此等實施例中，載體基板201提供臨時支撐且在對基板107之後表面107B執行之製程步驟完成之後自BSI影像感測器100去接合。在其他實施例中，載體基板201可包括一半導體基板(未圖解說明)、位於半導體基板上之一或多個主動裝置(未圖解說明)及位於一或多個主動裝置上方之一互連結構(未圖解說明)。在此等實施例中，除提供機械支撐之外，載體基板201亦可取決於設計要求而對BSI影像感測器100提供額外電功能性。 在BSI影像感測器100與載體基板201接合之後，可將一薄化製程應用於BSI影像感測器100之後表面107B。在一實施例中，薄化製程用以允許較多光在不被基板107吸收之情況下自基板107之後表面107B通過至光敏像素109之光活性區。在其中光敏像素109製作於一磊晶層中之一實施例中，可將BSI影像感測器100之後表面107B薄化直至使磊晶層曝光為止。可藉由使用適合技術(諸如研磨、拋光、一SMARTCUT®程序、一ELTRAN®程序及/或化學蝕刻)而實施薄化製程。在薄化之後，基板107可具有(舉例而言)約2.5 µm之一厚度，但其他實施例可包含在薄化之後具有一不同厚度之基板107。 進一步參考圖2，一經圖案化遮罩203形成於BSI影像感測器100之後表面107B上。在某些實施例中，經圖案化遮罩203可由一光敏材料(諸如光阻劑)或一非光敏材料(諸如氧化矽、氮化矽、氮氧化矽、諸如此類或其一組合)形成。在其中經圖案化遮罩203由一光敏材料形成之某些實施例中，經圖案化遮罩203係藉由將光敏材料曝光於光而被圖案化。隨後，光敏材料經固化及顯影以移除光敏材料之經曝光(或未經曝光)部分。在其中經圖案化遮罩203由一非光敏材料形成之其他實施例中，可使用適合光微影及蝕刻製程來圖案化非光敏材料。 經圖案化遮罩203經圖案化以在其中形成複數個開口205，使得像素陣列區103中之BSI影像感測器100之後表面107B之部分透過開口205被曝光，而BLC區105中之BSI影像感測器100之後表面107B由經圖案化遮罩203完全覆蓋。在某些實施例中，經圖案化遮罩203之插置於相鄰開口205之間的未經移除部分207具有一均勻寬度W1 、一均勻間隔S1 及一均勻間距P1 ，其中P1 等於W1 與S1 之一總和。在某些實施例中，經圖案化遮罩203之未經移除部分207可形成一個二維矩形陣列或一個二維柵格(在自頂部觀看時)。隨後，在將經圖案化遮罩203用作一蝕刻遮罩之同時使用一適合蝕刻製程來圖案化BSI影像感測器100之後表面107B。如下文更詳細地闡述，可藉由調諧經圖案化遮罩203之未經移除部分207之寬度W1 、間隔S1 及間距P1 而調諧HA結構301之一圖案。在某些實施例中，寬度W1 介於約0.08 µm與約0.3 µm之間、間隔S1 介於約0.72 µm與約2.7 µm之間且間距P1 介於約0.8 µm與約3 µm之間。 參考圖3，BSI影像感測器100之後表面107B經圖案化以在BSI影像感測器100之後表面107B上形成HA結構301。在某些實施例中，在將經圖案化遮罩203用作一蝕刻遮罩之同時使用一適合各向異性濕式蝕刻製程來圖案化BSI影像感測器100之後表面107B。在其中基板107由矽形成之某些實施例中，可使用氫氧化鉀(KOH)、乙二胺鄰苯二酚(EDP)、四甲基氫氧化銨(TMAH)或類似物來執行各向異性濕式蝕刻。在形成HA結構301之後，移除經圖案化遮罩203。在其中經圖案化遮罩203由一光阻劑形成之某些實施例中，可使用一灰化製程、後續接著一濕式清潔製程來移除經圖案化遮罩203。在其中經圖案化遮罩203由一非光敏材料形成之其他實施例中，可使用一適合蝕刻製程來移除經圖案化遮罩203。 BSI影像感測器100之後表面107B經圖案化以在基板107中形成複數個溝槽303。在某些實施例中，溝槽303可具有介於約0.25 µm與約1 µm之間的一深度。在所圖解說明實施例中，基板107之插置於相鄰溝槽303之間的未經移除部分305具有一曲折形圖案或一鋸齒形圖案。在某些實施例中，溝槽303可形成環繞HA結構301之未經移除部分305 (在自頂部觀看時)之一連續溝槽，其中HA結構301之未經移除部分305具有配置成一矩形陣列之圓錐形形狀。如圖3中所圖解說明之HA結構301之圖案僅出於說明性目的而提供且並非意在以任何方式限制本發明。如下文更詳細地闡述，可藉由改變經圖案化遮罩203之未經移除部分207之寬度W1 、間隔S1 及間距P1 以及藉由改變蝕刻製程之參數(舉例而言，諸如蝕刻製程之一持續時間)而變更HA結構301之圖案。在圖9A至圖13B中圖解說明且下文更詳細地論述各種HA結構之此等圖案。 圖3展示在所圖解說明剖面中，每主動光敏像素109A存在HA結構301之約三個未經移除部分305。然而，在其他實施例中，每主動光敏像素109A之HA結構301之未經移除部分305之數目可大於三個或小於三個，且可根據BSI影像感測器100之設計要求而變化。此外，在所圖解說明實施例中，HA結構301之未經移除部分305之頂部表面具有尖銳拐角。然而，在其他實施例中，HA結構301之未經移除部分305可具有圓形或扁平頂部表面，如下文參考圖9A至圖13B更詳細地論述。 參考圖4，在形成HA結構301之後，一底部抗反射塗覆(BARC)層401形成於BSI影像感測器100之後表面107B上。在某些實施例中，BARC層401包括適合介電質材料，諸如氧化矽、氮化矽、氮氧化矽、氧化鉿、氧化鉭或其一組合，但可使用其他材料。在某些實施例中，可使用原子層沈積(ALD)、CVD、PECVD、物理氣相沈積(PVD)、金屬有機化學氣相沈積(MOCVD)或諸如此類來形成BARC層401。在其中BARC層401包括一個氧化物層之某些實施例中，可使用一低溫遠端電漿輔助氧化(LRPO)製程來形成BARC層401。BARC層401用於進一步減小入射光自BSI影像感測器100之後表面107B之一反射。在所圖解說明實施例中，BARC層401包括具有介於約20 Å與約150 Å之間(諸如約60 Å)的一厚度之一HfO2 層及具有介於約350 Å與約800 Å之間(諸如約520 Å)的一厚度之一Ta2 O5 層，其中Ta2 O5 層形成於HfO2 層上方。 參考圖5，一第一介電質層501形成於BARC層401上方。在某些實施例中，第一介電質層501可由(舉例而言)氧化矽形成，但可使用其他介電質材料。在某些實施例中，可使用ALD、CVD、PECVD、諸如此類或其一組合來形成第一介電質層501。在其中第一介電質層501包括一個氧化物層之某些實施例中，可使用LRPO來形成第一介電質層501。在所圖解說明實施例中，第一介電質層501係一電漿輔助氧化物(PEOX)層。隨後，使用一研磨製程、一化學機械拋光(CMP)製程、一蝕刻製程或諸如此類來平坦化第一介電質層501。在平坦化製程之後，第一介電質層501可具有介於約250 Å與約2500 Å之間(諸如約1300 Å)的一厚度。第一介電質層501亦可稱為一第一緩衝氧化物層501。 參考圖6及圖7，一金屬屏蔽物701及一金屬柵格703形成於第一介電質層501上方，使得金屬屏蔽物701形成於BSI影像感測器100之BLC區105中且金屬柵格703形成於BSI影像感測器100之像素陣列區103中。首先參考圖6，一阻障/黏合層601形成於第一介電質層501上方且一導電層603形成於阻障/黏合層601上方。在某些實施例中，阻障/黏合層601可包括鈦、氮化鈦、鉭、氮化鉭或其多層且可使用CVD、PVD、MOCVD或諸如此類來形成。一導電層603可包括鋁、銅、鎳、鎢、其合金或諸如此類且可使用PDV、鍍覆或諸如此類來形成。在某些實施例中，阻障/黏合層601之一厚度可介於約50 Å與約500 Å之間，且導電層603之一厚度可介於約500 Å與約3500 Å之間。在所圖解說明實施例中，阻障/黏合層601包括具有約300 Å之一厚度之氮化鈦且導電層603包括具有約2000 Å之一厚度之鎢。應瞭解，貫穿說明所陳述之尺寸僅係實例，且可改變為不同值。 在某些實施例中，阻障/黏合層601及導電層603經形成使得阻障/黏合層601及導電層603電耦合至基板107。此電耦合為阻障/黏合層601及導電層603以及隨後藉由圖案化阻障/黏合層601及導電層603而形成之金屬屏蔽物701及金屬柵格703提供適當接地。在此等實施例中，BARC層401及第一介電質層501經圖案化以形成使BLC區105中之基板107之後表面107B曝光之一或多個開口。在某些實施例中，可使用適合光微影及蝕刻製程來圖案化BARC層401及第一介電質層501。阻障/黏合層601及導電層603填充一或多個開口且電耦合至基板107。 參考圖7，阻障/黏合層601及導電層603經圖案化以形成金屬屏蔽物701及金屬柵格703。圖案化製程在像素陣列區103中之阻障/黏合層601及導電層603中形成複數個開口705，使得第一介電質層501透過開口705曝光。在某些實施例中，主動光敏像素109A與各別開口705對準。阻障/黏合層601及導電層603之在BLC區105中剩餘之一部分用作金屬屏蔽物701。金屬屏蔽物701阻擋將以其他方式由參考光敏像素109B接收之光。阻障/黏合層601及導電層603之在像素陣列區103中剩餘之部分形成金屬柵格703。金屬柵格703防止相鄰主動光敏像素109A之間的光學串擾。在某些實施例中，金屬柵格703之壁可包圍每一主動光敏像素109A (在自頂部觀看時)。此外，金屬柵格703及金屬屏蔽物701可彼此電耦合。 參考圖8，一第二介電質層801形成於金屬柵格703及金屬屏蔽物701上方且填充開口705。在某些實施例中，可使用與上文參考圖5所闡述之第一介電質層501類似之材料及方法來形成第二介電質層801且本文中不進行重複說明。在某些實施例中，第一介電質層501及第二介電質層801可由一相同材料形成。在其他實施例中，第一介電質層501及第二介電質層801可由不同材料形成。隨後，使用一研磨製程、一化學機械拋光(CMP)製程、一蝕刻製程或諸如此類來平坦化第二介電質層801。在平坦化製程之後，第二介電質層801可具有介於約2000 Å與約5000 Å之間(諸如約3400 Å)的一厚度。第二介電質層801亦可稱為一第二緩衝氧化物層801。 進一步參考圖8，一彩色濾光器層803形成於第二介電質層801上方。在某些實施例中，彩色濾光器層803包括具有形成於其中之複數個彩色濾光器807之一第三介電質層805 (舉例而言，一個氧化矽層)。在某些實施例中，彩色濾光器807與各別主動光敏像素109A對準。彩色濾光器807可用於允許特定光波長通過而反射其他波長，藉此允許BSI影像感測器100判定由主動光敏像素109A接收之光之色彩。彩色濾光器807可變化，諸如係如一拜耳(Bayer)圖案中所使用之一紅色、綠色及藍色濾光器。亦可使用其他組合，諸如青色、黃色及洋紅色。彩色濾光器807之不同色彩之數目亦可變化。彩色濾光器807可包括一聚合材料或樹脂，諸如聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)、聚甲基丙烯酸縮水甘油醚(PGMA)或包含有色顏料之諸如此類。在某些實施例中，反射引導層(未展示)沿著彩色濾光器807之側壁形成。反射引導層由一金屬或能夠反射光之其他高折射率材料(諸如銅、鋁、氮化鉭、氮化鈦、鎢、氮化矽、諸如此類或其一組合)形成。 微透鏡809之一陣列形成於彩色濾光器層803上方。在某些實施例中，微透鏡809與各別彩色濾光器807及各別主動光敏像素109A對準。微透鏡809可由可經圖案化並形成為透鏡之任何材料(諸如一高透射比丙烯酸聚合物)形成。在一實施例中，可藉由(舉例而言)旋塗技術而使用處於一液體狀態中之一材料來形成一微透鏡層。亦可使用其他方法(諸如CVD、PVD或諸如此類)。可使用適合光微影及蝕刻方法來圖案化用於微透鏡層之平坦材料以將平坦材料圖案化成對應於主動光敏裝置之陣列之一陣列。平坦材料可然後經回銲以形成用於微透鏡809之一適當彎曲表面。隨後，可(舉例而言)使用一UV處理來固化微透鏡809。在某些實施例中，在形成微透鏡809之後，載體基板201可自BSI影像感測器100去接合且BSI影像感測器100可經歷進一步處理(舉例而言，諸如封裝)。 圖9A及圖9B係根據某些實施例之分別圖解說明形成於一基板901之一後表面上之一HA結構900之一透視圖及一剖面圖之掃描電子顯微鏡(SEM)影像。可使用與上文參考圖2及圖3所闡述之HA結構301類似之方法來形成HA結構900且本文中不進行重複說明。在所圖解說明實施例中，使用利用TMAH之一濕式蝕刻來圖案化由矽形成之基板901達約60 s之一持續時間以形成複數個溝槽903。在所圖解說明實施例中，溝槽903具有約5735 Å之一高度。HA結構900之具有一圓錐形形狀之未經移除構件905配置成一矩形陣列，使得溝槽903形成環繞HA結構900之未經移除構件905中之每一者之一連續溝槽。類似於圖2中所圖解說明之經圖案化遮罩203之經圖案化遮罩(未圖解說明)用於幫助圖案化基板901。在所圖解說明實施例中，經圖案化遮罩之未經移除構件(類似於經圖案化遮罩203之未經移除部分207)具有約0.1 µm之一寬度、約0.4 µm之一間隔及約0.5 µm之一間距。 圖10A及圖10B係根據某些實施例之分別圖解說明形成於一基板1001之一後表面上之一HA結構1000之一透視圖及一剖面圖之掃描電子顯微鏡(SEM)影像。可使用與上文參考圖2及圖3所闡述之HA結構301類似之方法來形成HA結構1000且本文中不進行重複說明。在所圖解說明實施例中，使用利用TMAH之一濕式蝕刻來圖案化由矽形成之基板1001之後表面達約90 s之一持續時間以形成複數個溝槽1003。在所圖解說明實施例中，溝槽1003具有約5259 Å之一高度。HA結構1000之具有一圓錐形形狀之未經移除構件1005配置成一矩形陣列，使得複數個溝槽1003形成環繞HA結構1000之未經移除構件1005中之每一者之一連續溝槽。類似於圖2中所圖解說明之經圖案化遮罩203之經圖案化遮罩(未圖解說明)用於幫助圖案化基板1001。在所圖解說明實施例中，經圖案化遮罩之未經移除構件(類似於經圖案化遮罩203之未經移除部分207)具有約0.1 µm之一寬度、約0.55 µm之一間隔及約0.65 µm之一間距。 圖11A及圖11B係根據某些實施例之分別圖解說明形成於一基板1101之一後表面上之一HA結構1100之一透視圖及一剖面圖之掃描電子顯微鏡(SEM)影像。在所圖解說明實施例中，HA結構1100之未經移除構件1105形成具有一矩形柵格之一形狀之一連續構件且開口1103中之每一者由矩形柵格之壁環繞。可使用與上文參考圖2及圖3所闡述之HA結構301類似之方法來形成HA結構1100且本文中不進行重複說明。在所圖解說明實施例中，使用利用TMAH之一濕式蝕刻來圖案化由矽形成之基板1101之後表面達約60 s之一持續時間以形成複數個開口1103。類似於圖2中所圖解說明之經圖案化遮罩203之經圖案化遮罩(未圖解說明)用於幫助圖案化基板1101。在所圖解說明實施例中，經圖案化遮罩之未經移除構件(類似於經圖案化遮罩203之未經移除部分207)具有約0.3 μm之一寬度、約0.15 μm之一間隔及約0.45 μm之一間距。 圖12A及圖12B係根據某些實施例之分別圖解說明形成於一基板1201之一後表面上之一HA結構1200之一透視圖及一剖面圖之掃描電子顯微鏡(SEM)影像。可使用與上文參考圖2及圖3所闡述之HA結構301類似之方法來形成HA結構1200且本文中不進行重複說明。在所圖解說明實施例中，使用利用TMAH之一濕式蝕刻來圖案化由矽形成之基板1201之後表面達約60 s之一持續時間以形成複數個溝槽1203。在所圖解說明實施例中，溝槽1203具有約5755 Å之一高度。HA結構1200之具有一圓錐形形狀之未經移除構件1205配置成一矩形陣列，使得複數個溝槽1203形成環繞HA結構1200之未經移除構件1205中之每一者之一連續溝槽。類似於圖2中所圖解說明之經圖案化遮罩203之經圖案化遮罩(未圖解說明)用於幫助圖案基板1201。在所圖解說明實施例中，經圖案化遮罩之未經移除構件(類似於經圖案化遮罩203之未經移除部分207)具有約0.2 μm之一寬度、約0.4 μm之一間隔及約0.6 μm之一間距。 圖13A及圖13B係根據某些實施例之分別圖解說明形成於一基板1301之一後表面上之一HA結構1300之一透視圖及一剖面圖之掃描電子顯微鏡(SEM)影像。可使用與上文參考圖2及圖3所闡述之HA結構301類似之方法來形成HA結構1300且本文中不進行重複說明。在所圖解說明實施例中，使用利用TMAH之一濕式蝕刻來圖案化由矽形成之基板1301之後表面達約60 s之一持續時間以形成複數個溝槽1303。在所圖解說明實施例中，溝槽1303具有約5636 Å之一高度。HA結構1200之具有一圓柱形形狀之未經移除構件1305配置成一矩形陣列，使得複數個溝槽1303形成環繞HA結構1300之未經移除構件1305中之每一者之一連續溝槽。類似於圖2中所圖解說明之經圖案化遮罩203之經圖案化遮罩(未圖解說明)用於幫助圖案化基板1301。在所圖解說明實施例中，經圖案化遮罩之未經移除構件(類似於經圖案化遮罩203之未經移除部分207)具有約0.36 μm之一寬度、約0.24 μm之一間隔及約0.6 μm之一間距。 在某些實施例中，藉由在一基板之一後表面上形成一HA結構(舉例而言，諸如HA結構301、900、1000、1100、1200及1300)，基板之後表面之一反射比可相比於基板之後表面之一未經圖案化部分而減小。圖14繪示圖解說明反射比對入射光(其與基板之後表面之一法線形成約15度之一角度)之一波長之相依性之各種曲線。曲線1401係一未經圖案化基板之一後表面之一反射比。曲線1403及1405係具有HA結構之基板之後表面之反射比。如圖14中所展示，HA結構可顯著減小基板之後表面之反射比。在某些實施例中，藉由在基板之後表面上形成一HA結構，基板之後表面之反射比可減小達約30％或更大。此外，光之反射比不僅在可見區中減小且亦在近紅外線(NIR)區中減小，此有利地允許將HA圖案應用於NIR裝置中。 圖15係根據某些實施例之圖解說明形成一BSI影像感測器之一方法1500之一流程圖。該方法以步驟1501開始，其中在一基板之一第一側(諸如圖1中所圖解說明之基板107之前表面107A)上形成一或多個光敏區(諸如圖1中所圖解說明之光敏像素109)，如上文參考圖1所闡述。在步驟1503中，在基板之與基板之第一側相對之一第二側(諸如圖1中所圖解說明之基板107之後表面107B)上形成一高吸收(HA)結構(諸如圖3中所圖解說明之HA結構301)，如上文參考圖2及圖3所闡述。在步驟1505中，在HA結構上方形成一金屬柵格(諸如圖7中所圖解說明之金屬柵格703)，如上文參考圖4至圖7所闡述。 圖16至圖19係根據某些實施例之在一BSI影像感測器1600之製作期間之各種處理步驟之剖面圖。圖16圖解說明根據某些實施例之BSI影像感測器1600之一中間結構。在某些實施例中，BSI影像感測器1600之中間結構類似於上文參考圖1所闡述之BSI影像感測器100之中間結構，其中相似元件由相似參考編號標記且本文中不進行重複說明。 參考圖17，將BSI影像感測器1600倒置且接合至一載體基板201，使得基板107之前表面107A面向載體基板201且使基板107之後表面107B曝光以用於進一步處理。在某些實施例中，使用與上文參考圖2所闡述類似之方法將BSI影像感測器1600接合至載體基板201且本文中不進行重複說明。在BSI影像感測器1600與載體基板201接合之後，可將一薄化製程應用於BSI影像感測器1600之後表面107B。在某些實施例中，可使用與上文參考圖2所闡述類似之方法對BSI影像感測器1600之後表面107B進行薄化且本文中不進行重複說明。 在薄化之後，一第一介電質層1701形成於基板107之後表面107B上。在某些實施例中，可使用與上文參考圖5所闡述之第一介電質層501類似之材料及方法來形成第一介電質層1701且本文中不進行重複說明。在某些實施例中，第一介電質層1701之一厚度可介於約50 Å與約250 Å之間(諸如約100 Å)。在某些實施例中，第一介電質層1701之厚度可小於第一介電質層501之厚度，此可有利地允許減小BSI影像感測器1600之光學路徑(與BSI影像感測器100相比)。第一介電質層1701亦可稱為一第一緩衝氧化物層1701。因此，BSI影像感測器1600之量子效率可有利地增加且BSI影像感測器1600之光學串擾可有利地減小。 隨後，一阻障/黏合層1703形成於第一介電質層1701上方且一導電層1705形成於阻障/黏合層1703上方。在某些實施例中，可分別使用與上文參考圖6所闡述之阻障/黏合層601及導電層603類似之材料及方法來形成阻障/黏合層1703及導電層1705且本文中不進行重複說明。在某些實施例中，阻障/黏合層1703之一厚度可介於約100 Å與約500 Å之間，且導電層1705之一厚度可介於約500 Å與約3000 Å之間。在所圖解說明實施例中，阻障/黏合層1703包括具有約300 Å之一厚度之氮化鈦且導電層1705包括具有約2000 Å之一厚度之鎢。應瞭解，貫穿說明所陳述之尺寸僅係實例，且可改變為不同值。如下文更詳細地闡述，阻障/黏合層1703及導電層1705經圖案化以形成一金屬屏蔽物1801及一金屬柵格1803 (參見圖18)。 在某些實施例中，一第二介電質層1707形成於導電層1705上方。在某些實施例中，可使用與上文參考圖5所闡述之第一介電質層501類似之材料及方法來形成第二介電質層1707且本文中不進行重複說明。在某些實施例中，第一介電質層1701及第二介電質層1707可由一相同材料形成。在其他實施例中，第一介電質層1701及第二介電質層1707可由不同材料形成。隨後，使用一研磨製程、一CMP製程、一蝕刻製程或諸如此類來平坦化第二介電質層1707。在平坦化製程之後，第二介電質層1707可具有介於約500 Å與約2000 Å之間的一厚度。第二介電質層1707亦可稱為一第二緩衝氧化物層1707。 進一步參考圖17，一經圖案化遮罩1709形成於第二介電質層1707上方。在某些實施例中，可使用與上文參考圖2所闡述之經圖案化遮罩203類似之材料及方法來形成經圖案化遮罩1709且本文中不進行重複說明。在某些實施例中，經圖案化遮罩1709包括使像素陣列區103中之第二介電質層1707之部分曝光之複數個開口1711，而BLC區中之第二介電質層1707由經圖案化遮罩1709完全覆蓋。在某些實施例中，經圖案化遮罩1709之未經移除部分1713具有一均勻寬度W2 、均勻間隔S2 及一均勻間距P2 ，其中P2 等於W2 與S2 之一總和。在某些實施例中，經圖案化遮罩1709之未經移除部分1713可形成一個二維矩形陣列(在自頂部觀看時)。如下文更詳細地闡述，在圖案化第一介電質層1701、阻障/黏合層1703、導電層1705及第二介電質層1707時，將經圖案化遮罩1709用作一蝕刻遮罩。在某些實施例中，寬度W2 介於約0.08 µm與約0.3 µm之間、間隔S2 介於約0.72 µm與約2.7 µm之間且間距P2 介於約0.8 µm與約3 µm之間。 參考圖18，第一介電質層1701、阻障/黏合層1703、導電層1705及第二介電質層1707經圖案化以形成複數個開口1805。開口1805延伸穿過第一介電質層1701、阻障/黏合層1703、導電層1705及第二介電質層1707，且使像素陣列區103中之基板107之後表面107B之部分曝光。在某些實施例中，可在將經圖案化遮罩1709用作一蝕刻遮罩之同時使用一或多個適合蝕刻製程來圖案化第一介電質層1701、阻障/黏合層1703、導電層1705及第二介電質層1707。在圖案化之後，移除經圖案化遮罩1709。在某些實施例中，可使用與上文參考圖3所闡述之經圖案化遮罩203類似之方法來移除經圖案化遮罩1709且本文中不進行重複說明。 進一步參考圖18，圖案化製程形成金屬屏蔽物1801及金屬柵格1803。在所圖解說明實施例中，金屬柵格1803之壁可具有分別類似於經圖案化遮罩1709之未經移除部分1713之寬度W2 、間隔S2 及間距P2 之一寬度、一間隔、一間距。如下文更詳細地闡述，將具有第一介電質層1701及第二介電質層1707之各別未經移除部分之金屬柵格1803用作一遮罩以幫助圖案化基板107之後表面107B以形成一HA結構1901 (參見圖19)。在某些實施例中，一第三介電質層1807形成於金屬柵格1803及金屬屏蔽物1801上方以在形成HA結構1901時保護金屬柵格1803免遭圖案化製程。在某些實施例中，可使用與上文參考圖5所闡述之第一介電質層501類似之材料及方法來形成第三介電質層1807且本文中不進行重複說明。在某些實施例中，第一介電質層1701、第二介電質層1707及第三介電質層1807可由一相同材料形成。在其他實施例中，第一介電質層1701、第二介電質層1707及第三介電質層1807可由不同材料形成。 在某些實施例中，一經圖案化遮罩1809形成於第三介電質層1807上方。在所圖解說明實施例中，經圖案化遮罩1809保護BSI影像感測器1600之BLC區105中之金屬屏蔽物1801，而使BSI影像感測器1600之像素陣列區103中之金屬柵格1803曝光。在某些實施例中，可使用與上文參考圖2所闡述之經圖案化遮罩203類似之材料及方法來形成經圖案化遮罩1809且本文中不進行重複說明。如下文更詳細地闡述，將金屬柵格1803及經圖案化遮罩1809用作一經組合遮罩以幫助圖案化基板107之後表面107B。 參考圖19，像素陣列區103中之基板107之後表面107B經圖案化以形成HA結構1901。在某些實施例中，在將金屬柵格1803及經圖案化遮罩層1809用作一經組合蝕刻遮罩之同時使用一適合蝕刻製程來圖案化基板107之後表面107B。在某些實施例中，可使用與上文參考圖3所闡述之HA結構301類似之蝕刻製程來形成HA結構1901且本文中不進行重複說明。在所圖解說明實施例中，HA結構1901包括複數個溝槽1903及插置於相鄰溝槽1903之間的複數個未經移除構件1905。在某些實施例中，HA結構1901可具有如上文參考圖9A至圖13B所闡述之一圖案且本文中不進行重複說明。在某些實施例中，形成HA結構1901之圖案化製程亦可移除像素陣列區103中之第三介電質層1807之一第一部分，而BLC區105中之第三介電質層1807之一第二部分保持未被移除。隨後，使用與上文參考圖2所闡述之經圖案化遮罩203類似之方法來移除經圖案化遮罩1809且本文中不進行重複說明。 進一步參考圖19，在形成HA結構1901之後，一BARC層1907形成於溝槽1903之側壁上以及金屬柵格1803及金屬屏蔽物1801上方。在某些實施例中，可使用與上文參考圖4所闡述之BARC層401類似之材料及方法來形成BARC層1907且本文中不進行重複說明。在所圖解說明實施例中，在像素陣列區103中移除第三介電質層1807且BARC層1907之至少一部分接觸溝槽1903之側壁及金屬柵格1803之側壁。 在某些實施例中，一第四介電質層1909形成於BARC層1907上方。在某些實施例中，可使用與上文參考圖5所闡述之第一介電質層501類似之材料及方法來形成第四介電質層1909且本文中不進行重複說明。在某些實施例中，第一介電質層1701、第二介電質層1707、第三介電質層1807及第四介電質層1909可由一相同材料形成。在其他實施例中，第一介電質層1701、第二介電質層1707、第三介電質層1807及第四介電質層1909可由不同材料形成。隨後，使用一研磨製程、一CMP製程、一蝕刻製程或諸如此類來平坦化第四介電質層1909。在平坦化製程之後，第四介電質層1909可具有介於約500 Å與約3000 Å之間(諸如約1500 Å)的一厚度。第四介電質層1909亦可稱為一第四緩衝氧化物層1909。 進一步參考圖19，一彩色濾光器層1911形成於第四介電質層1909上方。在某些實施例中，彩色濾光器層1911包括具有形成於其中之複數個彩色濾光器1915之一第五介電質層1913。在某些實施例中，可分別使用與上文參考圖8所闡述之第三介電質層805及彩色濾光器807類似之材料及方法來形成第五介電質層1913及彩色濾光器1915且本文中不進行重複說明。隨後，微透鏡1917形成於彩色濾光器層1911上方，使得微透鏡1917與各別彩色濾光器1915及各別主動光敏像素109A對準。在某些實施例中，可使用與上文參考圖8所闡述之微透鏡809類似之材料及方法來形成微透鏡1917且本文中不進行重複說明。在某些實施例中，在形成微透鏡1917之後，載體基板201可自BSI影像感測器1600去接合且BSI影像感測器1600可經歷進一步處理(舉例而言，諸如封裝)。 圖20係根據某些實施例之圖解說明形成一BSI影像感測器之一方法2000之一流程圖。方法2000以步驟2001開始，其中在一基板之一第一側(諸如圖16中所圖解說明之基板107之前表面107A)上形成一或多個光敏區(諸如圖16中所圖解說明之光敏像素109)，如上文參考圖16所闡述。在步驟2003中，在基板之與基板之第一側相對之一第二側(諸如圖16中所圖解說明之基板107之後表面107B)上方形成一金屬柵格(諸如圖18中所圖解說明之金屬柵格1803)，如上文參考圖17及圖18所闡述。在步驟2005中，在形成金屬柵格之後，在基板之第二側上形成一高吸收(HA)結構(諸如圖19中所圖解說明之HA結構1901)，如上文參考圖19所闡述。 本文中所呈現之各種實施例可提供數個優點。諸如本文中所闡述之實施例允許形成在一背側上具有一高吸收(HA)結構之一BSI影像感測器。藉由在一BSI影像感測器之一背側上形成HA結構，可改良自後側之光反射比。因此，可在可見及近紅外線範圍中有利地改良BSI影像感測器之效能。此外，本文中所闡述之各種實施例減小一BSI影像感測器之光學路徑，此有利地改良量子效率且減小BSI影像感測器之光學串擾。 根據一實施例，一種方法包含：在一基板中形成複數個光敏像素，該基板具有一第一表面及一第二表面，該第二表面與該第一表面相對，該基板在該第一表面上具有一或多個主動裝置。保護該第二表面之一第一部分。將該第二表面之一第二部分圖案化以在該基板中形成凹槽。在該等凹槽之側壁上形成一抗反射層。在該第二表面之該第二部分上方形成一金屬柵格，該抗反射層插置於該基板與該金屬柵格之間。 根據另一實施例，一種方法包含：在一基板中形成複數個光敏區，該基板具有一第一表面及一第二表面，該第二表面與該第一表面相對，該基板在該第一表面上具有至少一個主動裝置。在該第二表面之一第一部分上方形成一金屬柵格，該金屬柵格使該基板之部分曝光。使該基板之經曝光部分凹陷以在該基板中形成凹槽。在該等凹槽之側壁及該金屬柵格之側壁上形成一抗反射層。用一第一介電質層填充該等凹槽，該第一介電質層延伸於該金屬柵格之一最頂部表面上面。 根據又一實施例，一種裝置包含：一基板，該基板具有一第一表面及一第二表面，該第一表面與該第二表面相對；至少一個主動裝置，其位於該基板之該第一表面上；及複數個光敏區，其位於該基板中。該裝置進一步包含：複數個凹槽，其位於該基板之該第二表面中，該複數個凹槽放置於該複數個光敏區上方；一抗反射層，其沿著該複數個凹槽之側壁延伸；及一金屬柵格，其位於該複數個凹槽上方。 前述內容概述數個實施例之構件，使得熟習此項技術者可較好地理解本揭露之態樣。熟習此項技術者應瞭解，其可容易地使用本揭露作為設計或修改用於實施與本文中介紹之實施例相同之目的及/或達成與該等實施例相同之優點之其他製程及結構之一基礎。熟習此項技術者亦應認識到，此等等效構造並不背離本揭露之精神及範疇，且其可在不背離本揭露之精神及範疇之情況下在本文中做出各種改變、替換及更改。
100‧‧‧背側照明影像感測器
103‧‧‧像素陣列區
105‧‧‧黑色位準校正區
107‧‧‧基板
107A‧‧‧表面/前表面
107B‧‧‧表面/後表面
109‧‧‧光敏像素
109A‧‧‧主動光敏像素/光敏像素
109B‧‧‧參考光敏像素/光敏像素
111‧‧‧隔離區
113‧‧‧互連結構
115‧‧‧層間介電質層/層間介電質
117‧‧‧金屬間介電質層/金屬間介電質
119‧‧‧鈍化層
121‧‧‧主動/被動裝置
201‧‧‧載體基板
203‧‧‧經圖案化遮罩
205‧‧‧開口
207‧‧‧未經移除部分
301‧‧‧高吸收結構
303‧‧‧溝槽
305‧‧‧未經移除部分
401‧‧‧底部抗反射塗覆層
501‧‧‧第一介電質層/第一緩衝氧化物層
601‧‧‧阻障/黏合層
603‧‧‧導電層
701‧‧‧金屬屏蔽物
703‧‧‧金屬柵格
705‧‧‧開口
801‧‧‧第二介電質層/第二緩衝氧化物層
803‧‧‧彩色濾光器層
805‧‧‧第三介電質層
807‧‧‧彩色濾光器
809‧‧‧微透鏡
900‧‧‧高吸收結構
901‧‧‧基板
903‧‧‧溝槽
905‧‧‧未經移除構件
1000‧‧‧高吸收結構
1001‧‧‧基板
1003‧‧‧溝槽
1005‧‧‧未經移除構件
1100‧‧‧高吸收結構
1101‧‧‧基板
1103‧‧‧開口
1105‧‧‧未經移除構件
1200‧‧‧高吸收結構
1201‧‧‧基板
1203‧‧‧溝槽
1205‧‧‧未經移除構件
1300‧‧‧高吸收結構
1301‧‧‧基板
1303‧‧‧溝槽
1305‧‧‧未經移除構件
1401‧‧‧曲線
1403‧‧‧曲線
1405‧‧‧曲線
1600‧‧‧背側照明影像感測器
1701‧‧‧第一介電質層/第一緩衝氧化物層
1703‧‧‧阻障/黏合層
1705‧‧‧導電層
1707‧‧‧第二介電質層/第二緩衝氧化物層
1709‧‧‧經圖案化遮罩
1711‧‧‧開口
1713‧‧‧未經移除部分
1801‧‧‧金屬屏蔽物
1803‧‧‧金屬柵格
1805‧‧‧開口
1807‧‧‧第三介電質層
1809‧‧‧經圖案化遮罩
1901‧‧‧高吸收結構
1903‧‧‧溝槽
1905‧‧‧未經移除構件
1907‧‧‧底部抗反射塗覆層
1909‧‧‧第四介電質層/第四緩衝氧化物層
1911‧‧‧彩色濾光器層
1913‧‧‧第五介電質層
1915‧‧‧彩色濾光器
1917‧‧‧微透鏡
P1‧‧‧均勻間距/間距
P2‧‧‧均勻間距/間距
S1‧‧‧均勻間隔/間隔
S2‧‧‧均勻間隔/間隔
W1‧‧‧均勻寬度/寬度
W2‧‧‧均勻寬度/寬度
依據與附圖一起閱讀之以下詳細說明來最佳地理解本揭露之態樣。應注意，根據工業中之標準實踐，各種構件未按比例繪製。實際上，為論述清晰起見，可任意地增加或減小各種構件之尺寸。 圖1至圖8係根據某些實施例之在一BSI影像感測器之製作期間之各種處理步驟之剖面圖。 圖9A至圖13B係根據某些實施例之圖解說明高吸收結構之透視圖及剖面圖之掃描電子顯微鏡(SEM)影像。 圖14圖解說明根據某些實施例之基板之後表面之反射比。 圖15係根據某些實施例之圖解說明形成一BSI影像感測器之一方法之一流程圖。 圖16至圖19係根據某些實施例之在一BSI影像感測器之製作期間之各種處理步驟之剖面圖。 圖20係根據某些實施例之圖解說明形成一BSI影像感測器之一方法之一流程圖。
100‧‧‧背側照明影像感測器
103‧‧‧像素陣列區
105‧‧‧黑色位準校正區
107‧‧‧基板
107A‧‧‧表面/前表面
107B‧‧‧表面/後表面
109‧‧‧光敏像素
109A‧‧‧主動光敏像素/光敏像素
109B‧‧‧參考光敏像素/光敏像素
111‧‧‧隔離區
113‧‧‧互連結構
115‧‧‧層間介電質層/層間介電質
117‧‧‧金屬間介電質層/金屬間介電質
119‧‧‧鈍化層
121‧‧‧主動/被動裝置
201‧‧‧載體基板
301‧‧‧高吸收結構
401‧‧‧底部抗反射塗覆層
501‧‧‧第一介電質層/第一緩衝氧化物層
601‧‧‧阻障/黏合層
603‧‧‧導電層
701‧‧‧金屬屏蔽物
703‧‧‧金屬柵格
801‧‧‧第二介電質層/第二緩衝氧化物層
803‧‧‧彩色濾光器層
805‧‧‧第三介電質層
807‧‧‧彩色濾光器
809‧‧‧微透鏡

Claims (1)

  1. 一種方法，其包括： 在一基板中形成複數個光敏像素，該基板具有一第一表面及一第二表面，該第二表面與該第一表面相對，該基板在該第一表面上具有一或多個主動裝置； 保護該第二表面之一第一部分； 將該第二表面之一第二部分圖案化以在該基板中形成凹槽； 在該等凹槽之側壁上形成一抗反射層；及 在該第二表面之該第二部分上方形成一金屬柵格，該抗反射層插置於該基板與該金屬柵格之間。
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