TWI833673B - 感測裝置 - Google Patents
感測裝置 Download PDFInfo
- Publication number
- TWI833673B TWI833673B TW112130518A TW112130518A TWI833673B TW I833673 B TWI833673 B TW I833673B TW 112130518 A TW112130518 A TW 112130518A TW 112130518 A TW112130518 A TW 112130518A TW I833673 B TWI833673 B TW I833673B
- Authority
- TW
- Taiwan
- Prior art keywords
- light
- sensing
- shielding layer
- layer
- shielding
- Prior art date
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 75
- 239000000463 material Substances 0.000 description 32
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 12
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 7
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 7
- -1 aluminum tin oxide Chemical compound 0.000 description 6
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 6
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 6
- 238000004088 simulation Methods 0.000 description 6
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 5
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 4
- JAONJTDQXUSBGG-UHFFFAOYSA-N dialuminum;dizinc;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3].[Zn+2].[Zn+2] JAONJTDQXUSBGG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 4
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- MCEWYIDBDVPMES-UHFFFAOYSA-N [60]pcbm Chemical compound C123C(C4=C5C6=C7C8=C9C%10=C%11C%12=C%13C%14=C%15C%16=C%17C%18=C(C=%19C=%20C%18=C%18C%16=C%13C%13=C%11C9=C9C7=C(C=%20C9=C%13%18)C(C7=%19)=C96)C6=C%11C%17=C%15C%13=C%15C%14=C%12C%12=C%10C%10=C85)=C9C7=C6C2=C%11C%13=C2C%15=C%12C%10=C4C23C1(CCCC(=O)OC)C1=CC=CC=C1 MCEWYIDBDVPMES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000008280 blood Substances 0.000 description 3
- 210000004369 blood Anatomy 0.000 description 3
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 3
- 210000003462 vein Anatomy 0.000 description 3
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 2
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 2
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N disiloxane Chemical class [SiH3]O[SiH3] KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- 238000001727 in vivo Methods 0.000 description 2
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 2
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 2
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 2
- 229920000301 poly(3-hexylthiophene-2,5-diyl) polymer Polymers 0.000 description 2
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 2
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 2
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 2
- GKWLILHTTGWKLQ-UHFFFAOYSA-N 2,3-dihydrothieno[3,4-b][1,4]dioxine Chemical compound O1CCOC2=CSC=C21 GKWLILHTTGWKLQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 1
- 229920000144 PEDOT:PSS Polymers 0.000 description 1
- 230000001154 acute effect Effects 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 230000036772 blood pressure Effects 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 1
- 230000005499 meniscus Effects 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 230000005693 optoelectronics Effects 0.000 description 1
- 229920001467 poly(styrenesulfonates) Polymers 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 229920000307 polymer substrate Polymers 0.000 description 1
- 229960002796 polystyrene sulfonate Drugs 0.000 description 1
- 239000011970 polystyrene sulfonate Substances 0.000 description 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 230000001568 sexual effect Effects 0.000 description 1
- 238000004904 shortening Methods 0.000 description 1
- 230000008054 signal transmission Effects 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Photometry And Measurement Of Optical Pulse Characteristics (AREA)
- Measuring Pulse, Heart Rate, Blood Pressure Or Blood Flow (AREA)
- Geophysics And Detection Of Objects (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
- Control Of Indicators Other Than Cathode Ray Tubes (AREA)
- Liquid Crystal (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Arrangements For Transmission Of Measured Signals (AREA)
- Force Measurement Appropriate To Specific Purposes (AREA)
- Supplying Of Containers To The Packaging Station (AREA)
- Telephone Function (AREA)
- Eye Examination Apparatus (AREA)
Abstract
一種感測裝置，包括：第一基板、第一感測元件、第一遮光層、第二遮光層以及絕緣層。第一感測元件位於第一基板之上。第一遮光層位於第一感測元件上，且具有第一開口，其中第一開口完全重疊第一感測元件。第二遮光層位於第一遮光層上，且包括上遮光部及側遮光部，其中上遮光部重疊第一遮光層且具有第二開口，側遮光部與上遮光部分離。絕緣層位於第一遮光層與第二遮光層之間，且側遮光部覆蓋絕緣層的側壁。
Description
本發明是有關於一種光電裝置，且特別是有關於一種感測裝置。
為了提供建構智慧生活環境所需的資訊，各式感測器已廣泛應用於日常生活中。舉例來說，指紋感測器因其具備人類指紋的辨識能力，已被廣泛應用於個人電子產品的解鎖及海關的身份確認等。藉由指紋的高低起伏所產生的不同強度的反射光，感測元件能夠偵測手指指紋反射的光線而產生不同大小的電流，進而取得指紋影像進行辨識。
由於感測器可以搭配不同光源（例如可見光、紅外光）來進行各種感測，因此，如何使感測器的光機結構有利於搭配各式光源及整合各式感測器，進而能夠同時提供諸如指紋辨識及靜脈防偽等功能，仍是業界亟欲突破的挑戰之一。
本發明提供一種感測裝置，具有改良的光機結構。
本發明的一個實施例提出一種感測裝置，包括：第一基板；第一感測元件，位於第一基板之上；第一遮光層，位於第一感測元件上，且具有第一開口，其中第一開口完全重疊第一感測元件；第二遮光層，位於第一遮光層上，且包括上遮光部及側遮光部，其中上遮光部重疊第一遮光層且具有第二開口，側遮光部與上遮光部分離；以及絕緣層，位於第一遮光層與第二遮光層之間，且側遮光部覆蓋絕緣層的側壁。
在本發明的一實施例中，上述的側遮光部電性連接第一遮光層。
在本發明的一實施例中，上述的側遮光部與第一遮光層之間的夾角為30度至85度。
在本發明的一實施例中，上述的第二開口重疊第一開口。
在本發明的一實施例中，上述的第二開口不重疊第一開口。
在本發明的一實施例中，上述的側遮光部圍繞所述上遮光部。
在本發明的一實施例中，上述的感測裝置還包括發光元件，位於第二遮光層上，且發光元件的第一電極電性連接上遮光部，發光元件的第二電極電性連接側遮光部。
在本發明的一實施例中，上述的發光元件部分重疊第一感測元件。
在本發明的一實施例中，上述的發光元件包括第一發光元件及第二發光元件，且第一發光元件的光波長範圍不同於第二發光元件的光波長範圍。
在本發明的一實施例中，上述的感測裝置還包括第二感測元件，位於第一感測元件與第二遮光層之間，且第一遮光層為第二感測元件的第一電極。
在本發明的一實施例中，上述的上遮光部電性連接第二感測元件的第二電極。
在本發明的一實施例中，上述的上遮光部與側遮光部之間的間隙重疊第二感測元件。
在本發明的一實施例中，上述的感測裝置還包括第二基板及第三感測元件，其中第二基板位於第二遮光層之上，且第三感測元件位於第二基板與第二遮光層之間。
本發明的另一個實施例提出一種感測裝置，包括：第一基板；第一感測元件，位於第一基板之上，且包括：第一電極；第二電極，位於第一電極之上；以及感測層，位於第一電極與第二電極之間；第一遮光層，位於第一感測元件上，且具有第一開口，其中第一開口重疊第一電極、感測層及第二電極；第二遮光層，位於第一遮光層之上，且具有收光區及鄰接收光區的收光邊緣；以及絕緣層，位於第一遮光層與第二遮光層之間，其中第一開口於第二遮光層的正投影最遠離收光邊緣的一側與收光邊緣之間的間距相對於第二遮光層與感測層之間的最大間距之比值為0.3至1.8。
在本發明的一實施例中，上述的收光區的收光距離相對於第二遮光層與感測層之間的最大間距之比值大於或等於第二遮光層至感測裝置的上表面的距離相對於感測層至感測裝置的上表面的距離之比值。
在本發明的一實施例中，上述的收光區的收光距離相對於第一遮光層的上表面與第一開口之間的高度差之比值大於或等於第二遮光層至感測裝置的上表面的距離相對於感測層至感測裝置的上表面的距離之比值。
在本發明的一實施例中，上述的感測裝置還包括訊號線，且第一開口於第一遮光層的上表面的正投影與第一遮光層的靠近訊號線的一端之間的間距大於或等於訊號線於第一遮光層的正投影與第一遮光層之間的間距。
在本發明的一實施例中，上述的訊號線於第一遮光層的正投影鄰接第一遮光層。
在本發明的一實施例中，上述的訊號線於第一遮光層的正投影與第一遮光層之間距以及訊號線於第二遮光層的正投影與第二遮光層之間距中之較小者小於或等於相鄰的第一開口的中心之間距的一半。
在本發明的一實施例中，上述的感測裝置還包括第一感測單元及第二感測單元，其中第一感測單元包括第一感測元件、第一遮光層以及第二遮光層，第二感測單元包括第一感測元件、第二遮光層以及第三遮光層，第三遮光層於第二感測單元中相對於第一感測元件及第二遮光層的位置與第一遮光層於第一感測單元中相對於第一感測元件及第二遮光層的位置相同，且第三遮光層不具開口。
為讓本發明的上述特徵和優點能更明顯易懂，下文特舉實施例，並配合所附圖式作詳細說明如下。
在附圖中，為了清楚起見，放大了層、膜、面板、區域等的厚度。在整個說明書中，相同的附圖標記表示相同的元件。應當理解，當諸如層、膜、區域或基板的元件被稱為在另一元件「上」或「連接到」另一元件時，其可以直接在另一元件上或與另一元件連接，或者中間元件可以也存在。相反地，當元件被稱為「直接在另一元件上」或「直接連接到」另一元件時，不存在中間元件。如本文所使用的，「連接」可以指物理及/或電性連接。再者，「電性連接」或「耦接」可為二元件間存在其它元件。
應當理解，儘管術語「第一」、「第二」、「第三」等在本文中可以用於描述各種元件、部件、區域、層及/或部分，但是這些元件、部件、區域、層及/或部分不應受這些術語的限制。這些術語僅用於將一個元件、部件、區域、層或部分與另一個元件、部件、區域、層或部分區分開。因此，下面討論的第一「元件」、「部件」、「區域」、「層」或「部分」可以被稱為第二元件、部件、區域、層或部分而不脫離本文的教導。
這裡使用的術語僅僅是為了描述特定實施例的目的，而不是限制性的。如本文所使用的，除非內容清楚地指示，否則單數形式「一」、「一個」和「該」旨在包括複數形式，包括「至少一個」或表示「及/或」。如本文所使用的，術語「及/或」包括一個或多個相關所列項目的任何和所有組合。還應當理解，當在本說明書中使用時，術語「包含」及/或「包括」指定所述特徵、區域、整體、步驟、操作、元件及/或部件的存在，但不排除一個或多個其它特徵、區域、整體、步驟、操作、元件、部件及/或其組合的存在或添加。
此外，諸如「下」或「底部」和「上」或「頂部」的相對術語可在本文中用於描述一個元件與另一元件的關係，如圖所示。應當理解，相對術語旨在包括除了圖中所示的方位之外的裝置的不同方位。例如，如果一個附圖中的裝置翻轉，則被描述為在其他元件的「下」側的元件將被定向在其他元件的「上」側。因此，示例性術語「下」可以包括「下」和「上」的取向，取決於附圖的特定取向。類似地，如果一個附圖中的裝置翻轉，則被描述為在其它元件「下」或「下方」的元件將被定向為在其它元件「上方」。因此，示例性術語「下」或「下方」可以包括上方和下方的取向。
除非另有定義，本文使用的所有術語（包括技術和科學術語）具有與本發明所屬領域的普通技術人員通常理解的相同的含義。將進一步理解的是，諸如在通常使用的字典中定義的那些術語應當被解釋為具有與它們在相關技術和本發明的上下文中的含義一致的含義，並且將不被解釋為理想化的或過度正式的意義，除非本文中明確地這樣定義。
本文參考作為理想化實施例的示意圖的截面圖來描述示例性實施例。因此，可以預期到作為例如製造技術及/或公差的結果的圖示的形狀變化。因此，本文所述的實施例不應被解釋為限於如本文所示的區域的特定形狀，而是包括例如由製造導致的形狀偏差。例如，示出或描述為平坦的區域通常可以具有粗糙及/或非線性特徵。此外，所示的銳角可以是圓的。因此，圖中所示的區域本質上是示意性的，並且它們的形狀不是旨在示出區域的精確形狀，並且不是旨在限制權利要求的範圍。
圖1A是依照本發明一實施例的感測裝置10的局部上視示意圖。圖1B是沿圖1A的剖面線A-A’所作的剖面示意圖。為了使圖式的表達較為簡潔，圖1A示意性繪示第一基板110、第一遮光層130以及第二遮光層140，並省略其他構件及膜層。
請參照圖1A至圖1B，感測裝置10包括：第一基板110；第一感測元件120，位於第一基板110上；第一遮光層130，位於第一感測元件120上，且具有第一開口O1，其中第一開口O1完全重疊第一感測元件120；第二遮光層140，位於第一遮光層130上，且包括上遮光部141及側遮光部142，其中上遮光部141重疊第一遮光層130且具有第二開口O2，側遮光部142與上遮光部141分離；以及絕緣層150，位於第一遮光層130與第二遮光層140之間，且側遮光部142覆蓋絕緣層150的側壁W1。
在本發明的一實施例的感測裝置10中，第一遮光層130及第二遮光層140所構成的光機結構能夠彈性調控第一感測元件120的收光角度、收光範圍以及收光量，還能夠便利後續發光元件及其他感測元件的設置。以下，配合圖1A至圖1B，繼續說明感測裝置10的各個元件的實施方式，但本發明不以此為限。
在本實施例中，第一基板110可以是透明基板或不透明基板，其材質可以是陶瓷基板、石英基板、玻璃基板、高分子基板或其他適當材質，但不限於此。第一基板110上可設置用以形成第一感測元件120、第一遮光層130、第二遮光層140、絕緣層150以及其他訊號線、開關元件、儲存電容等的各種膜層。
第一感測元件120可以是可見光感測元件，例如感測可見光的指紋感測元件，但不以此為限。舉例而言，第一感測元件120可以包括電極E11、感測層SR1以及電極E12，其中，電極E11可以位於第一基板110與感測層SR1之間，且感測層SR1可以位於電極E11與電極E12之間。在一些實施例中，第一感測元件120可以是不可見光感測元件，例如感測紅外光（IR）的指紋感測元件。
舉例而言，電極E11的材質可以是鉬、鋁、鈦、銅、金、銀或其他導電材料、或上述兩種以上之材料的合金組合或堆疊。感測層SR1的材質可以是富矽氧化物（Silicon-Rich Oxide，SRO）、摻雜鍺之富矽氧化物或有機光電二極體等其他合適的材料。電極E12的材質較佳為透明導電材料，例如銦錫氧化物、銦鋅氧化物、鋁錫氧化物、鋁鋅氧化物、銦鎵鋅氧化物或其他合適的氧化物或者是上述至少二者之堆疊層。
在一些實施例中，感測裝置10還可以包括絕緣層I3，且絕緣層I3可以設置於第一感測元件120的電極E11以及感測層SR1與電極E12之間。絕緣層I3的材質可以包括有機材料，例如壓克力(acrylic)材料、矽氧烷(siloxane)材料、聚醯亞胺(polyimide)材料、環氧樹脂(epoxy)材料或上述材料的疊層，但本發明不以此為限。
在一些實施例中，感測裝置10還可以包括位於第一感測元件120與第一基板110之間的開關元件SW，開關元件SW可以電性連接第一感測元件120的電極E11以及訊號線SL。當開關元件SW開啟時，來自訊號線SL的訊號可被傳遞至第一感測元件120的電極E11。在一些實施例中，感測裝置10還可以包括緩衝層B1，緩衝層B1可以設置於開關元件SW與第一基板110之間，以避免第一基板110中的雜質遷移至開關元件SW中。
在一些實施例中，感測裝置10還可以包括絕緣層I1、I2，絕緣層I1、I2可以設置於開關元件SW與第一感測元件120的電極E11之間以及開關元件SW與訊號線SL之間，以避免不必要的電性連接。絕緣層I1、I2的材質可以包括透明的絕緣材料，例如氧化矽、氮化矽、氮氧化矽、上述材料的疊層或其他適合的材料，但本發明不以此為限。
第一遮光層130可以設置於第一感測元件120上。第一遮光層130具有第一開口O1，且第一開口O1於第一基板110的正投影可以完全重疊感測層SR1於第一基板110的正投影，藉以調控感測層SR1的收光範圍及收光量。
在一些實施例中，感測裝置10還可以包括絕緣層I4，絕緣層I4可以設置於第一感測元件120的電極E12與第一遮光層130之間，以避免不必要的電性連接。絕緣層I4的材質例如氧化矽、氮化矽、氮氧化矽等透明的絕緣材料。
在本實施例中，第二遮光層140的上遮光部141及側遮光部142可以完全重疊第一遮光層130，但本發明不限於此。在其他實施例中，上遮光部141或側遮光部142可以部分重疊第一遮光層130。為了便於後續說明，在本文中將第一感測元件120、重疊第一感測元件120的第一遮光層130、以及重疊第一遮光層130的上遮光部141及側遮光部142稱為一個感測單元SU。
在本實施例中，第一遮光層130的第一開口O1於第一基板110的正投影可以完全重疊上遮光部141的第二開口O2於第一基板110的正投影，使得感測層SR1的收光範圍主要來自於第一感測元件120的正上方，但本發明不限於此。在其他實施例中，第一遮光層130的第一開口O1可以部分重疊或不重疊上遮光部141的第二開口O2。
第二遮光層140的上遮光部141與第一遮光層130之間可以夾置絕緣層150。在本實施例中，上遮光部141可以完全位於絕緣層150上，但本發明不限於此。在其他實施例中，上遮光部141還可以朝向第一遮光層130延伸，且上遮光部141與第一遮光層130仍保持電性分離。
在本實施例中，絕緣層150可以具有溝槽TR，且絕緣層150的側壁W1、W2可以是構成溝槽TR的兩相對側壁。側遮光部142可以位於側壁W1那一側且沿著側壁W1設置，也就是說，側遮光部142可以覆蓋側壁W1。上遮光部141可以位於側壁W2那一側，使得側遮光部142與上遮光部141藉由溝槽TR保持分離。在一些實施例中，感測裝置10還可以包括絕緣層I5，且絕緣層I5可以設置於上遮光部141與絕緣層150之間以及側遮光部142與絕緣層150之間。
在一些實施例中，絕緣層150的溝槽TR可以重疊第一遮光層130，且側遮光部142可以沿著側壁W1朝向第一遮光層130延伸，藉以遮擋來自側遮光部142的背離第一感測元件120側的光線，尤其是來自遠方的強光。另外，第一遮光層130的第一開口O1還能夠搭配側遮光部142與上遮光部141之間的間隙GP來調控感測層SR1的收光角度，使得感測層SR1的另一個收光範圍能夠來自於第一感測元件120的左上方。
在一些實施例中，側遮光部142可以電性連接第一遮光層130。在某些實施例中，側遮光部142可以沿著側壁W1延伸至第一遮光層130，使得側遮光部142能夠實體連接第一遮光層130。如此一來，當第一遮光層130電性連接至系統電壓時，第一遮光層130還能夠充當感測裝置10的訊號線，例如共用電極線或電源線，且側遮光部142可以充當用於電性連接例如發光元件的接墊。同樣地，上遮光部141也能夠電性連接至系統電壓而充當感測裝置10的訊號線或接墊。在一些實施例中，側遮光部142與第一遮光層130之間的夾角θ可以是30度至85度，例如40度、60度或80度。
舉例而言，第一遮光層130及第二遮光層140的材質可以包括具有導電性的遮光材料，例如金屬與金屬氧化物、金屬氮氧化物、黑色樹脂或石墨之疊層，但不限於此。在一些實施例中，絕緣層150的材質可以包括有機材料，例如壓克力(acrylic)材料、矽氧烷(siloxane)材料、聚醯亞胺(polyimide)材料、環氧樹脂(epoxy)材料或上述材料的疊層。
以下，使用圖2至圖8繼續說明本發明的其他實施例，並且，沿用圖1A至圖1B的實施例的元件標號與相關內容，其中，採用相同的標號來表示相同或近似的元件，並且省略了相同技術內容的說明。關於省略部分的說明，可參考圖1A至圖1B的實施例，在以下的說明中不再重述。
圖2A是依照本發明一實施例的感測裝置20的局部上視示意圖。圖2B是沿圖2A的剖面線B-B’所作的剖面示意圖。在本實施例中，感測裝置20可以包括：第一基板110、第一感測元件120、第一遮光層130、第二遮光層240以及絕緣層150。為了使圖式的表達較為簡潔，圖2A省略了第一遮光層130。
與如圖1A至圖1B所示的感測裝置10相比，圖2A至圖2B所示的感測裝置20的不同之處主要在於：感測裝置20的第二遮光層240的側遮光部242具有U形的俯視輪廓，且感測裝置20還可以包括發光元件LD。
舉例而言，請參照圖2A，在本實施例中，第二遮光層240可以包括上遮光部241以及側遮光部242，且側遮光部242可以三面圍繞上遮光部241的非電性連接發光元件LD的一端，而呈現U形的輪廓。
請參照圖2B，圖2B顯示感測裝置20的兩個感測單元SU1、SU2，且發光元件LD的兩個電極可以分別電性連接上遮光部241及側遮光部242。舉例而言，在本實施例中，發光元件LD可以包括發光本體EL、第一電極EA以及第二電極EB，其中發光元件LD的第一電極EA可以電性連接感測單元SU1的上遮光部241，且發光元件LD的第二電極EB可以電性連接感測單元SU2的側遮光部242，換句話說，發光元件LD可以跨接於兩個感測單元之間。
在一些實施例中，發光元件LD的第一電極EA可以電性連接感測單元SU1的上遮光部241，且發光元件LD的第二電極EB可以電性連接感測單元SU1的側遮光部242。也就是說，在某些情況下，發光元件LD也可以電性連接同一感測單元SU1的上遮光部241及側遮光部242。
在一些實施例中，感測裝置20還可以包括訊號線SL1、SL2，訊號線SL1、SL2例如可以獨立為共用電極線、電源線、掃描線或資料線。舉例而言，上遮光部241可以電性連接至訊號線SL1，側遮光部242可以電性連接至訊號線SL2。如此一來，發光元件LD的第一電極EA及第二電極EB可以分別通過上遮光部241及側遮光部242電性連接訊號線SL1、SL2。
在本實施例中，發光元件LD設置於第一感測元件120之上，且發光元件LD於第一基板110的正投影可以在第一感測元件120的感測層SR1於第一基板110的正投影之外。換句話說，發光元件LD可以不重疊第一感測元件120的感測層SR1，以免影響感測層SR1接收來自正上方的光線。另外，由於作為光源的發光元件LD並非與第一感測元件120設置於相同膜層，第一感測元件120之間不需為發光元件LD預留設置位置。再者，由於發光元件LD並非設置於第一感測元件120下方，第一感測元件120之間不需為發光元件LD預留其光路所需的開口區，因此能夠提高第一感測元件120的設置密度。
在本實施例中，發光元件LD的第一電極EA以及第二電極EB設置在發光本體EL的同一側，換句話說，發光元件LD可以是水平式微型發光二極體，但不限於此。在一些實施例中，發光元件LD可以是垂直式微型發光二極體。發光元件LD可以是於生長基板上製造後，透過巨量轉移製程轉置於第一基板110上，且第一電極EA可以充當或電性連接發光元件LD的陽極，第二電極EB可以充當或電性連接發光元件LD的陰極。發光本體EL例如可以包括經摻雜的（doped）及未經摻雜的（undoped）半導體材料的疊層，第一電極EA以及第二電極EB的材質可以包括鉬、鋁、鈦、銅、金、銀或其他導電材料、或上述兩種以上之材料的合金組合或堆疊層、或其他合適的材料。
發光元件LD的排列方式可以取決於第一感測元件120所需的光量。舉例而言，在本實施例中，發光元件LD可以陣列排列於第一基板110上，且發光元件LD可以發可見光（例如紅光、綠光或藍光）或不可見光（例如紅外光）。當發光元件LD發可見光時，第一感測元件120可以是可見光感測元件，例如能夠感測可見光的指紋感測元件。當發光元件LD發不可見光時，第一感測元件120可以是不可見光感測元件，例如能夠感測紅外光的指紋感測元件。在某些實施例中，第一感測元件120可以是有機光電二極體。
在一些實施例中，感測裝置20還可以包括蓋板CV以及絕緣層I6，其中蓋板CV可以設置於發光元件LD上，絕緣層I6可以位於蓋板CV與絕緣層150之間，且絕緣層I6可以填入溝槽TR中。當手指FG靠近蓋板CV時，發光元件LD發出的光束LR1可在被手指FG反射後通過第二開口O2及第一開口O1而進入第一感測元件120的感測層SR1，且發光元件LD發出的光束LR2可在被手指FG反射後通過間隙GP及第一開口O1而進入第一感測元件120的感測層SR1，使得第一感測元件120主要能夠藉由接收光束LR1及光束LR2經手指FG反射的反射光來進行感測。值得注意的是，由於側遮光部242三面圍繞上遮光部241的一端，因此側遮光部242能夠遮擋來自側遮光部142的背離第一感測元件120的三側的橫向光線，尤其是來自遠方的強光，進而避免光束LR1、LR2經手指FG反射後的反射光與來自遠方的強光產生混光，藉以提高第一感測元件120的訊噪比（Signal-to-noise ratio）。另外，間隙GP的U形輪廓還能夠將感測層SR1對於光束LR2經手指FG反射的反射光的收光角度調控於三側的特定角度。
圖3是依照本發明一實施例的感測裝置30的局部上視示意圖。感測裝置30可以包括：第一基板110、第二遮光層240、發光元件LD以及訊號線SL1、SL2。與如圖2A至圖2B所示的感測裝置20相比，圖3所示的感測裝置30的不同之處主要在於：感測裝置30的發光元件LD可以斜向排列。
舉例而言，在本實施例中，感測裝置30可以包括感測單元SUa~SUd，其中發光元件LD可以配置於感測單元SUb與感測單元SUc之間，且發光元件LD的一個電極可以電性連接感測單元SUb的上遮光部241，發光元件LD的另一個電極可以電性連接感測單元SUc的側遮光部242。如此一來，發光元件LD可以視感測元件所需的收光角度及收光量以斜向的方位陣列排列於多個感測單元上，從而增加發光元件LD的設置彈性。
圖4是依照本發明一實施例的感測裝置40的局部上視示意圖。感測裝置40可以包括：第一基板110、第二遮光層240、發光元件LD以及訊號線SL1、SL2。與如圖2A至圖2B所示的感測裝置20相比，圖4所示的感測裝置40的不同之處主要在於：感測裝置40的發光元件LD可以跨接四個感測單元。
舉例而言，在本實施例中，感測裝置40的發光元件LD可以跨接於感測單元SUa~SUd之間，其中發光元件LD的一個電極可以電性連接感測單元SUa及感測單元SUb的上遮光部241，且發光元件LD的另一個電極可以電性連接感測單元SUc及感測單元SUd的側遮光部242。如此一來，發光元件LD能夠視感測元件所需的收光角度及收光量以跨接四個感測單元的方式陣列排列於多個感測單元上。在一些實施例中，感測裝置40還可以局部設置以如圖2A或圖3所示的排列方式配置的發光元件LD，進而於局部提供不同的感測功效。
圖5是依照本發明一實施例的感測裝置50的局部剖面示意圖。在本實施例中，感測裝置50可以包括：第一基板110、第一感測元件120、第一遮光層130、第二遮光層240、絕緣層150、發光元件LD以及蓋板CV。與如圖2A至圖2B所示的感測裝置20相比，圖5所示的感測裝置50的不同之處主要在於：感測裝置50的發光元件LD可以部分重疊第一感測元件120。
舉例而言，在本實施例中，第二遮光層240的上遮光部241的第二開口O2可以側向偏移而不重疊第一遮光層130的第一開口O1，使得發光元件LD能夠偏移至部分重疊第一感測元件120的感測層SR1的位置。如此一來，可以減小感測單元SU以及發光元件LD於第一基板110的正投影面積，即感測單元SU以及發光元件LD於第一基板110上的佔地面積，使得第一基板110上能夠設置數量更多的感測單元SU以及發光元件LD，藉以提高感測解析度。在此情況下，經手指FG反射且通過第二開口O2及第一開口O1的光束LR3仍可斜向射入第一感測元件120的感測層SR1。
在一些實施例中，還可以進一步縮小第二遮光層240的上遮光部241與側遮光部242之間的間隙GP，藉以進一步縮小感測單元SU及發光元件LD的整體布局面積。在此情況下，第一感測元件120可以不經由間隙GP收光，且間隙GP的尺寸只要能夠使上遮光部241與側遮光部242之間保持電性分離即可。
圖6A是依照本發明一實施例的感測裝置60的局部上視示意圖。圖6B是沿圖6A的剖面線C-C’所作的剖面示意圖。在本實施例中，感測裝置60可以包括：第一基板110、第一感測元件120、第一遮光層130、第二遮光層240、絕緣層150、發光元件LD以及蓋板CV。與如圖5所示的感測裝置50相比，圖6A至圖6B所示的感測裝置60的不同之處主要在於：感測裝置60還可以包括第二感測元件620。
舉例而言，在本實施例中，第二感測元件620可以位於第一遮光層130與絕緣層150之間，且第二感測元件620可以包括第一遮光層130、感測層SR2以及電極E2，其中，第一遮光層130可以作為第二感測元件620的下電極，電極E2可以作為第二感測元件620的上電極，感測層SR2可以位於第一遮光層130與電極E2之間，且電極E2可以電性連接第二遮光層240的上遮光部241。
在一些實施例中，上遮光部241還可以包括延伸部241a，且延伸部241a可以沿著絕緣層150的側壁W3延伸至電極E2，使得電極E2能夠實體連接上遮光部241。在一些實施例中，第二遮光層240的上遮光部241與側遮光部242之間的間隙GP於第一基板110的正投影可以部分重疊第二感測元件620的感測層SR2於第一基板110的正投影。在某些實施例中，間隙GP於第一基板110的正投影可以不重疊感測層SR2於第一基板110的正投影。
在一些實施例中，第二感測元件620主要可接收經手指FG反射且通過間隙GP的光束LR4。由於上遮光部241的延伸部241a朝向第二感測元件620延伸而連接電極E2，延伸部241a還能夠阻止通過間隙GP的光束LR4進入第一感測元件120，使得第一感測元件120僅接收經手指FG反射且通過第二開口O2及第一開口O1的光束LR3。換句話說，延伸部241a能夠為第一感測元件120遮擋來自延伸部241a的背離第一感測元件120側的側向光，且延伸部241a及側遮光部242能夠為第二感測元件620遮擋來自四周的側向光，使得實質上僅有來自第二感測元件620上方且通過間隙GP的光束LR4能夠進入第二感測元件620的感測層SR2。
在本實施例中，感測層SR2的材質可以是摻雜鍺之富矽氧化物或有機光電二極體等其他合適的材料。電極E2的材質較佳為透明導電材料，例如銦錫氧化物、銦鋅氧化物、鋁錫氧化物、鋁鋅氧化物、銦鎵鋅氧化物或其他合適的氧化物或者是上述至少二者之堆疊層。
在一些實施例中，感測裝置60的發光元件LD可以包括發光元件LD1、LD2，且發光元件LD1發出的光之波長範圍可以不同於發光元件LD2發出的光之波長範圍。舉例而言，發光元件LD1可以發可見光，例如紅光、綠光或藍光，且發光元件LD2可以發不可見光，例如紅外光。發光元件LD1、LD2的排列方式並無特殊限制，可以視第一感測元件120以及第二感測元件620所需的光源及光量來決定發光元件LD1、LD2的排列方式。舉例而言，當第一感測元件120為可見光感測元件且第二感測元件620為不可見光感測元件時，發光元件LD1、LD2可以以交替的方式排列於第一感測元件120及第二感測元件620之上。如此一來，請參照圖6B，對於設置於發光元件LD1右下側的第一感測元件120及第二感測元件620而言，發光元件LD1發出後經手指FG反射的光束LR3可被第一感測元件120感測到，而發光元件LD1發出後經手指FG反射的光束LR4並無法被第二感測元件620感測到。類似地，對於設置於發光元件LD2右下側的第一感測元件120及第二感測元件620而言，發光元件LD2發出後經手指FG反射且通過第二開口O2及第一開口O1的光束並無法被第一感測元件120感測到，且發光元件LD2發出後經手指FG反射且通過間隙GP的光束可被第二感測元件620感測到。
圖7是依照本發明一實施例的感測裝置70的局部剖面示意圖。在本實施例中，感測裝置70可以包括：第一基板110、第一感測元件120、第二感測元件620、第一遮光層130、第二遮光層240、絕緣層150、發光元件LD1、LD2以及蓋板CV。
與如圖6A至圖6B所示的感測裝置60相比，圖7所示的感測裝置70的不同之處主要在於：感測裝置70還可以包括微透鏡結構ML1、ML2。舉例而言，在本實施例中，微透鏡結構ML1可以設置於第二開口O2，且微透鏡結構ML2可以設置於間隙GP。微透鏡結構ML1、ML2可以是中心厚度較邊緣厚度大的透鏡結構，例如對稱雙凸透鏡、非對稱雙凸透鏡、平凸透鏡或凹凸透鏡。微透鏡結構ML1、ML2能夠改善光學聚焦點與收光角度，同時降低散射光或折射光所導致的漏光及混光問題，藉以減少光損耗，進而提高第一感測元件120以及第二感測元件620的訊噪比。
在本實施例中，不同於圖6B所示的是，上遮光部241的延伸部241a可以沿著絕緣層150的溝槽TR的側壁W2延伸至電極E2，以使電極E2實體連接上遮光部241，且延伸部241a與側遮光部242保持電性分離。在一些實施例中，第二感測元件620可以部分位於溝槽TR內。如此一來，第二感測元件620主要可接收經手指FG反射且通過微透鏡結構ML2及間隙GP的光束LR6。由於上遮光部241的延伸部241a朝向第二感測元件620延伸而連接電極E2，延伸部241a能夠阻止通過間隙GP的光束LR6進入第一感測元件120，使得第一感測元件120僅接收經手指FG反射且通過微透鏡結構ML1、第二開口O2及第一開口O1的光束LR5。換句話說，延伸部241a能夠為第一感測元件120遮擋來自延伸部241a的背離第一感測元件120側的側向光，且延伸部241a及側遮光部242能夠為第二感測元件620遮擋來自四周的側向光，使得僅有通過間隙GP的光束LR6能夠進入感測層SR2。
圖8A是依照本發明一實施例的感測裝置80的局部上視示意圖。圖8B是沿圖8A的剖面線D-D’所作的剖面示意圖。在本實施例中，感測裝置80可以包括：第一基板110、第一感測元件120、第一遮光層130、第二遮光層240、絕緣層150以及發光元件LD。
與如圖5所示的感測裝置50相比，圖8所示的感測裝置80的不同之處主要在於：感測裝置80還包括第二基板810及第三感測元件820，其中，第二基板810位於發光元件LD之上，第一感測元件120、發光元件LD以及第三感測元件820位於第一基板110與第二基板810之間，且第三感測元件820位於第二基板810與第二遮光層240之間。
在本實施例中，第三感測元件820可以位於第二基板810與發光元件LD之間，且第一感測元件120及第三感測元件820可以分別位於發光元件LD的不同側或相對側。藉由將設置有第一感測元件120及發光元件LD的第一基板110與設置有第三感測元件820的第二基板810對組，即可完成感測裝置80的製作。感測裝置80的雙基板設計能夠有助於防濕及增強結構穩定性，進而提高感測裝置80的可靠度。
在本實施例中，第三感測元件820可以是不可見光感測元件，例如有機光電二極體（Organic Photodiode，OPD），以用於感測血氧濃度或心跳，或擷取靜脈圖像以用於活體防偽，或是用於擷取指紋圖像。舉例而言，第三感測元件820可以包括電極E21、電洞傳輸層HT、光敏層PT、電子傳輸層ET以及電極E22，其中電子傳輸層ET、光敏層PT以及電洞傳輸層HT位於電極E21與電極E22之間，且電子傳輸層ET可以位於光敏層PT與第二基板810之間，但不限於此。在一些實施例中，電洞傳輸層HT可以位於光敏層PT與第二基板810之間。另外，在某些實施例中，第一感測元件120及第三感測元件820可以皆為不可見光感測元件，且第一感測元件120與第三感測元件820的感測波長範圍可以不同。
舉例而言，電極E21可以是不透明導電材料，例如銀層或鋁層。電洞傳輸層HT可以包括PEDOT:PSS（poly(3,4-ethylene- dioxythiophene:polystyrene sulfonate)），或是高功函數金屬氧化物，例如MoO
3。光敏層PT可以包括在紅外光區域及/或近紅外光（NIR）區域進行吸收的光敏性聚合物，例如P3HT:PCBM（poly(3-hexylthiophene):[6,6]-phenyl-C61-butyric acid methyl ester）或PDPP3T-PCBM（poly-(diketopyrrole-terthiophene):[6,6]- phenyl-C61-butyric acid methyl ester）。電子傳輸層ET可以包括氧化鋅（ZnO）或鋁鋅氧化物（AZO），且電極E22的材質可以是透明導電材料，例如銦錫氧化物（ITO）。
在一些實施例中，感測裝置80還可以包括平坦層P6、P7以及絕緣層I9，其中，電洞傳輸層HT可以位於絕緣層I9的開口O3中，平坦層P6可以位於電洞傳輸層HT以及絕緣層I9與第二基板810之間，且平坦層P7可以位於電極E21以及絕緣層I9與發光元件LD之間。
在一些實施例中，感測裝置80還可以包括微透鏡結構ML，且微透鏡結構ML可以覆蓋第二開口O2。在一些實施例中，感測裝置80還可以包括位於第三感測元件820與第二基板810之間的訊號線SL3。訊號線SL3可以電性連接第三感測元件820的電極E22，且訊號線SL3可以包含例如阻值較低的金屬材料。當包含透明導電材料的電極E22具有較大阻值時，訊號線SL3有助於提高至電極E22的訊號傳輸率。
在一些實施例中，感測裝置80還可以包括緩衝層B2，緩衝層B2可以設置於訊號線SL3與第二基板810之間。在一些實施例中，感測裝置80還可以包括絕緣層I7、I8，且絕緣層I7、I8可以設置於訊號線SL3與第三感測元件820的電極E22之間，以避免不必要的電性連接。
在本實施例中，感測裝置80的發光元件LD可以包括發光元件LD1、LD2，且發光元件LD1可以發可見光，發光元件LD2可以發不可見光，但不限於此。在一些實施例中，發光元件LD1、LD2可以發顏色不同的可見光，例如紅光、綠光、藍光或白光。在一些實施例中，發光元件LD1、LD2可以發波長不同的不可見光。
發光元件LD1、LD2的排列方式可以取決於第一感測元件120以及第三感測元件820所需的光量。舉例而言，發光元件LD1、LD2可以交替排列，且當使用者以其手指FG觸摸第二基板810來進行諸如指紋、靜脈圖像、血氧濃度、血壓、心跳等感測時，發光元件LD1發出的可見光LR7可在被手指FG反射後通過微透鏡結構ML、第二開口O2以及第一開口O1再進入第一感測元件120，且發光元件LD2發出的不可見光LR8可被手指FG反射至第三感測元件820，使得第三感測元件820可以配合發光元件LD2於局部提供諸如指紋辨識、活體防偽或血氧濃度感測等功能。由於第三感測元件820非常靠近手指FG，因此第三感測元件820可不需搭配光準直結構，但本發明不以此為限。
圖9A是依照本發明一實施例的感測裝置90的局部上視示意圖。圖9B是沿圖9A的剖面線E-E’所作的剖面示意圖。在本實施例中，感測裝置90可以包括：第一基板110、第一感測元件120、第一遮光層130、第二遮光層340、絕緣層150、光源LS以及訊號線SL1、SL2。第一感測元件120位於第一基板110之上，且包括：第一電極E11；第二電極E12，位於第一電極E11之上；以及感測層SR1，位於第一電極E11與第二電極E12之間。第一遮光層130位於第一感測元件120上，第二遮光層340位於第一遮光層130之上，且具有收光區RA及鄰接收光區RA的收光邊緣RE。絕緣層150位於第一遮光層130與第二遮光層340之間。光源LS位於第一基板110的遠離第一感測元件120的一側。訊號線SL1、SL2例如可以提供閘極訊號或可以做為資料線。
在本實施例中，感測裝置90可以包括多個感測單元SU3，其中感測單元SU3包括第一感測元件120、第一遮光層130以及第二遮光層340，感測單元SU3中的第一遮光層130具有第一開口O1，且第一開口O1重疊第一電極E11、感測層SR1及第二電極E12。在一些實施例中，感測裝置90還可以包括參考感測單元SU4，參考感測單元SU4包括第一感測元件120、第二遮光層340以及第三遮光層330，第三遮光層330於參考感測單元SU4中相對於第一感測元件120及第二遮光層340的位置與第一遮光層130於感測單元SU3中相對於第一感測元件120及第二遮光層340的位置相同，且參考感測單元SU4中的第三遮光層330不具第一開口O1，因此，參考感測單元SU4可用於感測背景雜散光。如此一來，可以用演算法將感測單元SU3的偵測訊號扣除參考感測單元SU4的偵測訊號，以減少背景雜訊所造成的誤差。
在本實施例中，第二遮光層340可以包括上遮光部341以及側遮光部342，其中上遮光部341與側遮光部342之間具有間隙GP，且側遮光部342可以連接上遮光部341。上遮光部341可以具有第二開口O2，由於第二開口O2可以結合第一開口O1而用作第一感測元件120的光準直結構，因此，也可以將第二開口O2定義為第二遮光層340的收光區RA，且可以將上遮光部341的鄰接第二開口O2的邊緣定義為第二遮光層340的收光邊緣RE。換句話說，收光邊緣RE可鄰接第二開口O2。
在本實施例中，第一開口O1於第二遮光層340的正投影P1與收光邊緣RE之間的最小間距D1相對於第二遮光層340與感測層SR1之間的最大間距D2之比值可以為0.3至0.85，也就是0.3≤D1/D2≤0.85，例如D1/D2可以是0.4、0.6或0.8。如此一來，能夠減少來自光源LS的光於手指FG的指紋紋谷FV反射之後進入感測層SR1的光量，進而提高手指FG的指紋紋脊FR的反射光量相對於指紋紋谷FV的反射光量之比值，從而改善感測裝置90對於指紋的感測影像對比度。
在一些實施例中，第一開口O1於第二遮光層340的正投影P1最遠離收光邊緣RE的一側與收光邊緣RE之間的間距D3相對於第二遮光層340與感測層SR1之間的最大間距D2之比值（D3/D2）可以為0.3至1.8，例如D3/D2可以是0.5、1.0或1.5，藉以使進入感測層SR1的光中來自指紋紋谷FV的反射光之比例降低，進而提高手指FG的指紋紋脊FR的反射光量相對於指紋紋谷FV的反射光量之比值，從而改善感測裝置90對於指紋的感測影像對比度。
在一些實施例中，最小間距D1可以大於0μm且小於8μm，例如2μm、4μm或6μm。在一些實施例中，最大間距D2可以大於2μm且小於22μm，例如5μm、10μm或20μm。在一些實施例中，間距D3可以大於0μm且小於24μm，例如8μm、12μm或22μm。
在一些實施例中，感測裝置90還可以包括蓋板CV以及封裝層EP，其中封裝層EP可以位於蓋板CV與第二遮光層340之間，封裝層EP例如可以為第二遮光層340阻絕水氣，且蓋板CV可以構成感測裝置90的上表面。
在某些實施例中，第二遮光層340至感測裝置90的上表面可以具有距離D4，感測層SR1至感測裝置90的上表面可以具有距離D5，且第二遮光層340的收光區RA（或第二開口O2）可以具有收光距離D。為了避免相鄰感測單元的收光區之間發生訊號串擾（cross-talk），感測單元SU3的最小收光範圍SR
min較佳不小於距離D4，因此，可以得到以下關係式：
SR
min= D5(tanθ2-tanθ1) = D5[(D1+D)/D2-D1/D2] = D5(D/D2) ≥ D4
因此，D/D2 ≥ D4/D5。換句話說，收光區RA（或第二開口O2）的收光距離D相對於第二遮光層340與感測層SR1之間的最大間距D2之比值較佳大於或等於第二遮光層340至感測裝置90的上表面的距離D4相對於感測層SR1至感測裝置90的上表面的距離D5之比值。
在一些實施例中，距離D4可以大於0μm且小於125μm，例如30μm、70μm或110μm。在一些實施例中，距離D5可以大於2μm且小於150μm，例如40μm、80μm或120μm。
在一些實施例中，感測單元SU3可以具有不透光區MA以及透光區TA，其中不透光區MA可以是第一遮光層130、第二遮光層340以及訊號線SL2存在的區域，而不存在第一遮光層130、第二遮光層340以及訊號線SL2的區域即為透光區TA。另外，感測單元SU3沿訊號線SL1的方向可以具有長度L，且長度L可以是兩相鄰的第一開口O1的中心之間距。透光區TA沿訊號線SL1的方向可以具有寬度S，換句話說，寬度S是訊號線SL2於第一遮光層130的正投影與第一遮光層130之間距以及訊號線SL2於第二遮光層340的正投影與第二遮光層340之間距中之較小者。在某些實施例中，寬度S較佳大於或等於零且小於或等於長度L的一半，也就是說，0 ≤ S ≤ 1/2L。
在一些實施例中，在感測單元SU3中，第一開口O1於第一遮光層130的上表面的正投影與第一遮光層130的靠近訊號線SL2的一端之間的間距D6可以大於或等於訊號線SL2於第一遮光層130的正投影與第一遮光層130之間的間距D7，以利於接收大角度指紋反射光訊號。在一些實施例中，訊號線SL2於第一遮光層130的正投影可以鄰接第一遮光層130，換句話說，間距D7可以是零，以將小角度的雜散光減到最少。
圖10A是依照本發明一實施例的感測裝置100的局部上視示意圖。圖10B是沿圖10A的剖面線F-F’所作的剖面示意圖。圖10C是圖10A的感測裝置100於不同收光角度位置對應不同光入射角度的收光量分布模擬圖。
請同時參照圖10A及圖10B，感測裝置100可以包括：第一基板110、第一感測元件120、第一遮光層130、第二遮光層440、絕緣層150、光源LS以及訊號線SL1、SL2。第一感測元件120位於第一基板110之上，且包括：第一電極E11；第二電極E12，位於第一電極E11之上；以及感測層SR1，位於第一電極E11與第二電極E12之間。第一遮光層130位於第一感測元件120上，第二遮光層440位於第一遮光層130之上，且具有收光區RA及鄰接收光區RA的收光邊緣RE。絕緣層150位於第一遮光層130與第二遮光層440之間。光源LS位於第一基板110的遠離第一感測元件120的一側。
在本實施例中，感測裝置100可以包括多個感測單元SU5，其中感測單元SU5中的第一遮光層130具有第一開口O1，且第一開口O1重疊第一電極E11、感測層SR1及第二電極E12。在一些實施例中，感測裝置100還可以包括參考感測單元SU6，且參考感測單元SU6中的第一遮光層130不具第一開口O1，因此，參考感測單元SU6可用於感測背景雜散光。如此一來，可以演算法將感測單元SU5的偵測訊號扣除參考感測單元SU6的偵測訊號，以減少背景雜訊所造成的誤差。
在本實施例中，第二遮光層440可以包括上遮光部441以及側遮光部442，其中上遮光部441位於絕緣層150上，側遮光部442可以連接上遮光部441，且側遮光部442可以沿著絕緣層150的側壁W4朝向第一感測元件120延伸，使得第二遮光層440能夠遮擋來自第一感測元件120正上方及小角度斜向入射的光線，且經手指FG反射的光線僅能從第二遮光層440與第一遮光層130之間的絕緣層150中的側向透光開口OP進入第一感測元件120的感測層SR1。如此一來，僅有斜向大角度的光能夠通過開口OP及第一開口O1而進入感測層SR1。因此，也可以將開口OP定義為第二遮光層340的收光區RA，且可以將上遮光部441的鄰接開口OP的邊緣定義為第二遮光層440的收光邊緣RE。
在本實施例中，第一開口O1於第二遮光層440的正投影P2與收光邊緣RE之間的最小間距D1相對於第二遮光層440與感測層SR1之間的最大間距D2之比值可以為0.3至0.85，也就是0.3≤D1/D2≤0.85，例如D1/D2可以是0.4、0.6或0.8。如此一來，增加D1可減少來自光源LS的光於手指FG的指紋紋谷FV反射之後進入感測層SR1的光量，進而提高手指FG的指紋紋脊FR的反射光量相對於指紋紋谷FV的反射光量之比值，從而改善感測裝置100對於指紋的感測影像對比度。
在一些實施例中，第一開口O1於第二遮光層440的正投影P2最遠離收光邊緣RE的一側與收光邊緣RE之間的間距D3相對於第二遮光層440與感測層SR1之間的最大間距D2之比值（D3/D2）可以為0.3至1.8，其中最佳者為0.85至1.8，例如D3/D2可以是0.5、1.0或1.5，藉以使進入感測層SR1的光中來自指紋紋谷FV的反射光之比例降低，進而提高手指FG的指紋紋脊FR的反射光量相對於指紋紋谷FV的反射光量之比值，從而改善感測裝置100對於指紋的感測影像對比度。
在一些實施例中，感測裝置100還可以包括蓋板CV以及封裝層EP，其中封裝層EP可以位於蓋板CV與第二遮光層440之間，封裝層EP例如可以為第二遮光層440阻絕水氣，且蓋板CV可以構成感測裝置100的上表面。
在某些實施例中，第二遮光層440至感測裝置100的上表面可以具有距離D4，感測層SR1至感測裝置100的上表面可以具有距離D5，第一遮光層130的上表面與第一開口O1可以具有高度差H，第二遮光層440的收光區RA可以具有收光距離D，且收光距離D可以是第一遮光層130的轉角UA於第二遮光層440的正投影與收光邊緣RE之間的間距。為了避免相鄰感測單元的收光區之間發生訊號串擾（cross-talk），感測單元SU5的最小收光範圍SR
min較佳不小於距離D4，因此，可以得到以下關係式：
SR
min= D5(tanθ4-tanθ3) = D5[(D1+D)/H-D1/H] = D5(D/H) ≥ D4
因此，D/H ≥ D4/D5。換句話說，收光區RA的收光距離D相對於第一遮光層130的上表面與第一開口O1之間的高度差H之比值較佳大於或等於第二遮光層440至感測裝置100的上表面的距離D4相對於感測層SR1至感測裝置100的上表面的距離D5之比值。
在一些實施例中，感測單元SU5可以具有不透光區MA以及透光區TA，其中不透光區MA可以是第一遮光層130、第二遮光層440以及訊號線SL2存在的區域，而不存在第一遮光層130、第二遮光層440以及訊號線SL2的區域即為透光區TA。在某些實施例中，感測單元SU5沿訊號線SL1的方向可以具有長度L，透光區TA沿訊號線SL1的方向可以具有寬度S，且寬度S可以等於長度L的一半，也就是說，S = 1/2L。
在本實施例中，在感測單元SU5中，第一開口O1於第一遮光層130的上表面的正投影與第一遮光層130的靠近訊號線SL2的一端之間的間距D6可以大於或等於訊號線SL2於第一遮光層130的正投影與第一遮光層130之間的間距D7，且間距D7接近零，例如間距D7約為0.3μm。從圖10C的收光量分布模擬圖可以看出，小角度的雜散光量明顯減少。
圖11A是依照本發明一實施例的感測裝置100V的局部上視示意圖。圖11B是沿圖11A的剖面線G-G’所作的剖面示意圖。圖11C是圖11A的感測裝置100V於不同收光角度位置對應不同光入射角度的收光量分布模擬圖。
請同時參照圖11A及圖11B，感測裝置100V可以包括：第一基板110、第一感測元件120、第一遮光層130、第二遮光層440、絕緣層150、光源LS以及訊號線SL1、SL2。
與如圖10A至圖10B所示的感測裝置100相比，圖11A至圖11B所示的感測裝置100V的不同之處主要在於：感測裝置100V的間距D7大於感測裝置100的間距D7，例如感測裝置100V的間距D7約為1/4L或約為10μm。從圖11C的收光量分布模擬圖可以看出，感測裝置100V的小角度雜散光量明顯多於圖10C所示的感測裝置100的小角度雜散光量。由此可以證實，將間距D7縮短確實能夠有效避開小角度的雜散光。
綜上所述，本發明的感測裝置藉由第一遮光層及第二遮光層所構成的光機結構能夠彈性調控感測元件的收光角度及收光量，進而有效提高感測元件的訊噪比。另外，本發明的感測裝置能夠利用第一遮光層及第二遮光層來做為發光元件的訊號線，藉以簡化感測元件與發光元件的整合結構。此外，本發明的感測裝置還能夠彈性決定發光元件的配置位置，使得感測裝置的應用領域更為廣泛。
雖然本發明已以實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明，任何所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本發明的精神和範圍內，當可作些許的更動與潤飾，故本發明的保護範圍當視後附的申請專利範圍所界定者為準。
10~90、100、100V:感測裝置
110:第一基板
120:第一感測元件
130:第一遮光層
140, 240, 340, 440:第二遮光層
141, 241, 341, 441:上遮光部
241a:延伸部
142, 242, 342, 442:側遮光部
150:絕緣層
620:第二感測元件
810:第二基板
820:第三感測元件
A-A’, B-B’, C-C’, D-D’, E-E’, F-F’, G-G’:剖面線
B1, B2:緩衝層
CV:蓋板
D:收光距離
D1:最小間距
D2:最大間距
D3, D6, D7:間距
D4, D5:距離
E11, E12, E2, E21, E22:電極
EA:第一電極
EB:第二電極
EL:發光本體
EP:封裝層
ET:電子傳輸層
FG:手指
FR:紋脊
FV:紋谷
GP:間隙
H:高度差
HT:電洞傳輸層
I1~I9:絕緣層
L:長度
LD, LD1, LD2:發光元件
LR1~LR8:光束
LS:光源
MA:不透光區
ML, ML1、ML2:微透鏡結構
O1:第一開口
O2:第二開口
O3:開口
OP:開口
P1, P2:正投影
P6, P7:平坦層
PT:光敏層
RA:收光區
RE:收光邊緣
S:寬度
SL, SL1, SL2, SL3:訊號線
SR1, SR2:感測層
SR
min:最小收光範圍
SU, SU1~SU6, SUa, SUb, SUc, SUd:感測單元
SW:開關元件
TA:透光區
TR:溝槽
UA:轉角
W1, W2, W3, W4:側壁
θ:夾角
圖1A是依照本發明一實施例的感測裝置10的局部上視示意圖。
圖1B是沿圖1A的剖面線A-A’所作的剖面示意圖。
圖2A是依照本發明一實施例的感測裝置20的局部上視示意圖。
圖2B是沿圖2A的剖面線B-B’所作的剖面示意圖。
圖3是依照本發明一實施例的感測裝置30的局部上視示意圖。
圖4是依照本發明一實施例的感測裝置40的局部上視示意圖。
圖5是依照本發明一實施例的感測裝置50的局部剖面示意圖。
圖6A是依照本發明一實施例的感測裝置60的局部上視示意圖。
圖6B是沿圖6A的剖面線C-C’所作的剖面示意圖。
圖7是依照本發明一實施例的感測裝置70的局部剖面示意圖。
圖8A是依照本發明一實施例的感測裝置80的局部上視示意圖。
圖8B是沿圖8A的剖面線D-D’所作的剖面示意圖。
圖9A是依照本發明一實施例的感測裝置90的局部上視示意圖。
圖9B是沿圖9A的剖面線E-E’所作的剖面示意圖。
圖10A是依照本發明一實施例的感測裝置100的局部上視示意圖。
圖10B是沿圖10A的剖面線F-F’所作的剖面示意圖。
圖10C是圖10A的感測裝置100於不同收光角度位置對應不同光入射角度的收光量分布模擬圖。
圖11A是依照本發明一實施例的感測裝置100V的局部上視示意圖。
圖11B是沿圖11A的剖面線G-G’所作的剖面示意圖。
圖11C是圖11A的感測裝置100V於不同收光角度位置對應不同光入射角度的收光量分布模擬圖。
10:感測裝置
110:第一基板
120:第一感測元件
130:第一遮光層
140:第二遮光層
141:上遮光部
142:側遮光部
150:絕緣層
B1:緩衝層
E11, E12:電極
GP:間隙
I1~I5:絕緣層
O1:第一開口
O2:第二開口
SL:訊號線
SR1:感測層
SU:感測單元
SW:開關元件
TR:溝槽
W1, W2:側壁
θ:夾角
Claims (10)
- 一種感測裝置，包括： 第一基板； 第一感測元件，位於所述第一基板之上，且包括： 第一電極； 第二電極，位於所述第一電極之上；以及 感測層，位於所述第一電極與所述第二電極之間； 第一遮光層，位於所述第一感測元件上，且具有第一開口，其中所述第一開口重疊所述第一電極、所述感測層及所述第二電極； 第二遮光層，位於所述第一遮光層之上，且具有收光區及鄰接所述收光區的收光邊緣；以及 絕緣層，位於所述第一遮光層與所述第二遮光層之間， 其中所述第一開口於所述第二遮光層的正投影最遠離所述收光邊緣的一側與所述收光邊緣之間的間距相對於所述第二遮光層與所述感測層之間的最大間距之比值為0.3至1.8。
- 如請求項1所述的感測裝置，其中所述收光區的收光距離相對於所述第二遮光層與所述感測層之間的最大間距之比值大於或等於所述第二遮光層至所述感測裝置的上表面的距離相對於所述感測層至所述感測裝置的所述上表面的距離之比值。
- 如請求項1所述的感測裝置，其中所述收光區的收光距離相對於所述第一遮光層的上表面與所述第一開口之間的高度差之比值大於或等於所述第二遮光層至所述感測裝置的上表面的距離相對於所述感測層至所述感測裝置的所述上表面的距離之比值。
- 如請求項1所述的感測裝置，還包括訊號線，且所述第一開口於所述第一遮光層的上表面的正投影與所述第一遮光層的靠近所述訊號線的一端之間的間距大於或等於所述訊號線於所述第一遮光層的正投影與所述第一遮光層之間的間距。
- 如請求項4所述的感測裝置，其中所述訊號線於所述第一遮光層的正投影鄰接所述第一遮光層。
- 如請求項4所述的感測裝置，其中所述訊號線於所述第一遮光層的正投影與所述第一遮光層之間距以及所述訊號線於所述第二遮光層的正投影與所述第二遮光層之間距中之較小者小於或等於相鄰的所述第一開口的中心之間距的一半。
- 如請求項4所述的感測裝置，還包括第一感測單元及第二感測單元，其中所述第一感測單元包括所述第一感測元件、所述第一遮光層以及所述第二遮光層，所述第二感測單元包括所述第一感測元件、所述第二遮光層以及第三遮光層，所述第三遮光層於所述第二感測單元中相對於所述第一感測元件及所述第二遮光層的位置與所述第一遮光層於所述第一感測單元中相對於所述第一感測元件及所述第二遮光層的位置相同，且所述第三遮光層不具開口。
- 如請求項1所述的感測裝置，其中所述收光區不重疊所述第一開口。
- 如請求項1所述的感測裝置，其中所述第二遮光層包括上遮光部及側遮光部，且所述側遮光部連接所述上遮光部。
- 如請求項9所述的感測裝置，其中所述上遮光部與所述側遮光部之間具有間隙。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US202263335894P | 2022-04-28 | 2022-04-28 | |
| US63/335,894 | 2022-04-28 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| TW202349697A TW202349697A (zh) | 2023-12-16 |
| TWI833673B true TWI833673B (zh) | 2024-02-21 |
Family
ID=88585899
Family Applications (5)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| TW111127392A TWI815568B (zh) | 2022-04-28 | 2022-07-21 | 感測裝置 |
| TW112130518A TWI833673B (zh) | 2022-04-28 | 2022-07-21 | 感測裝置 |
| TW111133536A TWI813436B (zh) | 2022-04-28 | 2022-09-05 | 感光裝置 |
| TW111133657A TWI814569B (zh) | 2022-04-28 | 2022-09-06 | 感光裝置 |
| TW111137000A TWI820936B (zh) | 2022-04-28 | 2022-09-29 | 觸控裝置及其驅動方法 |
Family Applications Before (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| TW111127392A TWI815568B (zh) | 2022-04-28 | 2022-07-21 | 感測裝置 |
Family Applications After (3)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| TW111133536A TWI813436B (zh) | 2022-04-28 | 2022-09-05 | 感光裝置 |
| TW111133657A TWI814569B (zh) | 2022-04-28 | 2022-09-06 | 感光裝置 |
| TW111137000A TWI820936B (zh) | 2022-04-28 | 2022-09-29 | 觸控裝置及其驅動方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| TW (5) | TWI815568B (zh) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20190252456A1 (en) * | 2017-07-18 | 2019-08-15 | Boe Technology Group Co., Ltd. | Sensor, array substrate containing sensor, display panel containing array substrate |
| TW202209073A (zh) * | 2020-08-17 | 2022-03-01 | 友達光電股份有限公司 | 感測裝置 |
Family Cites Families (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6864555B2 (en) * | 2001-09-04 | 2005-03-08 | Eugene Robert Worley | Photo detector methods to reduce the disabling effects of displacement current in opto-couplers |
| US9917121B2 (en) * | 2016-03-24 | 2018-03-13 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | BSI image sensor and method of forming same |
| US10424566B2 (en) * | 2016-12-30 | 2019-09-24 | Advanced Semiconductor Engineering, Inc. | Semiconductor package device and method of manufacturing the same |
| CN110199249B (zh) * | 2018-09-13 | 2022-11-04 | 京东方科技集团股份有限公司 | 集成指纹检测触控显示设备以及指纹检测、触控和图像显示的集成方法 |
| TWI684902B (zh) * | 2019-01-16 | 2020-02-11 | 大陸商北京集創北方科技股份有限公司 | 光學指紋感測裝置及資訊處理裝置 |
| US12048227B2 (en) * | 2019-02-15 | 2024-07-23 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device, display module, and electronic device |
| US11462044B2 (en) * | 2019-09-06 | 2022-10-04 | Novatek Microelectronics Corp. | Electronic device, chip, panel, decoder and operation method thereof |
| KR20210086907A (ko) * | 2019-12-31 | 2021-07-09 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
| KR20210101347A (ko) * | 2020-02-07 | 2021-08-19 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
| TWI785478B (zh) * | 2020-08-17 | 2022-12-01 | 友達光電股份有限公司 | 指紋感測裝置 |
| US11495048B2 (en) * | 2020-08-17 | 2022-11-08 | Au Optronics Corporation | Fingerprint sensing module |
| TWM620237U (zh) * | 2020-09-11 | 2021-11-21 | 神盾股份有限公司 | 具有角度導光結構的tof光學感測模組 |
| CN112133717B (zh) * | 2020-09-24 | 2024-03-29 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种探测基板及射线探测器 |
-
2022
- 2022-07-21 TW TW111127392A patent/TWI815568B/zh active
- 2022-07-21 TW TW112130518A patent/TWI833673B/zh active
- 2022-09-05 TW TW111133536A patent/TWI813436B/zh active
- 2022-09-06 TW TW111133657A patent/TWI814569B/zh active
- 2022-09-29 TW TW111137000A patent/TWI820936B/zh active
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20190252456A1 (en) * | 2017-07-18 | 2019-08-15 | Boe Technology Group Co., Ltd. | Sensor, array substrate containing sensor, display panel containing array substrate |
| TW202209073A (zh) * | 2020-08-17 | 2022-03-01 | 友達光電股份有限公司 | 感測裝置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| TW202349697A (zh) | 2023-12-16 |
| TWI813436B (zh) | 2023-08-21 |
| TW202343772A (zh) | 2023-11-01 |
| TW202343216A (zh) | 2023-11-01 |
| TWI815568B (zh) | 2023-09-11 |
| TW202343770A (zh) | 2023-11-01 |
| TWI820936B (zh) | 2023-11-01 |
| TW202343771A (zh) | 2023-11-01 |
| TWI814569B (zh) | 2023-09-01 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN107799541B (zh) | 集成化感测模块及其制造方法以及集成化感测组件 | |
| US10339359B2 (en) | Display panel and display device | |
| US10417473B2 (en) | Optical imaging system with variable light field for biometrics application | |
| CN110061042B (zh) | 一种显示面板和显示装置 | |
| US10410038B2 (en) | Optical fingerprint module | |
| US20190034686A1 (en) | Optical Fingerprint Module | |
| CN110098224B (zh) | 一种像素结构、显示屏以及像素结构制作方法 | |
| US10134811B2 (en) | Image sensors having light guide members | |
| WO2021139760A1 (zh) | 具有指纹识别功能的显示装置 | |
| TW202209166A (zh) | 生物特徵感測裝置 | |
| TWI791397B (zh) | 感測裝置 | |
| TWI833673B (zh) | 感測裝置 | |
| US11869270B2 (en) | Sensing device | |
| CN113711362A (zh) | 包括薄膜晶体管和有机光电二极管的图像传感器阵列器件 | |
| TWI798824B (zh) | 雙感測裝置 | |
| TWI819542B (zh) | 感測裝置與電子裝置 | |
| TWI758093B (zh) | 生物特徵辨識裝置 | |
| TWI757036B (zh) | 觸控顯示面板 | |
| WO2021258941A1 (zh) | 纹路识别装置以及电子装置 | |
| WO2023108688A1 (zh) | 显示面板及电子设备 | |
| US11710339B2 (en) | Dual sensing device | |
| US11625943B2 (en) | Fingerprint sensing apparatus | |
| CN218977193U (zh) | 一种显示面板、识别装置和电子设备 | |
| WO2024135768A1 (ja) | 検出装置 | |
| WO2023056821A1 (zh) | 自发光显示装置和液晶显示装置 |