TW201734564A - 光束同質化器、照明系統及度量衡系統 - Google Patents

光束同質化器、照明系統及度量衡系統 Download PDF

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威特 僑漢斯 馬修司 馬力 迪
史塔尼拉夫 史莫諾夫
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Abstract

本發明提供一種用於使一輻射光束同質化之光束同質化器，及一種照明系統以及包含此類光束同質化器之度量衡裝置。該光束同質化器包含：一濾光器系統，其具有一可控制徑向吸收剖面且經組態以輸出一經濾光之光束；及一光學混合元件，其經組態以使該經濾光之光束同質化。該濾光器系統可經組態以徑向地使有角光束剖面同質化，且該光學混合元件可經組態以在方位角上使該有角光束剖面同質化。

Description

光束同質化器、照明系統及度量衡系統
本發明係關於可用於(例如)藉由微影技術來製造器件之微影的方法及裝置，且係關於使用微影技術來製造器件之方法。
微影裝置為將所要圖案施加至基板上(通常施加至基板之目標部分上)之機器。微影裝置可用於(例如)積體電路(IC)製造中。在彼情況下，圖案化器件(其替代地被稱作光罩或倍縮光罩)可用以產生待形成於IC之個別層上的電路圖案。可將此圖案轉印至基板(例如，矽晶圓)上之目標部分(例如，包括晶粒之一部分、一個晶粒或若干晶粒)上。通常經由成像至提供於基板上之輻射敏感材料(抗蝕劑)層上來進行圖案之轉印。一般而言，單一基板將含有經順次地圖案化之鄰近目標部分的網路。在微影程序中，需要頻繁地進行所產生結構之量測，例如以用於程序控制及驗證。用於進行此等量測之各種工具為吾人所知，包括常常用以量測臨界尺寸(CD)之掃描電子顯微鏡，及用以量測疊對(器件中兩個層之對準準確度的量度)之特殊化工具。可依據兩個層之間的未對準程度來描述疊對，例如，對為1奈米之經量測疊對之參考可描述兩個層未對準達1奈米的情形。 最近，已開發用於微影領域中的各種形式之散射計。此等器件將輻射光束導向至目標上且量測散射輻射之一或多個屬性-例如，依據波長而變化的在單一反射角下之強度；依據反射角而變化的在一或多個波長下之強度；或依據反射角而變化的偏振-以獲得可供判定目標之所關注屬性的「光譜」。可藉由各種技術來執行所關注屬性之判定：例如，藉由諸如嚴密耦合波分析或有限元素方法之反覆途徑而進行的目標之重新建構；庫搜尋；及主成分分析。 在度量衡中，且詳言之，在使用散射計之度量衡中，用於量測之輻射光束的同質性係至關重要的。因此，需要改良此類光束之同質性及/或對其之控制。
在一第一態樣中，本發明之一實施例提供用於使一輻射光束同質化之光束同質化器，其包含：一濾光器系統，其包含一可控制徑向吸收剖面且經組態以輸出一經濾光之光束；及一光學混合元件，其經組態以使該經濾光之光束同質化。 本發明之另一實施例亦包含一照明系統，其包含第一態樣之光束同質化器；及一度量衡裝置，其包含此照明系統。 下文參考隨附圖式詳細地描述本發明之另外特徵及優點，以及本發明之各種實施例的結構及操作。應注意，本發明不限於本文中所描述之特定實施例。本文中僅出於說明性目的而呈現此等實施例。基於本文中所含有之教示，額外實施例對於熟習相關技術者而言將為顯而易見的。
本說明書揭示併入有本發明之特徵的一或多項實施例。所揭示之該(等)實施例僅例示本發明。本發明之範疇並不限於所揭示之實施例。本發明由此處附加之專利申請範圍界定。 所描述實施例及本說明書中對「一項實施例」、「一實施例」、「一實例實施例」等等之參考指示所描述實施例可能包括一特定特徵、結構或特性，但每一實施例可能未必包括該特定特徵、結構或特性。此外，此等片語未必係指同一實施例。此外，當結合一實施例描述一特定特徵、結構或特性描述時，應瞭解，無論是否作明確描述，結合其他實施例實現此特徵、結構或特性為屬於熟習此項技術者所瞭解。 本發明之實施例可以硬體、韌體、軟體或其任何組合予以實施。本發明之實施例亦可實施為儲存於機器可讀媒體上之指令，該等指令可由一或多個處理器讀取及執行。機器可讀媒體可包括用於儲存或傳輸呈可由機器(例如，計算器件)讀取之形式之資訊的任何機構。舉例而言，機器可讀媒體可包括唯讀記憶體(ROM)；隨機存取記憶體(RAM)；磁碟儲存媒體；光學儲存媒體；快閃記憶體器件；電、光學、聲學或其他形式之傳播信號，及其他者。此外，韌體、軟體、常式、指令可在本文中被描述為執行某些動作。然而，應瞭解，此等描述僅僅係出於方便起見，且此等動作事實上係由計算器件、處理器、控制器或執行韌體、軟體、常式、指令等等之其他器件引起。 在詳細地描述本發明之實施例之前，有指導性的是呈現可供實施本發明之實施例的實例環境。 圖1在200處將微影裝置LA展示為實施大容量微影製造程序之工業設施的部分。在本實例中，製造程序經調適以用於在諸如半導體晶圓之基板上製造半導體產品(積體電路)。熟習此項技術者將瞭解，可藉由以此程序之變體處理不同類型之基板來製造廣泛多種產品。半導體產品之生產純粹地用作現今具有極大商業意義之實例。 在微影裝置(或簡言之，「微影工具(litho tool) 200)內，在202處展示量測站MEA且在204處展示曝光站EXP。在206處展示控制單元LACU。在此實例中，每一基板造訪量測站及曝光站以被施加圖案。舉例而言，在光學微影裝置設備中，投影系統用以使用經調節輻射及投影系統而將產品圖案自圖案化器件MA轉印至基板上。此係藉由在輻射敏感抗蝕劑材料層中形成圖案之影像而完成。 本文中所使用之術語「投影系統」應被廣泛地解譯為涵蓋適於所使用之曝光輻射或適於諸如浸潤液體之使用或真空之使用之其他因素的任何類型之投影系統，包括折射、反射、反射折射、磁性、電磁及靜電光學系統或其任何組合。圖案化MA器件可為光罩或倍縮光罩，其將圖案賦予至由圖案化器件透射或反射之輻射光束。熟知的操作模式包括步進模式及掃描模式。眾所周知，投影系統可以多種方式與用於基板及圖案化器件之支撐件及定位系統合作，以將所要圖案施加至橫越基板之許多目標部分。可使用可程式化圖案化器件以代替具有固定圖案之倍縮光罩。舉例而言，輻射可包括處於深紫外線(DUV)或極紫外線(EUV)波帶中之電磁輻射。本發明亦適用於(例如)藉由電子束而進行的其他類型之微影程序，例如，壓印微影及直寫微影。 微影裝置控制單元LACU控制各種致動器及感測器之所有移動及量測以接納基板W及倍縮光罩MA且實施圖案化操作。LACU亦包括實施與裝置之操作相關之所要計算的信號處理及資料處理能力。實務上，控制單元LACU將被實現為許多子單元之系統，該等子單元各自處置裝置內之子系統或組件之即時資料獲取、處理及控制。 在曝光站EXP處將圖案施加至基板之前，在量測站MEA處處理基板，使得可進行各種預備步驟。該等預備步驟可包括使用位階感測器來映射基板之表面高度，及使用對準感測器來量測基板上之對準標記之位置。對準標記係以規則柵格圖案標稱地配置。然而，歸因於在產生標記時之不準確度且亦歸因於基板貫穿其處理而發生之變形，標記偏離理想柵格。因此，在裝置應以極高準確度在正確部位處印刷產品特徵的情況下，除了量測基板之位置及定向以外，對準感測器實務上亦必須詳細地量測橫越基板區域之許多標記之位置。裝置可屬於具有兩個基板台之所謂的雙載物台類型，每一基板台具有由控制單元LACU控制之定位系統。在曝光站EXP處曝光一個基板台上之一個基板的同時，可在量測站MEA處將另一基板裝載至另一基板台上，使得可進行各種預備步驟。因此，對準標記之量測極耗時，且提供兩個基板台會使能夠實質上增加裝置之產出率。若位置感測器IF不能夠在基板台處於量測站以及處於曝光站時量測基板台之位置，則可提供第二位置感測器以使能夠在兩個站處追蹤基板台之位置。微影裝置LA可(例如)屬於所謂的雙載物台類型，其具有兩個基板台及兩個站-曝光站及量測站-在該等站之間可交換該等基板台。 在生產設施內，裝置200形成「微影製造單元(litho cell)」或「微影叢集(litho cluster)」之部分，該「微影製造單元」或「微影叢集」亦含有塗佈裝置208以用於將感光抗蝕劑及其他塗層施加至基板W以供裝置200圖案化。在裝置200之輸出側處，提供烘烤裝置210及顯影裝置212以用於將經曝光圖案顯影成實體抗蝕劑圖案。在所有此等裝置之間，基板處置系統負責支撐基板且將基板自一件裝置轉印至下一件裝置。常常被集體地稱作塗佈顯影系統(track)之此等裝置係在塗佈顯影系統控制單元之控制下，塗佈顯影系統控制單元自身受到監督控制系統SCS控制，監督控制系統SCS亦經由微影裝置控制單元LACU而控制微影裝置。因此，不同裝置可經操作以最大化產出率及處理效率。監督控制系統SCS接收配方資訊R，配方資訊R極詳細地提供待執行以產生每一經圖案化基板之步驟的定義。 一旦已在微影製造單元中施加及顯影圖案，就將經圖案化基板220轉移至諸如在222、224、226處所說明之其他處理裝置。廣泛範圍之處理步驟係由典型製造設施中之各種裝置實施。出於實例起見，此實施例中之裝置222為蝕刻站，且裝置224執行蝕刻後退火步驟。在另外裝置226等等中應用另外物理及/或化學處理步驟。可需要眾多類型之操作以製造實際器件，諸如材料沈積、表面材料特性改質(氧化、摻雜、離子植入等等)、化學機械拋光(CMP)等等。實務上，裝置226可表示在一或多個裝置中執行之一系列不同處理步驟。 眾所周知，半導體器件之製造涉及此處理之許多重複，以在基板上逐層地建置具有適當材料及圖案之器件結構。因此，到達微影叢集之基板230可為新近製備之基板，或其可為先前已在此叢集中或完全地在另一裝置中被處理之基板。相似地，取決於所需處理，基板232在離開裝置226時可經返回以用於同一微影叢集中之後續圖案化操作，其可經預定以用於不同叢集中之圖案化操作，或其可為待發送以用於切塊及封裝之成品。 產品結構之每一層需要不同的程序步驟集合，且用於每一層處之裝置226可在類型方面完全地不同。此外，即使在待由裝置226應用之處理步驟標稱地相同的情況下，在大設施中亦可存在並行地工作以對不同基板執行步驟226之若干假設相同的機器。此等機器之間的小設置差異或疵點可意謂其以不同方式影響不同基板。甚至對於每一層而言相對共同的步驟(諸如蝕刻(裝置222))仍可由標稱地相同但並行地工作以最大化產出率之若干蝕刻裝置實施。此外，實務上，不同層需要不同蝕刻程序，例如，化學蝕刻、電漿蝕刻(根據待蝕刻材料之細節)，及特殊要求，諸如，各向異性蝕刻。 可在其他微影裝置中執行先前及/或後續程序(如剛才所提及)，且可甚至在不同類型之微影裝置中執行先前及/或後續程序。舉例而言，器件製造程序中之在諸如解析度及疊對之參數方面要求極高的一些層相較於要求較不高的其他層可在更進階的微影工具中予以執行。因此，一些層可曝光於浸潤類型微影工具中，而其他層曝光於「乾式」工具中。一些層可曝光於在DUV波長下工作之工具中，而其他層係使用EUV波長輻射予以曝光。 為了正確地且一致地曝光由微影裝置曝光之基板，需要檢測經曝光基板以量測屬性，諸如後續層之間的疊對誤差、線厚度、臨界尺寸(CD)等等。因此，經定位有微影製造單元LC之製造設施亦可包括一或多個度量衡系統。度量衡系統可包括獨立式度量衡裝置MET 240及/或整合式度量衡裝置IM 207。獨立式度量衡裝置MET 240接納已在微影製造單元中處理之基板W中的一些或全部以用於離線執行量測。整合式度量衡裝置IM 207執行線內量測且整合至塗佈顯影系統中以緊接在曝光之後接納及量測基板W中之一些或全部。將度量衡結果直接地或間接地提供至監督控制系統(SCS) 238。若偵測到誤差，則可對後續基板之曝光進行調整，尤其是在度量衡可足夠迅速地且快速地進行而使得同一批量之其他基板仍待曝光的情況下。 現代微影生產設施中之度量衡裝置的常見實例為散射計(例如，角解析散射計或光譜散射計)，且其可應用於在裝置222中之蝕刻之前量測在220處之經顯影基板之屬性。在使用獨立式度量衡裝置240及/或整合式度量衡裝置207的情況下，可判定(例如)諸如疊對或臨界尺寸(CD)之重要效能參數不滿足經顯影抗蝕劑中之指定準確度要求。在蝕刻步驟之前，存在經由微影叢集來剝離經顯影抗蝕劑且重新處理基板220之機會。如亦所熟知，可使用來自裝置240之度量衡結果242以藉由監督控制系統SCS及/或控制單元LACU 206隨著時間而進行小調整來維持微影叢集中之圖案化操作之準確效能，藉此最小化使產品在規格外且需要重工之風險。當然，度量衡裝置240及/或其他度量衡裝置(未展示)可經應用以量測經處理基板232、234及傳入基板230之屬性。 圖2(a)展示度量衡裝置。獨立式度量衡裝置240及/或整合式度量衡裝置207可包含(例如)此度量衡裝置或任何其他合適度量衡裝置。圖2(b)中更詳細地說明目標T及用以照明該目標之量測輻射的繞射射線。所說明之度量衡裝置屬於被稱為暗場度量衡裝置之類型。度量衡裝置可為獨立式器件，或併入於(例如)量測站處之微影裝置LA中或微影製造單元LC中。貫穿該裝置具有若干分支之光軸係由點線O表示。在此裝置中，由源11 (例如，氙氣燈)發出之光係由包含透鏡12、14及物鏡16之光學系統經由光束同質化器BH (下文將進行詳細描述)及光束分裂器15而導向至基板W上。此等透鏡係以4F配置之雙重序列進行配置。可使用不同透鏡配置，其限制條件為：該透鏡配置仍將基板影像提供至偵測器上，且同時允許存取中間光瞳平面以用於空間頻率濾光。因此，可藉由在呈現基板平面之空間光譜之平面(此處被稱作(共軛)光瞳平面)中界定空間強度分佈來選擇輻射入射於基板上之角度範圍。詳言之，可藉由在為物鏡光瞳平面之背向投影式影像之平面中在透鏡12與14之間插入合適形式之孔徑板13來進行此選擇。在所說明之實例中，孔徑板13具有不同形式(被標註為13N及13S)，從而允許選擇不同照明模式。本實例中之照明系統形成離軸照明模式。在第一照明模式中，孔徑板13N提供自僅出於描述起見被指定為「北」之方向的離軸。在第二照明模式中，孔徑板13S係用以提供相似照明，但提供來自被標註為「南」之相對方向的照明。藉由使用不同孔徑，其他照明模式係可能的。光瞳平面之其餘部分理想地暗，此係因為所要照明模式外部之任何不必要光將干涉所要量測信號。 如圖2(b)中所展示，目標T係在基板W垂直於物鏡16之光軸O的情況下被置放。基板W可由支撐件(未展示)來支撐。與軸線O成一角度而照射於目標T上之量測輻射射線I引起一個零階射線(實線0)及兩個一階射線(點鏈線+1及雙點鏈點線-1)。應記住，在運用填充過度之小目標的情況下，此等射線僅僅為覆蓋包括度量衡目標T及其他特徵之基板區域的許多平行射線中之一者。因為板13中之孔徑具有有限寬度(為接納有用量之光所必要)，所以入射射線I實際上將佔據一角度範圍，且繞射射線0及+1/-1將稍微散開。根據小目標之點散佈函數(point spread function)，每一階+1及-1將遍及一角度範圍而進一步散佈，而非如所展示之單一理想射線。應注意，目標之光柵間距及照明角度可經設計或經調整成使得進入物鏡之一階射線與中心光軸緊密地對準。圖2(a)及圖2(b)中所說明之射線被展示為稍微離軸，以純粹地使其能夠在圖中較容易地被區分。 由基板W上之目標T繞射之至少0階及+1階係由物鏡16收集，且被返回導向通過光束分裂器15。返回至圖2(a)，藉由指定被標註為北(N)及南(S)之完全相對孔徑而說明第一照明模式及第二照明模式兩者。當量測輻射之入射射線I來自光軸之北側時(亦即，當使用孔徑板13N來應用第一照明模式時)，被標註為+1(N)之+1繞射射線進入物鏡16。與此對比，當使用孔徑板13S來應用第二照明模式時，-1繞射射線(標註為-1(S))為進入透鏡16之繞射射線。 第二光束分裂器17將繞射光束劃分成兩個量測分支。在第一量測分支中，光學系統18使用零階繞射光束及一階繞射光束在第一感測器19 (例如，CCD或CMOS感測器)上形成目標之繞射光譜(光瞳平面影像)。每一繞射階射中感測器上之一不同點，使得影像處理可比較及對比若干階。由感測器19俘獲之光瞳平面影像可用於聚焦度量衡裝置及/或正規化一階光束之強度量測。光瞳平面影像亦可用於諸如重新建構之許多量測目的。 在第二量測分支中，光學系統20、22在感測器23 (例如，CCD或CMOS感測器)上形成目標T之影像。在第二量測分支中，在與光瞳平面共軛之平面中提供孔徑光闌21。孔徑光闌21用以阻擋零階繞射光束，使得形成於感測器23上之目標的影像係僅由-1或+1一階光束形成。由感測器19及23俘獲之影像經輸出至處理影像之處理器PU，處理器PU之功能將取決於所執行之量測的特定類型。應注意，此處在廣泛意義上使用術語「影像」。因而，在僅呈現-1階及+1階中之一者的情況下將未形成光柵線之影像。 圖2中所展示之孔徑板13及場光闌21之特定形式純粹地為實例。在本發明之另一實施例中，使用目標之同軸照明，且使用具有離軸孔徑之孔徑光闌以將實質上僅一個一階繞射光傳遞至感測器。在又其他實施例中，代替一階光束或除了一階光束以外，在量測中亦可使用二階光束、三階光束及高階光束(圖2中未展示)。 為了使量測輻射可適於此等不同類型之量測，孔徑板13可包含圍繞圓盤而形成之數個孔徑圖案，該圓盤旋轉以使所要圖案處於適當位置。應注意，孔徑板13N或13S可僅用以量測在一個方向(取決於設置而為X或Y)上定向之光柵。為了量測正交光柵，可能實施達90°及270°之目標旋轉。上文所提及之先前已公開申請案描述此等孔徑板之使用以及裝置之眾多其他變化及應用。 對於度量衡，重要準則係光束同質性，亦即，量測輻射光束之(強度)同質性。量測輻射光束應儘可能同質。對於場平面及光瞳平面兩者，此成立。目前，除了改變零件或模組以外，不存在用於調整度量衡裝置中之光束同質性的構件。 因此，提出提供一種光束同質化器，且詳言之，一種可調整光束同質化器，其適合於度量衡裝置且適合於具有此光束同質化器之度量衡裝置。圖2(a)展示形成度量衡裝置之部分的此光束同質化器BH。光束同質化器BH包含串聯之濾光器系統32及光學混合元件34。展示(視情況)藉由透鏡元件36而聚焦至照明光纖30中之來自照明源11的輻射，照明光纖30將輻射輸送至光束同質化器BH。在其他實施例中，可包含透鏡元件36及照明光纖30以及光束同質化器BH。 光束同質化器BH之輸入包含界定濾光器平面FP之光學件38。濾光器系統32經定位成在濾光器平面FP上或接近於濾光器平面FP，且經濾光之輻射係由光學混合元件34進行混合。濾光器平面FP可在系統之光瞳平面(或光瞳狀平面，例如，共軛光瞳平面)處，或在並不精確地在共軛光瞳平面處之點處。後一實例允許在實際光瞳平面下游中進行模糊，此可在濾光器系統32中使用像素化濾光器元件時有幫助(諸如在圖7中所說明且在下文所描述之實例中)。使此等像素化濾光器元件模糊至平滑圖案中可為有利的。 在一實施例中，光學混合元件34為使用混亂台球理論(chaotic billiard theory)之光學混合元件。此類光學混合元件可為包含既非圓形亦非正多邊形之橫截面形狀(橫向於其長度)的狹長元件。舉例而言，光學混合元件可採取US2015/0003103中所描述及/或所說明之形式中的任一者，US2015/0003103全文以引用之方式併入本文中。然而，本文中所描述之概念不限於此等形式，且可代替此等形式使用其他形式。將在下文更詳細地描述光學混合元件。 最具相關性的是此光學混合元件34在空間上極好地使輻射光束同質化，但僅部分地使有角光束剖面同質化。此有角部分-同質化分解成極佳的方位角同質化，但同質化較差或無徑向同質化。 因此，提出使用濾光器系統32來控制進入光學混合元件之輻射的徑向(例如，強度)剖面。對有角徑向剖面之控制可使得徑向地使輻射同質化。將在空間上且在方位角上使進入如本文中所描述之混亂台球光學混合元件34的經徑向同質化輻射進一步同質化，且因此將完全同質化。 在一實施例中，濾光器系統32可包含用以控制射出濾光器系統之輻射之徑向剖面的可控制吸收剖面。此可藉由向一或多個濾光器元件提供可變剖面而實現。舉例而言，可藉由提供具有可組態吸收剖面之一或多個濾光器元件而使剖面作出變化。可藉由(例如)改變濾光器元件之旋轉位置及/或定向、向多個可互換濾光器元件提供不同剖面、向一或多個經圖案化濾光器元件提供可組態圖案及/或提供一起作用以提供可組態(中性密度)吸收剖面之兩個或多於兩個濾光器元件而達成該可組態吸收剖面。此係實例之非詳盡清單，且應理解，以上各者中之任一者的組合係可能的。 在一實施例中，濾光器系統32僅可濾光光束(照明場)之徑向部分。因而，在一實施例中，濾光器系統可經組態以僅濾光中心區與邊緣區之間的光束橫截面之部分。此徑向濾光可經控制以提供會產生在此等點之間的光束之同質徑向強度剖面的吸收剖面。在空間上且在方位角上遍及360度藉由光學混合元件進行之後續同質化將接著使光束完全同質化。 圖3至圖7說明濾光器系統32之數個此等可能配置。圖3之(a)及(b)展示具有隨著定向變化之剖面之濾光器元件310的照明場(例如，光瞳) 300。圖3(a)展示呈第一定向之濾光器元件310，且圖3(b)展示已圍繞縱向軸線旋轉以使得其呈第二定向之同一濾光器元件310。在此第二定向中，濾光器元件310之剖面不同於第一定向。情況可為：剖面在濾光器元件旋轉時連續地或逐步地變化，從而提供一連續變化之剖面或數個不同剖面。進一步可能的是：濾光器元件310在場內水平地(x方向)、垂直地(y方向)或在該兩種方向上可移動以提供對徑向照明剖面之進一步控制。圖3(c)展示具有兩個濾光器元件310、310'之一實施例。一個或兩個濾光器元件可具有取決於如所描述之定向的剖面，且每一者可具有不同或相似組態。濾光器元件可具有任何形狀或大小，且與所展示之實例相比較，可在x方向或y方向上擴展較遠，或並不擴展較遠。 圖4展示具有複數個濾光器元件400a至400h之配置，該等濾光器元件中之一者(或多者)可在適當時移動至照明場300中。在所展示之實施例中，將濾光器元件安裝至轉輪410，使得轉輪410圍繞其中心之旋轉會使該複數個濾光器元件400a至400h中之不同濾光器元件移動至照明場300中。當然，針對調換不同濾光器元件之不同配置係可能的。亦可能的是一次性使兩個濾光器元件400a至400h調換至照明場300中之配置(以相似於圖3(c)中所說明之方式的方式)；例如，藉由具有兩個轉輪，亦即，在照明場300下方之亦包含複數個濾光器元件的額外第二轉輪。此配置亦可與圖3之配置組合，使得濾光器元件400a至400h中之一或多者可圍繞轉輪之軸線相對於該轉輪旋轉以提供可變剖面。 圖5展示包含經配置以部分地重疊之兩個或多於兩個濾光器元件500a、500b的配置，其中該兩個或多於兩個濾光器元件500a、500b中之至少一者可移動以使得其彼此可相對移動(例如，在x方向上)。在一實施例中，濾光器元件500a、500b可為兩個(例如，相似)狹長元件，其在不同定向處及/或經配置以使得一個濾光器元件或兩個濾光器元件可具有可變定向。圖5(a)展示照明場300內呈第一組態之濾光器元件500a、500b。圖5(b)至圖5(d)展示呈相同定向但呈不同組態之濾光器元件500a、500b，其在每一圖示中處於不同的相對位置。圖5(e)至圖5(g)展示如圖5(b)至圖5(d)中所說明之相同相對位置中的濾光器元件500a、500b，而其中濾光器元件500a處於不同於圖5(b)至圖5(d)中所說明之定向的定向。圖5(h)至圖5(m)各自展示分別針對圖5(b)至圖5(g)中所描繪之組態的吸收ab相對於半徑r (自中心)之吸收量變曲線。濾光器元件500a、500b中之每一者可包含(例如)在透明元件(例如，玻璃板)上之不透明結構或圖案。 圖6展示具有兩個或多於兩個濾光器元件之配置，該兩個或多於兩個濾光器元件各自包含中性密度透射濾光板600a、600b，中性密度透射濾光板600a、600b各自分別具有吸收剖面f(r)及g(r) (其中r為半徑)。兩個中性密度濾光板600a、600b經置放成使得其在照明場300內重疊。藉由實現中性密度濾光板600a、600b之相對移動，藉此改變中性密度濾光板600a、600b之間的相對距離Dr，獲得可變可控制吸收剖面h(r,Dr)=f(r)*g(r-Dr)h。可藉由改變濾光板600a、600b之剖面(例如，藉由用其他剖面來調換該等剖面)而獲得另外控制。圖6(a)及圖6(b)展示呈不同組態之濾光器元件600a、600b，其在每一圖示中處於不同相對位置。圖6(c)展示濾光器元件600a、600b之位置在x方向上可控制從而提供另外控制可能性的另外組態。此在x方向上之後一控制可同樣應用於上文所描述之其他濾光器元件中的任一者。 圖7展示利用兩個相似但不相同之波紋(Moiré)效應的配置。舉例而言，如所展示，可存在兩個濾光器元件700a、700b，其各自包含子特徵之重複圖案，其中對於兩個濾光器元件700a、700b，此等子特徵之間距稍微不同。濾光器元件應重疊且在重複圖案之方向上(例如，在y方向上(不過x方向波紋圖案係可能的))彼此可相對移動(亦即，一個濾光器元件或兩個濾光器元件可相對於另一者移動)，因此變更所得波紋圖案且因此變更吸收剖面。圖7(a)展示照明場300內呈第一組態之濾光器元件700a、700b。圖7(b)至圖7(d)展示呈不同組態之濾光器元件700a、700b，其在每一圖示中處於不同相對位置。 本文中所描述之概念的益處在於：濾光器系統實施可過分簡單化，此係因為濾光器系統自身除了提供合適平均徑向強度剖面以外不必負責同質性。此使得許多實施成為可能，例如，將簡單1軸線或2軸線致動器用於濾光器元件。 在一實施例中，度量衡裝置可包含用於量測光束之同質性的構件。此類構件已經存在於一些度量衡裝置上，且(例如)可包括圖2之相機19或任何其他此類相機或感測器構件。所偵測到之任何非同質性可形成為了在回饋迴路中對濾光器系統進行控制的所計算校正之基礎。以此方式，可維持光束同質性之合適位準。 再次返回至光學混合元件，此可包含延長型光學混合元件。光學混合元件可由比如玻璃或塑膠之透明材料製成，且可包含進入面及出射面。在操作時，將光線束導向朝向進入面，其中光線束在朝向周圍介質之介面處經歷全內反射(TIR)。在於光學混合元件內發生反射之後，光線束經由出射面射出光學混合元件。 達成輻射之混亂混合之任何組態及橫截面剖面係可能的，此係因為其在光學混合元件34內多次內部地反射。可能設計之數目太多而無法列舉。光學混合元件可包含經配置以使光同質化之延長型光學元件，該光學混合元件包含橫向進入面及橫向出射面，且具有具備不穩定路徑(亦即，射線在相同方向的情況下返回至相同x,y座標的路徑(z係沿著光學混合元件之長度))之橫截面。當然，不同橫截面設計之間可存在混合程度差異，其中一些橫截面相較於其他橫截面(較高李雅普諾夫(Lyaponov)係數)混合地較佳。對於此等設計，光學混合元件可較短。對於長度為3公尺之光纖，任何差將會變小。因而，光學混合元件之橫截面可具有： 1)      包含至少一個彎曲區段之周邊；及 2)      不存在平行的對置邊緣(將在此等平行邊緣之間出現穩定路徑，亦即，將不會發生混合)。 在一實施例中，彎曲區段之總長度構成該周邊之長度的至少1%。 在諸實施例中，光學混合元件之橫截面可具有經塑形為凸面或凹面形狀(或部分地為該兩者)的周邊，且可包含任何數目(包括零)個邊緣零曲率。彎曲周邊元件及非彎曲周邊元件之數目不必相等。而且，負曲率之區段(凹面)係可能的。除了US2015/0003103中所描述之橫截面形狀以外，橫截面形狀亦可包括由(尤其)兩個接合弧線(具有相同或不同曲率)形成之形狀(一弧線及直線形成「D」形狀或相似形狀，一弧線及兩個直線呈圓形區段形式或相似形式)、基於多邊形但具有彎曲頂點及/或具有負曲率之一或多個側的形狀，或具有正曲率及負曲率兩者之區段(例如，「波狀」)。圖8展示多種不同替代橫截面形狀，其純粹地作為實例而提供。如已經提及，實際形狀可為數個替代例中之一者，替代例過多而無法在此處描述每一者。應理解，可使用促進混亂混合之任何形狀。 儘管上文可特定地參考在光學微影之內容背景中對本發明之實施例的使用，但應瞭解，本發明可用於其他應用(例如，壓印微影)中，且在內容背景允許之情況下不限於光學微影。在壓印微影中，圖案化器件中之構形(topography)界定產生於基板上之圖案。可將圖案化器件之構形壓入被供應至基板之抗蝕劑層中，在基板上，抗蝕劑係藉由施加電磁輻射、熱、壓力或其組合而固化。在抗蝕劑固化之後，將圖案化器件移出抗蝕劑，從而在其中留下圖案。 本文中所使用之術語「輻射」及「光束」涵蓋所有類型之電磁輻射，包括紫外線(UV)輻射(例如，具有為或為約365奈米、355奈米、248奈米、193奈米、157奈米或126奈米之波長)及極紫外線(EUV)輻射(例如，具有在5奈米至20奈米之範圍內之波長)；以及粒子束(諸如，離子束或電子束)。 術語「透鏡」在內容背景允許時可指各種類型之光學組件中之任一者或其組合，包括折射、反射、磁性、電磁及靜電光學組件。 對特定實施例之前述說明將因此充分地揭露本發明之一般性質：在不脫離本發明之一般概念的情況下，其他人可藉由應用此項技術之技能範圍內之知識、根據各種應用而容易修改及/或調適此等特定實施例，而無需進行不當實驗。因此，基於本文中所呈現之教示及導引，此等調適及修改意欲在所揭示之實施例之等效者的涵義及範圍內。應理解，本文中之措辭或術語係出於(例如)描述而非限制之目的，以使得本說明書之術語或措辭待由熟習此項技術者按照該等教示及該指導進行解譯。 本發明之廣度及範疇不應由上述例示性實施例中任一者限制，而應僅根據以下申請專利範圍及其等效者進行界定。 應瞭解，[實施方式]章節而非[發明內容]及[中文發明摘要]章節意欲用以解釋申請專利範圍。[發明內容]及[中文發明摘要]章節可闡述如由本發明之發明人所預料的本發明之一或多個而非所有例示性實施例，且因此，不意欲以任何方式來限制本發明及所附申請專利範圍。 上文已憑藉說明特定功能及該等功能之關係的實施之功能建置組塊來描述本發明。為了便於描述，本文已任意地界定此等功能建置組塊之邊界。只要適當地執行指定功能及其關係，便可界定替代邊界。 對特定實施例之前述說明將因此充分地揭露本發明之一般性質：在不脫離本發明之一般概念的情況下，其他人可藉由應用此項技術之技能範圍內之知識、根據各種應用而容易修改及/或調適此等特定實施例，而無需進行不當實驗。因此，基於本文中所呈現之教示及導引，此等調適及修改意欲在所揭示之實施例之等效者的涵義及範圍內。應理解，本文中之措辭或術語係出於描述而非限制之目的，使得本說明書之術語或措辭待由熟習此項技術者按照該等教示及該指導進行解譯。 本發明之廣度及範疇不應由上述例示性實施例中任一者限制，而應僅根據以下申請專利範圍及其等效者進行界定。
0‧‧‧零階射線/繞射射線
11‧‧‧照明源
12‧‧‧透鏡
13‧‧‧孔徑板
13N‧‧‧孔徑板
13S‧‧‧孔徑板
14‧‧‧透鏡
15‧‧‧光束分裂器
16‧‧‧物鏡/透鏡
17‧‧‧第二光束分裂器
18‧‧‧光學系統
19‧‧‧第一感測器/相機
20‧‧‧光學系統
21‧‧‧孔徑光闌/場光闌
22‧‧‧光學系統
23‧‧‧感測器
30‧‧‧照明光纖
32‧‧‧濾光器系統
34‧‧‧光學混合元件
36‧‧‧透鏡元件
38‧‧‧光學件
200‧‧‧微影裝置/微影工具
202‧‧‧量測站
204‧‧‧曝光站
206‧‧‧控制單元
207‧‧‧度量衡裝置
208‧‧‧塗佈裝置
210‧‧‧烘烤裝置
212‧‧‧顯影裝置
220‧‧‧基板
222‧‧‧裝置
224‧‧‧裝置
226‧‧‧裝置/步驟
230‧‧‧基板
232‧‧‧基板
234‧‧‧基板
240‧‧‧度量衡裝置
242‧‧‧度量衡結果
300‧‧‧照明場
310‧‧‧濾光器元件
310'‧‧‧濾光器元件
400a‧‧‧濾光器元件
400b‧‧‧濾光器元件
400c‧‧‧濾光器元件
400d‧‧‧濾光器元件
400e‧‧‧濾光器元件
400f‧‧‧濾光器元件
400g‧‧‧濾光器元件
400h‧‧‧濾光器元件
410‧‧‧轉輪
500a‧‧‧濾光器元件
500b‧‧‧濾光器元件
600a‧‧‧濾光板
600b‧‧‧濾光板
700a‧‧‧濾光器元件
700b‧‧‧濾光器元件
BH‧‧‧光束同質化器
FP‧‧‧濾光器平面
I‧‧‧量測輻射射線/入射射線
MA‧‧‧圖案化器件/倍縮光罩
N‧‧‧北
O‧‧‧光軸
PU‧‧‧處理器
R‧‧‧配方資訊
S‧‧‧南
T‧‧‧目標
W‧‧‧基板
+1‧‧‧一階射線/繞射射線
+1(N)‧‧‧+1繞射射線
-1‧‧‧一階射線/繞射射線
-1(S)‧‧‧-1繞射射線
現在將僅僅借助於實例參考隨附圖式來描述本發明之實施例，在該等圖式中： 圖1描繪微影裝置連同形成用於半導體器件之生產設施的其他裝置； 圖2包含(a)用於使用第一對照明孔徑來量測目標的根據本發明之一實施例之暗場散射計的示意圖，(b)針對照明之給定方向的目標光柵之繞射光譜的細節； 圖3說明在(a)第一組態、(b)第二組態及(c)第三組態中根據本發明之一實施例之光束同質化器內所包含的濾光器系統之第一配置； 圖4說明根據本發明之一實施例之光束同質化器內所包含的濾光器系統之第二配置； 圖5說明在(a)至(g)數個不同組態及(h)至(m)不同組態之對應吸收剖面中，根據本發明之一實施例之光束同質化器內所包含的濾光器系統之第三配置； 圖6說明在(a)至(d)數個不同組態中根據本發明之一實施例之光束同質化器內所包含的濾光器系統之第四配置； 圖7說明在(a)至(d)數個不同組態中根據本發明之一實施例之光束同質化器內所包含的濾光器系統之第五配置；且 圖8說明用於本發明之實施例中之光學混合元件的數個替代橫截面形狀。
300‧‧‧照明場
400a‧‧‧濾光器元件
400b‧‧‧濾光器元件
400c‧‧‧濾光器元件
400d‧‧‧濾光器元件
400e‧‧‧濾光器元件
400f‧‧‧濾光器元件
400g‧‧‧濾光器元件
400h‧‧‧濾光器元件
410‧‧‧轉輪

Claims (15)

  1. 一種用於使一輻射光束同質化之光束同質化器，其包含： 一濾光器系統，其包含一可控制徑向吸收剖面且經組態以輸出一經濾光之光束；及 一光學混合元件，其經組態以使該經濾光之光束同質化。
  2. 如請求項1之光束同質化器，其中該濾光器系統經組態以徑向地使有角光束剖面同質化，且該光學混合元件經組態以在方位角上使該有角光束剖面同質化。
  3. 如請求項2之光束同質化器，其中該光學混合元件經進一步組態以在空間上使該光束同質化。
  4. 如請求項1至3中任一項之光束同質化器，其中該濾光器系統經組態以僅濾光該光束之一徑向部分。
  5. 如請求項1至3中任一項之光束同質化器，其中該濾光器系統包含具有不同徑向吸收剖面之複數個可互換濾光器元件。
  6. 如請求項5之光束同質化器，其中該等可互換濾光器元件安裝於一轉輪上，使得該轉輪之選擇性旋轉使得能夠使該等濾光器元件中之一或多者旋轉至其濾光該光束的一位置中。
  7. 如請求項1至3中任一項之光束同質化器，其中濾光器系統包含一濾光器元件，該濾光器元件可圍繞其軸線旋轉，且經組態以使得該濾光器元件之一吸收剖面取決於其圍繞此軸線之旋轉定向。
  8. 如請求項1至3中任一項之光束同質化器，其中濾光器系統包含經配置以部分地重疊之兩個或多於兩個濾光器元件，其中該等濾光器元件中之至少一者相對於另一者(其他濾光器元件)可移動，以使得該濾光器系統之一徑向吸收剖面取決於該等濾光器元件的相對位置。
  9. 如請求項8之光束同質化器，其中該等濾光器元件包含至少兩個狹長濾光器元件，其中該等狹長濾光器元件中之至少兩者處於不同定向。
  10. 如請求項9之光束同質化器，其中該等狹長濾光器元件中之至少一者的定向係可控制的。
  11. 如請求項8之光束同質化器，其中該等濾光器元件中之至少兩者各自包含子特徵之一重複圖案，使得該等濾光器元件中之該至少兩者的重疊會引起子特徵之該重複圖案形成一波紋圖案，該波紋圖案之形式取決於該等濾光器元件之該等相對位置。
  12. 如請求項1至3中任一項之光束同質化器，其中該光學混合元件包含一橫向進入面及一橫向出射面，該進入面可操作以接收已傳遞通過該濾光器系統之輻射，且使一周邊塑形使得在該橫向進入面與該橫向出射面之間行進的輻射以混亂方式混合。
  13. 如請求項1至3中任一項之光束同質化器，其包含用於量測該光束之該同質化的一同質化偵測器，及用於控制該濾光器系統以校正任何經量測光束非同質化的一控制器。
  14. 一種照明系統，其經組態以用量測輻射照明一基板上之一結構且包含如請求項1至13中任一項之光束同質化器，該光束同質化器可操作以控制該量測輻射之光束同質化。
  15. 一種度量衡裝置，其包含： 如請求項14之照明系統；及 一偵測系統，其經組態以偵測起因於該結構之照明的散射輻射。
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Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2017194393A1 (en) 2016-05-11 2017-11-16 Asml Netherlands B.V. Radiation conditioning system, illumination system and metrology apparatus, device manufacturing method
CN113196177B (zh) * 2018-12-20 2024-04-30 Asml荷兰有限公司 量测传感器、照射系统、和产生具有能够配置的照射斑直径的测量照射的方法
JP2023043534A (ja) * 2021-09-16 2023-03-29 キオクシア株式会社 測定方法、測定装置、及びマーク

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5673102A (en) 1991-02-22 1997-09-30 Canon Kabushiki Kaisha Image farming and microdevice manufacturing method and exposure apparatus in which a light source includes four quadrants of predetermined intensity
US6285443B1 (en) 1993-12-13 2001-09-04 Carl-Zeiss-Stiftung Illuminating arrangement for a projection microlithographic apparatus
DE10043315C1 (de) * 2000-09-02 2002-06-20 Zeiss Carl Projektionsbelichtungsanlage
DE10158921A1 (de) * 2001-11-30 2003-06-26 Zeiss Carl Smt Ag Verfahren zum Bestimmen von mindestens einer Kenngröße, die für die Beleuchtungswinkelverteilung einer der Beleuchtung eines Gegenstandes dienenden Lichtquelle einer Projektionsbelichtungsanlage charakteristisch ist
US7030958B2 (en) 2003-12-31 2006-04-18 Asml Netherlands B.V. Optical attenuator device, radiation system and lithographic apparatus therewith and device manufacturing method
US7283209B2 (en) * 2004-07-09 2007-10-16 Carl Zeiss Smt Ag Illumination system for microlithography
DE102004063314A1 (de) 2004-12-23 2006-07-13 Carl Zeiss Smt Ag Filtereinrichtung für die Kompensation einer asymmetrischen Pupillenausleuchtung
US7705331B1 (en) * 2006-06-29 2010-04-27 Kla-Tencor Technologies Corp. Methods and systems for providing illumination of a specimen for a process performed on the specimen
DE102008041288A1 (de) * 2007-09-28 2009-04-02 Carl Zeiss Smt Ag Beleuchtungssystem für eine Projektionsbelichtungsanlage mit Stabintegrator und Graufilter
US9063006B2 (en) * 2008-05-09 2015-06-23 The Boeing Company Optical source assembly suitable for use as a solar simulator and associated methods
NL2004216A (en) * 2009-03-26 2010-09-28 Asml Netherlands Bv Alignment measurement arrangement, alignment measurement method, device manufacturing method and lithographic apparatus.
CN102331688B (zh) 2011-10-25 2013-06-26 中国科学院光电技术研究所 一种光瞳均匀性补偿装置
WO2013114259A1 (en) * 2012-02-01 2013-08-08 Koninklijke Philips N.V. Method, optical system and lighting arrangement for homogenizing light

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