TW201733928A - 塗覆系統及由其製造之物件 - Google Patents

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洪政鴻
梅赫蘭 阿貝柏
阿比納夫 班達里
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維特魯有限公司
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Abstract

一種浮製浴塗覆系統包括設置在一浮製浴中之至少一奈米粒子塗覆器。該至少一奈米粒子塗覆器包括一殼體、一奈米粒子排出孔、一第一燃燒孔及一第二燃燒孔。該奈米粒子排出孔與一奈米粒子源及一載體流體源連接。該第一燃燒孔與一燃料源及一氧化劑源連接。該第二燃燒孔與一燃料源及一氧化劑源連接。

Description

塗覆系統及由其製造之物件
相關申請案之交互參照 此申請案主張2015年12月14日申請之美國申請案第14/967,953號；2015年12月14日申請之美國申請案第14/967,981號；2015年12月14日申請之美國申請案第14/968,011號；2015年12月14日申請之美國申請案第14/968,039號；及2015年12月11日申請之美國暫時申請案第62/266,239號，且所有該等申請案在此全部加入作為參考。
發明領域 本發明係大致有關於有機發光二極體、太陽能或光伏打(PV)電池、採光窗、光提取基板、具有摩擦修改表面之基板，及其製造方法。
技術考量點 一有機發光二極體(OLED)係具有一放射電致發光層之一發光裝置，且該放射電致發光層包含有機化合物。該等有機化合物依據一電流發光。通常，一有機半導體材料之放射層設置在二電極(一陽極與一陰極)間。當電流通過該陽極與該陰極之間時，該有機材料發光。OLED被使用在許多應用中，例如電視螢幕、電腦監視器、行動電話、PDA、手錶、燈具及各種電子裝置。
OLED具有優於如液晶顯示器之習知無機裝置的許多優點。例如，OLED可在不需要背光之情形下作用。在低室內光中，如一暗室中，一OLED螢幕可達到比習知液晶顯示器高之對比率。OLED通常亦比液晶顯示器及其他發光裝置薄、輕且更具可撓性。OLED通常亦只需要比許多習知發光裝置少之能量來操作。
但是，OLED裝置之一缺點是它們每單位面積發射之光通常比以無機固態為主之點光源少。在一典型OLED發光裝置中，由於來自該有機發射層之光由該有機發射層/導電層(陰極)之界面、該導電層(陽極)/基板之界面及外表面/空氣界面反射回來的光波導效應，由該有機材料發射的一大百分比之光被捕捉在該裝置內。只有由該有機材料發射的一比較小百分比之光未被該光波導效應捕捉且由該裝置發射。因此，有利的是提供由一OLED裝置提取比可利用習知方法多之光的一裝置及/或方法。
光伏打太陽能電池大致是發光二極體之配對物。在此，該半導體材料吸收光(光子)之能量並將該能量轉換成電力。類似於OLED，該光伏打裝置之效率比較低。以模組層級來說，例如，通常至多20%之入射光被轉換成電能。在一種由薄膜PV電池構成之光伏打裝置中，依據半導體材料及接面設計，這效率會更低。因此，有利的是增加靠近該光伏打半導體接面被吸收的太陽光比例以增加該光伏打裝置之效率。
OLED及光伏打裝置通常在批式塗覆製程中製成，其中在一塗覆站中施加各塗層。接著，將該基板傳送至用以施加下一層之另一分開塗覆站，依此類推。這是一時間密集及人力密集之製程。若該裝置之二或二以上的塗覆層或功能區域可在一連續製程而非一批式製程中製成是有利的。若一基板之摩擦係數可例如在一連續塗覆製程中修改亦是有利的。
發明概要 一浮製玻璃系統包括至少一奈米粒子沈積塗覆器及，選擇地，至少一蒸氣沈積塗覆器。一浮製浴塗覆系統包括設置在一浮製浴中之至少一奈米粒子塗覆器。該至少一奈米粒子塗覆器包括一殼體，一奈米粒子排出孔、一第一燃燒孔及一第二燃燒孔。該奈米粒子排出孔與一奈米粒子源及一載體流體源連接。該第一燃燒孔與一燃料源及一氧化劑源連接。該第二燃燒孔與一燃料源及一氧化劑源連接。
較佳實施例之說明 本發明之空間或方向用語，如「左」、「右」、「內」、「外」等係如其在圖中所示。應了解的是本發明可呈現各種其他方位且，因此，該等用語不應被視為限制。
應了解的是在說明書及申請專利範圍中使用之所有數字在所有情形中可被用語「大約」修飾。應了解的是所有範圍包含開始及結束之範圍值及包含在其中的任一及所有子範圍。在此所述之該等範圍代表在特定範圍內之平均值。
當提及一塗層時，該用語「在...上」表示「遠離該基板表面」。例如，一第二層設置「在一第一層上」之表示該第二層設置成比該第一層遠離該等層存在之基板表面。該第二層可與該第一層直接接觸或一或多數其他層可設置在該第二層與該第一層之間。
該用語「聚合物」或「聚合的」包括寡聚物、均聚物、共聚物及三聚物。
在此所述之所有文獻應被視為全部「加入作為參考」。
除非另外聲明，所有關於量之說明係「重量百分比」。
該用語「薄膜」表示具有一所需或選擇成分之一區域。一「層」包含一或多數「薄膜」。一「塗層」由一或多數「層」構成。該用語「有機材料」包括多數聚合物及可用以製造有機光電子裝置之小分子有機材料。
該用語「可見光」表示具有在380nm至780nm之範圍內之波長的電磁輻射。該用語「紅外線輻射」表示具有在大於780nm至100,000nm之範圍內之波長的電磁輻射。該用語「紫外線輻射」表示具有在100nm至小於380nm之範圍內之波長的電磁能。
即使矽在以往不被視為一金屬，該等用語「金屬」及「金屬氧化劑」亦分別包括矽及二氧化矽，及傳統上認可之金屬及金屬氧化劑。該用語「可硬化」表示可聚合或交聯之一組成。「硬化」表示該材料至少部分地聚合或交聯，且最好完全聚合或交聯。「至少」表示「大於或等於」。「不大於」表示「小於或等於」。該用語「上游」及「下游」表示該玻璃帶通過之方向。
霧度及透射值在此係使用一Haze-Gard Plus霧度計(由BYK-Gardner USA購得)或Perkin Elmer Lamda 9分光光度計決定。表面粗度值係使用一Instrument Dimension 3100原子力顯微鏡決定。
本發明之說明可說明在某些限制內為「特別」或「較佳」之某些特徵(例如，在某些限制內「較佳」、「更佳」或「又更佳」)。應了解的是本發明不限於這些特別或較佳限制，而是包含此揭示之全部範圍。
本發明以任一組合包含本發明之以下特徵，由其構成或主要由其構成。本發明之各種特徵顯示在各個圖中。但是，應了解的是這只是便於顯示及說明。在實施本發明時，在一圖中所示之一或多數特徵可與在其他圖中之一或多數圖中所示的一或多數特徵組合。
包含本發明之一浮製浴塗覆系統11之一示範浮製玻璃系統10顯示在圖1與2中。該浮製玻璃系統10包括在一浮製浴14上游之一玻璃窯12。該浮製浴14設置在一冷卻徐冷窯16之上游。一第一輸送器18延伸在該浮製浴14與該徐冷窯16之間。一切割站20設置在該徐冷窯16之下游。一第二輸送器22延伸在該徐冷窯16與該切割站20之間。
該浮製浴14包括一池如熔融錫之熔融金屬24。該浮製浴14具有與該窯12相鄰之一入口端26及與該第一輸送器18相鄰之一出口端28。在該浮製玻璃製程中，來自該窯12之熔融玻璃被倒在該浮製浴14中之熔融金屬24的頂部上。該熔融玻璃開始冷卻且分散在該熔融金屬24之頂部以形成具有一表面32之一玻璃帶30。
多數組相對滾子總成34沿該浮製浴14之兩側設置且延伸進入該浮製浴14之內部。該等滾子總成34包括與一可旋轉頭部38連接之一軸36。該頭部38包括組配成可抓住該玻璃帶30之多數圓周齒。該等滾子總成頭部38之旋轉將該玻璃帶30沿該熔融金屬24之頂部拉向該浮製浴14之出口端28。該等頭部38之旋轉速度影響該玻璃帶30之厚度。在所有其他參數保持相等之情形下，旋轉速度越快，該玻璃帶30越薄。該等頭部38之角度(或傾斜)影響該玻璃帶30之寬度。例如，使該等頭部38向外傾斜(朝向該浮製浴14之外側)可增加該玻璃帶30之寬度。使該等頭部38向內傾斜可減少該玻璃帶30之寬度。該等頭部38之這傾斜亦可影響該玻璃帶30之厚度。
設置該等滾子總成34的該浮製浴14之部份稱為「薄化區」40。在這薄化區40中主要是藉由該等滾子總成34之操作，例如側向地及/或縱向地拉伸該玻璃帶30。
在該浮製浴塗覆系統11中，本發明之至少一第一奈米粒子塗覆器44設置在該浮製浴14中。如圖1至3所示，該第一奈米粒子塗覆器44包括一殼體46，該殼體46具有一奈米粒子排出孔48及至少一燃燒孔。在所示例子中，該第一奈米粒子塗覆器44包括一第一燃燒孔50及一第二燃燒孔52。在所示例子中，該奈米粒子排出孔48設置在該第一燃燒孔50與該第二燃燒孔52之間。
該奈米粒子排出孔48與一奈米粒子源54及一載體流體源56連接。該奈米粒子源54包含及/或產生及/或供應用於由該奈米粒子排出孔48排出之奈米粒子或奈米粒子前驅體材料。
該奈米粒子源可提供或包含由任何習知方法產生之奈米粒子。在一特定例子中，一液體前驅體可在一蒸發器中加熱以形成一蒸氣。該蒸氣可流至一反應區以形成所需奈米粒子。液體反應物蒸發器之例子揭露在美國專利第4,924,936、5,356,451及7,730,747號中。例如，一金屬氯化物，如四氯化鈦，可在一蒸發器中加熱以形成一前驅體蒸氣。該蒸氣可流至該第一奈米粒子塗覆器44或一收集器。例如，該蒸發器可與該第一奈米粒子塗覆器44連接。該四氯化鈦蒸氣可被水解或氧化以形成二氧化鈦奈米粒子。亦可使用如有機金屬化合物等之其他前驅物。異丙氧化鈦係可蒸發形成二氧化鈦奈米粒子之另一材料例。該前驅物流可包含不同成分之一、二或二以上反應物材料以形成具有一純成分、具混合相及/或成分之一成分、或單相或多相之均質合金的奈米粒子。所屬技術領域中具有通常知識者可了解的是該液體反應物材料可以各種比率供應以形成奈米粒子及/或一所需成分之奈米粒子的一混合物。此外，可由一氣體源供應一或多數前驅物以形成奈米粒子及/或一所需成分之奈米粒子的一混合物。這情形之一例子包括供應硫化氫作為一含硫前驅物以形成一含硫化物奈米粒子。另一例係供應氨(NH3 )以形成一含氮化物奈米粒子。
適當奈米粒子之例子包括氧化物奈米粒子。例如，金屬氧化物奈米粒子。例如，氧化鋁、二氧化鈦、氧化鈰、氧化鋅、氧化錫、二氧化矽及氧化鋯。其他例子包括金屬奈米粒子。例如但不限於鐵、鋼、銅、銀、金及鈦。其他例子包括包含二或二以上材料之合金的合金奈米粒子。例如鋅、錫、金、銅及銀中之二或二以上者的合金。其他例子包括含硫化物奈米粒子及/或含氮化物奈米粒子。其他例子包括發光材料及/或光致發光材料。例如，磷光體，如磷光奈米粒子及/或螢光奈米粒子。例如，藍、綠、及/或紅磷光體。例子包括BaMgAl10 O17 ：Eu2+ ；Y2 O3 ：Eu；以ZnS為主之磷光體，例如ZnS：Mn及ZnS：Cu；CdS；Y2 SiO5 ：Ce3+ ；Zn2 SiO4 ：Mn；(Ca,Sr)S：Bi；及SrAl2 O4 ：Eu(II)：Dy(III)。其他例子包括發光奈米結晶材料。例如，奈米結晶奈米粒子。例如，摻雜銪之氧化釔、摻雜鋱之氧化釔、及/或摻雜錳之錫酸鋅。
該載體流體源56供應一載體流體以便由該奈米粒子源54推進或運送該奈米粒子蒸氣或奈米粒子至該第一奈米粒子塗覆器44。該載體流體宜包含一載體氣體。例如，氮或氬。
該等燃燒孔50、52與一燃料源58及一氧化劑源60連接。該燃料源58包含一可燃材料。例如，天然氣。該氧化劑源60包含一含氧材料。例如，空氣或氧氣。
用於該第一燃燒孔50之燃料源58可與用於該第二燃燒孔52者相同或不同。即，該第一燃燒孔50及第二燃燒孔52可用相同種類之燃料來供應。或者，一燃燒孔可用一第一燃料來供應且另一燃燒孔可用一第二燃料來供應，且該第一燃料與該第二燃料相同或不同。
用於該第一燃燒孔50之氧化劑源60可與用於該第二燃燒孔52者相同或不同。即，該第一燃燒孔50及第二燃燒孔52可用相同種類之氧化劑來供應。或者，一燃燒孔可用一第一氧化劑來供應且另一燃燒孔可用一第二氧化劑來供應，且該第一氧化劑與該第二氧化劑相同或不同。
上述結構使該燃料及該氧化劑流速可與該奈米粒子及載體流體流速分開地控制。
該第一奈米粒子塗覆器44可設置在該薄化區40之上游。或者，該第一奈米粒子塗覆器44可設置在該薄化區40之下游。或者，該第一奈米粒子塗覆器44可設置在該薄化區40中。
該浮製浴塗覆系統11可包括至少一第二奈米粒子塗覆器64。該第二奈米粒子塗覆器64可與上述第一奈米粒子塗覆器44相同。在所示例子中，該第二奈米粒子塗覆器64之奈米粒子排出孔與一第二奈米粒子源66及一第二載體流體源67連接。該第二奈米粒子塗覆器64之該(等)燃燒孔與一第二燃料源68及一第二氧化劑源70連接。
該第二奈米粒子源66可與該第一奈米粒子源54相同或不同。即，由該第二奈米粒子源66供應之奈米粒子可與由該奈米粒子源54供應之粒子相同或不同。例如，該第一奈米粒子源54可提供具有與由該第二奈米粒子源66供應之奈米粒子不同尺寸及/或成分的奈米粒子。例如，該第一奈米粒子源54可提供具有比由該第二奈米粒子源66供應之奈米粒子小及/或密的奈米粒子。
該第二燃料源68可與該第一燃料源58相同或不同。該第二氧化劑源70可與該第一氧化劑源60相同或不同。
若具有一以上奈米粒子塗覆器44、64，一或多數奈米粒子塗覆器44、64可設置在該薄化區40之上游，及/或一或多數奈米粒子塗覆器44、64可設置在該薄化區40之下游，及/或一或多數奈米粒子塗覆器44、64可設置在該薄化區40內。
該奈米粒子塗覆器44、64可設置在該浮製浴14中該玻璃帶30具有使得由該奈米粒子塗覆器44、64排出之奈米粒子被埋入該玻璃帶30中一所需深度之一黏度的一位置。
或者，該奈米粒子塗覆器44、64可設置在該玻璃帶30之黏度未對應於達成該等奈米粒子之所需深度之一黏度的一位置。例如，在該玻璃帶30之溫度在提供所需黏度所需溫度以下的一位置。在該情形中，可致動該等燃燒孔50、52中之一或兩者以增加該玻璃帶30之溫度及/或降低該玻璃帶30之黏度至所需量。
該等奈米粒子塗覆器44、64可設置在該浮製浴14中該玻璃帶30之黏度使得由該奈米粒子塗覆器44、64沈積之奈米粒子完全被埋入該玻璃帶30中的一位置。「完全埋入」表示由該奈米粒子塗覆器44、64沈積之至少某些奈米粒子，且以大部份奈米粒子為佳，而更佳的是所有奈米粒子完全地被該玻璃帶30包圍。
該等奈米粒子可具有在25奈米(nm)至1,000nm之範圍內的一直徑。例如，該等奈米粒子可具有在50nm至750nm之範圍內的一直徑。例如，該等奈米粒子可具有在150nm至600nm之範圍內的一直徑。例如，該等奈米粒子可具有在200nm至500nm之範圍內的一直徑。
例如，該等奈米粒子可埋至25奈米(nm)至2,000nm之範圍內的一深度(即，由該玻璃帶之表面32至該等奈米粒子之邊緣的距離)。例如，該等奈米粒子可埋至50nm至1,500nm之範圍內的一深度。例如，該等奈米粒子可埋至100nm至750nm之範圍內的一深度。例如，該等奈米粒子可埋至150nm至600nm之範圍內的一深度。例如，該等奈米粒子可埋至200nm至500nm之範圍內的一深度。
在圖1所示之例子中，該第一奈米粒子塗覆器44設置成比該第二奈米粒子塗覆器64靠近該浮製浴14之入口端26。因此，該玻璃帶30之溫度在該第一奈米粒子塗覆器44比在該第二奈米粒子塗覆器64高。這表示該玻璃帶30之黏度在該第一奈米粒子塗覆器44比在該第二奈米粒子塗覆器64低。在所有其他因素保持相同之情形下，沈積在該第一奈米粒子塗覆器44之奈米粒子將埋得成比沈積在該第二奈米粒子塗覆器64之奈米粒子更深入該玻璃帶30。因此，在該玻璃帶30中可形成不同奈米粒子區域。
或者，該奈米粒子塗覆器44、64可設置在該浮製浴中該玻璃帶30之黏度使得該等奈米粒子部份地埋入該玻璃帶30的一位置。「部份地埋入」表示由該奈米粒子塗覆器44、64沈積之至少某些奈米粒子，且以大部份奈米粒子為佳，而更佳的是所有奈米粒子未完全被該玻璃帶30包圍。即，該等奈米粒子之至少一部份的至少一部分延伸在該玻璃帶30之表面32上方。例如，一或多數奈米粒子之一部份延伸在該玻璃帶30之該表面上方。
如一化學蒸氣沈積(CVD)塗覆器之至少一蒸氣沈積塗覆器74可設置在該浮製浴14中。例如，該蒸氣沈積塗覆器74可設置在該等奈米粒子塗覆器44、64之下游。該蒸氣沈積塗覆器74可為一習知CVD塗覆器，且亦為所屬技術領域中具有通常知識者所熟知。
特別適用於施加揮發性前驅物之一蒸氣沈積塗覆器74顯示在圖4與5中。該蒸氣沈積塗覆器74包括一充氣總成76及一噴嘴塊78。該噴嘴塊78具有朝向該玻璃帶30之一排出面80。該所示示範充氣總成76具有一第一入口充氣部82、一第二入口充氣部84及一第三入口充氣部86。該充氣總成76具有一第一排氣充氣部88及一第二排氣充氣部90。該示範噴嘴塊78，例如藉由螺栓，與該充氣總成76連接。
該第一入口充氣部82與具有一第一排出口(孔)94之一第一排出通道92氣流連通。該第二入口充氣部84與具有一第二排出口(孔)98之一第二排出通道96氣流連通。該第三入口充氣部86與具有一第三排出口(孔)102之一第三排出通道100氣流連通。多數入口混合室104可設置在該等排出通道92、96、100中。
一第一排氣管106由該排出面80延伸至該第一排氣充氣部88。一第二排氣管108由該排出面80延伸至該第二排氣充氣部90。排氣室110可設置在該等排氣管106、108中。
在所示例子中，該第二排出通道96與該排出面80垂直(即，該第二排出通道96之一中心線軸垂直於該排出面80之平面)。但是，該第一排出通道92及第三排出通道100相對於該排出面80傾斜。該第一排出通道92及該第三排出通道100之中心線軸在該排出面80下方之一位置交叉。因此，由該噴嘴塊78排出後，來自該等排氣出口94、98、102之前驅物蒸氣才混合。這對於預混合前驅物會產生過早反應之揮發性前驅物特別有用。
該等排出通道92、96、100中之一或多數通道相對於排出面80的角度可改變，使得該等排出通道92、96、100中之二或二以上通道的中心線軸在一所需位置(例如，相對該排出面80之距離及/或相對於一下方玻璃帶30之位置)交叉。例如，可設置具有不同排出通道角度之不同/可互換噴嘴塊78。可選擇並藉螺栓固定具有所需排出通道角度之一噴嘴塊78在該充氣總成76上。或者，該噴嘴塊78可藉由多數分開區段形成。該第一排氣管106可在一區段中，該第二排氣管108可在另一區段中，且該等排出通道92、96、100可在一第三區段中。該等不同區段可與該充氣總成76獨立地連接。在這態樣中，只需要以具有一所需排出通道角度之一區段取代具有該等排出通道92、96、100的該噴嘴塊78之區段。
或者，該第一排出通道92、第二排出通道96及第三排出通道100可設置在該噴嘴塊78之分開區段中且移動地連接，例如滑動地連接在該充氣總成76上。例如，請參閱圖4，若該第一排出通道92設置在一可滑動區段且該第三排出通道100設置在一分開可滑動區段，則使包含該第一排出通道92之該可滑動區段及/或包含該第三排出通道100之另一可滑動區段向圖4之左方或右方滑動可改變該等排出通道92、96、100之中心線的交叉點。例如，使包含該第一排出通道92之區段在圖4中向左滑動且使包含該第三排出通道100之區段在圖4中向右滑動可增加該交叉點相對於該排出面80之距離。
該等排出通道92及/或100之角度可改變使得該中心線軸在該玻璃帶30之表面上方，或在該玻璃帶30之該表面，或在該玻璃帶30之表面下方的一位置交叉。若該計算之交叉在該玻璃帶30之表面下方，來自該第二排出通道96之垂直於該排出面80的蒸氣在該玻璃帶30上形成一單層且來自該第一排出通道92及第三排出通道100之材料與它反應。在圖4中，該等排出通道92、96、100之中心線軸將在該玻璃帶96上方交叉。
具有一修改噴嘴塊78的一蒸氣沈積塗覆器74之一中央部份顯示在圖5中。在這修改例中，該第一排出口94及該第三排出口102與在該排出面80上方之第二排出通道96氣流連通。因此，來自該等三排出通道92、96、100之蒸氣在它們由該第二排出口98排出前混合。
一或多數塗層可藉由該蒸氣沈積塗覆器74施加在該玻璃帶30上。該等塗層可藉由選擇地沈積多數前驅物材料來施加。例如，可使用二或二以上不同前驅物材料形成一層。藉由三氯化單丁基錫(MBTC)製成之氧化物塗層通常提供具有比如四氯化錫(TTC)之其他錫前驅物低之霧度的塗層。但是，TTC之沈積效率比MBTC好。此外，TTC會產生具有比由MBTC製成之一塗層低的表面電阻。因此，該層開始時可使用MBTC形成(為了具有霧度)且接著該前驅物材料轉換成TTC以形成該層之剩餘部份。整體效率增加且製成之塗層具有MBTC之霧度優點及TTC之表面電阻優點。
以下將說明操作該浮製玻璃系統10之一示範方法。
請參閱圖1，當該玻璃帶30在該第一奈米粒子塗覆器44下方移動時，多數奈米粒子114被該載體流體推向該玻璃帶30之表面32。由於大部分奈米粒子之質量比較低，該等奈米粒子114之穿透深度主要是由該玻璃帶30之黏度決定。該玻璃帶30之黏度越低，該等奈米粒子114越深入地穿透該玻璃帶30。該載體流體之速度亦會影響該穿透深度。速度越高，該等奈米粒子114將越深入地穿透至該玻璃帶30中。
該第一奈米粒子塗覆器44可設置在該浮製浴14中該玻璃帶30之黏度對應於容許該奈米粒子114穿透該玻璃帶30至一所需深度所需之黏度的一位置。或者，若在該第一奈米粒子塗覆器44下方的該玻璃帶30之黏度比所需者高，可致動該等燃燒孔50、52中之一或兩者。例如，燃料及氧化劑可送至該第一燃燒孔50並點燃以形成一第一火焰116。來自該第一燃燒孔50之第一火焰116加熱該玻璃帶30之表面32，使該玻璃帶30之黏度降低至所需值以便讓該等奈米粒子114穿透至一所需深度。替代地或另外地，可致動該第二燃燒孔52以形成一第二火焰118。來自該第二燃燒孔52之第二火焰118亦使該玻璃帶30之黏度降低。該第二火焰118亦有助於在添加該等奈米粒子114後使該玻璃帶30之表面32平滑(減少粗糙度)。
可使用多數奈米粒子塗覆器44、64。例如，如圖1與2所示，該第一奈米粒子塗覆器44設置成比較靠近該玻璃帶30之溫度比在該第二奈米粒子塗覆器64之位置大(且因此黏度比較低)的該浮製浴14之入口端26。因此，在所有其他因素保持相同之情形下，沈積在該第一奈米粒子塗覆器44之奈米粒子114可比沈積在該第二奈米粒子塗覆器64之奈米粒子114更深地穿透至該玻璃帶30中。依此方式，不同奈米粒子區域或帶可形成在該玻璃帶30中。例如，該第一奈米粒子塗覆器44可沈積具有與由該第二奈米粒子塗覆器64沈積之第二奈米粒子122不同的質量及/或成分之第一奈米粒子120。
一或多數塗層可藉由該一或多數蒸氣沈積塗覆器74施加在該玻璃帶30之表面32上。
圖6顯示一物件126，其中具有一第一尺寸及/或質量及/或成分之第一奈米粒子120由該第一奈米粒子塗覆器44沈積至該玻璃帶30中之一第一深度。具有一第二尺寸及/或質量及/或成分之第二奈米粒子122由該第二奈米粒子塗覆器64沈積至該玻璃帶30中之一第二深度。在該玻璃帶30中，該等第一奈米粒子120形成一第一奈米粒子帶或奈米粒子區域128且該等第二奈米粒子122形成一第二奈米粒子帶或奈米粒子區域130。在該玻璃帶30中，該第一區域128係在與該第二區域130不同之一深度。在所示例子中，該第一奈米粒子區域128及該第二奈米粒子區域130未重疊。但是，該第一奈米粒子區域128之至少一部份可與該第二奈米粒子區域130之至少一部份重疊。
該奈米粒子塗覆器44、64相對於該薄化區40之位置影響在該玻璃帶30中之該等奈米粒子的濃度，例如該等奈米粒子之數濃度。例如，若該奈米粒子塗覆器44、64設置在該薄化區40之上游，當該玻璃帶30在該薄化區40中被拉伸時，在該玻璃帶30中之奈米粒子間的數濃度及/或密度及/或距離(側向及/或垂直)會受影響。例如，若該等奈米粒子沈積在該薄化區40之上游且接著該玻璃帶30進入該薄化區40並被側向地拉伸，該玻璃帶30之厚度會減少。在相鄰奈米粒子間之距離，例如側向距離會增加。
若該奈米粒子塗覆器44、64設置在該薄化區40之下游，當該玻璃帶30移動通過該浮製浴14之剩餘部分時，該等奈米粒子之相對位置應仍相同。
在藉由該奈米粒子塗覆器44、64沈積該等奈米粒子後，可藉由設置在該浮製浴14中之一或多數蒸氣沈積塗覆器74施加一或多數任選塗層。圖6中之物件126包括藉由一或多數蒸氣沈積塗覆器174施加之一任選塗層132。該塗層132可為或可包括如下所述之用於一OLED的一或多數層。例如，該塗層132可為一導電氧化物層。
在該玻璃帶30離開該浮製浴14後，可在該塗層132上施加其他塗層。例如，該玻璃帶30可切割成一所需形狀且可藉由如化學蒸氣沈積及/或MSVD之任何習知方法增加一或多數其他塗層。或者，奈米粒子120、122可藉由該奈米粒子塗覆器44、64沈積在該玻璃帶30上及/或中且未藉由該蒸氣塗覆器74施加任何後續塗層。
圖7顯示具有一基板137之一物件136，且多數奈米粒子114設置在該基板137之一表面139上以形成一摩擦修改表面138。例如，該等奈米粒子114可在該玻璃帶30之一黏度下及/或以一沈積速度沈積在該玻璃帶30之表面32上使得該等奈米粒子114未完全地埋入該玻璃帶30中。該等部份埋入奈米粒子114在該物件136上形成該摩擦修改表面138。例如，該等奈米粒子114可選自具有比該玻璃表面139低之一摩擦係數的材料。延伸在該基板137之表面139上方的該等奈米粒子114之部份為該表面139提供比在沒有該等奈米粒子114時低之一摩擦係數。舉例而言，該等奈米粒子114可包含二氧化鈦。或者，該等奈米粒子114可選擇成具有比該基板137之玻璃高之一摩擦係數。這可為該物件136提供具有比沒有該等奈米粒子114之表面139高之一摩擦係數的一摩擦修改表面138。
本發明之另一示範物件142顯示在圖8中。這物件142類似於圖6所示之物件126。該物件142特別適用於作為一私密玻璃。該物件142包括一玻璃基板144，該玻璃基板144具有與該表面32相鄰之至少一奈米粒子區域130、132。可具有一任選塗層132。一光源146設置成與該物件142之一邊緣148相鄰。當該關閉該光源146時，該物件142具有一第一透明度。當開啟該光源146時，該等奈米粒子114使來自該光源146之光波150散射且該物件142具有一第二透明度。由於藉由該等奈米粒子120、122散射該等光波150，該第二透明度比該第一透明度小。
具有本發明之特徵的一OLED裝置154顯示在圖9中。該OLED裝置154包括一基板156、如一陰極158之一電極、一放射層160、及如一陽極162之另一電極。
該陰極158可為任何習知OLED陰極。適當陰極158之例子包括金屬，如但不限於鋇及鈣。該陰極158通常具有一低功函數。
該放射層160可為所屬技術領域中習知之一習知有機電致發光層。該等材料之例子包括但不限於：如有機金屬螯合物(例如，Alq3 )之小分子、螢光或磷光染料、及共軛樹枝狀聚合物。適當材料之例子包括三苯胺、苝、紅螢烯、及喹吖酮。或者，電致發光聚合物材料亦是習知的。該等導電聚合物之例子包括聚(對伸苯基乙烯)及聚茀。亦可使用磷光材料。該等材料之例子包括其中添加如一銥錯合物之一有機金屬錯合物作為摻雜物的聚(n-乙烯咔唑。
該陽極162可為例如一金屬氧化物材料之一導電透明材料，如但不限於銦錫氧化物(ITO)或鋁摻雜氧化鋅(AZO)。該陽極162通常具有一高功函數。
該基板156包含一玻璃基板且可藉由上述浮製玻璃系統10製成。該基板156具有在550奈米(nm)之一參考波長及3.2mm之一參考厚度下的一高可見光透射性。「高可見光透射性」表示在一3.2mm參考厚度下，大於或等於85%，如大於或等於87%、如大於或等於90%、如大於或等於91%、如大於或等於92%、如大於或等於93%、如大於或等於95%之在550nm的可見光透射性。例如，該可見光透射性可在一3.2mm參考厚度及550nm之一波長下，在85%至100%，如87%至100%、如90%至100%、如91%至100%、如92%至100%、如93%至100%、如94%至100%、如95%至100%、如96%至100%之範圍內。可供實施本發明使用之玻璃的非限制例包括，但不限於全部都可由Pennsylvania州Pittsburgh之PPG Industries公司購得之Starphire®、Solarphire®、Solarphire®PV及CLEAR™玻璃。
該基板156可具有如在0.5mm至10mm之範圍內的任何所需厚度。例如，該基板156可具有在1mm至10mm之範圍內的一厚度。例如，該基板156可具有在1mm至4mm之範圍內的一厚度。例如，該基板156可具有在2mm至3.2mm之範圍內的一厚度。
該基板156包括由上述一或多數奈米粒子區域128及/或130形成之一內光提取區域164。適當奈米粒子之例子包括，但不限於，氧化物奈米粒子。例如但不限於氧化鋁、二氧化鈦、氧化鈰、氧化鋅、氧化錫、二氧化矽及氧化鋯。其他例子包括金屬奈米粒子。例如但不限於鐵、鋼、銅、銀、金及鈦。其他例子包括含有二或二以上材料之合金的合金奈米粒子。另外之例子包括含硫化物奈米粒子及含氮化物奈米粒子。
該內光提取區域164之奈米粒子114可包含上述之螢光及/或磷光奈米粒子114。當該放射層160放射電磁輻射時，這輻射可被該等奈米粒子114吸收，接著該等奈米粒子114本身放射電磁輻射。因此，該等奈米粒子114不僅提供更多光散射且亦增加該OLED之電磁輻射輸出。此外，該等奈米粒子所選擇之磷光體可選擇成放射一顏色之電磁輻射，且當與由該放射層160放射之電磁輻射組合時，該顏色之電磁輻射提供一所需顏色之電磁輻射。例如，若該放射層160放射藍光，該等螢光及/或磷光奈米粒子114可選擇成放射紅光，其組合形成一綠光。
這些奈米粒子可在0微米至50微米之範圍內的一深度加入該基板156。例如，該等奈米粒子可在0微米至10微米之範圍內的一深度加入該基板156。例如，該等奈米粒子可在0微米至5微米之範圍內的一深度加入該基板156。例如，該等奈米粒子可在0微米至3微米之範圍內的一深度加入該基板156。例如，該等奈米粒子可在大於0微米至3微米之範圍內的一深度加入該基板156。
該OLED裝置154可包括一外光提取區域166。該EEL可為，例如，一塗層，且該塗層具有分散在該塗層中之多數奈米粒子114。
該等奈米粒子可在0.1重量百分比至50重量百分比之範圍內加入該塗覆材料中。例如，該等奈米粒子可在0.1重量百分比至40重量百分比之範圍內加入該塗覆材料中。例如，該等奈米粒子可在0.1重量百分比至30重量百分比，如0.1重量百分比至20重量百分比、如0.1重量百分比至10重量百分比、如0.1重量百分比至8重量百分比、如0.1重量百分比至6重量百分比、如0.1重量百分比至5重量百分比之範圍內，加入該塗覆材料中。例如，該等奈米粒子可在0.1至2重量百分比，如0.1至1重量百分比、如0.1至0.5重量百分比、如0.1至0.4重量百分比、如0.1至0.3重量百分比、如0.2重量百分比至10重量百分比之範圍內，加入該塗覆材料中。例如，該等奈米粒子可在0.2重量百分比至5重量百分比，如0.2重量百分比至1重量百分比之範圍內加入該塗覆材料中。例如，該等奈米粒子可在0.2重量百分比至0.8重量百分比之範圍內加入該塗覆材料中。例如，該等奈米粒子可在0.2重量百分比至0.4重量百分比之範圍內加入該塗覆材料中。
本發明不限於該浮製玻璃製程。本發明可例如藉由一玻璃洩降製程實施。在一洩降製程中，熔融玻璃位在一容器中。該熔融玻璃流出該容器且形成一玻璃帶。該玻璃帶在重力作用下向下移動。洩降製程之例子包括一孔洩降製程及一熔化洩降製程。在一孔洩降製程中，該容器係一長形容器或槽，且該長形容器或槽在一槽底部中具有一開口排出口。熔融玻璃流經該排出孔以形成該玻璃帶。在一熔化洩降製程中，該容器係一槽，且該槽具有一開口頂部而在該槽之底部中沒有一排出孔。熔融玻璃流出該槽之頂部，由該槽之相對外側向下流，且在該槽下方形成一玻璃帶。
圖10顯示組配成一孔洩降系統的一示範洩降系統170。熔融玻璃172位於如一槽之一容器174中，該容器174具有在該容器174底部中之一排出孔176。該熔融玻璃172流出該排出孔176且形成具有一第一側180及一第二側182之一玻璃帶178。該玻璃帶178在重力作用下向下移動。該玻璃帶178沿其移動之垂直平面界定該洩降系統170之一玻璃帶通路184。該玻璃帶通路184具有一第一側186及一第二側188。
一或多數奈米粒子塗覆器設置成與該玻璃帶通路184之第一側186相鄰。在所示例子中，一第一奈米粒子塗覆器44設置在一第二奈米粒子塗覆器64上方。一或多數其他塗覆器190，例如CVD塗覆器及/或噴霧塗覆器及/或火焰熔射塗覆器及/或蒸氣塗覆器可設置成與該玻璃帶通路184之第一側186相鄰。該其他塗覆器190可為例如一上述蒸氣塗覆器74。
一或多數奈米粒子塗覆器設置成與該玻璃帶通路184之第二側188相鄰。在所示例子中，一第三奈米粒子塗覆器192設置在一第四奈米粒子塗覆器194上方。該第三奈米粒子塗覆器192及該第四奈米粒子塗覆器194可與上述奈米粒子塗覆器44、64相同。一或多數其他塗覆器190，例如CVD塗覆器及/或噴霧塗覆器及/或火焰熔射塗覆器及/或蒸氣塗覆器可設置成與該玻璃帶通路184之第二側188相鄰。該其他塗覆器190可為例如一上述蒸氣塗覆器74。
一或多數奈米粒子區域可藉由該等奈米粒子塗覆器44、64、192、194沈積在該玻璃帶178之兩側180、182上及/或中。例如及如圖11至14所示，一或多數第一及/或第二奈米粒子區域128、130可由該等第一及/或第二奈米粒子塗覆器44、64形成。一或多數第三及/或第四奈米粒子區域228、230可藉由該等第三及/或第四奈米粒子塗覆器192、194形成。一或多數塗層202可藉由該等其他塗覆器190施加在該玻璃帶178之兩側180、182上。
圖11顯示類似於圖6所示者，但藉由本發明之一洩降系統170製成的一物件200。一或多數第一及/或第二奈米粒子區域128、130可設置成與該物件200之第一側180相鄰。一或多數第三及/或第四奈米粒子區域228、230可設置成與該物件200之第二側182相鄰。藉由該等其他塗覆器190沈積之任選塗層202可設置在該物件200之第一側180及/或第二側182上。
圖12顯示類似於圖7所示者，但藉由本發明之一洩降系統170製成的一物件204。該物件204包括形成在該物件204之各側180、182上的一摩擦修改表面138。
圖13顯示類似於圖8所示者，但藉由本發明之一洩降系統170製成的一物件206。該物件206包括與該第一側180相鄰之一或多數第一及/或第二奈米粒子區域128、130及與該第二側182相鄰之第三及/或第四奈米粒子區域228、230。多數光源146設置成與該物件206之一邊緣148相鄰且與該等奈米粒子區域128、130、228、230相鄰。
圖14顯示類似於圖8所示者之形態為一OLED裝置的一物件208，但其中該基板156係藉由本發明之一洩降系統170製成。該基板156包括與一第一表面210相鄰之一或多數第一及/或第二奈米粒子區域128、130及與一第二表面212相鄰之一或多數第三及/或第四奈米粒子區域228、230。
本發明可在以下編號之項目中進一步說明：
項目1：一種浮製浴塗覆系統，其包含：至少一奈米粒子塗覆器，其設置在一浮製浴中；及至少一蒸氣沈積塗覆器，其設置在該至少一奈米粒子塗覆器之下游。
項目2：如項目1之系統，其中該浮製浴包括一薄化區且該至少一奈米粒子塗覆器設置在該薄化區之上游。
項目3：如項目1之系統，其中該浮製浴包括一薄化區且該至少一奈米粒子塗覆器設置在該薄化區之下游。
項目4：如項目1至3中任一項目之系統，其中該奈米粒子塗覆器包含：一殼體；一奈米粒子排出孔；及至少一燃燒孔。
項目5：如項目4之系統，其中該奈米粒子排出孔與一奈米粒子源及一載體流體源連接。
項目6：如項目5之系統，其中該奈米粒子源包含一蒸發器。
項目7：如項目5或6之系統，其中該奈米粒子源包含金屬氧化物奈米粒子。
項目8：如項目5至7中任一項目之系統，其中該奈米粒子源包含螢光及/或磷光奈米粒子。
項目9：如項目5至8中任一項目之系統，其中該奈米粒子源包含多數磷光體。
項目10：如項目5至9中任一項目之系統，其中該奈米粒子源包含發光奈米結晶奈米粒子。
項目11：如項目10之系統，其中該奈米結晶奈米粒子係選自摻雜銪之氧化釔、摻雜鋱之氧化釔、及摻雜錳之錫酸鋅。
項目12：如項目5至11中任一項目之系統，其中該載體流體包含氮。
項目13：如項目5至12中任一項目之系統，其中該至少一燃燒孔與一燃料源及一氧化劑源連接。
項目14：如項目13之系統，其中該燃料源包含天然氣。
項目15：如項目13或14之系統，其中該氧化劑源包含氧。
項目16：如項目4至15中任一項目之系統，其中該至少一奈米粒子塗覆器包含一第一燃燒孔及一第二燃燒孔，且其中該奈米粒子排出孔係設置在該第一燃燒孔與該第二燃燒孔之間。
項目17：如項目1至16中任一項目之系統，其包括一第一奈米粒子塗覆器及一第二奈米粒子塗覆器。
項目18：如項目17之系統，其中該第一奈米粒子塗覆器與一第一奈米粒子源連接且該第二奈米粒子塗覆器與一第二奈米粒子源連接。
項目19：如項目18之系統，其中該第一奈米粒子源與該第二奈米粒子源不同。
項目20：如項目18或19之系統，其中該第一奈米粒子源包括比該第二奈米粒子源之奈米粒子小的奈米粒子。
項目21：如項目17至20中任一項目之系統，其中該第一奈米粒子塗覆器與一第一燃料源及一第一氧化劑源連接，且該第二奈米粒子塗覆器與一第二燃料源及一第二氧化劑源連接。
項目22：如項目21之系統，其中該第一燃料源與該第二燃料源不同。
項目23：如項目21或22之系統，其中該第一氧化劑源與該第二氧化劑源不同。
項目24：一種浮製浴塗覆系統，其包含：設置在一浮製浴中之至少一奈米粒子塗覆器，其中該至少一奈米粒子塗覆器包含一殼體、一奈米粒子排出孔、一第一燃燒孔及一第二燃燒孔，其中該奈米粒子排出孔與一奈米粒子源及一載體流體源連接，其中該第一燃燒孔與一燃料源及一氧化劑源連接，其中該第二燃燒孔與一燃料源及一氧化劑源連接。
項目25：一種浮製玻璃系統，其包含：一浮製浴；多數組相對滾子總成，其界定一薄化區；及至少一第一奈米粒子塗覆器，其設置在該浮製浴中。
項目26：如項目25之系統，其中該第一奈米粒子塗覆器包括一殼體，且該殼體具有一奈米粒子排出孔及至少一燃燒孔。
項目27：如項目25或26之系統，其中該第一奈米粒子塗覆器包括一第一燃燒孔及一第二燃燒孔。
項目28：如項目25至27中任一項目之系統，其中該奈米粒子排出孔係設置在該第一燃燒孔與該第二燃燒孔之間。
項目29：如項目26至28中任一項目之系統，其中該奈米粒子排出孔與一奈米粒子源及一載體流體源連接。
項目30：如項目29之系統，其中該奈米粒子源包含及/或產生及/或供應選自由金屬氧化物奈米粒子、金屬奈米粒子、包含二或二以上材料之合金的合金奈米粒子、含硫化物奈米粒子、含氮化物奈米粒子、螢光奈米粒子、磷光奈米粒子及發光奈米結晶奈米粒子所構成之群組的奈米粒子。
項目31：如項目27至30中任一項目之系統，其中該等燃燒孔與一燃料源及一氧化劑源連接。
項目32：如項目25至31中任一項目之系統，其包含設置在該薄化區之上游的至少一奈米粒子塗覆器。
項目33：如項目25至32中任一項目之系統，其包含設置在該薄化區之下游的至少一奈米粒子塗覆器。
項目34：如項目25至33中任一項目之系統，其包含設置在該薄化區中的至少一奈米粒子塗覆器。
項目35：如項目25至34中任一項目之系統，其包含至少一第二奈米粒子塗覆器。
項目36：如項目35之系統，其中該第二奈米粒子塗覆器與一第二奈米粒子源、一第二燃料源及一第二氧化劑源連接。
項目37：如項目25至36中任一項目之系統，其中該奈米粒子塗覆器係設置在該浮製浴中一玻璃帶具有使得由該奈米粒子塗覆器排出之奈米粒子被埋在該玻璃帶中一所需深度之一黏度的一位置。
項目38：如項目25至36中任一項目之系統，其中該奈米粒子塗覆器係設置在該浮製浴中一玻璃帶沒有使得由該奈米粒子塗覆器排出之奈米粒子被埋在該玻璃帶中一所需深度之一黏度的一位置。
項目39：如項目25至36中任一項目之系統，其中該奈米粒子塗覆器係設置在該浮製浴中一玻璃帶具有使得由該奈米粒子塗覆器排出之奈米粒子完全地被埋在該玻璃帶中一所需深度之一黏度的一位置。
項目40：如項目25至36中任一項目之系統，其中該奈米粒子塗覆器係設置在該浮製浴中一玻璃帶具有使得由該奈米粒子塗覆器排出之奈米粒子部份地被埋在該玻璃帶中一所需深度之一黏度的一位置。
項目41：如項目25至40中任一項目之系統，其包括設置在該浮製浴中該至少一奈米粒子塗覆器之下游的至少一蒸氣沈積塗覆器。
項目42：一種奈米粒子塗覆器，其包含：一殼體；一奈米粒子排出孔；及至少一燃燒孔。
項目43：如項目42之奈米粒子塗覆器，其中該奈米粒子排出孔與一奈米粒子源及一載體流體源連接。
項目44：如項目43之奈米粒子塗覆器，其中該奈米粒子源包含一蒸發器。
項目45：如項目42至44中任一項目之奈米粒子塗覆器，其中該奈米粒子源包含金屬氧化物奈米粒子。
項目46：如項目42至45中任一項目之奈米粒子塗覆器，其中該奈米粒子源包含螢光及/或磷光奈米粒子。
項目47：如項目42至46中任一項目之奈米粒子塗覆器，其中該至少一燃燒孔與一燃料源及一氧化劑源連接。
項目48：如項目42至47中任一項目之奈米粒子塗覆器，其中該等奈米粒子係多數磷光體。
項目49：如項目42至48中任一項目之奈米粒子塗覆器，其中該等奈米粒子係奈米結晶發光材料。
項目50：如項目49之奈米粒子塗覆器，其中該奈米結晶奈米粒子係選自摻雜銪之氧化釔、摻雜鋱之氧化釔、及摻雜錳之錫酸鋅。
項目51：如項目43至50中任一項目之奈米粒子塗覆器，其中該載體流體包含氮。
項目52：如項目47至51中任一項目之奈米粒子塗覆器，其中該燃料源包含天然氣。
項目53：如項目47至52中任一項目之奈米粒子塗覆器，其中該氧化劑源包含氧。
項目54：如項目42至53中任一項目之奈米粒子塗覆器，其中該奈米粒子塗覆器包含一第一燃燒孔及一第二燃燒孔，且其中該奈米粒子排出孔係設置在該第一燃燒孔與該第二燃燒孔之間。
項目55：如項目54之奈米粒子塗覆器，其中該第一燃燒孔與一第一燃料源及一第一氧化劑源連接，且其中該第二燃燒孔與一第二燃料源及一第二氧化劑源連接。
項目56：如項目55之奈米粒子塗覆器，其中該第一燃料源與該第二燃料源不同。
項目57：如項目55或56之奈米粒子塗覆器，其中該第一氧化劑源與該第二氧化劑源不同。
項目58：一種奈米粒子塗覆器，其包含：一殼體；一奈米粒子排出孔；一第一燃燒孔；及一第二燃燒孔。
項目59：如項目58之奈米粒子塗覆器，其中該奈米粒子排出孔係設置在該第一燃燒孔與該第二燃燒孔之間。
項目60：如項目58或59之奈米粒子塗覆器，其中該奈米粒子排出孔與一奈米粒子源及一載體流體源連接。
項目61：如項目60之奈米粒子塗覆器，其中該奈米粒子源包含一蒸發器。
項目62：如項目59或61之奈米粒子塗覆器，其中該奈米粒子源包含金屬氧化物奈米粒子。
項目63：如項目60至62中任一項目之奈米粒子塗覆器，其中該奈米粒子源包含螢光及/或磷光奈米粒子。
項目64：如項目58至63中任一項目之奈米粒子塗覆器，其中該第一燃燒孔與一第一燃料源及一第一氧化劑源連接，且該第二燃燒孔與一第二燃料源及一第二氧化劑源連接。
項目65：如項目64之奈米粒子塗覆器，其中該第一燃料源與該第二燃料源不同。
項目66：一種玻璃物件，其包含：一玻璃基板，其具有一第一表面、一第二表面及一邊緣；及至少一奈米粒子區域，其設置成與該第一表面及該第二表面中之至少一表面相鄰。
項目67：如項目66之物件，其中該至少一奈米粒子區域包含包括多數第一奈米粒子之一第一奈米粒子區域及包括多數第二奈米粒子之一第二奈米粒子區域。
項目68：如項目67之物件，其中該等第一奈米粒子與該等第二奈米粒子不同。
項目69：如項目67或68之物件，其中該等第一奈米粒子比該等第二奈米粒子大。
項目70：如項目66至69中任一項目之物件，其中該至少一奈米粒子區域包含金屬氧化物奈米粒子。
項目71：如項目66至70中任一項目之物件，其中該至少一奈米粒子區域包含螢光及/或磷光奈米粒子。
項目72：如項目66至71中任一項目之物件，其中該至少一奈米粒子區域包含多數磷光體。
項目73：如項目66至72中任一項目之物件，其中該至少一奈米粒子區域包含發光奈米結晶奈米粒子。
項目74：如項目66至73中任一項目之物件，其中該等奈米粒子係選自摻雜銪之氧化釔、摻雜鋱之氧化釔、及摻雜錳之錫酸鋅。
項目75：如項目66至74中任一項目之物件，其包括與該基板之邊緣相鄰的一光源。
項目76：如項目66至75中任一項目之物件，其中該至少一奈米粒子區域包含一摩擦修改表面。
項目77：如項目66至76中任一項目之物件，其中該至少一奈米粒子區域包含完全地埋在該基板中之多數奈米粒子。
項目78：如項目66至77中任一項目之物件，其中該至少一奈米粒子區域包含部份地埋在該基板中之多數奈米粒子。
項目79：如項目66至78中任一項目之物件，其包括與該第一表面相鄰之至少一奈米粒子區域及與該第二表面相鄰之至少另一奈米粒子區域。
項目80：如項目79之物件，其包括與該第一表面相鄰之一第一奈米粒子區域及一第二奈米粒子區域及與該第二表面相鄰之一第三奈米粒子區域及一第四奈米粒子區域。
項目81：如項目79或80之物件，其中該第一奈米粒子區域與該第二奈米粒子區域分開。
項目82：如項目80或81之物件，其中該第三奈米粒子區域與該第四奈米粒子區域分開。
項目83：如項目66至82中任一項目之物件，其包括在該第一表面及該第二表面中之至少一表面上方的至少一塗層。
項目84：如項目83之物件，其中該至少一塗層包含一導電金屬氧化物層。
項目85：如項目66至84中任一項目之物件，其中該至少一奈米粒子區域包含部份地埋在該第一表面及該第二表面中之至少一表面中的多數奈米粒子，其中該等奈米粒子包含具有比該基板低之一摩擦係數的一材料。
項目86：如項目66至85中任一項目之物件，其中該至少一奈米粒子區域部份地埋在該第一表面及該第二表面中之至少一表面中的多數奈米粒子，其中該等奈米粒子包含具有比該基板高之一摩擦係數的一材料。
項目87：一種私密玻璃，其包含：一玻璃基板，其具有一第一表面、一第二表面及一邊緣；一光提取區域，其設置成與該第一表面相鄰，該光提取區域包含多數奈米粒子；及一光源，其與該基板之該邊緣相鄰。
項目88：一種玻璃洩降塗覆系統，其包含：一容器，其界定具有一第一側及一第二側之一玻璃帶通路；及至少一奈米粒子塗覆器，其設置成與該玻璃帶通路之第一側及/或第二側相鄰。
項目89：如項目88之系統，其中該至少一奈米粒子塗覆器包含：一殼體；一奈米粒子排出孔；及至少一燃燒孔。
項目90：如項目89之系統，其中該奈米粒子排出孔與一奈米粒子源及一載體流體源連接。
項目91：如項目90之系統，其中該奈米粒子源包含一蒸發器。
項目92：如項目90或91之系統，其中該奈米粒子源包含金屬氧化物奈米粒子。
項目93：如項目90至92中任一項目之系統，其中該奈米粒子源包含螢光及/或磷光奈米粒子。
項目94：如項目90至93中任一項目之系統，其中該奈米粒子源包含多數磷光體。
項目95：如項目90至94中任一項目之系統，其中該奈米粒子源包含發光奈米結晶奈米粒子。
項目96：如項目89至95中任一項目之系統，其中該至少一燃燒孔與一燃料源及一氧化劑源連接。
項目97：如項目96之系統，其中該燃料源包含天然氣。
項目98：如項目96或97之系統，其中該氧化劑源包含氧。
項目99：如項目88至98中任一項目之系統，其中該至少一奈米粒子塗覆器包含一第一燃燒孔及一第二燃燒孔，且其中該奈米粒子排出孔係設置在該第一燃燒孔與該第二燃燒孔之間。
項目100：如項目88至99中任一項目之系統，其包括設置成與該玻璃帶通路之該第一側相鄰的至少一奈米粒子塗覆器及設置成與該玻璃帶通路之該第二側相鄰的至少另一奈米粒子塗覆器。
項目101：如項目88至100中任一項目之系統，其包括設置成與該玻璃帶通路之該第一側相鄰的一第一奈米粒子塗覆器及一第二奈米粒子塗覆器。
項目102：如項目101之系統，其中該第一奈米粒子塗覆器與一第一奈米粒子源連接且該第二奈米粒子塗覆器與一第二奈米粒子源連接。
項目103：如項目102之系統，其中該第一奈米粒子源與該第二奈米粒子源不同。
項目104：如項目101至103中任一項目之系統，其包括設置成與該玻璃帶通路之該第二側相鄰的一第三奈米粒子塗覆器及一第四奈米粒子塗覆器。
項目105：如項目104之系統，其中該第三奈米粒子塗覆器與一第三奈米粒子源連接且該第四奈米粒子塗覆器與一第四奈米粒子源連接。
項目106：如項目104或105之系統，其中該第三奈米粒子源與該第四奈米粒子源不同。
項目107：如項目88至106中任一項目之系統，其包括設置成與該玻璃帶通路之該第一側及/或該第二側相鄰的至少一蒸氣沈積塗覆器。
項目108：一種物件，其包含：一基板，其具有至少一表面；及多數奈米粒子，其部份地埋入該至少一表面中以形成一摩擦修改表面。
項目109：如項目108之物件，其中該等奈米粒子具有比該基板低之一摩擦係數。
項目110：如項目108之物件，其中該等奈米粒子具有比該基板高之一摩擦係數。
項目111：一種物件，其包含：一基板，其具有至少一表面；及至少一奈米粒子，其與該表面相鄰。
項目112：如項目111之物件，其包含一第一奈米粒子區域及一第二奈米粒子區域。
項目113：一種OLED，其包含：一基板，其具有一第一表面及一第二表面；一電極；一放射層；及另一電極，其中該基板包括與該第一表面及/或該第二表面相鄰之至少一奈米粒子區域。
項目114：一種洩降系統，其包含：一玻璃帶通路，其具有一第一側及一第二側；及一或多數奈米粒子塗覆器，其設置成與該玻璃帶通路之該第一側及/或該第二側相鄰。
項目115：如項目114之系統，其包括設置成與該玻璃帶通路之該第一側及/或該第二側相鄰的至少一蒸氣沈積塗覆器。
所屬技術領域中具有通常知識者可輕易了解的是可在不偏離在前述說明中揭露之觀念的情形下對本發明進行多種修改。因此，在此詳細說明之特定實施例只是用以說明而非限制本發明之範疇，且本發明之範疇係由全範圍之以下申請專利範圍及其任一及所有等效物界定。
10‧‧‧浮製玻璃系統
11‧‧‧浮製浴塗覆系統
12‧‧‧玻璃窯
14‧‧‧浮製浴
16‧‧‧徐冷窯
18‧‧‧第一輸送器
20‧‧‧切割站
22‧‧‧第二輸送器
24‧‧‧熔融金屬
26‧‧‧入口端
28‧‧‧出口端
30,178‧‧‧玻璃帶
32,139‧‧‧表面
34‧‧‧滾子總成
36‧‧‧軸
38‧‧‧頭部
40‧‧‧薄化區
44‧‧‧第一奈米粒子塗覆器
46‧‧‧殼體
48‧‧‧奈米粒子排出孔
50‧‧‧第一燃燒孔
52‧‧‧第二燃燒孔
54‧‧‧第一奈米粒子源
56‧‧‧載體流體源
58‧‧‧第一燃料源
60‧‧‧第一氧化劑源
64‧‧‧第二奈米粒子塗覆器
66‧‧‧第二奈米粒子源
67‧‧‧第二載體流體源
68‧‧‧第二燃料源
70‧‧‧第二氧化劑源
74‧‧‧蒸氣沈積塗覆器
76‧‧‧充氣總成
78‧‧‧噴嘴塊
80‧‧‧排出面
82‧‧‧第一入口充氣部
84‧‧‧第二入口充氣部
86‧‧‧第三入口充氣部
88‧‧‧第一排氣充氣部
90‧‧‧第二排氣充氣部
92‧‧‧第一排出通道
94‧‧‧第一排出口(孔)
96‧‧‧第二排出通道
98‧‧‧第二排出口(孔)
100‧‧‧第三排出通道
102‧‧‧第三排出口(孔)
104‧‧‧入口混合室
106‧‧‧第一排氣管
108‧‧‧第二排氣管
110‧‧‧排氣室
114‧‧‧奈米粒子
116‧‧‧第一火焰
118‧‧‧第二火焰
120‧‧‧第一奈米粒子
122‧‧‧第二奈米粒子
128‧‧‧第一奈米粒子帶或奈米粒子區域
130‧‧‧第二奈米粒子帶或奈米粒子區域
132‧‧‧塗層
126,136,142,200,204,206,208‧‧‧物件
137,156‧‧‧基板
138‧‧‧摩擦修改表面
144‧‧‧玻璃基板
146‧‧‧光源
148‧‧‧邊緣
150‧‧‧光波
154‧‧‧OLED裝置
158‧‧‧陰極
160‧‧‧.放射層
162‧‧‧陽極
164‧‧‧內光提取區域
166‧‧‧外光提取區域
170‧‧‧洩降系統
172‧‧‧熔融玻璃
174‧‧‧容器
176‧‧‧排出孔
180,186‧‧‧第一側
182,188‧‧‧第二側
184‧‧‧玻璃帶通路
190‧‧‧其他塗覆器
192‧‧‧第三奈米粒子塗覆器
194‧‧‧第四奈米粒子塗覆器
202‧‧‧任選塗層
210‧‧‧第一表面
212‧‧‧第二表面
228‧‧‧第三奈米粒子區域
230‧‧‧第四奈米粒子區域
本發明係顯示在附圖中，其中類似符號表示全部類似部件。除非相反地表示，否則該等圖未依比例繪製。
圖1係包含本發明之一浮製浴塗覆系統之一浮製玻璃系統的側視圖；
圖2係圖1之浮製浴塗覆系統之平面圖；
圖3係本發明之奈米粒子塗覆器的側截面圖；
圖4係本發明之一蒸發塗覆器的側截面圖；
圖5係具有一修改噴嘴塊之圖4之蒸發塗覆器的側截面圖；
圖6係本發明之一物件的側截面圖，且在該物件中具有奈米粒子區域；
圖7係本發明之一物件的側截面圖，且在該物件之一表面上具有一摩擦修改表面；
圖8係形態為一私密玻璃(privacy glazing)之本發明的一物件的側截面圖；
圖9係形態為一OLED裝置之本發明的一物件的側截面圖；
圖10係本發明之一洩降塗覆系統的示意圖；
圖11係由圖10之洩降塗覆系統製成之一物件的側截面圖，且該物件具有與該物件之相對主側相鄰的多數奈米粒子區域；
圖12係本發明之物件的側截面圖，且該物件具有在該物件之相對主側上的一摩擦修改表面；
圖13係形態為一私密玻璃形態之本發明的一物件的側截面圖；及
圖14係形態為一OLED裝置形態之本發明的一物件的側截面圖，且該物件具有與該基板之相對主側相鄰的多數光提取區域。
10‧‧‧浮製玻璃系統
11‧‧‧浮製浴塗覆系統
12‧‧‧玻璃窯
14‧‧‧浮製浴
16‧‧‧徐冷窯
18‧‧‧第一輸送器
20‧‧‧切割站
22‧‧‧第二輸送器
24‧‧‧熔融金屬
26‧‧‧入口端
28‧‧‧出口端
30‧‧‧玻璃帶
32‧‧‧表面
44‧‧‧第一奈米粒子塗覆器
46‧‧‧殼體
54‧‧‧第一奈米粒子源
56‧‧‧載體流體源
58‧‧‧第一燃料源
60‧‧‧第一氧化劑源
64‧‧‧第二奈米粒子塗覆器
66‧‧‧第二奈米粒子源
67‧‧‧第二載體流體源
68‧‧‧第二燃料源
70‧‧‧第二氧化劑源
74‧‧‧蒸氣沈積塗覆器
114‧‧‧奈米粒子
116‧‧‧第一火焰
118‧‧‧第二火焰
120‧‧‧第一奈米粒子
122‧‧‧第二奈米粒子

Claims (15)

  1. 一種浮製浴塗覆系統，其包含： 至少一奈米粒子塗覆器，其設置在一浮製浴中；及 至少一蒸氣沈積塗覆器，其設置在該至少一奈米粒子塗覆器之下游。
  2. 如請求項1之系統，其中該浮製浴包括一薄化區且該至少一奈米粒子塗覆器設置在該薄化區之上游。
  3. 如請求項1或2之系統，其中該浮製浴包括一薄化區且該至少一奈米粒子塗覆器設置在該薄化區之下游。
  4. 如請求項1至3中任一項之系統，其中該奈米粒子塗覆器包含： 一殼體； 一奈米粒子排出孔；及 至少一燃燒孔。
  5. 如請求項4之系統，其中該奈米粒子排出孔與一奈米粒子源及一載體流體源連接。
  6. 如請求項5之系統，其中該奈米粒子源包含一蒸發器。
  7. 如請求項5或6之系統，其中該奈米粒子源包含金屬氧化物奈米粒子。
  8. 如請求項4至7中任一項之系統，其中該至少一燃燒孔與一燃料源及一氧化劑源連接。
  9. 如請求項8之系統，其中該燃料源包含天然氣且該氧化劑源包含氧。
  10. 如請求項4至9中任一項之系統，其中該至少一奈米粒子塗覆器包含一第一燃燒孔及一第二燃燒孔，且其中該奈米粒子排出孔係設置在該第一燃燒孔與該第二燃燒孔之間。
  11. 如請求項1至10中任一項之系統，其包括一第一奈米粒子塗覆器及一第二奈米粒子塗覆器。
  12. 如請求項11之系統，其中該第一奈米粒子塗覆器與一第一奈米粒子源連接且該第二奈米粒子塗覆器與一第二奈米粒子源連接。
  13. 如請求項12之系統，其中該第一奈米粒子源與該第二奈米粒子源不同。
  14. 如請求項12或13之系統，其中該第一奈米粒子塗覆器與一第一燃料源及一第一氧化劑源連接，且該第二奈米粒子塗覆器與一第二燃料源及一第二氧化劑源連接。
  15. 如請求項14之系統，其中該第一燃料源與該第二燃料源不同。
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