TW201732450A - 量規圖案選擇之改良 - Google Patents

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Ａｓｍｌ荷蘭公司
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Abstract

一種方法，其包括：針對一圖案化程序獲得複數個量規圖案之複數個量規，每一量規圖案經組態以在該圖案化程序之一參數作為該圖案化程序之部分產生時用於量測該圖案化程序之該參數；及自該複數個量規產生一或多個量規之一選擇，其中倘若該同一量規圖案之一量規及若存在的所有其他量規或連結至該量規的該同一量規圖案之該一或多個量規中之所有者通過一量規可印刷性檢查，則該量規包括在該選擇中。

Description

量規圖案選擇之改良
本描述係關於用於模型校準之經改良圖案選擇之方法及裝置。
微影裝置為將所要圖案施加至基板上(通常施加至基板之目標部分上)之機器。微影裝置可用於(例如)積體電路(IC)製造中。在彼情況下，圖案化器件(其替代地被稱作光罩或倍縮光罩)可用以產生待形成於IC之個別層上之電路圖案。可將此圖案轉印至基板(例如，矽晶圓)上之目標部分(例如，包括晶粒之一部分、一個晶粒或若干晶粒)上。通常經由成像至提供於基板上之輻射敏感材料(抗蝕劑)層上而進行圖案之轉印。一般而言，單一基板將含有經順次地圖案化之鄰近目標部分的網路。已知微影裝置包括：所謂的步進器，其中藉由一次性將整個圖案曝光至目標部分上來輻照每一目標部分；及所謂的掃描器，其中藉由在給定方向(「掃描」方向)上經由輻射光束掃描圖案同時平行於或反平行於此方向同步地掃描基板來輻照每一目標部分。亦有可能藉由將圖案壓印至基板上而將圖案自圖案化器件轉印至基板。
在圖案化程序(亦即，涉及圖案化(諸如微影曝光或壓印)的產生器件或其他結構之程序，其通常可包括一或多個相關聯處理步驟，諸如抗蝕劑顯影、蝕刻等等)中，需要產生模型化該圖案化程序之一或多個態樣之一或多個模型。此一或多個模型可包括將經設計圖案轉換成其在圖案化程序期間之形式、分析在圖案化程序期間出現之一或多個失真及校正該圖案以便補償該一或多個失真之一或多個模型。失真可由光學件、圖案化材料、基板屬性、程序特性、蝕刻以及其他者引起。 使用不同種類之圖案結構校準且驗證各種類型之模型(諸如光學近接校正(OPC)模型)。如此進行涉及運用圖案化程序所產生之結構之量測。通常量測或判定彼等經量測結構之一或多個參數，例如，結構之臨界尺寸(CD)、形成於該基板中或上之順次層之間的疊對誤差，等等。存在用於對形成於圖案化程序中之小結構進行量測之各種技術。用於進行此等量測之各種工具為吾人所知，包括但不限於掃描電子顯微鏡(SEM)，其常常用於量測CD。SEM具有高解析能力且能夠以亞奈米精確度解析特徵。 另外，需要對運用圖案化程序產生之結構進行量測且將該等量測用於與圖案化程序相關之設計、控制及/或監測，例如，用於程序設計、控制及/或驗證。經圖案化結構之影像(例如，SEM影像)中所含有之資訊可用於圖案化程序設計、校正及/或驗證、缺陷偵測或分類、良率估計及/或程序控制。可處理此等影像以提取該影像中描述物件之邊緣之輪廓，該等物件表示(例如)器件或量測結構。接著經由量度，諸如CD，量化此等輪廓。因此，通常經由諸如影像之間的邊緣間距離或簡單像素差之量度來比較及量化結構之影像。 相應地，需要提供(例如)一種用以獲得經改良幾何尺寸及/或輪廓以校準一或多個圖案化程序模型及/或用於圖案化程序設計、控制及/或監測之方法及裝置。 在一實施例中，提供一種方法，其包含：針對一圖案化程序獲得複數個量規圖案之複數個量規，每一量規圖案經組態以在該圖案化程序之一參數作為該圖案化程序之部分產生時用於量測該圖案化程序之該參數；及自該複數個量規產生一或多個量規之一選擇，其中倘若該同一量規圖案之一量規及若存在的所有其他量規或連結至該量規的該同一量規圖案之該一或多個量規中之所有者通過一量規可印刷性檢查，則該量規包括在該選擇中。 在一實施例中，提供一種方法，其包含：針對一圖案化程序獲得複數個量規圖案之複數個量規，每一量規圖案經組態以在該圖案化程序之一參數作為該圖案化程序之部分產生時用於量測該圖案化程序之該參數；及自該複數個量規產生一或多個量規之一選擇，其中倘若基於一量規之量規圖案之可印刷性的評估而認為該量規圖案經良好地印刷，則該量規包括在該選擇中。 在一實施例中，提供一種方法，其包含：針對一圖案化程序獲得一或多個量規圖案之複數個量規，該一或多個量規圖案各自經組態以在該圖案化程序之一參數作為該圖案化程序之部分產生時用於量測該圖案化程序之該參數；及自該複數個量規產生一或多個量規之一選擇，其中倘若一量規對該量規之該量規圖案對照一檢測工具之一量測演算法經設計以量測之一預定形狀之評估的回應為度量衡友好的，則該量規包括在該選擇中。 在一實施例中，提供一種製造器件之方法，其中使用一圖案化程序將一器件圖案施加至一系列基板，該方法包括執行如本文中所描述之一方法及根據該方法之該一或多個量規控制及/或設計用於該等基板中之一或多者之該圖案化程序。 在一實施例中，提供一種非暫時性電腦程式產品，其包含經組態以致使一處理器致使執行如本文中所描述之一方法之機器可讀指令。 在一實施例中，提供一種系統，其包含：一掃描電子顯微鏡，其經組態以提供一圖案化程序產生之結構之一影像；及一影像分析引擎，其包含如本文中所描述之一非暫時性電腦程式產品。在一實施例中，該系統進一步包含一微影裝置，該微影裝置包含：一支撐結構，其經組態以固持用以調變一輻射光束之一圖案化器件；及一投影光學系統，其經配置以將該經調變投影至一輻射敏感基板上。
在詳細地描述實施例之前，有指導性的是呈現可供實施實施例之實例環境。 圖1示意性地描繪微影裝置LA。該裝置包含： -   照明系統(照明器) IL，其經組態以調節輻射光束B (例如，DUV輻射或EUV輻射)； -   支撐結構(例如，光罩台) MT，其經建構以支撐圖案化器件(例如，光罩) MA且連接至經組態以根據某些參數來準確地定位該圖案化器件之第一定位器PM； -   基板台(例如，晶圓台) WTa，其經建構以固持基板(例如，抗蝕劑塗佈晶圓) W且連接至經組態以根據某些參數準確地定位該基板之第二定位器PW；及 -   投影系統(例如，折射或反射投影系統) PS，其經組態以將由圖案化器件MA賦予至輻射光束B之圖案投影至基板W之目標部分C (例如，包含一或多個晶粒)上。 照明系統可包括用於導向、塑形或控制輻射之各種類型之光學組件，諸如，折射、反射、磁性、電磁、靜電或其他類型之光學組件，或其任何組合。 圖案化器件支撐結構以取決於圖案化器件之定向、微影裝置之設計及其他條件(諸如，圖案化器件是否被固持在真空環境中)之方式來固持圖案化器件。圖案化器件支撐結構可使用機械、真空、靜電或其他夾持技術以固持圖案化器件。圖案化器件支撐結構可為(例如)框架或台，其可視需要而經固定或可移動。圖案化器件支撐結構可確保圖案化器件(例如)相對於投影系統處於所要位置。可認為本文中對術語「倍縮光罩」或「光罩」之任何使用皆與更一般之術語「圖案化器件」同義。 本文中所使用之術語「圖案化器件」應被廣泛地解譯為係指可用於在輻射光束之橫截面中向輻射光束賦予圖案以便在基板之目標部分中產生圖案的任何器件。應注意，舉例而言，若被賦予至輻射光束之圖案包括相移特徵或所謂的輔助特徵，則該圖案可不確切地對應於基板之目標部分中之所要圖案。通常，被賦予至輻射光束之圖案將對應於目標部分中所產生之器件(諸如積體電路)中之特定功能層。 圖案化器件可為透射的或反射的。圖案化器件之實例包括光罩、可程式化鏡面陣列，及可程式化LCD面板。光罩在微影中為吾人所熟知，且包括諸如二元、交變相移及衰減相移之光罩類型，以及各種混合式光罩類型。可程式化鏡面陣列之實例使用小鏡面之矩陣配置，該等小鏡面中之每一者可個別地傾斜，以便使入射輻射光束在不同方向上反射。傾斜鏡面在由鏡面矩陣反射之輻射光束中賦予圖案。 本文中所使用之術語「投影系統」應被廣泛地解譯為涵蓋適於所使用之曝光輻射或適於諸如浸潤液體之使用或真空之使用之其他因素的任何類型之投影系統，包括折射、反射、反射折射、磁性、電磁及靜電光學系統，或其任何組合。可認為本文中對術語「投影透鏡」之任何使用皆與更一般之術語「投影系統」同義。 如此處所描繪，裝置屬於透射類型(例如，使用透射光罩)。替代地，裝置可屬於反射類型(例如，使用上文所提及之類型之可程式化鏡面陣列，或使用反射光罩)。 微影裝置可屬於具有兩個(雙載物台)或多於兩個台(例如，兩個或多於兩個基板台、兩個或多於兩個圖案化器件支撐結構，或基板台及度量衡台)之類型。在此等「多載物台」機器中，可並行地使用額外台，或可對一或多個台進行預備步驟，同時將一或多個其他台用於圖案轉印。 微影裝置亦可屬於如下類型：其中基板之至少一部分可由具有相對高折射率之液體(例如，水)覆蓋，以便填充投影系統與基板之間的空間。亦可將浸潤液體施加於微影裝置中之其他空間，例如，光罩與投影系統之間的空間。浸潤技術在此項技術中被熟知用於增加投影系統之數值孔徑。如本文中所使用之術語「浸潤」並不意謂諸如基板之結構必須浸沒於液體中，而是僅意謂液體在曝光期間位於投影系統與基板之間。 參看圖1，照明器IL自輻射源SO接收輻射光束。舉例而言，當源為準分子雷射時，源及微影裝置可為分離的實體。在此等狀況下，不認為源形成微影裝置之部分，且輻射光束係憑藉包括(例如)合適導向鏡面及/或光束擴展器之光束遞送系統BD而自源SO傳遞至照明器IL。在其他狀況下，舉例而言，當源為水銀燈時，源可為微影裝置之整體部分。源SO及照明器IL連同光束遞送系統BD (在需要時)可被稱作輻射系統。 照明器IL可包括用於調整輻射光束之角強度分佈的調整器AD。通常,可調整照明器之光瞳平面中之強度分佈的至少外部徑向範圍及/或內部徑向範圍(通常分別被稱作σ外部及σ內部)。另外，照明器IL可包括各種其他組件，諸如，積光器IN及聚光器CO。照明器可用以調節輻射光束，以在其截面中具有所要均一性及強度分佈。 輻射光束B入射於被固持於圖案化器件支撐件(例如，光罩台MT)上之圖案化器件(例如，光罩) MA上，且由該圖案化器件圖案化。在已橫穿圖案化器件(例如，光罩) MA的情況下，輻射光束B傳遞通過投影系統PS，該投影系統PS將該光束聚焦至基板W之目標部分C上。憑藉第二定位器PW及位置感測器IF (例如，干涉量測器件、線性編碼器、2D編碼器或電容性感測器)，可準確地移動基板台WTa，例如，以便使不同目標部分C定位於輻射光束B之路徑中。相似地，第一定位器PM及另一位置感測器(其未在圖1中被明確地描繪)可用以(例如)在自光罩庫之機械擷取之後或在掃描期間相對於輻射光束B之路徑來準確地定位圖案化器件(例如，光罩) MA。一般而言，可憑藉形成第一定位器PM之部分之長衝程模組(粗略定位)及短衝程模組(精細定位)來實現圖案化器件支撐件(例如，光罩台) MT之移動。相似地，可使用形成第二定位器PW之部分的長衝程模組及短衝程模組來實現基板台WTa之移動。在步進器(相對於掃描器)之狀況下，圖案化器件支撐件(例如，光罩台) MT可僅連接至短衝程致動器，或可固定。 可使用光罩對準標記M1、M2及基板對準標記P1、P2來對準圖案化器件(例如，光罩) MA及基板W。儘管如所說明之基板對準標記佔據專用目標部分，但該等標記可位於目標部分之間的空間中(此等標記被稱為切割道對準標記)。相似地，在多於一個晶粒被提供於圖案化器件(例如，光罩) MA上之情形中，圖案化器件對準標記可位於該等晶粒之間。小對準標記亦可包括於器件特徵當中之晶粒內，在此狀況下，需要使標記儘可能地小且無需與鄰近特徵不同的任何成像或程序條件。下文進一步描述偵測對準標記之對準系統。 所描繪裝置可用於以下模式中至少一者中： -   在步進模式中，在將被賦予至輻射光束之整個圖案一次性投影至目標部分C上時，使圖案化器件支撐件(例如，光罩台) MT及基板台WTa保持基本上靜止(亦即，單次靜態曝光)。接著，使基板台WTa在X及/或Y方向上移位以使得可曝光不同目標部分C。在步進模式中，曝光場之最大大小限制單次靜態曝光中成像之目標部分C之大小。 -   在掃描模式中，在將被賦予至輻射光束之圖案投影至目標部分C上時，同步地掃描圖案化器件支撐件(例如，光罩台) MT及基板台WTa (亦即，單次動態曝光)。基板台WTa相對於圖案化器件支撐件(例如，光罩台) MT之速度及方向可藉由投影系統PS之(縮小率)放大率及影像反轉特性而予以判定。在掃描模式中，曝光場之最大大小限制單次動態曝光中之目標部分的寬度(在非掃描方向上)，而掃描運動之長度判定目標部分之高度(在掃描方向上)。 -   在另一模式中，在將被賦予至輻射光束之圖案投影至目標部分C上時，使圖案化器件支撐件(例如，光罩台) MT保持基本上靜止，從而固持可程式化圖案化器件，且移動或掃描基板台WTa。在此模式中，通常使用脈衝式輻射源，且在基板台WTa之每一移動之後或在一掃描期間之順次輻射脈衝之間根據需要而更新可程式化圖案化器件。此操作模式可易於應用於利用可程序化圖案化器件(諸如上文所提及之類型的可程序化鏡面陣列)之無光罩微影。 亦可使用上文所描述之使用模式之組合及/或變化或完全不同之使用模式。 微影裝置LA屬於所謂的雙載物台類型，其具有兩個台WTa、WTb (例如，兩個基板台)以及兩個站-圖案轉移站及量測站-在該兩個站之間可交換該等台。舉例而言，當一個台上之基板在圖案轉移站處將圖案轉印至其時，可在量測站處將另一基板裝載至另一基板台上且進行各種預備步驟。預備步驟可包括使用位階感測器LS來映射基板之表面控制，及使用對準感測器AS來量測基板上之對準標記的位置，兩個感測器係皆由參考框架RF支撐。若位置感測器IF在台處於量測站以及處於圖案轉移站時不能夠量測台之位置，則可提供第二位置感測器以使得能夠在兩個站處追蹤台之位置。作為另一實例，當一個台上之基板在圖案轉移站處將圖案轉印至其時，不具有基板之另一台在量測站處等待(其中視情況可出現量測活動)。此另一台具有一或多個量測器件且可視情況具有其他工具(例如，清潔裝置)。當基板已完成至其之圖案轉印時，不具有基板之台移動至圖案轉移站以執行(例如)量測，且具有基板之台移動至卸載該基板且裝載另一基板所處之部位(例如，量測站)。此等多台配置實現裝置之產出率之相當大增加。 如圖2中所展示，微影裝置LA可形成微影製造單元LC (有時亦被稱作微影製造單元(lithocell)或叢集)之部分，微影製造單元LC亦包括用以對基板執行一或多個圖案轉印前程序及圖案轉印程序之裝置。習知地，此等裝置包括用以沈積抗蝕劑層之一或多個旋塗器SC、用以顯影經曝光抗蝕劑之一或多個顯影器DE、一或多個冷卻板CH及一或多個烘烤板BK。基板處置器或機器人RO自輸入/輸出埠I/O1、I/O2拾取基板、在不同處理器件之間移動基板，且將基板遞送至微影裝置之裝載匣LB。常常被集體地稱為塗佈顯影系統(track)之此等器件係在塗佈顯影系統控制單元TCU之控制下，塗佈顯影系統控制單元TCU自身受到監督控制系統SCS控制，監督控制系統SCS亦經由微影控制單元LACU而控制微影裝置。因此，不同裝置可經操作以使產出率及處理效率最大化。 需要檢測經圖案化基板以量測一或多個特性，諸如後續層之間的疊對誤差、線厚度、臨界尺寸(CD)，等等。若偵測到誤差，則可對(例如)一或多個後續基板之圖案化進行調整。舉例而言，此在可不久且足夠快速地進行檢測以使得同一批量之另一基板仍待圖案化的情況下可特別有用。此外，可剝離及重工已經圖案化基板(以改良良率)或捨棄已經圖案化基板，藉此避免對已知有缺陷之基板執行圖案化。在基板之僅一些目標部分有缺陷之狀況下，可僅對良好的彼等目標部分執行另外圖案化。另一可能性係調適後續程序步驟之設定以補償誤差，例如，可調整修整蝕刻步驟之時間以補償由微影程序步驟引起的基板間CD變化。如下文進一步所論述，量測可用於圖案化程序設計中(例如，用於設計器件設計)。 檢測裝置係用以判定基板之一或多個屬性，且詳言之，判定不同基板或同一基板之不同層之一或多個屬性如何在不同層間變化及/或橫越一基板而變化。檢測裝置可整合至微影裝置LA或微影製造單元LC中，或可為單獨器件。為實現最快速量測，需要檢測裝置緊接在圖案化之後量測抗蝕劑層中之一或多個屬性。在一實施例中，可對經曝光抗蝕劑中之潛影採取量測。但，抗蝕劑中之潛影具有極低對比度-已經曝光於輻射之抗蝕劑之部分與未經曝光於輻射之抗蝕劑之部分之間的折射率僅存在極小差。因此，可在曝光後烘烤步驟(PEB)之後採取量測，曝光後烘烤步驟通常為對經曝光基板進行之第一步驟且增加抗蝕劑之經曝光部分與未經曝光部分之間的對比度。在此階段，抗蝕劑中之影像可被稱作半潛像(semi-latent)。此外，在一實施例中，且通常，可在已經移除抗蝕劑之經曝光部分或未經曝光部分之時刻抑或在諸如蝕刻之圖案轉印步驟之後對經顯影抗蝕劑影像進行量測。在蝕刻之後量測會限制有缺陷基板之重工之可能性，但仍可提供有用資訊，例如，出於程序控制之目的。 如上文所提到，需要設計圖案化程序之一或多個態樣。為了進行此操作，可提供用於計算上設計彼等一或多個態樣(諸如用於圖案化器件之圖案設計(包括(例如)添加次解析度輔助特徵或光學近接校正)、用於圖案化器件之照明，等等)之一或多個工具。因此，在用於計算上設計涉及圖案化之製造程序之系統中，可由各種功能模組描述主要製造系統組件及/或程序，例如，如圖3所說明。參看圖3，功能模組可包括：設計佈局模組100，其定義器件設計(例如，積體電路、記憶體或電子器件)圖案；圖案化器件佈局模組110，其定義如何基於器件設計以多邊形佈置圖案化器件圖案；圖案化器件模型模組120，其模型化待在模擬程序期間利用之經像素化及連續色調圖案化器件之物理屬性；圖案轉印(例如，光學)模型模組130，其定義將圖案自圖案化器件轉印至基板之組件之效能，諸如光學微影系統；抗蝕劑模型模組140，其定義用於給定程序中之抗蝕劑之效能；程序模型模組150，其定義抗蝕劑顯影後程序(例如，蝕刻)之效能；及度量衡模組160，其定義與度量衡目標一起使用之度量衡系統之效能且因此定義當與度量衡系統一起使用時之度量衡目標之效能。模擬模組中之一或多者之結果(例如，經預測輪廓及CD)被提供於結果模組170中。 在圖案轉印模型模組130中捕捉圖案轉印器件(諸如照明及投影光學件)之屬性。在由(例如)光學微影進行圖案轉印的情況下，屬性可包括但不限於數值孔徑、均方偏差(s)設定以及任何特定照明源形狀，其中s (或均方偏差)係在照明器之外部徑向範圍外。光致抗蝕劑層之光學屬性(例如，折射率、膜厚度、傳播及/或偏振效應)亦可作為模型模組130之部分而加以捕捉，而抗蝕劑模型模組140描述在圖案轉印至抗蝕劑、圖案轉印後烘烤(有時被稱作曝光後烘烤(PEB))及顯影期間出現之化學程序之效應，以便預測(例如)形成於基板上之抗蝕劑特徵之輪廓。圖案化器件模型模組120捕捉設計特徵如何以圖案化器件之圖案而佈置，且可包括圖案化器件之詳細物理屬性之表示，如(例如)美國專利第7,587,704號中所描述之圖案化器件之詳細實體屬性之表示。 模擬之目標係準確地預測(例如)邊緣置放及CD，接著可比較邊緣置放及CD與器件設計。器件設計通常被定義為預OPC圖案化器件佈局，且將以諸如GDSII或OASIS之標準化數位檔案格式被提供。 一般而言，在由(例如)光學微影進行圖案轉印的情況下，光學與抗蝕劑模型之間的連接為抗蝕劑層內之經模擬空中影像強度，該經模擬空中影像強度係由輻射至基板上之投影、抗蝕劑界面處之折射及抗蝕劑膜堆疊中之多個反射引起。輻射強度分佈(空中影像強度)係藉由入射能量之吸收而變為潛伏「抗蝕劑影像」，該潛伏抗蝕劑影像係藉由擴散程序及各種負載效應予以進一步修改。足夠快以用於全晶片應用之有效模擬方法藉由2維空中(及抗蝕劑)影像而近似抗蝕劑堆疊中之實際3維強度分佈。 因此，模型公式化描述總程序之大多數(若非全部)已知物理學及化學方法，且模型參數中之每一者理想地對應於一相異物理或化學效應。因此，模型公式化設定關於模型可用以模擬總製造程序之良好程度之上限。然而，模型參數有時可由於量測及讀取誤差而不準確，且系統中可存在其他不完美性。在具有模型參數之精確校準的情況下，可進行極其準確之模擬。 為了使得能夠(例如)校準計算模型及/或為了圖案化程序設計、控制及/或監測，需要使用檢測裝置對經印刷在基板上之圖案採取各種量測。在一些實施例中，檢測裝置可為掃描電子顯微鏡(SEM)，其產生經轉印在基板上之一或多個結構(例如，一或多個測試(或校準)圖案或對應於器件之一些或所有結構之一或多個圖案)之影像。 圖4描繪SEM 200之實施例。自電子源201發射之初級電子束202係由聚光器透鏡203會聚且接著傳遞通過光束偏轉器204、E x B偏轉器205及接物鏡206以按一焦點將基板100輻照於基板台101上。 當運用電子束202照射基板100時，自基板100生成二次電子。該等二次電子由E x B偏轉器205偏轉且由二次電子偵測器207偵測。可藉由偵測自樣本產生之電子且與以下操作同步而獲得二維電子束影像：例如，由光束偏轉器204二維掃描電子束或藉由光束偏轉器204在X或Y方向上重複掃描電子束202以及藉由基板台101在X或Y方向中之另一方向上連續移動基板100。 由二次電子偵測器207偵測到之信號係由類比/數位(A/D)轉換器208轉換為數位信號，且該數位信號被發送至影像處理系統300。在一實施例中，影像處理系統300可具有用以儲存以供處理單元304處理之全部或部分數位影像之記憶體303。處理單元304 (例如，經專門設計之硬體或硬體及軟體之組合)經組態以將數位影像轉換成或處理成表示數位影像之資料集。此外，影像處理系統300可具有經組態以儲存數位影像及參考資料庫中之對應資料集之儲存媒體301。顯示器件302可與影像處理系統300連接，以使得業者可藉助於圖形使用者介面進行設備之必要操作。 返回至設計、控制或監測圖案化程序，可在圖案化程序一開始、在執行圖案化程序期間或用於圖案化程序之稍後使用，而將複雜微調步驟應用於圖案化程序裝置及/或圖案化器件設計。在圖案轉印係由(例如)光學微影進行的情況下，此等步驟包括(例如)但不限於最佳化數值孔徑、最佳化相干性設定、定製的照明方案、在圖案化器件中或上使用相移特徵、圖案化器件佈局中之光學近接校正、將次解析度輔助特徵置放在圖案化器件佈局中，或通常定義為「解析度增強技術」(RET)之其他方法。 作為一實例，光學近接校正(OPC)解決以下事實：基板上之經印刷特徵之最終大小及置放將並非僅依據圖案化器件上之對應特徵之大小及置放而變化。對於存在於典型電路設計上之小特徵大小及高特徵密度，給定特徵之特定邊緣之位置將在某種程度上受到其他鄰近特徵之存在或不存在影響。在一實施例中，此等近接效應係由來自(例如)多於一個特徵之輻射之耦合引起。在一實施例中，近接效應係由通常在圖案轉印之後的圖案轉印後烘烤、抗蝕劑顯影及蝕刻期間之擴散及其他化學效應引起。 為了幫助確保根據給定器件設計之要求在基板上產生特徵，應利用複雜數值模型來預測近接效應，且在器件之成功製造變得可能之前將校正或預失真應用於圖案化器件之設計。此等修改可包括邊緣位置或線寬之移位或偏置及/或一或多個輔助特徵之應用，該一或多個輔助特徵不意欲印刷自身，但將影響相關聯初級特徵之屬性。 在給出通常存在於晶片設計中之數百萬個特徵的情況下，基於模型之圖案化程序設計之應用需要良好的程序模型及相當多的計算資源。然而，應用基於模型之設計通常並非嚴正科學，而是並不始終解決器件設計之所有可能弱點之迭代程序。因此，OPC後設計(亦即，在應用藉由OPC及任何其他RET之所有圖案修改之後的圖案化器件佈局)應藉由設計檢測(例如，使用經校準數值程序模型之密集全晶片模擬)予以驗證，以便縮減設計瑕疵被建置至圖案化器件之製造中的可能性。 此外，由於計算圖案化程序設計應涉及精確地描述圖案化程序之穩固模型，故用於此等模型之校準程序應用以達成橫越程序窗為有效、穩固且準確之模型。在一實施例中，藉由在基板上印刷某一數目個1維及/或2維量規圖案(例如，在將量規圖案印刷於基板上時，量規圖案可為特殊指定之量測圖案或可為設計器件圖案之器件部分)且對經印刷圖案執行量測來進行校準。更特定言之，彼等1維量規圖案為具有不同間距及CD之線空間圖案，且2維量規圖案通常包括線端、接點、通孔及/或SRAM (靜態隨機存取記憶體)圖案。接著將此等圖案轉印至基板上，且量測所得基板CD或接觸孔(亦被稱為通孔或晶片穿孔)能量。接著聯合地使用原始量規圖案及其基板量測以判定縮減或最小化模型預測與基板量測之間的差之模型參數。在一實施例中，一或多個量規或校準圖案可不對應於器件中之結構。但，一或多個量規或校準圖案與器件中之一或多個圖案擁有足夠相似性以允許一或多個器件圖案之準確預測。 圖5說明如上文所描述之實例模型校準程序。該程序以設計佈局500開始，設計佈局500可包括量規且視情況包括其他測試圖案，且此設計佈局可包括OPC或其他RET特徵。接下來，在510處使用設計佈局以產生圖案化器件佈局，圖案化器件佈局可呈諸如GDSII或OASIS之標準格式。接著，在一實施例中，採取兩個單獨路徑以用於模擬及量測。 在模擬路徑中，在步驟530中使用圖案化器件佈局及模型520以產生經模擬抗蝕劑圖案。模型520提供用於計算圖案化程序表現如何之圖案化程序之模型，且校準程序旨在使模型520儘可能準確，使得經計算結果同樣地準確。經模擬抗蝕劑圖案接著用於在步驟540處判定經預測CD、輪廓等等。 在量測路徑中，圖案化器件佈局304在550處與實體光罩(例如，倍縮光罩)一起使用或用以形成該實體光罩，該實體光罩接著用於在560處圖案化基板。用於圖案化基板之圖案化程序(例如，用於光學微影之NA、焦點、劑量、照明源，等等)與意欲在模型520中所捕捉之圖案化程序相同。接著在570處使用本文中所描述之量規圖案(其亦使用圖案化程序產生)對實際經圖案化基板執行量測(例如，使用檢測工具(諸如SEM等等))，從而產生經量測CD、輪廓，等等。 在580處在來自570之量測與來自540之預測之間進行比較。若該比較判定該等預測在預定誤差臨限值內匹配該等量測，則該模型被視為在590處予以成功地校準。否則，在步驟585處對模型520進行改變。重複步驟530、540及570直至使用模型520產生之預測在預定臨限值內匹配量測為止。在一實施例中，該模型包含OPC模型。雖然下文之描述將聚焦於作為實施例之OPC模型，但該模型可為除OPC模型以外之模型。 此外，在成功校準之後，可利用該模型預測待使用(例如)新圖案化器件產生在基板上之圖案。藉由比較使用新圖案化器件產生在基板中之經預測圖案與實體圖案，可捕捉到新圖案化器件中之誤差(例如，製造新圖案化器件之缺陷)及/或圖案化程序裝置中之故障(例如，當透鏡具有像差或另一工具誤差出現時)。在一實施例中，藉由使用經校準模型以使用新圖案化器件模擬抗蝕劑圖案而開始監測程序。在一實施例中，使用(例如)微影成像系統將某一數目個1維及/或2維量規圖案印刷在基板上，且使用檢測工具(例如，CD-SEM)稍後量測該某一數目個1維及/或2維量規圖案。接著聯合地使用量規圖案及經模擬抗蝕劑圖案之量測以判定圖案化程序中之新圖案化器件及/或裝置是否恰當地運行。 圖6說明實例監測程序，其使用如上文所描述之經校準模型或另一模型，使用一或多個量規或其他測試圖案。該程序以設計佈局600開始，設計佈局600可包括量規且視情況可包括其他測試圖案。接下來，在610處使用設計佈局600以產生圖案化器件佈局，圖案化器件佈局可呈諸如GDSII或OASIS之標準格式。接著，在一實施例中，採取兩個單獨路徑以用於模擬及量測。 在模擬路徑中，模型620係用於在步驟630中產生經模擬抗蝕劑圖案。經模擬抗蝕劑圖案係用於在640處判定某一數目個1維及/或2維量規圖案之經預測CD、輪廓，等等。 在量測路徑中，來自610之圖案化器件佈局在650處用於形成圖案化器件或與該圖案化器件一起使用，該圖案化器件接著用於在660處使用圖案化程序圖案化基板。用於圖案化基板之圖案化程序與意欲在模型620中所捕捉之圖案化程序相同。接著在670處對實際經圖案化基板執行量測(例如，使用檢測工具(諸如CD-SEM))以產生經量測CD、輪廓，等等。670處之量測量測基板上之量規圖案之至少一子集之量規，該等量規圖案對應於640處之經模擬量規圖案。 在680處在來自670之量測與來自640之預測之間進行比較。若該比較判定量測在預定誤差臨限值內匹配預測，則圖案化器件與圖案化程序兩者被視為在690處恰當地操作。否則，在695處，可產生對圖案化程序中之誤差之警示，可產生回饋以變更圖案化程序、圖案化器件、圖案化器件佈局，等等。重複步驟660及670直該等量測在預定誤差臨限值內匹配由該模型620進行之預測至為止。 因此，需要提供(例如)用以獲得經改良幾何尺寸及/或輪廓之方法及裝置以校準或驗證一或多個圖案化程序模型及/或用於圖案化程序設計、控制及/或監測。舉例而言，需要提供(例如)用以選擇一或多個量規圖案及/或自一或多個量規圖案獲得經改良幾何尺寸及/或輪廓之方法及裝置，以便校準或驗證一或多個圖案化程序模型及/或用於圖案化程序設計、控制及/或監測。 現參考圖7，針對二維度量衡描繪兩個實例量規圖案之示意圖。圖7A說明矩形量規圖案。量規對應於與經量測之形狀之輪廓相交的虛線，且更特定言之，該等量規為虛線分別與該(等)形狀相交之點使得可判定適用幾何尺寸。舉例而言，在圖7A中，實例量規對應於經疊加在其中所描繪形狀之輪廓上之虛線710、715，亦即，在Y方向上之用於CD之量規710及在X方向上之用於CD之量規715。在虛線分別與形狀相交之點處判定量規，使得可判定適用幾何尺寸。圖7B說明包括兩個矩形部分之另一實例量規圖案。在此狀況下，實例量規對應於虛線720、725，亦即，在X方向上之用於兩個矩形部分之間的CD之量規720及在Y方向之用於任一矩形部分之CD的量規725。再次，在虛線分別與形狀相交之點處判定量規，使得可判定適用幾何尺寸。儘管圖7A及圖7B僅展示兩個量規，但量規之數目可小於或大於所展示之量規的數目，通常比所展示之量規的數目大得多。相似地，量規在不同形狀部分等等之間可在不同方向上。對於每一量規圖案或更可能對於複數個量規圖案，可存在數十、數百、數千個(若非數百萬的話)實際或可能的量規。 相應地，需要(例如)自量規之潛在地巨大集區識別量規之選擇以用於量測或根據量測結果之評估。此可包括量規圖案自身之評估以排除一或多個量規圖案以用於根據量測結果之量規評估及/或用於量規量測。 在一實施例中，初始模型(例如，光學模型及抗蝕劑模型)可用於執行量規之集區之每一量規的可印刷性之檢查。亦即，在一實施例中，藉由使用圖案化程序之至少部分之數學模型進行模擬而判定量規。可對照識別量規為可列印或否之一或多個參數檢查量規。舉例而言，可使用該模型以針對該集區之每一量規(例如，量規710、715、720及725)預測CD。在一實施例中，該模型評估虛線與量規圖案形狀相交之點以改良計算時間。當量規之經預測CD超過對應CD臨限值(例如，大於或等於標稱CD (例如，30奈米))時，將該量規視為合格，且接著進一步考慮其(例如，在使用該量規之前用於進一步評估，用於根據量測之量規評估，及/或量測該量規(或其量規圖案))。替代地，當量規之經預測CD超過對應CD臨限值(例如，小於標稱CD (例如，30奈米))時，將該量規視為不合格且接著不進一步考慮其(例如，不用於根據量測之量規評估及/或不量測量規(或其量規圖案))。不同量規之CD可對應於不同CD臨限值。此程序可被稱作用於量規之CD檢查。 另外或替代地，影像對數斜率(ILS)可用於表徵量規(例如，量規710、715、720及725)。特定言之，用於量規之ILS識別量規之對比度且可基於量規圖案之影像計算該ILS。小ILS指示相對模糊量規，其使得難以準確地量測模糊量規表示之CD。因此，大ILS指示更清晰量規，其使得有可能準確地量測清晰量規表示之CD。在一實施例中，該模型評估虛線與量規圖案形狀相交之點以改良計算時間。因此，在一實施例中，當量規之經預測ILS超過對應ILS臨限值(例如，大於其ILS為足夠之值)時，將量規視為合格且接著進一步考慮其(例如，在使用該量規之前，用於進一步評估，用於根據量測之量規評估及/或量測量規(或其量規圖案))。替代地，當量規之經預測ILS超過對應ILS臨限值(例如，低於其ILS過低之值)時，將量規視為不合格且接著不進一步考慮其(例如，不用於根據量測之量規評估及/或不量測量規(或其量規圖案))。此程序可被稱作用於量規之ILS檢查。 CD及ILS並非僅有的可能的參數；可使用一或多個其他參數。在一實施例中，評估複數個參數；該複數個參數可包括CD及/或ILS。與量規相關之用於可印刷性之參數的CD檢查、ILS檢查及/或其他檢查可被稱作量規可印刷性檢查。 因此，在一實施例中，考慮進一步使用通過量規可印刷性檢查之所有量規。因此，不量測或不根據量測評估未通過量規可印刷性檢查之量規(例如，僅僅不量測量規或不量測作為整體之量規圖案)。在一實施例中，量規集區可具有成百上千個(若非數百萬個的話)可能的量規。量規可印刷性檢查可選擇50,000個至700,000個。 在量規可印刷性檢查之後，基於對圖案化程序之物理、化學或光學參數(包括(但不限於)涉及其裝置或工作材料中之任一者)之敏感度，諸如抗蝕劑敏感度及/或光學敏感度，選擇剩餘量規中之一或多個量規以用於根據量測結果之量規評估及/或以用於量規量測。在一實施例中，使用圖案化程序之至少部分之數學模型判定敏感度。在一實施例中，可藉由擾動該模型以識別量規信號(諸如CD、強度等等)之改變而判定敏感度。接著選擇對擾動具有最強敏感度之量規。該一或多個經選擇量規形成經選擇量規集區，其中來自量規集區之量規中之一或多者係用於根據量測結果之量規評估及/或用於量規量測，例如，在570處用於模型校準/驗證或在670處用於圖案化程序監測。因此，舉例而言，藉由此自較大量規集區選擇量規，會縮減量測時間，縮減模擬時間及/或改良準確度。在一實施例中，經選擇量規集區可包含200個至10,000個量規。 但，在此程序中，分別考慮同一量規圖案之量規(例如，圖7A中之量規710及715及/或圖7B中之量規720及725)。舉例而言，在圖7A中，若量規710通過量規可印刷性檢查且量規715未通過量規可印刷性檢查，則進一步考慮使量規710再次用於檢查，用於根據量測結果之量規評估及/或用於量規量測，但圖7A中之量規圖案可能未很好地加以印刷，如可能由不合格量規715所表明。因此，量規710對於用於(例如)模型校準/驗證或程序設計、控制或監測可能係無效的。 因此，在一實施例中，僅當同一量規圖案之在考慮之中的量規及若存在的所有其他量規或連結至在考慮之中的量規的同一量規圖案之一或多個量規中之所有者通過量規可印刷性檢查時，考慮使量規圖案之量規用於進一步檢查、用於根據量測結果之量規評估及/或用於量規量測。因此，若量規圖案之任何量規未通過量規可印刷性檢查，則不進一步考慮同一量規圖案之若存在的所有其他量規。或，若連結至在考慮之中的量規的同一量規圖案之至少一個量規未通過量規可印刷性檢查，則不進一步考慮經連結至不合格量規之一或多個量規中之所有者。 圖8展示說明如上文所描述之量規選擇程序之實例流程圖。在圖8之流程圖中進行之方法可由軟體應用程式、處理器及/或控制模組執行以選擇用於根據量測結果之量規評估及/或用於使用(例如)一或多個檢測工具(諸如CD-SEM)之量規量測之量規。可(例如)在570處使用經選擇量規以用於模型校準/驗證及/或在670處使用經選擇量規以用於圖案化程序監測。 在步驟800處，識別與同一量規圖案相關之複數個量規。在一實施例中，該複數個量規中之每一者彼此連結。在一實施例中，同一量規圖案使其所有量規連結在一起。在一實施例中，量規圖案包含經連結量規之複數個群組，每一群組包含複數個經連結量規。在一實施例中，為實現連結，每一量規係與圖案識別(ID)相關聯，該圖案識別表示該量規所相關之量規圖案。經由同一圖案ID識別對應於同一量規圖案之該複數個量規。 在步驟810處，判定量規圖案之至少一個量規是否未通過量規可印刷性檢查或同一量規圖案之複數個量規是否通過量規可印刷性檢查(例如，使用初始模型計算之每一量規之經預測CD是否通過對應CD臨限值(亦即，CD檢查)及/或每一量規之ILS是否通過對應ILS臨限值(亦即，ILS檢查))。特定言之，判定同一量規圖案之在考慮之中的量規及若存在的所有其他量規或經連結至在考慮之中的量規的同一量規圖案之一或多個量規中的所有是否通過量規可印刷性檢查。倘若如此，則提供量規以用於進一步檢查、根據量測結果之量規評估及/或用於量規量測。因此，若量規圖案之任何量規未通過量規可印刷性檢查，則不進一步考慮將同一量規圖案之若存在的所有其他量規用於進一步檢查、根據量測結果之量規評估及/或用於量規量測。或，若經連結至在考慮之中的量規的同一量規圖案之至少一個量規未通過量規可印刷性檢查，則不進一步考慮將經連結至不合格的量規之一或多個量規中之所有者用於進一步檢查、根據量測結果之量規評估及/或用於量規量測。 因此，在一實施例中，提供量規連結模組以連結量規圖案之量規與同一量規圖案之一或多個其他量規。在一實施例中，量規圖案為二維圖案(諸如接點/通孔或線端)。在一實施例中，此模組在步驟810之前進行操作。在量規連結之情況下，僅可在該量規及其經連結量規通過量規可印刷性檢查的情況下，進一步考慮將量規用於進一步檢查、根據量測結果之量規評估及/或用於量規量測。在一實施例中，該連結包含量規對之連結。在一實施例中，該連結包含三個或多於三個量規之連結。 在步驟820處，基於對圖案化程序之物理、化學或光學參數之敏感度，諸如抗蝕劑敏感度及/或光學敏感度，選擇自步驟810剩餘之量規中之一或多個量規。在一實施例中，針對自步驟810剩餘之量規由初始模型判定一或多個適用靈敏度之一或多個度量，且評估該一或多個適用靈敏度以識別通過適用臨限值(例如，超過抗蝕劑敏感度臨限值使得經選擇量規具有高抗蝕劑敏感度及/或超過光學敏感度臨限值使得經選擇量規具有高光學敏感度)之一或多個量規。接著，經選擇量規可用於根據量測結果之量規評估及/或用於使用(例如)一或多個檢測工具之量規量測。舉例而言，可(例如)在570處使用經選擇量規以用於模型校準/驗證及/或在670處使用經選擇量規以用於圖案化程序監測。 但，涉及同一量規圖案之量規可通過量規可印刷性檢查，包括如上文相對於圖8所描述，即使當不正確地印刷量規圖案時亦如此。圖9A描繪有問題的量規圖案之實例。第一量規圖案具有在X方向上之量規950及在Y方向上之量規955。第二量規圖案具有在X方向上之量規940及在Y方向上之量規945。如將瞭解，可存在另外鄰近量規圖案，展示該等鄰近量規圖案中之一者。圖9A中之量規圖案與圖7A中之量規圖案相似。但，如圖9B中所展示，當印刷量規圖案時，圖9A中之量規圖案之輪廓可變得接合在一起。現有方法可考慮使所有量規940、945、950及955用於進一步檢查、根據量測結果之量規評估及/或用於量規量測，只要其通過量規可印刷性檢查即可(圖9B表明其將通過該量規可印刷性檢查，此係由於該等量規中無一者將接近接合點)，但第一量規圖案及第二量規圖案之輪廓如圖9B所展示不當接合在一起。此接合可指示量規圖案可不適合於模型校準/驗證、程序設計、程序控制或程序監測。將量規940、945、950及/或955之量測用作至(例如)模型校準之輸入可產生經不正確地校準之模型。 因此，在一實施例中，評估量規圖案可印刷性(其不同於關注於量規之虛線與量規圖案之形狀相交之點的量規可印刷性)。在一實施例中，量規圖案為二維圖案(諸如接點/通孔或線端)。因此，量規圖案可印刷性可用作用於複雜2D圖案之篩選過濾器。量規圖案可印刷性可使用各種偵測器(包括ILS及CD)以判定量規圖案可印刷性(其不同於量規可印刷性)。在一實施例中，使用量規圖案之模擬(使用圖案化程序之至少部分之數學模型進行)來評估量規圖案可印刷性。當量規之量規圖案印刷良好(例如，在隅角處不與附近圖案合併)時，可進一步考慮使該量規用於進一步檢查(例如，量規可印刷性)、根據量測結果之量規評估及/或用於量規量測。在一實施例中，可使用ASML之超光速粒子微影可製造性檢查(LMC)工具(ASML's Tachyon Lithography Manufacturability Check (LMC) tool)實施量規圖案可印刷性。 在一實施例中，量規圖案可印刷性包含比較量規圖案之輪廓形狀之至少部分(在將印刷量規圖案時)與標稱量規圖案之形狀(亦即，經設計量規圖案形狀)之對應至少部分以識別其間的差。當量規圖案之輪廓形狀之至少部分與標稱量規圖案之形狀之對應至少部分之間的差超過臨限值或保持在誤差臨限值內(例如，該差小於誤差臨限值，該差屬於誤差範圍內，該差係由誤差臨限值限定，等等)時，將該量規圖案視為印刷良好。此程序被稱作輪廓形狀檢查，被視為印刷良好之量規圖案已通過輪廓形狀檢查。量規圖案之輪廓形狀之至少部分與標稱量規圖案之形狀之至少部分之間的差之分析可包括數學轉換以識別量規圖案之輪廓形狀與標稱量規圖案之形狀之間的區別，且可包括任何偵測器(例如，鄰近特徵、量規圖案區域之間的最少間隙距離)等等。 在輪廓形狀檢查之前或之後，可實施如上文所描述之量規可印刷性檢查(無論是否包括步驟810之程序)。在一實施例中，可在其中之程序之前或之後實施輪廓形狀檢查以及圖8之步驟810之程序。在一實施例中，輪廓形狀檢查與量規可印刷性檢查(無論是否包括步驟810之程序)可經組合且可被稱作驗證可印刷性檢查。 現參考圖10，描繪量規圖案之示意圖。圖10A說明具有相關聯量規之大體上橢圓形量規圖案。量規對應於經疊加在其中描繪之經量測形狀之輪廓上之虛線1000、1010，亦即，在Y方向之用於CD之量規1000及在X方向上之用於CD之量規1010。在虛線分別與形狀相交之點(由圓圈表示)處判定量規，使得可判定適用幾何尺寸。如將瞭解，進行數千次不同量測及/或產生數千個形狀(無論是否屬於同一量規圖案)，因此任何基板上存在經量測之多種形狀，且在該等形狀將報告對應於實際模型將可能具有之內容(就對應於量規位置之資訊而言)的值的情況下，應很好地量測所有該等形狀。 因此，理想地，使用檢測工具(例如，CD-SEM)所進行之量測將確切地對應於彼等交叉點。但，實務上，可能並非如此。實情為，當吾人使用檢測工具(例如，CD-SEM)組態用於此等種類之形狀的量測時，以需要量測演算法之一些選擇之方式組態檢測工具。接著參看圖10B至圖10F，描繪通常用以量測此等種類之形狀的演算法之一些類型之實例。因此，參看圖10B，檢測工具(例如，CD-SEM)可經組態以報告對應於與該形狀之橢圓擬合1020之尺寸。但，如在圖10B中所見，橢圓擬合可能並非圖10B所展示之實例形狀中之特別良好的選擇。圖10C描繪涉及該形狀之掃掠部分的演算法之另一實例。圖10C描繪在Y方向上之弧形掃掠的演算法1030之實例。此演算法基本上掃掠形狀之尖端且基於與彼掃掠之擬合來估計實際量規尺寸為何種尺寸。圖10D描繪可供藉由基本上執行寬度基線量測(在圖10D中之此狀況下，在X方向上)來量測形狀之部分的另外演算法1040。此差不多為供判定沿著形狀之長度之平均值的平均化方框。該平均值被用作且報告為可用以與所要量規量測相關聯之量測。接著，圖10E及圖10F描繪在X方向上之弧形掃掠的演算法1060之實例。此演算法基本上有角度地掃掠形狀之側，且基於與彼掃掠之擬合來估計實際量規尺寸為何種尺寸。此外，可在執行檢測工具(例如，CD-SEM)之方式之組態中以不同方式組合此等不同量測演算法選擇，例如，在X或Y方向上之寬度加上在X或Y方向上之弧形掃掠，或在X方向上之寬度加上在Y方向上之寬度，或在Y方向上之弧形掃掠加上在X方向上之弧形掃掠。 因此，使用檢測工具(例如，CD-SEM)所進行之基本上所有量測被指定為使用某一演算法或某一演算法集合而進行。因此，檢測工具(例如，CD-SEM)提前接收量測演算法規格，該等量測演算法規格係關於CD-SEM應如何量測其捕捉之任何給定影像及CD-SEM接著應如何使用彼量測方法以報告結果。此可變得成問題。 經量測之形狀可不確切地對應於用於試圖量測該等形狀之任何特定演算法。亦即，特定演算法不尤其很好地量測一些形狀。然而，選擇經預測以很好地量測給定形狀之一或多個量測演算法，且在量測結束時，檢測工具(例如，CD-SEM)將視需要而報告，即使用於量測演算法之預測可能並不完美亦如此。因此，可不針對模型校準/驗證、程序控制等等正確地量測該資料之大部分。 舉例而言，一些量規圖案可為類狹槽的或類橢圓的，但實際上不為其中之任一者。因此，舉例而言，若未必很好地界定形狀之端處之彎曲，若形狀相對於較像圓形為而較像類方框的，則弧形掃掠演算法或許可不擬合彼形狀。作為另一實例，對於在X方向上之寬度的演算法，若在正被量測之形狀之側中存在某一彎曲，則彼彎曲將使最終被報告之平均值失真。結果為演算法之選擇產生資料中之演算法相依偏移。因此，舉例而言，若形狀為類橢圓的，則應理想地使用橢圓演算法來量測該等形狀。且，舉例而言，若形狀為類狹槽的，則應很可能作為寬度演算法與弧形掃掠類型演算法之組合來量測形狀。但存在許多形狀，其中在量測時間不知道且無法知道哪一演算法為適當的，此係因為該等形狀既非橢圓亦非狹槽，而是某一中間形狀。然而，預先作出演算法選擇，且量測方法之間的量測偏移對於既非完美地為橢圓亦非狹槽之任何特定形狀可為顯著的。舉例而言，就量測彼等中間形狀中之任一者作為橢圓相對於寬度量測而言，可存在百分之5% (作為經量測CD之分率)或更大的差。因此，基本上對於任何中間形狀，將在使用一(若干)特定演算法進行量測與使用另一(若干)演算法進行量測之間來回彈跳，從而在量測資料之品質方面固有地產生演算法誘發性抖動。 因此，在試圖相對於量規解析此之一實施例中，可評估與量規相關聯之量規圖案之形狀之至少部分以找到用於不同量規圖案形狀之合適量測演算法(例如，合適CD SEM量測)且可將具有合適量測演算法之不同量規圖案形狀視為度量衡友好圖案。使用者或系統可選擇僅考慮、量測(等等)度量衡友好圖案。在一實施例中，量規圖案為二維圖案(諸如接點/通孔或線端)。因此，在一實施例中，可預測複雜2D圖案之形狀，其可用於找到用於不同形狀之最佳量測演算法(例如，CD SEM配方)。其接著亦可用於識別不具有最佳量測演算法之形狀。使用者或系統接著可選擇僅量測彼等度量衡友好圖案。以此方式，可提供度量衡友好過濾器。 在一實施例中，為啟動度量衡友好過濾器，將量規圖案之輪廓形狀之至少部分與檢測工具(例如，CD-SEM)之一或多個量測演算法經設計以量測之預定形狀比較。在一實施例中，藉由使用圖案化程序之至少部分之數學模型進行模擬而判定輪廓形狀。當量規圖案之輪廓形狀之至少部分與預定形狀中之一者之間的差超過臨限值或保持在臨限值內(例如，該差小於誤差臨限值，該差屬於誤差範圍內，該差由誤差臨限值限定，等等)時，將量規圖案視為適合於與預定形狀相關聯之一或多個量測演算法。此程序被稱作度量衡友好性檢查。作為一實例，演算法可經設計以量測不同於狹槽/方框之橢圓。因此，可對照各別演算法評估量規圖案之輪廓形狀以識別是否可很好地量測量規圖案。因此，舉例而言，可對照演算法之形狀評估量規圖案之短軸、長軸及/或印刷區域以判定演算法是否將很好地量測量規圖案。因此，若短軸、長軸及/或印刷區域中之一或多者大於(例如)橢圓或狹槽/方框之90%、95%、98%或99%，則可藉由分別針對橢圓或狹槽/方框設計之演算法很好地量測量規圖案。因此，若針對(例如)經設計以量測橢圓形之演算法設定度量衡工具，則可不量測不符合用於藉由經設計以量測橢圓形之演算法進行之量測之準則的量規圖案，可不根據量測結果評估該等量規圖案，等等。 因此，通過度量衡友好性檢查之量規圖案被稱作度量衡友好圖案。預期藉由檢測工具(例如，CD-SEM)使用一或多個量測演算法準確地量測度量衡友好圖案之量規。否則，度量衡友好性檢查未通過，且因此，涉及量規圖案之量規中無一者被視為適合於量測、適合於根據量測結果之評估，等等。 在一實施例中，基於度量衡友好性檢查，可將識別符提供至識別哪一量測演算法最適合於各別量規圖案之量規圖案。此在度量衡裝置可在量規圖案之量測之前或期間切換演算法之情況下可為有用的。 因此，在一實施例中，在度量衡友好性檢查之後，檢測工具(例如，CD-SEM)量測實際基板上之度量衡友好圖案之量規。或，在一實施例中，在度量衡友好性檢查之後，針對為度量衡友好圖案之藉由檢測工具(例如，CD-SEM)量測之彼等圖案在模型校準/驗證、程序控制等等中評估量規。藉由使用度量衡友好性檢查，縮減不準確之經量測資料的量及/或不使用具有低準確度之經量測資料。在一實施例中，可使用ASML之超光速粒子微影可製造性檢查(LMC)工具實施度量衡友好性檢查。 圖11說明如上文所論述之實例量規選擇程序。可由軟體應用程式、處理器或控制模組實施實例量規選擇程序以選擇用於量測或用於在量測之後使用的量規，以便校準或驗證模型(例如，OPC模型)，監測圖案化程序，設計圖案化程序，等等。 該程序藉由在1100處獲得量規圖案之影像及涉及量規圖案之一或多個量規而開始。可基於影像判定指示一或多個量規之可印刷性之一或多個參數(例如，CD、ILS等等)。另外或替代地，可基於影像判定該影像內之一或多個形狀之輪廓。在1110處，對一或多個量規執行驗證可印刷性檢查。特定言之，驗證可印刷性檢查包含量規可印刷性檢查及/或輪廓形狀檢查。在執行量規可印刷性檢查及輪廓形狀檢查的情況下，其次序為可互換的。 在驗證可印刷性檢查包含量規可印刷性檢查或輪廓形狀檢查的情況下，當量規通過適用量規可印刷性檢查或輪廓形狀檢查時，量規圖案之量規通過驗證可印刷性檢查。在驗證可印刷性檢查包含量規可印刷性檢查及輪廓形狀檢查的情況下，當量規通過量規可印刷性檢查及輪廓形狀檢查兩者時，量規圖案之量規通過驗證可印刷性檢查。考慮使通過驗證可印刷性檢查之量規圖案之所有量規用於進一步評估、用於量測、用於根據量測結果之評估，等等。該程序繼續進行至步驟1120。否則，若涉及量規圖案之量規中無一者通過驗證可印刷性檢查，則結束該程序，此係因為該等量規中無一者被視為準備好量測、量測之後的評估，等等。 在步驟1120處，針對對於圖案化程序之物理、化學或光學參數之敏感度(諸如抗蝕劑敏感度及/或光學敏感度)評估通過驗證可印刷性檢查之一或多個量規。接著，基於一或多個敏感度選擇一或多個量規。 在步驟1130處，對來自步驟1120之一或多個量規執行度量衡友好性檢查。度量衡友好性檢查判定涉及一或多個量規之一或多個量規圖案之輪廓形狀之至少部分與檢測工具(例如，CD-SEM)量測之預定形狀中之一者之間的差是否超過臨限值或保持在臨限值內(例如，該差小於誤差臨限值，該差屬於誤差範圍內，該差由誤差臨限值限定，等等)。倘若如此，選擇通過度量衡友好性檢查之適用一或多個量規圖案之量規以用於由檢測工具(例如，CD-SEM)進行之量測、用於量測之後的評估，等等。否則，若所有一或多個量規圖案未通過度量衡友好性檢查，則結束該程序，此係因為量規中無一者被視為準備好量測、量測之後的評估，等等。 在一實施例中，實施步驟1110及步驟1130之次序係可互換的。在一實施例中，執行步驟1130但不執行步驟1110。在一實施例中，執行步驟1110但不執行步驟1130。 在一實施例中，組合步驟1110與1130。可在步驟1120之前或之後實施經組合步驟。此外，在經組合步驟中，可由ASML之超光速粒子LMC工具實施輪廓形狀檢查及度量衡友好性檢查兩者。 一旦選擇且量測量規及一或多個相關聯量規圖案，則量測資訊可用於模型校準/驗證、程序設計、程序控制、程序監測等等中。在一實施例中，可使用量規圖案之影像資料(除了量規之外或作為量規之替代方案)。舉例而言，SEM (例如，CD SEM)影像可用於(例如)模型校準或驗證中。舉例而言，該模型可產生與(例如)模擬中之量規圖案之SEM影像相似之資訊，且因此可將模型輸出與經量測SEM影像比較。相似地，來自量測(例如，SEM量測，諸如CD-SEM量測)之量規圖案之經提取輪廓可用於(例如)模型校準或驗證中。舉例而言，該模型可產生與(例如)模擬中之量規圖案之量測的經提取輪廓(諸如來自SEM影像之經提取輪廓)相同或相似之資訊，且因此可將模型輸出與量規圖案之量測之經提取輪廓(例如，來自SEM影像之經提取輪廓)比較。 在一實施例中，提供一種方法，其包含：針對圖案化程序獲得複數個量規圖案之複數個量規，每一量規圖案經組態以在該圖案化程序之參數作為該圖案化程序之部分產生時用於量測圖案化程序之參數；及自該複數個量規產生一或多個量規之一選擇，其中倘若該同一量規圖案之量規及若存在的所有其他量規或連結至該量規的該同一量規圖案之該一或多個量規中之所有者通過量規可印刷性檢查，則該量規包括在該選擇中。 在一實施例中，倘若連結至量規的同一量規圖案之一或多個量規中之所有者通過量規可印刷性檢查，則該量規包括在該選擇中，且其中同一量規圖案之複數個量規藉由與同一量規圖案識別相關聯而連結。在一實施例中，該方法進一步包含執行輪廓形狀檢查以識別是否認為量規圖案經良好地印刷，且倘若認為量規之量規圖案經良好地印刷，則該量規包括在該選擇中。在一實施例中，該方法進一步包含藉由對照檢測工具之量測演算法經設計以量測之預定形狀評估量規之量規圖案而判定該量規為度量衡友好的，且倘若該量規為度量衡友好的，則該量規包括在選擇中。在一實施例中，量規可印刷性檢查包含判定涉及一或多個量規之影像對數斜率及/或臨界尺寸是否通過臨限值。在一實施例中，量規可印刷性檢查包含藉由使用表示圖案化程序之至少部分之數學模型進行模擬而獲得與一或多個量規相關之可印刷性參數的值。在一實施例中，該方法進一步包含基於該一或多個量規對圖案化程序之物理、化學或光學參數之敏感度選擇來自該選擇之一或多個量規。在一實施例中，基於敏感度之選擇包含基於一或多個量規之抗蝕劑及/或光學敏感度是否超過臨限值或保持在臨限值內進行選擇。在一實施例中，該方法進一步包含使用一或多個量規之量測以校準或驗證表示圖案化程序之至少部分之數學模型。在一實施例中，該方法進一步包含使用一或多個量規之量測以控制或監測圖案化程序。在一實施例中，量規圖案包含積體電路圖案之特徵。在一實施例中，該方法進一步包含使用藉由該一或多個量規之量測獲得之資訊及/或自一或多個量規之量測導出之資訊以校準或驗證表示圖案化程序之至少部分之數學模型。在一實施例中，使用藉由一或多個量規之量測獲得之資訊及/或自一或多個量規之量測導出之資訊以校準或驗證數學模型包含使用自SEM資料導出之SEM影像及/或輪廓以校準或驗證表示圖案化程序之至少部分之數學模型。 在一實施例中，提供一種方法，其包含：針對圖案化程序獲得複數個量規圖案之複數個量規，每一量規圖案經組態以在該圖案化程序之參數作為該圖案化程序之部分產生時用於量測該圖案化程序之參數；及自該複數個量規產生一或多個量規之選擇，其中倘若基於量規之量規圖案之可印刷性的評估而認為該量規圖案經良好地印刷，則該量規包括在該選擇中。 在一實施例中，基於量規之量規圖案之輪廓形狀的至少部分與其標稱量規圖案之形狀之對應至少部分之間的差超過臨限值之判定而認為該量規經良好地印刷。在一實施例中，倘若同一量規圖案之量規及若存在的所有其他量規，或連結至量規的同一量規圖案之一或多個量規中之所有者超過量規可印刷性檢查，則該量規包括在該選擇中。在一實施例中，該方法進一步包含藉由對照檢測工具之量測演算法經設計以量測之預定形狀評估量規之量規圖案而判定量規是否為度量衡友好的，且倘若該量規為度量衡友好的，則該量規包括在該選擇中。在一實施例中，評估量規圖案包含判定涉及量規圖案之輪廓之形狀與檢測工具之量測演算法經設計以量測之預定形狀之間的差是否超過臨限值或保持在臨限值內。在一實施例中，藉由使用表示圖案化程序之至少部分之數學模型進行模擬而獲得輪廓形狀。在一實施例中，該方法進一步包含基於該一或多個量規對圖案化程序之物理、化學或光學參數之敏感度選擇來自該選擇之一或多個量規。在一實施例中，基於敏感度之選擇包含基於一或多個量規之抗蝕劑及/或光學敏感度是否超過臨限值或保持在臨限值內進行選擇。在一實施例中，該方法進一步包含使用一或多個量規之量測以校準或驗證表示圖案化程序之至少部分之數學模型。在一實施例中，該方法進一步包含使用一或多個量規之量測以控制或監測圖案化程序。在一實施例中，量規圖案包含積體電路圖案之特徵。在一實施例中，該方法進一步包含使用藉由該一或多個量規之量測獲得之資訊及/或自一或多個量規之量測導出之資訊以校準或驗證表示圖案化程序之至少部分之數學模型。在一實施例中，使用藉由一或多個量規之量測獲得之資訊及/或自一或多個量規之量測導出之資訊以校準或驗證數學模型包含使用自SEM資料導出之SEM影像及/或輪廓以校準或驗證表示圖案化程序之至少部分之數學模型。 在一實施例中，提供一種方法，其包含：針對圖案化程序獲得一或多個量規圖案之複數個量規，該一或多個量規圖案各自經組態以在該圖案化程序之參數作為該圖案化程序之部分產生時用於量測該圖案化程序之參數；及自該複數個量規產生一或多個量規之選擇，其中倘若量規對量規之量規圖案對照檢測工具之量測演算法經設計以量測之預定形狀之評估的回應為度量衡友好的，則該量規包括在該選擇中。 在一實施例中，評估量規圖案包含判定涉及量規圖案之輪廓之形狀與檢測工具之量測演算法經設計以量測之預定形狀之間的差是否超過臨限值或保持在臨限值內。在一實施例中，檢測工具為掃描電子顯微鏡。在一實施例中，該方法進一步包含執行輪廓形狀檢查以識別是否認為量規圖案經良好地印刷，且倘若認為量規之量規圖案經良好地印刷，則該量規包括在該選擇中。在一實施例中，倘若同一量規圖案之量規及若存在的所有其他量規，或連結至量規的同一量規圖案之一或多個量規中之所有者超過量規可印刷性檢查，則該量規包括在該選擇中。在一實施例中，藉由使用表示圖案化程序之至少部分之數學模型進行模擬而獲得經評估量規圖案。在一實施例中，該方法進一步包含基於該一或多個量規對圖案化程序之物理、化學或光學參數之敏感度選擇來自該選擇之一或多個量規。在一實施例中，基於敏感度之選擇包含基於一或多個量規之抗蝕劑及/或光學敏感度是否超過臨限值或保持在臨限值內進行選擇。在一實施例中，該方法進一步包含使用一或多個量規之量測以校準或驗證表示圖案化程序之至少部分之數學模型。在一實施例中，該方法進一步包含使用一或多個量規之量測以控制或監測圖案化程序。在一實施例中，量規圖案包含積體電路圖案之特徵。在一實施例中，該方法進一步包含使用藉由該一或多個量規之量測獲得之資訊及/或自一或多個量規之量測導出之資訊以校準或驗證表示圖案化程序之至少部分之數學模型。在一實施例中，使用藉由一或多個量規之量測獲得之資訊及/或自一或多個量規之量測導出之資訊以校準或驗證數學模型包含使用自SEM資料導出之SEM影像及/或輪廓以校準或驗證表示圖案化程序之至少部分之數學模型。 與諸如SEM之成像裝置相關聯地，一實施例可包括含有機器可讀指令之一或多個序列的電腦程式，該等機器可讀指令描述進行以下操作之方法：偵測及表示經成像結構，對照參考影像物件來對齊表示經成像結構之範本影像物件，及/或在圖案化程序期間基於參數之變化來預測結構之改變。舉例而言，此電腦程式可與圖3之成像裝置一起被包括或包括於該成像裝置內，及/或與圖2之控制單元LACU一起被包括或包括於該控制單元LACU內。亦可提供一種資料儲存媒體(例如，半導體記憶體、磁碟或光碟)，其中儲存有此電腦程式。在屬於(例如)圖1至圖3所展示之類型之現有裝置已經在生產中及/或在使用中的情況下，可藉由提供經更新電腦程式產品以用於致使裝置之處理器執行如本文中所描述之方法來實施一實施例。 如本文中所使用之術語「最佳化(optimizing/optimization)」意指調整裝置或程序(例如，微影裝置或光學微影處理步驟)，使得(例如，微影之)圖案化及/或器件製造結果及/或程序具有一或多個所要特性，諸如基板上之設計佈局之投影的較高準確度、較大程序窗，等等。 本發明之實施例可採取如下形式：電腦程式，其含有描述如本文中所揭示之方法的機器可讀指令之一或多個序列；或資料儲存媒體(例如，半導體記憶體、磁碟或光碟)，其具有儲存於其中之此電腦程式。此外，可以兩個或多於兩個電腦程式來體現機器可讀指令。該兩個或多於兩個電腦程式可儲存於一或多個不同記憶體及/或資料儲存媒體上。 本文中所描述之任何控制器可在一或多個電腦程式由位於微影裝置之至少一個組件內之一或多個電腦處理器讀取時各自或組合地可操作。該等控制器可各自或組合地具有用於接收、處理及發送信號之任何合適組態。一或多個處理器經組態以與該等控制器中之至少一者通信。舉例而言，每一控制器可包括用於執行包括用於上文所描述之方法之機器可讀指令的電腦程式之一或多個處理器。該等控制器可包括用於儲存此等電腦程式之資料儲存媒體，及/或用以收納此媒體之硬體。因此，該(等)控制器可根據一或多個電腦程式之機器可讀指令而操作。 儘管上文可特定地參考在光學微影之內容背景中對實施例之使用，但應瞭解，本發明之實施例可用於其他應用(例如，壓印微影)中，且在內容背景允許時不限於光學微影。在壓印微影中，圖案化器件中之構形界定產生於基板上之圖案。可將圖案化器件之構形壓入被供應至基板之抗蝕劑層中，在基板上，抗蝕劑係藉由施加電磁輻射、熱、壓力或其組合而固化。在抗蝕劑固化之後，將圖案化器件移出抗蝕劑，從而在其中留下圖案。 此外，儘管在本文中可特定地參考微影裝置在IC製造中之使用，但應理解，本文中所描述之微影裝置可具有其他應用，諸如製造整合式光學系統、用於磁疇記憶體之導引及偵測圖案、平板顯示器、液晶顯示器(LCD)、薄膜磁頭等等。熟習此項技術者應瞭解，在此等替代應用之內容背景中，可認為本文中對術語「晶圓」或「晶粒」之任何使用分別與更一般之術語「基板」或「目標部分」同義。可在圖案轉印之前或之後在(例如)塗佈顯影系統(通常將抗蝕劑層施加至基板且顯影經圖案化抗蝕劑之工具)、檢測工具及/或檢測工具中處理本文中所提及之基板。在適用的情況下，可將本文中之揭示內容應用於此等及其他基板處理工具。另外，可將基板處理多於一次，例如，以便產生多層IC，使得本文中所使用之術語「基板」亦可指已經含有多個經處理層之基板。 本文中所使用之術語「輻射」及「光束」涵蓋所有類型之電磁輻射，包括紫外線(UV)輻射(例如，具有為或為約365奈米、355奈米、248奈米、193奈米、157奈米或126奈米之波長)及極紫外線(EUV)輻射(例如，具有在5奈米至20奈米之範圍內之波長)，以及粒子束(諸如，離子束或電子束)。 在內容背景允許之情況下，術語「透鏡」可指各種類型之光學組件中之任一者或組合，包括折射、反射、磁性、電磁及靜電光學組件。 可使用以下條項來進一步描述本發明： 1.  一種方法，其包含：      針對一圖案化程序獲得複數個量規圖案之複數個量規，每一量規圖案經組態以在該圖案化程序之一參數作為該圖案化程序之部分產生時用於量測該圖案化程序之該參數；及      自該複數個量規產生一或多個量規之一選擇，其中倘若該同一量規圖案之一量規及若存在的所有其他量規或連結至該量規的該同一量規圖案之該一或多個量規中之所有者通過一量規可印刷性檢查，則該量規包括在該選擇中。 2.  如條項1之方法，其中倘若連結至該量規的該同一量規圖案之該一或多個量規中之所有者通過該量規可印刷性檢查，則該量規包括在該選擇中，且其中該同一量規圖案之複數個量規藉由與一相同量規圖案識別相關聯而連結。 3.  如條項1或條項2之方法，其進一步包含執行一輪廓形狀檢查以識別是否認為一量規圖案經良好地印刷，且倘若認為一量規之量規圖案經良好地印刷，則該量規包括在該選擇中。 4.  如條項1至3中任一項之方法，其進一步包含藉由對照一檢測工具之一量測演算法經設計以量測之一預定形狀評估一量規之量規圖案而判定該量規為度量衡友好的，且倘若該量規為度量衡友好的，則該量規包括在該選擇中。 5.  如條項1至4中任一項之方法，其中該量規可印刷性檢查包含判定涉及該一或多個量規之一影像對數斜率及/或臨界尺寸是否通過一臨限值。 6.  如條項1至5中任一項之方法，其中該量規可印刷性檢查包含藉由使用表示該圖案化程序之至少部分之一數學模型進行模擬而獲得與該一或多個量規相關之一可印刷性參數之一值。 7.  如條項1至6中任一項之方法，其進一步包含基於該一或多個量規對該圖案化程序之一物理、化學或光學參數之敏感度選擇來自該選擇之一或多個量規。 8.  如條項7之方法，其中基於敏感度之該選擇包含基於該一或多個量規之一抗蝕劑及/或光學敏感度是否超過一臨限值或保持在一臨限值內進行選擇。 9.  如條項1至8中任一項之方法，其進一步包含使用藉由該一或多個量規之一量測獲得之資訊及/或自該一或多個量規之一量測導出之資訊以校準或驗證表示該圖案化程序之至少部分之一數學模型。 10. 如條項9之方法，其中使用藉由該一或多個量規之該量測獲得之資訊及/或自該一或多個量規之該量測導出之資訊以校準或驗證該數學模型包含使用自SEM資料導出之一SEM影像及/或一輪廓以校準或驗證表示該圖案化程序之至少部分之該數學模型。 11. 如條項1至10中任一項之方法，其進一步包含使用該一或多個量規之量測以控制或監測該圖案化程序。 12.如條項1至11中任一項之方法，其中該量規圖案包含一積體電路圖案之一特徵。 13. 一種方法，其包含：      針對一圖案化程序獲得複數個量規圖案之複數個量規，每一量規圖案經組態以在該圖案化程序之一參數作為該圖案化程序之部分產生時用於量測該圖案化程序之該參數；及      自該複數個量規產生一或多個量規之一選擇，其中倘若基於該量規圖案之可印刷性之評估認為一量規之量規圖案經良好地印刷，則該量規包括在該選擇中。 14. 如條項13之方法，其中基於該量規之量規圖案之一輪廓形狀的至少部分與其標稱量規圖案之一形狀之一對應至少部分之間的一差超過一臨限值之一判定而認為該量規經良好地印刷。 15. 如條項13或條項14之方法，其中倘若該同一量規圖案之一量規及若存在的所有其他量規或連結至該量規的該同一量規圖案之該一或多個量規中之所有者通過一量規可印刷性檢查，則該量規包括在該選擇中。 16. 如條項13至15中任一項之方法，其進一步包含藉由對照一檢測工具之一量測演算法經設計以量測之一預定形狀評估該量規之該量規圖案而判定該量規是否為度量衡友好的，且倘若該量規為度量衡友好的，則該量規包括在該選擇中。 17. 如條項16之方法，其中評估該量規圖案包含判定涉及該量規圖案之一輪廓之一形狀與該檢測工具之該量測演算法經設計以量測之該預定形狀之間的一差是否超過一臨限值或保持在一臨限值內。 18. 如條項13至17中任一項之方法，其中藉由使用表示該圖案化程序之至少部分之一數學模型進行模擬而獲得該輪廓形狀。 19. 如條項13至18中任一項之方法，其進一步包含基於該一或多個量規對該圖案化程序之一物理、化學或光學參數之敏感度選擇來自該選擇之一或多個量規。 20. 如條項19之方法，其中基於敏感度之該選擇包含基於該一或多個量規之一抗蝕劑及/或光學敏感度是否通過一臨限值進行選擇。 21. 如條項13至20中任一項之方法，其進一步包含使用藉由該一或多個量規之一量測獲得之資訊及/或自該一或多個量規之一量測導出之資訊以校準或驗證表示該圖案化程序之至少部分之一數學模型。 22. 如條項21之方法，其中使用藉由該一或多個量規之該量測獲得之資訊及/或自該一或多個量規之該量測導出之資訊以校準或驗證該數學模型包含使用自SEM資料導出之一SEM影像及/或一輪廓以校準或驗證表示該圖案化程序之至少部分之該數學模型。 23. 如條項13至22中任一項之方法，其進一步包含使用該一或多個量規之量測以控制或監測該圖案化程序。 24. 如條項13至23中任一項之方法，其中該量規圖案包含一積體電路圖案之一特徵。 25. 一種方法，其包含： 針對一圖案化程序獲得一或多個量規圖案之複數個量規，該一或多個量規圖案各自經組態以在該圖案化程序之一參數作為該圖案化程序之部分產生時用於量測該圖案化程序之該參數；及      自該複數個量規產生一或多個量規之一選擇，其中倘若一量規對該量規之該量規圖案對照一檢測工具之一量測演算法經設計以量測之一預定形狀之評估的回應為度量衡友好的，則該量規包括在該選擇中。 26. 如條項25之方法，其中評估該量規圖案包含判定涉及該量規圖案之一輪廓之一形狀與該檢測工具之該量測演算法經設計以量測之該預定形狀之間的一差是否超過一臨限值或保持在一臨限值內。 27. 如條項25或條項26之方法，其中該檢測工具為一掃描電子顯微鏡。 28. 如條項25至27中任一項之方法，其進一步包含執行一輪廓形狀檢查以識別是否認為一量規圖案經良好地印刷，且倘若認為一量規之量規圖案經良好地印刷，則該量規包括在該選擇中。 29. 如條項25至28中任一項之方法，其中倘若該同一量規圖案之一量規及若存在的所有其他量規或連結至該量規的該同一量規圖案之該一或多個量規中之所有者通過一量規可印刷性檢查，則該量規包括在該選擇中。 30. 如條項25至29中任一項之方法，其中藉由使用表示該圖案化程序之至少部分之一數學模型進行模擬而獲得該經評估量規圖案。 31. 如條項25至30中任一項之方法，其進一步包含基於該一或多個量規對該圖案化程序之一物理、化學或光學參數之敏感度選擇來自該選擇之一或多個量規。 32. 如條項31之方法，其中基於敏感度之該選擇包含基於該一或多個量規之一抗蝕劑及/或光學敏感度是否通過一臨限值進行選擇。 33. 如條項25至32中任一項之方法，其進一步包含使用藉由該一或多個量規之一量測獲得之資訊及/或自該一或多個量規之一量測導出之資訊以校準或驗證表示該圖案化程序之至少部分之一數學模型。 34. 如條項33之方法，其中使用藉由該一或多個量規之該量測獲得之資訊及/或自該一或多個量規之該量測導出之資訊以校準或驗證該數學模型包含使用自SEM資料導出之一SEM影像及/或一輪廓以校準或驗證表示該圖案化程序之至少部分之該數學模型。 35. 如條項25至34中任一項之方法，其進一步包含使用該一或多個量規之量測以控制或監測該圖案化程序。 36. 如條項25至35中任一項之方法，其中該量規圖案包含一積體電路圖案之一特徵。 37. 一種製造器件之方法，其中使用一圖案化程序將一器件圖案施加至一系列基板，該方法包括執行如條項1至36中任一項之方法及根據該方法之該一或多個量規針對該等基板中之一或多者控制及/或設計該圖案化程序。 38. 一種非暫時性電腦程式產品，其包含經組態以引起致使一處理器致使執行如條項1至37中任一項之方法之機器可讀指令。 39. 一種系統，其包含：      一掃描電子顯微鏡，其經組態以提供一以微影方式產生之結構的一影像；及      一影像分析引擎，其包含如條項38之非暫時性電腦程式產品。 40. 如條項39之系統，其進一步包含一微影裝置，該微影裝置包含：一支撐結構，其經組態以固持用以調變一輻射光束之一圖案化器件；及一投影光學系統，其經配置以將該經調變投影至一輻射敏感基板上。 以上描述意欲為說明性的，而非限制性的。因此，熟習此項技術者將顯而易見，可在不脫離下文所闡明之申請專利範圍之範疇的情況下對所描述之本發明進行修改。舉例而言，一或多個實施例之一或多個態樣可在適當時與一或多個其他實施例之一或多個態樣組合或由一或多個其他實施例之一或多個態樣取代。因此，基於本文中所呈現之教示及指導，此等調適及修改意欲在所揭示實施例之等效物的意義及範圍內。應理解，本文中之措辭或術語係出於藉由實例進行描述而非限制之目的，使得本說明書之術語或措辭應由熟習此項技術者鑒於該等教示及該指導進行解譯。本發明之廣度及範疇不應由上文所描述之例示性實施例中之任一者限制，而應僅根據以下申請專利範圍及其等效物進行界定。
100‧‧‧基板
101‧‧‧基板台
110‧‧‧圖案化器件佈局模組
120‧‧‧圖案化器件模型模組
130‧‧‧圖案轉印模型模組
140‧‧‧抗蝕劑模型模組
150‧‧‧程序模型模組
160‧‧‧度量衡模組
170‧‧‧結果模組
200‧‧‧掃描電子顯微鏡(SEM)
201‧‧‧電子源
202‧‧‧初級電子束
203‧‧‧聚光器透鏡
204‧‧‧光束偏轉器
205‧‧‧E x B偏轉器
206‧‧‧接物鏡
207‧‧‧二次電子偵測器
208‧‧‧類比/數位(A/D)轉換器
300‧‧‧影像處理系統
301‧‧‧儲存媒體
302‧‧‧顯示器件
303‧‧‧記憶體
304‧‧‧處理單元/圖案化器件佈局
500‧‧‧設計佈局
510‧‧‧步驟
520‧‧‧模型
530‧‧‧步驟
540‧‧‧步驟
550‧‧‧步驟
560‧‧‧步驟
570‧‧‧步驟
580‧‧‧步驟
585‧‧‧步驟
590‧‧‧步驟
600‧‧‧設計佈局
610‧‧‧步驟
620‧‧‧模型
630‧‧‧步驟
640‧‧‧步驟
650‧‧‧步驟
660‧‧‧步驟
670‧‧‧步驟
680‧‧‧步驟
690‧‧‧步驟
695‧‧‧步驟
710‧‧‧量規
715‧‧‧量規
720‧‧‧量規
725‧‧‧量規
800‧‧‧步驟
810‧‧‧步驟
820‧‧‧步驟
940‧‧‧量規
945‧‧‧量規
950‧‧‧量規
955‧‧‧量規
1000‧‧‧量規
1010‧‧‧量規
1020‧‧‧橢圓擬合
1030‧‧‧在Y方向上之弧形掃掠的演算法
1040‧‧‧演算法
1060‧‧‧在X方向上之弧形掃掠的演算法
1100‧‧‧步驟
1110‧‧‧步驟
1120‧‧‧步驟
1130‧‧‧步驟
AD‧‧‧調整器
AS‧‧‧對準感測器
B‧‧‧輻射光束
BD‧‧‧光束遞送系統
BK‧‧‧烘烤板
C‧‧‧目標部分
CH‧‧‧冷卻板
CO‧‧‧聚光器
DE‧‧‧顯影器
I/O1‧‧‧輸入/輸出埠
I/O2‧‧‧輸入/輸出埠
IF‧‧‧位置感測器
IL‧‧‧照明系統/照明器
IN‧‧‧積光器
LA‧‧‧微影裝置
LACU‧‧‧微影控制單元
LB‧‧‧裝載匣
LC‧‧‧微影製造單元
LS‧‧‧位階感測器
M1‧‧‧光罩對準標記
M2‧‧‧光罩對準標記
MA‧‧‧圖案化器件
MT‧‧‧支撐結構/光罩台/圖案化器件支撐件
P1‧‧‧基板對準標記
P2‧‧‧基板對準標記
PM‧‧‧第一定位器
PS‧‧‧投影系統
PW‧‧‧第二定位器
RF‧‧‧參考框架
RO‧‧‧基板處置器或機器人
SC‧‧‧旋塗器
SCS‧‧‧監督控制系統
SO‧‧‧輻射源
TCU‧‧‧塗佈顯影系統控制單元
W‧‧‧基板
WTa‧‧‧基板台
WTb‧‧‧基板台
專利或申請案文件含有至少一個彩製圖式。在申請且支付必要的費用後，專利局將提供具有彩色圖式之此專利或專利申請公開案之複本。 現將參看隨附圖式而僅作為實例來描述實施例，在隨附圖式中： 圖1示意性地描繪微影裝置之一實施例； 圖2示意性地描繪微影製造單元或叢集之一實施例； 圖3示意性地描繪用以設計圖案化程序之系統之一實施例； 圖4示意性地描繪掃描電子顯微鏡(SEM)之一實施例； 圖5為說明用於圖案化程序模型之實例校準程序之流程圖； 圖6為說明實例圖案化品質監測程序之流程圖； 圖7A至圖7B示意性地描繪具有所展示之實例量規之兩個實例量規圖案； 圖8為說明量規選擇之方法之一實施例之流程圖； 圖9A示意性地描繪複數個鄰近量規圖案之實例； 圖9B示意性地描繪圖9A中之鄰近量規圖案之輪廓如何可變得接合在一起之實例； 圖10A示意性地描繪量規圖案且圖10B、圖10C、圖10D、圖10E及圖10F示意性地描繪用以針對量規圖案判定量規之各種演算法之性質；且 圖11為說明量規選擇之方法之一實施例之流程圖；

Claims (15)

  1. 一種方法，其包含： 針對一圖案化程序獲得複數個量規圖案之複數個量規，每一量規圖案經組態以在該圖案化程序之一參數作為該圖案化程序之部分產生時用於量測該圖案化程序之該參數；及 自該複數個量規產生一或多個量規之一選擇，其中倘若該同一量規圖案之一量規及若存在的所有其他量規或連結至該量規的該同一量規圖案之該一或多個量規中之所有者通過一量規可印刷性檢查，則該量規包括在該選擇中。
  2. 如請求項1之方法，其中倘若連結至一量規的該同一量規圖案之該一或多個量規中之所有者通過該量規可印刷性檢查，則該量規包括在該選擇中，且其中該同一量規圖案之複數個量規藉由與一相同量規圖案識別相關聯而連結。
  3. 如請求項1之方法，其進一步包含執行一輪廓形狀檢查以識別是否認為一量規圖案經良好地印刷，且倘若認為一量規之量規圖案經良好地印刷，則該量規包括在該選擇中。
  4. 如請求項1之方法，其進一步包含藉由對照一檢測工具之一量測演算法經設計以量測之一預定形狀評估一量規之量規圖案而判定該量規為度量衡友好的，且倘若該量規為度量衡友好的，則該量規包括在該選擇中。
  5. 如請求項1之方法，其中該量規可印刷性檢查包含：判定涉及該一或多個量規之一影像對數斜率及/或臨界尺寸是否通過一臨限值。
  6. 如請求項1之方法，其中該量規可印刷性檢查包含：藉由使用表示該圖案化程序之至少部分之一數學模型進行模擬而獲得與該一或多個量規相關之一可印刷性參數之一值。
  7. 如請求項1之方法，其進一步包含基於該一或多個量規對該圖案化程序之一物理、化學或光學參數之敏感度選擇來自該選擇之一或多個量規。
  8. 如請求項7之方法，其中基於敏感度之該選擇包含：基於該一或多個量規之一抗蝕劑及/或光學敏感度是否超過一臨限值或保持在一臨限值內進行選擇。
  9. 如請求項1之方法，其進一步包含使用藉由該一或多個量規之一量測獲得之資訊及/或自該一或多個量規之一量測導出之資訊以校準或驗證表示該圖案化程序之至少部分之一數學模型。
  10. 如請求項9之方法，其中使用藉由該一或多個量規之該量測獲得之資訊及/或自該一或多個量規之該量測導出之資訊以校準或驗證該數學模型包含：使用自SEM資料導出之一SEM影像及/或一輪廓以校準或驗證表示該圖案化程序之至少部分之該數學模型。
  11. 如請求項1之方法，其進一步包含使用該一或多個量規之量測以控制或監測該圖案化程序。
  12. 如請求項1之方法，其中該量規圖案包含一積體電路圖案之一特徵。
  13. 一種方法，其包含： 針對一圖案化程序獲得複數個量規圖案之複數個量規，每一量規圖案經組態以在該圖案化程序之一參數作為該圖案化程序之部分產生時用於量測該圖案化程序之該參數；及 自該複數個量規產生一或多個量規之一選擇，其中倘若基於該量規圖案之可印刷性之評估認為一量規之量規圖案經良好地印刷，則該量規包括在該選擇中。
  14. 一種非暫時性電腦程式產品，其包含經組態以致使一處理器致使執行如請求項1之方法之機器可讀指令。
  15. 一種系統，其包含： 一掃描電子顯微鏡，其經組態以提供一以微影方式產生之結構的一影像；及 一影像分析引擎，其包含如請求項14之非暫時性電腦程式產品。
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