TW201730601A - 光學積層體及圖像顯示裝置 - Google Patents

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Abstract

本發明提供一種儘管具備具有光學各向異性之基材(以下亦稱為各向異性基材)但抗反射功能仍優異之光學積層體。 本發明之光學積層體依序具有包含偏光元件及配置於該偏光元件之至少單側之保護層之偏光板、相位差層、導電層、及基材，該基材之面內相位差Re(550)大於0 nm，該基材之遲相軸與該相位差層之遲相軸所成之角度為-40°～-50°或40°～50°。

Description

光學積層體及圖像顯示裝置
本發明係關於一種光學積層體及使用其之圖像顯示裝置。
近年來，薄型顯示器普及，與此同時提出有搭載有有機EL(Electroluminescence，電致發光)面板之顯示器(有機EL顯示裝置)。有機EL面板由於具有反射性較高之金屬層，故而容易產生外部光反射或背景之映入等問題。因此，已知有藉由將圓偏光板設置於視認側以防止該等問題。另一方面，於顯示單元(例如有機EL單元)與偏光板之間組入有觸控感測器之所謂之內置觸控面板型輸入顯示裝置之需求高漲。此種構成之輸入顯示裝置由於圖像顯示單元與觸控感測器之距離較近，因而能夠對使用者賦予自然之輸入操作感。又，上述構成之輸入顯示裝置可降低起因於形成於觸控感測器之導電圖案之反射光之影響。 一般而言，上述構成之輸入顯示裝置中之觸控感測器具備感測器膜，該感測器膜具備基材及形成於該基材上之導電層。上述基材大量使用各向同性基材。該各向同性基材只要於光學上完全地各向同性，則充分地發揮藉由圓偏光板所形成之抗反射功能。然而，實際上，因導電層形成步驟、提高基材之韌性之處理等之影響，即便於實現了各向同性之基材中，亦會表現出若干之各向異性。其結果，即便配置圓偏光板，亦存在產生外部光反射或背景之映入等問題尚未解決之問題之情況。 [先前技術文獻] [專利文獻] [專利文獻1]日本專利特開2003-311239號公報 [專利文獻2]日本專利特開2002-372622號公報 [專利文獻3]日本專利第3325560號公報 [專利文獻4]日本專利特開2003-036143號公報
[發明所欲解決之問題] 本發明係為了解決上述先前之課題而成者，其主要目的在於提供一種儘管具備具有光學各向異性之基材(以下亦稱為各向異性基材)但抗反射功能仍優異之光學積層體。 [解決問題之技術手段] 本發明之光學積層體依序具有包含偏光元件及配置於該偏光元件之至少單側之保護層之偏光板、相位差層、導電層、及基材，該基材之面內相位差Re(550)大於0 nm，該基材之遲相軸與該相位差層之遲相軸所成之角度為-40°～-50°或40°～50°。 於一實施形態中，上述偏光元件之吸收軸與上述相位差層之遲相軸所成之角度為38°～52°。 於一實施形態中，上述相位差層之Re(450)/Re(550)為0.8以上且未達1。 於一實施形態中，上述相位差層之Re(650)/Re(550)大於1且為1.2以下。 於一實施形態中，上述相位差層係由聚碳酸酯系構成。 根據本發明之另一形態，提供一種圖像顯示裝置。該圖像顯示裝置具備上述光學積層體。 [發明之效果] 根據本發明，可提供一種藉由將各向異性基材之遲相軸角度最佳化，儘管具備各向異性基材，抗反射功能仍優異之光學積層體。
以下，對本發明之實施形態進行說明，但本發明並不限定於該等實施形態。 (用語及符號之定義) 本說明書中之用語及符號之定義如下所述。 (1)折射率(nx、ny、nz) 「nx」係面內之折射率成為最大之方向(即遲相軸方向)之折射率，「ny」係於面內與遲相軸正交之方向(即進相軸方向)之折射率，「nz」係厚度方向之折射率。 (2)面內相位差(Re) 「Re(λ)」係利用23℃下之波長λnm之光進行測定所得之面內相位差。例如，「Re(550)」係利用23℃下之波長550 nm之光進行測定所得之面內相位差。於將層(膜)之厚度設為d(nm)時，Re(λ)係藉由式：Re(λ)＝(nx－ny)×d而求出。 (3)厚度方向之相位差(Rth) 「Rth(λ)」係利用23℃下之波長λnm之光進行測定所得之厚度方向之相位差。例如，「Rth(550)」係利用23℃下之波長550 nm之光進行測定所得之厚度方向之相位差。於將層(膜)之厚度設為d(nm)時，Rth(λ)係藉由式：Rth(λ)＝(nx－nz)×d而求出。 (4)Nz係數 Nz係數係藉由Nz＝Rth/Re而求出。 A.光學積層體之整體構成 圖1係本發明之一實施形態之光學積層體之概略剖視圖。本實施形態之光學積層體100依序具有偏光板11、相位差層12、導電層21、及基材22。偏光板11包含偏光元件1、配置於偏光元件1之一側之第1保護層2、及配置於偏光元件1之另一側之第2保護層3。亦可根據目的省略第1保護層2及第2保護層3之一者。例如，於相位差層12亦可作為偏光元件1之保護層發揮功能之情形時，亦可省略第2保護層3。導電層21及基材22既可分別作為單一層設為光學積層體100之構成要素，亦可作為基材22與導電層21之積層體導入至光學積層體100。基材22與導電層21之積層體例如可作為觸控感測器之感測器膜20發揮功能。再者，為了便於觀察，圖式中之各層之厚度之比率與實物不同。又，構成光學積層體之各層亦可經由任意適當之接著層(接著劑層或黏著劑層：未圖示)而積層。另一方面，基材22亦可密接積層於導電層21。於本說明書中，所謂「密接積層」，意指2層不介存接著層(例如接著劑層、黏著劑層)而直接且固接地積層。 偏光板11與相位差層12之積層體10可作為圓偏光板發揮功能。又，基材22可為光學各向異性。於本發明中，可提供一種即便具備各向異性基材22，藉由將該基材22之遲相軸與相位差層12所成之角度設為特定之範圍(如下所述為-40°～-50°或40°～50°)，亦可充分地發揮圓偏光板之抗反射功能，從而有效地防止外部光反射或背景之映入等之光學積層體。基材22具有面內相位差(例如，面內相位差Re(550)大於0 nm且為10 nm以下)。詳細內容如下所述。 光學積層體之總厚度較佳為220 μm以下，更佳為40 μm～180 μm。 光學積層體既可為長條狀(例如輥狀)，亦可為單片狀。 以下，對構成光學積層體之各層及光學膜更詳細地進行說明。 B.偏光板 B-1.偏光元件 作為偏光元件1，可採用任意適當之偏光元件。例如，形成偏光元件之樹脂膜既可為單層之樹脂膜，亦可為兩層以上之積層體。 作為由單層之樹脂膜構成之偏光元件之具體例，可列舉：對聚乙烯醇(PVA)系膜、局部縮甲醛化PVA系膜、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物系局部皂化膜等親水性高分子膜實施有利用碘或二色性染料等二色性物質而進行之染色處理及延伸處理而成者，PVA之脫水處理物或聚氯乙烯之脫鹽酸處理物等多烯系配向膜等。就光學特性優異之方面而言，較佳為使用利用碘對PVA系膜進行染色並使之單軸延伸而獲得之偏光元件。 利用上述碘進行之染色例如係藉由將PVA系膜浸漬於碘水溶液中而進行。上述單軸延伸之延伸倍率較佳為3～7倍。延伸可於染色處理後進行，亦可一面進行染色一面進行延伸。又，亦可於延伸後進行染色。視需要對PVA系膜實施膨潤處理、交聯處理、洗淨處理、乾燥處理等。例如，於染色之前將PVA系膜浸漬於水中進行水洗，藉此不僅可將PVA系膜表面之污漬及抗黏連劑洗淨，亦可使PVA系膜膨潤而防止染色不均等。 作為使用積層體而獲得之偏光元件之具體例，可列舉使用樹脂基材與積層於該樹脂基材之PVA系樹脂層(PVA系樹脂膜)之積層體或者樹脂基材與塗佈形成於該樹脂基材之PVA系樹脂層之積層體而獲得之偏光元件。使用樹脂基材與塗佈形成於該樹脂基材之PVA系樹脂層之積層體而獲得之偏光元件例如可藉由如下方式而製作：將PVA系樹脂溶液塗佈於樹脂基材並使之乾燥而於樹脂基材上形成PVA系樹脂層，獲得樹脂基材與PVA系樹脂層之積層體；對該積層體進行延伸及染色而將PVA系樹脂層製成偏光元件。於本實施形態中，代表性而言，延伸包含使積層體浸漬於硼酸水溶液中並使之延伸。進而，延伸可進而包含視需要於在硼酸水溶液中進行延伸之前將積層體於高溫(例如95℃以上)下進行空中延伸。所獲得之樹脂基材/偏光元件之積層體既可直接使用(即亦可將樹脂基材作為偏光元件之保護層)，亦可將樹脂基材自樹脂基材/偏光元件之積層體剝離，並於該剝離面積層與目的相對應之任意適當之保護層後使用。此種偏光元件之製造方法之詳細內容例如記載於日本專利特開2012-73580號公報。該公報之整體之記載係作為參考而被引用至本說明書中。 偏光元件之厚度較佳為15 μm以下，更佳為1 μm～12 μm，進而較佳為3 μm～12 μm，尤佳為5 μm～12 μm。 偏光元件之硼酸含量較佳為18重量%以上，更佳為18重量%～25重量%。若偏光元件之硼酸含量為此種範圍，則藉由與下述碘含量之協同效應，可良好地維持貼合時之捲曲調整之容易性，且可良好地抑制加熱時之捲曲，並且可改善加熱時之外觀耐久性。硼酸含量例如可根據中和法並使用下述式，作為每單位重量之偏光元件所包含之硼酸量而算出。 [數1]偏光元件之碘含量較佳為2.1重量%以上，更佳為2.1重量%～3.5重量%。若偏光元件之碘含量為此種範圍，則藉由與上述硼酸含量之協同效應，可良好地維持貼合時之捲曲調整之容易性，且可良好地抑制加熱時之捲曲，並且可改善加熱時之外觀耐久性。於本說明書中，所謂「碘含量」，意指偏光元件(PVA系樹脂膜)中所包含之所有碘之量。更具體而言，於偏光元件中，碘係以碘離子(I- )、碘分子(I2 )、多碘離子(I3 - 、I5 - )等形態存在，本說明書中之碘含量意指包含所有該等形態之碘之量。碘含量例如可藉由螢光X射線分析之校準曲線法而算出。再者，多碘離子係以於偏光元件中形成有PVA-碘錯合物之狀態存在。藉由形成此種錯合物，可於可見光之波長範圍內表現出吸收二色性。具體而言，PVA與三碘化物離子之錯合物(PVA・I3 - )於470 nm附近具有吸光波峰，PVA與五碘化物離子之錯合物(PVA・I5 - )於600 nm附近具有吸光波峰。作為結果，多碘離子可根據其形態於可見光之較寬之範圍內吸收光。另一方面，碘離子(I- )於230 nm附近具有吸光波峰，實質上與可見光之吸收並不相關。因此，以與PVA之錯合物之狀態存在之多碘離子能夠主要關係到偏光元件之吸收性能。 偏光元件較佳為於波長380 nm～780 nm之任一波長下顯示出吸收二色性。偏光元件之單質透過率如上所述為43.0%～46.0%，較佳為44.5%～46.0%。偏光元件之偏光度較佳為97.0%以上，更佳為99.0%以上，進而較佳為99.9%以上。 B-2.第1保護層 第1保護層2係由可用作偏光元件之保護層之任意適當之膜形成。作為成為該膜之主成分之材料之具體例，可列舉：三乙醯纖維素(TAC)等纖維素系樹脂或聚酯系、聚乙烯醇系、聚碳酸酯系、聚醯胺系、聚醯亞胺系、聚醚碸系、聚碸系、聚苯乙烯系、聚降烯系、聚烯烴系、(甲基)丙烯酸系、乙酸酯系等之透明樹脂等。又，亦可列舉：(甲基)丙烯酸系、胺基甲酸酯系、(甲基)丙烯酸胺基甲酸酯系、環氧系、聚矽氧系等熱硬化型樹脂或紫外線硬化型樹脂等。此外，例如亦可列舉矽氧烷系聚合物等玻璃質系聚合物。又，亦可使用日本專利特開2001-343529號公報(WO01/37007)所記載之聚合物膜。作為該膜之材料，例如可使用含有於側鏈具有經取代或未經取代之醯亞胺基之熱塑性樹脂及於側鏈具有經取代或未經取代之苯基以及腈基之熱塑性樹脂之樹脂組合物，例如可列舉具有包含異丁烯與N-甲基馬來醯亞胺之交替共聚物及丙烯腈-苯乙烯共聚物之樹脂組合物。該聚合物膜例如可為上述樹脂組合物之擠出成形物。 如下所述，本發明之光學積層體代表性而言配置於圖像顯示裝置之視認側，第1保護層2代表性而言配置於其視認側。因此，亦可視需要對第1保護層2實施硬塗處理、抗反射處理、抗黏處理、防眩處理等表面處理。進而/或者亦可視需要對第1保護層2實施改善隔著偏光太陽眼鏡視認之情形時之視認性之處理(代表性而言，賦予(橢)圓偏光功能、賦予超高相位差)。藉由實施此種處理，即便於隔著偏光太陽眼鏡等偏光透鏡視認顯示畫面之情形時，亦可實現優異之視認性。因此，光學積層體亦可較佳地應用於可於屋外使用之圖像顯示裝置。 第1保護層之厚度可採用任意適當之厚度。第1保護層之厚度例如為10 μm～50 μm，較佳為15 μm～40 μm。再者，於實施有表面處理之情形時，第1保護層之厚度係包含表面處理層厚度之厚度。 B-3.第2保護層 又，第2保護層3亦由可用作偏光元件之保護層之任意適當之膜形成。成為該膜之主成分之材料如關於第1保護層而於上述B-2項中說明所述。第2保護層3較佳為光學上大致各向同性。於本說明書中，所謂「光學上大致各向同性」，係指面內相位差Re(550)為0 nm～10 nm且厚度方向之相位差Rth(550)為-10 nm～+10 nm。 第2保護層之厚度例如為15 μm～35 μm，較佳為20 μm～30 μm。第1保護層之厚度與第2保護層之厚度之差較佳為15 μm以下，更佳為10 μm以下。若厚度之差為此種範圍，則可良好地抑制貼合時之捲曲。第1保護層之厚度與第2保護層之厚度既可相同，亦可為第1保護層較厚，亦可為第2保護層較厚。代表性而言，第1保護層厚於第2保護層。 C.相位差層 相位差層12可根據目的而具有任意適當之光學特性及/或機械特性。代表性而言，相位差層12具有遲相軸。於一實施形態中，相位差層12之遲相軸與偏光元件1之吸收軸所成之角度θ較佳為38°～52°，更佳為42°～48°，進而較佳為約45°。若角度θ為此種範圍，則藉由如下所述般將相位差層製成λ/4板，可獲得具有非常優異之圓偏光特性(作為結果為非常優異之抗反射特性)之光學積層體。 相位差層較佳為折射率特性顯示nx＞ny≧nz之關係。代表性而言，相位差層係為了對偏光板賦予抗反射特性而設置，於一實施形態中，可作為λ/4板發揮功能。於此情形時，相位差層之面內相位差Re(550)較佳為80 nm～200 nm，更佳為100 nm～180 nm，進而較佳為110 nm～170 nm。再者，此處，「ny＝nz」不僅包含ny與nz完全相等之情形，亦包含實質上相等之情形。因此，可於無損本發明之效果之範圍內存在ny＜nz之情形。 相位差層之Nz係數較佳為0.1～3，更佳為0.2～1.5，進而較佳為0.3～1.3。藉由滿足此種關係，於將所獲得之光學積層體用於圖像顯示裝置之情形時，可達成非常優異之反射色相。 相位差層既可顯示出相位差值對應於測定光之波長而增大之逆分散波長特性，亦可顯示出相位差值對應於測定光之波長而縮小之正的波長分散特性，亦可顯示出相位差值幾乎不會因測定光之波長而變化之平坦之波長分散特性。於一實施形態中，相位差層顯示出逆分散波長特性。於此情形時，相位差層之Re(450)/Re(550)較佳為0.8以上且未達1，更佳為0.8以上且0.95以下。又，相位差層之Re(650)/Re(550)較佳為大於1且為1.2以下，更佳為1.05以上且1.2以下。若為此種構成，則可實現非常優異之抗反射特性。又，藉由以如上方式將具有逆波長分散特性之相位差層與適當調整了遲相軸角度之基材(下述)進行組合而使該效果變得顯著。再者，相位差層之波長分散特性之控制例如可如下所述般使用聚碳酸酯系樹脂膜作為樹脂膜，並調整構成該聚碳酸酯系樹脂之結構單元之含有比率後進行。 相位差層包含光彈性係數之絕對值較佳為2×10-11 m2 /N以下、更佳為2.0×10-13 m2 /N～1.5×10-11 m2 /N、進而較佳為1.0×10-12 m2 /N～1.2×10-11 m2 /N之樹脂。若光彈性係數之絕對值為此種範圍，則於產生加熱時之收縮應力之情形時不易產生相位差變化。其結果，可良好地防止所獲得之圖像顯示裝置之熱不均。 相位差層之厚度較佳為60 μm以下，較佳為30 μm～55 μm。若相位差層之厚度為此種範圍，則可良好地抑制加熱時之捲曲，並且良好地調整貼合時之捲曲。 相位差層可包含可滿足上述特性之任意適當之樹脂膜。作為此種樹脂之代表例，可列舉：環狀烯烴系樹脂、聚碳酸酯系樹脂、纖維素系樹脂、聚酯系樹脂、聚乙烯醇系樹脂、聚醯胺系樹脂、聚醯亞胺系樹脂、聚醚系樹脂、聚苯乙烯系樹脂、丙烯酸系樹脂。於相位差層係由顯示出逆分散波長特性之樹脂膜構成之情形時，可較佳地使用聚碳酸酯系樹脂。 作為上述聚碳酸酯樹脂，只要可獲得本發明之效果，則可使用任意適當之聚碳酸酯樹脂。較佳為聚碳酸酯樹脂包含源自茀系二羥基化合物之結構單元、源自異山梨酯系二羥基化合物之結構單元、及源自選自由脂環式二醇、脂環式二甲醇、二、三或聚乙二醇、以及伸烷基二醇或螺二醇所組成之群中之至少1種二羥基化合物之結構單元。較佳為聚碳酸酯樹脂包含源自茀系二羥基化合物之結構單元、源自異山梨酯系二羥基化合物之結構單元、源自脂環式二甲醇之結構單元以及/或者源自二、三或聚乙二醇之結構單元；進而較佳為包含源自茀系二羥基化合物之結構單元、源自異山梨酯系二羥基化合物之結構單元及源自二、三或聚乙二醇之結構單元。聚碳酸酯樹脂亦可視需要包含源自其他二羥基化合物之結構單元。再者，可較佳地用於本發明之聚碳酸酯樹脂之詳細內容例如記載於日本專利特開2014-10291號公報、日本專利特開2014-26266號公報中，且該記載係作為參考而引用至本說明書中。 上述聚碳酸酯樹脂之玻璃轉移溫度較佳為120℃以上且190℃以下，更佳為130℃以上且180℃以下。若玻璃轉移溫度過低，則有耐熱性變差之傾向，可能會於膜成形後引起尺寸變化，又，存在會降低所獲得之圖像顯示裝置之圖像品質之情形。若玻璃轉移溫度過高，則存在膜成形時之成形穩定性變差之情形，又，存在會損害膜之透明性之情況。再者，玻璃轉移溫度係基於JIS K 7121(1987)而求出。 上述聚碳酸酯樹脂之分子量可以還原黏度表示。還原黏度係使用二氯甲烷作為溶劑，將聚碳酸酯濃度精密地製備成0.6 g/dL，並於溫度20.0℃±0.1℃下使用烏氏黏度管進行測定。還原黏度之下限通常較佳為0.30 dL/g，更佳為0.35 dL/g以上。還原黏度之上限通常較佳為1.20 dL/g，更佳為1.00 dL/g，進而較佳為0.80 dL/g。若還原黏度小於上述下限值，則存在會產生成形品之機械強度降低之問題之情形。另一方面，若還原黏度大於上述上限值，則存在會產生成形時之流動性降低、生產性或成形性降低之問題之情形。 作為聚碳酸酯系樹脂膜，亦可使用市售之膜。作為市售品之具體例，可列舉：帝人公司製造之商品名「PURE-ACE WR-S」、「PURE-ACE WR-W」、「PURE-ACE WR-M」、日東電工公司製造之商品名「NRF」。 相位差層例如可藉由使利用上述聚碳酸酯系樹脂形成之膜延伸而獲得。作為利用聚碳酸酯系樹脂形成膜之方法，可採用任意適當之成形加工法。作為具體例，可列舉：壓縮成形法、轉移成形法、射出成形法、擠出成形法、吹塑成形法、粉末成形法、FRP(Fiber Reinforced Plastics，纖維增強塑膠)成形法、澆鑄塗佈法(例如流延法)、軋光成形法、熱壓製法等。較佳為擠出成形法或澆鑄塗佈法。其原因在於，可提高所獲得之膜之平滑性而獲得良好之光學均勻性。成形條件可根據所使用之樹脂之組成或種類、相位差層所需之特性等適當設定。再者，如上所述，關於聚碳酸酯系樹脂，由於市售有大量膜製品，因而亦可將該市售膜直接供於延伸處理。 樹脂膜(未延伸膜)之厚度可根據相位差層之所需之厚度、所需之光學特性、下述延伸條件等設定為任意適當之值。較佳為50 μm～300 μm。 上述延伸可採用任意適當之延伸方法、延伸條件(例如延伸溫度、延伸倍率、延伸方向)。具體而言，可將自由端延伸、固定端延伸、自由端收縮、固定端收縮等各種延伸方法單獨使用，亦可同時或者逐次使用。關於延伸方向，亦可於長度方向、寬度方向、厚度方向、斜方向等各種方向或維度進行。延伸之溫度相對於樹脂膜之玻璃轉移溫度(Tg)，較佳為Tg－30℃～Tg＋60℃，更佳為Tg－30℃～Tg＋50℃，進而較佳為Tg－15℃～Tg＋30℃。 藉由適當選擇上述延伸方法、延伸條件，可獲得具有上述所需之光學特性(例如折射率特性、面內相位差、Nz係數)之相位差膜。 於一實施形態中，相位差膜係藉由使樹脂膜單軸延伸或者固定端單軸延伸而製作。作為固定端單軸延伸之具體例，可列舉一面使樹脂膜沿長邊方向移動，一面使之沿寬度方向(橫向)延伸之方法。延伸倍率較佳為1.1倍～3.5倍。 於另一實施形態中，相位差膜可藉由使長條狀之樹脂膜相對於長邊方向沿上述角度θ之方向連續地傾斜延伸而製作。藉由採用傾斜延伸，可獲得相對於膜之長邊方向具有角度θ之配向角(角度θ之方向上為遲相軸)之長條狀之延伸膜，例如於與偏光元件積層時，可實現輥對輥而使製造步驟簡略化。再者，角度θ於附相位差層之偏光板中可為偏光元件之吸收軸與相位差層之遲相軸所成之角度。如上所述，角度θ較佳為38°～52°，更佳為42°～48°，進而較佳為約45°。 作為用於傾斜延伸之延伸機，例如可列舉可於橫向及/或縱向上賦予左右不同速度之傳送力或者牽引力或拉取力之拉幅式延伸機。拉幅式延伸機有橫向單軸延伸機、同時雙軸延伸機等，只要可使長條狀之樹脂膜連續地傾斜延伸，則可使用任意適當之延伸機。 於上述延伸機中，分別適當地控制左右之速度，藉此可獲得具有上述所需之面內相位差且於上述所需之方向上具有遲相軸之相位差層(實質上為長條狀之相位差膜)。 上述膜之延伸溫度可根據相位差層所需之面內相位差值及厚度、所使用之樹脂之種類、所使用之膜之厚度、延伸倍率等而變化。具體而言，延伸溫度較佳為Tg－30℃～Tg＋60℃，更佳為Tg－30℃～Tg＋50℃，進而較佳為Tg－15℃～Tg＋30℃。藉由於此種溫度下進行延伸，於本發明中，可獲得具有適當之特性之相位差層。再者，Tg係膜之構成材料之玻璃轉移溫度。 D.導電層 導電層可藉由任意適當之成膜方法(例如真空蒸鍍法、濺鍍法、CVD(Chemical Vapor Deposition，化學氣相沈積)法、離子鍍敷法、噴霧法等)於任意適當之基材上成膜金屬氧化物膜而形成。成膜後，亦可視需要進行加熱處理(例如100℃～200℃)。藉由進行加熱處理，可使非晶質膜結晶化。作為金屬氧化物，例如可列舉：氧化銦、氧化錫、氧化鋅、銦-錫複合氧化物、錫-銻複合氧化物、鋅-鋁複合氧化物、銦-鋅複合氧化物。氧化銦中亦可摻雜二價金屬離子或四價金屬離子。較佳為銦系複合氧化物，更佳為銦-錫複合氧化物(ITO)。銦系複合氧化物具有如下特徵：於可見光區域(380 nm～780 nm)中具有較高之透過率(例如80%以上)，且每單位面積之表面電阻值較低。 於導電層包含金屬氧化物之情形時，該導電層之厚度較佳為50 nm以下，更佳為35 nm以下。導電層之厚度之下限較佳為10 nm。 導電層之表面電阻值較佳為300 Ω/□以下，更佳為150 Ω/□以下，進而較佳為100 Ω/□以下。導電層可視需要進行圖案化。藉由進行圖案化，可形成導通部與絕緣部。作為圖案化方法，可採用任意適當之方法。作為圖案化方法之具體例，可列舉濕式蝕刻法、網版印刷法。 E.基材 基材具有遲相軸。於本發明中，可提供一種即便使用具有遲相軸之基材、即各向異性基材，亦可充分地發揮圓偏光板之抗反射功能，從而有效地防止外部光反射或背景之映入等之光學積層體。因此，根據本發明，無需如先前般重視光學各向同性來選擇構成基材之材料，可根據所需之特性選擇多種多樣之材料。 又，上述基材雖係以光學各向同性(面內相位差Re(550)為0 nm)為目標而製作，但亦可為不可避免地具有遲相軸之基材。於基材上使導電層成膜而形成之情形(即藉由密接積層將基材與導電層積層之情形)時，存在因成膜步驟中之加熱等而導致基材產生不需要之遲相軸之情形。以如上方式而產生之遲相軸會抑制藉由圓偏光板所致之抗反射功能，並且通常難以控制其方向，從而亦會導致生產穩定性降低。於本發明中，即便為產生了上述遲相軸之基材，亦會充分地發揮圓偏光板之抗反射功能。於此種本發明中，可容許產生遲相軸，並形成導電層，從而可減少導電層成膜條件之限制。 上述效果可藉由使基材之遲相軸與相位差層之遲相軸之角度最佳化而獲得。本發明於不論基材之遲相軸於何種方向上產生均充分地發揮圓偏光板之抗反射功能之方面特別有用。 基材之遲相軸與相位差層之遲相軸所成之角度為-40°～-50°或40°～50°，較佳為-42°～-48°或42°～48°，更佳為-44°～-46°或44°～46°，尤佳為-45°或45°。若為此種範圍，則可提供一種可充分地發揮圓偏光板之抗反射功能，從而有效地防止外部光反射或背景之映入等之光學積層體。再者，於本說明書中，以基材之遲相軸為基準而將順時針方向之角度設為正之角度，將逆時針方向之角度設為負之角度。 基材較佳為折射率特性顯示出nx＞ny≧nz之關係。基材之面內相位差Re(550)大於0 nm。根據本發明，即便使用具有面內相位差Re之基材，如上所述，亦可獲得充分地發揮圓偏光板之抗反射功能之光學積層體。於一實施形態中，基材之面內相位差Re(550)為3 nm以上。於另一實施形態中，基材之面內相位差Re(550)為5 nm以上。基材之面內相位差Re(550)之上限例如為10 nm。若基材之面內相位差Re(550)為10 nm以下(更佳為8 nm以下，進而較佳為6 nm以下)，則圓偏光板之抗反射功能進一步增高。 作為基材，可使用任意適當之樹脂膜。作為構成材料之具體例，可列舉：環狀烯烴系樹脂、聚碳酸酯系樹脂、纖維素系樹脂、聚酯系樹脂、丙烯酸系樹脂。 基材之厚度較佳為10 μm～200 μm，更佳為20 μm～60 μm。 亦可視需要於導電層21與基材22之間設置硬塗層(未圖示)。作為硬塗層，可使用具有任意適當之構成之硬塗層。硬塗層之厚度例如為0.5 μm～2 μm。只要霧度為容許範圍，則亦可於硬塗層中添加用以降低牛頓環之微粒子。進而，亦可視需要於導電層21與基材22(於存在之情形時為硬塗層)之間設置用以提高導電層之密接性之增黏塗層、及/或用以調整反射率之折射率調整層。作為增黏塗層及折射率調整層，可採用任意適當之構成。增黏塗層及折射率調整層可為數nm～數十nm之薄層。 亦可視需要於基材22之與導電層21相反之側(光學積層體之最外側)設置另一硬塗層。代表性而言，該硬塗層包含黏合劑樹脂層與球狀粒子，球狀粒子自黏合劑樹脂層突出而形成凸部。此種硬塗層之詳細內容記載於日本專利特開2013-145547號公報中，該公報之記載係作為參考而引用至本說明書中。 F.其他 本發明之實施形態之光學積層體亦可進而包含其他層。於實際使用上，於基材22之表面設置有用以貼合於顯示單元之黏著劑層(未圖示)。較佳為於將光學積層體供於使用之前將剝離膜貼合於該黏著劑層之表面。 G.圖像顯示裝置 上述A項至F項中所記載之光學積層體可應用於圖像顯示裝置。因此，本發明包含使用此種光學積層體之圖像顯示裝置。作為圖像顯示裝置之代表例，可列舉：液晶顯示裝置、有機EL顯示裝置。本發明之實施形態之圖像顯示裝置於其視認側具備上述A項至G項中所記載之光學積層體。光學積層體係以導電層成為顯示單元(例如液晶單元、有機EL單元)側之方式(偏光元件成為視認側之方式)進行積層。即，本發明之實施形態之圖像顯示裝置可為於顯示單元(例如液晶單元、有機EL單元)與偏光板之間組入有觸控感測器之所謂之內置觸控面板型輸入顯示裝置。於此情形時，觸控感測器可配置於導電層(或附基材之導電層)與顯示單元之間。觸控感測器之構成可採用業界眾所周知之構成，因此省略詳細之說明。 [實施例] 以下，藉由實施例對本發明具體地進行說明，但本發明不受該等實施例限定。 [實施例1] 關於下述表1所示之構成之光學積層體，使用光學模擬器(Shintec公司製造，商品名「LCD Master V8」)，並根據正面色相a、b對該光學積層體之反射特性進行評價。 再者，設為於偏光板之與相位差層相反之側配置光源(於「LCD Master V8」中註冊之D65光源)，於基材之與相位差層相反之側配置反射板(於「LCD Master V8」中註冊之理想反射板Idea-Reflector)之構成。 又，以除不包含基材以外與表1相同之構成算出正面色相a、b，並將其結果作為參考。 本評價係如下所述般改變基材之遲相軸角度進行模擬，並藉由與參考進行比較而對光學積層體之反射特性進行評價。 [表1] [實施例1-1] 將基材之遲相軸與偏光板之偏光元件之吸收軸所成之角度設為90°。即，將基材之遲相軸與相位差層之遲相軸所成之角度設為45°。 [實施例1-2] 將基材之遲相軸與偏光板之偏光元件之吸收軸所成之角度設為0°。即，將基材之遲相軸與相位差層之遲相軸所成之角度設為-45°。 [實施例1-3] 將基材之遲相軸與偏光板之偏光元件之吸收軸所成之角度設為85°。即，將基材之遲相軸與相位差層之遲相軸所成之角度設為40°。 [實施例1-4] 將基材之遲相軸與偏光板之偏光元件之吸收軸所成之角度設為95°。即，將基材之遲相軸與相位差層之遲相軸所成之角度設為50°。 [實施例1-5] 將基材之遲相軸與偏光板之偏光元件之吸收軸所成之角度設為-5°。即，將基材之遲相軸與相位差層之遲相軸所成之角度設為-50°。 [實施例1-6] 將基材之遲相軸與偏光板之偏光元件之吸收軸所成之角度設為5°。即，將基材之遲相軸與相位差層之遲相軸所成之角度設為-40°。 [比較例1] 於10°～80°及100°～170°之範圍內變更基材之遲相軸與偏光板之偏光元件之吸收軸所成之角度，對各角度下之反射特性進行評價。 關於實施例1及比較例1之結果，將正面色相a、b之繪圖示於圖2。又，將表示Δab之軸角度依存性之圖表示於圖3。Δab係藉由Δab＝{(正面色相a－參考之正面色相a)2 ＋(正面色相b－參考之正面色相b)2 }1/2 而算出。Δab越低，表示各向同性基材之影響越少而抗反射特性越優異。 根據圖2及圖3明確本發明之光學積層體具有優異之抗反射功能。 [實施例2] 將相位差層之Re(550)設為139 nm，將相位差層之波長分散特性Re(550)/Re(450)設為0.85，將波長分散特性Re(650)/Re(550)設為1.06，除此以外，以實施例1(實施例1-1～1-6)相同之方式對光學積層體之反射特性進行評價。 [比較例2] 將相位差層之Re(550)設為139 nm，將相位差層之波長分散特性Re(550)/Re(450)設為0.85，將波長分散特性Re(650)/Re(550)設為1.06，除此以外，以與比較例2相同之方式對光學積層體之反射特性進行評價。 關於實施例2及比較例2之結果，將表示Δab之軸角度依存性之圖表示於圖4。 [實施例3] 將相位差層之波長分散特性Re(550)/Re(450)設為0.82，將波長分散特性Re(650)/Re(550)設為1.08，除此以外，以與實施例1(實施例1-1～1-6)相同之方式對光學積層體之反射特性進行評價。 [比較例3] 將相位差層之波長分散特性Re(550)/Re(450)設為0.82，將波長分散特性Re(650)/Re(550)設為1.08，除此以外，以與比較例2相同之方式對光學積層體之反射特性進行評價。 關於實施例3及比較例3之結果，將表示Δab之軸角度依存性之圖表示於圖5。 [產業上之可利用性] 本發明之光學積層體可較佳地用於液晶顯示裝置及有機EL顯示裝置之類之圖像顯示裝置，尤其可較佳地用作有機EL顯示裝置之抗反射膜。進而，本發明之光學積層體可較佳地用於內置觸控面板型輸入顯示裝置。
1‧‧‧偏光元件
2‧‧‧第1保護層
3‧‧‧第2保護層
10‧‧‧積層體
11‧‧‧偏光板
12‧‧‧相位差層
20‧‧‧感測器膜
21‧‧‧導電層
22‧‧‧基材
100‧‧‧光學積層體
圖1係本發明之一實施形態之光學積層體之概略剖視圖。 圖2係表示實施例及比較例之結果之圖表。 圖3係表示實施例及比較例之結果之圖表。 圖4係表示實施例及比較例之結果之圖表。 圖5係表示實施例及比較例之結果之圖表。
1‧‧‧偏光元件
2‧‧‧第1保護層
3‧‧‧第2保護層
10‧‧‧積層體
11‧‧‧偏光板
12‧‧‧相位差層
20‧‧‧感測器膜
21‧‧‧導電層
22‧‧‧基材
100‧‧‧光學積層體

Claims (6)

  1. 一種光學積層體，其依序具有包含偏光元件及配置於該偏光元件之至少單側之保護層之偏光板、相位差層、導電層、及基材， 該基材之面內相位差Re(550)大於0 nm， 該基材之遲相軸與該相位差層之遲相軸所成之角度為-40°～-50°或40°～50°。
  2. 如請求項1之光學積層體，其中上述偏光元件之吸收軸與上述相位差層之遲相軸所成之角度為38°～52°。
  3. 如請求項1之光學積層體，其中上述相位差層之Re(450)/Re(550)為0.8以上且未達1。
  4. 如請求項1之光學積層體，其中上述相位差層之Re(650)/Re(550)大於1且為1.2以下。
  5. 如請求項1之光學積層體，其中上述相位差層係由聚碳酸酯系構成。
  6. 一種圖像顯示裝置，其具備如請求項1之光學積層體。
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