TW201725236A - 環氧樹脂組成物、熱傳導材料前驅物、ｂ階段薄片、預浸體、散熱材料、積層板、金屬基板及印刷線路板 - Google Patents

Abstract

本發明是一種環氧樹脂組成物，其包含：氮化硼粒子，其藉由X射線繞射(XRD)測得之源自(004)面的峰的半高寬2θ是0.5度以下；硬化劑；及，液晶性環氧單體，其以下述通式(1)來表示：□通式(1)中，X表示單鍵或2價連結基；Y分別獨立地表示碳數1~8的脂肪族烴基、碳數1~8的脂肪族烷氧基、氟原子、氯原子、溴原子、碘原子、氰基、硝基或乙醯基；n各自獨立地表示0~4的整數。

Description

環氧樹脂組成物、熱傳導材料前驅物、B階段薄片、預浸體、散熱材料、積層板、金屬基板及印刷線路板

本發明有關一種環氧樹脂組成物、熱傳導材料前驅物、B階段薄片、預浸體、散熱材料、積層板、金屬基板及印刷線路板。

近年來，伴隨由於電子機器的小型化和高性能化所導致的能量密度增加，而有每單位面積的發熱量增加的傾向，因此，對構成電子機器之絕緣材料，要求較高的熱傳導性。又，從絕緣耐壓的高低和成型的容易程度的觀點而言，在絕緣材料中已廣泛地使用環氧樹脂。作為環氧樹脂的高熱傳導化的方法，例如在日本特開平11-323162號公報中，記載一種有效的技術，該技術是利用液晶性環氧樹脂的技術，該液晶性環氧樹脂是使包含單體之樹脂組成物聚合而成，該單體具有配向性較高的液晶原基(mesogenic group)。

進一步，為了提高環氧樹脂的熱傳導性，一般是使用下述方法：在樹脂中添加熱傳導率較高且為絕緣性的填料。作為熱傳導率較高且為絕緣性的填料，可列舉：氮化硼粒子、氮化鋁粒子、氧化鋁粒子等。

然而，若將氮化硼、氮化鋁等無機氮化物粒子與液晶性環氧樹脂進行複合化，則無機氮化物粒子會阻礙液晶性環氧樹脂的配向，而會有環氧樹脂硬化物的熱傳導率下降的情形。

有鑑於上述狀況，根據本發明的態樣，能夠提供一種環氧樹脂組成物、熱傳導材料前驅物、B階段薄片及預浸體、以及熱傳導率較高的散熱材料、積層板、金屬基板及印刷線路板，該環氧樹脂組成物能夠形成熱傳導率較高的硬化物。

本發明包含以下態樣。

<1>一種環氧樹脂組成物，其包含：氮化硼粒子，其藉由X射線繞射測得之源自(004)面的峰的半高寬2θ是0.5度以下；硬化劑；及，液晶性環氧單體，其以下述通式(1)來表示。

通式(1)中，X表示單鍵或選自由下述2價基團所組成之群組(I)中的至少一種連結基。Y分別獨立地表示碳數1~8的脂肪族烴基、碳數1~8的脂肪族烷氧基、氟原子、氯原子、溴原子、碘原子、氰基、硝基或乙醯基。n各自獨立地表示0~4的整數。k表示0~7的整數。m表示0~8的整數。l表示0~12的整數。

由2價基團所組成之群組(I)：

<2>如前述<1>所述之環氧樹脂組成物，其中，該環氧樹脂組成物，具有一週期的長度為2nm~3nm之週期結構。

<3>如前述<2>所述之環氧樹脂組成物，其中，藉由X射線繞射測得之源自前述週期結構的峰的半高寬2θ是0.2度以下。

<4>如前述<1>~<3>中任一項所述之環氧樹脂組成物，其中，前述氮化硼粒子的含有率是總固體成分中的20質量%~95質量%。

<5>如前述<1>~<4>中任一項所述之環氧樹脂組成物，其中，該環氧樹脂組成物進一步包含氧化鋁粒子，並且，相對於前述氮化硼粒子與前述氧化鋁粒子的總量，前述氧化鋁粒子的含有率是5質量%~70質量%。

<6>一種熱傳導材料前驅物，其是如前述<1>~<5>中任一項所述之環氧樹脂組成物的半硬化物。

<7>如前述<6>所述之熱傳導材料前驅物，其中，前述半硬化物，具有一週期的長度為2nm~3nm之週期結構。

<8>如前述<7>所述之熱傳導材料前驅物，其中，藉由X射線繞射測得之源自前述週期結構的峰的半高寬2θ是0.2度以下。

<9>一種B階段薄片，其是如前述<1>~<5>中任一項所述之環氧樹脂組成物的薄片狀的半硬化物。

<10>如前述<9>所述之B階段薄片，其中，前述環氧樹脂組成物的薄片狀的半硬化物，具有一週期的長度為2nm~3nm之週期結構。

<11>如前述<10>所述之B階段薄片，其中，藉由X射線繞射測得之源自前述週期結構的峰的半高寬2θ是0.2度以下。

<12>一種預浸體，其具有：纖維基材；及，如前述<1>~<5>中任一項所述之環氧樹脂組成物的半硬化物，其含浸於前述纖維基材中。

<13>一種散熱材料，其是如前述<1>~<5>中任一項所述之環氧樹脂組成物的硬化物。

<14>如前述<13>所述之散熱材料，其中，前述環氧樹脂組成物的硬化物，具有一週期的長度為2nm~3nm之週期結構。

<15>如前述<14>所述之散熱材料，其中，藉由X射線繞射測得之源自前述週期結構的峰的半高寬2θ是0.2度以下。

<16>一種積層板，其具有：被黏著材；及， 含樹脂層之硬化層，其設置在前述被黏著材上，且為選自由下述所組成之群組中的至少一種：由如前述<1>~<5>中任一項所述之環氧樹脂組成物所構成之樹脂層、如前述<9>~<11>中任一項所述之B階段薄片及如前述<12>所述之預浸體。

<17>一種金屬基板，其具有：金屬箔；金屬板；及，含樹脂層之硬化層，其配置在前述金屬箔與前述金屬板之間，且為選自由下述所組成之群組中的至少一種：由如前述<1>~<5>中任一項所述之環氧樹脂組成物所構成之樹脂層、如前述<9>~<11>中任一項所述之B階段薄片及如前述<12>所述之預浸體。

<18>一種印刷線路板，其具有：線路層；金屬板；及，含樹脂層之硬化層，其配置在前述線路層與前述金屬板之間，且為選自由下述所組成之群組中的至少一種：由如前述<1>~<5>中任一項所述之環氧樹脂組成物所構成之樹脂層、如前述<9>~<11>中任一項所述之B階段薄片及如前述<12>所述之預浸體。

根據本發明的態樣，能夠提供一種環氧樹脂組成物、熱傳導材料前驅物、B階段薄片及預浸體、以及熱 傳導率較高的散熱材料、積層板、金屬基板及印刷線路板，該環氧樹脂組成物能夠形成熱傳導率較高的硬化物。

第1圖是實施例1的環氧樹脂硬化物的X射線繞射(XRD)光譜。

第2圖是比較例1的環氧樹脂硬化物的X射線繞射(XRD)光譜。

在本說明書中，使用「~」來表示的數值範圍，表示將「~」前後所記載的數值分別作為最小值和最大值來包含之範圍。進一步，在本說明書中，組成物中的各成分的量，當組成物中存在複數種符合各成分的物質時，只要未特別說明，即意指存在於組成物中的該複數種物質的合計量。

在本說明書中，「步驟」一詞，不僅指獨立的步驟，即使是無法與其他步驟明確區別時，只要能夠達成該步驟所期望的目的，即包含於本用詞中。

在本說明書中，「層」一詞，是在作為平面圖觀察時，除了包含形成於整個面之形狀的構成以外，亦包含形成於面的一部分之形狀的構成。

又，「積層」一詞，表示將層加以堆疊，可結合2以上的層，亦可使2以上的層疊層或剝離。

在本說明書中，層或積層體的平均厚度(亦稱為厚度的平均值)設為下述值：先測定成為對象之層或積層體的5點的厚度，並計算其算術平均值而得之值。

層或積層體的厚度，可使用測微計(micrometer)等來進行測定。在本說明書中，當能夠直接測定層或積層體的厚度時，是使用測微計來進行測定。另一方面，當測定構成一部分的積層體的其中一層的厚度或複數層的總厚度時，則藉由下述方式進行測定：使用電子顯微鏡，來觀察與積層體的平行於積層方向的剖面。

進一步，組成物中的各成分的含量，當組成物中存在複數種符合各成分的物質時，只要未特別說明，即意指存在於組成物中的該複數種物質的合計量。

又，在本說明書中以階段性來記載的數值範圍中，以其中一個數值範圍來記載的上限值或下限值，可置換成另一階段性記載的數值範圍的上限值或下限值。又，在本說明書中所記載的數值範圍中，該數值範圍的上限值或下限值，可置換成實施例所示的數值。

<環氧樹脂組成物>

環氧樹脂組成物，其包含：氮化硼粒子(以下亦稱為「特定氮化硼粒子」)，其藉由X射線繞射(XRD)測得之源自(004)面的峰的半高寬2θ是0.5度以下；硬化劑；及，液晶性環氧單體(以下亦稱為「特定液晶性環氧單體」)，其以下述通式(1)來表示。環氧樹脂組成物，可進一步包含其他成分。

通式(1)中，X表示單鍵或選自由下述2價基團所組成之群組(I)中的至少一種連結基。Y分別獨立地表示碳數1~8的脂肪族烴基、碳數1~8的脂肪族烷氧基、氟原子、氯原子、溴原子、碘原子、氰基、硝基或乙醯基。n表示0~4的整數。k表示0~7的整數。m表示0~8的整數。l表示0~12的整數。

由2價基團所組成之群組(I)：

在由上述2價基團所組成之群組(I)中，各2價基團的鍵結的連結方向可以是任一方向。

推測依據將藉由X射線繞射(XRD)測得之源自氮化硼粒子的(004)面的峰(以下亦稱為「源自氮化硼粒子的(004)面的峰」)的半高寬設為0.5度以下(2θ=0.5度以下)，能夠提高在特定氮化硼粒子表面的特定液晶性環氧單體的配向性。因此推測，在環氧樹脂組成物的硬化物中，特定液晶性環氧單體的聚合物也就是液晶性環氧樹脂的配向，被特定氮化硼粒子阻礙的情形會受到抑制，而能夠提升環氧樹脂組成物的硬化物中的熱傳導率。

以下詳細說明環氧樹脂組成物的構成成分。

[特定氮化硼粒子]

環氧樹脂組成物，其包含氮化硼粒子，該氮化硼粒子藉由X射線(XRD)測得之源自(004)面的峰的半高寬2θ是0.5度以下。

特定氮化硼粒子，只要是藉由X射線(XRD)測得之源自(004)面的峰的半高寬2θ為0.5度以下之氮化硼粒子，並無特別限定，可自一般使用的氮化硼粒子中適當選擇來使用。

藉由使用半高寬2θ為0.5度以下之結晶性較高的特定氮化硼粒子，能夠提升包含特定氮化硼粒子之環氧樹脂組成物中的特定液晶性環氧單體的配向性，進一步有提升環氧樹脂組成物的硬化物中的液晶性環氧樹脂的配向性的傾向。

從更提高特定液晶性環氧單體的配向性的觀點而言，藉由X射線(XRD)測得之源自氮化硼粒子的(004)面的峰的半高寬2θ，較佳是0.45度以下。推測這是由於下述的緣故：藉由提高氮化硼粒子的結晶性，使氮化硼的結晶本身的規則性變高，而提升鄰接於結晶的特定液晶性環氧單體的結構的規則性也就是配向性。

本說明書中的源自氮化硼粒子的(004)面的峰的半高寬2θ，可藉由下述方式來求得：使用廣角X射線繞射裝置(例如Rigaku Corporation製造的「RINT2500HL(型號)」)，並以下述條件將氮化硼粒子、或環氧樹脂組成物的半硬化物或硬化物作為測定試樣，來實行X射線繞射，然後藉由下述布拉格公式來將所獲得的值進行換算。

(測定條件)

‧X射線源：銅(Cu)

‧X射線輸出：50kV、250mA

‧發散狹縫(DS)：1.0度

‧散射狹縫(SS)：1.0度

‧受光狹縫(RS)：0.3mm

‧掃描速度：1.0度/分鐘

布拉格公式：2dsinθ=nλ

此處，d表示晶面間隔，θ表示繞射角度，n表示反射次數，λ表示X射線波長(0.15406nm)。

特定氮化硼粒子，可以是單晶粒子、單晶的凝集粒子、多晶粒子、多晶的凝集粒子等之中的任一種。又，特定氮化硼粒子的晶體結構，可以是六方晶、立方晶及纖鋅礦型結構中的任一種。從作為散熱材料的填料來使用的觀點而言，特定氮化硼粒子的晶體結構較佳是六方晶。

特定氮化硼粒子的體積平均粒徑，從作為散熱材料的填料來使用的觀點而言，較佳是0.01μm~1mm。特定氮化硼粒子的體積平均粒徑，從高度填充特定氮化硼粒子的觀點而言，更佳是0.1μm~100μm，進一步較佳是0.5μm~50μm。

特定氮化硼粒子的體積平均粒徑，可使用雷射繞射法來進行測定。雷射繞射法，可使用雷射繞射散射粒度分佈測定裝置(例如貝克曼庫爾特有限公司(Beckman Coulter,Inc.)製造的「LS230(型號)」)來實行。

環氧樹脂組成物中的氮化硼粒子的體積平均粒徑，是自環氧樹脂組成物中抽出氮化硼粒子，之後使用雷射繞射散射粒度分佈測定裝置來進行測定。具體而言，環氧樹脂組成物中含有的氮化硼粒子的體積平均粒徑的測定，可藉由下述方法進行。首先，使用有機溶劑、硝酸、王水等，自環氧樹脂組成物中抽出氮化硼粒子，並以超音波分散機等充分地進行分散，來調配分散液。將該分散液作為試樣，並藉由雷射繞射散射粒度分佈測定裝置，自氮化硼粒子的粒度分布的小粒徑側開始描繪體積累積分佈 曲線，此時，求得累積成為50%的粒徑(D50)來作為體積平均粒徑。

又，特定氮化硼粒仔的體積平均粒徑，亦可藉由立體電腦斷層攝影(three-dimensional computed tomography，3D CT)法或使用掃描式電子顯微鏡(Scanning Electron Microscope，SEM)的方法來進行測定。再者，隨著分析裝置不同而適合測定的粒徑會不同，因此，已知下述方式能夠精度更佳地進行測定：將自雷射繞射散射粒度分佈測定、3D CT法、及使用掃描式電子顯微鏡的方法選擇出來的複數種手法加以組合。

當使用3D CT法時，可藉由使用島津製作所股份有限公司製造的inspeXio SMX-225CT(型號)，來測定特定氮化硼粒子的體積平均粒徑。具體而言，可藉由下述方式來計算出特定氮化硼粒子的體積平均粒徑：將試樣固定在試樣台上，並對其照射X射線且進行攝影，然後自攝影而得的立體圖像，藉由圖像解析來分析樹脂、特定氮化硼粒子等的比例，來計算出各成分的比例，該試樣是將環氧樹脂組成物的半硬化物或硬化物、或樹脂薄片或其硬化物，切出成邊長10mm的方形(10mm×10mm)而得。再者，隨著樹脂與特定氮化硼粒子的組合的不同，而有時會難以辨別特定氮化硼粒子，此時，更佳是將3DCT法與其他手法組合來計算粒徑。

當藉由使用SEM的方法來求得特定氮化硼粒子的體積平均粒徑時，可使用搭載有聚焦離子束之掃描式 電子顯微鏡(SEM FIB)。當使用SEM FIB時，可使用例如日立先端科技股份有限公司製造的「nano DUE’T NB5000型(型號)」，其具備FIB光學系統與SEM光學系統兩者。具體而言，可藉由下述方式來求得體積平均粒徑：一面對於環氧樹脂組成物的半硬化物或硬化物、或樹脂薄片或其硬化物垂直地入射鎵(Ga)離子束來實行剖面加工，一面對於剖面以傾斜設置的SEM來實行觀察。較佳是以加工間距為1nm~100nm來實行攝影，可配合攝影的對象物的尺寸來調整間距。可藉由下述方式來計算出體積平均粒徑：自攝影而得的立體圖像，藉由二值化(binarization)來抽出特定氮化硼粒子，並假設粒子為球狀來進行計算。

特定氮化硼粒子，只要藉由X射線(XRD)測得之源自(004)面的峰的半高寬2θ是0.5度以下，其製造方法並無特別限制，可藉由直接氮化法、還原氮化法、氣相反應法等之中的任一種製造法來形成。

特定環氧樹脂組成物中的特定氮化硼粒子的含有率，並無特別限制。特定氮化硼粒子的含有率，從調整黏度的觀點而言，在環氧樹脂組成物中的總固體成分中，較佳是20質量%~95質量%，從熱傳導率的觀點而言，更佳是30質量%~90質量%，進一步較佳是40質量%~85質量%。

再者，在本說明書中，環氧樹脂組成物中的固體成分，意指自樹脂組成物的構成成分去除揮發性成分後的剩餘成分。

[特定液晶性環氧單體]

環氧樹脂組成物，其包含以下述通式(1)來表示之特定液晶性環氧單體。

通式(1)中，X表示單鍵或選自由下述2價基團所組成之群組(I)中的至少一種連結基。Y分別獨立地表示碳數1~8的脂肪族烴基、碳數1~8的脂肪族烷氧基、氟原子、氯原子、溴原子、碘原子、氰基、硝基或乙醯基。n各自獨立地表示0~4的整數。k表示0~7的整數。m表示0~8的整數。l表示0~12的整數。

由2價基團所組成之群組(I)：

在由上述2價基團所組成之群組(I)中，各2價基團的鍵結的連結方向可以是任一方向。

本說明書中的特定液晶性環氧單體，是所謂具有液晶原基之單體。若特定液晶性環氧單體與硬化劑一起形成硬化物，則在硬化物中能夠形成一種高次結構(亦稱為週期結構)，該高次結構源自液晶原基(聯苯基、聯三苯基、聯三苯的類似基團、以甲亞胺基或酯基來連接這些基團而成的基團等)。此處所說的高次結構(週期結構)，意指在環氧樹脂組成物硬化後，分子為配向排列的狀態，例如，意指在硬化物中存在晶體結構或液晶結構的狀態。這樣的晶體結構或液晶結構，可藉由例如下述方式來確認其存在：在正交偏光(crossed nicols)下藉由偏光顯微鏡進行觀察、或X射線散射。又，若存在晶體結構或液晶結 構，則相對於環氧樹脂硬化物的儲存模數(storage modulus)的變化會變小，因此，藉由測定該儲存模數的變化，能夠間接確認晶體結構或液晶結構的存在。

環氧樹脂組成物的硬化物，有能夠具有較高熱傳導率的傾向。其理由可推測例如以下所述。若以通式(1)來表示之特定液晶性環氧單體與硬化劑一起形成硬化物，則在硬化物中能夠形成規則性較高的高次結構，該高次結構源自特定液晶性環氧單體的液晶原基。因此推測，能夠抑制絕緣樹脂中的熱傳導的介質也就是聲子(phonon)傳導的散射，藉此能夠達成較高的熱傳導率。又，一般而言，由於填料的存在，會導致阻礙規則性較高的高次結構形成，該高次結構是藉由液晶性環氧樹脂而得。然而，若將藉由X射線繞射(XRD)測得之源自(004)面的峰的半高寬2θ為0.5度之氮化硼粒子作為填料來使用，則特定液晶性環氧樹脂的配向的阻礙會受到抑制，因此可推測，能夠提升熱傳導率。

通式(1)中的X，較佳是選自由下述2價基團所組成之群組(II)中的至少一種連結基。

由2價基團所組成之群組(II)：

通式(1)中的X，更佳是選自由下述2價基團所組成之群組中的至少一種連結基。

通式(1)中的Y，較佳是分別獨立為碳數1~4的脂肪族烴基、碳數1~4的脂肪族烷氧基、氟原子、氯原子、溴原子、碘原子、氰基、硝基或乙醯基，更佳是甲基、乙基、甲氧基、乙氧基或氯原子，進一步較佳是甲基或乙基。

通式(1)中，n較佳是分別獨立為0~2的整數，更佳是0或1。k較佳是0~3的整數，更佳是0或1。m較佳是0~4的整數，更佳是0或1。l較佳是0~4的整數，更佳是0或1。

本發明中的特定液晶性環氧單體，較佳是下述液晶性環氧單體：在通式(1)中，X是單鍵或選自由上述2價基團所組成之群組(II)中的至少一種連結基，Y分別獨立為碳數1~4的脂肪族烴基、碳數1~4的脂肪族烷氧基、氟原子、氯原子、溴原子、碘原子、氰基、硝基或乙醯基，n是0~2的整數，k是0~3的整數，m是0~4的整數，l是0~4的整數。

特定液晶性環氧單體，更佳是下述液晶性環氧單體：在通式(1)中，X是單鍵或選自由上述2價基團所組成之群組(II)中的至少一種連結基，Y分別獨立為甲基、乙基、甲氧基、乙氧基或氯原子，n是0或1，k是0或1，m是0或1，l是0或1。

作為以通式(1)來表示之液晶性環氧單體的例子，從顯現液晶相的溫度範圍是25℃以上，且提升液晶性環氧單體的配向性，而使硬化物的熱傳導性提升的觀 點而言，較佳是1-(3-甲基-4-環氧乙基甲氧基苯基)-4-(4-環氧乙基甲氧基苯基)-1-環己烯、1-(3-甲基-4-環氧乙基苯基)-4-(4-環氧乙基甲氧基苯基)苯、2-甲基-1,4-伸苯基-雙{4-(2,3-環氧丙氧基)苄酸酯}、4-(2,3-環氧丙氧基)苄酸4-{4-(2,3-環氧丙氧基)苯基}環己酯等，更佳是1-(3-甲基-4-環氧乙基甲氧基苯基)-4-(4-環氧乙基甲氧基苯基)-1-環己烯。

特定液晶性環氧單體，可使用單獨1種，亦可使用2種以上。

以通式(1)來表示之液晶性環氧單體，可藉由公知的方法來製造，且可參照日本特許第4619770號公報、日本特開2011-98952號公報、日本特開2011-74366號公報等所記載的製造方法。

環氧樹脂組成物中的特定液晶性環氧單體，可藉由硬化劑等使其一部份進行聚合，來形成預聚物。特定液晶性環氧單體，一般而言，大多易於結晶化且對溶劑的溶解度較低。若使至少一部份的特定液晶性環氧單體進行聚合，則會有抑制特定液晶性環氧單體結晶化的傾向。因此，若預先將特定液晶性環氧單體進行預聚物化，則會有提升環氧樹脂組成物的成形性的傾向。

環氧樹脂組成物中的特定液晶性環氧單體的含有率，從成形性、黏著性及熱傳導性的觀點而言，相對於環氧樹脂組成物中的總固體成分，較佳是3體積%~30體積%，更佳是5體積%~25體積%。

再者，在本說明書中，相對於總固體成分，特定液晶性環氧單體的以體積為基準的含有率，是設為藉由下述公式來求得的值。

相對於總固體成分之特定液晶性環氧單體的含有率(體積%)={(Bw/Bd)/((Aw/Ad)+(Bw/Bd)+(Cw/Cd)+(Dw/Dd))}×100

此處，各變數如下所述。

Aw：氮化硼粒子的質量組成比(質量%)

Bw：特定液晶性環氧單體的質量組成比(質量%)

Cw：硬化劑的質量組成比(質量%)

Dw：其他任意成分(溶劑除外)的質量組成比(質量%)

Ad：氮化硼粒子的比重

Bd：特定液晶性環氧單體的比重

Cd：硬化劑的比重

Dd：其他任意成分(溶劑除外)的比重

環氧樹脂組成物，較佳是具有一週期的長度為2nm~3nm之週期結構。藉由使一週期的長度為2nm~3nm，能夠發揮更高的熱傳導性。

週期結構中的一週期的長度，可藉由下述方式來獲得：使用廣角X射線繞射裝置(例如Rigaku Corporation製造的「RINT2500HL(型號)」)，並以下述條件將環氧樹脂組成物的半硬化物或硬化物作為測 定試樣，來實行X射線繞射，然後將藉此獲得的繞射角度，藉由下述布拉格公式來進行換算。

(測試條件)

‧X射線源：Cu

‧X射線輸出：50kV、250mA

‧發散狹縫(DS)：1.0度

‧散射狹縫(SS)：1.0度

‧受光狹縫(RS)：0.3mm

‧掃描速度：1.0度/分鐘

布拉格公式：2dsinθ=nλ

此處，d表示一週期的長度，θ表示繞射角度，n表示反射次數，λ表示X射線波長(0.15406nm)。

環氧樹脂組成物，較佳是藉由X射線繞射測得之源自週期結構的峰的半高寬2θ是0.2度以下，更佳是0.15度以下，進一步較佳是0.13度以下。此表示該半高寬愈狹窄，週期結構的規則性愈高。藉由使藉由X射線繞射測得之源自週期結構的峰(以下亦稱為「XRD峰」)的半高寬2θ是0.2度以下，能夠發揮更高的熱傳導性。

[硬化劑]

環氧樹脂組成物，其包含硬化劑。本說明書中的硬化劑，只要是能夠與特定環氧樹脂單體進行硬化反應的化合物，並無特別限制。作為硬化劑的具體例，可列舉：胺硬化劑、酸酐硬化劑、酚硬化劑、聚硫醇硬化劑、聚胺基醯 胺硬化劑、異氰酸酯硬化劑、嵌段異氰酸酯硬化劑等。這些硬化劑可單獨使用1種，亦可將2種以上組合使用。

從形成環氧樹脂組成物的半硬化物或硬化物的週期結構的觀點而言，較佳是胺硬化劑或酚硬化劑，更佳是酚硬化劑。

作為胺硬化劑，可列舉：4,4’-二胺基二苯基甲烷、4,4’-二胺基二苯基醚、4,4’-二胺基二苯基碸、4,4’-二胺基-3,3’-二甲氧基聯苯、4,4’-二胺基苯基苄酸酯、1,5-二胺基萘、1,3-二胺基萘、1,4-二胺基萘、1,8-二胺基萘等。其中，從形成高次結構的觀點而言，較佳是1,5-二胺基萘。從成本和操作性的觀點而言，較佳是4,4’-二胺基二苯基甲烷。

作為酚硬化劑，可使用低分子酚化合物、及由這些低分子酚化合物進行酚醛清漆化而成的酚樹脂。作為低分子酚化合物的例子，可列舉：苯酚、鄰甲酚、間甲酚、對甲酚等單官能酚化合物；鄰苯二酚、間苯二酚、對苯二酚等2官能酚化合物；1,2,3-三羥基苯、1,2,4-三羥基苯、1,3,5-三羥基苯等3官能酚化合物等。又，亦可將以亞甲基鏈等連結這些低分子酚化合物來進行酚醛清漆化而成的苯酚酚醛清漆樹脂，作為硬化劑來使用。

作為酚硬化劑，從熱傳導率的觀點而言，較佳是鄰苯二酚、間苯二酚、對苯二酚等2官能酚化合物。從耐熱性的觀點而言，較佳是以亞甲基鏈等連結這些2官能酚化合物而成的苯酚酚醛清漆樹脂。作為苯酚酚醛清漆樹 脂，具體而言，可列舉：甲酚酚醛清漆樹脂、鄰苯二酚酚醛清漆樹脂、間苯二酚酚醛清漆樹脂、對苯二酚酚醛清漆樹脂等由1種酚化合物進行酚醛清漆化而成的樹脂；鄰苯二酚間苯二酚酚醛清漆樹脂、間苯二酚對苯二酚酚醛清漆樹脂等由2種或2種以上酚化合物進行酚醛清漆化而成的樹脂等。

當使用酚硬化劑作為硬化劑時，可視需要而合併使用硬化促進劑。藉由合併使用硬化促進劑，會有能夠使環氧樹脂組成物進一步充分硬化的傾向。硬化促進劑的種類，並無特別限制，可自一般使用的硬化促進劑中選擇。可列舉例如：咪唑化合物、膦化合物、硼酸鹽化合物等。

環氧樹脂組成物中的硬化劑的含量，可考量摻合的硬化劑的種類和特定液晶性環氧單體的物性，來適當設定。

具體而言，相對於特定液晶相環氧單體中的1莫耳的環氧基，較佳是硬化劑的化學當量為0.005當量~5當量，更佳是0.01當量~3當量，進一步較佳是0.5當量~1.5當量。

若相對於1莫耳的環氧基，硬化劑的含量是0.005當量以上，則會有能夠更提升特定液晶性環氧單體的硬化速度的傾向。又，若相對於1莫耳的環氧基，硬化劑的含量是5當量以下，則會有能夠更適切地控制硬化反應的傾向。

再者，本說明書中的化學當量，例如在使用酚硬化劑作為硬化劑時，表示相對於1莫耳的環氧基，酚硬化劑的羥基的莫耳數。

[其他成分]

環氧樹脂組成物，可視需要而包含有溶劑等其他成分。

環氧樹脂組成物，可含有溶劑，當環氧樹脂或硬化劑是固體時用於使這些固體溶解，或當環氧樹脂或硬化劑是液體時用於使黏度降低。

作為溶劑的例子，可列舉：丙酮、異丁醇、異丙醇、異戊醇、乙醚、乙二醇單乙基醚、二甲苯、甲酚、氯苯、乙酸異丁酯、乙酸異丙酯、乙酸異戊酯、乙酸乙酯、乙酸甲酯、環己醇、環己酮、1,4-二噁烷、二氯甲烷、苯乙烯、四氯乙烯、四氫呋喃、甲苯、正己烷、1-丁醇、2-丁醇、甲醇、甲基異丁基酮、甲基乙基酮、甲基環己醇、甲基環己酮、氯仿、四氯化碳、1,2-二氯乙烷等在各種化學產品的製造技術中一般所利用的有機溶劑。

環氧樹脂組成物，可含有藉由X射線繞射(XRD)測得之源自(004)面的峰的半高寬2θ為0.5度以下之特定氮化硼粒子以外的其他氮化硼粒子。

其他氮化硼粒子的含有率，相對於特定氮化硼粒子和其他氮化硼粒子的總量，較佳是0質量%~50質量%，更佳是0質量%~20質量%。

環氧樹脂組成物，可含有藉由X射線繞射(XRD)測得之源自(004)面的峰的半高寬2θ為0.5度以下之特定氮化硼粒子以外的陶瓷粒子、耦合劑、分散劑、彈性體等。

作為藉由X射線繞射(XRD)測得之源自(004)面的峰的半高寬2θ為0.5度以下之特定氮化硼粒子以外的陶瓷粒子，可列舉：氧化鋁粒子、二氧化矽粒子、氧化鎂粒子、氮化鋁粒子、氮化矽粒子等；較佳是氧化鋁粒子。

環氧樹脂組成物，可含有氧化鋁粒子，亦可不含有氧化鋁粒子。當環氧樹脂組成物含有氧化鋁粒子時，相對於氮化硼粒子(特定氮化硼粒子和其他氮化硼粒子)和氧化鋁粒子的總量，氧化鋁粒子的含有率，較佳是5質量%~70質量%，更佳是10質量%~50質量%。

氧化鋁粒子的體積平均粒徑，從作為散熱材的填料來使用的觀點而言，較佳是0.01μm~1mm，從高度填充氧化鋁粒子的觀點而言，更佳是0.1μm~100μm。

當環氧樹脂組成物包含氧化鋁粒子時，氧化鋁粒子，較佳是結晶性較高的氧化鋁粒子，更佳是α-氧化鋁粒子。

氧化鋁粒子的體積平均粒徑，可使用雷射繞射法來進行測定。雷射繞射法，可使用雷射繞射散射粒度分佈測定裝置(例如貝克曼庫爾特有限公司(Beckman Coulter,Inc.)製造的「LS230(型號)」)，並以與上述氮化硼粒子的體積平均粒徑的測定相同的方法來實行。

[環氧樹脂組成物的製造方法]

作為環氧樹脂組成物的製造方法，可無特別限制地使用一般實行的樹脂組成物的製造方法。作為將特定氮化硼粒子、液晶性環氧單體、硬化劑及視需要而使用的其他成分進行混合的方法，可將一般攪拌機、擂潰機(mincing machine)、三輥研磨機(three-roll mill)、球磨機(ball mill)等分散機適當組合來實行。又，可添加適當的有機溶劑來實行分散或溶解。

具體而言，可藉由例如下述方式來獲得環氧樹脂組成物：將特定氮化硼粒子、液晶性環氧單體及硬化劑，溶解或分散於適當有機溶劑中，並視需要而將其他成分混合於其中。

[環氧樹脂組成物的用途等]

在環氧樹脂組成物中，特定液晶性環氧單體的配向性較高，而該環氧樹脂組成物的半硬化物或硬化物會有熱傳導性優異的傾向。因此，環氧樹脂組成物，可適合用於各種電氣機器或電子機器的發熱性電子零件(例如積體電路(Integrated Circuit，IC)晶片或印刷線路基板)的散熱材料。

具體而言，環氧樹脂組成物，可使用於B階段薄片、預浸體等熱傳導材料前驅物、積層板、金屬基板、印刷線路板等的散熱材料等。

<熱傳導材料前驅物>

本實施形態的熱傳導材料前驅物，是本實施形態的環氧樹脂組成物的半硬化物。藉由使用本實施形態的熱傳導材料前驅物，能夠獲得操作性優異且具有較高熱傳導性之散熱材料。

作為熱傳導材料前驅物，可列舉B階段薄片、預浸體等，該B階段薄片是本實施形態的環氧樹脂組成物的薄片狀的硬化物，該預浸體具有纖維基材與本實施形態的環氧樹脂組成物的半硬化物，該半硬化物含浸於該纖維基材中。

如上所述，環氧樹脂組成物的半硬化物，較佳是具有一週期的長度為2nm~3nm之週期結構。藉由使一週期的長度為2nm~3nm，環氧樹脂組成物的半硬化會有能夠更高的熱傳導性的傾向。

進一步，環氧樹脂組成物的半硬化物，較佳是源自週期結構的X射線繞射(XRD)峰的半高寬2θ為0.2度以下。藉由使源自週期結構的XRD峰的半高寬2θ為0.2度以下，環氧樹脂組成物的半硬化物會有能夠發揮更高的熱傳導性的傾向。

以下，作為熱傳導材料前驅物的例子，說明B階段薄片和預浸體，但是熱傳導材料前驅物並不受限於這些例子。

[B階段薄片]

本實施形態的B階段薄片，是本實施形態的環氧樹脂組成物的薄片狀的半硬化物。本實施形態的B階段薄片，可藉由例如下述方式來獲得：將本實施形態的環氧樹脂組成物成形成薄片狀，並對其進行半硬化。藉由使B階段薄片為本實施形態的環氧樹脂組成物的半硬化物，能夠獲得硬化後的熱傳導性優異的B階段薄片。

此處，「半硬化」，是指一般被稱為B階段狀態的狀態，意指下述狀態：常溫(25℃)時的黏度為10⁴Pa．s~10⁵Pa．s，相對於此，100℃時的黏度則下降至10²Pa．s~10³Pa．s。B階段，是由日本工業標準(JIS)K 6900：1994或國際標準化組織(ISO)472：1988所定義。再者，黏度，可藉由旋轉型動態黏彈性測定裝置來進行測定。

B階段薄片，可藉由例如下述方式來製造：在支撐體上塗敷(塗佈)本實施形態的環氧樹脂組成物，並加以乾燥來製作樹脂薄片，然後對該樹脂薄片進行半硬化。環氧樹脂組成物的塗敷方法和乾燥方法，並無特別限制，可適當選擇一般使用的方法。具體而言，作為環氧樹脂組成物的塗敷方法，可列舉：刮刀式塗佈(comma coating)法、模具塗佈(die coating)法、浸漬塗佈(dip coating)法等。

作為環氧樹脂組成物的乾燥方法，在批次處理時可使用箱型熱風乾燥機等，在塗佈機這樣的連續處理時則可使用多段式熱風乾燥機等。乾燥的條件，並無特別限 制，當使用熱風乾燥機時，從防止環氧樹脂組成物的塗佈物膨脹的觀點而言，較佳是包含下述步驟：以比溶劑沸點更低的溫度範圍的熱風來進行熱處理。

作為對樹脂薄片進行半硬化的方法，並無特別限制，可適當選擇一般使用的方法。例如，可藉由對樹脂薄片進行熱處理，來對環氧樹脂組成物進行半硬化。用來進行半硬化的熱處理方法，並無特別限制。

用來對樹脂薄片進行半硬化的溫度範圍，可視環氧樹脂組成物中所含的液晶性環氧樹脂單體的種類等來適當選擇。從B階段薄片的強度的觀點而言，較佳是藉由熱處理來約略進行硬化反應，熱處理的溫度範圍，較佳是80℃~180℃，更佳是100℃~160℃。又，作為用來進行半硬化的熱處理的時間，並無特別限制，從樹脂薄片的硬化速度、樹脂的流動性及黏著性的觀點而言，可適當選擇。用來進行半硬化的熱處理的時間，較佳是1分鐘以上且30分鐘以內，更佳是1分鐘以上且10分鐘以內。

在用來進行半硬化的熱處理時，可進行加壓，該加壓條件並無特別限定。一般是在0.5MPa~15MPa的範圍內進行加壓，較佳是在1MPa~10MPa的範圍內進行加壓。熱處理和加壓處理，可適當使用真空壓製機等。

B階段薄片的平均厚度，可視目的而適當選擇，例如，可設為50μm~500μm。B階段薄片的平均厚度，從熱傳導性、電絕緣性及可撓性的觀點而言，較佳是80μm~300μm。

此處，B階段薄片的平均厚度是下述值：使用測微計來測定成為對象之B階段薄片的5點的厚度，並以其算術平均值而得出的值。

又，亦可藉由下述方式來製作B階段薄片：一面積層2層以上的樹脂薄片(環氧樹脂組成物的薄片狀成型物，且為硬化處理前的薄片狀成型物)，一面進行熱壓製。

B階段薄片，較佳是具有週期結構之環氧樹脂組成物的薄片狀的半硬化物，該週期結構的一週期的長度為2nm~3nm。藉由使半硬化物的一週期的長度為2nm~3nm，B階段薄片會有能夠發揮更高的熱傳導性的傾向。

進一步，B階段薄片，較佳是源自週期結構的X射線繞射(XRD)峰的半高寬2θ為0.2度以下。藉由使源自週期結構的XRD峰的半高寬2θ為0.2度以下，B階段薄片能夠發揮進一步較高的熱傳導性。

[預浸體]

本實施形態的預浸體，其具有：纖維基材；及，本實施形態的環氧樹脂組成物的半硬化物，其含浸於該纖維基材中。

預浸體，可視需要而具有保護薄膜等其他層。藉由使環氧樹脂組成物的半硬化包含本實施形態的特定氮化硼粒子，能夠獲得一種預浸體，該預浸體能夠形成熱傳導性優異的硬化物。

作為構成預浸體的纖維基材，只要是在製造貼有金屬箔之積層板或多層印刷線路板時所使用的纖維基材，並無特別限制。具體而言，可列舉：織布、不織布等纖維基材。然而，當將極度緊密的纖維原材料作為纖維基材來使用時，氮化硼粒子會堵塞在纖維的間隙中，而會有難以含浸環氧樹脂組成物的情形，因此，纖維基材的孔隙，較佳是設為氮化硼粒子的體積平均粒徑的5倍以上。

作為纖維基材的材質的例子，可列舉：玻璃、氧化鋁、硼、二氧化矽氧化鋁玻璃(鋁矽酸鹽玻璃)、二氧化矽玻璃、Tyranno纖維(一種陶瓷纖維，其由矽、鈦或鋯、碳及氧所構成)、碳化矽、氮化矽、二氧化鋯等無機纖維；芳香族聚醯胺(aramid)、聚醚醚酮、聚醚醯亞胺、聚醚碸、碳、纖維素等有機纖維；及這些材質的混抄系纖維基材。尤其，可較佳地使用玻璃纖維的織布。藉此能夠獲得一種印刷線路板，其具有彎曲性且能夠任意彎折。進一步，亦能夠減少伴隨製程中的溫度、吸濕等所導致的印刷線路板的尺寸變化。

纖維基材的厚度，並無特別限定，從賦予更良好的可撓性的觀點而言，較佳是30μm以下，從環氧樹脂組成物的含浸性的觀點而言，更佳是15μm以下。纖維基材的厚度的下限，並無特別限制，一般是5μm左右。

在預浸體中，環氧樹脂組成物的含浸率，相對於纖維基材和環氧樹脂組成物的總質量，較佳是50質量%~99.9質量%。

預浸體，可藉由例如下述方式來製造：可將以與上述相同的方式來調配而成的環氧樹脂組成物，含浸於纖維基材中，並藉由80℃~180℃的加熱去除溶劑。預浸體中的溶劑殘留率，較佳是2.0質量%以下，更佳是1.0質量%以下，進一步較佳是0.7質量%以下。

溶劑殘留率，是將預浸體切出邊長40mm的方形且在已預熱至190℃的恆溫槽中加以乾燥2小時，然後由此時的乾燥前後的質量變化求得。

藉由熱處理來將溶劑去除的乾燥時間，並無特別限制。又，將環氧樹脂組成物含浸於纖維基材中的方法，並無特別限制，可列舉例如使用塗佈機來塗敷(塗佈)的方法。詳言之，可列舉：立式塗佈法，其使纖維基材潛入環氧樹脂組成物中，然後提拉該纖維基材；臥式塗佈法，其在支撐薄膜上塗敷環氧樹脂組成物，然後按壓纖維基材來使其含浸等。從抑制在纖維基材內的熱傳導性填料的分佈不均的觀點而言，較適合是臥式塗佈法。

在預浸體中，含浸於纖維基材中的本實施形態的環氧樹脂組成物已半硬化，而成為B階段狀態。預浸體中的B階段狀態，與上述B階段薄片中的B階段狀態同義，而關於B階段化的方法亦可應用相同的條件。

又，預浸體，在積層或貼合於基材前，可藉由利用壓製機、輥層合機等來進行的加熱加壓處理，來預先對表面進行平滑化，之後使用。加熱加壓處理的方法的例子，與上述B階段薄片所列舉的方法相同。又，預浸體的 加熱加壓處理中的加熱溫度和壓製壓力的條件，亦與B階段薄片的加熱處理和加壓處理所列舉的條件相同。

預浸體的平均厚度，可視目的而適當選擇，例如，可設為50μm以上且500μm以下。預浸體的平均厚度，從熱傳導率和可撓性的觀點而言，較佳是60μm以上且300μm以下。

此處，預浸體的平均厚度是下述值：使用測微計來測定成為對象之預浸體的5點的厚度，並以其算術平均值而得出的值。

又，預浸體亦可藉由下述方式來製作：積層2以上的預浸體，並進行熱壓製。

<散熱材料>

本實施形態的散熱材料，是本實施形態的環氧樹脂組成物的硬化物。作為散熱材料，具體而言，可列舉：具有本實施形態的環氧樹脂組成物的硬化物之積層板、金屬基板、印刷線路板等。散熱材料，其包含本實施形態的環氧樹脂組成物的硬化物，藉此具有優異的熱傳導性。

如上所述，環氧樹脂組成物的硬化物，較佳是具有一週期的長度為2nm~3nm之週期結構。藉由使一週期的長度為2nm~3nm，環氧樹脂組成物的硬化物會有能夠發揮更高的熱傳導性的傾向。

進一步，較佳是源自週期結構的X射線(XRD)峰的半高寬2θ為0.2度以下。藉由使源自週期結構的XRD峰 的半高寬為0.2度以下，環氧樹脂組成物的硬化物會有能夠發揮進一步較高的熱傳導性的傾向。

[積層板]

本實施形態中的積層板，其具有被黏著材與含樹脂層之硬化層，該含樹脂層之硬化層設置在該被黏著材上，且為選自由下述所組成之群組中的至少一種：由本實施形態的環氧樹脂組成物所構成之樹脂層、本實施形態的B階段薄片及本實施形態的預浸體。藉由具有由本實施形態的環氧樹脂組成物所構成之樹脂層的硬化層、本實施形態的B階段薄片或本實施形態的預浸體也就是含樹脂層之硬化層，能夠獲得一種積層板，其熱傳導性優異。

作為被黏著材的例子，可列舉金屬箔、金屬板等。被黏著材，可僅設置在硬化層的其中一面上，亦可設置在兩面上。

作為金屬箔，並無特別限制，可自一般使用的金屬箔中適當選擇。具體而言，可列舉金箔、銅箔、鋁箔等，一般而言是使用銅箔。金屬箔的厚度，是1μm~200μm，可視使用的電力等來選擇適合的厚度。

又，作為金屬箔，可使用下述3層結構的複合箔：將鎳、鎳-磷合金、鎳-錫合金、鎳-鐵合金、鉛、鉛-錫合金等層作為中間層，並在其兩個表面上設置0.5μm~15μm的銅層與10μm~150μm的銅層而成。作為金屬箔，亦可使用2層結構複合箔，其由鋁與銅箔複合而成。

金屬板，較佳是由熱傳導率較高且熱容量較大的金屬材料所構成。作為金屬板的材料，具體而言，可例示：銅、鋁、鐵、導線架所使用的合金等。

作為金屬板，並無特別限制，可自一般使用的金屬板中適當選擇。例如，作為金屬板，可以下述方式來視目的而選定材質：當以輕量化或加工性為優先時，使用鋁板；當以散熱性為優先時，使用銅板。

金屬板的平均厚度，可視用途而適當選擇，並無特別限制。從加工性的觀點而言，金屬板的厚度，較佳是0.5mm以上且5mm以下。

又，金屬板，從提高生產性的觀點而言，較佳是：以比所需要的分量更大的尺寸來製作，並構裝電子零件，之後切割成要使用的尺寸。因此，金屬基板所使用的金屬板，較理想是切割加工性優異。

當使用鋁作為金屬板時，可將鋁或以鋁為主成分之合金作為材質。鋁或以鋁為主成分之合金，根據其化學組成與熱處理條件，可取得許多種類。其中，較佳是選定下述種類的鋁板或鋁合金板：易於切削等加工性較高，並且強度優異。

在積層板中，硬化層，可以是單層結構，其具有由本實施形態的環氧樹脂組成物所構成之樹脂層、本實施形態的B階段薄片或本實施形態的預浸體也就是含樹脂層之硬化層；亦可以是具有2層以上之積層結構。

當硬化層具有2層以上的積層結構時，可以是下述形態中的任一種：具有2層以上的由本實施形態的環氧樹脂組成物所構成之樹脂層的形態、具有2片以上的本實施形態的B階段薄片的形態、及具有2片以上的本實施形態的預浸體的形態。又，亦可組合並具有選自由下述所組成之群組中的至少2種以上：由本實施形態的環氧樹脂組成物所構成之樹脂層、本實施形態的B階段薄片及本實施形態的預浸體。

本實施形態中的積層板，可藉由例如下述方式來獲得：在被黏著材上塗敷本實施形態的環氧樹脂組成物，來形成樹脂層，並對其進行熱處理和加壓處理，來使樹脂層硬化且密合在被黏著材上。或，可藉由下述方式來獲得：準備已積層有本實施形態的B階段薄片或預浸體之被黏著材，並對其進行熱處理和加壓處理，來使B階段薄片或預浸體硬化且密合在被黏著材上。

在對由環氧樹脂組成物所構成之樹脂層、B階段薄片及預浸體進行硬化時，硬化方法並無特別限制。

例如，較佳是藉由熱處理和加壓處理來進行硬化。熱處理和加壓處理中的加熱溫度，並無特別限制。加熱溫度，一般是在100℃~250℃的範圍內，較佳是在130℃~230℃的範圍內。

又，熱處理和加壓處理中的加壓條件，並無特別限制。加壓條件，一般是在1MPa~10MPa的範圍內，較 佳是在1MPa~5MPa的範圍內。又，熱處理和加壓處理，可適當使用真空壓製機等。

由環氧樹脂組成物所構成之樹脂層的硬化層的平均厚度、或B階段樹脂薄片或預浸體也就是含樹脂層之硬化層的平均厚度，較佳是500μm以下，更佳是50μm~300μm，進一步較佳是60μm~300μm。若平均厚度是500μm以下，則可撓性優異，且在彎曲加工時能夠抑制龜裂發生；若平均厚度是300μm以下，則會有在彎曲加工時能夠更抑制龜裂發生的傾向。又，若平均厚度是50μm以上，則會有作業性優異的傾向。

此處，硬化層的平均厚度是下述值：使用測微計來測定成為對象之積層板的硬化層的5點的厚度，並以其算術平均值而得出的值。

[金屬基板]

本實施形態的金屬基板，其具有金屬箔、金屬板、及含樹脂層之硬化層，該含樹脂層之硬化層配置在該金屬箔與金屬板之間，且為選自由下述所組成之群組中的至少一種：由本實施形態的環氧樹脂組成物所構成之樹脂層、本實施形態的B階段薄片及本實施形態的預浸體。藉由具有由本實施形態的環氧樹脂組成物所構成之樹脂層的硬化層、或本實施形態的B階段薄片或預浸體也就是含樹脂層之硬化層，能夠獲得一種金屬基板，其熱傳導性優異。

作為金屬箔，並無特別限制，可自一般使用的金屬箔中適當選擇。具體而言，可列舉金箔、銅箔、鋁箔 等，一般而言是使用銅箔。金屬箔的厚度，是1μm~200μm，可視使用的電力等來選擇適合的厚度。

又，作為金屬箔，可使用下述3層結構的複合箔：將鎳、鎳-磷合金、鎳-錫合金、鎳-鐵合金、鉛、鉛-錫合金等層作為中間層，並在其兩個表面上設置0.5μm~15μm的銅層與10μm~150μm的銅層而成；亦可使用2層結構複合箔，其由鋁與銅箔複合而成。

金屬板，較佳是由熱傳導率較高且熱容量較大的金屬材料所構成。作為金屬材料，具體而言，可例示：銅、鋁、鐵、導線架所使用的合金等。

作為金屬板，並無特別限制，可自一般使用的金屬板中適當選擇。例如，作為金屬板，可以下述方式來視目的而選定材質：當以輕量化或加工性為優先時，使用鋁板；當以散熱性為優先時，使用銅板。

金屬板的平均厚度，可視用途而適當選擇，並無特別限制。從加工性的觀點而言，金屬板的厚度，較佳是0.5mm以上且5mm以下。

又，金屬板，從提高生產性的觀點而言，較佳是：以比所需要的分量更大的尺寸來製作，並構裝電子零件，之後切割成要使用的尺寸。因此，金屬基板所使用的金屬板，較理想是切割加工性優異。

當使用鋁作為金屬板時，可將鋁或以鋁為主成分之合金作為材質。鋁或以鋁為主成分之合金，根據其化學組成與熱處理條件，可取得許多種類。其中，較佳是選 定下述種類的鋁板或鋁合金板：易於切削等加工性較高，並且強度優異。

在金屬基板中，硬化層，可以是單層結構，其具有由本實施形態的環氧樹脂組成物所構成之樹脂層、本實施形態的B階段薄片或本實施形態的預浸體也就是含樹脂層之硬化層；亦可以是具有2層以上之積層結構。

當硬化層具有2層以上的積層結構時，可以是下述形態中的任一種：具有2層以上的由本實施形態的環氧樹脂組成物所構成之樹脂層的形態、具有2片以上的本實施形態的B階段薄片的形態、及具有2片以上的本實施形態的預浸體的形態。又，亦可組合並具有選自由下述所組成之群組中的至少2種以上：由本實施形態的環氧樹脂組成物所構成之樹脂層、本實施形態的B階段薄片及本實施形態的預浸體。

[印刷線路板]

本實施形態的印刷線路板，其具有線路層、金屬板、及含樹脂層之硬化層，該含樹脂層之硬化層配置在前述線路層與前述金屬板之間，且為選自由下述所組成之群組中的至少一種：本實施形態的環氧樹脂組成物所構成之樹脂層、本實施形態的B階段薄片及本實施形態的預浸體。藉由具有由本實施形態的環氧樹脂組成物所構成之樹脂層的硬化層、或本實施形態的B階段薄片或預浸體也就是含樹脂層之硬化層，能夠獲得一種印刷線路板，其熱傳導性優異。

線路層，可藉由下述方式來製造：對上述金屬基板中的金屬箔進行電路加工。金屬箔的電路加工，可應用一般藉由光刻法(photolithography)所實行的方法。

作為金屬板的例子，可列舉與上述金屬基板所使用的金屬板相同的金屬板，且較佳的態樣亦相同。

作為印刷線路板的較佳態樣，可列舉例如與下述相同的印刷線路板：日本特開2009-214525號公報的第0064段落及日本特開2009-275086號公報的第0056~0059段落所記載的印刷線路板。

[實施例]

以下藉由實施例來具體地說明本發明，但是本發明並不受限於這些實施例。再者，只要未特別說明，「份」和「%」是以質量為基準。本發明，只要不偏離其主旨，並不受限於本實施例。

(合成例1：合成酚樹脂)

量取作為單體的105g(0.95mol)的間苯二酚和5g(0.05mol)的鄰苯二酚、作為催化劑的0.11g(0.1wt%)的草酸、及作為溶劑的15g的甲醇，倒入分液瓶(separable flask)中。之後，在氮氣氣氛下攪拌該混合物，並一面以油浴進行冷卻來使其在40℃以下，一面添加30g(約0.33mol，甲醛/酚(F/P)莫耳比是0.33)的福馬林。攪拌該混合物2小時，之後一面將油浴升溫至100℃，一面減壓餾除水和甲醇。確認不會流出水 和甲醇後，添加環己酮，來製作與酚醛清漆樹脂的含有率為50質量%之溶液，而獲得酚樹脂溶液。

藉由利用膠體層析法(GPC)所實行的分子量測定，可知獲得的酚樹脂溶液中的酚樹脂的數量平均分子量是484，重複單元數是n=3.9。又，未反應的單體的含有率，相對於酚樹脂的總固體成分是40質量%。藉由氫核磁共振(¹H-NMR)的測定，可知各重複單元中包含2.1個羥基。羥基當量是62g/eq。

(實施例1)

在氮化硼粒子(水島合金鐵股份有限公司製造，商品名「HP-40」，以下亦標記為「氮化硼粒子1」)中，添加液晶性環氧單體1(1-(3-甲基-4-環氧乙基甲氧基苯基)-4-(環氧乙基甲氧基苯基)-1-環己烯，是以通式(1)來表示之液晶環氧單體)(以下亦標記為「環氧單體1」)、硬化劑(上述酚樹脂)、硬化促進劑(三苯基膦，和光純藥工業股份有限公司製造)及溶劑(環己酮，和光純藥工業股份有限公司製造)，來調配環氧樹脂組成物。

液晶性環氧單體和硬化劑的摻合量，是以硬化劑的化學當量相對於液晶性環氧單體的環氧基的莫耳比成為1比1的方式，來進行調整。又，以硬化後的環氧樹脂組成物中的氮化硼含有率成為50質量%的方式，來調整氮化硼粒子的添加量。

以300μm的厚度，來將調配而成的環氧樹脂組成物塗敷至厚度75μm的聚對苯二甲酸乙二酯(PET) 薄膜上，之後以另一PET薄膜來包夾環氧樹脂組成物，並以140℃、1MPa、2分鐘的條件來進行真空壓製，藉此獲得B階段薄片。

使用廣角X射線繞射裝置(Rigaku Corporation製造的「RINT2500HL(型號)」)，來測定源自B階段薄片的週期結構的繞射角度，該B階段薄片是環氧樹脂組成物的半硬化物。

詳言之，是以下述條件來進行測定：使用Cu作為X射線源，並將X射線輸出設為50kV、250mA，發散狹縫(DS)設為1.0度，散射狹縫(SS)設為1.0度，受光狹縫(RS)設為0.3mm，掃描速度設為1.0度/分鐘。

藉由下述布拉格公式，來將測定的繞射角度轉換成一週期的長度。

2dsinθ=nλ

此處，d表示一週期的長度，θ表示繞射角度，n表示反射次數，λ表示X射線波長(0.15406nm)。

將所獲得的B階段薄片的兩面的PET薄膜剝離，並改以2片已對表面進行粗糙化的銅箔(古河電氣工業股份有限公司製造，商品名「GTS」)來包夾，然後以180℃進行真空壓製，藉此壓合於銅箔。進一步，以140℃對其進行熱處理2小時，之後進一步以190℃進行熱處理2小時，藉此加以硬化，而獲得薄片狀的壓合有銅之硬化物。

藉由酸蝕刻來將所獲得的壓合有銅之硬化物的兩面的銅箔去除，而獲得薄片狀的環氧樹脂組成物，該酸蝕刻使用200g/L的過硫酸銨和5ml/L的硫酸的混合溶液。

將所獲得的薄片狀的環氧樹脂硬化物切出邊長1cm的方形，來作為用來測定熱擴散率的試驗片。使用閃光法裝置(Bruker AXS GmbH製造的「NETZSCH,nanoflash LFA447(型號)」)，來測定切出的試驗片的熱擴散率。將測定結果乘以藉由阿基米德法來測定而得的密度、及藉由示差掃描熱分析(DSC)法來測定而得的比熱，藉此求得薄片狀的環氧樹脂硬化物的厚度方向的熱傳導率。

以與在B階段薄片時相同的方式進行，來測定獲得的薄片狀的環氧樹脂硬化物的源自週期結構的繞射角度。由獲得的XRD光譜，求得源自氮化硼粒子的(004)面的峰的半高寬(2θ)。

將結果表示於表1和第1圖中。

(實施例2)

針對實施例1，使用氮化硼粒子(電氣化學工業股份有限公司製造，商品名「SP-3」，以下亦標記為「氮化硼粒子2」)來取代氮化硼粒子1，此外則以與實施例1相同的方式，來製作B階段薄片和薄片狀的環氧樹脂硬化物。進一步，以與實施例1相同的方式，來求得週期結構的一週期的長度、藉由X射線繞射測得之源自週期結構的 峰的半高寬、源自氮化硼粒子的(004)面的峰的半高寬、及熱傳導率。

將結果表示於表1中。

(實施例3)

針對實施例1，添加α-氧化鋁粒子(住友化學股份有限公司製造，商品名「AA04」)，並以硬化後的環氧樹脂(環氧樹脂硬化物)中的氮化硼粒子1的含有率為50質量%且α-氧化鋁粒子的含有率成為20質量%的方式，來調配環氧樹脂組成物，此外則以與實施例1相同的方法，來獲得實施例3的環氧樹脂組成物。

使用所獲得的環氧樹脂組成物，並以與實施例1相同的方式，來製作B階段薄片和薄片狀的環氧樹脂硬化物。進一步，以與實施例1相同的方式，來求得週期結構的一週期的長度、藉由X射線繞射測得之源自週期結構的峰的半高寬、源自氮化硼粒子的(004)面的峰的半高寬、及熱傳導率。

將結果表示於表1中。

(實施例4)

針對實施例1，添加氮化硼粒子2(電氣化學工業股份有限公司製造，商品名「SP-3」)，並以硬化後的環氧樹脂(環氧樹脂硬化物)中的氮化硼粒子1的含有率為50質量%且氮化硼粒子2的含有率成為20質量%的方式，來調配環氧樹脂組成物，此外則以與實施例1相同的方法，來獲得實施例4的環氧樹脂組成物。

使用所獲得的環氧樹脂組成物，並以與實施例1相同的方式，來製作B階段薄片和薄片狀的環氧樹脂硬化物。進一步，以與實施例1相同的方式，來求得週期結構的一週期的長度、藉由X射線繞射測得之源自週期結構的峰的半高寬、源自氮化硼粒子的(004)面的峰的半高寬、及熱傳導率。

將結果表示於表1中。

(實施例5)

針對實施例1，添加氮化硼粒子3(三井化學股份有限公司製造，商品名「MBN-250」)，並以硬化後的環氧樹脂(環氧樹脂硬化物)中的氮化硼粒子1的含有率為50質量%且氮化硼粒子3的含有率成為20質量%的方式，來調配環氧樹脂組成物，此外則以與實施例1相同的方法，來獲得實施例5的環氧樹脂組成物。

使用所獲得的環氧樹脂組成物，並以與實施例1相同的方式，來製作B階段薄片和薄片狀的環氧樹脂硬化物。進一步，以與實施例1相同的方式，來求得週期結構的一週期的長度、藉由X射線繞射測得之源自週期結構的峰的半高寬、源自氮化硼粒子的(004)面的峰的半高寬、及熱傳導率。

將結果表示於表1中。

(實施例6)

針對實施例1，添加氮化硼粒子2(電氣化學工業股份有限公司製造，商品名「SP-3」)和α-氧化鋁粒子(住友 化學股份有限公司製造，商品名「AA04」)，並以硬化後的環氧樹脂(環氧樹脂硬化物)中的氮化硼粒子1的含有率為50質量%、氮化硼粒子2的含有率為10質量%且α-氧化鋁粒子的含有率成為10質量%的方式，來調配環氧樹脂組成物，此外則以與實施例1相同的方法，來獲得實施例6的環氧樹脂組成物。

使用所獲得的環氧樹脂組成物，並以與實施例1相同的方式，來製作B階段薄片和薄片狀的環氧樹脂硬化物。進一步，以與實施例1相同的方式，來求得週期結構的一週期的長度、藉由X射線繞射測得之源自週期結構的峰的半高寬、源自氮化硼粒子的(004)面的峰的半高寬、及熱傳導率。

將結果表示於表1中。

(實施例7)

針對實施例1，添加氮化硼粒子3(三井化學股份有限公司製造，商品名「MBN-250」)和α-氧化鋁粒子(住友化學股份有限公司製造，商品名「AA04」)，並以硬化後的環氧樹脂(環氧樹脂硬化物)中的氮化硼粒子1的含有率為50質量%、氮化硼粒子3的含有率為10質量%且α-氧化鋁粒子的含有率成為10質量%的方式，來調配環氧樹脂組成物，此外則以與實施例1相同的方法，來獲得實施例7的環氧樹脂組成物。

使用所獲得的環氧樹脂組成物，並以與實施例1相同的方式，來製作B階段薄片和薄片狀的環氧樹脂硬 化物。進一步，以與實施例1相同的方式，來求得週期結構的一週期的長度、藉由X射線繞射測得之源自週期結構的峰的半高寬、源自氮化硼粒子的(004)面的峰的半高寬、及熱傳導率。

將結果表示於表1中。

(比較例1)

針對實施例1，使用氮化硼粒子3(三井化學股份有限公司製造，商品名「MBN-250」)來取代氮化硼粒子1，此外則以與實施例1相同的方式，來製作B階段薄片和薄片狀的環氧樹脂硬化物。進一步，以與實施例1相同的方式，來求得週期結構的一週期的長度、藉由X射線繞射測得之源自週期結構的峰的半高寬、源自氮化硼粒子的(004)面的峰的半高寬、及熱傳導率。

將結果表示於表1和第2圖中。

(比較例2)

使用環氧單體2(三菱化學股份有限公司製造的「jER828(型號)」，與以通式(1)來表示之液晶性環氧單體不同)，來取代實施例1中使用的液晶性環氧單體1(1-(3-甲基-4-環氧乙基甲氧基苯基)-4-(環氧乙基甲氧基苯基)-1-環己烯)，此外則以與實施例1相同的方式，來製作B階段薄片和薄片狀的環氧樹脂硬化物。進一步，以與實施例1相同的方式，來求得週期結構的一週期的長度、藉由X射線繞射測得之源自週期結構的峰的半高 寬、源自氮化硼粒子的(004)面的峰的半高寬、及熱傳導率。

將結果表示於表1中。

(比較例3)

使用環氧單體2(三菱化學股份有限公司製造的「jER828(型號)」，與以通式(1)來表示之液晶性環氧單體不同)，來取代實施例2中使用的液晶性環氧單體1(1-(3-甲基-4-環氧乙基甲氧基苯基)-4-(環氧乙基甲氧基苯基)-1-環己烯)，此外則以與實施例2相同的方式，來製作B階段薄片和薄片狀的環氧樹脂硬化物。進一步，以與實施例2相同的方式，來求得週期結構的一週期的長度、藉由X射線繞射測得之源自週期結構的峰的半高寬、源自氮化硼粒子的(004)面的峰的半高寬、及熱傳導率。

將結果表示於表1中。

[表1]

由表1可知，在比較例1中，氮化硼的結晶性較低，無法確認到週期結構，相對於此，在實施例1~7中，環氧樹脂硬化物具有每一週期為2.5nm之週期結構，且具有較高的熱傳導率。

又，可知在使用了非液晶性的環氧樹脂2之比較例2和3中，無法形成環氧樹脂硬化物的週期結構，且熱傳導率下降。

進一步，第1圖表示實施例1的環氧樹脂硬化物的X射線繞射(XRD)光譜，第2圖表示比較例1的環氧樹脂硬化物的XRD光譜。再者，在第1圖~第2圖中，縱軸表示繞射強度(CPS)，橫軸表示繞射角度(2θ)。在第1圖中，源自氮化硼(BN)粒子的(004)面的峰的半高寬較狹窄，且偵測到源自環氧樹脂的2nm~3nm的週期結構的峰。另一方面，在第2圖中，源自氮化硼(BN)粒子的(004)面的峰的半高寬較寬，且未偵測到源自環氧樹脂的2nm~3nm的週期結構的峰。由此可認為，氮化硼粒子的結晶性愈高，愈影響環氧樹脂的週期結構形成，就結果而言，能夠提升熱傳導率。

2014年7月18日申請的日本專利申請案2014-148006號所揭示內容全文，是以參照來納入本說明書中。本說明書所述之所有文獻、專利申請案及技術規格，是以等同於具體且個別記述以參照來納入各文獻、專利申請案、及技術規格之方式，而以參照來納入本說明書中。

Claims (18)

1. 一種環氧樹脂組成物，其包含：氮化硼粒子，其藉由X射線繞射測得之源自(004)面的峰的半高寬2θ是0.5度以下；硬化劑；及，液晶性環氧單體，其以下述通式(1)來表示： 通式(1)中，X表示單鍵或選自由下述2價基團所組成之群組(I)中的至少一種連結基；Y分別獨立地表示碳數1~8的脂肪族烴基、碳數1~8的脂肪族烷氧基、氟原子、氯原子、溴原子、碘原子、氰基、硝基或乙醯基；n各自獨立地表示0~4的整數；k表示0~7的整數；m表示0~8的整數；l表示0~12的整數； 由2價基團所組成之群組(I)：
2. 如請求項1所述之環氧樹脂組成物，其中，該環氧樹脂組成物是一週期的長度為2nm~3nm之週期結構。
3. 如請求項2所述之環氧樹脂組成物，其中，藉由X射線繞射測得之源自前述週期結構的峰的半高寬2θ是0.2度以下。
4. 如請求項1~3中任一項所述之環氧樹脂組成物，其中，前述氮化硼粒子的含有率是總固體成分中的20質量%~95質量%。
5. 如請求項1~4中任一項所述之環氧樹脂組成物，其中，該環氧樹脂組成物進一步包含氧化鋁粒子，並 且，相對於前述氮化硼粒子與前述氧化鋁粒子的總量，前述氧化鋁粒子的含有率是5質量%~70質量%。
6. 一種熱傳導材料前驅物，其是如請求項1~5中任一項所述之環氧樹脂組成物的半硬化物。
7. 如請求項6所述之熱傳導材料前驅物，其中，前述半硬化物，具有一週期的長度為2nm~3nm之週期結構。
8. 如請求項7所述之熱傳導材料前驅物，其中，藉由X射線繞射測得之源自前述週期結構的峰的半高寬2θ是0.2度以下。
9. 一種B階段薄片，其是如請求項1~5中任一項所述之環氧樹脂組成物的薄片狀的半硬化物。
10. 如請求項9所述之B階段薄片，其中，前述環氧樹脂組成物的薄片狀的半硬化物，具有一週期的長度為2nm~3nm之週期結構。
11. 如請求項10所述之B階段薄片，其中，藉由X射線繞射測得之源自前述週期結構的峰的半高寬2θ是0.2度以下。
12. 一種預浸體，其具有：纖維基材；及，如請求項1~5中任一項所述之環氧樹脂組成物的半硬化物，其含浸於前述纖維基材中。
13. 一種散熱材料，其是如請求項1~5中任一項所述之環氧樹脂組成物的硬化物。
14. 如請求項13所述之散熱材料，其中，前述環氧樹脂組成物的硬化物，具有一週期的長度為2nm~3nm之週期結構。
15. 如請求項14所述之散熱材料，其中，藉由X射線繞射測得之源自前述週期結構的峰的半高寬2θ是0.2度以下。
16. 一種積層板，其具有：被黏著材；及，含樹脂層之硬化層，其設置在前述被黏著材上，且為選自由下述所組成之群組中的至少一種：由如請求項1~5中任一項所述之環氧樹脂組成物所構成之樹脂層、如請求項9~11中任一項所述之B階段薄片及如請求項12所述之預浸體。
17. 一種金屬基板，其具有：金屬箔；金屬板；及，含樹脂層之硬化層，其配置在前述金屬箔與前述金屬板之間，且為選自由下述所組成之群組中的至少一種：由如請求項1~5中任一項所述之環氧樹脂組成物所構成之樹脂層、如請求項9~11中任一項所述之B階段薄片及 如請求項12所述之預浸體。
18. 一種印刷線路板，其具有：線路層；金屬板；及，含樹脂層之硬化層，其配置在前述線路層與前述金屬板之間，且為選自由下述所組成之群組中的至少一種：由如請求項1~5中任一項所述之環氧樹脂組成物所構成之樹脂層、如請求項9~11中任一項所述之B階段薄片及如請求項12所述之預浸體。