TW201724448A - 具有凹陷結構之封裝積體電路裝置 - Google Patents

具有凹陷結構之封裝積體電路裝置 Download PDF

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Abstract

本發明提供實現一封裝裝置之一或多個積體電路(IC)晶粒之連接的技術及機構。在一實施例中，該封裝裝置包括一基板及配置於該基板之一側上的一或多個觸點。該封裝裝置之結構至少部分地界定自該基板之該側延伸且穿過該基板之一凹陷區域，其中一第二硬體介面之一或多個觸點配置於該凹陷區域中。該第一硬體介面之該一或多個觸點實現該封裝裝置至一印刷電路板之連接。在另一實施例中，該第二硬體介面之該一或多個觸點實現該封裝裝置之該一或多個IC晶粒與另一IC晶粒之間的連接，該另一IC晶粒為該封裝裝置或一不同封裝裝置之一組件。

Description

具有凹陷結構之封裝積體電路裝置
本文中論述之實施例大體係關於封裝積體電路(IC)裝置，且更特定言之(但非排他地)，係關於用於提供至封裝IC裝置之電路之連接的結構。
行動、平板及超級本技術要求封裝半導體裝置具有逐漸減小之尺寸(亦被稱作較小外觀尺寸)。封裝技術已經開發以將多個組件併入至單一封裝中，從而減小系統板空間(x-y尺寸)及板安裝高度(「z高度」)。封裝可包括封裝基板、一或多個積體電路(IC)晶粒、各種其他主動及/或被動組件，及囊封，其皆可促成封裝的x-y尺寸及z高度，且限制封裝外觀尺寸可減小之程度。
由於各種封裝技術接近其各別外觀尺寸之下限，故存在對提供由封裝IC裝置佔據之空間的效率之遞增改善的解決方案的增加需求。
依據本發明之一實施例，係特地提出一種封裝裝置，包含：一封裝材料；一或多個積體電路(IC)晶粒，配置於該封裝材料內；一第一基板，耦接至該一或多個IC晶粒且配置於該封裝材料中或該封裝材料上，其中該第一基板之相對側壁至少部分地界定自該第一基板之一第一側延伸且穿過該第一基板之一凹陷結構，該凹陷結構用以容納包括另一IC晶粒之一單元；一第一硬體介面，其將該封裝裝置耦接至一第二裝置，該第一硬體介面包括配置於該第一基板之該第一側上的第一觸點；以及一第二硬體介面，其將該一或多個IC晶粒耦接至該另一IC，該第二硬體介面包括配置於該凹陷結構中之第二觸點。
本文中所論述之實施例以各種方式提供技術及/或機構以便於操作封裝裝置之一或多個積體電路(IC)晶粒與包括於該封裝裝置中或耦接至該封裝裝置的一或多個其他IC晶粒。根據一個實施例之封裝裝置包括凹陷結構，該凹陷結構至少部分地由基板結構之多層配置形成或可適應基板結構之多層配置。凹陷結構可容納包含一或多個IC晶粒之單元，(例如)其中該單元為該封裝裝置或另一封裝裝置之組件。在實施例中，凹陷結構允許將單元至少部分地懸置於封裝裝置之一側下方，同時將封裝裝置耦接至印刷電路板(PCB)或其他裝置。與現有封裝技術相比，某些實施例提供包括多個IC晶粒之硬體的經改善z高度輪廓。
本文中所描述之技術可以一或多個電子裝置實施。可利用本文所描述之技術的電子裝置之非限制性實例包括任何種類之行動裝置及/或靜止裝置，諸如攝影機、行動電話、電腦終端機、桌上型電腦、電子閱讀器、傳真機、查詢一體機、迷你筆記型電腦、筆記型電腦、網際網路裝置、支付終端機、個人數位助理、媒體播放器及/或記錄器、伺服器(例如，刀鋒伺服器、機架安裝式伺服器、其組合等)、機上盒、智慧型電話、平板個人電腦、超行動個人電腦、有線電話、其組合及其類似者。此等裝置可為攜帶型的或靜止的。在一些實施例中，本文中所描述之技術可用於桌上型電腦、膝上型電腦、智慧型電話、平板電腦、迷你筆記型電腦、筆記型電腦、個人數位助理、伺服器、其組合及其類似者中。更大體而言，本文中所描述之技術可用於包括一或多個封裝IC裝置之各種電子裝置中之任一者中。
圖1為根據實施例的說明提供對一或多個封裝IC晶粒之存取的系統100之元件的分解圖。系統100可包括能處理之平台或作為此平台之組件來操作。舉例而言，系統100可包括提供處理器、記憶體子系統、系統級封裝及/或其類似者之功能性的各種封裝裝置中之任一者。
在實施例中，系統100包括總成110，該總成包含已在其中配置一或多個IC晶粒(未圖示)之封裝材料112。封裝材料112可包括用於封裝積體電路之此項技術中已知的各種材料中之任一者。此類材料之實例包括(但不限於)環氧樹脂、聚合物、樹脂、塑膠、陶瓷等。
配置於封裝材料112中之一或多個IC晶粒可包括(例如) NAND記憶體晶粒及/或各種其他記憶體晶粒中之任一者。另外或替代地，此一或多個IC晶粒可包括處理器晶粒、特殊應用積體電路(ASIC)、系統單晶片及/或各種其他IC晶粒中之任一者。然而，一些實施例在配置於封裝材料112中或以其他方式包括於系統100中之晶粒的特定類型及/或數目方面不受限制。
總成110可進一步包含配置於封裝材料112中或封裝材料112上之基板114，該基板114包括經耦接以實現對總成110之一或多個IC晶粒進行存取的結構。基板114可包括實現諸如自習知封裝技術調適之功能性的插板或各種其他此類結構中之任一者。藉助於說明而非限制，基板114可已在其中形成一或多個通孔、跡線或其他結構，以允許總成110與包括於系統100中或耦接至系統100之其他硬體之間的通訊耦接。儘管在此方面某些實施例不受限制，但基板114可在基板114之一側116處提供相較於基板114之相對側(未圖示)處的此類互連件之對應節距具有相對地較大節距之互連件的扇出。
在所展示之例示性實施例中，側116上已形成第一硬體介面之一或多個觸點118 (例如，一或多個導電銷、墊片、滾珠及/或其他此類連接硬體)，該第一硬體介面能夠將總成110耦接至諸如印刷電路板(PCB)或封裝裝置之某一其他裝置(未圖示)。一或多個觸點118可經耦接以能夠遞送資料、控制信令、位址信令、時鐘信令、功率、參考電位(例如，接地)及/或各種其他交換中之任一者。包括一或多個觸點118之硬體介面可包括(例如)球狀柵格陣列。觸點118 (及/或本文中所說明之其他硬體介面觸點)之特定數目及配置僅為例示性的，且可根據具有更多、更少及/或以不同方式配置之觸點的不同實施例而改變。
在實施例中，除可經由包括一或多個觸點118之介面耦接至總成110的介面外，總成110進一步包含 觸點(例如)使得總成110能夠耦接至裝置的另一介面。此其他硬體介面可包括自側116之平面凹陷的一或多個觸點。藉助於說明而非限制，此其他硬體介面可包含配置於形成於總成110中之凹陷結構120中之一或多個觸點124。舉例而言，側116之邊緣122a、122b可至少部分地界定凹陷結構120之相對側壁，其中此等側壁自側116延伸至基板114之相對側(未圖示)。在所展示之例示性實施例中，凹陷結構120包括延伸至少穿過基板114之孔。在一些實施例中，凹陷結構120可進一步延伸穿過配置於封裝材料112中且耦接至基板114之相對側的一或多個結構(未圖示)。
凹陷結構120可適應包括一或多個IC晶粒(未圖示)之額外硬體(例如，系統100之例示性單元150)的插入。舉例而言，單元150之此一或多個IC晶粒可直接地或藉由在單元150之一側152中或一側152上之其他觸點(未圖示)間接地耦接至一或多個觸點124。根據不同實施例，單元150之一或多個IC晶粒可包括處理器晶片、記憶體晶片、ASIC、系統單晶片及/或各種其他類型之IC晶粒中之任一者。在一個實施例中，總成110為第一封裝裝置且單元150為另一封裝裝置。替代地，單元150可為組件(例如，包括尚未經封裝晶粒、晶粒堆疊等)，其待封裝有總成110以形成諸如封裝中封裝之單個封裝裝置。
如本文中所揭示，相較於現有封裝技術，凹陷結構120可允許系統100呈現經改善之z高度特性。舉例而言，凹陷結構120可允許將單元150之至少一部分配置於側116「下方」，(例如)在側116與經由一或多個觸點118耦接至總成110之另一裝置(未圖示)之間的區域中。在實現電路及/或其他結構如此配置於側116下方中，相較於根據現有技術設計允許，各種實施例允許封裝材料112及/或電路配置於封裝材料112中以具有較低z高度設計。
圖2說明根據實施例之用於製造包括封裝電路之裝置的方法200之要素。方法200之執行可製造(例如)具有總成110之特徵中之一些或全部的裝置。在一些實施例中，方法200產生具有本文中所揭示之特徵的系統100或其他此類硬體。
方法200可包括在210處將第一基板耦接至一或多個IC晶粒。舉例而言，210處之耦接可包含將基板114線接合或以其他方式耦接至包括於或待包括於封裝材料112中之IC晶粒。第一基板可包括插板，該插板使得一或多個晶粒能夠連接至待包括於最終封裝裝置中或可耦接至最終封裝裝置之其他積體電路。第一基板可另外或替代地形成自包括基板之一側的平面延伸的孔或凹口結構。
在實施例中，方法200進一步包含在220處將一或多個IC晶粒封裝於封裝材料中。220處之封裝可包括射出成形或以其他方式將封裝材料配置在一或多個IC晶粒周圍，且在實施例中，配置在第一基板上。儘管在此方面一些實施例不受限制，在220處之封裝之後可將第一基板配置於封裝材料內。
方法200可進一步包括在230處形成自第一基板之第一側延伸且穿過該第一基板之凹陷結構。可至少部分地藉由第一基板之側壁結構界定該凹陷結構，(例如)其中此側壁結構包括第一基板之彼此面對的相對側壁。在一個實施例中，至少部分地藉由第一基板之側壁形成凹陷結構，(例如)其中側壁界定寬度及/或長度為3毫米(mm)或更大的開口。然而，此類尺寸僅為例示性的，且可根據特定實施細節在不同實施例中明顯地改變。在實施例中，凹陷結構之橫截面積大於經由配置於凹陷結構中之結構耦接至一或多個IC晶粒的另一IC晶粒之橫截面積。
230處之形成可包括自各種習知遮罩、鑽孔切割及/或其他技術調適的一或多個操作。藉助於說明而非限制，230處之形成可包括配置一罩蓋結構，該罩蓋結構延伸穿過形成於第一基板中之孔或替代地延伸至形成於第一基板中之凹口中。罩蓋結構可防止封裝材料射出成形或以其他方式配置於待成為延伸至(例如，穿過)基板中之凹陷的區域中。在220處將封裝材料配置於一或多個IC晶粒周圍之後，罩蓋結構可經切割、鑽孔、研磨或以其他方式移除以暴露凹陷結構。在另一實施例中，在230處形成凹陷結構包括鑽孔或以其他方式移除配置於由第一基板形成之孔或凹口中之封裝材料。
方法200可進一步包含在240處將第一硬體介面之第一觸點(例如，一或多個觸點118)配置於第一基板的第一側上。第一硬體介面可使得由方法200製造之裝置能夠耦接至印刷電路板，或替代地，耦接至另一封裝裝置。在實施例中，方法200進一步包括在250處將第二硬體介面之第二觸點(例如，一或多個觸點124)配置於凹陷結構中。第二觸點可使得能夠耦接至一或多個其他IC晶粒(例如，除在210處耦接至第一基板之一或多個晶粒外)。240處之配置及/或250處之配置可包括自用於形成封裝裝置之導電觸點的各種習知技術中之任一者調適之遮罩、沈積、蝕刻、焊接及/或其他操作。在一個實施例中，在250處，第二觸點中之一或多者配置於凹陷結構之底板上。替代地或另外，在250處，第二觸點中之一或多者可配置於凹陷結構之側壁上。 240處之配置及/或250處之配置可包括形成球狀柵格陣列或其他介面硬體之觸點。在一些實施例中，在240處之配置及/或250處之配置之後執行220處的封裝。
儘管在此方面某些實施例不受限制，方法200可進一步包含將封裝裝置耦接至一或多個其他裝置的一或多個其他操作(未圖示)，(例如)其中封裝裝置包括第一基板、一或多個IC晶粒、第一觸點及第二觸點。舉例而言，封裝裝置可焊接或以其他方式經由第一硬體介面之第一觸點耦接至印刷電路板或另一封裝裝置。替代地或另外，封裝裝置可經由第二硬體介面之第二觸點耦接至另一封裝裝置。可(例如)在與其他封裝裝置如此耦接之後執行220處之封裝。在一些實施例中，方法200進一步包含封裝裝置之一或多個其他操作(未圖示)，該裝置包括第一基板、一或多個IC晶粒、第一觸點及第二觸點，及經由第二觸點耦接至一或多個IC晶粒之另一IC晶粒。
圖3為根據實施例的提供對一或多個封裝IC晶粒之存取的系統300的組裝圖。舉例而言，系統300可包括系統100之特徵中之一些或全部。系統300包括封裝裝置310及耦接至封裝裝置300之另一封裝裝置350。封裝裝置310、350可在功能上分別對應於總成110及單元150。一些實施例完全由具有(例如)封裝裝置310或總成110之特徵中之一些或全部的封裝裝置實施。
在所展示之例示性實施例中，封裝裝置310包括基板314及具有配置於其中之一或多個IC晶粒(未圖示)的封裝材料312。基板314及封裝材料312可在功能上分別對應於基板114及封裝材料112。基板314之一側316上可已形成硬體介面之一或多個觸點318，該硬體介面使得封裝裝置310能夠耦接至諸如PCB或封裝裝置之某一其他裝置(未圖示)。舉例而言，一或多個觸點318可形成球狀柵格陣列之至少部分。
封裝裝置310可進一步包含使得封裝裝置310能夠耦接至封裝裝置350之另一介面。藉助於說明而非限制，此其他硬體介面可包含配置於形成於封裝裝置310中之凹陷結構320中的一或多個觸點324。側316可形成延伸穿過基板314之孔(或替代地，延伸至基板314之凹口)的邊緣，以形成凹陷結構320之至少部分。在所展示之例示性實施例中，側316之邊緣322至少部分地界定自側316之平面延伸且穿過基板314之孔的周界。
如圖3中所說明，封裝裝置350可包括基板354 (例如，插板)及配置於其上之觸點356，其中觸點356耦接至一或多個觸點324。此連接可有助於封裝裝置310之一或多個IC晶粒與配置於封裝材料352中之一或多個其他IC晶粒的操作。在例示性實施例中，封裝裝置310、350中之一者包括一或多個記憶體晶粒(例如，NAND記憶體晶粒)，其中封裝裝置310、350中之另一者包括ASIC或其他IC晶粒，該其他IC晶粒包括控制一或多個記憶體晶粒之操作的記憶體控制器電路。然而，根據不同實施例，各種額外或替代類型的晶粒中之任一者可以各種方式分佈在封裝裝置310、350中。
圖4A、圖4B以橫截面圖展示根據實施例的耦接封裝裝置之一或多個IC晶粒的處理之各種階段400至404。此處理可製造包括諸如總成110、裝置310及/或其類似者之彼等特徵之特徵的裝置。在實施例中，階段400至404包括方法200之一或多個操作。
在所展示之例示性實施例中，此處理可包括藉由形成將包括封裝裝置430之更大封裝裝置450之凹陷的結構之方式來配置封裝裝置430。儘管在此方面某些實施例不受限制，但此處理可進一步包含將所得封裝裝置450耦接至PCB 460 (或替代地，耦接至另一封裝裝置)。在實施例中，封裝裝置450包括封裝裝置310之特徵中之一些或全部，(例如)其中封裝裝置430包括封裝裝置350之特徵中之一些或全部。
如階段400之橫截面圖中所展示，封裝裝置430可插入至延伸穿過基板414之孔中(例如，插板)。穿過基板414之孔最後可形成最終形成之封裝裝置450的凹陷結構之至少部分。在所展示之例示性實施例中，封裝裝置430包括配置於封裝材料中之一或多個晶粒(如由例示性IC晶粒堆疊436表示)。(例如)包括多個NAND記憶體晶粒之一或多個晶粒可經線接合、覆晶連接或以其他方式耦接至封裝裝置430之基板434。配置於基板434中或基板434上之觸點(未圖示)可提供封裝裝置430至待包括於封裝裝置450中之其他電路的耦接。此耦接可允許IC晶粒426與封裝裝置430之操作，(例如)其中IC晶粒426包括向主機提供對晶粒堆疊436中之NAND (及/或其他)記憶體資源之存取的控制器。待包括於封裝裝置450中之其他組件428亦可經各種方式耦接以用於IC晶粒426與封裝裝置430之操作，(例如)其中此類其他組件428包括被動組件及/或主動組件之各種組合中之任一者。舉例而言，組件428可包括一或多個電阻器、電容器、晶體及/或其類似者。
在實施例中，封裝裝置430定位於由基板414形成之孔中導致封裝裝置430至少部分地在基板414下方延伸。在階段400處定位封裝裝置430之後，更多互連件中之一者(諸如所展示之例示性線接合405)可在階段401處在封裝裝置430、基板414、IC晶粒426及組件428中之各別者之間以各種方式耦接。在此互連之後，封裝材料412可射出成形或以其他方式配置於在基板414之頂面上配置的IC晶粒426及其他組件428周圍。在階段402處，封裝材料412可進一步配置於在基板414之頂面上延伸之封裝裝置430的至少部分周圍。一或多個觸點418可形成於基板414之底面上，(例如)在配置封裝材料412之後，以使得所得封裝裝置450能夠隨後耦接至某一其他裝置。
此後續耦接之一個實例由圖4B之階段403、404說明。在階段403處，封裝裝置450經配置以用於一或多個觸點418經焊接或以其他方式各自耦接至配置於PCB 460之一側464上的觸點462中之各別者。如階段404所說明，封裝裝置430至少部分地插入至形成有基板414之凹陷區域中可產生允許封裝裝置430自側464偏移的間隙高度z1，(例如)其中封裝裝置430至少部分地懸置在基板414下方及PCB 460上方。在實施例中，封裝裝置430之部分與基板414至側464相比更接近側464。在適應基板414 (或在封裝裝置430周圍延伸之某一其他最低表面)與側464之間的空間的使用中，某些實施例允許相較於根據習知技術之其他設計具有相對較低之z高度的封裝裝置450之設計。舉例而言，IC堆疊436卸載至封裝裝置430可允許封裝材料412之總高度降低。
圖5以橫截面圖展示根據另一實施例的製造封裝裝置之處理的各種階段500、540、570。在所展示之例示性實施例中，此處理可包括耦接及封裝總成510與單元530。總成510可包括總成310之特徵中之一些或全部，(例如)其中單元530包括單元150之特徵中之一些或全部。
如階段500之橫截面圖中所說明，總成510可包括封裝材料512及配置於其中之一或多個晶粒(如由例示性IC晶粒堆疊526表示)。封裝材料512亦可已在其中配置總成510之其他組件528，(例如)其中此類其他組件528包括諸如組件428之彼等特徵的特徵。總成510可包括輔助總成510連接至單元530之結構，(例如)其中此結構包括基板514a。第一硬體介面之一或多個觸點518a可配置於基板514a之一側516a上。在一個實施例中，總成510進一步包含基板514b及配置於基板514b之側516b上之第二硬體介面的一或多個觸點518b。基板514a之側壁522可至少部分地界定自側516延伸至基板514a之相對側的凹陷區域520，(例如)其中側516b延伸跨越或以其他方式至少部分地界定凹陷區域520之底(或「底板」)面。基板514a、514b之多層配置可允許將單元530之至少部分容納於凹陷區域520中。
舉例而言，在階段540處，一或多個觸點518b可經焊接或以其他方式各自耦接至單元530之觸點532中之各別者。一或多個觸點532可使得晶粒堆疊526能夠連接至單元530之一或多個IC晶粒(諸如例示性ASIC 536)。在一個實施例中，單元530包括耦接於一或多個觸點532與ASIC 536之間的基板(未圖示)。替代地或另外，單元530可進一步包含配置於ASIC 536及/或單元530之一或多個IC晶粒周圍的其他封裝材料(未圖示)。單元530凹陷至區域520中可允許單元530之至少一些在側516a下方延伸。在適應將側516a下方之空間用於單元530中，某些實施例允許相較於根據習知技術之其他設計具有相對較低z高度的總成510之設計。儘管在此方面一些實施例不受限制，但未由單元530佔據之凹陷區域520之某一部分可隨後以額外封裝材料填充。舉例而言，如由階段570所說明，封裝材料560可進一步經射出成形或以其他方式配置於ASIC 536周圍。在一個實施例中，在沈積封裝材料550之後形成一或多個觸點518a，(例如)其中經由(TMV)技術使用穿模形成一或多個觸點518。
圖6以橫截面圖展示根據實施例的耦接一或多個封裝IC晶粒之組裝處理的不同階段600、640、670。在所展示之例示性實施例中，此處理可包括將封裝裝置610耦接至另一封裝裝置630以形成總成650。儘管在此方面某些實施例不受限制，但此處理可進一步包含將總成650耦接至PCB 660 (或替代地，耦接至另一封裝裝置)。在實施例中，封裝裝置610包括封裝裝置310之特徵中之一些或全部，(例如)其中封裝裝置630包括封裝裝置350之特徵中之一些或全部。
如階段600之橫截面圖中所說明，封裝裝置610可包括封裝材料612及配置於其中之IC晶粒626 (例如，包括ASIC)。封裝材料612亦可已在其中配置封裝裝置610之其他組件628，(例如)其中此類其他組件628包括被動組件及/或主動組件之各種組合中之任一者。舉例而言，組件628可包括一或多個電阻器、電容器、晶體及/或其他此類元件。封裝裝置610可包括輔助封裝裝置610連接至諸如封裝裝置630之另一裝置的結構，(例如)其中此結構包括以多層配置組配之基板614、634。第一硬體介面之一或多個觸點618可配置於基板614之一側616上。替代地或另外，諸如例示性一或多個線接合605之互連結構可提供基板614與封裝材料612中之一或多個組件之間的耦接。
封裝裝置610之結構可界定延伸穿過基板614且在一些實施例中，進一步延伸至基板634之凹陷區域620。在封裝裝置610之製造期間，墊圈或其他此類結構可配置於基板614與634之間以防止封裝材料612沈積至凹陷區域620中。側壁622可適應封裝裝置630之至少部分插入至凹陷區域620中。在實施例中，側壁622中或側壁622上已配置互連件結構(例如，包括焊接點、銅凸點、導電膜及/或其類似者)，以提供除線接合605之外或作為線接合605之替代的基板614與634之間的互連。經插入封裝裝置630可電氣耦接至封裝裝置610。在所展示之例示性實施例中，封裝裝置630包括封裝材料632及配置於其中之一或多個晶粒(諸如，例示性IC晶粒堆疊636)。基板634已可在其上形成一或多個觸點624，以各自以各種方式耦接至在封裝裝置630之一側中或一側上的一或多個觸點638中之各別者。此耦接可允許IC晶粒626與封裝裝置630之操作，(例如)其中IC晶粒626包括操作晶粒堆疊636之控制器邏輯。
在階段640處，總成650可經配置用於一或多個觸點618經焊接或以其他方式各自耦接至配置於PCB 660之一側664上的觸點662中之各別者。如階段670所說明，封裝裝置630至少部分地插入至凹陷區域620可產生允許封裝裝置630自側664偏移之間隙高度z2。在適應側616 (或封裝裝置610之某一其他最低表面)與側664之間的空間之使用中，某些實施例允許相較於根據習知技術之其他設計具有相對較低z高度的封裝裝置610之設計。
圖7說明各自根據對應實施例的不同封裝裝置700、720、740之各別元件。封裝裝置700、720、740中之一些或全部可以各種方式包含諸如總成110、裝置310、450、510、650中之一者及/或其類似者之彼等特徵的特徵。在實施例中，方法200包括製造封裝裝置700、720、740中之一者的操作。
裝置700可包括基板(例如，基板114)，該基板上已配置有使得裝置700能夠耦接至PCB或另一封裝裝置之結構。舉例而言，此基板之一側702可適應第一硬體介面之一或多個觸點704。在實施例中，側704之內部邊緣710至少部分地界定(例如)形成延伸穿過基板之孔的凹陷結構。凹陷結構之底板上可已形成另一硬體介面之一或多個觸點712，該另一硬體介面將封裝裝置700之一或多個IC晶粒(未圖示)與一或多個其他IC晶粒相耦接，(例如)其中一或多個其他IC晶粒包括於裝置700中(或替代地，耦接至裝置700)。
裝置720表示其中第一硬體介面之一或多個觸點724配置於基板(諸如基板114)之一側722上的另一實施例。側722之邊緣730可界定凹陷結構，該凹陷結構已在其中形成另一硬體介面之一或多個觸點732 (例如，一或多個觸點124)。在裝置700之實施例中，側702包圍具有配置於其中之一或多個觸點712之凹陷結構的周界。相反地，由邊緣730至少部分地界定之凹陷結構延伸至邊緣726，(例如)其中側722僅部分地在裝置720之凹陷結構周圍延伸。舉例而言，可由在邊緣726處形成凹口之邊緣730部分地界定凹陷結構。
裝置740表示其中第一硬體介面之一或多個觸點744配置於基板之一側742上的另一實施例。側742之邊緣750可界定凹陷結構752，該凹陷結構已在其中形成另一硬體介面之一或多個觸點754 (例如，一或多個觸點124)。雖然裝置700、720以各種方式說明其中觸點配置於凹陷結構之底板上的實施例，但一或多個觸點754以各種方式配置於由裝置740形成的凹陷結構之側壁中。
圖8說明根據一個實施例之計算裝置800。計算裝置800容納板802。板802可包括多個組件，包括(但不限於)處理器804及至少一個通訊晶片806。可將處理器804實體地且電氣耦接至板802。在一些實施中，至少一個通訊晶片806亦實體地且電氣耦接至板802。在其他實施中，通訊晶片806為處理器804之部分。
取決於其應用，計算裝置800可包括可或可不實體地且電氣耦接至板802之其他組件。此等其他組件包括(但不限於)依電性記憶體(例如，DRAM)、非依電性記憶體(例如，ROM)、快閃記憶體、圖形處理器、數位信號處理器、密碼處理器、晶片組、天線、顯示器、觸控式螢幕顯示器、觸控式螢幕控制器、電池、音訊編解碼器、視訊編解碼器、功率放大器、全球定位系統(GPS)裝置、羅盤、加速度計、陀螺儀、揚聲器、攝影機及大容量儲存裝置(諸如，硬碟機、緊密光碟(CD)、數位多功能光碟(DVD)等等)。
通訊晶片806實現無線通訊以用於將資料傳送至計算裝置800以及自計算裝置800傳送資料。術語「無線」及其衍生詞可用以描述可經由非固體媒體經由使用經調變電磁輻射來傳達資料之電路、裝置、系統、方法、技術、通訊頻道等。該術語並不暗示相關聯裝置不含有任何導線，但在一些實施例中該等裝置可能不含有導線。通訊晶片806可實施數個無線標準或協定中之任一者，包括(但不限於) Wi-Fi (IEEE 802.11系列)、WiMAX (IEEE 802.16系列)、IEEE 802.20、長期演進(LTE)、Ev-DO、HSPA+、HSDPA+、HSUPA+、EDGE、GSM、GPRS、CDMA、TDMA、DECT、藍芽、其衍生協定以及指明為3G、4G、5G及超過5G之任何其他無線協定。計算裝置800可包括多個通訊晶片806。舉例而言，第一通訊晶片806可專用於較短距離無線通訊(諸如，Wi-Fi及藍芽)，且第二通訊晶片806可專用於較長距離無線通訊(諸如，GPS、EDGE、GPRS、CDMA、WiMAX、LTE、Ev-DO及其他)。
計算裝置800之處理器804包括封裝於處理器804內之積體電路晶粒。術語「處理器」可指任何裝置或裝置之部分，該裝置處理來自暫存器及/或記憶體之電子資料以將彼電子資料轉變成可儲存於暫存器及/或記憶體中之其他電子資料。通訊晶片806亦包括封裝於通訊晶片806內之積體電路晶粒。
在各種實施中，計算裝置800可為膝上型電腦、迷你筆記型電腦、筆記型電腦、超級本、智慧型電話、平板電腦、個人數位助理(PDA)、超行動PC、行動電話、桌上型電腦、伺服器、印表機、掃描儀、監視器、機上盒、娛樂控制單元、數位攝影機、攜帶型音樂播放器或數位視訊記錄器。在其他實施中，計算裝置800可為處理資料之任何其他電子裝置。
實施例可作為可包括其上儲存有指令之機器可讀媒體的電腦規劃產品或軟體而予以提供，該等指令可用以規劃電腦系統(或其他電子裝置)以執行根據各種實施例之程序。機器可讀媒體包括用於儲存或傳輸以由機器(例如，電腦)可讀之形成之資訊的任何機構。舉例而言，機器可讀(例如，電腦可讀)媒體包括機器(例如，電腦)可讀儲存媒體(例如，唯讀記憶體(「ROM」)、隨機存取記憶體(「RAM」)、磁碟儲存媒體、光學儲存媒體、快閃記憶體裝置等)、機器(例如，電腦)可讀傳輸媒體(傳播信號(例如，紅外信號、數位信號等)之電氣、光學、聲學或其他形式)等。
圖9說明呈電腦系統900的例示性形式之機器的圖解表示，可在電腦系統900內執行用於使得機器執行本文中所描述的方法中之任何一或多者的指令集。在替代實施例中，機器可在區域網路(LAN)、企業內部網路、企業間網路或網際網路中連接(例如，網路連接)至其他機器。機器可在用戶端-伺服器網路環境中作為伺服器或用戶端機器，或在同級間(或分散式)網路環境中作為同級機器操作。機器可為個人電腦(PC)、平板PC、機上盒(STB)、個人數位助理(PDA)、蜂巢式電話、網路設備、伺服器、網路路由器、交換器或橋接器、或能夠執行指定待由機器採取的動作之指令集(順序或以其他方式)的任何機器。另外，雖然僅說明單個機器，但術語「機器」亦應被視為包括個別地或聯合地執行一(或多個)指令集以執行本文中所描述之方法中之任何一或多者的任何機器(例如，電腦)集合。
例示性電腦系統900包括處理器902、主記憶體904 (例如，唯讀記憶體(ROM)、快閃記憶體、動態隨機存取記憶體(DRAM)，諸如同步DRAM (SDRAM)或Rambus DRAM (RDRAM)等)、靜態記憶體906 (例如，快閃記憶體、靜態隨機存取記憶體(SRAM)等)及輔助記憶體918 (例如，資料儲存裝置)，以上各者經由匯流排930與彼此通訊。
處理器902表示一或多個通用處理裝置，諸如微處理器、中央處理單元或其類似者。更特定言之，處理器902可為複雜指令集計算(CISC)微處理器、精簡指令集計算(RISC)微處理器、超長指令字(VLIW)微處理器、實施其他指令集之處理器或實施指令集之組合的處理器。處理器902亦可為一或多個專用處理裝置，諸如特殊應用積體電路(ASIC)、場可規劃閘陣列(FPGA)、數位信號處理器(DSP)、網路處理器或其類似者。處理器902經組配以執行處理邏輯926以用於執行本文中所描述之操作。
電腦系統900可進一步包括網路介面裝置908。電腦系統900亦可包括視訊顯示單元910 (例如，液晶顯示器(LCD)、發光二極體顯示器(LED)或陰極射線管(CRT))、文數字輸入裝置912 (例如，鍵盤)、游標控制裝置914 (例如，滑鼠)及信號產生裝置916 (例如，揚聲器)。
輔助記憶體918可包括機器可存取儲存媒體(或更具體言之，電腦可讀儲存媒體) 932，其上儲存有體現本文中所描述之方法或功能中之任何一或多者的一或多個指令集(例如，軟體922)。軟體922在其由亦構成機器可讀儲存媒體之電腦系統900、主記憶體904及處理器902執行期間亦可完全或至少部分地駐留於主記憶體904內及/或處理器902內。可經由網路介面裝置908經由網路920進一步傳輸或接收軟體922。
雖然機器可存取儲存媒體932在例示性實施例中展示為單個媒體，但術語「機器可讀儲存媒體」應被視為包括儲存一或多個指令集之單個媒體或多個媒體(例如，集中式或分散式資料庫及/或相關聯快取記憶體及伺服器)。術語「機器可讀儲存媒體」亦應被視為包括能夠儲存或編碼供機器執行且使得機器執行實施例之方法中之任何一或多者的指令集的任何媒體。術語「機器可讀儲存媒體」應相應地理解為包括(但不限於)固態記憶體及光學及磁性媒體。
圖10說明包括一或多個實施例之插板1000。插板1000為用於將第一基板1002橋接至第二基板1004之插入基板。第一基板1002可為(例如)積體電路晶粒。第二基板1004可為(例如)記憶體模組、電腦主機板或另一積體電路晶粒。一般而言，插板1000之目的為將連接擴散至更寬節距或將連接重路由至不同連接。舉例而言，插板1000可將積體電路晶粒耦接至球狀柵格陣列(BGA) 1006，該球狀柵格陣列可隨後耦接至第二基板1004。在一些實施例中，第一基板1002及第二基板1004經附接至插板1000之相對側。在其他實施例中，第一基板1002及第二基板1004經附接至插板1000之同一側。且在其他實施例中，三個或多於三個基板藉助於插板1000互連。
插板1000可由環氧樹脂、玻璃纖維加強環氧樹脂、陶瓷材料或諸如聚醯亞胺之聚合物材料形成。在其他實施中，插板可由替代硬質或可撓性材料形成，該等材料可包括上文所描述之供用於半導體基板中之相同材料，諸如矽、鍺及其他第III族至第V族及第IV族材料。
插板可包括金屬互連件1008及通孔1010，包括(但不限於)矽穿孔(TSV) 1012。插板1000可進一步包括嵌式裝置1014，包括被動及主動裝置兩者。此類裝置包括(但不限於)電容器、解耦電容器、電阻器、電感器、保險絲、二極體、變壓器、感測器及靜電放電(ESD)裝置。更多複雜裝置(諸如，射頻(RF)裝置、功率放大器、功率管理裝置、天線、陣列、感測器及MEMS裝置)亦可形成於插板1000上。根據一些實施例，本文所揭示之設備或過程可用於插板1000之製造中。
圖11說明根據一個實施例之計算裝置1100。計算裝置1100可包括多個組件。在一個實施例中，此等組件經附接至一或多個主機板。在替代實施例中，此等組件係製造至單一系統單晶片(SoC)晶粒上，而非製造至主機板上。計算裝置1100中之組件包括(但不限於)積體電路晶粒1102及至少一個通訊晶片1108。在一些實施中，通訊晶片1108經製造為積體電路晶粒1102之部分。積體電路晶粒1102可包括CPU 1104以及晶粒上記憶體1106 (通常用作快取記憶體)，晶粒上記憶體1106可藉由諸如嵌式DRAM (eDRAM)或自旋轉移力矩記憶體(STTM或STTM-RAM)之技術予以提供。
計算裝置1100可包括可或可不實體地且電氣耦接至主機板或製造於SoC晶粒內之其他組件。此等其他組件包括(但不限於)依電性記憶體1110 (例如，DRAM)、非依電性記憶體1112 (例如，ROM或快閃記憶體)、圖形處理單元1114 (GPU)、數位信號處理器1116、密碼處理器1142 (在硬體內執行密碼演算法之專用處理器)、晶片組1120、天線1122、顯示器或觸控式螢幕顯示器1124、觸控式螢幕控制器1126、電池1129或其他電源、功率放大器(未圖示)、全球定位系統(GPS)裝置1128、羅盤1130、運動共處理器或感測器1132 (可包括加速度計、陀螺儀及羅盤)、揚聲器1134、攝影機1136、使用者輸入裝置1138 (諸如鍵盤、滑鼠、手寫筆及觸控板)及大容量儲存裝置1140 (諸如，硬碟機、緊密光碟(CD)、數位多功能光碟(DVD)等)。
通訊晶片1108實現無線通訊以用於將資料傳送至計算裝置1100以及自計算裝置1100傳送資料。術語「無線」及其衍生詞可用以描述可經由非固體媒體經由使用經調變電磁輻射來傳達資料之電路、裝置、系統、方法、技術、通訊頻道等。該術語並不暗示相關聯裝置不含有任何導線，但在一些實施例中該等裝置可能不含有導線。通訊晶片1108可實施數個無線標準或協定中之任一者，包括(但不限於) Wi-Fi (IEEE 802.11系列)、WiMAX (IEEE 802.16系列)、IEEE 802.20、長期演進(LTE)、Ev-DO、HSPA+、HSDPA+、HSUPA+、EDGE、GSM、GPRS、CDMA、TDMA、DECT、藍芽、其衍生協定以及指明為3G、4G、5G及超過5G之任何其他無線協定。計算裝置1100可包括多個通訊晶片1108。舉例而言，第一通訊晶片1108可專用於較短距離無線通訊(諸如，Wi-Fi及藍芽)，且第二通訊晶片1108可專用於較長距離無線通訊(諸如，GPS、EDGE、GPRS、CDMA、WiMAX、LTE、Ev-DO及其他)。
術語「處理器」可指任何裝置或裝置之部分，該裝置處理來自暫存器及/或記憶體之電子資料以將彼電子資料轉變成可儲存於暫存器及/或記憶體中之其他電子資料。在各種實施中，計算裝置1100可為膝上型電腦、迷你筆記型電腦、筆記型電腦、超級本電腦、智慧型電話、平板電腦、個人數位助理(PDA)、超行動PC、行動電話、桌上型電腦、伺服器、印表機、掃描儀、監視器、機上盒、娛樂控制單元、數位攝影機、攜帶型音樂播放器或數位視訊記錄器。在其他實施中，計算裝置1100可為處理資料之任何其他電子裝置。
在一個實施中，封裝裝置包含封裝材料、配置於封裝材料內之一或多個積體電路(IC)晶粒，及耦接至一或多個IC晶粒且配置於封裝材料中或封裝材料上之第一基板，其中該第一基板之相對側壁至少部分地界定自第一基板之第一側延伸且穿過該第一基板之凹陷結構，該凹陷結構用以容納包括另一IC晶粒之單元。封裝裝置進一步包含：第一硬體介面，其將封裝裝置耦接至第二裝置，該第一硬體介面包括配置於第一基板之第一側上的第一觸點；及第二硬體介面，其將一或多個IC晶粒耦接至其他IC，該第二硬體介面包括配置於凹陷結構中之第二觸點。
在另一實施例中，凹陷結構形成自第一基板之第一側延伸且穿過該第一基板之孔。在另一實施例中，封裝裝置進一步包含延伸跨越凹陷結構之第二基板，其中第二觸點配置於第二基板之一側上。在另一實施例中，封裝裝置進一步包含單元。在另一實施例中，單元之之部分跨越第一側之平面。在另一實施例中，第二基板包含插板。
在另一實施例中，第一基板包括插板。在另一實施例中，第一基板配置於封裝材料內。在另一實施例中，第二裝置為印刷電路板。在另一實施例中，第二裝置為封裝裝置。在另一實施例中，第二觸點配置於凹陷結構之底板上。在另一實施例中，第二觸點配置於凹陷結構之側壁上。在另一實施例中，當第二介面將耦接至單元時，單元之部分跨越第一側之平面。
在另一實施中，用於製造封裝裝置之方法包含：將第一基板耦接至一或多個積體電路(IC)晶粒；將一或多個IC晶粒封裝於封裝材料中，其中封裝材料配置於第一基板上；及形成自第一基板之第一側延伸且穿過該第一基板之凹陷結構，其中第一基板之相對側壁至少部分地界定凹陷結構。方法進一步包含將第一硬體介面之第一觸點配置於第一基板之第一側上，及將第二硬體介面之第二觸點配置於凹陷結構中。
在實施例中，形成凹陷結構包括形成自第一基板之第一側延伸且穿過該第一基板之孔。在另一實施例中，將第二觸點配置於凹陷結構中包括將第二觸點配置於延伸跨越凹陷結構之第二基板上。在另一實施例中，第二基板包含插板。在另一實施例中，第一基板包括插板。在另一實施例中，第二裝置為印刷電路板。在另一實施例中，第二裝置為封裝裝置。在另一實施例中，配置第二觸點包括將一或多個觸點配置於凹陷結構之底板上。在另一實施例中，配置第二觸點包括將一或多個觸點配置於凹陷結構之側壁上。在另一實施例中，方法進一步包含將單元耦接至第二觸點，該單元包括另一IC晶粒，其中，當單元耦接至第二觸點時，單元之部分延伸跨越第一側之平面。
在另一實施中，系統包含第一封裝裝置，該第一封裝裝置包括：封裝材料、配置於封裝材料內之一或多個積體電路(IC)晶粒，及耦接至一或多個IC晶粒且配置於封裝材料中或封裝材料上之第一基板，其中該第一基板之相對側壁至少部分地界定自第一基板之第一側延伸且穿過該第一基板之凹陷結構，該凹陷結構用以容納包括另一IC晶粒之單元。第一封裝裝置進一步包含：第一硬體介面，其包括配置於第一基板之第一側上的第一觸點；及第二硬體介面，其將一或多個IC晶粒耦接至其他IC，該第二硬體介面包括配置於凹陷結構中的第二觸點。系統進一步包含經由第一硬體介面耦接至第一封裝裝置的印刷電路板。
在實施例中，第一封裝裝置進一步包含延伸跨越凹陷結構之第二基板，其中第二觸點配置於第二基板之一側上。在另一實施例中，第一封裝裝置進一步包含單元。在另一實施例中，單元之之部分跨越第一側之平面。在另一實施例中，系統進一步包含經由第二觸點耦接至第一封裝裝置之第二封裝裝置。在另一實施例中，凹陷結構形成自第一基板之第一側延伸且穿過該第一基板之孔。在另一實施例中，第一基板包括插板。在另一實施例中，第一基板配置於封裝材料內。在另一實施例中，第二觸點配置於凹陷結構之底板上。在另一實施例中，第二觸點配置於凹陷結構之側壁上。
用於提供封裝裝置之技術及架構在本文中得以描述。在以上描述中，出於解釋之目的，闡述眾多特定細節以便提供對某些實施例之透徹理解。然而，熟習此項技術者將顯而易見，可在無此等特定細節的情況下實踐某些實施例。在其他情況下，結構及裝置係以方塊圖形式展示以便避免混淆描述。
本說明書中提及「一個實施例」或「一實施例」意謂結合該實施例描述之特定特徵、結構或特性包括於本發明之至少一個實施例中。本說明書中之各種地方處出現的片語「在一個實施例中」未必皆係指同一實施例。
本文之詳細描述的一些部分係在對電腦記憶體內之資料位元之操作的演算法及符號表示方面呈現。此等演算法描述及表示為藉由熟習計算之技術者用以將其工作之主旨最有效地傳達至其他熟習此項技術者的方式。演算法在此且大體上構想為產生所要結果之步驟的自一致序列。步驟為要求實體量之實體操縱的步驟。通常(儘管未必)，此等量呈能夠經儲存、傳送、組合、比較及以其他方式操縱之電氣信號或磁信號之形式。主要出於常用的原因，已證實將此等信號稱為位元、值、要素、符號、字符、術語、數字或其類似者時常為便利的。
然而，應牢記，所有此等及類似術語與適當實體量相關聯，且僅僅為應用於此等量之便利標記。除非另外特別規定，否則如自本文之論述顯而易見，應瞭解，遍及描述，利用諸如「處理」或「計算」或「運算」或「判定」或「顯示」或其類似者之術語的論述指代電腦系統或類似電子計算裝置之如下行動及處理程序：將表示為電腦系統之暫存器及記憶體內之實體(電子)量的資料操縱並轉變為類似地表示為電腦系統記憶體或暫存器或其他此資訊儲存器、傳輸或顯示裝置內之實體量之其他資料。
某些實施例亦係關於用於執行本文之操作的設備。此設備可經特別建構以用於所要求目的，或其可包含藉由儲存於電腦中之電腦規劃選擇性地啟動或重組配的通用電腦。此電腦規劃可儲存於電腦可讀儲存媒體中，諸如(但不限於)任何類型之磁碟，包括軟性磁碟、光碟、CD-ROM及磁光碟片、唯讀記憶體(ROM)、隨機存取記憶體(RAM) (諸如，動態RAM (DRAM))、EPROM、EEPROM、磁卡或光卡，或適於儲存電子指令並耦接至電腦系統匯流排的任何類型之媒體。
本文中所呈現之演算法及顯示器並非固有地與任何特定電腦或其他設備相關。各種通用系統可根據本文中之教示與規劃一起使用，或其可證明為便於建構更專門的設備以執行所要求之方法步驟。用於多種此等系統之所要求結構將自本文中之描述呈現。另外，某些實施例並未參考任何特定規劃語言來描述。應瞭解，多種規劃語言可用以實施如本文中所描述之此等實施例的教示。
除本文中所描述之內容外，亦可在不脫離所揭示之實施例及其實施之範疇的情況下對其進行各種修改。因此，本文中之說明及實例應以例示性意義而非限制性意義來解釋。本發明之範疇應僅參考下文之申請專利範圍量測。
100、300‧‧‧系統
110、510、650‧‧‧總成
112、312、412、512、550、560、612、632‧‧‧封裝材料
114、314、354、414、434、514a、514b、614、634‧‧‧基板
116、152、316、464、516a、516b、616、664、702、722、742‧‧‧側
118、124、318、324、356、418、462、518a、518b、532、618、624、638、662、704、712、732、744、754‧‧‧觸點
120、320、752‧‧‧凹陷結構
122a、122b、322、726、730、750‧‧‧邊緣
150、530‧‧‧單元
200‧‧‧方法
210、220、230、240、250‧‧‧區塊
310、350、430、450、610、630、700、720、740‧‧‧封裝裝置
400、401、402、403、404、500、540、570、600、640、670‧‧‧階段
405‧‧‧線接合
426、626、1102‧‧‧積體電路晶粒
428、528、628‧‧‧組件
436、526、636‧‧‧積體電路晶粒堆疊
460、660‧‧‧印刷電路板
520、620‧‧‧凹陷區域
522‧‧‧側壁
536‧‧‧特殊應用積體電路
710‧‧‧內部邊緣
800、1100‧‧‧計算裝置
802‧‧‧板
804、902‧‧‧處理器
806、1108‧‧‧通訊晶片
900‧‧‧電腦系統
904‧‧‧主記憶體
906‧‧‧靜態記憶體
908‧‧‧網路介面裝置
910‧‧‧視訊顯示單元
912‧‧‧文數字輸入裝置
914‧‧‧游標控制裝置
916‧‧‧信號產生裝置
918‧‧‧輔助記憶體
920‧‧‧網路
922‧‧‧軟體
926‧‧‧處理邏輯
930‧‧‧匯流排
932‧‧‧機器可存取儲存媒體
1000‧‧‧插板
1004‧‧‧第二基板
1006‧‧‧球狀柵格陣列
1008‧‧‧金屬互聯件
1010‧‧‧通孔
1012‧‧‧矽穿孔
1014‧‧‧嵌式裝置
1104‧‧‧中央處理單元
1106‧‧‧晶粒上記憶體
1110‧‧‧依電性記憶體
1112‧‧‧非依電性記憶體
1114‧‧‧圖形處理單元
1116‧‧‧數位信號處理器
1120‧‧‧晶片組
1122‧‧‧天線
1124‧‧‧觸控式螢幕顯示器
1126‧‧‧觸控式螢幕控制器
1128‧‧‧全球定位系統(GPS)裝置
1129‧‧‧電池
1132‧‧‧感測器
1134‧‧‧揚聲器
1136‧‧‧攝影機
1138‧‧‧使用者輸入裝置
1140‧‧‧大容量儲存裝置
1142‧‧‧密碼處理器
z1、z2‧‧‧間隙高度
在附圖之圖式中藉助於實例且並非以限制之方式來說明本發明之各種實施例，且其中：
圖1為根據實施例之用於提供至封裝IC晶粒之連接之系統的透視圖。
圖2為根據實施例之說明用於製造封裝裝置之方法的要素的流程圖。
圖3為根據實施例之用於在封裝裝置之間提供連接之系統的透視圖。
圖4A、圖4B展示根據實施例之說明製造封裝裝置之操作的橫截面圖。
圖5展示根據實施例之說明製造封裝裝置之操作的橫截面圖。
圖6展示根據實施例之說明連接封裝裝置之電路之操作的橫截面圖。
圖7為根據實施例之說明封裝裝置之元件的側視圖。
圖8說明根據一個實施例之計算裝置。
圖9說明根據實施例之例示性電腦系統的方塊圖。
圖10為實施一或多個實施例之插板。
圖11為根據實施例而建置之計算裝置。
100‧‧‧系統
110‧‧‧總成
112‧‧‧封裝材料
114‧‧‧基板
116、152‧‧‧側
118、124‧‧‧觸點
120‧‧‧凹陷結構
122a、122b‧‧‧邊緣
150‧‧‧單元

Claims (23)

  1. 一種封裝裝置，包含： 一封裝材料； 一或多個積體電路(IC)晶粒，配置於該封裝材料內； 一第一基板，耦接至該一或多個IC晶粒且配置於該封裝材料中或該封裝材料上，其中該第一基板之相對側壁至少部分地界定自該第一基板之一第一側延伸且穿過該第一基板之一凹陷結構，該凹陷結構用以容納包括另一IC晶粒之一單元； 一第一硬體介面，其將該封裝裝置耦接至一第二裝置，該第一硬體介面包括配置於該第一基板之該第一側上的第一觸點；以及 一第二硬體介面，其將該一或多個IC晶粒耦接至該另一IC，該第二硬體介面包括配置於該凹陷結構中之第二觸點。
  2. 如請求項1之封裝裝置，其中該凹陷結構形成自該第一基板之該第一側延伸且穿過該第一基板之一孔。
  3. 如請求項1之封裝裝置，其進一步包含延伸跨越該凹陷結構之一第二基板，其中該等第二觸點配置於該第二基板之一側上。
  4. 如請求項3之封裝裝置，其進一步包含該單元。
  5. 如請求項4之封裝裝置，其中該單元之一部分跨越該第一側之一平面。
  6. 如請求項3之封裝裝置，其中該第二基板包含一插板。
  7. 如請求項1之封裝裝置，其中該第一基板包括一插板。
  8. 如請求項1之封裝裝置，其中該第一基板配置於該封裝材料內。
  9. 如請求項1之封裝裝置，其中該第二裝置為一印刷電路板。
  10. 如請求項1之封裝裝置，其中該第二裝置為一封裝裝置。
  11. 如請求項1之封裝裝置，其中該等第二觸點配置於該凹陷結構之一底板上。
  12. 如請求項1之封裝裝置，其中該等第二觸點配置於該凹陷結構之一側壁上。
  13. 如請求項1之封裝裝置，其中，當該第二介面係耦接至該單元時，該單元之一部分跨越該第一側之一平面。
  14. 一種用於製造一封裝裝置之方法，該方法包含： 將一第一基板耦接至一或多個積體電路(IC)晶粒； 將該一或多個IC晶粒封裝於一封裝材料中，其中該封裝材料配置於該第一基板上； 形成自該第一基板之一第一側延伸且穿過該第一基板之一凹陷結構，其中該第一基板之相對側壁至少部分地界定該凹陷結構； 將一第一硬體介面之第一觸點配置於該第一基板之該第一側上；以及 將一第二硬體介面之第二觸點配置於該凹陷結構中。
  15. 如請求項14之方法，其中形成該凹陷結構包括形成自該第一基板之該第一側延伸且穿過該第一基板之一孔。
  16. 如請求項14之方法，其中將該等第二觸點配置於該凹陷結構中包括將該等第二觸點配置於延伸跨越該凹陷結構之一第二基板上。
  17. 如請求項14之方法，其中配置該等第二觸點包括將一或多個觸點配置於該凹陷結構之一底板上。
  18. 如請求項14之方法，其中配置該等第二觸點包括將一或多個觸點配置於該凹陷結構之一側壁上。
  19. 如請求項14之方法，進一步包含將一單元耦接至該等第二觸點，該單元包括另一IC晶粒，其中，當該單元耦接至該等第二觸點時，該單元之一部分延伸跨越該第一側之一平面。
  20. 一種系統，包含： 一第一封裝裝置，包括： 一封裝材料； 一或多個積體電路(IC)晶粒，配置於該封裝材料內； 一第一基板，耦接至該一或多個IC晶粒且配置於該封裝材料中或該封裝材料上，其中該第一基板之相對側壁至少部分地界定自該第一基板之一第一側延伸且穿過該第一基板的一凹陷結構，該凹陷結構用以容納包括另一IC晶粒之一單元； 一第一硬體介面，包括配置於該第一基板之該第一側上的第一觸點；以及 一第二硬體介面，其將該一或多個IC晶粒耦接至該另一IC，該第二硬體介面包括配置於該凹陷結構中之第二觸點；以及 一印刷電路板，經由該第一硬體介面耦接至該第一封裝裝置。
  21. 如請求項20之系統，該第一封裝裝置進一步包含延伸跨越該凹陷結構之一第二基板，其中該等第二觸點配置於該第二基板之一側上。
  22. 如請求項20之系統，進一步包含該單元，其中該單元為經由該等第二觸點耦接至該第一封裝裝置之一第二封裝裝置。
  23. 如請求項20之系統，其中該凹陷結構形成自該第一基板之該第一側延伸且穿過該第一基板之一孔。
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