TW201723617A

TW201723617A - 液晶顯示元件

Info

Publication number: TW201723617A
Application number: TW105126547A
Authority: TW
Inventors: Shinji Ogawa; Yoshinori Iwashita; Makoto Negishi
Original assignee: Dainippon Ink & Chemicals
Priority date: 2015-08-21
Filing date: 2016-08-19
Publication date: 2017-07-01
Also published as: CN107615146B; CN107615146A; KR20180044229A; WO2017033700A1; JP6179683B2; JPWO2017033700A1

Abstract

本發明之課題在於提供一種介電異向性(Δε)、黏度(η)、向列相-等向性液體之轉移溫度(Tni)、低溫下之向列相穩定性、旋轉黏度(γ 1)等作為液晶顯示元件之各特性優異，且使用有「藉由用於具備光配向膜之水平配向方式的液晶顯示元件而可實現優異之顯示特性」之p型液晶組成物的液晶顯示元件。本發明藉由含有1種或2種以上通式(P)所表示之化合物，並含有1種或2種以上通式(ii)所表示之化合物、1種或2種以上通式(iii)所表示之化合物、及1種或2種以上通式(iv)所表示之化合物，而提供維持該液晶組成物之高速響應性並且低溫穩定性優異之液晶顯示元件。

Description

液晶顯示元件

本發明係關於一種使用作為液晶顯示材料有用之介電異向性(Δε)顯示正值之向列型液晶組成物之液晶顯示元件。

目前，作為智慧型手機用之液晶顯示器，廣泛使用高品質、視覺特性優異之橫向配向方式，例如IPS(In-Plane Switching)模式或該IPS之液晶顯示元件的一個種類即邊界電場切換模式液晶顯示元件(Fringe Field Switching mode Liquid Crystal Display，FFS模式液晶顯示裝置)(參閱專利文獻1、專利文獻2)。FFS模式係為了改善IPS模式之低開口率及穿透率而導入之方式。現今，作為於横向配向方式之液晶顯示裝置中所使用之液晶組成物，就容易低電壓化之方面而言廣泛使用利用有介電異向性為正之p型液晶組成物之材料。又，由於FFS模式之大部分用途為行動終端，因此強烈要求進一步之省電化，液晶元件製造商正持續積極地進行使用IGZO之陣列之採用等開發。

[先前技術文獻] [專利文獻]

[專利文獻1]日本特開平11-202356號公報

[專利文獻2]日本特開2003-233083號公報

如上述專利文獻1及2所記載，IPS模式或FFS模式等横向配向方式之電極雖然形成為「形成於單側之基板表面之多個短條狀之電極平行排列，且於上述基板表面之整個面被覆有配向膜」之結構，但形成為「在液晶顯示元件中，於液晶組成物所接觸的該單側之基板表面存在無數個凹凸」之結構。由於此結構上之特點，產生了以下問題：變得容易產生液經組成物之配向上的混亂，且於將液晶組成物塗布至基板上時會形成滴加不均等。

由此，於藉由TFT元件等驅動之主動矩陣驅動液晶顯示元件所使用之液晶組成物中，除了一面維持高速響應性能等作為液晶顯示元件所要求之特性或性能，一面具有自先前起一直重視之高比電阻值或高電壓保持率，或者對光或熱等外部刺激較穩定之特性以外，要求考慮到液晶顯示元件之製造方法之開發。

因此，本發明之課題在於解決上述問題點，提供一種介電異向性(Δε)、黏度(η)、向列相-等向性液體之轉移溫度(Tni)、低溫下之向列相穩定性、旋轉黏度(γ 1)等作為液晶顯示元件之各特性優異，且使用有「藉由用於具備光配向膜之水平配向方式的液晶顯示元件而可實現優異之顯示特性」之p型液晶組成物的液晶顯示元件。

本發明之另一課題在於提供一種使用有「藉由用於具備配向限制力提高之配向膜的水平配向方式的液晶顯示元件而可實現優異之顯示特性」之p型液晶組成物的液晶顯示元件。

本案發明人等為了解決上述課題而努力研究，研究了水平配向方式之液晶顯示元件之構成及對其而言最佳之各種液晶組成物或配向膜之構成，結果完成本案發明。

本發明之液晶顯示元件由於對比度、比電阻及電壓保持率因熱或光而受到之變化極小，因此製品之實用性高，可達成高速響應。

本發明之液晶組成物於所使用之液晶顯示元件之製造步驟中可穩定地發揮性能，故而由步驟引起之顯示不良受到抑制而可高產率地進行製造，因此非常有用。

本發明之液晶顯示元件可使用低溫穩定性及高速響應性優異之液晶組成物。

本發明可提供一種具備液晶分子之配向限制力提高之光配向膜之液晶顯示元件。

本發明之液晶顯示元件由於使用含有聚合性單體之液晶組成物，因此可實現配向限制力優異之高對比度。

1a‧‧‧液晶分子

1b‧‧‧聚合性單體

1c‧‧‧聚合性單體聚合而得之聚合物

100‧‧‧第1基板

102‧‧‧TFT層

103‧‧‧像素電極

104‧‧‧鈍化膜

105‧‧‧第1配向膜

200‧‧‧第2基板

201‧‧‧平坦化膜(保護層)

202‧‧‧黑矩陣

203‧‧‧彩色濾光片

204‧‧‧透明電極

205‧‧‧第2配向膜

301‧‧‧密封材料

302‧‧‧突起(柱狀間隔件)

303‧‧‧液晶層

304‧‧‧突起(柱狀間隔件)

401‧‧‧遮罩圖案

402‧‧‧樹脂層

L‧‧‧光

1，8‧‧‧偏光板

2‧‧‧第一基板

3‧‧‧電極層

4‧‧‧配向膜

5‧‧‧液晶層

6‧‧‧彩色濾光片

6G‧‧‧彩色濾光片綠

6R‧‧‧彩色濾光片紅

6B‧‧‧彩色濾光片藍

7‧‧‧第二基板

10‧‧‧液晶顯示元件

11‧‧‧閘極電極

12‧‧‧閘極絕緣膜

13‧‧‧半導體層

14‧‧‧絕緣層

15‧‧‧歐姆接觸層

16‧‧‧汲極電極

17‧‧‧源極電極

18‧‧‧絕緣保護層

21‧‧‧像素電極

22‧‧‧共用電極

23‧‧‧儲存電容器

24‧‧‧汲極電極

25‧‧‧資料配線

27‧‧‧源極配線

29‧‧‧共用線

30‧‧‧緩衝層

圖1係示意性表示本發明之液晶顯示元件之構成之一例之圖。

圖2係將圖1中形成於基板2上之電極層3之以II線圍成之區域放大而得之俯視圖。

圖3係沿圖2中之III-III線方向將圖1所示之液晶顯示元件切斷而得之剖面圖。

圖4係圖2之變化例，為將圖1中形成於基板2上之電極層3之以II線圍成之區域放大而得之俯視圖。

圖5係沿圖4中之III-III線方向將圖1所示之液晶顯示元件切斷而得之剖面圖。

圖6係示意性表示本發明之液晶顯示元件中之電極結構之俯視圖。

圖7係示意性表示圖6之虛線部VII之區域中之液晶層聚合前後之情況之俯視圖。

圖8係示意性表示圖6之虛線部VII之區域中，本發明之液晶顯示元件中所使用之較佳的液晶層之驅動狀態的俯視圖。

本案發明係關於一種液晶顯示元件，其具有對向配置之第一基板及第二基板；液晶層，其被挾持於上述第一基板與上述第二基板之間並含有液晶組成物；第一電極，其設置於上述第一基板上；第二電極，其設置於與上述第一電極相同之基板上，與上述第一電極之間生成電場；配向膜，設置於上述第一基板上並使液晶層配向；聚合性物質之聚合物，其於上述第一基板和上述第二基板之間，並和上述配向膜不同；上述聚合性物質含有1種或2種以上通式(P)所表示之化合物，上述液晶組成物含有1種或2種以上通式(ii)所表示之化合物、1種或2種以上通式(iii)所表示之化合物、及1種或2種以上通式(iv)所表示之化合物。

(式中，R^P1表示式(P-1)至式(P-20)中之任一者，

Sp^P1表示1個-CH₂-或未鄰接之2個以上之-CH₂-亦可分別獨立地被取代為-O-、-COO-、-OCO-或-OCO-O-之碳原子數1至20之伸烷基，X^P1表示-CO-、-COO-、-OCO-或單鍵，A^P1、A^P2及A^P3分別獨立地表示選自由

(a)1,4-伸環己基(存在於該基中之1個-CH₂-或未鄰接之2個以上之-CH₂-亦可被取代為-O-)

(b)1,4-伸苯基(存在於該基中之1個-CH=或未鄰接之2個以上之-CH=亦可被取代為-N=)，及

(c)萘-2,6-二基、1,2,3,4-四氫萘-2,6-二基、十氫萘-2,6-二基、蔥-2,6-二基或菲-2,7-二基、(萘-2,6-二基或1,2,3,4-四氫萘-2,6-二基中所存在之1個-CH=或未鄰接之2個以上之-CH=亦可被取代為-N=)

所組成之群中的基，上述基(a)、基(b)及基(c)亦可分別獨立地經氰基、氟原子、氯原子或R^P2-Sp^P2-X^P2-(式中，R^P2表示與R^P1相同涵義，但可與R^P1相同亦可不同，Sp^P2表示與Sp^P1相同涵義，但可與Sp^P1相同亦可不同，X^P2表示與X^P1相同涵義，但可與X^P1相同亦可不同)，於存在多個A^P2之情形，其等可相同亦可不同，Z^P1及Z^P2分別獨立地表示單鍵、-CH₂CH₂-、-(CH₂)₄-、-OCH₂-、-CH₂O-、-COO-、-OCO-、-OCF₂-、-CF₂O-、-CH=N-N=CH-、-CH=CH-、-CF=CF-或-C≡C-，於存在多個Z^P1之情形，其等可相同亦可不同， Y^P1表示氫原子、氟原子、氯原子、溴原子、氰基、硝基、碳原子數1至12之烷基或-X^P3-Sp^P3-R^P3(式中，R^P3表示與R^P1相同涵義，但可與R^P1相同亦可不同，Sp^P3表示與Sp^P1相同涵義，但可與Sp^P1相同亦可不同，X^P3表示與X^P1相同涵義，但可與X^P1相同亦可不同)

(式中，Rⁱⁱ¹、Rⁱⁱⁱ¹及R^iv1分別獨立地表示碳原子數1~8之烷基，該烷基中之1個或非鄰接之2個以上之-CH₂-亦可分別獨立地被-CH=CH-、-C≡C-、-O-、-CO-、-COO-或-OCO-取代，Xⁱⁱⁱ¹~Xⁱⁱⁱ⁴、X^iv1~X^iv9及X^v1~X^v9分別獨立地表示氫原子、氟原子或氯原子，Y^iv1及Y^v1分別獨立地表示氟原子、氯原子、-CF₃或-OCF₃)

關於本發明之液晶顯示元件之結構及該液晶顯示元件之構成要素即基板和電極層，使用圖1~8進行說明。繼而，對液晶顯示元件之構成要素即液晶層及聚合物進行詳細說明。

以下，基於圖式，對本發明之液晶顯示元件之一實施形態進行說明。

圖1係示意性表示液晶顯示元件之構成之圖。於圖1中，為了進行說明，方便起見而將各構成要素隔開記載。本發明之液晶顯示元件10之構成如圖1所記載，其特徵在於：為具有挾持於對向配置之第一(透明絕緣)基板2與第二(透明絕緣)基板7之間之液晶組成物(或液晶層5)之水平配向模式之液晶顯示元件，且使用上述本發明之液晶組成物作為該液晶組成物。第一(透明絕緣)基板2於液晶層5側之面形成有電極層3。又，於液晶層5與第一(透明絕緣)基板2及第二(透明絕緣)基板7之各自之間具有與構成液晶層5之液晶組成物直接抵接而引起水平配向(homogeneous alignment)之一對光配向膜4，該液晶組成物中之液晶分子於未施加電壓時以相對於上述基板2、7大致平行之方式而配向。如圖1及圖3所示，上述第二基板7及上述第一基板2可由一對偏光板1、8所挾持。進而，於圖1中，於上述第二基板7與配向膜4之間設置有彩色濾光片6。再者，作為本發明之液晶顯示元件之形態，可為所謂之整合式彩色濾光片(COA)，亦可於含有薄膜電晶體之電極層與液晶層之間設置彩色濾光片、或於該含有薄膜電晶體之電極層與第二基板之間設置彩色濾光片。

又，於圖1~8中，於說明方面作為本發明之液晶顯示元件之較佳之實施形態，記載有於液晶層5與第一基板2之間及液晶層5與上述第二基板7之間分別於第一基板及第二基板上形成有光配向膜4之例，但本發明之液晶顯示元件較佳為於第一基板2或第二基板7上之至少一者形成有光配向膜4。

例如，於在液晶層5與第一基板2之間光配向膜4以與液晶層5抵接之方式形成於上述第一基板2上之情形時，不於液晶層5與第二基板7之間另行設置配向膜，較佳為形成光配向膜或摩擦配向膜，更佳為形成光配向膜。

即，本發明之液晶顯示元件10較佳為依序積層第一偏光板1、第一基板2、含有薄膜電晶體之電極層3、(第一)配向膜4、含有液晶組成物之液晶層5、(第二)配向膜4、彩色濾光片6、第二基板7、及第二偏光板8而得之構成。

第一基板2與第二基板7可使用玻璃或如塑膠般具有柔軟性之透明之材料，亦可其中一者為矽等不透明之材料。兩片基板2、7係藉由配置於周邊區域之環氧系熱硬化性組成物等密封材料及封閉材料而貼合，為了保持基板間距，例如可於其間配置玻璃粒子、塑膠粒子、氧化鋁粒子等粒狀間隔件或藉由光微影法形成之由樹脂構成之間隔柱。本發明之基板較佳為含有透明導電性材料。

圖2為將圖1中形成於基板2上之電極層3之以II線圍成之區域放大而得之俯視圖。圖3為沿圖2中之III-III線方向將圖1所示之液晶顯示元件切斷而得之剖面圖。又，圖2及圖3係記載有FFS模式之例子來作為本發明之水平配向方式之液晶顯示元件的一例。另一方面，後述之圖4及圖5係記載有IPS模式之例子來作為本發明之水平配向方式之液晶顯示元件的一例。如圖2所示，形成於第一基板2之表面之含有薄膜電晶體之電極層3係用以供給掃描訊號之多個閘極匯流排線26與用以供給顯示訊號之多個資料匯流排線25互相交叉而配置為矩陣狀。再者，於圖2中僅示出一對閘極匯流排線26及一對資料匯流排線25。

利用由多個閘極匯流排線26與多個資料匯流排線25圍成之區域而形成液晶顯示裝置之單位像素，於該單位像素內形成有像素電極21及共用電極22。於閘極匯流排線26與資料匯流排線25相互交叉之交叉部附近設置有包含源極電極27、汲極電極24及閘極電極28之薄膜電晶體。該薄膜電晶體作為向像素電極21供給顯示訊號之開關元件而與像素電極21連結。又，與閘極匯流排線26平行而設置有共用線29。該共用線29為了向共用電極22供給共用訊號而與共用電極22連結。

薄膜電晶體之結構之較佳之一態樣例如如圖3所示，具有：形成於基板2表面之閘極電極11；以覆蓋該閘極電極11且覆蓋上述基板2之大致整個面之方式設置之閘極絕緣層12；以與上述閘極電極11對向之方式形成於上述閘極絕緣層12之表面之半導體層13；以覆蓋上述半導體層13之表面之一部分之方式設置之保護層14；以覆蓋上述保護層14及上述半導體層13之其中一者之側端部且與形成於上述基板2表面之上述閘極絕緣層12接觸之方式設置之汲極電極16；以覆蓋上述保護層14及上述半導體層13之另一者之側端部且與形成於上述基板2表面之上述閘極絕緣層12接觸之方式設置之源極電極17；及以覆蓋上述汲極電極16及上述源極電極17之方式設置之絕緣保護層18。就消除與閘極電極之階差等理由而言，亦可於閘極電極11之表面形成陽極氧化覆膜(未圖示)。

上述半導體層13可使用非晶矽、多晶矽等，若使用ZnO、IGZO(In-Ga-Zn-O)、ITO等透明半導體膜，則可抑制由光吸收引起之光學載體之弊端，就增大元件之開口率之觀點而言亦較佳。

進而，為了減小肖特基能障之寬度或高度，亦可於半導體層13與汲極電極16或源極電極17之間分別設置歐姆接觸層15。歐姆接觸層可使用n型非晶矽或n型多晶矽等高濃度地添加有磷等雜質之材料。

閘極匯流排線26或資料匯流排線25、共用線29較佳為金屬膜，更佳為Al、Cu、Au、Ag、Cr、Ta、Ti、Mo、W、Ni或該等之合金，尤佳為使用Al或其合金之配線之情形。又，絕緣保護層18為具有絕緣功能之層，由氮化矽、二氧化矽、氮氧化矽膜等形成。

於圖2及圖3所示之實施形態中，共用電極22為形成於閘極絕緣層12上之大致整個面上之平板狀之電極，另一方面，像素電極21為形成於覆蓋共用電極22之絕緣保護層18上之梳形之電極。即，共用電極22係配置於較像素電極21更靠近第一基板2之位置，該等電極係介隔絕緣保護層18而互相重疊配置。像素電極21與共用電極22例如係由ITO(Indium Tin Oxide)、IZO(Indium Zinc Oxide)、IZTO(Indium Zinc Tin Oxide)等透明導電性材料所形成。由於像素電極21與共用電極22係由透明導電性材料所形成，因此單位像素面積中開口之面積變大，開口率及穿透率增加。

又，像素電極21與共用電極22為了於該等電極間形成邊緣電場，為以像素電極21與共用電極22之間之電極間距(亦稱為最小間隔距離)：R短於第一基板2與第二基板7之距離：G之方式形成。此處，電極間距：R表示相對於各電極間之基板為水平方向之距離。於圖3中，由於平板狀之共用電極22與梳形之像素電極21互相重疊，因此為了示出電極間距：R=0之例子，上述最小間隔距離：R小於第一基板2與第二基板7之距離(即，單元間隙)G，故而形成邊緣電場E。因此，FFS型液晶顯示元件可利用沿相對於形成像素電極21之梳形之線為垂直之方向形成之水平方向之電場與拋物線狀之電場。像素電極21之梳狀部分之電極寬度：l、及像素電極21之梳狀部分之間隙之寬度：m較佳為以可藉由所產生之電場來驅動液晶層5內之全部液晶分子之程度之寬度形成。

本發明之液晶顯示元件較佳為利用邊緣電場之FFS方式的液晶顯示元件，較佳為共用電極22與和該共用電極22鄰接之像素電極21的電極間距離R(相對於共用電極22與和該共用電極22鄰接之像素電極21的間隔距離之基板為水平方向之成分)比配向層4彼此(基板間距離)之最短間隔距離G短。在作為本發明之較佳之形態之FFS方式之液晶顯示元件之情形，若對「長軸方向配置成與配向層之配向方向平行」之液晶分子施加電壓，則於像素電極21與共用電極22之間拋物線形之電場之等電位線形成至像素電極21與共用電極22之上部，液晶層5內之液晶分子之長軸沿所形成之電場排列。尤其是由於本發明之液晶組成物使用具有正介電異向性之液晶分子，因此液晶分子之長軸方向沿所產生之電場方向排列。

本發明之液晶顯示元件中，較佳為共用電極及像素電極形成於相同基板上。例如較佳為如圖1~3所示，共用電極及像素電極形成於第一基板上。

就防止漏光之觀點而言，彩色濾光片6較佳為於對應於薄膜電晶體及儲存電容器23之部分形成黑矩陣(未圖示)。

於電極層3、及彩色濾光片6上與構成液晶層5之液晶組成物直接抵接而設置有引發水平配向之一對光配向膜4。

藉由將配向膜設為光配向膜，可減輕由摩擦不均引起之對液晶分子之配向限制力之降低或於摩擦時所產生之粉塵等課題，且可提供一種優異之穿透率特性之FFS方式之液晶顯示元件。

又，偏光板1及偏光板8可以調整各偏光板之偏光軸而使視角或對比度變得良好之方式進行調整，較佳為以該等之透過軸於常黑模式下作動之方式具有互相正交之透過軸。尤佳為偏光板1及偏光板8中之任一者以具有與液晶分子之配向方向平行之透過軸之方式配置。又，較佳為以對比度成為最大之方式調整液晶之折射率異向性Δn與單元厚度d之積。進而，亦使用用以擴大視角之相位差膜亦可。

進一步，本發明之液晶顯示元件之一個態樣較佳為：共用電極形成於第一基板之大致整個面，且配置於較像素電極更靠近第一基板側。即，本發明之液晶顯示元件之較佳之實施形態具有：對向配置之第一基板及第二基板；液晶層，其含有填充於上述第一基板與上述第二基板之間之液晶組成物；電極層，其於上述第一基板上每個像素具有含有透明導電性材料之共用電極、以矩陣狀配置之數個閘極匯流排線及資料匯流排線、設置於上述閘極匯流排線與資料匯流排線之交叉部之薄膜電晶體及含有透明導電性材料且由上述薄膜電晶體驅動而在與上述共用電極之間形成邊緣電場之像素電極；及光配向膜層，其分別形成於上述液晶層與上述第一基板及上述第二基板之間且引發水平配向，並且上述像素電極與共用電極之間之電極間距之水平成分R小於上述第一基板與第二基板之距離G，上述共用電極形成於上述第一基板之大致整個面，且配置於較像素電極更靠近第一基板側。再者，於作為本發明之一形態之圖2~3中示出共用電極形成於第一基板之大致整個面、且配置於較像素電極更靠近第一基板側之形態。

使用圖2~圖3進行說明之FFS型之液晶顯示元件為一例，只要不脫離本發明之技術思想，則可以其他各種形態實施。

以下使用圖4及圖5對本發明之液晶顯示元件之其他實施形態進行說明。圖4及圖5所示之液晶顯示元件係IPS型之液晶顯示元件。例如，圖4為將圖1中形成於基板2上之電極層3之以II線圍成之區域放大而得之俯視圖，為其他液晶顯示元件之實施形態。如圖4所示，像素電極21亦可採用具有狹縫之構成。又，可以相對於閘極匯流排線26或資料匯流排線25具有傾斜角之方式形成狹縫之圖案。

該圖4所示之像素電極21為以大致矩形框狀之切缺部打穿大致長方形之平板體之電極而成之形狀。又，於該像素電極21之背面整個面介隔絕緣層18(未圖示)而形成有梳齒狀之共用電極22。並且，鄰接之共用電極與像素電極之(最短)間隔距離R比配向層(或基板)彼此之最短間隔距離G長。又，較佳為上述像素電極之表面係由保護絕緣膜及配向膜層所被覆。再者，可於由上述多個閘極匯流排線25與多個資料匯流排線26圍成之區域介隔資料配線24而設置保存所供給之顯示訊號之儲存電容器(未圖示)。再者，切缺部之形狀並無特別限制，不僅可使用圖4所示之大致矩形。只要是如圖4所示之切缺部之配置，則由於切缺部之方向被設置成線對稱，因此可進行多區域化配向控制。

圖5為圖3之另一實施形態之液晶顯示元件的剖面圖，為於與圖2中之III-III線方向同樣的位置將圖1所示之液晶顯示元件切斷而得之剖面圖的其他例子。表面形成有配向層4及含有薄膜電晶體之電極層3之第一基板2與表面形成有配向層4之第二基板8係按照特定之間隔G以配向層彼此相向之方式隔開，於該空間填充有含有液晶組成物之液晶層5。於第一基板2表面之一部分依序積層有閘極絕緣膜12、共用電極22、絕緣膜18、像素電極21及配向層4。

又，於圖5所示之例子中，使用梳形或具有狹縫之共用電極22，為像素電極21與共用電極22之電極間距R不為0之條件。進而，於圖3中示出共用電極22形成於閘極絕緣膜12上之例子，但如圖5所示，亦可於第一基板2上形成共用電極22，並且介隔閘極絕緣膜12設置像素電極21。像素電極21之電極寬度：l、共用電極22之電極寬度：n、及電極間距：R較佳為適當調整為可藉由所產生之電場驅動液晶層5內之全部液晶分子之程度之寬度。又，本發明之液晶顯示元件較佳的一個形態為：電極間距：R比基板彼此之最短間距G要長(亦即，G<α)。於圖5中，像素電極21係設置於較共用電極22更靠近液晶層側，但可設為像素電極21與共用電極22為相同之厚度方向之高度，或亦可為將共用電極22設置於較像素電極21更靠近液晶層側之結構。作為將像素電極21與共用電極22設置為同一厚度方向之高度之實施形態，可如圖6之(A)所示般，列舉以可動嵌合之方式將像素電極21與共用電極22設置於同一基板上之結構。於本案說明書中，若像素電極21與共用電極22之電極間距之水平成分R比基板間距G長，則形成為IPS方式之液晶顯示元件，若上述R比上述G短，則稱為FFS方式之液晶顯示元件。

例如，較佳為如圖1、4及5所示，共用電極及像素電極形成於第一基板上。若於同一基板形成共用電極及像素電極，則於兩電極間產生相對於基板大致平行之電場。

本發明之液晶顯示元件較佳為相對於基板利用水平電場之 IPS方式的液晶顯示組成，若共用電極22與和上述共用電極22鄰接之像素電極21的間距之相對於基板的水平成分R比基板彼此(基板間距離)之最短間距D長，則於共用電極與像素電極之間形成水平電場，可利用電壓之有無來將液晶分子轉移至面內方向。於為本發明之較佳形態般之IPS方式的液晶顯示元件之情形，若對長軸方向配置成與配向層之配向方向平行的液晶分子施加電壓，則於像素電極21與共用電極22之間會形成相對於基板為水平電場之等電位線，液晶層5內之液晶分子的長軸會沿著所形成之電場配列。特別是，本發明之液晶組成物由於使用具有正的介電異向性之液晶分子，因此液晶分子之長軸方向沿著所產生之電場方向配列。

本發明之IPS模式的液晶顯示元件由於使用有特定之液晶組成物與特定之光配向膜，因此可兼具高速響應與顯示不良之抑制。

又，IPS或FFS模式等水平配向方式之液晶顯示元件於在第一基板2與第二基板7之間注入液晶層5時，例如進行真空注入法或滴加注入(ODF，One Drop Fill)法等方法，於本案發明中，可抑制於ODF法中將液晶組成物滴加至基板時之滴加痕之產生。再者，所謂滴加痕係定義為滴加液晶組成物形成之痕跡泛白地浮現之現象。

滴加痕之產生受到所注入之液晶材料而大幅影響，進而，顯示元件之構成對其之影響亦無法避免。於水平配向方式之液晶顯示元件中，於顯示元件中形成之薄膜電晶體、及梳形或具有狹縫之像素電極21等由於並不具備僅以較薄之配向膜4、或較薄之配向膜4與較薄之絕緣保護層18等隔開液晶組成物之構件，因此無法完全阻斷離子性物質之可能性較高，無法避免構成電極之金屬材料與液晶組成物之相互作用引起之滴加痕之產生，於水平配向方式之液晶顯示元件中，藉由將本案發明之液晶組成物及光配向膜組合使用，可有效地抑制滴加痕之產生。

又，於藉由ODF法進行之液晶顯示元件之製造步驟中，必須根據液晶顯示元件之尺寸滴加最佳之液晶注入量，本案發明之液晶組成物例如對滴加液晶時產生之滴加裝置內急遽之壓力變化或衝擊之影響較小，而可長時間穩定地持續滴加液晶，因此亦可將液晶顯示元件之產率保持為較高。尤其是多用於最近流行之智慧型手機中之小型液晶顯示元件由於最佳之液晶注入量較少，因此將自最佳值之偏離控制為一定範圍內一事本身較為困難，但藉由使用本案發明之液晶組成物，即便於小型液晶顯示元件中亦可實現穩定之液晶材料之噴出量。

以下對本發明之液晶顯示元件之其他構成要素進行詳細說明。

(液晶層)

本案液晶組成物含有1種或2種以上通式(ii)所表示之化合物、1種或2種以上通式(iii)所表示之化合物、及1種或2種以上通式(iv)所表示之化合物。

相對於本發明之組成物之總量，式(ii)所表示之化合物的較佳之含量之下限值為1%、2%、3%、5%、7%、10%。較佳之含量之上限值為相對於本發明之組成物的總量為20%、15%、13%、10%、8%、7%、6%、5%、3%。

通式(ii)所表示之化合物較佳為選自式(ii.1)至式(ii.3)所表示之化合物之群中之化合物，較佳為式(ii.2)或式(ii.3)所表示之化合物，特佳為式(ii.3)所表示之化合物。

相對於本發明之組成物之總量，式(ii.3)所表示之化合物的較佳之含量之下限值為1%、2%、3%、5%、7%、10%。較佳之含量之上限值為相對於本發明之組成物的總量為20%、15%、13%、10%、8%、7%、6%、5%、3%。

通式(iii)根據低溫下之溶解性、轉移溫度、電可靠性、雙折射率等所欲之性能而組合使用。所使用之化合物之種類，例如作為本發明之一個實施形態為1種、2種、3種以上。

相對於本發明之組成物之總量，式(iii)所表示之化合物的較佳之含量之下限值為1%、2%、5%、8%、10%、13%、15%、18%、20%、22%、25%、30%。較佳之含量之上限值為30%、28%、25%、23%、20%、18%、15%、13%、10%、8%、5%。

於將本發明之組成物之黏度保持為較低、需要響應速度較快之組成物之情形時，較佳為使上述下限值為低，且使上限值為低。進而，於將本發明之組成物之Tni保持為較高、需要溫度穩定性良好之組成物之情形時，較佳為使上述下限值為低，且上限值為低。又，於為了將驅動電壓保持為較低而欲增大介電異向性時，較佳為使上述下限值較高，且使上限值較高。

進而，通式(iii)所表示之化合物具體而言較佳為式(iii.1)至式(iii.4)所表示之化合物、較佳為式(iii.1)或式(iii.2)所表示之化合物、更佳為式(iii.2)所表示之化合物。又，同時使用式(iii.1)或式(iii.2)所表示之化合物亦佳。

相對於本發明之組成物之總量，式(iii.1)所表示之化合物的較佳之含量之下限值為1%、2%、5%、6%。較佳之含量之上限值為15%、13%、10%、8%、5%。

相對於本發明之組成物之總量，式(iii.2)所表示之化合物的較佳之含量之下限值為1%、2%、5%、6%。較佳之含量之上限值為30%、25%、23%、20%、18%、15%、13%、10%、8%。

相對於本發明之組成物之總量，式(iii.1)及式(iii.2)所表示之化合物的合計之較佳之含量之下限值為1%、2%、5%、6%。較佳之含量之上限值為30%、25%、23%、20%、18%、15%、13%、10%、8%。

本發明之組成物中所使用之通式(iv)較佳為考慮低溫下之溶解性、轉移溫度、電可靠性、雙折射率等而組合1種至2種以上。

通式(iv)所表示之化合物的含量於考慮低溫下之溶解性、轉移溫度、電可靠性、雙折射率等特性時，每實施形態具有上限值及下限值。

相對於本發明之組成物之總量，式(iv)所表示之化合物的較佳之含量之下限值為1%、2%、4%、5%、8%、10%、13%、15%、18%、20%。較佳之含量之上限值為20%、18%、15%、13%、10%、8%、5%。

進而，本發明之組成物中所使用之通式(iv)所表示之化合物具體而言較佳為式(iv.1)至式(iv.4)所表示之化合物，當中，較佳為含有式(iv.1)及/或式(iv.2)所表示之化合物。

相對於本發明之組成物之總量，式(iv.1)所表示之化合物的較佳之含量之下限值為1%、2%、4%、5%、8%、10%、13%、15%、18%、20%。較佳之含量之上限值為20%、18%、15%、13%、10%、8%、5%。

相對於本發明之組成物之總量，式(iv.2)所表示之化合物的較佳之含量之下限值為1%、2%、4%、5%、8%、10%、13%、15%、18%、20%。較佳之含量之上限值為20%、18%、15%、13%、10%、8%、5%。

相對於本發明之組成物之總量，式(iv.1)及式(iv.2)所表示之化合物的合計之較佳之含量之下限值為1%、2%、4%、5%、8%、10%、13%、15%、18%、20%。較佳之含量之上限值為20%、18%、15%、13%、10%、8%、5%。

本發明之組成物較佳為含有1種或2種以上通式(J)所表示之化合物。該等化合物相當於介電率為正之化合物(Δε大於2)。

(式中，R^J1表示碳原子數1~8之烷基，該烷基中之1個或非鄰接之2個以上之-CH₂-亦可分別獨立地被-CH=CH-、-C≡C-、-O-、-CO-、-COO-或-OCO-取代，n^J1表示0、1、2、3或4，A^J1、A^J2及A^J3分別獨立地表示選自由

(c)萘-2,6-二基、1,2,3,4-四氫萘-2,6-二基或十氫萘-2,6-二基(萘-2,6-二基或1,2,3,4-四氫萘-2,6-二基中所存在之1個-CH=或未鄰接之2個以上之-CH=亦可被取代為-N=)

所組成之群中之基，上述基(a)、基(b)及基(c)亦可分別獨立地被氰基、氟原子、氯原子、甲基、三氟甲基或三氟甲氧基取代，Z^J1及Z^J2分別獨立地表示單鍵、-CH₂CH₂-、-(CH₂)₄-、-OCH₂-、-CH₂O-、-OCF₂-、-CF₂O-、-COO-、-OCO-或-C≡C-，於n^J1為2、3或4而存在多個A^J2之情形，其等可相同亦可不同，於n^J1為2、3或4而存在多個Z^J1之情形，其等可相同亦可不同，X^J1表示氫原子、氟原子、氯原子、氰基、三氟甲基、氟甲氧基、二氟甲氧基、三氟甲氧基或2,2,2-三氟乙基，但不包含通式(iii)及(iv)所表示之化合物)

通式(J)中，R^J1較佳為碳原子數1~8之烷基、碳原子數1~8之烷氧基、碳原子數2~8之烯基或碳原子數2~8之烯氧基，較佳為碳原子數1~5之烷基、碳原子數1~5之烷氧基、碳原子數2~5之烯基或碳原子數2~5之烯氧基，更佳為碳原子數1~5之烷基或碳原子數2~5之烯基，更佳為碳原子數2~5之烷基或碳原子數2~3之烯基，特佳為碳原子數3之烯基(丙烯基)。

於重視可靠性之情形時，R^J1較佳為烷基，於重視黏性之降低之情形時，較佳為烯基。

又，於其所鍵結之環結構為苯基(芳香族)之情形時，較佳為直鏈狀之碳原子數1~5之烷基、直鏈狀之碳原子數1~4之烷氧基及碳原子數4~5之烯基，於其所鍵結之環結構為環己烷、吡喃及二烷等飽和之環結構之情形時，較佳為直鏈狀之碳原子數1~5之烷基、直鏈狀之碳原子數1~4之烷氧基及直鏈狀之碳原子數2~5之烯基。為了使向列相穩定化，較佳為碳原子及存在之情形時之氧原子之合計為5以下，且較佳為直鏈狀。

作為烯基，較佳為選自式(R1)至式(R5)之任一者所表示之基。(各式中之黑點表示烯基所鍵結之環結構中之碳原子)

於需要使Δn為大之情形時，A^J1、A^J2及A^J3較佳為分別獨立地為芳香族，為了改善響應速度，較佳為脂肪族，較佳表示反式-1,4-伸環己基、1,4-伸苯基、1,4-伸環己烯基、1,4-雙環[2.2.2]伸辛基、哌啶-1,4-二基、萘-2,6-二基、十氫萘-2,6-二基或1,2,3,4-四氫萘-2,6-二基，其等亦可被氟原子取代，更佳為表示下述結構，

更佳為表示下述結構。

Z^J1及Z^J2較佳為分別獨立地表示-CH₂O-、-OCH₂-、-CF₂O-、-CH₂CH₂-、-CF₂CF₂-或單鍵，更佳為-OCH₂-、-CF₂O-、-CH₂CH₂-或單鍵，特佳為-OCH₂-、-CF₂O-或單鍵。

X^J1較佳為氟原子或三氟甲氧基，較佳為氟原子。

n^J1較佳為0、1、2或3，較佳為0、1或2，於重點放在改善Δε之情形時，較佳為0或1，於重視Tni之情形時，較佳為1或2。

可組合之化合物之種類並無特別限制，根據低溫下之溶解性、轉移溫度、電可靠性、雙折射率等所欲之性能而組合使用。所使用之化合物之種類例如作為本發明之一實施形態為一種、兩種、三種。又進而，於本發明之另一實施形態中為四種、五種、六種、七種以上。

本發明之組成物中，通式(J)所表示之化合物的含量必須根據低溫下之溶解性、轉移溫度、電可靠性、雙折射率、製程相容性、滴加痕、殘像、介電異向性等所要求之性能進行適當調整。

相對於本發明之組成物之總量，通式(J)所表示之化合物的較佳之含量之下限值為1%、10%、20%、30%、40%、50%、55%、60%、65%、70%、75%、80%。例如於本發明之一形態中，較佳之含量之上限值為相對於本發明之組成物的總量為95%、85%、75%、65%、55%、45%、35%、25%。

於重視可靠性之情形時，R^J1較佳為烷基，於重視降低黏性之情形時，較佳為烯基。

作為通式(J)所表示之化合物，較佳為通式(M)所表示之化合物。

本發明之組成物較佳為含有1種或2種以上通式(M)所表示之化合物。該等化合物相當於介電率為正之化合物(Δε大於2)。

(式中，R^M1表示碳原子數1~8之烷基，該烷基中之1個或非鄰接之2個以上之-CH₂-亦可分別獨立地被-CH=CH-、-C≡C-、-O-、-CO-、-COO-或-OCO-取代，n^M1表示0、1、2、3或4，A^M1及A^M2分別獨立地表示選自由(a)1,4-伸環己基(存在於該基中之1個-CH₂-或未鄰接之2個以上之-CH₂-亦可被取代為-O-或-S-)，及(b)1,4-伸苯基(存在於該基中之1個-CH=或未鄰接之2個以上之-CH=亦可被取代為-N=)

所組成之群中之基，上述基(a)及基(b)上之氫原子亦可分別獨立地氰基、氟原子或氯原子取代，Z^M1及Z^M2分別獨立地表示單鍵、-CH₂CH₂-、-(CH₂)₄-、-OCH₂-、-CH₂O-、-OCF₂-、-CF₂O-、-COO-、-OCO-或-C≡C-，於n^M1為2、3或4而存在多個A^M2之情形時，其等可相同亦可不同，於n^M1為2、3或4而存在多個Z^M1之情形時，其等可相同亦可不同、X^M1及X^M3分別獨立地表示氫原子、氯原子或氟原子，X^M2表示氫原子、氟原子、氯原子、氰基、三氟甲基、氟甲氧基、二氟甲氧基、三氟甲氧基或2,2,2-三氟乙基，但不包含通式(iii)及(iv)所表示之化合物)

通式(M)中，R^M1較佳為碳原子數1~8之烷基、碳原子數1~8之烷氧基、碳原子數2~8之烯基或碳原子數2~8之烯氧基，較佳為碳原子數1~5之烷基、碳原子數1~5之烷氧基、碳原子數2~5之烯基或碳原子數2~5之烯氧基，更佳為碳原子數1~5之烷基或碳原子數2~5之烯基，更佳為碳原子數2~5之烷基或碳原子數2~3之烯基，特佳為碳原子數3之烯基(丙烯基)。

於重視可靠性之情形時，R^M1較佳為烷基，於重視降低黏性之情形時，較佳為烯基。

A^M1及A^M2各自獨立，於要求增大Δn之情形時，較佳為芳香族，為了改善響應速度，較佳為脂肪族，較佳為表示反式-1,4-伸環己基、1,4-伸苯基、2-氟-1,4-伸苯基、3-氟-1,4-伸苯基、3,5-二氟-1,4-伸苯基、2,3-二氟-1,4-伸苯基、1,4-伸環己烯基、1,4-雙環[2.2.2]伸辛基、哌啶-1,4-二基、萘-2,6-二基、十氫萘-2,6-二基或1,2,3,4-四氫萘-2,6-二基，更佳為表示下述之結構，

更佳為表示下述結構。

Z^M1及Z^M2較佳為分別獨立地表示-CH₂O-、-CF₂O-、-CH₂CH₂-、-CF₂CF₂-或單鍵，更佳為-CF₂O-、-CH₂CH₂-或單鍵，特佳為-CF₂O-或單鍵。

n^M1較佳為0、1、2或3，較佳為0、1或2，於重點在於改善Δε之情形時，較佳為0或1，於重視Tni之情形時，較佳為1或2。

於本發明之組成物中，通式(M)所表示之化合物的含量需根據低溫下之溶解性、轉移溫度、電可靠性、雙折射率、製程相容性、滴加痕、殘像、介電異向性等所要求之性能進行適當調整。

相對於本發明之組成物之總量，式(M)所表示之化合物的較佳之含量之下限值為1%、10%、20%、30%、40%、50%、55%、60%、65%、70%、75%、80%。較佳之含量之上限值為相對於本發明之組成物的總量，例如於本發明之一形態中為95%、85%、75%、65%、55%、45%、35%、25%。

進一步，通式(M)所表示之化合物較佳為例如為選自通式(M-2)所表示之化合物之群中之化合物。

(式中，R^M21表示碳原子數1~5之烷基、碳原子數2~5之烯基或碳原子數1~4之烷氧基，X^M21及X^M22分別獨立地表示氫原子或氟原子，Y^M21表示氟原子、氯原子或OCF₃)

相對於本發明之組成物之總量，式(M-1)所表示之化合物的較佳之含量之下限值為1%、2%、5%、8%、10%、13%、15%、18%、20%、22%、25%、30%。較佳之含量之上限值為30%、28%、25%、23%、20%、18%、15%、13%、10%、8%、5%。

於將本發明之組成物之黏度保持為較低、需要響應速度較快之組成物之情形時，較佳為使上述下限值為低，且使上限值為低。進而，於將本發明之組成物之Tni保持為較高、需要不易產生殘像之組成物之情形時，較佳為使上述下限值為低、且使上限值為低。又，於為了將驅動電壓保持為較低而欲增大介電異向性時，較佳為使上述下限值為高，且使上限值為高。

進而，通式(M-2)所表示之化合物較佳為式(M-2.1)至式(M-2.5)所表示之化合物，較佳為式(M-2.3)或/及式(M-2.5)所表示之化合物。

相對於本發明之組成物之總量，式(M-2.2)所表示之化合物的較佳之含量之下限值為1%、2%、5%、6%。較佳之含量之上限值為15%、13%、10%、8%、5%。

相對於本發明之組成物之總量，式(M-2.3)所表示之化合物的較佳之含量之下限值為1%、2%、5%、6%。較佳之含量之上限值為30%、25%、23%、20%、18%、15%、13%、10%、8%。

相對於本發明之組成物之總量，式(M-2.5)所表示之化合物的較佳之含量之下限值為1%、2%、5%、6%。較佳之含量之上限值為30%、25%、23%、20%、18%、15%、13%、10%、8%。

相對於本發明之組成物之總量，式(M-2.2)、(M-2.3)及式(M-2.5)所表示之化合物的合計之較佳之含量之下限值為1%、2%、5%、6%。較佳之含量之上限值為30%、25%、23%、20%、18%、15%、 13%、10%、8%。

含量相對於本發明之組成物的總量，較佳為1%以上，更佳為5%以上，再更佳為8%以上，再更佳為10%以上，再更佳為14%以上，特佳為16%以上。又，考慮到低溫下之溶解性、轉移溫度、電可靠性等，較佳為將最大比率限制為30%以下，進而較佳為25%以下，更佳為22%以下，特佳為未達20%。

進而，通式(M)所表示之化合物較佳為選自通式(M-4)所表示之群中之化合物。

(式中，R^M41表示碳原子數1~5之烷基、碳原子數2~5之烯基或碳原子數1~4之烷氧基，X^M41至X^M48分別獨立地表示氟原子或氫原子，Y^M41表示氟原子、氯原子或OCF₃)

可組合之化合物並無特別限制，較佳為考慮低溫下之溶解性、轉移溫度、電可靠性、雙折射率等而組合1種、2種或3種以上。

通式(M-4)所表示之化合物的含量考慮低溫下之溶解性、轉移溫度、電可靠性、雙折射率等特性而於每個實施形態中存在上限值與下限值。

相對於本發明之組成物之總量，式(M-4)所表示之化合物的較佳之含量之下限值為1%、2%、4%、5%、8%、10%、13%、15%、 18%、20%。較佳之含量之上限值為30%、28%、25%、23%、20%、18%、15%、13%、10%、8%、5%。

於本發明之組成物用於單元間隙較小之液晶顯示元件之情形時，適宜增多通式(M-4)所表示之化合物之含量。於用於驅動電壓較小之液晶顯示元件之情形時，適宜增多通式(M-4)所表示之化合物之含量。又，於用於低溫環境下使用之液晶顯示元件之情形時，適宜減少通式(M-4)所表示之化合物之含量。於為用於響應速度較快之液晶顯示元件之組成物之情形時，適宜減少通式(M-4)所表示之化合物之含量。

進而，本發明之組成物所使用之通式(M-4)所表示之化合物具體而言較佳為式(M-4.1)至式(M-4.4)所表示之化合物，其中較佳為含有式(M-4.2)至式(M-4.4)所表示之化合物，更佳為含有式(M-4.2)所表示之化合物。

進而，通式(M)所表示之化合物較佳為通式(M-5)所表示之化合物。

(式中，R^M51表示碳原子數1~5之烷基、碳原子數2~5之烯基或碳原子數1~4之烷氧基，X^M51及X^M52分別獨立地表示氫原子或氟原子，Y^M51表示氟原子、氯原子或OCF₃)

可組合之化合物之種類並無限制，考慮低溫下之溶解性、轉移溫度、電可靠性、雙折射率等而於各實施形態中適當組合而使用。例如，於本發明之一實施形態中組合一種，於另一實施形態中組合兩種，於進而另一實施形態中組合三種，於進而又一實施形態中組合四種，於進而又一實施形態中組合五種，於進而又一實施形態中組合六種以上。

相對於本發明之組成物之總量，式(M-5)所表示之化合物的較佳之含量之下限值為1%、2%、5%、8%、10%、13%、15%、18%、20%、22%、25%、30%。較佳之含量之上限值為50%、45%、40%、35%、33%、30%、28%、25%、23%、20%、18%、15%、13%、10%、8%、5%。

於將本發明之組成物之黏度保持為較低、需要響應速度較快之組成物之情形時，較佳為使上述下限值為低，且使上限值為低。進而，於將本發明之組成物之Tni保持為較高、需要不易產生殘像之組成物之情形時，較佳為使上述下限值為低，且使上限值為低。又，於為了將驅動電壓保持為較低而欲增大介電異向性時，較佳為使上述下限值為高，且使上限值為高。

進而，通式(M-5)所表示之化合物較佳為式(M-5.1)至式(M-5.4)所表示之化合物，較佳為式(M-5.1)至式(M-5.4)所表示之化合物。

相對於本發明之組成物之總量，其等化合物的較佳之含量之下限值為1%、2%、5%、8%、10%、13%、15%。較佳之含量之上限值為30%、28%、25%、23%、20%、18%、15%、13%、10%、8%、5%。

進而，通式(M-5)所表示之化合物較佳為式(M-5.11)至式(M-5.17)所表示之化合物，較佳為式(M-5.11)、式(M-5.13)及式(M-5.17)所表示之化合物。

進而，通式(M-5)所表示之化合物較佳為式(M-5.21)至式(M-5.28)所表示之化合物，較佳為式(M-5.21)、式(M-5.22)、式(M-5.23)及式(M-5.25)所表示之化合物。

相對於本發明之組成物之總量，其等化合物的較佳之含量之下限值為1%、2%、5%、8%、10%、13%、15%、18%、20%、22%、25%、30%。較佳之含量之上限值為40%、35%、33%、30%、28%、25%、23%、20%、18%、15%、13%、10%、8%、5%。

進而，通式(M)所表示之化合物較佳為通式(M-6)所表示之化合物。

(式中，R^M61表示碳原子數1~5之烷基、碳原子數2~5之烯基或碳原子數1~4之烷氧基，X^M61至X^M64分別獨立地表示氟原子或氫原子，Y^M61表示氟原子、氯原子或OCF₃)

可組合之化合物之種類並無限制，考慮低溫下之溶解性、轉移溫度、電可靠性、雙折射率等而於各實施形態中適當組合。

相對於本發明之組成物之總量，式(M-6)所表示之化合物的較佳之含量之下限值為1%、2%、4%、5%、8%、10%、13%、15%、18%、20%。較佳之含量之上限值為30%、28%、25%、23%、20%、18%、15%、13%、10%、8%、5%。

於本發明之組成物用於驅動電壓較小之液晶顯示元件之情形時，適宜增多通式(M-6)所表示之化合物之含量。又，於為用於響應速度較快之液晶顯示元件之組成物之情形時，適宜減少通式(M-6)所表示之化合物之含量。

進而，通式(M-6)所表示之化合物具體而言較佳為式(M-6.1)至式(M-6.4)所表示之化合物，其中較佳為含有式(M-6.2)及式(M-6.4)所表示之化合物。

相對於本發明之組成物之總量，其等化合物的較佳之含量之下限值為1%、2%、4%、5%、8%、10%、13%、15%、18%、20%。較佳之含量之上限值為30%、28%、25%、23%、20%、18%、15%、13%、10%、8%、5%。

進而，通式(M-6)所表示之化合物具體而言較佳為式(M-6.11)至式(M-6.14)所表示之化合物，其中較佳為含有式(M-6.12)及式(M-6.14)所表示之化合物。

進而，通式(M-6)所表示之化合物具體而言較佳為式(M-6.21)至式(M-6.24)所表示之化合物，其中較佳為含有式(M-6.21)、式(M-6.22)及式(M-6.24)所表示之化合物。

進而，通式(M-6)所表示之化合物具體而言較佳為式(M-6.31)至式(M-6.34)所表示之化合物。其中較佳為含有式(M-6.31)及式(M-6.32)所表示之化合物。

進而，通式(M-6)所表示之化合物具體而言較佳為式(M-6.41)至式(M-6.44)所表示之化合物，其中較佳為含有式(M-6.42)所表示之化合物。

進而，通式(M)所表示之化合物較佳為選自通式(M-7)所表示之化合物之群中之化合物。

(式中，X^M71至X^M76分別獨立地表示氟原子或氫原子，R^M71表示碳原子數1~5之烷基、碳原子數2~5之烯基或碳原子數1~4之烷氧基，Y^M71表示氟原子或OCF₃)

可組合之化合物之種類並無特別限制，較佳為含有該等化合物中之一種~兩種，更佳為含有一種~三種，進而較佳為含有一種~四種。

通式(M-7)所表示之化合物之含量考慮低溫下之溶解性、轉移溫度、電可靠性、雙折射率等特性而於每個實施形態中存在上限值與下限值。

相對於本發明之組成物之總量，式(M-7)所表示之化合物的較佳之含量之下限值為1%、2%、4%、5%、8%、10%、13%、15%、18%、20%。較佳之含量之上限值為30%、28%、25%、23%、20%、18%、15%、13%、10%、8%、5%。

於本發明之組成物用於單元間隙較小之液晶顯示元件之情形時，適宜增多通式(M-7)所表示之化合物之含量。於用於驅動電壓較小之液晶顯示元件之情形時，適宜增多通式(M-7)所表示之化合物之含量。又，於用於低溫環境下使用之液晶顯示元件之情形時，適宜減少通式(M-7)所表示之化合物之含量。於為用於響應速度較快之液晶顯示元件之組成物之情形時，適宜減少通式(M-7)所表示之化合物之含量。

進而，通式(M-7)所表示之化合物較佳為式(M-7.1)至式(M-7.4)所表示之化合物，較佳為式(M-7.2)所表示之化合物。

進而，通式(M-7)所表示之化合物較佳為式(M-7.11)至式(M-7.14)所表示之化合物，較佳為式(M-7.11)及式(M-7.12)所表示之化合物。

進而，通式(M-7)所表示之化合物較佳為式(M-7.21)至式(M-7.24)所表示之化合物，較佳為式(M-7.21)及式(M-7.22)所表示之化合物。

進而，通式(M)所表示之化合物較佳為通式(M-8)所表示之化合物。

(式中，X^M81至X^M84分別獨立地表示氟原子或氫原子，Y^M81表示氟原子、氯原子或-OCF₃，R^M81表示碳原子數1~5之烷基、碳原子數2~5之烯基或碳原子數1~4之烷氧基，A^M81及A^M82分別獨立地表示1,4-伸環己基、1,4-伸苯基或 1,4-伸苯基上之氫原子亦可被氟原子取代)

相對於本發明之組成物之總量，通式(M-8)所表示之化合物的較佳之含量之下限值為1%、2%、4%、5%、8%、10%、13%、15%、18%、20%。較佳之含量之上限值為30%、28%、25%、23%、20%、18%、15%、13%、10%、8%、5%。

於將本發明之組成物之黏度保持為較低、需要響應速度較快之組成物之情形時，較佳為使上述下限值為低，且使上限值為低。進而，於需要不易產生殘像之組成物之情形時，較佳為使上述下限值為低，且使上限值為低。又，於為了將驅動電壓保持為較低而欲增大介電異向性時，較佳為使上述下限值為高，且使上限值為高。

進而，本發明之組成物中所使用之通式(M-8)所表示之化合物具體而言較佳為式(M-8.1)至式(M-8.4)所表示之化合物，其中較佳為含有式(M-8.1)及式(M-8.2)所表示之化合物。

進而，本發明之組成物中所使用之通式(M-8)所表示之化合物具體而言較佳為式(M-8.11)至式(M-8.14)所表示之化合物，其中較佳為含有式(M-8.12)所表示之化合物。

進而，本發明之組成物中所使用之通式(M-8)所表示之化合物具體而言較佳為式(M-8.21)至式(M-8.24)所表示之化合物，其中較佳為含有式(M-8.22)所表示之化合物。

進而，本發明之組成物中所使用之通式(M-8)所表示之化合物具體而言較佳為式(M-8.31)至式(M-8.34)所表示之化合物，其中較佳為含有式(M-8.32)所表示之化合物。

進而，本發明之組成物中所使用之通式(M-8)所表示之化合物具體而言較佳為式(M-8.41)至式(M-8.44)所表示之化合物，其中較佳為含有式(M-8.42)所表示之化合物。

進而，本發明之組成物中所使用之通式(M-8)所表示之化合物具體而言較佳為式(M-8.51)至式(M-8.54)所表示之化合物，其中較佳為含有式(M-8.52)所表示之化合物。

本發明之組成物較佳為含有1種或2種以上通式(L)所表示之化合物。通式(L)所表示之化合物相當於介電性幾乎中性之化合物(Δε之值為-2~2)。

(式中，R^L1及R^L2分別獨立地表示碳原子數1~8之烷基，該烷基中之1個或非鄰接之2個以上之-CH₂-亦可分別獨立地被-CH=CH-、-C≡C-、-O-、-CO-、-COO-或-OCO-取代，n^L1表示0、1、2或3，A^L1、A^L2及A^L3分別獨立地表示選自由

所組成之群中之基，上述基(a)、基(b)及基(c)亦可分別獨立地被氰基、氟原子或氯原子取代，Z^L1及Z^L2分別獨立地表示單鍵、-CH₂CH₂-、-(CH₂)₄-、-OCH₂-、-CH₂O-、-COO-、-OCO-、-OCF₂-、-CF₂O-、-CH=N-N=CH-、-CH=CH-、-CF=CF-或-C≡C-，於n^L1為2或3而存在多個A^L2之情形時，其等可相同亦可不同，於n^L1為2或3而存在多個Z^L2之情形時，其等可相同亦可不同，但是，通式(ii)、(iii)、(iv)及(J)所表示之化合物除外)

通式(L)所示之化合物可單獨使用，亦可組合而使用。可組合之化合物之種類並無特別限制，可根據低溫下之溶解性、轉移溫度、電可靠性、雙折射率等所欲之性能適當組合而使用。所使用之化合物之種類例如作為本發明之一實施形態為1種。或於本發明之另一實施形態中，為2種、3種、4種、5種、6種、7種、8種、9種、10種以上。

於本發明之組成物中，通式(L)所表示之化合物的含量必須根據低溫下之溶解性、轉移溫度、電可靠性、雙折射率、製程相容性、滴加痕、殘像、介電異向性等所要求之性能進行適當調整。

相對於本發明之組成物之總量，式(L)所表示之化合物的較佳之含量之下限值為1%、10%、20%、30%、40%、50%、55%、60%、65%、70%、75%、80%。較佳之含量之上限值為95%、85%、75%、65%、55%、45%、35%、25%。

於將本發明之組成物之黏度保持為較低、需要響應速度較快之組成物之情形時，較佳為使上述下限值為高，且使上限值為高。進而，於將本發明之組成物之Tni保持為較高，需要溫度穩定性良好之組成物之情形時，較佳為使上述下限值為高，且使上限值為高。又，於為了將驅動電壓保持為較低而欲增大介電異向性時，較佳為使上述下限值為低，且使上限值為低。

通式(L)所表示之化合物較佳為於分子內不具有鹵素原子或具有1個或2個鹵素原子，較佳為不具有鹵素原子或具有1個鹵素原子，作為鹵素原子，較佳為氟原子。於重視與其他之液晶化合物的相溶性之情形時，較佳為於分子內具有1個氟原子。

於重視可靠性之情形時，較佳為R^L1及R^L2均為烷基，於重視降低化合物之黏性之情形時，較佳為烷氧基，於重視降低黏性之情形時，較佳為至少一者為烯基。

R^L1及R^L2於其所鍵結之環結構為苯基(芳香族)之情形時，較佳為直鏈狀之碳原子數1~5之烷基、直鏈狀之碳原子數1~4之烷氧基及碳原子數4~5之烯基，於其所鍵結之環結構為環己烷、吡喃及二烷等飽和環結構之情形時，較佳為直鏈狀之碳原子數1~5之烷基、直鏈狀之碳原子數1~4之烷氧基及直鏈狀之碳原子數2~5之烯基。為了使向列相穩定化，較佳為碳原子及存在之情形時之氧原子之合計為5以下，且較佳為直鏈狀。

n^L1於重視響應速度之情形時，較佳為0，為了改善向列相之上限溫度，較佳為2或3，為了取得該等之平衡，較佳為1。又，為了滿足作為組成物所需之特性，較佳為組合不同值之化合物。

A^L1、A^L2及A^L3於要求增大Δn之情形時，較佳為芳香族，為了改善響應速度，較佳為脂肪族，較佳為分別獨立地表示反式-1,4-伸環己基、1,4-伸苯基、2-氟-1,4-伸苯基、3-氟-1,4-伸苯基、3，5-二氟-1,4-伸苯基、1,4-伸環己烯基、1,4-雙環[2.2.2]伸辛基、哌啶-1,4-二基、萘-2,6-二基、十氫萘-2,6-二基或1,2,3,4-四氫萘-2,6-二基，更佳為表示下述之結構，，更佳為表示反式-1,4-伸環己基或1,4-伸苯基。

Z^L1及Z^L2於重視響應速度之情形時，較佳為單鍵。

分子內之鹵素原子之數量較佳為0或1。

通式(L)所表示之化合物較佳為選自通式(L-1)~(L-7)所表示之化合物之群中之化合物。

通式(L-1)所表示之化合物係下述化合物。

(式中，R^L11及R^L12分別獨立地表示與通式(L)中之R^L1及R^L2相同涵義)

R^L11及R^L12較佳為直鏈狀之碳原子數1~5之烷基、直鏈狀之碳原子數1~4之烷氧基及直鏈狀之碳原子數2~5之烯基。

通式(L-1)所表示之化合物可單獨使用，亦可組合2種以上之化合物來使用。可組合之化合物之種類並無特別限制，可根據低溫下之溶解性、轉移溫度、電可靠性、雙折射率等所欲之性能適當組合而使用。所使用之化合物之種類例如作為本發明之一實施形態為1種、2種、3種、4種、5種以上。

較佳之含量之下限值為相對於本發明之組成物的總量，為1%、2%、3%、5%、7%、10%、15%、20%、25%、30%、35%、40%、45%、50%、55%。較佳之含量之上限值，為相對於本發明之組成物的總量為95%、90%、85%、80%、75%、70%、65%、60%、55%、50%、45%、40%、35%、30%、25%。

於將本發明之組成物之黏度保持為較低、需要響應速度較快之組成物之情形時，較佳為使上述下限值為高，且使上限值為高。進而，於將本發明之組成物之Tni保持為較高，需要溫度穩定性良好之組成物之情形時，較佳為使上述下限值為中等，且使上限值為中等。又，於為了將驅動電壓保持為較低而欲增大介電異向性時，較佳為使上述下限值為低，且使上限值為低。

通式(L-1)所表示之化合物較佳為選自通式(L-1-2)所表示之化合物之群中之化合物。

(式中，R^L12表示與通式(L-1)中之涵義相同涵義)

相對於本發明之組成物之總量，式(L-1-2)所表示之化合物的較佳之含量之下限值為1%、5%、10%、15%、17%、20%、23%、25%、27%、30%、35%。較佳之含量之上限值，為相對於本發明之組成物的總量為60%、55%、50%、45%、42%、40%、38%、35%、33%、30%。

進而，通式(L-1-2)所表示之化合物較佳為選自式(L-1-2.1)至式(L-1-2.4)所表示之化合物之群中的化合物，較佳為式(L-1-2.1)及式(L-1-2.2)所表示之化合物，特別是，式(L-1-2.2)所表示之化合物由於特別可改善本發明之組成物之響應速度，因而較佳。又，於需要比響應速度高之Tni時，較佳為使用式(L-1-2.3)或式(L-1-2.4)所表示之化合物。為了使低溫下之溶解性度良好，式(L-1-2.3) 及式(L-1-2.4)所表示之化合物的含量為10%以上為不佳。

相對於本發明之組成物之總量，式(L-1-2.1)所表示之化合物的較佳之含量之下限值為10%、15%、18%、20%、23%、25%、27%、30%、33%、35%、38%、40%。較佳之含量之上限值為相對於本發明之組成物的總量為60%、55%、50%、45%、43%、40%、38%、35%、32%、30%、27%、25%、22%。

相對於本發明之組成物之總量，式(L-1-2.2)所表示之化合物的較佳之含量之下限值為10%、15%、18%、20%、23%、25%、27%、30%、33%、35%、38%、40%。較佳之含量之上限值為相對於本發明之組成物的總量為60%、55%、50%、45%、43%、40%、38%、35%、32%、30%、27%、25%、22%。

相對於本發明之組成物之總量，式(ii)所表示之化合物及式(L-1-2.2)所表示之化合物的合計之較佳之含量之下限值為10%、15%、20%、25%、27%、30%、35%、40%。較佳之含量之上限值為相對於本發明之組成物的總量為60%、55%、50%、45%、43%、40%、38%、35%、32%、30%、27%、25%、22%。

通式(L-1)所表示之化合物較佳為選自通式(L-1-3)所表示之化合物之群中之化合物。

(式中，R^L13及R^L14分別獨立地表示碳原子數1~8之烷基或碳原子數1~8之烷氧基)

R^L13及R^L14較佳為直鏈狀之碳原子數1~5之烷基、直鏈狀之碳原子數1~4之烷氧基、及直鏈狀之碳原子數2~5之烯基。

相對於本發明之組成物之總量，式(L-1-3)所表示之化合物的較佳之含量之下限值為1%、5%、10%、13%、15%、17%、20%、23%、25%、30%。較佳之含量之上限值為相對於本發明之組成物的總量為60%、55%、50%、45%、40%、37%、35%、33%、30%、27%、25%、23%、20%、17%、15%、13%、10%。

進而，通式(L-1-3)所表示之化合物較佳為選自式(L-1-3.1)至式(L-1-3.12)所表示之化合物之群中之化合物，較佳為式(L-1-3.1)、式(L-1-3.3)或式(L-1-3.4)所表示之化合物。特別是，式(L-1-3.1)所表示之化合物由於特別可改善本發明之組成物之響應速度，因而較佳。又，相較響應速度，更要求高Tni時，較佳為使用式(L-1-3.3)、式(L-1-3.4)、式(L-1-3.11)及式(L-1-3.12)所表示之化合物。為了使低溫下之溶解度良好，式(L-1-3.3)、式(L-1-3.4)、式(L-1-3.11)及式(L-1-3.12)所表示之化合物的合計含量為20%以上為不佳。

相對於本發明之組成物之總量，式(L-1-3.1)所表示之化合物的較佳之含量之下限值為1%、2%、3%、5%、7%、10%、13%、15%、18%、20%。較佳之含量之上限值為相對於本發明之組成物的總量為20%、17%、15%、13%、10%、8%、7%、6%。

通式(L-1)所表示之化合物較佳為選自通式(L-1-4)及/或(L-1-5)所表示之化合物之群中之化合物。

(式中，R^L15及R^L16分別獨立地表示碳原子數1~8之烷基或碳原子數1~8之烷氧基)

R^L15及R^L16較佳為直鏈狀之碳原子數1~5之烷基、直鏈狀之碳原子數1~4之烷氧基、及直鏈狀之碳原子數2~5之烯基。

相對於本發明之組成物之總量，式(L-1-4)所表示之化合物的較佳之含量之下限值為1%、5%、10%、13%、15%、17%、20%。較佳之含量之上限值為相對於本發明之組成物的總量為25%、23%、20%、17%、15%、13%、10%。

相對於本發明之組成物之總量，式(L-1-5)所表示之化合物的較佳之含量之下限值為1%、5%、10%、13%、15%、17%、20%。較佳之含量之上限值為相對於本發明之組成物的總量為25%、23%、20%、17%、15%、13%、10%。

進一步，通式(L-1-4)及(L-1-5)所表示之化合物較佳為選自式(L-1-4.1)至式(L-1-5.3)所表示之化合物之群中之化合物，較佳為式(L-1-4.2)或式(L-1-5.2)所表示之化合物。

相對於本發明之組成物之總量，式(L-1-4.2)所表示之化合物的較佳之含量之下限值為1%、2%、3%、5%、7%、10%、13%、15%、18%、20%。較佳之含量之上限值為相對於本發明之組成物的總量為20%、17%、15%、13%、10%、8%、7%、6%。

較佳為組合選自式(L-1-1.3)、式(L-1-2.2)、式(L-1-3.1)、式(L-1-3.3)、式(L-1-3.4)、式(L-1-3.11)及式(L-1-3.12)所表示之化合物中之2種以上的化合物，較佳為組合選自式(L-1-1.3)、式(L-1-2.2)、式(L-1-3.1)、式(L-1-3.3)、式(L-1-3.4)及式(L-1-4.2)所表示之化合物中之2種以上之化合物，該等化合物之合計含量的較佳之含量之下限值為相對於本發明之組成物的總量為1%、2%、3%、5%、7%、10%、13%、15%、18%、20%、23%、25%、27%、30%、33%、35%，上限值為相對於本發明之組成物的總量為80%、70%、60%、50%、45%、40%、37%、35%、33%、30%、28%、25%、23%、20%。組成物於重視可靠性之情形時，較佳為組合選自式(L-1-3.1)、式(L-1-3.3)及式(L-1-3.4)所表示之化合物中之2種以上之化合物，於重視組成物之響應速度之情形時，較佳為組合選自式(L-1-1.3)、式(L-1-2.2)所表示之化合物中之2種以上之化合物。

通式(L-2)所表示之化合物係下述化合物。

(式中，R^L21及R^L22分別獨立地表示與通式(L)中之R^L1及R^L2相同涵義)

R^L21較佳為碳原子數1~5之烷基或碳原子數2~5之烯基，R^L22較佳為碳原子數1~5之烷基、碳原子數4~5之烯基或碳原子數1~4之烷氧基。

通式(L-2)所表示之化合物可單獨使用，亦可組合2種以上之化合物來使用。可組合之化合物之種類並無特別限制，可根據低溫下之溶解性、轉移溫度、電可靠性、雙折射率等所欲之性能適當組合而使用。所使用之化合物之種類例如作為本發明之一實施形態為1種、2種、3種、4種、5種以上。

於重視低溫下之溶解性之情形時，若將含量設為多，則效果高，反之，於重視響應速度之情形時，若將含量設為少，則效果高。進而，於改良滴加痕或殘像特性之情形時，較佳將含量之範圍設為中間。

相對於本發明之組成物之總量，式(L-2)所表示之化合物的較佳之含量之下限值為1%、2%、3%、5%、7%、10%。較佳之含量之上限值為相對於本發明之組成物的總量為20%、15%、13%、10%、8%、7%、6%、5%、3%。

進而，通式(L-2)所表示之化合物較佳為選自式(L-2.1)至式(L-2.6)所表示之化合物之群中之化合物，較佳為式(L-2.1)、式(L-2.3)、式(L-2.4)及式(L-2.6)所表示之化合物。

通式(L-3)所表示之化合物係下述化合物。

(式中，R^L31及R^L32分別獨立地表示與通式(L)中之R^L1及R^L2相同涵義)

R^L31及R^L32較佳為分別獨立地為碳原子數1~5之烷基、碳原子數4~5之烯基或碳原子數1~4之烷氧基。

通式(L-3)所表示之化合物可單獨使用，亦可組合2種以上之化合物來使用。可組合之化合物之種類並無特別限制，根據低溫下之溶解性、轉移溫度、電可靠性、雙折射率等所欲之性能來適當組合而使用。所使用之化合物之種類例如作為本發明之一實施形態，為1種、2種、3種、4種、5種以上。

相對於本發明之組成物之總量，式(L-3)所表示之化合物的較佳之含量之下限值為1%、2%、3%、5%、7%、10%。較佳之含量之上限值為相對於本發明之組成物的總量為20%、15%、13%、10%、8%、7%、6%、5%、3%。

於獲得高雙折射率之情形時，若將含量設為多，則效果高，反之，於重視高Tni之情形時，若將含量設為少，則效果高。進而，於改良滴痕或殘像特性之情形時，較佳將含量之範圍設為中間。

進而，通式(L-3)所表示之化合物較佳為選自式(L-3.1)至式(L-3.4)所表示之化合物之群中之化合物，較佳為式(L-3.2)至式(L-3.7)所表示之化合物。

通式(L-4)所表示之化合物係下述化合物。

(式中，R^L41及R^L42分別獨立地表示與通式(L)中之R^L1及R^L2相同涵義)

R^L41較佳為碳原子數1~5之烷基或碳原子數2~5之烯基，R^L42較佳為碳原子數1~5之烷基、碳原子數4~5之烯基或碳原子數1~4之烷氧基。

通式(L-4)所表示之化合物可單獨使用，亦可組合2種以上之化合物來使用。可組合之化合物之種類並無特別限制，根據低溫下之溶解性、轉移溫度、電可靠性、雙折射率等所欲之性能來適當組合而使用。所使用之化合物之種類例如作為本發明之一實施形態，為1種、2種、3種、4種、5種以上。

於本發明之組成物中，通式(L-4)所表示之化合物的含量必須根據低溫下之溶解性、轉移溫度、電可靠性、雙折射率、製程相容性、滴加痕、殘像、介電異向性等所要求之性能進行適當調整。

相對於本發明之組成物之總量，式(L-4)所表示之化合物的較佳之含量之下限值為1%、2%、3%、5%、7%、10%、14%、16%、20%、23%、26%、30%、35%、40%。相對於本發明之組成物之總量，式(L-4)所表示之化合物的較佳之含量之上限值為50%、40%、35%、30%、20%、15%、10%、5%。

通式(L-4)所表示之化合物較佳例如為式(L-4.1)至式(L-4.3)所表示之化合物。

根據低溫下之溶解性、轉移溫度、電可靠性、雙折射率等所欲之性能，可含有式(L-4.1)所表示之化合物，可含有式(L-4.2)所表示之化合物，可含有式(L-4.1)所表示之化合物與式(L-4.2)所表示之化合物之兩者，亦可含有式(L-4.1)至式(L-4.3)所表示之全部化合物。相對於本發明之組成物之總量，式(L-4.1)或式(L-4.2)所表示之化合物的較佳之含量之下限值為3%、5%、7%、9%、11%、12%、13%、18%、21%，較佳之上限值為45、40%、35%、30%、25%、23%、20%、18%、15%、13%、10%、8%。

於含有式(L-4.1)所表示之化合物與式(L-4.2)所表示之化合物之兩者之情形時，相對於本發明之組成物之總量，兩化合物之較佳之含量之下限值為15%、19%、24%、30%，較佳之上限值為45、40%、35%、30%、25%、23%、20%、18%、15%、13%。

通式(L-4)所表示之化合物較佳例如為式(L-4.4)至式(L-4.6)所表示之化合物，較佳為式(L-4.4)所表示之化合物。

根據低溫下之溶解性、轉移溫度、電可靠性、雙折射率等所欲之性能，可含有式(L-4.4)所表示之化合物，可含有式(L-4.5)所表示之化合物，亦可含有式(L-4.4)所表示之化合物與式(L-4.5)所表示之化合物之兩者。

相對於本發明之組成物之總量，式(L-4.4)或式(L-4.5)所表示之化合物的較佳之含量之下限值為3%、5%、7%、9%、11%、12%、13%、18%、21%。較佳之上限值為45、40%、35%、30%、25%、23%、20%、18%、15%、13%、10%、8%。

於含有式(L-4.4)所表示之化合物與式(L-4.5)所表示之化合物之兩者之情形時，相對於本發明之組成物之總量，兩化合物之較佳之含量之下限值為15%、19%、24%、30%，較佳之上限值為45、40%、35%、30%、25%、23%、20%、18%、15%、13%。

通式(L-4)所表示之化合物較佳為式(L-4.7)至式(L-4.10)所表示之化合物，特佳為式(L-4.9)所表示之化合物。

通式(L-5)所表示之化合物係下述化合物。

(式中，R^L51及R^L52分別獨立地表示與通式(L)中之R^L1及R^L2相同涵義)

R^L51較佳為碳原子數1~5之烷基或碳原子數2~5之烯基，R^L52較佳為碳原子數1~5之烷基、碳原子數4~5之烯基或碳原子數1~4之烷氧基。

通式(L-5)所表示之化合物可單獨使用，亦可組合2種以上之化合物來使用。可組合之化合物之種類並無特別限制，根據低溫下之溶解性、轉移溫度、電可靠性、雙折射率等所欲之性能來適當組合而使用。所使用之化合物之種類例如作為本發明之一實施形態，為1種、2種、3種、4種、5種以上。

於本發明之組成物中，通式(L-5)所表示之化合物的含量必須根據低溫下之溶解性、轉移溫度、電可靠性、雙折射率、製程相容性、滴加痕、殘像、介電異向性等所要求之性能進行適當調整。

相對於本發明之組成物之總量，式(L-5)所表示之化合物的較佳之含量之下限值為1%、2%、3%、5%、7%、10%、14%、16%、20%、23%、26%、30%、35%、40%。相對於本發明之組成物之總量，式(L-5)所表示之化合物的較佳之含量之上限值為50%、40%、35%、30%、20%、15%、10%、5%。

通式(L-5)所表示之化合物較佳為式(L-5.1)或式(L-5.2)所表示之化合物，特佳為式(L-5.1)所表示之化合物。

相對於本發明之組成物之總量，其等化合物的較佳之含量之下限值為1%、2%、3%、5%、7%。其等化合物的較佳之含量之上限值為20%、15%、13%、10%、9%。

通式(L-5)所表示之化合物較佳為式(L-5.3)或式(L-5.4)所表示之化合物。

通式(L-5)所表示之化合物較佳為選自式(L-5.5)至式(L-5.7)所表示之化合物之群，特佳為式(L-5.7)所表示之化合物。

通式(L-6)所表示之化合物係下述化合物。

(式中，R^L61及R^L62分別獨立地表示與通式(L)中之R^L1及R^L2相同涵義，X^L61及X^L62分別獨立地表示氫原子或氟原子)

R^L61及R^L62較佳為分別獨立地為碳原子數1~5之烷基或碳原子數2~5之烯基，X^L61及X^L62中之一者為氟原子，另一者為氫原子為較佳。

通式(L-6)所表示之化合物可單獨使用，亦可組合2種以上之化合物來使用。可組合之化合物之種類並無特別限制，根據低溫下之溶解性、轉移溫度、電可靠性、雙折射率等所欲之性能來適當組合而使用。所使用之化合物之種類例如作為本發明之一實施形態，為1種、2種、3種、4種、5種以上。

相對於本發明之組成物之總量，式(L-6)所表示之化合物的較佳之含量之下限值為1%、2%、3%、5%、7%、10%、14%、16%、 20%、23%、26%、30%、35%、40%。相對於本發明之組成物之總量，式(L-6)所表示之化合物的較佳之含量之上限值為50%、40%、35%、30%、20%、15%、10%、5%。於重點放在使Δn為大之情形時，較佳為使含量為較多，於重點放在低溫下之析出之情形時，含量較少者為較佳。

通式(L-6)所表示之化合物較佳為式(L-6.1)至式(L-6.9)所表示之化合物。

可組合之化合物之種類並無特別限制，較佳含有自該等化合物中之1種~3種，更佳含有1種~4種。又，由於選擇之化合物之分子量分佈較廣亦對溶解性有效，故而例如較佳為自式(L-6.1)或(L-6.2)所表示之化合物中選擇一種化合物、自式(L-6.4)或(L-6.5)所表示之化合物中選擇一種化合物、自式(L-6.6)或式(L-6.7)所表示之化合物中選擇一種化合物、自式(L-6.8)或(L-6.9)所表示之化合物中選擇一種化合物，並將該等適當組合。其中，較佳含有式(L-6.1)、式(L-6.3)、式(L-6.4)、式(L-6.6)及式(L-6.9)所表示之化合物。

進而，通式(L-6)所表示之化合物例如較佳為式(L-6.10)至式(L-6.17)所表示之化合物，其中，較佳為式(L-6.11)所表示之化合物。

通式(L-7)所表示之化合物係下述化合物。

(式中，R^L71及R^L72分別獨立地表示與通式(L)中之R^L1及R^L2相同涵義，A^L71及A^L72分別獨立地表示與通式(L)中之A^L2及A^L3相同涵義，A^L71及A^L72 上之氫原子亦可分別獨立地被氟原子取代，Z^L71表示與通式(L)中之Z^L2相同涵義，X^L71及X^L72分別獨立地表示氟原子或氫原子)

式中，R^L71及R^L72較佳為分別獨立地為碳原子數1~5之烷基、碳原子數2~5之烯基或碳原子數1~4之烷氧基，A^L71及A^L72較佳為分別獨立地為1,4-伸環己基或1,4-伸苯基，A^L71及A^L72上之氫原子亦可分別獨立地被氟原子取代，Q^L71較佳為單鍵或COO-，較佳為單鍵，X^L71及X^L72較佳為氫原子。

可組合之化合物之種類並無特別限制，根據低溫下之溶解性、轉移溫度、電可靠性、雙折射率等所欲之性能來組合。所使用之化合物之種類例如作為本發明之一實施形態，為1種、2種、3種、4種。

於本發明之組成物中，通式(L-7)所表示之化合物的含量必須根據低溫下之溶解性、轉移溫度、電可靠性、雙折射率、製程相容性、滴加痕、殘像、介電異向性等所要求之性能進行適當調整。

相對於本發明之組成物之總量，式(L-7)所表示之化合物的較佳之含量之下限值為1%、2%、3%、5%、7%、10%、14%、16%、20%。相對於本發明之組成物之總量，式(L-7)所表示之化合物的較佳之含量之上限值為30%、25%、23%、20%、18%、15%、10%、5%。

於本發明之組成物期待高Tni之實施形態之情形時，較佳使式(L-7)所表示之化合物之含量為多，於期待低黏度之實施形態之情形時，較佳使含量為少。

進而，通式(L-7)所表示之化合物較佳為式(L-7.1)至式(L-7.4)所表示之化合物，較佳為式(L-7.2)所表示之化合物。

進而，通式(L-7)所表示之化合物較佳為式(L-7.11)至式(L-7.13)所表示之化合物，較佳為式(L-7.11)所表示之化合物。

進而，通式(L-7)所表示之化合物係式(L-7.21)至式(L-7.23)所表示之化合物。較佳為式(L-7.21)所表示之化合物。

進而，通式(L-7)所表示之化合物較佳係式(L-7.31) 至式(L-7.34)所表示之化合物，較佳為式(L-7.31)或/及式(L-7.32)所表示之化合物。

進而，通式(L-7)所表示之化合物較佳為式(L-7.41)至式(L-7.44)所表示之化合物，較佳為式(L-7.41)或/及式(L-7.42)所表示之化合物。

相對於本發明之組成物之總量，通式(ii)、通式(iii)、通式(iv)、通式(L)及(J)所表示之化合物的合計之較佳之含量之下限值為80%、85%、88%、90%、92%、93%、94%、95%、96%、97%、98%、 99%、100%。較佳之含量之上限值為100%、99%、98%、95%。

相對於本發明之組成物之總量，通式(ii)、通式(iii)、通式(iv)、通式(L)及(M)所表示之化合物的合計之較佳之含量之下限值為80%、85%、88%、90%、92%、93%、94%、95%、96%、97%、98%、99%、100%。較佳之含量之上限值為100%、99%、98%、95%。

相對於本發明之組成物之總量，通式(ii)、通式(iii)、通式(iv)、通式(L-1)至通式(L-7)及通式(M-1)至通式(M-8)之合計之較佳的含量之下限值為80%、85%、88%、90%、92%、93%、94%、95%、96%、97%、98%、99%、100%。較佳之含量之上限值為100%、99%、98%、95%。

本案發明之組成物，較佳為不含有具有下述結構之化合物，該結構係：於分子內過氧(-CO-OO-)結構等氧原子彼此鍵結之結構。

於重視組成物之可靠性及長期穩定性之情形時，較佳為將具有羰基之化合物之含量設為相對於上述組成物之總質量為5%以下，更佳為設為3%以下，進而較佳為設為1%以下，最佳為實質上不含有。

於重視UV照射下之穩定性之情形時，較佳為將取代有氯原子之化合物之含量設為相對於上述組成物之總質量為15%以下，較佳為設為10%以下，較佳為設為8%以下，更佳為設為5%以下，較佳為設為3%以下，進而較佳為實質上不含有。

較佳為將分子內之環結構全部為6員環之化合物之含量設為較多，較佳為將分子內之環結構全部為6員環之化合物之含量設為相對於上述組成物之總質量為80%以上，更佳為設為90%以上，進而較佳為設為95%以上，最佳為實質上僅由分子內之環結構全部為6員環之化合物構成組成物。

為了抑制由組成物之氧化引起之劣化，較佳為將具有伸環己烯基作為環結構之化合物之含量設為較少，較佳為將具有伸環己烯基之化合物之含量設為相對於上述組成物之總質量為10%以下，較佳為設為8%以下，更佳為設為5%以下，較佳為設為3%以下，進而較佳為實質上不含有。

於重視黏度之改善及Tni之改善之情形時，較佳為將分子內具有氫原子可被取代為鹵素之2-甲基苯-1,4-二基之化合物之含量設為較少，較佳為將分子內具有上述2-甲基苯-1,4-二基之化合物之含量設為相對於上述組成物之總質量為10%以下，較佳為設為8%以下，更佳為設為5%以下，較佳為設為3%以下，進而較佳為實質上不含有。

於本案中，所謂實質上不含有意指除了非意圖地含有者以外不含有。

於本發明之第一實施形態之組成物所含之化合物具有烯基作為側鏈之情形時，於上述烯基鍵結於環己烷上之情形時，該烯基之碳原子數較佳為2~5，於上述烯基鍵結於苯上之情形時，該烯基之碳原子數較佳為4~5，且較佳為上述烯基之不飽和鍵與苯并未直接鍵結。

可於本發明之液晶層及/或液晶組成物中含有聚合性單體，該聚合性單體較佳為表現出液晶性。作為本發明之含聚合性單體之液晶組成物中之聚合性單體之具體之含量，較佳為5%以下，更佳為2%以下，進而較佳為1.5%以下，特佳為1%以下，最佳為0.5%以下。若為5%以下，則可減少滴加痕之產生。又，液晶組成物中之聚合性單體之含量之下限值較佳為1000ppm，較佳為3000ppm，更佳為5000ppm。

作為顯示該液晶性之聚合性單體，可列舉以下結構。

本發明之通式(P)之聚合性單體較佳為選自由通式(P-a)、通式(P-b)、通式(P-c)及通式(P-d)所表示之化合物所組成之群中之至少一種化合物。

上述通式(P-a)~通式(P-d)中，R^p1及R^p2分別獨立地表示以下式(R-I)至式(R-IX)中之任一者：，上述式(R-I)~(R-IX)中，R²~R⁶互相獨立而為氫原子、碳原子數1~5個之烷基或碳原子數1~5個之鹵化烷基，W為單鍵、-O-或亞甲基，T為單鍵或-COO-，p、t及q分別獨立地表示0、1或2，環A及環B分別獨立地表示1,4-伸苯基、1,4-伸環己基、蔥-2,6-二基、菲-2,7-二基、吡啶-2,5-二基、嘧啶-2,5-二基、萘-2,6-二基、茚滿-2,5-二基、1,2,3,4-四氫萘-2,6-二基或1,3-二烷-2,5-二基，較佳為未經取代或經碳原子數1~12之烷基、碳原子數1~12之鹵化烷基、碳原子數1~12之烷氧基、碳原子數1~12之鹵化烷氧基、鹵素原子、氰基、硝基或-R^p1取代，環C表示以下之式(c-i)~(c-ix)中之任一者：

(式中，於＊，與Sp^p1鍵結，於＊＊，與L^p5或L^p6鍵結)，Sp^p1及Sp^p4表示間隔基，X^p1~X^p4較佳為分別獨立地表示氫原子或鹵素原子，L^p4、L^p5及L^p6較佳為分別獨立地為單鍵、-OCH₂-、-CH₂O-、-CO -、-C₂H₄-、-COO-、-OCO-、-COOC₂H₄-、-OCOC₂H₄-、-C₂H₄OCO-、-C₂H₄COO-、-CH=CH-、-CF₂-、-CF₂O-、-(CH₂)_z-C(=O)-O-、-(CH₂)_z-O-(C=O)-、-O-(C=O)-(CH₂)_z-、-(C=O)-O-(CH₂)_z-、-O-(CH₂)_z-O-、-OCF₂-、-CH=CHCOO-、-COOCH=CH-、-OCOCH=CH-或-C≡C-，上述式中之z較佳為1~4之整數。

L^p3較佳為-CH=CHCOO-、-COOCH=CH-或-OCOCH=CH-。

於上述通式(P-a)所表示之化合物中，m^p6及m^p7較佳為分別獨立地表示0、1、2或3。又，更佳為m^p6+m^p7=2~5。

於上述通式(P-b)所表示之化合物中，m^p8及m^p9較佳為分別獨立地表示1、2或3。又，更佳為m^p6+m^p7=2~3。

於上述通式(P-c)所表示之化合物中，m^p10及m^p11較佳為分別獨立地表示0或1。又，更佳為m^p10+m^p11=0~1。又，由於通式(P-c)具有菲環，因此認為組成物整體之感光作用較大。

於上述通式(P-d)所表示之化合物中，m^p12及m^p15分別獨立地表示1、2或3，m^p13較佳為表示0、1、2或3，m^p14較佳為表示0或1。又，更佳為m^p12+m^p15=2~5。於存在多個R^p1之情形，其等可相同亦可不同，於存在多個R^p1之情形，其等可相同亦可不同，於存在多個R^p2之情形，其等可相同亦可不同，於存在多個Sp^p1之情形，其等可相同亦可不同，於存在多個Sp^p4之情形，其等可相同亦可不同，於存在多個L^p4及L^p5之情形，其等可相同亦可不同，於存在多個環A~環C之情形，其等可相同亦可不同。於本發明之含聚合性單體之組成物中，藉由組合通式(P-d)所表示之聚合性單體與通式(1)及通式(2)，可使光聚合時間縮短。

以下例示本發明之通式(P-a)~通式(P-d)所表示之化合物的較佳結構。作為該較佳之例子，可列舉下述式(P-a-1)~式(P-a-31)所表示之聚合性單體。

又，作為上述通式(P-a)所表示之聚合性單體的具體含量，較佳為5%以下，更佳為3%以下，再更佳為2%以下，特佳為1%以下，最佳為0.8%以下。液晶組成物中之聚合性單體的含量之下限值，較佳為1000ppm，較佳為3000ppm，更佳為5000ppm。

作為本發明之通式(P-b)所表示之化合物之較佳例子，可列舉下述式(P-b-1)~式(P-b-34)所表示之聚合性單體。

又，作為上述通式(P-b)所表示之聚合性單體的具體含量(相對於含聚合性單體之液晶組成物整體之比例)，較佳為5%以下，更佳為3%以下，再更佳為2%以下，特佳為1%以下，最佳為0.8%以下。液晶組成物中之聚合性單體之含量之下限值較佳為1000ppm，較佳為3000ppm，更佳為5000ppm。

作為本發明之通式(P-c)所表示之化合物的較佳例子，可列舉下述式(P-c-1)~式(P-c-52)所表示之聚合性單體。

又，作為上述通式(P-c)所表示之聚合性單體的具體含量，較佳為5%以下，更佳為3%以下，再更佳為2%以下，特佳為1%以下，最佳為0.8%以下。液晶組成物中之聚合性單體之含量之下限值較佳為1000ppm，較佳為3000ppm，更佳為5000ppm。

本發明之通式(P-d)所表示之化合物，較佳為以下通式(P-d')所表示之化合物。

(上述通式(P-d')所表示之化合物中，m^p10更佳為表示2或3。其他的記號由於和上述通式(p-d)相同，因此省略)

作為本發明之通式(P-d)所表示之化合物的較佳例子，可列舉下述式(P-d-1)~式(P-d-31)所表示之聚合性單體。

又，作為上述通式(P-d)所表示之聚合性單體的具體含量，較佳為5%以下，更佳為3%以下，再更佳為2%以下，特佳為1%以下，最佳為0.8%以下。液晶組成物中之聚合性單體之含量之下限值，較佳為1000ppm，較佳為3000ppm，更佳為5000ppm。

本發明之液晶顯示元件中之液晶層及/或液晶組成物較佳為該液晶層及/或液晶組成物中含有聚合性單體，並且將該聚合性單體進行聚合物化。藉此，光配向膜之液晶分子之配向限制力提高。更詳細而言，使用圖6及圖7進行說明。圖6之(A)表示IPS模式之液晶顯示元件之剖面圖，像素電極與共用電極形成為梳型，且兩者以相互可動嵌合之方式隔開一定距離而形成於相同基板上。於該圖6中，將虛線部分之VII區域擴大者係圖7之(B)及(C)。又，於圖7之(B)及(C)以及圖8中，為了方便而為像素電極為上側、共用電極為下側之剖面圖，但是並非限定於此。圖7(B)表示含有液晶化合物1a與聚合性單體1b之本發明之液晶組成物於光配向膜上沿特定之方向(沿光配向膜之配向方向)進行排列之狀態。圖7之(C)係液晶化合物1a及聚合性單體1b於光配向膜上沿特定之方向(沿光配向膜之配向方向)進行排列之狀態下(亦即，上述(B)狀態)，將聚合性單體進行聚合物化而成之狀態。藉由存在此經聚合物化之聚合體1c，而生成對於液晶分子於特定方向上之配向限制力。亦即，若於(B)狀態(未施加電壓)下使聚合性單體聚合物化，則於配向成特定配向方向之狀態下聚合性單體彼此鍵結((C)狀態)。因此，認為由於聚合性單體彼此鍵結而成之聚合物1c與液晶分子1b之間進行相互作用，故預傾角之穩定化或配向膜之對液晶分子之配向限制提高。又，於圖7及圖8中，為了解決視角依存等課題而設至有多個區塊(domain)。

圖8係示意性地表示對於上述圖7(C)之狀態，電壓為ON或OFF時之液晶分子的配向的情況。若施加電壓，則液晶分子1a沿電場方向配向，若將電壓設為OFF，則液晶分子1a於液晶層存在聚合性單體彼此鍵結而成之聚合物1c，因此變得可容易地在維持初期之配向方向下恢復為特定之配向方向。

因此，於液晶顯示元件中，若具備液晶組成物含有聚合性單體及液晶化合物且將該聚合性單體進行聚合物化而成之液晶層，則認為即便重複電壓ON-OFF狀態，由於相互作用在聚合性單體彼此連結而成之聚合物1c與液晶分子1b之間發揮作用，因此亦可改善自先前起為問題之經時性降低之對於液晶分子之配向限制力。藉此，認為液晶分子可維持對光配向膜施加之特定之配向方向，因此實質之配向限制力提高。特別是，於進行配向分割之情形時，由於像素內被分割之區域中之配向方向彼此不同，因此可提高對於各個被配向分割之區域內的配向方向之配向限制力。

於在本發明之液晶組成物中添加聚合性單體之情形時，雖然於不存在聚合起始劑之情形亦會進行聚合，但為了促進聚合亦可含有聚合起始劑。作為聚合起始劑，可列舉安息香醚類、二苯甲酮類、苯乙酮類、苯偶醯縮酮類、醯基氧化膦類等。

本發明之液晶組成物進而可含有通式(Q)所表示之化合物作為抗氧化劑。

上述通式(Q)中，R^Q表示碳原子數1~22之烷基或烷氧基，該烷基中之1個以上之CH₂基可以氧原子不直接鄰接之方式被取代為-O-、-CH=CH-、-CO-、-OCO-、-COO-、-C≡C-、-CF₂O-、 -OCF₂-，M^Q表示反式-1,4-伸環己基、1,4-伸苯基、或單鍵。

於上述通式(Q)中，R^Q較佳為碳原子數1~22之烷基或烷氧基，該烷基(包含上述烷氧基中之烷基)可為直鏈狀或支鏈狀。又，上述R^Q表示碳原子數1~22之直鏈或支鏈烷基或直鏈或支鏈烷氧基，該烷基(包含上述烷氧基中之烷基)中之1個以上之CH₂基可以氧原子不直接鄰接之方式被取代為-O-、-CH=CH-、-CO-、-OCO-、-COO-、-C≡C-、-CF₂O-、-OCF₂-。於上述通式(Q)中，R^Q較佳為碳原子數1~20個且為選自由直鏈烷基、直鏈烷氧基、1個CH₂基被取代為-OCO-或COO-之直鏈烷基、支鏈烷基、支鏈烷氧基及1個CH₂基被取代為-OCO-或COO-之支鏈烷基所組成之群中之至少一者，進而較佳為選自由碳原子數1~10之直鏈烷基、1個CH₂基被取代為-OCO-或COO-之直鏈烷基、支鏈烷基、支鏈烷氧基及1個CH₂基被取代為-OCO-或COO-之支鏈烷基所組成之群中之至少一者。

M^Q表示反式-1,4-伸環己基、1,4-伸苯基或單鍵，較佳為反式-1,4-伸環己基或1,4-伸苯基。

上述通式(Q)所表示之化合物較佳為選自下述之通式(Q-a)~通式(Q-d)所表示之化合物之群中之至少一種化合物，更佳為通式(Q-a)及/或(Q-c)所表示之化合物。

上述通式(Q-a)~式(Q-d)中，R^Q1較佳為碳原子數1~10之直鏈烷基或支鏈烷基，R^Q2較佳為碳原子數1~20之直鏈烷基或支鏈烷基，R^Q3較佳為碳原子數1~8之直鏈烷基、支鏈烷基、直鏈烷氧基或支鏈烷氧基，L^Q較佳為碳原子數1~8之直鏈伸烷基或支鏈伸烷基。該等中，通式(Q)所表示之化合物進而較佳為下述式(Q-a-1)及/或(Q-c-1)所表示之化合物。

於本案發明之液晶組成物中，較佳為含有一種或兩種之上述通式(Q)所表示之化合物，進而較佳為含有一種~五種，其含量相對於本發明之液晶組成物之總質量，較佳為0.001~1質量%，較佳為0.001~0.1質量%，較佳為0.001~0.05質量%。

又，於本案發明般於水平配向方式下由於在相同基板(例如，圖3及圖5中為第一基板)之表面形成有TFT等電極層3(光配向膜所被覆之面)，因此於該表面存在大量凹凸，而成為容易促進滴加痕之產生之環境，但認為藉由配向膜與和配向膜不同之聚合體之組合，該問題得以減輕。

又，本發明之重合體可使存在於配向膜中之聚合性物質聚合而製成，亦可連同液晶組成物一同導入並使之聚合。

含有聚合性單體之液晶組成物較佳為用於藉由利用紫外線照射使其中所含之聚合性單體進行聚合而被賦予液晶配向能力，並利用液晶組成物之雙折射而控制光之穿透光量之液晶顯示元件。作為液晶顯示元件，對VA-IPS-LCD、FFS-LCD、AM-LCD(主動矩陣液晶顯示元件)、 IPS-LCD(共平面切換液晶顯示元件)有用，對AM-LCD特別有用，可用於穿透型或反射型之液晶顯示元件。

上述液晶顯示元件所使用之液晶單元之兩片基板可使用玻璃或如塑膠般具有柔軟性之透明之材料，亦可其中一者為矽等不透明之材料。具有透明電極層之透明基板例如可藉由在玻璃板等透明基板上濺鍍銦錫氧化物(ITO)而獲得。

上述彩色濾光片例如可藉由顏料分散法、印刷法、電沈積法、或染色法等而製作。若以藉由顏料分散法製作彩色濾光片之方法為一例進行說明，則為將彩色濾光片用之硬化性著色組成物塗佈於該透明基板上，實施圖案化處理，然後藉由加熱或光照射使其硬化。以紅、綠、藍3色分別進行該步驟，藉此可製作彩色濾光片用之像素部。除此以外，亦可於該基板上設置設有TFT、薄膜二極體等主動元件之像素電極。

以透明電極層成為內側之方式使上述基板對向。此時，亦可經由間隔件而調整基板之間隔。此時，較佳為以所獲得之調光層(液晶層)之厚度成為1~100μm之方式進行調整。進而較佳為1.5至10μm，於使用偏光板之情形時，較佳為以對比度成為最大之方式調整液晶之折射率異向性Δn與單元厚度G之積。又，於存在兩片偏光板之情形時，亦可以調整各偏光板之偏光軸而使視角或對比度變得良好之方式進行調整。進而，亦使用用以擴大視角之相位差膜亦可。作為間隔件，例如可列舉由玻璃粒子、塑膠粒子、氧化鋁粒子、光阻材料等構成之柱狀間隔件等。其後，將環氧系熱硬化性組成物等密封劑以設置有液晶注入口之形式網版印刷於該基板，使該基板彼此貼合，進行加熱而使密封劑熱硬化。

於兩片基板間挾持液晶組成物(視需要含有聚合性單體)之方法可使用通常之真空注入法或ODF法等。然而，真空注入法雖然不產生滴加痕，但存在殘留注入痕跡之課題。於本案發明中，可更佳地用於使用ODF法所製造之顯示元件。於ODF法之液晶顯示元件製造步驟中，使用分注器將環氧系光熱併用硬化性等之密封劑以閉環堤狀描繪於底板或前板之任一者之基板，於脫氣下向其中滴加特定量之液晶組成物後，將前板與底板接合，藉此可製造液晶顯示元件。本發明之液晶組成物由於可穩定地進行ODF步驟中之液晶組成物之滴加，因此可較佳地使用。

作為使聚合性單體聚合之方法，為了獲得液晶之良好之配向性能，而理想為採用適度之聚合速度，因此較佳為藉由照射單一之紫外線或電子束等活性能量線，或者併用或依序照射紫外線或電子束等活性能量線而使其聚合之方法。於使用紫外線之情形時，可使用偏光光源，亦可使用非偏光光源。又，於在將含聚合性單體之液晶組成物挾持於兩片基板間之狀態下進行聚合之情形時，至少必須對照射面側之基板賦予對於活性能量線而言適當之透明性。又，亦可使用如下手段：於光照射時使用遮罩而僅使特定之部分聚合後，藉由改變電場、磁場或溫度等條件，使未聚合部分之配向狀態發生變化，進一步照射活性能量線而使其聚合。尤其是於進行紫外線曝光時，較佳為於未對含聚合性單體之液晶組成物施加電壓之狀態下進行紫外線曝光。於横向電場型MVA模式之液晶顯示元件中，就配向穩定性及對比度之觀點而言，較佳為將預傾角(液晶分子之長軸與基板表面的交角)控制為0°左右。

照射時之溫度較佳為保持本發明之液晶組成物之液晶狀態的溫度範圍內。較佳為於接近室溫之溫度，即，典型而言於15~35℃之溫度下使其聚合。作為產生紫外線之燈，可使用金屬鹵化物燈、高壓水銀燈、超高壓水銀燈等。又，作為所照射之紫外線之波長，較佳為照射不為液晶組成物之吸收波長區域的波長區域之紫外線，較佳為視需要將紫外線進行截止而使用。所照射之紫外線之強度較佳為0.1mW/cm²~100W/cm²，更佳為2mW/cm²~50W/cm²。所照射之紫外線之能量可適當進行調整，較佳為10mJ/cm²至500J/cm²，更佳為100mJ/cm²至200J/cm²。照射紫外線之時間可根據所照射之紫外線強度而適當選擇，於使用金屬鹵化物燈、高壓水銀燈或超高壓水銀燈之情形時，較佳為10秒至3600秒，更佳為10秒至600秒，於使用螢光燈之情形時，較佳為60秒至18000秒，較佳為600秒至10800秒。

上述第1基板或上述第2基板只要實質上透明，則材質並無特別限定，可使用玻璃、陶瓷、塑膠等。作為塑膠基板，可使用：纖維素、三乙醯纖維素、二乙醯纖維素等纖維素衍生物；聚環烯烴衍生物、聚對苯二甲酸乙二酯、聚萘二甲酸乙二酯等聚酯；聚丙烯、聚乙烯等聚烯烴；聚碳酸酯、聚乙烯醇、聚氯乙烯、聚偏二氯乙烯、聚醯胺、聚醯亞胺、聚醯亞胺醯胺、聚苯乙烯、聚丙烯酸酯、聚甲基丙烯酸甲酯、聚醚碸、聚芳酯；進而可使用玻璃纖維-環氧樹脂、玻璃纖維-丙烯酸樹脂等無機-有機複合材料等。

再者，於使用塑膠基板時，較佳為設置障壁膜。障壁膜之功能在於降低塑膠基板所具有之透濕性，提高液晶顯示元件之電特性之可靠性。作為障壁膜，只要分別為透明性較高、水蒸氣透過性較小者，則並無特別限定，通常使用利用氧化矽等無機材料並藉由蒸鍍或濺鍍、化學氣相沈積法(CVD法)所形成之薄。

於本發明中，作為上述第1基板或上述第2基板，可使用同一原材料，亦可使用不同原材料，並無特別限定。若使用玻璃基板，則可製作耐熱性或尺寸穩定性優異之液晶顯示元件，故而較佳。又，若為塑膠基板，則適於藉由輥對輥法進行之製造方法，且適於輕量化或可撓化，故而較佳。又，若目的在於賦予平坦性及耐熱性，則將塑膠基板與玻璃基板加以組合而可獲得良好之結果。

【實施例】

以下，列舉實施例更詳細地說明本發明，但本發明並不限定於該等實施例。又，以下之實施例及比較例之組成物中之「%」意指「質量%」。

實施例中，所測定之特性如以下所述。

Tni：向列相-等向性液體相轉移溫度(℃)

Δn：於295K之折射率異向性(別名：雙折射率)

Δε：於295K之介電異向性性

η：於295K之黏度(mPa‧s)

γ 1：於295K之旋轉黏性(mPa‧s)

VHR：頻率60Hz、施加電壓5V之條件下於313K之電壓保持率(%)

殘像：液晶顯示元件之殘像評價係使特定之固定圖案於顯示區域內顯示1440 小時後，藉由目視根據以下之4個等級評價進行整個畫面之均勻顯示時之固定圖案之殘影之等級。

◎無殘影

○有極少殘影且為可容許之等級

△有殘影，為無法容許之等級

×有殘影，非常差

揮發性/製造裝置污染性：液晶材料之揮發性評價係一面利用閃光儀照亮真空攪拌消泡混合機之運轉狀態一面進行觀察，目視觀察液晶材料之發泡，藉此進行評價。具體而言，於容量2.0L之真空攪拌消泡混合機之專用容器中裝入液晶組成物0.8kg，於4kPa之脫氣下以公轉速度15S^-1、自轉速度7.5S^-1運轉真空攪拌消泡混合機，根據直至開始發泡為止之時間，根據以下之4個等級進行評價。

◎直至發泡為止為3分鐘以上。因揮發引起之裝置污染之可能性較低。

○直至發泡為止為1分鐘以上且未達3分鐘。有因揮發引起裝置輕微污染之擔憂。

△直至發泡為止為30秒以上且未達1分鐘。因揮發而引起裝置污染。

×直至發泡為止為30秒以內。有因揮發引起裝置嚴重污染之擔憂。

製程相容性：製程相容性係於ODF製程中，使用定容計量泵以每次40pL之方式滴加液晶，將該操作進行100000次，按照以下之4個等級對其後之「0~200次、201~400次、401~600次、……99801~100000次」之各200次所滴加之液晶量之變化進行評價。

◎變化極小(可穩定地製造液晶顯示元件)

○有少許變化且為可容許之等級

△有變化，為無法容許之等級(因產生不均引起產率變差)

×有變化，非常差(產生液晶洩漏或真空氣泡)

低溫下之溶解性：低溫下之溶解性評價係製備液晶組成物後，秤量液晶組成物0.5g置於1mL之樣品瓶中，於溫度控制式試驗槽中，以「-20℃(保持1小時)→升溫(0.2℃/每分鐘)→0℃(保持1小時)→升溫(0.2℃/每分鐘)→20℃(保持1小時)→降溫(-0.2℃/每分鐘)→0℃(保持1小時)→降溫(-0.2℃/每分鐘)→-20℃」作為1個週期而對其持續賦予溫度變化，藉由目視觀察來自液晶組成物之析出物之產生，進行以下之4個等級之評價。

◎600小時以上未觀察到析出物。

○300小時以上未觀察到析出物。

△150小時以內觀察到析出物。

×75小時以內觀察到析出物。

靜態對比度變化率(CRS變化率)：於具備白色光源、分光器、偏光元件(入射側偏光板)、析光元件(出射側偏光板)、檢測器之光學測定裝置(RETS-100，大塚電子股份有限公司製造)之偏光元件-析光元件間配置作為測定對象之上述光學膜。此處，於偏光元件與析光元件之旋轉角為0度(偏光元件與析光元件之偏光方向為平行位置[平行偏光])之狀態下，一面使光學膜旋轉，一面藉由檢測器檢測穿透光之光量，將所檢測之光量成為最大之光學膜之旋轉位置(偏光元件之偏光方向與聚合性液晶之分子長軸方向平行)之穿過光之光量(接通時光量)設為Yon。又，將於固定偏光元件與光學膜之位置之狀態下，將析光元件相對於偏光元件之旋轉角設為90度(偏光元件與析光元件之偏光方向為正交位置[正交偏光])時之穿過光之光量(斷開時光量)設為Yoff。對比度CRS係藉由下式求出。

靜態對比度CRS之數值越大，表示斷開時光量Yoff越小，即漏光越少，因此越為優異之黑顯示。

對比度係於製成顯示元件後(CRS0)馬上一邊施加電壓(5V、60Hz之方波)一邊加熱至60℃、10小時後(CRS10)，進行測定。

CRS變化率係根據所得到之CRS0與CRS10藉由下式所決定。

於實施例中，液晶組成物中所使用之化合物之記載使用以下之簡稱。

(側鏈)

-F -F氟原子

F- -F氟原子

-n -C_nH_2n+1碳原子數n之直鏈狀之烷基

n- C_nH_2n+1-碳原子數n之直鏈狀之烷基

-On -OC_nH_2n+1碳原子數n之直鏈狀之烷氧基

nO- C_nH_2n+1O-碳原子數n之直鏈狀之烷氧基

-V -CH=CH₂

V- CH₂=CH-

-V1 -CH=CH-CH₃

1V- CH₃-CH=CH-

-2V -CH₂-CH₂-CH=CH₃

V2- CH₃=CH-CH₂-CH₂-

-2V1 -CH₂-CH₂-CH=CH-CH₃

1V2- CH₃-CH=CH-CH₂-CH₂

(連結基)

-CF2O- -CF₂-O-

-OCF2- -O-CF₂-

-1O- -CH₂-O-

-O1- -O-CH₂-

-COO- -COO-

(環結構)

(實施例1~7)

製備具有以下所示之組成的液晶組成物(組成物1~7)。

相對於100g之上述組成物1，添加0.3g之式(Mn-1)所表示之聚合性化合物，製備聚合性液晶組成物1。以同樣的方式製備聚合性液晶組成物2~7。

製備形成有配向膜之基板，以單元厚度為3.0μm之方式將該等進行貼合，從而形成液晶單元，使用聚合性液晶組成物1~7而製造液晶顯示元件。

一邊以頻率1kHz來施加1.8V之方波，一邊介隔會截斷320nm以下之紫外線的濾波器，使用高壓水銀燈(Toshiba Lighting & Technology corporation製造之FL15UV34A(NP805))對液晶單元照射紫外線。將單元表面之照射強度調整成10mW/cm²並照射700秒，使聚合性液晶組成物中之聚合性物質聚合從而製作液晶顯示元件。

藉由改變具有薄膜電晶體與透明電極層之基板上之電極結構，分別製成IPS元件及FFS元件。

以下表示各液晶顯示元件之對比度及VHR之值。

如上所述，確認到本案發明之液晶顯示元件具有優異的特性。

1、8‧‧‧偏光板