TWI638882B - Composition and liquid crystal display element using same - Google Patents

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Abstract

本發明提供一種組合物，該組合物具有較廣之溫度範圍之液晶相、黏性較小、低溫下之溶解性良好、且比電阻或電壓保持率較高、對熱或光較為穩定，進而良率良好地提供一種IPS型或TN型等之液晶顯示元件，其藉由使用上述組合物而顯示品質優異，不易產生殘像或滴下痕跡等顯示不良。
本發明提供一種組合物，其含有通式(i)所表示之化合物，含有2種或3種以上通式(M-3)所表示之化合物，含有式(L-1-1.3)所表示之化合物，又，提供一種使用其之液晶顯示元件。

Description

組合物及使用其之液晶顯示元件
本發明係關於一種可用作液晶顯示材料之介電各向異性(△ε)顯示正值之組合物及使用其之液晶顯示元件。
液晶顯示元件逐步用於以鐘錶、計算器為代表之各種測定機器、汽車用面板、文字處理器、電子記事本、印表機、電腦、電視、鐘錶、廣告顯示板等中。作為液晶顯示方式，其代表性者有TN(Twisted Nematic，扭轉向列)型、STN(Super Twisted Nematic，超扭轉向列)型、使用TFT(Thin-Film Transistor，薄膜電晶體)之垂直配向型或IPS(In-Plane Switching，共平面切換)型等。對該等液晶顯示元件所使用之液晶組合物要求：對水分、空氣、熱、光等外部刺激較為穩定，又，於以室溫為中心之儘可能廣之溫度範圍內顯示液晶相，黏性較低，且驅動電壓較低。進而，為了使介電各向異性(△ε)或/及折射率各向異性(△n)等成為對各顯示元件而言最佳之值，液晶組合物包含數種至數十種化合物。
垂直配向(VA)型顯示器係使用△ε為負之液晶組合物，TN型、STN型或IPS(共平面切換)型等水平配向型顯示器係使用△ε為正之液晶組合物。又，亦報告有藉由使△ε為正之液晶組合物於未施加電壓時垂直配向並施加橫向電場而進行顯示的驅動方式，△ε為正之液晶組合物之必要性進一步提高。另一方面，對所有驅動方式均要求低電壓驅動、高速應答、較廣之動作溫度範圍。即，要求△ε為正且絕對值較大、黏 度(η)較小、向列相-各向同性液相轉移溫度(Tni)較高。又，必須根據△n與單元間隙(d)之乘積即△n×d之設定，配合單元間隙將液晶組合物之△n調節至適當之範圍。此外，於將液晶顯示元件應用於電視等之情形時，重視高速應答性，因此要求旋轉黏性(γ1)較小之液晶組合物。
作為旨在高速應答性之液晶組合物之構成，例如揭示有將作為△ε為正之液晶化合物之式(A-1)或(A-2)所表示之化合物、及作為△ε為中性之液晶化合物之(B)組合而使用的液晶組合物(專利文獻1至4)。
另一方面，液晶顯示元件之用途擴大，其使用方法、製造方法亦可見明顯變化。為了應對該等變化，不斷要求將先前已知之基本物性值以外之特性最佳化。即，使用液晶組合物之液晶顯示元件廣泛使用VA(Vertical Aligned，垂直配向)型或IPS型等，關於其大小，50型以上之超大型尺寸之顯示元件亦得到實際應用。隨著基板尺寸之大型化，液晶組合物對基板之注入方法亦自先前之真空注入法變為滴下注入(ODF：One Drop Fill)法而成為注入方法之主流，但將液晶組合物滴加至基板上時之滴下痕跡導致顯示品質之降低的問題最終表面化。進而，於利用ODF法之液晶顯示元件製造步驟中，必須根據液晶顯示元件之尺寸而滴加最佳之液晶注入量。若注入量距最佳值之偏差變大， 則預先設計之液晶顯示元件之折射率或驅動電場之平衡被破壞，而產生斑產生或對比度不良等顯示不良。尤其是多用於最近流行之智慧型手機中的小型液晶顯示元件由於最佳之液晶注入量較少，故而本身難以將距最佳值之偏差控制於一定範圍內。因此，為了將液晶顯示元件之良率保持為較高，例如亦需要如下性能：因液晶滴下時所產生之滴下裝置內之急遽壓力變化或衝擊導致的影響較小，可長期穩定地持續滴加液晶。
如此，對利用TFT元件等進行驅動之主動矩陣驅動液晶顯示元件所使用之液晶組合物，除維持高速應答性能等作為液晶顯示元件所要求之特性或性能，並且具有自先前以來一直重視之高比電阻值或高電壓保持率、或者對光或熱等外部刺激較為穩定之特性以外，亦要求考慮液晶顯示元件之製造方法之開發。
[先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本專利特開2008-037918號
[專利文獻2]日本專利特開2008-038018號
[專利文獻3]日本專利特開2010-275390號
[專利文獻4]日本專利特開2011-052120號
本發明所欲解決之課題在於提供一種組合物，其係△ε為正之組合物，並且具有較廣之溫度範圍之液晶相、黏性較小、低溫下之溶解性良好、且比電阻或電壓保持率較高、對熱或光較為穩定，進而良率良好地提供一種IPS型或TN型等之液晶顯示元件，其藉由使用上述組合物而顯示品質優異，不易產生殘像或滴下痕跡等顯示不良。
本發明者對各種液晶化合物及各種化學物質進行研究，發現可藉由組合特定之液晶化合物而解決上述課題，從而完成本發明。
[1]一種組合物，其含有通式(i)所表示之化合物，含有2種或3種以上通式(M-3)所表示之化合物，含有式(L-1-1.3)所表示之化合物，
(式中，Ri1及RM31分別獨立地表示碳原子數1~8之烷基，該烷基中之1個或非鄰接之2個以上-CH2-可分別獨立地被取代為-CH=CH-、-C≡C-、-O-、-CO-、-COO-或-OCO-，XM31~XM36分別獨立地表示氫原子、氟原子或氯原子，YM31表示氟原子或-OCF3)。
[2]如[1]之組合物，其中Ri1及RM31為丙基。
[3]如[1]之組合物，其進而含有1種或2種以上通式(L)所表示之化合物，
(式中，RL1及RL2分別獨立地表示碳原子數1~8之烷基，該烷基中之1個或非鄰接之2個以上-CH2-可分別獨立地被取代為-CH=CH-、-C≡C-、-O-、-CO-、-COO-或-OCO-，OL表示0、1、2或3，BL1、BL2及BL3分別獨立地表示選自由
(a)1,4-伸環己基(該基中所存在之1個-CH2-或非鄰接之2個以上-CH2-可被取代為-O-)及(b)1,4-伸苯基(該基中所存在之1個-CH=或非鄰接之2個以上-CH=可被取代為-N=)
所組成之群中之基，上述基(a)、基(b)可分別獨立地經氰基、氟原子或氯原子取代，LL1及LL2分別獨立地表示單鍵、-CH2CH2-、-(CH2)4-、-OCH2-、-CH2O-、-COO-、-OCO-、-OCF2-、-CF2O-、-CH=N-N=CH-、-CH=CH-、-CF=CF-或-C≡C-，於OL為2或3而存在複數個LL2之情形時，其等可相同亦可不同，於OL為2或3而存在複數個BL3之情形時，其等可相同亦可不同，式(L-1-1.3)所表示之化合物除外)。
[4]如技術方案[1]至[3]中任一項之組合物，其進而含有1種或2種以上通式(M)所表示之化合物，
(式中，RM1表示碳原子數1~8之烷基，該烷基中之1個或非鄰接之2個以上-CH2-可分別獨立地被取代為-CH=CH-、-C≡C-、-O-、-CO-、 -COO-或-OCO-，PM表示0、1、2、3或4，CM1及CM2分別獨立地表示選自由
(d)1,4-伸環己基(該基中所存在之1個-CH2-或非鄰接之2個以上-CH2-可被取代為-O-或-S-)及(e)1,4-伸苯基(該基中所存在之1個-CH=或非鄰接之2個以上-CH=可被取代為-N=)
所組成之群中之基，上述基(d)、基(e)可分別獨立地經氰基、氟原子或氯原子取代，KM1及KM2分別獨立地表示單鍵、-CH2CH2-、-(CH2)4-、-OCH2-、-CH2O-、-OCF2-、-CF2O-、-COO-、-OCO-或-C≡C-，於PM為2、3或4而存在複數個KM1之情形時，其等可相同亦可不同，於PM為2、3或4而存在複數個CM2之情形時，其等可相同亦可不同，XM1及XM3分別獨立地表示氫原子、氯原子或氟原子，XM2表示氫原子、氟原子、氯原子、氰基、三氟甲基、氟甲氧基、二氟甲氧基、三氟甲氧基或2,2,2-三氟乙基；但，通式(i)所表示之化合物及通式(M-3)所表示之化合物除外)。
[4]一種液晶顯示元件，其使用如[1]之組合物。
[5]一種IPS元件或FFS元件，其使用如[1]之組合物。
通式(i)所表示之化合物較佳為式(M-7.11)至式(M-7.14)所表示之化合物，較佳為式(M-7.11)及式(M-7.12)所表示之化合物。
相對於本發明之組合物之總量的該等化合物之較佳含量之下限值為1%、2%、4%、5%、8%、10%、13%、15%、18%、20%。較佳含量之上限值為30%、28%、25%、23%、20%、18%、15%、13%、10%、8%、5%。
本發明之組合物所使用之通式(M)所表示之化合物較佳為通式(M-3)所表示之化合物。
(式中，RM31表示碳原子數1~5之烷基、碳原子數2~5之烯基或碳原子數1~4之烷氧基，XM31至XM36分別獨立地表示氫原子或氟原子，YM31表示氟原子、氯原子或OCF3)
對可組合之化合物並無特別限制，較佳為考慮低溫下之溶解性、轉移溫度、電性可靠性、雙折射率等而組合1種至2種以上。
通式(M-3)所表示之化合物之含量係考慮低溫下之溶解性、轉移溫度、電性可靠性、雙折射率等特性而於每個實施形態中存在上限值與下限值。
相對於本發明之組合物之總量的式(M-3)所表示之化合物之較佳含量之下限值為1%、2%、4%、5%、8%、10%、13%、15%、18%、20%。較佳含量之上限值為20%、18%、15%、13%、10%、8%、5%。
通式(M-3)所表示之化合物中，RM31較佳為碳原子數1~5之烷基、碳原子數2~5之烯基或碳原子數1~4之烷氧基，較佳為XM31至XM36中之3個以上為氟原子，較佳為4個以上為氟原子，YM31較佳為氟原子或OCF3。
進而，本發明之組合物所使用之通式(M-3)所表示之化合物具體而言較佳為式(M-3.1)至式(M-3.4)所表示之化合物，其中較佳為含有式(M-3.1)及/或式(M-3.2)所表示之化合物。
相對於本發明之組合物之總量的式(M-3.1)所表示之化合物之較佳含量之下限值為1%、2%、4%、5%、8%、10%、13%、15%、18%、20%。較佳含量之上限值為20%、18%、15%、13%、10%、8%、5%。
相對於本發明之組合物之總量的式(M-3.2)所表示之化合物之較佳含量之下限值為1%、2%、4%、5%、8%、10%、13%、15%、18%、20%。較佳含量之上限值為20%、18%、15%、13%、10%、8%、5%。
相對於本發明之組合物之總量的式(M-3.1)及式(M-3.2)所表示之化合物之合計較佳含量之下限值為1%、2%、4%、5%、8%、10%、13%、15%、18%、20%。較佳含量之上限值為20%、18%、15%、13%、10%、8%、5%。
相對於本發明之組合物之總量的式(L-1-1.1)所表示之化合物之較佳含量之下限值為1%、2%、3%、5%、7%、10%。較佳含量之上限值相對於本發明之組合物之總量為20%、15%、13%、10%、8%、7%、6%、5%、3%。
本發明之具有正介電各向異性之組合物可獲得非常低之黏性，低溫下之溶解性良好、且比電阻或電壓保持率因熱或光產生之變化極小，因此製品之實用性較高，使用其之IPS型或FFS型等之液晶顯示元件可達成高速應答。又，於液晶顯示元件製造步驟中可穩定地發揮性能，故而可抑制由步驟引起之顯示不良而良率較高地進行製造，因此非常有用。
本發明之組合物較佳為於室溫(25℃)下呈現液晶相，進而較佳為呈現向列相。又，本發明之.組合物含有介電大致中性之化合物(△ε之值 為-2~2)及正化合物(△ε之值大於2)。再者，化合物之介電各向異性係由在25℃下添加至介電大致中性之組合物中所製備之組合物之介電各向異性之測定值外推所得的值。再者，以下以%記載含量，其意指%。
本發明之組合物亦可含有1種或2種以上通式(L)所表示之化合物。通式(L)所表示之化合物相當於介電大致中性之化合物(△ε之值為-2~2)。
(式中，RL1及RL2分別獨立地表示碳原子數1~8之烷基，該烷基中之1個或非鄰接之2個以上-CH2-可分別獨立地被取代為-CH=CH-、-C≡C-、-O-、-CO-、-COO-或-OCO-，OL表示0、1、2或3，BL1、BL2及BL3分別獨立地表示選自由
(a)1,4-伸環己基(該基中所存在之1個-CH2-或非鄰接之2個以上-CH2-可被取代為-O-)及(b)1,4-伸苯基(該基中所存在之1個-CH=或非鄰接之2個以上-CH=可被取代為-N=)
所組成之群中之基，上述基(a)、基(b)可分別獨立地經氰基、氟原子或氯原子取代，LL1及LL2分別獨立地表示單鍵、-CH2CH2-、-(CH2)4-、-OCH2-、-CH2O-、-COO-、-OCO-、-OCF2-、-CF2O-、-CH=N-N=CH-、-CH=CH-、-CF=CF-或-C≡C-，於OL為2或3而存在複數個LL2之情形時，其等可相同亦可不同，於OL為2或3而存在複數個BL3之情形時，其等可相同亦可不同，其中， 通式(i)所表示之化合物除外)
通式(L)所表示之化合物可單獨使用，亦可組合而使用。對可組合之化合物之種類並無特別限制，根據低溫下之溶解性、轉移溫度、電性可靠性、雙折射率等所需性能而適當組合使用。所使用之化合物之種類例如於本發明之一實施形態中為1種。或者於本發明之另一實施形態中為2種、3種、4種、5種、6種、7種、8種、9種、10種以上。
於本發明之組合物中，通式(L)所表示之化合物之含量必須根據低溫下之溶解性、轉移溫度、電性可靠性、雙折射率、製程適合性、滴下痕跡、殘像、介電各向異性等所要求之性能而適當調整。
相對於本發明之組合物之總量的式(L)所表示之化合物之較佳含量之下限值為1%、10%、20%、30%、40%、50%、55%、60%、65%、70%、75%、80%。較佳含量之上限值為95%、85%、75%、65%、55%、45%、35%、25%。
於需要將本發明之組合物之黏度保持為較低且應答速度較快之組合物之情形時，較佳為上述下限值較高且上限值較高。進而，於需要將本發明之組合物之Tni保持為較高且溫度穩定性良好之組合物之情形時，較佳為上述下限值較高且上限值較高。又，為了將驅動電壓保持為較低而欲增大介電各向異性時，較佳為上述下限值較低且上限值較低。
於重視可靠性之情形時，較佳為RL1及RL2均為烷基，於重視黏性之降低之情形時，較佳為至少一者為烯基。
RL1及RL2於其所鍵結之環結構為苯基(芳香族)之情形時，較佳為直鏈狀之碳原子數1~5之烷基、直鏈狀之碳原子數1~4之烷氧基及碳原子數4~5之烯基，於其所鍵結之環結構為環己烷、吡喃及二烷等飽和之環結構之情形時，較佳為直鏈狀之碳原子數1~5之烷基、直鏈狀之碳原子數1~4之烷氧基及直鏈狀之碳原子數2~5之烯基。
通式(L)所表示之化合物較佳為選自通式(L-1)所表示之化合物群中之化合物。
(式中，RL11及RL12分別獨立地表示直鏈狀之碳原子數1~5之烷基、直鏈狀之碳原子數1~4之烷氧基及直鏈狀之碳原子數2~5之烯基；其中，式(i)所表示之化合物除外)
對可組合之化合物之種類並無特別限制，根據低溫下之溶解性、轉移溫度、電性可靠性、雙折射率等所要求之性能而適當組合使用。所使用之化合物之種類例如於本發明之一實施形態中為1種、2種、3種、4種、5種以上。
較佳含量之下限值相對於本發明之組合物之總量為1%、2%、3%、5%、7%、10%、15%、20%、25%、30%、35%、40%、45%、50%、55%。較佳含量之上限值相對於本發明之組合物之總量為95%、90%、85%、80%、75%、70%、65%、60%、55%、50%、45%、40%、35%、30%、25%。
於需要將本發明之組合物之黏度保持為較低且應答速度較快之組合物之情形時，較佳為上述下限值較高且上限值較高。進而，於需要將本發明之組合物之Tni保持為較高且溫度穩定性良好之組合物之情形時，較佳為上述下限值適中且上限值適中。又，為了將驅動電壓保持為較低而欲增大介電各向異性時，較佳為上述下限值較低且上限值較低。
進而，通式(L-1)所表示之化合物較佳為選自通式(L-1-1)所表示之 化合物群中之化合物。
(式中RL12表示與通式(L-1)中之含義相同之含義；其中，式(i)所表示之化合物除外)
進而，通式(L-1-1)所表示之化合物較佳為選自式(L-1-1.1)或式(L-1-1.2)所表示之化合物群中之化合物，較佳為式(L-1-1.2)所表示之化合物。
相對於本發明之組合物之總量的該等化合物之較佳含量之下限值為1%、2%、3%、5%、7%、10%。較佳含量之上限值相對於本發明之組合物之總量為20%、15%、13%、10%、8%、7%、6%、5%、3%。
進而，通式(L-1)所表示之化合物較佳為選自通式(L-1-2)所表示之化合物群中之化合物。
(式中RL12表示與通式(L-1)中之含義相同之含義)
相對於本發明之組合物之總量的式(L-1-2)所表示之化合物之較佳含量之下限值為1%、5%、10%、15%、20%、30%。較佳含量之上限值相對於本發明之組合物之總量為60%、55%、50%、45%、40%、35%、33%、30%。
進而，通式(L-1-2)所表示之化合物較佳為選自式(L-1-2.1)至式(L-1-2.4)所表示之化合物群中之化合物，較佳為式(L-1-2.2)至式(L-1-2.4)所表示之化合物。尤其是式(L-1-2.2)所表示之化合物尤其會改善本發明之組合物之應答速度，故而較佳。又，於要求高於應答速度之Tni時，較佳為使用式(L-1-2.3)或式(L-1-2.4)所表示之化合物。為了使低溫下之溶解度變得良好，式(L-1-2.3)及式(L-1-2.4)所表示之化合物之含量設為30%以上時欠佳。
相對於本發明之組合物之總量的式(L-1-2.2)所表示之化合物之較佳含量之下限值為10%、15%、20%、25%、27%、30%、35%、40%。較佳含量之上限值相對於本發明之組合物之總量為60%、55%、50%、45%、43%、40%、38%、35%、32%、30%、27%、25%、22%。
相對於本發明之組合物之總量的式(L-1-1.3)所表示之化合物及式(L-1-2.2)所表示之化合物之合計較佳含量之下限值為10%、15%、20%、25%、27%、30%、35%、40%。較佳含量之上限值相對於本發 明之組合物之總量為60%、55%、50%、45%、43%、40%、38%、35%、32%、30%、27%、25%、22%。
進而，通式(L-1)所表示之化合物較佳為選自通式(L-1-3)所表示之化合物群中之化合物。
(式中RL11及RL12表示與通式(L-1)中之含義相同之含義)
對可組合之化合物之種類並無特別限制，根據低溫下之溶解性、轉移溫度、電性可靠性、雙折射率等所要求之性能而組合。所使用之化合物之種類例如於本發明之一實施形態中為1種、2種、3種。
於本發明之組合物中，通式(L-1-3)所表示之化合物之含量必須根據低溫下之溶解性、轉移溫度、電性可靠性、雙折射率、製程適合性、滴下痕跡、殘像、介電各向異性等所要求之性能而適當調整。
相對於本發明之組合物之總量的式(L-1-3)所表示之化合物之較佳含量之下限值為1%、5%、10%、15%、20%、30%。較佳含量之上限值相對於本發明之組合物之總量為60%、55%、50%、45%、40%、35%、33%、30%。
進而，通式(L-1-3)所表示之化合物較佳為選自式(L-1-3.1)至式(L-1-3.4)所表示之化合物群中之化合物，較佳為式(L-1-3.1)、式(L-1-3.3)或式(L-1-3.4)所表示之化合物。尤其是式(L-1-3.1)所表示之化合物尤其會改善本發明之組合物之應答速度，故而較佳。又，於要求高於應答速度之Tni時，較佳為使用式(L-1-3.3)或式(L-1-3.4)所表示之化合物。為了使低溫下之溶解度變得良好，式(L-1-3.3)及式(L-1-3.4)所表示之化合物之含量設為20%以上時欠佳。
相對於本發明之組合物之總量的式(L-1-3.1)所表示之化合物之較佳含量之下限值為1%、2%、3%、5%、7%、10%。較佳含量之上限值相對於本發明之組合物之總量為20%、15%、13%、10%、8%、7%、6%、5%、3%。
進而，通式(L)所表示之化合物較佳為選自通式(L-2)所表示之化合物群中之化合物。
(式中，RL21表示碳原子數1~5之烷基或碳原子數2~5之烯基，RL22表示碳原子數1~5之烷基、碳原子數4~5之烯基或碳原子數1~4之烷氧基)
對可組合之化合物之種類並無特別限制，根據低溫下之溶解性、轉移溫度、電性可靠性、雙折射率等所要求之性能而組合。所使用之化合物之種類例如於本發明之一實施形態中為1種、2種。
於本發明之組合物中，通式(L-2)所表示之化合物之含量必須根據 低溫下之溶解性、轉移溫度、電性可靠性、雙折射率、製程適合性、滴下痕跡、殘像、介電各向異性等所要求之性能而適當調整。
於重視低溫下之溶解性之情形時，若將含量設定為略多，則效果較高，反之，於重視應答速度之情形時，若將含量設定為略少，則效果較高。進而，於改良滴下痕跡或殘像特性之情形時，較佳為將含量之範圍設定為中間。
相對於本發明之組合物之總量的式(L-2)所表示之化合物之較佳含量之下限值為1%、2%、3%、5%、7%、10%。較佳含量之上限值相對於本發明之組合物之總量為20%、15%、13%、10%、8%、7%、6%、5%、3%。
進而，通式(L-2)所表示之化合物較佳為選自式(L-2.1)至式(L-2.6)所表示之化合物群中之化合物，較佳為式(L-2.3)、式(L-2.4)及式(L-2.6)所表示之化合物。
進而，通式(L)所表示之化合物較佳為選自通式(L-3)所表示之化合物群中之化合物。
(式中，RL31及RL32分別獨立地表示碳原子數1~5之烷基、碳原子數4~5之烯基或碳原子數1~4之烷氧基)
對可組合之化合物之種類並無特別限制，根據低溫下之溶解性、轉移溫度、電性可靠性、雙折射率等所要求之性能而組合。所使用之化合物之種類例如於本發明之一實施形態中為1種、2種。
於本發明之組合物中，通式(L-3)所表示之化合物之含量必須根據低溫下之溶解性、轉移溫度、電性可靠性、雙折射率、製程適合性、滴下痕跡、殘像、介電各向異性等所要求之性能而適當調整。
相對於本發明之組合物之總量的式(L-2)所表示之化合物之較佳含量之下限值為1%、2%、3%、5%、7%、10%。較佳含量之上限值相對於本發明之組合物之總量為20%、15%、13%、10%、8%、7%、6%、5%、3%。
於獲得較高之雙折射率之情形時，若將含量設定為略多，則效果較高，反之，於重視較高之Tni之情形時，若將含量設定為略少，則效果較高。進而，於改良滴下痕跡或殘像特性之情形時，較佳為將含量之範圍設定為中間。
進而，通式(L-3)所表示之化合物較佳為選自式(L-3.1)至式(L-3.4)所表示之化合物群中之化合物，較佳為式(L-3.2)至式(L-3.4)所表示之化合物。
進而，通式(L)所表示之化合物較佳為選自例如通式(L-4)所表示之化合物群中之化合物。
(RL41表示碳原子數1~5之烷基或碳原子數2~5之烯基，RL42表示碳原子數1~5之烷基、碳原子數4~5之烯基或碳原子數1~4之烷氧基)
對可組合之化合物之種類並無特別限制，根據低溫下之溶解性、轉移溫度、電性可靠性、雙折射率等所要求之性能而組合。所使用之化合物之種類例如於本發明之一實施形態中為1種、2種以上。
於本發明之組合物中，通式(L-4)所表示之化合物之含量必須根據低溫下之溶解性、轉移溫度、電性可靠性、雙折射率、製程適合性、滴下痕跡、殘像、介電各向異性等所要求之性能而適當調整。
相對於本發明之組合物之總量的式(L-4)所表示之化合物之較佳含量之下限值為1%、2%、3%、5%、7%、10%、14%、16%、20%、23%、26%、30%、35%、40%。相對於本發明之組合物之總量的式(L-4)所表示之化合物之較佳含量之上限值為50%、40%、35%、30%、20%、 15%、10%、5%。
進而，通式(L-4)所表示之化合物較佳為例如式(L-4.1)至式(L-4.3)所表示之化合物。
根據低溫下之溶解性、轉移溫度、電性可靠性、雙折射率等所要求之性能，可含有式(L-4.1)所表示之化合物，可含有式(L-4.2)所表示之化合物，可含有式(L-4.1)所表示之化合物與式(L-4.2)所表示之化合物兩者，亦可含有所有式(L-4.1)至式(L-4.3)所表示之化合物。相對於本發明之組合物之總量的式(L-4.1)或式(L-4.2)所表示之化合物之較佳含量之下限值為3%、5%、7%、9%、11%、12%、13%、18%、21%。較佳上限值為45、40%、35%、30%、25%、23%、20%、18%、15%、13%。
於含有式(L-4.1)所表示之化合物與式(L-4.2)所表示之化合物兩者之情形時，相對於本發明之組合物之總量的兩種化合物之較佳含量之下限值為15%、19%、24%、30%。較佳上限值為45、40%、35%、30%、25%、23%、20%、18%、15%、13%。
進而，通式(L-4)所表示之化合物較佳為例如式(L-4.4)至式(L-4.6)所表示之化合物。
根據低溫下之溶解性、轉移溫度、電性可靠性、雙折射率等所要求之性能，可含有式(L-4.4)所表示之化合物，可含有式(L-4.5)所表示之化合物，亦可含有式(L-4.4)所表示之化合物與式(L-4.5)所表示之化合物兩者。
相對於本發明之組合物之總量的式(L-4.4)或式(L-4.5)所表示之化合物之較佳含量之下限值為3%、5%、7%、9%、11%、12%、13%、18%、21%。較佳上限值為45、40%、35%、30%、25%、23%、20%、18%、15%、13%。
進而，通式(L-4)所表示之化合物較佳為例如式(L-4.7)至式(L-4.10)所表示之化合物，尤佳為式(L-4.9)所表示之化合物。
進而，通式(L)所表示之化合物較佳為選自通式(L-5)所表示之化合 物群中之化合物。
(RL51表示碳原子數1~5之烷基或碳原子數2~5之烯基，RL52表示碳原子數1~5之烷基、碳原子數4~5之烯基或碳原子數1~4之烷氧基)
對可組合之化合物之種類並無特別限制，根據低溫下之溶解性、轉移溫度、電性可靠性、雙折射率等所要求之性能而組合。所使用之化合物之種類例如於本發明之一實施形態中為1種、2種以上。
於本發明之組合物中，通式(L-5)所表示之化合物之含量必須根據低溫下之溶解性、轉移溫度、電性可靠性、雙折射率、製程適合性、滴下痕跡、殘像、介電各向異性等所要求之性能而適當調整。
相對於本發明之組合物之總量的式(L-5)所表示之化合物之較佳含量之下限值為1%、2%、3%、5%、7%、10%、14%、16%、20%、23%、26%、30%、35%、40%。相對於本發明之組合物之總量的式(L-5)所表示之化合物之較佳含量之上限值為50%、40%、35%、30%、20%、15%、10%、5%。
進而，通式(L-5)所表示之化合物較佳為例如式(L-5.1)或式(L-5.2)所表示之化合物，尤佳為式(L-5.1)所表示之化合物。
相對於本發明之組合物之總量的該等化合物之較佳含量之下限值為1%、2%、3%、5%、7%。該等化合物之較佳含量之上限值為20%、15%、13%、10%、9%。
進而，通式(L-5)所表示之化合物較佳為例如式(L-5.3)或式(L-5.4)所表示之化合物。
相對於本發明之組合物之總量的該等化合物之較佳含量之下限值為1%、2%、3%、5%、7%。該等化合物之較佳含量之上限值為20%、15%、13%、10%、9%。
進而，通式(L-5)所表示之化合物較佳為選自例如式(L-5.5)至式(L-5.7)所表示之化合物群中之化合物，尤佳為式(L-5.7)所表示之化合物。
相對於本發明之組合物之總量的該等化合物之較佳含量之下限值為1%、2%、3%、5%、7%。該等化合物之較佳含量之上限值為20%、15%、13%、10%、9%。
進而，通式(L)所表示之化合物較佳為選自通式(L-6)所表示之群中。
(式中，RL61及RL62分別獨立地表示碳原子數1~5之烷基或碳原子數2~5之烯基，XL61及XL62分別獨立地表示氫原子或氟原子)
對可組合之化合物之種類並無特別限制，根據低溫下之溶解性、轉移溫度、電性可靠性、雙折射率等所要求之性能而組合。所使用之化合物之種類例如於本發明之一實施形態中為1種、2種以上。
於本發明之組合物中，通式(L-6)所表示之化合物之含量必須根據低溫下之溶解性、轉移溫度、電性可靠性、雙折射率、製程適合性、滴下痕跡、殘像、介電各向異性等所要求之性能而適當調整。
相對於本發明之組合物之總量的式(L-6)所表示之化合物之較佳含量之下限值為1%、2%、3%、5%、7%、10%、14%、16%、20%、23%、26%、30%、35%、40%。相對於本發明之組合物之總量的式(L-6)所表示之化合物之較佳含量之上限值為50%、40%、35%、30%、20%、15%、10%、5%。
進而，通式(L-6)所表示之化合物較佳為例如式(L-6.1)至式(L-6.9)所表示之化合物。
對可組合之化合物之種類並無特別限制，較佳為含有該等化合物中之1種~3種，進而較佳為含有1種~4種。又，所選擇之化合物之分子量分佈較廣亦對溶解性有效，因此較佳為例如自式(L-6.1)或(L-6.2)所表示之化合物中選擇1種化合物，自式(L-6.4)或(L-6.5)所表示之化合物中選擇1種化合物，自式(L-6.6)或式(L-6.7)所表示之化合物中選擇1種化合物，自式(L-6.8)或(L-6.9)所表示之化合物中選擇1種化合物而將該等適當組合。其中較佳為含有式(L-6.1)、式(L-6.3)、式(L-6.4)、式 (L-6.6)及式(L-6.9)所表示之化合物。
進而，通式(L-6)所表示之化合物較佳為例如式(L-6.10)至式(L-6.17)所表示之化合物，其中較佳為式(L-6.11)所表示之化合物。
相對於本發明之組合物之總量的該等化合物之較佳含量之下限值為1%、2%、3%、5%、7%。該等化合物之較佳含量之上限值為20%、15%、13%、10%、9%。
進而，通式(L)所表示之化合物較佳為選自通式(L-7)所表示之群中之化合物。
(式中，RL71及RL72分別獨立地表示碳原子數1~5之烷基、碳原子數2~5之烯基或碳原子數1~4之烷氧基，AL71及AL72分別獨立地表示1,4-伸環己基或1,4-伸苯基，AL71及AL72上之氫原子可分別獨立地經氟原子取代，QL71表示單鍵或COO-，XL71及XL72分別獨立地表示氟原子或氫原子)
對可組合之化合物之種類並無特別限制，根據低溫下之溶解性、轉移溫度、電性可靠性、雙折射率等所要求之性能而組合。所使用之化合物之種類例如於本發明之一實施形態中為1種、2種、3種、4種。
於本發明之組合物中，通式(L-7)所表示之化合物之含量必須根據低溫下之溶解性、轉移溫度、電性可靠性、雙折射率、製程適合性、滴下痕跡、殘像、介電各向異性等所要求之性能而適當調整。
相對於本發明之組合物之總量的式(L-7)所表示之化合物之較佳含量之下限值為1%、2%、3%、5%、7%、10%、14%、16%、20%。相對於本發明之組合物之總量的式(L-7)所表示之化合物之較佳含量之上限值為30%、25%、23%、20%、18%、15%、10%、5%。
於期望本發明之組合物為較高之Tni之實施形態之情形時，較佳為將式(L-7)所表示之化合物之含量設為略多，於期望低黏度之實施形態之情形時，較佳為將含量設為略少。
進而，通式(L-7)所表示之化合物較佳為式(L-7.1)至式(L-7.4)所表示之化合物，較佳為式(L-7.2)所表示之化合物。
進而，通式(L-7)所表示之化合物較佳為式(L-7.11)至式(L-7.13)所表示之化合物，較佳為式(L-7.11)所表示之化合物。
進而，通式(L-7)所表示之化合物為式(L-7.21)至式(L-7.23)所表示之化合物。較佳為式(L-7.21)所表示之化合物。
進而，通式(L-7)所表示之化合物較佳為式(L-7.31)至式(L-7.34)所表示之化合物，較佳為式(L-7.31)或/及式(L-7.32)所表示之化合物。
進而，通式(L-7)所表示之化合物較佳為式(L-7.41)至式(L-7.44)所表示之化合物，較佳為式(L-7.41)或/及式(L-7.42)所表示之化合物。
本發明之組合物亦較佳為含有通式(M)所表示之化合物。
(式中，RM1表示碳原子數1~8之烷基，該烷基中之1個或非鄰接之2個以上-CH2-可分別獨立地被取代為-CH=CH-、-C≡C-、-O-、-CO-、-COO-或-OCO-，PM表示0、1、2、3或4，CM1及CM2分別獨立地表示選自由
(d)1,4-伸環己基(該基中所存在之1個-CH2-或非鄰接之2個以上-CH2-可被取代為-O-或-S-)及(e)1,4-伸苯基(該基中所存在之1個-CH=或非鄰接之2個以上-CH=可被取代為-N=)
所組成之群中之基，上述基(d)及基(e)上之氫原子可分別獨立地經氰基、氟原子或氯原子取代，KM1及KM2分別獨立地表示單鍵、-CH2CH2-、-(CH2)4-、-OCH2-、-CH2O-、-OCF2-、-CF2O-、-COO-、-OCO-或-C≡C-，於PM為2、3或4而存在複數個KM1之情形時，其等可相同亦可不同，於PM為2、3或4而存在複數個CM2之情形時，其等可相同亦可不同，XM1及XM3分別獨立地表示氫原子、氯原子或氟原子，XM2表示氫原子、氟原子、氯原子、氰基、三氟甲基、氟甲氧基、二氟甲氧基、三氟甲氧基或2,2,2-三氟乙基；其中，通式(L)所表示之化合物、通式(i)所表示之化合物、通式(ii)所表示之化合物及通式(iii)所表示之化合物除外)
對可組合之化合物之種類並無特別限制，根據低溫下之溶解性、轉移溫度、電性可靠性、雙折射率等所需性能組合而使用。所使用之化合物之種類例如於本發明之一實施形態中為1種、2種、3種。又，進而，於本發明之另一實施形態中為4種、5種、6種、7種以上。
於本發明之組合物中，通式(M)所表示之化合物之含量必須根據低溫下之溶解性、轉移溫度、電性可靠性、雙折射率、製程適合性、滴下痕跡、殘像、介電各向異性等所要求之性能而適當調整。
相對於本發明之組合物之總量的式(M)所表示之化合物之較佳含量之下限值為1%、10%、20%、30%、40%、50%、55%、60%、65%、70%、75%、80%。較佳含量之上限值相對於本發明之組合物之總量於例如本發明之一形態中為95%、85%、75%、65%、55%、45%、35%、25%。
於需要將本發明之組合物之黏度保持為較低且應答速度較快之組合物之情形時，較佳為將上述下限值設為略低並將上限值設為略低。進而，於需要將本發明之組合物之Tni保持為較高且溫度穩定性良好之組合物之情形時，較佳為將上述下限值設為略低並將上限值設為略低。又，為了將驅動電壓保持為較低而欲增大介電各向異性時，較佳為將上述下限值設為略高並將上限值設為略高。
於重視可靠性之情形時，RM1較佳為烷基，於重視黏性之降低之情形時，較佳為烯基。
RM1於其所鍵結之環結構為苯基(芳香族)之情形時，較佳為直鏈狀之碳原子數1~5之烷基、直鏈狀之碳原子數1~4之烷氧基及碳原子數4~5之烯基，於其所鍵結之環結構為環己烷、吡喃及二烷等飽和之環結構之情形時，較佳為直鏈狀之碳原子數1~5之烷基、直鏈狀之碳原子數1~4之烷氧基及直鏈狀之碳原子數2~5之烯基。
於對組合物要求化學穩定性之情形時，通式(M)所表示之化合物 較佳為於其分子內不具有氯原子。進而於組合物內，具有氯原子之化合物較佳為5%以下，較佳為3%以下，較佳為1%以下，較佳為0.5%以下，較佳為實質上不含。所謂實質上不含，意指僅將製造化合物時以雜質之形式產生之化合物等非刻意地包含氯原子之化合物混入至組合物中。
通式(M)所表示之化合物較佳為選自例如通式(M-1)所表示之化合物群中之化合物。
(式中，RM11表示碳原子數1~5之烷基、碳原子數2~5之烯基或碳原子數1~4之烷氧基，XM11至XM15分別獨立地表示氫原子或氟原子，YM11表示氟原子或OCF3)
對可組合之化合物之種類並無特別限制，根據低溫下之溶解性、轉移溫度、電性可靠性、雙折射率等所需性能組合而使用。所使用之化合物之種類例如於本發明之一實施形態中為1種、2種、3種以上。
相對於本發明之組合物之總量的式(M-1)所表示之化合物之較佳含量之下限值為1%、2%、5%、8%、10%、13%、15%、18%、20%、22%、25%、30%。較佳含量之上限值為30%、28%、25%、23%、20%、18%、15%、13%、10%、8%、5%。
於需要將本發明之組合物之黏度保持為較低且應答速度較快之組合物之情形時，較佳為將上述下限值設為略低並將上限值設為略低。進而，於需要將本發明之組合物之Tni保持為較高且溫度穩定性良 好之組合物之情形時，較佳為將上述下限值設為略低並將上限值設為略低。又，為了將驅動電壓保持為較低而欲增大介電各向異性時，較佳為將上述下限值設為略高並將上限值設為略高。
進而，通式(M-1)所表示之化合物具體而言較佳為式(M-1.1)至式(M-1.4)所表示之化合物，較佳為式(M-1.1)或式(M-1.2)所表示之化合物，進而較佳為式(M-1.2)所表示之化合物。又，亦較佳為同時使用式(M-1.1)或式(M-1.2)所表示之化合物。
相對於本發明之組合物之總量的式(M-1.1)所表示之化合物之較佳含量之下限值為1%、2%、5%、6%。較佳含量之上限值為15%、13%、10%、8%、5%。
相對於本發明之組合物之總量的式(M-1.2)所表示之化合物之較佳含量之下限值為1%、2%、5%、6%。較佳含量之上限值為30%、25%、23%、20%、18%、15%、13%、10%、8%。
相對於本發明之組合物之總量的式(M-1.1)及式(M-1.2)所表示之 化合物之合計較佳含量之下限值為1%、2%、5%、6%。較佳含量之上限值為30%、25%、23%、20%、18%、15%、13%、10%、8%。
進而，通式(M)所表示之化合物較佳為選自例如通式(M-2)所表示之化合物群中之化合物。
(式中，RM21表示碳原子數1~5之烷基、碳原子數2~5之烯基或碳原子數1~4之烷氧基，XM21及XM22分別獨立地表示氫原子或氟原子，YM21表示氟原子、氯原子或OCF3)
相對於本發明之組合物之總量的式(M-2)所表示之化合物之較佳含量之下限值為1%、2%、5%、8%、10%、13%、15%、18%、20%、22%、25%、30%。較佳含量之上限值為30%、28%、25%、23%、20%、18%、15%、13%、10%、8%、5%。
於需要將本發明之組合物之黏度保持為較低且應答速度較快之組合物之情形時，較佳為將上述下限值設為略低並將上限值設為略低。進而，於需要將本發明之組合物之Tni保持為較高且不易產生殘像之組合物之情形時，較佳為將上述下限值設為略低並將上限值設為略低。又，為了將驅動電壓保持為較低而欲增大介電各向異性時，較佳為將上述下限值設為略高並將上限值設為略高。
進而，通式(M-2)所表示之化合物較佳為式(M-2.1)至式(M-2.5)所表示之化合物，較佳為式(M-2.3)或/及式(M-2.5)所表示之化合物。
相對於本發明之組合物之總量的式(M-2.2)所表示之化合物之較佳含量之下限值為1%、2%、5%、6%。較佳含量之上限值為15%、13%、10%、8%、5%。
相對於本發明之組合物之總量的式(M-2.3)所表示之化合物之較佳含量之下限值為1%、2%、5%、6%。較佳含量之上限值為30%、25%、23%、20%、18%、15%、13%、10%、8%。
相對於本發明之組合物之總量的式(M-2.5)所表示之化合物之較佳含量之下限值為1%、2%、5%、6%。較佳含量之上限值為30%、25%、23%、20%、18%、15%、13%、10%、8%。
相對於本發明之組合物之總量的式(M-2.2)、(M-2.3)及式(M-2.5)所表示之化合物之合計較佳含量之下限值為1%、2%、5%、6%。較佳 含量之上限值為30%、25%、23%、20%、18%、15%、13%、10%、8%。
相對於本發明之組合物之總量，含量較佳為1%以上，更佳為5%以上，進而較佳為8%以上，進而較佳為10%以上，進而較佳為14%以上，尤佳為16%以上。又，考慮低溫下之溶解性、轉移溫度、電性可靠性等，較佳為將最大比率控制為30%以下，進而較佳為25%以下，更佳為22%以下，尤佳為未達20%。
進而，通式(M)所表示之化合物較佳為選自通式(M-4)所表示之群中之化合物。
(式中，RM41表示碳原子數1~5之烷基、碳原子數2~5之烯基或碳原子數1~4之烷氧基，XM41至XM48分別獨立地表示氟原子或氫原子，YM41表示氟原子、氯原子或OCF3)
對可組合之化合物並無特別限制，較佳為考慮低溫下之溶解性、轉移溫度、電性可靠性、雙折射率等而組合1種、2種或3種以上。
通式(M-4)所表示之化合物之含量係考慮低溫下之溶解性、轉移溫度、電性可靠性、雙折射率等特性而於每個實施形態中存在上限值與下限值。
相對於本發明之組合物之總量的式(M-4)所表示之化合物之較佳含量之下限值為1%、2%、4%、5%、8%、10%、13%、15%、18%、20%。較佳含量之上限值為30%、28%、25%、23%、20%、18%、15%、13%、10%、8%、5%。
於將本發明之組合物用於單元間隙較小之液晶顯示元件之情形時，宜為將通式(M-4)所表示之化合物之含量設為略多。於用於驅動電壓較小之液晶顯示元件之情形時，宜為將通式(M-4)所表示之化合物之含量設為略多。又，於用於低溫環境下所使用之液晶顯示元件之情形時，宜為將通式(M-4)所表示之化合物之含量設為略少。於為用於應答速度較快之液晶顯示元件之組合物之情形時，宜為將通式(M-4)所表示之化合物之含量設為略少。
進而，本發明之組合物所使用之通式(M-4)所表示之化合物具體而言較佳為式(M-4.1)至式(M-4.4)所表示之化合物，其中較佳為含有式(M-4.2)至式(M-4.4)所表示之化合物，更佳為含有式(M-4.2)所表示之化合物。
進而，通式(M)所表示之化合物較佳為通式(M-5)所表示之化合物。
(式中，RM51表示碳原子數1~5之烷基、碳原子數2~5之烯基或碳原子數1~4之烷氧基，XM51及XM52分別獨立地表示氫原子或氟原子，YM51表示氟原子、氯原子或OCF3)
對可組合之化合物之種類並無限制，考慮低溫下之溶解性、轉移溫度、電性可靠性、雙折射率等而於每個實施形態中適當組合使用。例如於本發明之一實施形態中為1種，於另一實施形態中組合2種，於又一實施形態中組合3種，又，於又一實施形態中組合4種，又，於又一實施形態中組合5種，又，於又一實施形態中組合6種以上。
相對於本發明之組合物之總量的式(M-5)所表示之化合物之較佳含量之下限值為1%、2%、5%、8%、10%、13%、15%、18%、20%、22%、25%、30%。較佳含量之上限值為50%、45%、40%、35%、33%、30%、28%、25%、23%、20%、18%、15%、13%、10%、8%、5%。
於需要將本發明之組合物之黏度保持為較低且應答速度較快之組合物之情形時，較佳為將上述下限值設為略低並將上限值設為略低。進而，於需要將本發明之組合物之Tni保持為較高且不易產生殘像之組合物之情形時，較佳為將上述下限值設為略低並將上限值設為略低。又，為了將驅動電壓保持為較低而欲增大介電各向異性時，較佳為將上述下限值設為略高並將上限值設為略高。
進而，通式(M-5)所表示之化合物較佳為式(M-5.1)至式(M-5.4)所表示之化合物，較佳為式(M-5.1)至式(M-5.4)所表示之化合物。
相對於本發明之組合物之總量的該等化合物之較佳含量之下限值為1%、2%、5%、8%、10%、13%、15%。較佳含量之上限值為30%、28%、25%、23%、20%、18%、15%、13%、10%、8%、5%。
進而，通式(M-5)所表示之化合物較佳為式(M-5.11)至式(M-5.17)所表示之化合物，較佳為式(M-5.11)、式(M-5.13)及式(M-5.17)所表示之化合物。
相對於本發明之組合物之總量的該等化合物之較佳含量之下限值為1%、2%、5%、8%、10%、13%、15%。較佳含量之上限值為30%、28%、25%、23%、20%、18%、15%、13%、10%、8%、5%。
進而，通式(M-5)所表示之化合物較佳為式(M-5.21)至式(M-5.28)所表示之化合物，較佳為式(M-5.21)、式(M-5.22)、式(M-5.23)及式(M-5.25)所表示之化合物。
相對於本發明之組合物之總量的該等化合物之較佳含量之下限值為1%、2%、5%、8%、10%、13%、15%、18%、20%、22%、25%、30%。較佳含量之上限值為40%、35%、33%、30%、28%、25%、23%、20%、18%、15%、13%、10%、8%、5%。
進而，通式(M)所表示之化合物較佳為通式(M-6)所表示之化合物。
(式中，RM61表示碳原子數1~5之烷基、碳原子數2~5之烯基或碳原子數1~4之烷氧基，XM61至XM64分別獨立地表示氟原子或氫原子，YM61表示氟原子、氯原子或OCF3)
對可組合之化合物之種類並無限制，考慮低溫下之溶解性、轉移溫度、電性可靠性、雙折射率等而於每個實施形態中適當組合。
相對於本發明之組合物之總量的式(M-6)所表示之化合物之較佳含量之下限值為1%、2%4%、5%、8%、10%、13%、15%、18%、20%。較佳含量之上限值為30%、28%、25%、23%、20%、18%、15%、13%、10%、8%、5%。
於將本發明之組合物用於驅動電壓較小之液晶顯示元件之情形時，宜為將通式(M-6)所表示之化合物之含量設為略多。又，於為用於應答速度較快之液晶顯示元件之組合物之情形時，宜為將通式(M-6)所表示之化合物之含量設為略少。
進而，通式(M-6)所表示之化合物具體而言較佳為式(M-6.1)至式(M-6.4)所表示之化合物，其中較佳為含有式(M-6.2)及式(M-6.4)所表示之化合物。
相對於本發明之組合物之總量的該等化合物之較佳含量之下限值為1%、2%、4%、5%、8%、10%、13%、15%、18%、20%。較佳含量之上限值為30%、28%、25%、23%、20%、18%、15%、13%、10%、8%、5%。
進而，通式(M-6)所表示之化合物具體而言較佳為式(M-6.11)至式(M-6.14)所表示之化合物，其中較佳為含有式(M-6.12)及式(M-6.14)所表示之化合物。
相對於本發明之組合物之總量的該等化合物之較佳含量之下限值為1%、2%、4%、5%、8%、10%、13%、15%、18%、20%。較佳含量之上限值為30%、28%、25%、23%、20%、18%、15%、13%、10%、8%、5%。
進而，通式(M-6)所表示之化合物具體而言較佳為式(M-6.21)至式(M-6.24)所表示之化合物，其中較佳為含有式(M-6.21)、式(M-6.22)及式(M-6.24)所表示之化合物。
相對於本發明之組合物之總量的該等化合物之較佳含量之下限值為1%、2%、4%、5%、8%、10%、13%、15%、18%、20%。較佳含量之上限值為30%、28%、25%、23%、20%、18%、15%、13%、10%、8%、5%。
進而，通式(M-6)所表示之化合物具體而言較佳為式(M-6.31)至式(M-6.34)所表示之化合物，其中較佳為含有式(M-6.31)及式(M-6.32)所表示之化合物。
相對於本發明之組合物之總量的該等化合物之較佳含量之下限值為1%、2%、4%、5%、8%、10%、13%、15%、18%、20%。較佳含量之上限值為30%、28%、25%、23%、20%、18%、15%、13%、10%、8%、5%。
進而，通式(M-6)所表示之化合物具體而言較佳為式(M-6.41)至式(M-6.44)所表示之化合物，其中較佳為含有式(M-6.42)所表示之化合物。
相對於本發明之組合物之總量的該等化合物之較佳含量之下限值為1%、2%、4%、5%、8%、10%、13%、15%、18%、20%。較佳含量之上限值為30%、28%、25%、23%、20%、18%、15%、13%、10%、8%、5%。
進而，通式(M)所表示之化合物較佳為選自通式(M-7)所表示之化合物群中之化合物。
(式中，XM71至XM76分別獨立地表示氟原子或氫原子，RM71表示碳原子數1~5之烷基、碳原子數2~5之烯基或碳原子數1~4之烷氧基，YM71表示氟原子或OCF3)
對可組合之化合物之種類並無特別限制，較佳為含有該等化合物中之1種~2種，更佳為含有1種~3種，進而較佳為含有1種~4種。
通式(M-7)所表示之化合物之含量係考慮低溫下之溶解性、轉移溫度、電性可靠性、雙折射率等特性而於每個實施形態中存在上限值與下限值。
相對於本發明之組合物之總量的式(M-7)所表示之化合物之較佳含量之下限值為1%、2%、4%、5%、8%、10%、13%、15%、18%、20%。較佳含量之上限值為30%、28%、25%、23%、20%、18%、15%、13%、10%、8%、5%。
於將本發明之組合物用於單元間隙較小之液晶顯示元件之情形時，宜為將通式(M-7)所表示之化合物之含量設為略多。於用於驅動電 壓較小之液晶顯示元件之情形時，宜為將通式(M-7)所表示之化合物之含量設為略多。又，於用於低溫環境下所使用之液晶顯示元件之情形時，宜為將通式(M-7)所表示之化合物之含量設為略少。於為用於應答速度較快之液晶顯示元件之組合物之情形時，宜為將通式(M-7)所表示之化合物之含量設為略少。
進而，通式(M-7)所表示之化合物較佳為式(M-7.1)至式(M-7.4)所表示之化合物，較佳為式(M-7.2)所表示之化合物。
相對於本發明之組合物之總量的該等化合物之較佳含量之下限值為1%、2%、4%、5%、8%、10%、13%、15%、18%、20%。較佳含量之上限值為30%、28%、25%、23%、20%、18%、15%、13%、10%、8%、5%。
進而，通式(M-7)所表示之化合物較佳為式(M-7.21)至式(M-7.24)所表示之化合物，較佳為式(M-7.21)及式(M-7.22)所表示之化合物。
相對於本發明之組合物之總量的該等化合物之較佳含量之下限值為1%、2%、4%、5%、8%、10%、13%、15%、18%、20%。較佳含量之上限值為30%、28%、25%、23%、20%、18%、15%、13%、10%、8%、5%。
進而，通式(M)所表示之化合物較佳為通式(M-8)所表示之化合物。
(式中，XM81至XM84分別獨立地表示氟原子或氫原子，YM81表示氟原子、氯原子或-OCF3，RM81表示碳原子數1~5之烷基、碳原子數2~5之烯基或碳原子數1~4之烷氧基，AM81及AM82分別獨立地表示1,4-伸環 己基、1,4-伸苯基或
1,4-伸苯基上之氫原子可經氟原子取代)
相對於本發明之組合物之總量的通式(M-8)所表示之化合物之較佳含量之下限值為1%、2%、4%、5%、8%、10%、13%、15%、18%、20%。較佳含量之上限值為30%、28%、25%、23%、20%、18%、15%、13%、10%、8%、5%。
於需要將本發明之組合物之黏度保持為較低且應答速度較快之組合物之情形時，較佳為將上述下限值設為略低並將上限值設為略低。進而，於需要不易產生殘像之組合物之情形時，較佳為將上述下限值設為略低並將上限值設為略低。又，為了將驅動電壓保持為較低而欲增大介電各向異性時，較佳為將上述下限值設為略高並將上限值設為略高。
進而，本發明之組合物所使用之通式(M-8)所表示之化合物具體而 言較佳為式(M-8.1)至式(M-8.4)所表示之化合物，其中較佳為含有式(M-8.1)及式(M-8.2)所表示之化合物。
相對於本發明之組合物之總量的該等化合物之較佳含量之下限值為1%、2%、4%、5%、8%、10%、13%、15%、18%、20%。較佳含量之上限值為30%、28%、25%、23%、20%、18%、15%、13%、10%、8%、5%。
進而，本發明之組合物所使用之通式(M-8)所表示之化合物具體而言較佳為式(M-8.11)至式(M-8.14)所表示之化合物，其中較佳為含有式(M-8.12)所表示之化合物。
相對於本發明之組合物之總量的該等化合物之較佳含量之下限值為1%、2%、4%、5%、8%、10%、13%、15%、18%、20%。較佳含量之上限值為30%、28%、25%、23%、20%、18%、15%、13%、10%、8%、5%。
進而，本發明之組合物所使用之通式(M-8)所表示之化合物具體而言較佳為式(M-8.21)至式(M-8.24)所表示之化合物，其中較佳為含有式(M-8.22)所表示之化合物。
相對於本發明之組合物之總量的該等化合物之較佳含量之下限值為1%、2%、4%、5%、8%、10%、13%、15%、18%、20%。較佳含量之上限值為30%、28%、25%、23%、20%、18%、15%、13%、10%、8%、5%。
進而，本發明之組合物所使用之通式(M-8)所表示之化合物具體而言較佳為式(M-8.31)至式(M-8.34)所表示之化合物，其中較佳為含有式(M-8.32)所表示之化合物。
相對於本發明之組合物之總量的該等化合物之較佳含量之下限值為1%、2%、4%、5%、8%、10%、13%、15%、18%、20%。較佳含量之上限值為30%、28%、25%、23%、20%、18%、15%、13%、10%、8%、5%。
進而，本發明之組合物所使用之通式(M-8)所表示之化合物具體而言較佳為式(M-8.41)至式(M-8.44)所表示之化合物，其中較佳為含有式(M-8.42)所表示之化合物。
相對於本發明之組合物之總量的該等化合物之較佳含量之下限值為1%、2%、4%、5%、8%、10%、13%、15%、18%、20%。較佳含量之上限值為30%、28%、25%、23%、20%、18%、15%、13%、10%、8%、5%。
進而，本發明之組合物所使用之通式(M-8)所表示之化合物具體而言較佳為式(M-8.51)至式(M-8.54)所表示之化合物，其中較佳為含有式(M-8.52)所表示之化合物。
相對於本發明之組合物之總量的該等化合物之較佳含量之下限值為1%、2%、4%、5%、8%、10%、13%、15%、18%、20%。較佳含量之上限值為30%、28%、25%、23%、20%、18%、15%、13%、10%、8%、5%。
相對於本發明之組合物之總量的通式(i)、(M-3)、(L-1-1.3)、(L)及(M)所表示之化合物之合計較佳含量之下限值為80%、85%、88%、90%、92%、93%、94%、95%、96%、97%、98%、99%、100%。較佳含量之上限值為100%、99%、98%、95%。
相對於本發明之組合物之總量的通式(i)、(M-3)、(L-1-1.3)、(L-1)至(L-7)及(M-1)至(M-8)所表示之化合物之合計較佳含量之下限值為80%、85%、88%、90%、92%、93%、94%、95%、96%、97%、98%、99%、100%。較佳含量之上限值為100%、99%、98%、95%。
本案發明之組合物較佳為不含分子內具有過酸(-CO-OO-)結構等 氧原子彼此鍵結而成之結構的化合物。
於重視組合物之可靠性及長期穩定性之情形時，較佳為將具有羰基之化合物之含量設為相對於上述組合物之總質量為5%以下，更佳為設為3%以下，進而較佳為設為1%以下，最佳為實質上不含。
於重視利用UV(ultraviolet，紫外線)照射之穩定性之情形時，較佳為將取代有氯原子之化合物之含量設為相對於上述組合物之總質量為15%以下，較佳為設為10%以下，較佳為設為8%以下，更佳為設為5%以下，更佳為設為3%以下，進而較佳為實質上不含。
較佳為增多分子內之環結構均為6員環之化合物之含量，較佳為將分子內之環結構均為6員環之化合物之含量設為相對於上述組合物之總質量為80%以上，更佳為設為90%以上，進而較佳為設為95%以上，最佳為實質上僅由分子內之環結構均為6員環之化合物構成組合物。
為了抑制因組合物之氧化引起之劣化，較佳為減少具有伸環己烯基作為環結構之化合物之含量，較佳為將具有伸環己烯基之化合物之含量設為相對於上述組合物之總質量為10%以下，較佳為設為8%以下，更佳為設為5%以下，更佳為設為3%以下，進而較佳為實質上不含。
於重視黏度之改善及Tni之改善之情形時，較佳為減少分子內具有氫原子可被取代為鹵素之2-甲基苯-1,4-二基之化合物的含量，較佳為將上述分子內具有2-甲基苯-1,4-二基之化合物之含量設為相對於上述組合物之總質量為10%以下，較佳為設為8%以下，更佳為設為5%以下，更佳為設為3%以下，進而較佳為實質上不含。
於本申請案中，所謂實質上不含，意指除非刻意地含有之成分以外不含。
在本發明之第一實施形態之組合物所含之化合物具有烯基作為側鏈之情況下，於上述烯基鍵結於環己烷上之情形時該烯基之碳原子 數較佳為2~5，於上述烯基鍵結於苯上之情形時該烯基之碳原子數較佳為4~5，上述烯基之不飽和鍵與苯較佳為未直接鍵結。
為了製作PS模式、橫向電場型PSA(Polymer Sustained Alignment，聚合物穩定配向)模式或橫向電場型PSVA(Polymer Sustained Vertical Alignment，聚合物穩定垂直配向)模式等之液晶顯示元件，本發明之組合物可含有聚合性化合物。作為可使用之聚合性化合物，可列舉藉由光等能量線而進行聚合之光聚合性單體等，就結構而言，例如可列舉聯苯衍生物、聯三苯衍生物等具有複數個六員環連結而成之液晶骨架之聚合性化合物等。進而具體而言，較佳為通式(XX)所表示之二官能單體，
(式中，X201及X202分別獨立地表示氫原子或甲基，Sp201及Sp202分別獨立地表示單鍵、碳原子數1~8之伸烷基或-O-(CH2)s-(式中，s表示2至7之整數，氧原子設為鍵結於芳香環上者)，Z201表示-OCH2-、-CH2O-、-COO-、-OCO-、-CF2O-、-OCF2-、-CH2CH2-、-CF2CF2-、-CH=CH-COO-、-CH=CH-OCO-、-COO-CH=CH-、-OCO-CH=CH-、-COO-CH2CH2-、-OCO-CH2CH2-、-CH2CH2-COO-、-CH2CH2-OCO-、-COO-CH2-、-OCO-CH2-、-CH2-COO-、-CH2-OCO-、-CY1=CY2-(式中，Y1及Y2分別獨立地表示氟原子或氫原子)、-C≡C-或單鍵，M201表示1,4-伸苯基、反式-1,4-伸環己基或單鍵，式中之所有1,4- 伸苯基之任意氫原子可被取代為氟原子)。
X201及X202均表示氫原子之二丙烯酸酯衍生物、均具有甲基之二甲基丙烯酸酯衍生物均較佳，一者表示氫原子而另一者表示甲基之化合物亦較佳。該等化合物之聚合速度係二丙烯酸酯衍生物最快，二甲基丙烯酸酯衍生物較慢，非對稱化合物居中，可根據其用途而使用較佳態樣。PSA顯示元件尤佳為二甲基丙烯酸酯衍生物。
Sp201及Sp202分別獨立地表示單鍵、碳原子數1~8之伸烷基或-O-(CH2)s-，PSA顯示元件較佳為至少一者為單鍵，較佳為均表示單鍵之化合物、或者一者表示單鍵而另一者表示碳原子數1~8之伸烷基或-O-(CH2)s-之態樣。於此情形時，較佳為1~4之烷基，s較佳為1~4。
Z201較佳為-OCH2-、-CH2O-、-COO-、-OCO-、-CF2O-、-OCF2-、-CH2CH2-、-CF2CF2-或單鍵，更佳為-COO-、-OCO-或單鍵，尤佳為單鍵。
M201表示任意氫原子可被取代為氟原子之1,4-伸苯基、反式-1,4-伸環己基或單鍵，較佳為1,4-伸苯基或單鍵。於C表示單鍵以外之環結構之情形時，Z201亦較佳為單鍵以外之連結基，於M201為單鍵之情形時，Z201較佳為單鍵。
就該等方面而言，於通式(XX)中，Sp201及Sp202之間之環結構具體而言較佳為以下記載之結構。
於通式(XX)中，M201表示單鍵且環結構由兩個環形成之情形時，較佳為表示下式(XXa-1)至式(XXa-5)，更佳為表示式(XXa-1)至式(XXa-3)，尤佳為表示式(XXa-1)。
(式中，兩端設為鍵結於Sp201或Sp202上者)
包含該等骨架之聚合性化合物之聚合後之配向限制力最適於PSA型液晶顯示元件，可獲得良好之配向狀態，因此抑制顯示不均或完全不產生顯示不均。
根據以上情況，作為聚合性單體，尤佳為通式(XX-1)~通式(XX-4)，其中最佳為通式(XX-2)。
(式中，Sp20表示碳原子數2至5之伸烷基)
於向本發明之組合物中添加單體之情形時，於不存在聚合起始劑之情況下聚合亦會進行，為了促進聚合亦可含有聚合起始劑。作為聚合起始劑，可列舉：安息香醚類、二苯甲酮類、苯乙酮類、苯偶醯縮酮類、醯基氧化膦類等。
本發明之組合物可進而含有通式(Q)所表示之化合物。
(式中，RQ表示碳原子數1至22之直鏈烷基或支鏈烷基，該烷基中之1個或2個以上CH2基可以氧原子不直接鄰接之方式被取代為-O-、-CH=CH-、-CO-、-OCO-、-COO-、-C≡C-、-CF2O-、-OCF2-，MQ表示反式-1,4-伸環己基、1,4-伸苯基或單鍵)
RQ表示碳原子數1至22之直鏈烷基或支鏈烷基，該烷基中之1個或2個以上CH2基可以氧原子不直接鄰接之方式被取代為-O-、-CH=CH-、-CO-、-OCO-、-COO-、-C≡C-、-CF2O-、-OCF2-，較佳為碳原子數1至10之直鏈烷基、直鏈烷氧基、1個CH2基被取代為-OCO-或-COO-之直鏈烷基、支鏈烷基、支鏈烷氧基、1個CH2基被取代為-OCO-或-COO-之支鏈烷基，進而較佳為碳原子數1至20之直鏈烷基、1個CH2基被取代為-OCO-或-COO-之直鏈烷基、支鏈烷基、支鏈烷氧基、1個CH2基被取代為-OCO-或-COO-之支鏈烷基。MQ表示反式-1,4-伸環己基、1,4-伸苯基或單鍵，較佳為反式-1,4-伸環己基或1,4-伸苯基。
通式(Q)所表示之化合物更具體而言較佳為下述通式(Q-a)至通式(Q-d)所表示之化合物。
式中，RQ1較佳為碳原子數1至10之直鏈烷基或支鏈烷基，RQ2較佳為碳原子數1至20之直鏈烷基或支鏈烷基，RQ3較佳為碳原子數1至8之直鏈烷基、支鏈烷基、直鏈烷氧基或支鏈烷氧基，LQ較佳為碳原子數1至8之直鏈伸烷基或支鏈伸烷基。通式(Q-a)至通式(Q-d)所表示之化合物中，進而較佳為通式(Q-c)及通式(Q-d)所表示之化合物。
本案發明之組合物較佳為含有1種或2種通式(Q)所表示之化合物，進而較佳為含有1種至5種，其含量較佳為0.001至1%，進而較佳為0.001至0.1%，尤佳為0.001至0.05%。
本發明之含有聚合性化合物之組合物係用於如下液晶顯示元件中：其所含之聚合性化合物因紫外線照射而聚合，藉此賦予液晶配向 能，利用組合物之雙折射控制光之透過光量。作為液晶顯示元件，可用於AM-LCD(Active Matrix-Liquid Crystal Display，主動矩陣型液晶顯示元件)、TN(向列型液晶顯示元件)、STN-LCD(Super Twisted Nematic-Liquid Crystal Display，超扭轉向列型液晶顯示元件)、OCB-LCD(Optically Compensated Bend-Liquid Crystal Display，光學補償彎曲型液晶顯示元件)及IPS-LCD(In-Plane Switching-Liquid Crystal Display，共平面切換型液晶顯示元件)，尤其可用於AM-LCD，可用於透過型或反射型之液晶顯示元件。
液晶顯示元件所使用之液晶單元之2片基板可使用如玻璃或塑膠般具有柔軟性之透明材料，另一方面，亦可為矽等不透明材料。具有透明電極層之透明基板例如可藉由於玻璃板等透明基板上濺鍍氧化銦錫(ITO)而獲得。
彩色濾光片可利用例如顏料分散法、印刷法、電鍍法或染色法等而製作。若以利用顏料分散法之彩色濾光片製作方法為一例進行說明，則將彩色濾光片用硬化性著色組合物塗佈於該透明基板上，實施圖案化處理，然後藉由加熱或光照射使之硬化。藉由對紅、綠、藍3色分別進行該步驟，可製作彩色濾光片用像素部。另外，亦可於該基板上設置設有TFT、薄膜二極體、金屬絕緣體金屬比電阻元件等主動元件之像素電極。
將上述基板以透明電極層成為內側之方式對向。此時，可經由間隔件而調整基板之間隔。此時，較佳為以所獲得之調光層之厚度成為1~100μm之方式進行調整。進而較佳為1.5至10μm，於使用偏光板之情形時，較佳為以對比度成為最大之方式調整液晶之折射率各向異性△n與單元厚度d之乘積。又，於存在兩片偏光板之情形時，亦可調整各偏光板之偏光軸而將視角或對比度調整為良好。進而，亦可使用用以擴大視角之相位差膜。作為間隔件，例如可列舉包含玻璃粒子、塑 膠粒子、氧化鋁粒子、光阻材料等之柱狀間隔件等。其後，將環氧系熱硬化性組合物等密封劑以設置有液晶注入口之形式網版印刷於該基板，將該基板彼此貼合，進行加熱而使密封劑熱硬化。
於2片基板間夾持含聚合性化合物之組合物之方法可利用通常之真空注入法或ODF法等，雖然真空注入法不會產生滴下痕跡，但仍具有注入之痕跡殘留之課題，於本案發明中，可更佳地用於利用ODF法而製造之顯示元件。於ODF法之液晶顯示元件製造步驟中，使用分注器於背板或前板中之任一基板上將環氧系光熱併用硬化性等之密封劑繪製成閉環堤狀(closed loop bank-shaped)，於脫氣下向其中滴加特定量之組合物之後，將前板與背板接合，藉此可製造液晶顯示元件。為了使ODF步驟中之組合物之滴下可穩定地進行，可較佳地使用本發明之組合物。
作為使聚合性化合物聚合之方法，為了獲得液晶之良好配向性能而期待適度之聚合速度，因此較佳為藉由單一地或併用地或依序地照射紫外線或電子束等活性能量線而使之聚合的方法。於使用紫外線之情形時，可使用偏光光源，亦可使用非偏光光源。又，於在將含聚合性化合物之組合物夾持於2片基板間之狀態下進行聚合之情形時，必須使至少照射面側之基板對活性能量線具有適當之透明性。又，亦可利用如下方法：於光照射時使用遮罩而僅使特定部分聚合後，使電場或磁場或溫度等條件發生變化，藉此使未聚合部分之配向狀態發生變化，進而照射活性能量線而使之聚合。尤其於進行紫外線曝光時，較佳為一面對含聚合性化合物之組合物施加交流電場一面進行紫外線曝光。所施加之交流電場較佳為頻率10Hz至10kHz之交流，更佳為頻率60Hz至10kHz，電壓係依存於液晶顯示元件所需之預傾角而選擇。即，可藉由所施加之電壓而控制液晶顯示元件之預傾角。於橫向電場型MVA(Multi-Domain Vertical Alignment，多域垂直配向)模式之液晶 顯示元件中，就配向穩定性及對比度之觀點而言，較佳為將預傾角控制為80度至89.9度。
照射時之溫度較佳為使本發明之組合物之液晶狀態得以保持之溫度範圍內。較佳為於接近於室溫之溫度、即典型的是15~35℃之溫度下使之聚合。作為產生紫外線之燈，可使用金屬鹵化物燈、高壓水銀燈、超高壓水銀燈等。又，作為所照射之紫外線之波長，較佳為照射並非組合物之吸收波長域之波長區域的紫外線，較佳為視需要將紫外線截斷而使用。所照射之紫外線之強度較佳為0.1mW/cm2~100W/cm2，更佳為2mW/cm2~50W/cm2。所照射之紫外線之能量之量可適當調整，較佳為10mJ/cm2至500J/cm2，更佳為100mJ/cm2至200J/cm2。於照射紫外線時，可使強度發生變化。照射紫外線之時間係根據所照射之紫外線強度而適當選擇，較佳為10秒至3600秒，更佳為10秒至600秒。
使用本發明之組合物之液晶顯示元件可用於同時實現高速應答與顯示不良之抑制，尤其可用於主動矩陣驅動用液晶顯示元件，可應用於VA模式、PSVA模式、PSA模式、IPS模式或ECB(Electrically Controlled Birefringence，電控雙折射)模式用液晶顯示元件。
[實施例]
以下，列舉實施例進一步詳述本發明，本發明不限定於該等實施例。又，以下實施例及比較例之組合物中之「%」意指『%』。
實施例中，所測定之特性如下所述。
Tni：向列相-各向同性液相轉移溫度(℃)
△n：298K下之折射率各向異性
△ε：298K下之介電各向異性
η：293K下之黏度(mPa．s)
γ1：298K下之旋轉黏度(mPa．s)
VHR：頻率60Hz、施加電壓5V之條件下333K下之電壓保持率(%)耐熱試驗後VHR：將封入有組合物樣品之電性光學特性評價用TEG(Test Element Group，測試元件組)於130℃之恆溫槽中保持1小時之後，於與上述VHR測定方法相同之條件下進行測定。
殘像：
液晶顯示元件之殘像評價係於顯示區域內使特定固定圖案顯示任意試驗時間之後，計測整個畫面進行均勻顯示時之固定圖案之殘像達到無法容許之殘像級別為止的試驗時間。
1)此處所謂試驗時間，係表示固定圖案之顯示時間，該時間越長越會抑制殘像之產生，顯示出較高之性能。
2)所謂無法容許之殘像級別，係指於出貨合格與否判定中觀察到成為不合格之殘像的級別。
例)
樣品A：1000小時
樣品B：500小時
樣品C：200小時
樣品D：100小時
性能為A>B>C>D。
滴下痕跡：
液晶顯示裝置之滴下痕跡之評價係以目視觀察整個面顯示黑色之情形時白色浮出之滴下痕跡，利用以下5等級評價而進行。
5：無滴下痕跡(優)
4：具有極少量滴下痕跡，但為可容許之級別(良好)
3：具有少量滴下痕跡，合格與否判定之邊緣級別(可附加條件)
2：具有滴下痕跡且為無法容許之級別(不合格)
1：具有滴下痕跡且相當惡劣(較差)
製程適合性：
製程適合性係於ODF製程中使用定積計量泵1次滴加50pL液晶，對每100次即「0~100次、101~200次、201~300次、‥‥」時之各100次滴加量之液晶質量進行計測，利用質量之偏差達到無法適於ODF製程之大小的滴下次數進行評價。
滴下次數越多，越可長期穩定地滴加，可謂製程適合性較高。
例)
樣品A：95000次
樣品B：40000次
樣品C：100000次
樣品D：10000次
性能為C>A>B>D。
低溫下之溶解性：
低溫下之溶解性評價係於製備組合物後，稱量1g組合物置於2mL之樣品瓶中，於溫度控制式試驗槽中將以下運轉狀態「-20℃(保持1小時)→升溫(0.1℃/每分鐘)→0℃(保持1小時)→升溫(0.1℃/每分鐘)→20℃(保持1小時)→降溫(-0.1℃/每分鐘)→0℃(保持1小時)→降溫(-0.1℃/每分鐘)→-20℃」作為1個循環而對上述樣品瓶持續賦予溫度變化，以目視觀察自組合物之析出物之產生，計測觀察到析出物時之試驗時間。
試驗時間越長，越會長期穩定地保持液晶相，低溫下之溶解性良好。
例)
樣品A：72小時
樣品B：600小時
樣品C：384小時
樣品D：1440小時
性能為D>B>C>A。
揮發性/製造裝置污染性：
液晶材料之揮發性評價係藉由利用閃頻儀觀察真空攪拌脫泡混合機之運轉狀態，以目視觀察液晶材料之發泡而進行。具體而言，於容量2.0L之真空攪拌脫泡混合機之專用容器中添加組合物0.8kg，於4kPa之脫氣下以公轉速度15S-1、自轉速度7.5S-1運轉真空攪拌脫泡混合機，計測開始發泡前之時間。
開始發泡前之時間越長，越不易揮發，污染製造裝置之可能性越低，因此顯示出高性能。
例)
樣品A：200秒
樣品B：45秒
樣品C：60秒
樣品D：15秒
性能為A>C>B>D。
再者，於實施例中，關於化合物之記載使用以下略號。
(環結構)
(側鏈結構及連結結構)
(實施例1、比較例1~6)
實施例1之組合物係含有通式(i)、通式(M-3)及式(L-1-1.3)所表示之化合物者。實施例1之組合物含有式(M-7.12)所表示之化合物作為通式(i)所表示之化合物。
比較例1之組合物係不含通式(i)所表示之化合物者，但與實施例1之組合物相比，△n及△ε降低。比較例2之組合物嘗試了根據該組合物使△n與實施例1之值一致，並且使△ε之值上升。可知若使△ε之值上升，則η之值亦隨之上升。
可知比較例3之組合物係不含通式(M-3)所表示之化合物者，但與實施例1之組合物相比，Tni及△ε降低。比較例4之組合物嘗試了根據該 比較例3之組合物使△n及△ε上升。可知若進行此種調整，則與實施例1之組合物相比，Tni之值大幅降低。
可知比較例5之組合物係不含式(L-1-1.3)所表示之化合物者，但與實施例1之組合物相比，Tni降低，η上升。已知比較例6之組合物嘗試了根據該比較例5之組合物使△n之值一致，使Tni上升且改善η，但η之改善較為困難。
(實施例2~4)
(實施例5~7)
(實施例8~10)
(實施例11~13)
(實施例14~16)
(實施例17~19)
(實施例20~22)
表示實施例1、2及4之組合物之下述評價。
可知本申請案組合物較為優異。

Claims (6)

  1. 一種組合物，其含有通式(i)所表示之化合物，含有2種或3種以上通式(M-3)所表示之化合物，含有式(L-1-1.3)所表示之化合物，含有通式(M-2)所表示之化合物， (式中，Ri1及RM31分別獨立地表示碳原子數1~8之烷基，該烷基中之1個或非鄰接之2個以上-CH2-可分別獨立地被取代為-CH=CH-、-C≡C-、-O-、-CO-、-COO-或-OCO-，XM31~XM36分別獨立地表示氫原子、氟原子或氯原子，YM31表示氟原子或-OCF3) (式中，RM21表示碳原子數1~5之烷基、碳原子數2~5之烯基或碳原子數1~4之烷氧基，XM21及XM22分別獨立地表示氫原子或氟原子，YM21表示氟原子、氯原子或OCF3)。
  2. 如請求項1之組合物，其中Ri1及RM31為丙基。
  3. 如請求項1之組合物，其進而含有1種或2種以上通式(L)所表示之化合物， (式中，RL1及RL2分別獨立地表示碳原子數1~8之烷基，該烷基中之1個或非鄰接之2個以上-CH2-可分別獨立地被取代為-CH=CH-、-C≡C-、-O-、-CO-、-COO-或-OCO-，OL表示0、1、2或3，BL1、BL2及BL3分別獨立地表示選自由(a)1,4-伸環己基(該基中所存在之1個-CH2-或非鄰接之2個以上-CH2-可被取代為-O-)及(b)1,4-伸苯基(該基中所存在之1個-CH=或非鄰接之2個以上-CH=可被取代為-N=)所組成之群中之基，上述基(a)、基(b)可分別獨立地經氰基、氟原子或氯原子取代，LL1及LL2分別獨立地表示單鍵、-CH2CH2-、-(CH2)4-、-OCH2-、-CH2O-、-COO-、-OCO-、-OCF2-、-CF2O-、-CH=N-N=CH-、-CH=CH-、-CF=CF-或-C≡C-，於OL為2或3而存在複數個LL2之情形時，其等可相同亦可不同，於OL為2或3而存在複數個BL3之情形時，其等可相同亦可不同，式(L-1-1.3)所表示之化合物除外)。
  4. 如請求項1至3中任一項之組合物，其進而含有1種或2種以上通式(M)所表示之化合物， (式中，RM1表示碳原子數1~8之烷基，該烷基中之1個或非鄰接之2個以上-CH2-可分別獨立地被取代為-CH=CH-、-C≡C-、-O-、-CO-、-COO-或-OCO-，PM表示0、1、2、3或4，CM1及CM2分別獨立地表示選自由(d)1,4-伸環己基(該基中所存在之1個-CH2-或非鄰接之2個以上-CH2-可被取代為-O-或-S-)及(e)1,4-伸苯基(該基中所存在之1個-CH=或非鄰接之2個以上-CH=可被取代為-N=)所組成之群中之基，上述基(d)、基(e)可分別獨立地經氰基、氟原子或氯原子取代，KM1及KM2分別獨立地表示單鍵、-CH2CH2-、-(CH2)4-、-OCH2-、-CH2O-、-OCF2-、-CF2O-、-COO-、-OCO-或-C≡C-，於PM為2、3或4而存在複數個KM1之情形時，其等可相同亦可不同，於PM為2、3或4而存在複數個CM2之情形時，其等可相同亦可不同，XM1及XM3分別獨立地表示氫原子、氯原子或氟原子，XM2表示氫原子、氟原子、氯原子、氰基、三氟甲基、氟甲氧基、二氟甲氧基、三氟甲氧基或2,2,2-三氟乙基；但，通式(M-2)所表示之化合物、通式(i)所表示之化合物及通式(M-3)所表示之化合物除外)。
  5. 一種液晶顯示元件，其使用如請求項1之組合物。
  6. 一種IPS元件或FFS元件，其使用如請求項1之組合物。
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