TW201720858A - 聚醯亞胺聚合物、聚醯亞胺膜以及軟性銅箔基板 - Google Patents

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Abstract

一種聚醯亞胺聚合物，包括以式1表示的重複單元：□式1，其中 Ar為衍生自含有芳香族基的四羧酸二酐的四價有機基；以及 A包括□、□及□，其中R17為單鍵或碳數為1至18的二價連接基團。

Description

聚醯亞胺聚合物、聚醯亞胺膜以及軟性銅箔基板
本發明是有關於聚醯亞胺聚合物、聚醯亞胺膜以及軟性銅箔基板，且特別是有關於與銅箔具有良好接著力的聚醯亞胺聚合物、包括所述聚醯亞胺聚合物的聚醯亞胺膜以及包括所述聚醯亞胺膜的軟性銅箔基板。
隨著電子產品逐漸朝向輕薄的趨勢發展，軟性電路板的使用需求量也大幅提升。軟性電路板的主要上游材料為軟性銅箔基板。目前，由於聚醯亞胺膜與銅箔（尤其是低表面粗糙度且厚度較薄的壓延銅箔）之間的接著力偏低，故通常需在兩者之間設置一層接著層來接合。然而，如此一來，軟性銅箔基板不但在薄型化上受到限制，還容易產生嚴重的捲曲問題。因此，開發無須設置接著層且具有良好平坦性的軟性銅箔基板仍是目前此領域極欲發展的目標。
本發明提供一種聚醯亞胺聚合物，其具有新穎的結構，而包括所述聚醯亞胺聚合物的聚醯亞胺膜與銅箔具有良好接著力，且接合後的結構具有良好平坦性，以及所述聚醯亞胺膜適合應用於軟性銅箔基板中。
本發明的聚醯亞胺聚合物，包括以式1表示的重複單元：式1，其中 Ar為衍生自含有芳香族基的四羧酸二酐的四價有機基；以及 A包括、及，其中R17 為單鍵或碳數為1至18的二價連接基團。
在本發明的一實施方式中，上述的為衍生自二醯肼化合物的二價有機基，其中所述二醯肼化合物為己二酸二醯肼、1,3-雙(肼基羰乙基)-5-異丙基乙內醯脲或7,11-十八碳二烯-1,18-二均二胺基脲。
在本發明的一實施方式中，上述的R17 為碳數為4至18的二價連接基團。
在本發明的一實施方式中，以上述的、及的總莫耳數計，的莫耳百分比為3至15。
在本發明的一實施方式中，以上述的、及的總莫耳數計，的莫耳百分比為75至92。
在本發明的一實施方式中，以上述的、及的總莫耳數計，的莫耳百分比為5至10。
本發明的聚醯亞胺膜包括前述的聚醯亞胺聚合物。
本發明的軟性銅箔基板包括銅箔以及前述的聚醯亞胺膜。聚醯亞胺膜直接配置在銅箔上。
在本發明的一實施方式中，上述的聚醯亞胺膜的剝離強度為0.4 kgf/cm至0.7 kgf/cm。
基於上述，本發明所提出的聚醯亞胺聚合物是透過使用特定的三種二胺單體及含有芳香族基的二酐單體來製造，藉此聚醯亞胺聚合物及包括其的聚醯亞胺膜能夠與銅箔具有良好的接著力，且接合後的結構具有良好的平坦性。
為讓本發明的上述特徵和優點能更明顯易懂，下文特舉實施方式作詳細說明如下。
在本文中，由「一數值至另一數值」表示的範圍，是一種避免在說明書中一一列舉該範圍中的所有數值的概要性表示方式。因此，某一特定數值範圍的記載，涵蓋該數值範圍內的任意數值以及由該數值範圍內的任意數值界定出的較小數值範圍，如同在說明書中明文寫出該任意數值和該較小數值範圍一樣。
在本文中，有時以鍵線式（skeleton formula）表示聚合物或基團的結構。這種表示法可以省略碳原子、氫原子以及碳氫鍵。當然，結構式中有明確繪出原子或原子基團的，則以繪示者為準。
為了製備出與銅箔有良好接著力的聚醯亞胺聚合物，本發明提出一種聚醯亞胺聚合物，其可達到上述優點。以下，特舉實施方式作為本發明確實能夠據以實施的範例。
本發明的一實施方式提供一種聚醯亞胺聚合物，包括以式1表示的重複單元：
式1。
在上述式1中，Ar為衍生自含有芳香族基的四羧酸二酐的四價有機基。也就是說，Ar為含有芳香族基的四羧酸二酐中除了2個羧酸酐基（-(CO)2 O）以外的殘基。在本文中，所述含有芳香族基的四羧酸二酐亦稱為二酐單體。
詳細而言，在本實施方式中，所述含有芳香族基的四羧酸二酐包括含有單一芳香族基的四羧酸二酐以及含有兩個芳香族基的四羧酸二酐。也就是說，在本實施方式中，製備式1所示的重複單元時，可採用多種二酐單體。
具體而言，Ar包括以及。也就是說，式1所示的重複單元使用了兩種二酐單體來進行製備，且所述兩種二酐單體分別為均苯四甲酸二酐（1,2,4,5-Benzenetetracarboxylic anhydride，簡稱PMDA）與3,3’,4,4’-聯苯四羧酸二酐（3,3’,4,4’-Biphenyltetracarboxylic dianhydride，簡稱BPDA）。另外，在本實施方式中，聚醯亞胺聚合物包括大於0且小於0.2莫耳百分比之Ar為的以式1表示的重複單元。詳細而言，當聚醯亞胺聚合物包括大於或等於0.2莫耳百分比之Ar為的以式1表示的重複單元時，則由所述聚醯亞胺聚合所製備的聚醯亞胺膜的質地較硬脆，應用性不佳。
在上述式1中，A包括、及，其中R17 為單鍵或碳數為1至18的二價連接基團。
詳細而言，A即為二胺化合物中除了2個氨基（-NH2 ）以外的殘基。也就是說，在本實施方式中，式1所示的重複單元是透過使用三種二胺化合物與含有芳香族基的四羧酸二酐化合物進行反應而得。在本文中，製備式1所示的重複單元所使用的二胺化合物亦稱為二胺單體。
具體而言，在本實施方式中，用來製備式1所示的重複單元的二胺單體為對苯二胺（p-Phenylenediamine，簡稱PDA）、4,4’-二胺基二苯基醚（4,4’-oxydianiline，簡稱ODA）與二醯肼化合物。也就是說，為衍生自所述二醯肼化合物的二價有機基。
在本實施方式中，所述二醯肼化合物可以是己二酸二醯肼、1,3-雙(肼基羰乙基)-5-異丙基乙內醯脲或7,11-十八碳二烯-1,18-二均二胺基脲。從另一觀點而言，在本實施方式中，R17 較佳為碳數為4至18的二價連接基團。
另外，如前文所述，包括式1所示的重複單元的聚醯亞胺聚合物可透過兩種二酐單體與三種二胺單體進行反應而製備，其方法可包括以下步驟。首先，在水浴（室溫）中，將對苯二胺、4,4’-二胺基二苯基醚與二醯肼化合物加入溶劑中進行混合，並使其完全溶解後形成二胺單體混合液。在此步驟中，以對苯二胺、4,4’-二胺基二苯基醚與二醯肼化合物的總莫耳數計，對苯二胺的莫耳百分比例如是75%至92%、4,4’-二胺基二苯基醚的莫耳百分比例如是5%至10%以及二醯肼化合物的莫耳百分比例如是3%至15%；以及所述溶劑例如是六甲基磷醯胺（hexamethylphosphoramide，HMPA）、N,N-二甲基乙醯胺（N,N-dimethylacetamide，DMAc）、N-甲基-2-吡咯烷酮（N-methyl-2-pyrrolidone，NMP）、1,3-二甲基咪唑啉酮（1,3-dimethyl imidazolinone，DMI）、或間甲酚（m-cresol）等的高極性溶劑。
接著，在水浴（室溫）中，將預先進行混合的均苯四甲酸二酐與3,3’,4,4’-聯苯四羧酸二酐加入所述二胺單體混合液中進行反應，以形成聚醯胺酸溶液。在此步驟中，以均苯四甲酸二酐與3,3’,4,4’-聯苯四羧酸二酐的總莫耳數計，均苯四甲酸二酐的莫耳百分比例如是大於0%且小於20%，較佳是5%至15%，而3,3’,4,4’-聯苯四羧酸二酐的莫耳百分比例如是大於80%且小於100%，較佳是85%至95%；反應時間例如是12小時至24小時；以及所述聚醯胺酸溶液的固含量例如是14%至16%。
之後，在氮氣環境下，對所述聚醯胺酸溶液進行醯亞胺化反應（脫水環化），以形成由式1表示的聚醯亞胺聚合物。詳細而言，所述脫水反應例如可在不使用觸媒的情況下，在120o C至140o C下先對所述聚醯胺酸溶液進行烘烤10分鐘至30分鐘以移除溶劑後，再升溫至300o C至350o C反應30分鐘至60分鐘而進行。然而，本發明並不限於此。在其他實施方式中，脫水反應也可以在使用觸媒的情況下進行。
值得說明的是，在本實施方式中，透過使用含芳香族基的四羧酸二酐化合物(即均苯四甲酸二酐與3,3’,4,4’-聯苯四羧酸二酐)作為二酐單體，以及使用對苯二胺、4,4’-二胺基二苯基醚與二醯肼化合物作為二胺單體來製備聚醯亞胺聚合物，聚醯亞胺聚合物得以與銅箔具有良好的接著力。如此一來，聚醯亞胺聚合物能夠適用於製作軟性銅箔基板。
另外，本發明的聚醯亞胺聚合物可以薄膜、粉體或溶液等的形態存在。下文中，以聚醯亞胺聚合物為薄膜形態為例來加以說明。
本發明的另一實施方式提供一種聚醯亞胺膜，包括任一種前述實施方式中的聚醯亞胺聚合物。在本實施方式中，聚醯亞胺膜的厚度約在15 μm至25 μm之間。
請參照前文關於聚醯亞胺聚合物的製備方法，聚醯亞胺膜的製造方法包括在形成聚醯胺酸溶液之後，透過塗佈製程將聚醯胺酸溶液塗佈至一基材上，並接著使其進行醯亞胺化反應。詳細而言，塗佈製程例如是刮刀塗佈法或旋轉塗佈法；基材例如是銅箔；所述脫水反應例如可在120o C至140o C下先對所述聚醯胺酸溶液進行烘烤10分鐘至30分鐘以移除溶劑後，再升溫至300o C至350o C反應30分鐘至60分鐘而進行。
值得說明的是，如前文所述，由於聚醯亞胺聚合物與銅箔具有良好的接著力，故聚醯亞胺膜同樣會與銅箔具有良好的接著力，並且適用於製作軟性銅箔基板。
本發明的另一實施方式更提供一種軟性銅箔基板，包括銅箔以及任一種前述實施方式中的聚醯亞胺膜，其中聚醯亞胺膜直接配置在銅箔上。也就是說，在本實施方式中，聚醯亞胺膜能夠直接與銅箔相接合而不需在兩者間設置黏著層。作為銅箔，可利用所屬領域中技術人員所周知的軟性銅箔基板所使用的任一種銅箔，例如可為壓延銅箔或電解銅箔，且銅箔的厚度也並不特別限定。
請參照前文關於聚醯亞胺膜的製造方法，軟性銅箔基板的製造方法包括：透過塗佈製程將聚醯胺酸溶液塗佈至銅箔上，並接著使其進行醯亞胺化反應，以於銅箔上形成聚醯亞胺膜。
值得說明的是，如前文所述，由於聚醯亞胺膜與銅箔具有良好的接著力，因此軟性銅箔基板中聚醯亞胺膜能夠直接配置在銅箔上而不需額外設置黏著層，並且軟性銅箔基板能夠具有良好的平坦性。如此一來，與習知的軟性銅箔基板相比，本發明的軟性銅箔基板的厚度降低且具有良好的製程良率及可靠性。具體而言，在本實施方式中，聚醯亞胺膜的剝離強度為0.4 kgf/cm至0.7 kgf/cm。
下文將參照實施例1-4，更具體地描述本發明的特徵。雖然描述了以下實施例1-4，但是在不逾越本發明範疇之情況下，可適當地改變所用材料、其量及比率、處理細節以及處理流程等等。因此，不應由下文所述的實施例對本發明作出限制性地解釋。
製備實施例1-4的聚醯亞胺膜以及軟性銅箔基板所使用之主要材料的資訊如下所示。
二胺單體： 對苯二胺（以下簡稱PDA）：購自東信化學公司； 4,4’-二胺基二苯基醚（以下簡稱ODA）：購自JFE化學股份有限公司； 己二酸二醯肼（以下簡稱ADH）：購自AJINOMOTO公司； 7,11-十八碳二烯-1,18-二均二胺基脲（以下簡稱UDH）：購自AJINOMOTO公司。
二酐單體： 3,3’,4,4’-聯苯四羧酸二酐（以下簡稱BPDA）：購自JFE化學股份有限公司； 均苯四甲酸二酐（以下簡稱PMDA）：購自JFE化學股份有限公司。
壓延銅箔：購自日曠金屬公司。實施例 1
在水浴（室溫）下，將0.4 g（0.002 mol，5 mol%）的ODA、3.98 g（0.037莫耳，92 mol%）的PDA與0.21 g（0.001莫耳，3 mol%）的ADH溶於作為溶劑之85 g的NMP中，以形成二胺單體混合溶液。在水浴（室溫）下，將預先混合均勻的1.57 g（0.007 mol，18 mol%）的PMDA與9.42 g（0.032 mol，80 mol%）的BPDA加入前述二胺單體混合溶液中。接著，在水浴（室溫）下，反應24小時後即獲得固含量為15%的聚醯胺酸溶液。
之後，使用刮刀塗佈法將100 ml的所述聚醯胺酸溶液塗佈在壓延銅箔（厚度為12 μm）上，並接著在130o C下烘烤10分鐘，以移除NMP。繼之，將塗佈有聚醯胺酸溶液的壓延銅箔置於350o C之氮氣環境下進行醯亞胺化反應30分鐘，以獲得實施例1的軟性銅箔基板，其中醯亞胺化比率為100%。最後，透過蝕刻製程將壓延銅箔移除，以獲得實施例1的聚醯亞胺膜，其中以低測定力測定儀（由三豐美國公司（Mitutoyo America Corporation）製造，設備名為Litematic LV-50A）進行厚度測量，得到厚度約為18 μm。實施例 2 至實施例 3
按照與實施例1相同的製造程序來製造實施例2至實施例3的軟性銅箔基板及聚醯亞胺膜，而差異僅在於：各單體的莫耳百分比，如表1所示。另外，在實施例2至實施例3中，聚醯胺酸溶液的固含量以及聚醯亞胺膜的厚度亦分別示於表1中。實施例 4
按照與實施例1相同的製造程序來製造實施例4的軟性銅箔基板及聚醯亞胺膜，而差異僅在於：使用UDH取代ADH，並且各單體的莫耳百分比如表1所示。另外，在實施例4中，聚醯胺酸溶液的固含量以及聚醯亞胺膜的厚度亦分別示於表1中。
之後，分別對實施例1-4的聚醯亞胺膜進行熱膨脹係數（coefficient of thermal expansion，CTE）、熱裂解溫度、抗拉強度（tensile strength）、伸長率（elongation）、抗拉彈性模數（tensile elastic modulus）及翹曲的測定，以及分別對實施例1-4的軟性銅箔基板進行剝離強度的測定以及耐焊錫測試。前述測定的說明如下，且測定的結果顯示於表1中。〈熱膨脹係數的測定〉
首先，將實施例1-4的聚醯亞胺膜分別製作成長寬尺寸為2 mm×30 mm的膜材。接著，使用熱機械分析儀（由日本精工電子有限公司（Seiko Instrument Inc.）製造，設備名為EXSTAR 6000），在氮氣環境以及升溫速度設定為10o C/min的條件下，將該些膜材從30o C升溫至450o C，並求出50o C至200o C之間的尺寸變化量的平均值，以獲得熱膨脹係數(ppm/o C)。一般而言，在業界中，針對軟性銅箔基板的應用，熱膨脹係數為30 ppm/o C以下即可視為與銅箔的熱膨脹係數(17 ppm/o C)相近。〈熱裂解溫度的測定〉
首先，分別秤取0.5 g至0.8 g的實施例1-4的聚醯亞胺膜，以作為測試膜材。接著，使用熱重損失分析儀（由日本精工電子有限公司（Seiko Instrument Inc.）製造，設備名為EXSTAR 6000），在氮氣環境以及升溫速度設定為10o C/min的條件下，將該些膜材從30o C升溫至600o C，並將膜材損失5%重量時所量測到的溫度作為熱裂解溫度(o C)。在業界設定的標準中，聚醯亞胺膜的熱裂解溫度至少需要達到400o C以上，且數值越大表示熱穩定性越佳。〈 抗拉強度、伸長率、抗拉彈性模數 的測定 〉
首先，將實施例1-4的聚醯亞胺膜分別製作成長(標點間距)寬尺寸為25.4 mm×3.2 mm且呈啞鈴狀或是狗骨頭狀的膜材。接著，使用萬能試驗機（由島津科學儀器股份有限公司（SHIMADZU）製造，設備名為AG-1S）來量測該些膜材的抗拉強度(MPa)、伸長率(%)、抗拉彈性模數(GPa)。
抗拉強度表示膜材在拉伸過程中可承受的最大強度。具體而言，抗拉強度即為在拉伸強度初始設定為零的條件下，將該些膜材拉伸至未發生斷裂的拉伸長度時的最大工程應力，其中數值越大表示機械特性越佳。
伸長率表示膜材被拉斷時的形變程度。具體而言，伸長率即為在拉伸強度初始設定為零的條件下，將該些膜材拉伸至斷裂時所求得的形變量，其中數值越大表示機械特性越佳。
抗拉彈性模數（或稱楊氏模數（Young’s Modulus））則表示膜材出現彈性變形難易程度的指標。數值越大者，表示其彈性變形所需的應力也越大，即表示材料的剛性（stiffness）越大；而數值越小者，則表示撓性或是柔軟性越好。〈翹曲的測定〉
首先，將壓延銅箔已蝕刻移除後所獲得的實施例1-4的聚醯亞胺膜放置於一平面上。接著，使用尺分別測量該些聚醯亞胺膜的四角翹起的高度，並求得一平均值。若所述高度平均值小於1 mm則判定為良好，意即聚醯亞胺膜具有良好的平坦性；若所述高度平均值大於或等於1 mm則判定為不良。〈剝離強度的測定〉
首先，將實施例1-4的軟性銅箔基板裁切成寬度為0.3175 mm的測試樣品。接著，使用萬能試驗機（島津科學儀器股份有限公司（SHIMADZU）製造，設備名為AG-1S），在拉伸速度設定為50.8 mm/min的條件下，將該些測試樣品拉伸至拉伸長度為30 mm，並求出此時的剝離強度(kgf/cm)。值得一提的是，聚醯亞胺膜與壓延銅箔之間的接著力越大，則兩者之間的介面越不易受到外力破壞。也就是說，在表1中，剝離強度的數值越高，表示剝離強度越佳且聚醯亞胺膜與壓延銅箔之間接著力越佳。〈耐焊錫測試〉
依據IPC-TM-650 No. 2.4.13的規定，分別對實施例1-4的軟性銅箔基板進行耐焊錫測試。在所述測試中，若在溫度300o C下經歷30秒鐘而軟性銅箔基板未發生爆板，則表1中記載”○”，而若在溫度300o C下經歷30秒鐘而軟性銅箔基板發生爆板，則表1中記載”×”。   表1 單位mol%表示：以ODA、PDA與ADH的總莫耳數計或以ODA、PDA與UDH的總莫耳數計
由表1可知，實施例1-4的聚醯亞胺膜在熱裂解溫度、抗拉強度、伸長率以及彈性模數等方面均具有良好表現。此表示實施例1-4的聚醯亞胺膜具有良好的熱特性及機械特性。
另外，由表1可知，實施例1-4的聚醯亞胺膜的熱膨脹係數介於10.78 ppm/o C至16.65 ppm/o C之間，此表示實施例1-4的聚醯亞胺膜的熱膨脹係數與銅箔的熱膨脹係數相近，藉此能夠有效抑制聚醯亞胺膜由於製造軟性銅箔基板時的高溫製程而引起的尺寸變化，進而避免發生對位偏移而提高軟性銅箔基板的尺寸安定性。
另外，由表1可知，實施例1-4的聚醯亞胺膜在翹曲方面皆具有良好表現，此表示實施例1-4的聚醯亞胺膜具有良好的平坦性。以及，由表1可知，實施例1-4的聚醯亞胺膜的剝離強度皆大於0.6 kgf/cm，此表示實施例1-4的聚醯亞胺膜與銅箔具有良好的接著力。
雖然本發明已以實施方式揭露如上，然其並非用以限定本發明，任何所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本發明的精神和範圍內，當可作些許的更動與潤飾，故本發明的保護範圍當視後附的申請專利範圍所界定者為準。
無。
無。
無。

Claims (12)

  1. 一種聚醯亞胺聚合物，包括以式1表示的重複單元：式1，其中 Ar為衍生自含有芳香族基的四羧酸二酐的四價有機基；以及 A包括、及，其中R17 為單鍵或碳數為1至18的二價連接基團。
  2. 如申請專利範圍第1項所述的聚醯亞胺聚合物，其中為衍生自二醯肼化合物的二價有機基，其中所述二醯肼化合物為己二酸二醯肼、1,3-雙(肼基羰乙基)-5-異丙基乙內醯脲或7,11-十八碳二烯-1,18-二均二胺基脲。
  3. 如申請專利範圍第1項所述的聚醯亞胺聚合物，其中R17 為碳數為4至18的二價連接基團。
  4. 如申請專利範圍第1項所述的聚醯亞胺聚合物，其中所述含有芳香族基的四羧酸二酐包括含有單一芳香族基的四羧酸二酐以及含有兩個芳香族基的四羧酸二酐。
  5. 如申請專利範圍第4項所述的聚醯亞胺聚合物，其中Ar包括以及。
  6. 如申請專利範圍第5項所述的聚醯亞胺聚合物，其中所述聚醯亞胺聚合物包括大於0且小於0.2莫耳百分比之Ar為的以式1表示的重複單元。
  7. 如申請專利範圍第1項所述的聚醯亞胺聚合物，其中以、及的總莫耳數計，的莫耳百分比為3至15。
  8. 如申請專利範圍第1項所述的聚醯亞胺聚合物，其中以、及的總莫耳數計，的莫耳百分比為75至92。
  9. 如申請專利範圍第1項所述的聚醯亞胺聚合物，其中以、及的總莫耳數計，的莫耳百分比為5至10。
  10. 一種聚醯亞胺膜，包括如申請專利範圍第1項所述的聚醯亞胺聚合物。
  11. 一種軟性銅箔基板，包括： 一銅箔；以及 一聚醯亞胺膜，直接配置在所述銅箔上，其中所述聚醯亞胺膜係如申請專利範圍第10項所述的聚醯亞胺膜。
  12. 如申請專利範圍第11項所述的軟性銅箔基板，其中所述聚醯亞胺膜的剝離強度為0.4 kgf/cm至0.7 kgf/cm。
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