TW201719274A - 防護薄膜及含有其的光罩組件 - Google Patents

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Abstract

一種防護薄膜包括防護薄膜膜片，所述防護薄膜膜片包括多孔薄膜。所述多孔薄膜包括多個奈米線，所述多個奈米線跨越彼此排列以形成網狀結構。一種光罩組件包括所述防護薄膜及光罩，其中所述防護薄膜固定至所述光罩的表面。

Description

防護薄膜及含有其的光罩組件
本發明概念是有關於積體電路（integrated circuit，IC）裝置製造設備，且更具體而言是有關於一種供用以製造積體電路裝置的曝光設備使用的防護薄膜及含有所述防護薄膜的光罩組件。
在製造積體電路裝置的製程中，利用微影製程在晶圓上形成電路圖案。在微影製程中，使用光罩將所需的圖案轉移至晶圓上。當光罩受到來自周圍環境的異物（例如，顆粒）的污染或因周圍環境而變形時，在光罩的圖案所被轉移至的晶圓上可產生缺陷。
為提高在製造積體電路裝置的製程期間的生產率，至少某些示例性實施例揭露一種能夠保護供微影製程使用的光罩免受異物或周圍環境影響的系統。
本發明概念提供一種防護薄膜，所述防護薄膜可在光罩的保存、運輸及使用期間保護光罩免受污染。本發明概念可更在所述防護薄膜用於曝光製程時提供高解析度及機械穩定性結構。
本發明概念提供一種包括防護薄膜的光罩組件，所述光罩組件可對於極紫外線（extreme ultraviolet，EUV）光或電子束（e-beam）提供高解析度並具有機械穩定性結構。
根據本發明概念的至少一個示例性實施例，提供一種包括防護薄膜膜片的防護薄膜。所述防護薄膜膜片包括多孔膜，所述多孔膜包括多個奈米線，且所述多個奈米線跨越彼此被圖案化。
所述多個奈米線可界定沿所述多孔膜的厚度延伸的多個孔。所述多個奈米線界定所述多個孔，使所述多個孔可沿線性路徑與非線性路徑延伸。在某些示例性實施例中，所述多個奈米線界定所述多個孔，使所述多個孔可包括多個被不規則地圖案化的貫穿孔。在至少某些示例性實施例中，所述多個奈米線界定所述多個孔，使形成於所述多孔膜中的所述多個孔可包括多個被規則地圖案化的貫穿孔。
所述多個奈米線中的至少某些奈米線可具有第一部分及第二部分。所述第一部分可與所述多個奈米線的第二部分相統一以形成網狀結構。
所述多個奈米線中的至少某些奈米線可在壓力下黏著至彼此，且所述多個奈米線中的至少某些奈米線可提供所述網狀結構。
所述多個奈米線中的每一者可具有圓形截面形狀、橢圓形截面形狀及多邊形截面形狀。
所述多個奈米線可在長度方向上處於未折疊狀態與折疊狀態中的至少一者或其組合中以形成所述網狀結構。
在至少某些示例性實施例中，所述多個奈米線可包括單種元素。在至少某些其他示例性實施例中，所述多個奈米線中的每一者可具有異質結構，所述異質結構包含至少兩種不同的元素。
所述多個奈米線可包含選自由矽（Si）、碳（C）、鎳（Ni）、鉑（Pt）、金（Au）、釕（Ru）、磷化銦（InP）、氮化鎵（GaN）、氮化矽（Si3 N4 ）、二氧化矽（SiO2 ）、二氧化鈦（TiO2 ）、氧化釔鋇銅（YBCO）、及碳化矽（SiC）、以及其組合組成的群組的材料。
在至少某些示例性實施例中，所述多個奈米線中的每一者可包含被摻雜有n型摻雜劑或p型摻雜劑的元素。
在所述多個奈米線中的每一者的厚度中，所述多個奈米線中的每一者可具有約5 nm（奈米）至約100奈米的寬度。所述多孔膜可具有約50奈米至約4 mm（微米）的厚度。
所述多個奈米線中的至少某些奈米線可包括芯配線及殼配線，且所述殼配線環繞所述芯配線。所述芯配線可包含第一材料且所述殼配線可包含第二材料，且所述第一材料可不同於所述第二材料。
所述防護薄膜膜片可更包括：頂覆層，所述頂覆層覆蓋所述多孔薄膜的至少一個表面。在某些示例性實施例中，所述頂覆層可覆蓋所述多孔膜的第一表面及所述多孔膜的第二表面，且所述多孔膜的所述第一表面與所述第二表面位於所述多孔膜的相對側上。在某些示例性實施例中，所述頂覆層可包含第一材料，且所述多孔膜包含第二材料，其中所述第一材料不同於所述第二材料。所述頂覆層可包含選自由碳化矽（SiC）、二氧化矽（SiO2 ）、氮化矽（SiN）、氮氧化矽（SiON）、氧化釔（Y2 O3 ）、氮化釔（YN）、碳化鋇（Ba4 C）、氮化鋇（BN）、鉬（Mo）、釕（Ru）、及銠（Rh）、以及其組合組成的群組的第一材料。
所述防護薄膜可更包括防護薄膜框架，所述防護薄膜框架支撐所述防護薄膜膜片。所述防護薄膜框架可藉由黏著層而黏著至所述多孔薄膜。所述防護薄膜膜片可更包括頂覆層，所述頂覆層覆蓋所述多孔薄膜的第一表面。所述防護薄膜框架可藉由黏著層而黏著至所述頂覆層。
根據本發明概念的示例性實施例，提供一種光罩組件，所述光罩組件包括防護薄膜及光罩。所述防護薄膜可包括防護薄膜膜片，所述防護薄膜膜片可包括多孔膜，且所述多孔薄膜包括多個奈米線，所述多個奈米線跨越彼此被圖案化以形成網狀結構。所述光罩可包括表面，其中所述防護薄膜固定至所述光罩的所述表面。
所述多個奈米線界定多個孔，使得所述多個孔沿線性路徑與非線性路徑中的至少一者延伸。
在至少某些示例性實施例中，所述多個奈米線界定所述多個孔，使所述多個孔中的至少某些孔可被不規則地成形並被不規則地圖案化。作為另一選擇，所述多個奈米線界定所述多個孔，使所述多個孔形成多個被規則地圖案化的空間。
在所述光罩組件中，所述防護薄膜膜片可更包括覆蓋所述多孔膜的第一表面的頂覆層。
所述防護薄膜可更包括防護薄膜框架，所述防護薄膜框架包括第一端及第二端，所述第一端可固定至所述防護薄膜膜片，且所述第二端可固定至所述光罩的所述表面。
根據至少某些示例性實施例，一種防護薄膜膜片包括多孔膜，所述多孔膜包括第一表面及位於所述多孔膜中的多個奈米線。所述多個奈米線可形成多孔膜。第一奈米線與所述多個奈米線中的第二奈米線相統一，且所述第一奈米線與所述第二奈米線可跨越彼此被圖案化。所述第一表面可厚於所述多個奈米線中的每一者。所述多個奈米線中的每一者可包括圓形截面形狀、橢圓形截面形狀及多邊形截面形狀中的一者。所述多個奈米線可界定沿所述多孔膜的厚度延伸的多個孔。作為另一選擇，所述多個奈米線可界定所述多個孔，使所述多個孔沿線性路徑與非線性路徑中的至少一者延伸。
現在，將參照其中示出本發明概念的某些示例性實施例的附圖來更充分地闡述本發明概念的示例性實施例。然而，示例性實施例可實施為諸多不同形式，而不應被視為僅限於本文中所述的實施例。更確切而言，提供該些示例性實施例是為了使本發明的揭露內容透徹及完整，並向此項技術領域中具有通常知識者充分傳達本發明概念的示例性實施例的範圍。在圖式中，為清晰起見，誇大了層及區的厚度。在圖式中相同的參考編號指示相同的元件，因此對其不再予以贅述。
應理解，儘管本文中可能使用用語「第一」、「第二」等來闡述各種元件、部件、區、層及/或區段，但該些元件、部件、區、層及/或區段不應受該些用語限制。該些用語僅用於區分各個元件、部件、區、層或區段。因此，在不背離示例性實施例的教示內容的條件下，下文中所論述的第一元件、部件、區、層或區段可被稱為第二元件、部件、區、層及/或區段。
應理解，當稱一元件「連接」至或「耦合」至另一元件時，所述元件可直接連接至或耦合至所述另一元件，抑或可存在中間元件。相反，當稱一元件「直接連接」至或「直接耦合」至另一元件時，則不存在中間元件。用於闡述各元件或層之間的關係的其他用詞應以相同的方式進行解釋（例如，「位於…之間」對「直接位於…之間」、「相鄰」對「直接相鄰」、「位於…上」對「直接位於…上」）。本文中所用的用語「及/或」包含相關列出項其中一或多個項的任意及所有組合。
在本文中為便於說明，可使用空間相對關係用語，例如「在…之下」、「在…下面」、「下方的」、「在…之上」、「上方的」等來闡述圖中所說明的一個元件或特徵與另一（其他）元件或特徵的關係。應理解，所述空間相對關係用語旨在除圖中所示定向以外亦囊括所述裝置在使用或操作中的不同定向。舉例而言，若圖中的所述裝置被翻轉，則被闡述為在其他元件或特徵「下面」或「之下」的元件此時將被定向為在所述其他元件或特徵「之上」。因此，用語「在…下面」可既包含上方亦包含下方的定向。所述裝置亦可具有其他定向（旋轉90度或其他定向），且本文中所用的空間相對關係描述語將相應地進行解釋。
本文中所用的術語僅用於闡述特定實施例，而並非旨在限制示例性實施例。除非上下文中清楚地另外指示，否則本文所用的單數形式「一」及「所述」旨在亦包括複數形式。更應理解，若在本文中使用用語「包含」及/或「包括」時，則所述用語是用於指明所述特徵、整數、步驟、操作、元件、及/或部件的存在，但不排除一或多個其他特徵、整數、步驟、操作、元件、部件及/或其群組的存在或添加。當例如「…中的至少一者」等表達位於一系列元件之前時，所述表達是修飾整個系列元件而非修飾所述系列中的單個元件。除非另外定義，否則本文中所用的全部用語（包括技術及科學用語）的含義皆與示例性實施例所屬技術領域中具有通常知識者所通常理解的含義相同。更應理解，該些用語（例如在常用字典中所定義的用語）應被解釋為具有與其在相關技術及本說明書的上下文中的含義一致的含義，且除非本文中進行明確定義，否則不應將其解釋為具有理想化或過於正式的意義。
當某些示例性實施例可以其他方式實施時，本文中闡述的各製程步驟可以其他方式執行。亦即，舉例而言，以相繼次序闡述的兩個製程步驟可大約同時執行或以相反次序執行。
將預期會因例如製造技術及/或容差而產生自圖示形狀的偏離。因此，本發明概念的示例性實施例不應被解釋為僅限於各區在本申請案中所示的特定形狀。相反，本發明概念的示例性實施例將包括由例如製造而引起的形狀偏差。本文中所用的用語「及/或」包括相關列出項其中一或多個項的任意及所有組合。舉例而言，當在本文中使用用語「基板」時，其應被理解為基板自身或基板與包括形成於基板上的預定（及/或所選（或所需））層或膜的堆疊結構兩者。此外，當在本文中使用「基板的表面」此一表達時，其應被理解為基板自身的暴露出的表面、預定（及/或所選（或所需））層的外表面、及/或形成於基板上的膜。當在本文中使用用語「奈米線」時，其應被理解為具有約100奈米（nm）或小於100奈米的直徑及數微米（mm）或大於數微米的長度的奈米結構。
為應用使用極紫外線（EUV）光或電子束（e-beam）的微影技術來進行大量生產，可能有以下問題需要考量。一個問題可為控制由在微影製程期間產生的異物導致的損害。在微影製程期間產生的異物可污染光罩，且光罩的污染可使曝光製程中產生錯誤並縮短光罩的使用壽命。具體而言，例如使用EUV光的微影技術可相較於使用氟化氬（ArF）掃描儀時呈現出高得多的解析度。然而，由於使用EUV光的微影技術使用具有短波長的光，因此可能存在將光罩上的缺陷轉移至欲被曝光的晶圓的可能性。因此，例如可使用僅具有可容許的缺陷的EUV光罩，且對光罩上的顆粒進行管理以使其處於可容許的水準或更低的水準。
示例性實施例提供一種防護薄膜，所述防護薄膜可在曝光製程期間保護光罩免受外部有缺陷元素（defective element）的損害，並限制及/或防止由異物導致的損害。具體而言，至少一個示例性實施例提供一種具有防護薄膜膜片的防護薄膜，所述防護薄膜可確保結構穩定性且對於EUV光的波長具有高透射率。在示例性實施例中，防護薄膜可限制及/或防止因曝光製程導致的熱損害。即使未製備用於釋氣的額外的排氣孔，所述防護薄膜亦可限制及/或防止污染物及/或雜質顆粒吸附並滯留在光罩的精細圖案上。所述污染物及/或雜質顆粒可因光化學反應而在光罩上生長，所述光化學反應使用在光微影製程期間輻照的紫外線（UV）光作為活化能量，且因此導致光罩的表面產生霧狀缺陷（haze defect）。
圖1是根據示例性實施例的防護薄膜100的剖視圖。
參照圖1，防護薄膜100可包括防護薄膜膜片140及防護薄膜框架150。防護薄膜框架150可支撐防護薄膜膜片140。防護薄膜膜片140可包括多孔薄膜120。
防護薄膜框架150可藉由黏著層160而黏著至多孔薄膜120。防護薄膜膜片140可被均勻地保持為在防護薄膜框架150上具有獨立（free-standing）的結構。
多孔薄膜120可具有約50奈米（nm）至約4微米（mm）的厚度D。
傳統上，可使用具有薄至足以透射EUV光的厚度的防護薄膜膜片來執行使用極紫外線（EUV）光的微影製程。防護薄膜膜片可具有約數奈米至約20奈米的小的厚度。然而，當防護薄膜包括薄的防護薄膜膜片時，可能難以將具有獨立的結構的防護薄膜膜片穩定地固定在防護薄膜上。因此，為提高防護薄膜膜片的結構穩定性，可使用額外的支撐結構，例如網狀結構及/或格柵。然而，所述網狀結構及/或格柵（可形成防護薄膜膜片的支撐結構）可在曝光製程期間造成影像錯誤。
相比之下，根據示例性實施例的防護薄膜膜片140中所包括的多孔薄膜120可具有約50奈米至約4微米的相對大的厚度D（相較於傳統防護薄膜膜片）。由於多孔薄膜120具有相對大的厚度D，因此防護薄膜膜片140可向防護薄膜100提供機械穩定性及結構穩定性。因此，可能不需要用於在防護薄膜框架150上穩定地支撐防護薄膜膜片140的額外支撐結構。
根據至少某些示例性實施例，多孔薄膜120可包括多個奈米線，所述多個奈米線可跨越彼此排列以形成網狀結構。
圖2A至圖2D是根據示例性實施例的具有各種結構的多孔薄膜120A、120B、120C及120D的示意性平面圖，所述多孔薄膜中的每一者可包括於圖1所示的防護薄膜100中。
圖2A至圖2D說明多孔薄膜120的具有特定形狀及各種平面構型的多孔薄膜120A、120B、120C及120D。然而，根據本發明概念，圖1所示的多孔薄膜120的構型並非僅限於圖2A至圖2D中所示的實例。相反，可在本發明概念的範圍內對多孔薄膜120的形狀及平面構型進行各種變化。
參照圖2A至圖2D，可分別在多孔薄膜120A、120B、120C及120D中形成多個孔H1、H2、H3及H4。舉例而言，圖2A中所示的孔H1可在厚度方向（即，Z方向）上穿透多孔薄膜120A。如圖2A至圖2D中所示的多孔薄膜120A、120B、120C及120D可分別由多個奈米線NW1、NW2、NW3及NW4形成。
由於可分別形成多孔薄膜120A、120B、120C及120D的所述多個奈米線NW1、NW2、NW3及NW4如圖2A至圖2D所示跨越彼此排列以形成網狀結構，因此所述多個孔H1、H2、H3及H4可分別由所述多個奈米線NW1、NW2、NW3及NW4所界定的空間製備。
所述多個孔H1、H2、H3及H4可在厚度方向上穿透多孔薄膜120A、120B、120C及120D。所述多個孔H1、H2、H3及H4可各自具有由多孔薄膜120A、120B、120C及120D的前側表面暴露出的第一端部、以及由多孔薄膜120A、120B、120C及120D的後側表面暴露出的第二端部。所述多個孔H1、H2、H3及H4可沿線性路徑與非線性路徑中的至少一者或其組合而分別在多孔薄膜120A、120B、120C及120D的厚度方向上穿透多孔薄膜120A、120B、120C及120D。
在某些示例性實施例中，如在圖2A及圖2C中所示，所述多個奈米線NW1及NW3可輕微地以各種斜率彎曲並跨越彼此排列以形成網狀結構。分別由所述多個奈米線NW1及NW3提供的所述多個孔H1及H3可不規則地成形及/或不規則地排列。
在至少某些示例性實施例中，如在圖2B及圖2D中所示，所述多個奈米線NW2及NW4可跨越彼此以直線（例如，針狀線）不規則地排列以形成網狀結構。分別由所述多個奈米線NW2及NW4提供的所述多個孔H2及H4可不規則地成形及/或不規則地排列。
在至少某些示例性實施例中，如在圖2C及圖2D中所示，所述多個孔H3及H4中的至少某些孔可排列成形成多個規則地排列的空間，例如空間SP1及空間SP2。所述多個空間SP1及SP2可分別具有為約0.01微米（mm）至約0.1微米的寬度W1及寬度W2，且以規則間距排列。然而，圖2C及圖2D中所示的所述多個空間SP1及SP2可為非限制性實例，且所述多個空間SP1及SP2的大小以及所述多個空間SP1與SP2之間的距離可進行各種修改。
在至少某些示例性實施例中，分別構成多孔薄膜120A、120B、120C及120D的所述多個奈米線NW1、NW2、NW3及NW4可跨越彼此以約0.01克/立方公分（g/cm3 ）至約2克/立方公分的密度排列。多孔薄膜120A、120B、120C及120D中每單位面積中所述多個奈米線NW1、NW2、NW3及NW4的密度可分別在多孔薄膜120A、120B、120C及120D的整個面積上為相同的。作為另一選擇，所述多個奈米線NW1、NW2、NW3及NW4的密度在多孔薄膜120A、120B、120C及120D的各區中可為不同的。多孔薄膜120A、120B、120C及120D中每單位面積的所述多個奈米線NW1、NW2、NW3及NW4的密度可約為塊狀材料（bulk material）的密度的20%或小於20%，所述塊狀與所述多個奈米線NW1、NW2、NW3及NW4中所包含的材料為相同的材料。
在多孔薄膜120A、120B、120C及120D中，所述多個奈米線NW1、NW2、NW3及NW4可具有均勻的寬度及/或直徑、或不同的寬度及/或直徑。在至少某些示例性實施例中，所述多個奈米線NW1、NW2、NW3及NW4在所述多個奈米線中每一者的厚度方向上可具有在約5奈米（nm）至約100奈米的範圍內所選擇的寬度及/或直徑。
在至少某些示例性實施例中，所述多個奈米線NW1、NW2、NW3及NW4中的至少某些奈米線可彼此相統一，並在多孔薄膜120A、120B、120C及120D中提供網狀結構。在某些示例性實施例中，所述多個奈米線NW1、NW2、NW3及NW4中的至少某些奈米線可在壓力下黏著至彼此，並在多孔薄膜120A、120B、120C及120D中提供網狀結構。在至少某些其他示例性實施例中，所述多個奈米線NW1、NW2、NW3及NW4可在所述多個奈米線中的每一者的長度方向上處於未折疊狀態、折疊狀態及/或其組合，並為多孔薄膜120A、120B、120C及120D提供網狀結構。
根據某些示例性實施例，所述多個奈米線NW1、NW2、NW3及NW4可具有各種截面形狀，例如包括但不限於圓形截面形狀、橢圓形截面形狀或多邊形截面形狀。
圖3A至圖3H是根據示例性實施例具有各種形狀的奈米線的立體圖，所述奈米線可構成圖1所示多孔薄膜120中所包括的多個奈米線。
如圖3A至圖3H中所示，圖1所示多孔薄膜120中所包括的多個奈米線可具有與選自由包括但不限於下列者所組成的群組中的至少一者相等及/或類似的結構：具有圓形截面形狀的奈米線NWA、具有方形截面形狀的奈米線NWB、具有六邊形截面形狀的奈米線NWC、具有管狀形狀的奈米線NWD、具有帶狀形狀的奈米線NWE、具有多個孔隙PO的介孔（mesoporous）奈米線NWF、具有交叉結構的奈米線NWG、及具有分支結構（例如，四角狀結構）的奈米線NWH。然而，本發明概念的示例性實施例並非僅限於圖3A至圖3H中所示的實例，且多孔薄膜120可包括具有各種形狀的奈米線。
在至少某些示例性實施例中，多孔薄膜120中所包括的所述多個奈米線可具有如圖3A至圖3H中所示的奈米線NWA、NWB、NWC、NWD、NWE、NWF、NWG及NWH中的至少一者的結構。圖3A至圖3H中所示的奈米線可在本發明概念的範圍內進行修改及變化。
在至少某些示例性實施例中，圖1所示的多孔薄膜120中所包括的所述多個奈米線可包括選自由包括但不限於下列者所組成的群組中的材料：矽（Si）、碳（C）、鎳（Ni）、鉑（Pt）、金（Au）、釕（Ru）、磷化銦（InP）、氮化鎵（GaN）、氮化矽（Si3 N4 ）、二氧化矽（SiO2 ）、二氧化鈦（TiO2 ）、氧化釔鋇銅（YBCO）、及碳化矽（SiC）、及/或其組合。
可形成圖1所示多孔薄膜120的所述多個奈米線（例如，圖2A至圖2D中所示的所述多個奈米線NW1、NW2、NW3及NW4）可包含單種元素及/或具有包含至少兩種不同元素的異質結構。
圖4A至圖4F是可構成圖1所示多孔薄膜120的奈米線結構的示例性實施例的圖。具體而言，例如圖4A至圖4F說明包含至少兩種不同元素的異質奈米線。
參照圖4A，圖1中所示的多孔薄膜120可包括包含兩種材料的異質奈米線220A。奈米線220A可包括其中第一部分222A包含第一材料且第二部分224A包含第二材料的結構。第一部分222A與第二部分224A沿奈米線220A的長度方向交替地排列。第一材料可不同於第二材料。
在至少某些示例性實施例中，第一部分222A可包含與奈米線220A的第二部分224A中所包含的材料不同的材料。第一部分222A與第二部分224A中的每一者可包含選自由包括但不限於下列者所組成的群組的材料：Si、C、Ni、Pt、Au及Ru。亦即，舉例而言，第一部分222A可包含矽（Si），且第二部分224A可包含碳（C）。
參照圖4B，圖1中所示的多孔薄膜120可包括包含兩種材料的異質奈米線220B。奈米線220B可包括圓形或橢圓形芯配線222B、及殼配線224B。圓形或橢圓形芯配線222B包含第一材料，且殼配線224B包含第二材料。殼配線224B環繞芯配線222B。第二材料可不同於第一材料。
在至少某些示例性實施例中，奈米線220B的圓形或橢圓形芯配線222B及殼配線224B中的每一者可包含選自由包括但不限於下列者所組成的群組的材料：Si、C、Ni、Pt、Au及Ru。亦即，舉例而言，圓形或橢圓形芯配線222B可包含矽（Si），且殼配線224B可包含碳（C）。
參照圖4C，圖1中所示的多孔薄膜120可包括包含兩種材料的異質奈米線220C。奈米線220C可包括多邊形芯配線222C及殼配線224C。芯配線222C可包含第一材料；且殼配線224C可包含第二材料。殼配線224C環繞芯配線222C。第二材料可不同於第一材料。
在至少某些示例性實施例中，奈米線220C的芯配線222C及殼配線224C中的每一者可包含選自由包括但不限於下列者所組成的群組的材料：Si、C、Ni、Pt、Au及Ru。亦即，舉例而言，芯配線222C可包含摻雜有n型摻雜劑的氮化鎵（GaN），且殼配線224C可包含摻雜有p型摻雜劑的氮化鎵（GaN）。此處，n型摻雜劑可為磷（P）及/或砷（As），而p型摻雜劑可為硼（B）。
圖4D、圖4E及圖4F分別說明具有三重芯-殼結構的奈米線220D、220E及220F。
參照圖4D至圖4F，奈米線220D、220E及220F可分別包括p型芯配線222D、222E及222F。奈米線220D、220E及220F可更包括經配置以分別環繞p型芯配線222D、222E及222F的本質殼配線224D、224E及224F。奈米線220D、220E及220F可更包括經配置以分別環繞本質殼配線224D、224E及224F的n型殼配線226D、226E及226F。
參照圖4D，奈米線220D可包括六邊形p型芯配線222D、六邊形本質殼配線224D及六邊形n型殼配線226D。
參照圖4E，奈米線220E可包括圓形或橢圓形p型芯配線222E、六邊形本質殼配線224E及六邊形n型殼配線226E。
參照圖4F，奈米線220F可包括圓形或橢圓形p型芯配線222F、六邊形本質殼配線224F及四邊形n型殼配線226F。
在至少某些示例性實施例中，奈米線220D、220E及220F可由矽（Si）形成。
圖3A至圖3H中所示的奈米線NWA、NWB、NWC、NWD、NWE、NWF、NWG及NWH、圖4A至圖4F中所示的奈米線220A、220B、220C、220D、220E及220F、以及與其具有類似結構的奈米線可使用如在本申請案中所論述的各種方法而合成。
在至少某些示例性實施例中，所述多個奈米線可使用包括但不限於以下的方法來合成：蒸氣顆粒生長方法、液體生長方法、固體顆粒製造方法、蒸氣-液體-固體（vapor-liquid-solid，VLS）生長方法或氧化物輔助生長（oxide-assisted growth，OAG）方法。
在至少某些示例性實施例中，為合成單種元素奈米線，可使用一維（1D）盤（例如，多孔膜或奈米纖維）來誘發用於一維生長的化學反應。可使用金屬觸媒、雷射及/或其組合來誘發所述一維生長。可使用蒸氣-液體-固體（VLS）生長方法、溶液-液體-固體（solution-liquid-solid，SLS）生長方法及/或蒸氣-固體（vapor-solid，VL）生長方法來誘發所述一維生長。
在製造二維（2D）矽奈米線的實例中，可使用電子束微影設備以奈米規模級別將光阻劑材料圖案化，且可藉由使用經圖案化的光阻劑作為遮罩而以奈米規模級別對矽材料進行蝕刻。
在形成所述多個奈米線的方法的至少另一示例性實施例中，可執行VLS生長方法。舉例而言，可形成奈米規模的金屬觸媒，且可藉由注射反應性氣體（例如，SiH4 （矽烷）氣體）、同時保持約900℃至約1000℃的相對高的溫度來生長二維矽奈米線。
在形成圖3F中所示的介孔奈米線NWF的方法的實例中，可使用在氫氟酸（HF）水溶液或有機溶液中對矽基板進行電化學蝕刻的製程。
在形成介孔奈米線NWF的方法的另一示例性實施例中，可使用在硝酸/氫氟酸（HNO3 /HF）溶液中蝕刻矽基板的製程。
在形成介孔奈米線NWF的方法的另一示例性實施例中，可使用硝酸銀（AgNO3 ）及氫氟酸（HF）的混合物在矽基板的表面上形成例如銀（Ag）顆粒作為蝕刻觸媒，且可使用包含氫氟酸/過氧化氫/水（分別為HF/H2 O2 /H2 O）的溶液混合物來蝕刻上面形成有銀顆粒的矽基板。
為製造如圖4A至圖4F所示包含至少兩種元素的異質奈米線，可使用在金屬觸媒的奈米顆粒上生長晶體的VLS生長方法。舉例而言，可藉由在生長奈米線的製程期間改變前驅物材料的種類而合成異質奈米線。在此種情形中，舉例而言，當新改變的前驅物材料生長經過正在生長的奈米線與觸媒之間的界面且並未吸附在奈米線的表面上時，所述新改變的前驅物材料可沿奈米線的軸向方向生長。因此，可獲得如圖4A所示的與奈米線220A具有類似結構的軸向異質奈米線。在至少另一示例性實施例中，當新改變的前驅物材料輕易地吸附在正在生長的奈米線的表面上時，可獲得圖4B至圖4F中所示的奈米線220B、220C、220D、220E及220F、或具有類似結構的圓周異質奈米線。
在製造具有芯-殼結構的奈米線的方法的至少一個實例中，可使用由用於形成殼的材料來替換形成芯的奈米線的表面的製程。
在製造包括芯-殼結構的奈米線的製程的至少一個實例中，可製備藉由將金屬奈米線分散在極性溶劑中而形成的金屬奈米線分散溶液、以及藉由將金屬前驅物溶解於非極性溶劑中而形成的金屬前驅物溶液，且可將所述金屬奈米線分散溶液與所述金屬前驅物溶液混合。極性溶劑可包括以下中的至少一者：包括但不限於水（H2 O）、甲醇（CH3 OH）、乙醇（C2 H6 O）、異丙醇（C3 H8 O）、二甲基亞碸（C2 H6 OS）、二氯甲烷（CH2 Cl2 ）及四氫呋喃（C4 H8 O）。非極性溶劑可包括二甲苯（C8 H10 ）、甲苯（C7 H8 ）、苯（C6 H6 ）、及己烷（C6 H14 ）中的至少一者。金屬奈米線可包含鎳（Ni），但並非僅限於此。
在至少某些示例性實施例中，可使用雷射燒蝕製程、VLS合成製程、無電蝕刻製程、熱化學氣相沈積（chemical vapor deposition，CVD）製程及/或其組合來形成包含碳奈米管（carbon nanotube，CNT）-矽奈米線的芯-殼結構及/或包含矽奈米線-碳奈米管的芯-殼結構。亦即，例如，可在向矽奈米線供應氫氣（H2 ）及甲烷（CH4 ）氣體的同時在約1100℃的反應溫度下執行熱CVD製程約五分鐘。此後，可對經合成的奈米複合物進行熱處理以移除非晶碳層並提高奈米複合物的結晶度。
在至少某些示例性實施例中，可使用碳奈米管（CNT）作為基質並使用矽烷（SiH4 ）及丙烷（C3 H8 ）作為主要來源氣體而形成矽碳化物或碳化矽（SiC）奈米線。可在矽基板上形成金屬觸媒，且可使用氨（NH3 ）對上面形成有金屬觸媒的矽基板進行表面處理。然後，可藉由在約700℃的溫度下供應碳源（例如，乙炔（C2 H2 ））而生長碳奈米管。此後，可將所獲得的結構轉移至射頻（radio-frequency，RF）-感應化學氣相沈積（inductive CVD）系統，可將氫氣（H2 ）供應至RF-感應CVD系統，且可在約1000℃的溫度下對所得的結構進行表面處理約五分鐘，以使得可生長SiC奈米線。
返回參照圖1，形成於防護薄膜框架150的中心的開口150H可具有約50毫米（mm）至約150毫米的寬度150W。亦即，舉例而言，開口150H可具有約50毫米×50毫米的正方形形狀、約50毫米×80毫米的矩形形狀及/或約110毫米×140毫米的矩形形狀；然而，開口150H的形狀並非僅限於以上尺寸。
多孔薄膜120可具有足夠大的大小以完全覆蓋開口150H。亦即，舉例而言，多孔薄膜120可具有較開口150H的平面大小為大的平面大小。舉例而言，多孔薄膜120可具有約60毫米×60毫米、約60毫米×90毫米、及/或約120毫米×150毫米的平面大小；然而，多孔薄膜120的構型並非僅限於以上尺寸。
根據本發明概念的示例性實施例，形成於防護薄膜框架150的中心的開口150H的平面形狀並非僅限於四邊形形狀及/或矩形形狀。可根據光罩基板的形狀及結構而使用包括各種平面形狀構型的防護薄膜框架150。亦即，舉例而言，開口150H的平面形狀可具有各種形狀構型，例如包括但不限於三角形、四邊形、六邊形或八邊形。因此，防護薄膜框架150亦可具有與防護薄膜框架150的開口150H的平面形狀對應的各種形狀構型（例如，三角形、四邊形、六邊形及/或八邊形）。
在至少某些示例性實施例中，防護薄膜框架150可包含金屬及/或聚合物。舉例而言，防護薄膜框架150可包括但不限於碳、類鑽碳（diamond-like carbon，DLC）、鋁、不銹鋼及/或聚乙烯；然而，本發明概念並非僅限於以上金屬及/或聚合物。
在至少某些示例性實施例中，黏著層160可包含黏著劑，例如包括但不限於丙烯酸樹脂、環氧樹脂及/或氟樹脂；然而，本發明概念就黏著層可包含的黏著劑的類型而言並非僅限於此。
在至少某些示例性實施例中，可使用黏著層160將多孔薄膜120人工地黏著至防護薄膜框架150。在至少某些其他示例性實施例中，可使用機器藉由自動化製程來執行將多孔薄膜120黏著至防護薄膜框架150的製程。
如上所述，在防護薄膜100中，根據示例性實施例，多孔薄膜120可包括跨越彼此排列以形成網狀結構的多個奈米線。因此，多孔薄膜120可確保足以達成結構穩定性的相對大的厚度並提供相對低的光學密度。因此，可降低具有例如140奈米（nm）或約140奈米至300奈米或約300奈米的波長的光的帶外（OoB）反射率、而非具有約6.75奈米至約13.5奈米的波長的EUV光或電子束的帶外反射率，且可提高解析度。此外，由於防護薄膜膜片140包括多孔薄膜120，所述多孔薄膜120包括跨越彼此排列以形成網狀結構的多個奈米線，因此可限制及/或防止由曝光製程導致的熱損害，且可能不需要在防護薄膜框架150中形成用於釋氣的額外排氣孔。因此，就本發明概念的示例性實施例而言，防護薄膜100的製造可簡單易行，且可限制及/或防止在曝光製程期間在光罩的表面中發生霧狀缺陷。
圖5是根據示例性實施例的防護薄膜300的剖視圖。在圖5中，使用相同的參考編號來表示與圖1中所示者相同的元件，且對其不再予以贅述。
參照圖5，防護薄膜300可包括多孔薄膜120及防護薄膜膜片340。防護薄膜膜片340包括頂覆層330，頂覆層330覆蓋多孔薄膜120的至少一個側表面。圖5說明其中頂覆層330包括覆蓋多孔薄膜120的兩個側表面的第一頂覆層330A及第二頂覆層330B的示例性實施例；然而，本發明概念並非僅限於以上結構構型。必要時，防護薄膜300可僅包括覆蓋多孔薄膜120的面對防護薄膜框架150的表面的第一頂覆層330A及/或僅包括覆蓋多孔薄膜120的另一表面的第二頂覆層330B。第二頂覆層330B是多孔薄膜120的面對防護薄膜框架150的表面的相對側。
頂覆層330可包括與多孔薄膜120中包含的材料不同的材料。在某些示例性實施例中，頂覆層330可包含選自由包括但不限於下列者所組成的群組的材料：碳化矽（SiC）、二氧化矽（SiO2 ）、氮化矽（SiN）、氮氧化矽（SiON）、氧化釔（Y2 O3 ）、氮化釔（YN）、碳化鋇（Ba4 C）、氮化鋇（BN）、鉬（Mo）、釕（Ru）、銠（Rh）、以及其組合。
防護薄膜框架150可藉由黏著層160而黏著至頂覆層330。防護薄膜膜片340可均勻地保持於防護薄膜框架150上以具有獨立的結構。
圖6是一種製造可包括於根據示例性實施例的防護薄膜中的防護薄膜膜片的方法的實例的流程圖。
圖7A至圖7E是使用圖6所示的方法來形成防護薄膜膜片的方法的製程操作的剖視圖。
參照圖6及圖7A，在步驟P402處，可在基板502上形成犧牲層504。
當基板502的材料在用於移除犧牲層504的蝕刻氣氛中對於犧牲層504具有蝕刻選擇性時，可無任何特別限制地使用基板502的材料。亦即，舉例而言，基板502可包括矽基板；然而，本發明概念就基板502而言並非僅限於以上特徵。
犧牲層504可包括但不限於光阻劑材料、聚合物、鎳（Ni）箔、銅（Cu）箔及/或鎳/銅（Ni/Cu）箔。
參照圖6及圖7B，在步驟P404處，可在犧牲層504上塗佈藉由將多個奈米線NW分散於溶劑510中而形成的奈米線分散溶液512。
可例如使用旋塗製程將奈米線分散溶液512塗佈於犧牲層504上。
在至少某些示例性實施例中，形成奈米線分散溶液512的溶劑510可為去離子水（deionized water，DIW）、有機溶劑、水性溶劑及/或其組合。在至少某些示例性實施例中，溶劑510可包括去離子水與有機溶劑的混合物。在至少某些示例性實施例中，溶劑510可包括水；醇類，例如包括但不限於甲醇、乙醇、異丙醇、丙醇、丁醇及/或松油醇；醯胺類，例如包括但不限於二甲基甲醯胺（C3 H7 NO）及二甲基乙醯胺；吡咯烷酮類，例如包括但不限於N-甲基-2-吡咯烷酮及N-乙基吡咯烷酮；羥基酯類，例如包括但不限於二甲基亞碸、γ-丁內酯、乳酸甲酯、乳酸乙酯、β-甲氧基異丁酸甲酯、α-羥基異丁酸甲酯；有機鹵化物，例如包括但不限於二氯乙烷、二氯苯、及三氯乙烷；硝基化合物，例如包括但不限於硝基甲烷及硝基乙烷；以及腈類化合物，例如包括但不限於乙腈及苯甲腈；及/或其組合。
所述多個奈米線NW可具有選自由以下組成的群組的至少一個結構：如圖3A至圖3H中所示的奈米線NWA、NWB、NWC、NWD、NWE、NWF、NWG及NWH、圖4A至圖4F中所示的異質奈米線220A、220B、220C、220D、220E及220F、以及在本發明概念的示例性實施例的範圍內加以修改及變化的各種奈米線。
參照圖6及圖7C，在步驟P406處，可例如自奈米線分散溶液512移除溶劑510。
溶劑510的移除可包括對溶劑510加熱及/或將溶劑510靜置直至溶劑510揮發及/或蒸發。在至少某些示例性實施例中，可在約750℃至約1100℃的溫度下執行用於移除溶劑510的退火製程，但本發明概念並非僅限於在此段落中陳述的以上特徵。
在至少某些示例性實施例中，可省略使用步驟P406處的製程來移除溶劑510的操作。
參照圖6及圖7D，在步驟P408處，可對所述多個奈米線NW進行熱處理（T）以形成具有包括所述多個奈米線NW的網狀結構的多孔薄膜520A。
在至少某些示例性實施例中，可在約750℃至約1100℃的溫度下執行對所述多個奈米線NW的熱處理（T）；然而，本發明概念並非僅限於在此段落中陳述的以上特徵。
當省略使用步驟P406處的製程來移除溶劑510的操作時，可使用步驟P408處的製程在熱處理T期間移除溶劑510（參照圖7C）。此外，在所述多個奈米線NW中（參照圖7B及圖7C），彼此相鄰的奈米線NW可因步驟P408處的製程而在熱處理製程期間相統一。因此，可形成包括相統一而形成網狀結構的多個奈米線NW的多孔薄膜520A。
多孔薄膜520A中所包括的形成於犧牲層504上的所述多個奈米線NW可跨越彼此排列以形成如圖2A或圖2B中所示的網狀結構。
參照圖6及圖7E，在步驟P410處，可藉由移除犧牲層504而將多孔薄膜520A自基板502分離。
當犧牲層504包括光阻劑材料或聚合物時，舉例而言，可使用能夠選擇性地移除犧牲層504的溶液（例如，包括但不限於顯影溶液或有機溶劑）來濕式移除犧牲層504。當犧牲層504包括鎳（Ni）箔、銅（Cu）箔或鎳/銅（Ni/Cu）箔時，可使用蝕刻劑來移除犧牲層504。亦即，舉例而言，可使用三氯化鐵（FeCl3 ）水溶液、過硫酸銨（(NH4 )2 S2 O8 ）水溶液、或硝酸鈰銨（H8 N8 CeO18 ）水溶液作為蝕刻劑；然而，本發明概念並非僅限於在此段落中陳述的以上特徵。
在至少某些示例性實施例中，可藉由移除犧牲層504而將多孔薄膜520A自基板502分離。此後，存留於多孔薄膜520A中的金屬雜質可使用蝕刻劑移除且使用有機溶劑（例如，丙酮）或去離子水（DIW）沖洗。在至少某些示例性實施例中，用於移除金屬雜質的蝕刻劑可包括但不限於鹽酸、硝酸、硫酸、乙酸、氫氟酸、王水及/或其組合，但蝕刻劑的種類並非僅限於此。
在將多孔薄膜520A自基板502分離之後，可使用轉移膜（圖中未示出）轉移多孔薄膜520A，且可執行用於根據示例性實施例完全形成防護薄膜的隨後製程。
為製造防護薄膜100，如圖1中所示，可使用黏著層160將防護薄膜框架150黏著至多孔薄膜520A的一個表面。
圖8是一種形成可包括於根據示例性實施例的防護薄膜中的防護薄膜膜片的方法的另一實例的流程圖。
圖9A及圖9B是使用圖8所示的方法來形成防護薄膜膜片的方法的製程操作的剖視圖。
現在將參照圖8、圖9A及圖9B來闡述形成防護薄膜膜片的方法。在此種情形中，使用相同的參考編號來表示與圖6及圖7A至圖7E中所示者相同的元件，且對其不再予以贅述。
參照圖8及圖9A，可如參照圖6的步驟P402至步驟P406的製程及圖7A至圖7C所闡述般執行各製程。因此，在自奈米線分散溶液512移除溶劑510的製程之後，在步驟P420處的製程中，可對存留於犧牲層504上的所述多個奈米線NW施加壓力P，使得所述多個奈米線NW中的相鄰者可在壓力下黏著至彼此。
可沿基板502的厚度方向施加壓力P。可使用按壓構件570來向所述多個奈米線NW來施加壓力P。當按壓構件570能夠將自外部施加的壓力P傳送至所述多個奈米線NW時，可無任何特別限制地使用按壓構件570的材料。
作為向所述多個奈米線NW施加壓力P的結果，如圖9B中所示，可形成多孔薄膜520B，多孔薄膜520B包括在壓力下被黏著至彼此以形成網狀結構的所述多個奈米線NW。
多孔薄膜520B中所包括的形成於犧牲層504上的所述多個奈米線NW例如可跨越彼此排列以形成如圖2A或圖2B中所示的網狀結構。
此後，可藉由使用圖6的步驟P410處的製程以及參照圖7E所闡述的方法移除犧牲層504而將多孔薄膜520B自基板502分離。然後，為製造圖1中所示的防護薄膜100，可使用黏著層160將防護薄膜框架150黏著至多孔薄膜520B的一個表面。
圖10是一種製造可包括於根據示例性實施例的防護薄膜中的防護薄膜膜片的方法的另一實例的流程圖。
圖11是使用圖10中所示的方法形成防護薄膜膜片的方法的實例的剖視圖。
現在將參照圖10及圖11闡述形成防護薄膜膜片的方法。在此種情形中，使用相同的參考編號來表示與圖1至圖9B中所示者相同的元件，且對其不再予以贅述。
參照圖10及圖11，可如以上參照圖6的步驟P402至步驟P406的製程及圖7A至圖7C所闡述般執行各製程。因此，在執行自奈米線分散溶液512移除溶劑510的製程之後，在步驟P430處的製程中，可形成包括多個奈米線NW的多孔薄膜520C。
可使用圖6所示的步驟P408處的製程或圖8所示的步驟P420處的製程來形成多孔薄膜520C。
然後，在步驟P410處的製程中，可藉由移除犧牲層504而將多孔薄膜520C自基板502分離。接下來，在步驟P432處的製程中，可在多孔薄膜520C的至少一個表面上形成頂覆層330。
圖11說明其中頂覆層330包括覆蓋多孔薄膜520C的兩個表面的第一頂覆層330A及第二頂覆層330B的示例性實施例；然而，本發明概念並非僅限於圖11中所示的實例。必要時，可僅形成第一頂覆層330A及第二頂覆層330B中的一者。
此後，可例如使用覆蓋有頂覆層330的多孔薄膜520C來製造圖5中所示的防護薄膜300。為此，可使用黏著層160將防護薄膜框架150黏著至頂覆層330。
圖12A至圖12E是一種形成可包括於根據示例性實施例的防護薄膜中的防護薄膜膜片的方法的製程操作的剖視圖。在圖12A至圖12E中，使用相同的參考編號來表示與圖1至圖11中所示者相同的元件，且對其不再予以贅述。
參照圖12A，可在基板502上形成犧牲導引圖案584。
除犧牲導引圖案584包括向上突出且規則地排列的多個導引柱586之外，犧牲導引圖案584可具有與參照圖7A所述的犧牲層504實質上類似的構型。所述多個導引柱586可排列成與參照圖2C及圖2D所述的多個空間SP1及SP2對應。
參照圖12B，如參照圖7B所述，可例如將藉由將多個奈米線NW分散於溶劑510中而形成的奈米線分散溶液512塗佈於犧牲導引圖案584上。
例如可使用旋塗製程來將奈米線分散溶液512塗佈於犧牲導引圖案584上。犧牲導引圖案584可被塗佈以奈米線分散溶液512以具有較形成於犧牲導引圖案584上的所述多個導引柱586的高度為低的高度。
參照圖12C，可以與參照圖7C所闡述者相同的方式自奈米線分散溶液512移除溶劑510。
參照圖12D，可以與參照圖7B所闡述者類似的方式對所述多個奈米線NW進行熱處理。作為另一選擇，可以與參照圖9A所闡述者類似的方式對存留於犧牲導引圖案584上的所述多個奈米線NW施加壓力。因此，可形成多孔薄膜520D，多孔薄膜520D具有包括所述多個奈米線NW的網狀結構。
多孔薄膜520D可具有與圖2C中所示的多孔薄膜120C或圖2D中所示的多孔薄膜120D類似的構型。
參照圖12E，可使用與參照圖7E所述的移除犧牲層504的方法相同的方法而自圖12D所示的所得結構移除犧牲導引圖案584，以使得多孔薄膜520D可自基板502分離。
此後，可使用蝕刻劑移除並使用有機溶劑（例如，丙酮）或去離子水（DIW）沖洗存留於多孔薄膜520D中的金屬雜質。
在將多孔薄膜520D自基板502分離之後，可使用轉移膜（圖中未示出）轉移多孔薄膜520D，且可執行用於根據示例性實施例完全形成防護薄膜的隨後製程。在某些示例性實施例中，類似於圖1及圖5中所示的製造防護薄膜100及防護薄膜300的製程，可使用黏著層160將防護薄膜框架150黏著至多孔薄膜520D的一個表面，藉此製造包括多孔薄膜520D的防護薄膜。
圖13是可與根據示例性實施例的防護薄膜組合的光罩PM的實例的示意性平面圖。
圖13中所示的光罩PM可為用以使用曝光製程將圖案轉移至晶圓（圖中未示出）上、並製造積體電路（integrated circuit，IC）裝置（例如，半導體裝置）的反射性光罩。在某些示例性實施例中，光罩PM可為基於多反射鏡結構（multi-mirror structure）的反射性光罩，所述反射性光罩用於使用EUV波長範圍（例如，約13.5奈米的曝光波長）的光微影製程。
光罩PM的前側表面FR可包括例如主圖案區MP，主圖案區MP用以將對於形成構成積體電路的單元裝置而言所需的主圖案轉移至晶圓的晶片區。前側表面FR可更包括輔助圖案區AP及黑色邊界區BB，輔助圖案區AP用以將輔助圖案轉移至晶圓的劃刻線（scribe lane）區，且黑色邊界區BB環繞主圖案區MP及輔助圖案區AP。
主圖案元件P1可形成於主圖案區MP上。主圖案元件P1可構成用以將對於形成積體電路而言所需的圖案轉移至晶圓的晶片區的主圖案。
可在輔助圖案區AP中形成輔助圖案，而非構成所需積體電路的圖案。輔助圖案可為對於製造積體電路的製程而言所需的但可不存留於最終的積體電路中。亦即，舉例而言，輔助圖案可包括輔助圖案元件P2，輔助圖案元件P2用以將對準關鍵圖案轉移至晶圓的劃刻線區。
黑色邊界區BB可為不存在用於將圖案轉移至晶圓上的圖案元件的非圖案區。
圖14是根據示例性實施例的光罩組件600A的剖視圖。
參照圖14，光罩組件600A可包括光罩PM及防護薄膜100。防護薄膜100固定至光罩PM的前表面FR上的黑色邊界區BB。
為將防護薄膜100固定至光罩PM的黑色邊界區BB，可在防護薄膜100的防護薄膜框架150的表面（其與防護薄膜框架150的黏著有防護薄膜膜片140的表面相對）與光罩PM的黑色邊界區BB之間夾置黏著層530。
防護薄膜框架150可將一端藉由黏著層160而固定至防護薄膜膜片140以支撐防護薄膜膜片140、以及將另一端藉由黏著層530而固定至光罩PM的表面。
可自參照圖1提供的說明推斷出對防護薄膜100的詳細說明。
在至少某些示例性實施例中，黏著層530可包括但不限於矽酮樹脂、氟樹脂、壓克力（acryl）樹脂、或聚(苯乙烯-乙烯-丁二烯-苯乙烯)系樹脂；然而，本發明概念並非僅限於在此段落中陳述的以上特徵。
圖15是根據另一示例性實施例的光罩組件600B的剖視圖。
參照圖15，光罩組件600B可包括例如光罩PM及固定至光罩PM的前側表面FR上的黑色邊界區BB的防護薄膜300。可自參照圖5提供的說明推斷出對防護薄膜300的詳細說明。
為將防護薄膜300固定至光罩PM的黑色邊界區BB，可在和防護薄膜框架150的黏著有防護薄膜膜片340的表面相對的表面與光罩PM的黑色邊界區BB之間夾置黏著層530。
圖14及圖15說明其中圖14及圖15中所示的光罩組件600A及光罩組件600B中的每一者包括反射性光罩PM的情形，所述反射性光罩PM如圖13所示用於使用約13.5奈米曝光波長的光微影製程；然而，本發明概念並非僅限於此。舉例而言，包括但不限於，可採用例如以下透射性光罩來代替反射性光罩PM：用於使用氟化氪（KrF）凖分子雷射（248奈米）、氟化氬（ArF）凖分子雷射（193奈米）、或氟（F2 ）凖分子雷射（157奈米）的曝光製程的光罩。
圖16是根據示例性實施例的積體電路（IC）裝置製造設備800的構型的示意性剖視圖。圖16說明包括曝光設備的積體電路裝置製造設備800，所述曝光設備用以在投影光學系統中使用EUV光在真空中減小形成於光罩（或稱為「光罩（reticle）」）上的圖案的影像並將所述影像轉錄至晶圓。
參照圖16，積體電路裝置製造設備800可包括遮罩平台區800A、投影光學系統區800B及晶圓平台區800C。
遮罩平台區800A中所包括的遮罩平台810可包括遮罩平台支撐結構812及固定至遮罩平台支撐結構812的遮罩固持器系統818。遮罩固持器系統818可用以固定光罩PM。在某些示例性實施例中，遮罩固持器系統818可包括靜電夾盤，且遮罩固持器系統818可因電磁力而吸附並保持光罩PM。
防護薄膜820可固定至光罩PM上。防護薄膜820可包括參照圖1及圖5闡述的防護薄膜100及防護薄膜300、或在本發明概念的範圍內進行修改及變化的防護薄膜中的一者。
遮罩平台810可由遮罩平台支撐結構812支撐，並沿由箭頭A1表示的掃描方向移動所固定的光罩PM。投影光學系統840可位於投影光學系統區800B中，並用以將形成於光罩PM上的圖案轉移至晶圓平台區800C中的晶圓W。晶圓W可固定至晶圓平台850上的晶圓夾盤852。晶圓夾盤852可沿由箭頭A2表示的掃描方向移動晶圓W。
包括遮罩平台810的遮罩平台區800A、包括投影光學系統840的投影光學系統區800B、及包括晶圓平台850的晶圓平台區800C可藉由閘閥862A及閘閥862B而彼此分隔開。真空排氣系統864A、864B及864C可分別連接至遮罩平台區800A、投影光學系統區800B及晶圓平台區800C，並獨立地控制壓力。
轉移手臂871可安裝於晶圓平台區800C與負載鎖定室800D之間以裝載或卸載晶圓W。真空排氣系統864D可連接至負載鎖定室800D。晶圓W可在大氣壓力下暫時地保持在晶圓裝載埠800E中。轉移手臂872可安裝於負載鎖定室800D與晶圓裝載埠800E之間以裝載及/或卸載晶圓W。閘閥876A可夾置於晶圓平台空間800C與負載鎖定室800D之間。閘閥876B可夾置於負載鎖定室800D與晶圓裝載埠800E之間。
轉移手臂873可安裝於遮罩平台區800A的遮罩平台810與遮罩負載鎖定室800F之間以裝載及/或卸載光罩PM。真空排氣系統864E可連接至遮罩負載鎖定室800F。光罩PM可在大氣壓力下暫時地保持在遮罩裝載埠800G中。轉移手臂874可安裝於遮罩負載鎖定室800F與遮罩裝載埠800G之間以裝載及/或卸載光罩PM。閘閥886A可插入於遮罩平台區800A與遮罩負載鎖定室800F之間。閘閥886B可插入於遮罩負載鎖定室800F與遮罩裝載埠800G之間。
光罩PM可容納在光罩載具880中，並被自外部輸送至積體電路裝置製造設備800。此外，光罩PM可容納在光罩載具880中並被輸送至遮罩裝載埠800G。因此，可有效地限制及/或防止光罩PM與外部環境不必要地接觸並受外部顆粒的污染。
光罩載具880可包括內盒882及用以提供容納內盒882的空間的外盒884。內盒882及外盒884中的每一者可為基於標準（SEMI標準E152-0709）的標準機械介面（standard mechanical interface，SMIF）盒。外盒884可被稱為「倍縮光罩（reticle）SMIF盒」。當光罩PM在不同製作站之間及/或在不同位置之間轉移時，外盒884可用以保護光罩PM。內盒882可用以在光罩PM處於真空氣氛中、被轉移至遮罩平台810及/或位於遮罩平台810附近時保護光罩PM。當周圍環境的壓力自大氣狀態下降至真空狀態及/或自真空狀態增大至大氣狀態時，污染顆粒可回旋流動。因此，在光罩PM周圍漂浮的污染顆粒可污染光罩PM。內盒882可保護光罩PM免受上述環境的損害，並保護光罩PM直至光罩PM處於真空氣氛中或直至光罩PM轉移至遮罩平台810及/或位於遮罩平台810附近。
在半導體裝置製造製程的曝光製程中，形成於光罩（或倍縮光罩（reticle））上的圖案可被投影-曝光於晶圓上，晶圓上形成有抗蝕膜以使得潛在圖案（latent pattern）可形成於所述抗蝕膜上。藉由使用顯影製程，可於晶圓上形成抗蝕圖案。然而，當光罩上存在異物（例如，顆粒）時，異物可同圖案一起被轉移至晶圓上並導致圖案故障。
可使用微縮投影曝光（reduction projection exposure）設備來執行使用超細圖案製造半導體裝置的製程（例如，大型積體電路（large-scale integration，LSI）或極大型積體電路（very-large-scale integration，VLSI）），藉由所述微縮投影曝光設備，形成於光罩上的圖案可被微縮投影於形成於晶圓上的抗蝕膜上，以在所述抗蝕膜上形成潛在影像圖案。隨著半導體裝置的安裝密度增大，已期望將電路圖案小型化。因此，在曝光製程中對縮小曝光線寬的需求已在增加。因此，已開發出使用波長進一步減小的曝光光的曝光技術來提高曝光設備的解析度。到目前為止，已開發出i-線（365奈米）、二氟化氪（KrF）凖分子雷射（248奈米）、氟化氬（ArF）凖分子雷射（193奈米）、及氟（F2 ）凖分子雷射（157奈米）曝光技術。近年來，已開發出使用具有6.75奈米或約6.75奈米至13.5奈米或約13.5奈米的軟X射線範圍波長的EUV光或電子束的曝光設備。當曝光光的波長降低至EUV光或電子束的波長水準時，由於空氣在大氣壓力中不透射光，因此可能有必要在高真空環境中安置曝光光的光學路徑。因此，光學系統、遮罩平台及晶圓平台可處於具有較F2 曝光設備高的氣密性的真空室中，且可於晶圓及光罩中每一者的入口/出口埠處安裝負載鎖定室，使得可在維持真空度的同時將晶圓或光罩裝載至真空室中或自真空室卸載。
可使用反射性光罩來執行EUV曝光製程，所述反射性光罩包括設置於上面形成有圖案區的前側層的表面上的多層式反射性層。
當曝光光的波長降低至EUV光的波長範圍時，由於選擇EUV的透明材料受到限制，因此到目前為止執行曝光製程時並未使用防護薄膜。作為另一選擇，已使用包括薄的防護薄膜膜片的防護薄膜執行了曝光製程，所述薄的防護薄膜膜片在曝光製程期間會因熱而嚴重受損並具有低的抗拉強度。此外，為滿足EUV的透射率，可能需要具有數十奈米或小於數十奈米的極小厚度的防護薄膜膜片作為防護薄膜膜片。然而，由於具有極小厚度的防護薄膜膜片具有極低的物理硬度且對於深紫外線（deep ultraviolet，DUV）光具有相對高的反射率，因此所述防護薄膜膜片可在曝光製程期間使解析度劣化。此外，當使用包括具有小的厚度的防護薄膜膜片的防護薄膜時，因防護薄膜膜片具有弱的抗張強度，因而可能極難將防護薄膜膜片置於獨立的狀態中。此外，所述防護薄膜在曝光製程期間可能極易受到熱損害的影響，且可能無法限制及/或防止光罩受顆粒的污染。
在使用EUV光源的曝光製程期間，根據實例的積體電路裝置製造設備800可藉由使用防護薄膜820而保護光罩PM。根據示例性實施例的防護薄膜820可包括多孔薄膜120（參照圖1及圖5），所述多孔薄膜120包括跨越彼此排列的多個奈米線以形成網狀結構。因此，根據示例性實施例的防護薄膜820可確保具有足以達成結構穩定性的相對大的厚度並具有相對低的光學密度。因此，可降低具有例如約140奈米至約300奈米波長的光的OoB反射率，以提高曝光製程的解析度。此外，由於採用了多孔薄膜120，因此可能無需在防護薄膜框架150中形成額外的排氣孔。因此，製造防護薄膜的製程可簡單易行。因此，在曝光製程期間可有效地限制及/或防止因防護薄膜膜片的劣化而發生錯誤，且可有效地將具有所需形狀的圖案轉移至待曝光的晶圓W的準確位置。
圖17是一種製造根據示例性實施例的積體電路裝置的方法的流程圖。
參照圖17，在步驟P902處的製程中，可提供包括特徵層的晶圓。
在至少某些示例性實施例中，所述特徵層可為形成於晶圓上的導電層及/或絕緣層。舉例而言，所述特徵層可包括金屬、半導體或絕緣材料。在某些其他示例性實施例中，所述特徵層可為晶圓的一部分。
在步驟P904處，可於特徵層上形成光阻劑膜。在至少某些示例性實施例中，光阻劑膜可包括EUV（6.75奈米或13.5奈米）抗蝕劑材料。在至少某些其他示例性實施例中，光阻劑膜可包括F2 凖分子雷射（157奈米）抗蝕劑材料、ArF凖分子雷射（193奈米）抗蝕劑材料、或KrF凖分子雷射（248奈米）抗蝕劑材料。光阻劑膜可包括正型光阻劑及/或負型光阻劑。
在至少某些示例性實施例中，為形成包括正型光阻劑的光阻劑膜，可將以下物質旋塗於特徵層上：包括具有酸不穩定性基團的感光性聚合物的光阻劑組成物、潛性酸（potential acid）及溶劑。
在至少某些示例性實施例中，感光性聚合物可包括(甲基)丙烯酸酯系聚合物。(甲基)丙烯酸酯系聚合物可為脂肪族(甲基)丙烯酸酯系聚合物。舉例而言，感光性聚合物可包括但不限於聚甲基丙烯酸甲酯（(CC5 O2 H8 )n ）、聚(第三丁基丙烯酸甲酯)、聚(甲基丙烯酸)、聚(降冰片基丙烯酸甲酯)、(甲基)丙烯酸酯系聚合物的重複單元的二元或三元共聚物、及/或其混合物。此外，上述感光性聚合物可由各種酸不穩定性保護基團替代。保護基團可包括但不限於第三丁氧基羰基（t-BOC）、四氫吡喃基、三甲基矽烷基、苯氧基乙基、環己烯基、第三丁氧基羰基甲基、第三丁基、金剛烷基或降冰片基，但本發明概念並非僅限於此。
在至少某些示例性實施例中，潛性酸可包括但不限於光酸產生劑（photoacid generator，PAG）、熱酸產生劑（thermoacid generator，TAG）及/或其組合。在至少某些示例性實施例中，PAG可包括在暴露於選自以下的任何一種光時能夠產生酸的材料：EUV光（1奈米至31奈米）、F2 凖分子雷射（157奈米）、ArF凖分子雷射（193奈米）、及KrF凖分子雷射（248奈米）。PAG可包括但不限於鎓鹽、鹵化物、硝基苄酯、烷基磺酸鹽、重氮萘醌（C10 H6 N2 O）、亞胺基磺酸鹽、二碸、重氮甲烷及/或磺醯氧酮。
在圖17的步驟P906處，可將根據示例性實施例的光罩組件裝載至曝光設備中。
在至少某些示例性實施例中，光罩組件可為參照圖14及圖15闡述的光罩組件600A及光罩組件600B、以及在本發明概念的示例性實施例的範圍內進行修改及/或變化的光罩組件中的任一者。
在至少某些示例性實施例中，可將光罩組件裝載至圖16所示的積體電路裝置製造設備800的遮罩裝載埠800G中。
在圖17的步驟P908處，可將光罩組件固定至遮罩平台。
在至少某些示例性實施例中，遮罩平台可為圖16所示的積體電路裝置製造設備800的遮罩平台810。
在步驟P910處，可使用光罩對形成於晶圓上的光阻劑膜進行曝光。
在至少某些示例性實施例中，可在反射性曝光系統中執行曝光製程，但本發明概念並非僅限於此。舉例而言，可使用透射性曝光系統來執行曝光製程。
在步驟P912處，可藉由使經曝光的光阻劑膜顯影而形成光阻劑圖案。
在步驟P914處，可藉由光阻劑圖案對特徵層進行處理。
在至少某些示例性實施例中，為使用步驟P914處的製程來處理特徵層，可使用光阻劑圖案作為蝕刻遮罩來蝕刻特徵層以形成精細特徵圖案。
在至少某些示例性實施例中，為使用步驟P914處的製程來處理特徵層，可使用光阻劑圖案作為離子植入遮罩而將雜質離子植入特徵層中。
在至少某些示例性實施例中，為使用步驟P914處的製程來形成特徵層，可於由在步驟P912處的製程中形成的光阻劑圖案暴露出的特徵層上形成額外的製程膜。所述製程膜可包括導電膜、絕緣膜、半導體膜及/或其組合。
圖18A及圖18B是示出極紫外線（EUV）透射率相對於多個奈米線的密度、以及根據示例性實施例的防護薄膜中所包括的防護薄膜膜片中所包括的多孔薄膜的厚度的估測結果的圖表。
圖18A示出在其中多孔薄膜中所包括的多個奈米線包含碳（C）的情形中EUV透射率的估測結果。圖18B示出在其中多孔薄膜中所包括的多個奈米線包含矽（Si）的情形中EUV透射率的估測結果。
一般而言，由於EUV光具有約13.5奈米的相對短的波長，因此大多數材料可對EUV光表現出高的吸收率。然而，根據示例性實施例的防護薄膜膜片可具有極低的表面密度及高的光透射率，此乃因所述防護薄膜膜片中所包括的多個奈米線跨越彼此排列以形成規則或不規則的網狀結構。
自圖18A及圖18B的結果可確定，藉由根據示例性實施例的方法使用包含碳（C）或矽（Si）的多個奈米線而製造的防護薄膜膜片在所述防護薄膜膜片具有約1微米的相對大的厚度時具有極高的EUV透射率。
圖19是示出包括根據示例性實施例的防護薄膜中所包括的多個奈米線的防護薄膜膜片的帶外（OoB）反射率與比較實例1及比較實例2的OoB反射率之間的對比結果的圖表。
在圖19中，「實施例」示出在其中防護薄膜膜片包括藉由根據示例性實施例的方法使用多個矽奈米線所製造的多孔薄膜的情形中，具有約1微米（mm）的相對大的厚度的矽多孔薄膜的估測結果。「比較實例1」示出具有約16奈米（nm）的厚度的塊狀碳（C）膜的估測結果，且「比較實例2」示出具有約57奈米的厚度的塊狀矽膜的估測結果。
自圖19的結果可看出，DUV光（約190奈米至約300奈米）的反射率在「實施例」中較在「比較實例1」及「比較實例2」中低。因此，可看出由於根據示例性實施例的防護薄膜包括防護薄膜膜片，且所述防護薄膜膜片包括具有多個跨越彼此排列以形成網狀結構的奈米線的多孔薄膜，因此在使用EUV光的曝光製程中可獲得相較於使用包含塊狀材料的防護薄膜膜片時高的解析度。
圖20是包括使用根據示例性實施例的積體電路裝置製造設備而製造的積體電路裝置的記憶卡1200的方塊圖。
記憶卡1200可包括用以產生命令及位址訊號C/A的記憶體控制器1220及記憶體1210，記憶體1210例如為包括（但不限於）一個快閃記憶體裝置或多個快閃記憶體裝置的快閃記憶體。記憶體控制器1220可包括主機介面1223及記憶體介面1225，主機介面1223用以將命令及位址訊號C/A傳送至主機或自主機接收命令及位址訊號C/A，記憶體介面1225用以再次將命令及位址訊號C/A傳送至記憶體1210或自記憶體1210接收命令及位址訊號C/A。主機介面1223、控制器1224及記憶體介面1225可經由共用匯流排1228與控制器記憶體（例如，SRAM）1221及處理器（例如，CPU）1222通訊。
記憶體1210可自記憶體控制器1220接收命令及位址訊號，因應於所述命令及位址訊號而將資料儲存於記憶體1210中的記憶體裝置中的至少一者中，並自記憶體裝置的至少一者搜尋資料。記憶體裝置中的每一者可包括多個可定址記憶體胞元及一個解碼器，所述解碼器用以接收命令及位址訊號並產生列訊號及行訊號以在程式化操作及讀取操作期間存取可定址記憶體胞元中的至少一者。
包括記憶體控制器1220（其包括控制器記憶體1221、處理器1222、主機介面1223、控制器1224、記憶體介面1225）及記憶體1210的記憶卡1200的每一部件可包括根據示例性實施例的防護薄膜、根據示例性實施例的光罩組件、或使用包括防護薄膜及光罩組件的積體電路裝置製造設備而製造的積體電路裝置。此外，包括記憶體控制器1220（其包括控制器記憶體1221、處理器1222、主機介面1223、控制器1224、記憶體介面1225）及記憶體1210的記憶卡1200的每一部件可包括藉由如參照圖17所述的製造積體電路裝置的方法而製造的積體電路裝置。
圖21是採用記憶卡1310的記憶系統（memory system）1300的方塊圖，所述記憶卡1310包括使用根據示例性實施例的製造積體電路裝置的方法而製造的積體電路裝置。
記憶系統1300可包括可經由共用匯流排1360而彼此通訊的處理器1330（例如，CPU）、隨機存取記憶體（random access memory，RAM）1340、使用者介面1350及數據機1320。記憶系統1300的每一元件可經由共用匯流排1360將訊號傳送至記憶卡1310並自記憶卡1310接收訊號。包括記憶卡1310、處理器1330、RAM 1340、使用者介面1350及數據機1320的記憶系統1300的每一部件可包括根據示例性實施例的防護薄膜、根據示例性實施例的光罩組件、或使用包括防護薄膜及光罩組件的積體電路裝置製造設備而製造的積體電路裝置。記憶系統1300可包括使用參照圖17闡述的製造積體電路裝置的方法而製造的積體電路裝置。
記憶系統1300可應用於各種電子應用領域中。舉例而言，記憶系統1300可應用於固態硬碟（solid-state drive，SSD）、CMOS影像感測器（CMOS image sensor，CIS）及電腦應用晶片組。
可使用具有各種形狀的封裝中的任一者來對記憶系統1300進行封裝，所述封裝例如包括但不限於球柵陣列（ball grid array，BGA）、晶片規模封裝（chip-scale package，CSP）、塑膠帶引線晶片載體（plastic leaded chip carrier，PLCC）、塑膠雙列直插式封裝（plastic dual in-line package，PDIP）、多晶片封裝（multi-chip package，MCP）、晶圓級製作封裝（wafer-level fabricated package，WFP）、及晶圓級處理庫存封裝（wafer-level processed stock package，WSP），但本發明概念並非僅限於此。
應理解，本文中所述的示例性實施例應僅被視為具有闡述性意義而非用於限制目的。對根據示例性實施例的每一裝置或方法內的特徵或態樣的闡述通常應被視為可用於根據示例性實施例的其他裝置或方法中的其他類似特徵或態樣。儘管已參照示例性實施例具體示出並闡述了本發明概念，但此項技術中具有通常知識者應理解，在不背離以下申請專利範圍的精神及範圍的條件下可作出各種形式及細節上的變化。
100、300、820‧‧‧防護薄膜
120、120A、120B、120C、120D、520A、520B、520C、520D‧‧‧多孔薄膜
140、340‧‧‧防護薄膜膜片
150‧‧‧防護薄膜框架
150H‧‧‧開口
150W、W1、W2‧‧‧寬度
160、530‧‧‧黏著層
220A、220B、220C、220D、220E、220F、NW、NW1、NW2、NW3、NW4、NWA、NWB、NWC、NWD、NWE、NWF、NWG、NWH‧‧‧奈米線
222A‧‧‧第一部分
222B、222C、222D、222E、222F‧‧‧芯配線
224A‧‧‧第二部分
224B、224C、224D、224E、224F、226D、226E、226F‧‧‧殼配線
330‧‧‧頂覆層
330A‧‧‧第一頂覆層
330B‧‧‧第二頂覆層
502‧‧‧基板
504‧‧‧犧牲層
510‧‧‧溶劑
512‧‧‧奈米線分散溶液
570‧‧‧按壓構件
584‧‧‧犧牲導引圖案
586‧‧‧導引柱
600A、600B‧‧‧光罩組件
800‧‧‧積體電路裝置製造設備
800A‧‧‧遮罩平台區
800B‧‧‧投影光學系統區
800C‧‧‧晶圓平台區
800D‧‧‧負載鎖定室
800E‧‧‧晶圓裝載埠
800F‧‧‧遮罩負載鎖定室
800G‧‧‧遮罩裝載埠
810‧‧‧遮罩平台
812‧‧‧遮罩平台支撐結構
818‧‧‧遮罩固持器系統
840‧‧‧投影光學系統
850‧‧‧晶圓平台
852‧‧‧晶圓夾盤
862A、862B、876A、876B、886A、886B‧‧‧閘閥
864A、864B、864C、864D、864E‧‧‧真空排氣系統
871、872、873、874‧‧‧轉移手臂
880‧‧‧光罩載具
882‧‧‧內盒
884‧‧‧外盒
1200、1310‧‧‧記憶卡
1210‧‧‧記憶體
1220‧‧‧記憶體控制器
1221‧‧‧控制器記憶體
1222、1330‧‧‧處理器
1223‧‧‧主機介面
1224‧‧‧控制器
1225‧‧‧記憶體介面
1228、1360‧‧‧共用匯流排
1300‧‧‧記憶系統
1320‧‧‧數據機
1340‧‧‧隨機存取記憶體
1350‧‧‧使用者介面
A1、A2‧‧‧箭頭
AP‧‧‧輔助圖案區
BB‧‧‧黑色邊界區
D‧‧‧厚度
FR‧‧‧表面
H1、H2、H3、H4‧‧‧孔
MP‧‧‧主圖案區
P‧‧‧壓力
P1‧‧‧主圖案元件
P2‧‧‧輔助圖案元件
P402、P404、P406、P408、P410、P420、P430、P432、P902、P904、P906、P908、P910、P912、P914‧‧‧步驟
PM‧‧‧光罩
PO‧‧‧孔隙
SP1、SP2‧‧‧空間
T‧‧‧熱處理
W‧‧‧晶圓
藉由對附圖中所說明的本發明概念的示例性實施例的更具體闡述，本發明概念的上述及其他特徵及優點將變得顯而易見，其中在附圖的各種不同的圖式中，相同的參考符號指代相同的零件。圖式未必按比例繪示，相反，重點在於說明本發明概念的原理。在圖式中： 圖1是根據示例性實施例的防護薄膜的剖視圖。 圖2A至圖2D是可包括於根據示例性實施例的防護薄膜中的多孔薄膜的示意性平面圖。 圖3A至圖3H是可構成根據示例性實施例的防護薄膜的多孔薄膜的奈米線的立體圖。 圖4A至圖4F是可構成根據示例性實施例的防護薄膜的多孔薄膜的奈米線的立體圖。 圖5是根據示例性實施例的防護薄膜的剖視圖。 圖6是一種製造可包括於根據示例性實施例的防護薄膜中的防護薄膜膜片的方法的實例的流程圖。 圖7A至圖7E是一種使用製造可包括於根據示例性實施例的防護薄膜中的防護薄膜膜片的方法來製造防護薄膜膜片的方法的製程操作的剖視圖。 圖8是一種製造可包括於根據示例性實施例的防護薄膜中的防護薄膜膜片的方法的另一實例的流程圖。 圖9A及圖9B是一種使用可包括於根據示例性實施例的防護薄膜中的防護薄膜膜片的方法來形成防護薄膜膜片的方法的製程操作的剖視圖。 圖10是一種製造可包括於根據示例性實施例的防護薄膜中的防護薄膜膜片的方法的另一實例的流程圖。 圖11是一種使用製造可包括於根據示例性實施例的防護薄膜中的防護薄膜膜片的方法來形成防護薄膜膜片的方法的剖視圖。 圖12A至圖12E是一種形成可包括於根據示例性實施例的防護薄膜中的防護薄膜膜片的方法的製程操作的剖視圖。 圖13是可與根據示例性實施例的防護薄膜組合的光罩的實例的示意性平面圖。 圖14是根據示例性實施例的光罩組件的剖視圖。 圖15是根據示例性實施例的光罩組件的剖視圖。 圖16是根據示例性實施例的積體電路（IC）裝置製造設備的構型的示意性剖視圖。 圖17是一種製造根據示例性實施例的積體電路裝置的方法的流程圖。 圖18A及圖18B是示出極紫外線（EUV）透射率相對於多個奈米線的密度、以及根據示例性實施例的防護薄膜的防護薄膜膜片中所包括的多孔薄膜的厚度的估測結果的圖表。 圖19是示出根據示例性實施例的防護薄膜的包括多個奈米線的防護薄膜膜片的帶外（out-of-band，OoB）反射率與比較實例的OoB反射率之間的對比結果的圖表。 圖20是包括使用根據示例性實施例的積體電路裝置製造設備而製造的積體電路裝置的記憶卡的方塊圖。 圖21是包括記憶卡的記憶系統的方塊圖，所述記憶卡包括由根據示例性實施例製造積體電路裝置的方法而製造的積體電路裝置。
100‧‧‧防護薄膜
120‧‧‧多孔薄膜
140‧‧‧防護薄膜膜片
150‧‧‧防護薄膜框架
150H‧‧‧開口
150W‧‧‧寬度
160‧‧‧黏著層
D‧‧‧厚度

Claims (25)

  1. 一種防護薄膜，包括： 防護薄膜膜片，包括多孔膜，所述多孔膜包括多個奈米線，所述多個奈米線中的每一者跨越彼此被圖案化。
  2. 如申請專利範圍第1項所述的防護薄膜，其中所述多個奈米線界定沿所述多孔膜的厚度延伸的多個孔。
  3. 如申請專利範圍第2項所述的防護薄膜，其中所述多個奈米線界定所述多個孔，使所述多個孔沿線性路徑與非線性路徑中的至少一者延伸。
  4. 如申請專利範圍第2項所述的防護薄膜，其中所述多個奈米線界定所述多個孔，使所述多個孔包括多個被不規則地圖案化的貫穿孔。
  5. 如申請專利範圍第2項所述的防護薄膜，其中所述多個奈米線界定所述多個孔，使所述多個孔包括多個被規則地圖案化的貫穿孔。
  6. 如申請專利範圍第1項所述的防護薄膜，其中所述多個奈米線的第一部分與所述多個奈米線的第二部分相統一。
  7. 如申請專利範圍第1項所述的防護薄膜，其中所述多個奈米線中的至少某些奈米線在壓力下黏著至彼此。
  8. 如申請專利範圍第1項所述的防護薄膜，其中所述多個奈米線中的每一者包括圓形截面形狀、橢圓形截面形狀及多邊形截面形狀中的一者。
  9. 如申請專利範圍第1項所述的防護薄膜，其中所述多個奈米線處於未折疊狀態與折疊狀態中的至少一者，所述多個奈米線在長度方向上延伸。
  10. 如申請專利範圍第1項所述的防護薄膜，其中所述多個奈米線中的每一者包括單種元素。
  11. 如申請專利範圍第1項所述的防護薄膜，其中所述多個奈米線中的每一者包括異質結構，所述異質結構包含至少兩種不同的元素。
  12. 如申請專利範圍第1項所述的防護薄膜，其中所述多個奈米線包含選自由矽（Si）、碳（C）、鎳（Ni）、鉑（Pt）、金（Au）、釕（Ru）、磷化銦（InP）、氮化鎵（GaN）、氮化矽（Si3 N4 ）、二氧化矽（SiO2 ）、二氧化鈦（TiO2 ）、氧化釔鋇銅（YBCO）、及碳化矽（SiC）、以及其組合組成的群組的材料。
  13. 如申請專利範圍第1項所述的防護薄膜，其中所述多個奈米線中的每一者包含被摻雜有n型摻雜劑及p型摻雜劑中的至少一者的元素。
  14. 如申請專利範圍第1項所述的防護薄膜，其中在所述多孔膜的厚度中，所述多個奈米線中的每一者具有約5 nm（奈米）至約100奈米的寬度。
  15. 如申請專利範圍第1項所述的防護薄膜，其中所述多孔膜具有約50奈米至約4 mm（微米）的厚度。
  16. 如申請專利範圍第1項所述的防護薄膜，其中所述多個奈米線中的至少一者包括芯配線及殼配線，且所述殼配線環繞所述芯配線。
  17. 如申請專利範圍第16項所述的防護薄膜，其中所述芯配線包含第一材料且所述殼配線包含第二材料，且所述第一材料不同於所述第二材料。
  18. 如申請專利範圍第1項所述的防護薄膜，其中所述防護薄膜膜片更包含： 頂覆層，所述頂覆層覆蓋所述多孔膜的第一表面。
  19. 如申請專利範圍第18項所述的防護薄膜，其中所述頂覆層覆蓋所述多孔膜的所述第一表面及所述多孔膜的第二表面，且所述多孔膜的所述第一表面與所述第二表面位於所述多孔膜的相對側上。
  20. 如申請專利範圍第18項所述的防護薄膜，其中所述頂覆層包含第一材料，所述多孔膜包含第二材料，且所述第一材料不同於所述第二材料。
  21. 如申請專利範圍第18項所述的防護薄膜，其中所述頂覆層包含選自由碳化矽（SiC）、二氧化矽（SiO2 ）、氮化矽（SiN）、氮氧化矽（SiON）、氧化釔（Y2 O3 ）、氮化釔（YN）、碳化鋇（B4 C）、氮化鋇（BN）、鉬（Mo）、釕（Ru）、及銠（Rh）、以及其組合組成的群組的第一材料。
  22. 如申請專利範圍第1項所述的防護薄膜，更包括： 防護薄膜框架，所述防護薄膜框架支撐所述防護薄膜膜片。
  23. 一種光罩組件，包括： 防護薄膜，包含防護薄膜膜片，所述防護薄膜膜片包括多孔膜，所述多孔膜包括多個奈米線，所述多個奈米線跨越彼此被圖案化；以及 光罩，包括表面， 其中所述防護薄膜固定至所述光罩的所述表面。
  24. 如申請專利範圍第23項所述的光罩組件，其中所述多個奈米線界定多個孔，使得所述多個孔沿線性路徑與非線性路徑中的至少一者延伸。
  25. 如申請專利範圍第23項所述的光罩組件，其中所述防護薄膜膜片更包括： 頂覆層，所述頂覆層覆蓋所述多孔膜的第一表面。
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