TW201717378A - 輻射線影像拍攝元件及輻射線影像拍攝元件的製造方法 - Google Patents

Abstract

提出一種輻射線影像拍攝元件，亦即，於輻射線影像拍攝元件中，於與一像素電極相鄰的另一像素電極中，能夠抑制應被偵測到的閃爍光被偵測成雜訊成分。根據本發明之輻射線影像拍攝元件係由以下各者所堆疊而成：閃爍計，係吸收輻射線而發光、TFT電路，係產生影像信號並加以輸出、透明電極、光電轉換膜，係經由上述透明電極偵測上述發光並將其轉換成電信號、像素電極，係對應於各像素，並接受經上述光電轉換膜轉換而來的電信號並傳到上述TFT電路、及基板，其中，光電轉換膜係具有以下之構造：即上述光電轉換膜之含有對應於上述像素電極的至少中央部的場所的中央區域相較於含有對應於上述像素電極的末端的場所的末端區域，對於上述閃爍計的發光波長的光電轉換效率更高。

Description

輻射線影像拍攝元件及輻射線影像拍攝元件的製造方法

本發明係關於一種利用輻射線拍攝影像的輻射線影像拍攝元件。

習知地，存在有用以拍攝所謂的X射線相片的輻射線影像拍攝元件。此種輻射線影像拍攝元件具有含有以下各者的構造：閃爍計，吸收輻射線而發光、及光二極體，具有偵測此閃爍計所發出的閃爍光而將其轉換成電信號的光電轉換膜。在專利文獻1之中，揭露著此種輻射線影像拍攝元件的一例子。

[先前技術文獻]

[專利文獻]

[專利文獻1]日本專利公開公報第2012-247327號

然而，於輻射線影像拍攝元件中，吾人期望能夠提高與各像素電極對應的光電轉換膜之中的光線的偵測效率，而獲得更清晰的輻射線影像。

在此，本發明係鑑於上述期望而研發出來的，並 且以提出一種能夠拍攝更清晰的輻射線影像的輻射線影像拍攝元件及其製造方法為目的。

為了解決上述課題，根據本發明之一實施樣態的輻射線影像拍攝元件，係由以下各者所堆疊而成：閃爍計，係吸收輻射線而發光、TFT電路，係產生影像信號並加以輸出、透明電極、光電轉換膜，係經由上述透明電極偵測上述發光並將其轉換成電信號、像素電極，係對應於各像素，並接受經上述光電轉換膜轉換而來的電信號並傳到上述TFT電路、及基板，其中，上述光電轉換膜係具有以下之構造：即上述光電轉換膜之含有對應於上述像素電極的至少中央部的場所的中央區域相較於含有對應於上述像素電極的末端的場所的末端區域，對於上述閃爍計的發光波長的光電轉換效率更高。

再者，閃爍計的發光波長相對於多晶矽的吸收波長較非晶矽的吸收波長更適合的情況時，光電轉換膜也可由形成在末端區域的非晶矽，與形成在中央區域的多晶矽所構成。

再者，閃爍計的發光波長相對於非晶矽的吸收波長較多晶矽的吸收波長更適合的情況時，光電轉換膜也可由形成在末端區域的多晶矽，與形成在中央區域的非晶矽所構成。

再者，輻射線影像拍攝元件可以是在基板上，依TFT電路、像素電極、光電轉換膜、透明電極、及閃爍計的順序所堆積而成的。

再者，根據本發明之一實施樣態的輻射線影像拍攝元件的製造方法，包含以下各步驟：一TFT電路的形成步驟，在一基板上形成一TFT電路；一像素電極的形成步驟，在形成有上述TFT電路的一側上，形成對應於各像素的像素電極；一非晶矽膜的成膜步驟，在形成有上述像素電極的一側上，將作為光電轉換膜的非晶矽膜加以成膜；一多晶矽的轉變步驟，對含有對應於上述非晶矽的上述像素電極的各自的中央部的場所的中央區域進行退火，而使其轉變成多晶矽；一透明電極的形成步驟，在形成有上述光電轉換膜的一側上，形成透明電極；一閃爍計的形成步驟，在形成有上述透明電極的一側上，形成可吸收輻射線而發光的閃爍計，其中，上述閃爍計的發光波長相對於上述多晶矽的吸收波長，較上述非晶矽的吸收波長更適合。

再者，根據本發明之一實施樣態的輻射線影像拍攝元件的製造方法，包含以下各步驟：一TFT電路的形成步驟，在一基板上形成一TFT電路；一像素電極的形成步驟，在形成有上述TFT電路的一側上，形成對應於各像素的像素電極；一非晶矽膜的成膜步驟，在形成有上述像素電極的一側上，將作為光電轉換膜的非晶矽膜加以成膜；一多晶矽的 轉變步驟，對含有對應於上述非晶矽的上述像素電極的各自的末端的場所的末端區域進行退火，而使其轉變成多晶矽；一透明電極的形成步驟，在形成有上述光電轉換膜的一側上，形成透明電極；一閃爍計的形成步驟，在形成有上述透明電極的一側上，形成可吸收輻射線而發光的閃爍計，其中，上述閃爍計的發光波長相對於上述非晶矽的吸收波長，較上述多晶矽的吸收波長更適合。

根據本發明之一實施樣態的輻射線影像拍攝元件，具有以下之構造：亦即，與各像素對應之像素電極的對應於其中央部分的中央區域較與該像素電極的末端對應的末端區域具有，相對於閃爍計的發光波長而言，更高的光電轉換效率。因此，於末端區域中，雖然會偵測到應由相隣的像素所偵測到的光線而成為雜訊、而有造成影像模糊的可能性，但藉由使此末端區域的光電轉換效率較中央區域更低，將可使含有應由其它的像素電極所偵測到的電信號的雜訊成分降低，而能抑制產生不清晰的影像的可能性。

100、300‧‧‧輻射線影像拍攝元件

101、301‧‧‧基板

102、302‧‧‧TFT電路

103a、103b、103c、303a、303b、303c‧‧‧像素電極

104、304‧‧‧光電轉換膜

105、305‧‧‧透明電極

106、306‧‧‧閃爍計

107、307‧‧‧反射膜

108、109、308、309‧‧‧光源

108a、108b、108c、109a、109b、109c、308a、308b、308c、309a、309b、309c‧‧‧光軸

141a、141b、141c、141d‧‧‧末端區域

142a、142b、142c‧‧‧中央區域

圖1的上方為繪示出根據一實施型態的輻射線影像拍攝元件的構造的剖面圖。中央為繪示出於輻射線影像元件之中的S/N比的圖形。下方為繪示出輻射線影像元件的光電轉換效率的圖形。

圖2為繪示出輻射線影像拍攝元件的製造方法的 流程圖。

圖3的上方為繪示出習知技術的輻射線影像拍攝元件的構造的剖面圖。中央為繪示出於習知技術的輻射線影像元件之中的S/N比的圖形。下方為繪示出輻射線影像元件的光電轉換效率的圖形。

<發明人等所得之見解>

在圖3的上方之中，繪示出一般的輻射線影像拍攝元件300的一例子的剖面圖。如圖3的上方所示地，輻射線影像拍攝元件300係由位在基板301之上的以下各者所堆積而成的：TFT電路302，將電信號轉換成影像信號、像素電極303a、303b、303c，與各像素相對應、光電轉換膜304、透明電極305、閃爍計306，吸收輻射線而發光、反射膜307，將光加以反射。

於輻射線影像拍攝元件300中，閃爍計306係吸收輻射線(未圖示)且，例如，以光源308、309作為起源而發光。此時，以光源308作為起源的光線，經光電轉換膜304轉換成電信號而必須傳到像素電極303b，並且，以光源309作為起源的光線，同様地被轉換成電信號而必須傳到像素電極303c。若依據圖3之上方所示的剖面圖，基於由光源308作為起源的光軸308b、308c所表示之光線而來的電信號將傳 到像素電極303b。再者，因為由光軸308a所表示之光線會到達像素電極303a與像素電極303b之間，電信號將不會被傳到任一個像素電極。另一方面，基於由光源309作為起源的光軸309b、309c所表示之光線而來的電信號，雖然被傳到像素電極303c，但由光軸309a所表示之光線，將到達像素電極303b之上而被轉換成電信號，而經由像素電極303b被送出。亦即，對像素電極303b而言，會發生：偵測到並非必須偵測到的以光源309作為起源的光線的狀況，而基於該光線而來的電信號將成為雜訊成分。

基於上述的考量，吾人考量輻射線影像拍攝元件300之中的S/N比將如圖3之中央的S/N比的圖形所表示的情況。再者，同樣地將光電轉換膜304加以成膜，而其光電轉換效率也再次如圖3之下方所示般地，於整個輻射線影像拍攝元件300中皆是相同的。因此，將接收到參雜著如圖3之中央的S/N比所表示的雜訊成分的電信號而產生輻射線影像。發明人等認為：因為發生這種狀況，故有造成輻射線影像模糊的可能性。

在此，於專利文獻1中，為了避免這種狀況，故藉由光刻製程去除像素電極與像素電極之間的所在位置的區域的光電轉換膜，而免於偵測到並非必須偵測到的光線成分。然而，藉由此光刻製程去除不必要的光電轉換膜將有耗時之問題。

在此，發明人等在製備輻射線影像拍攝元件之際，探討是否有較習知技術更容易製造、且不易將不必要的光線成分偵測作為雜訊的手段，而創作出本發明。以下，藉由參照圖式而就根據本發明之輻射線影像拍攝元件的一實施樣態及其製造方法加以說明。

<實施型態>

<構造>

根據本發明之一實施樣態的輻射線影像拍攝元件100係由以下各者所堆疊而成：閃爍計106，係吸收輻射線而發光、TFT電路102，係產生影像信號並加以輸出、透明電極105、光電轉換膜104，係經由透明電極105而偵測發光，並將其轉換成電信號、像素電極103，係對應於各像素，並接受經光電轉換膜104所轉換而來的電信號而傳到TFT電路102、及基板101，其中光電轉換膜104具有以下構造：即含有對應於像素電極的至少中央部的場所的中央區域142a、142b、142c，較含有對應於該像素電極的末端的場所的末端區域141a、141b、141c、141d有更高的光電轉換效率。

圖1係繪示出此輻射線影像拍攝元件100的詳細構造的剖面圖。如圖1所示地，輻射線影像拍攝元件100係如下述般地形成：即在基板101之上構成TFT電路102、並在其上構成各像素電極103a~103c、並在其上將光電轉換膜104加以成膜、並在其上形成透明電極105、而在透明電極105之上形成閃爍計106、並進一步在其上形成反射膜107。又，於本說明書中，在統稱像素電極的情況時，將其稱為像素電 極103。

基板101係，例如，藉由玻璃所構成。

TFT電路102係具有基於從各像素電極103傳來的電信號，而產生代表一張的輻射線影像的影像信號的功能。

像素電極103係與用以形成輻射線影像的各像素對應的電極，並基於從光電轉換膜104傳來的電信號而將電信號傳到TFT電路102。

光電轉換膜104係偵測閃爍計106所發出的光線，並將此光量轉換成與其相對應的電信號，且將此電信號傳到像素電極103。光電轉換膜104具有以下構造：即含有對應於像素電極103的中央部的場所的中央區域142a、142b、142c，與含有對應於其末端的場所的末端區域141a、141b、141c、141d具有不同的光電轉換效率。具體而言，光電轉換膜104具有：其中央區域142a、142b、142c較其末端區域141a、141b、141c、141d有更高的光電轉換效率的構造。中央區域142a、142b、142c係，例如，藉由p-Si(多晶矽)而實現。再者，末端區域141a、141b、141c係藉由a-Si(非晶矽)而實現。

透明電極105是與像素電極成對的電極、並且是為了使經光電轉換膜104而產生的電信號從透明電極105側流向像素電極側的電極。

閃爍計106是吸收受照射的輻射線而發光的元 件，並發出所謂的閃爍光。又，於圖1中，為了方便瞭解起見，故將光源108、109以點狀表示，並藉由分別以其作為起源的光軸108a、108b、108c、109a、109b、109c所代表的光線表示射向透明電極105的形式，然而，實際上，於閃爍計106中，因為從受照射側吸收輻射線而發光，故此發光量將逐漸減弱，於受輻射線照射的位置中，呈棒狀(圓柱狀)地發光。

再者，根據本實施型態的閃爍計106，其發光波長相對於多晶矽的吸收波長(光線的吸收波長)，較非晶矽的吸收波長(光線的吸收波長)更加適合。在此，所謂波長更加適合，意謂著：其中一者的吸收波長之相對於發光波長的重疊度，較另一者的吸收波長之相對於發光波長的重疊度更高。再者，所謂閃爍計的發光波長適合非晶矽或多晶矽的吸收波長，意謂著：相對於發光波長之此材料的光電轉換率較高。非晶矽的吸收波長大約是300~600nm，而多晶矽的吸收波長大約是600~1100nm。亦即，多晶矽的吸收波長的範圍較非晶矽的吸收波長的範圍是在更大的波長側，而於本實施型態中，閃爍計106的發光波長係在600~1100nm的範圍。

反射膜107是將閃爍計106所產生的閃爍光加以反射，並使其聚光在光電轉換膜104的鏡體。

藉由具備圖1所示的構造，根據本實施型態的輻射線影像拍攝元件100將能夠達到以下效果：亦即，於像素 電極的末端中，即使應由相隣的像素電極偵測到的閃爍光所引起電信號被偵測到而作為雜訊，仍可以抑制其所佔的比例。更具體而言，於像素電極103中，對於所偵測到的全部的電信號而言，因為能夠抑制雜訊成分的比例，所以可以獲得更清晰的輻射線影像。

利用圖1之中央的圖形，就此種構造的輻射線影像拍攝元件100的光電轉換膜104之中的S/N比加以說明。圖1之中央的圖形的横軸係對應於圖1之上方所示的輻射線影像拍攝元件100的中央區域與末端區域的配置。再者，圖1之中央的圖形將縱軸當作光電轉換膜104的S/N比。如上述般地，該S/N比係隨著因為偵測到與像素電極不對應的光源的光線而來的雜訊成分而變化。因此，從圖1之中央的圖形可知：因為像素電極的中央部分最遠離其它的像素電極、而位在最不易偵測到對應於其它的像素電極的光線的位置上，故像素電極103的中央部所對應的位置上的S/N比最高。再者，在對應於像素電極103的末端的位置上，因為位在最靠近其它的像素電極的位置上，所以具有最低的S/N比。

於此種狀況中，輻射線影像拍攝元件100係具有如圖1之下方所示的光電轉換效率。如圖1之下方所示地，對應於輻射線影像拍攝元件100的光電轉換膜104的中央區域142a、142b、142c的位置中的光電轉換效率較高，而對應於末端區域141a、141b、141c、141d的位置中的光電轉換效 率則變小。因此，根據本實施型態的輻射線影像拍攝元件100之中的實質的S/N比將是：圖1之中央的S/N比乘以圖1之下方的光電轉換效率的形式。因此，較習知技術更能夠降低像素電極103之中所傳送之電信號之中的雜訊成分的電信號的比例。因此，可以獲得較習知技術更清晰的輻射線影像。

<輻射線影像拍攝元件的製造方法>

以下，利用圖2而就上述的輻射線影像拍攝元件100的製造方法加以說明。

首先，製備基板101，而在其上形成TFT電路102(步驟S201)。接著，在TFT電路102之上形成對應於各像素的像素電極103(步驟S202)。

在形成像素電極103之後，將非晶矽層加以成膜(步驟S203)。

然後，同樣地，對成膜的非晶矽層，對於對應於各像素電極的中央區域的位置照射雷射，而進行退火(步驟S203)。該雷射是為了使非晶矽調質成多晶矽而進行照射的雷射，對於100nm的非晶矽層，從雷射照射裝置，以波長308nm、使雷射以400J/cm²的輸出，對於對應於各像素電極103的中央部分的中央區域進行照射，而使非晶矽退火。藉此，使對應於各像素電極103的中央部分的中央區域退火而調質成多晶矽，俾形成混合有非晶矽與多晶矽的光電轉換膜104(參照圖1)。

接著，在光電轉換膜104成膜之後，形成透明電極105(步驟S205)。在形成透明電極105之後，形成閃爍計106(步驟S206)。在此，將所形成的閃爍計106因吸收輻射線而發光的光線的發光波長，作為適合多晶矽的吸收波長的發光波長。然後，最後在形成閃爍計106之後，形成反射膜107(步驟S207)，俾製成輻射線影像拍攝元件100。

<輻射線影像拍攝元件的動作>

在以下內容之中，將就輻射線影像拍攝元件100的動作進行簡單的說明。

從輻射線照射裝置(未圖示)所照射而來的輻射線的一部分將由於拍攝的對象而被反射、吸收，殘餘的部分則穿透而到達輻射線影像拍攝元件100。從輻射線影像拍攝元件100的反射膜107側照射而來的輻射線係穿過反射膜107，而被閃爍計106吸收。

閃爍計106係吸收輻射線而發光(參照光源108、109)。於閃爍計106中，在以光源108、109作為起源的光線之中，有以光軸108a、108b、108c，光軸109a、109b、109c所表示的直接射向透明電極105的光線、也有非直接射向透明電極105而是射向反射膜107，並經反射膜107的反射而射向透明電極105的光線。這些光線是穿透透明電極105，而於光電轉換膜104中，被轉換成與偵測到的光量相對應的電信號。在圖1之上方所示的輻射線影像拍攝元件100的情 況時，在中央區域142b被偵測到之以光軸108b所表示的光線、及在中央區域142c被偵測到之以光軸109c所表示的光線等皆高效率地被轉換成電信號。另一方面，在末端區域141b被偵測到之以光軸108a所表示的光線、及在末端區域141c被偵測到之以光軸108c、109a、109b所表示的光線，則低效率地被轉換成電信號。因此，在圖1之上方的情況時，以光軸109a所表示的光線，雖然在與像素電極103b對應的末端區域141c被偵測到、而被轉換成電信號，但由於此轉換效率較低，故相對於經由與整個像素電極103b對應的光電轉換膜所得之電信號的比例將變成較低。因此，因為基於光軸109a所示的光線而來的電信號成為雜訊的成分可以降低，故可以使與像素電極103b相對應的局部的光電轉換膜104之中的S/N比較習知技術更高。

經光電轉換膜104而得之電信號係經由各像素電極103a~103c而傳到TFT電路102。TFT電路102係根據從各像素電極103a~103c所得之電信號以及對應於各像素電極的影像的座標而產生輻射線影像，並加以輸出。

如上所述的方式，輻射線影像拍攝元件100可以拍攝較習知技術更清晰的輻射線影像。

<參考例>

於上述實施型態中，顯示了將中央區域作為多晶矽，並將末端區域作為非晶矽的構造的例子。如同上述般地，此種構 造乃是在閃爍計106的發光波長適合多晶矽的吸收波長的情況的構造。

因此，相反地，在閃爍計106的發光波長相對於非晶矽的吸收波長較多晶矽的吸收波長更適合的情況時，則採用將中央區域作為非晶矽，並將末端區域作為多晶矽的構造。在此種情況時，為了將多晶矽形成在末端區域之中，故在形成光電轉換層之際，對末端區域施以雷射退火處理。

再者，在上述之中，雖然以非晶矽與多晶矽為例子說明了作為吸收輻射線而發光的材料，但只要是能吸收輻射線而發光的材料，也可使用其它的材料。

<補充說明>

在此，就根據本發明之輻射線影像拍攝元件的一實施樣態及其効果加以說明。

(a)根據本發明之一實施樣態的輻射線影像拍攝元件，係由以下各者所堆疊而成：閃爍計，係吸收輻射線而發光、TFT電路，係產生影像信號並加以輸出、透明電極、光電轉換膜，係經由上述透明電極偵測上述發光而將其轉換成電信號、像素電極，係對應於各像素，並接受經上述光電轉換膜轉換而來的電信號而傳到上述TFT電路、及基板，其中，上述光電轉換膜係具有以下之構造：即光電轉換膜之含有對應於上述像素電極的至少中央部的場所的中央區域之對於閃爍計的發光波長的光電轉換效率，較含有對應於該像素 電極的末端的場所的末端區域更高。

藉此，於各像素電極的末端的付近中，即使會偵測到應由相隣的像素電極所偵測到的閃爍光，但由於可以使其佔相對於由整個像素電極所偵測到的電信號的比例較低，故可以獲得較習知技術更清晰的輻射線影像。

(b)於上述(a)的輻射線影像拍攝元件中，閃爍計的發光波長之相對於多晶矽的吸收波長較非晶矽的吸收波長更適合的情況時，光電轉換膜也可由形成在末端區域的非晶矽，與形成在中央區域的多晶矽所構成。

或者，閃爍計的發光波長之相對於非晶矽的吸收波長較多晶矽的吸收波長更適合的情況時，光電轉換膜也可由形成在末端區域的多晶矽，與形成在中央區域的非晶矽所構成。

藉此，因為輻射線影像拍攝元件中可以利用一般作為光電轉換膜使用的非晶矽以及多晶矽，故易於實現輻射線影像拍攝元件。

(c)於上述(a)或(b)的輻射線影像拍攝元件中，輻射線影像拍攝元件可以是在基板上，依TFT電路、像素電極、光電轉換膜、透明電極、閃爍計的順序所堆積而成的。藉此，可以實現輻射線影像拍攝元件。

(d)根據本發明之一實施樣態的輻射線影像拍攝元件的製造方法，包含以下步驟：一TFT電路的形成步驟， 在一基板上形成一TFT電路；一像素電極的形成步驟，在形成有上述TFT電路的一側上，形成對應於各像素的像素電極；一非晶矽膜的成膜步驟，在形成有上述像素電極的一側上，將作為光電轉換膜的非晶矽膜加以成膜；一多晶矽的轉變步驟，對含有對應於上述非晶矽的上述像素電極的各自的中央部的場所的中央區域進行退火，而使其轉變成多晶矽；一透明電極的形成步驟，在形成有上述光電轉換膜的一側上，形成透明電極；一閃爍計的形成步驟，在形成有上述透明電極的一側上，形成可吸收輻射線而發光的閃爍計。

藉此，不同於習知技術，即免於藉由光刻製程除去末端區域，而是藉由雷射退火之簡單的製程，就可以適當地在光電轉換膜中，形成光電轉換效率較高的場所與較低的場所。

雖然本發明已用具體實施例揭露如上，但應瞭解的是：在不脫離本發明之精神和後附之申請專利範圍所界定範圍內，本發明所屬技術領域中具有通常知識者，當可對本發明作各種之更動與潤飾。

100‧‧‧輻射線影像拍攝元件

101‧‧‧基板

102‧‧‧TFT電路

103a、103b、103c‧‧‧像素電極

104‧‧‧光電轉換膜

105‧‧‧透明電極

106‧‧‧閃爍計

107‧‧‧反射膜

108、109‧‧‧光源

108a、108b、108c、109a、109b、109c‧‧‧光軸

141a、141b、141c、141d‧‧‧末端區域

142a、142b、142c‧‧‧中央區域

Claims (6)

1. 一種輻射線影像拍攝元件，係由閃爍計、TFT電路、透明電極、光電轉換膜、像素電極、及基板所堆疊而成，其中上述閃爍計係吸收輻射線而發光，上述TFT電路係產生影像信號並加以輸出，上述光電轉換膜係經由上述透明電極而偵測上述發光，並將其轉換成電信號，上述像素電極係對應於各像素，並接受經上述光電轉換膜所轉換而來的電信號並傳到上述TFT電路，及上述光電轉換膜係具有以下之構造，即上述光電轉換膜之含有對應於上述像素電極的至少中央部的場所的中央區域相較於含有對應於上述像素電極的末端的場所的末端區域，對於上述閃爍計的發光波長的光電轉換效率更高。
2. 如申請專利範圍第1項所述的輻射線影像拍攝元件，其中在上述閃爍計的發光波長相對於多晶矽的吸收波長較非晶矽的吸收波長更適合的情況時，則上述光電轉換膜係由形成在上述末端區域的非晶矽，與形成在上述中央區域的多晶矽所構成。
3. 如申請專利範圍第1項所述的輻射線影像拍攝元件，其中在上述閃爍計的發光波長相對於非晶矽的吸收波長較多晶矽的吸收波長更適合的情況時，則上述光電轉換膜係由形成在上述末端區域的多晶矽， 與形成在上述中央區域的非晶矽所構成。
4. 如申請專利範圍第1或2項所述的輻射線影像拍攝元件，其中上述輻射線影像拍攝元件為在上述基板上，依上述TFT電路、上述像素電極、上述光電轉換膜、上述透明電極、及上述閃爍計的順序所堆積而成的。
5. 一種輻射線影像拍攝元件的製造方法，包含以下各步驟：一TFT電路的形成步驟，在一基板上形成一TFT電路；一像素電極的形成步驟，在形成有上述TFT電路的一側上，形成對應於各像素的像素電極；一非晶矽膜的成膜步驟，在形成有上述像素電極的一側上，將作為光電轉換膜的非晶矽膜加以成膜；一多晶矽的轉變步驟，對含有對應於上述非晶矽的上述像素電極的各自的中央部的場所的中央區域進行退火，而使其轉變成多晶矽；一透明電極的形成步驟，在形成有上述光電轉換膜的一側上，形成透明電極；一閃爍計的形成步驟，在形成有上述透明電極的一側上，形成可吸收輻射線而發光的閃爍計，其中上述閃爍計的發光波長相對於上述多晶矽的吸收波長，較上述非晶矽的吸收波長更適合。
6. 一種輻射線影像拍攝元件的製造方法，包含以下各步驟： 一TFT電路的形成步驟，在一基板上形成一TFT電路；一像素電極的形成步驟，在形成有上述TFT電路的一側上，形成對應於各像素的像素電極；一非晶矽膜的成膜步驟，在形成有上述像素電極的一側上，將作為光電轉換膜的非晶矽膜加以成膜；一多晶矽的轉變步驟，對含有對應於上述非晶矽的上述像素電極的各自的末端的場所的末端區域進行退火，而使其轉變成多晶矽；一透明電極的形成步驟，在形成有上述光電轉換膜的一側上，形成透明電極；一閃爍計的形成步驟，在形成有上述透明電極的一側上，形成可吸收輻射線而發光的閃爍計，其中上述閃爍計的發光波長相對於上述非晶矽的吸收波長，較上述多晶矽的吸收波長更適合。