JP5830867B2 - 放射線撮像装置および放射線撮像表示システム - Google Patents
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Description
・実施の形態(光電変換部とシンチレータ層との間にガラス基板およびレンズアレイを配置した例)
1.構成
2.製造方法
3.作用、効果
[構成]
図1は、本発明の一実施の形態に係る放射線撮像装置(放射線撮像装置1)の全体構成を表すものである。放射線撮像装置1は、α線、β線、γ線、X線に代表される放射線を波長変換して受光し、放射線に基づく画像情報を読み取るものである。この放射線撮像装置1は、医療用をはじめ、手荷物検査等のその他の非破壊検査用のX線撮像装置として好適に用いられるものである。
図2は、画素部12の断面構造を表したものである。画素部12は、第1基板11上に、画素12a毎に光電変換部111を有し、これらの光電変換部111上に、層間絶縁膜等よりなる絶縁膜112が形成されている。この絶縁膜112上には、例えば保護膜113が設けられている。尚、絶縁膜112と保護膜113との間には、図示しない平坦化膜が設けられていてもよいし、保護膜113が平坦化膜を兼ねていてもよい。
図3は、光電変換部111の回路構成の一例である。光電変換部111は、フォトダイオード111A(光電変換素子)と、トランジスタTr1,Tr2,Tr3(後述のトランジスタ111Bに相当)と、前述の垂直信号線18と、画素駆動線17としての行選択線171およびリセット制御線とを含むものである。
図4は、光電変換部111の断面構成の一例である。但し、図4では、簡便化のため、フォトダイオード111Aと、上記3つのトランジスタTr1,Tr2,T r3のうち1つのトランジスタ(トランジスタ111Bとする)の積層構造について示している。
第2基板114は、例えば可視光に対して高い透明性を有するガラスやプラスチック等により構成されている。但し、この第2基板114は、フォトダイオード111Aにおける感度域の光に対して透明性を有する材料であればよく、必ずしも可視域に限定されるものではない。
図5は、レンズアレイ115と、単位画素12aの配置関係を模式的に表したものである。レンズアレイ115は、複数のマイクロレンズ115aが2次元配列してなるものであり、各マイクロレンズ115aは、単位画素12aに対向して設けられている(単位画素12a毎にマイクロレンズ115aが配置されている)。このレンズアレイ115aは、光電変換部111の受光面が、各マイクロレンズ115aの焦点面に略一致するように設計、配置されている。但し、このような1画素に1つのマイクロレンズが配設された構成に限定されず、複数の画素12a(例えばm×nの画素12aからなる領域;m,nは1以上の整数)に対して1つのマイクロレンズ115aが配設されていてもよい。
シンチレータ層117は、放射線をフォトダイオード111Aの感度域に波長変換するものである。このシンチレータ層117は、例えばX線を可視光に変換する蛍光体が用いられる。このような蛍光体としては、例えば、CsI,Gd2O2S,BaFX(XはCl,Br,I等)等が挙げられる。シンチレータ層117の厚みは例えば400μm〜600μmである。尚、これらの蛍光体材料は水分によって劣化し易いものが多いため、シンチレータ層117上には、例えばパリレンCよりなる有機保護膜(図示せず)が設けられていることが望ましい。
次に、放射線撮像装置1における画素部12の作製方法について説明する。画素部12は、例えば次のようにして作製することができる。図8〜図10は、画素部12の作製方法を工程順に説明するための断面図である。
本実施の形態の作用、効果について、図1〜図6および図11〜図13を参照して説明する。放射線撮像装置1では、図示しない放射線(例えばX線)照射源から照射され、被写体(検出体)を透過した放射線を取り込み、この放射線を波長変換した後に光電変換することによって、被写体の画像を電気信号として得る。詳細には、放射線撮像装置1に入射した放射線は、まず、シンチレータ層117において、光電変換部111(即ちフォトダイオード111A)の感度域(ここでは可視域)の波長に変換される。そして、この波長変換後の光は、シンチレータ層117を出射すると、平坦化層116、レンズアレイ115、第2基板114、保護膜113および絶縁膜112を順に透過し、光電変換部111へ入射する。
ここで、本実施の形態の比較例に係る画素部100の断面構造と、シンチレータ層への入射光およびシンチレータ層からの出射光について模式化したものを、図11に示す。画素部100は、基板101上に、フォトダイオードおよびトランジスタを含む光電変換部102、絶縁膜103、保護膜104およびシンチレータ層105をこの順に有する。このような構造の場合、放射線L1がシンチレータ層105に入射すると、波長変換されて出射する可視光L2以外にも、上記のように波長変換されずに出射する放射線L1’が存在する。この放射線L1’が、光電変換部102へ入射すると、トランジスタが被曝し、これにより閾値電圧がシフトしてトランジスタ特性が劣化してしまう。
上記実施の形態では画素回路構成としてアクティブ駆動方式によるものを例に挙げて説明したが、図14に示したようなパッシブ駆動方式であってもよい。尚、上記実施の形態と同一の構成要素については同一符号を付してその説明は省略する。本変形例では、単位画素Pが、フォトダイオード111A、容量成分138およびトランジスタTr(読出し用のトランジスタTr3に相当)を含んで構成されている。トランジスタTrは、蓄積ノードNと垂直信号線18との間に接続されており、行走査信号Vreadに応答してオンすることにより、フォトダイオード111Aにおける受光量に基づいて蓄積ノードNに蓄積された信号電荷を垂直信号線18へ出力する。このように、画素の駆動方式は、上記実施の形態で述べたアククティブ駆動方式に限らず、本変形例のようなパッシブ駆動方式であってもよい。
上記第1の実施の形態(第2の実施の形態および変形例1についても同様)において説明した放射線撮像装置1は、例えば図15に示したような放射線撮像表示システム2に適用可能である。放射線撮像表示システム2は、放射線撮像装置1と、画像処理部25と、表示装置28とを備えている。このような構成により、放射線撮像表示システム2では、放射線撮像装置1が、X線源26から被写体27に向けて照射された放射線に基づき、被写体27の画像データDoutを取得し、画像処理部25へ出力する。画像処理部25は、入力された画像データDoutに対して所定の画像処理を施し、その画像処理後の画像データ(表示データD1)を表示装置28へ出力する。表示装置28は、モニタ画面28aを有し、入力された表示データD1に基づいて、そのモニタ画面28aに画像情報を表示する。
Claims (5)
- 第1基板上に設けられ、各々が画素トランジスタと光電変換素子とを含む複数の画素と、
放射線の波長を前記光電変換素子の感度域の波長に変換する波長変換層と、
前記複数の画素と前記波長変換層との間に設けられ、前記感度域の波長に対して透明性を有すると共に放射線遮蔽機能を有し、かつ無アルカリガラスよりなる第2基板と、
前記第2基板の光入射側および光出射側の一方または両方に設けられたレンズアレイと
を備え、
前記画素トランジスタは低温多結晶シリコンを含む半導体層を有し、
前記レンズアレイでは、複数のレンズがそれぞれ各画素に対向して設けられると共に放射線遮蔽機能を有する
放射線撮像装置。 - 前記レンズアレイは、前記第2基板の光入射面上に設けられ、
前記レンズアレイと前記波長変換層との間に、平坦化膜を更に備えた
請求項1に記載の放射線撮像装置。 - 前記画素トランジスタはゲート電極、ゲート絶縁膜および前記半導体層を積層した構造を有する
請求項1に記載の放射線撮像装置。 - 前記ゲート絶縁膜は、酸化シリコンまたは酸窒化シリコンを有する
請求項3に記載の放射線撮像装置。 - 放射線に基づく画像を取得する撮像装置と、前記撮像装置により取得された画像を表示する表示装置とを備え、
前記撮像装置は、
第1基板上に設けられ、各々が画素トランジスタと光電変換素子とを含む複数の画素と、
放射線の波長を前記光電変換素子の感度域の波長に変換する波長変換層と、
前記複数の画素と前記波長変換層との間に設けられ、前記感度域の波長に対して透明性を有すると共に放射線遮蔽機能を有し、かつ無アルカリガラスよりなる第2基板と、
前記第2基板の光入射側および光出射側の一方または両方に設けられたレンズアレイと
を有し、
前記画素トランジスタは低温多結晶シリコンを含む半導体層を有し、
前記レンズアレイでは、複数のレンズがそれぞれ各画素に対向して設けられると共に放射線遮蔽機能を有する
放射線撮像表示システム。
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