TW201709500A - 有機發光二極體顯示裝置 - Google Patents

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Abstract

提供一種有機發光二極體顯示裝置，包含基板、設置於基板的覆蓋層且包含多個微透鏡結構、以及設置於覆蓋層的有機發光元件。有機發光元件包含第一電極、有機發光層以及第二電極。微透鏡結構分別包含凹陷和突起，且有機發光二極體顯示裝置還包含反射圖案，設置於對應到凹陷的區域內。

Description

有機發光二極體顯示裝置
本發明主張2015年8月31日於韓國智慧財產局所提出之韓國專利申請號10-2015-0123173以及2016年5月31日於韓國智慧財產局所提出之韓國專利申請號10-2016-0067665的優先權，其完整內容已併入本發明中。
本發明係關於一種具有散射結構的有機發光二極體顯示裝置。
通常，有機發光二極體顯示裝置作為一種自發光顯示裝置，不需要像液晶顯示裝置一樣得搭載額外的光源，故能製造出輕薄化的有機發光二極體顯示裝置。此外，有機發光二極體顯示裝置的驅動電壓低，有利於降低能耗，同時具有傑出的色彩表現、響應速度、視角與對比度，為了將有機發光二極體顯示裝置當作下一個世代的顯示器，已經有許多與有機發光二極體顯示裝置相關的研究。
從有機發光二極體顯示裝置之有機發光層發出的光會通過許多顯示裝置的組成元件，而出射到有機發光二極體顯示裝置外部。然而，在有機發光層發出的光當中，有些光會被侷限在有機發光二極體顯示裝置內而無法出射到外部。如此，有機發光二極體顯示裝置的光取出效率會受到影響而產生問題。
具體來說，在底部出光型的有機發光二極體顯示裝置中，陽極處會發生全反射或光吸收現象，導致有機發光層發出的光只有其中約50%可以自有機發光層出射。基板處也會發生全反射或光吸收現象，導致入射到基板的光約有30%會被攔阻。這樣一來，有機發光層發出的光就有約80%會被阻擋在有機發光二極體顯示裝置內部，因而有機發光層發出的光只有約20%可以被提取到有機發光二極體顯示裝置外部，光取出效率非常低。
為了提升有機發光二極體顯示裝置的光取出效率，一種方法是在顯示裝置的基板外部設置微透鏡陣列，或是在顯示裝置的覆蓋層上形成微透鏡結構。
然而，儘管採用於基板外部設置微透鏡陣列或者是於覆蓋層上形成微透鏡結構的方式，仍然有大量的光被攔阻在顯示裝置內部，因此提取出來的光量仍然很少。此外，當部分外部環境光入射至微透鏡陣列或微透鏡結構時，微透鏡陣列或微透鏡結構會將外部環境光線反射，並且這些反射光當中有部分能通過偏振片，因而使得有機發光二極體顯示裝置的反光率變高。另外，當有機發光層產生的光通過基板而入射至偏振片時，部分光會被偏振片反射而回到顯示裝置內部，並且回到顯示裝置內部的反射光可能會入射至鄰近畫素的微透鏡陣列或微透鏡結構，但鄰近畫素的有機發光層所產生的光波長與反射光的波長有不同的色彩表現，因而導致漏光現象。
鑒於以上的問題，本發明提供一種有機發光二極體顯示裝置，有助於提升光提取效率、減少反光率與防止漏光現象。
本發明一實施態樣的有機發光二極體顯示裝置包含一偏振片、設置於偏振片的一基板、設置於基板的一覆蓋層、設置於覆蓋層的一有機發光元件、以及一反射圖案。覆蓋層包含多個微透鏡結構，且有機發光元件包含一第一電極、一有機發光層以及一第二電極。微透鏡結構包含一凹陷以及圍繞凹陷的一側壁。反射圖案設置於有機發光二極體顯示裝置對應到凹陷的區域內。在此實施態樣中，反射圖案的寬度可以小於微透鏡結構之突起的最大高度。
本發明一實施態樣的有機發光二極體顯示裝置中，圍繞凹陷的側壁可以包含一第一斜坡以及一第二斜坡。第一斜坡與第二斜坡沿著延一第一方向延伸，並且第一斜坡配置以形成微透鏡結構的突起。在此實施態樣與第二斜坡可以相對垂直於水平參考面的法線對稱配置。
本發明一實施態樣的有機發光二極體顯示裝置中，偏振片可具有預定方向的一偏振軸。經過偏振片後入射至基板的光可被反射圖案反射而使光偏振方向與偏振片的偏振軸相反。
本發明一實施態樣的有機發光二極體顯示裝置中，入射至有機發光二極體顯示裝置對應到側壁的區域內的光可具有大於全反射臨界角的入射角，並且當入射至偏振片後可以被反射至反射圖案至少一次。
本發明一實施態樣的有機發光二極體顯示裝置中，入射至有機發光二極體顯示裝置對應到側壁的區域內的光，相對於垂直於第一斜坡或第二斜坡之切線的參考線具有-30度至30度的入射角，且符合上述入射角條件的光可以被反射至反射圖案至少一次。
本發明一實施態樣的有機發光二極體顯示裝置包含一基板、一覆蓋層、一有機發光元件以及一反射圖案。覆蓋層設置於基板，且覆蓋層包含多個微透鏡結構。有機發光元件包含一第一電極、一有機發光層以及一第二電極。有機發光元件設置於覆蓋層，有機發光元件具有根據這些微透鏡結構的形狀而形成的一曲面，且這些微透鏡結構分別包含一凹陷以及一突起。反射圖案設置於有機發光二極體顯示裝置對應到這些凹陷的區域內。
本發明一實施態樣的有機發光二極體顯示裝置中，這些微透鏡結構的這些突起分隔這些凹陷。
本發明一實施態樣的有機發光二極體顯示裝置中，這些微透鏡結構的這些突起與這些凹陷交替設置。
本發明一實施態樣的有機發光二極體顯示裝置中，這些微透鏡結構的這些突起分別具有一斜坡。斜坡相對一水平參考面夾一角度，且角度為40度~60度或是120度~140度。
本發明一實施態樣的有機發光二極體顯示裝置中，覆蓋層具有至少一開口。這些微透鏡結構至少其中之一的突起包含二凸狀部。開口分隔二凸狀部。反射圖案設置於對應至少一開口的一分隔空間內，且分隔空間對應凹陷。
本發明一實施態樣的有機發光二極體顯示裝置中，有機發光二極體顯示裝置更包含一偏振片，且反射圖案設置於有機發光元件的有機發光層以及偏振片之間。
本發明一實施態樣的有機發光二極體顯示裝置中，第一電極的折射率與有機發光層的折射率皆大於覆蓋層的折射率與基板的折射率。
本發明一實施態樣的有機發光二極體顯示裝置中，有機發光層適於發出一出射光。出射光入射至偏振片並且被偏振片反射而產生一反射光，且反射圖案設置於反射光的光路徑上。
本發明一實施態樣的有機發光二極體顯示裝置中，這些微透鏡結構的這些突起分別包含二凸狀部，且反射圖案的寬度小於二凸狀部的二中心之間的距離。
本發明一實施態樣的有機發光二極體顯示裝置中，反射圖案的寬度小於各二相鄰之這些凹陷的二中心之間的距離。
本發明一實施態樣的有機發光二極體顯示裝置中，反射圖案設置於覆蓋層以及基板之間。
本發明一實施態樣的有機發光二極體顯示裝置中，於有機發光二極體顯示裝置對應到這些凹陷的區域內，反射圖案設置於一濾色層，濾色層設置於基板或一絕緣層，且基板或絕緣層設置於一薄膜電晶體。
本發明一實施態樣的有機發光二極體顯示裝置中，於有機發光二極體顯示裝置對應到這些凹陷的區域內，反射圖案設置於覆蓋層以及第一電極之間。
本發明一實施態樣的有機發光二極體顯示裝置中，有機發光二極體顯示裝置更包含一堤層圖案。堤層圖案設置於覆蓋層以及第一電極之間，且堤層圖案定義出有機發光二極體顯示裝置的一發光部分以及一非發光部分。微透鏡結構位於有機發光二極體顯示裝置對應到發光部分的區域內。
本發明一實施態樣的有機發光二極體顯示裝置中，微透鏡結構分別具有對應到凹陷的一第一範圍、對應到圍繞凹陷的一側壁的一第二範圍、以及對應到突起的一凸狀部的一第三範圍，且反射圖案設置於有機發光二極體顯示裝置對應到第一範圍的區域內。
本發明一實施態樣的有機發光二極體顯示裝置包含一基板、一覆蓋層、一有機發光元件以及一反射圖案。覆蓋層設置於基板，且覆蓋層於相對基板的一側具有一非平坦表面。有機發光元件包含一第一電極、一有機發光層以及一第二電極。有機發光元件設置於覆蓋層，且有機發光元件具有根據非平坦表面的形狀而形成的一曲面。反射圖案設置於第一電極以及基板之間。
根據本發明所揭露的有機發光二極體顯示裝置，反射圖案設置於有機發光二極體顯示裝置對應到微透鏡結構之凹陷的區域內，或是設置於第一電極以及基板之間。藉此，有助於減少外部環境光的反光率，並且隨著反射圖案的配置面積增加，反光率減少的幅度也越大。
此外，即使自入射至有機發光二極體顯示裝置內部的光具有比全反射臨界角還要大的入射角，反射圖案的配置也有助於避免光被被反射到鄰近畫素，進而防止漏光現象。
此外，相對於垂直於微透鏡結構之側壁之切線的參考線具有-30度至30度的入射角的光線可以被反射圖案和微透鏡結構反射而出射到有機發光二極體顯示裝置外，而有助於提升光提取效率。
以上之關於本揭露內容之說明及以下之實施方式之說明係用以示範與解釋本發明之精神與原理，並且提供本發明之專利申請範圍更進一步之解釋。
以下提供示例性實施例並參考對應圖式來描述本發明。圖式是示例性的，以使該領域具通常知識者能理解本發明的精神與範疇，然該領域具通常知識者應當知曉本發明可以以各種不同形式來實現，並且不限於在此描述的示例性實施例。此外，圖式中所繪示出的元件的相對尺寸和比例是為了圖式的清晰和方便的目的被放大或縮小，並且任何尺寸都僅是示例性的。在兩幅或更多圖式中繪示的相同結構、元件或部件由相同參考標號表示從而示出相同或類似特徵。
以下透過示例性實施例與對應圖式詳述本發明的各種優點、特徵和方法。然而，本發明不限於說明書所公開的示例性實施例，而是將以各種形式來實現。說明書所公開的示例性實施例用以使發明內容能充分地被該領域具通常知識者理解。因此，本發明之範疇應由申請專利範圍之內容來確定。類似的參考數字表示相同的整個說明書中的元件。圖式中所繪示出的元件的相對尺寸和比例是為了清晰和方便地描述本發明。
被當作層、區域或基底的元件被描述為「在另一個元件」時，其可直接放置於所述另一個元件，或者於兩者之間也可存在額外元件。相對地，當元件被描述為「直接在另一個元件」時，兩者之間不存在額外元件。
和空間配置相關的詞語，諸如「在…底下」、「下方」、「下部的」、「上方」、「上部的」等等，可以被用來描述圖中元件和/或特徵與另一個（或多個）元件和/或特徵的關係。可以理解的是，和空間相關的詞語意在除了包含圖中所示的方向以外還包含使用和/或操作中的裝置的不同的方向。例如，如果圖中的裝置被反轉，所述在其他元件或特徵「下麵」和/或「底下」的元件將會定向成其他元件或特徵的「上面」。
此外，例如「第一」、「第二」、「A」、「B」、「(a)」、「(b)」等詞語可以用於簡單地指多個元件中的不同的各別元件，但並無表示任何順序或次序。
圖1為根據本發明一實施例之顯示器的結構示意圖。參照圖1，一顯示器1000包含一顯示面板1100、一資料驅動器1200、一閘極驅動器1300以及一時序控制器1400。顯示面板1100設置有多個次畫素、多個資料線DL1至DLm以及多個閘極線GL1至GLn。資料驅動器1200用於驅動資料線DL1至DLm，且閘極驅動器1300用於驅動閘極線GL1至GLn。時序控制器1400用於控制資料驅動器1200與閘極驅動器1300。
資料驅動器1200供應資料電壓以驅動資料線。此外，閘極驅動器1300供應掃描訊號給閘極線以依序地驅動閘極線。
此外，時序控制器1400供應控制訊號給資料驅動器1200與閘極驅動器1300，以控制資料驅動器1200與閘極驅動器1300。時序控制器1400根據在幀內執行的時序開始掃描，並根據資料驅動器1200所使用的資料訊號格式轉換從外部輸入的輸入影像資料，接著輸出被轉換的影像資料。時序控制器1400根據掃描結果將資料的傳輸與驅動控制在適當的時序。
閘極驅動器1300根據時序控制器1400依序供應開啟電壓或關閉電壓的掃描訊號給這些閘極線，以依序地驅動這些閘極線。此外，閘極驅動器1300可以僅設置在顯示面板1100的單側。根據顯示面板的驅動模式、設計類型等考量，在某些情況下，閘極驅動器1300可以設置在顯示面板1100的兩側。圖1繪示閘極驅動器1300設置在顯示面板1100的單側為例，但本發明並不以此為限。
閘極驅動器1300可以包含至少一閘極驅動積體電路。閘極驅動積體電路經由帶式自動接合(Tape Automatic Bonding)或覆晶玻璃(Chip on Glass)方式連接於顯示面板1100的接合墊；或者，閘極驅動積體電路經由面板內建閘極技術(Gate in Panel)直接設置於顯示面板1100。在一些情況下，閘極驅動積體電路可以整合並且設置於顯示面板1100。
此外，可以採用覆晶薄膜技術(Chip on Film)設置閘極驅動積體電路。在這樣的情況下，對應到閘極驅動積體電路的閘極驅動晶片被安裝於撓性薄膜，並且撓性薄膜的一端接合至顯示面板1100。
資料驅動器1200將從時序控制器1400接收到的影像資料轉換成類比類型資料電壓，並且指定的閘極線被開啟以供應被轉換的資料電壓給資料線，進而驅動資料線。資料驅動器1200包含至少一源極驅動積體電路，用於驅動資料線。
源極驅動積體電路經由帶式自動接合或覆晶玻璃方式連接於顯示面板1100的接合墊。在一些情況下，源極驅動積體電路可以整合並且設置於顯示面板1100。
此外，可以採用覆晶薄膜技術設置源極驅動積體電路。在這樣的情況下，對應到源極驅動積體電路的源極驅動晶片被安裝於撓性薄膜，並且撓性薄膜的一端接合於至少一源極印刷電路板，另一端則接合於顯示面板1100。
源極印刷電路板經由連接介質連接於控制印刷電路板，連接介質例如是撓性扁平電纜(Flexible Flat Cable，FFC)或撓性印刷電路板(Flexible Printed Circuit，FPC)。時序控制器1400設置於控制印刷電路板內。
此外，控制印刷電路板還可包含一電源控制器(未繪示)，用於供應電壓或電流給顯示面板1100、資料驅動器1200、閘極驅動器1300等元件，或是控制供應給上述元件的電壓大小或電流大小。上述的源極印刷電路板與控制印刷電路板可以形成一個完整的印刷電路板。
同時，本發明所提及的畫素包含至少一次畫素。次畫素是指具有特定種類之濾色片的一單元，或是可以不依靠濾色片而能自發出特定光色的一有機發光元件。次畫素可以表現出來的色彩包含有紅色、綠色、藍色、以及選擇性地包含有白色，但本發明並不以此為限。每個次畫素可包含一個或多個有機發光二極體顯示裝置。
另外，在顯示面板的每個次畫素中，連接於薄膜電晶體而用於控制發光的電極被稱作第一電極，設置於顯示面板的所有表面或是至少二個畫素區域的電極被稱作第二電極。當第一電極為陽極時，第二電極為陰極；相反地，當第一電極為陰極時，第二電極為陽極。以下描述以第一電極作為陽極並且第二電極作為陰極為例，但本發明並不以此為限。
另外，可以在前述的次畫素區域內設置單色濾色片。濾色片能將有機發光元件發出的波長波寬較大的單色光轉換成具有較小波寬之預定波長的單色光。再者，每個次畫素區域內還設置有光散射層，以提升光提取效率。前述光散射層可以採用微透鏡陣列、奈米圖案、擴散膜圖案或二氧化矽珠粒。
以下，以微透鏡陣列作為光散射層的範例描述，但本發明的示例性實施例並不以此為限，還可以搭配其他不同的光散射結構。
圖2為根據本發明一實施例之有機發光二極體顯示裝置的剖切示意圖。參照圖2，底部出光類型的一有機發光二極體顯示裝置包含一薄膜電晶體Tr，且薄膜電晶體Tr包含一主動層102、一閘極電極104、一源極電極106以及一汲極電極107。有機發光二極體顯示裝置還包含電性連接於薄膜電晶體Tr的一有機發光元件EL，且有機發光元件EL包含一第一電極111、一有機發光層113以及一第二電極114。
詳細來說，有機發光二極體顯示裝置更包含一基板100以及設置於基板100的一緩衝層101，且薄膜電晶體Tr更包含一閘極絕緣層103以及一夾層絕緣層105。薄膜電晶體Tr的主動層102設置於緩衝層101。薄膜電晶體Tr的閘極絕緣層103與閘極電極104皆設置於主動層102，且夾層絕緣層105設置於閘極電極104。
接觸到主動層102的源極電極106與汲極電極107經由形成於夾層絕緣層105內的一接觸孔設置於夾層絕緣層105。有機發光二極體顯示裝置的一保護層108設置於源極電極106與汲極電極107。有機發光二極體顯示裝置的一濾色層109可以設置於保護層108的一表面。
有機發光二極體顯示裝置更包含設置於基板100與濾色層109的一覆蓋層190。有機發光元件EL的第一電極111設置於覆蓋層190並且連接於薄膜電晶體Tr的汲極電極107。有機發光二極體顯示裝置更包含設置於覆蓋層190的一堤層圖案112，且堤層圖案112暴露出第一電極111的部分上表面。堤層圖案112定義出有機發光二極體顯示裝置的一發光部分以及一非發光部分。有機發光元件EL的有機發光層113部分設置於第一電極111暴露出來的部分上表面，且有機發光層113另部分則設置於堤層圖案112。有機發光元件EL的第二電極114設置於有機發光層113。
在本實施例中，第一電極111可以是透明導電材質，且第二電極114可以是不透明導電材質。此外，第二電極114可以是具有高反光率的不透明導電材質。因此，底部出光類型的有機發光二極體顯示裝置得以被實施。
有機發光二極體顯示裝置更包含設置於基板100之背面的一偏振片110。偏振片110可具有預定方向的一偏振軸，因而只有與偏振軸方向相同的偏振光能夠通過偏振片110而入射至基板100的背面。此外，圖2繪示單層的偏振片110為例，但本發明並不以此為限。在其他實施例中，偏振片110可以是多層。
在圖2的底部出光類型的有機發光二極體顯示裝置中，為了提升光提取效果，覆蓋層設計成包含有多個突起以及多個凹陷。然而，這樣設計覆蓋層會導致突起位置與凹陷位置的光提取效率不同，同時也有反光率過高以及嚴重漏光現象等問題。
以下描述透過本發明的示例性實施例來解決上述問題，係藉由設置與覆蓋層重疊的一反射圖案來提升有機發光二極體顯示裝置的光提取效率、減少有機發光二極體顯示裝置的反光率與防止有機發光二極體顯示裝置產生漏光現象。
圖3為根據本發明另一實施例之有機發光二極體顯示裝置的上視示意圖。參見圖3，在本發明的示例性實施例中，覆蓋層包含多個微透鏡結構，且這些微透鏡結構分別具有一第一範圍150、一第二範圍160以及一第三範圍155。
第一範圍150可以是有機發光二極體顯示裝置對應到微透鏡結構之凹陷的區域，第二範圍160可以是有機發光二極體顯示裝置對應到圍繞凹陷的一側壁的區域，且第三範圍155可以是有機發光二極體顯示裝置對應到微透鏡結構之突起的一凸狀部的區域。位於第一範圍150與第三範圍155內之有機發光層113的厚度可以大於位於第二範圍160內之有機發光層113的厚度。也就是說，可以根據設置於微透鏡結構之有機發光層113的厚度來區分出第一範圍150、第二範圍160以及第三範圍155。在本實施例中，有機發光二極體顯示裝置更包含與微透鏡結構重疊的一反射圖案。
另外，參見圖3，在對應到微透鏡結構的區域，微透鏡結構的側壁是呈圓形形狀圍繞微透鏡結構的凹陷，但本發明不以此為限。在其他實施例中，微透鏡結構的側壁可以是呈六邊形形狀或橢圓形形狀圍繞微透鏡結構的凹陷。
微透鏡結構的構造如圖4所示。圖4為圖3之有機發光二極體顯示裝置的沿剖切線A-B的剖切示意圖。
圖4係示意性地描述覆蓋層190與反射圖案120之間的配置關係，本實施利係以反射圖案120與覆蓋層190皆設置於基板100為例。覆蓋層190相對基板100的一側具有一非平坦表面，且反射圖案120設置於非平坦表面與基板100之間。在本實施例中，覆蓋層190包含設置於非平坦表面的多個微透鏡結構180。每個微透鏡結構180可包含一凹陷以及一突起，且這些突起與這些凹陷可交替設置，因而這些微透鏡結構180可呈波浪狀。微透鏡結構180具有分別對應到這些凹陷的多個第一範圍150。
反射圖案120可設置於有機發光二極體顯示裝置對應到第一範圍150的區域內。有機發光二極體顯示裝置的薄膜電晶體與濾色層可設置於基板100。一絕緣層可設置於薄膜電晶體與濾色層，且反射圖案120可設置於絕緣層。藉此，有機發光元件EL產生的光可被反射圖案120反射而能出射至基板100外部。光線被反射圖案120反射的光路以及所呈現的技術效果將於圖9至圖11進一步描述。
另外，在微透鏡結構對應到有機發光二極體顯示裝置之發光部分的區域內，主要發光現象是來自於有機發光元件EL對應到第二範圍160與第三範圍155的區域。
在有機發光二極體顯示裝置對應到第二範圍160的區域內，有機發光元件EL發出的光會以一入射角入射至微透鏡結構的斜坡上，並且入射角約等於全反射臨界角(約42度)，故光會在微透鏡結構的斜坡上產生多次全反射，進而提升光提取效率。此外，在有機發光二極體顯示裝置對應到第二範圍160的區域內，有機發光層113的厚度最薄，因此在第二範圍160的電流密度較高，進而提高位於第二範圍160之有機發光元件EL的發光效率。
在有機發光二極體顯示裝置對應到第三範圍155的區域內，有機發光層113的厚度大於在第二範圍160的厚度，因此在第三範圍155的電流密度較低，但透過微透鏡結構的配置，第三範圍155仍會有很高的光提取效率。
因此，有機發光二極體顯示裝置的發光現象主要發生在微透鏡結構的第二範圍160與第三範圍155，且本實施例中的反射圖案120並無設置於第二範圍160與第三範圍155內。也就是說，只有在有機發光二極體顯示裝置對應到第一範圍150的區域內，發光現象很少發生，並且反射圖案120可設置於對應到第一範圍150的區域內。
藉此，以全反射臨界角入射的光或是從主要發光區(第二範圍160與第三範圍155)發出的光會透過反射圖案120產生額外的反射現象，而增加被提取到基板100外部的光量。換句話說，在有機發光二極體顯示裝置對應到發光現象很少發生之第一範圍150的區域內，反射圖案120被設置於此，因而能經由額外的反射現象實現光提取效率的提升。
此外，反射圖案120的寬度d1可小於各二相鄰之微透鏡結構180的這些凹陷的二中心之間的距離D1。反射圖案120的寬度d1小於距離D1，而有助於透過微透鏡結構180來提升光提取效果。
在本發明的一實施例中，每個微透鏡結構180的突起可包含二凸狀部，且相鄰的二凸狀部位於凹陷的相對二側。反射圖案120的寬度d1可小於二凸狀部的二中心之間的距離D11。
詳細來說，如果反射圖案120的寬度d1大於距離D1或是距離D11，原本應該要從微透鏡結構180被提取至基板100外部之光的路徑可能會改變，最終導致原本應該要提取至基板100外面的光會被阻擋在裝置內部。也就是說，如果反射圖案120的寬度d1大於距離D1或是距離D11，被阻擋在裝置內部的光量可能會提高，而降低光提取效率。
反射圖案120可以是金屬材質。例如，反射圖案120的材質可選自由銀(Ag)、銅(Cu)、金(Au)、錫(Sn)和鋁(Al)所組成之群組，但反射圖案120的材質並不以此為限。在本發明的示例性實施例中，只要滿足所需要的具有足夠高光反射率的材質，都可以選作為反射圖案120的材質。
微透鏡結構180具有一斜坡130以及一斜坡140，且斜坡130、140可以共同形成圍繞凹陷的一側壁。在本實施例中，斜坡130、140分別沿著第一方向A1與第二方向A2延伸而可形成微透鏡結構180的突起。覆蓋層190包含上述的微透鏡結構180而能將被阻擋在有機發光二極體顯示裝置內部提取至基板100的外面，進而提升發光效率。
微透鏡結構180的斜坡130、140與一水平參考面S之間具有一夾角，且夾角的角度可以為40度~60度或是120度~140度。
藉此，微透鏡結構的光提取效率可以被提升。具體來說，由於圍繞微透鏡結構180之凹陷的斜坡130、140的傾斜角，從有機發光元件EL產生的光會發生多次全反射，而有助於增加出射至有機發光二極體顯示裝置外部的光量。
此外，微透鏡結構180的形狀並不限於圖4繪示的態樣。微透鏡結構180可具有如圖5或圖6繪示的形狀。圖5為根據本發明又另一實施例之有機發光二極體顯示裝置的剖切示意圖。圖6為根據本發明再另一實施例之有機發光二極體顯示裝置的剖切示意圖。
本發明的其他示例性實施例中，有機發光二極體顯示裝置可以包含具有與上述示例性實施例相同之結構組成的元件。相同之結構組成的元件不再重複描述，故以下將予以省略。此外，相同或相似的元件具有相同或相似的標號。
在本實施例中，與前述實施例的不同之處在於如圖5繪示之微透鏡結構280的半高全寬F2小於圖4繪示之微透鏡結構180的半高全寬F1。微透鏡結構的半高全寬可以被定義為微透鏡結構之突起在一半高度的寬度。在形成微透鏡結構的製程中，微透鏡結構的半高全寬可以取決於覆蓋層的曝光量、覆蓋層的材質以及其他相關因素。
此外，每個微透鏡結構280可包含一凹陷以及共同圍繞凹陷的二斜坡230、240。斜坡230、240與一水平參考面S之間可具有一夾角，且夾角的角度可以為40度~60度，或是120度~140度。
然而，如圖4和圖5所示，微透鏡結構180的半高全寬F1大於微透鏡結構280的半高全寬F2，因此圖4中圍繞微透鏡結構180之凹陷的斜坡130、140的傾斜度可小於圖5中圍繞微透鏡結構280之凹陷的斜坡230、240的傾斜度。
因此，透過控制製成覆蓋層的曝光量、覆蓋層的材質選用以及其他相關因素，本發明的示例性實施例中的微透鏡結構之形狀可以自由調整，而達到預期的所需之光提取效果。
另外，在圖5中，反射圖案120可以設置於有機發光二極體顯示裝置對應到微透鏡結構280之第一範圍250的區域內。反射圖案120的寬度d2，可以小於二相鄰之微透鏡結構280之二凹陷的二中心之間的距離D2。
在圖6中，多個微透鏡結構380可設置於基板100並且沿著有機發光二極體顯示裝置的剖切面相互分隔。每個微透鏡結構380可以包含一凹陷以及二斜坡330、340，且斜坡330、340共同圍繞微透鏡結構380的凹陷。斜坡330、340與一水平參考面S之間可具有一夾角，且夾角的角度可以為40度~60度，或是120度~140度。
在圖6中，這些微透鏡結構380相互分隔，而在相鄰的其中二微透鏡結構380之間形成一分隔空間E。
在本發明的一實施例中，覆蓋層具有至少一開口191。如圖6所示，覆蓋層具有多個開口191。每個微透鏡結構380的突起包含二凸狀部，且這些開口191分別分隔這些凸狀部。反射圖案120設置於對應到開口191的分隔空間E內，且分隔空間E對應到微透鏡結構380的凹陷。
微透鏡結構380可以透過光罩製呈而形成於覆蓋層，而在微透鏡結構380之間形成分隔空間E，同時分隔空間E的寬度可以根據光罩圖案的間距以及製程中的曝光量來決定。
詳細來說，用於在覆蓋層形成微透鏡結構380的微透鏡結構圖案設置於光罩而相分隔。當光罩上之微透鏡結構圖案之間的分隔距離較大時，形成於微透鏡結構380之間的分隔空間E的寬度就會較寬。如果製程中的曝光量增加，形成的分隔空間E的寬度就會更寬。
在本實施例中，在相鄰的微透鏡結構380之間的分隔空間E的寬度可以比相鄰之微透鏡結構380的二凹陷之間的距離(即微透鏡結構380之突起的寬度D3)還要小。藉此，有助於提升光提取效果。
另外，反射圖案120可以設置於對應到微透鏡結構380之間的分隔空間E的的區域內。反射圖案120設置於微透鏡結構380之間的分隔空間E內，故就算在有濾色層(未繪示)自分隔空間E暴露的情況下，反射圖案120能設置於暴露出來的濾色層而防止濾色層暴露於外。藉此，有助於防止濾色層導致的氣體逸散(Outgassing)。
在本實施例中，反射圖案120的寬度d3可以小於微透鏡結構380之突起的寬度D3。藉此，有助於提升反射圖案120的光提取效果。
本發明揭露的有機發光二極體顯示裝置中，可以有不同形狀的微圖案被應用。
以下詳細描述從剖切示意圖觀看，有多個微透鏡結構與多個反射圖應用於有機發光二極體顯示裝置。圖7為根據本發明再另一實施例之有機發光二極體顯示裝置的剖切示意圖。
如圖7所示，在本實施例的有機發光二極體顯示裝置中，多個微透鏡結構180形成於覆蓋層190，且這些微透鏡結構180可與設置於保護層108的濾色層109相重疊。
此外，這些微透鏡結構180可設置於由堤層圖案112定義出來的發光部分以及非發光部分。在本實施例中，這些微透鏡結構180僅設置於有機發光二極體顯示裝置對應到用以將有機發光元件EL發出之光提取到基板100外部之發光部分的區域內。也就是說，這些微透鏡結構180僅設置於需要用於光提取的區域內。因此，有助於提升光提取效率。另外，這些反射圖案120可以設置於濾色層109而對應到微透鏡結構180的凹陷。
有機發光元件EL的第一電極111設置於覆蓋層190並且連接於薄膜電晶體Tr的汲極電極107。在本實施例中，第一電極111可根據覆蓋層190的形態而形成。也就是說，第一電極111包含多個凹陷與多個突起，且突起與凹陷交替設置於有機發光二極體顯示裝置對應到形成於覆蓋層190之微透鏡結構180的區域內。
此外，有機發光元件EL的有機發光層113與第二電極114設置於第一電極111。有機發光層113與第二電極114分別包含多個凹陷與多個突起，且突起與凹陷交替設置於有機發光二極體顯示裝置對應到形成於覆蓋層190之微透鏡結構180的區域內。也就是說，反射圖案120可設置於有機發光二極體顯示裝置對應到第一電極111、第二電極114與有機發光層113之凹陷的區域內。反射圖案120可設置於有機發光二極體顯示裝置對應到微透鏡結構180於發光部分(沒有堤層圖案112的區域內)之這些凹陷的區域內。
此外，圖7係繪示一示例性實施例之有機發光二極體顯示裝置所採用的微透鏡結構，但本發明並不以此為限。有機發光二極體顯示裝置可以採用前述在其他示例性實施例中提及的微透鏡結構。
參照圖8，以下描述反射圖案在另一示例性實施例中的位置。圖8為根據本發明再另一實施例之有機發光二極體顯示裝置的剖切示意圖。圖8繪示的有機發光二極體顯示裝置可以包含具有與上述示例性實施例相同之結構組成的元件。相同之結構組成的元件不再重複描述，故以下將予以省略。此外，相同或相似的元件具有相同或相似的標號。
如圖8所示，本實施例中的有機發光二極體顯示裝置包含一反射圖案220。反射圖案220設置於有機發光二極體顯示裝置對應到覆蓋層290之凹陷的區域內，並且可設置於覆蓋層290與第一電極211之間。也就是說，在對應到覆蓋層290之凹陷的區域內，反射圖案220設置於覆蓋層290，並且反射圖案220可設置於第一電極211的下方。
以下步驟能決定反射圖案220的位置。首先，覆蓋層290與微透鏡結構一起形成。之後，一金屬層形成於覆蓋層290，並且一光阻層形成於金屬層。另外，透過濕蝕刻金屬層定義出反射圖案220的形態，且反射圖案220形成於對應到覆蓋層290之凹陷的區域內。
在本實施例中，反射圖案220設置於覆蓋層290以防止這些微透鏡結構因為在形成反射圖案220的曝光製程中所產生的濕氣、雜質及其他相關因素而形成不規則狀。詳細來說，在本實施例，包含有這些微透鏡結構的覆蓋層290先行成之後，才形成反射圖案220，而防止微透鏡結構因為在形成反射圖案220的製程中所產生的雜質而形成不規則狀。
同時，相較於圖4繪示的覆蓋層290之凹陷，本實施例的覆蓋層290之凹陷可以平坦地形成，但本發明並不以此為限。此外，相較於圖4繪示之在對應到覆蓋層290之凹陷與反射圖案220之區域內的第一電極111、有機發光層113與第二電極114是呈現凹陷狀地形成，本實施例之設置於反射圖案220的第一電極211、有機發光層213與第二電極214可以平坦地形成，但本發明並不以此為限。
本發明所揭露的有機發光二極體顯示裝置有助於提升光提取效率、減少反光率與防止漏光現象。相關描述請一併參照圖9至圖11。
圖9為根據本發明一實施例之有機發光二極體顯示裝置減少反光率的示意圖。為了方便說明，以下描述的有機發光二極體顯示裝置，主要以反射圖案120設置於覆蓋層190下方的實施例為主。在其他實施例中，反射圖案120可設置於覆蓋層190上方，但同樣能根據以下描述的技術手段而達到降低反光率的效果。如圖9所示，多個反射圖案120與覆蓋層190的多個微透鏡結構180皆設置於基板100。此外，偏振片110設置於基板100，且偏振片110可以包含相重疊之具有一預定方向之偏振軸的偏振層以及具有一預定延遲值(Retardation Value)的另一偏振層。
當外部環境光500通過偏振片110而入射至基板100的背面時，偏振片110只允許與偏振軸相同之偏振方向的光通過。此外，具有此偏振方向的偏振光通過具有預定延遲量的偏振層而被圓偏振化，接著傳遞到基板100。傳遞到有機發光二極體顯示裝置內務的光被有機發光元件EL的第二電極114反射，且反射光相對於通過偏振片110的偏振光產生了180度的相位延遲。產生相位延遲的反射光沿著與原先入射光相反的行進方向入射至基板100。
同時，覆蓋層190的多個微透鏡結構180、有機發光元件EL的第一電極111、有機發光層113與第二電極114也包含交替設置的多個突起與多個凹陷。第二電極114反射從基板100入射的光，因此部分反射光的偏振軸轉換成與偏振片110之偏振軸相反。
然而，由於第二電極114不是呈平坦狀，故當第二電極114反射從基板100入射的光，仍有部分反射光具有與偏振片110之偏振軸相同的偏振方向，而能通過偏振片110出射到基板100外部。因此，有機發光二極體顯示裝置的反光率會增加。
在本實施例中，反射圖案120設置於有機發光二極體顯示裝置對應到微透鏡結構180之凹陷的區域內，同時也設置於覆蓋層190。反射圖案120也可以設置於位於薄膜電晶體的絕緣層或位於基板100的濾色層。在這樣的配置下，當外部環境光500通過偏振片110，而使滿足特定條件的偏振光可以進入至有機發光二極體顯示裝置內部時，這些偏振光被反射圖案120反射，並且反射光沿著相反方向朝基板100前進。
被反射圖案120反射的光朝基板100前進，並且入射至具有特定偏振軸與特定延遲值的偏振片110。然而，由於反射光的偏振方向會被轉換，而使反射光的偏振方向變得與偏振片110的偏振軸相反。
藉此，被反射圖案120反射的光會被偏振片110阻擋而無法出射到基板100外部。也就是說，在配置有反射圖案120的區域內，可以降低外部環境光500所導致的反光率。
換句話說，在本實施例中，反射圖案120設置於有機發光二極體顯示裝置對應到微透鏡結構180之凹陷的區域內，以防止外部環境光500造成的高反光率。藉此，本實施例的有機發光二極體顯示裝置有助於減少外部環境光的反光率，並且隨著反射圖案的配置面積增加，反光率減少的幅度也越大。
接著，描述本發明揭露之有機發光二極體顯示裝置能防止漏光現象產生。圖10為根據本發明一實施例之有機發光二極體顯示裝置防止漏光現象的示意圖。為了方便說明，以下描述的有機發光二極體顯示裝置，主要以反射圖案120設置於覆蓋層190下方的實施例為主。在其他實施例中，反射圖案120可設置於覆蓋層190上方，但同樣能根據以下描述的技術手段而達到防止漏光現象產生的效果。
如圖10所示，多個反射圖案120、包含多個微透鏡結構180的覆蓋層190、以及有機發光元件EL設置於基板100。在本實施例中，有機發光元件 EL之第一電極111的折射率與有機發光層113的折射率皆可大於基板100的折射率與覆蓋層190的折射率。舉例來說，基板100與覆蓋層190的折射率大約是1.5，有機發光元件 EL之第一電極111與有機發光層113的折射率則可以是1.7到2.0。
在本實施例中，一部分有機發光層113發出的光會被第二電極114反射而朝著第一電極111前進，而另部分有機發光層113發出的光會通過第一電極111而朝著基板100前進。也就是說，大部分有機發光層113發出的光都會朝著第一電極111前進而入射至基板100。
由於第一電極111的折射率與有機發光層113的折射率相同或相近，有機發光層113所發出之光的路徑不會在第一電極111與有機發光層113的的交界處發生改變。同時，在光通過第一電極111的過程中，由於在第一電極111與覆蓋層190的折射率差異較大，故入射角等於或大於全反射臨界角的光會在第一電極111與覆蓋層190的交界處發生全反射。
在第一電極111與覆蓋層190的交界處發生全反射的光會被第二電極114反射而最終可以入射至折射率與覆蓋層190相同或相近的基板100，並且通過基板100而抵達偏振片110。偏振片110將光再次反射，而使反射光朝向基板100前進。一部分朝向基板100前進的反射光會抵達鄰近畫素的微透鏡結構，且鄰近畫素會發出光波長不同或是光色不同的光，而導致漏光現象。
在本實施例中，反射圖案120設置於有機發光二極體顯示裝置對應到微透鏡結構180之凹陷的區域內，並且反射圖案120設置於覆蓋層190。藉此，有助於防止入射角大於全反射臨界角a的光被偏振片110反射而入射到鄰近畫素的微透鏡結構180。
詳細來說，有機發光層113發出的光會在抵達第一電極111與覆蓋層190的交界處時發生全反射。入射角大於全反射臨界角a的光在通過覆蓋層190與基板100而入射至基板100與偏振片110的交界處時，會被再次反射而朝向基板100前進。
之後，路徑改變成朝向基板100前進的光再次通過基板100而抵達至設置於基板100的反射圖案120。抵達至反射圖案120的光被反射圖案120再度反射而又改變朝向偏振片110前進，且抵達至偏振片110的光又被反射而通過基板100，進而抵達另一個反射圖案120。
也就是說，入射角大於全反射臨界角a的光抵達偏振片110並被反射後，會被反射圖案120再次反射至少一次而被阻擋在基板100內。藉此，入射角大於全反射臨界角a的光被侷限在基板100內傳遞。
根據本發明示例性實施例的有機發光二極體顯示裝置，即便在光的入射角大於全反射臨界角a的情況下，透過反射圖案120的配置，光也不會抵達其他畫素的微透鏡結構180，而有助於防止漏光現象產生。
接著，描述本發明揭露之有機發光二極體顯示裝置能提升光提取效率。圖11為根據本發明一實施例之有機發光二極體顯示裝置提升光提取效率的示意圖。為了方便說明，以下描述的有機發光二極體顯示裝置，主要以反射圖案120設置於覆蓋層190下方的實施例為主。在其他實施例中，反射圖案120可設置於覆蓋層190上方，但同樣能根據以下描述的技術手段而達到提升光提取效率的效果。
如圖11所示，在本實施例中，多個反射圖案120、包含多個微透鏡結構180的覆蓋層190、以及有機發光元件EL設置於基板100。
微透鏡結構180分成第一範圍150、第二範圍160以及第三範圍155，並且光提取效率在第二範圍160是較高的。有機發光層113根據覆蓋層190的形態形成，且有機發光層113的厚度在對應到第二範圍160的區域最薄，因此有機發光層113對應到第二範圍160的部分有較高的電流密度。因此，有較強的電場施加在第二範圍160，且有機發光元件EL的發光現象主要是發生在對應到第二範圍160的區域內。
此外，由於微透鏡結構180包含形成在第二範圍160的斜坡，有機發光元件EL在對應到第二範圍160的部分具有最高的光提取效率。舉例來說，當微透鏡結構180包含一凹陷、以及圍繞凹陷並且分別沿第一方向A1與第二方向A2延伸的二斜坡130、140，有機發光元件EL發出的光會入射至位於微透鏡結構180之第二範圍160的斜坡130、140而產生散射，進而被提取至基板100外部的光量能被提升。
舉例來說，有機發光元件EL發出的光可以入射至微透鏡結構180的斜坡140，並且相對於垂直於斜坡140之切線的參考線N具有-30度至-90度或是30度至90度的入射角的光會在斜坡130、140產生散射，進而能被提取至基板100外部。
然而，相對於垂直於斜坡140之切線的參考線N具有-30度至30度的入射角的光無法入射至斜坡130、140，故無法產生散射而不會被提取至基板100外部，進而被阻擋在有機發光二極體顯示裝置內部。
本實施例的有機發光二極體顯示裝置中，反射圖案120設置於有機發光二極體顯示裝置對應到微透鏡結構180之凹陷的區域內，且反射圖案120設置於覆蓋層190，而有助於提升光提取效率。
詳細來說，基於垂直於代表斜坡140之傾斜度的一直線的參考線N，有機發光元件EL發出的光當中，相對於參考線N具有-30度至30度的入射角的光會入射至設置於對應到微透鏡結構180之凹陷的區域內的反射圖案120。
入射至反射圖案120的光會被反射，且反射光會入射至與上述微透鏡結構180相鄰的另一個微透鏡結構180。因此，更多有機發光元件EL發出的光能夠被提取至基板100外部。
透過上述配置，相對於垂直於斜坡140之切線的參考線N具有-30度至30度的入射角的光會入射至反射圖案120至少一次並且被反射圖案120反射。藉此，原本入射角是-30度至30度光在被反射圖案120反射之後，光路徑會改變而能具有相對於參考線為-30度至-90度或是30度至90度的入射角，進而能被提取至基板100外部。
在上述示例性實施例中，主要以入射至微透鏡結構180之斜坡140的光為例來說明反射圖案120提升光提取效率的效果，但本發明並不以此為限。入射至微透鏡結構180之斜坡130的光也可以透過設置反射圖案120而被提取至基板100外部。
本發明所揭露的有機發光二極體顯示裝置中，相對於垂直於斜坡130、140之切線的參考線N具有-30度至30度的入射角的光會入射至反射圖案120並且被反射圖案120反射。藉此，入射角是-30度至30度光在被反射圖案120反射之後，光路徑會改變而能被提取至基板100外部，進而提升光提取效率。
如上所述，本發明所揭露的有機發光二極體顯示裝置中，有機發光二極體顯示裝置包含反射圖案。反射圖案設置於對應到微透鏡結構之凹陷的區域內，並且反射圖案可設置於覆蓋層。藉此，有助於提升光提取效率、減少反光率與防止漏光現象。
上述的特徵、結構、效果等包括在本發明的至少一個示例性實施例中，且不被解釋為僅限於一個示例性實施例。在各示例性實施例中說明的特徵、結構和效果等可由本發明所屬領域的通常知識者與其它示例性實施例結合或修改而得到。因此，與上述示例性實施例結合和修改相關的內容應當解釋為包括在本發明的範圍內。
此外，雖然本發明以上述之示例性實施例揭露，然其並非用以限定本發明。在不脫離本發明之精神和範圍內，所為之更動與潤飾，均屬本發明之專利保護範圍。舉例來說，在示例性實施例中描述的每個元件都可以在不脫離本發明之精神和範圍內做適當之更動。
1000‧‧‧顯示器
1100‧‧‧顯示面板
1200‧‧‧資料驅動器
1300‧‧‧閘極驅動器
1400‧‧‧時序控制器
DL1、DL2、DL3、DL4…..、DLm‧‧‧資料線
GL1、GL2、GL3…..、GLn‧‧‧閘極線
EL‧‧‧有機發光元件
Tr‧‧‧薄膜電晶體
100‧‧‧基板
101‧‧‧緩衝層
102‧‧‧主動層
103‧‧‧閘極絕緣層
104‧‧‧閘極電極
105‧‧‧夾層絕緣層
106‧‧‧源極電極
107‧‧‧汲極電極
108‧‧‧保護層
109‧‧‧濾色層
110‧‧‧偏振片
111、211‧‧‧第一電極
112‧‧‧堤層圖案
113、213‧‧‧有機發光層
114、214‧‧‧第二電極
120、220‧‧‧反射圖案
130、140、230、240、330、340‧‧‧斜坡
150、250‧‧‧第一範圍
160、260‧‧‧第二範圍
155、255‧‧‧第三範圍
180、280、380‧‧‧微透鏡結構
190、290‧‧‧覆蓋層
191‧‧‧開口
500‧‧‧外部環境光
A1‧‧‧第一方向
A2‧‧‧第二方向
a‧‧‧全反射臨界角
d1、d3‧‧‧反射圖案的寬度
D1、D2‧‧‧微透鏡結構的二凹陷的二中心之間的距離
D3‧‧‧微透鏡結構之突起的寬度
D11‧‧‧微透鏡結構的二凸狀部的二中心之間的距離
E‧‧‧分隔空間
F1、F2‧‧‧微透鏡結構的半高全寬
N‧‧‧參考線
S‧‧‧水平參考面
圖1為根據本發明一實施例之顯示器的結構示意圖。 圖2為根據本發明一實施例之有機發光二極體顯示裝置的剖切示意圖。 圖3為根據本發明另一實施例之有機發光二極體顯示裝置的上視示意圖。 圖4為圖3之有機發光二極體顯示裝置的沿剖切線A-B的剖切示意圖。 圖5為根據本發明又另一實施例之有機發光二極體顯示裝置的剖切示意圖。 圖6為根據本發明再另一實施例之有機發光二極體顯示裝置的剖切示意圖。 圖7為根據本發明再另一實施例之有機發光二極體顯示裝置的剖切示意圖。 圖8為根據本發明再另一實施例之有機發光二極體顯示裝置的剖切示意圖。 圖9為根據本發明一實施例之有機發光二極體顯示裝置減少反光率的示意圖。   圖10為根據本發明一實施例之有機發光二極體顯示裝置防止漏光現象的示意圖。 圖11為根據本發明一實施例之有機發光二極體顯示裝置提升光提取效率的示意圖。
EL‧‧‧有機發光元件
100‧‧‧基板
111‧‧‧第一電極
113‧‧‧有機發光層
114‧‧‧第二電極
120‧‧‧反射圖案
130、140‧‧‧斜坡
150‧‧‧第一範圍
160‧‧‧第二範圍
155‧‧‧第三範圍
180‧‧‧微透鏡結構
190‧‧‧覆蓋層
A1‧‧‧第一方向
A2‧‧‧第二方向
d1‧‧‧反射圖案的寬度
D1‧‧‧微透鏡結構的二凹陷的二中心之間的距離
D11‧‧‧微透鏡結構的二凸狀部的二中心之間的距離
F1‧‧‧微透鏡結構的半高全寬
S‧‧‧水平參考面

Claims (22)

  1. 一種有機發光二極體顯示裝置，包含：一基板；一覆蓋層，設置於該基板，且該覆蓋層包含多個微透鏡結構；一有機發光元件，包含一第一電極、一有機發光層以及一第二電極，該有機發光元件設置於該覆蓋層，該有機發光元件具有根據該些微透鏡結構的形狀而形成的一曲面，且該些微透鏡結構分別包含一凹陷以及一突起；以及一反射圖案，設置於該有機發光二極體顯示裝置對應到該些凹陷的區域內。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之有機發光二極體顯示裝置，其中該些微透鏡結構的該些突起分隔該些凹陷。
  3. 如申請專利範圍第2項所述之有機發光二極體顯示裝置，其中該些微透鏡結構的該些突起與該些凹陷交替設置。
  4. 如申請專利範圍第1項所述之有機發光二極體顯示裝置，其中該些微透鏡結構的該些突起分別具有一斜坡，該斜坡相對一水平參考面夾一角度，且該角度為40度~60度或是120度~140度。
  5. 如申請專利範圍第1項所述之有機發光二極體顯示裝置，其中該覆蓋層具有至少一開口，該些微透鏡結構至少其中之一的該突起包含二凸狀部，該至少一開口分隔該二凸狀部，該反射圖案設置於對應該至少一開口的一分隔空間內，且該分隔空間對應該凹陷。
  6. 如申請專利範圍第1項所述之有機發光二極體顯示裝置，更包含一偏振片，且該反射圖案設置於該有機發光元件的該有機發光層以及該偏振片之間。
  7. 如申請專利範圍第1項所述之有機發光二極體顯示裝置，其中該第一電極的折射率與該有機發光層的折射率皆大於該覆蓋層的折射率與該基板的折射率。
  8. 如申請專利範圍第1項所述之有機發光二極體顯示裝置，其中該有機發光層適於發出一出射光，該出射光入射至一偏振片並且被該偏振片反射而產生一反射光，且該反射圖案設置於該反射光的光路徑上。
  9. 如申請專利範圍第1項所述之有機發光二極體顯示裝置，其中該些微透鏡結構的該些突起分別包含二凸狀部，且該反射圖案的寬度小於該二凸狀部的二中心之間的距離。
  10. 如申請專利範圍第1項所述之有機發光二極體顯示裝置，其中該反射圖案的寬度小於各二相鄰之該些凹陷的二中心之間的距離。
  11. 如申請專利範圍第1項所述之有機發光二極體顯示裝置，其中該反射圖案設置於該覆蓋層以及該基板之間。
  12. 如申請專利範圍第1項所述之有機發光二極體顯示裝置，其中於該有機發光二極體顯示裝置對應到該些凹陷的區域內，該反射圖案設置於一濾色層，該濾色層設置於該基板或一絕緣層，且該基板或該絕緣層設置於一薄膜電晶體。
  13. 如申請專利範圍第1項所述之有機發光二極體顯示裝置，其中於該有機發光二極體顯示裝置對應到該些凹陷的區域內，該反射圖案設置於該覆蓋層以及該第一電極之間。
  14. 如申請專利範圍第1項所述之有機發光二極體顯示裝置，更包含：一堤層圖案，設置於該覆蓋層以及該第一電極之間，且該堤層圖案定義出該有機發光二極體顯示裝置的一發光部分以及一非發光部分；其中，該些微透鏡結構位於該有機發光二極體顯示裝置對應到該發光部分的區域內。
  15. 如申請專利範圍第1項所述之有機發光二極體顯示裝置，其中該些微透鏡結構分別具有對應到該凹陷的一第一範圍、對應到圍繞該凹陷的一側壁的一第二範圍、以及對應到該突起的一凸狀部的一第三範圍，且該反射圖案設置於該有機發光二極體顯示裝置對應到該第一範圍的區域內。
  16. 一種有機發光二極體顯示裝置，包含：一基板；一覆蓋層，設置於該基板，且該覆蓋層於相對該基板的一側具有一非平坦表面；一有機發光元件，包含一第一電極、一有機發光層以及一第二電極，該有機發光元件設置於該覆蓋層，且該有機發光元件具有根據該非平坦表面的形狀而形成的一曲面；以及一反射圖案，設置於該第一電極以及該基板之間。
  17. 如申請專利範圍第16項所述之有機發光二極體顯示裝置，其中該覆蓋層包含多個微透鏡結構，該些微透鏡結構位於該非平坦表面，該些微透鏡結構分別包含一凹陷以及一突起，該覆蓋層具有至少一開口，該些微透鏡結構至少其中之一的該突起包含二凸狀部，該至少一開口分隔該二凸狀部，該反射圖案設置於對應該至少一開口的一分隔空間內，且該分隔空間對應該凹陷。
  18. 如申請專利範圍第16項所述之有機發光二極體顯示裝置，更包含一偏振片，且該反射圖案設置於該有機發光元件的該有機發光層以及該偏振片之間。
  19. 如申請專利範圍第17項所述之有機發光二極體顯示裝置，其中該反射圖案的寬度小於該二凸狀部的二中心之間的距離。
  20. 如申請專利範圍第17項所述之有機發光二極體顯示裝置，其中該反射圖案的寬度小於各二相鄰之該些凹陷的二中心之間的距離。
  21. 如申請專利範圍第16項所述之有機發光二極體顯示裝置，其中該覆蓋層包含多個微透鏡結構，該些微透鏡結構位於該非平坦表面，該些微透鏡結構分別包含一凹陷以及一突起，且該反射圖案設置於該有機發光二極體顯示裝置對應到該些凹陷的區域內。
  22. 如申請專利範圍第21項所述之有機發光二極體顯示裝置，其中於該有機發光二極體顯示裝置對應到該些凹陷的區域內，該反射圖案設置於一濾色層，該濾色層設置於該基板或一絕緣層，且該基板或該絕緣層設置於一薄膜電晶體。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111599932A (zh) * 2019-02-20 2020-08-28 咸阳彩虹光电科技有限公司 一种oled显示面板及oled显示器

Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102383928B1 (ko) * 2017-08-31 2022-04-06 엘지디스플레이 주식회사 전계발광 표시장치
KR102416417B1 (ko) 2017-11-24 2022-07-04 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 그 제조 방법
KR102459045B1 (ko) * 2017-11-30 2022-10-25 엘지디스플레이 주식회사 전계발광 표시장치
FR3079909B1 (fr) * 2018-04-05 2022-10-14 Microoled Dispositif electroluminescent a resolution et fiabilite ameliorees
KR102655476B1 (ko) * 2018-05-03 2024-04-08 삼성디스플레이 주식회사 유기발광 표시장치
US11782191B2 (en) 2019-10-01 2023-10-10 Jade Bird Display (shanghai) Limited Systems and fabrication methods for display panels with integrated micro-lens array
TW202228111A (zh) 2020-06-03 2022-07-16 中國大陸商上海顯耀顯示科技有限公司 用於具有水平光發射的多色ｌｅｄ像素單元的系統及方法
CN117015257B (zh) * 2023-09-27 2024-01-12 惠科股份有限公司 有机发光器件、制备方法和显示面板

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002008870A (ja) * 2000-06-20 2002-01-11 Sony Corp 表示装置
JP2004235019A (ja) * 2003-01-30 2004-08-19 Hitachi Displays Ltd 有機発光表示装置
JP4277562B2 (ja) * 2003-04-11 2009-06-10 株式会社豊田自動織機 Ｅｌディスプレイ
KR101730609B1 (ko) * 2010-10-12 2017-04-27 엘지디스플레이 주식회사 유기전계 발광소자
JP5996876B2 (ja) * 2011-02-11 2016-09-21 株式会社半導体エネルギー研究所 発光素子及び表示装置
JP2012204103A (ja) * 2011-03-24 2012-10-22 Toshiba Corp 有機電界発光素子、表示装置および照明装置
JP6118525B2 (ja) * 2012-09-03 2017-04-19 出光興産株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子および電子機器
JP2015072751A (ja) * 2013-10-01 2015-04-16 株式会社ジャパンディスプレイ 有機ｅｌ表示装置
KR20150077261A (ko) * 2013-12-27 2015-07-07 엘지디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치 제조 방법

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111599932A (zh) * 2019-02-20 2020-08-28 咸阳彩虹光电科技有限公司 一种oled显示面板及oled显示器

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