TW201705253A - 自由邊緣半導體晶片彎折 - Google Patents

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Abstract

用於製造具有一彎曲表面的一半導體晶片的技術，可包括：在一凹模的一凹陷表面中置放一大致平坦之半導體晶片，使得該半導體晶片的角落或邊緣未受限制或者該半導體晶片的角落或邊緣是僅有的實體接觸該凹模的部分；及藉由在該半導體晶片上朝著該凹陷表面的底部施加一力，來彎折該大致平坦之半導體晶片以形成一凹形半導體晶片。該半導體晶片的該些角落或邊緣在該彎折步驟期間相對於該凹陷表面移動或滑動。

Description

自由邊緣半導體晶片彎折
本發明係關於自由邊緣半導體晶片彎折。
光學系統常見用於許多裝置中，像是攝影機、天文望遠鏡、雙筒望遠鏡、辦公室設備、及科學儀器（僅舉數例）。光學系統鉸鏈的效能部分基於系統之各元件的設計，以及系統的整體設計，後者提出了元件之間的光學性互動。
本揭示案描述用於彎曲半導體晶片及使半導體晶片成形的技術及架構，此半導體晶片像是光子感測器。特定言之，從平坦、相對易碎之材質（像是矽或氮化鎵）製造成的光子感測器。例如，可在已製造該光子感測器後將其成形，使得光子感測器的感光（light-sensitive）表面經彎曲而具有球形、非球面、或其他形狀。
為了形成彎曲的半導體晶片，可置放半導體晶片在凹形模具中，使得該半導體晶片的邊緣或角落不剛性地受限制。在一些實施方式中，邊緣或角落可能是半導體晶片接觸該凹形模具的僅有部分。隨著半導體晶片被彎折成為該凹型模具的形狀，其邊緣或角落能夠在凹形模具之表面移動或滑動。允許邊緣或角落在彎曲手續期間在該凹型模具的表面上移動或滑動，比較起半導體晶片的邊緣或角落被固定或限制在一位置的情況而言，可為該半導體晶片帶來大幅減少的張力。
本發明內容部分經提供以簡化之形式介紹一些概念，以下將在實施方式部分進一步說明該些概念。本發明內容部分並不為了識別出所請標的之關鍵特徵或基本特徵，也不意圖被用為決定所請標的之範疇的輔助。舉例來說，「技術」一詞可指製造設備、控制系統、方法、電腦可讀取指令、模組、演算法、或硬體邏輯（例如現場可程式化閘極陣列(FPGA)、應用特定積體電路(ASIC)、應用特定標準產品(ASSP)、單晶片系統(SOC)、複合式可程式化邏輯裝置(CPLD)），其可被用來實行以上前文及整個文件所允許之技術。
一般而言，光學系統可包含透鏡、反射鏡、及（或）一或更多光感測（light sensing）裝置，像是電荷耦合裝置（CCD）或能將光能量轉換成電氣信號的其他裝置。複數個CCD可經配置成被製造在一基板上的陣列（例如像素化陣列），該基板可為（例如）矽、鍺、或其他半導體材質。被製造在一基板上的感光裝置（像是任意數量之配置方式的CCD、CCD陣列、或一或更多其他光感測實體）在此稱為「光子感測器晶片」。此名稱可指光感測器，其不一定是經配置來感測影像，反而是任何電磁信號（可見或不可見）。
可彎曲一光子感測器晶片，使得該光子感測器晶片的感光表面具有彎曲的形狀，這比起平坦表面之光子感測器晶片而言，對於光學系統的設計可提供數個優點。尤其對於包含透鏡及（或）反射鏡的光學系統，在此種光學系統包括彎曲的光子感測器晶片時，比起包括平坦表面之光子感測器晶片具有較少的設計限制或具有改善的效能特性。例如，一些設計限制可包括透鏡的各數、色度及（或）空間像差的可接受容許度、等等。具有球形、非球形、或其他表面的光子感測器晶片可導致高效能的光學系統，其在遍及該光子感測器晶片之表面上產生相對一致的光密度及空間頻率響應。
在本說明書中，半導體晶片可包括光子感測器晶片、包括微電路系統的基板、或未經處理的基板。半導體晶片可包含數種材質中任意者，像是砷化銦鎵、鍺、矽、硫化鉛、砷化銦、碲化汞鎘、和鉑矽化物（僅舉數例）。在一些例子中，將平坦的半導體晶片（比方說晶粒(die)）彎折進入彎曲的（比方說球形的）模具的程序允許該晶片之邊緣或角落能夠在該模具的表面上滑動。如此相反於將半導體晶片之邊緣或角落限制為剛性固定以使彎折期間無法移動邊緣或角落的彎折程序。隨著半導體晶片在所施加力之下彎折，該半導體晶片儲存機械能量，該機械能量導致可能在彎折程序期間斷裂半導體晶片的應力。藉由允許半導體晶片之邊緣或角落能夠在模具的表面上滑動，此種被儲存的應力被減少而允許比起完全限制邊緣或角落（比方說固定邊緣）的情況更大的偏移（比方說更大的彎折）。在固定邊緣的情況中，成形負重促使半導體晶片中的膜張力（membrane tension），減少彎折偏移（bending deflection），並增加對於一既定偏移或該半導體晶片之曲度半徑而言的整體內應力狀態。例如，由於在邊緣支撐之間承載張力的負重，25微米厚的晶粒可在超過約50-75微米之中心偏移後難以變形。相對的，允許晶粒的邊緣或角落能滑動能導致超過150微米的中心偏移。
在各種例子中，像是光子感測器晶片之半導體晶片可在一流程中被彎折，該流程包括：在一凹形模具的一凹陷表面中置放半導體晶片，使得該半導體晶片的角落或邊緣是該半導體晶片實體接觸該凹陷表面的僅有部分。在此「凹形模具」可包括並非凹下的部分。換句話說，凹形模具可包括非凹形但卻具有數種其他形狀之任意者的部分（比方說，凹形模具的一部分可為凸起或平坦的，同時另一部分是凹下的）。在半導體晶片是矩形而該凹陷表面具有圓形或橢圓形截面的情況中，半導體晶片的角落是該半導體晶片實體接觸該凹陷表面的僅有部分。在半導體晶片是圓形而該凹陷表面具有圓形截面的情況中，該半導體晶片的邊緣（比方說圓周）是該半導體晶片實體接觸該凹陷表面的僅有部分。換句話說，圓形半導體晶片的範圍被懸空在凹形模具之凹陷表面上，同時該圓形半導體晶片的圓周擱在該凹陷表面上，如下所述。下文中為了清楚起見，「邊緣」被用來表示半導體晶片的一邊、多邊、或角落，不論該半導體晶片是矩形、圓形、橢圓形、或其他形狀。
在各種其他例子中，可彎折半導體晶片的流程包括將該半導體晶片置放在一模具的凹陷表面上方，使得該半導體晶片的角落或邊緣未受剛性限制（比方說未被夾持或握持在位置中），可隨著力被施加至該半導體晶片去偏移該半導體晶片而自由移動。在某些情況中，該半導體晶片之範圍的一外圍部分（其不一定包括角落或邊緣）可在該模具的表面上滑動，同時一中央部分（比方說，其包括該半導體晶片的活動區）被至少部分地推移到模具的凹陷表面中。在此期間，該半導體晶片的角落或邊緣（未被剛性限制）可在任何數量個方向移動。例如，隨著該半導體晶片的中央部分被朝下推移，角落或邊緣可朝上旋轉，遠離模具的表面及（或）向內朝該模具包括該凹陷表面的部分移動。
半導體晶片的邊緣未被剛性限制且在凹形模具之凹陷表面上大致自由地向內滑動。在彎折該半導體晶片的程序期間，該邊緣可在該半導體晶片被朝下推移到該凹陷表面的同時向內滑動。例如，彎折該半導體晶片以形成一凹形半導體晶片可藉由在該半導體晶片上、朝該凹型模具之底部施加一力來進行。此力的施加可在遍及該半導體晶片之範圍上大致一致。例如，遍及該範圍所施加的力可具有某些變化，但具有大致的一致性，以使力的一致性適於將一半導體晶片從大致平坦變形到所要的曲度。在施加這樣的力的同時，該半導體晶片彎折且該半導體晶片的中心朝下位移。藉由允許該半導體晶片之邊緣在凹型模具之凹陷表面上向內滑動，可減少要達到某個中心位移程度所需的張力的一比例。如上所提及，此種滑動的發生是因為邊緣未被物理性地限制以維持其位置。如以下將進一步詳細描述的，在該半導體晶片之邊緣及該凹型模具的凹陷表面之間存在有適當的摩擦量（在彎折半導體晶片的程序期間可有變化）。此摩擦對彎折程序期間張力的位準提供控制，並增加該半導體晶片的彈性穩定度，避免由面內（in-plane）壓縮力造成該半導體晶片（比方說包含相較薄的矽）的面外彎曲（out-of-plane buckling）。未受控制的面外彎曲可能導致半導體晶片中的皺褶，及如果晶片超過其失效應變的話後續的災難性故障。
在各種例子中，彎曲的光子感測器晶片組合經黏合至被用來成形光子感測器晶片的一模具，該光子感測器晶片可包含一獨立的（stand-alone）光學裝置，該光學裝置可經後續整合進入光學系統中。例如，製造者可製造一光學裝置，該光學裝置包含經黏合至基板之彎曲的光子感測器晶片的組合。製造者可供應這樣的光學裝置給製成光學系統的另一製造者。該光學裝置可經整合入此種光學系統中。
參看第1～16圖將進一步說明各種例子。 範例環境
第1圖是範例光子感測器晶片100的俯視圖。本說明書所述技術及設備的例子可經施用至半導體晶片，而不限於彎曲光子感測器晶片。然而為例示之目的，以下所述例子及實施方式涉及光子感測器晶片。應注意，利用這些範例技術及實施方式可成行或彎折數種其他類型半導體晶片中任何者。
光子感測器晶片100包括一半導體基板102，在該半導體基板上建有一感光部104。例如，感光部104（可為CCD陣列）包括一或更多感光元件106。此種感光元件106之各者（例如）可對應於由感光部104（部分地）所產生之影像的一像素。感光部104可指「活動區」，其能夠轉換光能量成為電能量或電氣信號。除非經相反指明，「光」一詞指頻譜之任意部分中的電磁能量。因此，舉例來說，光或光能量涵蓋電磁頻譜的可見光、紅外光（IR）、近紅外光（NIR）及紫外光（UV）部分。
一不活動區108可至少部分地圍繞感光部104。不活動區108（其可能沒有或實質上沒有感光元件）可包括用於操作感光部104的各種電路元件、導線、等等。例如，如果感光部104是CCD陣列，則不活動區108可包括用於控制CCD元件之列和行的電路系統。感光部104及不活動區108各可佔有光子感測器晶片100之面積的任意部分。感光部104可（例如）為具有任何縱橫比例（例如寬對高）的方形或矩形（或其他形狀）。光子感測器晶片100的寬度110或長度112可在大約5毫米起至大約35毫米的範圍內，不過本案所請標的不受限於此態樣。在一特定範例實施方式中，從感光部104之邊緣到半導體基板102之角落邊緣的距離114～118可在寬度110或長度112之1%起到大約50%的範圍中。模具表面120的一部分經圖示以表示平坦光子感測器晶片100的一角落122可經置放在模具表面上，同時該光子感測器晶片的其他部分不接觸該模具表面，如下所述。
半導體基板102可包含任意個數的元件，包括此類元件的組合，該些組合中任意者可包括添加的雜質（比方說摻雜劑）。例如，半導體基板102可為矽或鍺。在一些例子中，光子感測器晶片100的厚度範圍可從大約5至10微米達到大約50微米。
光子感測器晶片100（可為平坦的或彎曲的）可經整合至一光學系統中，該光學系統以一特定方式像光子感測器晶片100提供光。例如在一些實施方式中，透鏡系統可經配置以具有與光子感測器晶片100的位置重合的一焦點平面。在一特定實施方式中，透鏡系統可經配置以具有與光子感測器晶片100經彎曲之版本的彎曲表面重合的一焦點平面。在其他實施方式中，透鏡系統可經配置以具有與光子感測器晶片100之焦距一致的焦距。光學系統的光學元件（比方透鏡及(或)反射鏡）可至少部分地決定焦點平面的位置及焦距。尤其，對感光部104提供光線的光學系統之一部分可至少部分地基於感光部104的特定細節而經設計，像是感光部104的尺寸、感光部104的解析度、及感光部104相對於該光學系統之其餘部分的定位。光學系統的效能至少部分地因該光學系統之各光學元件的設計、還有該光學系統之整體設計（其闡述了光學元件之間的光學性互動）而異。例如，一透鏡的光輸出可能是一接續透鏡的光輸入。一般來說，光學元件的品質和其相對彼此的排列方式隨著解析度（比方說感光元件106的密度，像是對應於像素的CCD元件）增加而增加。例如，此種品質可至少部分地基於個別光學元件的參數，該些參數包括（但不限於）結構性及光學性像差、光學傳輸或反射、光一致性、定位、等等。
第2圖是一範例光子感測器晶片200的截面圖。光子感測器晶片200可相同於或類似於第1圖中圖示的光子感測器晶片100。光子感測器晶片200包括一半導體基板202，在該基板上建有一活動區204。在一些實施方式中，基板202可具有一厚度206，該厚度範圍從大約5至10微米達到大約50微米。
活動區204包括一或更多感光元件，像是第1圖中圖示的106。一不活動區208可至少部分地圍繞活動區204。不活動區208（其可能沒有或實質上沒有感光元件）可包括用於操作活動區204的各種電路元件、導線、等等。活動區204及不活動區208各可佔有光子感測器晶片200之面積的任意部分。光子感測器晶片200可經定位或排列以在活動區204之至少一部分上接收光210。模具表面212的一部分經圖示以表示平坦光子感測器晶片200的一角落214可經置放在模具表面上，同時該光子感測器晶片的其他部分不接觸該模具表面，如下所述。
第3及4圖圖示精緻放在一凹形模具之凹陷表面上的半導體晶片（像是光子感測器晶片）例子。本說明書所述例子涉及凹形模具，該些凹型模具具有的形狀可為球形、拋物線形、非球形、或具有一或更多轉折點的複合形狀（僅舉數例）。按照各種例子，第3圖是一矩形半導體晶片300在凹形模具302中的俯視圖，而第4圖是一圓形半導體晶片400在凹形模具402中的俯視圖。例如，在半導體晶片300及400形狀相異的同時，凹形模具302及凹形模具402可彼此相同或類似。
第3圖中，凹形模具302包括一凹陷表面304，該凹陷表面具有往凹陷表面304之底部朝下傾斜的表面，如第3圖之箭頭所示。至少部分因為平坦矩形之幾何形狀（比方半導體晶片300）在橢球體或球形表面（比方說凹陷表面303）中，半導體晶片300的角落306是半導體晶片300接觸凹陷表面304之表面的僅有部分。
第4圖中，凹形模具402包括一凹陷表面404，該凹陷表面具有往凹陷表面404之底部朝下傾斜的表面，如第4圖之箭頭所示。至少部分因為平坦圓形之幾何形狀（比方半導體晶片400）在橢球體或球形表面（比方說凹陷表面404）中，邊緣406（半導體晶片400的圓周）是半導體晶片400接觸凹陷表面404之表面的僅有部分。
第5圖以截面圖圖示一範例光子感測器晶片502的示意性表示方式500。為了清楚起見，第6～13圖藉由示意性表示方式500來圖示一光子感測器晶片（像是502）。換句話說，光子感測器晶片502（其可包括一活動區504及一不活動區506）在第6～13圖中以粗線或曲線來圖示。也應注意， 示意性表示方式500可代表數種類型之半導體晶片中任意者，而不限於代表光子感測器晶片。
第6圖包括在一凹形模具604之一凹陷表面602中的範例半導體晶片600的截面圖。例如，凹形模具604可相同於或類似於凹形模具302或402，該等凹型模具分別經圖示在第3及4圖中。在階段I中，半導體晶片600是平坦的。半導體晶片600的邊緣於接觸區域608處接觸表面606。半導體晶片600之其餘部分懸空在表面606之上。
在階段II中，一淨力610經施加至半導體晶片600以彎折半導體晶片600。可使用數種技術之任意者來施加力610，其中一些技術將在以下詳細說明。在半導體晶片600隨著力610之施加而彎折的同時，半導體晶片600的邊緣維持於接觸區域608處接觸表面606。
在階段III中，淨力610繼續被施加至半導體晶片600，而該半導體晶片被進一步彎折，直到其形狀大致與該凹形模具之表面606相同為止。在半導體晶片600隨著力610之施加而彎折的同時，半導體晶片600的邊緣維持於接觸區域608處接觸表面606。隨著半導體晶片彎折（比方從階段I到階段III），該接觸區域移動且面積增加。換句話說，隨著該半導體晶片被朝下彎折，其邊緣沿著表面606朝下滑動，同時該半導體晶片有更多部分接觸到表面606（隨著該半導體晶片越來越符合表面606的形狀）。在矩形半導體晶片在具有圓形或橢圓形截面之凹形模具中的情況中，達到某種彎折階段之前只有該矩形半導體晶片的角落接觸到表面606，其後該半導體晶片的所有邊緣（在角落之間）接觸到表面606。此隨著該半導體晶片越來越符合表面606的形狀而發生。半導體晶片600之邊緣的移動係由位移612來表示，該位移係比較邊緣在階段I的位置與在階段III的位置。
在一些實施方式中，在半導體晶片600及表面606之間可有一黏著劑614以維持半導體晶片600被彎折的形狀，使得可不繼續力610。
一區域616以一虛線橢圓形來表示。此區域的特寫細節將如下說明。
第7圖是半導體晶片600之邊緣或角落的一區域616（介紹於第6圖）的特寫圖。按照數個例子，半導體晶片600的邊緣或角落700接觸到凹形模具604之表面606。如上所述，如由箭頭702所表示，在一所施加力朝下彎折半導體晶片600的同時，邊緣700沿著表面606向內及（或）朝下滑動。該所施加力導致由表面606在半導體晶片600上所生的一反作用力（未圖示），該反作用力繼而產生一法向力704。一摩擦力706與法向力704成正比，該摩擦力部分係因半導體晶片600及表面606之間的一摩擦係數所生。摩擦力706以邊緣或角落700的滑動方向（比方由箭頭702表示的）之相反切線方向作用。在一些實施方式中，伴隨著更大的彎折，半導體晶片600更多部分接觸到表面606且摩擦力706增加。
第8圖包括按照各種例子之一半導體晶片800及一彈性膜802在一凹形模具806之凹陷表面804上的截面圖。例如，凹形模具806可相同於或類似於第6圖中圖示的凹形模具604。第8圖的例子中的至少一些細節類似或相同於第6圖的例子，增加了第8圖中的彈性膜802。如以下詳細解釋者，彈性膜802可被用來(1)在半導體晶片800上製造一大致一致的壓力，(2)提供一技術來調整半導體晶片800及凹陷表面804之表面808之間的摩擦位準，(3)在彎折期間對該半導體晶片提供物理穩定性，以對付該半導體晶片起皺或彎曲（buckle）的傾向，及(4)當作內含升高壓力（比方說，此種升高的壓力可藉由在鄰近區域製造真空而發生，以下將說明）的薄膜。彈性膜802可包含數種類型材質之任意者，像是雙軸向聚對苯二甲酸乙二酯（BoPET）、鐵氟龍（Teflon）、及凱通（Kapton，聚亞醯胺膜），在此僅舉數例。 計量上，彈性膜802的候選材質可大致有彈性而不過度具橡膠態或伸縮，其若與某些特定黏著劑接觸將不會黏合至半導體晶片，且其於上升的溫度下（在熱固化程序中會發生）能夠維持其屬性。
在階段I中，半導體晶片800是平的。半導體晶片800的邊緣於接觸區域810處接觸表面808。半導體晶片800之其餘部分懸空在表面808上方。彈性膜802可部分地在凹陷表面804外側且在凹形模具806的一周圍812上。在這種配置方式中，彈性膜802可當作一薄膜作用以容納彈性膜802上方的壓力大於彈性膜802及半導體晶片800下方的壓力。此種情況經圖示在階段II中，其中彈性膜802上方之一容積814中的壓力大於彈性膜802及半導體晶片800下方之一容積816中的壓力。此種壓力差導致一淨壓力及施力818，其推入並偏移半導體晶片800至凹形模具806之凹陷表面804中。在一些例子中，為了製造壓力差，容積814可包括環境壓力而同時容積816是至少部分真空。在各種實施方式中，例如，可利用一壓力排放口（未圖示）來移除容積814及816中的升高及（或）降低的壓力狀態。
一黏著劑820（其可例如包含熱固性環氧樹脂）可經置放在表面808之至少一部分上。在一些實施方式中，在階段I及階段II所描繪的整個偏移及彎折程序期間，半導體晶片800不接觸黏著劑820，直到當半導體晶片大致與凹形模具806之表面808形狀相同的階段III為止。接續該事件之後，半導體晶片800及表面808之間的空間足夠小且窄，使得黏著劑820可沿此空間潤濕（wick）（比方說至少部分地由於該黏著劑的毛細作用）而大致覆蓋半導體晶片800下方的表面808。經潤濕的黏著劑820（其大致一致）可具有的厚度範圍從大約0.5微米到1.0微米（舉例而言）。在一些實施方式中，半導體晶片800的表面及（或）表面808可具有特定粗糙度或質地，以得到黏著劑820在該些表面上所欲程度的可潤濕性。
接續於黏著劑820接觸到半導體晶片800及表面808之後，該黏著劑（及鄰接的半導體晶片800及表面808）的溫度可被升高以固化該黏著劑。容積814及816之間的壓力差別可被維持到該黏著劑經固化為止。此時，半導體晶片800經黏著到模具806的表面808。或者，如果該模具包含一大致透明的材質，則可使用一輕量固化的黏著劑（像是UV黏著劑）來黏著該半導體晶片。
第9～11圖圖示按照一些例子來彎曲或成形一半導體感測器晶片（像是光子感測器晶片100）之範例程序的不同部分。此流程可由任何實體來進行，無論是手動（比方說由人）、自動（比方說由機器）、或其等之組合。此種實體（可為例如製造者、組裝者、或建造者）在此稱為「製造者」。此種流程可包含成批處理，在成批處理中複數個（比方說數打、數百、或數千）半導體感測器晶片可經同步地成形。
第9圖是按照各種例子一半導體晶片900及一彈性膜902在一彎折工模中的截面圖，該彎折工模包括一凹形模具表面904。例如，凹形模具表面904可相同於或類似於第8圖中圖示的凹形模具806之表面808，且彈性膜902可相同於或類似於彈性膜802。為了圖示之清晰，第9圖中圖示了半導體晶片900及膜902之間的一細長空隙，但此空隙其實不存在。換句話說，膜902及半導體晶片900彼此接觸。
該彎折工模可包含一上部906及一下部908，該下部包括凹形模具表面904。上部906及下部908經配置以在彎折半導體晶片900之程序期間經接合在一起，且可藉由插梢（未圖示）彼此經機械對準，插梢至少部分地控制垂直運動（第9圖中由箭頭指示）。以這種方式，例如，上部906之介接表面910及下部908的介接表面912可經接合（比方說夾持）在一起，形成一容積914。在一些例子中，接續於彎折程序之後，下部908可從該彎折工模被移開，而在被黏著至該半導體晶片之後成為一經成形（彎折）半導體晶片的永久零件。
當上部906及下部908經接合時，可對容積914加壓以使具有大於周遭區域的壓力，如下所述。
當該彎折工模之上部906及下部908被分開的同時，製造者可置放一黏著劑在凹形模具表面904之至少一部分上，並置放半導體晶片900在由凹形模具表面904形成的凹處中。在該半導體晶片是矩形的情況中，該半導體晶片的角落是該半導體晶片實體接觸凹形模具表面904的僅有部分。在該半導體晶片是圓形的情況中，該半導體晶片的邊緣（比方圓周）是該半導體晶片實體接觸凹形模具表面904的僅有部分。據此，半導體晶片900被懸空在該凹形模具之凹陷表面上且大致覆蓋該凹形模具之凹陷表面，同時該半導體晶片的角落或邊緣擱在該凹陷表面上。此外，該半導體晶片的角落或邊緣在凹形模具表面904上可自由滑動。
製造者可在半導體晶片900上置放彈性膜902來覆蓋該半導體晶片及介接表面912的至少一部分。彈性膜902之置放在彈性膜902（及半導體晶片900）和凹形模具表面904之間製造一容積，該容積大致封閉。當該彎折工模之上部906及下部908被接合時，介接表面910及介接表面912夾持到彈性膜902之一邊緣區域918上，導致一流體密閉之密封（比方，針對流體、液體、或氣體）。
在一些例子中，該彎折工模之下部908可包含一凹形模具部920，其可從下部908移走。垂直虛線指示出一範例介面，在其中可將凹形模具部920從下部908移走。在此情況中，藉由在該彎折程序之後將該半導體晶片及該凹形模具部黏合在一起（如下所述），凹形模具部920能成為成形半導體晶片900的永久零件。
第10圖中，製造者可將該彎折工模的上部906及下部908接合在一起，緊密地夾持彈性膜902的邊緣區域918，而形成一密封1002。據此，容積914及916可彼此獨立地經加壓（或經減壓以形成至少一部分真空）。製造者可調整容積914及（或）916的壓力，使得容積914的壓力大於容積916的壓力。這樣的壓力差別狀態導致在膜902上（及繼而半導體晶片900上）大致一致的力1004。力1004將半導體晶片900朝下彎折到該凹形模具中。（在各種實施方式中，例如，可利用一或更多壓力排放口(未圖示)來移除容積914及916中升高的及(或)降低的壓力狀態。）
在第11圖中，製造者維持壓力差別，而此導致力1004。因此，隨著力1004持續被施加至半導體晶片900，該半導體晶片被彎折直到其形狀與凹形模具表面904大致相同為止。在半導體晶片900隨力1004之施加而彎折的同時，半導體晶片900的邊緣維持接觸凹形模具表面904。隨著該半導體晶片彎折，在凹形模具表面904及半導體晶片900之邊緣間的接觸區域移動且面積增加。換句話說，隨著該半導體晶片被朝下彎折，其邊緣沿著表面904朝下滑動，同時該半導體晶片更多部分接觸到表面904（因為該半導體晶片更加符合表面904的形狀）。隨著該半導體晶片被彎折進該凹形模具中，此增加的接觸面積導致增加的摩擦力。
在一些例子中，力1004將膜902推向半導體晶片900以在膜902及表面904之間擠壓半導體晶片900。除了半導體晶片900及表面904之間的摩擦力之外，膜902及半導體晶片900之間的摩擦係數導致一摩擦力。隨著半導體晶片900在力1004之下彎折，該半導體晶片儲存機械能量，該機械能量導致在彎折程序期間可能斷裂該半導體晶片的應力。例如，於一經彎折半導體晶片的頂點處張力可能最大。另外，彎折可導致徑向及周向方向的壓縮。張力及壓縮對應於應力，該應力至少部分地決定是否該半導體晶片將斷裂，另外，此種應力的量及分佈係至少部分地由力1004施加在該半導體晶片上、遍及該半導體晶片之面積及該半導體晶片之邊緣處的摩擦力所決定。至少部分地因該半導體晶片之形狀及特性、該凹形模具之形狀、及該半導體晶片之彎折速率而異，可能需要一特定範圍的摩擦力來大幅減少或最小化半導體晶片在彎折期間斷裂的可能性。例如，此一特定範圍的摩擦力可提供在彎折程序期間一所欲程度的物理穩定性。缺乏物理穩定性可能（例如）導致非所欲的皺折或彎曲。（矩形半導體晶片有皺折的傾向，因為其被推入圓形的模具中。）據此，製造者可藉由設計或選擇用於膜902的特定材質（或藉由對膜902施加表面處理），來預先調整摩擦力的量。
在一些實施方式中，容積914中升高的壓力（相對於容積916的壓力）將膜902於半導體晶片900之邊緣或角落處緊密地對著表面904推入。膜902符合該半導體晶片的邊緣或角落，形成「邊緣一致性」1100，其可在彎折程序期間對半導體晶片900提供位置穩定性。隨著該彎折程序更加偏移半導體晶片900，邊緣一致性1100跟隨該半導體晶片的邊緣或角落，因為該邊緣或角落在表面904上朝下滑動。
在一些實施方式中，力1004可由一種非一致力替代，該非一致力經施加遍及半導體晶片900的面積，藉由以具有非一致密度或彈性的一成形工具（例如印戳）按壓在該晶片上。例如，半導體晶片900上的壓力可藉由具有特定形狀、且包含具有特定順應性/剛性之材質的成形工具來施加，使得該壓力以一種有利地漸進且受控之方式經施加在該半導體晶片之面積上。施加這樣的成形工具可允許半導體晶片900歷經對應於成形程序的位移。具有比表面904更高之曲度半徑的成形工具可被推至半導體晶片900上。該成形工具的中心部分可比該成形工具的邊緣更軟（比方說更有彈性）。如此允許隨著該成形工具被對著該半導體晶片推入（比方說壓地）被施加至半導體晶片900的壓力被相較慢地組成。
第12及13圖是按照各種例子之彎曲的光子感測器晶片的截面圖。在第12圖中，彎曲的光子感測器晶片1202的感光部1200具有球形或非球形。此種形狀不具有轉折點。感光部1200是凹形的。另一方面，如第13圖中所圖示，彎曲的光子感測器晶片1302之感光部1300具有包括一或更多轉折點的複合形狀。感光部1300之各部分可包括球形或非球形。此種複合形狀可有用於數種光學系統。彎折程序（像是上述者）可經用以製造簡單或複雜的形狀，像是（例如）光子感測器晶片1202及1302的形狀。
第14圖是按照各種例子之一彎曲的光子感測器晶片1400及一基板1402的截面圖。例如，光子感測器晶片1400可相同於或類似於接續上述彎折程序之後的半導體晶片900。在一些實施方式中，基板1402可相同於或類似於凹形模具部920而從圖示在第9～11圖中之彎折工模的下部908移除。在其他實施方式中，基板1402可相同於或類似於該彎折工模之下部908。
經黏合至基板的彎曲的光子感測器晶片的組合可包含一獨立的光學裝置，該光學裝置可後續地經併入光學系統中。此類光學系統的一光軸1404經圖示關聯於光子感測器晶片1400。當光子感測器晶片1400被併入一光學系統中時，光子感測器晶片1400的焦距（其至少部分地基於光子感測器晶片1400的彎曲形狀）可為一顯著因子。當光子感測器晶片1400的形狀為大致球形時，光子感測器晶片1400的焦距可為至少逼近相等於光子感測器晶片1400之曲度半徑R 的倒數。如果光子感測器晶片1400具有一非球形，則光子感測器晶片1400的曲度半徑隨著離光軸1404的距離改變。併有光子感測器晶片1400的光學系統可經設計以容許此種可變的曲度半徑。
第15圖是按照各種例子之一光學系統1500的截面圖，該光學系統1500包括一彎曲的光子感測器模組1502及一透鏡組合件1504。尤其，光子感測器模組1502包含一彎曲的光子感測器晶片1506及一基板1508。彎曲的光子感測器晶片1506包括一感光部1510。彎曲的光子感測器晶片1506及基板1508可分別類似或相同於第9圖中圖示的彎曲半導體晶片900及下部908。在一些實施方式中，基板1508可足夠剛性以維持彎曲的光子感測器晶片1506的彎曲形狀。
彎曲的光子感測器晶片1506（或感光部1510）可具有引起一焦距的形狀。當將光子感測器模組1502置放在光學系統1500中時可考慮此焦距。尤其，可設計透鏡組合件1504以接收光1512，光學地操作該光，並製造光輸出1514，該光輸出將影像聚焦在彎曲的光子感測器晶片1506上，該彎曲的光子感測器晶片1506離透鏡組合件1504有一距離1516。距離1516可至少逼近地等於彎曲的光子感測器晶片1506的焦距。在一些實施方式中，彎曲的光子感測器晶片1506之焦距的倒數至少逼近地等於彎曲的光子感測器晶片1506的曲度半徑。透鏡組合件1504及光子感測器模組1502可沿一光軸1518對齊。
第16圖是一流程圖，其圖示按照一些例子用於彎曲半導體晶片的一程序1600。例如，此一半導體晶片可相同於或類似於第9圖中所示的光子感測器晶片900。程序1600可類似於或相同於第9～11圖中所描繪之程序的至少一部分，且可由製造者實行。製造者可提供一凹形模具（比方說，或至少部分地凹陷）以使用在程序1600中。此種模具可包括一凹陷表面及該凹陷表面的一底部。例如，在該模具是球形且該凹陷表面具有半球形之形狀的情況中，該凹陷表面的底部是該半球形的頂點。
於方塊1602，製造者可置放一大致平坦半導體晶片在該模具的該凹陷表面中，使得該半導體晶片的邊緣大致未受限制，且在一些實施方式中，該半導體晶片的邊緣是該半導體晶片實體接觸該模具的僅有部分。例如，在該半導體晶片是矩形且該凹陷表面具有一圓形或橢圓形截面的情況中，該半導體晶片的角落是該半導體晶片實體接觸該模具的僅有部分。在該半導體晶片是圓形而該凹陷表面具有一圓形截面的情況中，該半導體晶片的邊緣（比方說圓周）是該半導體晶片實體接觸該模具的僅有部分。在一些實施方式中，該半導體晶片包含一光子感測器晶片。
於方塊1604，製造者可藉由在該半導體晶片上朝著該凹陷表面的底部施加一力，來彎折該大致平坦半導體晶片以形成一凹形半導體晶片。在一些實施方式中，該半導體晶片上的該力是遍及該半導體晶片之面積上大致一致地施加的。在此種彎折程序期間，該半導體晶片之邊緣相對於該凹陷表面移動或滑動。 範例條文
A.  一種方法，包含下列步驟：在一模具的一凹陷表面中置放一大致平坦半導體晶片，使得該半導體晶片的角落或邊緣大致未受限制；及藉由在該半導體晶片上朝著該凹陷表面的一底部施加一力，來彎折該大致平坦之半導體晶片以形成一凹形半導體晶片，其中該半導體晶片的該些大致未受限制的角落或邊緣在該彎折步驟期間相對於該凹陷表面移動或滑動。
B.  如段落A敘述的方法，進一步包含下列步驟：在該彎折步驟之前，置放一彈性膜以蓋住(1)該大致平坦半導體晶片及(2)該模具的該凹陷表面，其中該彈性膜大致是流體不可滲透的。
C.  如段落B敘述的方法，其中彎折該大致平坦半導體晶片的步驟進一步包含下列步驟：將該彈性膜上方之容積的氣壓設定為大於該彈性膜及該大致平坦之半導體晶片下方之容積的氣壓。
D.  如段落B敘述的方法，其中該彈性膜包含雙軸向聚對苯二甲酸乙二酯（BoPET）。
E.  如段落A敘述的方法，進一步包含下列步驟：在彎折該大致平坦半導體晶片之前，在該凹陷表面的該底部置放一黏著劑，其中該半導體晶片不接觸該黏著劑，直到該半導體晶片具有的形狀大致對應於該模具之該凹陷表面的形狀為止。
F.  如段落A敘述的方法，其中該半導體晶片包含一光子感測器晶片。
G.  如段落A敘述的方法，其中在該半導體晶片上的該力在遍及該半導體晶片之面積中大致一致。
H.  如段落A敘述的方法，其中該大致平坦半導體晶片是矩形，且該模具的該凹陷表面具有一圓形或橢圓形截面。
I.  如段落A敘述的方法，其中在該模具之該凹陷表面上置放該大致平坦半導體晶片的步驟進一步包含下列步驟：在該模具的該凹陷表面上置放該大致平坦半導體晶片，使得該半導體晶片的角落或邊緣是該半導體晶片僅有的實體接觸該模具的部分。
J.  一種方法，包含下列步驟：將一彈性膜排列成鄰接一大致平坦半導體晶片；置放該彈性膜及該大致平坦之半導體晶片在一彎折工模中，以產生(1)該彈性膜及該大致平坦之半導體晶片之下的一第一容積及(2)該彈性膜及該大致平坦之半導體晶片之上的一第二容積，其中該第一容積包括一凹形表面；調整該第一容積及（或）該第二容積的壓力以使該第二容積的壓力大於該第一容積的壓力，使得(1)該彈性膜及該大致平坦半導體晶片朝著該凹形表面彎折以產生一彎曲的半導體晶片，及(2)該彎曲半導體晶片的邊緣或角落相對於該凹形表面移動。
K.  如段落J敘述的方法，其中該彎曲半導體晶片的邊緣或角落在該凹形表面的表面上相對一摩擦力滑動，該摩擦力至少部分基於由該彈性膜在該彎曲半導體晶片上施作的一法向力。
L.  如段落K敘述的方法，其中該摩擦力進一步至少部分地基於該第二容積之壓力與該第一容積之壓力的差。
M.  如段落K敘述的方法，其中該摩擦力隨著該彎曲半導體晶片接觸該凹形表面之表面的部分越大而增加。
N.  如段落J敘述的方法，進一步包含下列步驟：在該第一容積中置放一黏著劑，其中該黏著劑包含不會黏合至該彈性膜的材質。
O.  如段落N敘述的方法，進一步包含下列步驟：固化該黏著劑，以黏合該彎曲半導體晶片至該凹形表面；及從該彎折工模移除被黏合至該凹形表面的該彎曲半導體晶片。
P.  一種組合件，包含：在一半導體晶片上的一彈性膜，其中： 該彈性膜及該半導體晶片經排列在一工模中以產生(1)該彈性膜及該半導體晶片之下的一第一容積及(2)該彈性膜及該半導體晶片之上的一第二容積，該第一容積包括一大致凹形表面，該半導體晶片之邊緣或角落(1)是該半導體晶片接觸該大致凹形表面的僅有部分，且(2)與該大致凹形表面為可滑動地接觸，且該第二容積經配置使所具有的壓力大於該第一容積之壓力，使得該彈性膜及該半導體晶片回應於該第二容積之壓力大於該第一容積之壓力而朝著該大致凹形表面彎曲。
Q.  如段落P敘述的組合件，其中該半導體晶片的邊緣或角落經以一預定摩擦力可滑動地定位在該大致凹形表面及該彈性膜之間。
R.  如段落P敘述的組合件，其中該彈性膜包含一壓力裝袋膜。
S.  如段落P敘述的組合件，其中該半導體晶片包含一光子感測器晶片。
T.  如段落P敘述的組合件，其中該半導體晶片是矩形，且該第一容積具有一圓形或橢圓形截面。 結論
雖然本案所請標的已經以特定於結構特徵及（或）方法動作的語言來說明，應理解在隨附申請專利範圍中界定的標的不一定受限於以上說明的該些特定特徵或動作。相反地，以上說明的特定特徵及方法係經揭露以作為實施申請專利範圍的範例形式。
上述之方法及流程全部可體現在由一或更多通用電腦或處理器執行的軟體代碼模組中（且完全經由該等軟體代碼模組來自動化）。該等代碼模組可經儲存在任何類型的電腦可讀取媒體、電腦儲存媒體、或其他電腦儲存裝置中。該些方法的部分或全部可替代地經體現在專門電腦硬體中，像是（例如）量子電腦或量子退火器。
像是「能」、「能夠」、「可」、「可能」之條件式語言（僅舉數例），除非特別相反指明，則在前後中應理解為表示該特定例子包括（而其他例子不包括）特定特徵、元件及（或）步驟。因此，此類條件式語言一般不意圖隱含特定特徵、元件及（或）步驟對一或更多例子而言為必要，或隱含一或更多例子必須包括用於決定是否特定特徵、元件及（或）步驟在任何特定例子中被包括或是將被進行的邏輯件（不管有無使用者輸入或提示）。
像是「X、Y或Z中至少一者」之結合式語言，除非特別相反指明，則應被理解為表示一項目、用語、等等可為X、Y或Z，或其等之組合。
本說明書中所述流程圖中及（或）描繪在所附圖式中的任何例行性描述、元件或方塊，應被理解為可能代表了模組、段落、或代碼的部分，其包括一或更多可執行指令以供實施例行之特定邏輯性功能或元件。替代的實施方式被包括在本說明書所述之例子的範疇內，在該些替代實施方式中依照所牽涉之功能性而定，元件或功能可經刪除、或是不按照所顯示或討論的順序來執行（包括大致同步地或以相反順序），此為本發明所屬技術領域之技藝人士能夠理解的。
應強調的是，對於前述之例子可做許多變化及修改，這些例子的元件應理解為從數種可接受的例子中所舉出者。全部的此類修改及變化意圖被包括在本說明書中，而落在本揭示案之範疇內並由以下之申請專利範圍所保護。
100‧‧‧光子感測器晶片
102‧‧‧半導體基板
104‧‧‧感光部
106‧‧‧感光元件
108‧‧‧不活動區
110‧‧‧寬度
112‧‧‧長度
114、116、118‧‧‧距離
120‧‧‧模具表面
122‧‧‧角落
200‧‧‧光子感測器晶片
202‧‧‧基板
204‧‧‧活動區
206‧‧‧厚度
208‧‧‧不活動區
212‧‧‧模具表面
214‧‧‧角落
300‧‧‧半導體晶片
302‧‧‧凹形模具
304‧‧‧凹陷表面
306‧‧‧角落
400‧‧‧半導體晶片
402‧‧‧凹形模具
404‧‧‧凹陷表面
406‧‧‧邊緣
500‧‧‧示意性表示方式
502‧‧‧光子感測器晶片
504‧‧‧活動區
506‧‧‧不活動區
600‧‧‧半導體晶片
602‧‧‧凹陷表面
604‧‧‧凹形模具
606‧‧‧表面
608‧‧‧接觸區域
610‧‧‧力
612‧‧‧位移
614‧‧‧黏著劑
616‧‧‧區域
700‧‧‧角落或邊緣
702‧‧‧箭頭
704‧‧‧法向力
706‧‧‧摩擦力
800‧‧‧半導體晶片
802‧‧‧彈性膜
804‧‧‧凹陷表面
806‧‧‧凹形模具
808‧‧‧表面
810‧‧‧接觸區域
812‧‧‧周圍
814、816‧‧‧容積
818‧‧‧淨壓力及施力
820‧‧‧黏著劑
900‧‧‧半導體晶片
902‧‧‧彈性膜
904‧‧‧凹形模具表面
906‧‧‧上部
908‧‧‧下部
910、912‧‧‧介接表面
914、916‧‧‧容積
918‧‧‧邊緣區域
920‧‧‧凹形模具部
1002‧‧‧密封
1004‧‧‧力
1100‧‧‧邊緣一致性
1200‧‧‧感光部
1202‧‧‧彎曲的光子感測器晶片
1300‧‧‧感光部
1302‧‧‧彎曲的光子感測器晶片
1400‧‧‧彎曲的光子感測器晶片
1402‧‧‧基板
1404‧‧‧光軸
1500‧‧‧光學系統
1502‧‧‧彎曲的光子感測器模組
1504‧‧‧透鏡組合件
1506‧‧‧彎曲的光子感測器晶片
1508‧‧‧基板
1510‧‧‧感光部
1512‧‧‧光
1514‧‧‧光輸出
1516‧‧‧距離
1518‧‧‧光軸
1600‧‧‧流程
1602、1604‧‧‧方塊
I、II、III‧‧‧階段
以下參看隨附圖式來闡述實施方式。圖式中，元件符號之最左一位識別出該符號首次出現的圖號。相同的元件符號被使用在不同圖式中表示出類似獲相同的項目或特徵。
第1圖是一範例光子感測器晶片的俯視圖。
第2圖是一範例光子感測器晶片的截面圖。
第3圖是一範例矩形半導體晶片在一凹形模具中的俯視圖。
第4圖是一範例圓形半導體晶片在一凹形模具中的俯視圖。
第5圖圖示一範例光子感測器晶片的示意性表示方式。
第6圖包括在凹形模具中之一範例半導體晶片的截面圖。
第7圖是接觸一凹形模具之表面的一範例半導體晶片之邊緣或角落的特寫圖。
第8圖包括在凹形模具中之範例半導體晶片及彈性膜的截面圖。
第9～11圖是在包括一凹形模具的彎折工模中之範例半導體晶片及彈性膜的截面圖。
第12及13圖是範例半導體晶片的截面圖。
第14圖是一範例彎曲光子感測器晶片及一基板的截面圖。
第15圖是一範例光學系統的截面圖，該光學系統包括一彎曲光子感測器晶片及一基板。
第16圖是圖示彎曲一半導體晶片之範例流程的流程圖。
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600‧‧‧半導體晶片
602‧‧‧凹陷表面
604‧‧‧凹形模具
606‧‧‧表面
608‧‧‧接觸區域
610‧‧‧力
612‧‧‧位移
614‧‧‧黏著劑
616‧‧‧區域
I、II、III‧‧‧階段

Claims (20)

  1. 一種方法，包含下列步驟： 在一模具的一凹陷表面中置放一大致平坦之半導體晶片，使得該半導體晶片的角落或邊緣大致未受限制；及藉由在該半導體晶片上朝著該凹陷表面的一底部施加一力，來彎折該大致平坦之半導體晶片以形成一凹形半導體晶片，其中該半導體晶片的該些大致未受限制的角落或邊緣在該彎折步驟期間相對於該凹陷表面移動或滑動。
  2. 如請求項1所述之方法，進一步包含下列步驟： 在該彎折步驟之前，置放一彈性膜以蓋住(1)該大致平坦之半導體晶片及(2)該模具的該凹陷表面，其中該彈性膜大致是流體不可滲透的。
  3. 如請求項2所述之方法，其中彎折該大致平坦之半導體晶片的步驟進一步包含下列步驟： 將該彈性膜上方之容積的氣壓設定為大於該彈性膜及該大致平坦之半導體晶片下方之容積的氣壓。
  4. 如請求項2所述之方法，其中該彈性膜包含雙軸向聚對苯二甲酸乙二酯（BoPET）。
  5. 如請求項1所述之方法，進一步包含下列步驟： 在彎折該大致平坦之半導體晶片之前，在該凹陷表面的該底部置放一黏著劑，其中該半導體晶片不接觸該黏著劑，直到該半導體晶片具有的形狀大致對應於該模具之該凹陷表面的形狀為止。
  6. 如請求項1所述之方法，其中該半導體晶片包含一光子感測器晶片。
  7. 如請求項1所述之方法，其中在該半導體晶片上的該力在遍及該半導體晶片之面積中大致一致。
  8. 如請求項1所述之方法，其中該大致平坦之半導體晶片是矩形，而該模具的該凹陷表面具有一圓形或橢圓形截面。
  9. 如請求項1所述之方法，其中在該模具之該凹陷表面上置放該大致平坦之半導體晶片的步驟進一步包含：在該模具的該凹陷表面上置放該大致平坦之半導體晶片，使得該半導體晶片的角落或邊緣是該半導體晶片僅有的實體接觸該模具的部分。
  10. 一種方法，包含下列步驟： 將一彈性膜排列成鄰接一大致平坦之半導體晶片；置放該彈性膜及該大致平坦之半導體晶片在一彎折工模中，以產生(1)該彈性膜及該大致平坦之半導體晶片之下的一第一容積及(2)該彈性膜及該大致平坦之半導體晶片之上的一第二容積，其中該第一容積包括一凹形表面；及調整該第一容積及/或該第二容積的壓力以使該第二容積的壓力大於該第一容積的壓力，使得(1)該彈性膜及該大致平坦之半導體晶片朝著該凹形表面彎折以產生一彎曲的半導體晶片，及(2)該彎曲半導體晶片的邊緣或角落相對於該凹形表面移動。
  11. 如請求項10所述之方法，其中該彎曲半導體晶片的邊緣或角落在該凹形表面的表面上相對一摩擦力滑動，該摩擦力至少部分基於由該彈性膜在該彎曲半導體晶片上施作的一法向力。
  12. 如請求項11所述之方法，其中該摩擦力進一步至少部分基於該第二容積之壓力與該第一容積之壓力的差。
  13. 如請求項11所述之方法，其中該摩擦力隨著該彎曲半導體晶片接觸該凹形表面之表面的部分越大而增加。
  14. 如請求項10所述之方法，進一步包含下列步驟： 在該第一容積中置放一黏著劑，其中該黏著劑包含不會黏合至該彈性膜的材質。
  15. 如請求項14所述之方法，進一步包含下列步驟： 固化該黏著劑，以黏合該彎曲半導體晶片至該凹形表面；及從該彎折工模移除被黏合至該凹形表面的該彎曲半導體晶片。
  16. 一種組合件，包含： 在一半導體晶片上的一彈性膜，其中： 該彈性膜及該半導體晶片經排列在一工模中以產生(1)該彈性膜及該半導體晶片之下的一第一容積及(2)該彈性膜及該半導體晶片之上的一第二容積， 該第一容積包括一大致凹形表面， 該半導體晶片的邊緣或角落(1)是該半導體晶片接觸該大致凹形表面的僅有部分，且(2)與該大致凹形表面為可滑動地接觸，及 該第二容積經配置使所具有的壓力大於該第一容積之壓力，使得該彈性膜及該半導體晶片回應於該第二容積之壓力大於該第一容積之壓力而朝著該大致凹形表面彎曲。
  17. 如請求項16所述之組合件，其中該半導體晶片的邊緣或角落以一預定摩擦力經可滑動地定位在該大致凹形表面及該彈性膜之間。
  18. 如請求項16所述之組合件，其中該彈性膜包含一壓力裝袋膜。
  19. 如請求項16所述之組合件，其中該半導體晶片包含一光子感測器晶片。
  20. 如請求項16所述之組合件，其中該半導體晶片是矩形，且該第一容積具有一圓形或橢圓形截面。
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