CN112713159A - 制作图像传感器的方法、图像传感器、摄像头模组和电子设备 - Google Patents

制作图像传感器的方法、图像传感器、摄像头模组和电子设备 Download PDF

Info

Publication number
CN112713159A
CN112713159A CN202011554135.4A CN202011554135A CN112713159A CN 112713159 A CN112713159 A CN 112713159A CN 202011554135 A CN202011554135 A CN 202011554135A CN 112713159 A CN112713159 A CN 112713159A
Authority
CN
China
Prior art keywords
chip
photosensitive
substrate layer
image sensor
adhesive
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN202011554135.4A
Other languages
English (en)
Inventor
冉濛
陆斌
姚国峰
沈健
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Shenzhen Goodix Technology Co Ltd
Original Assignee
Shenzhen Goodix Technology Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Shenzhen Goodix Technology Co Ltd filed Critical Shenzhen Goodix Technology Co Ltd
Priority to CN202011554135.4A priority Critical patent/CN112713159A/zh
Publication of CN112713159A publication Critical patent/CN112713159A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144Devices controlled by radiation
    • H01L27/146Imager structures
    • H01L27/14683Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment of these devices or parts thereof
    • H01L27/1469Assemblies, i.e. hybrid integration
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144Devices controlled by radiation
    • H01L27/146Imager structures
    • H01L27/14601Structural or functional details thereof
    • H01L27/14634Assemblies, i.e. Hybrid structures
    • HELECTRICITY
    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04NPICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N23/00Cameras or camera modules comprising electronic image sensors; Control thereof
    • H04N23/50Constructional details
    • H04N23/54Mounting of pick-up tubes, electronic image sensors, deviation or focusing coils
    • HELECTRICITY
    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04NPICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N23/00Cameras or camera modules comprising electronic image sensors; Control thereof
    • H04N23/50Constructional details
    • H04N23/55Optical parts specially adapted for electronic image sensors; Mounting thereof

Abstract

本申请提供一种用于制作图像传感器的方法、图像传感器、摄像头模组和电子设备,所述图像传感器包括芯片,所述芯片的感光面包括感光区域,所述方法包括:对所述芯片的非感光面一侧的衬底减薄;向凹型注塑模具注塑,形成具有第一凹型面和第一平面的基底层,所述第一凹型面的曲率根据用于成像透镜的场曲确定;使用第一粘结剂粘结所述芯片的非感光面与所述基底层的第一平面;施压,使得所述芯片和所述基底层弯曲,所述芯片的感光面变为感光弯曲面、所述芯片的非感光面变为非感光弯曲面,所述基底层的第一平面变为第二凹型面、所述基底层的第一凹型面变为第二平面。该方法制作的图像传感器能够利用芯片自身的曲率来补偿镜头组合产生的像场弯曲。

Description

制作图像传感器的方法、图像传感器、摄像头模组和电子设备
技术领域
本申请实施例涉及图像传感器领域,并且更具体地,涉及一种制作图像传感器的方法、图像传感器、摄像头模组和电子设备。
背景技术
现代数码产品、移动终端和安防监控等领域广泛使用带有固体图像传感器芯片的相机模组。目前相机模组中的图像传感器芯片均为平面图像传感器芯片,如图1所示为相机模组的简化结构,光学透镜1位于图像传感器芯片的感光面一侧。由于透镜像差(LensAberration)的影响,相机镜头的光学系统会将物平面聚焦到一个曲面3上,从而在垂直主光轴的焦平面2的中心部分和边缘部分产生聚焦位置偏差(Focus Position Deviation),这就是所谓的像场弯曲。
像场弯曲(Field Curvature)会导致平面图像传感器芯片的成像质量下降。为了解决这一问题,通常使用多个像场曲率相反的透镜组合来矫正场曲。然而,额外的透镜不仅导致镜头制作成本较高,增大了镜头的质量和体积,而且场曲无法被完全拉平。
发明内容
本申请实施例提供一种制作图像传感器的方法、图像传感器、摄像头模组和电子设备,能够利用曲面图像传感器芯片自身的曲率来补偿镜头组合产生的像场弯曲。
第一方面,提供了一种用于制作图像传感器的方法,所述图像传感器包括芯片,所述芯片的感光面包括感光区域,其特征在于,所述方法包括:
对所述芯片的非感光面一侧的衬底减薄;
向凹型注塑模具注塑,形成具有第一凹型面和第一平面的基底层,所述第一凹型面的曲率根据用于成像透镜的场曲确定;
使用第一粘结剂粘结所述芯片的非感光面与所述基底层的第一平面;
施压,使得所述芯片和所述基底层弯曲,所述芯片的感光面变为感光弯曲面、所述芯片的非感光面变为非感光弯曲面,所述基底层的第一平面变为第二凹型面、所述基底层的第一凹型面变为第二平面。
本申请实施例中的制作图像传感器的方法,通过对芯片减薄,向凹型注塑模具注塑,使得形成具有第一凹型面和第一平面的基底层,所述第一凹型面的曲率可以根据成像透镜的场曲确定。该图像传感器的制作方法,能够利用芯片自身的曲率来补偿镜头组合产生的像场弯曲。
在一种可能的实现方式中,所述所述凹型注塑模具上设置有材料注射口,所述凹型注塑模具内部设置有特定曲率的凸起阵列,所述向凹型注塑模具注塑,形成具有第一凹型面和第一平面的基底层包括:
通过所述材料注射口向所述凹型注塑模具内注塑所述基底层材料,冷却脱模后形成具有所述第一凹型面和第一平面的基底层。
在一种可能的实现方式中,所述凹型注塑模具还包括用于制作定位标记的凸模,所述凸模用于在所述基底层的第一平面形成定位标记,所述定位标记用于将所述芯片的感光区域的中心和所述基底层的第一凹型面的中心对准。
在一种可能的实现方式中,所述基底层材料为聚合物。
在一种可能的实现方式中,所述基底层透光,所述第一粘结剂为光固化粘结剂。
在一种可能的实现方式中,,所述基底层的弯曲模量为E1,所述第一粘结剂的弯曲模量为E2,所述芯片的弯曲模量为E3,满足以下关系:
E1<E3,且E2<E3。
在一种可能的实现方式中,所述芯片的非感光面粘结柔性支撑层的一面,使用所述第一粘结剂粘结所述柔性支撑层的另一面与所述基底层的第一平面。
在一种可能的实现方式中,所述向凹型注塑模具注塑之后,还包括:
移除模具,将所述基底层放置于硬质基板上。
在一种可能的实现方式中,所述使用第一粘结剂粘结所述芯片的非感光面与所述基底层的第一平面之后,还包括:
将所述基底层和所述芯片从所述硬质基板表面表面转移至基座上,所述基座上表面与所述基底层的第一凹型面构成非封闭的腔体。
在一种可能的实现方式中,在所述基座上表面上设置有呈颗粒状分布的可流动的第二粘结剂。
在一种可能的实现方式中,通过施压,使得所述基底层的第二平面通过所述第二粘结剂粘结在所述基座上表面。
在一种可能的实现方式中,所述基底层第一凹型面包括两个以上不同的曲率值。
第二方面,提供了一种图像传感器,所述图像传感器包括:
芯片,所述芯片包括感光弯曲面和与感光弯曲面相背对的非感光弯曲面,所述感光弯曲面包括感光区域;
基底层,所述基底层包括第二凹型面和与第二凹型面相背对的第二平面,所述基底层的第二凹型面通过所述第一粘结剂与所述芯片的非感光弯曲面粘结,所述第二凹型面的曲率根据成像透镜的场曲确定;
基座,所述基座通过第二粘结剂和所述基底层的第二平面粘结。
在一种可能的实现方式中,所述基底层材料为聚合物。
在一种可能的实现方式中,所述第一凹型面的曲率根据用于成像透镜的场曲确定。
在一种可能的实现方式中,所述基底层的弯曲模量为E1,所述第一粘结剂的弯曲模量为E2,所述芯片的弯曲模量为E3,满足以下关系:
E1<E3,且E2<E3。
在一种可能的实现方式中,所述芯片的非感光弯曲面粘结柔性支撑层的一面,所述柔性支撑层的另一面通过所述第一粘结剂粘结所述基底层的第二凹型面。
在一种可能的实现方式中,所述基底层为向凹型注塑模具注塑形成。
在一种可能的实现方式中,所述基底层为硅胶。
在一种可能的实现方式中,所述基底层透光,所述第一粘结剂为光固化粘结剂,所述第二粘结剂为光固化粘结剂。
在一种可能的实现方式中,所述基底层的第二凹型面包括两个以上不同的曲率值。
在一种可能的实现方式中,所述芯片的厚度为50um以下。
本申请实施例中的图像传感器,能够利用芯片自身的曲率来补偿镜头组合产生的像场弯曲。
第三方面,提供了一种图像传感器,采用上述第一方面或者第一方面的任意可能的实现方式中的方法制作,所述图像传感器包括:
芯片,所述芯片包括感光弯曲面和与感光弯曲面相背对的非感光弯曲面,所述感光弯曲面包括感光区域;
基底层,所述基底层包括第二凹型面和与第二凹型面相背对的第二平面,所述基底层的第二凹型面通过所述第一粘结剂与所述芯片的非感光弯曲面粘结。
本申请实施例中的图像传感器,能够利用芯片自身的曲率来补偿镜头组合产生的像场弯曲。
第四方面,提供了一种摄像头模组,包括上述第二方面或者第二方面的任意可能的实现方式中的图像传感器,或者包括上述第三方面或者第三方面的任意可能的实现方式中的图像传感器,所述图像传感器粘结在线路板表面,所述芯片通过引线和所述线路板连接,所述芯片上方设有镜头组件,所述镜头组件、所述图像传感器和所述线路板依次固定在支架内。
本申请实施例中的摄像头模组,能够利用图像传感器中的芯片自身的曲率来补偿镜头组合产生的像场弯曲。
第五方面,提供了一种电子设备,包括上述第四方面所述的摄像头模组,以及
信号处理电路,用于处理所述摄像头模组输出的输出信号。
本申请实施例中的电子设备,能够利用图像传感器中的芯片自身的曲率来补偿镜头组合产生的像场弯曲。
附图说明
图1是现有技术中平面图像传感器成像的简易示意图。
图2是本申请实施例的制作图像传感器的方法流程图。
图3是本申请实施例的芯片减薄前的结构示意图。
图4是本申请实施例的芯片减薄划片后放置于蓝膜上的结构示意图。
图5是本申请实施例的向凹型注塑模具注塑基底层材料的示意图。
图6是本申请实施例的基底层的第一平面示意图。
图7是本申请实施例的基底层的第一凹型面的三维示意图。
图8是本申请实施例的制作图像传感器的一种可能的具体实现方式。
图9是本申请实施例的移除动模后的结构示意图。
图10是本申请实施例的切割基底层后的结构示意图。
图11是本申请实施例的将芯片从定模表面转移到基座后的结构示意图。
图12是本申请实施例的在芯片感光面施压的结构示意图。
图13是本申请实施例的摄像头模组的截面结构示意。
图14是本申请另一实施例的多个曲率值的图像传感器施压前的结构示意图。
图15是本申请另一实施例的多个曲率值的图像传感器施压后的结构示意图。
具体实施方式
下面将结合附图,对本申请中的技术方案进行描述。
为了解决平面图像传感器芯片造成的缺陷,现有技术中通过利用曲面图像传感器芯片自身的曲率直接补偿像场曲率,通过使用曲面图像传感器芯片,能够简化镜头设计,降低镜头体积和重量,同时,能够有效提升图像解析力的均匀性,改善图像边角的画质恶化。为了方便描述,以下将“图像传感器芯片”简称“芯片”。
为此,本申请提供一种制作图像传感器的方法,可以根据对曲率的需要,制作任意不同曲率组合的曲面芯片,从而补偿镜头组合产生的像场弯曲,在不降低成像质量的前提下,减少镜头组合中的透镜数量,简化镜头设计,同时改善图像边缘画质恶化。
图2是本申请实施例的制作图像传感器的方法示意性流程图。该方法包括:
S210:对所述芯片的非感光面一侧的衬底减薄;
S220:向凹型注塑模具注塑,形成具有第一凹型面和第一平面的基底层,所述第一凹型面的曲率根据用于成像透镜的场曲确定;
S230:使用第一粘结剂粘结所述芯片的非感光面与所述基底层的第一平面;
S240:施压,使得所述芯片和所述基底层弯曲,所述芯片的感光面变为感光弯曲面、所述芯片的非感光面变为非感光弯曲面,所述基底层的第一平面变为第二凹型面、所述基底层的第一凹型面变为第二平面。
在S210中,利用减薄工艺对芯片101的非感光面102一侧的硅衬底进行减薄处理,减薄前的芯片101如图3所示,芯片101减薄后的厚度在100um以下,优选为50um以下,50um以下的芯片更易弯曲,减薄后的芯片101如图4所示。其中,该芯片为平面芯片。
在一种优选的实施方式中,可以在芯片101的非感光面102粘结一层柔性支撑层,避免芯片在弯曲时发生碎裂,同时增强芯片的弯曲性能。
对减薄后的芯片101进行划片处理。芯片101包括感光面103和非感光面102。感光面103包括感光区域104,感光区域排列有感光像素阵列。将减薄后的芯片101使用倒膜的方式移至蓝膜105上表面,芯片的非感光面102与蓝膜105上表面粘合,然后对芯片101进行划片处理,得到独立分布在蓝膜105表面的芯片101。
应理解,芯片101减薄处理和划片处理的顺序没有限制,可以先进行减薄处理再划片处理,也可以先划片处理再减薄处理。
在S220中,提供制作基底层的凹型注塑模具110,该凹型注塑模具110上设有材料注射口113,凹型注塑模具110内部设置有特定曲率的凸起阵列,并形成凹型腔体,该凸起阵列用于在多个基底层114的下表面形成第一凹型面,第一凹型面的曲率根据成像透镜的场曲确定。在一种优选的实施方式中,凹型注塑模具110的内表面包括凸模112,该凸模112用于在基底层114的上表面形成定位标记117。注塑所用的模具材料例如为金属、陶瓷、玻璃或者聚合物,其制作工艺例如为机械加工、塑性成型或3D打印。利用注塑成型工艺将基底层材料注入至凹型注塑模具110的凹型腔体中,冷却脱模后形成基底层114,该基底层114包括第一凹型面115和第一平面116,如图5所示,定位标记117形成于基底层114的第一平面116上,用于将所述芯片101的感光区域104的中心和所述基底层114的第一凹型面115的中心对准。冷却脱模后的基体衬底第一平面的示意图和第一凹型面的三维图分别如图6和图7所示。
通过设定特定曲率的凸起阵列,可以制作单一曲率的基底层的球面或者多曲率基底层的非球面,应理解,凸起阵列的特定曲率根据对基底层的第一凹形面的曲率需求而设定,或者可以理解为根据芯片的曲率需求设定,芯片的曲率主要由透镜的场曲确定。对于单透镜成像,透镜的场曲与成像面的直径、透镜的光圈值有关。优选的,单一曲率的基底层的半径范围可以为5mm~100mm。
凹型注塑模具110的凸起111的曲率和基底层114的第一凹型面115的曲率相等,但是实际情况中由于工艺公差,导致曲率不完全相等。基底层114的材料例如可以为聚合物,较佳的,例如可以为硅胶。
在S220之后,如图8所示,该方法还包括:
S221:移除模具,将基底层放置于硬质基板上。
该硬质基板108上设置有特定曲率的凸起阵列109,凸起阵列109与注塑模具凹型腔体的凸起阵列111相同。该硬质基板108的材质可以为金属、陶瓷、玻璃或者高强度聚合物,其制作工艺例如为机械加工、塑性成型或3D打印。注塑成型后的基底层114强度较小,容易发生变形,在脱模后,硬质基板108用于支撑基底层114,以便于后续贴片操作。
在S230中,通过芯片拾取芯片101放置在机台上,进行取片和贴片操作,由于贴片过程中存在很难实现将芯片101的感光区域的中心和基底层114的第一凹型面的中心对准,本实施例可以选择利用定位标记117进行贴片对准,例如,贴片装置将芯片101从蓝膜上取下来,然后贴于基底层114的第一平面116上,这个过程有光学定位装置,将芯片放下之前,通过原位相机确定芯片是否与定位标记对准。将芯片101精准地转移到基底层114的第一平面116上,并通过第一粘结剂118进行固化粘结,如图9所示。此时,基底层第一凹型面115的中心,即凹型面的顶点,正好与芯片101的非感光面的感光区域的中心对准。该第一粘结剂118例如可以是粘晶薄膜(Die Attach Film,DAF)或胶水,第一粘结剂118固化方式例如可以为热固化和光固化。由于加热过程存在芯片和第一粘结剂118之间存在热膨胀系数失配的问题,引入了应力,导致难以精确控制芯片的弯曲曲率,优选的,第一粘结剂118为光固化粘结剂。第一粘结剂118为光固化粘结剂时,选用基底层为透明材料,紫外光可以通过透明基底层照射到光固化粘结剂,使得光固化粘结剂得以固化。
在一种优选的实施方式中,可以在芯片非感光面粘结一层柔性支撑层(图中未示出),然后再通过第一粘结剂与基础衬底粘结,避免芯片在弯曲时发生碎裂,同时增强芯片的弯曲性能。
在弯曲过程中,芯片101和基底层114以及固化后的第一粘结剂118都会发生弯曲变形,在相同的外力下,由于弯曲模量(Flexural Modulus)的不同,承受的弯曲形变量也就不同,弯曲模量越大,越不容易变形。因此,在相同的外力下,基底层114和第一粘结剂118需要比芯片101更容易变形,否则无法实现对图像传感器的弯曲。基底层的弯曲模量E1、第一粘结剂118的弯曲模量E2以及芯片101的弯曲模量E3,应当满足关系:E1<E3,且E2<E3。如果不满足该关系式,例如第一粘结剂118弯曲模量E2大于芯片101的弯曲模量E3,芯片101被第一粘结剂118固定,芯片101的形变量减小,施加外力时会使芯片101容易碎裂。现有技术中的图像传感器的曲率较小,而本申请实施例提供的方案可以制作较大曲率以及多个不同曲率的图像传感器,制作图像传感器的曲率越大,抑制图像的暗角效果越好。
如图10所示,对贴有芯片101的基底层114进行切割,使得基底层116之间相互分离,芯片101与基底层114形成图像传感器的一部分。
在S230之后,该方法还包括:
S231:将所述基底层和所述芯片从所述硬质基板表面转移至基座上,所述基座上表面与所述基底层的第一凹型面构成非封闭的腔体。
将芯片101和基底层114从硬质基板108表面转移到基座119上。基底层114的第一凹型面与基座119的上表面构成非封闭的腔体123,基座119的上表面设置有呈颗粒状分布的可流动的第二粘结剂120,如图11所示。
在芯片101的感光面103一侧施加压力121,驱动芯片101和基底层114一起向下弯曲,基底层114四周在压力的作用下向外滑动距离122,基底层四个侧面由初始的竖直状态转变为倾斜状态,形成了图像传感器10,如图12所示。基底层114在与基座119接触的过程中,非封闭腔体123内部气体可由基底层114四个侧面与基座119形成的非封闭的腔体123处逸出。基底层114和芯片101在压力的作用下变为曲面,芯片101的感光面103变为感光弯曲面、芯片的非感光面102变为非感光弯曲面,基底层114的第一平面116变为第二凹型面、基底层114的第一凹型面115变为第二平面。此时,基底层114的第二平面通过第二粘结剂120与基座119接触。应当注意,施加压力121的形式例如可以是气体压力、液体压力或者固体压力。第二粘结剂可以是热固化粘结剂,随后,维持压力,并加热基座119,使第二粘结剂120固化,使得弯曲后的基底层114的第二平面115粘结固定于基座119的上表面。第二粘结剂120例如可以是热固化粘结剂或者光固化粘结剂,当第二粘结剂120为光固化粘结剂时,基座119例如为玻璃的透明材质,通过照射光使得光固化剂固定粘结基底层114和基座119。第二粘结剂点胶在基座上表面且具有流动性,能够使得基底层114在受压力过程中,向外滑移时不受第二粘结剂带来的阻力,从而不影响弯曲的曲率。所述基座114的材质例如可以是金属、陶瓷、玻璃等。
图13为摄像头模组的截面结构示意图。图像传感器10上方依次装配有镜头组件127和红外截止滤光片126,并由支座128固定。镜头组件127包括多个透镜。图像传感器10粘接固定在线路板124上,图像传感器10的芯片通过引线125与线路板124实现电连接。
在现有技术中,镜头组件127通常为多个透镜组合来消除像场弯曲,然而通过采用本发明所述的曲面图像传感器10,可以利用曲面图像传感器自身的曲率来补偿像场弯曲,减少矫正像场弯曲的镜片的使用,因此,在不降低成像质量的前提下,曲面图像传感器极大程度的简化了镜头设计,同时,还可以改善图像的边缘画质恶化。
现有技术中的曲面图像传感器的曲率为单一固定值且曲率较小,本申请实施例通过向凹型注塑模具注塑,可以制作成单一曲率或者多个不同曲率组合的基底层,从而得到曲率固定的球面或者多个不同曲率组合的非球面的图像传感器,该曲率的大小可以任意设置,制作图像传感器的曲率越大,抑制图像的暗角效果越好。
多个不同曲率组合的图像传感器的制作方法与单一曲率的图像传感器的制作方法类似。如图14所示,基底层214包括第一平面216和第一凹型面215,第一凹型面215包括中间位置的曲率C4和边缘位置的曲率C5,为了实现打线方便,以及缓解芯片201边缘位置的应力,曲率C5小于曲率C4,应理解,本申请实施例可以根据其它需要,曲率C5也可以大于曲率C4,或者可以制作其它不同组合的曲率。基座219上表面点胶有第二粘结剂220,芯片201包括感光面203和非感光面202,芯片201通过第一粘结剂218和基底层214固定粘结。对芯片201的感光面203一侧施加压力,如图15所示,芯片201和基底层214弯曲,芯片201的感光面203变为感光弯曲面、芯片201的非感光面202变为非感光弯曲面,基底层214的第一平面216变为第二凹型面、基底层214的第一凹型面215变为第二平面。此时,基底层214的第二平面通过第二粘结剂220与基座219接触。
相比于制作单一曲率的的图像传感器,区别在于多个不同曲率组合的图像传感器注塑所用的注塑模具内表面的凸起阵列的曲率为多个曲率组合。
在一种实施方式中,可以先设计好芯片的曲率,再去设计相应场曲的镜头组件,也可以先设计镜头组件,再根据镜头组件的场曲确定芯片的曲率。
本申请实施例提供了一种图像传感器,该图像传感器包括:芯片,所述芯片包括感光弯曲面和与感光弯曲面相背对的非感光弯曲面,所述感光弯曲面包括感光区域;基底层,所述基底层包括第二凹型面和与第二凹型面相背对的第二平面,所述基底层的第二凹型面通过所述第一粘结剂与所述芯片的非感光弯曲面粘结,所述第二凹型面的曲率根据成像透镜的场曲确定;基座,所述基座通过第二粘结剂和所述基底层的第二平面粘结。
可选地,在一种实现方式中,所述基底层材料为聚合物。
可选地,在一种实现方式中,所述基底层的弯曲模量为E1,所述第一粘结剂的弯曲模量为E2,所述芯片的弯曲模量为E3,满足以下关系:
E1<E3,且E2<E3。
可选地,在一种实现方式中,所述芯片的非感光弯曲面粘结柔性支撑层的一面,所述柔性支撑层的另一面通过所述第一粘结剂粘结所述基底层的第二凹型面。
可选地,在一种实现方式中,所述基底层由凹型注塑模具注塑形成。
可选地,在一种实现方式中,所述基底层为硅胶。
可选地,在一种实现方式中,所述基底层透光,所述第一粘结剂为光固化粘结剂,所述第二粘结剂为光固化粘结剂
可选地,在一种实现方式中,基底层的第二凹型面包括两个以上不同的曲率值。
可选地,在一种实现方式中,芯片的厚度为50um以下。
本申请实施例提供了另外一种图像传感器,该图像传感器采用上述任意一种可能的实施方式中的方法制作,该图像传感器包括:芯片,所述芯片包括感光弯曲面和与感光弯曲面相背对的非感光弯曲面,所述感光弯曲面包括感光区域;基底层,所述基底层包括第二凹型面和与第二凹型面相背对的第二平面,所述基底层通过所述第一粘结剂与所述芯片的非感光弯曲面粘结。
本申请实施例提供了一种摄像头模组,该摄像头模组包括上述任意一种可能的实施方式中的图像传感器,所述图像传感器采用上述任意一种可能的实施方式中的方法制作,所述图像传感器粘结在线路板表面,所述芯片通过引线和所述线路板连接,所述芯片上方设有镜头组件,所述镜头组件、所述图像传感器和所述线路板依次固定在支架内。
本申请实施例提供了另外一种摄像头模组,该摄像头模组包括图像传感器,该图像传感器包括:芯片,所述芯片包括感光弯曲面和与感光弯曲面相背对的非感光弯曲面,所述感光弯曲面包括感光区域;基底层,所述基底层包括第二凹型面和与第二凹型面相背对的第二平面,所述基底层通过所述第一粘结剂与所述芯片的非感光弯曲面粘结;其中,所述基底层透光且为聚合物,所述图像传感器粘结在线路板表面,所述芯片通过引线和所述线路板连接,所述芯片上方设有镜头组件,所述镜头组件、所述图像传感器和所述线路板依次固定在支架内。
本申请实施例还提供了一种电子设备,该电子设备包括:包括上述任意一种可能的实施方式中的摄像头模组,以及信号处理电路,用于处理所述摄像头模组输出的输出信号。
作为示例而非限定,本申请实施例中的电子设备可以为现代数码产品、移动终端、安防监控、终端设备、手机、平板电脑、笔记本电脑、台式机电脑、游戏设备、车载电子设备或穿戴式智能设备等便携式或移动计算设备,以及电子数据库、汽车、银行自动柜员机(Automated Teller Machine,ATM)等其他电子设备。该穿戴式智能设备包括功能全、尺寸大、可不依赖智能手机实现完整或部分的功能,例如:智能手表或智能眼镜等,以及只专注于某一类应用功能,需要和其它设备如智能手机配合使用,如各类进行体征监测的智能手环、智能首饰等设备。
需要说明的是,在不冲突的前提下,本申请描述的各个实施例和/或各个实施例中的技术特征可以任意的相互组合,组合之后得到的技术方案也应落入本申请的保护范围。
应理解,本申请实施例中的具体的例子只是为了帮助本领域技术人员更好地理解本申请实施例,而非限制本申请实施例的范围,本领域技术人员可以在上述实施例的基础上进行各种改进和变形,而这些改进或者变形均落在本申请的保护范围内。
以上所述,仅为本申请的具体实施方式,但本申请的保护范围并不局限于此,任何熟悉本技术领域的技术人员在本申请揭露的技术范围内,可轻易想到变化或替换,都应涵盖在本申请的保护范围之内。因此,本申请的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。

Claims (24)

1.一种用于制作图像传感器的方法,所述图像传感器包括芯片,所述芯片的感光面包括感光区域,其特征在于,所述方法包括:
对所述芯片的非感光面一侧的衬底减薄;
向凹型注塑模具注塑,形成具有第一凹型面和第一平面的基底层,所述第一凹型面的曲率根据成像透镜的场曲确定;
使用第一粘结剂粘结所述芯片的非感光面与所述基底层的第一平面;
施压,使得所述芯片和所述基底层弯曲,所述芯片的感光面变为感光弯曲面、所述芯片的非感光面变为非感光弯曲面,所述基底层的第一平面变为第二凹型面、所述基底层的第一凹型面变为第二平面。
2.根据权利要求1所述的用于制作图像传感器的方法,其特征在于,所述凹型注塑模具上设置有材料注射口,所述凹型注塑模具内部设置有特定曲率的凸起阵列,所述向凹型注塑模具注塑,形成具有第一凹型面和第一平面的基底层包括:
通过所述材料注射口向所述凹型注塑模具内注塑所述基底层材料,冷却脱模后形成具有所述第一凹型面和第一平面的基底层。
3.根据权利要求2所述的用于制作图像传感器的方法,其特征在于,所述凹型注塑模具还包括用于制作定位标记的凸模,所述凸模用于在所述基底层的第一平面形成定位标记,所述定位标记用于将所述芯片的感光区域的中心和所述基底层的第一凹型面的中心对准。
4.根据权利要求2所述的用于制作图像传感器的方法,其特征在于,所述基底层材料为聚合物。
5.根据权利要求4所述的用于制作图像传感器的方法,其特征在于,所述基底层透光,所述第一粘结剂为光固化粘结剂。
6.根据权利要求1所述的用于制作图像传感器的方法,其特征在于,所述基底层的弯曲模量为E1,所述第一粘结剂的弯曲模量为E2,所述芯片的弯曲模量为E3,满足以下关系:
E1<E3,且E2<E3。
7.根据权利要求1所述的用于制作图像传感器的方法,其特征在于,所述芯片的非感光面粘结柔性支撑层的一面,使用所述第一粘结剂粘结所述柔性支撑层的另一面与所述基底层的第一平面。
8.根据权利要求1所述的用于制作图像传感器的方法,其特征在于,所述向凹型注塑模具注塑之后,还包括:
移除模具,将所述基底层放置于硬质基板上。
9.根据权利要求8所述的用于制作图像传感器的方法,其特征在于,所述使用第一粘结剂粘结所述芯片的非感光面与所述基底层的第一平面之后,还包括:
将所述基底层和所述芯片从所述硬质基板表面表面转移至基座上,所述基座上表面与所述基底层的第一凹型面构成非封闭的腔体。
10.根据权利要求9所述的用于制作图像传感器的方法,其特征在于,
在所述基座上表面设置有呈颗粒状分布的可流动的第二粘结剂。
11.根据权利要求10所述的用于制作图像传感器的方法,其特征在于,通过施压,使得所述基底层的第二平面通过所述第二粘结剂粘结在所述基座上表面。
12.根据权利要求1所述的用于制作图像传感器的方法,其特征在于,所述基底层的第一凹型面包括两个以上不同的曲率值。
13.一种图像传感器,其特征在于,所述图像传感器包括:
芯片,所述芯片包括感光弯曲面和与感光弯曲面相背对的非感光弯曲面,所述感光弯曲面包括感光区域;
基底层,所述基底层包括第二凹型面和与第二凹型面相背对的第二平面,所述基底层的第二凹型面通过第一粘结剂与所述芯片的非感光弯曲面粘结,所述第二凹型面的曲率根据成像透镜的场曲确定;
基座,所述基座通过第二粘结剂和所述基底层的第二平面粘结。
14.根据权利要求13所述的图像传感器,其特征在于,所述基底层材料为聚合物。
15.根据权利要求13所述的图像传感器,其特征在于,所述基底层的弯曲模量为E1,所述第一粘结剂的弯曲模量为E2,所述芯片的弯曲模量为E3,满足以下关系:
E1<E3,且E2<E3。
16.根据权利要求13所述的图像传感器,其特征在于,所述芯片的非感光弯曲面粘结柔性支撑层的一面,所述柔性支撑层的另一面通过所述第一粘结剂粘结所述基底层的第二凹型面。
17.根据权利要求13所述的图像传感器,其特征在于,所述基底层由凹型注塑模具注塑形成。
18.根据权利要求13所述的图像传感器,其特征在于,所述基底层为硅胶。
19.根据权利要求13所述的图像传感器,其特征在于,所述基底层透光,所述第一粘结剂为光固化粘结剂,所述第二粘结剂为光固化粘结剂。
20.根据权利要求13所述的图像传感器,其特征在于,所述基底层的第二凹型面包括两个以上不同的曲率值。
21.根据权利要求13所述的图像传感器,其特征在于,所述芯片的厚度为50um以下。
22.一种图像传感器,其特征在于,采用如权利要求1-12任意一项方法制作,所述图像传感器包括:
芯片,所述芯片包括感光弯曲面和与感光弯曲面相背对的非感光弯曲面,所述感光弯曲面包括感光区域;
基底层,所述基底层包括第二凹型面和与第二凹型面相背对的第二平面,所述基底层的第二凹型面通过所述第一粘结剂与所述芯片的非感光弯曲面粘结。
23.一种摄像头模组,其特征在于,包括如权利要求13-21任意一项所述的图像传感器,或者如权利要求22所述的图像传感器,所述图像传感器粘结在线路板表面,所述芯片通过引线和所述线路板连接,所述芯片上方设有镜头组件,所述镜头组件、所述图像传感器和所述线路板依次固定在支架内。
24.一种电子设备,其特征在于,包括如权利要求23所述的摄像头模组,以及
信号处理电路,用于处理所述摄像头模组的输出信号。
CN202011554135.4A 2020-12-24 2020-12-24 制作图像传感器的方法、图像传感器、摄像头模组和电子设备 Pending CN112713159A (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202011554135.4A CN112713159A (zh) 2020-12-24 2020-12-24 制作图像传感器的方法、图像传感器、摄像头模组和电子设备

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202011554135.4A CN112713159A (zh) 2020-12-24 2020-12-24 制作图像传感器的方法、图像传感器、摄像头模组和电子设备

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN112713159A true CN112713159A (zh) 2021-04-27

Family

ID=75545428

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202011554135.4A Pending CN112713159A (zh) 2020-12-24 2020-12-24 制作图像传感器的方法、图像传感器、摄像头模组和电子设备

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN112713159A (zh)

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1741886A (zh) * 2002-11-25 2006-03-01 宇部兴产机械株式会社 模内涂覆方法及模内涂覆的模制品
US20170301710A1 (en) * 2016-04-15 2017-10-19 SK Hynix Inc. Image sensors having curved upper surfaces and image sensor modules including the same
US20190006401A1 (en) * 2017-06-30 2019-01-03 SK Hynix Inc. Curved image sensor
CN209861013U (zh) * 2019-08-01 2019-12-27 宁波舜宇光电信息有限公司 感光组件和摄像模组
DE102018128194A1 (de) * 2018-11-12 2020-05-14 Leonhard Kurz Stiftung & Co. Kg Verfahren zur Herstellung eines Bauteils sowie Spritzgießvorrichtung

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1741886A (zh) * 2002-11-25 2006-03-01 宇部兴产机械株式会社 模内涂覆方法及模内涂覆的模制品
US20170301710A1 (en) * 2016-04-15 2017-10-19 SK Hynix Inc. Image sensors having curved upper surfaces and image sensor modules including the same
US20190006401A1 (en) * 2017-06-30 2019-01-03 SK Hynix Inc. Curved image sensor
DE102018128194A1 (de) * 2018-11-12 2020-05-14 Leonhard Kurz Stiftung & Co. Kg Verfahren zur Herstellung eines Bauteils sowie Spritzgießvorrichtung
CN209861013U (zh) * 2019-08-01 2019-12-27 宁波舜宇光电信息有限公司 感光组件和摄像模组

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101634353B1 (ko) 마이크로 렌즈, 상기 마이크로 렌즈 제조방법, 상기 마이크로 렌즈 제조 장치, 및 상기 마이크로 렌즈를 구비한카메라 모듈
TWI425825B (zh) 免調焦距影像感測器封裝結構
JP2010204632A (ja) ウェハレベルレンズアレイの製造方法、ウェハレンズアレイ、レンズモジュール及び撮像ユニット
US9121973B2 (en) Wafer level lens, lens sheet and manufacturing method thereof
US20100265597A1 (en) Rectangular stacked glass lens module with alignment member and manufacturing method thereof
US20160099285A1 (en) Method for manufacturing solid-state imaging device and method for manufacturing camera module
JP2011138089A (ja) ウェハレベルレンズアレイ、レンズモジュール及び撮像ユニット
US8679380B2 (en) Lens forming method
JP2011084060A (ja) レンズアレイのマスターモデル及びその製造方法
EP3278362B1 (en) Bending semiconductor chip in molds having radially varying curvature
US20230207588A1 (en) Integrated photosensitive module, photosensitive assembly, camera module and preparation method therefor
JP4781001B2 (ja) 複合レンズの製造方法
JP5673820B2 (ja) レンズユニットの製造方法
JP2009172773A (ja) 光学部品の製造方法、型の製造方法、光学部品製造装置、及び型製造装置
CN108076671B (zh) 包括直接粘附到衬底的间隔件的光学组件
JP2010098117A (ja) 電子装置および電子装置の製造方法
CN113726985B (zh) 感光芯片组件、摄像模组及终端设备
CN112713159A (zh) 制作图像传感器的方法、图像传感器、摄像头模组和电子设备
JP5202381B2 (ja) 成形装置、成形型の製造方法、光学素子アレイ板の製造方法、電子素子モジュールの製造方法、電子情報機器
US20100291256A1 (en) Mold for fabricating concave lenses
CN112106207A (zh) 光电模块及用于制造光电模块的晶片级方法
JP2011209699A (ja) ウェハレンズアレイ及びその製造方法
JP3154933U (ja) スタックレンズモジュールの位置決めレンズホルダー
WO2019196584A1 (zh) 感光组件、摄像模组及其制作方法
US10175462B2 (en) Wafer level lens system and method of fabricating the same

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination