TW201642102A

TW201642102A - 觸控感測器面板及基板

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Publication number: TW201642102A
Application number: TW105113031A
Authority: TW
Inventors: 多田信之; 橋本明裕; 遠藤靖
Original assignee: 富士軟片股份有限公司
Priority date: 2015-05-19
Filing date: 2016-04-27
Publication date: 2016-12-01
Also published as: JP2016220000A; JP6438841B2; WO2016185834A1; US20180059846A1; TWI696098B

Abstract

本發明的觸控感測器面板具有設於基板上的觸控感測器部、設於基板上或與基板接近而設置且收發直線極化波的天線、及設於基板上的至少一個L字形狀的寄生元件。觸控感測器部具備檢測部及周邊配線部。L字形狀的寄生元件具備以直角相交的兩條邊，且是根據天線所收發的直線極化波的頻率預先設定各邊的長度，而相對於天線配置於適當的位置。

Description

觸控感測器面板及基板

本發明是有關於一種具備寄生元件的觸控感測器面板及基板，尤其是有關於一種具備接收自天線發送的直線極化波並以與其正交的直線極化波的形式再發送的寄生元件的觸控感測器面板及基板。

目前，被稱為智慧型電話（smartphone）或平板（tablet）等的搭載有觸控面板的可攜式終端設備的高功能、小型化、薄型化及輕量化不斷發展。於該些可攜式終端設備中，搭載有電話用天線、無線上網（Wireless Fidelity，WiFi）用天線、藍牙（Bluetooth，註冊商標）用天線等多種天線。

例如於專利文獻1中記載有一種通信裝置，其混載有於不同的通信系統中使用的兩個天線。專利文獻1中，對極化波方向彼此不同的兩個天線分別配置L字型寄生元件，防止彼此的干擾。 [現有技術文獻] [專利文獻]

[專利文獻1]日本專利特開2005-86780號公報

[發明所欲解決之課題] 如上所述，伴隨著可攜式終端設備的小型化、多功能化、多樣化，可攜式終端設備的使用形態亦產生了各種狀態。若考慮到可攜式終端設備的使用時的所有保持狀態，則搭載於可攜式終端設備上的各種天線較理想為分集天線（diversity antenna），但天線的配置空間有限，難以搭載多個天線。於該情形時，天線難以於全方位維持穩定的性能。專利文獻1的通信裝置雖具備兩個天線，但有以下問題：各天線於與發送的直線極化波面正交的另一軸的極化波方向成為無感帶（dead band），容易產生通信不良等。如此，謀求具備可以單體於全方位維持穩定性能的天線的可攜式終端設備，但現狀下不存在此種天線。

本發明的目的在於解決所述基於現有技術的問題，並提供一種對與天線的直線極化波面正交的直線極化波的通信性能得到改善的觸控感測器面板及基板。 [解決課題之手段]

為了達成所述目的，本發明的第1態樣提供一種觸控感測器面板，其特徵在於具有：基板、設於基板上的觸控感測器部、設於基板上且收發直線極化波的天線、及設於基板上的至少一個L字形狀的寄生元件，並且觸控感測器部具備檢測部及周邊配線部，L字形狀的寄生元件具備以直角相交的兩條邊，且是根據天線所收發的直線極化波的頻率預先設定各邊的長度而配置。本發明的第2態樣提供一種觸控感測器面板，其特徵在於具有：基板、設於基板上的觸控感測器部、與基板接近而設置且收發直線極化波的天線、及設於基板上的至少一個L字形狀的寄生元件，並且觸控感測器部具備檢測部及周邊配線部，L字形狀的寄生元件具備以直角相交的兩條邊，且是根據天線所收發的直線極化波的頻率預先設定各邊的長度而配置。 L字形狀的寄生元件較佳為與周邊配線部是由同一材料所形成。

較佳為於基板的表面或背面上，相對於天線而旋轉對稱地配置有兩個L字形狀的寄生元件。另外，亦可為於基板的表面及背面的互不相同的面上旋轉對稱地配置有兩個L字形狀的寄生元件的構成。另外，亦可為以下構成：具有兩個L字形狀的寄生元件，與各寄生元件相對應的直線極化波的頻率不同，對各寄生元件根據天線的直線極化波的頻率預先設定各邊的長度。另外，亦可為以下構成：以旋轉對稱地配置的兩個L字形狀的寄生元件為組，於基板的表面及背面的互不相同的面上配置有兩組，與各組相對應的直線極化波的頻率不同，寄生元件是對各組根據天線的直線極化波的頻率預先設定各邊的長度。

本發明的第3態樣提供一種基板，其是接近收發直線極化波的天線而配置的基板，且其特徵在於：基板具有至少一個L字形狀的寄生元件，L字形狀的寄生元件具備由具有導電性的材料所形成的以直角相交的兩條邊，且是根據天線所收發的直線極化波的頻率預先設定各邊的長度而配置。較佳為於基板的表面或背面上，相對於天線而旋轉對稱地配置有兩個L字形狀的寄生元件。較佳為於基板的表面及背面的互不相同的面上旋轉對稱地配置有兩個L字形狀的寄生元件。較佳為具有兩個L字形狀的寄生元件，且與各寄生元件相對應的直線極化波的頻率不同，對各寄生元件根據天線的直線極化波的頻率預先設定各邊的長度。較佳為以旋轉對稱地配置的兩個L字形狀的寄生元件為組，於基板的表面及背面的互不相同的面上配置有兩組，與各組相對應的直線極化波的頻率不同，寄生元件是對各組根據天線的直線極化波的頻率預先設定各邊的長度。 [發明的效果]

根據本發明，可獲得一種對與天線的直線極化波面正交的直線極化波的通信性能得到改善的觸控感測器面板及基板。

以下，根據隨附圖式所示的較佳實施形態來對本發明的觸控感測器面板及基板加以詳細說明。再者，下文中表示數值範圍的「～」包含兩側所記載的數值。例如所謂ε為數值α～數值β，是指ε的範圍為包含數值α及數值β的範圍，若以數學記號來表示則為α≦ε≦β。所謂光學透明及僅透明，均是指光透過率於波長400 nm～800 nm的可見光波長範圍內至少為60%以上，較佳為75%以上，更佳為80%以上，進而更佳為85%以上。光透過率例如是使用日本工業標準（Japanese Industrial Standards，JIS）K 7375:2008規定的「塑膠-全光線透過率及全光線反射率的求出方法」而測定。

圖1為表示具有本發明的第1實施形態的觸控感測器面板的可攜式終端設備的構成的示意圖，圖2為表示本發明的第1實施形態的觸控感測器面板的示意性平面圖。圖1及圖2所示的觸控感測器面板10是於搭載有觸控面板的可攜式終端設備中使用，是與液晶顯示裝置等顯示裝置13一起使用，且設於顯示裝置13上。因此，觸控感測器面板10中，為了識別顯示裝置13中所顯示的圖像，與顯示裝置13的顯示圖像相對應的區域為透明。顯示裝置13只要可將包括動態影像等的既定圖像顯示於畫面上，則並無特別限定，除了所述液晶顯示裝置以外，例如可使用有機電致發光（Organic Electro Luminescence，有機EL）顯示裝置及電子紙等。由觸控感測器面板10及顯示裝置13構成搭載觸控面板且可通信的可攜式終端設備17。

圖1所示的觸控感測器面板10具有觸控感測器部12、及控制觸控感測器部12的控制基板14。於觸控感測器部12與主基板11之間配置有顯示裝置13。於如液晶顯示裝置般使用鋁製的屏蔽板（未圖示）作為顯示裝置13的情形時，為了避免受到屏蔽板的影響，天線16是設於主基板11的表面11a中未配置顯示裝置13之處。觸控感測器部12與主基板11之間的距離通常為1 mm～5 mm左右，天線16的附近是由空氣、印刷基板、其他絕緣介質充滿。如圖1及圖2所示，觸控感測器部12與控制基板14例如是經由可撓性印刷配線基板（Flexible printed circuits，FPC）15而電性連接。觸控感測器部12與控制基板14的電性連接不限定於可撓性配線基板15，亦可經連接器（connector）（未圖示）電性連接。主基板11與顯示裝置13例如是經由可撓性印刷配線基板（FPC）19而電性連接。主基板11與控制基板14例如是經由可撓性印刷配線基板（FPC）19而電性連接。

主基板11上安裝有控制電路（未圖示），該控制電路進行顯示裝置13的控制、控制基板14的控制、及經由天線16的資料通信的控制等。控制電路例如是由電子電路所構成。可藉由安裝於主基板11上的控制電路（未圖示）而自天線16發出發送信號，並接到接收信號，從而可與外部設備進行資訊的授受。控制基板14具有觸控感測器部12的控制電路（未圖示）、及與主基板11的通信電路（未圖示）。若以手指等觸摸（touch）觸控感測器部12的下文中將詳述的感測器部18a，則所觸摸的位置若為靜電電容式則產生靜電電容的變化，並由控制基板14檢測該靜電電容的變化，從而確定所觸摸的位置的座標。關於控制基板14，是由通常用於觸控面板的位置檢測的公知的控制基板所構成。再者，若觸控感測器部12為靜電電容式，則利用靜電電容式的控制電路。另外，若觸控感測器部12為電阻膜式，則適當利用電阻膜式的控制電路。另外，主基板11中，關於控制顯示裝置13的控制電路、及控制資料通信的控制電路，可適當利用公知的控制電路。

圖2所示的x軸方向與y軸方向正交。於觸控感測器面板10的觸控感測器部12中，於y軸方向上設置間隔而配置有多個沿x軸方向延伸的第1導電層30。另外，於x軸方向上設置間隔而配置有多個沿y軸方向延伸的第2導電層40。各第1導電層30於其一端與第1配線32電性連接。各第1配線32是藉由可撓性配線基板15而連接於控制基板14。各第2導電層40於其一端與第2配線42電性連接。各第2配線42是藉由可撓性配線基板15而連接於控制基板14。再者，對於第1導電層30的一部分，省略所連接的第1配線32的圖示。對於第2導電層40的一部分，亦省略所連接的第2配線42的圖示。

第1導電層30及第2導電層40均作為檢測觸控感測器面板10中的觸摸的檢測電極而發揮功能。由第1導電層30及第2導電層40構成檢測觸摸的感測器部18a。將第1配線32與第2配線42統稱為周邊配線部18b。第1導電層30與第2導電層40為相同構成，第1配線32與第2配線42為相同構成。

如圖3所示，於觸控感測器部12中，於基板20的表面20a上形成有第1導電層30，於基板20的背面20b上形成有第2導電層40。於第1導電層30上介隔接著層22而設有保護層24，於第2導電層40上介隔接著層22而設有保護層24。雖圖3中未圖示，但於形成有第1導電層30的基板20的表面20a上形成有第1配線32。另外，雖於圖3中未圖示，但於形成有第2導電層40的基板20的背面20b上形成有第2配線42。

藉由在一個基板20的表面20a上形成第1導電層30，於背面20b上形成第2導電層40，即便基板20收縮亦可減小第1導電層30與第2導電層40的位置關係的偏移。

觸控感測器面板10例如可為於一個基板20上設置一個導電層的構成。亦可如圖4所示的觸控感測器部12般為以下構成：於在一個基板20的表面20a上形成有第1導電層30的基板20的背面20b上，介隔接著層26而積層有於表面21a上形成有第2導電層40的基板21。於該情形時，於第1導電層30上介隔接著層22而設有保護層24。再者，基板21為與基板20相同的構成。

如圖5所示，第1導電層30及第2導電層40分別是由導電性細線35所構成。導電性細線35的線寬d較佳為0.1 μm以上且5 μm以下，進而佳為0.5 μm以上且4 μm以下。若導電性細線35的線寬d為所述範圍，則可相對較容易地使第1導電層30與第2導電層40成為低電阻。

導電性細線35的厚度並無特別限制，較佳為0.1 μm～10 μm，最佳為0.5 μm～5 μm。若為所述範圍，則可相對較容易地獲得低電阻且耐久性優異的第1導電層30及第2導電層40。導電性細線35的線寬d及導電性細線35的厚度例如可使用光學顯微鏡、雷射顯微鏡、數位顯微鏡（digital microscope）等來測定。

圖2中，第1導電層30及第2導電層40均是示意性地以棒狀而圖示，但如圖5所示，例如第1導電層30及第2導電層40具有將由導電性細線35所構成的單元37組合多數個而成的網格圖案39。各單元37例如是由多邊形所構成。多邊形可列舉三角形、正方形、長方形、平行四邊形、菱形等四邊形、五邊形、六邊形、無規多邊形等。另外，構成多邊形的邊的一部分亦可為曲線。

若網格圖案39的單元37的一邊的長度Pa過短，則有開口率及透過率降低、隨之透明性劣化等問題。反之，若單元37的一邊的長度Pa過長，則可能無法以高的解析度來檢測觸摸位置。網格圖案39的單元37的一邊的長度Pa並無特別限制，較佳為50 μm～500 μm，進而佳為100 μm～400 μm。於單元37的一邊的長度Pa為所述範圍的情形時，進而亦可確保透明性良好，於安裝於顯示裝置的前表面時，可無不適感地視認到顯示。就可見光透過率的方面而言，由導電性細線35所形成的網格圖案39的開口率較佳為80%以上，進而佳為85%以上，最佳為90%以上。所謂開口率，是指除了導電性細線35以外的透光性部分於總體中所佔的比例。

藉由將第1導電層30與第2導電層40設定為導電性細線35交叉而成為網格狀的網格結構，可降低電阻，且亦不易斷線。進而，於產生了斷線的情形時，亦可降低對檢測電極的電阻值的影響。網格結構的情況下，網格形狀可為將相同的形狀規則性地排列而成的定型形狀，亦可為無規形狀。定型形狀的情況下，較佳為正方形、菱形、正六邊形，尤佳為菱形。菱形的情況下，就減少與顯示裝置的雲紋（moire）的觀點而言，其銳角的角度較佳為50°～80°。網格間距較佳為50 μm～500 μm，網格的開口率較佳為82%～99%。網格的開口率是以網格部中的導體細線的非佔有面積率來定義。再者，網格狀金屬電極例如可使用日本專利特開2011-129501號公報及日本專利特開2013-149236號公報等中揭示的網眼狀的網格狀金屬電極。除此以外，例如亦可適當使用靜電電容式的觸控面板中所用的檢測電極。關於單元37的一邊的長度Pa、網格的角度、網格的開口率，例如可使用光學顯微鏡、雷射顯微鏡、數位顯微鏡等來測定。

周邊配線部18b的厚度並無特別限制，較佳為0.1 μm～0.2 mm，最佳為0.5 μm～35 μm。若為所述範圍，則可相對較容易地獲得低電阻且耐久性優異的第1配線32及第2配線42。與導電性細線35同樣地，周邊配線部18b的厚度例如可使用光學顯微鏡、雷射顯微鏡、數位顯微鏡等來測定。

導電性細線35、周邊配線部18b、寄生元件50、後述天線70及後述接地線72是由導電性材料所構成，例如是由金屬、合金或化合物所構成。導電性細線35、周邊配線部18b、寄生元件50、後述天線70及後述接地線72可適當利用通常用作導體的材料，其組成並無特別限定。導電性細線35、周邊配線部18b、寄生元件50、後述天線70及後述接地線72例如是由氧化銦錫（Indium Tin Oxide，ITO）、金（Au）、銀（Ag）、銅（Cu）、鎳（Ni）、鈦（Ti）、鈀（Pd）、鉑（Pt）、鋁（Al）、鎢（W）或鉬（Mo）所形成。另外，亦可為該些金屬的合金。導電性細線35、周邊配線部18b、寄生元件50、後述天線70及後述接地線72亦可由在金（Au）、銀（Ag）或銅（Cu）中更含有黏合劑的材料所構成，其亦包括在導電性細線35、周邊配線部18b、寄生元件50、後述天線70及後述接地線72中。藉由導電性細線35、周邊配線部18b、寄生元件50、後述天線70及後述接地線72含有黏合劑，容易進行彎曲加工，且耐彎曲性提高。黏合劑可適當使用導電性膜的配線所利用的黏合劑，例如可使用日本專利特開2013-149236號公報中記載的黏合劑。導電性細線35於由金屬或合金所構成的情形時，為金屬細線。

接著層22例如可使用被稱為光學透明膠（Optically Clear Adhesive，OCA）的光學透明的黏著劑、或被稱為光學透明樹脂（Optically Clear Resin，OCR）的紫外線硬化樹脂等光學透明的樹脂。保護層24是用於保護第1導電層30、第2導電層40、第1配線32及第2配線42、寄生元件50、後述天線70及後述接地線72的層。保護層24的構成並無特別限定。例如可使用玻璃、聚碳酸酯（PC）、聚對苯二甲酸乙二酯（PET）、丙烯酸系樹脂（聚甲基丙烯酸甲酯（Polymethylmethacrylate，PMMA））等。

觸控感測器面板10中，如圖1所示，於主基板11的表面11a上，於與觸控感測器部12的角部12c（參照圖2）相對應的位置設有天線16。天線16接收且發送直線極化波。天線16的構成並無特別限定，例如可使用晶片天線（chip antenna）。晶片天線例如為於陶瓷等高介電常數介質的芯（core）上形成線圈（coil）並以塑膠覆蓋而成的結構。再者，天線16可利用與規格等相應的各種構成的天線，例如線狀天線、塊狀天線（patch antenna）等、及包括其變形的任意的天線。天線16除了晶片天線以外，可使用偶極天線及單極天線（monopole antenna）。

於基板20的表面20a上設有L字形狀的寄生元件50。寄生元件50僅是簡單地形成於基板20上且處於漂浮（floating）的狀態，並未經由導體等而連接於包括天線16的任何部位。然而，寄生元件50與天線16相互作用，且電性結合。寄生元件50與天線16作為經一體化的一個天線而發揮功能。

寄生元件50藉由與天線16的相互作用而改善對與天線16的直線極化波面正交的直線極化波的通信性能。寄生元件50不限於設於基板20的表面20a上，亦可設於基板20的背面20b上。寄生元件50可將自天線16發送的直線極化波的能量的一部分轉變成與該極化波面正交的直線極化波的能量，並再發送。另外，寄生元件50將所接收的直線極化波的能量轉變成與該極化波面正交的直線極化波的能量並再發送，故天線16可藉由與寄生元件50的組合而接收與天線16的直線極化波面正交的直線極化波。藉此，對與天線16的直線極化波面正交的直線極化波的通信性能得到改善。寄生元件50是由導體所構成，可使用與導電性細線35、或周邊配線部18b相同的材質來構成。因此，省略其詳細說明。寄生元件50的厚度可與導電性細線35、或周邊配線部18b相同。即，厚度可與觸控感測器部12的第1導電層30及第2導電層40、或第1配線32及第2配線42相同。

如圖6所示，寄生元件50為具有以直角相交的兩條邊即長邊52、短邊54的L字形狀的構件。寄生元件50例如是由寬度為t的箔狀的導體56所構成。該箔狀的導體56例如為被稱為整體膜的面狀的膜。如圖7所示，寄生元件50亦可由寬度為t的網格狀的導體58所構成，該導體58是由所述導電性細線35或周邊配線部18b所構成。寄生元件50的兩條邊即長邊52、短邊54以直角相交。寄生元件50中，就指向性的觀點而言，所謂直角較佳為90°，但容許製造上的誤差。於該情形時，相對於直角、即90°而容許±10°左右。

寄生元件50的長邊52的長度m₁ 及短邊54的長度m₂ 是根據天線16的構成而適當設定，長度m₁ 與長度m₂ 之和為相當於與天線16所收發的直線極化波的頻率共振的1/2波長的長度，且預先設定長度m₁ 與長度m₂ 之比率m₁ /m₂ 。寄生元件50是以天線16的接收感度低的方向的接收感度變高的方式相對於天線16而配置。此處，天線16是y軸方向的直線極化波Wpx的接收感度相對低於x軸方向的直線極化波Wpy的接收感度。於該情形時，如圖8所示，使長邊52相對於x軸方向的直線極化波Wpy平行而配置寄生元件50。此時，天線16的直線極化波的中心軸（未圖示）與寄生元件50的長邊52的中心軸（未圖示）之間的y軸方向的距離為0 mm～20 mm的範圍，較理想為0 mm～10 mm。另外，寄生元件50相對於天線16的x軸方向的位置為寄生元件50的短邊54的中心軸（未圖示）與天線16交叉、或距離天線16的端部50 mm以內的範圍。於該狀態下，於y軸方向的直線極化波Wpx到達寄生元件50的短邊54中，沿y軸方向產生的感應電流於整個寄生元件50中擴展，藉由該感應電流而自長邊52以x軸方向的直線極化波Wpy的形式再發送，並由天線16接收。藉此，可提高天線16的y軸方向的直線極化波Wpx的接收感度。寄生元件50可將y軸方向的直線極化波Wpx轉變成x軸方向的直線極化波Wpy。

於自天線16發送時，藉由x軸方向的直線極化波Wpy而於寄生元件50中共振，於長邊52中沿x軸方向產生感應電流，而自短邊54發送y軸方向的直線極化波Wpx。如此，可將自天線16發送的直線極化波的能量的一部分轉變成與該極化波面正交的直線極化波的能量，並再發送，可減少天線16的直線極化波的收發中的成為由極化波方向所致的無感帶的方向。即，對與天線16的直線極化波面正交的直線極化波的通信性能得到改善。藉此，於天線的配置空間有限，難以搭載多個天線的情形時，即便天線16為一個，亦可於全方位維持穩定的性能。

如上所述，天線16與寄生元件50作為經一體化的一個天線、即正交極化波共用天線而發揮功能。天線16與寄生元件50共振，藉由自天線16所發送的直線極化波而於寄生元件50內產生感應電流，除了自天線16發送的直線極化波以外，自寄生元件50發送與自天線16發送的直線極化波正交的直線極化波。即，可獲得與分集天線相同的效果。因此，與為了避免收發直線極化波的天線的由極化波方向所致的無感帶而使用分集天線及控制該些分集天線的複雜電路的情形相比較，可藉由一個天線16與寄生元件50的組合而基本上網羅全方位，故無需收發電路的天線切換功能，能以簡單的結構而於全方位維持穩定的性能。而且，L字形狀的寄生元件50可收容於觸控感測器面板10上。再者，可改變寄生元件50的長邊52的長度m₁ 與短邊54的長度m₂ 之比率m₁ /m₂ ，調整自天線16及寄生元件50整體發送的彼此正交的兩條直線極化波的強度。進而，可根據天線16與寄生元件50的位置關係而調整自天線16及寄生元件50整體發送的彼此正交的兩條直線極化波的強度及相位，將彼此正交的兩條直線極化波合成所得的極化波成為與天線16的直線極化波不同的新的直線極化波、橢圓極化波、或與天線16的直線極化波不同的新的直線極化波與橢圓極化波的混合極化波。

於天線16為例如可接受不同的兩個頻率的寬帶（wide band）天線的情形時，如圖9所示，藉由設置第1寄生元件50a與第2寄生元件50b此兩個寄生元件，可提高接收感度而改善對與天線16的直線極化波面正交的直線極化波的通信性能。第1寄生元件50a與第2寄生元件50b是分別配置於基板20的不同的面上。例如，將第1寄生元件50a設於基板20的表面20a上，將第2寄生元件50b設於基板20的背面20b上。對於第1寄生元件50a與第2寄生元件50b而言，對應的直線極化波的頻率不同。與所述寄生元件50同樣地，第1寄生元件50a的長邊52a及短邊54a、第2寄生元件50b的長邊52及短邊54b是根據接收的直線極化波的頻率而預先設定長度及該長度之比率。

第1導電層30、第1配線32、第2導電層40、第2配線42及寄生元件50的形成方法並無特別限定。例如亦可使用利用鍍敷法的配線形成方法。鍍敷方法可僅為無電解電鍍，亦可於無電解電鍍後進行電解電鍍。另外，使用鍍敷法的配線形成方法可為減成（subtractive）法，亦可為半加成（semi-additive）法，亦可為全加成（fully-additive）法。另外亦可藉由以下方式形成：對具有含有感光性鹵化銀鹽的乳劑層的感光材料進行曝光，實施顯影處理。另外，可於基板20上形成金屬箔，於各金屬箔上以圖案狀印刷抗蝕劑，或藉由對全面塗佈的抗蝕劑進行曝光、顯影而圖案化，對開口部的金屬進行蝕刻，藉此形成第1導電層30、第1配線32、第2導電層40、第2配線42及寄生元件50。除此以外的形成方法可列舉：印刷含有構成所述導體的材料的微粒子的糊劑，對糊劑實施金屬鍍敷的方法；及使用噴墨法的方法，該噴墨法使用含有構成所述導體的材料的微粒子的油墨。

另外，於第1導電層30、第1配線32及寄生元件50是形成於同一面上，且使用曝光來形成第1導電層30及第1配線32的情形時，藉由將曝光圖案設為各部的圖案，可一併形成第1導電層30、第1配線32及寄生元件50。藉此，可簡化製造步驟，可抑制製造成本。而且，可由同一材料來形成該些構件。另外，於對基板20的兩面同時曝光而形成第1導電層30與第1配線32及第2導電層40與第1配線32的情形時，進而亦可一併形成第2導電層40，故可進一步提高生產效率，可進一步抑制製造成本。此處，所謂同一材料，是指組成成分的種類及含量一致。所謂該一致，是指組成成分的種類相同，含量容許±10%的範圍。另外，例如於利用相同步驟使用相同材料形成的情形時是指同一材料。組成及含量例如可使用螢光X射線分析裝置來測定。當然，寄生元件50、感測器部18a及周邊配線部18b不應全部限定於同一材料而形成，可分別以不同的材料、不同的厚度而形成。

為了便於製造，寄生元件50較理想為配置於觸控感測器部12的基板的表面或背面上，寄生元件50的功能本身絲毫不依存於感測器部18a及周邊配線部18b，故寄生元件50的配置部位不限定於觸控感測器部12。

繼而，對觸控感測器面板的第2實施形態加以說明。圖10為表示本發明的第2實施形態的觸控感測器面板的示意性平面圖，圖11為表示兩個寄生元件的配置的一例的示意性平面圖。圖12為表示寄生元件的配置的一例的示意性立體圖，圖13為表示寄生元件的配置的其他例的示意性立體圖，圖14為表示寄生元件的配置的其他例的示意性立體圖。於圖10及圖11以及圖12～圖14中，對與圖1及圖2所示的第1實施形態的觸控感測器面板10、圖3～圖5所示的第1實施形態的觸控感測器部12、以及圖6及圖7所示的第1實施形態的寄生元件50相同的構成物標註相同符號，省略其詳細說明。再者，圖10中對第1導電層30的一部分省略所連接的第1配線32的圖示。對第2導電層40的一部分亦省略所連接的第2配線42的圖示。

與第1實施形態的觸控感測器面板10（參照圖2）相比，圖10所示的本實施形態的觸控感測器面板10a於天線16的配置位置不同、及設有兩個寄生元件50的方面不同，除此以外的構成為與第1實施形態的觸控感測器面板10（參照圖2）相同的構成，故省略其詳細說明。

於觸控感測器面板10a中，天線16雖未圖示，但設於主基板11的表面11a（參照圖1）上且未設置顯示裝置13的位置12d。兩個寄生元件50是相對於天線16而設於旋轉對稱的位置。此處，天線16是x軸方向的直線極化波Wpy的接收感度相對低於y軸方向的直線極化波Wpx的接收感度。於該情形時，如圖11所示，兩個寄生元件50是隔著天線16使各長邊52沿著通過天線16、且平行於y軸方向的直線C上而配置。直線C對應於天線16的直線極化波面。再者，將兩個寄生元件50統稱為組60。

天線16與兩個寄生元件50的位置關係較理想為於天線16的直線極化波方向即C軸上使L字形狀的寄生元件的一邊一致，且使L字形狀的寄生元件的另一邊與通過天線16的直線極化波的中心且相對於直線極化波而成垂直的方向一致。再者，該些位置關係並不嚴格，可於可獲得所需特性的範圍內具有稍許偏差。所容許的偏差亦依存於收發所用的頻率、插入至天線16與兩個寄生元件50之間的絕緣介質的厚度、及該絕緣介質的介電常數，天線16的直線極化波的中心軸（未圖示）與兩個寄生元件50的長邊52的中心軸（未圖示）之間的x軸方向（記載於圖11）的距離為0 mm～20 mm的範圍，較理想為0 mm～10 mm。同樣地，通過天線16的電流分佈達到最大的點且相對於天線16的直線極化波的中心軸而垂直的直線（未圖示）與兩個寄生元件50的短邊54的中心軸（未圖示）之間的y軸方向（記載於圖11）的距離為0 mm～100 mm的範圍，較理想為0 mm～50 mm，最理想為0 mm～20 mm。

兩個寄生元件50於短邊54中接收x軸方向的直線極化波Wpy。若x軸方向的直線極化波Wpy到達寄生元件50，則於寄生元件50的短邊54中沿著x軸方向而產生的感應電流於整個寄生元件50中擴展。藉由該感應電流而自長邊52以y軸方向的直線極化波Wpx的形式再發送，並由天線16接收。藉此，可提高天線16的x軸方向的直線極化波Wpy的接收感度。兩個寄生元件50可將x軸方向的直線極化波Wpy轉變成y軸方向的直線極化波Wpx。於自天線16發送時，藉由y軸方向的直線極化波Wpx而於寄生元件50的長邊52中向x軸方向產生感應電流，並於整個寄生元件50中擴展。藉由該感應電流而自短邊54發送x軸方向的直線極化波Wpy，以天線16為中心而朝四個方向發送直線極化波Wpx、直線極化波Wpy。如此，可將自天線16發送的直線極化波的能量的一部分轉變成與該極化波面正交的直線極化波的能量，並再發送，可減少天線16的直線極化波的收發中的成為由極化波方向所致的無感帶的方向。即，可進一步改善對與天線16的直線極化波面正交的直線極化波的通信性能。藉此，於天線的配置空間有限、難以搭載多個天線的情形時，即便天線16為一個，與寄生元件50為一個的情形相比亦可於全方位進一步維持穩定的性能。

如上所述，天線16與兩個寄生元件50作為經一體化的一個天線、即正交極化波共用天線而發揮功能。天線16與兩個寄生元件50共振，藉由自天線16發送的直線極化波而於兩個寄生元件50內產生感應電流，除了自天線16發送的直線極化波以外，還自寄生元件50發送與自天線16發送的直線極化波正交的直線極化波。於該情形時，與寄生元件50為一個的情形相比，更多地發送與自天線16發送的直線極化波正交的直線極化波。如此，於使用兩個寄生元件50的情形時，亦可進一步獲得與分集天線相同的效果。因此，於為了避免收發直線極化波的天線的由極化波方向所致的無感帶而使用分集天線及控制該些分集天線的複雜電路的情形相比，可利用一個天線基本上網羅全方位，藉此無需收發電路的天線切換功能，可利用簡單的結構而於全方位維持穩定的性能。而且，L字形狀的寄生元件50可收容於觸控感測器面板10上。再者，於使用兩個寄生元件50的情形時，寄生元件50的長邊52的長度m₁ 與短邊54的長度m₂ 之和亦為相當於與天線16所收發的直線極化波的頻率共振的1/2波長的長度，且可改變寄生元件50的長邊52的長度m₁ 與短邊54的長度m₂ 之比率m₁ /m₂ ，而調整自天線16與兩個寄生元件50整體發送的彼此正交的兩條直線極化波的強度。進而，可根據天線16與兩個寄生元件50的距離、及兩個寄生元件間的距離來調整自天線16與兩個寄生元件50整體發送的彼此正交的兩條直線極化波的強度及相位，將彼此正交的兩條直線極化波合成所得的極化波成為與天線16的直線極化波不同的新的直線極化波、橢圓極化波、或與天線16的直線極化波不同的新的直線極化波與橢圓極化波的混合極化波。

兩個寄生元件50例如是設於基板20的表面20a或背面20b的同一面上。可如圖12所示般設於基板20的表面20a上。另外，雖未圖示，但亦可將兩個寄生元件50設於基板20的背面20b上。另外，於使用多個基板的情形時，亦可為於各基板上各設置一個寄生元件50的構成。亦可如圖13所示般為於基板20的表面20a與背面20b上各設置一個寄生元件50的構成。於該情形時，使長邊52沿著直線C上而配置。

於天線16為例如可接收不同的兩個頻率的寬帶天線的情形時，以兩個L字形狀的寄生元件為組，設置兩組寄生元件的組。於該情形時，如圖14所示，將第1寄生元件50a的組60a設於基板20的表面20a上，且將第2寄生元件50b的組60b設於基板20的背面20b上。於組60a中，第1寄生元件50a彼此是使長邊52a位於直線C₁ 上且旋轉對稱地配置。於組60b中，第2寄生元件50b彼此是使長邊52b位於直線C₂ 上且旋轉對象地配置。與各組60a、組60b相對應的直線極化波的頻率各不相同。第1寄生元件50a的長邊52a及短邊54a、第2寄生元件50b的長邊52及短邊54b是根據接收的直線極化波的頻率預先設定各邊的長度。再者，各組60a、組60b若配置於基板20的不同的面上，則任一者可位於表面20a亦可位於背面20b，並無特別限定。

另外，各組60a、組60b的寄生元件50、感測器部18a及周邊配線部18b不應全部限定於同一材料而形成，可分別以不同的材料、不同的厚度而形成。

於將兩個L字形狀的寄生元件形成於同一面上的情況下，作為寬帶域化、小型化的一例，設為圖15～圖21所記載的形狀亦有效。再者，該些用以實現寬帶域化、小型化的寄生元件不限定於圖16及圖17所示的構成。圖15～圖18為表示兩個寄生元件的同一面上的配置的一例的示意性平面圖。

圖15所示的寄生元件80中，使中心軸83正交而配置的兩條邊82經相對於各中心軸83而傾斜的斜邊84連接。邊82的寬度一定。兩個寄生元件80是使斜邊84相向、且使邊82的中心軸83與直線C及和該直線C正交的直線Cn一致而配置。與圖15所示的寄生元件80相比，圖16所示的寄生元件80a除了兩條邊82a自斜邊84向前端逐漸變寬的方面以外，為與圖15所示的寄生元件80相同的構成，故省略其詳細說明。寄生元件80a是使斜邊84相向、且使邊82a的中心軸83與直線C及和該直線C正交的直線Cn一致而配置。圖16所示的寄生元件80a將邊82a設為寬幅的構成，於寬帶域化的情形時有效。與圖15所示的寄生元件80相比，圖17所示的寄生元件80b除了兩條邊82b為L字形狀的方面以外，為與圖15所示的寄生元件80相同的構成，故省略其詳細說明。兩個寄生元件80b是使斜邊84相向、且使邊82b的中心軸83與直線C及和該直線C正交的直線Cn一致而配置。圖17所示的寄生元件80b將邊82b設為L字形狀，故於小型化的情形時有效。

與圖15所示的寄生元件80相比，圖18所示的寄生元件80c除了將L字形狀的第1邊85a與L字形狀的第2邊85b連接成直角的方面、及兩個寄生元件80c隔著直線C而使第2邊85b的一部重疊配置的方面以外，為與圖15所示的寄生元件80相同的構成，故省略其詳細說明。兩個寄生元件80c分別是使直線C與第2邊85b的中心軸83b平行而配置。於該情形時，第1邊85a的中心軸83a與和直線C正交的直線Cn平行。圖18所示的寄生元件80c將第1邊85a及第2邊85b設為L字形狀，且重疊配置第2邊85b，故於小型化的情形時有效。

於圖19中示出圖18所示的寄生元件80c與天線16的配置的一例。如圖19所示，天線16是沿著直線C上而配置。直線C相當於收發中的直線極化波面。兩個寄生元件80c是隔著天線16而分別使直線C與第2邊85b的中心軸83b平行、且使第1邊85a的中心軸83a與直線Cn一致而配置。直線Cn亦為垂直於所述天線16的直線極化波面的軸。

於圖20中示出圖15所示的寄生元件80與偶極天線90的配置的一例。如圖20所示，偶極天線90是沿著直線C上而配置。直線C相當於偶極天線90的收發中的直線極化波面。兩個寄生元件80是使斜邊84相向、且相對於偶極天線90而使邊82的中心軸83與直線C及和該直線C正交的直線Cn一致而配置。直線Cn亦為垂直於所述直線極化波面的軸。於圖21中示出圖15所示的寄生元件80的與偶極天線90的配置的其他例。與圖20所示的兩個寄生元件80與偶極天線90的配置相比，圖21所示的兩個寄生元件80與偶極天線90的配置除了使斜邊84於直線C上遠離而配置的方面以外，與圖20所示的兩個寄生元件80的配置相同，故省略其詳細說明。

為了簡化製造步驟、抑制製造成本，兩個寄生元件50較理想為形成於觸控感測器面板10上。另一方面，於不具有觸控感測器功能的可攜式終端設備中，無需考慮具有兩個寄生元件50的基板的製造步驟的簡化、製造成本的抑制。於該情形時，只要於並非觸控感測器面板10的基板20的其他通用的可撓性基板92（參照圖1）上製作兩個寄生元件50即可。以下，將可撓性基板92簡稱為基板92。再者，基板92不限定於可撓性基板。基板92是接近收發直線極化波的天線16（參照圖1）而配置，基板92的配置位置例如為顯示裝置13（參照圖1）、與設於顯示裝置13上的強化玻璃等蓋層之間。具有兩個寄生元件50的基板92可設置接著層22（參照圖3）及視需要的保護層24（參照圖3）。另外，具有兩個寄生元件50的基板92亦可配置於顯示裝置13的相反側、即可攜式終端設備17（參照圖1）的背面側，例如亦可配置於包含非導電性原材料的背面蓋層（cover）的內面。

進而，亦可於主基板11的表面11a上具有天線16，且於主基板11的背面11b上配置兩個寄生元件50。另外，天線16並不限定於主基板11的表面11a而配置，例如亦可為形成於聚醯亞胺基板上的可撓性的平面天線，亦可經纜線（cable）而與主基板11連接。

繼而，對觸控感測器面板的第3實施形態加以說明。圖22為表示本發明的第3實施形態的觸控感測器面板的示意性平面圖，圖23為表示寄生元件的配置的一例的示意性平面圖。於圖22及圖23中，對與圖1及圖2所示的第1實施形態的觸控感測器面板10、圖3～圖5所示的第1實施形態的觸控感測器部12、以及圖6及圖7所示的第1實施形態的寄生元件50相同的構成物標註相同符號，省略其詳細說明。再者，圖22中對第1導電層30的一部分省略所連接的第1配線32的圖示。對第2導電層40的一部分亦省略所連接的第2配線42的圖示。

與第1實施形態的觸控感測器面板10（參照圖2）相比，圖22所示的本實施形態的觸控感測器面板10b中，天線70的構成不同，且寄生元件50的配置位置不同，除此以外的構成為與第1實施形態的觸控感測器面板10（參照圖2）相同的構成，故省略其詳細說明。

觸控感測器面板10b中，將天線70設於觸控感測器部12的角部12c。天線70為單極天線的一種，與接地線72重疊的部分是設為微帶線（microstrip line）結構。天線70及接地線72分別連接於可撓性配線基板15，並與主基板11的信號線（未圖示）及接地線（未圖示）電性連接。與寄生元件50同樣地，天線70及接地線72亦可由圖6所示的箔狀的導體56、圖7所示的網格狀的導體58的任一種構成。

如圖23所示，天線70例如是設定為y軸方向的直線極化波Wpx的接收感度相對高於x軸方向的直線極化波Wpy的接收感度。於該情形時，為了提高x軸方向的直線極化波Wpy的接收感度，使短邊54朝向x軸方向、且使長邊52沿著沿y軸方向延伸的天線70而配置寄生元件50。於該情形時，寄生元件50亦處於漂浮的狀態，並未經由導體等而連接於包括天線70的任何部位。然而，寄生元件50與天線70相互作用，且電性結合。寄生元件50與天線70作為經一體化的一個天線、即正交極化波共用天線而發揮功能。

藉由相對於單極天線的天線70而如上所述般配置寄生元件50，若x軸方向的直線極化波Wpy到達寄生元件50，則沿著x軸方向產生感應電流，並於整個寄生元件50中擴展。藉由該感應電流而自長邊52以y軸方向的直線極化波Wpx的形式再發送，並由天線70接收。藉此，可提高天線70的x軸方向的直線極化波Wpy的接收感度，可改善對與天線70的直線極化波面正交的直線極化波的通信性能。於自天線70發送時，藉由y軸方向的直線極化波Wpx而於寄生元件50中共振，於長邊52中向y軸方向產生感應電流，而自短邊54發送x軸方向的直線極化波Wpy。如上所述，天線70與寄生元件50的組合亦可獲得和天線16與寄生元件50的組合相同的效果。再者，對天線70配置一個寄生元件50，但不限定於此，亦可設置兩個寄生元件50。

關於天線70、接地線72及寄生元件50，例如於基板20的表面20a上配置有天線70，於背面20b上配置有接地線72及寄生元件50。因此，天線70、接地線72及寄生元件50可與第1導電層30、第2導電層40、第1配線32或第2配線42一併形成。藉此，可簡化製造步驟，可抑制製造成本。而且，可由同一材料來形成該些構件，另外，可將該些構件設定為相同的厚度。當然，天線70、接地線72、寄生元件50、感測器部18a及周邊配線部18b不應全部限定於同一材料而形成，可分別以不同的材料、不同的厚度而形成。

再者，為了簡化製造步驟、抑制製造成本，天線70、接地線72及寄生元件50是形成於觸控感測器面板10上。另一方面，於不具有觸控感測器功能的可攜式終端設備中，無需考慮具有天線70、接地線72及寄生元件50的基板的製造步驟的簡化、製造成本的抑制。於該情形時，只要於並非觸控感測器面板10的基板20的所述基板92（參照圖1）上製作天線70、接地線72及寄生元件50即可。基板92的配置位置例如為顯示裝置13（參照圖1）、與設於顯示裝置13上的強化玻璃等蓋層之間。具有天線70、接地線72及寄生元件50的基板92可設置接著層22（參照圖3）及視需要的保護層24（參照圖3）。另外，具有天線70、接地線72及寄生元件50的基板92亦可配置於顯示裝置13的相反側、即可攜式終端設備17（參照圖1）的背面側，例如亦可配置於包含非導電性原材料的背面蓋層的內面。

進而，天線16的設置部位不限定於主基板11，亦可於天線16與寄生元件50接近並且滿足圖1、圖2、圖8、圖9、圖10及圖11所示的特定位置關係的範圍內將天線16設於玻璃環氧基板、聚醯亞胺基板等其他通用基板（未圖示）上。所謂天線16與寄生元件50接近，是指天線16的直線極化波的中心軸與寄生元件50的一邊的中心軸之間的z軸方向（未圖示）的間隔窄。天線16的直線極化波的中心軸與寄生元件50的一邊的中心軸之間的z軸方向（未圖示）的間隔是由設有天線16的主基板11或通用基板（未圖示）與設有寄生元件50的觸控感測器部12之間的距離、基板20的厚度、接著層22的厚度、保護層24的厚度、及天線16的高度而決定，z軸方向上容許的天線16的直線極化波的中心軸與寄生元件50的一邊的中心軸之間隔為0 mm～100 mm的範圍，較理想為0 mm～20 mm，最理想為0 mm～10 mm。再者，所謂z方向的間隔為0 mm，是指將天線16與寄生元件50形成於同一平面上。如上所述，於天線16與寄生元件50接近、且使天線16與寄生元件50滿足特定位置關係的範圍內，天線16與寄生元件50成一體而作為一個天線發揮功能。

以下，對觸控感測器面板的製造方法加以說明。如上所述，對觸控感測器面板列舉各種例子進行了說明，具代表性地列舉圖2所示的觸控感測器面板10進行說明。如上所述，L字形狀的寄生元件50是與觸控感測器面板10的第2導電層40、第2配線42形成於同一面上。於基板20的表面20a上形成第2導電層40、第2配線42時，L字形狀的寄生元件50亦可一起利用相同步驟且使用相同材料、例如銅而形成。因此，以下對觸控感測器面板10的製造方法加以說明，但亦可應用於寄生元件50的製造方法。

關於製造觸控感測器面板10的方法，例如亦可於基板20上使用鍍敷前處理材料形成感光性被鍍敷層，其後進行曝光、顯影處理後實施鍍敷處理，藉此於曝光部及未曝光部分別形成金屬部及光透過性部，而形成第1導電層30、第1配線32及第2導電層40、第2配線42。再者，亦可藉由進一步對金屬部實施物理顯影及鍍敷處理的至少一種而使金屬部承載導電性金屬。

使用鍍敷前處理材料的方法的更佳形態可列舉以下兩個形態。再者，下述更具體的內容是揭示於日本專利特開2003-213437號公報、日本專利特開2006-64923號公報、日本專利特開2006-58797號公報及日本專利特開2006-135271號公報等中。

（a）於基板20上塗佈含有與鍍敷觸媒或其前驅物相互作用的官能基的被鍍敷層，其後進行曝光及顯影後實施鍍敷處理，而於被鍍敷材料上形成金屬部的態樣。

（b）於基板20上依序積層含有聚合物及金屬氧化物的基底層、及含有與鍍敷觸媒或其前驅物相互作用的官能基的被鍍敷層，其後進行曝光及顯影後，實施鍍敷處理，而於被鍍敷材料上形成金屬部的態樣。

或者，亦可於基板20上對具有含有感光性鹵化銀鹽的乳劑層的感光材料進行曝光，實施顯影處理，藉此於曝光部及未曝光部分別形成金屬部及光透過性部，而形成第1導電層30、第1配線32及第2導電層40、第2配線42。再者，亦可藉由進一步對金屬部實施物理顯影及鍍敷處理的至少一種而使金屬部承載導電性金屬。

關於其他方法，亦可對形成於基板20上的金屬箔上的光阻膜進行曝光、顯影處理，而形成抗蝕劑圖案，並對自抗蝕劑圖案露出的金屬箔進行蝕刻，藉此形成第1導電層30、第1配線32及第2導電層40、第2配線42。或者，亦可於基板20上印刷含有金屬微粒子的糊劑，對糊劑進行金屬鍍敷，藉此形成網格圖案。或者，亦可藉由網版印刷版或凹版印刷版於基板20上印刷形成網格圖案。或者，亦可藉由噴墨於基板20上形成第1導電層30、第1配線32及第2導電層40、第2配線42。或者，亦可於膜上形成樹脂層，使形成有壓花圖案的模具壓接於樹脂層而於樹脂層上形成陰刻圖案後，對樹脂層的包括陰刻圖案的整個面塗佈電極材料。其後，將樹脂層的表面上的電極材料去除，藉此形成填充於樹脂層的陰刻圖案中的由電極材料所得的網格圖案。

繼而，對於觸控感測器面板10，以作為尤佳態樣的使用鍍敷法的方法為中心加以描述。觸控感測器面板10的製造方法包括於基板上形成圖案狀被鍍敷層的步驟（步驟1）、及於圖案狀被鍍敷層上形成圖案狀金屬層的步驟（步驟2）。以下，對各步驟中使用的構件、材料及其順序加以詳述。

[步驟1：圖案狀被鍍敷層形成步驟] 步驟1為以圖案狀對被鍍敷層形成用組成物賦予能量，而於基板上形成圖案狀被鍍敷層的步驟，其中所述被鍍敷層形成用組成物含有具有與金屬離子相互作用的官能基（以下亦稱為「相互作用性基」）及聚合性基的化合物。更具體而言為以下步驟：首先於基板20上形成被鍍敷層形成用組成物的塗膜，以圖案狀對所得的塗膜賦予能量，藉此促進聚合性基的反應而使其硬化，繼而將未賦予能量的區域去除而獲得圖案狀被鍍敷層。藉由所述步驟所形成的圖案狀被鍍敷層根據相互作用性基的功能而於後述步驟2中吸附（附著）金屬離子。即，圖案狀被鍍敷層作為金屬離子的良好的接受層而發揮功能。另外，聚合性基藉由利用能量賦予的硬化處理而被用於化合物彼此的鍵結，可獲得硬性（hardness）及硬度優異的圖案狀被鍍敷層。以下，首先對該步驟中使用的構件及材料加以詳述，其後對步驟的順序加以詳述。

（基板）基板20具有兩個主面，例如是由具有可撓性的透明基板所構成，因形成有導電層等，故是由電性絕緣材料所構成。例如可使用塑膠膜、塑膠板等具有可撓性的材料。塑膠膜及塑膠板例如可由以下物質構成：聚對苯二甲酸乙二酯（PET）、聚萘二甲酸乙二酯（PEN）等聚酯類，聚乙烯（PE）、聚丙烯（PP）、聚苯乙烯、乙烯-乙酸乙烯酯（EVA）、環烯烴聚合物（COP）、環烯烴共聚物（COC）等聚烯烴類，乙烯系樹脂，除此以外的聚碳酸酯（PC）、聚醯胺、聚醯亞胺、丙烯酸系樹脂、三乙醯纖維素（TAC）、聚四氟乙烯（PTFE）等。就光透過性、熱收縮性及加工性等觀點而言，較佳為由聚對苯二甲酸乙二酯（PET）、環烯烴聚合物（COP）、環烯烴共聚物（COC）等聚烯烴類所構成。

基板20亦可使用實施有大氣壓電漿處理、電暈放電處理及紫外線照射處理中的至少一種處理的經處理的支撐體。藉由實施所述處理，而於經處理的支撐體表面上導入OH基等親水性基，與第1導電層30、第1配線32及第2導電層40、第2配線42的密接性進一步提高。所述處理中，就與第1導電層30、第1配線32及第2導電層40、第2配線42的密接性進一步提高的方面而言，較佳為大氣壓電漿處理。基板20的厚度較佳為5 μm～350 μm，進而佳為30 μm～150 μm。若為5 μm～350 μm的範圍，則可如上所述般獲得可見光的透過率，即，透明且亦容易操作。

（被鍍敷層形成用組成物）被鍍敷層形成用組成物中，含有具有與金屬離子相互作用的官能基及聚合性基的化合物。所謂與金屬離子相互作用的官能基，是指後述步驟中可與被賦予至圖案狀被鍍敷層上的金屬離子相互作用的官能基，例如可使用：可與金屬離子形成靜電相互作用的官能基，或可與金屬離子形成配位的含氮官能基、含硫官能基、含氧官能基等。相互作用性基更具體可列舉：胺基、醯胺基、醯亞胺基、脲基、三級胺基、銨基、脒基、三嗪環、三唑環、苯并三唑基、咪唑基、苯并咪唑基、喹啉基、吡啶基、嘧啶基、吡嗪基、喹唑啉基、喹噁啉基、嘌呤基、三嗪基、哌啶基、哌嗪基、吡咯啶基、吡唑基、苯胺基、含有烷基胺結構的基團、含有異氰脲酸結構的基團、硝基、亞硝基、偶氮基、重氮基、疊氮基、氰基、氰酸酯基（R-O-CN）等含氮官能基；醚基、羥基、酚性羥基、羧基、碳酸酯基、羰基、酯基、含有N-氧化物結構的基團、含有S-氧化物結構的基團、含有N-羥基結構的基團等含氧官能基；噻吩基、硫醇基、硫脲基、硫氰脲酸基、苯并噻唑基、巰基三嗪基、硫醚基、硫氧基、亞碸基、碸基、亞硫酸鹽基、含有亞碸亞胺（sulfoxiimine）結構的基團、含有氧化鋶（sulfoxonium）鹽結構的基團、磺酸基、含有磺酸酯結構的基團等含硫官能基；膦酸酯基、磷醯胺基、膦基、含有磷酸酯結構的基團等含磷官能基；含有氯、溴等鹵素原子的基團等，可採取鹽結構的官能基亦可使用該些官能基的鹽。其中，就極性高、對金屬離子等的吸附能力高的方面而言，尤佳為羧基、磺酸基、磷酸基及硼酸基等離子性極性基、醚基、或氰基，進而佳為羧基或氰基。化合物中亦可含有兩種以上的相互作用性基。另外，化合物中所含的相互作用性基的個數並無特別限制，可為一個，亦可為兩個以上。

聚合性基為可藉由能量賦予而形成化學鍵的官能基，例如可列舉自由基聚合性基、陽離子聚合性基等。其中，就反應性更優異的方面而言，較佳為自由基聚合性基。自由基聚合性基例如可列舉：丙烯酸酯基（丙烯醯氧基）、甲基丙烯酸酯基（甲基丙烯醯氧基）、衣康酸酯基、丁烯酸酯基、異丁烯酸酯基、馬來酸酯基等不飽和羧酸酯基，苯乙烯基、乙烯基、丙烯醯胺基、甲基丙烯醯胺基等。其中，較佳為甲基丙烯醯氧基、丙烯醯氧基、乙烯基、苯乙烯基、丙烯醯胺基、甲基丙烯醯胺基，尤佳為甲基丙烯醯氧基、丙烯醯氧基、苯乙烯基。化合物中，亦可含有兩種以上的聚合性基。另外，化合物中所含的聚合性基的個數並無特別限制，可為一個，亦可為兩個以上。

所述化合物可為低分子化合物，亦可為高分子化合物。低分子化合物是指分子量小於1000的化合物，所謂高分子化合物是指分子量為1000以上的化合物。再者，所謂所述具有聚合性基的低分子化合物，相當於所謂單體（monomer）。另外，所謂高分子化合物亦可為具有既定的重複單元的聚合物。另外，化合物可僅使用一種，亦可併用兩種以上。

於所述化合物為聚合物的情形時，聚合物的質量平均分子量並無特別限制，就溶解性等操作性更優異的方面而言，較佳為1000以上且70萬以下，進而佳為2000以上且20萬以下。尤其就聚合感度的觀點而言，較佳為20000以上。此種具有聚合性基及相互作用性基的聚合物的合成方法並無特別限制，可使用公知的合成方法（參照日本專利公開2009-280905號的段落[0097]～段落[0125]）。

（聚合物的較佳態樣1）聚合物的第一較佳態樣可列舉：含有下述式（a）所表示的具有聚合性基的重複單元（以下亦適當稱為聚合性基單元）、及下述式（b）所表示的具有相互作用性基的重複單元（以下亦適當稱為相互作用性基單元）的共聚物。

[化1]

所述式（a）及式（b）中，R¹ ～R⁵ 分別獨立地表示氫原子或者經取代或未經取代的烷基（例如甲基、乙基、丙基、丁基等）。再者，取代基的種類並無特別限制，可列舉甲氧基、氯原子、溴原子或氟原子等。再者，R¹ 較佳為氫原子、甲基、或經溴原子取代的甲基。R² 較佳為氫原子、甲基、或經溴原子取代的甲基。R³ 較佳為氫原子。R⁴ 較佳為氫原子。R⁵ 較佳為氫原子、甲基、或經溴原子取代的甲基。

所述式（a）及式（b）中，X、Y及Z分別獨立地表示單鍵、或者經取代或未經取代的二價有機基。二價有機基可列舉：經取代或未經取代的二價的脂肪族烴基（較佳為碳數1～8。例如亞甲基、伸乙基、伸丙基等伸烷基）、經取代或未經取代的二價的芳香族烴基（較佳為碳數6～12。例如伸苯基）、-O-、-S-、-SO₂ -、-N(R)-（R：烷基）、-CO-、-NH-、-COO-、-CONH-、或將該些基團組合而成的基團（例如伸烷氧基、伸烷氧基羰基、伸烷基羰氧基等）等。

就聚合物的合成容易、且圖案狀金屬層的密接性更優異的方面而言，X、Y及Z較佳為單鍵、酯基（-COO-）、醯胺基（-CONH-）、醚基（-O-）、或者經取代或未經取代的二價的芳香族烴基，更佳為單鍵、酯基（-COO-）、醯胺基（-CONH-）。

所述式（a）及式（b）中，L¹ 及L² 分別獨立地表示單鍵或者經取代或未經取代的二價有機基。二價有機基的定義與所述X、Y及Z中所述的二價有機基為相同含意。就聚合物的合成容易、且圖案狀金屬層的密接性更優異的方面而言，L¹ 較佳為脂肪族烴基、或者具有胺基甲酸酯鍵或脲鍵的二價有機基（例如脂肪族烴基），其中，較佳為總碳數1～9。再者，此處所謂L¹ 的總碳數，是指L¹ 所表示的經取代或未經取代的二價有機基所含的總碳原子數。

另外，就圖案狀金屬層的密接性更優異的方面而言，L² 較佳為單鍵、或二價的脂肪族烴基、二價的芳香族烴基、或將該些基團組合而成的基團。其中，L² 較佳為單鍵或總碳數為1～15，尤佳為未經取代。再者，此處所謂L² 的總碳數，是指L² 所表示的經取代或未經取代的二價有機基所含的總碳原子數。

所述式（b）中，W表示相互作用性基。相互作用性基的定義如上所述。

就反應性（硬化性、聚合性）及抑制合成時的凝膠化的方面而言，相對於聚合物中的所有重複單元，所述聚合性基單元的含量較佳為5 mol%（莫耳百分比）～50 mol%，更佳為5 mol%～40 mol%。另外，就對金屬離子的吸附性的觀點而言，相對於聚合物中的所有重複單元，所述相互作用性基單元的含量較佳為5 mol%～95 mol%，更佳為10 mol%～95 mol%。

（聚合物的較佳態樣2）聚合物的第二較佳態樣可列舉含有下述式（A）、式（B）及式（C）所表示的重複單元的共聚物。

[化2]

式（A）所表示的重複單元與所述式（a）所表示的重複單元相同，各基團的說明亦相同。式（B）所表示的重複單元中的R⁵ 、X及L² 與所述式（b）所表示的重複單元中的R⁵ 、X及L² 相同，各基團的說明亦相同。式（B）中的Wa表示除了後述V所表示的親水性基或其前驅物基以外的與金屬離子相互作用的基團。其中，較佳為氰基、醚基。

式（C）中，R⁶ 分別獨立地表示氫原子或者經取代或未經取代的烷基。式（C）中，U表示單鍵或者經取代或未經取代的二價有機基。二價有機基的定義與所述X、Y及Z所表示的二價有機基為相同含意。就聚合物的合成容易、且圖案狀金屬層的密接性更優異的方面而言，U較佳為單鍵、酯基（-COO-）、醯胺基（-CONH-）、醚基（-O-）、或者經取代或未經取代的二價的芳香族烴基。式（C）中，L³ 表示單鍵或者經取代或未經取代的二價有機基。二價有機基的定義與所述L¹ 及L² 所表示的二價有機基為相同含意。就聚合物的合成容易、且圖案狀金屬層的密接性更優異的方面而言，L³ 較佳為單鍵、或二價的脂肪族烴基、二價的芳香族烴基、或將該些基團組合而成的基團。

式（C）中，V表示親水性基或其前驅物基。所謂親水性基，只要為顯示親水性的基團，則並無特別限定，例如可列舉羥基、羧酸基等。另外，所謂親水性基的前驅物基，是指藉由既定的處理（例如藉由酸或鹼進行處理）而產生親水性基的基團，例如可列舉經2-四氫吡喃基（2-tetrahydropyranyl，THP）保護的羧基等。就與金屬離子的相互作用的方面而言，親水性基較佳為離子性極性基。離子性極性基具體可列舉羧酸基、磺酸基、磷酸基、硼酸基。其中，就適度的酸性（不分解其他官能基）的方面而言，較佳為羧酸基。

所述聚合物的第二較佳態樣中的各單元的較佳含量如下。就反應性（硬化性、聚合性）及抑制合成時的凝膠化的方面而言，相對於聚合物中的所有重複單元，式（A）所表示的重複單元的含量較佳為5 mol%～50 mol%，更佳為5 mol%～30 mol%。就對金屬離子的吸附性的觀點而言，相對於聚合物中的所有重複單元，式（B）所表示的重複單元的含量較佳為5 mol%～75 mol%，更佳為10 mol%～70 mol%。就利用水溶液的顯影性及耐濕密接性的方面而言，相對於聚合物中的所有重複單元，式（C）所表示的重複單元的含量較佳為10 mol%～70 mol%，更佳為20 mol%～60 mol%，進而佳為30 mol%～50 mol%。

所述聚合物的具體例例如可列舉：日本專利特開2009-007540號公報的段落[0106]～段落[0112]中記載的聚合物、日本專利特開2006-135271號公報的段落[0065]～段落[0070]中記載的聚合物、US2010-080964號的段落[0030]～段落[0108]中記載的聚合物等。該聚合物可藉由公知的方法（例如所述列舉的文獻中的方法）而製造。

（單體的較佳態樣）於所述化合物為所謂單體的情形時，較佳態樣之一可列舉式（X）所表示的化合物。

[化3]

式（X）中，R¹¹ ～R¹³ 分別獨立地表示氫原子或者經取代或未經取代的烷基。未經取代的烷基可列舉甲基、乙基、丙基或丁基。另外，經取代的烷基可列舉經甲氧基、氯原子、溴原子或氟原子等取代的甲基、乙基、丙基、丁基。再者，R¹¹ 較佳為氫原子或甲基。R¹² 較佳為氫原子。R¹³ 較佳為氫原子。

L¹⁰ 表示單鍵或二價有機基。二價有機基可列舉：經取代或未經取代的脂肪族烴基（較佳為碳數1～8）、經取代或未經取代的芳香族烴基（較佳為碳數6～12）、-O-、-S-、-SO₂ -、-N(R)-（R：烷基）、-CO-、-NH-、-COO-、-CONH-、或將該些基團組合而成的基團（例如伸烷氧基、伸烷氧基羰基、伸烷基羰氧基等）等。經取代或未經取代的脂肪族烴基較佳為亞甲基、伸乙基、伸丙基或伸丁基，或者該些基團經甲氧基、氯原子、溴原子或氟原子等取代而成的基團。經取代或未經取代的芳香族烴基較佳為未經取代的伸苯基或者經甲氧基、氯原子、溴原子或氟原子等取代的伸苯基。式（X）中，L¹⁰ 的較佳態樣之一可列舉-NH-脂肪族烴基-或-CO-脂肪族烴基-。

W的定義與式（b）中的W的定義為相同含意，表示相互作用性基。相互作用性基的定義如上所述。式（X）中，W的較佳態樣可列舉離子性極性基，更佳為羧酸基。

於所述化合物為所謂單體的情形時，其他較佳態樣之一可列舉式（1）所表示的化合物。

[化4]

式（1）中，R¹⁰ 表示氫原子、金屬陽離子或四級銨陽離子。金屬陽離子例如可列舉鹼金屬陽離子（鈉離子、鈣離子）、銅離子、鈀離子、銀離子等。再者，金屬陽離子主要使用一價或二價的金屬陽離子，於使用二價的金屬陽離子（例如鈀離子）的情形時，後述n表示2。四級銨陽離子例如可列舉四甲基銨離子、四丁基銨離子等。其中，就金屬離子的附著、及圖案化後的金屬殘渣的方面而言，較佳為氫原子。

式（1）中的L¹⁰ 的定義與所述式（X）中的L¹⁰ 的定義為相同含意，表示單鍵或二價有機基。二價有機基的定義如上所述。

式（1）中的R¹¹ ～R¹³ 的定義與所述式（X）中的R¹¹ ～R¹³ 的定義為相同含意，表示氫原子或者經取代或未經取代的烷基。再者，R¹¹ ～R¹³ 的較佳態樣如上所述。 n表示1或2的整數。其中，就化合物的獲取性的觀點而言，n較佳為1。

式（1）所表示的化合物的較佳態樣可列舉式（2）所表示的化合物。

[化5]

式（2）中，R¹⁰ 、R¹¹ 及n與所述定義相同。 L¹¹ 表示酯基（-COO-）、醯胺基（-CONH-）或伸苯基。其中，若L¹¹ 為醯胺基，則所得的被鍍敷層的聚合性及耐溶劑性（例如耐鹼性溶劑性）提高。 L¹² 表示單鍵、二價的脂肪族烴基（較佳為碳數1～8，更佳為碳數3～5）、或二價的芳香族烴基。脂肪族烴基可為直鏈狀、分支狀、環狀。再者，於L¹² 為單鍵的情形時，L¹¹ 表示伸苯基。

式（1）所表示的化合物的分子量並無特別限制，就揮發性、於溶劑中的溶解性、成膜性及操作性等觀點而言，較佳為100～1000，更佳為100～300。

被鍍敷層形成用組成物中的所述化合物的含量並無特別限制，相對於組成物總量，較佳為2質量%～50質量%，更佳為5質量%～30質量%。若為所述範圍內，則組成物的操作性優異，容易控制圖案狀被鍍敷層的層厚。

就操作性的方面而言，被鍍敷層形成用組成物中較佳為含有溶劑。可使用的溶劑並無特別限定，例如可列舉：水；甲醇、乙醇、丙醇、乙二醇、1-甲氧基-2-丙醇、甘油、丙二醇單甲醚等醇系溶劑；乙酸等酸；丙酮、甲基乙基酮、環己酮等酮系溶劑；甲醯胺、二甲基乙醯胺、N-甲基吡咯啶酮等醯胺系溶劑；乙腈、丙腈等腈系溶劑；乙酸甲酯、乙酸乙酯等酯系溶劑；碳酸二甲酯、碳酸二乙酯等碳酸酯系溶劑；除此以外亦可列舉：醚系溶劑、二醇系溶劑、胺系溶劑、硫醇系溶劑、鹵素系溶劑等。其中，較佳為醇系溶劑、醯胺系溶劑、酮系溶劑、腈系溶劑及碳酸酯系溶劑。被鍍敷層形成用組成物中的溶劑的含量並無特別限制，相對於組成物總量，較佳為50質量%～98質量%，更佳為70質量%～95質量%。若為所述範圍內，則組成物的操作性優異，容易控制圖案狀被鍍敷層的層厚等。

被鍍敷層形成用組成物中亦可含有聚合起始劑。藉由含有聚合起始劑，而進一步形成化合物間、及化合物與基板之間的鍵結，結果可獲得密接性更優異的圖案狀金屬層。所使用的聚合起始劑並無特別限制，例如可使用熱聚合起始劑、光聚合起始劑等。光聚合起始劑的例子可列舉：二苯甲酮類、苯乙酮類、α-胺基苯烷基酮類、安息香類、酮類、噻噸酮類、苯偶醯類、苯偶醯縮酮類、肟酯類、蒽酮類、一硫化四甲基秋蘭姆類、雙醯基氧化膦類、醯基氧化膦類、蒽醌類、偶氮化合物等及其衍生物。另外，熱聚合起始劑的例子可列舉重氮系化合物、或過氧化物系化合物等。於被鍍敷層形成用組成物中含有聚合起始劑的情形時，相對於組成物總量，聚合起始劑的含量較佳為0.01質量%～1質量%，更佳為0.1質量%～0.5質量%。若為所述範圍內，則組成物的操作性優異，所得的圖案狀金屬層的密接性更優異。

被鍍敷層形成用組成物中亦可含有單體（其中將所述式（X）或式（1）所表示的化合物除外）。藉由含有單體，可適當控制被鍍敷層中的交聯密度等。所使用的單體並無特別限制，例如具有加成聚合性的化合物可列舉具有乙烯性不飽和鍵的化合物，具有開環聚合性的化合物可列舉具有環氧基的化合物等。其中，就提高圖案狀被鍍敷層中的交聯密度、圖案狀金屬層的密接性進一步提高的方面而言，較佳為使用多官能單體。所謂多官能單體，是指具有兩個以上的聚合性基的單體。具體而言，較佳為使用具有2個～6個聚合性基的單體。就對反應性造成影響的交聯反應中的分子的運動性的觀點而言，所使用的多官能單體的分子量較佳為150～1000，進而佳為200～700。另外，存在多個的聚合性基彼此的間隔（距離）以原子數計而較佳為1～15，進而佳為6以上且10以下。

被鍍敷層形成用組成物中，視需要亦可添加其他添加劑（例如增感劑、硬化劑、聚合抑制劑、抗氧化劑、抗靜電劑、紫外線吸收劑、填料、粒子、阻燃劑、界面活性劑、潤滑劑、塑化劑等）。

（步驟1的順序）於步驟1中，首先於基板上配置被鍍敷層形成用組成物，其方法並無特別限制，例如可列舉：使所述被鍍敷層形成用組成物與基板上接觸，形成被鍍敷層形成用組成物的塗膜（被鍍敷層前驅物層）的方法。該方法例如可列舉將所述被鍍敷層形成用組成物塗佈於基板上的方法（塗佈法）。於塗佈法的情形時，將被鍍敷層形成用組成物塗佈於基板上的方法並無特別限制，可使用公知的方法（例如旋塗、模塗、浸漬塗佈等）。就操作性及製造效率的觀點而言，較佳為將被鍍敷層形成用組成物塗佈於基板上，視需要進行乾燥處理而將殘存的溶劑去除，形成塗膜的態樣。再者，乾燥處理的條件並無特別限制，就生產性更優異的方面而言，較佳為於室溫～220℃（較佳為50℃～120℃）下實施1分鐘～30分鐘（較佳為1分鐘～10分鐘）。

以圖案狀對基板上的含有所述化合物的塗膜賦予能量的方法並無特別限制。例如較佳為使用加熱處理或曝光處理（光照射處理）等，就於短時間內完成處理的方面而言，較佳為曝光處理。藉由對塗膜賦予能量，化合物中的聚合性基經活化，產生化合物間的交聯，層進行硬化。曝光處理時，可使用利用UV燈、可見光線等的光照射等。光源例如有水銀燈、金屬鹵化物燈、氙氣燈、化學燈、碳弧燈等。放射線亦有電子束、X射線、離子束、遠紅外線等。具體態樣可較佳地列舉：利用紅外線雷射的掃描曝光、氙氣放電燈等的高照度閃光曝光、及紅外線燈曝光等。曝光時間視化合物的反應性及光源而不同，通常為10秒鐘～5小時的時間。曝光能量只要為10 mJ～8000 mJ左右即可，較佳為50 mJ～3000 mJ的範圍。再者，以圖案狀實施所述曝光處理的方法並無特別限制，可採用公知的方法，例如只要介隔遮罩對塗膜照射曝光光即可。

另外，於使用加熱處理作為能量賦予的情形時，可使用送風乾燥機、烘箱、紅外線乾燥機、加熱轉筒等。

繼而，將塗膜中的未實施能量賦予的部分去除，形成圖案狀被鍍敷層。所述去除方法並無特別限制，根據所使用的化合物而適當選擇最適的方法。例如可列舉使用鹼性溶液（較佳為氫離子濃度指數（potential hydrogen，pH值）：13.0～13.8）作為顯影液的方法。於使用鹼性溶液將未賦予能量的區域去除的情形時，可列舉將具有賦予有能量的塗膜的基板浸漬於溶液中的方法、或於該基板上塗佈顯影液的方法等，較佳為浸漬的方法。於浸漬的方法的情形時，就生產性及作業性等觀點而言，浸漬時間較佳為1分鐘～30分鐘左右。另外，其他方法可列舉：將溶解所述化合物的溶劑作為顯影液並浸漬於其中的方法。

（圖案狀被鍍敷層）藉由所述處理所形成的圖案狀被鍍敷層的厚度並無特別限制，就生產性的方面而言，較佳為0.01 μm～10 μm，更佳為0.2 μm～5 μm，尤佳為0.3 μm～3.0 μm。圖案狀被鍍敷層的圖案形狀並無特別限制，根據欲形成圖案狀金屬層的部位而調整，例如可列舉網格圖案等。再者，格子的形狀並無特別限制，亦可設定為大致菱形的形狀、或多邊形狀（例如三角形、四邊形、六邊形）。另外，除了將一邊的形狀設為直線狀以外，亦可為彎曲形狀，亦可設為圓弧狀。

[步驟2：圖案狀金屬層形成步驟] 步驟2為對所述步驟1中形成的圖案狀被鍍敷層賦予金屬離子，對賦予有金屬離子的圖案狀被鍍敷層進行鍍敷處理，而於圖案狀被鍍敷層上形成圖案狀金屬層的步驟。藉由實施該步驟，而於圖案狀被鍍敷層上配置圖案狀金屬層。以下，分為對圖案狀被鍍敷層賦予金屬離子的步驟（步驟2-1）、與對賦予有金屬離子的圖案狀被鍍敷層進行鍍敷處理的步驟（步驟2-2）而加以說明。

（步驟2-1：金屬離子賦予步驟）該步驟中，首先對圖案狀被鍍敷層賦予金屬離子。來源於所述化合物的相互作用性基根據其功能而附著（吸附）所賦予的金屬離子。更具體而言，對被鍍敷層中及被鍍敷層表面上賦予金屬離子。所謂金屬離子，可藉由化學反應而成為鍍敷觸媒，更具體而言，藉由還原反應而成為作為鍍敷觸媒的0價金屬。於該步驟中，可於對圖案狀被鍍敷層賦予金屬離子之後、浸漬於鍍敷浴（例如無電解電鍍浴）中之前，另藉由還原反應使其變化為0價金屬而製成鍍敷觸媒，亦可保持金屬離子的形式而浸漬於鍍敷浴中，藉由鍍敷浴中的還原劑而使其變化為金屬（鍍敷觸媒）。金屬離子較佳為使用金屬鹽而賦予至圖案狀被鍍敷層。所使用的金屬鹽只要溶解於適當的溶劑中而解離成金屬離子與鹽基（陰離子），則並無特別限制，可列舉M(NO₃ )_n 、MCl_n 、M_2/n (SO₄ )、M_3/n (PO₄ )（M表示n價的金屬原子）等。金屬離子可較佳地使用所述金屬鹽解離而成的金屬離子。具體例例如可列舉Ag離子、Cu離子、Al離子、Ni離子、Co離子、Fe離子、Pd離子，其中較佳為可進行多牙配位的金屬離子，尤其就可進行配位的官能基的種類數及觸媒能力的方面而言，較佳為Ag離子、Pd離子。再者，於賦予金屬離子時，鍍敷觸媒的賦予液較佳為pH值為酸性。

關於對圖案狀被鍍敷層賦予金屬離子的方法，例如只要以適當的溶劑溶解金屬鹽，製備含有所解離的金屬離子的溶液，且將該溶液塗佈於圖案狀被鍍敷層上，或將形成有圖案狀被鍍敷層的基板浸漬於該溶液中即可。所述溶劑可適當使用水或有機溶劑。有機溶劑較佳為可滲透至圖案狀被鍍敷層中的溶劑，例如可使用：丙酮、乙醯乙酸甲酯、乙醯乙酸乙酯、乙二醇二乙酸酯、環己酮、乙醯丙酮、苯乙酮、2-(1-環己烯基)環己酮、丙二醇二乙酸酯、三乙酸甘油酯、二乙二醇二乙酸酯、二噁烷、N-甲基吡咯啶酮、碳酸二甲酯、二甲基溶纖劑等。

溶液中的金屬離子濃度並無特別限制，較佳為0.001質量%～50質量%，更佳為0.005質量%～30質量%。另外，接觸時間較佳為30秒鐘～24小時左右，更佳為1分鐘～1小時左右。

關於被鍍敷層的金屬離子的吸附量，視所使用的鍍敷浴種類、觸媒金屬種類、圖案狀被鍍敷層的相互作用性基種類、使用方法等而不同，就鍍敷物的析出性的觀點而言，較佳為5 mg/m² ～1000 mg/m² ，更佳為10 mg/m² ～800 mg/m² ，尤佳為20 mg/m² ～600 mg/m² 。

（步驟2-2：鍍敷處理步驟）繼而，對賦予有金屬離子的圖案狀被鍍敷層進行鍍敷處理。鍍敷處理的方法並無特別限制，例如可列舉無電解電鍍處理、或電解電鍍處理（電性電鍍處理）。該步驟中，可單獨實施無電解電鍍處理，亦可於實施無電解電鍍處理後進一步實施電解電鍍處理。再者，於本說明書中，所謂銀鏡反應是作為所述無電解電鍍處理的一種而包含在無電解電鍍處理中。因此，例如亦可藉由銀鏡反應等使所附著的金屬離子還原，而形成所需的圖案狀金屬層，亦可進一步於其後實施電解電鍍處理。以下，對無電解電鍍處理及電解電鍍處理的順序加以詳述。

所謂無電解電鍍處理，是指使用溶解有欲作為鍍敷物而析出的金屬離子的溶液，藉由化學反應使金屬析出的操作。該步驟的無電解電鍍處理例如是將具有賦予有金屬離子的圖案狀被鍍敷層的基板水洗而去除多餘的金屬離子後，浸漬於無電解電鍍浴中而進行。所使用的無電解電鍍浴可使用公知的無電解電鍍浴。再者，於無電解電鍍浴中，進行金屬離子的還原及隨後的無電解電鍍。關於圖案狀被鍍敷層中的金屬離子的還原，亦可與如上所述的使用無電解電鍍液的態樣不同，準備觸媒活化液（還原液）並以無電解電鍍處理前的其他步驟的形式而進行。觸媒活化液為溶解有可將金屬離子還原成0價金屬的還原劑的溶液，還原劑相對於溶液總體的濃度較佳為0.1質量%～50質量%，更佳為1質量%～30質量%。還原劑可使用硼氫化鈉、二甲基胺硼烷般的硼系還原劑、甲醛、連二磷酸等還原劑。浸漬時，較佳為一面施加攪拌或搖晃一面浸漬。

關於通常的無電解電鍍浴的組成，除了溶劑（例如水）以外，主要含有1.鍍敷用的金屬離子、2.還原劑、3.使金屬離子的穩定性提高的添加劑（穩定劑）。於該鍍敷浴中，除了該些成分以外，亦可含有鍍敷浴的穩定劑等公知的添加劑。無電解電鍍浴中所用的有機溶劑必須為可溶於水的溶劑，就此方面而言，可較佳地使用丙酮等酮類、甲醇、乙醇、異丙醇等醇類。關於無電解電鍍浴中所用的金屬的種類，銅、錫、鉛、鎳、金、銀、鈀、銠已為人所知，其中就導電性的觀點而言，較佳為銅、銀、金，更佳為銅。另外，根據所述金屬而選擇最適的還原劑、添加劑。於無電解電鍍浴中的浸漬時間較佳為1分鐘～6小時左右，更佳為1分鐘～3小時左右。

所謂電解電鍍處理，是指使用溶解有欲作為鍍敷物而析出的金屬離子的溶液，藉由電流使金屬析出的操作。再者，如上所述，於該步驟中，於所述無電解電鍍處理之後，視需要可進行電解電鍍處理。於此種態樣中，可適當調整所形成的圖案狀金屬層的厚度。電解電鍍的方法可使用現有公知的方法。再者，用於電解電鍍的金屬可列舉銅、鉻、鉛、鎳、金、銀、錫、鋅等，就導電性的觀點而言，較佳為銅、金、銀，更佳為銅。另外，藉由電解電鍍所得的圖案狀金屬層的膜厚可藉由調整鍍敷浴中所含的金屬濃度、或電流密度等而控制。

藉由所述順序所形成的圖案狀金屬層的厚度並無特別限制，可根據使用目的而適當選擇最適的厚度，就導電特性的方面而言，較佳為0.1 μm以上，較佳為0.5 μm以上，更佳為1 μm～30 μm。另外，構成圖案狀金屬層的金屬的種類並無特別限制，例如可列舉銅、鉻、鉛、鎳、金、銀、錫、鋅等，就導電性的觀點而言，較佳為銅、金、銀，更佳為銅、銀。圖案狀金屬層的圖案形狀並無特別限制，因圖案狀金屬層是配置於圖案狀被鍍敷層上，故是藉由圖案狀被鍍敷層的圖案形狀而調整。

再者，於實施所述處理後的圖案狀被鍍敷層中，含有將金屬離子還原而生成的金屬粒子。該金屬粒子以高密度而分散於圖案狀被鍍敷層中。另外，如上所述，圖案狀被鍍敷層與圖案狀金屬層的界面形成複雜的形狀，藉由此種界面形狀的影響而視認到圖案狀金屬層更為黑色。本發明中，亦可於所形成的圖案狀金屬層上設置被覆層。尤其於為直接目視圖案狀金屬層表面般的層構成的情形時，藉由使圖案狀金屬層表面變黑（黑化），可獲得降低圖案狀金屬層的金屬光澤的效果及使銅色不顯眼的效果。除此以外，亦可獲得防鏽效果及防遷移效果。黑化方法有積層方法及置換方法。積層方法可列舉使用公知的被稱為黑化鍍敷者等而積層被覆層（黑化層）的方法，可使用尼卡黑（Nikka Black）（日本化學產業公司製造）或埃博尼鉻（Ebony Chrome）85系列（金屬化學工業公司製造）等。另外，置換方法可列舉：將圖案狀金屬層表面硫化或氧化而製作被覆層（黑化層）的方法、及將圖案狀金屬層表面置換成更貴的金屬而製作被覆層（黑化層）的方法。硫化方法有安普萊特（Enplate）MB438A（美錄德（Meltex）公司製造）等，氧化方法可使用普邦（PROBOND）80（羅門哈斯（Rohm and Haas）電子材料股份有限公司製造）等。置換成貴金屬的置換鍍敷可使用鈀。

＜積層體＞藉由經由所述步驟而形成導電性積層體，該導電性積層體具備具有兩個主面的基板、配置於基板的至少一個主面上且以圖案狀對所述被鍍敷層形成用組成物賦予能量而形成的圖案狀被鍍敷層、及配置於圖案狀被鍍敷層上且進行鍍敷處理而形成的圖案狀金屬層。導電性積層體中，可僅於基板的一個主面上配置圖案狀被鍍敷層及圖案狀金屬層，亦可於基板的兩個主面的兩面上配置圖案狀被鍍敷層及圖案狀金屬層。再者，於在基板的兩面上配置圖案狀被鍍敷層及圖案狀金屬層的情形時，只要對基板的兩面實施所述步驟1及步驟2即可。

於用於本發明中時，有時作為鄰接層而鄰接外塗層或光學透明層等，於該些鄰接層中，為了防止銅鏽而亦可添加以下化合物：十一烷二酸、十二烷二酸、十三烷二酸等直鏈烷基二羧酸，磷酸單甲酯、磷酸單乙酯等磷酸酯化合物，喹哪啶酸等吡啶系化合物，三唑、羧基苯并三唑、苯并三唑、萘酚三唑等三唑系，1H-四唑等四唑類、苯并四唑等四唑系，4,4'-亞丁基雙-(6-第三丁基-3-甲基苯酚)等雙酚系，季戊四醇-四[3-(3,5-二-第三丁基-4-羥基苯基)丙酸酯]等受阻酚系，水楊酸衍生物系，醯肼（hydrazide）衍生物，芳香族磷酸酯，硫脲類，甲苯三唑（tolutriazole）或2-巰基噁唑硫醇、甲基苯并噻唑、巰基噻唑啉等具有巰基的化合物，三嗪環化合物。另外，鄰接層中亦可添加冠醚、環狀磷化合物般的環狀化合物。另外，鄰接層中亦可添加以下物質：烷基苯磺酸鹽、直鏈烷基苯磺酸鹽、萘磺酸鹽、烯基琥珀酸鹽等陰離子界面活性劑，聚乙烯基吡咯啶酮（Polyvinylpyrrolidone，PVP）等具有作為路易斯鹼（Lewis base）的性質的水溶性高分子，芳基磺酸/鹽聚合物、聚苯乙烯磺酸、聚烯丙基磺酸、聚甲基丙烯磺酸、聚乙烯基磺酸、聚異戊二烯磺酸、丙烯酸-3-磺基丙酯均聚物、甲基丙烯酸-3-磺基丙酯均聚物、2-羥基-3-丙烯醯胺丙磺酸均聚物等含磺酸基的聚合物。

另外，鄰接層中亦可添加以下物質：五氧化銻水合物、鋁偶合劑、烷醇鋯等金屬螯合化合物、鋅化合物、鋁化合物、鋇化合物、鍶化合物及鈣化合物。鋅化合物有磷酸鋅、鉬酸鋅、硼酸鋅、氧化鋅等。鋁化合物有三聚磷酸二氫鋁、磷鉬酸鋁等。鋇化合物有偏硼酸鋇等。鍶化合物有碳酸鍶、氧化鍶、乙酸鍶、偏硼酸鍶、金屬鍶等。鈣化合物有磷酸鈣、鉬酸鈣。另外，鄰接層中亦可添加過硫酸銨、過硫酸鉀、過氧化氫等氧化劑。另外，鄰接層中亦可組合添加二氯異氰脲酸鹽與偏矽酸鈉五水合物。除此以外，可使用公知的銅的防腐蝕劑。另外，亦可包含該些化合物的兩種以上而使用。亦可利用含有該些銅的防腐蝕劑的組成物塗佈圖案狀金屬層的周圍而進行防腐蝕處理。

亦可於基板上更含有底漆層。藉由在基板與圖案狀被鍍敷層之間配置底漆層，兩者的密接性進一步提高。

底漆層的厚度並無特別限制，通常較佳為0.01 μm～100 μm，更佳為0.05 μm～20 μm，進而佳為0.05 μm～10 μm。底漆層的材料並無特別限制，較佳為與基板的密接性良好的樹脂。樹脂的具體例例如可為熱硬化性樹脂亦可為熱塑性樹脂，另外亦可為該些樹脂的混合物，例如熱硬化性樹脂可列舉環氧樹脂、酚樹脂、聚醯亞胺樹脂、聚酯樹脂、雙馬來醯亞胺樹脂、聚烯烴系樹脂、異氰酸酯系樹脂等。熱塑性樹脂例如可列舉：苯氧基樹脂、聚醚碸、聚碸、聚苯碸、聚苯硫醚、聚苯醚、聚醚醯亞胺、丙烯腈-丁二烯-苯乙烯樹脂（丙烯腈-丁二烯-苯乙烯共聚物（Acrylonitrile-Butadiene-Styrene，ABS））等。熱塑性樹脂與熱硬化性樹脂可分別單獨使用，亦可併用兩種以上。另外，亦可使用含有氰基的樹脂，具體而言，亦可使用ABS樹脂及日本專利特開2010-84196號[0039]～[0063]記載的「於側鏈上含有具有氰基的單元的聚合物」。另外，亦可使用丙烯腈丁二烯橡膠（丁腈橡膠（Nitrile-Butadiene-Rubber，NBR橡膠））及苯乙烯丁二烯橡膠（Styrene-Butadiene-Rubber，SBR橡膠）等橡膠成分。

構成底漆層的材料的較佳態樣之一可列舉具有可經氫化的共軛二烯化合物單元的聚合物。所謂共軛二烯化合物單元，是指來源於共軛二烯化合物的重複單元。共軛二烯化合物只要為具有含有經一個單鍵隔開的兩個碳-碳雙鍵的分子結構的化合物，則並無特別限制。來源於共軛二烯化合物的重複單元的較佳態樣之一可列舉：藉由具有丁二烯骨架的化合物進行聚合反應而生成的重複單元。所述共軛二烯化合物單元亦可經氫化，於含有經氫化的共軛二烯化合物單元的情形時，圖案狀金屬層的密接性進一步提高而較佳。即，來源於共軛二烯化合物的重複單元中的雙鍵亦可經氫化。於具有可經氫化的共軛二烯化合物單元的聚合物中，亦可含有所述相互作用性基。該聚合物的較佳態樣可列舉：丙烯腈丁二烯橡膠（NBR）、含羧基的腈橡膠（XNBR）、丙烯腈-丁二烯-異戊二烯橡膠（NBIR）、丙烯腈-丁二烯-苯乙烯共聚物（ABS樹脂）、或該些聚合物的氫化物（例如氫化丙烯腈丁二烯橡膠）等。

底漆層中亦可含有其他添加劑（例如增感劑、抗氧化劑、抗靜電劑、紫外線吸收劑、填料、粒子、阻燃劑、界面活性劑、潤滑劑、塑化劑等）。

底漆層的形成方法並無特別限制，可列舉：將所使用的樹脂層壓於基板上的方法；或溶解於可溶解必要成分的溶劑中，利用塗佈等方法於基板表面上塗佈及加以乾燥的方法等。塗佈方法中的加熱溫度及時間只要選擇塗佈溶劑可充分乾燥的條件即可，就製造適性的方面而言，較佳為選擇加熱溫度200℃以下、時間60分鐘以內的範圍的加熱條件，更佳為選擇加熱溫度40℃～100℃、時間20分鐘以內的範圍的加熱條件。再者，所使用的溶劑是根據所使用的樹脂而適當選擇最適的溶劑（例如環己酮、甲基乙基酮）。

於使用配置有所述底漆層的基板的情形時，藉由在底漆層上實施所述步驟1及步驟2，可獲得所需的導電性積層體。

對觸控感測器面板10亦可賦予抗反射層等功能層。

[砑光處理] 亦可對金屬部實施砑光處理而使其平滑化。藉此，金屬部的導電性明顯增大。砑光處理可藉由砑光輥來進行。砑光輥通常較佳為包含一對輥的態樣。

砑光處理中所用的輥可較佳地使用環氧、聚醯亞胺、聚醯胺、聚醯亞胺醯胺等的塑膠輥或金屬輥。尤其於兩面上具有乳劑層的情形時，較佳為利用金屬輥彼此進行處理。於單面上具有乳劑層的情形時，就防止皺褶的方面而言，亦可設為金屬輥與塑膠輥的組合。線壓力的上限值為1960 N/cm（200 kgf/cm，若換算成面壓則為699.4 kgf/cm² （65.6 MPa））以上，進而佳為2940 N/cm（300 kgf/cm，若換算成面壓則為935.8 kgf/cm² （91.8 MPa））以上。線壓力的上限值為6880 N/cm（700 kgf/cm）以下。

由砑光輥所代表的平滑化處理的應用溫度較佳為10℃（未調溫）～100℃，更佳的溫度視金屬網格圖案或金屬配線圖案的畫線密度或形狀、或黏合劑種類而不同，大致在10℃（未調溫）～50℃的範圍內。所謂10℃（未調溫）是指並未調整溫度的狀態。

再者，本發明可與下述表1及表2中記載的公開公報及國際公開手冊（pamphlet）的技術適當組合而使用。省略「日本專利特開」、「號公報」、「號手冊」等的表述。

[表1]

[表2]

本發明基本上是如以上般所構成。以上，對本發明的觸控感測器面板及基板進行了詳細說明，但本發明不限定於所述實施形態，當然可於不偏離本發明的主旨的範圍內進行各種改良或變更。

10、10a、10b‧‧‧觸控感測器面板
11‧‧‧主基板
11a、20a、21a‧‧‧表面
11b‧‧‧背面
12‧‧‧觸控感測器部
12c‧‧‧角部
12d‧‧‧位置
13‧‧‧顯示裝置
14‧‧‧控制基板
15、19‧‧‧可撓性印刷配線基板
16‧‧‧天線
17‧‧‧可攜式終端設備
18a‧‧‧感測器部
18b‧‧‧周邊配線部
20、21‧‧‧基板
20b‧‧‧背面
22、26‧‧‧接著層
24‧‧‧保護層
30‧‧‧第1導電層
32‧‧‧第1配線
35‧‧‧導電性細線
37‧‧‧單元
39‧‧‧網格圖案
40‧‧‧第2導電層
42‧‧‧第2配線
50、50a、50b、80、80a、80b、80c‧‧‧寄生元件
52、52a、52b、54、54a、54b、82、82a、82b‧‧‧邊
56、58‧‧‧導體
60、60a、60b‧‧‧組
70‧‧‧天線
72‧‧‧接地線
83、83a、83b‧‧‧中心軸
84‧‧‧斜邊
85a‧‧‧第1邊
85b‧‧‧第2邊
90‧‧‧偶極天線
92‧‧‧可撓性基板、基板
C‧‧‧直線
C₁‧‧‧直線
C₂‧‧‧直線
Cn‧‧‧直線
d‧‧‧線寬
Pa、m₁、m₂‧‧‧長度
t‧‧‧寬度
W_px‧‧‧直線極化波
W_py‧‧‧直線極化波

圖1為表示具有本發明的第1的實施形態的觸控感測器面板的可攜式終端設備的構成的示意圖。圖2為表示本發明的第1實施形態的觸控感測器面板的示意性平面圖。圖3為表示本發明的第1實施形態的觸控感測器面板的示意性剖面圖。圖4為表示本發明的第1實施形態的觸控感測器面板的其他例的示意性剖面圖。圖5為表示藉由導電性細線所形成的導電圖案的一例的平面圖。圖6為用以說明寄生元件的示意圖。圖7為表示寄生元件的其他例的示意圖。圖8為表示寄生元件的配置的一例的示意性平面圖。圖9為表示寄生元件的配置的其他例的示意性立體圖。圖10為表示本發明的第2實施形態的觸控感測器面板的示意性平面圖。圖11為表示兩個寄生元件的配置的一例的示意性平面圖。圖12為表示寄生元件的配置的一例的示意性立體圖。圖13為表示寄生元件的配置的其他例的示意性立體圖。圖14為表示寄生元件的配置的其他例的示意性立體圖。圖15為表示兩個寄生元件的同一面上的配置的一例的示意性平面圖。圖16為表示兩個寄生元件的同一面上的配置的一例的示意性平面圖。圖17為表示兩個寄生元件的同一面上的配置的一例的示意性平面圖。圖18為表示兩個寄生元件的同一面上的配置的一例的示意性平面圖。圖19為表示天線與兩個寄生元件的同一面上的配置的一例的示意性平面圖。圖20為表示偶極天線與兩個L字形狀的寄生元件的同一面上的配置的一例的示意性立體圖。圖21為表示偶極天線與兩個L字形狀的寄生元件的同一面上的配置的一例的示意性立體圖。圖22為表示本發明的第3實施形態的觸控感測器面板的示意性平面圖。圖23為表示寄生元件的配置的一例的示意性平面圖。

10‧‧‧觸控感測器面板

11‧‧‧主基板

11a‧‧‧表面

11b‧‧‧背面

12‧‧‧觸控感測器部

13‧‧‧顯示裝置

14‧‧‧控制基板

15、19‧‧‧可撓性印刷配線基板

16‧‧‧天線

17‧‧‧可攜式終端設備

92‧‧‧可撓性基板、基板

Claims

一種觸控感測器面板，其特徵在於具有：基板；設於所述基板上的觸控感測器部；設於所述基板上且收發直線極化波的天線；及設於所述基板上的至少一個L字形狀的寄生元件，並且所述觸控感測器部具備檢測部及周邊配線部，所述L字形狀的寄生元件具備以直角相交的兩條邊，且是根據所述天線所收發的所述直線極化波的頻率預先設定各邊的長度而配置。
一種觸控感測器面板，其特徵在於具有：基板；設於所述基板上的觸控感測器部；接近所述基板而設置且收發直線極化波的天線；及設於所述基板上的至少一個L字形狀的寄生元件，並且所述觸控感測器部具備檢測部及周邊配線部，所述L字形狀的寄生元件具備以直角相交的兩條邊，且是根據所述天線所收發的所述直線極化波的頻率預先設定各邊的長度而配置。
如申請專利範圍第1項或第2項所述的觸控感測器面板，其中所述L字形狀的寄生元件與所述周邊配線部是由同一材料所形成。
如申請專利範圍第1項或第2項所述的觸控感測器面板，其中於所述基板的表面或背面上，相對於所述天線而旋轉對稱地配置有兩個所述L字形狀的寄生元件。
如申請專利範圍第1項或第2項所述的觸控感測器面板，其中於所述基板的表面及背面的互不相同的面上，旋轉對稱地配置有兩個所述L字形狀的寄生元件。
如申請專利範圍第1項或第2項所述的觸控感測器面板，其具有兩個所述L字形狀的寄生元件，與各所述寄生元件相對應的所述直線極化波的頻率不同，對各所述寄生元件根據所述天線的所述直線極化波的頻率預先設定各邊的長度。
如申請專利範圍第1項或第2項所述的觸控感測器面板，其中以旋轉對稱地配置的兩個所述L字形狀的寄生元件為組，於所述基板的表面及背面的互不相同的面上配置有兩組，與各所述組相對應的所述直線極化波的頻率不同，所述寄生元件是對各所述組根據所述天線的所述直線極化波的頻率預先設定各邊的長度。
一種基板，其是接近收發直線極化波的天線而配置的基板，且其特徵在於：所述基板具有至少一個L字形狀的寄生元件，所述L字形狀的寄生元件具備由具有導電性的材料所形成的以直角相交的兩條邊，且是根據所述天線所收發的所述直線極化波的頻率預先設定各邊的長度而配置。
如申請專利範圍第8項所述的基板，其中於所述基板的表面或背面上，相對於所述天線而旋轉對稱地配置有兩個所述L字形狀的寄生元件。
如申請專利範圍第8項所述的基板，其中於所述基板的表面及背面的互不相同的面上，旋轉對稱地配置有兩個所述L字形狀的寄生元件。
如申請專利範圍第8項所述的基板，其具有兩個所述L字形狀的寄生元件，與各所述寄生元件相對應的所述直線極化波的頻率不同，對各所述寄生元件根據所述天線的所述直線極化波的頻率預先設定各邊的長度。
如申請專利範圍第8項所述的基板，其中以旋轉對稱地配置的兩個所述L字形狀的寄生元件為組，於所述基板的表面及背面的互不相同的面上配置有兩組，與各所述組相對應的所述直線極化波的頻率不同，所述寄生元件是對各所述組根據所述天線的所述直線極化波的頻率預先設定各邊的長度。