TW201635119A - 薄膜觸控感測器及其製造方法 - Google Patents
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Abstract
本發明提供了一種薄膜觸控感測器以及其製造方法。薄膜觸控感測器包括:離層;配置在離層上並具有10 GPa至15 GPa的彈性模數的第一無機保護層;以及配置在無機保護層上的電極圖型層,使得可能抑制可能在高溫沉積以及退火過程中發生、例如皺紋或破裂之類的熱傷害,且在剝離期間較不可能發生破裂,且薄膜觸控感測器可應用至軟性觸控感測器或諸如此類。
Description
本發明與薄膜觸控感測器以及其製造方法有關。
由於觸控輸入類型是下一代輸入類型的焦點,正試圖將觸控輸入類型引進較廣變化的電子裝置中。因此,已積極地進行對於能夠應用至不同環境並準確地辨識碰觸的觸控感測器的研發。
例如,在具有觸控輸入類型顯示器的電子裝置的例子中,達到超輕且低功率消耗、具有改進可攜性的超薄軟性顯示器是下一代顯示器的焦點,且因此需要可應用於這種顯示器的發展。
軟性顯示器意指在軟性基板上製造的顯示器,其能夠被折彎、折疊、或扭曲,而不降低操作特徵,且已以例如軟性LCD、軟性OLED、電子紙以及諸如此類的形式發展其技術。
為了將觸控輸入類型應用至這樣的軟性顯示器,具有極佳的彎曲性以及恢復力,及優越的可撓性以及彈性之觸控感測器被需要。
關於用於製造這樣的軟性顯示器的薄膜觸控感測器,已提出了包括埋在透明樹脂底膜中的佈線的佈線基板。
用於製造薄膜觸控感測器的方法包括:在載體基板上形成金屬佈線的佈線形成過程、將透明樹脂溶液塗佈至載體基板並乾燥以覆蓋金屬佈線的積層過程、以及將透明樹脂溶液從載體基板剝離的剝離過程。
為了順暢地進行剝離過程,上述製造方法使用事先在基板表面上形成例如聚矽氧樹脂或氟樹脂之類的有機剝離劑;或例如類鑽碳(DLC)薄膜或氧化鋯薄膜之類的無機剝離劑的方法。然而,在上述方法中使用無機剝離劑的例子中,當從載體基板剝離底膜以及金屬佈線時,底膜以及金屬佈線沒有平順地從其剝離,使得一部分的底膜或金屬佈線留在載體基板上,且用以作為剝離劑的有機材料從底膜以及金屬佈線的表面上出來。
為了解決上述問題,韓國專利註冊公開案第1191865號揭露了一種方法,其中,在製造具有埋在其中的金屬佈線的形式的軟性基板的步驟中,能夠由光或溶劑移除的犧牲層、金屬佈線以及聚合物材料(軟性基板)在載體基板上形成,並藉由使用光或溶劑來移除犧牲層,且由此從載體基板移除金屬佈線以及聚合物材料(軟性基板)。
然而,上述方法具有的問題是,在具有大尺寸的例子中,難以在其移除過程中移除犧牲層,金屬佈線直接曝露至例如溶劑之類的液體,且因為不可能進行高溫製程,可能不能使用各種類型的底膜。 先行技術文獻 專利文獻
韓國專利公開案第1191865號
因此,本發明的目的是提供一種包括覆蓋電極圖型層的保護層的薄膜觸控感測器。
本發明的另一個目的是提供一種由於包括具有極佳熱阻的保護層而能夠抑制可能在高溫沉積以及退火過程中發生的熱傷害的薄膜觸控感測器。
此外,本發明的另一個目的是提供一種具有極佳彎曲特性的薄膜觸控感測器。
此外,本發明的另一個目的是提供一種用於製造具有極佳熱阻以及彎曲特性的薄膜觸控感測器的方法。
將藉由下述特徵來達成本發明的上述目的:
(1)一種薄膜觸控感測器包括:離層;無機保護層,其被配置在離層上並具有10 GPa至15 GPa的彈性模數;以及配置在無機保護層上的電極圖型層。
(2)根據上述第(1)項所述的薄膜觸控感測器,其中無機保護層是無機氧化物或無機氮化物層。
(3)根據上述第(1)項所述的薄膜觸控感測器,其中無機保護層是氧化矽層。
(4)根據上述第(1)項所述的薄膜觸控感測器,其中無機保護層具有少於200 nm的厚度。
(5)根據上述第(1)項所述的薄膜觸控感測器,其中電極圖型層具有30至150 nm的厚度。
(6)根據上述第(1)項所述的薄膜觸控感測器,其中電極圖型層是經由在150℃至250℃的高溫過程製造。
(7)根據上述第(1)項所述的薄膜觸控感測器,更包括:經由黏著層黏附在電極圖型層上的底膜。
(8)根據上述第(7)項所述的薄膜觸控感測器,其中黏著層具有107
Pa至109
Pa的彈性模數以及10 N/25 mm的剝離強度。
(9)根據上述第(7)項所述的薄膜觸控感測器,更包括:配置在電極圖型層以及黏著層之間的第二保護層。
(10)一種影像顯示裝置,包括根據上述第(1)至(9)項任一所述的薄膜觸控感測器。
(11)一種用於製造薄膜觸控感測器的方法,包括:在載體基板上形成離層;在離層上形成具有10 GPa至15 GPa的彈性模數的無機保護層;在無機保護層上形成電極圖型層;以及從載體基板剝離離層。
(12)根據上述第(11)項所述的方法,其中無機保護層具有少於200 nm的厚度。
(13)根據上述第(11)項所述的方法,其中無機保護層是經由在160℃至240℃達10至30分鐘的固化過程所形成。
(14)根據上述第(11)項所述的方法,其中電極圖型層是經由在150℃至250℃的高溫過程所形成。
(15)根據上述第(11)項所述的方法,更包括:在電極圖型層上形成黏著層;以及在黏著層上黏附底膜。
(16)一種用於製造薄膜觸控感測器的方法,包括:在載體基板上形成離層;在離層上形成具有少於200 nm的厚度以及10 GPa至15 GPa的彈性模數的無機保護層;以及 經由在150℃至250℃的高溫過程在無機保護層上形成電極圖型層。
本發明的薄膜觸控感測器具有極佳的熱阻,使得可能抑制熱傷害,例如可能在高溫沉積以及退火過程中發生的皺紋、破裂或顏色的差異。由此,由於進行高溫沉積以及退火過程,可能實施具有較低電阻的電極圖型層。
本發明的薄膜觸控感測器具有極佳的彎曲特性,使得在剝離期間較不可能發生破裂,且可應用至軟性觸控感測器,或諸如此類。
本發明提供了一種薄膜觸控感測器,以及可應用至軟性觸控感測器或諸如此類的薄膜觸控感測器,以及用於製造薄膜觸控感測器的方法,薄膜觸控感測器包括:離層;配置在離層上且具有10 GPa至15 GPa的彈性模數的第一無機保護層;以及配置在無機保護層上的電極圖型層,使得可能抑制熱傷害,例如可能在高溫沉積以及退火過程中發生的皺紋或破裂,且在剝離期間較不可能發生破裂。
本發明的薄膜觸控感測器包括離層、無機保護層以及電極圖型層。
此後,將參照所附圖式詳細地描述本發明。
第1圖是示例根據本發明一個實施例的薄膜觸控感測器的示意性截面圖。
本發明的薄膜觸控感測器是藉由在載體基板10上執行製造過程以製備層板、以及從載體基板10分開所製備的層板來製造。離層20是被形成用以將層板從載體基板10分開的層。
離層20作為用於覆蓋電極圖型層40的層,以在從載體基板10分開之後保護電極圖型層40不從其移除。
離層20可為聚合物有機薄膜,且可由例如下述製成,聚合物,例如聚醯亞胺聚合物、聚乙烯醇聚合物、聚醯胺酸聚合物、聚醯胺聚合物、聚乙烯聚合物、聚苯乙烯聚合物、聚降莰烯聚合物、苯基馬來亞醯胺共聚物、聚偶氮苯聚合物、聚亞苯基鄰苯二甲醯胺聚合物、聚酯聚合物、聚甲基丙烯酸甲酯聚合物、聚芳酯聚合物、肉桂酸酯聚合物、香豆素聚合物、苄甲內醯胺聚合物、查克酮聚合物、芳香乙炔聚合物,但其不限於此。可單獨或以其二或更多個組合來使用這些化合物。
較佳的是,在上述材料之中關於載體基板10,離層20是由具有1 N/25 mm或更小的剝離強度的材料製成,以輕易地從載體基板10剝離,但不從下面將描述的保護層30剝離。
離層20較佳地具有10至1000 nm的厚度,且更佳為50至500 nm。如果離層20的厚度少於10 nm,在塗佈期間,離層20的均勻性惡化,由此不規則地形成電極圖型,由於局部增加的剝離強度其中發生了撕裂,或薄膜觸控感測器的捲曲在從載體基板10分開之後可能不受控制。如果其厚度超過1000 nm,不會進一步減少剝離強度,且薄膜可撓性惡化。
保護層30被配置在離層20上,且類似於離層20,覆蓋了電極圖型層40以預防電極圖型層40被污染以及預防電極圖型層40在從載體基板10分開期間損壞。
在典型的有機保護層的例子中,由於在電極圖型層40的製造中施加於其的熱,其中可能發生例如皺紋之類的變化,或由於熱應力可能在電極圖型層40中發生破裂。此外,難以達到高彈性,因此其彎曲特性不足。
然而,根據本發明的無機保護層30是由無機材料製成,且可具有極佳的熱阻以降低由於熱變化以及熱應力造成的破裂發生。由此,可能藉由進行高溫沉積以及退火過程來實施具有較低電阻的電極圖型層40。此外,保護層30具有極佳的化學抗性,以抑制離層20的膨脹、剝離、或諸如此類。
只要其為相關技術中使用的無機材料,形成無機保護層30的無機材料不特別受限,且可為,例如,無機氧化物、無機氮化物、或諸如此類。例如,無機氧化物可包括氧化矽、氧化鋁、氧化鈦、或諸如此類,且無機氮化物可包括氮化矽、氮化鈦、或諸如此類。在實施高透光度的方面,較佳使用氧化矽。
無機保護層30可具有10 GPa至15 GPa的彈性模數。如果其彈性模數少於10 GPa、或超過15 GPa,在從載體基板10剝離所製備的薄膜觸控感測器期間,在無機保護層30、電極圖型層40或觸控感測器中可能會發生破裂。
在無機保護層30中達到上述範圍的彈性模數的方法不特別受限,且例如,可適當地藉由控制厚度或例如無機保護層30的固化密度來控制彈性模數。當控制固化密度時,具體而言,在塗佈無機保護層30之後,可在例如160℃至240℃下達10至30分鐘,且較佳在180至220℃下達15至25分鐘來將其固化,但其不限於此。
只要其可達到上述範例內的彈性模數,無機保護層30的厚度不特別受限,例如,其可少於200 nm。如果其厚度是200 nm或更多,可能難以達到滿足上述範圍的彈性模數,在從載體基板10剝離所製備的薄膜觸控感測器期間,在保護層、電極圖型層40、或觸控感測器中可能發生破裂。在上述範圍內,保護層30可具有例如,10 nm至190 nm、10 nm至195 nm、20 nm至190 nm、30 nm至150 nm,或諸如此類的厚度。
電極圖型層40是配置在無機保護層30上。
電極圖型層40可不只包括用於感測碰觸的電極,但也包括連接至電極的佈線圖型。
只要其為傳導材料,電極圖型層40可使用任何材料而無其限制,且可由,例如,選自下述的材料製成:選自氧化銦錫(ITO)、氧化銦鋅(IZO)、氧化銦鋅錫(IZTO)、氧化鋁鋅(AZO)、氧化鎵鋅(GZO)、氧化氟錫(FTO)、氧化銦錫-銀-氧化銦錫(ITO-Ag-ITO)、氧化銦鋅-銀-氧化銦鋅(IZO-Ag-IZO)、氧化銦鋅錫-銀-氧化銦鋅錫(IZTO-Ag-IZTO)以及氧化鋁鋅-銀-氧化鋁鋅(AZO-Ag-AZO)所組成的群組的金屬氧化物;選自金(Au)、銀(Ag)、銅(Cu)、鉬(Mo)以及Ag-Pd-Cu(APC)合金所組成的群組的金屬;選自金、銀、銅以及鉛所組成的群組的金屬奈米線;選自奈米碳管(CNT)以及石墨烯所組成的群組的碳基礎材料;以及選自聚(3,4-乙烯二氧噻吩)(PEDOT)以及聚苯胺(PANI)所組成的群組的傳導聚合物材料。可單獨或以其二或更多個組合來使用這些材料。
為了降低電阻,根據情況,電極圖型層40可包括第一電極層以及第二電極層形式的二或更多層。
作為範例,電極圖型層40可由ITO、銀奈米線(AgNW)、在一層中的金屬網格製成。當在二或更多層中形成層時,第一電極層可由例如ITO之類的透明金屬氧化物製成,且為了進一步減少電阻,第二電極層可由在ITO的第一電極層上的金屬或AgNw製成。
為了改進電極圖型層40的導電性,可藉由包括至少一層由金屬或金屬氧化物製成的電極圖型層40來形成觸控感測器。更特別地,可以這樣的方式來配置電極圖型層40,使用金屬或金屬氧化物在離層20或保護層上形成透明傳導層、然後在其上額外地積層另一透明傳導層以形成電極圖型,或在離層20或保護層上積層一或更多層的透明傳導層,然後在其上額外地積層另一透明傳導層以形成電極圖型。電極圖型的積層結構的特定範例如下:
在離層20以及電極圖型層40之間進一步形成金屬或金屬氧化物圖型層的結構;在電極圖型層40以及絕緣層之間進一步形成金屬或金屬氧化物圖型層的結構;以及在保護層以及電極圖型層40之間進一步形成金屬或金屬氧化物圖型層的結構。此外,電極圖型的積層結構可更包括由透明傳導材料製成的一或更多電極圖型層40。
電極圖型層40的可應用積層結構的特定範例如下:
積層了金屬氧化物並於其上積層了銀奈米線的結構;積層了金屬氧化物並於其上積層了金屬的結構;積層金屬氧化物並於其上積層了金屬網格電極的結構;積層了銀奈米線並於其上積層了金屬氧化物的結構;積層了金屬並於其上積層了金屬氧化物的結構;積層了金屬網格電極並於其上積層了金屬氧化物的結構;積層了金屬氧化物並於其上積層了銀奈米線、然後其進一步積層了其金屬層的結構;積層了銀奈米線並於其上積層了金屬氧化物、然後其進一步積層了其金屬層的結構;或諸如此類。考慮訊號處理或觸控感測器的電阻,可改變電極積層結構,且其不限於上述積層結構。
可以這樣的方式來配置電極圖型層40,在第一電極圖型層40以及第二電極圖型層40之間形成電絕緣層,將電絕緣層圖型化以形成接觸孔,以至於第二電極圖型層40扮演橋電極的角色。
此外,將在觸控感測器類型方面描述電極圖型層40的結構。
作為電極圖型層40的圖型結構,在電容類型中使用的電極是較佳的,且可將互電容或自電容類型應用於此。
在互電容類型的例子中,圖型結構可為晶格電極結構,其中水平軸電極以及垂直軸電極彼此交叉。互電容類型可包括位在水平軸電極以及垂直軸電極彼此交叉的點的橋電極,或者,可為分別形成水平軸電極圖型層40以及垂直軸電極圖型層40的形式,以彼此電分離。
在自電容類型的例子中,圖型結構可為其中藉由對於每個點使用一個電極來讀取電容變異的類型的電極結構。
為了實施較低的電阻,較佳的是,藉由包括高溫熱處理過程來形成電極圖型層40。於此,高溫的範圍可從150℃至250℃。具體而言,可經由在150℃至250℃的高溫沉積過程以及在150℃至250℃的高溫熱處理過程來形成電極圖型層40,但其不限於此。
本發明的薄膜觸控感測器可更包括經由黏著層50黏附在電極圖型層40上的底膜60。第2圖是示例根據這樣的實施例的薄膜觸控感測器的示意性截面圖。
黏著層50意指黏著層或接合層。
底膜60可使用由本相關技術中廣泛使用的任何材料製成的透明薄膜而無其特別限制,且由選自下述所組成的群組的任一製成:纖維素酯(例如:三醋酸酯纖維素、丙酸酯纖維素、丁酸酯纖維素、醋酸丙酸纖維素以及硝基纖維素)、聚醯亞胺、聚碳酸酯、聚酯(例如:聚乙烯對苯二甲酸酯、聚萘二甲酸乙二酯、聚-1,4-環己烷二甲基對苯二甲酸酯、聚乙烯1,2-二苯氧基乙烷-4,4’-二甲酸酯以及聚丁烯對苯二甲酸酯、聚苯乙烯(例如:對排聚苯乙烯)、聚烯烴(例如:聚丙烯、聚乙烯以及聚甲基戊烯)、聚碸、聚醚碸、聚芳酯、聚醚-醯亞胺、聚甲基丙烯酸甲酯、聚醚 酮、聚乙烯醇以及聚乙烯氯,其可單獨或作為其混合物來使用。
此外,透明薄膜可為等向薄膜或延遲薄膜。
在等向薄膜的例子中,平面內(in-plane)延遲(Ro,Ro = [(nx - ny)× d],其中nx以及ny意指薄膜的平面內主要折射指數,且d意指薄膜的厚度)是40 nm或更少,且較佳為15 nm或更少,且在厚度方向中的延遲值(Rth,Rth = [(nx + ny)/2 - nz] × d,其中nx、ny以及d與上述定義相同,且nz意指在薄膜厚度方向中的折射指數)是-90 nm至+75nm,較佳為-80 nm至+60 nm,且更佳為-70 nm至+45 nm。
延遲薄膜是藉由單軸拉伸、雙軸拉伸、聚合物塗佈、液體塗佈或諸如此類的方法所製造的薄膜,且一般用於改進或控制光學特徵,例如視角補償、感色改進、漏光改進、顏色調整,或諸如此類。
此外,偏光板可用以作為底膜60。
偏光板可具有偏光器保護薄膜附接至聚乙烯醇偏光器的一個表面或兩個表面的配置。
此外,保護薄膜可用以作為底膜60。
保護薄膜可為包括形成在由聚合物樹脂製成的薄膜的至少一表面上的黏著層的薄膜、或具有自黏性的薄膜,例如聚丙烯薄膜,且可用於保護觸控感測器的表面或改進可工作性。
底膜60較佳具有85%或更高的透光度,且更佳為90%或更高。此外,底膜60較佳具有10%或更低的總霾度值,且更佳為7%或更低,其是根據JIS K7136測量。
底膜60的厚度不特別受限,但較佳為30至150 µm,且更佳為,70至120 µm。
作為黏著劑或黏結劑,可使用本相關技術中已知的任何傳統方法而無其特別限制。例如,熱固性或可光固化黏著劑或黏結劑,例如聚酯、聚醚、胺甲酸酯、環氧、聚矽氧、丙烯酸黏著劑或黏結劑,等等。
較佳的是,在觸控感測器的剝離過程期間抑制破裂發生的方面,黏著層50具有107
Pa或更高的彈性模數的高彈性。在展現極佳黏著性同時抑制破裂發生的方面,黏著層50較佳具有107
Pa至109
Pa的彈性模數。
此外,較佳的是,在薄膜觸控感測器的剝離過程期間抑制破裂發生的方面,黏著層50具有10 N/25 mm或更高的剝離強度。
本發明的薄膜觸控感測器可更包括配置在電極圖型層40以及黏著層50之間的第二保護層70。第3圖是示例根據這樣的實施例的薄膜觸控感測器的示意性截面圖。
第二保護層70覆蓋電極圖型層40以預防電極圖型層40受腐蝕,並預防電極圖型層40由於靜電而受損害。
第二保護層70可為由與有機絕緣層或無機保護層30材料的材料所形成的層。
本發明可進一步提供一種包括上述薄膜觸控感測器的影像顯示裝置。
本發明的薄膜觸控感測器可應用至典型的液晶顯示裝置,及其他不同的影像顯示裝置,例如電致光(electro-luminescent)顯示裝置、電漿顯示裝置、電致發光(electro-luminescent emission)顯示裝置,或諸如此類。
此外,本發明的薄膜觸控感測器具有極佳的彎曲特性,使得影像顯示裝置可為軟性影像顯示裝置。
此外,本發明提供了一種用於製造薄膜觸控感測器的方法。
第4圖至第5圖為示例用於製造根據本發明一個實施例的薄膜觸控感測器的方法的過程示意圖,其示例了當包括下面將描述的附接底膜的步驟的一個實施例,但本發明不限於此。
此後,將參照所附的第4圖至第5圖來詳細描述用於製造本發明薄膜觸控感測器的方法。
首先,如第4圖(a)中所示例,在載體基板10上形成離層20。
載體基板10可由任何材料製成而無其特別限制,只要其提供適當的強度、對於熱以及化學處理具有極少影響,以至於在處理期間基板不被輕易地彎曲或扭曲但可被固定。例如,可使用玻璃、石英、矽晶圓、SUS,等等,且較佳使用玻璃。
離層20可由上述聚合物材料形成。
在由金屬材料所形成的電極圖型層40的例子中,可能難以將其從載體基板10剝離。但是,由於可將離層20從載體基板10輕易地剝離,當形成離層20時,在從載體基板10剝離期間可能降低例如由於施加至觸控感測器的減少衝擊而造成的電極圖型層40損害之類的問題。
在最小化剝離期間所施加的物理傷害的方面,較佳地,相對於載體基板10,離層20具有1 N/25 mm或更少的剝離強度。
形成離層20的方法不特別受限,但可包括本相關技術中已知的任何傳統方法,例如,狹縫式塗佈、刮刀塗佈、旋轉塗佈、鑄造、微凹板塗佈、凹板塗佈、棒式塗佈、滾軸塗佈、線棒塗佈、浸沾式塗佈、噴霧塗佈、網版印刷、凹板印刷、柔版印刷、平版印刷、噴墨塗佈、分注器印刷、噴嘴塗佈、毛細管塗佈以及諸如此類。
在藉由上述過程形成離層20之後,具創造性的方法可進一步進行額外的固化過程。
用於固化離層20的方法不特別受限,但可包括光固化、熱固或這兩者過程。在執行光固化以及熱固過程的例子中,其順序不特別受限。
接下來,如第4圖(b)中所示例,在離層20上形成具有10 GPa至15 GPa的彈性模數的無機保護層30。
無機保護層30可由上述材料所形成,且用於形成無機保護層30的方法不特別受限,但可包括本相關技術中已知的任何傳統方法,例如物理沉積、化學沉積、電漿沉積、電漿聚合作用、熱沉積、熱氧化作用、兩性氧化作用、團簇離子束沉積、網版印刷、凹板印刷、柔版印刷、平版印刷、噴墨塗佈、分注器印刷以及諸如此類。
可形成無機保護層30以具有在上述範圍內的厚度。
在藉由上述方法塗佈之後,可經由高溫固化過程來製造無機保護層30。例如,可在160℃至240℃下固化無機保護層30達10至30分鐘,且較佳在180至220℃達15至25分鐘,但其不限於此。
然後,如第4圖(c)中所示例,在無機保護層30上形成電極圖型層40。
可藉由與用於形成無機保護層30的方法相同的方法由上述材料形成電極圖型層40。
在達到較低電阻的方面,較佳的是,電極圖型層40是經由在150℃至250℃下的高溫熱處理過程所形成。具體而言,可電極圖型層40可藉由在150℃至250℃下的高溫沉積過程形成,或藉由在室溫沉積以及在150℃至250℃下的高溫熱處理過程形成,但其不限於此。
此後,如第4圖(e)中所示例,從載體基板10剝離離層20。
當執行上述過程時,可獲得在載體基板10上依序積層離層20、無機保護層30以及電極圖型層40的層板,且藉由從載體基板10剝離離層20,所製備的層板可用以作為薄膜觸控感測器。
如第4圖(d)中所示例,用於製造本發明薄膜觸控感測器的方法可更包括將底膜附接於電極圖型層40上。具體而言,用於製造薄膜觸控感測器的方法可更包括:在電極圖型層40上形成黏著層50;以及將底膜附接於黏著層50上。
在此例子中,可在附接底膜之前或之後進行剝離過程。第5圖是示例在附接底膜之後執行剝離過程的範例的示圖。
黏著層50可由上述黏著劑或黏結劑所形成,且可藉由如用於形成離層20並乾燥且固化離層20的方法所示範的方法將黏著劑或黏結劑塗佈至電極圖型層40來形成。
較佳的是,在剝離過程期間抑制觸控感測器中破裂發生的方面,黏著層50具有在上述範圍內的彈性模數以及剝離強度。
用於製造本發明薄膜觸控感測器的方法可更包括在附接底膜之前在電極圖型層40上形成第二保護層70。
第二保護層70可藉由與用於形成離層20的方法相同的方法由上述材料形成。
可在剝離之前或之後形成第二保護層70。
如上所述,提出了較佳實施例以更具體地描述本發明。然而,僅給出下述範例用於示例本發明,且本領域的技術人員將顯而易見地了解,在本發明的範圍以及精神內,各種改變以及修飾是可能的。這種改變以及修飾充分地包括在所附的申請專利範圍中。
範例
1
具有700 µm厚度的鈉鈣玻璃用以作為載體基板,並將用於形成離層的組成物(其藉由在10重量%的濃度中的丙二醇單甲醚醋酸酯(PGMEA)中稀釋50重量份(‘wt.份’)的三聚氰胺樹脂以及50重量份的肉桂酸酯樹脂來製備)藉由旋轉塗佈器以300 nm的厚度塗佈至載體基板,並在150℃乾燥30分鐘以形成離層。
接下來,經由大氣壓力電漿裝置以SiOx
前驅物(六甲基二矽氮烷鈉)塗佈離層的整個區域。在此例子中,以500 mm/min的速率執行塗佈,同時在噴嘴之間維持50 mm的間隙,並在200℃固化20分鐘以形成具有60 nm厚度的無機保護層。此後,以35 nm的厚度在室溫條件下於25℃在無機保護層上沉積ITO,並將ITO層於230℃退火30分鐘以形成電極圖型層。
然後,藉由旋轉塗佈器以2 µm的厚度將用於形成第二保護層的組成物(藉由混合40wt.份的多官能性丙烯酸單體以及60 wt.份的環氧樹脂、並將混合物加於溶劑中來製備,其中將30 wt.份的二乙二醇甲乙醚(MEDG)、40 wt.份的PGME以及30 wt.份的3-甲氧基丁醇混合在一起以就固體成分而言具有20wt.份的比例)塗佈至電極圖型層,以具有200 mJ/cm2
強度的UV光照射以於其上執行光固化,並在200℃乾燥並固化30分鐘以形成第二保護層。
此後,將黏著劑組成物(其包括50wt.份、含有SP500作為聚合引發劑以及KRM230作為整平劑的CEL2021P((3,4-環氧環己烷)3,4-環氧環己基甲酸甲酯、20wt.份的新戊二醇二縮水甘油醚(NPGDGE)、10wt.份的1,6-己二醇二丙烯酸酯、5wt.份的三羥甲基丙烷三丙烯酸脂、10wt.份的KRM0273作為黏著促進劑以及5wt.份的4-HBVE作為稀釋的單體)塗佈在具有60 µm厚度的TAC薄膜以及第二保護層之間的第二保護層上,並藉由滾筒貼合機按壓以形成黏著層,以具有2 μm的厚度。
將黏著層以具有10 mW/cm2
強度的UV光照射100秒,以緊密地接觸,並在烘箱中於80℃乾燥10分鐘,然後留在其中直到變室溫,以製備薄膜觸控感測器。
範例
2
除了無機保護層具有120 nm的厚度之外,執行與範例1中所描述相同的程序,以製備薄膜觸控感測器。
範例
3
除了無機保護層具有200 nm的厚度之外,執行與範例1中所描述相同的程序,以製備薄膜觸控感測器。
範例
4
除了無機保護層具有190 nm的厚度之外,執行與範例1中所描述相同的程序,以製備薄膜觸控感測器。
範例
5
除了無機保護層是由TiO2
製成之外,執行與範例1中所描述相同的程序,以製備薄膜觸控感測器。
比較性範例
1
除了不形成無機保護層,而藉由旋轉塗佈器以2 µm的厚度將用於形成第一保護層的組成物(藉由混合40wt.份的多官能性丙烯酸單體以及60 wt.份的環氧樹脂、並將混合物加於溶劑中來製備,其中將30 wt.份的二乙二醇甲乙醚(MEDG)、40 wt.份的PGME以及30 wt.份的3-甲氧基丁醇混合在一起以就固體成分而言具有20wt.份的比例)塗佈至電極圖型層,以具有200 mJ/cm2
強度的UV光照射以於其上執行光固化,並在200℃乾燥並固化30分鐘以形成第一保護層,同時不進行在ITO層上的退火之外,執行與範例1中所描述相同的程序,以製備薄膜觸控感測器。
比較性範例
2
除了在230℃下將ITO層退火30分鐘之外,執行與比較性範例1中所描述相同的程序,以製備薄膜觸控感測器。
比較性範例
3
除了無機保護層藉由以SiO2
塗佈並將其在150℃固化20分鐘來形成、並在80℃下其退火10分鐘之外,執行與範例1中所描述相同的程序,以製備薄膜觸控感測器。
比較性範例
4
除了無機保護層藉由以SiOx
塗佈並將其在250℃固化20分鐘來形成、並在300℃的條件下將ITO層退火60分鐘之外,執行與範例1中所描述相同的程序,以製備薄膜觸控感測器。
實驗範例
(
1
)彈性模數的測量
使用奈米壓痕試驗機測量在範例以及比較性範例中製備的每個薄膜觸控感測器的無機保護層(第一保護層)的彈性模數。在此例子中,將每個底膜放置在奈米壓痕試驗機中,並藉由施加多至2000 mN的力來按壓,以測量所曝露的無機保護層(第一保護層)的部分的彈性模數。
(
2
)表面電阻的測量
使用4點探針設備測量在範例以及比較性範例中製備的每個薄膜觸控感測器的電極圖型層的表面電阻。
(
3
)透光度的測量
使用霧度計(HM-150,Murakami Co.)測量在範例以及比較性範例中製備的每個薄膜觸控感測器的總透光度,並計算相對於玻璃基板的透光度。在下面表1中示出了測量結果。
(
4
)顏色評估
使用N&K分析儀(N&K Technology Inc.)測量在範例以及比較性範例中製備的每個薄膜觸控感測器的顏色b值。
(
5
)保護層是否發生起皺紋的觀察
為了確認保護層中起皺紋的發生,使用顯微鏡觀察在範例以及比較性範例中製備的薄膜觸控感測器的無機保護層或第一保護層,以評估無機保護層中是否發生起皺紋。
(
6
)剝離之後是否發生破裂的評估
將在範例以及比較性範例中製備的薄膜觸控感測器從載體基板剝離,並使用顯微鏡觀察剝離之後的薄膜觸控感測器,以評估薄膜觸控感測器中是否發生破裂。 ○:在薄膜觸控感測器的整個表面中沒有破裂發生 △:在部分的薄膜觸控感測器中發生破裂 ×:在薄膜觸控感測器的整個表面中發生破裂 〔表1〕
參見上面表1,可看到的是,在退火ITO層之後,具有在本發明範圍內的彈性模數的保護層的範例的薄膜觸控感測器具有穩定的顏色,且其中沒有發生起皺紋,且破裂的發生被最小化。
然而,在比較性範例的薄膜觸控感測器的例子中,由於退火,在保護層中發生皺紋,且在剝離之後發生破裂。
10‧‧‧載體基板
20‧‧‧離層
30‧‧‧無機保護層
40‧‧‧電極圖型層
50‧‧‧黏著層
60‧‧‧底膜
70‧‧‧第二保護層
20‧‧‧離層
30‧‧‧無機保護層
40‧‧‧電極圖型層
50‧‧‧黏著層
60‧‧‧底膜
70‧‧‧第二保護層
結合所附圖式,從下述詳細的描述將更清楚地了解本發明的上述以及其他目的、特徵以及其他優勢,其中: 第1圖至第3圖是示例根據本發明一個實施例的薄膜觸控感測器的示意性截面圖;以及 第4圖至第5圖是示例用於製造根據本發明一個實施例的薄膜觸控感測器的方法的過程。
20‧‧‧離層
30‧‧‧保護層
40‧‧‧電極圖型層
Claims (16)
- 一種薄膜觸控感測器,包括: 一離層; 一無機保護層,其被配置在該離層上並具有10 GPa至15 GPa的一彈性模數;以及 配置在該無機保護層上的一電極圖型層。
- 如申請專利範圍第1項所述的薄膜觸控感測器,其中該無機保護層是一無機氧化物或無機氮化物層。
- 如申請專利範圍第1項所述的薄膜觸控感測器,其中該無機保護層是一氧化矽層。
- 如申請專利範圍第1項所述的薄膜觸控感測器,其中該無機保護層具有少於200 nm的一厚度。
- 如申請專利範圍第1項所述的薄膜觸控感測器,其中該電極圖型層具有30至150 nm的一厚度。
- 如申請專利範圍第1項所述的薄膜觸控感測器,其中該電極圖型層是經由在150℃至250℃下的一高溫過程製造。
- 如申請專利範圍第1項所述的薄膜觸控感測器,進一步包括:經由一黏著層黏附在該電極圖型層上的一底膜。
- 如申請專利範圍第7項所述的薄膜觸控感測器,其中該黏著層具有107 Pa至109 Pa的一彈性模數以及10 N/25 mm的一剝離強度。
- 如申請專利範圍第7項所述的薄膜觸控感測器,進一步包括:配置在該電極圖型層以及該黏著層之間的一第二保護層。
- 一種影像顯示裝置,包括根據申請專利範圍第1項至第9項任一所述的薄膜觸控感測器。
- 一種用於製造一薄膜觸控感測器的方法,包括: 在一載體基板上形成一離層; 在該離層上形成具有10 GPa至15 GPa的一彈性模數的一無機保護層; 在該無機保護層上形成一電極圖型層;以及 從該載體基板剝離該離層。
- 如申請專利範圍第11項所述的方法,其中該無機保護層具有少於200 nm的一厚度。
- 如申請專利範圍第11項所述的方法,其中該無機保護層是經由在160℃至240℃下達10至30分鐘的一固化過程來形成。
- 如申請專利範圍第11項所述的方法,其中該電極圖型層是經由在150℃至250℃下的一高溫過程來形成。
- 如申請專利範圍第11項所述的方法,進一步包括: 在該電極圖型層上形成一黏著層;以及 在該黏著層上黏附一底膜。
- 一種用於製造一薄膜觸控感測器的方法,包括: 在一載體基板上形成一離層; 在該離層上形成具有少於200 nm的一厚度以及10 GPa至15 GPa的一彈性模數的一無機保護層;以及 經由在150℃至250℃的一高溫過程在該無機保護層上形成一電極圖型層。
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