TW201631201A - 用於低及高蒸發溫度材料之同時沉積之有機氣相沉積系統及使用方法，及在其中所製造之裝置 - Google Patents
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Abstract
本發明提供一種有機氣相沉積系統。該系統可包括經主反應器壁界定之主反應器、經組態以將至少兩種有機蒸氣引入至該主反應器中之至少兩個源筒，及安置於該主反應器中之基板平台及經組態以沿主反應器壁分配載氣之至少一個載氣注入管線，其在該有機蒸氣流向該基板平台時，減少該有機蒸氣在該主反應器壁上之冷凝。本發明亦提供一種使用有機氣相沉積製造有機膜之方法。
Description
本申請案主張2014年12月11日申請之美國臨時專利申請案第62/090,665號之優先權，其以全文引用之方式併入本文中。
本發明係關於用於低及高蒸發溫度材料之同時沉積之有機氣相沉積系統及使用方法，及用該等系統所製造之裝置。
有機氣相沉積(OVPD)作為類似於化學氣相沉積之方法已在有機薄膜發展中得到研發。出於參考，作為沉積有機膜之替代技術的OVPD之成功示範由Burrows等人描述於「Organic Vapor Phase Deposition：A New Method for the Growth of Organic Thin Films with Large Optical Non-Linearities」中且由Baldo等人描述於「Organic Vapor Phase Deposition」中([1]J.L.F.P.E.Burrows,S.R.Forrest,L.S.Sapochak,J.Schwartz,P.Fenter,T.Buma,V.S.Ban,J.Cryst.Growth 1995,156,91.；[2]M.Baldo,M.Deutsch,P.Burrows,H.Gossenberger,M.Gerstenberg,V.Ban,S.Forrest,Adv.Mater.1998,10,1505)。OVPD利用熱惰性載氣流向冷卻基板輸送有機源蒸氣，且藉由以下參考文獻之模擬及實驗資料嚴密地揭示OVPD系統中之材料輸送機制：[2]M.
Baldo,M.Deutsch,P.Burrows,H.Gossenberger,M.Gerstenberg,V.Ban,S.Forrest,Adv.Mater.1998,10,1505.[3]M.Shtein,H.F.Gossenberger,J.B.Benziger,S.R.Forrest,J.Appl.Phys.2001,89,1470.[4]M.Shtein,P.Peumans,J.B.Benziger,S.R.Forrest,J.Appl.Phys.2003,93,4005。
以上參考文獻測定出，歸因於來自背景載氣之壓力的增長相對較高，其中產生有機材料之分子間相互作用，在接近OVPD中之冷卻基板處形成非流動性邊界層。
OVPD工序之初始步驟為將有機蒸氣注入OVPD系統之主反應器中，該主反應器加熱至至少與系統中所用全部有機材料之蒸發溫度一樣熱的溫度。OVPD系統之其他描述在以上所引用之參考文獻中加以描述。主反應器應維持在比系統中所用全部有機材料之蒸發溫度高的溫度下，以消除主反應器壁上任何可能之冷凝。主反應器之此溫度要求防止有機材料在後續OVPD工序期間交叉污染，其反過來使得OVPD系統相較於為替代技術之真空熱蒸發(VTE)更易於維護。
然而，對於其中希望在OVPD系統中同時蒸發一種以上材料之情況，此溫度限制導致材料選擇受限。當低蒸發溫度材料(LTM)伴隨高蒸發溫度材料(HTM)所需之高溫移動通過反應器時，LTM經歷熱降解或分解。在VTE中不存在該問題，因為各源材料可分開加熱且VTE在高真空(~10-7托)中進行。出於此等原因，OVPD多半以實驗室規模使用，儘管就裝置效能、可調性及材料利用效率而言，其經由對所沉積有機膜之形態的優良控制顯示出優於VTE之突出優勢，如由B.Song等人在Adv.Matter(2014,26,2914)中，R.R.Lunt等人在Appl.Phys.Lett.(2009,95,233305)中及M.Schwambera等人在SID Symp.Dig.Tech.Pap.(2003,34,1419)中所描述。
在一個態樣中，本發明可關於一種有機氣相沉積系統。系統可
包括經主反應器壁界定之主反應器及經組態以將至少兩種有機蒸氣引入至主反應器中之至少兩個源筒。系統亦可包括安置於主反應器中之基板平台及經組態以沿主反應器壁分配載氣之至少一個載氣注入管線，其在有機蒸氣流向基板平台時，減少有機蒸氣在主反應器壁上之冷凝。
在一些實施例中，可獨立控制至少兩個源筒之溫度。在一些實施例中，至少兩個源筒之溫度可由圍繞源筒之至少一部分的加熱旋管來控制。在一些實施例中，至少一個載氣注入管線為環狀的且同心式地延伸至主反應器壁。在一些實施例中，至少一個載氣注入管線可釋放載氣，其包括氬氣及氮氣中之至少一者。在一些實施例中，源筒中之一者可經組態控制在約200℃之溫度且源筒中之另一者可經組態控制在約500℃之溫度，同時主反應器可經組態控制在約300℃之溫度。在一些實施例中，可以約20sccm將有機蒸氣引入至主反應器中，同時以約20sccm將載氣分配至主反應器中。在一些實施例中，至少一個載氣注入管線可在將兩種有機蒸氣引入至主反應器中之位置上方沿主反應器壁開始分配載氣。在一些實施例中，系統可以垂直定向進行組態，其中有機蒸氣引入至基板平台上方之主反應器中。
在另一態樣中，本發明可關於一種有機氣相沉積系統，其包括主反應器及經組態以將第一有機蒸氣引入至主反應器之第一端中的第一源筒。系統亦可包括安置於主反應器之第二端處的基板平台及第二源筒，其經組態以經由第二源筒出口將第二有機蒸氣分配至主反應器中，且其溫度低於第二有機蒸氣。第二源筒出口可安置於主反應器之第一端與基板平台之間而距基板一定距離。其中可選定距離以在第一有機蒸氣移向基板平台時，將第一有機蒸氣對於較高溫度之第二有機蒸氣的曝露降至最低。
在一些實施例中，至少一個源筒出口可為蓮蓬頭環狀且經組態
以向基板分配第二有機蒸氣。在一些實施例中，除基板平台外，系統可包括安置於第二源筒出口之相對側上的絕緣板。在一些實施例中，第一有機蒸氣可經組態在約200℃之溫度下引入至主反應器中，且第二有機蒸氣可經組態在約500℃之溫度下分配至主反應器中，同時基板平台上之基板可處於約30℃之溫度下。
在另一態樣中，本發明係關於一種使用有機氣相沉積製造有機膜之方法。該方法可包括在第一溫度下將第一有機蒸氣引入至由外圍壁所界定之主反應器中，且在大於第一溫度之第二溫度下將第二有機蒸氣引入至主反應器中。該方法亦可包括沿外圍壁之內表面將載氣分配至主反應器中。當第一有機蒸氣與第二有機蒸氣朝向基板流經主反應器時，載氣可經組態以減少第二有機蒸氣在外圍壁上之冷凝。
在一些實施例中，第一溫度可為約200℃，第二溫度可為約500℃，且主反應器溫度可為約300℃。在一些實施例中，該方法亦可包括使用圍繞第一源筒與第二源筒之加熱旋管獨立將第一有機蒸氣控制在第一溫度且將第二有機蒸氣控制在第二溫度。在一些實施例中，載氣包括氬氣及氮氣中之至少一者。在一些實施例中，各以約20sccm將第一有機蒸氣與第二有機蒸氣引入至主反應器中，同時以約20sccm將載氣分配至主反應器中。在一些實施例中，分配載氣開始於將第一有機蒸氣與第二有機蒸氣引入至主反應器中之位置上方。在一些實施例中，自環繞主反應器延伸之環來分配載氣。
在另一態樣中，本發明係關於一種使用有機氣相沉積製造有機膜之方法。該方法可包括在第一溫度下將第一有機蒸氣引入至主反應器之第一端中且朝向安置於主反應器之第二端處的基板引導第一有機蒸氣，及在大於第一溫度之第二溫度下朝向基板將第二有機蒸氣引入至主反應器中。可將第二有機蒸氣引入至主反應器中在主反應器之第一端與基板之間而距基板一定距離，其中選定距離以在第一有機蒸氣
移向基板時，將第一有機蒸氣對於較高溫度之第二有機蒸氣的曝露降至最低。
以下縮寫用於以下描述中：OVPD：有機氣相沉積；HTM：高溫蒸發材料；LTM：低蒸發溫度材料；DTDCPB：2-[(7-{4-[N,N-雙(4-甲基苯基)胺基]苯基}-2,1,3-苯并噻二唑-4-基)亞甲基]丙二腈；Bphen：紅菲繞啉(Bathophenanthroline)；ITO：氧化銦錫；VTE：真空熱蒸發。
圖1A、圖1B、圖2A及圖2B顯示與不用本發明之原理製造之裝置相關之圖且展現出相較於在VTE反應器中所製造之等效裝置，高溫對於在OVPD反應器中進行製造期間之LTM的有害作用。DTDCPB與C70在經組態具有三個區域之熔爐中分別在200±2℃與480±2℃下蒸發，各區域獨立設定處於420℃、480℃及540℃下。圖1A及圖1B顯示經各材料之20nm厚有機薄膜的可變角度光譜橢圓偏振測量法所測定之光學常數。
在OVPD中所蒸發之DTDCTB材料的折射率(圖1A)及消光係數(圖1B)與在VTE中所蒸發之相同材料相比相差6±2%之最高值。對比而言，為HTM之C70顯示出針對兩種生長技術之相同光學特性。
以以下結構來製造具有DTDCPB：C70之混合異質接面裝置：ITO/MoO3(10nm)/1：1(以體積計)DTDCTB：C70(80nm)/1：1(以體積計)Bphen：C60(8nm)/Bphen(5nm)/Ag(100nm)。DTDCTB：C70作用層藉由VTE與OVPD生長。DTDCPB：C70分別在200±2℃及480±2℃下共蒸發以達到0.5Å/s之沉積速率，其提供1：1體積比。使用上述參考文獻中Baldo等人所描述之系統組態，各源筒中使用10sccm(標準立方公分/分鐘)N2流率以及6sccm稀釋液流率，產生0.28托腔室壓力。基板水冷至TTss=25℃。
本發明之實施例包括包含有機膜之有機光伏打裝置，其中有機
膜包含低蒸發溫度材料與高蒸發溫度材料，且有機膜藉由有機氣相沉積系統沉積，該系統經組態以使LTM在主反應器中與高溫隔開且使HTM與除基板以外之低溫表面隔開。有機光伏打裝置可包含如上所述之組件及層。考慮到本文中之本說明書及本發明之實踐，熟習此項技術者將顯而易知本發明之其他實施例。
圖2A與圖2B將圖1A與圖1B中之樣本的暗及亮J-V特徵進行對比。圖2A顯示藉由OVPD與VTE所製備之DTDCPB：C70樣本的暗J-V特徵。根據圖2A所測定，用於VTE生長裝置及經OVPD生長裝置之串聯電阻Rs分別為0.36±0.05、1.29±0.09Ω．cm2。
推測經OVPD所生長之DTDCPB：C70樣本的低導電性(及高電阻)來自DTDCTB分子在OVPD中在熱反應器內蒸發之後分子的熱降解。在1日光照度下，OVPD生長樣本的所量測之裝置效率為4.7±0.2%，其明顯低於等效VTE生長裝置之8.0±0.2%。
圖3A與圖3B顯示水平OVPD系統300之示意圖及相片。OVPD系統300包括用於主反應器容器312之石英管、源筒306(例如第一源筒及第二源筒)、基板或基板平台310、遮光片302及機械泵308。OVPD系統300經組態使得主反應器312可由具有三個加熱區域之熔爐304所包圍，各源筒306可具有惰性載氣注入管線，其經組態以控制載氣流經各源筒306之流率，且基板平台310可與水管線連接以調節基板溫度。OVPD系統300經組態使得可藉由調節熔爐304內有機源之位置來控制各源筒306之溫度。基於此組態，熔爐304之溫度應至少與HTM之蒸發溫度一樣高以確保主反應器312管之壁上不存在冷凝。在此組態中，LTM蒸氣曝露於HTM所需之高溫區域中，引起LTM降解。
圖3C顯示根據例示性實施例之垂直OVPD系統400。OVPD系統400可包括經主反應器壁界定之主反應器412、經組態以將至少兩種有機蒸氣引入至主反應器412中之至少兩個源筒406。OVPD系統400亦
可包括安置於主反應器412中之基板410平台及經組態以沿主反應器壁分配載氣之至少一個載氣注入管線414(亦稱作「重氣管線」)。在有機蒸氣流向基板平台410時，載氣可經組態藉由引導有機蒸氣之全部流徑朝向基板410來減少有機蒸氣在主反應器壁上之冷凝。藉由降低主反應器上冷凝之可能性，OVPD系統400之熔爐404可在低溫下運作。舉例而言，熔爐400可在低於高蒸發溫度蒸氣之蒸發溫度的溫度下運作。OVPD系統亦可包括圍繞源筒之至少一部分的加熱旋管，其實現對各源筒406之分開的獨立溫度控制。
圖3C顯示至少一個載氣注入管線414可為環狀的且可同心式地環繞主反應器412壁延伸，使得其他載氣可沿主反應器壁流動，藉此自主反應器412壁沿主反應器路徑之中心區域向下引導有機蒸氣。在一些實施例中，歸因於Ar氣之較重質量，Ar氣可優於N2氣。如本文所述，當冷凝之形成通常成為關注點時，自載氣注入管線414分配載氣可使得來自源筒406之有機蒸氣不會碰撞主反應器412壁，藉此防止在壁上形成冷凝，即使在主反應器412中在相對較低溫度下。
圖4A與圖4B顯示針對圖3C中所示OVPD系統400之運作的數值模擬。針對數值模擬，LTM與HTM源筒之溫度分別設定在200℃(473K)與500℃(773K)下，且主反應器溫度設定在300℃(573K)下。對於各源筒406，N2氣之流動速率設定在20sccm，且Ar氣之其他背景載氣注入管線414流動速率設定為20sccm且經組態以圍繞主反應器412之周邊流動。使用可壓縮牛頓流體之穩態模型藉由有限差分時域法(FDTD)來解決氣流體動力學。在一些實施例中，LTM源筒之溫度可設定在150℃至250℃之範圍內。在一些實施例中，LTM源筒之溫度可設定在100℃至300℃之範圍內。在一些實施例中，HTM源筒之溫度可設定在450℃至550℃之範圍內。在一些實施例中，HTM源筒之溫度可設定在400℃至600℃之範圍內。在一些實施例中，主反應器之溫
度可設定在250℃至350℃之範圍內。在一些實施例中，主反應器之溫度可設定在200℃至400℃之範圍內。在一些實施例中，對於至少一個源筒406，載氣之流動速率可設定在15sccm至25sccm之範圍內。在一些實施例中，對於至少一個源筒406，載氣之流動速率可設定在10sccm至30sccm之範圍內。
圖4A之數值模擬顯示在上述參數下所運作之OVPD系統400的溫度分佈。圖4B之數值模擬顯示在上述參數下所運作之OVPD系統400的溫度之等效面圖。空間中之箭頭指示總熱通量。如圖4B中所示，向內朝向冷卻基板來引導總熱通量。如圖4C與圖4D中所示，各材料之濃度在自源筒406至主反應器412之入口處為最高的，且在各材料經由N2載氣朝向基板進行輸送時，對其進行稀釋。沉積於基板上之各材料的總量之計算比為約1.18，表明藉由此例示性設計可達成兩種材料之均勻混合物。
圖5A與圖5B顯示可用於大面積裝置製造中之Gen-6 OVPD系統500。先前針對大面積裝置製造已對Gen-6(1.5m×1.8m)OVPD系統作出說明，且由Lunt等人描述於Organic Vapor Phase Deposition for the Growth of Large Area Organic Electronic Devices(R.R.Lunt,B.E.Lassiter,J.B.Benziger,S.R.Forrest.「Organic Vapor Phase Deposition for the Growth of Large Area Organic Electronic Devices」Appl.Phys.Lett.,95,233305,2009)中。Gen-6 OVPD系統經組態而在不鏽鋼主反應器512內具有自動源位置，且基板平台510具有視沉積順序而定來調節基板高度之升降機。如所示，Gen-6 OVPD系統500亦可包括源電池506、加熱室504及遮光片502。
圖5C顯示OVPD系統600，根據例示性實施例，其可包括經改良之主反應器腔室。圖5C中所示OVPD系統600可與圖5A與圖5B中所示Gen-6 OVPD系統500相似，不同之處在於OVPD系統600可在圖5A中
所示虛線圓圈內之區域加以改良。對OVPD系統600之改良可包括溫度低於第二有機蒸氣的第二源筒606，其經組態以經由第二源筒出口607將第二有機蒸氣分配至主反應器512中，其中第二源筒出口607安置於主反應器512之第一端與基板平台510之間而距基板一定距離，其中選定距離以在第一有機蒸氣移向基板平台510時，將第一有機蒸氣對於較高溫度之第二有機蒸氣的曝露降至最低。源筒出口607可為蓮蓬頭環狀且經組態以向基板510分配第二有機蒸氣。除基板平台510外，系統600亦可包括安置於第二源筒出口607之相對側上的絕緣板604，以降低與熱蓮蓬頭環狀出口607相碰撞之第一有機蒸氣(例如，LTM蒸氣)的量。熱蓮蓬頭環狀出口607可經組態具有環繞其周邊之多個孔以將HTM蒸氣吹於基板510上。
圖6A、圖6B、圖6C及圖6D顯示圖5C中所示OVPD系統600之數值模擬。對於數值模擬，將經組態如同蓮蓬頭之HTM源筒的溫度設定為500℃(773K)。在一些實施例中，HTM源筒之溫度可設定在450℃至550℃之範圍內。在一些實施例中，HTM源筒之溫度可設定在400℃至600℃之範圍內。對於數值模擬，將主管之溫度設定在適於自源筒506流出LTM之200℃(473K)下，且基板510溫度設定在30℃(303K)下。在一些實施例中，主反應器之溫度可設定在150℃至250℃之範圍內。在一些實施例中，主反應器之溫度可設定在100℃至300℃之範圍內。在一些實施例中，LTM源筒之溫度可設定在150℃至250℃之範圍內。在一些實施例中，LTM源筒之溫度可設定在100℃至300℃之範圍內。在一些實施例中，基板之溫度可設定在25℃至35℃之範圍內。在一些實施例中，基板之溫度可設定在20℃至30℃之範圍內。對於數值模擬，將來自蓮蓬頭607之N2的流動速率設定為20sccm。在一些實施例中，對於至少一個源筒，載氣之流動速率可設定在15sccm至25sccm之範圍內。在一些實施例中，對於至少一個源筒，載氣之流動速
率可設定在10sccm至30sccm之範圍內。對於數值模擬，來自源電池(包括腔室中之稀釋管線)之總N2氣體流量為80sccm。在一些實施例中，來自源電池之總N2氣體流量可設定在70sccm至90sccm之範圍內。在一些實施例中，來自源電池之總N2氣體流量可設定在60sccm至100sccm之範圍內。在一些實施例中，來自源電池之總N2氣體流量可不包括腔室中之稀釋管線且總N2氣體流量可設定在20sccm至60sccm之範圍內。
如圖6B中所示，熱蓮蓬頭607與冷卻基板510之間存在大溫度差異，其引發自蓮蓬頭至基板之強熱通量。圖6C中之LTM濃度圖顯示來自主反應器512之頂部的LTM流接近蓮蓬頭607之入口而於基板510上冷凝。同樣，如圖6D中所示，在HTM接近基板510時，對來自蓮蓬頭607之所注入之HTM流加以稀釋。
本發明之實施例亦可包括一種利用OVPD系統600來製造有機膜之方法。該方法可包括在第一溫度下將第一有機蒸氣引入至主反應器之第一端中且朝向安置於主反應器之第二端處的基板引導第一有機蒸氣。該方法亦可包括在大於第一溫度之第二溫度下朝向基板將第二有機蒸氣引入至主反應器中，其中可將第二有機蒸氣引入至主反應器中在主反應器之第一端與基板之間而距基板一定距離。可選定距離以在第一有機蒸氣移向基板平台時，將第一有機蒸氣對於較高溫度之第二有機蒸氣的曝露降至最低。
考慮到本文中之本說明書及本發明之實踐，熟習此項技術者將顯而易知本發明之其他實施例。預期僅將說明書及實例視為例示性的，且本發明之真實範疇及精神由以下申請專利範圍指示。
300‧‧‧OVPD系統
302‧‧‧遮光片
304‧‧‧熔爐
306‧‧‧源筒
308‧‧‧機械泵
310‧‧‧基板/基板平台
312‧‧‧主反應器
400‧‧‧OVPD系統
404‧‧‧熔爐
406‧‧‧源筒
410‧‧‧基板/基板平台
412‧‧‧主反應器
414‧‧‧載氣注入管線
500‧‧‧Gen-6 OVPD系統
502‧‧‧遮光片
504‧‧‧加熱室
506‧‧‧源電池
508‧‧‧機械泵
510‧‧‧基板/基板平台
512‧‧‧主反應器
600‧‧‧OVPD系統
604‧‧‧絕緣板
606‧‧‧第二源筒
607‧‧‧第二源筒出口
圖1A為藉由VTE或OVPD所生長之DTDCPB與C70的折射率(n)與波長之關係圖。
圖1B為藉由VTE或OVPD所生長之DTDCPB與C70的消光係數(k)與波長之關係圖。
圖2A為經DTDCPB：C70混合之異質接面裝置的暗J-V特徵之電流密度與電壓的關係圖，該裝置之作用層藉由VTE或OVPD生長。
圖2B為在模擬AM 1.5G照度下與圖2A相同之裝置的J-V特徵之電流密度與電壓的關係圖。
圖3A為水平OVPD系統之示意圖。
圖3B為水平OVPD系統之相片。
圖3C為根據例示性實施例，垂直OVPD系統的示意圖。
圖4A顯示展示圖3C之垂直OVPD系統的溫度分佈之數值模擬。
圖4B顯示展示圖3C之垂直OVPD系統的溫度之等效面圖的數值模擬。
圖4C顯示展示用於圖3C之垂直OVPD系統的低蒸發溫度材料(LTM)之濃度的數值模擬。
圖4D顯示展示用於圖3C之垂直OVPD系統的高蒸發溫度材料(HTM)之濃度的數值模擬。
圖5A為大面積裝置製造中所使用Gen-6 OVPD系統的示意圖。
圖5B顯示圖5A之系統的相片。
圖5C顯示根據例示性實施例之OVPD系統之俯視圖與剖視圖。
圖6A顯示圖5C之OVPD系統的腔室內溫度分佈之數值模擬。
圖6B顯示圖5C之OVPD系統的腔室內溫度之等效面的數值模擬。
圖6C顯示圖5C之OVPD系統的腔室內LTM之濃度的數值模擬。
圖6D顯示圖5C之OVPD系統的腔室內HTM之濃度的數值模擬。
510‧‧‧基板/基板平台
512‧‧‧主反應器
600‧‧‧OVPD系統
604‧‧‧絕緣板
606‧‧‧第二源筒
607‧‧‧第二源筒出口
Claims (21)
- 一種有機氣相沉積系統，包含：由主反應器壁界定之主反應器；至少兩個源筒，其經組態以將至少兩種有機蒸氣引入至該主反應器中；安置於該主反應器中之基板平台；及至少一個載氣注入管線，其經組態以沿該主反應器壁分配載氣，其在該等有機蒸氣流向該基板平台時，減少該等有機蒸氣在該主反應器壁上之冷凝。
- 如請求項1之系統，其中獨立控制該等至少兩個源筒之溫度。
- 如請求項2之系統，其中該等至少兩個源筒之溫度由圍繞該等源筒之至少一部分的加熱旋管來控制。
- 如請求項1之系統，其中該至少一個載氣注入管線為環狀的且同心式地延伸至該主反應器壁。
- 如請求項1之系統，其中該至少一個載氣注入管線釋放載氣，其包括氬氣及氮氣中之至少一者。
- 如請求項1之系統，其中該等源筒中之一者經組態控制在約200℃之溫度且該等源筒中之另一者經組態控制在約500℃之溫度，同時該主反應器經組態控制在約300℃之溫度。
- 如請求項1之系統，其中以約20sccm將該等有機蒸氣引入至該主反應器中，同時以約20sccm將該載氣分配至該主反應器中。
- 如請求項1之系統，其中該至少一個載氣注入管線在將該等兩種有機蒸氣引入至該主反應器中之位置上方沿該主反應器壁開始分配該載氣。
- 如請求項1之系統，其中該系統以垂直定向進行組態，其中該等 有機蒸氣引入至該基板平台上方之該主反應器中。
- 一種有機氣相沉積系統，包含：主反應器；第一源筒，其經組態以將第一有機蒸氣引入至該主反應器之第一端中；基板平台，其安置於該主反應器之第二端處；及第二源筒，其經組態以經由第二源筒出口將第二有機蒸氣分配至該主反應器中，該第二源筒溫度低於該第二有機蒸氣；其中該第二源筒出口安置於該主反應器之第一端與該基板平台之間而距該基板一定距離，其中選定該距離以在該第一有機蒸氣移向該基板平台時，將該第一有機蒸氣對於該較高溫度之第二有機蒸氣的曝露降至最低。
- 如請求項10之系統，其中該至少一個源筒出口為蓮蓬頭環狀的且經組態以向該基板分配該第二有機蒸氣。
- 如請求項10之系統，除該基板平台外，其進一步包含安置於該第二源筒出口之相對側上的絕緣板。
- 如請求項10之系統，其中該第一有機蒸氣經組態以在約200℃之溫度下引入至該主反應器中，且該第二有機蒸氣經組態以在約500℃之溫度下分配至該主反應器中，同時該基板平台上之基板處於約30℃之溫度下。
- 一種使用有機氣相沉積來製造有機膜之方法，包含以下步驟：在第一溫度下將第一有機蒸氣引入至由外圍壁所界定之主反應器中；在大於該第一溫度之第二溫度下將第二有機蒸氣引入至該主反應器中；及沿該外圍壁之內表面將載氣分配至該主反應器中； 其中當該第一有機蒸氣與該第二有機蒸氣朝向基板流經該主反應器時，該載氣可經組態以減少該第二有機蒸氣在該外圍壁上之冷凝。
- 如請求項14之方法，其中該第一溫度為約200℃，該第二溫度為約500℃，且主反應器溫度為約300℃。
- 如請求項14之方法，其進一步包含使用圍繞第一源筒與第二源筒之加熱旋管獨立地將該第一有機蒸氣控制在該第一溫度且將該第二有機蒸氣控制在該第二溫度。
- 如請求項14之方法，其中該載氣包括氬氣與氮氣中之至少一者。
- 如請求項14之方法，其中各以約20sccm將該第一有機蒸氣與該第二有機蒸氣引入至該主反應器中，同時以約20sccm將該載氣分配至該主反應器中。
- 如請求項14之方法，其中分配該載氣開始於上述當該第一有機蒸氣與該第二有機蒸氣引入至該主反應器位置上方。
- 如請求項14之方法，其中自圍繞該主反應器延伸之環來分配該載氣。
- 一種使用有機氣相沉積來製造有機膜之方法，包含以下步驟：在第一溫度下將第一有機蒸氣引入至主反應器之第一端中且朝向安置於該主反應器之第二端處的基板引導該第一有機蒸氣；及在大於該第一溫度之第二溫度下朝向該基板將第二有機蒸氣引入至該主反應器中；其中將該第二有機蒸氣引入至該主反應器中在該主反應器之第一端與該基板之間而距該基板一定距離，其中選定該距離以在該第一有機蒸氣移向該基板時，將該第一有機蒸氣對於該較高溫度之第二有機蒸氣的曝露降至最低。
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