TW201627526A - 用於成膜裝置之氣體噴射裝置 - Google Patents

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Abstract

本發明係提供一種用於成膜裝置之氣體噴射裝置，其係即使在具有屬於高板厚孔徑比之溝部的被處理體中，亦能夠將氣體均等地噴射至該溝部內。本發明之氣體噴射裝置(100)係具備有：將氣體整流化，且將經整流化之氣體噴射至成膜裝置(200)內之氣體噴射單元部(23)。氣體噴射單元部(23)係在內部形成有作為氣體通路之間隙(d0)，且為扇型形狀。氣體分散供給部(99)內的氣體係從扇型形狀之寬度較廣闊側流入至間隙(d0)內，且歸因於該扇型形狀，而使氣體被整流化及被加速，且從扇型形狀之寬度的縮窄側輸出至成膜裝置(200)內。

Description

用於成膜裝置之氣體噴射裝置
本發明係有關於一種用於成膜裝置之氣體噴射裝置，例如能夠應用於可對於設置在減壓環境中之處理腔的被處理物，高速度噴出有益於處理且具有指向性之各種氣體的氣體噴射裝置。
在包含半導體製造領域之多用途的領域中，要求多功能並高品質的薄膜(例如，高絕緣薄膜、半導體薄膜、高介電質薄膜、發光薄膜、高磁性體薄膜、超硬薄膜等)。
例如，在製造半導體裝置的情形，係在半導體晶片內設置例如：相當於電路配線之低阻抗(low-impedance)的高導電膜、具有電路之配線線圈(coil)功能或磁鐵功能的高磁性膜、具有電路之電容器(condenser)功能的高介電質膜、以及具有電性漏電流少之高絕緣功能的高絕緣膜等。
就這些膜之成膜的習知技術而言，例如使用熱CVD(Chemical Vapor Deposition，化學蒸汽沉積)裝置、 光CVD裝置或電漿CVD裝置，特別是大多採用電漿CVD裝置。這是因為例如相較於熱/光CVD裝置，電漿CVD裝置能夠以低成膜溫度、並且高成膜速度之短時間的成膜處理。
舉例來說，要將氮化膜(SiON、HfSiON等)或氧化膜(SiO2，HfO2)等之閘極絕緣膜予以成膜在半導體基板之情形，一般而言採用其中使用到在減壓環境下之電漿CVD裝置之以下的技術。
亦即，使NH3(氨)或N3、O2、O3(臭氧)等之氣體、及矽或鉿(hafnium)等之前驅物氣體(非加熱氣體)直接供給至用以實施CVD處理之處理腔裝置。在處理腔裝置內，藉由利用熱或放電使前驅物氣體解離，產生金屬粒子，且藉由該金屬粒子與上述之NH3(氨)等之非加熱氣體或自由基氣體(radical gas)的化學反應，使氮化膜或氧化膜等之薄膜成膜在被處理體上，該自由基氣體係藉由熱或放電所產生者。。
一方面，在電漿CVD裝置中，直接地使高頻電漿(radiofrequency plasma)或微波電漿(microwave plasma)產生在處理腔裝置內。因此，被處理體係曝露在自由基、或具有高能量之電漿離子(或電子)。
另外，就揭示關於電漿CVD裝置之技術的先前技術文獻而言，有例如專利文獻1存在。
然而，在電漿CVD裝置內的成膜處理中，如上述使被處理體直接地曝露於電漿。因此，該被處理體因 電漿(離子或電子)而大幅地受到使半導體功能降低等之損傷(damage)。
另一方面，在使用熱/光CVD裝置之成膜處理中，被處理體未承受因電漿(離子或電子)所造成之損壞，使高品質之氮化膜或氧化膜等成膜。然而，在該成膜處理中，難以獲得高濃度且大量之自由基氣體源，結果會有需要很長的成膜時間的問題。
近來熱/光CVD裝置中，採用容易藉由熱或光之照射而解離之高濃度的NH3氣體或O3氣體，來作為原料氣體。又，在CVD腔裝置內設置有加熱觸媒體。藉此，在該熱/光CVD裝置中，受觸媒作用，促進氣體的分離，亦能夠在短時間將氮化膜或氧化膜等予以成膜。然而，該時間的縮短化是限制性的，難以大幅改善成膜時間。
因此，有一種遠距電漿(remote plasma)型成膜處理裝置(例如，參照專利文獻2)存在，用作為可減輕因電漿所造成對於被處理體的損傷，且能夠更縮短成膜時間之裝置。
該專利文獻2之技術，係利用間隔壁(電漿吸持電極)來分隔出電漿產生區域與被處理材處理區域。具體而言，在專利文獻2之技術中，在高頻施加電極與設置有被處理體之對向電極之間設置該電漿吸持電極。藉此，在專利文獻2之技術中，僅使中性活性種供給至被處理體上。
此外，在專利文獻3之技術中，在遠距電漿 源中，藉由電漿使原料氣體的一部分活性化。因此，氣體的流路係在該遠距電漿源內迴繞。在遠距電漿源中所產生的活性氣體排放出、且供給至被處理體所存在的裝置側。
如專利文獻3所述之薄膜技術中，係利用氮、氧、臭氧或氫等之各種的原料氣體。並且，由該原料氣體來產生活性化之自由基氣體，且藉由該自由基氣體使薄膜成膜在被處理體上。
自由基氣體反應性非常高。因此，對被處理體分配微量(約1%：10000ppm)以下之濃度的自由基氣體，從而促進在被處理體之金屬粒子與自由基氣體的化學反應，且能夠在短時間效率地製作出氮化薄膜、氧化薄膜或氫結合薄膜等。
在自由基氣體產生裝置中配設有放電單元，在該放電單元中，藉由大氣壓電漿所形成的介電質屏障放電，來實現高電場的電漿。藉此，由曝露於放電單元的電漿之原料氣體，來產生高品質之自由基氣體且供給至CVD裝置內。
此外，在CVD裝置內，對被處理體(晶圓基板)施以利用氣體之處理之情形，會將配設有被處理體之CVD裝置內設為加熱及減壓狀態。於是，為了使該CVD裝置內，充滿有機金屬化合物蒸氣氣體(前驅氣體(precursor gas))，並且促進金屬粒子之氧化、氮化、還元，而供給臭氧氣體、水蒸氣、氫氣體、或自由基氣體(氧自由基氣體、氮自由基氣體、氫自由基氣體等)。藉此，在 CVD裝置內，將堆積成被處理體面狀之氧化、氮化物質等予以熱擴散，即能夠使結晶成長為膜(成膜)在被處理體面來發揮作為半導體膜或者絕緣膜等之功能膜。
另外，以下將在上述中，與前驅氣體一同供給至CVD裝置內之各種氣體(臭氧氣體、水蒸氣、氫氣體、或自由基氣體)稱為成膜處理氣體。
(先前技術文獻)
(專利文獻)
專利文獻1：日本特開2007-266489號公報
專利文獻2：日本特開2001-135628號公報
專利文獻3：日本特開2004-111739號公報
由於習知，係在被處理體上構成半導體等之功能元件(2D(dimension，維度)元件))，故在CVD處理容器內充滿前驅氣體或成膜處理氣體之表面成膜為主體。
例如，被處理體係配設1片或者複數片。在經減壓的CVD裝置內，從預定之口徑且較短之氣體供給配管透過複數個噴嘴孔，使氣體噴出成射叢(shower)狀。從預定之口徑且較短之氣體供給配管所供給的氣體，由於未充分整流化成具有預定方向性之氣體，且未充分使供給之氣體加速加以高速度化而噴出，故被噴出的氣體係以依 存於環境氣體壓力或氣體濃度差之擴散速度朝四方擴散。
另外方面，由於要求更高密度之功能元件，故期望使功能元件跨及多層而形成的三維之功能元件(3D(dimension，維度)元件)。亦即，期望將所期望之膜予以均勻地成膜在屬於高板厚孔徑比之溝部內。
然而，如上述之方式，在朝四方擴散而噴射之氣體的情形下，在屬於高板厚孔徑比之溝部內，未使氣體均等地噴射。這樣，在該溝部內中，無法均勻地進行成膜。
因此，要求一種成膜技術，其係能夠在被處理體中且屬於高板厚孔徑比之溝部內，均等地噴射氣體。
因此，本發明目地在於提供一種用於成膜裝置之氣體噴射裝置，其係即使在具有屬於高板厚孔徑比之溝部的被處理體，亦能夠將NH3(氨)或N3、O2、O3(臭氧)等之氣體、及矽或鉿等之前驅物氣體(非加熱氣體)或藉加熱或放電而自由基化之氣體予以均等地噴射至該溝部內。
為了達成上述目的，本發明之用於成膜裝置之氣體噴射裝置係具備有：氣體供給部，係進行氣體之供給；氣體分散供給部，係被供給有來自前述氣體供給部之氣體；以及氣體噴射單元部，係供已在前述氣體分散供給部內分散的氣體流入，將該氣體整流化，且將經整流化之氣體噴射至成膜裝置內；其中前述氣體噴射單元部係為扇 型形狀，且在內部形成有作為氣體通路之間隙；而前述氣體分散供給部內的氣體係從前述扇型形狀之寬度較廣闊側流入至前述間隙內，且歸因於該扇型形狀而使氣體被整流化及被加速，且從扇型形狀之寬度的縮窄側輸出至前述成膜裝置內。
本發明之用於成膜裝置之氣體噴射裝置係具備有：氣體供給部，係進行氣體之供給；氣體分散供給部，係被供給有來自前述氣體供給部之氣體；以及氣體噴射單元部，係供已在前述氣體分散供給部內分散的氣體流入，將該氣體整流化，且將經整流化之氣體噴射至成膜裝置內；其中前述氣體噴射單元部係為扇型形狀，且在內部形成有作為氣體通路之間隙；而前述氣體分散供給部內的氣體係從前述扇型形狀之寬度較廣闊側流入至前述間隙內，且歸因於該扇型形狀而使氣體被整流化及被加速，且從扇型形狀之寬度的縮窄側輸出至前述成膜裝置內。
因此，通過氣體噴射單元部之間隙的氣體係被朝預定方向井然有序整流及被加速，且使具有指向性之射束狀的氣體，能夠自氣體噴射裝置輸出、噴射。因此，本發明之氣體噴射裝置，即使在具有屬於高板厚孔徑比之溝部的被處理體中，亦可均等地將氣體噴射至該溝部內，結果，能夠使均質的膜成膜在該溝部內。
5‧‧‧噴出部
9‧‧‧交流電源
23‧‧‧氣體噴射單元部
51‧‧‧加熱器
61‧‧‧第一電極部
99‧‧‧氣體分散供給部
100‧‧‧氣體噴射裝置
101‧‧‧氣體供給部
102‧‧‧氣體供給部
102B‧‧‧閥部
103‧‧‧壓力控制部
103a‧‧‧自動開閉閥部
103b‧‧‧壓力計
200‧‧‧成膜裝置(處理腔)
610‧‧‧第一電極部之供電部
620‧‧‧第二電極部之供電部
do‧‧‧間隙
G1‧‧‧(供給至氣體噴射單元部23)氣體
G2‧‧‧(從氣體噴射單元部23所輸出)氣體
H1‧‧‧加熱器電源
HV‧‧‧高電位
LV‧‧‧低電位
Lx‧‧‧長度
P0‧‧‧(成膜裝置200內)氣體壓力
P1‧‧‧(氣體噴射裝置100內)氣體壓力
W‧‧‧氣體流動寬度
W0‧‧‧氣體空間寬度
△d‧‧‧寬度
第1圖係顯示具有高板厚孔徑比之溝部202A之被處理體202之一部分剖面構成的放大剖面圖。
第2圖係示意性顯示由實施形態1之氣體噴射裝置100與處理腔200所構成之遠距電漿型成膜處理系統之構成的立體圖。
第3圖係顯示供給之氣體的氣體壓力與氣體擴散速度之關係的參考圖。
第4圖係示意性顯示實施形態2之氣體噴射裝置100之構成的立體圖。
第5圖係示意性顯示實施形態3之氣體噴射裝置100之構成的立體圖。
第6圖係示意性顯示相對於一個成膜裝置配設有複數個氣體噴射單元部23之構成的立體圖。
第7圖係示意性顯示相對於一個成膜裝置配設有複數個氣體噴射單元部23之另一構成的立體圖。
第8圖係示意性顯示相對於一個成膜裝置配設有複數個氣體噴射單元部23之另一構成的立體圖。
第9圖係示意性顯示由實施形態5之氣體噴射裝置100與處理腔200所構成之遠距電漿型成膜處理系統之構成的立體圖。
第1圖係顯示具有高板厚孔徑比之溝部202A之被處理體202之一部分剖面構成的放大剖面圖。
在第1圖中，Dx係溝部202A的口徑，而Dy 係溝部202A的深度。例如，口徑Dx係約數十μm直徑大小，而深度Dy係口徑Dx之數倍至數十倍大小。要求對第1圖所示之屬於高板厚孔徑比(Dy/Dx)的溝部202A均質地成膜(換言之，要求藉由氣體噴射，至高板厚孔徑比的溝部202A之底部為止，能夠供給均勻的氣體)。
如習知方式，從預定之口徑並較短之氣體供給配管來噴射的方式，適用於毫無遺漏地使氣體充滿至裝置內的情形。然而，在該方式之氣體噴出，由於在氣體供給配管中，未使氣體之流動方向井然有序來加以整流化或未進行氣體加速化，就將氣體供給(噴射)給成膜裝置，故噴出氣體的指向性或氣體速度較弱，因此氣體未進入至高板厚孔徑比的溝部202A內部為止，而對於溝部202A的底面及側面，難以將均質地膜予以成膜。此外，由於供給之自由基氣體的氣體壽命非常短暫，所以到達至溝部202A的底面之前即消滅，而難以將均質的膜予以成膜。
因此，為了在高板厚孔徑比之溝部202A內將均質的膜予以成膜，必須將氣體供給空間限制為較薄之間隙d0並充分確保通過之空間距離Lx，俾使噴出氣體具有指向性、並且沿著氣體通過流路來縮窄氣體供給空間，藉此使整流化之氣體加速化且謀求氣體的高速度化。亦即，噴出氣體之射束角度α，必須為溝部202A之板厚孔徑比愈大，則愈縮小(亦即，必須形成更具有指向性，且令氣體高速度化，藉此克服噴出之氣體擴散速度且抑制氣體之擴散的氣體噴射)。
本發明之用於非加熱、加熱及放電氣體之成膜裝置之氣體噴射裝置，係針對為了將均質的膜成膜在高板厚孔徑比之溝部202A內，而能夠將前驅氣體或成膜處理氣體噴出成射束狀之構成加以說明。以下，根據顯示本發明之實施形態之圖式來具體說明本發明。
<實施形態1>
第2圖係示意性地顯示由本實施形態之用於非加熱、加熱及放電氣體之成膜裝置之氣體噴射裝置(以下，簡稱氣體噴射裝置)100、及處理腔200所構成之遠距電漿型成膜處理系統之構成的立體圖。
非加熱、氣體噴射裝置100、及處理腔200係藉由凸緣(flange)來分隔。亦即，凸緣係用以結合氣體噴射裝置100與處理腔20之構件，凸緣的一方主面係構成氣體噴射裝置100的底面，而凸緣的另一方主面係構成處理腔200的頂面。其中，氣體噴射裝置100內與處理腔200內係透過噴出孔102而連接。
如第2圖所示，氣體噴射裝置100係由經密閉之氣體供給部101、氣體分散供給部99、氣體噴射單元部23及氣體噴射部5所構成。氣體分散供給部99係使從氣體供給部101所供給之氣體均等地分散。氣體噴射單元部23係對於從氣體分散供給部99所分散供給之氣體，謀求流動方向、整流化及加速化。氣體噴射單元部23中，經整流且加速成高速度的氣體係送到氣體噴射部5。其中， 氣體噴射部5係配設有使氣體往成膜裝置側噴出的孔部102。
氣體噴射裝置100的前段，設置有閥部102B及壓力控制部103，該閥部102B係用以調整供給之氣體量，而該壓力控制部103係用以將氣體噴射裝置100內之氣體壓力予以監視、控制於預定範圍內。利用氣體供給部101所供給之氣體G1係利用氣體分散供給部99，來均等地供給至氣體噴射單元部23中之屬於氣體供給剖面的氣體間隙d0。其中，氣體噴射裝置100內的氣體壓力P1係在10kPa至50kPa之範圍內，維持為固定。此外，通過氣體噴射單元部23的氣體係透過氣體噴射單元部5的噴出孔102作為噴出氣體G2而噴出。該氣體G2係對處理腔200內所噴射(更具體而言，對於處理腔200內的被處理體202噴射)。其中，噴出孔102的開口徑，例如為1mm以下。
另外，雖然氣體噴射裝置100內係減壓成壓力P1，惟氣體噴射裝置100外係大氣壓。
屬於CVD裝置的處理腔200之內係配設有承載台。並且，在該承載台上係載置有被處理體。其中，被處理體係如第1圖所示，具有屬於高板厚孔徑比的溝部202A。
處理腔200係透過排氣口而連接於真空泵。藉由該真空泵，處理腔200內的氣體壓力P0係維持成減壓為30Pa至400Pa大小之真空壓的壓力。
第2圖中，使前驅氣體或者形成自由基氣體 所獲得的原料氣體G1係透過氣體供給部101，以預定的流量供給至體噴射單元部23。在氣體噴射單元部23均等地分散的原料氣體G1係均等地供給至氣體噴射單元部23的間隙d0內。原料氣體G1係通過氣體噴射單元部23，而從噴出孔102朝處理腔200內，作為前驅氣體G2或者自由基氣體G2而噴出。氣體G2係對被載置在承載台上之被處理體，照射成射束狀，使膜成膜在該照射之區域中。
以下，氣體噴射單元部23係平板形狀並形成中空，中空的氣體流動部分的剖面形狀係長方形剖面，且設為隨著氣體之流動方向而使長方形剖面之氣體流動寬度變小之扇型形狀。針對在該氣體噴射單元部23內之氣體的流動加以說明。
其中，氣體噴射單元部23部分，係例如以藍寶石(sapphire)或者石英所構成。此外，氣體之間隙do的寬度(用以構成氣體噴射單元部23之2片扇型形狀之平板間的距離)△d係限制為3mm以下。此外，由於氣體噴射裝置100內的氣體壓力P1係在10kPa以上、50kPa以下之範圍維持為固定，因此於間隙do之氣體壓力亦在10kPa以上、50kPa以下之範圍維持為固定。
將氣體噴射裝置100予以如上述方式，限制氣體流動剖面為間隙do的寬度△d，氣體流動寬度W設成相對於氣體之流動方向呈縮窄之長方形剖面形狀(扇型形狀)，且將氣體壓力減壓成P1，藉此將供給之氣體流量Q供給至氣體噴射裝置100(該氣體流量Q例如設為 1L/min)。流入氣體噴射單元部23的氣體，藉由通過預定氣體空間Lx，從而如下數式(1)式，形成整流化且高速化之流速Vso，且在氣體噴射單元部23的頂點部，整流化成預定方向之氣體流動。此外，藉由通過氣體噴射單元部23內，從而使氣體加速且高速度化，且以高速之速度VS，從噴出孔102噴出氣體。
其中，數式(1)係VSo=100/P1‧[1000‧Q/{(W/10)‧(△d/10)}](cm/s)。
並且，藉由通過長度為Lx，並且縮窄之間隙do，而從四方流入至氣體噴射單元部23的氣體G1，相對於氣體流動方向，會歸因於扇型形狀的氣體空間，而整流化成一定方向的氣體流動方向(向內)且被加速。並且，氣體係以氣體G2，從氣體噴射單元部23的頂部側(亦即，透過噴出部5的噴出孔102)，朝向被處理體噴射(換言之，以氣體壓力P0對進行保持的處理腔200內加以噴射)。其中，如第4圖所示，從氣體噴射單元部23所噴射的氣體G2係具有射束角度α的射束狀。
間隙do中之通路距離Lx係間隙do之寬度△d的數十倍以上，例如設定為20mm至100mm大小。即使流入至氣體噴射單元部23之間隙do的氣體流動方向不一致，在氣體噴射單元部23之頂點側(亦即，噴出部5附近)的氣體流動方向，亦沿著氣體噴射單元部23之側面的方向井然有序，加以整流化。此外，歸因於氣體噴射單元部23的形狀，會使長方形之氣體間隙do的剖面積，隨著接近噴 出部5而變小。因此，在氣體噴射單元部23內傳輸的氣體係被加速(加速度a)，而在噴出部5附近形成速度Vs。
被整流、加速，且以速度Vs輸出至噴出部5的氣體，係在噴出孔102被進一步壓縮、高速化。其中，在噴出孔102中，產生壓力差△P(=氣體噴射裝置100內之氣體壓P1-處理腔200內之氣體壓P0)，利用該壓力差△P，從噴出孔102朝處理腔200噴射氣體G2。
令從氣體噴射單元部23之頂點部朝噴出部5輸入之氣體的速度為Vs，令該速度Vs的軸方向成分為Vsy，而該速度Vs的徑方向成分為Vsx。此外，令從噴出部5所輸出之氣體的速度為V0，令該速度V0的軸方向成分為Vy0，而令該速度V0的徑方向成分為Vx0。
則用於噴出給處理腔(成膜裝置)200之氣體的速度V0，係以氣體噴射裝置100內之氣體壓力P1與成膜装置200內之氣體壓力P0之比(=P1/P0)加以高速度化，速度V0={(氣體壓P1)/(氣體壓P0)}×速度Vs，速度Vy0={(氣體壓P1)/(氣體壓P0))×速度Vsy，而速度Vx0={(氣體壓P1)/(氣體壓P0))×速度Vsx。
處理腔200內的壓力係接近真空壓之壓力(氣體壓力P0=約30Pa至400Pa)，因此從噴出部5所噴出之氣體擴散速度VD亦變得非常大。附帶一提，往被處理體所噴出之氣體的速度Vs係在氣體噴射單元部23部分被加速，並且，藉由氣體噴射裝置100內之氣體壓P1與處理腔200內之氣體壓P0的壓力差△P，從而被整流化並且加速 的氣體係在噴出孔102被壓縮，而形成超過音速的速度被噴出。
第3圖係顯示擴散速度VD相對於供給氣體種類設為氧氣體或氮氣體之情形之氣體的氣體壓力P0之特性的特性圖。由該第3圖，在氣體噴射單元部23中，令P1為30kPa時，氣體之擴散速度VD係約0.04m/s大小，但在處理腔的氣體壓力環境P0中，形成3m/s~40m/s，使氣體的擴散速度VD非常大。由於在處理腔200的擴散速度VD較大，使往處理腔20噴出的氣體不具有指向性，若噴出速度與擴散速度相比不足夠高，則往處理腔200噴出的氣體即形成為立即地往四面八方擴散。
相對於此，從本案發明之設為扇型形狀之氣體噴射單元部23往處理腔200噴出時，噴出氣體G2的噴出速度V0係以超過超音速之速度形成具有指向性之射束狀。因此，與擴散速度VD相比，由於具有非常高之氣體流速，故可抑制噴出氣體之往四方的擴散，且因高速度而可對被處理體面射束狀地噴射噴射氣體。
使噴出部5所噴出的氣體以超過擴散速度VD之速度噴出氣體G2。因此，以具有更大速度Vsy之方式使氣體G2從噴出部5噴出，藉此能夠從氣體噴射單元部23之頂點部噴出具有指向性之射束狀的氣體G2。此外，速度Vsx係使氣體噴射單元的形狀為扇型形狀，因此形成向內的氣體速度向量，故即使對於噴出的氣體，亦形成向內氣體速度向量Vx0，會有形成抑制擴散速度VD之方向的效 果。
接著，本案各發明者經進行實驗、模擬的結果，發現到：將處理腔200內之氣體壓P0設定成適於成膜之30Pa至400Pa大小之情形，且從氣體G2之指向性的觀點，噴出部5附近的氣體之加速度只要是能確保約200m/s2以上者即可。此外，為了使更優良品質之射束形狀的氣體G2噴出，氣體G2的加速度係確保約400m/s2以上者為佳。
因此，本案各發明者發現到：在將上述氣體噴射單元部23之弧角設定成約20°至40°附近的氣體噴射單元部23中，從確保上述加速度之觀點，氣體噴射單元部23內的氣體壓P1，宜為約80kPa以下，且為了使更優良品質之射束形狀的氣體G2噴出，該氣體壓P1約50kPa以下者為佳。
另一方面，相對於處理腔200內之氣體壓P0(30Pa~400Pa)，使之具有數十倍以上之壓力損失者為佳。因此，在噴出部5中，令噴出孔102之直徑為0．03mm至1mm，令噴出部5之長度L1為5mm以上之情形，氣體噴射單元部23內的氣體壓P1，約20kPa大小者為佳。
雖然氣體噴射裝置100係能夠噴射整流化之氣體以作為高速度之氣體的構成，但尚未具有控制氣體噴射裝置100內之氣體壓力的手段。因此，受氣體噴射裝置100內之氣體壓力的變動，使噴出之氣體量或噴出之氣體速度變動，而會對在成膜裝置中所成膜之膜的品質產生影 響。此外，成膜裝置之處理腔200內的氣體壓P0，例如，若壓力在30Pa至400Pa的範圍內變動，則會有對應該處理腔200內之氣體壓P0而造成氣體噴射裝置100內之氣體壓力的變動。
因此，在本發明中，為了操控氣體噴射裝置100之壓力變動或氣體量，在氣體噴射裝置100的氣體供給側，具有用以將氣體流量調整手段及氣體壓力予以固定控制之手段及監視在預定壓力範圍內之手段。
在第2圖中，為了操控氣體噴射裝置100之壓力變動或氣體量，在氣體噴射裝置100之前段，配設有用以調整氣體流量之閥部102B。此外，在閥部102B之後段，配設有自動壓力控制器(Auto Pressure Controller，APC)103。亦即，藉由閥部102B及APC103，從而操控氣體噴射裝置100內的壓力為固定值。
在APC103中，壓力計103b係常時量測氣體噴射裝置100內之壓力。並且，以使該量測值為固定之方式，微調整開閉控制APC103內之自動開閉閥部103a。藉此，使氣體噴射裝置100內之氣體流量及壓力控制成固定。
如此，於氣體噴射裝置100之前段，設置閥部102B及APC103，藉此能夠提高成膜在成膜裝置內之膜的品質。
另外，要從氣體噴射裝置100噴出優良品質之射束狀的氣體，係以擴大氣體噴射單元部23者為佳。此外，在氣體噴射單元部23，供以不紊亂地使經整流化之氣 體噴出的噴出部5係盡可能地設計較小者為佳。
如上述方式，在氣體噴射單元部23之扇型形狀的長度Lx、間隙do的部分上，藉由充分加長長度Lx，從而使氣體的流動整流化成固定方向，並且，對應氣體通過，使經整流化的氣體被加速。因此，從氣體噴射單元部23係可使具有指向性之射束狀的氣體G2噴射。所以，用於非加熱、加熱及放電氣體之成膜裝置之氣體噴射裝置100，即使在具有屬於高板厚孔徑比之溝部的被處理體中，亦可使氣體到達至該溝部內且可均等地噴射氣體，結果，能夠使均質的膜成膜在該溝部內。
此外，在氣體噴射單元部23之扇型形狀的長度Lx、間隙do的部分中，由於氣體被整流、加速，結果，從氣體噴射單元部23係可噴射高速的氣體G2。藉此，例如，當氣體G2係屬於包含壽命較短之自由基氣體的氣體之情形，由於在短時間，即能夠使氣體到達至被處理體，因此能夠在維持高濃度之自由基的狀態下，對被處理體照射自由基氣體G2。因此，能夠將高品質的膜成膜在被處理體上，此外，亦能夠使成膜溫度下降。
若將氣體噴射單元部23：以扇型形狀(弧角<180°)來構成，形成氣體通路之間隙do，使氣體流動在該間隙do內，則在氣體噴射單元部23內，氣體會被整流(產生抵消擴散速度VD之方向的速度)、加速(被噴射之氣體G2的高速化)。因此，從氣體噴射單元部23係噴射有上述具有指向性之氣體G2。
另一方面，當氣體噴射單元部23之弧角過大時，會使間隙do中之氣體衝突大量產生，而在間隙do內產生自由基氣體之情形，會使自由基氣體在間隙do內大量消滅。此外，若弧角過大時，會使氣體噴射單元部23之占有面積變大。當考慮該等事項時，弧角設為60°以下者為佳。
此外，只要間隙do的寬度△d係3mm之以下，則於氣體噴射單元部23之整流化係可充分達成。但是，間隙do的寬度△d愈小，愈能夠更提升整流化，亦能夠形成從氣體噴射單元部23所噴射之氣體G2的高速化。
此外，如上所述，氣體噴射單元部23之構件中面對氣體的部分，係由自由基氣體之與壁衝突所造成消滅較少之藍寶石或石英所構成，而通路面係設為凹凸較少的面者為佳。
藉此，能夠抑制在氣體所通過之壁面產生歸因於氣體的腐蝕物等。因此，用以防止從氣體噴射單元部23，除氣體G2以外，輸出不純物。亦即，能夠從氣體噴射單元部23，恆常地，使高純度的氣體G2噴出。
<實施形態2>
在本實施形態中，係在氣體噴射單元部23中，使氣體G1加熱，藉此使氣體G1自由基氣體化。並且，本實施形態之氣體噴射單元部23係噴射自由基氣體G2。第4圖係顯示用以噴射加熱氣體之本實施形態之氣體噴射裝置100 的構成之圖。
就加熱而產生自由基氣體G2之氣體原料而言，有臭氧氣體(亦即，在第4圖，從氣體供給部101供給至氣體噴射裝置100的氣體G1係臭氧氣體)。
一般而言，在臭氧產生器中，係利用介電質屏障放電，來使臭氧氣體產生。近來，業已建立一種成膜技術，其係不含氮氣體、並且將400g/m3左右之高濃度臭氧化氣體供給至CVD裝置，藉此利用臭氧氣體之氧化膜的成膜技術。
如前述的成膜技術，例如，將CVD裝置內設為減壓環境且為加熱環境。並且，對該CVD裝置，交替地供給前驅氣體(例如，四乙基氧矽(tetraethyl orthosilicate,TEOS)等之有機矽化合物)與高濃度臭氧氣體，來對CVD裝置內之被處理體形成氧化膜。
其中，在供給前驅氣體之步驟中，使Si(矽)金屬自有機矽化合物熱分離，並且，在供給臭氧氣體之步驟中，使臭氧氣體的一部分熱分離，藉此產生氧原子(氧自由基)。該氧自由基的氧化力較強，利用與經熱分離之Si金屬的氧化反應，而使SiO2膜成膜在被處理體上。
本實施形態之氣體噴射單元部23係由臭氧氣體產生氧自由基氣體，且將該氧自由基氣體作為具有指向性之射束狀的氣體G2並噴出。
在實施形態1所說明之氣體噴射裝置100與本實施形態之氣體噴射裝置100，除追加下述之構件以外 為相同構成。
如第4圖所示，在本實施形態中，於扇型形狀之氣體噴射單元部23的外側面環狀地配設加熱器(加熱部)51。另外，在本實施形態中，如第4圖所示，氣體噴射裝置100係具有用以加熱加熱器51的電源H1。
使加熱器51加熱，藉此將扇型形狀之氣體噴射單元部23加熱至數十℃至100℃程度為止，結果，使氣體噴射單元部23之間隙do內的氣體空間加熱至數十℃至100℃為止。當臭氧氣體通過該加熱狀態之間隙do時，臭氧氣體就會熱分離，產生氧自由基氣體，而在從氧自由基氣體返回自氧氣體的壽命為止的短時間內將包含氧自由基氣體的氣體G2噴射在被處理體。
從氣體供給部101所供給之高濃度的臭氧氣體G1係在氣體分散供給部99內均等地分散之後，輸入至扇型形狀之氣體之間隙do、氣體空間寬度W0之長方形剖面的氣體空間。並且，在加熱至數十℃至100℃左右為止之間隙do的氣體空間傳輸臭氧氣體G1。在間隙do內傳輸中的臭氧氣體係部分性地熱解離。亦即，在被加熱的間隙do內中，使臭氧氣體熱解離，藉此使氧自由基氣體大量地產生。該氧自由基氣體係供給至噴出部5內。並且，透過噴出孔102，氧自由基氣體G2係朝向被處理體噴射。其中，如在實施形態1亦已說明，從噴出孔102噴出具有指向性之射束狀的氧自由基氣體G2。
另外，在上述說明中，雖然噴出孔102係以 一個構成為例而加以說明，惟亦可具有複數個噴出孔102(實施形態1亦同樣)。
如以上之方式，在本實施形態中，於氣體噴射單元部23之外側，配設有進行加熱的加熱器51。
如此，由於能夠利用加熱器51直接加熱縮窄之間隙do的氣體空間，因此在更低溫(數十℃至100℃程度)下，能夠使臭氧氣體效率優良地熱解離，並且，能夠藉由氣體噴射單元部23使經解離之氧自由基氣體在短時間噴出。並且，能夠使經噴出之含有氧自由基氣體的噴出氣體G2，作為具有指向性之射束，來照射在被處理體。
另外，亦可採用氮化合物氣體或氫化合物氣體來取代臭氧氣體，作為噴出氣體G1。在該等情形下，在加熱狀態的間隙do內，藉由熱解離以產生氮自由基氣體或氫自由基氣體。當從氣體噴射單元部23對被處理體照射氮自由基氣體G2時，就會使氮化膜成膜，而照射氫自由基氣體G2時，就會使氫還原膜(使氫結合促進之金屬膜)成膜。
此外，亦可使前驅氣體作為氣體G1輸入第4圖所示之氣體噴射單元部23的間隙do內。該情形，係使經加熱之前驅氣體從氣體噴射單元部23噴出為射束狀。
另外，在本實施形態中，亦與實施形態1相同，在氣體噴射裝置100的前段配設有閥部102B及APC103。
<實施形態3>
在本實施形態之氣體噴射裝置100中，係使氣體噴射單元部23之氣體間隙do中產生介電質屏障放電，且利用該介電質屏障放電，來產生品質優良的自由基氣體。並且，本實施形態之氣體噴射單元部23係噴出具有指向性之射束狀的高速度之自由基氣體。第5圖係顯示本實施形態之氣體噴射裝置100的構成之圖。
在實施形態1所說明之氣體噴射裝置100與本實施形態之氣體噴射裝置100，除追加下述之構件以外為相同構成。
眾所周知，將高電壓之交流電壓施加至電極面，使介電質屏障放電產生，且利用該介電質屏障放電，使氣體解離，且產生自由基氣體。本實施形態之氣體噴射裝置100係能夠被利用作為可取出品質優良的自由基氣體之有效的手段，該品質優良的自由基氣體係藉由介電質屏障放電所產生且具有非常高能量。
如第5圖所示，本實施形態之氣體噴射單元部23係平板狀且具有扇型形狀之兩片平板2、3。並且，於平板2係以密接之方式配設第一電極部61，而於平板3係以密接之方式配設第二電極部(由於第二電極部係存在於平板3之後方，故第5圖未加以圖示)。並且，第一電極部61係配設有供電板610，而在第二電極部係配設供電板620。
本實施形態之氣體噴射單元部23係介電質， 例如，由藍寶石或石英一體形成，且氣體噴射單元部23內係以密閉之空間所構成。因此，即使氣體噴射單元部23內之氣體壓力係低壓狀態，亦由於設置於氣體噴射單元部23外之第一電極部61、第二電極部之設置的場所係大氣壓，因此由第一電極部61之高電壓施加所構成之絕緣方式係具有可設計在大氣壓下的好處。
另外，在本實施形態中，如第5圖所示，氣體噴射裝置100係具有用以透過供電板610、620而將交流電壓施加至第一電極部61與第二電極部之間的交流電源9。其中，第一電極部61係高電位HV側，而第二電極部係低電位(接地電位)LV側。
藉由交流電源9，透過供電板610、620來對第一電極部61與第二電極部之間，施加高電壓的交流電壓。如此一來，在形成於氣體噴射單元部23內的氣體間隙do(可理解為放電空間)內，產生介電質屏障放電。當使氣體通過於產生該介電質屏障放電之間隙do時，氣體就會電離且產生具有非常高能量之品質優良的自由基氣體。其中，在本實施形態中，間隙do係高電場且低溫。
從氣體供給部101所供給之氣體G1(例如氮氣體)係在氣體分散供給部99內均等地分散之後，輸入至氣體噴射單元部23之間隙do。並且，在產生介電質屏障放電之間隙do內，傳輸氮氣體G1。藉由介電質屏障放電，從在間隙do內傳輸中的氮氣體產生氮自由基氣體。該氮自由基氣體係供給至噴出部5內。並且，透過噴出孔102， 氮自由基氣體G2係朝向被處理體噴射。其中，如在實施形態1亦已說明，從噴出孔102噴出具有指向性之射束狀且高速度的氮自由基氣體G2。
另外，在上述說明中，雖然噴出孔102係以一個構成為例來加以說明，惟亦可具有複數個噴出孔102。
如以上之方式，在本實施形態中，於氣體噴射單元部23之兩主面，配設有二片電極部61。
因此，透過屬於介電質的氣體噴射單元部23來對氣體間隙do內施加交流電壓時，就能夠在氣體間隙do中使介電質屏障放電產生。因此，當氣體G1供給至該間隙do內時，在該間隙do內就能夠產生自由基氣體G2。從氣體噴射單元部23噴出具有指向性之射束狀的自由基氣體G2。其中，如在實施形態1亦已說明，在間隙do內傳輸之氣體係被整流、加速。因此，從氣體噴射單元部23輸出高速之經射束化的自由基氣體G2。故此，使自由基氣體G2到達被處理體為止的時間縮短化，且在維持高濃度的狀態下，使自由基氣體G2照射至被處理體。
其中，為了除去因受介電質屏障放電所產生之放電熱，雖省略圖式，惟亦可在供電板610、620內設置使冷媒循環之流路。藉由使水等之冷媒循環在該流路內，即能夠透過經冷卻之供電板610、620來冷卻兩片電極61、及氣體噴射單元部23內。在該經冷卻之氣體間隙do的放電空間內中，產生品質更優良的自由基氣體。
為了利用介電質屏障放電來產生品質優良之 自由基氣體，必須令在氣體間隙do之電漿狀態為高電場。為了實現高電場之電漿狀態，要求將P‧d(kPa‧cm)積設為預定值以下之條件。其中，P係間隙do內之氣體壓力(可視為上述之氣體壓力P1)，此外d係間隙do的寬度(可視為上述之△d)。
在自由基氣體的情形，P‧d積為相同值時，在大氣壓+短間隙長(寬度△d較小)之條件(以下稱前者之情形)、及減壓+長間隙長(寬度△d較大)之條件(以下稱後者之情形)的情形中，後者之情形係有益於下述之點。亦即，後者之情形係使流動在間隙do中的氣體流速提高，並且，使間隙長(放電面之壁)變廣闊，且抑制自由基氣體之因受往壁之衝突量所造成的損失(亦即，能夠抑制經產生之自由基氣體量(自由基氣體濃度)的分解)。
從以上之方式，本案各發明者發現：從可穩定地驅動介電質屏障放電，且獲得良好之自由基氣體的觀點，氣體噴射單元部23係以滿足以下之條件者為佳。
亦即，在氣體噴射裝置100內，將氣體壓力P1設定為約10kPa至30kPa左右，且將間隙do內之寬度△d設定為約0．3至3mm，藉此令P‧d積值為約0.3至9(kPa‧cm)者為佳。將氣體壓力P1及寬度△d設定在前述值之範圍，藉此能夠提高介電質屏障放電之電場強度，且能夠產生品質優良之自由基氣體。
另外，在本實施形態中，亦與實施形態1同樣地，在氣體噴射裝置100的前段，配設有閥部102B及 APC103。在本實施形態中，當氣體噴射裝置100之氣體壓力為預定範圍外時，就無法形成介電質屏障放電，或產生異常放電。因此，在本實施形態中，在該觀點下，亦必需配設閥部102B及APC103，且固定時間維持氣體噴射裝置100內的壓力。此外，在APC103中，當感測到氣體噴射裝置100內之壓力異常時，亦可藉由來自APC103的電性信號，使放電用電源9即時停止之構成。
另外，在上述中，茲舉一例，提到氣體G1係針對採用氮氣體的情形。然而，亦可採用氮化合物氣體來取代氮氣體。此外，就供給至氣體噴射單元部23之間隙do內的氣體G1而言，亦可採用氧化合物氣體(包含氧氣體或臭氧)或氫化合物氣體(包含氫氣體)等。該情形，在間隙do內係藉由電離而從氧化合物氣體產生氧自由基氣體，且從氫化合物氣體產生氫自由基氣體。
具體而言，在將氧氣體供給至氣體噴射裝置100之情形中，在供給之氧氣體，加入微量之氮氣體或者氮氧化物氣體(數十ppm至數萬ppm)。當進行介電質屏障放電時，在經產生之氮氧化物的觸媒作用下，就能夠使氧自由基氣體的產生量突破性地增多。結果，能夠增進氧化膜之成膜的品質提升或提高成膜率。
在供給之氧氣體加入微量的氮氣體或氮氧化物氣體之情形，經添加的氮氣體或氮氧化物氣體會藉由放電也產生硝酸氣體。在成膜裝置200內，當所產生的硝酸氣體接觸到裝置200內的金屬構件時，就會產生金屬污染 (contamination)。因此，從抑制金屬污染產生的觀點，添加至氧氣體的氮量，具體設為1000ppm以下者為佳。
當從氣體噴射單元部23對被處理體噴射氧自由基氣體G2時，使氧化膜成膜，當照射氫自由基氣體G2時，會使氫還原膜(使氫結合促進之金屬膜)成膜。
<實施形態4>
在本實施形態中，使在實施形態1所說明之氣體噴射單元部23複數配設在氣體噴射裝置100。
第6圖係示意性顯示由具有複數個氣體噴射單元部23之氣體噴射裝置100及處理腔(成膜裝置)200所構成之遠距電漿型成膜處理系統之構成的立體圖。在第6圖所示之氣體噴射裝置100中，係透過各噴出孔102，使氣體G2噴出至成膜裝置200內。
如第6圖所示，在一個氣體分散供給部99與一個成膜裝置200之間，配設有複數個在實施形態1所說明之氣體噴射單元部23。另外，在本實施形態中，氣體噴射裝置100之外側亦為大氣壓。此外，除氣體噴射單元部23之數量以外，實施形態1與第6圖的構成為相同。
第7圖係示意性顯示本實施形態之氣體噴射裝置100之其他構成的立體圖。在第7圖所示之氣體噴射裝置100中，係透過各噴出孔102，使氣體G2噴出至成膜裝置200內。
如第7圖所示，在一個氣體分散供給部99與 一個成膜裝置200之間，配設複數個在實施形態2所說明之氣體噴射單元部23。另外，在本實施形態中，氣體噴射裝置100之外側亦為大氣壓。此外，除氣體噴射單元部23之數量以外，實施形態2與第7圖的構成為相同。
第8圖係示意性顯示本實施形態之氣體噴射裝置100之其他構成的立體圖。在第8圖所示之氣體噴射裝置100中，係透過各噴出孔102，使氣體G2噴出至成膜裝置200內。
如第8圖所示，在一個氣體分散供給部99與一個成膜裝置200之間，配設複數個在實施形態3所說明之氣體噴射單元部23。另外，在本實施形態中，氣體噴射裝置100之外側亦為大氣壓。此外，除氣體噴射單元部23之數量以外，實施形態3與第8圖的構成為相同。
通常，在成膜裝置200中，具有用以供給前驅體之部分、以及用以供給對應於要求如氧化膜或氮化膜之膜原料的氣體之部分。因此，亦可對於一個成膜裝置200，組合連接有第一非加熱之氣體噴射裝置100(第6圖中之氣體噴射裝置100)、及第二加熱氣體或放電氣體之氣體噴射裝置100(第7圖或第8圖中之氣體噴射裝置100)，該第一非加熱之氣體噴射裝置100係相當於用以供給前驅體之部分，而該第二加熱氣體或放電氣體之氣體噴射裝置100係相當於用以供給對應於要求如氧化膜或氮化膜之膜原料的氣體之部分。其中，在第一非加熱之氣體噴射裝置100內，係配設有用以噴射前驅氣體之複數個氣體噴射單 元部23。此外，在第二非加熱、加熱及放電氣體之氣體噴射裝置100內，係配設有用以噴射自由基氣體之複數個氣體噴射單元部23。
就遠距電漿型成膜處理系統之構成而言，有枚葉式、分批(batch)式，枚葉式係在成膜裝置200內設置1片被處理體，而分批式係在成膜裝置200內設置複數個被處理體。將前驅氣體送入至成膜裝置200時，透過於第6圖所示之複數個氣體噴射單元部23來供給，而送入作為氮化或氧化材之活性化氣體之原料氣體之時，係透過於第7、8圖所示之複數個氣體噴射單元部23來供給。藉此，能夠將氮化或氧化膜均勻地成膜在使屬於被處理體之功能元件跨及多層而形成的三維之功能元件(3D元件)的表面。
第6、7、8圖中，複數個氣體噴射單元部23係均等地排列著，在氣體分散供給部99內中均等地分散的氣體係均等地流入各氣體噴射單元部23。
<實施形態5>
在本實施形態中，如第9圖所示，氣體噴射裝置100係具有錐體形狀的氣體噴射單元部23，其係以設置氣體之間隙d0之方式配置同軸狀之錐體形狀的二個構件。
當令從錐體形狀之氣體噴射單元部23的頂點部噴出氣體G2，可噴出同等之射束狀的氣體，能夠實現品質優良之成膜。
5‧‧‧噴出部
23‧‧‧氣體噴射單元部
99‧‧‧氣體分散供給部
100‧‧‧氣體噴射裝置
101‧‧‧氣體供給部
102‧‧‧氣體供給部
103‧‧‧壓力控制部
103a‧‧‧自動開閉閥部
103b‧‧‧壓力計
200‧‧‧成膜裝置(處理腔)
do‧‧‧間隙
G1‧‧‧氣體
G2‧‧‧氣體
Lx‧‧‧長度
P0‧‧‧氣體壓力
P1‧‧‧氣體壓力
W‧‧‧氣體流動寬度
W0‧‧‧氣體空間寬度
△d‧‧‧寬度

Claims (13)

  1. 一種用於成膜裝置之氣體噴射裝置，係具備有：氣體供給部，係進行氣體之供給；氣體分散供給部，係被供給有來自前述氣體供給部之氣體；以及氣體噴射單元部，係供已在前述氣體分散供給部內分散的氣體流入，將該氣體整流化，且將經整流化之氣體噴射至成膜裝置內；其中前述氣體噴射單元部係為扇型形狀，且在內部形成有作為氣體通路之間隙；前述氣體分散供給部內的氣體係從前述扇型形狀之寬度較廣闊側流入至前述間隙內，且歸因於該扇型形狀而使氣體被整流化及被加速，且從扇型形狀之寬度的縮窄側輸出至前述成膜裝置內。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之用於成膜裝置之氣體噴射裝置，其中前述氣體噴射單元部係由藍寶石或者石英所構成。
  3. 如申請專利範圍第1項所述之用於成膜裝置之氣體噴射裝置，其中前述間隙的寬度係3mm以下；前述氣體噴射裝置部內的氣體壓力係10kPa以上、50kPa以下。
  4. 如申請專利範圍第1項所述之用於成膜裝置之氣體噴射裝置，其中 前述氣體噴射裝置係連接有用以調整氣體流量之閥部、以及用以將前述氣體噴射裝置內之氣體壓力控制為固定之壓力控制部。
  5. 如申請專利範圍第1項所述之用於成膜裝置之氣體噴射裝置，更具有複數個噴出孔，從前述氣體噴射單元部所輸出之氣體係透過前述複數個噴出孔而輸出至前述成膜裝置內。
  6. 如申請專利範圍第1項所述之用於成膜裝置之氣體噴射裝置，更具有配設於前述氣體噴射單元部的加熱部。
  7. 如申請專利範圍第6項所述之用於成膜裝置之氣體噴射裝置，其中前述氣體噴射單元部係令通過前述間隙的氣體為臭氧氣體、氮氧化物氣體或氫化合物氣體，且藉由前述加熱部的加熱使之氧自由基化、氮自由基化或氫自由基化，且將經前述自由基化之氣體輸出給前述成膜裝置。
  8. 如申請專利範圍第1項所述之用於成膜裝置之氣體噴射裝置，其中前述氣體噴射單元部係介電質，且前述氣體噴射裝置更具備交流電源，係能夠使交流電壓施加至前述氣體噴射單元部內之前述間隙之間；前述氣體噴射單元部係用以將自由基氣體輸出給前述成膜裝置，該自由基氣體係因由前述交流電源所施加之交流電壓，而藉由在前述間隙中所產生之介電質屏障放電而產生者。
  9. 如申請專利範圍第8項所述之用於成膜裝置之氣體噴射裝置，其中從前述氣體供給部供給之氣體係氮氣體或氮氧化物氣體，在前述氣體噴射單元部之前述間隙中，藉由前述介電質屏障放電而產生之前述自由基氣體係氮自由基。
  10. 如申請專利範圍第8項所述之用於成膜裝置之氣體噴射裝置，其中從前述氣體供給部供給之氣體係混合氣體，該混合氣體係於氧氣體中含有數ppm至數萬ppm的氮氣體或氮氧化物氣體者；在前述氣體噴射單元部之前述間隙中，藉由前述介電質屏障放電而產生之前述自由基氣體係氧自由基。
  11. 如申請專利範圍第1項所述之用於成膜裝置之氣體噴射裝置，其中前述氣體噴射單元部係複數個。
  12. 如申請專利範圍第1項所述之用於成膜裝置之氣體噴射裝置，其中從前述氣體供給部所供給之氣體係前驅氣體。
  13. 如申請專利範圍第1項所述之用於成膜裝置之氣體噴射裝置，其中從前述氣體供給部所供給之氣體係作為自由基氣體之原料的原料氣體。
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