TW201624583A - 基板處理裝置，半導體裝置之製造方法及記錄有程式之記錄媒體 - Google Patents

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Abstract

於周期性供給第1氣體與第2氣體的成膜法中，由第1氣體與第2氣體生成副生成物，因副生成物而阻礙反應。由於副生成物為藉由殘留之第1氣體與第2氣體進行反應所產生，故使第1氣體或第2氣體之任一者或兩者的殘留量減低。 本發明之解決手段係具有：對基板進行處理之處理室；支撐上述基板之基板支撐部；第1氣體供給部，其係具備使第1氣體分散之第1分散部；與第2氣體供給部，其係具備使第2氣體分散、且具有小於上述第1分散部表面積之表面積的第2分散部。

Description

基板處理裝置，半導體裝置之製造方法及記錄有程式之記錄媒體
本發明係關於基板處理裝置，半導體裝置之製造方法及記錄有程式之記錄媒體。
隨著近年來之半導體裝置(Integrated Circuits：IC)，尤其是隨著DRAM的高積體化及高性能化，期望有於基板上面內、及其圖案面上形成均勻膜厚的技術。作為配合此要求之手法之一，有使用複數原料於基板形成膜的方法。此手法中，尤其在形成高寬比高，例如在形成DRAM電容器電極等時，可進行階梯覆蓋高之均覆(conformal)成膜。例如專利文獻1、2、3等所記載。
[先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本專利特開2012-231123號公報
[專利文獻2]日本專利特開2012-104719號公報
[專利文獻3]日本專利特開2012-69998號公報
於周期性供給第1氣體、第2氣體的成膜方法中，有第1氣體與第2氣體發生非故意之反應的情形，由於非故意之反 應，而有無法得到目標之膜特性、半導體裝置之特性惡化的課題。
本發明之目的在於提供可提升基板上所形成之膜之特性的基板處理裝置、半導體裝置之製造方法及程式。
根據本發明之一態樣，提供一種基板處理裝置，其係具有：對基板進行處理之處理室；支撐上述基板之基板支撐部；第1氣體供給部，其係具備使第1氣體分散之第1分散部；與第2氣體供給部，其係具備使第2氣體分散、且具有小於上述第1分散部表面積之表面積的第2分散部。
根據其他態樣，提供一種半導體裝置之製造方法，其係具有：經由第1分散部對基板供給第1氣體的步驟；與經由具有小於上述第1分散部內表面積之表面積的第2分散部對上述基板供給第2氣體的步驟。
進而根據其他態樣，提供一種程式，其係使電腦實行：經由第1分散部對基板供給第1氣體的程序；與經由具有小於上述第1分散部內表面積之表面積的第2分散部對上述基板供給第2氣體的程序。
根據本發明之基板處理裝置、半導體裝置之製造方法及程式，可提升半導體裝置之特性。
100、100a、100b、100c、100d‧‧‧基板處理裝置
102‧‧‧大氣搬送單元；大氣搬送室
103‧‧‧承載單元
104‧‧‧真空搬送室
105‧‧‧搬送機器人；真空搬送機器人
112‧‧‧氣體供給管
113‧‧‧第1氣體源
114、116、126、136、136a、136b‧‧‧氣體閥
115、125、135、135a、135b、145‧‧‧質量流量控制器(MFC)
123‧‧‧第2氣體源
124‧‧‧遠程電漿單元(RPU)
131a、131b‧‧‧沖洗氣體供給部
133‧‧‧沖洗氣體供給源
140a‧‧‧第1氣體供給管集合部
140b‧‧‧第2氣體供給管集合部
150a‧‧‧第1氣體導入管
150b‧‧‧第2氣體導入管
160‧‧‧第1氣體原料閥
170‧‧‧通氣閥
171‧‧‧通氣管
180‧‧‧氣化器
190‧‧‧氣化器殘量測定部
200‧‧‧晶圓(基板)
201‧‧‧處理室；處理空間；反應區
202‧‧‧處理容器
202a‧‧‧上部容器；上側處理容器
202b‧‧‧下部容器
203‧‧‧搬送空間
204‧‧‧分隔板
205‧‧‧閘閥
206‧‧‧基板搬入出口
207‧‧‧起銷
210‧‧‧基板支撐部
211‧‧‧載置面
212‧‧‧基板載置台
213‧‧‧加熱器
214‧‧‧貫通孔
217‧‧‧軸
218‧‧‧升降機構
219‧‧‧伸縮囊
221‧‧‧排氣口
222、238‧‧‧壓力調整器
223、239‧‧‧真空泵
224、236‧‧‧排氣管
231‧‧‧蓋
231a‧‧‧孔
232a‧‧‧第1緩衝空間(第1分散部)
232b‧‧‧第2緩衝空間(第2分散部)
232bc、232bd‧‧‧中央區域
232be、232bf‧‧‧外周端
233‧‧‧絕緣塊
234‧‧‧噴淋頭
234a‧‧‧第1分散孔
234b‧‧‧第2分散孔
234c、234e‧‧‧氣體對向面
234d‧‧‧氣體順方向面
235‧‧‧氣導
237、237a、237b‧‧‧閥
240a、240b‧‧‧噴淋頭排氣口
241a‧‧‧第1氣體導入口
241b‧‧‧第2氣體導入口
250‧‧‧斷熱部
251‧‧‧整合器
252‧‧‧高頻電源
260‧‧‧控制器
260a‧‧‧CPU
260b‧‧‧RAM
260c‧‧‧記憶裝置
260d‧‧‧I/O埠
260e‧‧‧內部匯流排
261‧‧‧輸出入裝置
262‧‧‧外部記憶裝置
圖1為第1實施形態之基板處理裝置的概略構成圖。
圖2A為由基板側觀看一實施形態之噴淋頭的圖；圖2B為一實施形態之噴淋頭的橫剖面圖。
圖3為一實施形態中適合使用之基板處理裝置之氣體供給系統的概略構成圖。
圖4為一實施形態中適合使用之基板處理裝置之控制器的概略構成圖。
圖5為表示一實施形態之基板處理步驟的流程圖。
圖6為第2實施形態之基板處理裝置之概略構成圖。
圖7為第3實施形態之基板處理系統的概略構成圖。
<第1實施形態>
以下藉圖式說明本發明之第1實施形態。
(1)基板處理裝置之構成
首先，針對第1實施形態之基板處理裝置進行說明。
針對本實施形態之處理裝置100進行說明。基板處理裝置100係高介電係數絕緣膜形成單元，如圖1所示，係以單片式基板處理裝置之形式構成。於基板處理裝置中，進行如上述之半導體元件之製造的一步驟。
如圖1所示，基板處理裝置100係具備處理容器202。處理容器202係例如橫剖面為圓形，並以扁平之密閉容器的形式構 成。又，處理容器202係由例如鋁(Al)或不銹鋼(SUS)等金屬材料、或石英所構成。於處理容器202內，形成對作為基板之矽晶圓等之晶圓200進行處理的處理空間(處理室)201、搬送空間203。處理容器202係由上部容器202a與下部容器202b所構成。於上部容器202a與下部容器202b之間設有分隔板204。將由上部容器202a所包圍之空間、較分隔板204靠上方之空間稱為處理空間(亦稱為處理室)201；將由下部容器202b所包圍之空間、較分隔板靠下方之空間稱為搬送空間203。
於下部容器202b側面，設置與閘閥205鄰接之基板搬入出口206，晶圓200係經由基板搬入出口206而在未圖示之搬送室之間移動。於下部容器202b之底部，複數設置起銷207。再者，下部容器202b接地。
處理室201內，設有支撐晶圓200的基板支撐部210。基板支撐部210具有：載置晶圓200之載置面211；於表面具有載置面211的基板載置台212；作為加熱部的加熱器213。藉由設置加熱器，使基板加熱，可提升形成於基板上之膜的品質。於基板載置台212，亦可在與起銷207對應之位置分別設置起銷207貫通的貫通214。
基板載置台212係由軸217支撐。軸217貫通處理容器202之底部，進而於處理容器202外部連接於升降機構218。藉由使升降機構218運作而使軸217及基板載置台212進行升降，可使載置於基板載置面211上之晶圓200升降。尚且，軸217下端部之周圍，係由伸縮囊219所包覆，將處理室201內保持為氣密。
基板載置台212係在晶圓200之搬送時，依基板載置 面211成為基板搬入出口206之位置(晶圓搬送位置)的方式下降；在晶圓200之處理時，如圖1所示，上升至晶圓200為處理室201內之處理位置(晶圓處理位置)。
具體而言，在使基板載置台212下降低晶圓搬送位置時，起銷207之上端部由基板載置面211上面突出，起銷207係由下方支撐晶圓200。又，在使基板載置台212上升至晶圓處理位置時，起銷207係由基板載置面211上面埋沒，基板載置面211係由下方支撐晶圓200。尚且，起銷207由於與晶圓200直接接觸，故較理想係由例如石英或氧化鋁等材質所形成。又，亦可於起銷207設置升降機構，並依基板載置台212與起銷207相對移動的方式構成。
(排氣系統)
於處理室201(上部容器202a)之內壁上面，設置作為對處理室201之環境氣體進行排氣之第1排氣部的排氣口221。於排氣口221係連接有作為第1排氣管的排氣管224，於排氣管224係依序串聯連接有將處理室201內控制為既定壓力的APC(Auto Pressure Controller)等之壓力調整器222、真空泵223。主要由排氣口221、排氣管224、壓力調整器222構成第1排氣部(排氣管線)。又，亦可依於第1排氣部中包括真空泵223的方式構成。
於第1緩衝空間232a之內壁上面，設置作為對第1緩衝空間232a之環境氣體進行排氣之第2排氣部的噴淋頭排氣口240a。於噴淋頭排氣口240a連接作為第2排氣管之排氣管236，於排氣管236係依序串聯連接有閥237a、將第1緩衝空間232a內控 制為既定壓力的APC(Auto Pressure Controller)等之壓力調整器238、真空泵239。主要由噴淋頭排氣口240a、閥237a、排氣管236、壓力調整器238構成第2排氣部(排氣管線)。又，亦可依於第2排氣部中包括真空泵239的方式構成。又，亦可依不設置真空泵239，而將排氣管236連接於真空泵223的方式構成。
於第2緩衝空間232b之內壁上面，設置作為對第2緩衝空間232b之環境氣體進行排氣之第3排氣部的噴淋頭排氣口240b。於噴淋頭排氣口240b連接作為第3排氣管之排氣管236，於排氣管236係依序串聯連接有閥237b、將第2緩衝空間232b內控制為既定壓力的APC(Auto Pressure Controller)等之壓力調整器238、真空泵239。主要由噴淋頭排氣口240b、閥237b、排氣管236、壓力調整器238構成第3排氣部(排氣管線)。又，亦可依於第3排氣部中包括真空泵223的方式構成。於此，表示排氣管236、壓力調整器238、真空泵239係與第2排氣部共用的情況。又，亦可依不設置真空泵239，而將排氣管236連接於真空泵223的方式構成。
(氣體導入口)
於上部容器202a之側壁，係將用於對處理室201內供給各種氣體之第1氣體導入口241a經由第1氣體導入管150a而設置。又，在設於處理室201上部之噴淋頭234之上面(頂壁)，係將用於對處理室201內供給各種氣體之第2氣體導入口241b經由第2氣體導入管150b而設置。關於連接於屬於第1氣體供給部之氣體導入口241a及屬於第2氣體供給部之氣體導入口241b的氣體供給系統的構成，係於後述。
(氣體分散單元)
作為氣體分散單元之噴淋頭234，係由第1緩衝室(空間)232a、第2緩衝室(空間)232b、第1分散孔234a、第2分散孔234b及分散管232c所構成。噴淋頭234係設於第2氣體導入口241b與處理室201之間。由第1氣體導入口241a所導入之第1氣體係供給至噴淋頭234之第1緩衝空間232a(第1分散部)。再者，第2氣體導入口241b係連接於噴淋頭234之蓋231，由第2氣體導入口241b所導入之第2氣體係經由設於蓋231之孔231a而供給至噴淋頭234之第2緩衝空間232b(第2分散部)。噴淋頭234係由例如石英、氧化鋁、不銹鋼、鋁等之材料所構成。
尚且，亦可藉由具導電性之金屬形成噴淋頭234之蓋231，作為用於對存在於第1緩衝空間232a、第2緩衝空間232b或處理室201內之氣體進行激發的活性化部(激發部)。此時，於蓋231與上部容器202a之間設置絕緣塊233，將蓋231與上部容器202a之間進行絕緣。亦可構成為於作為活性化部之電極(蓋231)連接整合器251與高頻電源252，而可供給電磁波(高頻電力或微波)。
噴淋頭234係具有在第1緩衝空間232a及第2緩衝空間232b與處理室201之間，用於使由第1氣體導入口241a、第2氣體導入口241b所導入之氣體分散的機能。於噴淋頭234，設置複數之(第1之)分散孔234a及(第2之)分散孔234b。由第1分散孔234a，係經由第1緩衝空間232a將第1氣體供給至處理空間201；由第2分散孔234b，係經由第2緩衝空間232b將第2氣體供給至處理空間201。第1分散孔234a及第2分散孔234b係依與基板載 置面211相對向的方式配置。
於第2緩衝空間232b，亦可設置形成所供給之第2氣體之氣流的氣導235。氣導235係以孔231a為中心隨著朝向晶圓200徑方向而半徑擴展的圓錐形狀。氣導235之下端之水平方向之半徑，係延伸至較第1分散孔234a及第2分散孔234b之端部更靠外周而形成。
圖2A表示由基板200側觀看噴淋頭234的圖。本圖中，為了容易理解，省略了氣體供給孔的數量。如圖所示，第1氣體供給孔234a與第2氣體供給孔234b之相同半徑的孔係依規則排列的方式設置。又，各孔之半徑或孔之位置亦可配合基板處理之種類或所使用之氣體種類等而變更。
(供給系統)
於連接至上部容器202a之屬於第1氣體供給部的氣體導入孔241a，連接有第1氣體供給管150a。於噴淋頭234之連接於蓋231的屬於第2氣體供給部的氣體導入孔241b，連接有第2氣體供給管150b。由第1氣體供給管150a係供給後述之原料氣體、沖洗氣體；由第2氣體供給管150b係供給後述之反應氣體、沖洗氣體。
圖3表示第1氣體供給部、第2氣體供給部、沖洗氣體供給部的概略構成圖。
如圖3所示，於第1氣體供給管150a連接有第1氣體供給管集合部140a。於第2氣體供給管150b連接有第2氣體供給管集合部140b。於第1氣體供給管集合部140a，連接有第1氣體供給管150a、與沖洗氣體供給部131a。於第2氣體供給管集合 部140b，連接有第2氣體供給管150b、與沖洗氣體供給部131b。
(第1氣體供給部)
於第1氣體供給部，設置第1氣體原料閥160、氣化器180、第1氣體供給管150a、質量流量控制器(MFC)115、閥116、氣化器殘量測定部190。又，亦可將第1氣體源113涵括於第1氣體供給部中而構成。氣化器180係構成為藉由將載體氣體供給至液體狀態之氣體原料中並使其起泡，而使氣體氣化。
載體氣體係由連接於沖洗氣體供給源133之氣體供給管112所供給。載體氣體流量係藉由設於氣體供給管112之MFC145所調整，經由氣體閥114供給至氣化器180。氣化器殘量測定部190係構成為藉由氣化器180內之氣體原料的重量、水位等而測定氣體原料之量。根據於氣化器殘量測定部190所測定之結果，依氣體閥114開關的方式，使氣化器180內之氣體原料控制成為既定量。
(第2氣體供給部)
於第2氣體供給部，設置第2氣體供給管150b、MFC125、閥126。又，亦可將第2氣體源123涵括於第2氣體供給部中而構成。
尚且，亦可依設置遠程電漿單元(RPU)124，而使第2氣體活性化的方式構成。
又，亦可設置通氣閥170與通氣管171，構成為可將蓄積於第2氣體供給管150b內之惰性之反應氣體進行排氣。
(沖洗氣體供給部)
於沖洗氣體供給部，設置氣體供給管112、131a、131b、MFC145、135a、135b、閥114、136a、136b。又，亦可將沖洗氣體源133涵括於沖洗氣體供給部中而構成。
(控制部)
如圖1所示，基板處理裝置100係具有控制基板處理裝置100之各部動作的控制器260。
將控制器260之概略示於圖4。屬於控制部(控制手段)之控制器260，係構成為具備CPU(中央處理器，Central Processing Unit)260a、RAM(隨機存取記憶體，Random Access Memory)260b、記憶裝置260c、I/O埠260d的電腦。RAM260b、記憶裝置260c、I/O埠260d係經由內部匯流排260e，構成為可與CPU260a進行資料交換。並構成為於控制器260可連接例如構成為觸控面板等的輸出入裝置261、或外部記憶裝置262。
記憶裝置260c係由例如快閃記憶體、HDD(硬式磁碟機，Hard Disk Drive)等所構成。於記憶裝置260c內，可讀取地儲存控制基板處理裝置之動作的控制程式、或記載有後述基板處理程序或條件等的製程內容等。又，製程內容係依於控制器260實行後述基板處理步驟之各程序，可得到既定結果的方式組合而成者，並以程式的形式發揮機能。以下，亦將此製程內容或控制程式等總稱並簡稱為程式。尚且，在本說明書中使用所謂程式之用語時，係指僅包含製程內容單體的情況、僅包含控制程式單體的情況、或包含其兩者的情況。RAM260b係構成為暫時性保持藉CPU260a讀取之 程序或資料等的記憶體區域(工作區)。
I/O埠260d係連接於閘閥205、升降機構218、加熱器213、壓力調整器222、238、真空泵223、239、氣化器180、氣化器殘量測定部190等。又，亦可連接於後述之MFC115、125、135(135a、135b)、145、閥237(237a、237b)、氣體閥114、116、126、136(136a、136b)、第1氣體原料閥160、通氣閥170、遠程電漿單元(RPU)124、整合器251、高頻電源252、搬送機器人105、大氣搬送單元102、承載單元103等。
CPU260a係讀取來自記憶裝置260c之控制程式而執行，同時依配合來自輸出入裝置261的操作指令的輸入等由記憶裝置260c讀取製程內容的方式構成。接著，CPU260a係依照讀取的製程內容，構成為可控制氣化器殘量測定部190之殘量測定動作、閘閥205之開關動作、升降機構218之升降動作、對加熱器213之電力供給動作、壓力調整器222、238之壓力調整動作、真空泵223、239之開關控制、遠程電漿單元124之氣體活性化動作、MFC115、125、135(135a、135b)的流量調整動作、閥237(237a、237b)、氣體閥114、116、126、136(136a、136b)、第1氣體原料閥160、通氣閥170的開關控制、整合器251之電力整合動作、高頻電源252之開關控制等。
尚且，控制器260並不限於構成作為專用的電腦的情況，亦可構成為通用的電腦。例如，可藉由準備儲存上述程式的外部記憶裝置(例如，磁帶、軟碟或硬碟等磁碟；CD或DVD等光碟；MO等光磁碟；USB記憶體或記憶卡等半導體記憶體)262，並使用此外部記憶裝置262在通用的電腦安裝程式等，而可構成本實施形 態的控制器260。又，用於對電腦供給程式的手段並不限於經由外部記憶裝置262供給的情況。例如，亦可使用網際網路或專用線路等通訊手段，不經由外部記憶裝置262而供給程式。尚且，記憶裝置260c或外部記憶裝置262係構成為可電腦讀取的記錄媒體。以下，將此等總稱並簡稱為記錄媒體。又，於本說明書中使用所謂記錄媒體之用語時，係指僅包含記憶裝置260c單體的情況、僅包含外部記憶裝置262單體的情況、或者包含其兩者的情況。
(2)基板處理步驟
接著，使用上述基板處理裝置之處理爐作為半導體裝置(半導體元件)之製造步驟之一步驟，參照圖5針對於基板上成膜屬於導電膜，例如成膜含金屬膜之作為過渡金屬氮化膜的氮化鈦(TiN)膜的順序例進行說明。又，以下說明中，係藉由控制器260控制構成基板處理裝置之各部的動作。
又，本說明書中於使用所謂「晶圓」之用語時，係指「晶圓本身」的情況、或「晶圓與形成於其表面的既定層或膜等及其積層體(集合體)」的情況(亦即，包括形成於表面之既定層或膜等而稱為晶圓的情形)。又，於本說明書中使用所謂「晶圓的表面」之用語時，係指「晶圓本身的表面(露出面)」的情況、或指「形成於晶圓上的既定層或膜等的表面，亦即，作為積層體之晶圓的最表面」的情況。
從而，於本說明書中記載「對晶圓供給既定氣體」的情況，係指「對晶圓本身的表面(露出面)直接供給既定氣體」的情況，或指「對形成於晶圓上的層或膜等，亦即，對作為積層體的晶 圓的最表面供給既定氣體」的情況。又，於本說明書中亦有意指「在形成於晶圓上的層或膜等之上，亦即，在作為積層體的晶圓的最表面之上形成既定的層(或膜)」的情況。
又，本說明書中使用所謂「基板」之用語的情況，係與使用所謂「晶圓」之用語的情況相同，此時，於前述說明中可考慮將「晶圓」置換為「基板」。
以下針對基板處理步驟進行說明。
(基板搬入步驟S201)
在成膜處理時，首先，使晶圓200搬入至處理室201。具體而言，係藉由升降機構218使基板支撐部210下降，起銷270成為由貫通孔214於基板支撐部210之上面側突出的狀態。又，在將處理室201內調壓為既定壓力後，開放閘閥205，由閘閥205使晶圓200載置於起銷207上。使晶圓200載置於起銷207上後，藉升降機構218使基板支撐部210上升至既定位置，晶圓200係由起銷207載置於基板支撐部210。
(減壓、升溫步驟S202)
接著，依處理室201內成為既定壓力(真空度)的方式，經由排氣管224對處理室201內進行排氣。此時，根據壓力感測器所測定之壓力值，回饋控制作為壓力調整器222的APC閥的閥開度。又，根據溫度感測器(未圖示)所檢測之溫度值，以處理室201內成為既定溫度的方式，回饋控制對加熱器213的通電量。具體而言，係藉由加熱器213對基板支撐部210事先進行加熱，在晶圓200或基板 支撐部210之溫度無變化後放置一定時間。於此期間，在有殘留於處理室201內之水分或來自構件之脫氣等情況，可藉由真空排氣或由N2氣體供給所進行之沖洗予以去除。依此，完成成膜製程前之準備。又，在處理室201內進行排氣為既定壓力時，亦可一次進行真空排氣至可到達的真空度。
(成膜步驟S301)
接著，針對於晶圓200成膜TiN膜的例子進行說明。使用圖5針對成膜步驟S301之細節進行說明。
將晶圓200載置於基板支撐部210，於處理室201內之環境氣體穩定後，進行圖5所示之S203~S207之步驟。
(第1氣體供給步驟S203)
於第1氣體供給步驟S203，係由第1氣體供給系統對處理室201內供給作為第1氣體(原料氣體)的四氯化鈦(TiCl4)氣體。具體而言，打開氣體閥160，對氣化器180供給TiCl4。此時，打開氣體閥114，將藉由MFC145調整為既定流量之載體氣體供給至氣化器180，並使TiCl4起泡，藉此將TiCl4氣體化。尚且，此氣體化可在基板搬入步驟S201前即開始。經氣體化之TiCl4氣體係在藉由MFC115進行流量調整後，供給至基板處理裝置100。經流量調整之TiCl4氣體係通過第1緩衝空間232a，由噴淋頭234之氣體供給孔234a供給至減壓狀態的處理室201內。又，持續由排氣系統進行處理室201內的排氣而將處理室201內之壓力控制為既定之壓力範圍(第1壓力)。此時，對晶圓200供給TiCl4氣體，TiCl4氣體係 依既定壓力(第1壓力：例如100Pa以上且20000Pa以下)供給至處理室201內。依此，對晶圓200供給TiCl4。藉由供給TiCl4，而於晶圓200上形成含Ti層。
(沖洗步驟S204)
於晶圓200上形成含鈦層後，關閉第1氣體供給管150a之氣體閥116，停止TiCl4氣體之供給。藉由停止原料氣體，將存在於處理室201中之原料氣體、或存在於第1緩衝空間232a中之原料氣體由第1排氣部予以排氣，藉此進行沖洗步驟S204。
又，沖洗步驟中，除了僅將氣體進行排氣(真空吸引)而排出氣體之外，亦可構成為供給惰性氣體，將殘留氣體擠出而進行排出處理。又，亦可組合真空吸引與惰性氣體之供給而進行。又，亦可構成為交替進行真空吸引與惰性氣體之供給。
尚且，此時，亦可打開排氣管236之閥237a，經由排氣管236，將存在於第1緩衝空間232a內之氣體由排氣泵239進行排氣。此時，排氣泵239係事先運作，使其至少運作至基板處理步驟結束時為止。又，排氣中，藉由APC閥238，控制排氣管236與第1緩衝空間232a內的壓力(排氣導率)。排氣導率可依使來自第1緩衝空間232a中之第1排氣系統的排氣導率高於經由處理室201之排氣泵224的導率的方式，控制壓力調整器238及真空泵239。藉由如此調整，形成由屬於第1緩衝空間232a端部之第1氣體導入口241a朝另一端部之噴淋頭排氣口240a的氣流。依此，附著於第1緩衝空間232a之壁的氣體、或浮游於第1緩衝空間232a內的氣體不致進入處理室201，而可由第1排氣系統進行排氣。又， 亦可依抑制從處理室201朝第1緩衝空間232a內之氣體逆流的方式，調整第1緩衝空間232a內之壓力與處理室201之壓力(排氣導率)。
又，沖洗步驟中，係持續真空泵223之動作，將存在於處理空間201內的氣體由真空泵223進行排氣。又，亦可依由處理室201朝真空泵223的排氣導率高於朝第1緩衝空間232a之排氣導率高的方式，調整壓力調整器222。藉由如此調整，形成經由處理室201並朝第2排氣系統的氣流，可將殘留於處理室201內之氣體進行排氣。又，於此，藉由打開氣體閥136a，調整MFC135a，供給惰性氣體，可將惰性氣體確實地供給於基板上，基板上之殘留氣體的去除效率變高。
經過既定時間後，關閉閥136a，停止惰性氣體之供給，同時關閉閥237a而阻斷第1緩衝空間232a與真空泵239之間。
更佳係在經過既定時間後，持續運作真空泵223，並關閉閥237a為較理想。依此，由於經由處理室201並朝向第2排氣系統的氣流不受第1排氣系統的影響，故可更確實地將惰性氣體供給至基板上，可更加提升基板上之殘留氣體的去除效率。
又，處理室之沖洗亦除了僅進行真空吸引而排出氣體之外，亦意指藉由供給惰性氣體進行擠出氣體的動作。因此，於沖洗步驟中，亦可構成為對緩衝空間232a內供給惰性氣體，進行藉由擠出殘留氣體的排出動作。又，亦可組合真空吸引與惰性氣體之供給而進行。又，亦可構成為交替進行真空吸引與惰性氣體之供給。
又，此時供給至處理室201內之N2氣體流量亦不需設為大流量，例如，藉由供給與處理室201之容積相同程度之量， 可在其次步驟中進行不產生不良影響之程度的沖洗。依此，藉由不對處理室201內進行完全沖洗，可縮短沖洗時間、提升產率。又，亦可將N2氣體之消耗抑制為所需最小限度。
此時之加熱器213之溫度，係依成為與對晶圓200供給原料氣體時相同，為200~750℃、較佳為300~600℃、更佳為300~550℃之範圍內的一定溫度的方式設定。作為由各惰性氣體供給系統所供給之沖洗氣體的N2氣體的供給流量，係分別設為例如100~20000sccm之範圍內的流量。作為沖洗氣體，除了N2氣體以外，亦可使用Ar、He、Ne、Xe等稀有氣體。
(第2氣體供給步驟S205)
於第1氣體沖洗步驟後，打開閥126，經由氣體導入孔241b、第2緩衝空間232b、複數之分散孔234b，對處理室201內供給作為第2氣體(反應氣體)的氨氣(NH3)。由於經由第2緩衝空間232b、分散孔234b供給至處理室201，故可於基板上均勻地供給氣體。因此，可使膜厚均勻。又，在供給第2氣體時，亦可構成為經由作為活性化部(激發部)之遠程電漿單元(RPU)124，將經活性化之第2氣體供給至處理室201內。
此時，依NH3氣體之流量成為既定流量的方式調整質量流量控制器125。又，NH3氣體之供給流量為例如100sccm以上且10000sccm以下。又，藉由適當調整壓力調整器238，將第2緩衝空間232b內之壓力設為既定壓力範圍內。又，在NH3氣體流通於RPU124內時，將RPU124設為ON狀態(通入電源之狀態)，控制為使NH3氣體活性化(激發)。
若將NH3氣體供給至形成於晶圓200上之含鈦層，則含鈦層被改質。例如，形成鈦元素或含有鈦元素的改質層。尚且，藉由設置RPU124，將經活性化之NH3氣體供給至晶圓200上，可形成更多之改質層。
改質層係配合例如處理室201內之壓力、NH3氣體之流量、晶圓200之溫度、RPU124之電力供給程度，而依既定厚度、既定分佈、既定氮成分等對含鈦層之侵入深度所形成。
在經過既定時間後，關閉閥126，停止NH3氣體供給。
(沖洗步驟S206)
藉由停止NH3氣體之供給，進行將存在於處理室201中之原料氣體、或存在於第2緩衝空間232b中之原料氣體由第1排氣部進行排氣的沖洗步驟S206。
又，沖洗步驟中，除了僅將氣體進行排氣(真空吸引)而排出氣體之外，亦可構成為供給惰性氣體，進行藉由擠出殘留氣體之排出處理。又，亦可組合真空吸引與惰性氣體之供給而進行。又，亦可構成為交替進行真空吸引與惰性氣體之供給。
尚且，亦可打開閥237b，經由排氣管236，將殘留於第2緩衝空間232b內之氣體由真空泵239進行排氣。又，排氣中，藉由壓力調整器238，控制排氣管236與第2緩衝空間232b內的壓力(排氣導率)。排氣導率可依使來自第2緩衝空間232b中之第1排氣系統的排氣導率高於經由處理室201之真空泵223的導率的方式，控制壓力調整器238及真空泵239。藉由如此調整，形成由第2緩衝空間232b中央朝噴淋頭排氣口240b的氣流。依此，附著於 第2緩衝空間232b之壁的氣體、或浮游於第2緩衝空間232b內的氣體不致進入處理室201，而可由第3排氣系統進行排氣。又，亦可依抑制從處理室201朝第2緩衝空間232b內之氣體逆流的方式，調整第2緩衝空間232b內之壓力與處理室201之壓力(排氣導率)。
又，沖洗步驟中，係持續真空泵223之動作，將存在於處理空間201內的氣體由真空泵223進行排氣。又，亦可依由處理室201朝真空泵223的排氣導率高於朝第2緩衝空間232b之排氣導率高的方式，調整壓力調整器222。藉由如此調整，形成經由處理室201並朝第3排氣系統的氣流，可將殘留於處理室201內之氣體進行排氣。又，於此，藉由打開氣體閥136b，調整MFC135b，供給惰性氣體，可將惰性氣體確實地供給於基板上，基板上之殘留氣體的去除效率變高。
經過既定時間後，關閉閥136b，停止惰性氣體之供給，同時關閉閥237b而阻斷第2緩衝空間232b與真空泵239之間。
更佳係在經過既定時間後，持續運作真空泵223，並關閉閥237b為較理想。依此，由於經由處理室201並朝向第3排氣系統的氣流不受第1排氣系統的影響，故可更確實地將惰性氣體供給至基板上，可更加提升基板上之殘留氣體的去除效率。
又，處理室之沖洗亦除了僅進行真空吸引而排出氣體之外，亦意指藉由供給惰性氣體進行擠出氣體的動作。因此，於沖洗步驟中，亦可構成為對第2緩衝空間232b內供給惰性氣體，進行藉由擠出殘留氣體的排出動作。又，亦可組合真空吸引與惰性氣體之供給而進行。又，亦可構成為交替進行真空吸引與惰性氣體之供給。
又，此時供給至處理室201內之N2氣體流量亦不需設為大流量，例如，藉由供給與處理室201之容積相同程度之量，可在其次步驟中進行不產生不良影響之程度的沖洗。依此，藉由不對處理室201內進行完全沖洗，可縮短沖洗時間、提升產率。又，亦可將N2氣體之消耗抑制為所需最小限度。
此時之加熱器213之溫度，係依成為與對晶圓200供給原料氣體時相同，為200~750℃、較佳為300~600℃、更佳為300~550℃之範圍內的一定溫度的方式設定。作為由各惰性氣體供給系統所供給之沖洗氣體的N2氣體的供給流量，係分別設為例如100~20000sccm之範圍內的流量。作為沖洗氣體，除了N2氣體以外，亦可使用Ar、He、Ne、Xe等稀有氣體。
(判定步驟S207)
在沖洗步驟S206結束後，控制器260判定上述成膜步驟S301(S203~S206)是否已實行既定之周期數n。亦即，判定在晶圓200上是否已形成所需厚度的膜。以上述步驟S203~S206作為1周期，進行此周期至少1次以上(步驟S207)，藉此可於晶圓200上成膜既定膜厚之含鈦及氮的導電膜，亦即成膜TiN膜。又，上述周期較佳為重複複數次。藉此，於晶圓200上形成既定膜厚之TiN膜。
在未實施既定次數時(判定為No時)，係重複S203~S206之周期。在已實施既定次數時(判定為Y時)，係結束成膜步驟S301，實行基板搬出步驟S208。
(基板搬出步驟S208)
於成膜步驟S301結束後，藉由升降機構218使基板支撐部210下降，成為起銷207由貫通孔214於基板支撐部210之上面側突出的狀態。又，將處理室201內調壓為既定壓力後，開放閘閥205，將晶圓200由起銷207上搬送至閘閥205外。
若於上述第1氣體供給步驟S203或第2氣體供給步驟S205中，在供給第1氣體時係對屬於第2分散部之第2緩衝空間232b供給惰性氣體，在供給第2氣體時係對屬於第1分散部之第1緩衝空間232a供給惰性氣體，則可防止各個氣體逆流至相異之緩衝空間的情形。
在使用作為第1氣體之含鈦氣體、與作為第2氣體之含氮氣體，成膜氮化鈦(TiN)膜時，因非故意之反應而未能成為目標之膜特性的原因有如以下。其一係因生成副生成物之NH4Cl，故有阻礙反應的情形。此NH4Cl係因作為殘留之含鈦氣體的TiCl4與作為含氮氣體之NH3進行反應而生成，故使NH3殘留量減低之情形成為課題。另一原因在於，殘留或吸附於處理室內之構件的第2氣體(NH3)係在第1氣體或其他氣體供給時由構件脫離，脫離之第2氣體被供給至基板，故有發生非故意之反應的情形。於此，所謂非故意之反應，係指例如於空間中之反應(氣相反應)。由於此等原因，使半導體裝置之特性惡化。
接著，針對屬於第1氣體供給部之第1緩衝空間232a與屬於第2氣體供給部之第2緩衝空間232b的關係進行說明。由第1緩衝空間232a至處理空間201延伸複數之分散孔234a。由第2緩衝空間232b至處理空間201延伸複數之分散孔234b。於第1緩衝空間232a之上側設置第2緩衝空間232b。因此，如圖1所示， 來自第2緩衝空間232b之分散孔234b依貫通第1緩衝空間232a內的方式延伸至處理空間201。
於此，由於第2緩衝空間232b之分散孔234b貫通第1緩衝空間232a內，故於第1緩衝空間232a內，露出分散孔234b之外表面。此露出之表面的面積份、第1緩衝空間232a內之表面積，係較第2緩衝空間232b內之表面積廣。亦即，成為緩衝室232a內之表面積>緩衝室232b內之表面積的關係。此第1緩衝空間232a內之分散孔234b之外表面，亦可謂為相對於基板200呈垂直方向的表面積。
於各個緩衝空間之內壁，吸附供給至各個緩衝空間的氣體的分子。氣體分子係於沖洗步驟S204、S206被去除。然而，本發明者發現，視氣體種類，有氣體分子殘留於緩衝空間之內壁，並於其他步驟中由內壁脫離、發生非故意之反應的課題。例如，在交替供給上述TiCl4與NH3而成膜TiN時，於TiCl4之供給時，NH3分子由緩衝空間之內壁脫離，並供給至處理空間201內，因此於處理空間201內TiCl4與NH3進行氣相反應，而有形成非故意之膜的情形。又，有生成屬於副生成物之NH4Cl、阻礙所需之膜形成的情形。
又，發現第1緩衝空間232a內之分散孔234b之外表面的右側的氣體對向面234c，係與所供給之氣體相對向之面(與由氣體供給管150a所供給之氣體流動方向逆向的面)，故在沖洗步驟時，沖洗氣體抵接於右側面234c，吸附之氣體分子容易被去除。另一方面，第1緩衝空間232a內之分散孔234b之外表面的左側的氣體順方向面234d，係與所供給之氣體呈相反側之面(與由氣體供給 管150a所供給之氣體流動方向為相同方向的面)，故在沖洗步驟時，難以供給沖洗氣體，吸附之氣體分子未被去除，而有氣體分子殘留的課題。又，順方向面234d附近係氣體分子難以繞入處，亦可謂為氣體滯留區域。又，氣體對向面234c與氣體順方向面234d係視連接於緩衝空間之氣體管的位置而改變。例如，在由中心予以供給時，氣體對向面234c係形成於緩衝空間之中心方向，氣體順方向面234d係形成於緩衝空間之外周方向。又，分散孔234a及分散孔234b為相同直徑之圓形狀的孔。
於第2緩衝空間232b中，作為與由氣體供給管150b所供給之氣體流動方向逆向的面，形成氣體對向面234e。吸附於氣體對向面234e之氣體分子，可藉由沖洗步驟而容易去除。氣導235之表面由於與第2緩衝空間232b內之基板徑方向之氣流相對向，故對應於第2緩衝空間232b中氣體順方向面234d的面，係相當於氣導235之表面積的一部分。例如，第2緩衝空間232b內、孔231a周圍之中央區域232bc、232bd附近係相當於氣體順方向面234d。又，中央區域232bc、232bd係氣體難以繞入、成為氣體滯留區域。又，由於第2緩衝空間232b之外周端232be、232bf亦氣體難以繞入，故亦可視為氣體滯留區域。又，以第1緩衝空間232a之氣體滯留區域作為第1氣體滯留區域，以第2緩衝空間232b之氣體滯留區域作為第2氣體滯留區域。
因此，本發明者等人發現，藉由配合原料氣體與反應氣體之特性(吸附性、蒸氣壓等)，而變更供給位置，可減低非故意之反應。例如，在供給TiCl4與NH3時，相較於TiCl4，將較容易附著於緩衝空間內之壁的NH3供給至表面積狹窄之緩衝空間，將TiCl4 供給至表面積多之緩衝空間，藉此可減低非故意之反應(非故意之膜形成或NH4Cl的發生)。
因此，本實施形態中，將屬於第1氣體之TiCl4供給至緩衝室內之表面積廣的第1緩衝空間232a，將屬於第2氣體之NH3供給至緩衝室內之表面積窄的第2緩衝空間232b。於此，屬於第1氣體之TiCl4，係每單位面積之吸附量較屬於第2氣體之NH3少的氣體。又，第1氣體亦可為吸附後較第2氣體容易脫離的氣體(第2氣體係於吸附後較第1氣體難以脫離的氣體)。
尚且，上述中，雖構成為將原料氣體供給至表面積廣之第1緩衝空間232a，將反應氣體供給至表面積窄之第2緩衝空間232b，但亦可配合氣體特性(吸附性、蒸氣壓等)而交換供給場所。
又，藉由將每單位面積之吸附量較少的氣體供給至氣體對向面之表面積<氣體順方向面之表面積的空間中，將每單位面積之吸附量較多的氣體供給至氣體對向面之表面積>氣體順方向面之表面積的空間中，可得到同樣效果。
<本實施形態之效果>
根據本實施形態，可發揮以下所示之一種或複數種效果。
(a)為供給2種以上氣體進行成膜的裝置，藉由將容易吸附之氣體供給至表面積窄之緩衝空間，將難以吸附之氣體供給至表面積廣的緩衝空間，可抑制非故意的反應。
(b)藉由將供給容易吸附之氣體的第2緩衝空間的表面積設為小於供給難以吸附之氣體的第1緩衝空間的表面積，可抑制於緩衝 空間內之氣體吸附。
(c)藉由減低NH3殘留量，可抑制NH4Cl發生量、或抑制非故意之反應。
<第2實施形態>
圖6表示本發明之第2實施形態。本實施形態，係於第1實施形態中之基板200與屬於第1分散部之第1緩衝空間232a之間，具有斷熱部。
為了對基板均勻供給氣體，即使於噴淋頭234設置有第1分散孔234a及第2分散孔234b，仍有噴淋頭234之溫度於基板徑方向上呈不均勻的情形，視噴淋頭234之位置(溫度)而氣體黏度產生變化，故有供給至基板200之氣體濃度或氣體量視場所而產生變化的課題。此課題的原因在於，例如因來自基板載置台(基座)212之熱使噴淋頭234被加熱，且由噴淋頭234外周朝上側處理容器202a發生逸熱而引起。因此，本實施形態中，於基板200與屬於第1分散部之第1緩衝空間232a之間，設置斷熱部250。藉由此構成，阻斷噴淋頭234由基板載置台212所受到的熱，可使噴淋頭234之溫度均勻化。又，藉由設置斷熱部250，具有可使因逸熱所造成之基板載置台212之溫度變化、或對加熱器213之電力量呈一定的效果。又，此斷熱部250雖設為真空層，但並不限定於真空層，只要為阻礙熱傳導之材料或構造體即可，可為含有矽、鋁、碳之任一種的陶瓷；或含有矽、鋁、碳之任一種的氣凝膠。
<第3實施形態>
以上具體說明了第2實施形態，但本發明並不限定於上述實施形態，在不脫離其要旨之範圍內可進行各種變更。
例如，具有圖7所示之基板處理裝置系統。
於此，如圖7所示，針對於真空搬送室104設置有四個基板處理裝置100a、100b、100c、100d的基板處理系統400進行說明。於各基板處理裝置100a、100b、100c、100d係進行相同種類的處理。於各基板處理裝置中，構成為藉由設於真空搬送室104之真空搬送機器人105而依序搬送晶圓200。又，晶圓200係由大氣搬送室102經由承載單元103搬入至真空搬送室104。又，於此，顯示了設置四個基板處理裝置的情況，但並不限定於此，只要設置2個以上即可，亦可設置5個以上，例如8個以上。
又，上述中，記載了半導體裝置之製造步驟，但實施形態之發明亦可應用於半導體裝置之製造步驟以外。例如，液晶元件之製造步驟、或對陶瓷基板之電漿處理等。
又，上述中雖記載了將原料氣體與反應氣體交替供給而進行成膜的方法，但若原料氣體與反應氣體之氣相反應量或副生成物之發生量為容許範圍內，則亦可應用於其他方法中。例如，如原料氣體與反應氣體之供給時機重疊般的方法。
又，上述中雖記載了成膜處理，但亦可應用於其他處理。例如，擴散處理、氧化處理、氮化處理、氧氮化處理、還原處理、氧化還原處理、蝕刻處理、加熱處理等。
上述中雖例示了使用含鈦氣體(TiCl4氣體)作為原料氣體、使用含氮氣體(NH3氣體)作為反應氣體，而形成氮化鈦膜的 例子，但亦可應用於使用其他氣體的成膜。例如含氧膜、含氮膜、含碳膜、含硼膜、含金屬膜與複數含有此等元素的膜等。又，作為此等膜，例如有SiO膜、SiN膜、AlO膜、ZrO膜、HfO膜、HfAlO膜、ZrAlO膜、SiC膜、SiCN膜、SiBN膜、TiC膜、TiAlC膜等。藉由比較用於成膜此等膜而使用之原料氣體與反應氣體各自的氣體特性(吸附性、脫離性、蒸氣壓等)，而適當變更供給位置或噴淋頭234內的構造，可得到同樣效果。
<本發明之較佳態樣>
以下附記本發明之較佳態樣。
<附記1>
提供一種基板處理裝置，其係具有：對基板進行處理之處理室；支撐上述基板之基板支撐部；第1氣體供給部，其係具備使第1氣體分散之第1分散部；與第2氣體供給部，其係具備使第2氣體分散、且具有小於上述第1分散部表面積之表面積的第2分散部。
<附記2>
提供如附記1記載之基板處理裝置，其中，上述表面積係相對於上述基板呈垂直方向的表面積。
<附記3>
提供如附記1記載之基板處理裝置，其構成係設於上述第2分散部之氣體順方向面之表面積小於設於上述第1分散部之氣體順方向面之表面積。
<附記4>
提供如附記1或2記載之基板處理裝置，其中，對上述第1氣體供給部供給原料氣體；對上述第2氣體供給部供給反應氣體。
<附記5>
提供如附記1或2記載之基板處理裝置，其中，上述第2氣體係每單位面積之吸附量較上述第1氣體多的氣體。
<附記6>
提供如附記1至5中任一項記載之基板處理裝置，其中，具有控制部，該控制部係依交替供給上述第1氣體與上述第2氣體之方式控制上述第1氣體供給部與上述第2氣體供給部。
<附記7>
提供如附記1至6中任一項記載之基板處理裝置，其中，上述第1分散部係依與上述基板相對向的方式設置；上述第2分散部係設置於上述第1分散部上。
<附記8>
提供如附記1至7中任一項記載之基板處理裝置，其中，於上述第1分散部與上述第2分散部，分別具有供給惰性氣體的惰性氣體供給部；上述控制部之構成係依在供給上述第1氣體時對上述第2分散部供給上述惰性氣體，在供給上述第2氣體時對上述第1分散部供給上述惰性氣體的方式，控制上述第1氣體供給部與上述第2氣體供給部與上述惰性氣體供給部。
<附記9>
提供如附記1至8中任一項記載之基板處理裝置，其中，於上述基板與上述第1分散部之間，具有斷熱部。
<附記10>
提供如附記9記載之基板處理裝置，其中，上述斷熱部係由真空所構成。
<附記11>
根據其他態樣，提供一種半導體裝置之製造方法，其係具有：經由第1分散部對基板供給第1氣體的步驟；與經由具有小於上述第1分散部內之表面積的表面積的第2分散部，對上述基板供給第2氣體的步驟。
<附記12>
提供如附記11記載之半導體裝置之製造方法，其中，上述第2氣體係每單位面積之吸附量較上述第1氣體多的氣體。
<附記13>
提供如附記11或12記載之半導體裝置之製造方法，其中，具有交替供給上述第1氣體與上述第2氣體的步驟。
<附記14>
提供如附記11至13中任一項記載之半導體裝置之製造方法，其中，於供給上述第1氣體之步驟中，係對上述第2分散部供給惰性氣體；於供給上述第2氣體之步驟中，係對上述第1分散部供給惰性氣體。
<附記15>
提供如附記14記載之半導體裝置之製造方法，其中，具有：在供給上述第1氣體之步驟後，一邊對上述第2分散部供給惰性氣體，一邊由連接於上述第1分散部之第1分散部排氣口進行排氣的步驟；與在供給上述第2氣體之步驟後，一邊對上述第1分散部供給惰性氣體，一邊由連接於上述第2分散部之第2分散部排氣口進行排氣的步驟。
<附記16>
進而根據本發明之其他態樣，提供一種程式，該程式係使電腦實行： 經由第1分散部對基板供給第1氣體的程序；與經由具有小於上述第1分散部內之表面積的表面積的第2分散部，對上述基板供給第2氣體的程序。
<附記17>
提供如附記16記載之程式，其中，上述第2氣體係每單位面積之吸附量較上述第1氣體多的氣體。
<附記18>
提供如附記16或17記載之程式，其中，於供給上述第1氣體之程序中，係對上述第2分散部供給惰性氣體；於供給上述第2氣體之程序中，係對上述第1分散部供給惰性氣體。
<附記19>
提供如附記18記載之程式，其中，具有：在供給上述第1氣體之程序後，一邊對上述第2分散部供給惰性氣體，一邊由連接於上述第1分散部之第1分散部排氣口進行排氣的程序；與在供給上述第2氣體之程序後，一邊對上述第1分散部供給惰性氣體，一邊由連接於上述第2分散部之第2分散部排氣口進行排氣的程序。
<附記20>
進而根據本發明之其他態樣，提供一種記錄有程式之可電腦讀取的記錄媒體，該程式係依序電腦實行：經由第1分散部對基板供給第1氣體的程序；與經由具有小於上述第1分散部內之表面積的表面積的第2分散部，對上述基板供給第2氣體的程序。
<附記21>
提供如附記20記載之記錄媒體，其中，上述第2氣體係每單位面積之吸附量較上述第1氣體多的氣體。
<附記22>
提供如附記20或21記載之記錄媒體，其中，於供給上述第1氣體之程序中，係對上述第2分散部供給惰性氣體；於供給上述第2氣體之程序中，係對上述第1分散部供給惰性氣體。
<附記23>
提供如附記22記載之記錄媒體，其中，具有：在供給上述第1氣體之程序後，一邊對上述第2分散部供給惰性氣體，一邊由連接於上述第1分散部之第1分散部排氣口進行排氣的程序；與在供給上述第2氣體之程序後，一邊對上述第1分散部供給惰性氣體，一邊由連接於上述第2分散部之第2分散部排氣口進行排氣的程序。
<附記24>
進而根據其他態樣，提供一種基板處理裝置、或半導體裝置之製造裝置，其係具有：對基板進行處理之處理室；支撐上述基板之基板支撐部；第1氣體供給部，其係具備使第1氣體分散之第1分散部；第2氣體供給部，其係具備使第2氣體分散之第2分散部；與分散管，其係貫通上述第1分散部內並將上述處理室與上述第2分散部連結，將上述第2氣體供給至上述處理室；與供給於上述第2分散部之上述第2氣體之主流不相對向而上述第2氣體滯留之第2滯留區域的表面積，係小於與供給於上述第1分散部之上述第1氣體之主流不相對向而上述第1氣體滯留之第1滯留區域的表面積。
100‧‧‧基板處理裝置
150a‧‧‧第1氣體導入管
150b‧‧‧第2氣體導入管
200‧‧‧晶圓(基板)
201‧‧‧處理室；處理空間；反應區
202‧‧‧處理容器
202a‧‧‧上部容器；上側處理容器
202b‧‧‧下部容器
203‧‧‧搬送空間
204‧‧‧分隔板
205‧‧‧閘閥
206‧‧‧基板搬入出口
207‧‧‧起銷
210‧‧‧基板支撐部
211‧‧‧載置面
212‧‧‧基板載置台
213‧‧‧加熱器
214‧‧‧貫通孔
217‧‧‧軸
218‧‧‧升降機構
219‧‧‧伸縮囊
221‧‧‧排氣口
222、238‧‧‧壓力調整器
223、239‧‧‧真空泵
224、236‧‧‧排氣管
231‧‧‧蓋
231a‧‧‧孔
232a‧‧‧第1緩衝空間(第1分散部)
232b‧‧‧第2緩衝空間(第2分散部)
233‧‧‧絕緣塊
234‧‧‧噴淋頭
234a‧‧‧第1分散孔
234b‧‧‧第2分散孔
234c、234e‧‧‧氣體對向面
234d‧‧‧氣體順方向面
235‧‧‧氣導
237a、237b‧‧‧閥
240a、240b‧‧‧噴淋頭排氣口
241a‧‧‧第1氣體導入口
241b‧‧‧第2氣體導入口
251‧‧‧整合器
252‧‧‧高頻電源
260‧‧‧控制器

Claims (20)

  1. 一種基板處理裝置，其係具有：對基板進行處理之處理室；支撐上述基板之基板支撐部；第1氣體供給部，其係具備使第1氣體分散之第1分散部；第2氣體供給部，其係具備使第2氣體分散之第2分散部；與分散管，其係貫通上述第1分散部內並將上述處理室與上述第2分散部連結，將上述第2氣體供給至上述處理室；上述第2分散部之內面之面積，係小於上述第1分散部之內面之面積及上述分散管之外面之面積的合計。
  2. 如請求項1之基板處理裝置，其中，上述第2分散部之內面中，相對於上述基板支撐部呈垂直方向之部分的面積係小於上述分散管之外面的面積。
  3. 如請求項1之基板處理裝置，其中，進一步具有設置於上述第2分散部內之氣導；上述氣導之中心部之面積、與上述氣導之端部之面積的合計，係小於上述分散管之外面中與導入上述第1氣體之氣體導入口呈相反側之部分的合計。
  4. 如請求項1之基板處理裝置，其中，對上述第1氣體供給部供給原料氣體；對上述第2氣體供給部供給反應氣體。
  5. 如請求項1之基板處理裝置，其中，上述第2氣體係每單位面積之吸附量較上述第1氣體多的氣體。
  6. 如請求項1之基板處理裝置，其中，具有控制部，該控制部係 依交替供給上述第1氣體與上述第2氣體之方式，控制上述第1氣體供給部與上述第2氣體供給部。
  7. 如請求項1之基板處理裝置，其中，上述第1分散部係依與上述基板支撐部相對向的方式設置；上述第2分散部係設置於上述第1分散部上。
  8. 如請求項1之基板處理裝置，其中，於上述第1分散部與上述第2分散部，分別具有供給惰性氣體的惰性氣體供給部；上述控制部之構成係依在供給上述第1氣體時對上述第2分散部供給上述惰性氣體，在供給上述第2氣體時對上述第1分散部供給上述惰性氣體的方式，控制上述第1氣體供給部、上述第2氣體供給部與上述惰性氣體供給部。
  9. 如請求項1之基板處理裝置，其中，於上述基板支撐部與上述第1分散部之間，具有斷熱部。
  10. 如請求項9之基板處理裝置，其中，上述斷熱部係由真空所構成。
  11. 如請求項1項之基板處理裝置，其係構成為：與供給於上述第2分散部之上述第2氣體之主流不相對向而上述第2氣體滯留之第2滯留區域的表面積，係小於與供給於上述第1分散部之上述第1氣體之主流不相對向而上述第1氣體滯留之第1滯留區域的表面積。
  12. 一種半導體裝置之製造方法，其係具有：經由第1分散部與分散管對基板供給第1氣體的步驟；與經由依較上述第1分散部之內面之表面積及上述分散管之外面之面積的合計小的表面積形成內面的第2分散部，對上述基板供給第 2氣體的步驟。
  13. 如請求項12之半導體裝置之製造方法，其中，上述第2氣體係每單位面積之吸附量較上述第1氣體多的氣體。
  14. 如請求項12之半導體裝置之製造方法，其中，具有交替供給上述第1氣體與上述第2氣體的步驟。
  15. 如請求項12之半導體裝置之製造方法，其中，於供給上述第1氣體之步驟中，係對上述第2分散部供給惰性氣體；於供給上述第2氣體之步驟中，係對上述第1分散部供給惰性氣體。
  16. 如請求項15之半導體裝置之製造方法，其中，具有：在供給上述第1氣體之步驟後，一邊對上述第2分散部供給惰性氣體，一邊由連接於上述第1分散部之第1分散部排氣口進行排氣的步驟；與在供給上述第2氣體之步驟後，一邊對上述第1分散部供給惰性氣體，一邊由連接於上述第2分散部之第2分散部排氣口進行排氣的步驟。
  17. 一種記錄有程式之記錄媒體，該程式係使電腦實行：經由第1分散部與分散管對基板供給第1氣體的程序；與經由依較上述第1分散部之內面之表面積及上述分散管之外面之面積的合計小的表面積形成內面的第2分散部，對上述基板供給第2氣體的程序。
  18. 如請求項17之記錄媒體，其中，具有使上述電腦實行下述程序的程式：將上述第2氣體設為每單位面積之吸附量較上述第1氣體多的氣 體的程序。
  19. 如請求項18之記錄媒體，其中，記錄有使上述電腦實行下述程序的程式：於供給上述第1氣體之程序中，係對上述第2分散部供給惰性氣體；於供給上述第2氣體之程序中，係對上述第1分散部供給惰性氣體的程序。
  20. 如請求項19之記錄媒體，其中，記錄有使上述電腦實行下述程序的程式：在供給上述第1氣體之程序後，一邊對上述第2分散部供給惰性氣體，一邊由連接於上述第1分散部之第1分散部排氣口進行排氣的程序；與在供給上述第2氣體之程序後，一邊對上述第1分散部供給惰性氣體，一邊由連接於上述第2分散部之第2分散部排氣口進行排氣的程序。
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