TW201622076A - 整合式毫米波晶片封裝結構 - Google Patents

Abstract

一種整合式毫米波晶片封裝結構，可包括中介層結構、毫米波晶片與基板。該中介層結構包括一天線圖案與至少一電鍍通孔結構貫穿該中介層結構且連接至該天線圖案。該毫米波晶片透過電鍍通孔結構而電性連接之其上方或下方的該天線圖案。

Description

整合式毫米波晶片封裝結構

本發明是有關於一種封裝結構，是有關於一種整合式毫米波晶片封裝結構。

無線接收器的應用在近兩年美國消費電子展中成為焦點，宣告無線千兆聯盟(Wireless Gigabit Alliance，WiGi)與無線高畫質(Wireless HD)標準應用的時代來臨。國內外學界與大廠也陸續開發出毫米波頻段的晶片；然而，此頻段晶片的封裝卻尚未有完整解決方案。

一般打線(Wire-bond)封裝不適用於射頻晶片封裝，而使用低溫共燒多層陶瓷(Low-Temperature Co-fired Ceramics,LTCC)與覆晶封裝，則因製程條件導致基板收縮且製程效能不足，加上所欲封裝晶片銲墊尺寸及間距過小，導致組裝良率過低。因此，目前極需提供一種能有效整合射頻晶片及天線的封裝結構。

本發明可提供一種能有效整合射頻晶片及天線的封裝結構，垂直整合天線與射頻積體電路晶片的封裝，設計位於不同層的天線與射頻晶片的位置上下垂直對應，將兩者間的傳輸距離最小化，減少天線與射頻晶片間傳輸路徑造成之高頻訊號損耗。

本發明可提供一種整合式毫米波晶片封裝結構，至少包括中介層結構、晶片與基板。該中介層結構包括第一金屬層、第二金屬層、位於該第一、第二金屬層之間的絕緣支撐層，且該中介層結構包括至少一第一電鍍通孔結構，該第一電鍍通孔結構貫穿該第一金屬層、該絕緣支撐層以及該第二金屬層，並電性連接該第一金屬層以及該第二金屬層。該晶片連結至該中介層結構，該晶片具有主動面以及位於該主動面上之接觸墊。該基板連結至該中介層結構。該基板至少包括一絕緣層與位於絕緣層上的第三金屬層，該第三金屬層位於該基板朝向該中介層結構的一側，該中介層結構之該第一金屬層至少包括一天線圖案，該天線圖案位於該晶片的上方，該晶片透過該中介層結構之該第一電鍍通孔結構電性連接該天線圖案。在另一實施例，該天線圖案可設置在下方。

在本發明的一實施例中，上述的整合式毫米波晶片封裝結構中的該基板具有一下凹式晶穴，該晶片內埋於該下凹式晶穴而該晶片之該主動面朝向該中介層結構之該第二金屬層，該晶片透過位於該接觸墊與該第二金屬層之間的凸塊物理性連結至該中 介層結構，並且該晶片透過該凸塊以及該第一電鍍通孔結構電性連結該天線圖案。

在本發明的另一實施例中，上述的整合式毫米波晶片封裝結構中的該基板具有一開口露出該晶片，該晶片之該主動面朝向該中介層結構之該第二金屬層，該晶片透過位於該接觸墊與該第二金屬層之間的凸塊物理性連結至該中介層結構，並且該晶片透過該凸塊以及該第一電鍍通孔結構電性連結該天線圖案。

在本發明的一實施例中，上述的整合式毫米波晶片封裝結構中的該基板更包括第四金屬層與第二電鍍通孔結構，該第四金屬層位於該絕緣層相對於該第三金屬層之另一面，該第二電鍍通孔結構貫穿該基板而連接該絕緣層兩側的該第三金屬層與該第四金屬層。

在本發明的一實施例中，上述的整合式毫米波晶片封裝結構更包括另一基板連結至該基板，該另一基板包括置於該基板與該另一基板之間的銲球，該另一基板透過該銲球使該基板與該另一基板物理性連結且電性相連。

在本發明的一實施例中，上述的整合式毫米波晶片封裝結構中的該中介層結構更包括一或多層佈線層，位於該絕緣支撐層之中且位於該天線圖案以及該第二金屬層之間。

在本發明的一實施例中，上述的整合式毫米波晶片封裝結構中的晶片為射頻晶片。

基於上述，本發明將天線圖案配置在晶片的上方或下 方，再利用內埋孔與導通孔電性連接天線以及晶片，進而可藉由此垂直的封裝架構而整合天線以及晶片的封裝，而減少天線和晶片之間的訊號傳輸距離，達到減少訊號傳輸損耗的目的。

為讓本發明的上述特徵和優點能更明顯易懂，下文特舉實施例，並配合所附圖式作詳細說明如下。

10、20、30、40、50、60‧‧‧封裝結構

100、400‧‧‧中介層結構

102‧‧‧第一金屬層

104‧‧‧第二金屬層

106、406‧‧‧絕緣支撐層

108、408‧‧‧佈線層

109、409‧‧‧金屬填孔結構

110、110A‧‧‧天線圖案

112、114、214、218、302‧‧‧銲墊

120、220、420‧‧‧電鍍通孔結構

130‧‧‧底膠層

140‧‧‧黏膠層

150‧‧‧毫米波晶片

150a‧‧‧主動面

152‧‧‧接觸墊

160、230‧‧‧凸塊

180‧‧‧佈線

200、200A、200B、300‧‧‧基板

202‧‧‧下凹式晶穴

203‧‧‧開口

210‧‧‧絕緣層

212‧‧‧第三金屬層

216‧‧‧第四金屬層

310‧‧‧銲球

402‧‧‧上金屬層

404‧‧‧下金屬層

圖1是依照本發明的一實施例的一種整合式毫米波晶片封裝結構的剖面示意圖。

圖2是依照本發明的另一實施例的一種整合式毫米波晶片封裝結構的剖面示意圖。

圖3是依照本發明的又一實施例的一種整合式毫米波晶片封裝結構的剖面示意圖。

圖4是依照本發明的另一實施例的一種整合式毫米波晶片封裝結構的剖面示意圖。

圖5是依照本發明的另一實施例的一種整合式毫米波晶片封裝結構的剖面示意圖。

圖6是依照本發明的另一實施例的一種整合式毫米波晶片封裝結構的剖面示意圖。

圖7是依照本發明的一實施例的一種整合式毫米波晶片封裝結構的部分俯視示意圖。

圖8是另一種毫米波晶片封裝結構的部分俯視示意圖。

圖9為毫米波天線增益對導通孔長度之導波波長(Guide Wavelength)圖。

圖10是毫米波天線輻射效率頻率響應圖。

毫米波泛指波長為1~10毫米範圍的電波，若換算成頻率，約在30G~300GHz範圍；因此，毫米波晶片也就是指波長在毫米波範圍的射頻收發晶片。下述實施例中類似或相同元件、部分或結構將以相同標號表示之。其文中之順序或上下等描述是用以方便理解但並非用以限定其相對位置或範圍。

圖1是依照本發明的一實施例的一種整合式毫米波晶片封裝結構的剖面示意圖。

參考圖1，整合式毫米波晶片封裝結構10，包括中介層結構100、毫米波晶片150與基板200。中介層結構100包括第一金屬層102、第二金屬層104、位於該第一、第二金屬層102/104之間的一絕緣支撐層106以及至少一電鍍通孔結構(plated through hole)120。該電鍍通孔結構120貫穿該中介層結構100(貫穿該第一金屬層102、該絕緣支撐層106以及該第二金屬層104)，電性連接該第一金屬層102以及該第二金屬層104。該第一金屬層102至少包括一天線圖案110。而該第二金屬層104可為一線路層而包括多個銲墊112與銲墊114。電鍍通孔結構120之形成方式包括蝕 刻或雷射鑽孔形成貫通孔再電鍍形成電鍍通孔結構以達成。

相較於封裝結構利用導線或佈線來連接天線圖案，本發明整合式毫米波晶片封裝結構可利用電鍍通孔結構(亦即導通孔)來電性連接天線圖案，也就是以導通孔的方式連接並將訊號饋入到天線。

參見圖1，該中介層結構100更包括一佈線層108以及一金屬填孔結構109，該佈線層108位於該絕緣支撐層106之中並位於該天線圖案110以及第二金屬層104之間，該金屬填孔結構109位於該佈線層108與該銲墊114之間而電性連結該佈線層108與該銲墊114。其中該佈線層108不與該電鍍通孔結構120連接。該佈線層108可以做為接地層，接地層亦可有屏蔽的功能，以保護毫米波晶片150避免受到過多的電磁干擾(EMI)，而不當地影響本發明的整合式毫米波晶片封裝結構的操作。本發明不限定佈線層為單層而可以為多層配置，透過更多層佈線層之配置，可以幫助該封裝結構整合更多元件或使封裝結構之佈線更有彈性。

該基板200至少包括一絕緣層210與位於絕緣層210上的第三金屬層212，該第三金屬層212位於該基板200朝向該第二金屬層104的一側且包括多個銲墊214。該基板200具有一下凹式晶穴202，而該毫米波晶片150內埋於該下凹式晶穴202中而透過一黏膠層140黏附固定至該基板200之凹穴內或黏膠層140以空氣取代。該毫米波晶片150具有一主動面150a以及位於主動面150a上之接觸墊152，而該毫米波晶片150內埋於該下凹式晶穴 202中，但其主動面150a朝向該中介層結構100之第二金屬層104，該毫米波晶片150透過位於第二金屬層104與接觸墊152之間的凸塊160或錫球或金球，分別電性連結該晶片之接觸墊152與該第二金屬層104(銲墊112)。此外，該天線圖案110透過該電鍍通孔結構120與凸塊160(銲墊112與接觸墊152)，而電性連接該天線圖案110與該毫米波晶片150。此處，該基板200例如為一印刷電路板或陶瓷基板。

參考圖1，該天線圖案110可位於該毫米波晶片150的上方。此處，不論是文中描述上方或是下方，端視此封裝結構之放置方向而定，但是並不妨礙此領域者之理解，主要是該天線圖案之位置須與晶片配置之位置對齊，基本上該天線圖案110之圖案分布區域應等於或大於其下晶片之大小，但兩者位置是完全或部分對應的。

參考圖1，該中介層結構100疊合於該基板200上，該中介層結構100透過位於第二金屬層104(銲墊114)與第三金屬層212(銲墊214)之間的凸塊230或錫球或金球，而電性連接第二金屬層104與第三金屬層212。該中介層結構100與該基板200之間可更包括一底膠層130，幫助兩者與凸塊間之固著。也就是說，毫米波晶片150與基板200透過位於第二金屬層104之焊墊114與晶片之間的凸塊160以及位於第二金屬層104與第三金屬層212之間的凸塊230達到電性連接。

因此，圖1所示的整合式毫米波晶片封裝結構10將天線 圖案110配置於毫米波晶片150之上方，並且透過電鍍通孔結構120而電性連接該天線圖案110與該毫米波晶片150，而垂直整合式毫米波晶片封裝結構10，在無須打線的情況下，大大縮短天線圖案110與該毫米波晶片150之間訊號傳輸距離。

圖2是依照本發明的另一實施例的一種整合式毫米波晶片封裝結構的剖面示意圖。參見圖2，整合式毫米波晶片封裝結構20，包括中介層結構100、毫米波晶片150、基板200A與基板300。此處，除了相同的中介層結構100外，圖2之該基板200A與圖1之基板200相當類似，但基板200A包括絕緣層210與分位於絕緣層210兩面的第三金屬層212與第四金屬層216。該第三金屬層212包括多個銲墊214，而該第四金屬層216包括多個銲墊218。此外，基板200A更包括電鍍通孔結構220貫穿該基板200A以及連接絕緣層210兩側的第三金屬層212與第四金屬層216。

該基板300包括置設於銲墊302上之銲球310，該基板300透過置設於銲墊302上之銲球310以及該基板200A之銲墊218，而使該基板200A與該基板300物理性連結且電性相連。此處，該基板200A例如為一承載基板，而該基板300為一印刷電路板，故透過凸塊160、230與銲球310可進一步使毫米波晶片150電性連接至印刷電路板。

圖3是依照本發明的又一實施例的一種整合式毫米波晶片封裝結構的剖面示意圖。參見圖3，整合式毫米波晶片封裝結構30，包括中介層結構100、毫米波晶片150、基板200B與基板300。 此處，該基板200B與圖2之基板200A相當類似，雖然基板200A具有一下凹式晶穴，但基板200B則具有一開口203露出該毫米波晶片150，該毫米波晶片150透過位於第二金屬層104與晶片接觸墊152之間的凸塊160，而與中介層結構100達到物理連結。整合式毫米波晶片封裝結構30將天線圖案110配置於毫米波晶片150之上方，並且透過電鍍通孔結構120而電性連接該天線圖案110與該毫米波晶片150，而垂直整合式毫米波晶片封裝結構30，縮短天線圖案110與該毫米波晶片150之間訊號傳輸距離。

圖4是依照本發明的另一實施例的一種整合式毫米波晶片封裝結構的剖面示意圖。參見圖4，整合式毫米波晶片封裝結構40，包括中介層結構100、毫米波晶片150、基板200與另一中介層結構400。此處，除了與圖1相同的中介層結構100及基板200外，圖4之毫米波晶片封裝結構40包括另一中介層結構400位於該基板200與該中介層結構100之間，該中介層結構400並以凸塊160、230與其上下之該基板200與該中介層結構100連結。該中介層結構400與圖1之該中介層結構100相當類似，該中介層結構400包括上金屬層402、下金屬層404、位於之間的絕緣支撐層406、佈線層408、金屬填孔結構409以及至少一電鍍通孔結構420。該中介層結構400之上金屬層402可以為線路層，但是也可以更包括一天線圖案，端視產品設計而定。而下金屬層404可為一線路層而包括多個銲墊。該中介層結構400透過凸塊160、230電性連接中介層結構100、毫米波晶片150以及基板200。搭配凸 塊160與金屬填孔結構409，天線圖案110透過電鍍通孔結構120、420而與毫米波晶片150電性相連。圖4之毫米波晶片封裝結構40包括另一中介層結構400可以整合被動元件或天線圖案或匹配網路至封裝結構中。

圖5是依照本發明的另一實施例的一種整合式毫米波晶片封裝結構的剖面示意圖。參見圖5，整合式毫米波晶片封裝結構50，包括中介層結構100、毫米波晶片150、基板200A、基板300與另一中介層結構400。此處，整合式毫米波晶片封裝結構50與整合式毫米波晶片封裝結構20頗為類似，除了整合式毫米波晶片封裝結構50包括另一中介層結構400位於該基板200A與該中介層結構100之間，該中介層結構400並以凸塊160、230與其上下之該基板200A與該中介層結構100連結。同樣地，該基板300透過置設於銲墊302上之銲球310，而使該基板200A與該基板300物理性連結且電性相連。此處，該基板200A例如為一承載基板，而該基板300為一印刷電路板，故透過凸塊160、230與銲球310可進一步使毫米波晶片150電性連接至印刷電路板。

圖6是依照本發明的另一實施例的一種整合式毫米波晶片封裝結構的剖面示意圖。參見圖6，整合式毫米波晶片封裝結構60，包括中介層結構100、毫米波晶片150、基板200B、基板300與另一中介層結構400。此處，整合式毫米波晶片封裝結構60與整合式毫米波晶片封裝結構50頗為類似，不過雖然毫米波晶片封裝結構50之基板200A具有一下凹式晶穴，但毫米波晶片封裝結 構60之基板200B具有一開口203露出該毫米波晶片150，該毫米波晶片150透過凸塊160而與中介層結構400達到物理連結。整合式毫米波晶片封裝結構60將天線圖案110配置於毫米波晶片150之上方，搭配凸塊160與電鍍通孔結構120、420而電性連接該天線圖案110與該毫米波晶片150，故垂直整合式毫米波晶片封裝結構60。

圖7的整合式毫米波晶片封裝結構可以視為是針對圖1或圖3的天線圖案110的部分俯視示意圖。參見圖7，天線圖案110與電鍍通孔結構120直接連接，採垂直饋入方式，故形成天線圖案所需佈局面積較小。

圖8是另一種毫米波晶片封裝結構的俯視示意圖。相對於圖7之天線圖案110與電鍍通孔結構120直接連接，圖8之天線圖案110A，可以仍舊搭配使用佈線180而從側向饋入達成電性連結。

在本發明的前述各實施例中，雖然只有繪示出一個晶片或單一個天線圖案，但本發明之範圍並不限於此，整合式封裝結構中可以配置多個晶片或多個天線圖案。而該些實施例中，毫米波晶片150可為射頻晶片，第一、第二、第三或第四金屬層等材質可包括為鋁、銅、鎳、金與或銀等金屬。該天線圖案可為射頻天線圖案，例如是微帶式天線(patch antenna)，較佳為60GHz頻帶之天線圖案。

本發明實施例中整合式毫米波晶片封裝結構利用具有電 鍍通孔結構之中介層結構，而使其上天線圖案與晶片電性連接，因此，無須搭配使用佈線或導線饋入方式來連接天線圖案，而使得形成天線圖案所需佈局面積較小，達到節省佈局面積之目的。

綜上所述，本發明可使用電鍍通孔結構(導通孔)的方式電性連接與饋入訊號到天線。相較於利用導線或佈線來連接天線圖案，本發明實施例使用電鍍通孔結構(導通孔)的方式電性連接與饋入訊號到天線，因此天線所占用基板的面積較小。圖9為毫米波60GHz微帶式天線增益對導通孔長度之等效波長圖，天線之導通孔長度介於八分之一導波波長至之十六分之一導波波長之間。依據本發明實施例之結構，導通孔之長度約為十一分之一導波波長時，天線增益為6.3dBi，效益較佳。圖10是毫米波天線輻射效率頻率響應圖。根據搭配使用之晶片與產品設計電性要求，以導波波長為D來看，導通孔之長度可設計為搭配導波波長D之十一分之一，亦即D/11。如圖10所示，於60GHz時，使用導帶線饋入方式之天線增益為6.1dBi，天線輻射效率80%(虛線所示)；而使用導通孔饋入方式(導通孔之長度約D/11)之天線增益為6.3dBi，輻射效率83%(實線所示)，確實改善天線效能。

本發明可將晶片內埋在下凹式或具開口的基板內，降低封裝結構之整體厚度。另外，相對於採用導線或佈線方式連接天線之封裝結構，本案晶片搭配貫孔導通結構來連接天線圖案，可減少天線佈局所需面積，不損及甚至增強天線效能，本發明確實有效地整合射頻晶片與天線圖案於封裝結構中，達到減少毫米波 功率耗損，提升封裝模組效能。由於本案實施例中透過將天線圖案配置於晶片配置位置之上方或下方，並且透過電鍍導通孔結構來電性連接天線圖案與晶片，而將訊號傳輸路徑變短減少高頻訊號損耗。

雖然本發明已以實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明，任何所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本發明的精神和範圍內，當可作些許的更動與潤飾，故本發明的保護範圍當視後附的申請專利範圍所界定者為準。

10‧‧‧封裝結構

100‧‧‧中介層結構

102‧‧‧第一金屬層

104‧‧‧第二金屬層

106‧‧‧絕緣支撐層

108‧‧‧佈線層

109‧‧‧金屬填孔結構

110‧‧‧天線圖案

112、114、214‧‧‧銲墊

120‧‧‧電鍍通孔結構

130‧‧‧底膠層

140‧‧‧黏膠層

150‧‧‧毫米波晶片

150a‧‧‧主動面

152‧‧‧接觸墊

160、230‧‧‧凸塊

200‧‧‧基板

202‧‧‧下凹式晶穴

210‧‧‧絕緣層

212‧‧‧第三金屬層

Claims (15)

1. 一種整合式毫米波晶片封裝結構，包括：中介層結構，其中該中介層結構包括第一金屬層、第二金屬層、位於該第一、第二金屬層之間的絕緣支撐層，且該中介層結構包括至少一第一電鍍通孔結構，貫穿該第一金屬層、該絕緣支撐層以及該第二金屬層，並電性連接該第一金屬層以及該第二金屬層；至少一晶片，連結至該中介層結構，其中該晶片具有主動面以及位於該主動面上之接觸墊；以及基板，連結至該中介層結構，其中該基板至少包括一絕緣層與位於絕緣層上的第三金屬層，該第三金屬層位於該基板朝向該中介層結構的一側；該中介層結構之該第一金屬層至少包括一天線圖案，該天線圖案位於該晶片的上方或下方，該晶片透過該中介層結構之該第一電鍍通孔結構電性連接該天線圖案。
2. 如申請專利範圍第1項所述的整合式毫米波晶片封裝結構，其中該基板具有一下凹式晶穴，該晶片內埋於該下凹式晶穴而該晶片之該主動面朝向該中介層結構之該第二金屬層，該晶片透過位於該接觸墊與該第二金屬層之間的凸塊物理性連結至該中介層結構，並且該晶片透過該凸塊以及該第一電鍍通孔結構電性連結該天線圖案。
3. 如申請專利範圍第1項所述的整合式毫米波晶片封裝結構，其中該基板具有一開口露出該晶片，該晶片之該主動面朝向 該中介層結構之該第二金屬層，該晶片透過位於該接觸墊與該第二金屬層之間的凸塊物理性連結至該中介層結構，並且該晶片透過該凸塊以及該第一電鍍通孔結構電性連結該天線圖案。
4. 如申請專利範圍第2項所述的整合式毫米波晶片封裝結構，其中該整合式毫米波晶片封裝結構之該基板更包括第四金屬層與第二電鍍通孔結構，該第四金屬層位於該絕緣層相對於該第三金屬層之另一面，該第二電鍍通孔結構貫穿該基板而連接該絕緣層兩側的該第三金屬層與該第四金屬層。
5. 如申請專利範圍第3項所述的整合式毫米波晶片封裝結構，其中該整合式毫米波晶片封裝結構之該基板更包括第四金屬層與第二電鍍通孔結構，該第四金屬層位於該絕緣層相對於該第三金屬層之另一面，該第二電鍍通孔結構貫穿該基板而連接該絕緣層兩側的該第三金屬層與該第四金屬層。
6. 如申請專利範圍第4項所述的整合式毫米波晶片封裝結構，其中該整合式毫米波晶片封裝結構更包括另一基板連結至該基板，該另一基板包括置於該基板與該另一基板之間的銲球，該另一基板透過該銲球使該基板與該另一基板物理性連結且電性相連。
7. 如申請專利範圍第5項所述的整合式毫米波晶片封裝結構，其中該整合式毫米波晶片封裝結構更包括另一基板連結至該基板，該另一基板包括置於該基板與該另一基板之間的銲球，該另一基板透過該銲球使該基板與該另一基板物理性連結且電性相 連。
8. 如申請專利範圍第2項所述的整合式毫米波晶片封裝結構，其中該整合式毫米波晶片封裝結構更包括另一中介層結構與多個凸塊，該另一中介層結構包括至少一第三電鍍通孔結構貫穿該另一中介層結構，該另一中介層結構位於該晶片與該中介層結構之間，且該晶片透過該些凸塊連結至該另一中介層結構，該另一中介層結構再透過該些凸塊連結至該中介層結構，透過該些凸塊與該第一、第三電鍍通孔結構使該晶片、該中介層結構與該另一中介層結構物理性連結且電性相連。
9. 如申請專利範圍第3項所述的整合式毫米波晶片封裝結構，其中該整合式毫米波晶片封裝結構更包括另一中介層結構與多個凸塊，該另一中介層結構包括至少一第三電鍍通孔結構貫穿該另一中介層結構，該另一中介層結構位於該晶片與該中介層結構之間，且該晶片透過該些凸塊連結至該另一中介層結構，該另一中介層結構再透過該些凸塊連結至該中介層結構，透過該些凸塊與該第一、第三電鍍通孔結構使該晶片、該中介層結構與該另一中介層結構物理性連結且電性相連。
10. 如申請專利範圍第8項所述的整合式毫米波晶片封裝結構，其中該整合式毫米波晶片封裝結構之該基板更包括第四金屬層與第二電鍍通孔結構，該第四金屬層位於該絕緣層相對於該第三金屬層之另一面，該電鍍通孔結構貫穿該基板而連接該絕緣層兩側的該第三金屬層與該第四金屬層。
11. 如申請專利範圍第9項所述的整合式毫米波晶片封裝結構，其中該整合式毫米波晶片封裝結構之該基板更包括第四金屬層與第二電鍍通孔結構，該第四金屬層位於該絕緣層相對於該第三金屬層之另一面，該電鍍通孔結構貫穿該基板而連接該絕緣層兩側的該第三金屬層與該第四金屬層。
12. 如申請專利範圍第10項所述的整合式毫米波晶片封裝結構，其中該整合式毫米波晶片封裝結構更包括另一基板連結至該基板，該另一基板包括置設於該基板與該另一基板之間的銲球，該另一基板透過該銲球使該基板與該另一基板物理性連結且電性相連。
13. 如申請專利範圍第11項所述的整合式毫米波晶片封裝結構，其中該整合式毫米波晶片封裝結構更包括另一基板連結至該基板，該另一基板包括置設於該基板與該另一基板之間的銲球，該另一基板透過該銲球使該基板與該另一基板物理性連結且電性相連。
14. 如申請專利範圍第1項所述的整合式毫米波晶片封裝結構，其中該中介層結構更包括一佈線層，位於該絕緣支撐層之中以及位於該天線圖案以及該第二金屬層之間，該佈線層為接地層。
15. 如申請專利範圍第1項所述的整合式毫米波晶片封裝結構，其中該晶片為射頻晶片。