TW201619065A - 以無金屬方式減少及控制去離子水的電阻率之裝置及方法 - Google Patents

以無金屬方式減少及控制去離子水的電阻率之裝置及方法 Download PDF

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Abstract

一種在不添加金屬至去離子水的情況下,將高電阻率(18M歐姆/公分)的去離子水轉換為具有嚴格電阻率範圍(150K歐姆/公分+\- 50K歐姆/公分)的較低電阻率去離子水之裝置及方法。本發明係以根據需求的方式,通過一無金屬的流體通道而謹慎地注入二氧化碳。

Description

以無金屬方式減少及控制去離子水的電阻率之裝置及方法 【相關申請案之交叉參考】
本申請案主張2014年11月19日申請之美國專利第62/081,775號申請案之權益,其全文係以引用方式併入本文之中。
本發明整體上係有關一種用以減少及控制一流體(諸如去離子水(DI water))的電阻率之裝置及方法。更具體而言,本發明係有關一種在不添加金屬至去離子水內的情況下,將受控制量的二氧化碳注入去離子水內之改良裝置及方法。
半導體製造歷來係使用18M歐姆/公分的去離子水做為沖洗及清潔液體。半導體製造商使水通過一系列步驟以除去在其他方面會危害半導體裝置的顆粒及金屬離子。一旦這些雜質從水中去除,電阻率通常會提高到18M歐姆/公分。在許多情況下,去離子水係做為一加壓介質使用,以從晶圓的表面除去顆粒。這些顆粒在其他方面會在晶圓上造成半導體裝置的缺陷。在晶圓上加壓配給去離子水所不希望得到的副作用為靜電電壓的生成及最終的靜電放電(ESD)。許多半導體裝置係對ESD敏感,且若讓電壓生成並接著排出,將會發生產量損失。
該靜電電壓係於一非導電性流體(諸如18M歐姆/公分的去離子水)激烈地接觸一非導電性(或電性絕緣的)表面(諸如水)時所造成。生成的電壓會與配給的激烈性(力量)成比例,並與所使用的流體電阻率成比例。配給去離子水的清潔效率係亦與噴射的力量成比例。這導致需要高壓噴射將顆粒從晶圓表面除去以提高產量,但與高壓噴射造成靜電電壓生成於排出點造成產量損失的說法有矛盾之處。
業界已使用二氧化碳來降低去離子水的電阻率。目前的系 統係於去離子水與二氧化碳的混合系統中使用金屬元件(諸如316SS不銹鋼)儲槽、管道及配件。這些系統在減少去離子水的電阻程度上是成功的,但該等金屬元件在管路通道中會添加金屬離子到去離子水內。這些金屬離子可能再次沉積在半導體裝置上並干擾其運作。
因此需要對此問題提供一解決方案。
在一實施例中,係提供一用以謹慎地(選擇性地)注入18M歐姆/公分的二氧化碳之裝置,以根據需求使用無金屬的方式產生在一嚴格容許度內之150K歐姆/公分的去離子水。該裝置係由一壓力容器組成,該壓力容器具有一18M歐姆/公分去離子水的入口埠及一150K歐姆/公分去離子水的出口埠。其具有另一供加壓二氧化碳用的入口埠、一供氮氣進入的埠口以及一壓力轉換器。其並具有一外置的槽液位感測器及電阻探針。
去離子水係供給至容器直至該儲槽達到一目標程度。軟體係藉由供給氮氣至儲槽頂部而控制槽內壓力。該壓力係通過壓力傳送器的反饋而進行監測。槽內的去離子水電阻率將藉由連續吸取小量的(去離子水)樣本供該電阻探針使用而進行監測。當測得的電阻率高於一選定設定值(目標值),二氧化碳會流入該容器。二氧化碳係由該儲槽的底部進入且冒泡通過去離子水。於氣泡向上流動時,二氧化碳溶解至溶液中並降低電阻率。當電阻率低於設定值時,會停止二氧化碳流入。
該裝置係以根據需要的方式運作,可使用較小的容器與最佳化的管路組件而可有較小的空間需求。由於在流體通道中沒有暴露的金屬,故該去離子水係在沒有不想要的金屬添加到去離子水內的情況下,以減少的電阻率離開該裝置。
100‧‧‧裝置
110‧‧‧容器
112‧‧‧第一(頂)端
114‧‧‧第二(底)端
116‧‧‧側壁
118‧‧‧外表面
120‧‧‧第三入口
121‧‧‧壓力轉換器
130‧‧‧機構(液位感測器)
135‧‧‧夾具
140‧‧‧第一入口
145‧‧‧導管
150‧‧‧第二入口
155‧‧‧導管
160‧‧‧閥體
170‧‧‧第一出水口
200‧‧‧機構(電阻感測器)
210‧‧‧導管
220‧‧‧閥體
230‧‧‧殼體
232‧‧‧第一端
234‧‧‧第二端
236‧‧‧第一側面
238‧‧‧第二側面
240‧‧‧第一流體連接件
242‧‧‧第二流體連接件
250‧‧‧第一探針
255‧‧‧第一安裝架
257‧‧‧第一O形環
260‧‧‧第二探針
265‧‧‧第二安裝架
267‧‧‧第二O形環
第1圖係為根據本發明一實施例之一經配置以將高電阻率去離子水轉換成低電阻率去離子水之系統的側面立視圖; 第2圖係為第1圖之系統之電阻感測器部分的分解外觀示意視圖;第3圖係為該在經組裝狀態下之電阻感測器之外觀示意圖;第4圖係為該電阻感測器之俯視圖;第5圖係為該電阻感測器之側視圖;以及第6圖係為通過第5圖之剖線6-6之剖面圖。
現參照第1-6圖,其提供一種用以減少一流體的電阻率之裝置100,其方式係在處理流體期間因該流體係在一由無金屬材料製成的流體迴路中流動,而讓金屬離子不會添加入流體中。
在一例示性實施例中,本案發明人已藉由研發一改良型去離子水與二氧化碳的混合裝置100來應對業界的需求。該裝置100產生所需的低電阻率(150K歐姆/公分+\- 50K歐姆/公分)去離子水,且在浸濕的流體通道中沒有金屬元件,因而讓去離子水在沒有金屬添加到去離子水內的情況下離開此系統。這克服了與先前所提的現有技術相關的顧慮。
應理解,導入該裝置100的流體係可為水,其亦可為其他流體,尤其是該流體係可為任何與傳統金屬系統不兼容之流體(因為金屬離子被添加到流體內,並對其電阻率造成不利影響)。
該裝置100可被視為一去離子水迴路總體的部分,該迴路包括一去離子水水源(圖中未示)及一件下游設備(圖中未示),諸如一將去離子水配給在目標表面(諸如一晶圓)上面之噴霧器。應理解,該裝置100亦可使用在其他需要低電阻率的去離子水(或其他流體)之應用上。
該裝置包含一儲存容器110,該儲存容器110具有一第一(頂)端112及一相對的第二(底)端114。該容器110亦具有一側壁116,該側壁116係界定一外表面118。該容器110可採用任何數量的不同形狀,包含如圖所示之圓筒形狀。在所述實施例中,該容器110係呈一儲槽或諸如此類的形式。有鑒於本發明之目的,該容器110係由一非金屬材料所製成,尤其是以塑膠或其他適宜材料製成。
在底端114處,該容器110亦包含一第一入口140,供傳送 一第一流體至該容器110的中空內部內。該第一入口140可包含任何數量的連接件及/或閥結構,以選擇性地允許該第二流體導入該容器110的中空內部內。例如,該第一入口140可經配置以接收一被傳送至該容器110中空內部內的第一流體(於此實施例中其為去離子水)。該去離子水係可遠離容器110而設置,並使用一習用導管145(諸如管子)傳送該去離子水至該第一入口140。一閥體係與該第一入口140相連,供控制去離子水流入容器110。例如,若下游設備不要求去離子水,那麼與該第一入口140相連的閥體可被關閉。
根據本發明,該容器110亦包含一第二入口150,供選擇性 地將二氧化碳傳送至該容器110的中空內部內。該第二入口150可包含任何數量的連接件及/或閥體結構,以選擇性地允許二氧化碳導入該容器110的中空內部內。該二氧化碳係可遠離該容器110設置,且該二氧化碳係使用一習用導管(諸如管子)而傳送至該第二入口150。
該第二入口150可包含一與容器110中空內部成流體相連 通並由容器向外延伸之導管(管子)155。該導管155可設置於該容器110底端114鄰近該第一入口140的位置處。因此,來自一去離子水水源的去離子水及該二氧化碳係在容器110底部彼此鄰近的位置處而導入該容器110。
一閥體160係與該第二入口150相連,供控制二氧化碳流 入該容器110內。該閥體160係因而沿著該導管155的一段長度設置(於第二入口150與容器110之間處)。如本文中所述,二氧化碳係選擇性地傳送至該容器110的中空內部內供與去離子水混合。該第二入口150係與該容器110底端114成流體相連通,以使二氧化碳可在容器110的底部進入並向上朝容器110的頂端112冒泡。於氣泡向上流動時,二氧化碳係溶解至溶液中並降低去離子水的電阻率。
該容器110亦包含一第一出水口(導管)170,其接收來自 該容器110的中空內部之碳酸化去離子水(其具有減少的電阻率)。
於所述實施例中,該第一入口140及該第一出水口170係
可相對於容器110的本體而彼此相對設置。該第一出水口170係可呈導管之形式並可包含一連接件及/或閥體結構。該第一出水口170因而連接一導管(管子),該導管係以流體連通方式連接該需要此類去離子水的下游設備(例如,一噴霧器)。
於容器110之頂端處112係形成有一第三入口120,且提供 一伸入容器110的中空內部之流體導管。該第三入口120係包含任何數量的連接件及/或閥體結構,以選擇性地使一第三流體導入該容器110的中空內部。例如,該第三入口120係經配置以接收一供用於對該容器110的內容物加壓之氣體(一第三流體),諸如氮氣或其類似物。該氣體來源可遠離該儲槽設置,且該氣體係使用習用的導管(諸如管子)而傳送至該第三入口120。
容器110亦具有一壓力轉換器(大致上係顯示於標號121 處),該壓力轉換器係經配置以監測及測量容器110的中空內部內的壓力。 應理解,該壓力轉換器121以及該裝置100的一些其他元件係為一以電腦為基礎的系統的一部分。該以電腦為基礎的系統係包含習用元件,諸如一處理器(控制器)及用以儲存資料的記憶體等。該壓力轉換器121係與該處理器通信,並提供一反饋迴路,讓該處理器經程式化而在出自該壓力轉換器121的輸出結果低於設定值時,該處理器命令該與第三入口120相連的閥體開啟,以使氣體(氮氣)流入容器110的中空內部。這造成在容器110中的壓力增加。相反地,當出自該壓力轉換器121的輸出結果高於設定值時,該處理器命令該與第三入口120相連的閥體關閉,以避免額外的氣體流入容器110的中空內部。基於前述的反饋迴路,容器110中空內部內的壓力係維持在一可接受的範圍內。
該容器110亦包含一用以測量在容器110中空內部內的內 容物(例如,去離子水)液位之機構130。在所述實施例中,該機構130係呈一外置液位感側器之形式,該液位感測器係經配置以偵測該容器110中的內容物(去離子水)液位(液體水位)。該液位感測器130係可使用習用 設備(諸如夾具或諸如此類135)而圍繞著容器110的外表面118附接於上。
所有的入口及該第一出水口係以非金屬材料製成。例如,這些部件可由塑膠或其他適宜材料製成。該去離子水及二氧化碳因而沿著由非金屬材料製成的流動通道(流體迴路)流動。
根據本發明,其提供了一用以測試該容器110中空內部的去離子水電阻率之機構(裝置)200。該機構200係可呈一電阻感測器之形式,該電阻感測器係經配置以選擇性地對去離子水取樣並測量該去離子水(例如,在容器110內的碳酸化去離子水)的電阻率。
如所周知,導電度為一溶液傳導電流的能力。儀器測量導電度的原理是簡單的,其係將二個極板(電池)設置在樣本中,並施以一電位橫跨該等極板並測量其電流。一般而言,該電位係呈一固定2.5V直流參考電壓之形式。導電度(C)係根據歐姆定律而由電壓值及電流值判定:C(西門子(siemens))=1/R=I(安培(amps))/E(伏特(volts))
由於溶液中的離子上的電荷有利於電流的傳導,溶液的導電度係與其離子濃度成比例。測量導電度的基本單位為西門子(Siemens(S))。由於電池幾何形狀會影響導電度數值,標準化的量測係以特定的導電度單位(S/cm)表示,以補償電極尺寸上的變異。對大多的溶液而言此測量單元太大了,並使用μS/cm或mS/cm來代替。
對於特定的電阻率(R=1/C),其對應的用語為歐姆-公分、K歐姆-公分與M歐姆-公分。一般的超純水與去離子水的使用者,如在本發明的情況下,係偏好使用電阻單位M歐姆-公分或K歐姆-公分,因為在此單位下的量測趨於將規模向外擴展至感興趣的範圍內。
該電阻感測器200係選擇性地通過一導管210而與該容器110的內部連通。在所述實施例中,該導管210係與容器110的底端114成流體相連通,更具體而言,其係鄰近該第一出水口170設置,使流向第一出水口170而離開容器110的去離子水係經取樣以監測該去離子水的電阻值。該導管210係可呈一管子之形式。「經取樣的去離子水」因此表示該從容器110分流供取樣而非離開出水口之去離子水部分。該等導管155及210 係可彼此平行設置,如圖所示。
一閥體機構220係沿著導管210設置於容器110與電阻感 測器200之間,以控制來自容器110之經取樣去離子水的流動。該閥體220係為一可控制的結構,並與電腦系統的處理器進行通訊。該閥體220可因而經命令以視情況開啟或關閉(例如,下游設備是否正需要去離子水)。
在一操作模式中,只要該裝置100處於一表示去離子水正 被傳送到下游設備的運作狀態中,來自容器110的去離子水係連續傳送至電阻感測器200。該閥體220因而控制經取樣去離子水的流速,藉以將一設定量的經取樣去離子水傳送至電阻感測器200以偵測其電阻值。
圖2-6係說明一例示性電阻感測器200的結構。該電阻感測 器200係包含一殼體230,該殼體230具有一第一端232、一第二端234、一第一側面236及一第二側面238。該殼體230係可由塑膠或由另一適宜材料製成。該第一端232包含一用以附接至導管210之第一流體連接件240,而該第二端234包含一用以附接至一導致洩流的導管(圖中未示)之第二流體連接件242。一旦經取樣的去離子水流經該電阻感測器且其電阻值被測量,經取樣的去離子水僅僅被傳送到排液管(廢液)。電阻感測器200因而與該導管210成直線設置。
該殼體230可具有一方形形狀(如圖所示)或另一形狀。
在一形成於該第一側面236上的開孔內係設有一第一探針250,讓該第一探針250設置成與該從第一端232流向第二端234的經取樣去離子水接觸。該第一探針250(例如,一不銹鋼探針)可使用一第一安裝架255及一第一O形環257而安裝至殼體230上。同樣地,一第二探針260係設置在一形成於與該第一側面236相對的第二側面238上之開孔內,使該第二探針260直接相對該第一探針250設置,並設置成與該從第一端232流向第二端234的經取樣去離子水接觸(該經取樣去離子水因而在該二探針250、260之間流動)。該第二探針260(例如,一不銹鋼探針)係可使用一第二安裝架265及一第二O形環267而安裝在該殼體230上。
第3圖顯示經組裝狀態之電阻感測器200。第6圖為顯示該 二探針250、260與其之間供經取樣去離子水流動的中央導管的位置之剖視圖。
電阻感測器200的該等探針250、260因此做為用以測量經 取樣去離子水的導電度(電阻率)之電極。電阻感測器200的輸出結果(測量結果)係傳送至與該裝置100相連的處理器(控制器)。該處理器係經配置以在去離子水的電阻率低於一預定閾值(設定值)時,藉由關閉與該第二入口150相連的閥體而停止二氧化碳的流入。同樣地,於去離子水的電阻率超過此閾值(設定值)時,會因為與該第二入口150相連的閥體被開啟以將二氧化碳傳送至容器110,而讓二氧化碳的流入容器中。
根據本發明,該裝置100係在操作情況下被配置及運作, 致使被導入容器110的去離子水的電阻值可受控制而減少至一目標程度(例如,在一目標範圍內的電阻率)。在一例示性實施例中,該裝置100謹慎地將二氧化碳注入18M歐姆/公分的去離子水,以根據需求以無金屬的方式產生150K歐姆/公分且在一嚴格的容許度(例如,150K歐姆/公分+\- 50K歐姆/公分)內之去離子水。該第一入口140因而接收18M歐姆/公分的去離子水,且該第一出水口170因而排出150K歐姆/公分的去離子水供下游設備的使用。應理解,上述數值僅為例示性的而非本發明的限制。相反地,本發明揭示了一可減少所引入去離子水的電阻值之可控制裝置100,且該去離子水係藉由二氧化碳的注入而碳酸化,以減少至一目標電阻值(或在該容許度範圍內)。
該裝置100因此以根據需求的方式運作,可使用較小的容 器與最佳化的管路組件而可有較小的空間需求。由於在流體通道中沒有暴露的金屬,故該去離子水係在沒有不想要的金屬添加到去離子水內的情況下,以減少的電阻率離開該裝置100。此外,本發明係有關一種使用小型再離子化容器、由下注入二氧化碳、高靈敏度電阻探針、高速參數模型及改良型控制演算法之方法,其可在沒有添加金屬的方式下產出高容量之具減少的電阻率的去離子水。
應理解,本發明之圖式及說明僅對那些與清楚理解本發明 相關的元件進行了描述,而出於清楚的目的,消除了那些可能在本發明中發現的其它元件。本領域的技術人員將認識到,為了實現本發明,其他元件是可期望及/或需要的。然而,由於這些元件在本領域中是眾所周知的,並且因為這些元件並不會有利於更好理解本發明,本文中並不提供對這些元件的討論。
100‧‧‧裝置
110‧‧‧容器
112‧‧‧第一(頂)端
114‧‧‧第二(底)端
116‧‧‧側壁
118‧‧‧外表面
120‧‧‧第三入口
121‧‧‧壓力轉換器
130‧‧‧機構(液位感測器)
135‧‧‧夾具
140‧‧‧第一入口
145‧‧‧導管
150‧‧‧第二入口
155‧‧‧導管
160‧‧‧閥體
170‧‧‧第一出水口
200‧‧‧機構(電阻感測器)
210‧‧‧導管
220‧‧‧閥體
240‧‧‧第一流體連接件
242‧‧‧第二流體連接件
250‧‧‧第一探針
260‧‧‧第二探針

Claims (21)

  1. 一種用以減少一第一流體的電阻率之裝置,包括:一容器,其具有一供接收該第一流體之第一入口;一第二流體源,其係選擇性地通過一第二入口而被傳送至該容器,用以與該第一流體混合以減少該第一流體的電阻率;以及一電阻感測器,其係測量正在從該容器排出的第一流體的電阻率;其中該容器具有一用以從該容器排出該第一流體之出水口,且該裝置係經構築以讓該第一及第二流體二者沿著由無金屬材料所界定的流體通道流動,藉以在沒有添加金屬離子至該第一流體的情況下減少該第一流體的電阻率。
  2. 如申請專利範圍第1項所述的裝置,其中該第一流體係包括去離子水。
  3. 如申請專利範圍第1項所述的裝置,其中該第二流體係包括二氧化碳。
  4. 如申請專利範圍第1項所述的裝置,其中該容器係包括一塑膠儲槽。
  5. 如申請專利範圍第1項所述的裝置,其中該容器係包含一供接收一用以對該容器施加壓力的氣體之第二入口,以及一供測量該容器內的壓力之壓力轉換器。
  6. 如申請專利範圍第1項所述的裝置,其中該第一入口包含一供該第一流體流經之塑膠導管,該第二入口包含一供該第二流體流經之塑膠導管,且該出水口包含一供該第一流體從容器排出之塑膠導管。
  7. 如申請專利範圍第1項所述的裝置,其中該電阻感測器係以流體連通方式通過一導管而連接該容器,其中該第一流體係通過該導管而從容器取樣,該電阻感測器係經配置以測量該第一流體的電阻率。
  8. 如申請專利範圍第7項所述的裝置,其中該電阻感測器在運作上係耦接一控制器,該控制器在運作上亦耦接一沿著一導管設置的閥體,該導管係界定該第二入口並與該容器成流體相連通,該控制器係經配置以依據該電阻感測器的輸出結果而開啟及關閉該閥體。
  9. 如申請專利範圍第8項所述的裝置,其中該第一流體係包括18M歐姆/公分的去離子水,且該控制器係經配置以藉由控制二氧化碳(該第二流體)添加至該容器內而產生150K歐姆/公分的去離子水。
  10. 如申請專利範圍第7項所述的裝置,其中該電阻感測器係為一流動通過型感測器,且經配置以在該電阻感測器測量其電阻率後將該第一流體傳送至一排液管
  11. 如申請專利範圍第8項所述的裝置,其中該導管包含一用以控制該第一流體至該電阻感測器的流速之閥體。
  12. 如申請專利範圍第1項所述的裝置,其中該容器係包含一用以測量該容器內的液體液位之外置感測器。
  13. 如申請專利範圍第1項所述的裝置,其中該第一入口及該出水口係彼此相對設置,該第二入口係鄰近該第一入口設置,而該電阻感測器係以流體連通方式連接該容器,致使第一流體鄰近該出水口的流量被分流至電阻感測器。
  14. 一種減少一第一流體的電阻率之方法,其包括下列步驟:通過一第一入口將該第一流體傳送至一容器;選擇性地通過一第二入口將一第二流體傳送至該容器以與該第一流體混合,致使該第一流體的電阻率減少;測量在該容器中的第一流體的電阻率,並基於測得的電阻值而控制該第二流體傳送至該容器;以及於該第一流體的電阻值處於一預定目標值或在一預定目標範圍內時,通過一與該容器相連的出水口而由該容器排出該第一流體;其中該第一入口、第二入口、容器及出水口係經構築以讓該第一及第二流體所流動於中之流體通道由無金屬材料界定,藉以在不添加金屬離子至第一流體的情形下,減少該第一流體的電阻率。
  15. 如申請專利範圍第14項所述的方法,其中該容器包括一塑膠儲槽,該第一入口包括一塑膠導管,而該出水口包括一塑膠導管。
  16. 如申請專利範圍第14項所述的方法,其中該測量該第一流體電阻率的步驟係包括將該來自容器的第一流體的水流分流至一設置於該容器外的電阻感測器。
  17. 如申請專利範圍第16項所述的方法,其中該經分流的第一流體水流係於一取樣導管內流動,該取樣導管係以流體連通方式連接該容器至該電阻感測器,且該取樣導管包含一閥體,供控制該正在被傳送至電阻感測器的第一流體之流速。
  18. 如申請專利範圍第14項所述的方法,其中該第一流體係包括18M歐姆/公分的去離子水,且該被排出的第一流體(去離子水)的預定目標值係150K歐姆/公分+\- 50K歐姆/公分。
  19. 如申請專利範圍第14項所述的方法,其中該第二流體係包括二氧化碳,其係選擇性地被傳送至容器供與第一流體混合,以致使該第一流體的電阻率減少。
  20. 如申請專利範圍第14項所述的方法,其更包括一可程式化控制器,其在運作上可耦接一供測量電阻率之電阻感測器以及一供控制該第二流體傳送至該容器之閥體。
  21. 如申請專利範圍第20項所述的方法,其中該控制器及電阻感測器係一反饋迴路系統的一部分,該系統使該容器中的第一流體的電阻率可受控制。
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