TW201617630A - 檢測電路及半導體裝置 - Google Patents

檢測電路及半導體裝置 Download PDF

Info

Publication number
TW201617630A
TW201617630A TW104125938A TW104125938A TW201617630A TW 201617630 A TW201617630 A TW 201617630A TW 104125938 A TW104125938 A TW 104125938A TW 104125938 A TW104125938 A TW 104125938A TW 201617630 A TW201617630 A TW 201617630A
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
circuit
detection
load
logic
open
Prior art date
Application number
TW104125938A
Other languages
English (en)
Inventor
杉浦正一
五十嵐敦史
大直央
Original Assignee
精工半導體有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 精工半導體有限公司 filed Critical 精工半導體有限公司
Publication of TW201617630A publication Critical patent/TW201617630A/zh

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
    • H02H—EMERGENCY PROTECTIVE CIRCUIT ARRANGEMENTS
    • H02H3/00—Emergency protective circuit arrangements for automatic disconnection directly responsive to an undesired change from normal electric working condition with or without subsequent reconnection ; integrated protection
    • H02H3/08—Emergency protective circuit arrangements for automatic disconnection directly responsive to an undesired change from normal electric working condition with or without subsequent reconnection ; integrated protection responsive to excess current
    • H—ELECTRICITY
    • H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
    • H02H—EMERGENCY PROTECTIVE CIRCUIT ARRANGEMENTS
    • H02H3/00—Emergency protective circuit arrangements for automatic disconnection directly responsive to an undesired change from normal electric working condition with or without subsequent reconnection ; integrated protection
    • H02H3/12—Emergency protective circuit arrangements for automatic disconnection directly responsive to an undesired change from normal electric working condition with or without subsequent reconnection ; integrated protection responsive to underload or no-load

Landscapes

  • Testing Of Short-Circuits, Discontinuities, Leakage, Or Incorrect Line Connections (AREA)
  • Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
  • Tests Of Electronic Circuits (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Electronic Switches (AREA)
  • Protection Of Static Devices (AREA)

Abstract

提供一種即使因電源電壓的變動等，負載短 路檢測電路與負載開路檢測電路進行錯誤檢測，亦可防止輸出錯誤的檢測結果的具備有檢測電路之半導體裝置。 形成為以下構成：具備有：檢測負載的 短路的負載短路檢測電路；檢測負載的開路的負載開路檢測電路；及將負載短路檢測電路及負載開路檢測電路的輸出訊號輸出至輸出端子的邏輯電路，邏輯電路係當負載開路檢測電路及負載短路檢測電路的輸出為檢測邏輯時，對輸出端子輸出非檢測邏輯的訊號。

Description

檢測電路及半導體裝置
本發明係關於檢測所被連接的負載的開路及短路的檢測電路及半導體裝置。
圖3係習知之具備有檢測電路之半導體裝置的電路圖。習知之具備有檢測電路之半導體裝置係具備有：被連接在電壓輸入端子T1與電壓輸出端子T2之間的MOS電晶體1、控制電路2、檢測被連接在電壓輸出端子T2的負載與接地端子的短路的負載短路檢測電路3、檢測負載的開路的負載開路檢測電路4、及將該等檢測電路的輸出訊號輸出至輸出端子T3的邏輯電路5。
習知之具備有檢測電路之半導體裝置係若負載短路檢測電路3檢測被連接在電壓輸出端子T2的負載與接地端子的短路，或若負載開路檢測電路4檢測負載的開路，邏輯電路5(OR電路)對輸出端子T3輸出該等檢測電路的輸出訊號。
〔先前技術文獻〕 〔專利文獻〕
〔專利文獻1〕日本特開平6-289087號公報
具備有檢測電路之半導體裝置係若輸出負載的短路或開路的檢測訊號，接收該訊號的電路係將電源電壓遮斷、或停止動作，來進行供安全用的處理。
但是，上述具備有檢測電路之半導體裝置係例如因電源電壓的變動等，而有負載短路檢測電路3與負載開路檢測電路4發生錯誤檢測的可能性，但是會有無關於是否為同時輸出檢測訊號的明顯錯誤檢測，邏輯電路5(OR電路)會輸出至輸出端子T3的課題。半導體裝置係若進行供安全用的處理，會有停止動作、或受到不會恢復成平常動作的損傷的情形。
本發明係為解決如以上所示之課題而研創者，提供不會有輸出錯誤的檢測結果的情形的具備有檢測電路之半導體裝置者。
為解決習知之課題，本發明之具備有檢測電路之半導體裝置係形成為如以下所示之構成。
形成為以下構成：具備有：檢測負載的短路的負載短路檢測電路；檢測負載的開路的負載開路檢測電路；及將 負載短路檢測電路及負載開路檢測電路的輸出訊號輸出至輸出端子的邏輯電路，邏輯電路係當負載開路檢測電路及負載短路檢測電路的輸出訊號為檢測邏輯時，對輸出端子輸出非檢測邏輯的訊號。
藉由本發明之具備有檢測電路之半導體裝置，即使因電源電壓的變動等，短路檢測電路與開路檢測電路進行錯誤檢測，亦可防止輸出錯誤的檢測結果。
1‧‧‧MOS電晶體
2‧‧‧控制電路
3‧‧‧負載短路檢測電路
4‧‧‧負載開路檢測電路
10、20‧‧‧邏輯電路
11、14‧‧‧OR電路
12、13‧‧‧反相器
15‧‧‧AND電路
20‧‧‧邏輯電路
21、22‧‧‧反相器
23、24‧‧‧AND電路
25‧‧‧OR電路
T1‧‧‧電壓輸入端子
T2‧‧‧電壓輸出端子
T3‧‧‧輸出端子
圖1係本實施形態之具備有檢測電路之半導體裝置的電路圖。
圖2係顯示本實施形態之具備有檢測電路之半導體裝置的其他例的電路圖。
圖3係習知之具備有檢測電路之半導體裝置的電路圖。
以下參照圖示，說明本實施形態。
圖1係本實施形態之具備有檢測電路之半導體裝置的電路圖。
本實施形態之具備有檢測電路之半導體裝置係具備 有：電壓輸入端子T1、電壓輸出端子T2、輸出端子T3、MOS電晶體1、控制電路2、負載短路檢測電路3、負載開路檢測電路4、及邏輯電路10。邏輯電路10係具備有：OR電路11、14、反相器12、13、及AND電路15。
檢測電路係檢測與電壓輸出端子T2相連接的負載脫落(負載開路)、或短路(負載短路)，而對輸出端子T3輸出檢測訊號。
電壓輸入端子T1係被輸入電源電壓。電壓輸出端子T2係透過MOS電晶體1被輸出電壓輸入端子T1所輸入的電源電壓。控制電路2係控制MOS電晶體1，來控制電壓輸出端子T2的輸出電壓。負載短路檢測電路3係在檢測出異常時，輸出檢測訊號。負載開路檢測電路4係在檢測出異常時，輸出檢測訊號。邏輯電路10係將該等檢測訊號輸出至輸出端子T3。此外，邏輯電路10係將該等檢測訊號亦輸出至控制電路2。
MOS電晶體1係被連接在電壓輸入端子T1與電壓輸出端子T2之間。控制電路2係輸出端子被連接在MOS電晶體1的閘極。負載短路檢測電路3係輸入端子被連接在電壓輸出端子T2。負載開路檢測電路4係輸入端子被連接在電壓輸出端子T2。邏輯電路10係第一輸入端子被連接在負載短路檢測電路3的輸出端子，第二輸入端子被連接在負載開路檢測電路4的輸出端子，輸出端子被連接在輸出端子T3。OR電路11係輸入端子被連接在第一輸入端子及第二輸入端子。反相器12係輸入端子被 連接在第一輸入端子。反相器13係輸入端子被連接在第二輸入端子。OR電路14係輸入端子被連接在反相器12、13的輸出端子。AND電路15係輸入端子被連接在OR電路11、14的輸出端子，輸出端子被連接在輸出端子T3。
接著，說明本實施形態之檢測電路的動作。將負載短路檢測電路3與負載開路檢測電路4的檢測訊號形成為Hi位準來進行說明。
負載短路檢測電路3或負載開路檢測電路4的任一者檢測出異常時，OR電路11、14係由於任一者的輸入訊號為Hi，因此輸出訊號係成為檢測邏輯的Hi。因此，AND電路15係對輸出端子T3輸出檢測邏輯的Hi位準的訊號。
接著，說明因電源電壓的變動等，負載短路檢測電路3及負載開路檢測電路4進行錯誤檢測的情形。此時，負載短路檢測電路3及負載開路檢測電路4係同時輸出Hi位準的檢測訊號。第一輸入端子及第二輸入端子同時被輸入Hi位準時，OR電路11係輸出Hi位準的檢測訊號，但是OR電路14係任一者的輸入訊號亦為Lo，因此輸出Lo位準的非檢測訊號。因此，AND電路15係對輸出端子T3輸出非檢測邏輯的Lo位準的訊號。
如以上說明所示，本實施形態之具備有檢測電路的半導體裝置係即使因電源電壓的變動等，負載短路檢測電路與負載開路檢測電路進行錯誤檢測，亦可防止輸 出錯誤的檢測結果。
圖2係顯示本實施形態之具備有檢測電路之半導體裝置之其他例的電路圖。
圖2之具備有檢測電路之半導體裝置係具備有：電壓輸入端子T1、電壓輸出端子T2、輸出端子T3、MOS電晶體1、控制電路2、負載短路檢測電路3、負載開路檢測電路4、及邏輯電路20。邏輯電路20係具備有：反相器21、22、AND電路23、24、及OR電路25。
邏輯電路20係第一輸入端子被連接在負載短路檢測電路3的輸出端子，第二輸入端子被連接在負載開路檢測電路4的輸出端子，輸出端子被連接在輸出端子T3。反相器21係輸入端子被連接在第二輸入端子。反相器22係輸入端子被連接在第一輸入端子。AND電路23係輸入端子被連接在第一輸入端子及反相器21的輸出端子。AND電路24係輸入端子被連接在第二輸入端子及反相器22的輸出端子。OR電路25係輸入端子被連接在AND電路23、24的輸出端子，輸出端子係被連接在輸出端子T3。
若如上所示構成邏輯電路20，負載開路檢測電路4的輸出訊號處於檢測邏輯時，係將負載短路檢測電路3的輸出設為非檢測邏輯，負載短路檢測電路3的輸出訊號處於檢測邏輯時，則將負載開路檢測電路4的輸出設為非檢測邏輯。
因此，圖2的檢測電路係當負載開路檢測電 路及負載短路檢測電路的輸出為檢測邏輯時，由輸出端子T3輸出非檢測邏輯的訊號。亦即，可得與圖1的檢測電路相同的效果。
1‧‧‧MOS電晶體
2‧‧‧控制電路
3‧‧‧負載短路檢測電路
4‧‧‧負載開路檢測電路
10‧‧‧邏輯電路
11、14‧‧‧OR電路
12、13‧‧‧反相器
15‧‧‧AND電路
T1‧‧‧電壓輸入端子
T2‧‧‧電壓輸出端子
T3‧‧‧輸出端子

Claims (3)

  1. 一種檢測電路，其係檢測與電壓輸出端子相連接之負載的開路及短路的檢測電路，其特徵為：具備有：檢測前述負載的短路的負載短路檢測電路；檢測前述負載的開路的負載開路檢測電路；及將前述負載短路檢測電路及前述負載開路檢測電路的輸出訊號輸出至輸出端子的邏輯電路，前述邏輯電路係當前述負載開路檢測電路及前述負載短路檢測電路的輸出訊號為檢測邏輯時，由前述輸出端子輸出非檢測邏輯的訊號。
  2. 如申請專利範圍第1項之檢測電路，其中，當前述負載開路檢測電路的輸出訊號處於檢測邏輯時，將前述負載短路檢測電路的輸出訊號設為非檢測邏輯，當前述負載短路檢測電路的輸出訊號處於檢測邏輯時，則將前述負載開路檢測電路的輸出訊號設為非檢測邏輯。
  3. 一種半導體裝置，其係具備有如申請專利範圍第1項或第2項之檢測電路的半導體裝置。
TW104125938A 2014-09-01 2015-08-10 檢測電路及半導體裝置 TW201617630A (zh)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2014177504A JP2016050893A (ja) 2014-09-01 2014-09-01 検出回路及び半導体装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
TW201617630A true TW201617630A (zh) 2016-05-16

Family

ID=55403623

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW104125938A TW201617630A (zh) 2014-09-01 2015-08-10 檢測電路及半導體裝置

Country Status (5)

Country Link
US (1) US20160064916A1 (zh)
JP (1) JP2016050893A (zh)
KR (1) KR20160026790A (zh)
CN (1) CN105388386A (zh)
TW (1) TW201617630A (zh)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106646077A (zh) * 2016-11-18 2017-05-10 深圳市有方科技股份有限公司 一种检测负载开短路的检测装置

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE4143097C3 (de) * 1991-12-27 1999-10-07 Aenea Angewandte En Und Automa Anordnung und Anzeige zur Ortsbestimmung defekter Lampen in Flugplatzbefeuerungsanlagen mit digitalem Lampen-"Intakt"-Signal
JP2974104B2 (ja) 1993-04-02 1999-11-08 矢崎総業株式会社 インテリジェントパワスイッチ用回路
JP5005275B2 (ja) * 2006-07-03 2012-08-22 東芝機械株式会社 デジタルフィルタ装置、位相検出装置、位置検出装置、ａｄ変換装置、ゼロクロス検出装置及びデジタルフィルタ用プログラム。
US7895560B2 (en) * 2006-10-02 2011-02-22 William Stuart Lovell Continuous flow instant logic binary circuitry actively structured by code-generated pass transistor interconnects

Also Published As

Publication number Publication date
JP2016050893A (ja) 2016-04-11
US20160064916A1 (en) 2016-03-03
KR20160026790A (ko) 2016-03-09
CN105388386A (zh) 2016-03-09

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US10374593B2 (en) Semiconductor device
US9722600B2 (en) Driving circuit of switching device for electric power control
US9001478B2 (en) Self-reset transient-to-digital convertor and electronic product utilizing the same
CN109477862B (zh) 车载控制装置
US10389227B2 (en) Semiconductor device drive circuit and inverter device with desaturation detection
KR20170131456A (ko) 다중-입력 스케일러블 정류기 드루프 검출기
US8159800B2 (en) Semiconductor device
CN107271827B (zh) 漏电检测电路及漏电断路器
US10171070B2 (en) Signal transmission circuit and power conversion device
US10116310B2 (en) Level shift circuit, integrated circuit, and power semiconductor module
US10606703B2 (en) Monitoring circuit
TW201617630A (zh) 檢測電路及半導體裝置
US20100164559A1 (en) Power-on circuit
WO2015104921A1 (ja) 車載用電子制御装置
US9842480B2 (en) Alarm processing circuit
TWI644515B (zh) 電壓切換裝置及方法
KR102169465B1 (ko) 반도체 장치의 파워 업 회로
TWI556251B (zh) And a semiconductor device having a semiconductor memory circuit
US20170344040A1 (en) Electronic Device
JP5391955B2 (ja) 半導体装置
TWI681201B (zh) 電池監控系統
JP2016140119A (ja) 電源装置
US7800420B2 (en) Power detection system and circuit for high voltage supply and low voltage devices
US10110213B2 (en) Semiconductor device
JP6836271B2 (ja) 半導体装置とその制御方法