TW201611345A - 發光二極體封裝結構 - Google Patents

Abstract

一種發光二極體封裝結構，包括基板以及設置在基板上的發光二極體晶片，所述基板上間隔設置有第一焊接區及第二焊接區，所述發光二極體晶片包括間隔設置的第一電極及第二電極，所述第一電極與第二電極對稱設置且面積相等，所述第一電極及第二電極分別與所述第一焊接區及第二焊接區對應焊接。

Description

發光二極體封裝結構

本發明涉及一種半導體元件，尤其涉及一種發光二極體。

先前的發光二極體封裝結構包括基板以及設置在基板上的發光二極體晶片。所述基板包括焊接發光二極體晶片的焊接區。所述發光二極體晶片焊接至基板的焊接區時易於偏離焊接區，導致整個發光二極體封裝結構的品質下降。

有鑑於此，有必要提供一種品質較高的發光二極體封裝結構。

一種發光二極體封裝結構，包括基板以及設置在基板上的發光二極體晶片，所述基板上間隔設置有第一焊接區及第二焊接區，所述發光二極體晶片包括間隔設置的第一電極及第二電極，所述第一電極與第二電極對稱設置且面積相等，所述第一電極及第二電極分別與所述第一焊接區及第二焊接區對應焊接。

一種發光二極體封裝結構，包括基板以及設置在基板上的發光二極體晶片，所述基板包括第一焊接區、第二焊接區以及第三焊接區，所述發光二極體晶片包括與所述第一、第二以及第三焊接區對應焊接的第一電極、第二電極以及第三電極，所述第一電極與第三電極對稱地設置在第二電極的相對兩側且所述第一電極的面積等於所述第三電極的面積。

本發明的發光二極體封裝結構中，由於所述發光二極體晶片的電極對稱設置且面積相等，從而使得發光二極體晶片焊接至所述基板的過程中發光二極體晶片受力平衡及力矩平衡而不易自所述基板的焊接區偏離，提高了發光二極體封裝結構的品質。

圖1為本發明第一實施例的發光二極體封裝結構的安裝示意圖。

圖2為圖1所示的發光二極體封裝結構的基板的俯視圖。

圖3為圖1所示的發光二極體封裝結構的發光二極體晶片的底面示意圖。

圖4為本發明第二實施例的發光二極體封裝結構的安裝示意圖。

圖5為圖4所示的發光二極體封裝結構的基板的俯視圖。

圖6為圖4所示的發光二極體封裝結構的發光二極體晶片的底面示意圖。

圖7為圖4所示的發光二極體封裝結構的另一基板的俯視圖。

圖8為本發明的第三實施例的發光二極體封裝結構的基板的俯視圖。

圖9為本發明的第三實施例的發光二極體封裝結構的發光二極體晶片的底面示意圖。

第一實施例

請參見圖1，本實施例的發光二極體封裝結構100包括基板10以及設置在基板10上的發光二極體晶片20，所述基板10上間隔設置有第一焊接區11及第二焊接區12，所述發光二極體晶片20包括間隔設置的第一電極21及第二電極22，所述第一電極21與第二電極22對稱設置且面積相等，所述第一電極21及第二電極22分別與所述第一焊接區11及第二焊接區12對應焊接。

所述基板10可為任一種可在其表面或內部進行佈線設計的板體。本實施例中，所述基板10可為普通的印刷電路板、柔性電路板、PLCC(Plastic Leaded ChipCarrier) 或者陶瓷基板。

所述基板10包括焊接面101以及與該焊接面101相對的底面102。所述第一焊接區11、第二焊接區12分別設置在基板10的焊接面101。優選地，所述第一焊接區11與第二焊接區12對稱設置，且第一焊接區11的面積等於所述第二焊接區12的面積。

請參見圖2，所述第一焊接區11與第二焊接區12之間形成第一間隔區111。所述第一間隔區111內可填充有絕緣材料120。所述絕緣材料120可由防焊或者斥水性高的材料組成。

請參見圖1及圖3，所述發光二極體晶片20的第一電極21與第二電極22分別與所述基板10的第一焊接區11及第二焊接區12一一對應設置。所述第一電極21及第二電極22的尺寸與所述基板10的第一焊接區11及第二焊接區12的尺寸相當。

所述第一電極21與所述第二電極22之間形成第一間隔槽221。所述第一間隔槽221內可填充有絕緣材料120。所述第一間隔槽221與基板10上的第一間隔區111對應設置。

所述發光二極體晶片20焊接至所述基板10的過程中，熔融的焊料會受到基板10上的第一焊接區11、第二焊接區12以及發光二極體晶片20 的第一電極21及第二電極22的吸引，而受到第一間隔區111及第一間隔槽221的排斥。由於發光二極體晶片20的第一電極21及第二電極22對稱地設置在第一間隔槽221的相對兩側且面積相等，從而使得發光二極體晶片20在焊接的過程中受力平衡及力矩平衡，進而使得發光二極體晶片20不會自所述第一焊接區11、第二焊接區12偏離，也即，發光二極體晶片20的第一電極21、第二電極22能夠正對地焊接至與之相應的第一焊接區11及第二焊接區12上，提升了整個發光二極體封裝結構100的品質。

第二實施例

請參見圖4，本實施例中的發光二極體封裝結構100a中，所述發光二極體晶片20a包括第一電極21a、第二電極22a及第三電極23a，所述第一電極21a及第三電極23a對稱地設置在所述第二電極22a的相對兩側，且所述第一電極21a的面積等於所述第三電極23a的面積。

請參見圖6，所述第一電極21a與所述第二電極22a之間形成第一間隔槽221a。所述第二電極22a與所述第三電極23a之間形成第二間隔槽222a。所述第一間隔槽221a與所述第二間隔槽222a內可填充有絕緣材料120。

相應地，請參見圖5，所述基板10a的焊接面101a設置有第一焊接區11a、第二焊接區12a以及第三焊接區13a。所述第一焊接區11a、第二焊接區12a以及第三焊接區13a分別與所述第一電極21a、第二電極22a以及第三電極23a對應設置。所述第一焊接區11a、第二焊接區12a以及第三焊接區13a的尺寸與所述第一電極21a、第二電極22a以及第三電極23a的尺寸相當。

所述第一焊接區11a與第二焊接區12a之間形成第一間隔區111a，所述第二焊接區12a與所述第三焊接區13a之間形成第二間隔區112a。所述第一間隔區111a與所述第二間隔區112a分別與所述第一間隔槽221a及第二間隔槽222a對應設置。

所述發光二極體晶片20a焊接至基板10a的過程中，熔融的焊料會受到第一焊接區11a、第二焊接區12a、第三焊接區13a以及第一電極21a、第二電極22a以及第三電極23a的吸引，而受到第一間隔區111a、第二間隔區112a以及第一間隔槽221a、第二間隔槽222a的排斥，由於所述發光二極體晶片20的第一電極21a以及第三電極23a對稱地設置在第二電極22a的相對兩側，且第一電極21a及第三電極23a的面積相等，從而使得所述發光二極體晶片20a在焊接至基板10a的過程中受力平衡，不易自基板10a上的第一焊接區11a、第二焊接區12a以及第三焊接區13a偏離，即使得發光二極體晶片20a正對地焊接至基板10a上。

請參見圖7，為了使得熔融的焊料不易於自第一焊接區11a及第三焊接區13a流向基板10a上的其他區域，所述第一焊接區11a及第三焊接區13a的遠離發光二極體晶片20a的邊角處分別設置第一防焊區201a及第二防焊區202a。熔融的焊料受到第一防焊區201a及第一間隔區111a的排斥的作用而集中在第一焊接區11a內，熔融的焊料受到第二防焊區202a及第二間隔區112a的排斥的作用而集中在第三焊接區13a內。本實施例中，由於所述第一焊接區11a及第三焊接區13a均為矩形，因此，所述第一防焊區201a及第二防焊區202a可設置成L形，以與第一焊接區11a及第三焊接區13a的邊角配合。

第三實施例

請參見圖8，本實施例中，所述基板10a進一步包括第三間隔區113a。所述第三間隔區113a沿著所述第一焊接區11a、第二焊接區12a及第三焊接區13a的中部貫穿以將所述第一焊接區11a、第二焊接區12a及第三焊接區13a平分。

請參見圖9，相應地，所述發光二極體晶片20a進一步包括與所述基板10a的第三間隔區113a相應的第三間隔槽223a。 所述第三間隔槽223a沿著所述第一電極21a、第二電極22a以及第三電極23a的中部貫穿以將所述第一電極21a、第二電極22a以及第三電極23a平分。

可以理解的是，對於本領域的普通技術人員來說，可以根據本發明的技術構思做出其它各種相應的改變與變形，而所有這些改變與變形都應屬於本發明請求項的保護範圍。

100，100a‧‧‧發光二極體封裝結構

10，10a‧‧‧基板

11，11a‧‧‧第一焊接區

12，12a‧‧‧第二焊接區

13，13a‧‧‧第三焊接區

20，20a‧‧‧發光二極體晶片

21，21a‧‧‧第一電極

22，22a‧‧‧第二電極

23，23a‧‧‧第三電極

111，111a‧‧‧第一間隔區

112，112a‧‧‧第二間隔區

113a‧‧‧第三間隔區

120‧‧‧絕緣材料

201a‧‧‧第一防焊區

202a‧‧‧第二防焊區

221，221a‧‧‧第一間隔槽

222，222a‧‧‧第二間隔槽

223a‧‧‧第三間隔槽

無

20‧‧‧發光二極體晶片

21‧‧‧第一電極

22‧‧‧第二電極

221‧‧‧第一間隔槽

120‧‧‧絕緣材料

Claims (10)

1. 一種發光二極體封裝結構，包括基板以及設置在基板上的發光二極體晶片，所述基板上間隔設置有第一焊接區及第二焊接區，所述發光二極體晶片包括間隔設置的第一電極及第二電極，所述第一電極與第二電極對稱設置且面積相等，所述第一電極及第二電極分別與所述第一焊接區及第二焊接區對應焊接。
2. 如請求項1所述的發光二極體封裝結構，其中：所述第一電極及第二電極之間形成第一間隔槽，所述第一間隔槽內填充有絕緣材料。
3. 如請求項2所述的發光二極體封裝結構，其中：所述第一焊接區與第二焊接區之間形成第一間隔區，所述第一間隔區與所述第一間隔槽對應設置。
4. 如請求項3所述的發光二極體封裝結構，其中：所述第一間隔區內填充有絕緣材料。
5. 一種發光二極體封裝結構，包括基板以及設置在基板上的發光二極體晶片，所述基板包括第一焊接區、第二焊接區以及第三焊接區，所述發光二極體晶片包括與所述第一、第二以及第三焊接區對應焊接的第一電極、第二電極以及第三電極，所述第一電極與第三電極對稱地設置在第二電極的相對兩側且所述第一電極的面積等於所述第三電極的面積。
6. 如請求項5所述的發光二極體封裝結構，其中：所述第一電極與第二電極之間形成第一間隔槽，所述第二電極與第三電極之間形成第二間隔槽，所述第一間隔槽與第二間隔槽之間填充有絕緣材料。
7. 如請求項6所述的發光二極體封裝結構，其中：所述第一焊接區與第二焊接區之間形成第一間隔區，所述第二焊接區與第三焊接區之間形成第二間隔區，所述第一間隔區及第二間隔區內填充有絕緣材料。
8. 如請求項5所述的發光二極體封裝結構，其中：所述第一焊接區及第三焊接區遠離所述發光二極體晶片的邊角處分別形成第一防焊區及第二防焊區。
9. 如請求項6所述的發光二極體封裝結構，其中：所述第一間隔區及第三焊接區呈矩形，所述第一防焊區及第二防焊區呈L形。
10. 如請求項4或6所述的發光二極體封裝結構，其中：所述基板進一步包括第三間隔區，所述第三間隔區垂直於所述第一間隔區及第二間隔區且沿著所述第一間隔區的中部及第二間隔區的中部貫穿且平分所述第一焊接區、第二焊接區及第三焊接區，所述發光二極體晶片進一步包括與所述基板的第三間隔區相應的第三間隔槽，所述第三間隔槽垂直於所述第一間隔槽及第二間隔槽，且沿著所述第一間隔槽的中部及第二間隔槽的中部貫穿平分所述第一焊接部、第二焊接部以及第三焊接部。