TWI581463B - 發光二極體封裝結構 - Google Patents

Description

發光二極體封裝結構

本發明涉及一種半導體元件，尤其涉及一種發光二極體封裝結構。

傳統的發光二極體封裝結構包括基板以及設置在基板上的發光二極體晶片。所述基板包括連接發光二極體晶片的焊接區。所述發光二極體晶片的電極放置于焊接區然後通過焊接的方式將發光二極體晶片焊接至基板的焊接區。然而由於焊接時發光二極體晶片受到焊料熔融狀態下的吸引力及基板的排斥力的影響，常常導致其偏離焊接區，進而導致整個發光二極體封裝結構的品質下降。

有鑑於此，有必要提供一種穩定性好的發光二極體封裝結構。

一種發光二極體封裝結構，包括基板和設置在基板上的發光二極體晶片，所述發光二極體晶片包括向外凸伸的電極，所述基板上設有凹陷的焊接區，所述電極收容于焊接區後與基板通過焊接連接。

本發明的發光二極體封裝結構中，由於所述發光二極體晶片的電極分別與基板焊接區收容焊接，使得發光二極體晶片的電極不易與所述基板的焊接區偏離，提高了發光二極體封裝結構的品質。

100，100a‧‧‧發光二極體封裝結構

10‧‧‧基板

101‧‧‧焊接面

102‧‧‧底面

11‧‧‧第一焊接區

12‧‧‧第二焊接區

13‧‧‧第三焊接區

121‧‧‧第一間隔區

122‧‧‧第二間隔區

123‧‧‧第三間隔區

20‧‧‧發光二極體晶片

21‧‧‧第一電極

22‧‧‧第二電極

23‧‧‧第三電極

221‧‧‧第一絕緣區

222‧‧‧第二絕緣區

223‧‧‧第三絕緣區

圖1係發明第本一實施例的發光二極體封裝結構的立體組裝圖。

圖2係圖1所示的發光二極體封裝結構的剖視圖。

圖3係圖1所示的發光二極體封裝結構的分解圖。

圖4為係發明第二實施例的發光二極體封裝結構分解圖。

如圖1-2所示，本發明第一實施例中的發光二極體封裝結構100包括基板10和設置在基板10上的發光二極體晶片20。

請同時參考圖3，所述基板10上間隔設置有第一焊接區11、第二焊接區12，以及第三焊接區13。所述發光二極體晶片20間隔設置有第一電極21、第二電極22以及第三電極23。所述第一電極21、第二電極22，以及第三電極23分別與所述第一焊接區11、第二焊接區12和第三焊接區13對應焊接。

所述基板10為任意一種可在其表面或內部進行佈線設計的板體。在本實施例中，所述基板10為普通的印刷電路板、柔性電路板或者金屬基板。

所述基板10包括焊接面101以及與該焊接面101相對設置的底面102。所述焊接面101上可塗覆絕緣材料，所述第一焊接區11、第二焊接區12，以及第三焊接區13分別設置在基板10的焊接面101上。具體的，所述第一焊接區11、第二焊接區12以及第三焊接區13為分別自基板10的焊接面101朝向底面102凹陷而成的凹槽，所述第一焊接區11、第二焊接區12以及第三焊接區13內可填充有導電物質。在本實施例中，所述第一焊接區11、第二焊接區12以及 第三焊接區13的橫截面呈矩形，可以理解的，所述第一焊接區11、第二焊接區12以及第三焊接區13的橫截面可以為其他可能的形狀，例如梯形、三角形等。

所述第一焊接區11和第二焊接區12間隔形成第一間隔區121，所述第二焊接區12和第三焊接區13間隔形成第二間隔區122。

如圖3所示，所述發光二極體晶片20的第一電極21、第二電極22，以及第三電極23分別與所述基板10的第一焊接區11、第二焊接區12，以及第三焊接區13一一對應。具體的，所述第一電極21、第二電極22，以及第三電極23分別為自發光二極體晶片20的電極表面向外凸伸形成，所述第一電極21、第二電極22以及第三電極23的具體形狀和尺寸應與所述第一焊接區11、第二焊接區12，以及第三焊接區13相當，所述第一電極21、第二電極22以及第三電極23的具體形狀應與所述第一焊接區11、第二焊接區12，以及第三焊接區13配合。所述第一電極21、第二電極22、第三電極23外表面上可設有導電物質。

進一步地，所述發光二極體晶片20的第一電極21和第三電極23分別位於第二電極22的相對兩側。所述第一電極21和第二電極22間隔形成第一絕緣區221，所述第二電極22和第三電極23間隔形成第二絕緣區222。所述第一絕緣區221和第二絕緣區222相對於第一電極21、第二電極22和第三電極23呈現凹槽狀。所述第一絕緣區221和第二絕緣區222內可填充有絕緣物質。

所述發光二極體晶片20焊接至所述基板10時，所述第一電極21、第二電極22以及第三電極23分別收容於基板10的第一焊接區11、第二焊接區12，以及第三焊接區13內通過熔融的焊料進行焊接， 所述基板第一間隔區121與第二間隔區122對應收容于所述發光二極體晶片20的第一絕緣區221和第二絕緣區222進行固定絕緣發光二極體晶片20的各個電極。如此，使得所述第一電極21、第二電極22以及第三電極23分別與基板10的第一焊接區11、第二焊接區12，以及第三焊接區13實現三維對位元，使得發光二極體晶片20的第一電極21、第二電極22和第三電極23與基板10的第一焊接區11、第二焊接區12和第三焊接區13之間不但進一步對位準確，而且在焊接過程中，熔融的焊料與基板10之間產生的吸附力不會使得發光二極體晶片20第一電極21、第二電極22、第三電極23與基板10的第一焊接區11、第二焊接區12和第三焊接區13之間產生相對位移，從而提高了發光二極體封裝結構的品質。

如圖4所示，為本發明第二實施例中的發光二極體封裝結構100a，其與第一實施例中所述發光二極體封裝結構100相似，其不同之處在於：所述基板10進一步包括第三間隔區123，所述第三間隔區123沿著所述第一焊接區11、第二焊接區12及第三焊接區13的中貫穿以將所述第一焊接區11、第二焊接區12及第三焊接區13分割。在本實施例中，所述的第三間隔區123與所述第一間隔區121和第二間隔區122垂直相交，可以理解的，所述第三間隔區與所述第一間隔區121和第二間隔區122以其他角度相交。

相應地，所述發光二極體晶片20進一步包括與所述基板10的第三間隔區123相應的第三絕緣區223。所述的第三絕緣區223沿著所述第一電極21、第二電極22以及第三電極23中貫穿以將所述第一電極21、第二電極22以及第三電極23進一步分割。所述的第三絕緣區223的位置和形狀能與所述第三間隔區123配合即可。

可以理解的是，對於本領域的普通技術人員來說，可以根據本發明的技術構思做出其它各種相應的改變與變形，而所有該等改變與變形都應屬於本發明權利要求的保護範圍。

100‧‧‧發光二極體封裝結構

10‧‧‧基板

101‧‧‧焊接面

102‧‧‧底面

11‧‧‧第一焊接區

12‧‧‧第二焊接區

13‧‧‧第三焊接區

121‧‧‧第一間隔區

122‧‧‧第二間隔區

20‧‧‧發光二極體晶片

21‧‧‧第一電極

22‧‧‧第二電極

23‧‧‧第三電極

221‧‧‧第一絕緣區

222‧‧‧第二絕緣區

Claims (5)

1. 一種發光二極體封裝結構，包括基板和設置在基板上的發光二極體晶片，其改良在於：所述發光二極體晶片包括向外凸伸的電極，所述基板上設有凹陷的焊接區，所述電極收容于焊接區後與基板通過焊接連接，所述基板進一步包括焊接面以及與所述焊接面相對設置的底面，所述焊接面上塗覆有絕緣材料，所述電極包括第一電極、第二電極、第三電極，所述焊接區包括第一焊接、第二焊接區和第三焊接區，所述第一電極和第二電極間隔形成第一絕緣區，所述第二電極和第三電極間隔形成第二絕緣區，所述基板還包括一第三間隔區，所述第三間隔區貫穿所述第一焊接區、第二焊接區和第三焊接區並將所述第一焊接區、第二焊接區和第三焊接區分割，所述發光二極體晶片進一步包括與所述第三間隔區相應的第三絕緣區，所述第三絕緣區貫穿所述第一電極、第二電極以及第三電極並將所述第一電極、第二電極、第三電極分割。
2. 如申請專利範圍第1項所述的發光二極體封裝結構，其中：所述第一焊接區、第二焊接區、第三焊接區分別形成在焊接面上。
3. 如申請專利範圍第3項所述的發光二極體封裝結構，其中：所述第一焊接區、第二焊接區、第三焊接區分別為自所述焊接面朝向底面內凹形成的凹槽。
4. 如申請專利範圍第1項所述的發光二極體封裝結構，其中：所述第一電極、第二電極、第三電極分別為自發光二極體晶片的電極表面向外凸伸形成，所述第一電極、第二電極、第三電極分別與所述第一焊接區、第二焊接區、第三焊接區配合焊接。
5. 如申請專利範圍第1項所述的發光二極體封裝結構，其中：所述第一焊接 區和第二焊接區間隔形成第一間隔區，所述第二焊接區和第三焊接區間隔形成第二間隔區。