TW201546253A - 矽材料研磨用組成物 - Google Patents

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Shuhei Takahashi
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Abstract

本發明之矽材料研磨用組成物包含研磨粒與水及以通式(A)表示之化合物與以通式(B)表示之化合物，且pH為8~12， □(R1~R4為選自由碳原子數4以下之烷基、碳原子數4以下之羥基烷基、及可經取代之芳基所組成之群，X-為陰離子)， □(X1表示氫原子、胺基、或與C1原子之鍵，於與C1原子之鍵時，H1原子不存在，X2表示氫原子、胺基、胺基烷基或與C1原子之鍵，於與C1原子之鍵時，C1-N1鍵成為雙鍵，且H2原子不存在，l為1~6，m為1~4，n為0~4)。

Description

矽材料研磨用組成物
本發明係關於矽材料研磨用之研磨用組成物。
又，本國際申請案係基於2014年3月27日申請之日本專利申請案第2014-066901號而主張優先權，該申請案全部內容併入本說明書中供參考。
作為半導體製品之構成要件等所用之矽晶圓的表面一般係經過研磨((lapping))步驟(粗研磨步驟)與拋光步驟(精密研磨步驟)而修飾成高品質之鏡面。上述拋光步驟典型上包含預拋光步驟(預研磨步驟)與最終拋光步驟(最終研磨步驟)。關於研磨矽晶圓之用塗中主要使用之研磨組成物之技術文獻列舉為專利文獻1。專利文獻2、3係關於在研磨氧化膜等之用途中使用之研磨用組成物的技術文獻。
[先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本專利申請公開第2006-324639號公報
[專利文獻2]日本專利申請公開第2004-100242號公報
[專利文獻3]日本專利申請公開第2002-184728號公報
專利文獻1中已提案矽晶圓之研磨所使用之研磨用組成物中含有氫氧化四級烷基胺。同一文獻中記載以該構成可有效的研磨去除矽晶圓及非金屬膜。然而，即使藉由該技術，欲完全滿足近年來有關研磨速率之要求程度仍不足，有進一步改善之空間。
本發明係鑑於上述情況而完成者，其主要目的係提供一種包含可提高研磨速率之化合物的矽材料研磨用組成物。
本發明人等對於藉由於研磨用組成物中含有而可提高研磨速率之成分進行探討。結果，發現藉由組合使用以某特定通式表示之化合物可提高研磨速率，因而完成本發明。
亦即，依據本說明書，提供一種矽材料研磨用組成物，其包含研磨粒、水、以下述通式(A)表示之化合物、與以下述通式(B)表示之化合物。
其中，式中之R1~R4各獨立為選自由碳原子數4以下之烷基、碳原子數4以下之羥基烷基、及可經取代之芳基所組成之群。且X-為陰離子。
其中式中之X1表示氫原子、胺基、或與C1原子之鍵。X1表示與C1原子之鍵時，H1原子不存在。X2表示氫原子、胺基、胺基烷基或與C1原子之鍵。X2表示與C1原子之鍵時，C1-N1鍵成為雙鍵，且H2原子不存在，l為1~6之整數，m為1~4之整數，n為0~4之整數。
藉由包含以上述通式(A)表示之化合物與以上述通式(B)表示之化合物二者，可大幅提高研磨用組成物之研磨速率。
以上述通式(A)表示之化合物(以下有時記為「化合物(A)」)之較佳例列舉為氫氧化四甲基銨、氫氧化 四乙基銨、氫氧化四丙基銨、氫氧化四丁基銨及氫氧化羥基乙基三甲基銨。若為該構造之化合物(A)，則容易發揮提高研磨速率之效果。
以上述通式(A)表示之化合物(以下有時記為「化合物(A)」)之較佳例列舉為1,8-二氮雜雙環[5.4.0]十一碳-7-烯、1,5-二氮雜雙環[4.3.0]-5-壬烯及胺基乙基哌嗪。若為該構造之化合物(B)，則容易發揮提高研磨速率之效果。
本文揭示之矽材料研磨用組成物之較佳一樣態中，前述研磨用組成物進而包含螯合劑。藉由於研磨用組成物含有螯合劑，可抑制研磨對象物之金屬污染。
作為螯合劑之較佳例列舉為胺基三(亞甲基膦酸)、乙二胺肆(亞甲基膦酸)及二伸乙基三胺五(亞甲基膦酸)。若為該構造之螯合劑，則容易發揮抑制金屬污染之效果。
上述研磨用組成物典型上為鹼性，pH較好為8~12。藉此，可更良好地發揮研磨速率提高效果。
本文揭示之研磨用組成物之較佳一樣態中，上述研磨用組成物實質上不含氧化劑。研磨用組成物中含氧化劑時，藉由使該組成物供給於研磨對象物使該研磨對象物之表面氧化產生氧化膜，藉此有降低研磨速率之傾向。相對於此，若為上述構成，則由於研磨用組成物實質上不含氧化物，故可避免該缺點。
本文揭示之研磨用組成物之較佳一樣態係上 述研磨粒為二氧化矽粒子。使用二氧化矽粒子作為研磨粒之研磨中，可更適當地發揮上述化合物(A)之研磨速率提高效果。
本文揭示之研磨用組成物係用於矽晶圓之研 磨，例如可較好地應用於經過研磨(lapping)之矽晶圓之拋光。最佳之適用對象例示為矽晶圓之預拋光。
以下，說明本發明之較佳實施形態。又，本說明書中特別提及之事項以外之情況之實施本發明必要之情況係熟悉該技術者基於該領域中之以往技術能以設計事項而掌握者。本發明可基於本說明書中揭示之內容與該領域中之技術知識而實施。
〈研磨粒〉
本文揭示之技術中，研磨粒之材質或性狀並無特別限制，可依據研磨用組成物之使用目的或使用樣態等適當選擇。作為研磨粒之例列舉為無機粒子、有機粒子及有機無機複合粒子。無機粒子之具體例列舉為二氧化矽粒子、氧化鋁粒子、氧化鈰粒子、氧化鉻粒子、二氧化鈦粒子、氧化鋯粒子、氧化鎂粒子、二氧化錳粒子、氧化鋅粒子、氧化鐵(Bengala)粒子等之氧化物粒子；氮化矽粒子、氮化硼粒子等之氮化物粒子；碳化矽粒子、碳化硼粒子等之碳化物粒子；金剛石粒子；碳酸鈣或碳酸鋇等之碳酸鹽等。有 機粒子之具體例列舉為聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)粒子或聚(甲基)丙烯酸粒子(此處，所謂(甲基)丙烯酸意指包括丙烯酸及甲基丙烯酸)、聚丙烯腈粒子等。該研磨粒可單獨使用1種，亦可組合2種以上使用。
上述研磨粒較好為無機粒子，其中以由金屬 或半金屬氧化物所成之粒子較佳。本文揭示之技術中可使用之研磨粒之較佳例列舉為二氧化矽粒子。例如，將本文揭示之技術應用於可使用於矽晶圓之研磨之研磨用組成物時，最好使用二氧化矽粒子作為研磨粒。其理由為研磨對象物為矽晶圓時，若使用由與研磨對象物相同之元素及氧原子所成之二氧化矽粒子作為研磨粒，則研磨後不會發生與矽不同之金屬或半金屬之殘留物，且不會有矽晶圓表面之污染或因與矽不同之金屬或半金屬擴散到研磨對象物內部造成之作為矽晶圓的電特性劣化等之虞。此外，由於矽與二氧化矽之硬度接近，故可不對矽晶圓表面造成過度損傷下進行研磨加工。基於該觀點，作為較佳之研磨用組成物之一形態，係例示僅含二氧化矽粒子作為研磨粒之研磨用組成物。此外，二氧化矽具有容易獲得高純度者之性質。此亦係以二氧化矽粒子作為研磨粒列舉之較佳理由。 二氧化矽粒子之具體例列舉為膠體二氧化矽、發煙二氧化矽、沉降二氧化矽等。基於於研磨對象物表面不易產生刮痕，可更實現濁度低之表面之觀點，作為較佳之二氧化矽粒子列舉為膠體二氧化矽及發煙二氧化矽。其中以膠體二氧化矽較佳。例如，可較佳的採用膠體二氧化矽作為矽晶 圓之拋光(預拋光及最終拋光之至少一者，較好為預拋光)中所用之研磨用組成物之研磨粒。
構成二氧化矽粒子之二氧化矽的真比重較好 為1.5以上，更好為1.6以上，又更好為1.7以上。藉由增大二氧化矽之真比重，於研磨矽晶圓時，可提高研磨速度(每單位時間去除研磨對象物表面之量)。就減低研磨對象物表面(研磨對象面)產生之刮痕之觀點而言，較好為真比重2.2以下之二氧化矽粒子。二氧化矽之真比重可採用使用乙醇作為置換液之液體置換法所得之測定值。
本文揭示之技術中，研磨用組成物中所含之 研磨粒可為一次粒子之形態，亦可為使複數的一次粒子凝聚之二次粒子形態。且，亦可混合存在一次粒子形態之研磨粒與二次粒子形態之研磨粒。較佳之一樣態為至少一部分研磨粒以二次粒子之形態包含於研磨用組成物中。
研磨粒之平均一次粒徑並無特別限制，但基 於研磨速度等之觀點，較好為5nm以上，更好為10nm以上，又更好為20nm以上。就獲得更高研磨效果之觀點而言，平均一次粒徑較好為25nm以上，更好為30nm以上。亦可使用平均一次粒徑40nm以上之研磨粒，進而亦可使用50nm以上之研磨粒。且，基於保存安定性(例如分散安定性)之觀點，研磨粒之平均一次粒徑較好為100nm以下，更好為80nm以下，又更好為70nm以下，例如60nm以下。
又，本文揭示之技術中，研磨粒之平均一次粒徑可由 例如以BET法測定之比表面積(m2/g)，以D=2727/S(nm)之式算出。比表面積的測定可使用例如Micromeritics公司製之表面積測定裝置，商品名「Flow Sorb II 2300」進行。
研磨粒之平均二次粒徑並無特別限制，但基 於研磨速度等之觀點，較好為15nm以上，更好為25nm以上。基於獲得更高研磨效果之觀點，平均二次粒徑較好為40nm以上，更好為50nm以上。且，基於保存安定性(例如分散安定性)之觀點，研磨粒之平均二次粒徑為200nm以下較恰當，較好為150nm以下，更好為100nm以下。研磨粒之平均二次粒徑可使用例如日機裝股份有限公司製之型號「UPA-UT151」，藉由動態光散亂法測定。
研磨粒之平均二次粒徑DP2一般係等於研磨 粒之平均一次粒徑DP1或以上(DP2/DP1≧1)，典型上比DP1大(DP2/DP1>1)。雖未特別限制，但基於研磨效果及研磨後之表面平滑性之觀點，研磨粒之DP2/DP1通常宜在1.05~3之範圍內，較好為1.1~2.5之範圍，更好為1.2~2.3(例如超過1.3且2.2以下)之範圍。
研磨粒之形狀(外形)可為球形，亦可為非球 形。成為非球形之研磨粒之具體例列舉為花生形狀(亦即，落花生殼之形狀)、繭型形狀、金平糖形狀、橄欖球形狀等。
雖無特別限制，但研磨粒之一次粒子之長徑/ 短徑比之平均值(平均長寬比)較好為1.05以上，更好為 1.1以上。藉由增大研磨粒之平均長寬比，可實現更高之研磨速度。且，研磨粒之平均長寬比，基於減少刮痕等之觀點，較好為3.0以下，更好為2.0以下，又更好為1.5以下。
上述研磨粒之形狀(外形)或平均長寬比可利用 例如電子顯微鏡觀察而掌握。掌握平均長寬比之具體順序為例如使用掃描型電子顯微鏡(SEM)，針對可辨識獨立粒子形狀之既定個數(例如200個)之研磨粒子，描繪出外接於各粒子圖像之最小長方形。接著，針對對各粒子圖像描繪出之長方形，將其長邊之長度(長徑之值)除以短邊之長度(短徑之值)之值作為長徑/短徑比(長寬比)而算出。藉由算術平均上述既定個數之粒子長寬比，可求出平均長寬比。
〈化合物(A)〉
本文揭示之矽材料研磨用組成物含有於氮原子上具有特定取代基之四級銨化合物(典型為以下述通式(A)表示之化合物)。
此處，通式(A)中之R1~R4各獨立為選自由碳原子數 4以下之烷基、碳原子數4以下之羥基烷基、及可經取代之芳基所組成之群。且X-為陰離子。
上述化合物(A)中之陰離子(X-)之種類並無特 別限制，可為有機陰離子亦可為無機陰離子。可為例如鹵化物離子(例如，氟化物離子、氯化物離子、溴化物離子及碘化物離子)、氫氧化物離子、硝酸離子、亞硝酸離子、氯酸離子、亞氯酸離子、次氯酸離子、過亞氯酸離子、硫酸離子、硫酸氫離子、亞硫酸離子、硫代硫酸離子、碳酸離子、磷酸離子、磷酸二氫離子、磷酸氫離子、胺磺酸離子、羧酸離子(例如甲酸離子、乙酸離子、丙酸離子、苯甲酸離子、甘胺酸離子、丁酸離子、檸檬酸離子、酒石酸離子、三氟乙酸離子等)、乙酸離子、有機磺酸離子(甲烷磺酸離子、三氟甲烷磺酸離子、苯磺酸離子、甲苯磺酸離子)、有機膦酸離子(甲基膦酸離子、苯膦酸離子、甲苯膦酸離子等)、有機磷酸離子(例如，乙基磷酸離子)等。其中，以氫氧化物離子較佳。
上述化合物(A)中，氮原子上之取代基R1、 R2、R3、R4可為碳原子數1~4(例如2~4，典型為2或3)之烷基、碳原子數1~4(例如2~4，典型為2或3)之羥基烷基、或芳基。R1、R2、R3、R4可為直鏈狀亦可為分支狀。R1、R2、R3、R4可相同亦可不同。碳原子數1~4之烷基列舉為甲基、乙基、丙基、丁基。碳原子數1~4之羥基烷基列舉為羥基甲基、羥基乙基、羥基丙基、羥基丁基。又，本說明書中所謂芳基除了為無取代基之芳基(例 如苯基)以外，亦可包含1或複數個氫原子經取代基(例如碳原子數1~4之烷基、碳原子數1~4之羥基烷基、羥基等)取代之芳基。該可經取代之芳基列舉為苯基、苄基、萘基、萘基甲基等。又，此處例如所謂丁基係包含其各種構造異構物(正丁基、異丁基、第二丁基及第三丁基)之概念。其他烷基、羥基烷基及芳基亦相同。本文揭示之研磨用組成物可單獨包含該等化合物(A)之1種，亦可組合2種以上而包含。
化合物(A)之一較佳例列舉為R1、R2、R3、R4 均為碳原子數4以下(例如2~4，典型為2或3)之烷基者。該種化合物(A)之例列舉為四甲基銨鹽、四乙基銨鹽、四丙基銨鹽、四丁基銨鹽。其中，以四乙基銨鹽、四丙基銨鹽、四丁基銨鹽較佳。或者，亦可為乙基三甲基銨鹽、三甲基丙基銨鹽、丁基三甲基銨鹽等非對稱構造之化合物(A)。又，此處所稱之非對稱構造意指對氮原子鍵結2種以上之不同取代基(可包含構造異構物)。較好為R1、R2、R3、R4均為直鏈烷基之化合物(A)，更好為非對稱構造者。又，此處例示之所謂四甲基銨鹽意指四甲基銨之陽離子與上述陰離子(X-)之鹽，且包含四甲基銨之氫氧化物之概念。其他化合物(A)亦同。
作為化合物(A)之其他較佳例，列舉為R1、 R2、R3、R4均為碳原子數4以下(例如2~4)之羥基烷基者。此種化合物(A)之例列舉為四羥基甲基銨鹽、四羥基乙基銨鹽、四羥基丙基銨鹽、四羥基丁基銨鹽。
或者，亦可為R1、R2、R3、R4均為芳基之化 合物(A)。該化合物(A)之例列舉為四苯基銨鹽、四苄基銨鹽等。
化合物(A)之其他較佳例例示為R1、R2、R3、 R4中之一個為烷基，其他三個為羥基烷基之構造；R1、R2、R3、R4中之兩個為烷基，其他兩個為羥基烷基之構造；R1、R2、R3、R4中之三個為烷基，其他一個為羥基烷基之構造等。該化合物(A)之例列舉為羥基甲基三甲基銨鹽、羥基乙基三甲基銨鹽、羥基丙基三甲基銨鹽、羥基丁基三甲基銨鹽、二羥基乙基二甲基銨鹽等。其中，更好為羥基乙基三甲基銨鹽等非對稱構造者。
化合物(A)之其他較佳例例示為R1、R2、R3、R4中之一個為烷基，其他三個為芳基之構造；R1、R2、R3、R4中之兩個為烷基，其他兩個為芳基之構造；R1、R2、R3、R4中之三個為烷基，其他一個為芳基之構造等。該等化合物(A)之例列舉為三甲基苯基銨鹽、三乙基苯基銨鹽、苄基三甲基銨鹽、甲基三苯基銨鹽、三苄基甲基銨鹽等。
化合物(A)之其他較佳例例示為R1、R2、R3、R4中之一個為羥基烷基，其他三個為芳基之構造；R1、R2、R3、R4中之兩個為羥基烷基，其他兩個為芳基之構造；R1、R2、R3、R4中之三個為羥基烷基，其他一個為芳基之構造等。該等化合物(A)之例列舉為羥基甲基三苯基銨鹽、三苄基羥基甲基銨鹽等。
雖無特別限制，但化合物(A)之含量可為研磨 用組成物每1L為0.0001莫耳以上。基於提高研磨速率之觀點，化合物(A)之含量較好為0.0002莫耳/L以上，更好為0.0003莫耳/L以上，最好為0.0004莫耳/L以上。研磨用組成物每1L之化合物(A)之含量上限並無特別限制，但基於研磨用組成物之安定性之觀點，通常宜為0.2莫耳/L以下，較好為0.1莫耳/L以下，更好為0.05莫耳/L以下。較佳之一樣態中，研磨用組成物每1L之化合物(A)之含量可設為0.0001~0.1莫耳/L，例如可設為0.0003~0.05莫耳/L。
此外，化合物(A)之含量相對於研磨粒100重 量份，可設為例如0.5重量份以上。基於提高研磨速率之觀點，化合物(A)之含量相對於研磨粒100重量份較好設為2重量份以上，更好為5重量份以上，又更好為10重量份以上。此外，化合物(A)之含量相對於研磨粒100重量份宜設為50重量份以下，較好設為30重量份以下，更好設為20重量份以下。
〈化合物(B)〉
本文揭示之研磨用組成物進而含有以下述通式(B)表示之化合物。
此處，上述通式(B)中之X1表示氫原子、胺基或與C1原子之鍵。X1表示與C1原子之鍵時，H1原子不存在。X2表示氫原子、胺基、胺基烷基或與C1原子之鍵。X2表示與C1原子之鍵時，C1-N1鍵成為雙鍵，且H2原子不存在。l為1~6之整數，m為1~4之整數，n為0~4之整數。
上述化合物(B)之一較佳例列舉為上述通式(B)之X1位與X2位二者上具有氫原子之環狀胺化合物。該情況下，通式(B)中之l為1~6，較好為2~6。m為1~4，較好為2~4。n為0~4，較好為1~4。該環狀胺之具體例列舉為N-甲基哌啶、N-乙基哌啶、N-丁基哌啶等。或者，亦可為上述通式(B)之X2位上具有氫原子，且X1位上具有胺基之環狀胺。該情況下，通式(B)中之l為1~6，較好為2~6。m為1~4，較好為2~4。n為0~4，較好為1~4。該環狀胺之具體例列舉為N-胺基甲基哌啶、N-胺基乙基哌啶、N-胺基丙基哌啶等。或者，亦可為上述通式(B)之X1位上具有胺基，且X2位上具有胺基烷基之環狀胺。該環狀胺之具體例列舉為1,4-(雙胺基乙基)哌啶、1,4-(雙胺基丙基)哌啶等。
上述化合物(B)之其他較佳例列舉為上述通式 (B)之X1位與X2位二者為與C1原子之鍵之環狀二胺化合物。該情況下，通式(B)中之l為1~6，較好為3~6。m為1~4，較好為2或3。n為0~4，較好為0~2。該環狀二胺化合物之具體例列舉為1,8-二氮雜雙環[5.4.0]十一碳-7-烯、1,5-二氮雜雙環[4.3.0]-5-壬烯等。本文揭示之研磨用組成物可單獨含該種化合物(B)之1種，亦可組合2種以上含有。
雖無特別限制，但化合物(B)之含量可為研磨 用組成物每1L為0.0001莫耳以上。基於提高研磨速率之觀點，化合物(B)之含量較好為0.0002莫耳/L以上，更好為0.0003莫耳/L以上，最好為0.0004莫耳/L以上。研磨用組成物每1L之化合物(B)之含量上限並無特別限制，但基於研磨用組成物之安定性之觀點，通常宜為0.2莫耳/L以下，較好為0.1莫耳/L以下，更好為0.05莫耳/L以下。較佳之一樣態中，研磨用組成物每1L之化合物(B)之含量可設為0.0001~0.1莫耳/L，例如可設為0.0003~0.05莫耳/L。
且，化合物(B)之含量相對於研磨粒100重量 份，可設為例如0.5重量份以上。基於提高研磨速率之觀點，化合物(B)之含量相對於研磨粒100重量份較好設為2重量份以上，更好為5重量份以上，又更好為10重量份以上。又，化合物(B)之含量相對於研磨粒100重量份宜設為50重量份以下，較好設為30重量份以下，更好設為20重量份以下。
本文揭示之研磨用組成物含有上述化合物(A) 與上述化合物(B)。藉由於該研磨用組成物中含有化合物(A)與化合物(B)，可有效提高研磨速率。雖未限制本發明之範圍，但獲得該效果之理由推測為藉由以化合物(A)之四級銨之強鹼性助長親核性化合物(B)之環狀胺，有助於研磨速率之提高者。
又，依據本發明人等之檢討，依據後述之試 驗例確認相較於各自單獨使用化合物(A)及化合物(B)，組合彼等使用時能發揮更高的性能提高效果。換言之，藉由組合使用化合物(A)與化合物(B)，以該組合之相乘效果而提供研磨速率大幅提高之研磨用組成物。
研磨用組成物中之化合物(A)與化合物(B)之混 合比率雖無特別限制，但基於提高研磨速率之觀點，化合物(B)相對於化合物(A)之莫耳濃度比(化合物(B)/化合物(A))宜為約0.01以上，較好為0.1以上，更好為0.2以上，又更好為0.5以上，最好為0.8以上。此外，基於分散性之觀點，宜為約100以下，較好為10以下，更好為5以下，又更好為2以下，最好為1.3以下。例如基於兼具研磨速率之提高與分散性之維持之觀點，上述莫耳濃度比(化合物(B)/化合物(A))為0.5以上2以下(尤其是0.8以上1.3以下)之研磨用組成物較適當。
〈水〉
構成本文揭示之研磨用組成物典型之水較好使用離子 交換水(去離子水)、純水、超純水、蒸餾水等。為了儘可能地避免阻礙研磨用組成物中所含有之其他成分之作用，使用之水較好為例如過渡金屬離子之合計含量為100ppb以下。例如，可藉離子交換樹脂去除雜質離子，藉過濾去除異物，藉蒸餾等操作提高水之純度。
本文中揭示之研磨用組成物亦可視需要進一步含有可與水均勻混合之有機溶劑(低級醇、低級酮等)。通常，較好研磨用組成物中所含之溶劑的90體積%以上為水，更好95體積%以上(典型上為99~100體積%)為水。
本文揭示之研磨用組成物在不大幅損及本發 明效果之範圍內，可刻意或非刻意地含有前述化合物(A)、(B)以外之鹼性化合物。作為該等任意成分之鹼性化合物可為有機鹼性化合物，亦可為無機鹼性化合物。鹼性化合物可單獨使用1種，或組合2種以上使用。
有機鹼性化合物之例列舉為四烷基鏻鹽等四 級鏻鹽。上述鏻鹽中之陰離子可為例如OH-、F-、Cl-、Br-、I-、ClO4 -、BH4 -等。可使用例如四甲基鏻、四乙基鏻、四丙基鏻、四丁基鏻等之鹵化物、氫氧化物。
有機鹼性化合物之其他例列舉為甲胺、二甲胺、三甲胺、乙胺、二乙胺、三乙胺、乙二胺、單乙醇胺、N-(β-胺基乙基)乙醇胺、六亞甲基二胺、二伸乙基三胺、三伸乙基四胺等胺類；無水哌啶、哌啶六水合物、1-(2-胺基乙基)哌啶、N-甲基哌啶等哌啶類；2-胺基吡啶、3-胺基吡啶、4-胺基吡啶、2-(甲基胺基)吡啶、3-(甲基胺基)吡啶、 4-(甲基胺基)吡啶、2-(二甲胺基)吡啶、3-(二甲胺基)吡啶、4-(二甲胺基)吡啶等胺基吡啶類；咪唑或三唑等唑(azole)類；胍等。
無機鹼性化合物之例舉例有氨；氨、鹼金屬 或鹼土類金屬之氫氧化物、碳酸鹽、碳酸氫鹽等等。上述氫氧化物之具體例列舉為氫氧化鉀、氫氧化鈉等。上述碳酸鹽或碳酸氫鹽之具體例列舉為碳酸氫銨、碳酸銨、碳酸氫鉀、碳酸鉀、碳酸氫鈉、碳酸鈉等。
使用前述化合物(A)、(B)以外之有機鹼性化合 物時，其使用量通常以研磨粒每1kg未達4莫耳較適當，基於表面品質等之觀點較好未達3莫耳，更好未達2莫耳。本文揭示之研磨用組成物亦可為實質上不含前述化合物(A)、(B)以外之有機鹼性化合物之組成。此處，所謂研磨用組成物實質上不含有機鹼性化合物係指至少刻意不含有機鹼性化合物。因此，不可避免的含有源自原料或製法之微量(例如，研磨粒每1kg為0.01莫耳以下，較好0.005莫耳以下)之有機鹼性化合物之研磨用組成物在本文中可包含於實質上不含有機鹼性化合物之研磨用組成物之概念。
使用無機鹼性化合物時，其使用量通常以研 磨粒每1kg未達1莫耳較適當，基於表面品質等之觀點較好未達0.5莫耳，更好未達0.2莫耳。或者，本文揭示之研磨用組成物亦可為實質上不含無機鹼性化合物之組成。
〈螯合劑〉
本文揭示之研磨用組成物中可含有螯合劑作為任意成分。螯合劑係藉由與研磨用組成物中可含之金屬雜質形成錯離子而捕捉金屬雜質，而發揮抑制因金屬雜質造成之研磨對象物之污染之作用。螯合劑可單獨使用1種或組合2種以上使用。
螯合劑之例列舉為胺基羧酸系螯合劑及有機膦酸系螯合劑。胺基羧酸系螯合劑之例包含乙二胺四乙酸、乙二胺四乙酸鈉、氮基三乙酸、氮基三乙酸鈉、氮基三乙酸銨、羥基乙基乙二胺三乙酸、羥基乙基乙二胺三乙酸鈉、二伸乙基三胺五乙酸、二伸乙基三胺五乙酸鈉、三伸乙基四胺六乙酸及三伸乙基四胺六乙酸鈉。有機膦酸系螯合劑之例包含2-胺基乙基膦酸、1-羥基亞乙基-1,1-二膦酸、胺基三(亞甲基膦酸)、乙二胺肆(亞甲基膦酸)、二伸乙基三胺五(亞甲基膦酸)、乙烷-1,1-二膦酸、乙烷-1,1,2-三膦酸、乙烷-1-羥基-1,1-二膦酸、乙烷-1-羥基-1,1,2-三膦酸、乙烷-1,2-二羧基-1,2-二膦酸、甲烷羥基膦酸、2-膦醯基丁烷-1,2-二羧酸、1-膦醯基丁烷-2,3,4-三羧酸及α-甲基膦醯基琥珀酸。該等中以有機膦酸系螯合劑較佳，其中較佳者列舉為胺基三(亞甲基膦酸)、乙二胺肆(亞甲基膦酸)及二伸乙基三胺五(亞甲基膦酸)。
雖無特別限制，但螯合劑之含量可為研磨用組成物每1公升(L)為0.000005莫耳以上。基於抑制金屬雜質污染之觀點，較好將化合物(A)之含量設為0.00001 莫耳/L以上，更好設為0.00003莫耳/L以上，又更好設為0.00005莫耳/L以上。研磨用組成物每1L之螯合劑含量之上限並無特別限制，但通常以將研磨用組成物每1L之螯合劑含量設為0.005莫耳/L以下較適當，更好設為0.002莫耳/L以下，又更好設為0.001莫耳/L以下。
此外，螯合劑之含量相對於研磨粒100重量份，可為例如0.01重量份以上，較好為0.05重量份以上，更好為0.1重量份以上，又更好為0.2重量份以上。此外，螯合劑之含量相對於研磨粒100重量份以5重量份以下較適當，較好為3重量份以下，更好為1重量份以下。
〈其他成分〉
本文揭示之研磨用組成物在不顯著妨礙本發明效果之範圍內，亦可視需要進一步含有水溶性高分子、有機酸、有機酸鹽、無機酸、無機酸鹽、防腐劑、防黴劑等之可使用於研磨用組成物(典型為矽晶圓之拋光步驟所用之研磨用組成物)之習知添加劑。
水溶性高分子之例列舉為纖維素衍生物、澱粉衍生物、含氧基伸烷基單位之聚合物、含有氮原子之聚合物、乙烯醇系聚合物等。具體例列舉為羥基乙基纖維素、普魯蘭多糖、環氧乙烷與環氧丙烷之無歸共聚物或嵌段共聚物、聚乙烯醇、聚異戊二烯磺酸、聚乙烯磺酸、聚烯丙基磺酸、聚異戊烯磺酸、聚苯乙烯磺酸、聚丙烯酸 鹽、聚乙酸乙烯酯、聚乙二醇、聚乙烯基吡咯啶酮、聚丙烯醯基嗎啉、聚丙烯醯胺等。水溶性高分子可單獨使用1種或組合2種以上使用。
有機酸之例列舉為甲酸、乙酸、丙酸等脂肪 酸，苯甲酸、鄰苯二甲酸等芳香族羧酸，檸檬酸、草酸、酒石酸、蘋果酸、馬來酸、富馬酸、琥珀酸、有機磺酸、有機膦酸等。有機酸鹽之例列舉為有機酸之鹼金屬鹽(鈉鹽、鉀鹽等)或銨鹽等。無機酸之例列舉為硫酸、硝酸、鹽酸、碳酸等。無機酸鹽之例列舉為無機酸之鹼金屬鹽(鈉鹽、鉀鹽等)或銨鹽。有機酸及其鹽、及無機酸及其鹽可單獨使用1種或組合2種以上使用。
防腐劑及防黴劑之例列舉為異噻唑啉系化合物、對羥基苯甲酸酯類、苯氧基乙醇等。
本文揭示之研磨用組成物較好實質上不含氧 化劑。研磨用組成物中含氧化劑時，因將該組成物供給於研磨對象物(例如矽晶圓)使該研磨對象物之表面氧化而產生氧化膜，藉此拉長所需之研磨時間。此處所稱之氧化劑之具體例列舉為過氧化氫(H2O2)、過硫酸鈉、過硫酸銨、二氯異氰尿酸鈉等。又，所謂研磨用組成物實質上不含氧化劑係指至少刻意不含氧化劑。因此，不可避免地含有源自原料或製法之微量(例如，研磨用組成物中之氧化劑之莫耳濃度為0.0005莫耳/L以下，較好為0.0001莫耳/L以下，更好為0.00001莫耳/L以下，最好為0.000001莫耳/L以下)之氧化劑之研磨用組成物在本文中可包含於實質上 不含氧化劑之研磨用組成物之概念。
〈研磨液〉
本文揭示之研磨用組成物典型上係以含該研磨用組成物之研磨液之形態供給於研磨對象物，使用於該研磨對象物之研磨。上述研磨液可為例如將本文揭示之任一研磨用組成物稀釋(典型上係以水稀釋)而調製者。或者，亦可直接使用該研磨用組成物作為研磨液。亦即，本文揭示之技術中之研磨用組成物之概念包含供給於研磨對象物的該研磨對象物之研磨所用之研磨液(作用漿液)與經稀釋作為研磨液使用之濃縮液(研磨液之原液)兩者。至於含本文揭示之研磨用組成物的研磨液之其他例列舉為調整該組成物之pH而成之研磨液。
本文揭示之研磨液中之研磨粒含量並未特別 限制，典型上為0.05重量%以上，較好為0.1重量%以上，更好為0.3重量%以上，又更好為0.5重量%以上。藉由增加研磨粒之含量，可實現更高的研磨速度。此外，基於研磨用組成物之分散安定性之觀點，通常上述含量以10重量%以下為適當，較好為7重量%以下，更好為5重量%以下，又更好為3重量%以下。
研磨液之pH較好為8.0以上(例如8.5以 上)，更好為9.0以上，又更好為9.5以上(例如10.0以上)。提高研磨液之pH時，會有提高研磨速率之傾向。研磨液之pH之上限值並無特別限制，較好為12.0以下(例 如11.5以下)，更好為11.0以下。藉此可更良好的研磨研磨對象物。上述pH可適當的用於矽晶圓之研磨所使用之研磨液中。研磨液之pH係藉由使用pH計(例如，堀場製作所製造之玻璃電極式氫離子濃度指示計(型號F-23))，且使用標準緩衝液(鄰苯二甲酸鹽pH緩衝液pH：4.01(25℃)，中性磷酸鹽pH緩衝液pH：6.86(25℃)，碳酸鹽pH緩衝液pH：10.01(25℃))，經3點校正後，將玻璃電極放入研磨液中，測定經過2分鐘以上安定後之值而得。
〈濃縮液〉
本文揭示之研磨用組成物在供給於研磨對象物之前亦可為經濃縮之形態(亦即，研磨液之濃縮液之形態)。該經濃縮形態之研磨用組成物基於製造、流通、保存等時之方便性或降低成本等之觀點較有利。濃縮倍率可為例如以體積換算為2倍~100倍左右，通常為5倍~50倍左右較適當。較佳一樣態之研磨用組成物之濃縮倍率為10倍~40倍。
處於該濃縮液形態之研磨用組成物可在期望 之時點進行稀釋而調製研磨液，並將該研磨液供給於研磨對象物之樣態使用。上述稀釋典型上可藉由將前述水性溶劑添加於上述濃縮液中予以混合而進行。此外，上述水性溶劑為混合溶劑時，亦可僅添加該水性溶劑之構成成分中之一部分成分進行稀釋，亦可添加以與上述水性溶劑不同之量比含該等構成成分之混合溶劑加以稀釋。且，如後述 之多劑型研磨用組成物中，亦可稀釋該等中之一部分藥劑後與其他藥劑混合而調製研磨液，亦可混合複數種藥劑後稀釋其混合物而調製研磨液。
上述濃縮液中之研磨粒含量可為例如50質量 %以下。基於研磨用組成物之安定性(例如，研磨粒之分散安定性)或過濾性等之觀點，通常上述含量較好為45重量%以下，更好為40重量%以下。較佳之一樣態中，可將研磨粒之含量設為30重量%以下，亦可設為20重量%以下(例如15重量%以下)。且，基於製造、流通、保存等時之方便性或降低成本等之觀點，研磨粒之含量可設為例如0.5重量%以上，較好為1重量%以上，更好為3重量%以上(例如4重量%以上)。
本文揭示之研磨用組成物可為一劑型，亦可 為以二劑型為首之多劑型。例如，可構成為將含該研磨用組成物之構成成分(典型上為水性溶劑以外之成分)中之一部分成分之A液，與含其餘成分之B液予以混合而用於研磨對象物之研磨。
〈研磨用組成物之調製〉
本文揭示之研磨用組成物之製造方法並未特別限制。例如可使用翼式攪拌機、超音波分散機、均質混合機等之習知混合裝置，混合研磨用組成物中所含之各成分。混合該等成分之樣態並未特別限制，例如可一次混合全部成分，亦可依適當設定之順序混合。
<用途>
本文揭示之研磨用組成物適用於具備矽材料，亦即由矽所成之研磨對象面之研磨對象物之研磨。此處矽可為單結晶亦可為多結晶。本文揭示之技術可為例如含研磨粒與二氧化矽粒子之研磨用組成物(典型上為僅含二氧化矽粒子作為研磨粒之研磨用組成物)對於研磨對象物為矽材料之研磨用組成物最適用。
研磨對象物之形狀並無特別限制。本文揭示之研磨用組成物可較好地應用於例如板狀或多面體狀等之具有平面之研磨對象物的研磨，或研磨對象物之端部之研磨(例如晶圓邊緣之研磨)。
〈研磨〉
本文揭示之研磨用組成物可適當地使用作為用以研磨板狀之矽(亦即矽基板，例如單結晶或多結晶矽晶圓)之研磨用組成物。以下，針對使用研磨用組成物研磨研磨對象物之方法的較佳一樣態加以說明。
亦即，準備含本文揭示之任一研磨用組成物之研磨液。準備上述研磨液時，可包含對研磨用組成物施加濃度調整(例如稀釋)、pH調整等之操作而調製研磨液。或者，亦可直接使用上述研磨用組成物作為研磨液。又，多劑型之研磨用組成物之情況下，準備上述研磨液時，可包含混合該等藥劑、在該混合前稀釋1種或複數種藥劑、於該混 合後稀釋該混合物等。
接著，將該研磨液供給於研磨對象物，以常 用方法進行研磨。例如，進行矽基板之1次研磨步驟(典型上為兩面研磨步驟)時，將經過研磨(lapping)步驟之矽基板固定在一般研磨裝置上，通過該研磨裝置之研磨墊將研磨液供給於上述矽基板之研磨對象面。典型上，係邊連續供給上述研磨液，邊將研磨墊抵壓於矽基板之研磨對象面並使二者相對移動(例如旋轉移動)。隨後，視需要經過2次研磨步驟(典型上為單面研磨步驟)，進行最後之最終拋光而完成研磨對象物之研磨。
又，使用本文揭示研磨用組成物之研磨步驟中所使用之研磨墊並無特別限制。例如可使用不織布類型、毛氈類型、聚胺基甲酸酯類、含研磨粒者、不含研磨粒者等之任一種。
依據本說明書，係提供包含使用本文揭示之 研磨用組成物研磨基板之步驟之基板製造方法。本文揭示之基板製造方法亦進而包含對於經過使用上述研磨用組成物之研磨步驟之基板施以最終拋光之步驟。此處所謂的最終拋光係指目標物之製造製程中之最後之拋光步驟(亦即，該步驟之後不再進行拋光之步驟)。上述最終拋光步驟可使用本文揭示之研磨用組成物進行，亦可使用其他研磨用組成物。
較佳之一樣態中，使用上述研磨用組成物之基板研磨步驟為比最終拋光步驟更上游之拋光步驟。其中，可較佳 地使用於完成研磨(lapping)步驟之基板之預拋光中。例如，可較好地使用於經過研磨(lapping)步驟之雙面研磨步驟(典型上為1次研磨步驟)，或對經過該雙面研磨步驟之基板之最初單面研磨步驟(典型為最初之2次研磨步驟)中。上述雙面研磨步驟及最初之單面研磨步驟相較於最終拋光所要求之研磨速率較高。因此，本文揭示之研磨用組成物適合作為雙面研磨步驟及最初之單面研磨步驟之至少一者(較好二者)中基板之研磨所用之研磨用組成物。
又，上述研磨用組成物亦可在一次研磨中使 用後即拋棄之樣態(所謂「源源流出」)，亦可循環重複使用。循環使用研磨用組成物之方法之一例列舉為將自研磨裝置排出之使用過的研磨用組成物回收於槽內，將回收之研磨用組成物再度供給於研磨裝置中之方法。循環使用研磨用組成物時，相較於源源流出使用之情況，藉由減少作為廢液處理之使用過之研磨用組成物之量而可降低環境負荷。且，可藉由減少研磨用組成物之使用量而抑制成本。 循環使用本文揭示之研磨用組成物時，亦可於任意時點將新的成分、因使用而減少的成分或期望使其增加之成分添加於該使用中之研磨用組成物中。
以下，說明本發明相關之數個實施例，但不 企圖將本發明限制於該實施例中所示者。
(實施例1)
混合作為研磨粒之膠體二氧化矽(平均一次粒徑： 44nm)、化合物(A)、化合物(B)、螯合劑與純水，調製本例之研磨用組成物。化合物(A)係使用氫氧化四甲基銨(TMAH)。化合物(B)係使用1,8-二氮雜雙環[5.4.0]十一碳-7-烯(DBU)。該DBU為相當於前述通式(B)中，X1為與C1之鍵，X2為與C1之鍵，l=5、m=3、n=0之化合物。螯合劑係使用二伸乙基三胺五(亞甲基膦酸)(DTPP)。研磨粒、TMAH、DBU及DTPP之使用量係設為在研磨用組成物中之研磨粒含量成為0.7重量%，TMAH之莫耳濃度為0.0004莫耳/L，DBU之莫耳濃度為0.0004莫耳/L，DTPP之莫耳濃度為0.00005莫耳/L之量。所得研磨用組成物之pH為10.3。
(實施例2)
使用氫氧化四乙基銨(TEAH)取代實施例1中之TMAH。TEAH之使用量係使研磨用組成物中之TEAH之莫耳濃度成為0.0004莫耳/L之量。其他方面與實施例1相同，調製本例之研磨用組成物。該研磨用組成物之pH為10.3。
(實施例3)
使用氫氧化四丙基銨(TPAH)取代實施例1中之TMAH。TPAH之使用量係使研磨用組成物中之TPAH之莫耳濃度成為0.0004莫耳/L之量。其他方面與實施例1相同，調製本例之研磨用組成物。該研磨用組成物之pH 為10.3。
(實施例4)
使用氫氧化四丁基銨(TBAH)取代實施例1中之TMAH。TBAH之使用量係使研磨用組成物中之TBAH之莫耳濃度成為0.0004莫耳/L之量。其他方面與實施例1相同，調製本例之研磨用組成物。該研磨用組成物之pH為10.3。
(實施例5)
使用氫氧化羥基乙基三甲基銨(膽鹼)取代實施例1中之TMAH。膽鹼之使用量為使研磨用組成物中之膽鹼之莫耳濃度成為0.0004莫耳/L之量。其他方面與實施例1相同，調製本例之研磨用組成物。該研磨用組成物之pH為10.3。
(實施例6)
使用1,5-二氮雜雙環[4.3.0]-5-壬烯(DBN)取代實施例5中之DBU。該DBN為相當於前述通式(B)中，X1為與C1之鍵，X2為與C1之鍵，l=3、m=3、n=0之化合物。 DBN之使用量係使研磨用組成物中之DBN之莫耳濃度成為0.0004莫耳/L之量。其他方面與實施例5相同，調製本例之研磨用組成物。該研磨用組成物之pH為10.3。
(實施例7)
使用胺基乙基哌啶(AEP)取代實施例5中之DBU。該AEP為相當於前述通式(B)中，X1=NH3、X2=H、l=2、m=2、n=1之化合物。AEP之使用量係使研磨用組成物中之AEP之莫耳濃度成為0.0004莫耳/L之量。其他方面與實施例5相同，調製本例之研磨用組成物。該研磨用組成物之pH為10.2。
(實施例8)
除了未使用螯合劑(DTPP)以外，餘與實施例5同樣，調製本例之研磨用組成物。該研磨用組成物之pH為10.3。
(比較例1)
除了將膽鹼之使用量變更為0.0008莫耳/L，及未使用DBU以外，餘與實施例5同樣，調製本例之研磨用組成物。該研磨用組成物之pH為10.3。
(比較例2)
除了將DBU之使用量變更為0.0008莫耳/L，及未使用膽鹼以外，餘與實施例5同樣，調製本例之研磨用組成物。該研磨用組成物之pH為10.3。
(比較例3)
使用哌嗪(PIZ)取代實施例5中之DBU。該PIZ為相當於前述通式(B)中，X1=H、X2=H、l=0、m=2、n=1之化合物。亦即，PIZ不相當於化合物(B)(※表1中為方便起見示於化合物(B)欄中)。PIZ之使用量係使研磨用組成物中之PIZ之莫耳濃度成為0.0004莫耳/L之量。其他方面與實施例5相同，調製本例之研磨用組成物。該研磨用組成物之pH為10.3。
〈矽之研磨速率之評價〉
各例之研磨用組成物直接使用作為研磨液，對矽晶圓進行研磨試驗，評價矽之研磨速率。試驗片係使用6cm×6cm之矽晶圓(傳導型：P型、結晶方位：〈100〉)。 藉以下條件研磨該試驗片。接著，根據以下之計算式(1)、(2)算出研磨速率。結果示於表1之該欄中。
(1)研磨量[cm]=研磨前後之矽晶圓之重量差[g]/矽之密度[g/cm3](=2.33g/cm3)/研磨對象面積[cm2](=36cm2)
(2)研磨速率[nm/分鐘]=研磨量[cm]×107/研磨時間(=10分鐘)
[研磨條件]
研磨裝置：日本ENGIS公司製之桌上研磨機，型號「EJ-380IN」
研磨墊：NITTA HAAS公司製，商品名「MH S-15A」
研磨壓力：27.1kPa
壓盤轉數：50rpm/分鐘
工件轉數：50轉/分鐘
研磨時間：10分鐘
研磨液之供給速度：100mL/分鐘(源源流出而使用)
研磨液溫度：25℃
〈金屬雜質含量之評價〉
以純水滌洗洗淨上述研磨後之矽晶圓。接著，以氫氟酸蒸氣使矽晶圓表面之自然氧化膜予以氣相分解且以含有氫氟酸與過氧化氫之液滴將其回收，以感應耦合電漿分析(ICP-MS)定量分析回收液中之金屬雜質。該金屬雜質為源自原料或製法等之研磨用組成物所含之Cu等之金屬，或來自研磨裝置、研磨墊等於研磨中混入之Cu等金屬殘留在研磨後之矽晶圓中者。此處Cu雜質之量未達3×109atoms/cm2者評價為「◎」，3×109atoms/cm2以上未達1×1010atoms/cm2者評價為「○」，結果示於表1。
[表1]
如表1所示，藉由使用含有化合物(A)及化合 物(B)兩者之研磨用組成物之實施例1~8時，相較於使用單獨含有化合物(A)或化合物(B)之研磨用組成物之比較例1、2，儘管化合物全體之含量相同，但可格外提高矽之研磨速率。基於此，確認相較於分別單獨使用化合物(A)及化合物(B)，組合該等而使用者能實現更高的性能提升效果。換言之，藉由組合化合物(A)與化合物(B)而使用，以藉由該組合之相乘效果，獲得研磨速率大幅提高之研磨用組成物。
又，實施例1~5及比較例3之研磨用組成物 均包含膽鹼作為化合物(A)。比較該實施例1~5及比較例3時，使用包含PIZ之研磨用組成物之比較例3無法確認與使用分別含DBU、DBN、AEP之研磨用組成物之實施例5~8程度之性能提升效果。由該結果，確認與化合物 (A)組合使用時，組合DBU、DBN、AEP(亦即化合物(B))者比PIZ能發揮更高的性能提升效果。且，使用包含螯合劑之研磨用組成物之實施例1~7比使用不含螯合劑之研磨用組成物之實施例8，研磨後之金屬雜質之濃度較低。 基於此，可確認藉由於研磨用組成物中含有螯合劑，可抑制金屬雜質對矽之污染。
以上，已詳細說明本發明之具體例，但該等僅為例示，並非限定申請專利範圍。申請專利範圍所記載之技術中包含對以上例示之具體例進行各種變形、變更者。

Claims (9)

  1. 一種矽材料研磨用組成物，其包含研磨粒、水、以下述通式(A)表示之化合物、與以下述通式(B)表示之化合物， (式中，R1~R4各獨立為選自由碳原子數4以下之烷基、碳原子數4以下之羥基烷基、及可經取代之芳基所組成之群，X-為陰離子)， (式中，X1表示氫原子、胺基、或與C1原子之鍵，於X1表示與C1原子之鍵時，H1原子不存在，X2表示氫原子、胺基、胺基烷基或與C1原子之鍵，於X2表示與C1原子之鍵時，C1-N1鍵成為雙鍵，且H2原子不存在，l為1~6之整數，m為1~4之整數，n為0~4之整數)。
  2. 如請求項1之矽材料研磨用組成物，其中包含選自由氫氧化四甲基銨、氫氧化四乙基銨、氫氧化四丙基銨、 氫氧化四丁基銨及氫氧化羥基乙基三甲基銨所組成之群之至少一種作為以前述通式(A)表示之化合物。
  3. 如請求項1或2之矽材料研磨用組成物，其中包含選自由1,8-二氮雜雙環[5.4.0]十一碳-7-烯、1,5-二氮雜雙環[4.3.0]-5-壬烯及胺基乙基哌嗪所組成之群之至少一種作為以前述通式(B)表示之化合物。
  4. 如請求項1至3中任一項之矽材料研磨用組成物，其進而包含螯合劑。
  5. 如請求項4之矽材料研磨用組成物，其中包含選自由胺基三(亞甲基膦酸)、乙二胺肆(亞甲基膦酸)及二伸乙基三胺五(亞甲基膦酸)所組成之群之至少一種作為前述螯合劑。
  6. 如請求項1至5中任一項之矽材料研磨用組成物，其pH為8~12。
  7. 如請求項1至6中任一項之矽材料研磨用組成物，其中實質上不含氧化劑。
  8. 如請求項1至7中任一項之矽材料研磨用組成物，其中前述研磨粒為二氧化矽粒子。
  9. 如請求項1至8中任一項之矽材料研磨用組成物，其係用於矽晶圓之研磨。
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