TW201543175A - 計量圖案佈局及其使用方法 - Google Patents

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Abstract

本發明涉及計量圖案佈局及其使用方法。該計量圖案佈局包括複數個象限，在這些象限中可佈置第一晶圓測量圖案、第二晶圓測量圖案、光罩對位圖案以及光罩測量圖案，從而有利於將光罩計量數據與晶圓計量數據關聯。該光罩對位圖案還可包括一個或多個最外結構元件，其經設計以在光學鄰近校正過程中保護該光罩測量圖案內的其它結構元件免受修改。本發明提供一種光學鄰近校正過程的方法，其中，可獲得光罩測量圖案並對其分類，以添加或修改該光學鄰近校正過程的規則組。

Description

計量圖案佈局及其使用方法
本發明通常涉及電路結構的製造，尤其涉及用於電路結構的計量圖案佈局。
製造積體電路通常需要在晶圓上或晶圓上方的一個或多個層上形成複數個積體電路結構。這些結構常常通過微影製程形成。該微影製程可包括光罩(reticle)(也被稱為遮罩或光遮罩)，紫外光透過該光罩傳輸至晶圓。該光罩阻擋在要保持不被蝕刻的晶圓區域中的光線，並允許光線通過將要被蝕刻的區域。微影製程可能還需要計量(metrology)步驟，以確保層內或層間結構的適當尺寸設定及對準。不僅在晶圓上測量對準需要計量，而且在光罩上需要計量。一般來說，可獨立於晶圓計量來執行光罩計量。不過，可能難以或者不可能使光罩計量數據與晶圓計量數據準確關聯。因此，仍需要工具來使光罩計量與晶圓計量關聯，以進行更精確的電路結構製造。
為克服現有技術的缺點並提供額外的優 點，在一個態樣中提供一種結構。該結構包括：用於電路結構的計量圖案佈局，包括有利於佈置複數個計量圖案的複數個象限，包括：用於第一晶圓測量圖案的第一象限；用於第二晶圓測量圖案的第二象限；用於光罩對位(reticle registration)圖案的第三象限；用於光罩測量圖案的第四象限；其中，該複數個象限的佈置有利於將自該第一及第二晶圓測量圖案獲得的數據與自該光罩測量圖案及該光罩對位圖案獲得的數據關聯。
在另一個態樣中，這裏還提供一種方法。該方法包括：將要應用於光罩的光學鄰近校正過程，包括：提供輸入圖形數據；提供光學鄰近校正及圖案保護的一個或多個規則，其中，該一個或多個規則適用於該光罩的設計圖案；自計量圖案佈局獲得光罩測量圖案；分類該光罩測量圖案；將偏置補償表應用於該一個或多個規則，該偏置補償表是依據該光罩測量圖案的該分類來選擇的；以及提供輸出圖形數據。
通過本發明的技術實現額外的特徵及優點。這裏詳細說明本發明的其它實施例及態樣，作為請求保護的發明的一部分。
100、200、300、305、400、500‧‧‧計量圖案佈局
110、210、410‧‧‧第一象限
115、215‧‧‧第一晶圓測量圖案
120、220、420‧‧‧第二象限
125、225‧‧‧第二晶圓測量圖案
130、230、430‧‧‧第三象限
135、235‧‧‧光罩對位圖案
140、240、440‧‧‧第四象限
145、245‧‧‧光罩測量圖案
150、250、450、550‧‧‧劃線區
255、355‧‧‧中心區
260‧‧‧額外元件、最外結構元件
270、275、280、285‧‧‧計量圖案
350‧‧‧十字形劃線區
360‧‧‧額外計量圖案
415‧‧‧第一晶圓圖案
415a、415b‧‧‧第一晶圓測量圖案
425‧‧‧第二晶圓圖案
425a、425b‧‧‧第二晶圓測量圖案
435、435a、435b‧‧‧光罩對位圖案
445、445a、445b‧‧‧光罩測量圖案
460、460a、460b‧‧‧額外計量圖案
560、570、580‧‧‧額外圖案
本發明的一個或多個態樣被特別指出並在說明書的結束處的聲明中被明確稱為示例。結合附圖參照下面的詳細說明可清楚本發明的上述及其它目的、特徵以及優點，其中： 第1A圖顯示依據本發明的一個或多個態樣的計量圖案佈局的一個示例實施例；第1B圖顯示依據本發明的一個或多個態樣的第1A圖的計量圖案佈局，在該計量圖案佈局中佈置有示例計量圖案；第2A圖顯示依據本發明的一個或多個態樣的計量圖案佈局的另一個示例實施例；第2B圖顯示依據本發明的一個或多個態樣的第2A圖的計量圖案佈局，在該計量圖案佈局中設置有示例計量圖案；第2C圖顯示依據本發明的一個或多個態樣的第2B圖的計量圖案佈局以及計量圖案，其中，光罩測量圖案包括最外結構元件，以在光學鄰近校正過程中保護該圖案免受修改；第2D圖顯示依據本發明的一個或多個態樣旋轉90°以後的第2C圖的計量圖案佈局；第2E圖顯示依據本發明的一個或多個態樣的第2A圖的計量圖案佈局，在該計量圖案佈局內佈置有另一組計量圖案；第3A圖顯示依據本發明的一個或多個態樣的計量圖案佈局的一個實施例，其中，該計量圖案佈局包括用於額外計量圖案的十字形劃線區；第3B圖顯示依據本發明的一個或多個態樣的計量圖案佈局的另一個實施例，其中，該計量圖案佈局 包括方形劃線區，其形成該計量圖案佈局的其餘部分的邊界，該劃線區包括一個或多個額外計量圖案；第4A圖顯示依據本發明的一個或多個態樣的計量圖案佈局的一個實施例，其中，該計量圖案佈局容置複數個計量圖案，以測量雙重圖案化製程的曝光層的對準；第4B圖顯示依據本發明的一個或多個態樣的第4A圖的計量圖案佈局，其僅包括與雙重圖案化製程的第一曝光層對應的計量圖案；第4C圖顯示依據本發明的一個或多個態樣的第4A圖的計量圖案佈局，其僅包括與雙重圖案化製程的第二曝光層對應的計量圖案；第5A圖顯示依據本發明的一個或多個態樣的計量圖案佈局的一個實施例，在該計量圖案佈局的劃線區內佈置有額外計量圖案示例組；第5B圖顯示依據本發明的一個或多個態樣的第5A圖的計量圖案佈局，該計量圖案佈局的劃線區內佈置有額外計量圖案替代示例組；以及第6圖總結依據本發明的一個或多個態樣的包括光學鄰近校正過程的方法，其中，使用光罩測量圖案來提供該光學鄰近校正過程的一個或多個規則。
通過參照附圖中所示的非限制例子來更加充分地解釋本發明的態樣及其特定的特徵、優點以及細 節。省略對已知材料、製造工具、製程技術等的說明，以免在細節上不必要地模糊本發明。不過，應當理解，用以說明本發明態樣的詳細說明及具體例子僅作為示例，而非限制。本領域的技術人員將會從本揭露中瞭解在基礎的發明概念的精神和/或範圍內的各種替代、修改、添加和/或佈局。
在一個或多個實施例中，為克服先前計量結構的缺點，這裏所提供的結構提供一種用於電路結構的計量圖案佈局，其包括有利於佈置複數個計量圖案的複數個象限，包括：用於第一晶圓測量圖案的第一象限；用於第二晶圓測量圖案的第二象限；用於光罩對位圖案的第三象限；用於光罩測量圖案的第四象限；其中，該複數個象限的佈置有利於將自該第一及第二晶圓測量圖案獲得的數據與自該光罩測量圖案及該光罩對位圖案獲得的數據關聯。
在額外的實施例中，該第四象限可包括光罩測量圖案，該光罩測量圖案包括複數個結構元件，其中，該複數個結構元件的至少其中一個為最外元件，該最外元件經設計以在光學鄰近校正(optical proximity correction)過程中保護該複數個結構元件免受修改。
在其它實施例中，該計量圖案佈局還可包括劃線區(scribe area)，該劃線區可包含額外計量圖案，例如圖案識別計量圖案或雙重圖案化計量圖案。例如，該劃線區可形成圍繞該複數個象限的邊界，或者它可位於計量 圖案的中心、形成隔開該複數個象限的十字形劃線區。
在另一個態樣中，這裏提供一種包括將要應用於光罩的光學鄰近校正過程的方法。該過程包括：提供輸入圖形數據；提供光學鄰近校正及圖案保護的一個或多個規則，其中，該一個或多個規則適用於該光罩的設計圖案；自計量圖案佈局獲得光罩測量圖案；分類該光罩測量圖案；將偏置補償表應用於該一個或多個規則，該偏置補償表是依據該光罩測量圖案的該分類來選擇的；以及提供輸出圖形數據。
下麵參照附圖。為有利於理解，這些附圖並非按比例繪製，其中，不同附圖中所使用的相同元件符號表示相同或類似的組件。
第1A圖顯示具有複數個象限的計量圖案佈局100的一個實施例，它可包括於光罩或晶圓上。圖案佈局100包括用於第一晶圓計量圖案的第一象限110、用於第二晶圓計量圖案的第二象限120、用於光罩對位圖案的第三象限130、以及用於光罩測量圖案的第四象限140。在該所示例子中，第一象限110與第二象限120彼此呈對角設置，且類似地，第三象限130與第四象限140彼此呈對角設置。計量圖案佈局100還可包括劃線區150。劃線區150可為如圖所示的方形，且可部分形成計量圖案佈局100的邊界，以使該複數個象限設於該劃線區內。除了位於該複數個象限中的所述計量圖案外，劃線區150可具有容置一個或多個額外計量圖案所需的任意寬度。這些額外計量 圖案可用於圖案識別、對準金屬層、對準雙重圖案化製程的曝光層等等，下面將作進一步詳細說明。計量圖案佈局100還可具有由該佈局的總長度及總寬度確定的光罩或晶圓上的表面積，包括該複數個象限及該劃線區，且該表面積可足夠小，以允許在該光罩或晶圓的主動圖案區內設置計量圖案佈局100。在光罩或晶圓圖案的主動區內設置計量圖案佈局(以及所包括的計量圖案)比在非主動區中(例如靠近該光罩或晶圓的邊緣)設置有優勢，因為它可提供更準確的計量數據。另外，有可能在主動圖案區的數個預定區中設置複數個計量圖案佈局。這可有利於獲得複數個局部計量數據組，而與自非主動區中設置的計量圖案獲得數據相反。在一個例子中，計量圖案100的表面積可小於約25μm2。
第1B圖顯示第1A圖的計量圖案佈局100並示例佈置設於象限內的計量圖案。在該示例實施例中未呈現第1A圖中所示的劃線區。第一象限110內的第一晶圓測量圖案115可例如為單個結構元件，例如如圖所示的單個線段。在其它例子中，第一晶圓測量圖案115可包括複數個結構元件。第三象限130內的光罩測量圖案135也可為單個結構元件，例如如圖所示的單個十字元件。第二象限120內的第二晶圓測量圖案125可為與該該第一晶圓測量圖案類似的圖案，或者可包括如圖所示的複數個結構元件。如該示例實施例所示，第二晶圓測量圖案125的所述結構元件中的一個或多個可與第一晶圓測量圖案115的 該一個或多個結構元件類似。儘管該第一晶圓測量圖案與第二晶圓測量圖案可能具有不同的結構元件，但如這裏所示，通過該第一及第二晶圓測量圖案共用類似的結構元件通常可更好地有利於執行晶圓層的計量。第四象限140內的光罩測量圖案145可為與第二晶圓測量圖案125類似的圖案。光罩測量圖案145可包括未呈現於第二晶圓測量圖案125中的額外結構元件，如下文在其它實施例中所述。儘管該光罩測量圖案與第二晶圓測量圖案可具有不同的圖案及結構元件，但一般來說，當該光罩測量圖案與第二晶圓測量圖案類似時，可能最有利於光罩測量的計量數據與晶圓測量的計量數據的關聯。
與現有計量圖案佈局相比，第1A及1B圖中所示的計量圖案佈局100可實現數個優點。通過佈置如第1A及1B圖中所示的第二象限120及第四象限140，可佈置光罩測量圖案145及第二晶圓測量圖案125，以使從各該圖案獲得的計量數據能夠關聯，因而有利於光罩計量數據與晶圓計量數據關聯，如期望的那樣。另外，第三象限130可佈置光罩對位圖案135，以使光罩對位圖案135與計量圖案佈局100內的其它計量圖案有效隔離。於計量工具掃描時，這可有利於最大限度地降低光罩對位圖案135的失真。
第2A圖顯示計量圖案佈局200的另一個實施例。計量圖案佈局200具有複數個象限，包括用於第一晶圓計量圖案的第一象限210、用於第二晶圓計量圖案的 第二象限220、用於光罩對位圖案的第三象限230、以及用於光罩測量圖案的第四象限240。在該所示例子中，第一象限210與第二象限220彼此呈對角設置，且類似地，第三象限230與第四象限240彼此呈對角設置。計量圖案佈局200還可包括劃線區250。在該示例實施例中，劃線區250為在計量圖案佈局200內居中設置的十字形劃線區，以使劃線區250隔開該複數個象限。與第1A圖中所示的劃線區類似，劃線區250可容置一個或多個額外計量圖案。劃線區250還可具有中心區255，其可容置額外的計量圖案。如下文進一步詳細說明，這些額外計量圖案可用於圖案識別、對準金屬層、對準雙重圖案化製程的曝光層等等。如上面第1A圖中所述，計量圖案佈局200可具有由該複數個象限及劃線區的總長度及總寬度確定的表面積，且該表面積可足夠小，以有利於在光罩或晶圓圖案的主動區內設置計量圖案200。
第2B圖顯示第2A圖的計量圖案佈局200並示例佈置設於象限內的計量圖案，這些計量圖案與如上所述的第1A圖的計量圖案類似。第一象限210包括第一晶圓測量圖案215，第二象限220包括第二晶圓測量圖案225，第三象限230包括光罩對位圖案，以及第四象限240包括光罩測量圖案。與現有計量圖案佈局相比，計量圖案200可實現與計量圖案100類似的優點。在第二象限220及第四象限240如第2A及2B圖中所示佈置的情況下，可佈置光罩測量圖案245及第二晶圓測量圖案225，以使從 各該圖案獲得的計量數據能夠關聯，因而有利於光罩計量數據與晶圓計量數據關聯，如期望的那樣。另外，第三象限230可佈置光罩對位圖案235，以使光罩對位圖案235與計量圖案佈局200內的其它計量圖案有效隔離。於計量工具掃描時，這可有利於最大限度地降低光罩對位圖案235的失真。
第2C圖顯示第2B圖的計量圖案200，其包括額外的結構元件260作為第四象限240中的光罩測量圖案245的部分。額外元件260可為光罩測量圖案245的一個或多個最外結構元件，且可經設計以在光學鄰近校正過程中保護光罩測量圖案245的其它結構元件免受修改。一般來說，在圖案化光罩中可能需要光學鄰近校正(OPC；Optical Proximity Correction)過程，以在晶圓上獲得想要的輸出圖案。在設計光罩的理想圖案以後，通常可在該光罩上執行OPC過程；在考慮光衍射及幹射以及透過光罩的光傳輸的其它已知物理效應的情況下，該過程可分析該圖案以確定經歷微影製程時該理想圖案會如何實際印刷在晶圓上，並增加或減少對該圖案的結構元件的小校正。這些校正意圖補償上述效應，以獲得盡可能符合理想圖案的印刷晶圓圖案。不過，一般來說，可能不希望允許OPC過程類似地修改光罩內的光罩計量圖案，因為圖案內的結構元件通常需要形成特定的長度、寬度以及間距，以提供準確的計量數據。OPC過程可能使這些參數失真。不過，在沒有OPC校正的情況下，計量圖案內的一些結構元件卻可能因 影響圖案外部的元件的印刷的光衍射或幹射而失真。為補償這些效應並避免修改或損害光罩測量圖案，可向光罩測量圖案245添加一個或多個額外的最外元件260。最外結構元件260可具有至少一個尺寸維度大於其它結構元件的相應尺寸維度。在一個示例實施例中，最外結構元件260的該至少一個尺寸維度可為光罩的預定義臨界維度(critical dimension)的兩倍大。因此，當從該光罩測量圖案收集計量數據時，通常不考慮最外結構元件260，因為它們可能不反映相應層的電路結構特徵的維度。以這樣的維度，最外結構元件260可足以校正例如光衍射及幹射效應，以使分析圖案的OPC過程不會修改光罩測量圖案245中較小的複數個結構元件。另外，或者在替代中，最外結構元件260可添加或更改基於規則的OPC過程中所使用的“規則”。該OPC過程可經配置以自計量圖案佈局200獲得光罩測量圖案245並依據最外結構元件260分類該圖案。該分類可添加或更改應用於該OPC過程中的規則，以使該OPC過程經配置而忽略光罩測量圖案245，但仍修改該光罩的其它圖案區域。
第2D圖顯示第2C圖的計量圖案佈局200以及計量圖案215、225、235、245，旋轉90°以說明同一計量圖案如何用於電路結構的不同層上的計量。例如，這些層可為形成於晶圓上方的兩個金屬層。對於許多電路結構，所形成的第一金屬層的結構元件主要或全部朝向一個方向，以及形成於該第一層上方的第二金屬層的結構元件 主要或全部朝向垂直於該第一金屬層的方向。這兩個金屬層的結構元件常常可類似或甚至可相同，因此，如旋轉90°，同一光罩及晶圓測量圖案可適用於各金屬層。計量圖案佈局200有利於此旋轉並提供一種佈局，通過簡單旋轉適合複數個層中的每層的圖案佈局能夠容易地在該複數個層上重複該佈局。應當清楚的是，此類旋轉也可適用於第1A圖及1B的計量圖案佈局100，而不限於計量圖案佈局200。
第2E圖顯示計量圖案佈局200具有另一組計量圖案270、275、280及285設於複數個象限內，以說明這裏所揭露的計量圖案佈局可用於佈置不同類型的電路結構層的眾多類型的計量圖案。在所示例子中，計量圖案270、275、280及285可為導孔層的計量圖案，該導孔層位於電路結構的兩個金屬層之間；這些計量圖案還可適用於其它類型的電路結構層。第四象限240中的計量圖案285可為光罩測量圖案，其可包括一個或多個最外元件290，以在OPC過程中起保護作用。在如圖所示的例子中，光罩測量圖案285的該複數個結構元件可具有兩個臨界維度；這樣，最外元件290可大於具有各該臨界維度的該複數個結構元件的其餘結構元件。應當清楚的是，此類替代計量圖案也可設於第1A及1B圖的計量圖案佈局100內，而不限於僅用於計量圖案佈局200。
第3A圖顯示與第2A圖中所示類似的計量圖案佈局300的另一個實施例，其中，十字形劃線區350 的中心區355包括額外計量圖案360。在如圖所示的該示例實施例中，額外計量圖案360可例如為雙重圖案化對準計量圖案。或者，額外計量圖案360可作為圖案識別圖案，或者可結合圖案識別與對準計量的功能。在一個示例實施例中，額外計量圖案360可為四個方形塊佈置，其中，在理想情況下，該佈置對齊所述方形塊的邊和角，如第3A圖所示。在中心區355可能設置其它額外計量圖案，例如“框中框(box-in-box)”圖案。
第3B圖顯示與第1A圖中所示類似的計量圖案佈局305的另一個實施例，其中，劃線區350包括一個或多個額外計量圖案360。額外計量圖案360可例如為用於雙重圖案化對準計量的圖案。在所示的示例實施例中，額外計量圖案360可設於劃線區350內，以使它們與毗鄰相鄰象限的假想線對齊。不過，應當理解，額外計量圖案360可設置於該劃線區內的任意位置，且無需對稱或同樣設置。
第4A至4C圖顯示與第2A及3A圖所示類似的計量圖案佈局400的另一個實施例，其中，在各象限410、420、430、440內佈置複數個計量圖案，從而在除使光罩與晶圓計量數據關聯以及其它功能以外，進一步有利於雙重圖案化製程的對準計量。
第4A圖顯示結合雙重圖案化製程的第一曝光層與第二曝光層的計量圖案的最終結果。在所示的示例實施例中，各象限容置與該雙重圖案化製程的兩個曝光層 對應的兩個計量圖案，不過在替代實施例中可能使用更少的象限，包括僅用一個象限包括雙重圖案化的兩個計量圖案。例如，第一晶圓圖案415包括第一曝光層的第一晶圓圖案以及第二曝光層的第一晶圓圖案。類似地，第二晶圓圖案425、光罩對位圖案435以及光罩測量圖案445包括與該雙重圖案化製程的第一曝光層及第二曝光層對應的圖案。額外計量圖案460可包括於劃線區450內，以進一步測量該雙重圖案化製程的該第一曝光層及第二曝光層的對準。光罩測量圖案445可經設計而具有複數個最外結構元件，該複數個最外結構元件經設計以在一個OPC過程或複數個OPC過程中保護光罩測量圖案445的其它結構元件。例如，在印刷該雙重圖案化層的該第一曝光層之前可應用一個OPC過程，並在印刷該第二曝光層之前應用另一個OPC過程。或者，可同時對兩個曝光層應用一個OPC過程。
第4B圖顯示第4A圖的計量圖案佈局400僅包括第一曝光層的計量圖案。第一晶圓測量圖案415a及第二晶圓測量圖案425a分別設於第一象限410及420內，且光罩對位圖案435a設於第三象限435內。這裏，在第四象限440中的光罩測量圖案445a包括一個或多個最外結構元件470，其意圖在OPC過程中保護光罩測量圖案445a的其它結構元件，如前所述。該OPC過程可在形成第一曝光層之前應用，也可在形成第二曝光層之前應用。位於劃線區450的中心區中的額外計量圖案460a可提供與第一曝光層對應的對準圖案，例如，它可結合與第二曝光層 對應的對準圖案使用(如第4A圖中元件符號460所示)。
第4C圖顯示第4A圖的計量圖案佈局400僅包括第二曝光層的計量圖案。第一晶圓測量圖案415b及第二晶圓測量圖案425b分別設於第一象限410及420內，且光罩對位圖案435b設於第三象限435內。這裏，在第四象限440中的光罩測量圖案445b包括一個或多個最外結構元件470，其意圖在OPC過程中保護光罩測量圖案445a的其它結構元件。該OPC過程可在形成第二曝光層之前應用，也可在形成第一曝光層之前應用。位於劃線區450的中心區中的額外計量圖案460b可提供與第二曝光層對應的對準圖案，例如，它可結合與第一曝光層對應的對準圖案使用(如第4A圖中元件符號460所示)。
第5A及5B圖顯示與第2A圖所示類似的計量圖案佈局500的額外實施例，其中，在計量圖案佈局500的劃線區內設置額外計量圖案以說明該劃線區的額外用途。例如，第5A圖顯示設於劃線區550中的複數個額外圖案570，其可與雙重圖案化對準計量圖案對應。額外圖案570可與位於劃線區550的中心區中的額外圖案560類似。同樣作為示例，第5B圖顯示設於劃線區550中的複數個額外“框中框”圖案580，其可用於測量兩個或多個金屬層的對準。在這裏所示的例子中，位於該劃線區550的中心的額外圖案560可為圖案識別計量圖案，且不一定與額外圖案580類似。因此，劃線區550可包括複數個類型的額外圖案560、580，其在同一計量圖案佈局500內提 供不同的計量功能。例如，所述額外計量圖案可與導孔層(例如在兩個金屬層之間形成的導孔接觸層)的對準計量圖案對應。
應當理解，在這裏所揭露的計量圖案佈局的複數個象限和/或劃線區內有可能佈置任意類型的一個或多個計量圖案，包括這裏未明確說明的圖案，並且由這裏所揭露的計量圖案佈局佈置的所有這些不同的計量圖案都被認為落入本發明的範圍內。
第6圖總結將要應用於光罩測量圖案的光學鄰近校正的方法。該OPC過程可為基於規則的OPC過程，該基於規則的OPC過程將預定的規則組應用於光罩；但該OPC過程也可能為基於模型的OPC過程，其中，生成光罩的逐次迭代修改模型直至找到最佳可能修改。在610中，提供輸入圖形數據組，其可自光罩設計的至少部分導出。在620中，提供光學鄰近校正及圖案保護的一個或多個規則。一般來說，可基於自光罩獲得的該輸入圖形數據組選擇規則組。在630中，可進一步自計量圖案佈局獲得光罩測量圖案。該光罩測量圖案可為如先前一個或多個實施例中詳細說明的光罩測量圖案，且可在光罩上的計量圖案佈局中找到。該計量圖案佈局也可為如上面一個或多個實施例中詳細說明的計量圖案佈局。在640中，通常依據該圖案的一個或多個結構元件分類該光罩測量圖案。這可包括如先前實施例中所述的最外結構元件。在650中，一旦對該光罩測量圖案作了分類，就可將偏置補償表 應用於規則組。該偏置補償表可提供一組特別規則，其中，任意一個特別規則與該光罩測量圖形的分類對應。所述特別規則可添加至上面所獲得的規則組(在620中)或者可更改一個或多個規則。最後，在660中，提供輸出圖形數據。這可為將該OPC過程應用於光罩的結果。作為此過程的結果，該光罩測量圖案可保持不受該OPC過程影響，正如為獲得準確的計量數據所希望的那樣。作為此過程的結果，該光罩測量圖案也可接近其它計量圖案的製程邊際，例如一個或多個晶圓測量圖案，這些計量圖案可經OPC處理而未應用一組特定規則。
這裏所使用的術語僅是出於說明特定例子的目的，並非意圖限制本發明。除非上下文中明確指出，否則這裏所使用的單數形式“一個”以及“該”也意圖包括複數形式。還應當理解，術語“包括”(以及任意形式的包括)、“具有”(以及任意形式的具有)以及“包含”(任意形式的包含)都是開放式連接動詞。因此，“包括”、“具有”或“包含”一個或多個步驟或元件的方法或裝置具有那些一個或多個步驟或元件，但並不限於僅僅具有那些一個或多個步驟或元件。類似地，“包括”、“具有”或“包含”一個或多個特徵的一種方法的步驟或一種裝置的元件具有那些一個或多個特徵，但並不限於僅僅具有那些一個或多個特徵。
這裏所使用的術語“可”以及“可能是”表示一系列條件發生的可能性；具有特定的特徵、特性或 功能；以及/或者修飾另一動詞，通過表達一種或多種能力、功能或與該修飾動詞相關聯的可能性的方式進行修飾。因此，考慮到被修飾的術語可能有時不適當、不能或不合適的一些情況，“可”以及“可能是”的使用表示被修飾的術語明顯是適當的、有能力的或適合所示能力、功能或用途。例如，在一些情況下，事件或能力可以預期，而在其它情況下，事件或能力不能發生-這個區別由術語“可”以及“可能是”體現。
儘管這裏說明並顯示本發明的數個態樣，但本領域的技術人員可實施其它態樣來達到相同的目的。因此，申請專利範圍意圖涵蓋落入本發明的真實精神及範圍內的所有此類替代態樣。
200‧‧‧計量圖案佈局
210‧‧‧第一象限
215‧‧‧第一晶圓測量圖案
220‧‧‧第二象限
225‧‧‧第二晶圓測量圖案
230‧‧‧第三象限
235‧‧‧光罩對位圖案
240‧‧‧第四象限
245‧‧‧光罩測量圖案
250‧‧‧劃線區
255‧‧‧中心區
260‧‧‧額外元件、最外結構元件

Claims (20)

  1. 一種結構，包括：用於電路結構的計量圖案佈局，包括有利於佈置複數個計量圖案的複數個象限，包括：第一象限，用於第一晶圓測量圖案；第二象限，用於第二晶圓測量圖案；第三象限，用於光罩對位圖案；以及第四象限，用於光罩測量圖案；其中，該複數個象限的佈置有利於將自該第一及第二晶圓測量圖案獲得的數據與自該光罩測量圖案及該光罩對位圖案獲得的數據關聯。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之結構，其中，該第一象限相對該第二象限呈對角設置，以及該三象限相對該第四象限呈對角設置。
  3. 如申請專利範圍第1項所述之結構，其中，該第一象限的佈置經設計部分用以將該光罩對位圖案與該複數個計量圖案中的其它計量圖案隔離，以於計量工具掃描時最大限度地降低該光罩對位圖案的失真。
  4. 如申請專利範圍第1項所述之結構，其中，該第四象限包括該光罩測量圖案，該光罩測量圖案包括複數個結構元件，其中，至少一個結構元件為至少一個最外結構元件，該至少一個最外結構元件經設計以在光學鄰近校正過程中保護該複數個結構元件免受修改。
  5. 如申請專利範圍第4項所述之結構，其中，該至少一 個最外結構元件具有至少一個尺寸維度大於該光罩的預定義臨界維度。
  6. 如申請專利範圍第5項所述之結構，其中，該至少一個尺寸維度大約比該光罩的該預定義臨界維度大兩倍。
  7. 如申請專利範圍第4項所述之結構，其中，該至少一個最外結構元件為複數個最外結構元件中的一個最外結構元件。
  8. 如申請專利範圍第1項所述之結構，其中，該複數個象限的至少其中一個還有利於佈置兩個計量圖案，其中，該第一計量圖案對應雙重圖案化製程的第一曝光層，以及該第二計量圖案對應該雙重圖案化製程的第二曝光層，該兩個計量圖案有利於該雙重圖案化製程的覆蓋計量(overlay metrology)。
  9. 如申請專利範圍第8項所述之結構，其中，該第四象限包括第一光罩測量圖案以及第二光罩測量圖案，該第一光罩測量圖案包括具有至少一個第一最外結構元件的複數個第一結構元件，該至少一個第一最外結構元件經設計以在光學鄰近校正過程中保護該複數個第一結構元件免受修改，以及該第二光罩測量圖案包括具有至少一個第二最外結構元件的複數個第二結構元件，該至少一個第二最外結構元件經設計以在光學鄰近校正過程中保護該複數個第二結構元件免受修改。
  10. 如申請專利範圍第1項所述之結構，其中，該計量圖 案佈局為經設計用於電路結構設計的第一金屬層的第一計量圖案佈局，以及其中，該第一計量圖案佈局可旋轉90°，以提供用於該電路結構設計的第二金屬層的第二計量圖案佈局。
  11. 如申請專利範圍第1項所述之結構，其中，該計量圖案佈局還包括與該複數個象限的其中一個或多個相鄰的劃線區，該劃線區有利於佈置一個或多個額外的計量圖案。
  12. 如申請專利範圍第11項所述之結構，其中，該劃線區為方形劃線區，該方形劃線區至少部分形成該圖案佈局的邊界，以及其中，該複數個象限設於該方形劃線區內。
  13. 如申請專利範圍第11項所述之結構，其中，該劃線區包括十字形劃線區，該十字形劃線區居中設置於該圖案佈局內，以及其中，該劃線區隔開該複數個象限。
  14. 如申請專利範圍第13項所述之結構，其中，該十字形劃線區還包括中心區，該中心區包括圖案識別計量圖案、雙重圖案化覆蓋計量圖案或其組合。
  15. 如申請專利範圍第11項所述之結構，其中，該一個或多個額外的計量圖案為一個或多個雙重圖案化覆蓋計量圖案。
  16. 如申請專利範圍第11項所述之結構，其中，該一個或多個額外的計量圖案為一個或多個金屬層覆蓋計量圖案。
  17. 如申請專利範圍第11項所述之結構，其中，該一個或多個額外的計量圖案為一個或多個導孔層計量圖案。
  18. 如申請專利範圍第11項所述之結構，其中，該計量圖案佈局包括確定的表面積，該確定的表面積包括該複數個象限及該劃線區的表面積，該確定的表面積有利於在光罩圖案的主動區內或晶圓圖案的主動區內設置該結構。
  19. 如申請專利範圍第18項所述之結構，其中，該表面積小於約25μm2。
  20. 一種方法，包括：將要應用於光罩測量圖案的光學鄰近校正過程，包括：提供輸入圖形數據；提供用於光學鄰近校正及圖案保護的一個或多個規則，其中，該規則適用於光罩的設計圖案；自計量圖案佈局獲得光罩測量圖案；分類該光罩測量圖案；將偏置補償表應用於該一個或多個規則，該偏置補償表係依據該光罩測量圖案的該分類而選擇；以及提供輸出圖形數據。
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