TW201538786A - 配線圖案之製造方法及電晶體之製造方法 - Google Patents
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Abstract
本發明之配線圖案之製造方法具有以下步驟：於基板上形成鍍敷基底膜之前驅物膜，該前驅物膜含有具有由光反應性之保護基保護之胺基之第1形成材料；於上述前驅物膜之表面形成由光阻材料構成之光阻層；利用所欲之圖案光對上述光阻層進行曝光；利用所欲之圖案光對上述前驅物膜進行曝光而形成上述鍍敷基底膜；使經曝光之上述光阻層顯影並且將去保護後之保護基去除；及使無電鍍敷用觸媒析出於露出之上述鍍敷基底膜之表面。
Description
本發明係關於一種配線圖案之製造方法及電晶體之製造方法。
本案基於在2014年2月28日提出申請之日本專利特願2014-037874號而主張優先權，並將其內容援用至本文。
以往，已知有利用由材料表面之接觸作用所引起之還原之鍍敷法即化學鍍敷(無電鍍敷)。由於在無電鍍敷中未使用電能，故而亦可對作為非導體之樹脂材料或玻璃等實施鍍敷。
然而，樹脂材料或玻璃等難鍍敷材料與所形成之鍍敷皮膜之間之密接力弱，會因鍍敷皮膜之內部應力導致鍍敷輕易剝離，而產生鼓出等剝離。
因此，進行有使用鉻酸溶液等對基板之表面實施蝕刻處理，而將表面化學粗糙化。藉此，所形成之鍍敷皮膜形成為陷入經粗糙化之樹脂材料之凹凸，因此可獲得密接力(投錨效應)。
除此之外，亦揭示有如下方法：於難鍍敷基板之表面上設置SOG(Spin-on Glass，旋塗式玻璃)或多孔SOG之基底膜，並於該基底膜上進行無電鍍敷(參照專利文獻1)；或於基板表面上設置由細粉末二氧化矽等填料成分與樹脂組成成分構成之基底膜，並於該基底膜上進行無電鍍敷(參照專利文獻2)。
[專利文獻1]日本特開2006-2201號
[專利文獻2]日本特開2008-208389號
此種無電鍍敷之技術可用作形成配線圖案之技術。即，可藉由在基底膜之表面形成具有與配線圖案對應之開口部之光阻層(以下，稱作抗蝕層)，並經由開口部選擇性地進行無電鍍敷而形成配線圖案。
然而，根據基底膜之物性，於抗蝕層之顯影時，存在產生顯影液將基底膜溶解之現象之情況。又，於基底膜與抗蝕層之界面之密接力低之情形時，有基底膜與抗蝕層於界面剝離之虞。
若產生此種現象，則於基底膜與抗蝕層之界面，抗蝕層於寬度方向上較曝光後之特定之圖案被更多地去除，所形成之配線圖案亦較對抗蝕層曝光後之設計上之圖案更寬。
本發明之態樣之目的在於提供一種能以高尺寸精準度形成所欲之圖案之配線圖案之製造方法。又，目的在於提供一種可使用無電鍍敷法製造高性能的電晶體之電晶體製造方法。
本發明之一態樣之配線圖案之製造方法具有以下步驟：於基板上形成鍍敷基底膜之前驅物膜，該前驅物膜含有具有由光反應性之保護基保護之胺基之第1形成材料；於上述前驅物膜之表面形成由光阻材料構成之光阻層；利用所欲之圖案光對上述光阻層進行曝光；利用所欲之圖案光對上述前驅物膜進行曝光而形成上述鍍敷基底膜；使經曝光之上述光阻層顯影並且將去保護後之保護基去除；及使無電鍍敷用觸媒析出於露出之上述鍍敷基底膜之表面。
本發明之一態樣之電晶體之製造方法具有如下步驟：使用上述配線圖案之製造方法，於基板上形成閘極電極、源極電極及汲極電極之至少1個。
根據本發明之態樣，可提供一種能以高尺寸精準度形成所欲之圖案之配線圖案製造方法。又，可提供一種可使用無電鍍敷法製造高性能的電晶體之電晶體製造方法。
1‧‧‧配線圖案
2‧‧‧基板
3‧‧‧基底膜(閘極基底膜)
3x‧‧‧前驅物膜
6‧‧‧閘極電極(配線)
7‧‧‧絕緣體層
13‧‧‧基底膜(源極基底膜、汲極基底膜)
13x‧‧‧前驅物膜
14‧‧‧抗蝕層
14a‧‧‧開口部
15‧‧‧無電鍍敷用觸媒
16‧‧‧源極電極
17‧‧‧汲極電極
20‧‧‧半導體層
100A、100B‧‧‧電晶體
D‧‧‧顯影液
圖1係利用本實施形態之配線圖案之製造方法製造之配線圖案之概略剖面圖。
圖2係表示配線圖案之製造方法之步驟圖。
圖3係表示配線圖案之製造方法之步驟圖。
圖4係表示配線圖案之製造方法之變形例之步驟圖。
圖5係利用本實施形態之電晶體之製造方法製造之電晶體之概略剖面圖。
圖6係表示電晶體之製造方法之步驟圖。
圖7係表示電晶體之製造方法之步驟圖。
圖8係表示電晶體之製造方法之步驟圖。
圖9係表示利用本實施形態之電晶體之製造方法製造之電晶體之變形例之概略剖面圖。
圖10係表示實施例之結果之照片。
圖11係表示實施例之結果之照片。
圖12係表示實施例之結果之照片。
圖13係表示實施例之結果之照片。
圖14係表示實施例之結果之照片。
圖15係表示實施例之結果之照片。
[配線圖案之製造方法]
以下，一面參照圖1~4，一面對本實施形態之配線圖案之製造方法進行說明。再者，於以下之所有圖式中，為了使圖式易於觀察，而適當使各構成要素之尺寸或比率等不同。
圖1係利用本實施形態之配線圖案之製造方法製造之配線圖案之概略剖面圖。積層體1具有基板2、基底膜(鍍敷基底膜)3、無電鍍敷用觸媒5、及配線圖案6。
基板2係支持形成於表面之配線圖案者，可根據要形成之配線之規格用途或含有配線之構造物之目的而使用具有透光性者及不具有透光性者之任一者。例如，可使用石英玻璃等玻璃、氮化矽等無機物、或丙烯酸樹脂、聚碳酸酯樹脂、PET(聚對苯二甲酸乙二酯)或PBT(聚對酞酸丁二酯(polybutylene terephthalate))等聚酯樹脂等有機高分子(樹脂)等。
該等基板2之材料不會與作為無電鍍敷之結果而形成之金屬製之鍍敷皮膜形成金屬鍵。因此，於本實施形態中，將該等基板2之材料作為難以直接形成鍍敷皮膜且所形成之鍍敷皮膜容易剝離之難鍍敷性之材料而處理。又，例如亦可將上述材料之複合材料等同樣地用作基板2之形成材料。
本實施形態之積層體1設為使用以PET樹脂為形成材料之樹脂基板作為基板2者而進行說明。
基底膜3係覆蓋基板2之一主面之整個面而形成。又，於基底膜3之表面之一部分選擇性地設置有觸媒(無電鍍敷用觸媒)5。
觸媒5係將無電鍍敷用鍍敷液所含之金屬離子還原之觸媒，可列舉銀或金屬鈀。其中較佳為使用金屬鈀。
基底膜3係可與作為上述觸媒5之金屬形成鍵之膜，且將具有可與該金屬鍵結之基之矽烷偶合劑作為形成材料。基底膜3係將含有此種矽烷偶合劑之液狀物塗佈於基板2之一主面而形成。
作為基底膜3之形成材料之「矽烷偶合劑」，係可與作為觸媒5之金屬鍵結之基及可與基板2鍵結之基鍵結於矽原子的化合物。上述基板2之材料雖不會與作為無電鍍敷之結果而形成之金屬製鍍敷皮膜形成
金屬鍵，但可藉由形成此種基底膜3而經由基底膜3於基板2之表面較佳地形成金屬製鍍敷被膜。
此處，「可與金屬鍵結之基」係指可與作為觸媒5之金屬或該金屬之離子形成例如離子鍵或配位鍵之基。於本實施形態中，作為「可與金屬鍵結之基」，可使用自氨(NH3)去除一個氫原子而獲得之基(由-NH2所表示之基)與自一級胺(NH2R，R為取代基)去除一個氫而獲得之基(由-NHR所表示之基)。
又，作為「可與基板2鍵結之基」，可列舉羥基或碳數1至6之烷氧基。
作為可用作此種基底膜3之形成材料之化合物，具體而言，可例示N-環己基胺基丙基三甲氧基矽烷、雙(3-(三甲氧基矽基)丙基)乙二胺、1-(3-(三甲氧基矽基丙基))脲、雙(3-(三甲氧基矽基丙基))脲、2,2-二甲氧基-1,6-二氮雜-2-矽雜環辛烷、雙(3-(三甲氧基矽基)丙基)硫脲、經三甲氧基矽基丙基改質之聚乙亞胺等。
於以下之說明中，基底膜3設為使用一級胺(具有-NH2所表示之基)之矽烷偶合劑所形成者而進行說明。
再者，於圖中，基底膜3設為形成於基板2之整個上面者，但亦可設為僅於設置有觸媒5之位置選擇性地形成基底膜3。於此情形時，可藉由使用通常所知之方法選擇性地將作為基底膜3之形成材料之矽烷偶合劑塗佈於基板2之上面，而選擇性地形成基底膜3。又，亦可設為於基板2之上面，首先，將矽烷偶合劑塗佈於較要形成基底膜3之區域更寬之區域，繼而，對形成於自要形成基底膜3之區域伸出之部分之膜照射紫外線，藉
此將矽烷偶合劑分解並去除，而選擇性地形成基底膜3。
配線圖案6係形成於觸媒5之表面之金屬電極，係由如下述般藉由無電鍍敷而於觸媒5之表面析出之金屬形成。作為配線圖案6之材料，可列舉鎳-磷(NiP)或銅(Cu)。
圖2、3係表示使用本實施形態之配線圖案製造方法之上述積層體1之製造步驟之步驟圖。
首先，如圖2(a)所示，於基板2之表面塗佈將作為基底膜3之形成材料之矽烷偶合劑視需要溶解於水或有機溶劑中而成之液狀物，而形成塗膜3A。作為塗佈之方法，可例示旋轉塗佈、浸漬塗佈、噴塗、輥塗、毛刷塗裝、軟版印刷或網版印刷等印刷法等通常所知之方法。
此處，於本實施形態之配線圖案之製造方法中，作為基底膜3之形成材料之矽烷偶合劑使用具有由光反應性之保護基保護之胺基的形成材料。「具有由光反應性之保護基保護之胺基的形成材料」對應於本發明中之「第1形成材料」。此種材料可僅使用一種，亦可併用兩種以上。
「將作為基底膜3之形成材料之矽烷偶合劑視需要溶解於水或有機溶劑中而成之液狀物」對應於本說明書中之「液狀體」。
又，「由光反應性之保護基保護之胺基」係由-NHRx或-NRRx(Rx為光反應性之保護基)所表示之基。
作為「光反應性之保護基」，只要可針對胺基之N-H鍵，取代氫原子而鍵結於氮原子，並且可藉由照射對應於保護基之吸收波長之特定波長之光而實現去保護，則可使用公知之各種保護基。
作為「光反應性之保護基」，可使用鄰硝基苄基或具有鄰硝
基苄基骨架之基。「具有鄰硝基苄基骨架之基」，係指適當利用取代基取代鄰硝基苄基所具有之氫原子而成之基。
作為此種「具有由光反應性之保護基保護之胺基的形成材料」，例如可列舉下述式(1)所示之化合物。
(式中，l表示0~4之自然數，m表示1~20之自然數，n表示1~3之自然數)
式中，Ra係取代鍵結於鄰硝基苄基之芳香環之氫原子的取代基。藉由利用Ra進行取代，而變更鄰硝基苄基之電子密度，從而變更保護基之吸收波長。若選擇甲氧基、乙氧基等供電子基作為Ra，則保護基之吸收波長向長波長側偏移。又，若選擇鹵素原子之類的吸電子基作為Ra，則保護基之吸收波長向短波長側偏移。
式中，Rb例如為碳數1~20之烷基或芳基。又，式中，X例如為鹵素原子或碳數1~20之烷氧基。n較佳為2或3，更佳為3。
此處，設為使用一級胺之3-胺基丙基三乙氧基矽烷由光反應性之保護基保護之下述式(2)所示之化合物作為基底膜3之形成材料而進行說明。式(2)所示之化合物係於上述式(1)中Ra為甲氧基、X為甲氧基、l=2、m=3、n=3、兩個Ra鍵結於苯環之4、5位而成者。
上述式(2)所示之化合物之去保護之反應式如以下之式(3)所示。上述式(2)所示之化合物藉由吸收365nm之紫外線而產生下述式(3)之去保護反應。
此種保護基為有機基，藉由利用此種保護基保護胺基，而於胺基中N-H鍵中之極化消失。因此，由保護基保護之胺基與對應之未受到保護之胺基相比，親水性相對降低，親油性相對增高。
再者，基於保護基之有無而產生之形成材料之可溶性之差異，可利用預先實驗或理論計算進行確認。例如，作為親水性或親油性之指標，可藉由推算成為水溶性之指標之辛醇/水分配係數LogP並將值進行比
較而判斷。可判斷LogP越大則脂溶性越高，LogP越小則水溶性越高。LogP例如可採用使用化學結構繪圖軟體(ChemDraw Pro V12，柏金艾默公司製造)所附帶之功能而計算出之值。
作為有機溶劑，只要可溶解基底膜3之形成材料，則可使用各種有機溶劑，其中可較佳地使用極性溶劑。作為可使用之溶劑，例如可列舉：甲醇、乙醇、1-丙醇、2-丙醇(異丙醇、IPA)等醇類；丙二醇單甲醚乙酸酯(PGMEA)之類的醚類；甲苯之類的芳香族烴；乙腈之類的腈類；乙酸酯之類的酯類；及丙酮、甲基乙基酮、甲基異丁基酮等酮類。
再者，於基底膜3之形成材料於所選擇之有機溶劑中之溶解性低之情形時，亦可適當實施加熱或超音波照射等通常所知之處理而促進溶解。進而，於在調整後之液狀物中殘留有基底膜3之形成材料之情形時，實施過濾或離心分離等固液分離處理後將基底膜3之形成材料之溶液用於塗膜3A之形成即可。
繼而，如圖2(b)所示，藉由熱處理使溶劑揮發而去除，從而形成基底膜3之前驅物(前驅物膜3x)。如上述般形成之前驅物膜3x成為極薄之膜厚之矽烷偶合劑層，故而成為不易產生光散射之透明之皮膜。例如於利用本實施形態之製造方法製造之配線圖案設置於具有透光性之基板上之情形時，即便將前驅物膜3x成膜於基板2之整個表面，亦可作為基板2與前驅物膜3x一起之整體而維持透光性，從而易於成膜。
繼而，如圖3(a)所示，藉由在前驅物膜3x上塗佈光阻材料(以下，稱作抗蝕材料)，並對其進行預烘烤而形成未經圖案化之抗蝕層4A。作為抗蝕材料，此處使用正型光阻劑。
再者，作為抗蝕材料，使用至少會因對前驅物膜3x之形成材料曝光會產生去保護反應之波長之光而對顯影液之溶解度會變化者即可。藉由使用此種材料，可使下述之曝光所使用之光源共用化，從而可一次進行對前驅物膜3x之曝光與對抗蝕層之曝光。
考慮通常所使用之紫外線光源之峰值波長與半值寬，例如使抗蝕材料之吸收波長之峰值，與光反應性之保護基之吸收波長之峰值之差的絕對值為0nm以上且100nm以下，而可一次進行對前驅物膜3x之曝光及對抗蝕層之曝光，從而較佳。
前驅物膜3x由於具有由光反應性之保護基保護之胺基，故而與具有未經保護之胺基之基底膜3相比，親油性較高。因此，與抗蝕層之密接力相對增高。
其後，經由在與要形成金屬電極之區域對應之位置具備開口部Ma，且於不形成金屬電極之區域具備遮光部Mb之掩膜M1，對抗蝕層4A照射紫外線L。此時，抗蝕層4A被照射與掩膜M1之開口部Ma之圖案相應之圖案光而對抗蝕層4A進行曝光。
此時，照射至抗蝕層4A之紫外線L中之未由抗蝕層4A吸收之剩餘部分，透過抗蝕層4A而到達前驅物膜3x。即，藉由經由掩膜M1之紫外線照射，可同時對抗蝕層4A與前驅物膜3x進行曝光。
於是，在前驅物膜3x中經曝光之部分，藉由上述式(3)所示之光反應進行去保護。即，在前驅物膜3x中經曝光之部分，藉由去保護而產生由-NH2所表示之基，從而生成與使用3-胺基丙基三乙氧基矽烷而形成之情形相同之基底膜。即，可明確地形成經曝光而生成之基底膜3與未
經曝光而殘留之前驅物膜3x之交界。
繼而，如圖3(b)所示，使經圖案光曝光之抗蝕層與會將其溶解之顯影液D接觸，將抗蝕層去除至基底膜3對應於圖案光露出為止而顯影。作為顯影液D，可使用例如TMAH(Tetra-methyl-ammonium-hydroxyde，四甲基氫氧化銨)水溶液之類的水溶液。藉此，形成設置有開口部4a之抗蝕層4。
此時，藉由曝光而自前驅物膜3x脫離之保護基亦同時被去除。
又，前驅物膜3x由於具有由光反應性之保護基保護之胺基，故而與基底膜3相比，與抗蝕層之密接力相對較高。又，由於親水性低，故而對顯影液D之溶解度低。因此，前驅物膜3x於顯影時不易溶解，可防止因與抗蝕層平面上重疊之前驅物膜3x溶解導致抗蝕層浮升。
繼而，如圖3(c)所示，使利用於無電鍍敷之觸媒5析出於在形成於抗蝕層4之開口部4a露出之基底膜3之表面。具體而言，藉由接觸2價鈀鹽之膠體溶液而使作為觸媒5之金屬析出於基底膜3。
通常之樹脂之無電鍍敷步驟由清洗→蝕刻→賦予觸媒→無電鍍敷表示。此處，「賦予觸媒」係使成為無電鍍敷之反應起始劑(觸媒)之鈀(Pd)等金屬附著於要實施鍍敷之區域之表面的步驟。通常，含有如下步驟：使2價鈀鹽與2價錫(Sn)鹽之膠體溶液接觸基板而使鈀附著，其後浸漬於被稱為促進劑之酸或鹼性溶液，藉此將鈀還原為0價而使其活化。
相對於此，發明人等確認到若如本實施形態般，作為基底膜之形成材料之矽烷偶合劑為一級胺或二級胺，則不需要使用上述促進劑之
還原處理。因此，若使用一級胺或二級胺作為矽烷偶合劑，則無電鍍敷之操作被簡化。於本實施形態中，在藉由曝光而形成基底膜3之部分，由於產生使用一級胺之3-胺基丙基三乙氧基矽烷而成之膜，故而不需要還原處理，從而操作被簡化。
繼而，如圖3(d)所示，藉由使無電鍍敷液接觸於觸媒5，而使溶解於無電鍍敷液中之金屬離子於觸媒5之表面還原並析出，從而於開口部4a內選擇性地形成以鎳-磷為形成材料之配線圖案6。於矽烷偶合劑為一級胺或二級胺之情形時，係在不進行使用促進劑之活化下，藉由浸漬於無電鍍敷液而對觸媒5之表面進行鍍敷。由此，可間接地確認金屬鈀於基底膜3之表面析出。
繼而，如圖3(e)所示，對殘留之抗蝕層之整個面曝光紫外線。藉由該曝光，於與抗蝕層4平面上重疊之部分之前驅物膜3x中進行去保護反應而形成基底膜3。其後，利用通常所知之顯影液D去除抗蝕層及脫離後之保護基。以此方式，形成具有配線圖案6之積層體1。
根據如以上之配線圖案之製造方法，於顯影時前驅物膜3x之溶解得到抑制而防止抗蝕層之浮升。又，可明確地形成經曝光而生成之基底膜3與未經曝光而殘留之前驅物膜3x之交界。因此，可將基底膜3之寬度設為與對應於圖案光而形成之開口部4a之寬度相同之寬度，從而能以高尺寸精準度形成所欲之配線圖案。
再者，於上述配線圖案之製造方法中，係於形成配線圖案6後，對抗蝕層曝光紫外線，但並不限於此。
圖4係表示本實施形態之配線圖案之製造方法之變形例之
步驟圖。於本變形例中，於圖3(b)所示之抗蝕層之顯影以前以與上述方法相同之方式進行，然後如圖4(a)所示，於使利用於無電鍍敷之觸媒5於在抗蝕層4之開口部露出之基底膜3之表面析出之前，對整個面曝光紫外線L。
藉此，如圖4(b)所示，抗蝕層4成為可溶解於顯影液之層(於圖中以符號4b表示)。又，於與抗蝕層4平面上重疊之部分之前驅物膜3x中進行去保護反應而形成基底膜3。
進而，即便於在抗蝕層4b之開口部4a露出之基底膜3中去保護反應不充分而殘留有保護基，亦可藉由圖4(a)所示之曝光而於該部位之基底膜3中使去保護反應進行而生成胺基。
再者，亦可於移至下一步驟之前，使用不會使抗蝕層4b溶解之溶劑，視需要對開口部4a內之基底膜3之表面進行清洗。
繼而，如圖4(c)所示，與圖3(c)同樣地，使利用於無電鍍敷之觸媒5析出於在抗蝕層4b之開口部4a露出之基底膜3。於該部位之基底膜3中，藉由圖4(a)所示之曝光進行去保護反應而生成胺基，故而與未曝光之情形相比，可增加觸媒5之載持量。因此，可有效地進行下述無電鍍敷。
繼而，如圖4(d)所示，與圖3(d)同樣地，藉由使無電鍍敷液接觸於觸媒5，而於開口部4a內選擇性地形成以鎳-磷為形成材料之配線圖案6。
繼而，如圖4(e)所示，藉由顯影液D而將抗蝕層4b去除。如此，亦可形成具有配線圖案6之積層體1。
又，於上述配線圖案之製造方法中，僅使用具有由光反應性之保護基保護之胺基之形成材料(第1形成材料)而形成前驅物膜3x，其後進行曝光而去保護，藉此形成基底膜3，但並不限於此。
例如，亦可設為與第1形成材料一起併用如下之形成材料(第2形成材料)：具備具有氮原子或硫原子中之至少一者之基，且上述具有氮原子或硫原子中之至少一者之基未由上述保護基保護。作為此種材料，可列舉具備具有氮原子或硫原子中之至少一者之基之矽烷偶合劑。
作為具有氮原子之基，可例示胺基、脲基、去除一個以上之鍵結於含氮原子之雜環化合物之氫原子而獲得之基等。又，作為具有硫原子之基，可例示硫醇基(或巰基)、硫羰基、硫脲基、去除一個以上之鍵結於含硫原子之雜環化合物之氫原子而獲得之基等。作為含氮原子或硫原子之雜環化合物，可列舉：吡咯、咪唑、吡啶、嘧啶、噻吩之類的單環式之雜環芳香族化合物；或吲哚、苯并噻吩之類的多環式之雜環芳香族化合物；或該等芳香族化合物所具有之芳香環中之2個以上之碳原子被氫化而不具有芳香屬性之雜環化合物。
藉由併用此種第2形成材料，例如即便於要保持觸媒5之位置之基底膜3中去保護反應不充分而殘留有保護基，第2形成材料亦會協作地保持觸媒5。因此，可增加觸媒5之載持量，從而可有效地進行無電鍍敷。
再者，於第2形成材料為三級胺或其他具有「可與金屬鍵結之基」之矽化合物之情形時，可藉由在塗佈2價鈀鹽之膠體溶液後進行上述使用促進劑之通常處理(活化之步驟)，而使無電鍍敷用觸媒5析出於基
底膜3。
又，於上述配線圖案之製造方法中，雖同時進行抗蝕層之曝光與前驅物膜之曝光，但並不限於此。例如，由於用以使抗蝕層於顯影液中之溶解度變化之光之波長與使保護基之去保護反應產生之光之波長不同，故而利用使用相同光源之曝光，其中一反應會變得不充分，於此情形時，亦可分別進行抗蝕層之曝光與前驅物膜之曝光。
[電晶體之製造方法]
以下，一面參照圖5~9，一面對本實施形態之電晶體之製造方法進行說明。
圖5係利用本實施形態之電晶體之製造方法製造之電晶體之概略剖面圖。電晶體100A為所謂之底部接觸型之電晶體。於以下之說明中，對使用有機半導體作為半導體層之形成材料之有機電晶體進行說明，但本發明亦可應用於使用無機半導體作為半導體層之形成材料之無機電晶體。
電晶體100A具有基板2；基底膜3、13；無電鍍敷用觸媒5、15；閘極電極(配線)6；絕緣體層7；源極電極16；汲極電極17及有機半導體層(半導體層)20。
再者，基板2、基底膜3及觸媒5係使用與於上述積層體1中所使用者相同者，閘極電極6設為將上述積層體1之配線圖案6用作閘極電極。
絕緣體層7係覆蓋閘極電極6及基底膜3之表面而設置於整個面。絕緣體層7只要具有絕緣性，可將閘極電極6與設置於絕緣體層7
之表面之源極電極16及汲極電極17電絕緣，則可使用無機材料及有機材料之任一種而形成。其中，就易於製造或微細之加工之方面而言，較佳為將光硬化型樹脂材料作為形成材料。例如，作為絕緣體層7之形成材料，可列舉紫外線硬化型之丙烯酸樹脂、環氧樹脂、烯-硫醇樹脂、聚矽氧樹脂等。
基底膜13形成於絕緣體層7之整個上面。基底膜13為本發明中之源極基底膜及汲極基底膜，係作為源極基底膜及汲極基底膜連續之膜而形成。基底膜13係覆蓋基板2之一主面之整個面而形成，於基底膜13之表面之一部分選擇性地設置有觸媒(無電鍍敷用觸媒)15。作為觸媒15之形成材料，可使用與上述觸媒5相同者。
作為基底膜13之形成材料，可使用與上述基底膜3相同者，亦可使基底膜3與基底膜13之形成材料不同。於以下之說明中，基底膜13設為使用與基底膜3相同之作為一級胺之矽烷偶合劑所形成者而進行說明。
再者，於圖中，設為基底膜13形成於絕緣體層7之整個上面，但亦可設為僅於要設置觸媒15之位置選擇性地形成基底膜13。於此情形時，可藉由使用通常所知之方法將作為基底膜13之形成材料之矽烷偶合劑選擇性地塗佈於絕緣體層7之上面而選擇性地形成基底膜13。又，亦可設為於絕緣體層7之上面，首先，將矽烷偶合劑塗佈於較要形成基底膜13之區域更寬之區域，繼而，對形成於自要形成基底膜13之區域伸出之部分之膜照射紫外線，藉此將矽烷偶合劑分解並去除，而選擇性地形成基底膜13。
源極電極16及汲極電極17係形成於觸媒15之表面之金屬電極。源極電極16具有第1電極161及覆蓋第1電極161表面之第2電極
162。同樣地，汲極電極17具有第3電極171及覆蓋第3電極171表面之第4電極172。
第1電極161及第3電極171係與上述閘極電極6同樣地藉由無電鍍敷而形成。作為第1電極161及第3電極171之材料，可列舉鎳-磷(NiP)或銅(Cu)。第1電極161及第3電極171分別可由相同之材料形成，亦可由互不相同之材料形成。於本實施形態中，設為使用鎳-磷(功函數：5.5eV)作為第1電極161及第3電極171之形成材料而進行說明。
第2電極162及第4電極172分別為覆蓋第1電極161及第3電極171不與觸媒15相接之整個表面而形成的金屬鍍敷層。即，第2電極162及第4電極172於源極電極16及汲極電極17中，分別覆蓋相互對向之側面16a、17a(對向之面)而設置。
作為第2電極162及第4電極172之形成材料，根據與下述半導體層20之形成材料之HOMO(最高佔用分子軌域)/LUMO(最低未佔用分子軌域)能階之關係而使用具有電子移動(或電洞移動)容易之功函數之金屬材料。第2電極162及第4電極172分別可由相同之材料形成，亦可由互不相同之材料形成。於本實施形態中，設為使用金(功函數：5.4eV)作為第2電極162及第4電極172之形成材料而進行說明。
半導體層20於源極電極16及汲極電極17之間設置於基底膜13之表面，且與源極電極16及汲極電極17相接而形成。詳細而言，半導體層20係與源極電極16之側面16a及汲極電極17之側面17a相接而設置，且與第2電極162及第4電極172相接。
作為半導體層20之形成材料，可使用通常所知之有機半導
體材料。例如可使用：酞菁銅(CuPc)、稠五苯、紅螢烯、稠四苯、P3HT(聚(3-己基噻吩-2,5-二基))之類的p型半導體、或C60之類的富勒烯類、PTCDI-C8H(N,N'-二辛基-3,4,9,10-苝四羧酸二醯亞胺)之類的苝衍生物等n型半導體。其中，TIPS稠五苯(6,13-雙(三異丙基矽基乙炔基)稠五苯)之類的可溶性稠五苯或P3HT等有機半導體聚合物可溶解於甲苯之類的有機溶劑，而可利用濕式步驟形成半導體層20，故而較佳。於本實施形態中，設為使用p型半導體之TIPS稠五苯(HOMO能階：5.2eV)作為半導體層20之形成材料而進行說明。
又，作為半導體層20之形成材料，並不限於有機半導體材料，亦可使用通常所知之無機半導體材料。
如上述般，作為第1電極161及第3電極171之形成材料之鎳-磷之功函數為5.5eV，作為第2電極162及第4電極172之形成材料之金之功函數為5.4eV，作為半導體層20之形成材料之TIPS稠五苯之HOMO能階為5.2eV。即，源極電極16及汲極電極17之表面使用如下之金屬材料而形成有第2電極162及第4電極172，該金屬材料具有相較於第1電極161及第3電極171，與半導體層20之形成材料之間電子移動更容易(與半導體層20之HOMO之能階差更小)之功函數。因此，於半導體層20與源極電極16及汲極電極17之間肖特基(Schottky)阻抗得以降低，而可於驅動時使電子良好地移動。
於此種電晶體100A中，藉由無電鍍敷而形成之閘極電極6、源極電極16、汲極電極17係形成於將矽烷偶合劑作為形成材料之基底膜3、13(閘極基底膜、源極基底膜、汲極基底膜)上。例如，於將該等電極形
成於具有凹凸形狀之區域之情形時，會反映基底之凹凸而對各電極賦予凹凸形狀。於是，隔著絕緣體層而積層之電極間之距離不固定，有於閘極電極與源極電極、或閘極電極與汲極電極之距離接近之位置絕緣被破壞而產生漏電流之虞。又，若基底具有凹凸形狀，則於與閘極電極平面上重疊之半導體層之通道區域亦被賦予凹凸形狀，有於通道區域中載子之移動距離變長而性能降低之虞。
然而，於本實施形態之電晶體100A中，基底膜3、13係將矽烷偶合劑作為形成材料，且未將基板表面粗糙化或未使用含有填料成分之基底膜，故而成為平滑之膜。因此，藉由形成基底膜3、13而不會形成凹凸形狀，且不會產生因凹凸形狀而引起之不良情況，故而成為高性能之電晶體。
以下，使用圖6~9對上述電晶體100A之製造方法進行說明。
首先，利用與上述本實施形態之配線圖案之製造方法相同之方法，於基板2之一主面形成閘極電極6。
繼而，如圖6(a)所示，覆蓋閘極電極6而於基底膜3之表面塗佈使具有絕緣性之樹脂材料之前驅物溶解於有機溶劑中而成之塗佈液。作為塗佈之方法，可使用上述方法。
作為樹脂材料，例如可使用紫外線硬化型之丙烯酸樹脂、環氧樹脂、烯-硫醇樹脂、聚矽氧樹脂。又，作為有機溶劑，可較佳地使用與上述塗膜3A相關之塗佈液相同之極性溶劑。又，藉由於塗佈液中變更濃度或有機溶劑之種類，可調整塗佈液整體之黏度，而控制塗佈液之塗膜7A之膜厚。
於圖示之步驟中，為了抑制閘極電極6與形成於上層之源極電極及汲極電極之間之洩漏，而以塗膜7A成為數百nm左右之厚度之方式進行厚塗。
繼而，如圖6(b)所示，經由對應於要形成絕緣體層7之區域而設置有開口部之掩膜M2，對塗膜7A照射紫外線L而使樹脂材料硬化，從而形成絕緣體層7。此時，為了促進樹脂材料之硬化反應，較佳為與紫外線照射同時或於紫外線照射後進行熱處理。
繼而，如圖6(c)所示，利用會溶解塗膜之溶劑S進行顯影，藉此去除未硬化之塗膜而形成經圖案化之絕緣體層7。
再者，此處對如下形態進行了說明，即，覆蓋閘極電極6而於基底膜3之表面塗佈使具有絕緣性之樹脂材料之前驅物溶解於有機溶劑中而成之塗佈液，並照射紫外線使該前驅物硬化，而形成絕緣體層7，但為了提高絕緣體層7與閘極電極6之密接性，亦可於塗佈該塗佈液之前，覆蓋含有閘極電極6之表面而塗佈矽烷偶合劑。
繼而，如圖7(a)所示，於絕緣體層7之整個上面塗佈視需要將上述第1形成材料溶解於有機溶劑中而成之液狀物，並進行熱處理使有機溶劑揮發而去除，從而形成前驅物膜13x。作為第1形成材料及有機溶劑，可使用與上述前驅物膜3x之形成所例示者相同者。
繼而，如圖7(b)所示，覆蓋絕緣體層7及前驅物膜13x而塗佈抗蝕材料，並對其進行預烘烤，藉此形成未經圖案化之抗蝕層14A。作為抗蝕材料，此處使用正型光阻劑。
其後，經由對應於要形成源極電極及汲極電極之區域而設置
有開口部之掩膜M3，對抗蝕層14A照射作為圖案光之紫外線L，而對抗蝕層14A進行曝光。同時，對前驅物膜13x進行曝光，促進去保護反應而產生基底膜13。
繼而，如圖7(c)所示，利用會將經紫外線照射之抗蝕層溶解之顯影液D進行顯影，藉此將抗蝕層14A去除至基底膜13對應於圖案光而露出為止，從而形成設置有開口部14a之抗蝕層14。
繼而，如圖8(a)所示，藉由使2價鈀鹽之膠體溶液與於開口部14a露出之基底膜13接觸，而使利用於無電鍍敷之觸媒15析出於基底膜13之表面。其後，藉由使無電鍍敷液與觸媒15接觸，而於觸媒15之表面使溶解於無電鍍敷液中之金屬離子還原並析出，從而於開口部14a內選擇性地形成將鎳-磷作為形成材料之第1電極161及第3電極171。
繼而，如圖8(b)所示，對殘留之抗蝕層之整個面曝光紫外線。藉由該曝光，於與抗蝕層平面上重疊之前驅物膜13x中進行去保護反應而形成基底膜13。其後，利用通常所知之顯影液D去除抗蝕層。以此方式，形成第1電極161及第3電極171。
繼而，如圖8(c)所示，藉由使整體浸漬於置換鍍金浴中而使金於第1電極161及第3電極171之表面置換析出，進而，藉由浸漬於還原鍍金浴，而於第1電極161及第3電極171之表面形成將金作為形成材料之第2電極162及第4電極172。以此方式，形成源極電極16及汲極電極17。
繼而，如圖8(d)所示，藉由將使TIPS稠五苯之類的可溶解於有機溶劑之有機半導體材料溶解於該有機溶劑而成之溶液S1塗佈於源
極電極16及汲極電極17之間並使其乾燥，而形成半導體層20。再者，此處設為藉由濕式法形成半導體層20，但亦可使用昇華法、轉印法等方法。
如此，可製造電晶體100A。
根據如以上之構成之電晶體之製造方法，閘極電極6、源極電極16及汲極電極17之形成係使用上述配線圖案之製造方法，故而能以高尺寸精準度形成所欲之電極。因此，可使用無電鍍敷法製造高性能之電晶體。
再者，於本實施形態中，設為使用上述配線圖案之製造方法形成閘極電極6、源極電極16及汲極電極17之全部而進行了說明，但亦可設為於形成閘極電極6、源極電極16及汲極電極17之至少任一者時使用上述配線圖案之製造方法。
(變形例1)
再者，於本實施形態中，設為製造底部接觸型之電晶體100A而進行了說明，但並不限於此。
圖9係表示利用本實施形態之電晶體製造方法製造之電晶體之變形例之概略剖面圖。於變形例之說明中，對與上述電晶體100A之構成共用之構成要素標註相同符號，並省略詳細之說明。
圖9(a)所示之電晶體100B為所謂之頂部接觸型之電晶體。電晶體100B具有如下之半導體層20，該半導體層20配置於絕緣體層7上且於表面形成有源極電極16及汲極電極17。即，於絕緣體層7之整個上面形成有半導體層20，於半導體層20之整個上面形成有基底膜13。
於基底膜13之上面選擇性地設置有觸媒15，且形成有具有
第1電極161及第2電極162之源極電極16與具有第3電極171及第4電極172之汲極電極17。
此種電晶體100B可藉由如下方式製造：於基板2上形成閘極電極6，覆蓋閘極電極6而形成半導體層20及絕緣體層7(含有絕緣體層之層)，並於含有絕緣體層之層之表面形成源極電極16及汲極電極17。
圖9(b)所示之電晶體100C為所謂之頂閘極-底部接觸型之電晶體。電晶體100C中設置有基板2，於基板2之表面設置有基底膜(鍍敷基底膜)13，且於基底膜13之表面設置有源極電極16與汲極電極17。
於源極電極16與汲極電極17之間，設置有與源極電極16及汲極電極17相接之半導體層20，且覆蓋源極電極16、汲極電極17及半導體層20而設置有絕緣體層7。
於絕緣體層7之表面設置有基底膜3及觸媒5，於觸媒5上設置有閘極電極6。
此種電晶體100C可藉由如下方式製造：於基板2上形成源極電極16及汲極電極17，覆蓋源極電極16及汲極電極17而形成半導體層20及絕緣體層7(含有絕緣體層之層)，並於含有絕緣體層之層之表面形成閘極電極6。
於此種電晶體100B、100C中，亦於形成閘極電極6、源極電極16及汲極電極17之至少任一者時使用上述配線圖案之製造方法。即，使用上述第1形成材料形成前驅物膜3x或前驅物膜13x之任一者或兩者，並對前驅物膜3x、13x進行曝光而形成基底膜3、13，藉此能以高尺寸精準度形成所欲之電極。因此，可使用無電鍍敷法製造高性能之電晶體。
以上，一面參照隨附圖式一面對本發明之較佳之實施形態例進行了說明，但當然本發明並不限定於此等之例。於上述例中所示之各構成構件之各形狀或組合等為一例，可於不脫離本發明之主旨之範圍內基於設計要求等實施各種變更。
例如，可使用非金屬材料作為基板。準備複數個使用非金屬材料之PET基板，並於該基板上形成有基底膜之鍍敷用構件，一面搬送複數個鍍敷用構件一面於搬送過程中使用上述製造方法製造電晶體，藉此可於PET基板上形成高性能之電晶體。
進而，可於如下所謂之卷對卷步驟中將電晶體形成於PET膜上，即，將使用具有可撓性之長條之PET膜作為基板，並於該膜上形成有基底膜之鍍敷用構件捲繞成輥狀，將該鍍敷用構件一面捲出一面搬送，並使用上述製造方法連續地形成電晶體，然後將所製造之電晶體捲繞成輥狀。
又，於本實施形態中，設為於形成將矽烷偶合劑作為形成材料之基底膜後，使無電鍍敷用觸媒析出於該基底膜並進行無電鍍敷而形成閘極電極、源極電極及汲極電極，但亦可設為利用上述方法形成該等電極中之任一個或兩個電極，並利用其他方法形成剩餘之電極。例如，亦可設為使用通常所知之圖案化方法形成閘極電極，並使用上述製造方法形成要於同一層形成之源極電極及汲極電極。
[實施例]
以下藉由實施例對本發明進行說明，但本發明並不限定於該等實施例。
於本實施例中，使用上述式(2)所示之化合物((4,5-二甲
氧基-2-硝基苄基(3-(三甲氧基矽基)丙基)胺基甲酸酯；NBC-APTMOS)作為第1形成材料。
對NBC-APTMOS以成為1質量%之方式添加氯仿，進行超音波處理而調整液狀物，並進行過濾而去除灰塵或雜質後用於基底膜之形成。超音波處理係使用桌上型超音波清洗器(VS-100III，Velvo-Clear公司製造)於頻率45kHz、高頻輸出100W、處理時間3分鐘之條件下進行。於以下之說明中，將利用上述方法進行調整後之液狀物稱為「液狀物1」。
又，對NBC-APTMOS以成為0.2質量%之方式添加甲基異丁基酮(以下，有時稱為MIBK)，進行超音波處理之後進行過濾而調整液狀物後，用於基底膜之形成。於以下之說明中，將利用上述方法進行調整後之液狀物稱為「液狀物2」。
又，將NBC-APTMOS以成為0.2質量%之方式添加至甲基異丁基酮(以下，有時稱為MIBK)中，進行超音波處理後過濾。向所獲得之濾液中以成為0.2質量%之方式添加3-胺基丙基三乙氧基矽烷(KBE903，Shin-Etsu Silicones公司製造)，進行超音波處理，藉此調整液狀物，並進行過濾後用於基底膜之形成。於以下之說明中，將利用上述方法進行調整後之液狀物稱為「液狀物3」。
又，將KBE903以成為0.2質量%之方式溶解於MIBK中而製備液狀物，用於基底膜之形成。於以下之說明中，將利用上述方法進行調整後之液狀物稱為「液狀物4」。
[配線圖案之形成1]
(實施例1)
藉由大氣壓氧電漿對PET基板(型號：A-4100(無塗膜)，東洋紡織股份有限公司製造)之表面進行清洗後，利用旋轉塗佈將液狀物1塗佈於PET基板上。旋轉塗佈係於轉數3000rpm、10秒之條件下進行。其後，於105℃加熱15分鐘而形成鍍敷基底膜。
繼而，將抗蝕材料(SUMIRESIST PFI-34A6，住友化學股份有限公司製造)之2-庚烷溶液(2倍稀釋(質量比))旋轉塗佈於形成有鍍敷基底膜之PET基板上，並於105℃加熱(預烘烤)5分鐘，藉此形成抗蝕層。旋轉塗佈係於轉數3000rpm、30秒之條件下進行。所形成之抗蝕層之膜厚約為300nm。
繼而，經由光罩將29mW/cm2之強度之紫外線(i線，波長365nm)曝光50秒，並於105℃加熱(後烘烤)5分鐘後，於2.38%TMAH溶液中浸漬1.5分鐘，藉此於抗蝕層顯影出掩膜圖案而形成開口部。
繼而，於室溫下對在抗蝕層形成有開口部之基板進行30秒超音波水洗，然後於室溫下在無電鍍敷用之觸媒膠體溶液(Melplate Activator 7331，Meltex公司製造)中浸漬60秒，而使觸媒附著於在抗蝕層之開口部露出之鍍敷基底膜上。
繼而，對表面進行水洗後，於73℃於無電鍍敷液(Melplate NI-867，Meltex公司製造)中浸漬60秒，使鎳-磷(NiP)於附著於抗蝕層之開口部之觸媒上析出而進行鍍鎳-磷。
繼而，對表面進行水洗後使其乾燥，並對含有殘留之抗蝕層之整個面曝光29mW/cm2之強度之紫外線(i線，波長365nm)1分鐘，然後於乙醇中浸漬1分鐘，藉此去除抗蝕層而製作配線圖案。
(實施例2)
藉由大氣壓氧電漿對PET基板之表面進行清洗後，利用浸漬塗佈將液狀物2塗佈於PET基板上。浸漬塗佈之提昇速度設為1mm/秒。其後，於105℃加熱15分鐘而形成鍍敷基底膜。
再者，於以下之步驟中，浸漬塗佈之提昇速度亦採用上述條件。
繼而，將抗蝕材料(SUMIRESIST PFI-34A6，住友化學股份有限公司製造)塗佈於形成有基底膜之PET基板上，並於105℃加熱(預烘烤)5分鐘，藉此形成抗蝕層。
繼而，經由光罩將29mW/cm2之強度之紫外線(i線，波長365nm)曝光2秒，並於105℃加熱(後烘烤)5分鐘，然後於2.38%TMAH溶液中浸漬1.5分鐘，藉此於抗蝕層顯影出掩膜圖案而形成開口部。
繼而，對形成有抗蝕層之PET基板之整個面照射29mW/cm2之強度之紫外線(i線，波長365nm)60秒。
繼而，以與實施例1相同之方式對在抗蝕層形成有開口部之基板進行超音波水洗，然後進行鍍鎳-磷。
繼而，於乙醇中浸漬1分鐘，藉此去除抗蝕層而製作配線圖案。
(實施例3)
除使用液狀物3形成基底膜以外，以與實施例2相同之方式將形成有開口部之抗蝕層形成於PET基板上。
繼而，以與實施例1相同之方式製作配線圖案。
(比較例1)
除使用液狀物4形成基底膜以外，以與實施例3相同之方式製作配線圖案。
圖10~13係所製作之配線圖案之光學顯微鏡照片。於照片中，看起來為白色之部分為配線。圖10表示於實施例1中形成之配線圖案，圖11表示於實施例2中形成之配線圖案，圖12表示於實施例3中形成之配線圖案，圖13表示於比較例1中形成之配線圖案。
如圖10所示，於實施例1中，即便於L/S=10μm/10μm之條件下(圖10(b))且即便於更細之L/S=5μm/5μm之條件下(圖10(a))，亦以均勻之寬度形成有配線圖案。又，如圖11、12所示，實施例2、3之配線圖案亦同樣地以均勻之寬度而形成。
相對於此，如圖13所示，比較例1之配線圖案之寬度不均勻(圖13(a))或表面粗糙(圖13(b))，而配線之尺寸精準度降低。再者，圖13(a)與圖13(b)係於相同之條件下進行兩次實驗後之各自之結果。
[配線圖案之形成2]
(實施例4)
利用與實施例3相同之方法於PET基板上形成閘極電極。對形成有閘極電極之PET基板，浸漬塗佈環氧樹脂基底之紫外線硬化型樹脂(SU-8，日本化藥公司製造)，並於105℃加熱(預烘烤)10分鐘，藉此形成紫外線硬化型樹脂之塗膜。
繼而，經由光罩對塗膜曝光29mW/cm2之強度之紫外線(i線，波長365nm)5秒，並於105℃加熱(後烘烤)60分鐘。
繼而，使其浸漬於顯影液(丙二醇-1-甲醚-2-乙酸酯，
PEGMEA)中，去除紫外線之非照射部而進行圖案化。其後，於105℃進行30分鐘熱處理而成膜閘極絕緣膜。
繼而，利用與實施例3相同之方法於閘極絕緣膜之表面製作與源極電極及汲極電極對應之作為鎳-磷電極之第1電極及第3電極。
繼而，對表面進行水洗後使其於置換鍍金浴中浸漬1分鐘，進而於還原鍍敷浴中浸漬3分鐘，藉此進行無電解鍍金，利用金被覆鎳-磷電極之表面而製作第2電極及第4電極，從而製作源極電極及汲極電極。
所形成之配線圖案係藉由以連接源極電極及汲極電極之方式形成半導體層而作為電晶體發揮功能。
(比較例2)
於在閘極絕緣膜之表面製作源極電極及汲極電極時，以與比較例1相同之方式製作出作為鎳-磷電極之第1電極及第3電極，除此以外，以與實施例4相同之方式製作配線圖案。
圖14、15係所製作之配線圖案之光學顯微鏡照片。圖14表示於實施例4中形成之配線圖案，圖15表示於比較例2中形成之配線圖案。
如圖14所示，實施例4之配線圖案之源極電極及汲極電極以均勻之寬度而形成，且以源極電極與汲極電極之間之5μm之間隔而形成。
相對於此，如圖15所示，比較例2之配線圖案之配線之尺寸精準度降低。
於圖中，由符號α之虛線所包圍之部分被確認為寬度不均勻之部分。
又，於圖中，由符號β之虛線所包圍之部分被確認為閘極電極與汲極
電極短路之部分。於圖15中，於閘極電極與汲極電極隔開之部分，可將與閘極電極及汲極電極之端部對應之陰影作為黑色線條進行確認，但於符號β之部分，線條中斷。由於在短路部分未形成與電極之端部對應之陰影，故而可判斷為閘極電極與汲極電極短路之部分。
根據以上之結果，可確認本發明之有用性。
1‧‧‧配線圖案
2‧‧‧基板
3‧‧‧基底膜(閘極基底膜)
3x‧‧‧前驅物膜
4‧‧‧抗蝕層
4a‧‧‧開口部
4A‧‧‧抗蝕層
5‧‧‧觸媒
6‧‧‧閘極電極(配線)
D‧‧‧顯影液
M1‧‧‧掩膜
Ma‧‧‧開口部
Mb‧‧‧遮光部
L‧‧‧紫外線
Claims (14)
- 一種配線圖案之製造方法，其具有以下步驟：於基板上形成鍍敷基底膜之前驅物膜，該前驅物膜含有具有由光反應性之保護基保護之胺基之第1形成材料；於該前驅物膜之表面形成由光阻材料構成之光阻層；利用所欲之圖案光對該光阻層進行曝光；利用所欲之圖案光對該前驅物膜進行曝光而形成該鍍敷基底膜；使經曝光之該光阻層顯影並且將去保護後之保護基去除；及使無電鍍敷用觸媒析出於露出之該鍍敷基底膜之表面。
- 如申請專利範圍第1項之配線圖案之製造方法，其中，同時進行該光阻層之曝光與該前驅物膜之曝光。
- 如申請專利範圍第1或2項之配線圖案之製造方法，其中，於去除該光阻層後，進而對露出之該鍍敷基底膜進行曝光。
- 如申請專利範圍第1至3項中任一項之配線圖案之製造方法，其中，該保護基為鄰硝基苄基或具有鄰硝基苄基骨架之基。
- 如申請專利範圍第1至4項中任一項之配線圖案之製造方法，其中，該胺基為-NH2所表示之基。
- 如申請專利範圍第1至5項中任一項之配線圖案之製造方法，其中，該第1形成材料為具有由該保護基保護之胺基之矽烷偶合劑。
- 如申請專利範圍第1至6項中任一項之配線圖案之製造方法，其中，該前驅物膜進而含有第2形成材料，該第2形成材料具備具有氮原子或硫原子中之至少一者之基，且該具有氮原子或硫原子中之至少一者 之基未由該保護基保護。
- 如申請專利範圍第7項之配線圖案之製造方法，其中，該第2形成材料為具有該具氮原子或硫原子中之至少一者之基之矽烷偶合劑。
- 如申請專利範圍第1至8項中任一項之配線圖案之製造方法，其中，該基板由非金屬材料構成。
- 如申請專利範圍第9項之配線圖案之製造方法，其中，該基板由樹脂材料構成。
- 如申請專利範圍第10項之配線圖案之製造方法，其中，該基板具有可撓性。
- 一種電晶體之製造方法，其具有如下步驟：使用申請專利範圍第1至11項中任一項之配線圖案之製造方法，於基板上形成閘極電極、源極電極及汲極電極之至少一個。
- 如申請專利範圍第12項之電晶體之製造方法，其具有以下步驟：於該基板上形成該閘極電極；覆蓋該閘極電極而形成含有絕緣體層之層；及於該含有絕緣體層之層之表面形成該源極電極及該汲極電極。
- 如申請專利範圍第12項之電晶體之製造方法，其具有以下步驟：於該基板上形成該源極電極及該汲極電極；覆蓋該源極電極及該汲極電極而形成含有絕緣體層之層；及於該含有絕緣體層之層之表面形成該閘極電極。
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