TW201535497A - 基板處理設備及方法 - Google Patents

基板處理設備及方法 Download PDF

Info

Publication number
TW201535497A
TW201535497A TW103139742A TW103139742A TW201535497A TW 201535497 A TW201535497 A TW 201535497A TW 103139742 A TW103139742 A TW 103139742A TW 103139742 A TW103139742 A TW 103139742A TW 201535497 A TW201535497 A TW 201535497A
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
gas
plasma
wafer
substrate processing
ring
Prior art date
Application number
TW103139742A
Other languages
English (en)
Other versions
TWI545644B (zh
Inventor
Je-Hyeok Ryu
Original Assignee
Psk Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Psk Inc filed Critical Psk Inc
Publication of TW201535497A publication Critical patent/TW201535497A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI545644B publication Critical patent/TWI545644B/zh

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
    • H01L21/3065—Plasma etching; Reactive-ion etching
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/71—Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
    • H01L21/768—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics
    • H01L21/76801—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics characterised by the formation and the after-treatment of the dielectrics, e.g. smoothing
    • H01L21/76822—Modification of the material of dielectric layers, e.g. grading, after-treatment to improve the stability of the layers, to increase their density etc.
    • H01L21/76825—Modification of the material of dielectric layers, e.g. grading, after-treatment to improve the stability of the layers, to increase their density etc. by exposing the layer to particle radiation, e.g. ion implantation, irradiation with UV light or electrons etc.

Abstract

本發明提供一種基板處理設備及方法。基板處理設備包括製程腔室、基座、擋板、氣體供應部、電漿產生部等。電漿產生部將氣體供應部供應之第一氣體激發為電漿。激發的電漿移除晶圓表面殘留的黏合劑。在電漿移除殘留黏合劑期間，高頻電力接入基座以誘導電漿對晶圓之離子轟擊，從而能夠執行更高效的殘留黏合劑移除製程。

Description

基板處理設備及方法
本發明係關於用於處理基板之設備及方法，更詳細而言，係關於一種利用電漿處理基板之設備及方法。
經受前端(FEOL：Front End Of Line)製程的晶圓，其厚度超過所要厚度以上，因而需要經由背面研磨(Back Grinding)製程而變薄。然而，厚度過薄，晶圓不容易操作(Handling)。因此，為晶圓操作，利用黏合劑將載體附著於晶圓。載體在作為後續製程之晶片黏接(Chip Bonding)、底部填充(Underfill)、成型(Molding)製程後移除。
載體移除後，晶圓在附著於框架環上所固定的安裝用帶之狀態下進行操作。安裝用帶不僅使得晶圓之操作容易，而且在晶圓分離為個別晶片時防止晶片散開。
在移除載體之晶圓上，黏合劑移除不完全而留下一部分。殘餘黏合劑不容易移除。
本發明之實施例提供一種能夠容易地移除在載體移除後留於晶圓上之黏合劑的基板處理設備。
另外，本發明之實施例提供一種能夠防止安裝用帶及/或框架環之變性的基板處理設備。
本發明之目的不限定於此，熟習此項技術者能夠根據以下記載明確理解未提及的其他目的。
本發明提供一種基板處理設備。根據一個實施例，基板處理設備包括：製程腔室，其在內部形成有空間；基座，其位於該製程腔室內部以支撐處理對象物，該處理對象物包括框架環、固定於該框架環之內側面的安裝用帶及附著於該安裝用帶之頂部並完成背面研磨之晶圓；氣體供應部，其向該製程腔室內部供應製程氣體；電漿源，其使該製程氣體激發為電漿；高頻電源，其向在該基座上提供之電極接入高頻電力；以及阻塞構件，其覆蓋該框架環以使得該框架環不暴露於電漿。
該氣體供應部包括第一氣體噴射單元，其噴射用於移除該處理對象物表面之黏合劑殘留物的第一氣體。
另外，該氣體供應部亦包括第二氣體噴射單元，其噴射用於該處理對象物之親水處理的第二氣體。
另外，亦包括控制器，其進行控制來使得在用自該第一氣體激發之電漿處理該處理對象物期間，該高頻電源產生高頻電力。
另外，該控制器進行控制來使得在用該電漿處理該處理對象物之後，該第二氣體噴射單元噴射該第二 氣體。
另外，該阻塞構件覆蓋該晶圓與該框架環之間及該框架環，以使得該安裝用帶不暴露於電漿。
本發明提供一種基板處理方法。根據一個實施例，基板處理方法之特徵在於包括：將完成背面研磨之晶圓附著於在框架環上固定的安裝用帶以構成處理對象物的步驟；使該處理對象物位於連接高頻電源之基座的步驟；利用激發為電漿之第一氣體移除該晶圓表面之黏合劑殘留物的步驟；且將該框架環阻塞環覆蓋以使得不暴露於該電漿；在移除該黏合劑殘留物的步驟中，藉助於該高頻電源而向該基座中接入高頻電力，以使得在該晶圓之表面上產生因該電漿導致的離子轟擊(Ion Bombardment)。
另外，該安裝用帶經該阻塞環覆蓋以使得不暴露於該電漿。
另外，移除該黏合劑殘留物的步驟完成後，在該處理對象物位於該基座之狀態下，利用第二氣體對該晶圓進行親水處理。
根據本發明之實施例，載體移除後留於晶圓上之黏合劑得以完全移除。
另外，根據本發明之實施例，切斷框架環及/或安裝用帶暴露於電漿，因而防止框架環及/或安裝用帶之變性。
30‧‧‧基板處理設備
50‧‧‧處理對象物
51‧‧‧晶圓
51a‧‧‧晶圓
51b‧‧‧晶圓
51c‧‧‧晶圓
52‧‧‧矽貫通電極
53‧‧‧凸塊
54‧‧‧載體
55‧‧‧黏合劑
55a‧‧‧黏合劑
61‧‧‧晶片黏接
62‧‧‧底部填充
63‧‧‧成型
71‧‧‧框架環
72‧‧‧安裝用帶
310‧‧‧製程腔室
311‧‧‧主體
312‧‧‧密閉蓋
313‧‧‧排氣孔
314‧‧‧擴散空間
317‧‧‧排氣管線
320‧‧‧基座
321‧‧‧容納空間
322‧‧‧電極
323‧‧‧高頻電源
330‧‧‧擋板
331‧‧‧分配孔
340‧‧‧電漿產生部
341‧‧‧振盪器
342‧‧‧波導管
343‧‧‧介電管
350‧‧‧阻塞構件
351‧‧‧阻塞環
352‧‧‧主體
353‧‧‧內側部
354‧‧‧外側部
355‧‧‧升降構件
361‧‧‧移動桿
362‧‧‧第一桿/桿
363‧‧‧第二桿/桿
364‧‧‧第二桿/桿
365‧‧‧托片
368‧‧‧驅動部
370‧‧‧氣體供應部
372‧‧‧第一氣體噴射單元
372a‧‧‧第一氣體供應管線
372b‧‧‧第一閥
372c‧‧‧第一氣體儲集部
374‧‧‧第二氣體噴射單元
374a‧‧‧第二氣體供應管線
374b‧‧‧第二閥
374c‧‧‧第二氣體儲集部
376‧‧‧氣體埠
380‧‧‧控制器
410‧‧‧排氣板
411‧‧‧排氣孔
圖1為展示本發明實施例之基板處理設備中所處理的處理對象物之一個實例之立體圖。
圖2至圖8為依次展示製作圖1所示的處理對象物之過程圖。
圖9為展示本發明之一個實施例的基板處理設備之剖面圖。
圖10為展示圖9之基座與阻塞構件的俯視圖。
圖11為展示沿著圖10之A-A'線截取的基座與阻塞構件的剖面圖。
圖12至14分別為展示本發明之另一實施例之基板處理設備的剖面圖。
以下參照附圖，更詳細地說明本發明之實施例。本發明之實施例可變形為多種形態，不得解釋為本發明之範圍限定於以下實施例。本發明實施例提供來用於向熟習此項技術者更完全地說明本發明。因此，為更明確地強調說明，對附圖中元件之形狀進行誇示。
圖1為展示本發明之實施例的基板處理設備所處理的處理對象物之一個實例的立體圖，圖2至圖8為依次展示制作圖1所示處理對象物之過程的圖。
如圖1至圖8所示，提供如圖2所示完成前端(FEOL)製程之晶圓(51)。在晶圓(51)上，如圖3所示依次形成有矽貫通電極(TSV：Through Silicon Via,52)及黏 合於載體(54)之凸塊(53)。載體(54)作為矽或玻璃材質的板，當晶圓(51)經過背面研磨製程時，因厚度非常薄而難以操作，因而，欲提供用於晶圓(51)之操作。載體(54)藉助於黏合劑(55)而黏合於晶圓(51)頂部。
為減小封裝(Package)之組裝尺寸，將附著有載體(54)之晶圓(51)提供至背面研磨(Back Grinding)製程。經受前端(FEOL)製程之晶圓(51)由於厚度不必要地過厚，因而如圖4所示，在背面研磨製程中將晶圓(51)背面研磨得極薄。
背面研磨製程後，晶圓(51a)如圖5所示進行倒裝(flip)、晶片黏接(chip bonding,61)。而且，如圖6所示，依次進行底部填充(under fill,62)與成型(molding,63)製程。
如圖7所示，完成成型製程之晶圓(51b)附著於在框架環(71)所固定的安裝用帶(72)上。框架環(71)為具有大於晶圓(51b)之半徑的環形狀，其以不銹鋼(Stainless)或SUS材質來提供。安裝用帶(72)作為厚度較薄之薄膜，薄膜本身難以支撐晶圓(51b)，因而將其固定於框架環(71)。安裝用帶(72)由3層構成，由基底(Base)薄膜、供晶圓黏合之黏合層以及對其進行保護之保護薄膜構成。框架環(71)具有大於晶圓(51b)之半徑，因而從上部觀察時，在框架環(71)與晶圓(51b)之間區域，安裝用帶(72)暴露於外部。
將晶圓(51b)附著於安裝用帶(72)後，如圖8 所示移除載體(54)。載體(54)移除後，安裝用帶(72)暫時替代載體(54)作用，以晶圓(51c)附著於安裝用帶(72)之狀態提供給製程。框架環(71)及安裝用帶(72)使得晶圓(51c)之操作更為容易。而且，安裝用帶(72)在晶圓(51c)劃片(Dicing)分離成個別晶片時，使得晶片因黏合力而不散開或損失。
在移除載體(54)之晶圓(51c)之頂部，殘留有黏合劑(55a)，因而要求用於對此進行移除的追加製程。本發明之一個實施例的基板處理設備(30)執行利用電漿移除殘留於晶圓(51c)之黏合劑(55a)的製程。
圖9為展示本發明之一個實施例之基板處理設備(30)的圖。如圖9所示，基板處理設備(30)包括製程腔室(310)、基座(320)、擋板(330)、電漿產生部(340)、阻塞構件(350)、氣體供應部(370)以及控制器(380)。
製程腔室(310)提供執行製程處理之空間。製程腔室(310)具有主體(311)及密閉蓋(312)。主體(311)頂部敞開，在內部形成有空間。在主體(311)之側壁形成有供處理對象物(50)出入之開口(未圖示)，開口藉助於諸如狹縫門(slit door)之開閉構件(未圖示)而開閉。開閉構件在製程腔室(310)內執行處理對象物(50)處理期間封閉開口，在處理對象物(50)搬入製程腔室(310)內部時及搬出至製程腔室(310)外部時，打開開口。
在主體(311)之下部壁形成有排氣孔(313)。排氣孔(313)與排氣管線(317)連接。經由排氣管線(317)來調節製程腔室(310)之內部壓力，在製程中發生的反應副產物 排出至製程腔室(310)外部。
密閉蓋(312)與主體(311)之上部壁結合，覆蓋主體(311)之敞開頂部，使主體(311)內部密閉。密閉蓋(312)之上端與電漿產生部(340)連接。在密閉蓋(312)上形成有擴散空間(314)。擴散空間(314)愈靠近擋板(330)，寬度愈逐漸變寬，從而具有反漏斗形狀。
基座(320)具有電極(322)。基座(320)位於製程腔室(310)內部。基座(320)支撐處理對象物(50)。
在基座(320)之邊緣區域形成有容納空間(321)。容納空間(321)自基座(320)之外側面凹入內側。容納空間(321)可向基座(320)內側形成，直至晶圓(51c)之邊緣所置放的位點。容納空間(321)可沿著基座(320)四周形成為多個。根據實施例，容納空間(321)可在基座(320)之一側形成為2個，在與之對稱的基座(320)之另一側形成為2個。容納空間(321)提供可供後述托片(365)沿上下方向移動之空間。
在基座(320)內部，可形成有供冷卻流體循環之冷卻流路(未圖示)。冷卻流體沿著冷卻流路循環，對基座(320)及處理對象物(50)進行冷卻。由於冷卻流體之循環，因而在電漿製程過程中抑制晶圓(51c)之溫度上升。
基座(320)包括由金屬材質構成之電極(322)。高頻電源(323)向電極(322)接入高頻電力。因此，電漿之自由基粒子向下沿直進方向運轉，從而誘導對晶圓(51c)之離子轟擊，以使得殘留於晶圓(51c)之表面的黏合劑 (55a)得以移除。
擋板(330)藉助於連結構件而結合於主體(311)之上部壁。擋板(330)呈圓盤形狀，與基座(320)之頂部平行地配置。擋板(330)為鋁材質，其於表面氧化後提供。擋板(330)上形成有分配孔(331)。為均一供應自由基，分配孔(331)係於同心圓柱上按既定間隔形成。在擴散空間(314)擴散的電漿流入分配孔(331)。此時，諸如電子或離子等的帶電粒子由擋板(330)俘獲，諸如氧自由基等不帶電荷之中性粒子藉由分配孔(331)，從而供應至處理對象物(50)。
氣體供應部(370)具有第一氣體噴射單元(372)、第二氣體噴射單元(374)及氣體埠(376)。氣體供應部(370)可以在電漿產生部(340)之外部提供。氣體供應部(370)可提供為一或多個。
第一氣體噴射單元(372)具有第一氣體供應管線(372a)、第一閥(372b)及第一氣體儲集部(372c)。
在第一氣體供應管線(372a)之一端連接有第一氣體儲集部(372c)，在另一端連接有氣體埠(376)。第一氣體儲集部(372c)中儲存的第一氣體經由第一氣體供應管線(372a)供應至氣體埠(376)。
第一氣體用於移除晶圓(51c)表面之殘留黏合劑。第一氣體包含氧氣(O2)或氮氣(N2)等。在第一氣體中，為提高黏合劑移除效率，可添加四氟化碳(CF4)等氟系列的氣體。
第一閥(372b)可調節經由第一氣體供應管線 (372a)供應的第一氣體之供應量及供應與否。
第二氣體供應單元(374)具有第二氣體供應管線(374a)、第二閥(374b)及第二氣體儲集部(374c)。
在第二氣體供應管線(374a)之一端連接有第二氣體儲集部(374c)，在另一端連接有氣體埠(376)。第二氣體儲集部(374c)中儲存的第二氣體經由第二氣體供應管線(374a)供應至氣體埠(376)。
第二氣體在利用第一氣體之殘留黏合劑移除製程完成後，用於對晶圓(51c)進行親水處理之製程。第二氣體可以包含氮氣(N2)、氧氣(O2)或氬(Ar)之氣體來提供。
第二閥(374b)可調節經由第二氣體供應管線(374a)供應的第二氣體之供應量及供應與否。
氣體埠(376)結合於介電管(343)之上部。經由氣體埠(376)供應的第一或第二氣體流入介電管(343)內部。
電漿產生部(340)提供於製程腔室(310)之上部，產生並供應電漿。電漿產生部(340)包括振盪器(341)、波導管(342)以及介電管(343)。
振盪器(341)產生微波。波導管(342)連接振盪器(341)與介電管(343)。振盪器(341)產生的微波沿著波導管(342)流動，從而提供至介電管(343)。藉助於氣體供應部(370)而供應至介電管(343)內部之第一氣體受電磁波激發為電漿狀態。電漿經介電管(343)流入擴散空間(314)。
圖10為展示本發明之一個實施例之基座(320)與阻塞構件(350)的俯視圖，圖11為展示沿著圖10之A-A' 線截取的基座(320)與阻塞構件(350)的剖面圖。
如圖9至圖11所示，阻塞構件(350)切斷安裝用帶(71)及框架環(72)暴露於電漿。阻塞構件(350)使處理對象物(50)安置於基座(320)之頂部，升起置放於基座(320)上的處理對象物(50)。阻塞構件(350)包括阻塞環(351)及升降構件(355)。
阻塞環(351)位於基座(320)之上部，覆蓋晶圓(51c)與框架環(71)之間及框架環(71)。阻塞環(351)以陶瓷材質提供。阻塞環(351)為環狀，內徑小於晶圓(51c)之圓周，外徑小於框架環(71)之外徑或與之相應。阻塞環(351)具有可自晶圓(51c)之邊緣區域覆蓋框架環(71)之外側邊緣區域的寬度。阻塞環(351)具有主體(352)、內側部(353)以及外側部(354)。主體(352)呈環形狀，與露出於外部的安裝用帶(72)區域相向置放。主體(352)與安裝用帶(72)保持既定間隔。內側部(353)自主體(352)之內側向下傾斜地延伸，其末端與晶圓(51c)之邊緣區域鄰接地置放或接觸。外側部(354)自主體(352)之外側向下傾斜地延伸，其末端與框架環(71)接觸。該阻塞環(351)與安裝用帶(71)非接觸。
阻塞環(351)切斷框架環(71)及安裝用帶(72)暴露於電漿。阻塞環(351)由於內側部(353)與晶圓(51c)接觸或鄰接地置放，外側部(354)與框架環(71)接觸，因而切斷電漿向安裝用帶(72)側流入。在框架環(71)及安裝用帶(72)暴露於電漿的情況下，安裝用帶(72)變長，基板(50)之處理成為問題，框架環(71)及安裝用帶(72)變性。變性的帶 (72)不僅不易移除，而且產生移除不完全而一部分留在晶圓(51c)上之問題。阻塞環(71)切斷框架環(71)及安裝用帶(72)暴露於電漿，因而預防該問題之發生。
升降構件(355)使阻塞環(351)升降。當處理對象物(50)置放於基座(320)上或自基座(320)升起時，升降構件(355)升起阻塞環(351)。而且，在基板(50)置放於基座(320)上期間，升降構件(355)將阻塞環(351)放下，覆蓋框架環(71)及安全用帶(72)。升降構件(355)包括移動桿(361)、托片(365)以及驅動部(368)。
移動桿(361)支撐阻塞環(351)，使阻塞環(351)升降。根據實施例，移動桿(361)以三個桿(362至364)相互連接之結構來提供。第一桿(362)支撐阻塞環(351)。第二桿(363)在第一桿(362)之下部支撐第一桿(362)，在內側形成可供第一桿(362)升降之空間。第一桿(362)可向上下方向移動，其位於第二桿(363)之內側與第二桿(363)之上部。
第三桿(364)在第二桿(363)之下部支撐第二桿(363)，在內側形成可供第三桿(364)升降之空間。第二桿(363)可向上下方向移動，其位於第三桿(364)之內側與第三桿(364)之上部。
驅動部(368)使移動桿(361)升降。具體而言，驅動部(368)使第一桿(362)與第二桿(363)個別地升降。由於驅動部(368)之驅動，第二桿(363)相對於第三桿(364)升降，第一桿(362)相對於第二桿(363)升降。
托片(365)結合於移動桿(361)以與移動桿 (361)一同升降。根據實施例，托片(365)結合於第二桿(363)。托片(365)自第二桿(363)向基座(320)側延伸，其末端位於容納空間(321)。在第二桿(363)移動的同時，托片(365)沿著容納空間(321)升降。當托片(365)位於容納空間(321)之上部時，安置框架環(71)。處理對象物(50)在框架環(71)安放於托片(365)之狀態下，在托片(365)下降的同時下降。在托片(365)下降過程中，處理對象物(50)置放於基座(320)之頂部。與此相反，當托片(365)自容納空間(321)內向上側移動時，框架環(71)置放於托片(365)上。在托片(365)上升的過程中，處理對象物(50)自基座(320)拾起。
控制器(380)可進行控制，以使得在用自第一氣體激發之電漿來處理處理對象物(50)期間，自高頻電源(323)向基座(320)接入高頻電力。因此，誘導電漿對晶圓(51c)之離子轟擊。藉助於離子轟擊，可更高效地移除殘留黏合劑。另外，控制器(380)進行控制以使得在用自第一氣體激發之電漿完成晶圓(51c)之殘留黏合劑的移除製程後，第二氣體噴射單元(374)噴射第二氣體。
圖12為展示基板處理設備之另一實施例的剖面圖。圖9之實施例對能夠一同執行利用第一氣體之殘留黏合劑移除製程及利用第二氣體之親水處理製程的基板處理設備進行說明。但不同於此，如圖12所示，基板處理設備(31)只提供一種氣體之氣體噴射單元，因而可不執行利用第二氣體之親水處理製程。
以下對利用基板處理設備處理基板之方法進 行說明。
如圖1至圖8所示，如上所述，將完成背面研磨之晶圓(51c)附著於在框架環(71)上所固定的安裝用帶(72)以構成處理對象物(50)。
如圖9及圖11所示，在製程腔室(310)內，第一桿(362)及第二桿(363)進行升降，托片(365)待機。就處理對象物(50)而言，框架環(71)安置於托片(365)上。在處理對象物(50)由托片(365)支撐之狀態下，第二桿(363)下降。在托片(365)與第二桿(363)一同下降的過程中，處理對象物(50)安置於基座(320)上。此後，阻塞環(351)與第一桿(362)一同下降，覆蓋框架環(71)及安裝用帶(72)。
氣體供應部(370)向介電管(343)內部供應第一氣體。
電漿產生部(340)自第一氣體生成電漿。振盪器(341)產生的微波經由導波管(342)傳遞至介電管(343)內部。微波使氣體供應部(370)供應至介電管(343)內部之第一氣體激發成電漿狀態。電漿流入擴散空間(314)，經擴散空間(314)及蓮蓬頭(330)之分配孔(331)而流入製程腔室(310)內部。電漿向晶圓(51c)之頂部供應，因阻塞環(351)而限制向安裝用帶(72)流入。
電漿移除附著於晶圓(51c)之頂部的黏合劑。
在以電漿移除晶圓(51c)之殘留黏合劑期間，控制器(380)控制來使得自高頻電源(323)向基座(320)接入高頻電力，以誘導電漿對晶圓(51c)之離子轟擊。
滯留於製程腔室(310)內部之第一氣體及反應副產物經由排氣板(410)之孔而流入排氣孔(411)，以排出至外部。
之後，控制器(380)判定利用第一氣體之殘留黏合劑移除製程完成，從而可控制來使得第二氣體噴射單元(374)噴射第二氣體。因此，藉助於第二氣體，晶圓(51c)可得到親水處理。
利用第一氣體之製程處理或利用第二氣體之親水處理完成後，第一桿(362)與第二桿(363)上升。托片(365)在與第二桿(363)一同上升的同時，自基座(320)升起處理對象物(50)。在處理對象物(50)支撐於托片(365)期間，搬送機器人進入製程腔室(310)內部，將持框架環(71)。搬送機器人自製程腔室(310)搬出處理對象物(50)。
該等實施例說明利用微波使得在處理空間外部產生電漿、將產生的電漿供應至處理空間內部並對處理對象物進行處理的基板處理設備。但不同於此，本發明之實施例可提供至在處理空間內部產生電漿及實施處理對象物處理的基板處理設備。圖13及圖14為展示本發明之實施例的在處理空間內部產生電漿及實施處理對象物處理之基板處理設備的圖。如圖13所示，本發明之實施例亦可應用於利用在處理空間內部實施電漿之發生及處理對象物之處理的電感耦合型電漿源方式(ICP)的基板處理設備。另外，如圖14所示，本發明之實施例亦可應用於利用在處理空間內部實施電漿之發生及處理對象物之處理的電容耦合 型電漿源方式(CCP)的基板處理設備。
以上詳細說明為對本發明之例示。另外，前述內容展示且說明本發明之較佳實施形態，本發明可在多樣的其他組合、變更及環境下使用。亦即，在本說明書中揭示的發明之概念的範圍、與所記載揭示內容等效之範圍及/或所屬領域之技術或知識的範圍內，可加以變更或修訂。所記載實施例說明用於體現本發明技術思想之最佳狀態，可進行本發明之具體應用領域及用途所要求的多種變更。因此，以上發明之詳細說明並非意欲將本發明限定於所揭示實施形態。另外，隨附申請專利範圍應解釋為亦包括其他實施狀態。
30‧‧‧基板處理設備
50‧‧‧處理對象物
51c‧‧‧晶圓
71‧‧‧框架環
72‧‧‧安裝用帶
310‧‧‧製程腔室
311‧‧‧主體
312‧‧‧密閉蓋
313‧‧‧排氣孔
314‧‧‧擴散空間
317‧‧‧排氣管線
320‧‧‧基座
321‧‧‧容納空間
322‧‧‧電極
323‧‧‧高頻電源
330‧‧‧擋板
331‧‧‧分配孔
340‧‧‧電漿產生部
341‧‧‧振盪器
342‧‧‧波導管
343‧‧‧介電管
350‧‧‧阻塞構件
351‧‧‧阻塞環
355‧‧‧升降構件
361‧‧‧移動桿
365‧‧‧托片
368‧‧‧驅動部
370‧‧‧氣體供應部
372‧‧‧第一氣體噴射單元
372a‧‧‧第一氣體供應管線
372b‧‧‧第一閥
372c‧‧‧第一氣體儲集部
374‧‧‧第二氣體噴射單元
374a‧‧‧第二氣體供應管線
374b‧‧‧第二閥
374c‧‧‧第二氣體儲集部
376‧‧‧氣體埠
380‧‧‧控制器
410‧‧‧排氣板
411‧‧‧排氣孔

Claims (14)

  1. 一種基板處理設備，其包括：製程腔室，係在內部形成有空間；基座，係位於該製程腔室內部以支撐處理對象物，該處理對象物包括框架環、固定於該框架環之內側面的安裝用帶，以及附著於該安裝用帶之頂部並完成背面研磨之晶圓；氣體供應部，係向該製程腔室內部供應製程氣體；電漿源，其使該製程氣體激發為電漿；高頻電源，係向在該基座上提供之電極接入高頻電力；以及阻塞構件，係覆蓋該框架環以使得該框架環不暴露於電漿。
  2. 如請求項1之基板處理設備，其中，該氣體供應部包括第一氣體噴射單元，其噴射用於移除該處理對象物表面之黏合劑殘留物的第一氣體。
  3. 如請求項2之基板處理設備，其中，該氣體供應部亦包括第二氣體噴射單元，其噴射用於該處理對象物之親水處理的第二氣體。
  4. 如請求項2之基板處理設備，其中，更包括控制器，其進行控制來使得在用自該第一氣體激發之電漿處理該處理對象物期間，該高頻電源產生高頻電力。
  5. 如請求項3之基板處理設備，其中，更包括控制器，其進行控制來使得在用自該第一氣體激發之電漿處 理該處理對象物期間，該高頻電源產生高頻電力。
  6. 如請求項5之基板處理設備，其中，該控制器進行控制來使得在用該電漿處理該處理對象物之後，該第二氣體噴射單元噴射該第二氣體。
  7. 如請求項3、5或6之基板處理設備，其中，該第一氣體為包含四氟化碳(CF4)之氣體。
  8. 如請求項7之基板處理設備，其中，該第二氣體為包含氬(Ar)、氧氣(O2)及氮氣(N2)中之一者之氣體。
  9. 如請求項1之基板處理設備，其中，該阻塞構件包括：阻塞環，係覆蓋該框架環；以及升降構件，其使該阻塞環升降。
  10. 如請求項1至6中任一項之基板處理設備，其中，該阻塞構件覆蓋該晶圓與該框架環之間及該框架環，以使得該安裝用帶不暴露於電漿。
  11. 如請求項10之基板處理設備，其中，該阻塞構件包括：阻塞環，係覆蓋該晶圓與該框架環之間及該框架環；以及升降構件，其使該阻塞環升降。
  12. 一種基板處理方法，包括以下步驟：將完成背面研磨之晶圓附著於在框架環上固定的安裝用帶以構成處理對象物的步驟；使該處理對象物位於連接高頻電源之基座的步驟；利用激發為電漿之第一氣體移除該晶圓表面之黏合 劑殘留物的步驟；以及將該框架環阻塞環覆蓋以使得不暴露於該電漿；其中，在移除該黏合劑殘留物的步驟中，藉助於該高頻電源而向該基座中接入高頻電力，以使得在該晶圓之表面上產生因該電漿導致的離子轟擊。
  13. 如請求項12之基板處理方法，其中，該安裝用帶經該阻塞環覆蓋以使得不暴露於該電漿。
  14. 如請求項12或13之基板處理方法，其中，移除該黏合劑殘留物的步驟完成後，在該處理對象物位於該基座之狀態下，利用第二氣體對該晶圓進行親水處理。
TW103139742A 2014-03-03 2014-11-17 基板處理設備及方法 TWI545644B (zh)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020140025085A KR101635451B1 (ko) 2014-03-03 2014-03-03 기판 처리 장치 및 방법

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201535497A true TW201535497A (zh) 2015-09-16
TWI545644B TWI545644B (zh) 2016-08-11

Family

ID=54243711

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW103139742A TWI545644B (zh) 2014-03-03 2014-11-17 基板處理設備及方法

Country Status (2)

Country Link
KR (1) KR101635451B1 (zh)
TW (1) TWI545644B (zh)

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4858395B2 (ja) * 2007-10-12 2012-01-18 パナソニック株式会社 プラズマ処理装置
KR100902613B1 (ko) * 2007-12-24 2009-06-11 세메스 주식회사 플라즈마 처리 장치 및 그의 처리 방법

Also Published As

Publication number Publication date
KR20150103530A (ko) 2015-09-11
KR101635451B1 (ko) 2016-07-01
TWI545644B (zh) 2016-08-11

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US9073385B2 (en) Plasma processing method for substrates
TWI553717B (zh) A focusing ring and a substrate processing device provided with the focusing ring
TWI559361B (zh) 基板處理裝置及其方法
US11145494B2 (en) Plasma processing apparatus
JP6319687B2 (ja) プラズマ処理装置及び方法
KR20160024730A (ko) 플라즈마 처리 장치
JP2014220410A (ja) プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法
CN105895488B (zh) 等离子体处理装置以及电子部件的制造方法
TWI555076B (zh) 基板處理設備及方法
JP6399435B2 (ja) プラズマ処理方法及び装置
TWI536485B (zh) 基板處理設備及基板處理方法
TWI545644B (zh) 基板處理設備及方法
JP2018078168A (ja) プラズマ処理方法およびプラズマ処理装置
TWI555075B (zh) 基板處理設備及基板處理方法
JP2015133460A (ja) ウェーハの分割方法
CN107154369A (zh) 等离子体处理方法
JP2017054854A (ja) プラズマ処理方法および電子部品の製造方法
US20140264954A1 (en) Passivation and warpage correction by nitride film for molded wafers
JP7045635B2 (ja) プラズマ処理装置及び方法
JP2014220409A (ja) プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法
KR101461060B1 (ko) 기판 처리 장치 및 방법
KR101431083B1 (ko) 웨이퍼 레벨 패키지용 기판을 처리하는 장치 및 방법
JP6704147B2 (ja) プラズマ処理方法、電子部品の製造方法およびプラズマ処理装置
JP6226117B2 (ja) プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法
JP6226118B2 (ja) プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法