TW201535063A - 極紫外光放射源、極紫外光光刻系統以及極紫外光光刻製程 - Google Patents

Abstract

本發明提供一種極紫外光放射源模組。極紫外光放射源模組包括一收集器，設計以收集及反射極紫外光線；一固體蓋，與收集器整合，且配置使一供應間隙形成於收集器及固體蓋之間；以及一氣體管路，與收集器整合。供應間隙提供氣體流一通道至放射源，位於收集器之邊緣。氣體管路包括一朝內入口和一朝外入口。

Description

在具有最佳空氣屏幕保護的超紫外光微影系統中的收集器

半導體積體電路工業已歷經蓬勃發展的階段。積體電路材料及設計在技術上的進步使得每一代生產的積體電路變得比先前生產的積體電路更小且其電路也變得更複雜。在積體電路發展的進程中，功能性密度(例如：每一個晶片區域中內連接裝置的數目)已經普遍增加，而幾何尺寸(例如：製程中所能創造出最小的元件(或線路))則是普遍下降。這種微縮化的過程通常可藉由增加生產效率及降低相關支出提供許多利益，但此種微縮化也增加了積體電路加工和製造上的複雜度。為了實現這樣的進展，積體電路加工和製造上也需要有相同的進步。舉例而言，需要發展較高解析度的光刻製程。其中一種光刻技術是極紫外光光刻(EUVL)。極紫外光光刻採用了利用極紫外光(EUV)區域中的波長大約為1~100nm的光進行掃描的掃描器。除了極紫外光掃描器使用反射光學元件而不是折射光學元件(即是反射鏡而不是透鏡)之外，和一些光學掃描器類似，一些極紫外光掃描器提供4X縮小投影曬像。

因此，雖然現有的光刻技術通常已經足以實現預期目的，但仍不能在所有方面完全滿足。

根據以下的詳細說明並配合所附圖式做完整揭露。應注意的是，根據本產業的一般作業，圖示並未必按照比例繪製。事實上，可能任意的放大或縮小元件的尺寸，以做清楚的說明。

第1圖係表示根據本發明一些實施例，極紫外光光刻系統和雷射產生電漿(LPP)極紫外光放射源示意圖。

第2圖係表示根據本發明一些實施例，第1圖中之極紫外光光刻系統的極紫外光放射源示意圖。

第3圖係表示根據本發明一些實施例，第1圖中之極紫外光光刻系統的極紫外光放射源示意圖。

第4圖係表示根據本發明一些實施例，第2、3圖中之極紫外光放射源的收集模組示意圖。

第5圖係表示根據本發明一些實施例，第4圖中之收集模組剖面示意圖。

第6及7圖係表示根據本發明一些實施例之收集模組局部剖面示意圖。

第8圖係表示根據本發明一些實施例之光刻製程流程圖。

本說明書以下的揭露內容提供許多不同的實施例或範例，以實施本發明的不同特徵。而以下的揭露內容是敘述 各個構件及其排列方式的特定範例，以求簡化發明的說明。當然，這些特定的範例並非用以限定本發明。例如，若是本說明書以下的揭露內容敘述了將一第一特徵形成於一第二特徵之上或上方，即表示其包含了所形成的上述第一特徵與上述第二特徵是直接接觸的實施例，亦包含了尚可將附加的特徵形成於上述第一特徵與上述第二特徵之間，而使上述第一特徵與上述第二特徵可能未直接接觸的實施例。另外，本發明的說明中不同範例可能使用重複的參考符號及/或用字。這些重複符號或用字係為了簡化與清晰的目的，並非用以限定各個實施例及/或所述外觀結構之間的關係。

此外，其與空間相關用詞。例如「下面」、「下方」、「較低的」、「上方」、「較高的」及類似的用詞，係為了便於描述圖示中一個元件或特徵與另一個(些)元件或特徵之間的關係。除了在圖式中繪示的方位外，這些空間相關用詞意欲包含使用中或操作中的裝置之不同方位。裝置可能被轉向不同方位(旋轉90度或其他方位)，則在此使用的空間相關詞也可依此相同解釋。

第1圖係表示一些實施例中之光刻系統示意圖。光刻系統10亦可統稱為一掃描器，可操作以分別的放射源和曝光模式施行曝光製程。在本實施例中，光刻系統10為一極紫外光(extreme ultraviolet,EUV)光刻系統，使用極紫外光線來曝光光阻層，其中光阻層為一對極紫外光線敏感之材料。極紫外光光刻系統10使用放射源12產生極紫外光線，例如波長介於1nm左右至100nm左右的極紫外光線。在一特定的實施例中，放射 源12產生波長約為13.5nm的極紫外光線。因此，放射源12亦可稱為極紫外光放射源12。在本實施例中，極紫外光放射源12利用雷射產生電漿(laser-produced plasma,LPP)之機構來產生極紫外光放射線，之後將進一步說明。

光刻系統10亦使用一照明裝置14。在各個實施例中，照明裝置14包括各種折射光學元件，例如一單一鏡片或一具有多種鏡片(波帶片)或反射光學件(對於極紫外光光刻系統)的鏡片系統，例如一單一反射鏡或一具有多種反射鏡的反射鏡系統以將放射源12的光導向一光罩平台16，特別是導向固定於光罩平台16的光罩18。在本實施例中，反射光學件被使用在放射源12產生極紫外光波長範圍內的光處。

光刻系統10亦包括光罩平台16以固定光罩18。在一些實施例中，光罩平台16包括靜電吸盤(e-chuck)以固定光罩18。這是因為氣體分子吸收極紫外光及極紫外光刻圖案化的光刻系統係保持在真空環境中，以避免極紫外光的強度損失。在本發明中，光罩、光掩模、光盤係代表相同的物品。在本實施例中，光刻系統10為一極紫外光光刻系統，且光罩18為一反射型光罩。光罩18包括具有合適材料的基板，例如低熱膨脹性之材料(LTEM)或熔融石英。在各個實施例中，低熱膨脹性之材料包括TiO₂摻雜SiO₂，或其他低膨脹性之合適材料。光罩18包括一複合反射複合層(ML)沉積於基板上。複合層包括複數個薄膜對(film pairs)，例如鉬-矽(Mo/Si)薄膜對(舉例而言，在每個薄膜對中，鉬層在矽層之上或之下)。或者，複合層可包括鉬-鈹(Mo/Be)薄膜對，或配置其他合適材料以高度反射極紫外光 線。光罩18更可包括一覆蓋層設置於複合層上以提供保護，例如釕(Ru)。光罩18更可包括一吸收層設置於複合層上，例如氮化鉭硼(TaBN)層。吸收層被圖案化以定義為一積體電路之層。或者，另一反射層可沉積於複合層上且被圖案化以定義一積體電路之層，從而形成一極紫外光相偏移光罩。

光刻系統10亦包括投影光學模組或投影光學盒20(POB)以形成光罩18的圖案於半導體基板22之上，其中半導體基板22固定於光罩系統10的基板平台24上。在各個實施例中，投影光學盒20具有折射光學件(例如在紫外光光刻系統中)或其他反射光學件(例如在極紫外光光刻系統中)。由光罩18導出之光帶著定義於光罩上之圖案的影像被投影光學盒20收集。照明元件14和投影光學盒20統稱為光刻系統10之一光學模組。

光刻系統10亦包括基板平台24以固定半導體基板22。在本實施例中，半導體基板22為一半導體晶圓，例如一矽晶圓或其他種類要被圖案化的晶圓。半導體基板22上塗布有對放射光束敏感的光阻層，例如本實施例中之極紫外光線。前述包含的各種元件將整合在一起且可操作以施行光刻曝光製程。

光學系統10更可包括其他模組或整合於(或連結於)其他模組。在一些實施例中，光刻系統10包括一氣體供應模組26以提供放射源12氫氣。

特別的是，第2圖更表示一些實施例中之放射源12示意圖。放射源12使用雷射產生電漿(LPP)之機構來產生電漿且進一步由電漿產生極紫外光。放射源12包括一雷射30，例如 脈衝二氧化碳雷射(pulse carbon dioxide(CO₂)laser)以產生雷射光束32。雷射光束被導向穿過一輸出窗口34，其中輸出窗口34整合在收集器36(亦稱為雷射產生電漿收集器或極紫外光收集器)中。輸出窗口34採用對於雷射光束合適的材料，大至為透明的。收集器36以合適的塗布材料和形狀設計，其作用為當作極紫外光收集件、反射件以及焦點的鏡子。在一些實施例中，收集器36設計上具有橢圓形幾何形狀。在一些實施例中，收集器36的塗布材料與極紫外光光罩18的反射複合層類似。在一些實施例中，收集器36的塗布材料包括一複合層(例如複數個鉬/鈹薄膜對)且可包括一覆蓋層(例如釕)塗布於複合層上以大幅反射極紫外光線。在一些實施例中，收集器36更可包括一光柵結構以有效地分散導在收集器36上的雷射光束。舉例而言，一氮化矽層被塗布於收集器36上且被圖案化已具有光柵圖案。

雷射光束32被導向以加熱一目標材料38，例如錫滴(Tin droplets)，從而產生高溫電漿，且其更進一步地製造極紫外光放射線40(或極紫外光線)。極紫外光放射線40被收集器36所收集。為了光刻曝光製程，收集器更反射且聚焦極紫外光放射線。

放射源12被配置在一封閉空間中(亦稱源容器)。當空氣開始吸收極紫外光放射線時，源容器被保持在一真空環境中。

放射源12更可與其他單元/模組整合或連結。舉例來說，氣體供應模組26與放射源12連結，藉此提供氫氣於各種 保護效果，包括有效地保護收集器36不被錫粒子(錫碎屑)污染。這可以藉由先前揭露之放射源12的設計和其使用方法達成。放射源12更可包括更多整合在一起之元件，例如第3圖所示。

第3圖係表示一些實施例中之放射源12示意圖。放射源12使用雷射產生電漿之機構。放射源12包括一雷射30，例如脈衝二氧化碳雷射以產生雷射光束32。雷射光束32被光束傳輸系統42引導至一聚焦透鏡44以聚焦雷射光束32，其中光束傳輸系統42例如以一或多個鏡子構成。雷射光束32接著被投射穿過與收集器36整合的輸出窗口34。雷射光束32聚焦於目標材料38，例如錫滴，藉此產生高溫電漿。錫滴由錫滴產生器46生產。 一錫捉捕器48更被配置以捉捕錫滴。由此產生的高溫電漿更製造被收集器36所收集的極紫外光放射線40。為了光刻曝光製程，收集器36更反射並聚焦極紫外光放射線。雷射30之脈衝和錫滴產生器46的滴生產率被控制為同步，因此錫滴38持續由雷射30的雷射脈衝獲得峰值功率。

放射源12更包括一中央屏障49被設計和配置以屏障雷射光束32。放射源12亦包括一中間焦點(intermediate focus,IF)蓋模組50，例如一中間焦點快速連接模組以提供中間焦點51至極紫外光放射線40。中間焦點蓋模組50可附加功能以屏障雷射光束32。

特別的是，當空氣開始吸收極紫外光放射線時，放射源12被封閉於一真空環境中。氣體供應模組26被連結於放射源12以在圖案中提供氫氣流而產生一氫氣層(亦稱為一空氣 幕)，以有效地保護收集器36的塗布表面(鏡面)不被錫粒子(錫碎屑)污染。氫氣流亦產生一吹洗錐52(purge cone)，如第3圖所示。在吹洗錐52中，氫氣流保護輸出窗口34不被污染且將往收集器36來的錫粒子吹走。

收集器36、輸出窗口34、氣體流管道和其他元件整合為一收集模組，以下將進一步說明。第4圖為一些實施例中之收集模組54立體示意圖，第5圖為一些實施例中之收集模組54剖面示意圖，第6及7圖為一些實施例中之收集模組54部分剖面示意圖。這些圖式是繪製用以說明收集模組54的一些方面。收集模組54之結構和其使用方法請參考第4~7圖一併說明。

請參閱第4和5圖，收集模組54包括收集器36，此收集器36具有恰當幾何形狀及用以收集、反射和聚焦由熱電漿產生的極紫外光放射線40之表面塗布，其中熱電漿是利用雷射光束32加熱錫滴所產生。收集模組54亦包括其他元件、結構或配置以提供氣體流60(包括60-1、60-2、60-3及60-4)至源容器，藉此方法有效地保護收集器36的塗布表面。

特別的是，收集模組54包括一固體蓋56，與收集器36整合。在一些實施例中，固體蓋56以合適的固體材料製成，例如不鏽鋼。固體蓋56被設計和配置圍繞極紫外光收集器36，一供應間隙57界定於兩者之間，其功用是作為在收集器36邊緣的一氣體通道，從而提供邊緣氣體流60-1。因為設計了固體蓋56，所以邊緣氣體流60-1得以不在邊緣被阻擋或屏障的流動。供應間隙57具有一尺寸「G」被設計以有效地供應氣體流至源容器。在一些實施例中，間隙尺寸「G」之範圍為5mm左 右至15mm左右。在一些實施例中，間隙尺寸「G」為10mm左右。

收集模組54亦包括一環狀框架58，與收集器36整合且配置在收集器36的中央。在一些實施例中，環狀框架58固定輸出窗口34。環狀框架58更內嵌氣體管路68連至源容器並靠近收集器36中央，給氣體流60-2使用。環狀框架58是由合適的固體材料製成，立如不鏽鋼。

進一步參照第6圖中更詳細的收集模組之部位66，氣體管路68被嵌埋於環狀框架58以提供氣體通道。氣體管路68具有一朝內入口(朝內開口)70和一朝外入口(朝外開口)72。朝內入口70被設計因此氣體流至靠近收集器之中央且形成吹洗錐，因而保護輸出窗口34不被污染且由氣體流帶走熱負荷。朝外入口72被設計因此氣體流至收集器36的塗布表面，且吹走並帶走錫碎屑，因而保護塗布表面不被錫碎屑污染。朝內和朝外入口70、72具有一合適的寬度尺寸「W」，如第6圖中右側所示。在一些實施例中，寬度尺寸「W」之範圍為3mm左右至7mm左右。在一些實施例中，寬度尺寸「W」為5mm左右。

包括氣體管路68和供應間隙57的所有的氣體通道皆連結氣體供應模組26(如第1圖所示)以經由前述氣體通道提供氣體流。在一些實施例中，氣體供應模組26提供氫氣且可操作控制氣體流量。氫氣是在各種考量下被應用。氫氣對於極紫外光放射線具有較少的吸收效果，抵達收集器36的塗布面(及輸出窗口34)之氫氣可有效地從這些表面去除污染。其他合適的氣體可以擇一或添加使用。

進一步參照第7圖，這樣設計的收集模組56配合氣體供應模組26可以提供氫氣流60經由各種氣體通道(供應間隙57和氣體管路68)至源容器。特別的是，氣體流60包括穿過供應間隙57的邊緣氣體流60-1和穿過嵌埋於環狀框架58之內的氣體管路60的中央氣體流60-2。中央氣體流60-2接著分成穿過朝內入口70的一上部氣體流60-3和穿過朝外入口72的側邊氣體流60-4。

各種氣體流整合在源容器中以形成一氣體流圖案，包括靠近輸出窗口34的吹洗錐和在收集器36的塗布表面上的空氣幕，因此分別提供了對於輸出窗口34和極紫外光收集器36有效的防護。特別的是，邊緣氣體流60-1穿過供應間隙57而沒有被固體蓋屏障導致其流動方向改變(如第5圖所示)。側邊氣體流60-4受限於朝外入口72且導向收集器36的塗布表面，因此形成一空氣幕(氫氣幕)在塗布表面上，包括其邊緣部分。由於邊緣氣體流60-1並非直接朝向塗布表面，空氣幕將保持而不被打斷且覆蓋收集器的整個塗布表面，包括其邊緣部分。空氣幕的功用為當作在各方面保護塗布表面之一保護層，包括藉由氫氣流帶走錫碎屑，及更進一步地從塗布表面清除錫粒子如果氫氣存在，例如藉由氫氣的機械力。

藉由恰當的控制邊緣氣體流60-1和中央氣體流60-2，空氣幕可在更多保護效用上被最佳化。在一些實施例中，邊緣氣體流60-1和中央氣體流60-2的流量可被控制在50公升/分鐘(單位時間下標準公升數，SLM)左右至70公升/分鐘。

除了空氣幕對於收集器36的保護外，由上部氣體 流60-4形成的吹洗錐亦有效地保護了輸出窗口34。因此，不需要增加氣體流量和對應的設施成本，有效的保護機構可藉由使用收集模組54達到。

第8圖係表示一些實施例中利用光刻系統10施行極紫外光刻製程的方法100流程圖。

方法100包括一作業102，裝載一極紫外光光罩(例如光罩18)至可操作施行一紫外光光刻曝光製程的光刻系統10。光罩18包括一積體電路圖案要被轉移至一半導體基板，例如晶圓22。作業102更可包括各種步驟，例如將光罩18固定在光罩平台16上且執行校準。

方法100包括一作業104，裝載晶圓22至光刻系統10。晶圓22塗布有光阻層。在本實施例中，前述光阻層為對光刻系統10的放射源12發出的極紫外光放射線敏感。

方法100包括一作業106，提供氫氣至放射源12，從而產生一空氣幕作為收集器36之塗布表面的保護層，且更產生一吹洗錐以保護輸出窗口34。特別的是，氫氣經由各種氣體通道包括供應間隙57和氣體管路68流至放射源12。作業106包括控制到間隙57和氣體管路68的氣體流量。在一些實施例中，流量(例如60-1和60-2)被逐一控制在各自的範圍以最佳化空氣幕和吹洗錐的保護效率。

方法100包括一作業108，在光刻系統10中對晶圓24施行一光刻曝光製程。在作業108中，雷射30和錫滴產生器46被啟動為同步模式(雷射脈衝和錫產生率為同步)經由一合適的機構，例如一具有計時器的控制電路以控制及同步兩者。在 一些實施例中，作業106中的氫氣流在整個作業108期間仍保留。在作業108期間，放射源12產生的極紫外光放射線照射至光罩18上(藉由照明裝置14)，且更投射在塗布於晶圓24的光阻層上(藉由投影光學盒20)，從而形成一潛影在光阻層上。在一些實施例中，光刻曝光製程在掃描模式(scan mode)下被施行。

方法100可包括其他作業以完成光刻製程。舉例來說，方法100可包括一作業110，顯影被曝光的光阻層以形成一光阻圖案，其中光阻圖案具有許多定義於其上的開口。特別的是，待光刻曝光製程的作業108結束後，晶圓24被運送到光刻系統10外的一顯影單元以對光阻層施行顯影製程。方法100更可包括其他作業，例如各種烘烤步驟。舉個例子來說，方法100可包括一曝光後烘烤(post-exposure baking,PEB)步驟在作業108和110之間。

方法100更可包括其他作業，例如一作業112經由光阻圖案的開口對晶圓實施一製造製程。舉個例子來說，製造製程包括針對晶圓的一蝕刻製程且將光阻圖案當作一蝕刻光罩。在另一實施例中，製造製程包括針對晶圓的一離子植入製程且將光阻圖案當作一植入光罩。

在未背離本發明之精神和範圍之下可存在其他替換或實施例。在一例子中，供應間隙57、朝內入口70和朝外入口72可被設計具有相異的尺寸以對於空氣幕和吹洗錐優化。在另一實施例中，其他種類的極紫外光光罩可被應用以提升光刻曝光製程中的分解，例如一相偏移極紫外光光罩。在另一實施例中，目標材料可使用其他合適的材料以產生高溫電漿。

在雷射產生電漿極紫外光放射源中，由錫(Sn)滴產生的熱電漿被雷射脈衝加熱。熱電漿接著產生極紫外光放射線。放電產生電漿極紫外光源(DPP EUV source)的壽命因為各種因素而有所限制。特別是，錫粒子可能沉積在極紫外光收集鏡的塗布表面，降低極紫外光收集鏡的效率並減少其壽命。前述揭露的雷射產生電漿極紫外光放射源的結構和使用方法有效地解決了此問題，且增加了收集鏡的壽命。

本發明提供一種經由雷射產生電漿產生的極紫外光放射源。極紫外光放射源包括一收集器與一氣體機構整合以提供氫氣流，從而在收集器的塗布表面上形成如一保護層的一空氣幕，以及更產生一吹洗錐以保護輸出窗口。特別的是，放射源12被設計包括一供應間隙在收集器的邊緣，以及一朝內入口和一朝外入口在靠近收集器中央處。在光刻曝光製程期間，各種氫氣流過供應間隙、朝內入口和朝外入口在極紫外光收集產生和維持空氣幕以及在輸出窗口產生和維持吹洗錐。各種作業包括控制氣體流量可最佳化空氣幕和吹洗錐的保護效率。本發明亦提供一種具有極紫外光放射源的極紫外光光刻系統和其使用方法。

本發明之實施例提供與現存技藝相較之優點，然而應了解的是，其他實施例可提供不同的優點，並非所有的優點皆須在此討論，且無特定優點為所有實施例所必要。藉由先前揭露的極紫外光放射源、極紫外光光刻系統和對應的方法，對於收集器的污染可減低且收集器的壽命可顯著地增加。實驗顯示現存的方法並無法有效地減少污染。沒有朝外出口的話， 氣體流即無法形成氣體層以覆蓋收集器的整個塗布表面，特別是收集器的邊緣部分。在這種強況下，收集器的邊緣會具有更多的污染，且就算僅在一短暫的時間內，一些失敗的污染圖案呈現，例如數千兆(~10⁹)雷射脈衝。這限制了收集器的壽命。藉由先前揭露的極紫外光放射源的結構和對應的方法，空氣幕覆蓋收集器的整個塗布表面，包括其邊緣部分。先前揭露的收集器結構使用適度流量可有效地保護收集器且節省設備成本。

因此，根據一些實施例，本發明提供了一種極紫外光放射源模組。極紫外光放射源模組包括一收集器以收集及反射極紫外光線；一固體蓋與收集器整合且配置使一供應間隙形成於收集器及固體蓋之間；以及一氣體管路與收集器整合。供應間隙提供氣體流位於收集器邊緣之一通道至放射源。氣體管路包括一朝內入口和一朝外入口。

根據一些實施例，本發明提供了一種極紫外光光刻系統。紫外光光刻系統包括一放射源，此放射源更包括一收集器以收集和反射極紫外光線；以及一氣體流機構與收集器整合，且設計以提供當作收集器之一保護層的一空氣幕。空氣流機構包括具有一朝內入口和一朝外入口的一氣體管路。極紫外光光刻系統亦揭露一光罩平台，配置以固定一極紫外光光罩；一晶圓平台，配置以固定一半導體晶圓；以及一光學模組，設計以從放射源引導極紫外光放射線，將定義於極紫外光光罩上的一積體電路圖案翻製於半導體晶圓上。

根據一些實施例，本發明提供一種極紫外光光罩製程以圖案化一目標。極紫外光光刻製程包括裝載一極紫外光 光罩至具有一放射源之一極紫外光光刻系統；一光罩平台配置以固定極紫外光光罩；一晶圓平台配置以固定一半導體晶圓；以及一光學模組設計以從放射源引導極紫外光放射線，將定義於極紫外光光罩上的一積體電路圖案翻製於半導體晶圓上。放射源包括一收集器，設計以收集及反射極紫外光線；以及一氣體流機構與收集器整合，且設計以提供當作收集器之一保護層的一空氣幕。空氣流機構包括具有一朝內入口和一朝外入口的一氣體管路。極紫外光光刻製程更包括經由朝內及朝外入口提供一氫氣至放射源；以及利用來自放射源的極紫外光線曝光極紫外光光罩，由於氫氣在收集器上形成一空氣幕，藉以保護收集器不被污染。

以上概略說明了本發明數個實施例的特徵，使所屬技術領域中具有通常知識者可更為容易理解本發明的各面向。任何所屬技術領域中具有通常知識者應瞭解到本說明書可輕易作為其它結構或製程的變更或設計基礎，以進行相同於本發明實施例的目的及/或獲得相同的優點。任何所屬技術領域中具有通常知識者也可理解與上述等同的結構或製程並未脫離本發明之精神和保護範圍內，且可在不脫離本發明之精神和範圍內，當可作更動、替代與潤飾。

Claims (21)

1. 一種極紫外光放射源模組，包括：一收集器，設計以收集及反射電漿產生的極紫外光線；一固體蓋，與該收集器整合，且配置使一供應間隙形成於該收集器及該固體蓋之間，其中該供應間隙提供氣體流一通道至該放射源，且該供應間隙位於該收集器之邊緣；以及一氣體管路，與該收集器整合，其中該氣體管路包括一朝內入口和一朝外入口。
2. 如申請專利範圍第1項所述之極紫外光放射源模組，其中該供應間隙、該朝內入口和該朝外入口被配置且可操作以在該收集器上形成一空氣幕，藉以保護該收集器不被污染。
3. 如申請專利範圍第1項所述之極紫外光放射源模組，更包括一環狀框架，與該收集器整合，其中該氣體管路埋設於該環狀框架中。
4. 如申請專利範圍第3項所述之極紫外光放射源模組，其中該收集器塗布有一反射層以反射極紫外光線；以及該固體蓋和該環狀框架由不鏽鋼製成。
5. 如申請專利範圍第3項所述之極紫外光放射源模組，其中該供應間隙具有介於5mm左右至15mm左右之一第一尺寸；以及該些朝內及朝外入口包括介於3mm左右至7mm左右之一第二尺寸。
6. 如申請專利範圍第3項所述之極紫外光放射源模組，更包括 一雷射產生電漿機構，該雷射產生電漿機構包括：一目標滴產生器，設計以產生目標滴；以及一雷射以產生一雷射能量，從而利用該雷射能量加熱目標滴產生電漿。
7. 如申請專利範圍第6項所述之極紫外光放射源模組，更包括一輸出窗口，對於該雷射能量來說為透明的且配置於該環狀框架中。
8. 如申請專利範圍第7項所述之極紫外光放射源模組，其中該供應間隙、該朝內入口和該朝外入口被配置且可操作以在靠近該輸出窗口處形成一吹洗錐，藉以保護該輸出窗口不被污染。
9. 一極紫外光光刻系統，包括：一放射源，其中該放射源更包括：一收集器，設計以收集及反射極紫外光線；以及一氣體流機構，與該收集器整合，且設計以提供作為該收集器之一保護層的一空氣幕，其中該氣體流機構包括具有一朝內入口和一朝外入口的一氣體管路；一光罩平台，配置以固定一極紫外光光罩；一晶圓平台，配置以固定一半導體晶圓；以及一光學模組，設計以從該放射源引導極紫外光放射線，並將定義於該極紫外光光罩上的一積體電路圖案翻製於該半導體晶圓上。
10. 如申請專利範圍第9項所述之極紫外光光刻系統，其中該放射源更包括一固體蓋，與該收集器整合，配置使一供應間 隙形成於該收集器及該固體蓋之間，且該供應間隙提供氣體流位於該收集器邊緣之一通道至該放射源。
11. 如申請專利範圍第10項所述之極紫外光光刻系統，更包括一氣體供應模組，以提供一氫氣至該放射源，其中該供應間隙、該朝內入口和該朝外入口被配置且可操作以在該收集器上形成一空氣幕，藉以保護該收集器不被污染。
12. 如申請專利範圍第9項所述之極紫外光光刻系統，其中該放射源更包括一環狀框架，與該收集器整合，且該氣體流機構包括埋設於該環狀架構之一氣體管路。
13. 如申請專利範圍第12項所述之極紫外光光刻系統，其中該收集器塗布有一反射層以反射極紫外光線；該固體蓋和該環狀框架由不鏽鋼製成；該供應間隙具有介於5mm左右至15mm左右之一第一尺寸；以及該些朝內及朝外入口包括介於3mm左右至7mm左右之一第二尺寸。
14. 如申請專利範圍第12項所述之極紫外光光刻系統，其中該放射源更包括一雷射產生電漿機構，該雷射產生電漿機構包括：一目標滴產生器，設計以產生目標滴；以及一雷射以產生一雷射能量，從而利用該雷射能量加熱目標滴產生電漿。
15. 如申請專利範圍第14項所述之極紫外光光刻系統，其中該放射源更包括一輸出窗口，對於該雷射能量來說為透明的 且配置於該環狀框架中。
16. 如申請專利範圍第15項所述之極紫外光光刻系統，其中該供應間隙、該朝內入口和該朝外入口被配置且可操作以在靠近該輸出窗口處形成一吹洗錐，藉以保護該輸出窗口不被污染。
17. 一種極紫外光光刻製程以圖案化一目標，包括：裝載一極紫外光光罩至一極紫外光光刻系統，其中該紫外光光刻系統包括：一放射源，包括一收集器，設計以收集及反射極紫外光線；以及一氣體流機構，與該收集器整合，且設計以提供作為該收集器之一保護層的一空氣幕，其中該氣體流機構包括具有一朝內入口和一朝外入口的一氣體管路；一光罩平台，配置以固定一極紫外光光罩；一晶圓平台，配置以固定一半導體晶圓；以及一光學模組，設計以從該放射源引導極紫外光放射線，並將定義於該極紫外光光罩上的一積體電路圖案翻製於該半導體晶圓上。提供一氫氣至該放射源，其中該氫氣穿過該些朝內及朝外入口；以及利用由該放射源來的該極紫外光曝光該極紫外光光罩，其中該氫氣在該收集器上形成一空氣幕，藉以保護該收集器不被污染。
18. 如申請專利範圍第17項所述之極紫外光光刻製程，其中 該放射源更包括一固體蓋，與該收集器整合，且配置使一供應間隙形成於該收集器及該固體蓋之間；以及提供該氫氣至該放射源包括在該收集器之邊緣提供該氫氣至該放射源，其中該氫氣穿過該供應間隙。
19. 如申請專利範圍第18項所述之極紫外光光刻製程，其中提供該氫氣至該放射源之步驟包括提供具有一第一流量之一第一氣體流至該氣體管路，以及具有一第二流量之一第二氣體流至該供應間隙。
20. 如申請專利範圍第19項所述之極紫外光光刻製程，其中提供該氫氣至該放射源之步驟包括該氫氣流經該供應間隙、該朝內入口和該朝外入口，從而在該收集器上形成一空氣幕，藉以保護該收集器不被污染。
21. 如申請專利範圍第19項所述之極紫外光光刻製程，其中提供該氫氣至該放射源之步驟包括該氫氣流經該供應間隙、該朝內入口和該朝外入口，從而在靠近一輸出窗口處形成一吹洗錐，藉以保護該輸出窗口不被污染。