TW201529176A - 液體處理治具及液體處理方法 - Google Patents

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Abstract

本發明之課題在於適當地進行對於被處理體之處理液之供給至排出，且適當地處理該被處理體。 模板20包括：液體處理部23，其形成於模板20之正面20a，用以藉由鍍敷液而對晶圓進行鍍敷處理；液體供給部21，其對液體處理部23供給鍍敷液；液體排出部25，其自液體處理部23排出鍍敷液；液體供給路徑22，其將液體供給部21與液體處理部23連接；及液體排出路徑24，其將液體處理部23與液體排出部25連接。液體供給部21、液體供給路徑22、液體處理部23、液體排出路徑24、液體排出部25以使鍍敷液藉由其毛細管現象而流通之方式設置。

Description

液體處理治具及液體處理方法
本發明係關於一種用以使用處理液對被處理體進行特定之處理之液體處理治具及使用該液體處理治具之液體處理方法。
近年來，要求半導體裝置之高性能化，而不斷推進半導體元件之高積體化。於該狀況下，擔憂於將複數個經高積體化之半導體元件配置於水平面內，並利用佈線連接該等半導體元件而製造半導體裝置之情形時，佈線長度會增大，而因此導致佈線之電阻變大，又佈線延遲變大。
因此，提出了三維地積層半導體元件之三維積層技術。於該三維積層技術中，以貫通藉由對背面進行研磨而薄化且正面形成有複數個電子電路之半導體晶圓(以下稱為「晶圓」)之方式，形成複數個例如具有100μm以下之細微之直徑之電極、所謂貫通電極(TSV：Through Silicon Via)。而且，經由該貫通電極而電性連接上下積層之晶圓。
於形成上述貫通電極之方式中，研究有各種方式。例如，專利文獻1中提出了如下情況，即，使用具備鍍敷液等之流通路徑之模板，例如於晶圓之貫通孔內進行電解鍍敷而形成貫通電極。具體而言，首先，將模板與晶圓對向地配置之後，自模板之流通路徑藉由毛細管現象對晶圓之貫通孔內供給鍍敷液。其後，將模板側之電極設為陽極、將晶圓側之對向電極設為陰極而施加電壓，並於貫通孔內進行 鍍敷處理而於該貫通孔內形成貫通電極。
[先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本專利特開2013-108111號公報
於通常進行之鍍敷處理中，藉由一面攪拌鍍敷液一面進行處理而穩定地將離子供給至陰極。然而，根據專利文獻1中記載之方法，自模板之流通路徑對晶圓之貫通孔供給鍍敷液，但並未考慮排出鍍敷液之情況。如此一來，鍍敷液會滯留於貫通孔內，而隨著鍍敷析出，鍍敷液中之離子減少，因此無法高效率地進行處理。
又，專利文獻1中亦提出了使用鍍敷液以外之其他處理液、例如蝕刻液對晶圓進行鍍敷處理以外之其他處理之情況。然而，於無論進行何種處理之情形時，均存在上述問題，即，無法適當地排出處理液，而無法高效率地進行處理。因此，液體處理有改善之餘地。
本發明係鑒於該方面而完成者，其目的在於適當地進行對被處理體之處理液之供給至排出，而適當地處理該被處理體。
為了達成上述目的，本發明之特徵在於：其係用以使用處理液對被處理體進行特定之處理之液體處理治具，且包括：液體處理部，其形成於上述液體處理治具之正面，用以藉由處理液對被處理體進行特定之處理；液體供給部，其對上述液體處理部供給處理液；液體供給路徑，其將上述液體供給部與上述液體處理部連接，自該液體供給部對液體處理部供給處理液；及液體排出路徑，其自上述液體處理部排出處理液；且上述液體供給部、上述液體供給路徑、上述液體處理部及上述液體排出路徑以使處理液藉由其毛細管現象而流通之方式設 置。
根據本發明，由於在液體處理部連接有液體供給路徑及液體排出路徑，故而可始終自液體供給路徑對液體處理部供給清新之處理液，又，可使處理液不滯留於液體處理部而自液體排出路徑排出。因此，可於液體處理部適當地處理被處理體。並且，自液體供給部通過液體供給路徑及液體處理部至液體排出路徑為止，處理液僅藉由其毛細管現象而流通。即，當處理液流通時，例如，無需泵等驅動機構。因此，可使用液體處理治具高效率地處理被處理體。
上述液體處理治具進而具有液體排出部，該液體排出部連接於上述液體排出路徑之一端，且排出來自上述液體處理部之處理液，上述液體排出部具有收納處理液之特定之容積，亦可藉由毛細管現象通過上述液體排出路徑抽吸處理液。
上述液體排出部亦可具有延伸之槽或管。或者，上述液體排出部亦可具有多孔質部。
上述液體處理治具進而具有用以對上述液體處理部之處理液施加電壓之電極，於上述液體處理部中進行之特定之處理亦可為電解處理。
上述液體處理部亦可具備具有親水性之親水區域。
上述液體供給部亦可連續地供給不同之處理液。
上述液體供給路徑亦可至少具有使上述液體處理治具於厚度方向延伸之管或於上述液體處理治具之面方向延伸之槽。
上述液體供給路徑亦可設置有複數個。
上述液體排出路徑亦可至少具有使上述液體處理治具於厚度方向延伸之管或於上述液體處理治具之面方向延伸之槽。
上述液體排出路徑亦可設置有複數個。
另一觀點之本發明之特徵在於：其係使用液體處理治具對被處 理體之處理區域進行特定之處理之液體處理方法，且上述液體處理治具包括：液體處理部，其形成於該液體處理治具之正面，用以藉由處理液對被處理體進行特定之處理；液體供給部，其對上述液體處理部供給處理液；液體供給路徑，其將上述液體供給部與上述液體處理部連接，自該液體供給部對液體處理部供給處理液；及液體排出路徑，其自上述液體處理部排出處理液；上述液體處理方法包括：配置步驟，其以上述液體處理部與被處理體之處理區域對向之方式配置上述液體處理治具；及處理步驟，其使處理液藉由其毛細管現象自上述液體供給部向上述液體排出路徑流通，且於上述液體處理部中藉由流通中之處理液對被處理體進行特定之處理。
上述液體處理治具亦可進而具有液體排出部，該液體排出部連接於上述液體排出路徑之一端，排出來自上述液體處理部之處理液，於上述處理步驟中，上述液體排出部具有收納處理液之特定之容積，藉由毛細管現象通過上述液體排出路徑而抽吸處理液。
上述液體處理治具亦可進而具有用以對上述液體處理部之處理液施加電壓之電極，於上述處理步驟中進行之特定之處理亦可為電解處理。
上述液體處理部亦可具備具有親水性之親水區域。
於上述處理步驟中，亦可自上述液體供給部連續地供給不同之處理液，於上述液體處理部中連續地進行不同之處理。
根據本發明，可適當地進行對於被處理體之處理液之供給至排出，而適當地處理該被處理體。
10‧‧‧晶圓
10a‧‧‧晶圓10之正面
10b‧‧‧晶圓10之背面
11‧‧‧貫通孔
12‧‧‧晶圓側電極
20‧‧‧模板
20a‧‧‧模板20之正面
20b‧‧‧模板20之背面
21‧‧‧液體供給部
21a‧‧‧液體供給口
22‧‧‧液體供給路徑
23‧‧‧液體處理部
23a‧‧‧開口部
24‧‧‧液體排出路徑
25‧‧‧液體排出部
25a‧‧‧排出口
26‧‧‧模板側電極
30‧‧‧直流電源
40‧‧‧鍍銅
50‧‧‧貫通電極
60‧‧‧親水區域
61‧‧‧親水區域
70‧‧‧親水區域
71‧‧‧槽部
72‧‧‧親水區域
C‧‧‧洗淨液
E‧‧‧蝕刻液
M‧‧‧鍍敷液
X‧‧‧多孔質體
圖1係表示晶圓之構成之概略之縱剖面圖。
圖2係表示模板之構成之概略之縱剖面圖。
圖3係表示液體供給部之構成之概略之俯視圖。
圖4係表示液體排出部之構成之概略之俯視圖。
圖5係表示另一實施形態之模板之構成之概略之縱剖面圖。
圖6係表示於晶圓配設模板之情況之說明圖。
圖7係表示經由液體處理部對貫通孔供給鍍敷液，並對該鍍敷液施加電壓之情況之說明圖。
圖8係表示使貫通孔內析出鍍銅之情況之說明圖。
圖9係表示於貫通孔內形成有貫通電極之情況之說明圖。
圖10係表示另一實施形態之模板之構成之概略之縱剖面圖。
圖11係表示另一實施形態之液體供給部之構成之概略之俯視圖。
圖12係表示另一實施形態之液體供給部之構成之概略之俯視圖。
圖13係表示另一實施形態之模板之構成之概略之縱剖面圖。
圖14係表示另一實施形態之模板之構成之概略之縱剖面圖。
圖15係表示另一實施形態之模板之構成之概略之縱剖面圖。
圖16係表示於另一實施形態中於晶圓配設有模板之情況之說明圖。
圖17係表示於另一實施形態中對晶圓進行蝕刻而形成貫通孔之情況之說明圖。
圖18係表示於另一實施形態中對晶圓之正面進行洗淨之情況之說明圖。
以下，對本發明之實施形態進行說明。於本實施形態中，作為於作為本發明之被處理體之晶圓進行之處理，對在形成於晶圓之貫通孔內形成貫通電極之鍍敷處理，與該鍍敷處理中使用之晶圓及作為液體處理治具之模板之構成一同進行說明。再者，於以下說明中使用之 圖式中，由於優先考慮技術理解之容易性，故而各構成要素之尺寸未必與實際之尺寸對應。
首先，對本實施形態之鍍敷處理中使用之晶圓及模板之構成進行說明。如圖1所示，於晶圓10形成有自晶圓10之正面10a至背面10b於厚度方向貫通之貫通孔11。於本實施形態中，貫通孔11之內部與本發明中之處理區域對應。於各貫通孔11之背面10b側，設置有與下述之模板20之模板側電極26對應之晶圓側電極12。再者，圖1中僅圖示有一個貫通孔11，但實際上於晶圓10形成有複數個貫通孔11。又，與此對應，晶圓側電極12亦設置有複數個。
於晶圓10之背面10b形成有包含電子電路或佈線等之元件層(未圖示)。上述晶圓側電極12配置於該元件層。又，晶圓10經薄化，且於晶圓10之背面10b側，設置有用以支持經薄化之晶圓10之支持基板(未圖示)。支持基板例如使用矽晶圓或玻璃基板。再者，上述晶圓側電極12亦可設置於支持基板。
圖2所示之模板20例如具有大致圓盤形狀，且具有與晶圓10之俯視下之形狀相同之形狀。模板20中例如使用碳化矽(SiC)等。
於模板20依序連接設置有液體供給部21、液體供給路徑22、液體處理部23、液體排出路徑24、及液體排出部25。液體處理部23形成於模板20之正面20a。液體供給部21及液體排出部25分別形成於模板20之背面20b。液體供給路徑22及液體排出路徑24分別形成於模板20之內部。再者，於圖2中，模板20以正面20a位於下側且背面20b位於上側之方式予以圖示。
於液體供給部21中例如使用為了供給鍍敷液而可貯存之槽。於本實施形態中，如圖3所示，將液體供給部21內部設為如液體蜿蜒行進之細槽構造。於此情形時，鍍敷液自液體供給口21a供給。液體供給部21連接於液體供給路徑22，一面於液體供給部21內蜿蜒一面行進 而來之鍍敷液進入至液體供給路徑22。液體供給路徑22如圖2所示般係沿模板20之厚度方向延伸之細管且連接於液體處理部23。再者，作為鍍敷液例如使用將硫酸銅與硫酸溶解所得之混合液。如此，藉由將自液體供給口21a至液體處理部23為止由細槽、或細管構成，而使處於其內部之鍍敷液產生毛細管現象。因此，即便不賦予泵等之外力亦可將鍍敷液搬送至液體處理部23。再者，於本實施形態中，液體供給部21之內部設為液體蜿蜒之細槽構造，但液體供給部21之內部之構成並不限定於此，可任意地設計。
液體處理部23具有於模板20之正面20a開口之開口部23a。當如下述般將模板20配置於晶圓10之正面10a側時，開口部23a相對於該晶圓10之貫通孔11形成於供給及排出鍍敷液之位置。即，於液體處理部23，自液體供給路徑22供給之鍍敷液經由開口部23a被供給至晶圓10之貫通孔11，而藉由該鍍敷液進行鍍敷處理。又，鍍敷液經由開口部23a被排出至液體排出路徑24。
液體排出路徑24連接於液體處理部23，係沿模板20之厚度方向延伸之細管，且連接於液體排出部25。
液體排出部25中例如使用為了排出鍍敷液而可貯存之槽。液體排出部25具有收納鍍敷液之特定之容積。於本實施形態中，如圖4所示，由於液體排出部25內部蜿蜒之細槽構成。如此，藉由將自液體排出路徑24至液體排出部25為止由細管、或細槽構成，而設為使處於其內部之鍍敷液產生毛細管現象之構造。因此，即便不使用泵等之外力，亦可排出供給至液體處理部23處理之處理液。於液體排出部25內，由於使供鍍敷液蜿蜒之流路緩緩前進，故而此期間對液體處理部23進行新鍍敷液之供給及處理後之鍍敷液之排出。如此，於液體處理部23中，始終供給清新之鍍敷液，鍍敷液不會滯留，因此可適當地進行該鍍敷處理。再者，於本實施形態中，液體排出部25之內部設為蜿 蜒之細槽構造，但液體排出部25之內部之構成並不限定於此，可任意地設計。
如圖2所示，於模板20之內部設置有用以對液體處理部23之鍍敷液施加電壓之模板側電極26。模板側電極26配置於液體處理部23之上方且液體供給路徑22與液體排出路徑24之間。
其次，對以上模板20中之液體供給部21、液體供給路徑22、液體處理部23、液體排出路徑24、及液體排出部25之尺寸等之構成進行說明。
首先，該等液體供給部21、液體供給路徑22、液體處理部23、液體排出路徑24、液體排出部25以自液體供給部21至液體排出部25使鍍敷液藉由毛細管現象而流通之方式設計。
由於如上述般，於液體供給部21與液體排出部25之間，使鍍敷液藉由毛細管現象而流通，故而於自液體供給部21之液體供給口21a至液體排出部25之排出口25a之鍍敷液之流通路徑(液體供給路徑22、液體處理部23、液體排出路徑24)中，使該流通路徑之直徑逐漸變小。另一方面，即便如此般使液體排出路徑24之直徑較小，亦必須使該液體排出路徑24中之鍍敷液之流量與液體供給路徑22中之鍍敷液之流量相等。即，必須使液體排出路徑24內之表面積與液體供給路徑22內之表面積相等。
再者，於本實施形態中，由蜿蜒之流路形成液體排出部25，但並不限於此。如圖5所示，亦可由多孔質體X構成液體排出部25。毛細管現象對通過液體排出路徑24而進入至多孔質體X之鍍敷液起作用。如海綿吸收水般多孔質體X亦吸收鍍敷液，因此，發揮自液體排出部25汲取鍍敷液之作用。
液體供給部21、液體供給路徑22、液體處理部23、液體排出路徑24、液體排出部25係基於上述設計思想而決定其尺寸等。對於具體 之尺寸，可使用公知之拉普拉斯式等算出，或者亦可進行模擬或實驗等而導出。
其次，對使用如上述般構成之晶圓10及模板20之鍍敷處理進行說明。
首先，如圖6所示般，於晶圓10之正面10a側配設模板20。此時，模板20係以貫通孔11與液體處理部23對向之方式調整位置而配置。再者，圖6中，於模板20與晶圓10之間描繪有間隙，但實際上該間隙非常小，如下述般，自液體處理部23供給之鍍敷液可直接進入至貫通孔11內部。
如圖7所示，於晶圓側電極12及模板側電極26連接直流電源30。 晶圓側電極12連接於直流電源30之負極側。模板側電極26連接於直流電源30之正極側。再者，直流電源30用作相對於模板20中之複數個晶圓側電極12及複數個模板側電極26共用之電源。
其後，對液體供給部21供給鍍敷液M，該鍍敷液M藉由其毛細管現象而自液體供給部21流通至液體排出部25。此時，自液體供給路徑22供給至液體處理部23之鍍敷液M經由開口部23a而被供給至晶圓10之貫通孔11。而且，於貫通孔11內填充鍍敷液M。
其後，藉由直流電源30，將模板側電極26設為陽極，將晶圓側電極12設為陰極，而對鍍敷液M施加電壓。如此一來，對貫通孔11內之鍍敷液M進行電解鍍敷，而如圖8所示般於貫通孔11內析出鍍銅40。
其後，於貫通孔11內進行鍍敷處理後之鍍敷液M經由開口部23a而被排出至液體排出路徑24。如此，於液體處理部23中，始終連續地供給清新之鍍敷液M，鍍敷液M不會滯留。因此，可於貫通孔11內均勻地析出鍍銅40。
而且，藉由連續地進行該鍍敷處理，鍍銅40成長，且如圖9所示 般於貫通孔11內形成貫通電極50。
根據以上實施形態，於模板20中於液體處理部23連接有液體供給路徑22及液體排出路徑24，因此，可始終自液體供給路徑22對液體處理部23供給清新之處理液，又，可使鍍敷液M不滯留於液體處理部23而自液體排出路徑24排出。因此，可適當地進行液體處理部23中之鍍敷處理。
又，於模板20中，可使鍍敷液M自液體供給部21至液體排出部25僅藉由其毛細管現象而流通。即，當鍍敷液M流通時，例如無需泵等驅動機構。因此，可使用模板20高效率地進行鍍敷處理。
而且，若可如此般使鍍敷液M藉由毛細管現象而流通，則可將該鍍敷液M供給至液體處理部23直至液體供給部21內之鍍敷液M完全用盡為止。因此，可更高效率地進行鍍敷處理。又，由於該鍍敷液M完全用盡之時間點係鍍敷液處理結束之時間點，故而可適當地把握鍍敷處理之終點。
又，由於以液體供給路徑22內之表面積與液體排出路徑24內之表面積相等之方式設計液體供給路徑22及液體排出路徑24，故而可將於該液體供給路徑22與液體排出路徑24之間流通之鍍敷液M之流量確保為適當之流量。
於以上實施形態之模板20中，液體供給部21、液體供給路徑22、液體處理部23、液體排出路徑24、液體排出部25並不限定於上述實施形態，可採取各種構成。
例如，液體供給部21及液體排出部25分別設置於模板20之背面20b，但亦可如圖10所示般設置於模板20之正面20a。於此情形時，液體供給路徑22及液體排出路徑24並非細管構造而成為細槽構造。
又，例如，於液體供給部21中，細槽亦可如圖11所示般分支為複數個，且連接於分支之細槽之液體供給路徑22設置有複數個。或者， 亦可如圖12所示般設置複數個液體供給部21之液體供給口21a，與此相對應地，細槽及液體供給路徑22分別設置有複數個。於如此般設置有複數個液體供給路徑22之情形時，可自一個液體供給部21對複數個液體處理部23供給鍍敷液M，從而可高效率地進行鍍敷處理。
同樣，例如於液體排出部25中，細槽亦可分支為複數個，且連接於分支之排出槽之液體排出路徑24設置有複數個。或者，亦可設置複數個液體排出部25之排出口25a，與此對應地，液體排出路徑24及排出槽分別設置有複數個。於如此般設置有複數個液體排出路徑24之情形時，可將來自複數個液體處理部23之鍍敷液M排出至一個液體排出部25，從而可高效率地進行鍍敷處理。
即便如以上所述般變更液體供給部21、液體供給路徑22、液體處理部23、液體排出路徑24、及液體排出部25之構成，只要如上述般於液體供給部21與液體排出部25之間使鍍敷液M藉由毛細管現象而流通，亦可享受與上述實施形態同樣之效果。
於以上實施形態之模板20中，液體供給部21及液體排出部25分別為內部貯存鍍敷液M之槽，但並不限定於此。例如，亦可如圖13所示般於形成液體供給部21之部位形成親水區域60，於形成液體排出部25之部位形成親水區域61。於此情形時，供給至親水區域60上之鍍敷液M不會向該親水區域60之外側流出，親水區域60作為液體供給部21而發揮功能。又，排出至親水區域61上之鍍敷液M亦不會向該親水區域61之外側流出，親水區域61作為液體排出部25而發揮功能。於此情形時，於鍍敷液M於親水區域61上擴散之期間，持續對液體處理部23供給清新之鍍敷液M。
於以上實施形態之模板20中，液體處理部23亦可具備親水區域。例如，亦可如圖14所示般於模板20之正面20a，於開口部23a之周圍形成具有親水性之親水區域70。或者，例如亦可如圖15所示般於模 板20之正面20a，於開口部23a之外側形成環狀之槽部71。於此情形時，開口部23a與槽部71之間之親水區域72藉由槽部71之磁通釘紮效果於表觀上與親水區域72之外側之區域相比作為具有親水性之親水區域而發揮功能。即便於液體處理部23具備親水區域70、72之任一者之情形時，於鍍敷處理時，鍍敷液M亦不會向親水區域70、72之外側流出。因此，可更適當地進行鍍敷處理。
於以上實施形態中，對作為晶圓10之特定之處理進行鍍敷處理之情形進行了說明，但本發明可應用於各種液體處理。例如，亦可於蝕刻處理等其他電場處理中應用本發明，又，例如亦可於洗淨處理等電解處理以外之液體處理中應用本發明。
又，於以上實施形態中，對使用模板20進行單一之鍍敷處理之情形進行了說明，但亦可藉由自液體供給部21對液體處理部23連續地供給不同之處理液而於該液體處理部23連續地進行不同之處理。
於以下說明中，對連續地進行於晶圓10形成貫通孔11之蝕刻處理、於貫通孔11內形成貫通電極50之上述鍍敷處理、及洗淨形成有貫通電極50之晶圓10之洗淨處理之情形進行說明。
首先，如圖16所示般於晶圓10之正面10a側配設模板20。此時，模板20以形成貫通孔11之部位(圖16中之虛線部分)與液體處理部23對向之方式調整位置而配置。而且，如圖17所示，晶圓側電極12連接於直流電源30之正極側，模板側電極26連接於直流電源30之負極側。再者，於本實施形態中，晶圓10中之形成貫通孔11之部位與本發明中之處理區域對應。
其後，對液體供給部21供給作為處理液之蝕刻液E，該蝕刻液E藉由其毛細管現象而自液體供給部21流通至液體排出部25。此時，自液體供給路徑22供給至液體處理部23之蝕刻液E經由開口部23a而供給至晶圓10之形成貫通孔11之部位(處理區域)。再者，作為蝕刻液E例 如使用氫氟酸與異丙醇之混合液(HF/IPA)或氫氟酸與乙醇之混合液等。
其後，藉由直流電源30，將模板側電極26設為陰極，將晶圓側電極12設為陽極，而對蝕刻液E施加電壓。如此一來，藉由蝕刻液E而進行晶圓10之電場蝕刻，即，蝕刻液E一面蝕刻晶圓10一面進入至該晶圓10之內部。而且，如圖6所示，於晶圓10形成於厚度方向貫通之貫通孔11。
於該蝕刻處理中，自液體供給部21至液體排出部25，蝕刻液E藉由毛細管現象而流通，因此，可將該蝕刻液E供給至液體處理部23直至液體供給部21內之蝕刻液E完全用盡為止。換言之，當於晶圓10形成貫通孔11時，於液體供給部21內蝕刻液E完全用盡。因此，可不對自液體供給部21至液體排出部25之流通路徑進行洗淨而連續地進行後續之鍍敷處理。
當蝕刻處理結束時，對液體供給部21供給鍍敷液M，於液體處理部23進行鍍敷處理。而且，於貫通孔11內形成貫通電極50。形成該貫通電極50之鍍敷處理之詳情係與上述實施形態之鍍敷處理同樣，因此省略說明。
於該鍍敷處理中，亦可將該鍍敷液M供給至液體處理部23直至液體供給部21內之鍍敷液M完全用盡為止。換言之，當貫通孔11中形成有貫通電極50之情形時，於液體供給部21內鍍敷液M完全用盡。
當鍍敷處理結束時，繼而進行晶圓10之正面10a之洗淨處理。再者，於本實施形態中，晶圓10之貫通電極50上與本發明中之處理區域對應。
具體而言，如圖18所示，對液體供給部21供給作為處理液之洗淨液C、例如純水。如此一來，洗淨液C藉由其毛細管現象而自液體供給部21流通至液體排出部25。此時，自液體供給路徑22供給至液體 處理部23之洗淨液C經由開口部23a而供給至貫通電極50上。而且，貫通電極50之上表面由洗淨液C洗淨，且晶圓10之正面10a被洗淨。
根據本實施形態，被供給至液體供給部21之蝕刻液E、鍍敷液M、洗淨液C當各個蝕刻處理、鍍敷處理、洗淨處理結束時未殘存於液體供給部21。因此，於各處理中使用之處理液不會與後續之處理中使用之處理液混合，即便連續地進行不同之處理亦可適當地進行各個處理。
又，於鍍敷處理以外之蝕刻處理或洗淨處理中，亦可使蝕刻液E或洗淨液C藉由毛細管現象而流通，因此可享受與上述實施形態之鍍敷處理同樣之效果。
再者，於上述實施形態中，於貫通孔11內進行鍍敷處理而形成貫通電極50，但亦可於該貫通電極50上進而進行鍍敷處理而形成凸塊。又，本發明可應用之電解處理並不限定於上述鍍敷處理或蝕刻處理，例如亦可為使用電鍍聚醯亞胺溶液於晶圓10之貫通孔11內形成絕緣膜之絕緣膜形成處理。
以上，一面參照隨附圖式一面對本發明之較佳之實施形態進行了說明，但本發明並不限定於該例。可知，若為業者則可於申請專利範圍所記載之思想之範疇內想到各種變更例或修正例，對於其等當然理解為亦屬於本發明之技術範圍。
20‧‧‧模板
20a‧‧‧模板20之正面
20b‧‧‧模板20之背面
21‧‧‧液體供給部
22‧‧‧液體供給路徑
23‧‧‧液體處理部
23a‧‧‧開口部
24‧‧‧液體排出路徑
25‧‧‧液體排出部
26‧‧‧模板側電極

Claims (16)

  1. 一種液體處理治具，其特徵在於：其係用以使用處理液對被處理體進行特定之處理者，且包括：液體處理部，其形成於上述液體處理治具之正面，用以藉由處理液對被處理體進行特定之處理；液體供給部，其對上述液體處理部供給處理液；液體供給路徑，其將上述液體供給部與上述液體處理部連接，自該液體供給部對液體處理部供給處理液；及液體排出路徑，其自上述液體處理部排出處理液；且上述液體供給部、上述液體供給路徑、上述液體處理部及上述液體排出路徑以使處理液藉由其毛細管現象而流通之方式設置。
  2. 如請求項1之液體處理治具，其中進而具有連接於上述液體排出路徑之一端且排出來自上述液體處理部之處理液之液體排出部，且上述液體排出部具有收納處理液之特定之容積，且藉由毛細管現象而通過上述液體排出路徑抽吸處理液。
  3. 如請求項2之液體處理治具，其中上述液體排出部具有延伸之槽或管。
  4. 如請求項2之液體處理治具，其中上述液體排出部具有多孔質部。
  5. 如請求項1至4中任一項之液體處理治具，其中進而具有用以對上述液體處理部之處理液施加電壓之電極，且 於上述液體處理部中進行之特定之處理為電解處理。
  6. 如請求項1至5中任一項之液體處理治具，其中上述液體處理部具備具有親水性之親水區域。
  7. 如請求項1至6中任一項之液體處理治具，其中上述液體供給部連續地供給不同之處理液。
  8. 如請求項1至7中任一項之液體處理治具，其中上述液體供給路徑至少具有將上述液體處理治具於厚度方向延伸之管或於上述液體處理治具之面方向延伸之槽。
  9. 如請求項1至8中任一項之液體處理治具，其中上述液體供給路徑設置有複數個。
  10. 如請求項1至9中任一項之液體處理治具，其中上述液體排出路徑至少具有將上述液體處理治具於厚度方向延伸之管或於上述液體處理治具之面方向延伸之槽。
  11. 如請求項1至10中任一項之液體處理治具，其中上述液體排出路徑設置有複數個。
  12. 一種液體處理方法，其特徵在於：其係使用液體處理治具於被處理體之處理區域進行特定之處理者，且上述液體處理治具包括：液體處理部，其形成於該液體處理治具之正面，用以藉由處理液而對被處理體進行特定之處理；液體供給部，其對上述液體處理部供給處理液；液體供給路徑，其將上述液體供給部與上述液體處理部連接，且自該液體供給部對液體處理部供給處理液；及液體排出路徑，其自上述液體處理部排出處理液；且上述液體處理方法包括： 配置步驟，其以上述液體處理部與被處理體之處理區域對向之方式配置上述液體處理治具；處理步驟，其使處理液藉由其毛細管現象而自上述液體供給部向上述液體排出路徑流通，且於上述液體處理部中，藉由流通中之處理液對被處理體進行特定之處理。
  13. 如請求項12之液體處理方法，其中上述液體處理治具進而具有連接於上述液體排出路徑之一端且排出來自上述液體處理部之處理液之液體排出部，且於上述處理步驟中，上述液體排出部具有收納處理液之特定之容積，且藉由毛細管現象通過上述液體排出路徑抽吸處理液。
  14. 如請求項12或13之液體處理方法，其中上述液體處理治具進而具有用以對上述液體處理部之處理液施加電壓之電極，且於上述處理步驟中進行之特定之處理係電解處理。
  15. 如請求項12至14中任一項之液體處理方法，其中上述液體處理部具備具有親水性之親水區域。
  16. 如請求項12至15中任一項之液體處理方法，其中於上述處理步驟中，自上述液體供給部連續地供給不同之處理液，於上述液體處理部中連續地進行不同之處理。
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