TW201528554A - 發光二極體封裝體的製造方法 - Google Patents
發光二極體封裝體的製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- TW201528554A TW201528554A TW103101589A TW103101589A TW201528554A TW 201528554 A TW201528554 A TW 201528554A TW 103101589 A TW103101589 A TW 103101589A TW 103101589 A TW103101589 A TW 103101589A TW 201528554 A TW201528554 A TW 201528554A
- Authority
- TW
- Taiwan
- Prior art keywords
- emitting diode
- mold
- light
- colloid
- cavity
- Prior art date
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 23
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 19
- 239000000084 colloidal system Substances 0.000 claims abstract description 26
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 26
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 claims abstract description 14
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims abstract description 8
- 238000001035 drying Methods 0.000 claims abstract description 4
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 30
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 4
- 238000003825 pressing Methods 0.000 claims description 4
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 claims description 3
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 claims description 2
- 238000012546 transfer Methods 0.000 claims description 2
- 239000003292 glue Substances 0.000 description 4
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 4
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 4
- 239000008393 encapsulating agent Substances 0.000 description 3
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 238000005265 energy consumption Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 1
- 238000005304 joining Methods 0.000 description 1
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 1
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 1
- 238000009877 rendering Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 238000007711 solidification Methods 0.000 description 1
- 230000008023 solidification Effects 0.000 description 1
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 1
- 235000018553 tannin Nutrition 0.000 description 1
- 229920001864 tannin Polymers 0.000 description 1
- 239000001648 tannin Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/52—Encapsulations
- H01L33/54—Encapsulations having a particular shape
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
- H01L2933/0008—Processes
- H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
- H01L2933/005—Processes relating to semiconductor body packages relating to encapsulations
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
Abstract
一種發光二極體封裝體的製造方法，包括如下步驟：提供具有微結構區之薄膜層及第一模具，微結構區形成空腔且微結構朝向空腔延伸，將薄膜層貼附在第一模具上；提供具有發光二極體晶片和電路結構之基板及第二模具，將基板貼設在第二模具上；提供膠體，向薄膜層之空腔注滿所述膠體；烘乾膠體形成封裝層；膠體固化後，移除第一模具、薄膜層以及第二模具，使微結構區之微結構轉印到封裝層之表面。
Description
本發明涉及一種半導體的製作方法，尤其涉及一種發光二極體封裝體的製造方法。
發光二極體具有亮度高、顯色性好、耗能低、使用壽命長等特點，是一種綠色環保型的固體光源，因而在很多領域都得到廣泛的應用，發光二極體也有漸漸取代日光燈、白熾燈等傳統光源的趨勢。但是，發光二極體晶片被封裝形成封裝體後，由於發光二極體晶片被封裝膠體包圍，使得發光二極體封裝體在出光時容易發生全反射，從而導致發光二極體封裝體的出光效率較低。為解決這個問題，習知技術是將預設的微結構製作在模具上，然後將封裝膠體填滿模具，使模具內之微結構轉印到由封裝膠形成的封裝層之表面。然而，由於發光二極體封裝體的制程或產品目的不同，往往需要改變不同形狀或結構的微結構，從而導致需要重新製作和設計模具，使得製作發光二極體封裝體的成本過高。
有鑒於此，有必要提供一種可降低發光二極體封裝體的製作成本之發光二極體封裝體的製造方法。
一種發光二極體封裝體的製造方法，包括如下步驟：
提供具有微結構區之薄膜層及第一模具，所述微結構區形成空腔，將所述薄膜層貼附在所述第一模具上，且所述微結構區之微結構朝向所述空腔延伸；
提供基板、發光二極體晶片及第二模具，將所述發光二極體晶片貼設在所述基板上，將所述基板未設置發光二極體晶片之一側貼設在所述第二模具上；
提供膠體，向所述薄膜層之空腔注滿所述膠體並使發光二極體晶片被所述膠體覆蓋；
烘乾所述膠體形成封裝層；
待所述膠體固化後，移除所述第一模具、薄膜層以及第二模具，使所述微結構區之形狀結構轉印到所述封裝層之表面。
與習知技術相比，本發明製作發光二極體封裝體的方法在發光二極體封裝體的制程或產品目的不同、需要改變不同的形狀或結構的微結構的情況下，不需重新製作和設計第一模具，使得發光二極體封裝體的製作成本較低。
圖1為本發明實施例一中發光二極體封裝體的製造方法之流程圖。
圖2至圖6為本發明實施例一中發光二極體封裝體的製造方法的各步驟示意圖。
圖7為圖4中VII處的放大圖。
圖8為本發明實施例二中發光二極體封裝體的製造方法中注膠過程的示意圖。
圖9為本發明實施例三中薄膜層的剖視圖。
圖10為本發明實施例三中發光二極體封裝體的剖視圖。
圖1示出了本發明實施例一中發光二極體封裝體的製造方法之流程。
如圖1所示，本發明發光二極體封裝體的製造方法之步驟包括：
S1提供一具有微結構區之薄膜層及一第一模具，所述微結構區形成空腔，將所述薄膜層貼附在所述第一模具上，且所述微結構區之微結構朝向所述空腔延伸；
S2提供基板、發光二極體晶片及第二模具，將所述發光二極體晶片貼設在所述基板上，將所述基板未設置發光二極體晶片之一側貼設在所述第二模具上，然後使所述第一模具與第二模具合模並使所述空腔圍繞所述發光二極體晶片；
S3提供裝有膠體之點膠機，並使所述膠體注滿所述薄膜層之空腔；
S4烘乾所述膠體形成封裝層；
S5待所述膠體固化後，移除所述第一模具、薄膜層以及第二模具，使所述微結構區之形狀結構轉印到所述封裝層之表面；
S6利用切割方法切割所述基板，形成多個封裝組件。
下面結合其他圖示對所述流程作詳細說明。
請參見圖2，提供一薄膜層20，所述薄膜層20採用廉價材料製作而成，其包括多個間隔設置的微結構區22及位於相鄰的二微結構區22之間、用以連接二微結構區22的連接區21。在本實施例中，所述微結構區22之縱截面呈朝向薄膜層20一側外凸的弧形，可以理解的，在其他實施例中，所述微結構區22之縱截面也可以是其他形狀。所述微結構區22包括一光滑的、弧形的主體部222以及自主體部222朝向連接區21凸伸的微結構221。所述主體部222之內表面圍設形成一弧形的空腔23。所述連接區21之縱截面為一縱長的平面。
所述微結構221是利用微影蝕刻或光阻製作而成。請同時參見圖7，所述微結構221之縱截面為均勻連續排布的外凸三角形。可以理解的，在其他實施例中，所述微結構221可以具有其它形狀，只要能達到提升發光二極體封裝體100的出光效率即可。
請再次參見圖2，提供一第一模具10，所述第一模具10包含一下表面11和與下表面11相對設置之一上表面12。所述下表面11包括多個間隔的成型面112以及位於二成型面112之間用於連接二成型面112的銜接面111。所述銜接面111共面設置且尺寸與薄膜層20之連接區21對應。所述成型面112自二銜接面111相對的內側端朝向上表面12凹陷形成，並且其形狀和尺寸與薄膜層20之微結構區22對應。
利用真空吸附之方法，將所述薄膜層20貼附在所述第一模具10之下表面11，使得所述薄膜層20之微結構區22與所述第一模具10之下表面11之成型面112貼合，同時所述薄膜層20之連接區21與所述第一模具10之下表面11之銜接面111貼合。
請再次參見圖2，提供一帶有電路結構（圖未示）的基板40。所述基板40之縱截面為一縱長的平面，包括一第一面41以及與第一面41相平行的一第二面42。所述基板40為導熱性能良好的板體。在本實施例中，所述基板40為PCB板。
提供多個發光二極體晶片30，將所述發光二極體晶片30貼設在所述基板40之第一面41上，並使所述發光二極體晶片30與所述基板40的電路結構電性連接。
請再次參見圖2，提供一第二模具50，所述第二模具50為一板體且其縱截面為一縱長的平面。所述第二模具50包括一上表面51以及一與所述上表面51相平行的下表面52。
將所述基板40之第二面42貼設於所述第二模具50之上表面51。
請參見圖3，提供一裝有膠體80的點膠機70，然後操作所述點膠機70，將所述膠體80注滿所述薄膜層20之空腔23，並填滿微結構221之間的間隙。
所述膠體80由純矽膠或摻雜有螢光粉的矽膠材料構成，這些摻雜的螢光粉可以是單獨的一種粉體也可由多種粉體混合形成。
參見圖4，將所述第一模具10與所述第二模具50對應壓合。壓合時，所述發光二極體晶片30擠入所述空腔23中的膠體80內且正好位於所述空腔23之頂端中部，同時所述微結構221圍設在所述發光二極體晶片30之週邊。壓合完成後，所述薄膜層20與所述基板40完全貼合，所述第一模具10之上表面12朝上，所述第二模具50之下表面52朝下。
請同時參見圖5，烘乾所述薄膜層20之空腔23中的膠體80，使其固化後形成一封裝層60，然後移除所述第一模具10、薄膜層20以及第二模具50。
所述封裝層60為透明或半透明材料，其縱截面為自所述基板40外凸的半圓形，具有一弧形出光面61。
在所述第一模具10與第二模具50的壓合過程中，所述薄膜層20之微結構221的形狀結構轉印到所述封裝層60之出光面61上，因此所述出光面61之外表面為具有縱截面呈外凸的、三角形的一粗糙化表面62。所述粗糙化表面62是與所述薄膜層20之微結構221相契合的幾何體陣列。
請參見圖5和圖6，利用切割方法切割所述基板40，形成多個發光二極體封裝體100。所述發光二極體封裝體100包含至少一所述發光二極體晶片30。
如此發光二極體封裝體100製造完畢。
與習知技術相比，本發明製作發光二極體封裝體100的方法在發光二極體封裝體100的制程或產品目的不同、需要改變不同的形狀或結構的微結構221的情況下，不需重新製作和設計第一模具10，使得發光二極體封裝體100的製作成本較低。
另外，本發明中的微結構221是利用微影蝕刻或光阻製作而成，可有效地提高所述微結構之精度，從而提高了發光二極體封裝體100的出光效率。
本發明實施例二中的發光二極體封裝體100b的製造過程與實施例一中發光二極體封裝體100的製造過程相似，不同之處在於：
請參見圖8，將所述第一模具10與所述第二模具50對應壓合，壓合完成後，所述基板40與所述薄膜層20之間有一連通薄膜層20之空腔23的注膠空間90。
點膠機70自所述注膠空間90開始注膠直至注滿薄膜層20之空腔23。
請參見圖6，封裝完成後，所述發光二極體封裝體100b的結構與外形與所述發光二極體封裝體100一樣。
本發明實施例三中的發光二極體封裝體100a製造過程同前兩個實施例一樣，所不同的是薄膜層20a之微結構區22a之形狀。
請參見圖9，在本實施例中，所述薄膜層20a之微結構區22a之縱截面成外凸的長方形，包括一光滑的、長方形的主體部222a及自主體部222a朝向連接區21a凸伸的微結構221a。所述主體部222a之內表面圍設形成一長方形的空腔23a。所述連接區2a之縱截面為一縱長的平面。
請參見圖10，相應的，封裝完成後，所述封裝層60a之縱截面為長方體形，其具有自基板40外凸的長方形出光面61a。所述出光面61a之表面為一粗糙化表面62a。
可以理解的是，對於本領域的普通技術人員來說，可以根據本發明的技術構思做出其他各種相應的改變與變形，而所有這些改變與變形都應屬於本發明專利申請範圍的保護範圍。
100、100b、100a‧‧‧發光二極體封裝體
10、11、12、111、112‧‧‧第一模具
20、21、22、23、221、222、20a、21a、22a、23a、221a、222‧‧‧薄膜層
30‧‧‧發光二極體晶片
40、41、42‧‧‧基板
50、51、52‧‧‧第二模具
60、60a、61、61a、62、62a‧‧‧封裝層
70‧‧‧點膠機
80‧‧‧膠體
90‧‧‧注膠空間
無
10‧‧‧第一模具
12‧‧‧上表面
20‧‧‧薄膜層
221‧‧‧微結構
30‧‧‧發光二極體芯片
40‧‧‧基板
50‧‧‧第二模具
52‧‧‧下表面
80‧‧‧膠體
Claims (7)
- 一種發光二極體封裝體的製造方法，包括如下步驟：
提供具有微結構區之薄膜層及第一模具，所述微結構區形成空腔，將所述薄膜層貼附在所述第一模具上，且所述微結構區之微結構朝向所述空腔延伸；
提供基板、發光二極體晶片及第二模具，將所述發光二極體晶片貼設在所述基板上，將所述基板未設置發光二極體晶片的一側貼設在所述第二模具上；
提供膠體，向所述薄膜層之空腔注滿所述膠體，並使發光二極體晶片被所述膠體覆蓋；
烘乾所述膠體形成封裝層；
待所述膠體固化後，移除所述第一模具、薄膜層以及第二模具，以使所述微結構之形狀結構轉印到所述封裝層之表面。 - 如申請專利範圍第1項所述的發光二極體封裝體的製造方法，其中，向所述空腔內注滿膠體之後，使所述第一模具從發光二極體晶片一側與第二模具對應壓合，並使所述發光二極體晶片進入空腔而被膠體覆蓋。
- 如申請專利範圍第1項所述的發光二極體封裝體的製造方法，其中，向所述空腔內注滿膠體之前，使所述第一模具從發光二極體晶片一側與第二模具對應壓合，並使所述空腔圍繞所述發光二極體晶片，然後向所屬空腔注滿膠體。
- 如申請專利範圍第1項所述的發光二極體封裝體的製造方法，其中，所述微結構區之縱截面呈外凸的弧形或長方形。
- 如申請專利範圍第4項所述的發光二極體封裝體的製造方法，其中，所述微結構是利用微影蝕刻或光阻製作而成。
- 如申請專利範圍第5項所述的發光二極體封裝體的製造方法，其中，所述微結構之縱截面為均勻連續排布的外凸三角形。
- 如申請專利範圍第1項所述的發光二極體封裝體的製造方法，其中，所述封裝層為透明或半透明材料。
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201410016716.0A CN104779338A (zh) | 2014-01-15 | 2014-01-15 | 发光二极管封装体的制造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| TW201528554A true TW201528554A (zh) | 2015-07-16 |
Family
ID=53620694
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| TW103101589A TW201528554A (zh) | 2014-01-15 | 2014-01-16 | 發光二極體封裝體的製造方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN104779338A (zh) |
| TW (1) | TW201528554A (zh) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN107256921A (zh) * | 2017-05-27 | 2017-10-17 | 深圳雷曼光电科技股份有限公司 | Cob‑led封装方法、显示装置和照明装置 |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7452737B2 (en) * | 2004-11-15 | 2008-11-18 | Philips Lumileds Lighting Company, Llc | Molded lens over LED die |
| US20100109025A1 (en) * | 2008-11-05 | 2010-05-06 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Over the mold phosphor lens for an led |
| JP5691523B2 (ja) * | 2009-01-08 | 2015-04-01 | 旭硝子株式会社 | 離型フィルム、発光素子の封止方法および発光ダイオードの製造方法 |
| US20100209670A1 (en) * | 2009-02-17 | 2010-08-19 | Nitto Denko Corporation | Sheet for photosemiconductor encapsulation |
-
2014
- 2014-01-15 CN CN201410016716.0A patent/CN104779338A/zh active Pending
- 2014-01-16 TW TW103101589A patent/TW201528554A/zh unknown
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN104779338A (zh) | 2015-07-15 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US8735190B2 (en) | Batwing LED with remote phosphor configuration | |
| CN104094424B (zh) | 形成芯片级led封装的模制透镜及其制造方法 | |
| TWI455366B (zh) | 發光二極體封裝結構的製造方法 | |
| TWI501429B (zh) | 螢光粉薄膜製作方法及相應的發光二極體封裝方法 | |
| TW201507209A (zh) | 發光二極體封裝結構及其製造方法 | |
| US20130217159A1 (en) | Method for manufacturing light emitting diode package | |
| TWI479699B (zh) | 發光二極體封裝結構之製造方法 | |
| TWI455365B (zh) | 發光二極體封裝結構的製造方法 | |
| TWI455370B (zh) | 發光二極體的製作方法 | |
| JP2015015406A (ja) | Ｌｅｄモジュール及びそれを備える照明装置 | |
| TW201344977A (zh) | 發光二極體封裝結構的製造方法 | |
| TW201344989A (zh) | 發光二極體封裝結構的製造方法 | |
| TW201528554A (zh) | 發光二極體封裝體的製造方法 | |
| US8871538B2 (en) | Method for fabricating wavelength conversion member for use in LED lighting apparatus | |
| TWI458136B (zh) | 發光二極體封裝方法 | |
| TWI412163B (zh) | 發光二極體封裝結構及其製造方法 | |
| TWI538256B (zh) | 發光二極體的製造方法 | |
| TW201511338A (zh) | 發光二極體的封裝方法及其結構 | |
| TWI443872B (zh) | 發光二極體封裝結構之形成方法及其基座之形成方法 | |
| TW201511339A (zh) | 發光二極體製造方法 | |
| TWI414089B (zh) | 發光二極體封裝方法 | |
| JP2015018847A (ja) | Ｌｅｄモジュール及びそれを備える照明装置 | |
| TW201513410A (zh) | 發光二極體製造方法 | |
| TW201324869A (zh) | 發光二極體的製造方法 | |
| KR20160059450A (ko) | 몰드 기판, 패키지 구조체 및 이들의 제조 방법 |